[go: up one dir, main page]

KR101453115B1 - Reduction of the entrance mark and exit mark left by the substrate-processing meniscus - Google Patents

Reduction of the entrance mark and exit mark left by the substrate-processing meniscus Download PDF

Info

Publication number
KR101453115B1
KR101453115B1 KR1020097008769A KR20097008769A KR101453115B1 KR 101453115 B1 KR101453115 B1 KR 101453115B1 KR 1020097008769 A KR1020097008769 A KR 1020097008769A KR 20097008769 A KR20097008769 A KR 20097008769A KR 101453115 B1 KR101453115 B1 KR 101453115B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
meniscus
substrate
vacuum ports
nozzles
gap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020097008769A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090094226A (en
Inventor
로버트 오도넬
라리오스 존 데
마이크 라브킨
Original Assignee
램 리써치 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US11/537,501 external-priority patent/US7946303B2/en
Application filed by 램 리써치 코포레이션 filed Critical 램 리써치 코포레이션
Publication of KR20090094226A publication Critical patent/KR20090094226A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101453115B1 publication Critical patent/KR101453115B1/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065Plasma etching; Reactive-ion etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

기판을 프로세싱하기 위해 메니스커스를 발생 및 유지시키기 위한 근접 헤드가 설명된다. 근접 헤드는, 근접 헤드의 일 면 상에 형성되고 메니스커스로 액체를 공급하도록 구성되는 복수의 메니스커스 노즐들, 근접 헤드의 상기 면 상에 형성되고 복수의 메니스커스 노즐들을 완전히 둘러싸도록 배열되는 복수의 진공 포트들, 및 근접 헤드의 상기 면 상에 형성되고 적어도 부분적으로 진공 포트들을 둘러싸는 복수의 기체 노즐들을 포함한다. 근접 헤드는, 메니스커스로부터의 액체가 기판과 캐리어 사이의 갭을 빠져나가는 것을 돕고 촉진시킴으로써, 기판 상의 선단 에지 및 후단 에지에서 입구 마크 및/또는 출구 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키기 위한 수단을 더 포함한다.A proximity head for generating and maintaining a meniscus for processing a substrate is described. The proximity head includes a plurality of meniscus nozzles formed on one side of the proximity head and configured to supply liquid to the meniscus, a plurality of meniscus nozzles formed on the side of the proximity head and configured to completely surround the plurality of meniscus nozzles A plurality of vacuum ports arranged and a plurality of gas nozzles formed on said face of the proximal head and at least partially surrounding the vacuum ports. The proximity head includes means for reducing the size and frequency of the entrance and / or exit marks at the leading and trailing edges on the substrate by facilitating and facilitating liquid exiting the meniscus through the gap between the substrate and the carrier .

기판 프로세싱, 캐리어, 메니스커스, 갭, 진공 포트, 갭 배출 기체 노즐 Substrate processing, carrier, meniscus, gap, vacuum port, gap ejection gas nozzle

Description

기판-프로세싱 메니스커스에 의해 남겨진 입구 마크 및 출구 마크의 감소{REDUCTION OF ENTRANCE AND EXIT MARKS LEFT BY A SUBSTRATE-PROCESSING MENISCUS}REDUCTION OF ENTRANCE AND EXIT MARKS LEFT BY A SUBSTRATE-PROCESSING MENISCUS LEFTED BY THE SUBSTRATE-PROCESSING MENUSCUS

발명자inventor

Robert O'Donnell, John de Larios, Mike RavkinRobert O'Donnell, John de Larios, Mike Ravkin

기술 배경Technical background

반도체 칩 제조 산업에서는, 제조 동작이 수행된 후에, 기판의 표면 상에 원하지 않은 잔여물이 남아있는 기판을 세정 및 건조하는 것이 필요하다. 이러한 제조 동작의 예들로는, 플라즈마 에칭 (예를 들어, 텅스텐 에치 백 (WEB)) 및 화학 기계적 연마 (CMP) 를 포함한다. CMP 에서, 기판은 연마 표면의 반대 측 기판 표면을 푸시하는 홀더 내에 배치된다. 연마 표면은 화학 재료 및 연마용 재료로 이루어진 슬러리를 이용한다. 유감스럽게도, CMP 공정은 기판 표면 상에 슬러리 입자의 누적물 및 잔여물을 남기는 경향이 있다. 기판 상에 남는 경우, 원하지 않은 잔여 재료 및 입자들은 결함을 일으킬 수도 있다. 몇몇 경우에서, 이러한 결함은 기판 상의 디바이스로 하여금 작동하지 않게 한다. 제조 동작 후에 기판을 세정하여 원하지 않은 잔여물 및 입자들을 제거한다.In the semiconductor chip manufacturing industry, it is necessary to clean and dry the substrate, which has unwanted residues remaining on the surface of the substrate, after the manufacturing operation is performed. Examples of such fabrication operations include plasma etching (e.g., tungsten etchback (WEB)) and chemical mechanical polishing (CMP). In CMP, the substrate is placed in a holder that pushes the opposite side substrate surface of the polishing surface. The polishing surface uses a slurry made of a chemical material and an abrasive material. Unfortunately, the CMP process tends to leave accumulations and residues of slurry particles on the substrate surface. If left on the substrate, undesired residual materials and particles may cause defects. In some cases, such defects render the device on the substrate inoperable. After the fabrication operation, the substrate is cleaned to remove unwanted residues and particles.

기판이 물로 세정된 후에, 기판은 물 또는 세정액 (이하, "유체"), 기판 상에 남아있는 잔여물로부터 찌꺼기를 방지하기 위해 효율적으로 건조되어야 한다. 기판 표면 상의 세정액이 증발되도록 허용되면, 방울들이 형성될 때 통상적으로 일어나는 것과 같이, 이전에 유체에 용해된 찌꺼지 및 오염물들이 증발후 기판 상에 남을 것이고, 스폿 (spot) 들을 형성할 수 있다. 증발이 일어나는 것을 방지하기 위해, 세정액은 기판 표면 상에 방울을 형성하지 않고 가능한 한 빨리 제거되어야 한다. 이를 달성하기 위한 시도에서, 스핀-건조 (spin-drying), IPA, 또는 마랑고니 건조 (Marangoni drying) 와 같은 몇몇 상이한 건조 기술들 중 하나가 이용된다. 이들 건조 기술들 모두는 기판 표면 상의 이동하는 액체/기체 계면의 일부 형성물을 이용하며, 적절히 유지되는 경우, 방울을 형성하지 않고 기판 표면을 건조시킨다. 유감스럽게도, 전술된 건조 방법들 모두에서 종종 발생하는 것과 같이 이동하는 액체/기체 계면이 파괴되면, 방울이 형성되고 증발이 발생하여, 기판 표면 상에 오염물이 남겨지는 것을 초래한다.After the substrate has been rinsed with water, the substrate should be efficiently dried to prevent debris from remaining water or cleaning fluid (hereinafter "fluid ") and substrate. If the cleaning liquid on the substrate surface is allowed to evaporate, dirt and contaminants previously dissolved in the fluid will remain on the substrate after evaporation and form spots, such as would normally occur when droplets are formed. To prevent evaporation from occurring, the cleaning liquid must be removed as soon as possible without forming droplets on the substrate surface. In an attempt to achieve this, one of several different drying techniques is used, such as spin-drying, IPA, or Marangoni drying. Both of these drying techniques use some form of moving liquid / gas interface on the substrate surface and, if properly maintained, dry the substrate surface without forming droplets. Unfortunately, when the moving liquid / gas interface breaks, as often occurs in all of the drying methods described above, droplets are formed and evaporation occurs, resulting in leaving contaminants on the substrate surface.

전술한 바를 고려하여, 건조된 유체 방울로부터의 마크의 가능성을 감소시키면서 효율적인 세정을 제공하는 개선된 세정 시스템 및 방법이 필요하다.In view of the foregoing, there is a need for an improved cleaning system and method that provides efficient cleaning while reducing the likelihood of marks from dried fluid drops.

개요summary

광범위하게 말하면, 본 발명은, 기판-프로세싱 메니스커스에 의해 남겨진 건조된 유체 방울들에 의해 야기된 입구 마크 및/또는 출구 마크의 감소를 위한 각종 기술을 제공함으로써 이들 필요성을 충족시킨다.Broadly speaking, the present invention fulfills these needs by providing various techniques for reducing the entrance mark and / or exit mark caused by dried fluid drops left by the substrate-processing meniscus.

본 발명은, 프로세스, 장치, 시스템, 디바이스 또는 방법으로서 포함되는 수많은 방식으로 구현될 수 있다는 것이 인식되어야 한다. 이하에서, 본 발명의 몇몇 창의적 실시형태들이 설명된다.It is to be appreciated that the present invention may be embodied in many ways, including as a process, an apparatus, a system, a device, or a method. In the following, some inventive embodiments of the invention are described.

일 실시형태에서, 기판의 프로세싱 동안 매니스커스를 발생 및 유지시키기 위한 근접 헤드가 제공된다. 근접 헤드는, 근접 헤드의 일 면 상에 형성되고, 메니스커스에 액체를 공급하도록 구성되는 복수의 메니스커스 노즐들, 근접 헤드의 상기 면 상에 형성되고, 복수의 메니스커스 노즐들을 완전히 둘러싸도록 배열되는 복수의 진공 포트들을 포함한다. 근접 헤드의 면 상에는 복수의 주요 기체 노즐들이 형성될 수도 있고, 주요 기체 노즐들은 적어도 부분적으로 진공 포트들을 둘러싼다. 근접 헤드는, 메니스커스로부터의 액체가 기판과 캐리어 사이의 갭을 빠져나가는 것을 돕고 촉진함으로써, 기판 상의 선단 에지 및 후단 에지에서 입구 마크 및/또는 출구 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키기 위한 수단을 더 포함한다.In one embodiment, a proximity head is provided for generating and maintaining a meniscus during processing of a substrate. The proximal head is formed on one side of the proximal head and includes a plurality of meniscus nozzles configured to supply liquid to the meniscus, a plurality of meniscus nozzles formed on the face of the proximal head, And a plurality of vacuum ports arranged to surround. A plurality of major gas nozzles may be formed on the face of the proximity head, and the major gas nozzles at least partially surround the vacuum ports. The proximity head includes means for reducing the size and frequency of the entrance and / or exit marks at the leading and trailing edges on the substrate by facilitating and facilitating liquid exiting the meniscus through the gap between the substrate and the carrier .

다른 실시형태에서, 상부 근접 헤드 및 하부 근접 헤드에 의해 형성된 메니스커스를 이용하여 기판을 프로세싱하는 방법이 제공된다. 이 방법에서, 기판은 상부 근접 헤드와 하부 근접 헤드 사이에서 발생된 메니스커스를 통과하는 캐리어 상에 배치된다. 캐리어는, 기판을 수용하기 위한 크기의 개구 및 이 개구 내에서 기판을 지지하는 복수의 지지핀들을 가지며, 개구는 기판보다 약간 커서 기판과 개구 사이에 갭이 존재한다. 상부 근접 헤드 및 하부 근접 헤드 각각은, 근접 헤드의 일 면 상에 형성되고 메니스커스에 액체를 공급하도록 구성되는 복수의 메니스커스 노즐들; 근접 헤드의 상기 면 상에 형성되고 복수의 메니스커스 노즐들을 완전히 둘러싸도록 배열되는 복수의 진공 포트들; 및 근접 헤드의 상기 면 상에 형성되고 진공 포트들을 적어도 부분적으로 둘러싸는 복수의 주요 기체 노즐들을 포함한다. 방법은, 상부 근접 헤드 및 하부 근접 헤드를 이용하여 메니스커스로부터의 액체가 갭을 빠져나가는 것을 촉진시킴으로써, 기판 상의 입구 마크 또는 출구 마크 중 적어도 일방의 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키는 단계를 더 포함한다.In another embodiment, a method of processing a substrate using a meniscus formed by an upper proximity head and a lower proximity head is provided. In this method, a substrate is disposed on a carrier passing through a meniscus generated between an upper close-up head and a lower close-up head. The carrier has an opening sized for receiving a substrate and a plurality of support pins for supporting the substrate within the opening, wherein the opening is slightly larger than the substrate and there is a gap between the substrate and the opening. Each of the upper and lower proximity heads comprises a plurality of meniscus nozzles formed on one side of the proximity head and configured to supply liquid to the meniscus; A plurality of vacuum ports formed on the surface of the proximity head and arranged to completely surround the plurality of meniscus nozzles; And a plurality of main gas nozzles formed on the surface of the proximity head and at least partially surrounding the vacuum ports. The method further includes reducing the size and frequency of at least one of the entry mark or exit mark on the substrate by facilitating the liquid from the meniscus to exit the gap using the upper and lower proximity heads .

본 발명의 양수인에 의한, 반도체 웨이퍼를 세정, 프로세싱, 및 건조시키는데서의 이용을 위해 근접 헤드에 의해 발생된 이동하는 메니스커스의 도입으로 인해, 기판의 표면 상에 형성된 방울의 매우 낮은 리스크를 갖고 기판을 젖게 하고 건조시키는 것이 가능해진다. 이 기술은, 메니스커스가 제거된 후에, 임의의 방울이 웨이퍼의 유효 디바이스 영역 상에 남겨지는 것을 방지하는데 매우 성공적이었다. 그러나, 메니스커스는 때때로, 기판이 메니스커스를 통과할 때, 입구 지점 및/또는 출구 지점에서 기판의 배제 영역 상에 작은 방울을 남기는 경향이 있다. 기판 배제 영역은 기판의 에지에 있으며, 유효 디바이스 영역으로부터 마이크로 일렉트로닉 구조가 형성되지 않는 기판의 가장자리까지 연장된다. 때때로, 입구 마크 및 출구 마크는, 특히 친수성 웨이퍼 상에 주된 표면 마크가 될 수 있다. 그러므로, 이러한 입구 마크 및/또는 출구 마크의 사례가 감소되거나 제거되는 것이 바람직하다.Due to the introduction of a moving meniscus generated by the proximity head for use in cleaning, processing and drying semiconductor wafers by the assignee of the present invention, the very low risk of droplets formed on the surface of the substrate The substrate can be wetted and dried. This technique was very successful in preventing any drops from being left on the effective device area of the wafer after the meniscus was removed. However, the meniscus sometimes tends to leave small droplets on the exclusion zone of the substrate at the entry point and / or exit point when the substrate passes through the meniscus. The substrate exclusion zone is at the edge of the substrate and extends from the effective device area to the edge of the substrate where no microelectronic structure is formed. Occasionally, the entrance mark and the exit mark may be the main surface mark, especially on the hydrophilic wafer. It is therefore desirable that these examples of entrance and / or exit marks be reduced or eliminated.

본 발명의 이점은, 본 발명의 원리를 실시예의 방식으로 설명하는 첨부된 도면과 관련하여 설명된 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. The advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description, taken in conjunction with the accompanying drawings, illustrating by way of example the principles of the invention.

도면의 간단한 설명Brief Description of Drawings

본 발명은, 첨부된 도면과 관련되는 다음의 상세한 설명에 의해 용이하게 이 해될 것이며, 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지정한다.The present invention will be readily understood by the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings, in which like reference numerals designate like elements.

도 1 은 근접 헤드 장치의 예시적인 구현의 사시도를 나타낸다.Figure 1 shows a perspective view of an exemplary implementation of a proximity head device.

도 2 는 상부 근접 헤드의 개략도를 나타낸다.Figure 2 shows a schematic view of the upper near-head.

도 3a, 도 3b, 도 3c, 및 도 3d 는 상부 근접 헤드 및 하부 근접 헤드에 의해 발생된 메니스커스를 빠져나가는 기판을 나타낸다.Figures 3a, 3b, 3c, and 3d show substrates exiting the meniscus generated by the upper and lower proximity heads.

도 4 는 캐리어와 기판 사이의 갭의 사시도를 나타낸다.Figure 4 shows a perspective view of the gap between the carrier and the substrate.

도 5 는 메니스커스가 캐리어 상에서 완전히 전이될 때, 메니스커스의 단면도를 나타낸다.Figure 5 shows a cross-sectional view of the meniscus when the meniscus is fully transferred over the carrier.

도 6a 는 입구 마크 및 출구 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키기 위한 수단을 갖는 하부 근접 헤드의 평면도를 나타낸다.Figure 6a shows a top view of the lower proximity head with means for reducing the size and frequency of the entrance mark and the exit mark.

도 6b, 도 6c, 및 도 6d 는 각종 메니스커스 돌출부 크기 및 형상을 나타낸다.Figs. 6B, 6C and 6D show various meniscus projection sizes and shapes.

도 7 은 캐리어, 기판, 및 메니스커스 둘레의 평면도를 나타낸다.7 shows a top view of the carrier, the substrate, and the meniscus.

도 8a, 도 8b, 및 도 8c 는 입구 마크 및 출구 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키기 위한 수단을 갖는 근접 헤드의 예시적인 실시형태를 나타낸다.Figures 8A, 8B and 8C show an exemplary embodiment of a proximity head having means for reducing the size and frequency of the entrance and exit marks.

도 9a 및 도 9b 는 입구 마크 및 출구 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키기 위한 수단을 갖는 근접 헤드의 예시적인 실시형태를 나타낸다.Figures 9a and 9b show an exemplary embodiment of a proximity head with means for reducing the size and frequency of the entrance and exit marks.

도 10 은 입구 마크 및 출구 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키기 위한 수단을 갖는 근접 헤드의 다른 실시형태를 나타낸다.10 shows another embodiment of a proximity head having means for reducing the size and frequency of the entrance mark and the exit mark.

상세한 설명details

다음 설명에서, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 수많은 구체적인 상세한 내용들이 설명될 것이다. 그러나 본 발명이 이들 구체적인 상세한 내용들의 일부 없이 실행될 수도 있다는 것은 당업자에게 자명한 것이다. 다른 관점에서, 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않기 위해 잘 알려진 프로세스 단계들 및/또는 구조들은 상세하게 설명하지 않았다. 본 명세서에 사용된 "매니스커스 (meniscus)" 라는 용어는, 액체의 표면 장력에 의해 부분적으로 속박되고 포함된 액체의 체적을 지칭한다. 또한, 매니스커스는 제어가능하며, 포함된 형상으로 표면 위에서 이동될 수 있다. 특정 실시형태에서, 또한, 매니스커스는 유체를 표면에 전달하고 또한 그 유체를 제거하는 것에 의해 유지되어, 그 메니스커스는 제어가능한 상태로 유지된다. 또한, 매니스커스 형상은, 네트워킹될 수도 있는 컴퓨팅 시스템 및 제어기와 부분적으로 인터페이스되는 착탈식 시스템 및 정밀한 유체 전달에 의해 제어될 수 있다.In the following description, numerous specific details are set forth in order to provide a thorough understanding of the present invention. It will be apparent, however, to one skilled in the art that the present invention may be practiced without some of these specific details. In other respects, well-known process steps and / or structures have not been described in detail in order not to unnecessarily obscure the present invention. As used herein, the term "meniscus" refers to the volume of liquid that is partially bound by the surface tension of the liquid and contained. In addition, the meniscus is controllable and can be moved over the surface in an included configuration. In certain embodiments, the maniscus is also maintained by delivering the fluid to the surface and also removing the fluid, the meniscus remaining controllable. In addition, the manifold shape can be controlled by a removable system that is partially interfaced with a computing system and controller that may be networked and by precise fluid delivery.

도 1 은 근접 헤드 장치 (100) 의 예시적인 구현의 사시도이다. 본 실시예에서, 기판 (160) 은 캐리어 (150) 내에 배치되며, 이 캐리어는 화살표 152 방향으로 상부 근접 헤드 (110) 와 하부 근접 헤드 (120) 사이를 통과한다. 상부 근접 헤드 (110) 및 하부 근접 헤드 (120) 는, 헤드들 사이에 유체의 메니스커스를 형성한다. 캐리어 (150) 는, 캐리어 (150) 로 하여금 상부 근접 헤드 (110) 와 하부 근접 헤드 (120) 사이에서 화살표 166 방향으로 이동하게 하는 몇몇 장치들 (미도시) 에 연결될 수도 있다. 일 실시형태에서, 기판 (160) 은 근접 헤드들 (110, 120) 의 일 측 상의 제 1 로케이션에서 캐리어 (150) 상에 놓이고, 캐리어 (150) 가 근접 헤드들 (110, 120) 의 반대측 상의 제 2 로케이션에 도착할 때 제거된다. 그 다음에, 캐리어 (150) 는 근접 헤드들 (110, 120) 들을 다시 통과해서, 또는 근접 헤드들 (110, 120) 의 위, 아래, 또는 주변을 다시 통과해서, 다음 기판이 놓이는 제 1 위치로 되돌아갈 수도 있으며, 이 프로세스가 반복된다.FIG. 1 is a perspective view of an exemplary implementation of a proximity head device 100. In this embodiment, the substrate 160 is disposed within the carrier 150, which passes between the upper proximity head 110 and the lower proximity head 120 in the direction of arrow 152. The upper proximity head 110 and the lower proximity head 120 form a meniscus of fluid between the heads. The carrier 150 may be connected to several devices (not shown) that cause the carrier 150 to move in the direction of the arrow 166 between the upper and lower proximity heads 110, 120. The substrate 160 is placed on the carrier 150 at a first location on one side of the proximity heads 110 and 120 and the carrier 150 is positioned on the opposite side of the proximity heads 110 and 120. In one embodiment, Lt; RTI ID = 0.0 > location < / RTI > The carrier 150 then passes again through the proximity heads 110 and 120 or above, below, or around the proximity heads 110 and 120 to form a first position , And the process is repeated.

도 1 에 도시된 실시예에서, 기판은 근접 헤드들 (110, 120) 을 통해 화살표 152 방향으로 이동하는 한편, 근접 헤드들에 대하여 기판이 이동하도록, 기판이 정지해 있으면서 근접 헤드들 (110, 120) 이 기판의 위와 아래를 통과하는 것도 또한 가능한 것으로 주목된다. 또한, 기판이 근접 헤드들 사이를 통과할 때, 기판의 방위는 임의적이다. 즉, 기판은 수평하게 방위되도록 요구되지 않고 대신에 수직하게 또는 임의의 각도에서 방위될 수 있다.1, the substrate is moved in the direction of the arrow 152 through the proximity heads 110 and 120 while the substrate is stationary and the proximity heads 110, 120 pass through the top and bottom of the substrate. Further, when the substrate passes between adjacent heads, the orientation of the substrate is arbitrary. That is, the substrate is not required to be oriented horizontally but instead can be oriented vertically or at any angle.

특정 실시형태에서, 그 기능성이 논리 회로, 소프트웨어, 또는 양자 모두에 의해 결정되는 범용 또는 특정 목적의 컴퓨터 시스템일 수도 있는 제어기 (130) 는, 상부 근접 헤드 (110) 및 하부 근접 헤드 (120) 에 대한 유체의 흐름 및 캐리어 (150) 의 이동을 제어한다.In certain embodiments, controller 130, which may be a general purpose or special purpose computer system whose functionality is determined by logic circuitry, software, or both, may be coupled to upper proximity head 110 and lower proximity head 120 Thereby controlling the flow of the fluid and the movement of the carrier 150.

도 2 는 상부 근접 헤드 (110) 의 개략도를 나타낸다. 근접 헤드는, 근접 헤드 (110) 의 면 (111) 내에 형성된 복수의 중심 메니스커스 노즐 (116) 을 포함하고, 이 노즐을 통해 액체가 공급되어 메니스커스 (200) 를 형성한다. 액체는, 순수, 세정 용액, 또는 기판 (160) 을 처리, 세정, 또는 린스하도록 설계된 다른 액체일 수도 있다. 복수의 진공 포트 (114) 는 메니스커스 (200) 주변에 진공을 적용한다. 진공 포트 (114) 는, 메니스커스 (200) 로부터 액체 및 노즐 (112) 에 의해 공급된 공기 또는 다른 기체와 같은 주변 유체를 흡인한다. 특정 실시형태에서, 노즐 (112) 은 진공 포트 (114) 를 둘러싸고, 이소프로필 알콜 증기, 질소, 이들의 혼합물, 또는 다른 기체나 기체들 또는 기체/액체 유체를 공급한다. 구현에 따라, 주요 기체 노즐 (112) 및 이로부터 공급된 유체는 메니스커스 (200) 의 표면에서 코히런트 (coherent) 액체/기체 계면을 유지하는 것을 돕는다. 일 실시형태에서, 주요 기체 노즐 (112) 은 존재하지 않거나 이용되지 않는다. 다른 실시형태에서, 주요 기체 노즐 (112) 은 이산화탄소 (CO2) 또는 N2 의 혼합물 및 이소프로필 알콜 (IPA) 증기를 공급한다. 도 2 에 도시되진 않았으나, 하부 근접 헤드 (120) 는 상부 근접 헤드에 대한 거울상으로서 제공될 수도 있으며, 유사한 방식으로 동작할 수도 있다.2 shows a schematic view of the upper proximity head 110. Fig. The proximity head includes a plurality of central meniscus nozzles 116 formed in the face 111 of the proximity head 110 through which liquid is supplied to form the meniscus 200. The liquid may be pure water, a cleaning solution, or other liquid designed to treat, clean, or rinse the substrate 160. A plurality of vacuum ports 114 apply a vacuum around the meniscus 200. The vacuum port 114 draws liquid from the meniscus 200 and surrounding fluid such as air or other gas supplied by the nozzle 112. In certain embodiments, the nozzle 112 surrounds the vacuum port 114 and supplies isopropyl alcohol vapor, nitrogen, mixtures thereof, or other gases or gases or gas / liquid fluids. Depending on the implementation, the main gas nozzles 112 and the fluids supplied therefrom help maintain a coherent liquid / gas interface at the surface of the meniscus 200. In one embodiment, the main gas nozzle 112 is not present or not used. In another embodiment, the main gas nozzle 112 supplies a mixture of carbon dioxide (CO 2 ) or N 2 and isopropyl alcohol (IPA) vapor. Although not shown in FIG. 2, the lower proximity head 120 may be provided as a mirror image of the upper proximity head and may operate in a similar manner.

도 3a 내지 도 3d 는 상부 근접 헤드 (110) 및 하부 근접 헤드 (120) 에 의해 발생된 메니스커스 (200) 에서 빠져나가는 기판 (160) 을 나타낸다. 도 3a 에서, 기판 (160) 은 메니스커스 (200) 를 통해 사방으로 연장되어서, 선단 에지 (162) 및 후단 에지 (164) 는 메니스커스 (200) 의 반대 측 상에 놓인다. 본 도면에 보이지는 않지만, 통상적으로, 기판 (160) 은 원형이고, 캐리어 (150) 는 메니스커스 (200) 의 외측에 있는 것으로 도시되며, 캐리어 (150) 의 일부가 메니스커스 (200) 와 접촉될 수도 있다는 것이 주목된다.3A-3D illustrate a substrate 160 exiting a meniscus 200 generated by an upper proximity head 110 and a lower proximity head 120. 3A, the substrate 160 extends in four directions through the meniscus 200 such that the leading edge 162 and the trailing edge 164 are on opposite sides of the meniscus 200. Although not shown in the figures, the substrate 160 is generally circular and the carrier 150 is shown as being external to the meniscus 200, and a portion of the carrier 150 is shown on the meniscus 200, Lt; / RTI >

도 3b 에서, 메니스커스 (200) 는 기판 (160) 으로부터 캐리어 (150) 로 전이 (transition) 된다. 캐리어 (150) 는 기판 (160) 보다 단면이 약간 더 두꺼 울 수도 있다. 예를 들어, 기판 (160) 은 약 0.80 mm 의 두께인 반면, 캐리어는 약 1.5 mm 의 두께일 수도 있다. 따라서, 메니스커스 (200) 가 캐리어 (150) 상에서 전이될 때, 임의의 양의 메니스커스 액체는 캐리어 (150) 에 의해 변위된다. In FIG. 3B, the meniscus 200 is transitioned from the substrate 160 to the carrier 150. The carrier 150 may be slightly thicker in cross-section than the substrate 160. For example, the substrate 160 may be about 0.80 mm thick, while the carrier may be about 1.5 mm thick. Thus, when the meniscus 200 transitions on the carrier 150, any amount of meniscus liquid is displaced by the carrier 150.

도 3c 에서, 메니스커스 (200) 는 기판 (160) 을 완전하게 벗어나 캐리어 (150) 상에서 전이된다. 이 때, 메니스커스 (200) 의 후단 에지 (234) 는 기판 (160) 의 후단 에지 (164) 와 여전히 접촉된다. 이 시점에서, 메니스커스 (200) 상에 작용하는 힘은 이하의 도 5 를 참조하여 설명된다.In Fig. 3C, the meniscus 200 is completely off the substrate 160 and transitions on the carrier 150. At this time, the trailing edge 234 of the meniscus 200 is still in contact with the trailing edge 164 of the substrate 160. At this point, the force acting on the meniscus 200 will be described with reference to Fig. 5 below.

도 3d 에서, 메니스커스는, 기판 (160) 의 후단 에지 (164) 에서 기판 (160) 의 배제 영역 (exclusion zone) 상에 메니스커스 액체의 작은 방울 (202) 를 남기고, 기판 (160) 을 완전히 벗어나 전이되었다. 건조가 허용된다면, 방울 (202) 은 용해되거나 동반된 엘리먼트의 형태인 스폿을 남길 수 있고, 이 스폿은 본 명세서에서 출구 마크로서 지칭된다. 기판 표면이 친수성인 경우, 방울 (202) 은, 기판 상에 형성된 디바이스 내에서 결함을 일으킬 수 있는 기판의 유효 디바이스 영역으로 이동할 수 있다. 다수의 인자들이 기판 (160) 의 후단 에지 (164) 에서 작은 방울 (202) 의 크기 및 존재에 기여하는 것으로 알려져 있다. 선단 에지 (162) 에서의 입구 마크는, 후단 에지 (162) 가 메니스커스 (200) 를 빠져나가는 것과 유사한 방식으로 형성될 수 있다는 것이 주목된다.In Figure 3D, the meniscus leaves a small drop 202 of meniscus liquid on the exclusion zone of the substrate 160 at the trailing edge 164 of the substrate 160, leaving the substrate 160 It was completely deviated. If drying is allowed, the droplets 202 may leave a spot that is dissolved or in the form of a co-existing element, which is referred to herein as an exit mark. If the substrate surface is hydrophilic, the droplets 202 may migrate to an effective device region of the substrate that can cause defects in the device formed on the substrate. A number of factors are known to contribute to the size and presence of small droplets 202 at the trailing edge 164 of the substrate 160. It is noted that the entrance mark at the leading edge 162 may be formed in a manner similar to the trailing edge 162 exiting the meniscus 200.

도 4 는 캐리어 (150) 와 기판 (160) 사이에 있는 갭 (158) 의 사시도를 나타낸다. 메니스커스 둘레 (204) 는, 캐리어 (150) 및 기판 (160) 과 메니스커 스의 접촉 영역을 나타낸다. 메니스커스는 화살표 208 로 나타낸 방향으로 이동된다. 메니스커스가 기판 (160) 을 벗어나면서, 화살표 206 방향을 따라 메니스커스의 에지가 캐리어-기판 갭 (158) 내의 메니스커스 유체를 스윕한다 (sweep). 메니스커스 둘레 (204) 의 후단 에지 (210) 가 기판 (160) 의 후단 에지 (164) 에 도달할 때, 유체는, 기판의 후단 에지 (164) 에 인접한 갭 내의 일 포인트 (212) 를 향해 지향된다. 캐리어 (150) 상에서의 메니스커스 전이에 따라, 갭 (158) 내의 유체는 갭 (158) 밖에서 일정하게 흐르는 것으로 인식된다. 그러므로, 유체는 실제로 화살표 206 을 따르도록 기대되지 않지만, 흐름의 방향의 벡터 성분은 화살표 206 상에 놓여 포인트 (212) 에서 유체의 확립 (build-up) 을 초래한다.4 shows a perspective view of a gap 158 between the carrier 150 and the substrate 160. As shown in FIG. The meniscus periphery 204 represents the contact area between the carrier 150 and the substrate 160 and meniscus. The meniscus is moved in the direction indicated by the arrow 208. As the meniscus exits the substrate 160, the edge of the meniscus sweeps the meniscus fluid in the carrier-substrate gap 158 along arrow 206 direction. When the trailing edge 210 of the meniscus periphery 204 reaches the trailing edge 164 of the substrate 160 the fluid is directed toward a point 212 in the gap adjacent to the trailing edge 164 of the substrate . With the meniscus transition on the carrier 150, the fluid in the gap 158 is recognized to flow constantly outside the gap 158. Therefore, although the fluid is not actually expected to follow the arrow 206, the vector component of the direction of flow lies on the arrow 206 resulting in the build-up of the fluid at point 212.

도 5 는 메니스커스가 완전히 캐리어 (150) 상에서 전이될 때 포인트 (212) 에서 메니스커스 (200) 의 단면도를 나타낸다. 이 때, 메니스커스 (200) 는 기판 (160) 의 후단 에지 (164) 에 여전히 접촉된다. 캐리어 (150) 는 기판 (160) 보다 다소 두꺼울 수도 있으며, 액체의 흐름이 화살표 214 를 따라 기판 (160) 으로부터 멀어지는 것을 방해한다. 진공 포트 (114) 는, 메니스커스 액체 및 주변 기체를 포함하는 유체를 끌어당기며, 메니스커스 액체에 대해 화살표 216 으로 표시된 힘을 가한다. 화살표 218 로 도시된 바와 같이, 메니스커스 (200) 의 기체/액체 계면에 대하여 내부로 미는 노즐 (112, 도 2) 에서 빠져나가는 유체에 의해 추가의 힘 가해진다. 또한, 메니스커스 (200) 에 대하여 중력 (221) 이 가해진다. 기판 (160) 이 친수성이면, 메니스커스 액체에 대한 인력 (attraction) 은 수소 결합력을 야기하여, 화살표 222 로 나타낸 바와 같이, 기판 (160) 상에서 물을 뒤로 끌어당길 수 있다. 5 shows a cross-sectional view of the meniscus 200 at point 212 when the meniscus is fully transferred over the carrier 150. FIG. At this time, the meniscus 200 is still in contact with the rear edge 164 of the substrate 160. The carrier 150 may be somewhat thicker than the substrate 160 and prevents the flow of liquid away from the substrate 160 along arrow 214. The vacuum port 114 draws a fluid comprising the meniscus liquid and the surrounding gas and exerts a force indicated by arrow 216 against the meniscus liquid. As shown by arrow 218, further force is exerted by the fluid exiting the nozzle 112 (FIG. 2) pushing inward against the gas / liquid interface of the meniscus 200. Further, the gravitational force 221 is applied to the meniscus 200. If the substrate 160 is hydrophilic, the attraction to the meniscus liquid can cause hydrogen bonding forces to draw water back on the substrate 160, as indicated by the arrow 222.

도 6a 는, 메니스커스가 기판을 벗어나고 있을 때, 캐리어-기판 갭으로부터의 메니스커스 액체의 흐름을 촉진시킴으로써 입구 마크 및 출구 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키기 위한 수단을 갖는 하부 근접 헤드 (120) 의 일 면 (121) 을 나타낸다. 도 2 를 참조하여 전술된 바와 같이, 하부 근접 헤드 (120) 는, 메니스커스 액체를 공급하기 위해 중심에 배치된 복수의 메니스커스 노즐 (116), 및 메니스커스 노즐 (116) 을 완전히 둘러싸도록 배치된 복수의 진공 포트 (114) 를 포함한다. 진공 포트 (114) 는 메니스커스 액체 및 주변 기체를 흡인한다. 선택적으로, 복수의 주요 기체 노즐 (112) 은 적어도 부분적으로 진공 포트 (114) 를 둘러싸고, 기체 또는 기체/액체 혼합물을 제공하여 메니스커스의 기체/액체 계면의 본래상태 (integrity) 를 유지하도록 돕는다. 메니스커스 노즐 (116), 진공 포트 (114), 및 선택적으로 주요 기체 노즐 (112) 은 근접 헤드 (120) 의 면 (121) 내에 형성된다. 일 실시형태에서, 메니스커스의 후단측 (122) 상의 중심에 위치한 돌출부에 의해 입구 마크 및 출구 마크의 크기 및 진동수를 감소시키기 위한 수단이 제공된다. 진공 포트 (114) 의 배열은 메니스커스의 형상을 결정한다. 도 6 은, 하부 근접 헤드 (120) 의 중심부 (125) 에서 메니스커스 노즐 (116) 에 의해 정의된 축으로부터 더 멀고 주요 기체 노즐 (112) 에 인접하게 진공 포트 (114) 를 배치함으로써 중심에 위치한 돌출부를 형성하는 하부 근접 헤드 (120) 를 나타낸다. 근접 헤드들 모두가 메니스커스의 후단측 상의 중심에 위 치한 메니스커스 돌출부를 발생시키도록, 상부 근접 헤드 (110, 도 1) 상에 대응하는 중심 돌출부가 형성된다.6A shows a lower proximity head 120 having means for reducing the size and frequency of the entrance and exit marks by facilitating the flow of meniscus liquid from the carrier-substrate gap when the meniscus is off the substrate On the other hand. 2, the lower proximity head 120 includes a plurality of meniscus nozzles 116 centrally located to supply meniscus liquid, and a plurality of meniscus nozzles 116 centrally located to supply meniscus liquid. And a plurality of vacuum ports (114) arranged to surround. The vacuum port 114 sucks the meniscus liquid and the surrounding gas. Optionally, a plurality of major gas nozzles 112 at least partially surround the vacuum port 114 and provide a gas or gas / liquid mixture to help maintain the integrity of the gas / liquid interface of the meniscus . A meniscus nozzle 116, a vacuum port 114 and optionally a main gas nozzle 112 are formed in the face 121 of the proximity head 120. In one embodiment, means for reducing the size and frequency of the entrance and exit marks are provided by projections located centrally on the rear end side 122 of the meniscus. The arrangement of vacuum ports 114 determines the shape of the meniscus. Figure 6 shows a top view of the lower proximity head 120 at the center 125 by locating the vacuum port 114 farther from the axis defined by the meniscus nozzle 116 and adjacent the main gas nozzle 112 Lt; RTI ID = 0.0 > 120 < / RTI > A corresponding center protrusion is formed on the upper proximity head 110 (Fig. 1) so that all of the proximity heads generate a meniscus protrusion located at the center on the rear end side of the meniscus.

도 6b 는 도 6a 의 근접 헤드에 의해 형성된 예시적인 메니스커스 구성의 윤곽을 나타낸다. 메니스커스는, 주요부 (225) 및 돌출부 (220) 를 포함한다. 돌출부 (220) 는 각종 형상을 가질 수도 있다. 예를 들어, 도 6c 에 도시된 바와 같이, 돌출부 (220A) 는 일직선의 선단을 갖고, 돌출부 (220B) 는 메니스커스로부터 중심 포인트로 완만하게 연장되는 2 개의 볼록한 선단 에지를 갖고, 돌출부 (220C) 는 오목한 선단 에지를 가지며, 돌출부 (220D) 는 복합적인 선단 에지 형상을 가진다. 일 실시형태에서, 선단 에지는 220C 에 나타난 바와 같이 오목하며, 이 선단 에지는 기판 (160, 도 7) 과 같이 동일한 반경의 만곡 (curvature) 을 갖는다.Figure 6b shows an outline of an exemplary meniscus configuration formed by the proximity head of Figure 6a. The meniscus includes a main portion 225 and a protrusion 220. The protrusions 220 may have various shapes. 6C, the protrusion 220A has a straight tip, the protrusion 220B has two convex tip edges that gently extend from the meniscus to the center point, and the protrusion 220C Has a concave leading edge, and the protrusion 220D has a complex leading edge shape. In one embodiment, the leading edge is concave as shown at 220C, which has a curvature of the same radius as the substrate 160 (FIG. 7).

도 6c 에서, 최소의 돌출 크기는 2 개의 인접한 진공 포트들 사이의 간격과 동일한 돌출부 연장범위 (224), 및 3 개의 인접한 진공 포트들 사이의 간격과 동일한 돌출부 폭 (226) 을 갖는 것으로 도시된다. 그러나, 돌출부는 임의의 적절한 크기일 수 있다. 일 실시형태에서, 예를 들어, 돌출부는 6 개의 인접한 진공 포트들의 간격에 의해 정의된 길이와 동일한 연장범위, 및 12 개의 진공 포트들의 간격에 의해 정의된 폭을 가지며, 각 진공 포트는, 직경이 약 0.06 인치이고 0.12 인치의 피치 (센터-대-센터 공간) 를 갖는다. In Fig. 6C, the minimum protrusion size is shown to have a protrusion extension range 224 that is equal to the distance between two adjacent vacuum ports, and a protrusion width 226 that is equal to the distance between the three adjacent vacuum ports. However, the protrusions can be of any suitable size. In one embodiment, for example, the protrusions have a width defined by an extension range equal to the length defined by the spacing of the six adjacent vacuum ports and the spacing of the twelve vacuum ports, each vacuum port having a diameter 0.06 inch and a pitch of 0.12 inches (center-to-center space).

도 7 은, 제 1 위치 (230) 및 제 2 위치 (232) 에서 캐리어 (150), 기판 (160), 및 메니스커스 둘레 (204) 의 평면도를 나타낸다. 캐리어 (150) 는 화살표 166 으로 나타낸 방향으로 이동하고/하거나 메니스커스는 화살표 208 로 나타낸 방향으로 이동한다. 캐리어 (150) 는, 각각이 기판 지지부 및 센터링 구조 (미도시) 를 갖는 복수의 지지핀 (152) 을 포함하여, 기판 (160) 과 캐리어 (150) 사이에 균일한 기판-캐리어 갭 (158) 을 확보한다. 일 실시형태에서, 캐리어 (150) 는 선단측 (154) 및 후단측 (156) 에서 경사진 에지를 가져서, 캐리어 (150) 가 메니스커스로 들어가고 빠져나갈 때, 메니스커스 액체의 체적에서의 갑작스런 변화를 방지한다. 예를 들어, 캐리어 (150) 는, 각각 가로 방향으로부터 각도 θ 에서 중심에 위치한 포인트를 함께 형성하는 2 개의 선단 에지 (155), 및 가로 방향에 대하여 각각 각도 θ 를 형성하고 중심에 위치한 포인트를 함께 형성하는 대응하는 후단 에지 (159) 를 갖는 6 개의 측을 갖는다. 일 실시형태에서, θ 는 약 15°이다. 또한, 메니스커스 액체의 빠른 변위 (displacement) 를 초래하지 않는 다른 형상 (예를 들어, 사다리꼴 또는 평행사변형) 도 가능하며, 여기서, 선단 에지 및 후단 에지는 캐리어의 이동 방향에 대해 직각 이외의 각도에 있고, 또는 메니스커스의 선단 에지 및 후단 에지에 대해 비스듬히 (즉, 평행하게 않게) 있다.7 shows a top view of the carrier 150, the substrate 160, and the meniscus periphery 204 at the first position 230 and the second position 232. As shown in FIG. The carrier 150 moves in the direction indicated by the arrow 166 and / or the meniscus moves in the direction indicated by the arrow 208. The carrier 150 includes a plurality of support pins 152 each having a substrate support and a centering structure (not shown) to provide a uniform substrate-carrier gap 158 between the substrate 160 and the carrier 150. [ . The carrier 150 has an angled edge at the leading end side 154 and the trailing side 156 so that as the carrier 150 enters and exits the meniscus, Avoid sudden changes. For example, the carrier 150 may include two leading edges 155, each forming a point centered at an angle &thetas; from the transverse direction, and a point located at the center, And has six sides with corresponding trailing edge 159 to form. In one embodiment, [theta] is about 15 [deg.]. It is also possible to have other shapes (e.g., trapezoidal or parallelogram) that do not result in rapid displacement of the meniscus liquid, where the leading edge and trailing edge are at angles other than perpendicular to the direction of movement of the carrier Or diagonally (i.e., not parallel) with respect to the leading and trailing edges of the meniscus.

임의의 시점에서, 메니스커스는 위치 (230) 에 배치되고 캐리어 (150) 에 대하여 일 방향 (208) 으로 이동된다. 그 후에, 메니스커스는 위치 (232) 에 배치된다. 위치 (232) 에서, 돌출부 (220) 는 갭 (158) 을 가로질러 연장된다. 돌출부 (220) 때문에, 메니스커스 둘레 (204) 의 후단 에지 (210) 는 갭 (158) 에 대하여 직선의 탄젠트가 아니다. 그 결과, 유체 출구 포인트 (212, 도 4) 는 돌출부 (220) 의 존재로 인해 갭 (158) 으로부터 벗어나기 위해 추가의 시간을 갖는다. 유체는 갭 (158) 으로부터 벗어나기 위한 추가의 시간을 갖기 때문에, 기판 (160) 에 부착된 상태로 남아서 마크를 남기기가 덜 쉽다.At any point in time, the meniscus is placed in position 230 and moved in one direction 208 with respect to carrier 150. Thereafter, the meniscus is placed in position 232. In position 232, the protrusion 220 extends across the gap 158. Because of the protrusion 220, the trailing edge 210 of the meniscus periphery 204 is not a straight line tangent to the gap 158. As a result, the fluid outlet point 212 (FIG. 4) has additional time to escape from the gap 158 due to the presence of the protrusion 220. Since the fluid has an additional time to escape from the gap 158, it remains attached to the substrate 160 and is less likely to leave a mark.

또한, 돌출부 (220) 는 기판 (160) 의 선단 에지 (162) 에서 형성된 입구 마크를 감소시키는데 효율적일 수 있다. 일 실시형태에서, 중심에 위치한 인덴테이션 (indentation) 은 메니스커스 (미도시) 의 선단 에지 상에 형성되어 입구 마크의 경우를 더욱 감소시킨다. 돌출부 (220) 의 연장범위의 양인 돌출부 (220) 의 깊이 및 돌출부 (220) 의 폭을 포함하는 돌출부 (220) 의 형상은, 구현형태에 따라 변화될 수도 있으나, 일 실시형태에서, 충분히 좁으며 캐리어-기판 갭으로부터의 메니스커스 액체의 흐름을 향상시키기 위해 충분한 연장범위를 제공한다.In addition, the protrusions 220 may be effective to reduce the entrance mark formed at the leading edge 162 of the substrate 160. In one embodiment, a centrally located indentation is formed on the leading edge of the meniscus (not shown) to further reduce the case of the entrance mark. The shape of the protrusion 220 including the depth of the protrusion 220 which is the amount of the extension of the protrusion 220 and the width of the protrusion 220 may vary according to the implementation, but in one embodiment, Providing a sufficient extension range to improve the flow of meniscus liquid from the carrier-substrate gap.

도 8a, 도 8b, 및 도 8c 는, 메니스커스가 기판을 벗어나고 있을 때, 캐리어-기판 갭으로부터의 메니스커스 액체의 흐름을 촉진시킴으로써, 입구 마크 및 출구 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키기 위한 수단을 갖는 근접 헤드 (250) 의 예시적인 실시형태를 나타낸다. 특히, 도 8c 에 도시된 바와 같이, 메니스커스가 기판 (160) 을 완전히 벗어나고 있을 때, 상부 근접 헤드 또는 하부 근접 헤드일 수 있는 근접 헤드 (250) 는 면 (251) 상에 형성된 중심에 배치된 갭 배출 기체 노즐 (252) 을 포함하여, 추가의 기체 공급을 제공하여 메니스커스 (200) 를 푸시한다. 도 5 를 참조하여 전술된 바와 같이, 기판 (160) 및 기판-캐리어 갭 (158) 을 터치하는 메니스커스는, 기판 상으로 메니스커스를 끌어당기고 캐리어 상에서 전이를 방지하는 표면 장력, 메니스커스가 기판 및 캐리어 양자 모두를 벗어나게 끌어 당기는 흡인력 (suction force), 및 메니스커스 액체를 기판-캐리어 갭 (158) 안으로 잡아당기는 중력을 포함하는 경쟁하는 힘 (competing force) 의 대상이다. 또한, 기체 흐름은 메니스커스 (200) 상에 포지티브 압력을 가하고, 따라서 입구 마크 및 출구 마크를 초래할 수 있는 반대의 표면 장력 힘을 돕는다. 주요 기체 노즐 (112) 은 이산화탄소 또는 질소 및/또는 이소프로필 알콜 증기를 메니스커스로 전달하여, 메니스커스의 전체 봉쇄 (containment) 및 웨이퍼 건조를 돕는다. 그러나, 주요 기체 노즐 (112) 은, 진공 포트 (114) 의 적어도 일부 주변에 배열되는 주요 기체 노즐 (112) 이 전체 메니스커스 또는 메니스커스의 실질적인 체적에 영향을 미치기 때문에, 입구 마크 및 출구 마크 제거를 돕는데 용이하게 이용될 수 없다. 한편, 하나 이상의 갭 배출 기체 노즐 (252) 은, 독립적으로 제어될 수 있는 기체 흐름의 국한된 "팬 (fan)", 또는 "커튼" 을 제공하고, 따라서 입구 마크 및 출구 마크 구조의 영역에서만 기판/메니스커스 계면에 선택적으로 적용된다. 메니스커스가 웨이퍼에 고정되지 않아서, 입구 마크 및 출구 마크 구조의 크기 및 가능성을 감소시키고 웨이퍼 결함을 방지하도록, 메니스커스 (200) 의 후단 에지가 기판 (160) 을 벗어나 또는 기판 상에서 막 전이되고 있을 때, 갭 배출 기체 노즐 (252) 을 이용하여 메니스커스 (200) 에 대하여 추가의 압력을 적용함으로써, 갭 (158) 을 빠져나가서 다시 메니스커스로 되돌아가는 메니스커스 액체가 푸시된다. Figures 8A, 8B and 8C illustrate a method for reducing the size and frequency of the entrance and exit marks by facilitating the flow of meniscus liquid from the carrier-substrate gap when the meniscus is off the substrate Lt; RTI ID = 0.0 > 250 < / RTI > Specifically, as shown in FIG. 8C, when the meniscus is completely deviated from the substrate 160, the proximity head 250, which may be an upper close head or a lower close head, is disposed at a center formed on the surface 251 And a gap outlet gas nozzle 252 to provide additional gas supply to push the meniscus 200. As discussed above with reference to Figure 5, the meniscus touching the substrate 160 and the substrate-carrier gap 158 includes surface tension that attracts the meniscus onto the substrate and prevents transition on the carrier, Is a subject of a competing force that includes a suction force pulling both the substrate and the carrier out, and gravity pulling the meniscus liquid into the substrate-carrier gap 158. In addition, the gas flow exerts a positive pressure on the meniscus 200, thus aiding in opposing surface tension forces that may result in an inlet mark and an outlet mark. The main gas nozzles 112 deliver carbon dioxide or nitrogen and / or isopropyl alcohol vapor to the meniscus to aid in the overall containment of the meniscus and wafer drying. However, the main gas nozzles 112 are arranged such that the main gas nozzles 112 arranged around at least a portion of the vacuum port 114 affect the actual volume of the entire meniscus or meniscus, It can not be used to facilitate mark removal. On the other hand, the one or more gap ejection gas nozzles 252 provide a localized "fan" or "curtain" of gas flow that can be controlled independently, And is selectively applied to the meniscus interface. The meniscus is not secured to the wafer so that the trailing edge of the meniscus 200 moves out of the substrate 160 or onto the substrate to reduce the size and likelihood of entrance and exit mark structures, The meniscus liquid that exits the gap 158 and returns to the meniscus is pushed back by applying additional pressure to the meniscus 200 using the gap exit gas nozzle 252 .

임의의 실시형태에서, 복수의 중심 유체 포트 구역은 기판 (160) 과 캐리어 (150) 사이에서 메니스커스의 후단 에지에 의한 전이 동안, 그리고 전이 직전 동안 추가의 압력을 제공한다. 본 실시형태에서, 하나 이상의 중심에 배치된 갭 배출 기체 노즐 (252) 은 도 8a 및 도 8b 에서 보이는 하나 이상의 추가 구역 제 3 노즐 (254) 에 의해 둘러싸인다. 임의의 개수의 구역들이 제공될 수 있으며, 각 구역들은 제어기 (130, 도 1) 에 의해 독립적으로 제어되어, 메니스커스 전이 동안 적합한 시간에서 메니스커스 (200) 에 대하여 기체 압력을 제공한다. 제어기 (130) 는 기계적 또는 컴퓨터 개시된 타이밍 메커니즘을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 기계적 타이밍 메커니즘은 근접 센서 (미도시) 를 사용하여, 갭 배출 기체 노즐 (252) (또는, 갭 배출 기체 노즐 (252) 과 제 2 갭 배출 노즐 (254)) 을 활성화시킬 수도 있으며, 여기서 근접 센서는 상부 근접 헤드와 하부 근접 헤드 (110, 120, 도 1) 에 대하여 캐리어 (150) 의 위치에 응답한다. 컴퓨터 개시 타이밍 메커니즘은, 메니스커스를 통해 캐리어 (150) 를 운반하는데 이용된 로봇식 작동 (robotic actuating) 메커니즘 (미도시) 으로부터의 위치 정보를 포함할 수도 있다.In certain embodiments, a plurality of central fluid port sections provide additional pressure during and immediately before the transfer by the trailing edge of the meniscus between the substrate 160 and the carrier 150. In this embodiment, one or more centrally disposed gap ejection gas nozzles 252 are surrounded by one or more additional third nozzles 254 shown in FIGS. 8A and 8B. Any number of zones may be provided and each zone is independently controlled by a controller 130 (FIG. 1) to provide gas pressure to the meniscus 200 at a suitable time during the meniscus transition. The controller 130 may include a mechanical or computer-initiated timing mechanism. For example, the mechanical timing mechanism may activate a gap ejection gas nozzle 252 (or gap ejection gas nozzle 252 and second gap ejection nozzle 254) using a proximity sensor (not shown) , Wherein the proximity sensor responds to the position of the carrier 150 relative to the upper and lower proximity heads 110, 120 (FIG. 1). The computer-initiated timing mechanism may include position information from a robotic actuating mechanism (not shown) used to carry the carrier 150 through the meniscus.

도 9a 및 도 9b 는, 메니스커스가 기판을 벗어나고 있을 때, 캐리어-기판 갭으로부터 메니스커스 액체의 흐름을 촉진시킴으로써, 입구 마크 및 출구 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키기 위한 수단을 갖는 근접 헤드 (260) 의 예시적인 실시형태를 나타낸다. 특히, 근접 헤드 (260) 는 분할된 진공 매니폴드를 포함하여, 각각 독립적인 진공 소스에 연결된 복수의 진공 포트 구역을 제공한다. 메니스커스의 후단 에지에 대응하는 로케이션에서 면 (216) 안에 형성된 진공 포트를 갖는 중심 구역 (262) 에 독립적인 진공 소스를 제공함으로써, 캐리어-기판 갭 (158) 을 빠져나가는 메니스커스 액체의 흐름을 촉진시키는 진공 션팅 (shunting) 이 최소화된다.Figures 9a and 9b show a cross-sectional view of a proximity head having means for reducing the size and frequency of the entrance and exit marks by promoting the flow of meniscus liquid from the carrier-substrate gap when the meniscus is off the substrate. RTI ID = 0.0 > 260 < / RTI > In particular, the proximity head 260 includes a divided vacuum manifold to provide a plurality of vacuum port sections connected to respective independent vacuum sources. By providing a vacuum source that is independent of the center zone 262 having a vacuum port formed in the face 216 at a location corresponding to the trailing edge of the meniscus, the meniscus liquid exiting the carrier- Vacuum shunting to facilitate flow is minimized.

몇몇 진공 포트가 액체로 오버런되는 경우, 진공 션팅이 발생한다. 이러한 경우에서, 면플레이트 (265, 도 9a) 전체에 걸친 압력 강하는 액체를 세정하기에 불충분하여, 기체들 및 메니스커스로부터의 유체로 하여금 가까이에 있는 진공 포트로 전환하게 할 수도 있다. 상당한 체적의 물이 웨이퍼와 캐리어 사이에서 트랩되는 경우, 메니스커스가 기판을 막 완전히 벗어나고 있을 때, 진공 션팅이 발생할 수 있다. 이는, 가장 필요로 되는 정확한 스폿에서 (기판이 메니스커스를 빠져나갈 때, 기판의 후단 에지에서) 이용 가능한 흡인력을 감소시킨다. 따라서, 진공의 감소된 이용 가능성은, 출구 마크 구조를 남길 수 있는 기판-캐리어 갭으로부터의 액체의 제거를 감소시킬 수 있다. 출구 마크가 형성될 수 있는 기판의 선단 에지에서, 유사한 효과가 발생할 수 있다.When some vacuum ports overrun with liquid, vacuum shunting occurs. In this case, the pressure drop across the face plate 265 (Fig. 9A) is insufficient to clean the liquid, so that fluid from the gases and meniscus may be converted to a nearby vacuum port. When a significant volume of water is trapped between the wafer and the carrier, vacuum shunting may occur when the meniscus is completely out of the substrate. This reduces the available suction force at the most precise spot (at the trailing edge of the substrate when the substrate exits the meniscus). Thus, the reduced availability of vacuum can reduce the removal of liquid from the substrate-carrier gap, which can leave the exit mark structure. At the leading edge of the substrate at which the exit mark can be formed, a similar effect can occur.

메니스커스의 후단 에지 상의 중심에 배치된 진공 포트의 중심 구역 (262) 에 독립적인 진공 소스를 제공함으로써, 진공 션팅이 최소화되고, 캐리어-기판 갭 (158) 을 빠져나가는 메니스커스 액체의 흐름을 촉진시킨다.By providing an independent vacuum source in the central zone 262 of the vacuum port disposed centrally on the trailing edge of the meniscus, vacuum shunting is minimized and the flow of meniscus liquid exiting the carrier- .

도 9a 및 도 9b 를 참조하면, 면 (261) 안에 형성된 복수의 메니스커스 노즐 (116) 은 메니스커스 (200, 도 2) 에 메니스커스 액체를 제공한다. 진공 포트 (114) 가 메니스커스 노즐 (116) 을 둘러싸며, 진공 포트는 메니스커스 액체와 주변 기체의 혼합물을 흡인한다. 적어도 부분적으로 진공 포트 (114) 를 둘러싼, 주요 기체 노즐 (112) 이 제공되어, 메니스커스 본래 모습을 유지하는데 도울 수 있는 기체 또는 기체/액체 혼합물을 제공할 수도 있다. 일 실시형태에서, 진공 포트 (114) 는, 근접 헤드 (260) 의 후단 에지 (204) 를 따라 중심에 배치된 제 1 구역 (262), 및 나머지 진공 포트 (114) 를 포함하는 적어도 하나의 추가 구역 (263, 264) 를 포함하는 복수의 구역들로 분할된다. 추가의 구역(들)은, 제 1 구역 (262) 의 양측의 복수의 진공 포트 (114) 를 포함하는 제 2 구역 (264), 및 나머지 진공 포트 (114) 를 포함하는 제 3 구역 (263) 을 포함할 수 있다. 각 구역 (263, 262, 264) 은 대응하는 전용의 독립적인 매니폴드 (271, 272, 274) 를 갖고, 매니폴드 (271, 272, 274) 각각은 대응하는 연결부 (281, 282, 284) 를 이용하여 진공 소스 (280) 와 유체 소통된다. 9A and 9B, a plurality of meniscus nozzles 116 formed in the surface 261 provide a meniscus liquid to the meniscus 200 (FIG. 2). A vacuum port 114 surrounds the meniscus nozzle 116 and the vacuum port draws a mixture of the meniscus liquid and the surrounding gas. A main gas nozzle 112, at least partially surrounding the vacuum port 114, may be provided to provide a gas or gas / liquid mixture that may help maintain the original meniscus appearance. In one embodiment, the vacuum port 114 includes a first zone 262 centrally located along the trailing edge 204 of the proximity head 260, and at least one additional And is divided into a plurality of zones including zones 263 and 264. The additional zone (s) include a second zone 264 comprising a plurality of vacuum ports 114 on either side of the first zone 262, and a third zone 263 including the remaining vacuum port 114. [ . ≪ / RTI > Each zone 263,262 and 264 has a corresponding dedicated manifold 271,272 and 274 and each of the manifolds 271,272 and 274 has a corresponding connection 281,282,284 And is in fluid communication with the vacuum source 280.

도 10 은, 메니스커스가 기판을 벗어나고 있을 때, 캐리어-기판 갭으로부터의 메니스커스 액체의 흐름을 촉진시킴으로써, 입구 마크 및 출구 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키기 위한 수단을 갖는 근접 헤드의 다른 실시형태를 나타낸다. 근접 헤드 (290) 는, 메니스커스 액체를 공급하기 위해 면 (291) 안에 형성된 복수의 메니스커스 노즐 (116) 을 포함한다. 면 (291) 상에서, 메니스커스 액체 및 주변 기체를 흡인하는 복수의 진공 포트 (114) 가 메니스커스 노즐 (116) 을 둘러싼다. 진공 포트 (114) 는, 메니스커스 노즐 (116) 을 완전히 둘러싸는 진공 포트 (114) 의 제 1 열 (293), 및 근접 헤드 (290) 의 후단 에지 (298) 의 중심부에 인접한 진공 포트 (114) 의 제 2 열 (295) 을 포함한다. 제 1 열 (293) 내에 놓인 진공 포트 (114) 는 도 9a 에서 구역 (263) 으로 전술된 바와 같은 통상의 매니폴드에 연결된다. 제 2 열 (295) 에 놓인 진공 포트 (114) 는 하나 이상의 추가 매니폴드 중 하나에 연결된다. 일 실시형태에서, 근접 헤드 (290) 의 후단측 상의 중심에 배치된 구역 (292) 에서 제 2 열 (295) 의 진공 포트 (114) 는 일 매니폴드 (미도시) 에 연결되고, 구역 (294) 에서 제 2 열 (295) 의 진공 포트 (114) 는 다른 매니폴드 (미도시) 에 연결된다. 각 매니폴드는, 도 9a 를 참조하여 전술된 진공 소스에 대하여 독립적인 연결부를 포함한다.Figure 10 shows a cross-sectional view of another embodiment of a proximity head having means for reducing the size and frequency of the entrance and exit marks by promoting the flow of meniscus liquid from the carrier-substrate gap when the meniscus is off the substrate Fig. The proximity head 290 includes a plurality of meniscus nozzles 116 formed in the surface 291 to supply meniscus liquid. On the surface 291, a plurality of vacuum ports 114 for sucking the meniscus liquid and the surrounding gas surround the meniscus nozzle 116. The vacuum port 114 is connected to a first row 293 of vacuum ports 114 that completely surround the meniscus nozzle 116 and a second row 293 of vacuum ports 114 adjacent the center of the rear edge 298 of the proximity head 290 114). ≪ / RTI > The vacuum port 114 located in the first row 293 is connected to a conventional manifold as described above to the zone 263 in FIG. 9A. The vacuum port 114 in the second row 295 is connected to one of the one or more additional manifolds. The vacuum port 114 of the second row 295 is connected to one manifold (not shown) in a zone 292 centrally located on the rear end side of the proximity head 290, The vacuum port 114 of the second row 295 is connected to another manifold (not shown). Each manifold includes a connection independent of the vacuum source described above with reference to Figure 9A.

상부 근접 헤드 및 하부 근접 헤드 중 어느 하나 또는 양자 모두는 컴퓨터 시스템에 의해 제어될 수 있어서, 근접 헤드에 대한 캐리어의 이동 속도는 근접 헤드에 대한 캐리어의 위치에 따라 일정하거나 변화될 수도 있다는 것이 주목된다. 몇몇 실시형태에서, 예를 들어, 캐리어의 이동 속도는, 기판 상에서 또한 기판을 벗어난 메니스커스의 이동보다 더 느릴 수도 있으며, 이에 따라 메니스커스 액체가 캐리어-기판 갭의 밖으로 흐르는데 추가의 시간을 제공한다. 또한, 기체 노즐 (112, 252, 도 8c) 을 통한 기체 흐름 및 진공 포트 (114, 도 9a 내지 도 10) 에 공급된 진공은 기계적으로 그리고/또는 컴퓨터로 제어되어, 흡인력의 활성화/비활성화 시기를 정하거나 근접 헤드에 대한 캐리어의 상대적 위치에 따른 흐름 속도를 변화시킬 수도 있다. 컴퓨터 제어는, 하드웨어 로직을 이용하거나, 기록된 컴퓨터 프로그램을 이용한 다목적 컴퓨터 프로세서와 관련되어 구현되어, 이동 및/또는 흡인력의 적용을 제어할 수 있다. 특정 실시형태에서, 또한 컴퓨터 프로그램은 메니스커스에 공급된 유체의 성분 및/또는 체적을 제어한다. 따라서, 컴퓨터 프로그램은 복수의 주어진 애플리케이션들 각각에 대해 특별히 맞추어진 유체 레시피를 정의할 수 있다. It is noted that either or both of the upper and lower proximity heads may be controlled by a computer system such that the speed of movement of the carrier relative to the proximal head may be constant or varied with the position of the carrier relative to the proximal head . In some embodiments, for example, the moving speed of the carrier may be slower than the movement of the meniscus off of the substrate, also on the substrate, thereby resulting in additional time for the meniscus liquid to flow out of the carrier-substrate gap to provide. Further, the gas flow through the gas nozzles 112, 252 (FIG. 8C) and the vacuum supplied to the vacuum port 114 (FIGS. 9A-10) are mechanically and / or computer controlled to determine the activation / deactivation timing of the suction force Or to change the flow rate according to the relative position of the carrier with respect to the proximity head. Computer control may be implemented in conjunction with a general purpose computer processor using hardware logic or using a recorded computer program to control the application of movement and / or suction forces. In certain embodiments, the computer program also controls the composition and / or volume of the fluid supplied to the meniscus. Thus, a computer program may define a fluid recipe that is specifically tailored for each of a plurality of given applications.

전술한 실시형태를 염두에 두고, 본 발명은 컴퓨터 시스템 내에 저장된 데이터를 포함하는 다양한 컴퓨터-구현된 연산을 이용할 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 이들 연산은 물리적 양의 물리적 조작을 필요로 하는 연산이다. 주로, 반드시 필요한 것은 아니지만, 이들 양은 저장, 전송, 결합, 비교 및 그 외에 조작될 수 있는 전기 또는 자기 신호의 형태를 갖는다. 또한, 조작은, 생성, 식별, 결정, 또는 비교와 같은 용어로 종종 지칭된다.With the foregoing embodiments in mind, it should be understood that the present invention may utilize a variety of computer-implemented operations, including data stored within a computer system. These operations are operations that require physical manipulation of physical quantities. Primarily, though not necessarily, these quantities have the form of electrical or magnetic signals that can be stored, transferred, combined, compared, and otherwise manipulated. In addition, operations are often referred to as terms such as generation, identification, determination, or comparison.

본 발명의 일부를 형성하는 본 명세서에 설명된 임의의 연산들은 머신 동작에 유용하다. 또한, 본 발명은 이들 연산을 수행하는 디바이스 또는 장치에 관한 것이다. 장치는 요구된 목적을 위해 특별히 구성될 수 있고, 또는 장치가 컴퓨터 내에 저장된 컴퓨터 프로그램에 의해 선택적으로 활성화되거나 구성된 범용 컴퓨터일 수 있다. 특히, 각종 범용 머신들은 본 발명의 학설 (teaching) 에 따라 기록된 컴퓨터 프로그램과 함께 이용될 수 있고, 요구된 동작을 수행하기 위해 더 특별화된 장치를 구성하는 것에 더욱 편리할 수도 있다.Any of the operations described herein that form part of the present invention are useful for machine operation. The invention also relates to a device or apparatus for performing these operations. The device may be specially configured for the required purpose, or the device may be a general purpose computer selectively activated or configured by a computer program stored in the computer. In particular, various general purpose machines may be used with computer programs recorded in accordance with the teachings of the present invention, and may be more convenient to configure more specialized devices to perform the required operations.

또한, 본 발명은 컴퓨터 판독가능 매체 상의 컴퓨터 판독가능 코드로서 포함될 수 있다. 컴퓨터 판독가능 매체는, 데이터를 저장할 수 있는 임의의 데이터 스토리지 디바이스이며, 이후에 데이터는 컴퓨터 시스템에 의해 판독될 수 있다. 또한, 컴퓨터 판독가능 매체는, 컴퓨터 코드가 수록되는 전자기적 반송파를 포함한다. 컴퓨터 판독가능 매체의 예들로는, 하드 드라이브, NAS (network attached storage), ROM (read-only memory), RAM (random-access memory), CD-ROM, CD-R, CD-RW, 자기 테이프 및 다른 광학 및 넌-광학 데이터 스토리지 디바이 스를 포함한다. 또한, 컴퓨터 판독가능 매체는, 컴퓨터 판독가능 코드가 분배된 형식으로 저장 및 실행되도록 네트워크-커플링된 컴퓨터 시스템 상에서 분배될 수 있다.The invention may also be embodied as computer readable code on a computer readable medium. The computer-readable medium is any data storage device capable of storing data, after which the data can be read by the computer system. The computer readable medium also includes an electromagnetic carrier on which the computer code is stored. Examples of computer-readable media include, but are not limited to, hard drives, network attached storage (NAS), read-only memory (ROM), random-access memory (RAM), CD-ROM, CD-R, CD- Optical and non-optical data storage devices. The computer-readable medium may also be distributed on a network-coupled computer system such that the computer readable code is stored and executed in a distributed fashion.

본 발명의 실시형태는, 하나의 컴퓨터 상에서, 또는 상호접속된 다수의 컴퓨터나 컴퓨터 컴포넌트를 이용하여 프로세싱될 수 있다. 본 명세서에 사용된 컴퓨터는, 네트워킹된 단말기에 컴퓨터 자원을 제공하는, 그 자신의 프로세스(들), 그 자신의 메모리, 및 그 자신의 스토리지, 또는 분배된 컴퓨팅 시스템을 갖는 독립형 (standalone) 컴퓨터 시스템을 포함한다. 몇몇 분배된 컴퓨팅 시스템에서, 컴퓨터 시스템의 사용자는 다수의 사용자들 사이에서 공유되는 컴포넌트 부분들에 실제로 엑세스될 수도 있다. 그러므로, 사용자들은, 한 명의 사용자를 위해 커스트마이징되고 전용되는 하나의 컴퓨터로서 사용자에게 나타나는 네트워크 상의 가상 컴퓨터를 액세스할 수 있다.Embodiments of the present invention may be processed on a single computer or using multiple computers or computer components interconnected. A computer as used herein may be a standalone computer system having its own process (s), its own memory, and its own storage, or distributed computing system, providing computer resources to a networked terminal . In some distributed computing systems, a user of a computer system may be actually accessing component parts shared among a plurality of users. Thus, users can access virtual machines on the network that appear to the user as one computer that is customized and dedicated for one user.

전술된 발명은 명확한 이해를 목적으로 일부 상세에서 설명되었으나, 청구 범위 내에서 임의의 변경 및 변형이 실시될 수도 있음이 명백할 것이다. 따라서, 본 실시형태들은 제한적이니 것이 아니라 예시적인 것으로 고려되어야 하며, 본 발명은 본 명세서에서 제공되는 상세에 한정되지 않고, 첨부된 청구항들의 범위 내에서 변형될 수도 있고 등가물일 수도 있다.Although the foregoing invention has been described in some detail for purposes of clarity of understanding, it will be apparent that certain changes and modifications may be practiced within the scope of the claims. Accordingly, the embodiments are to be considered as illustrative and not restrictive, and the invention is not to be limited to the details provided herein, but may be modified within the scope of the appended claims, or equivalents thereof.

Claims (23)

기판을 프로세싱하기 위해 메니스커스 (meniscus) 를 발생 및 유지시키기 위한 근접 헤드로서,A proximity head for generating and maintaining a meniscus for processing a substrate, 상기 기판은 캐리어에 의해 지지되고, 상기 캐리어는 상기 기판을 둘러싸는 프레임을 포함하고,Wherein the substrate is supported by a carrier, the carrier including a frame surrounding the substrate, 상기 근접 헤드는,The near- 상기 근접 헤드의 일 면 상에서 선형 축을 따라 서로 이격되어 형성되고, 상기 메니스커스에 메니스커스 액체를 공급하도록 구성되는 복수의 메니스커스 노즐들;A plurality of meniscus nozzles spaced from each other along a linear axis on one side of the proximity head, the meniscus nozzles configured to supply meniscus liquid to the meniscus; 상기 근접 헤드의 상기 면 상에서 서로 이격되어 형성되고, 상기 복수의 메니스커스 노즐들에 인접해서 상기 복수의 메니스커스 노즐들을 완전히 둘러싸는 흡인 영역을 형성하도록 배열되는 복수의 진공 포트들로서, 상기 복수의 진공 포트들의 일부는, 선형 축을 따라 위치하는 상기 복수의 진공 포트들의 나머지에 비해 상기 복수의 메니스커스 노즐이 따라 형성되는 상기 선형 축으로부터 더 멀리, 그리고 상기 근접 헤드의 중심 부분에 위치되는, 상기 복수의 진공 포트들을 포함하며,A plurality of vacuum ports spaced apart from each other on the face of the proximity head and arranged to form a suction area completely surrounding the plurality of meniscus nozzles adjacent to the plurality of meniscus nozzles, Wherein a portion of the vacuum ports of the plurality of vacuum ports are located farther from the linear axis along which the plurality of meniscus nozzles are formed than the rest of the plurality of vacuum ports located along the linear axis, Said plurality of vacuum ports, 상기 근접 헤드의 중심 부분에서 상기 선형 축으로부터 더 멀리 위치되는 상기 복수의 진공 포트들의 일부는, 상기 기판 상의 선단 에지 및 후단 에지에서 입구 마크 또는 출구 마크 중 적어도 일방의 마크의 크기 및 빈도수를 감소시켜서, 메니스커스로부터의 액체가 상기 기판과 상기 캐리어 사이의 갭을 빠져나가는 것을 돕고 촉진시키는, 근접 헤드. Wherein a portion of the plurality of vacuum ports located further from the linear axis at a center portion of the proximal head reduces the size and frequency of at least one of the entrance and exit marks at the leading and trailing edges on the substrate And facilitates and facilitates liquid from the meniscus exiting the gap between the substrate and the carrier. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 근접 헤드의 상기 면 상에 형성되고, 상기 복수의 진공 포트들을 적어도 부분적으로 둘러싸는 복수의 기체 노즐들을 더 포함하는, 근접 헤드.Further comprising a plurality of gas nozzles formed on the face of the proximity head and at least partially surrounding the plurality of vacuum ports. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 근접 헤드의 중심 부분에서 상기 선형 축으로부터 더 멀리 위치되는 상기 복수의 진공 포트들의 일부는, 상기 기판의 상기 선단 에지가 상기 메니스커스의 후단 에지를 빠져나갈 때, 상기 메니스커스로부터의 액체로 하여금 상기 갭을 빠져나가게 하여, 상기 입구 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키는, 근접 헤드.Wherein a portion of the plurality of vacuum ports located further away from the linear axis at a central portion of the proximal head is configured such that when the leading edge of the substrate exits the trailing edge of the meniscus, To exit the gap, thereby reducing the size and frequency of the entrance mark. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 근접 헤드의 중심 부분에서 상기 선형 축으로부터 더 멀리 위치되는 상기 복수의 진공 포트들의 일부는, 상기 메니스커스로 하여금 상기 메니스커스의 후단측 상에 돌출부를 갖게 하며,Wherein a portion of the plurality of vacuum ports located further from the linear axis at a central portion of the proximal head causes the meniscus to have protrusions on a back end side of the meniscus, 상기 돌출부는 상기 기판의 상기 선단 에지 및 상기 후단 에지에서 유체를 배출하기 위해 중심에 배치되는, 근접 헤드.Wherein the protrusions are centrally located to eject fluid at the leading edge and the trailing edge of the substrate. 제 4 항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 돌출부의 형상은, 상기 후단 에지로부터 중심 포인트로 연장되는 2 개의 오목한 에지를 포함하는, 근접 헤드.Wherein the shape of the protrusion includes two concave edges extending from the trailing edge to a center point. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 근접 헤드의 후단측 상의 중심에 배치된 적어도 하나의 갭 배출 기체 노즐을 더 포함하고,Further comprising at least one gap ejection gas nozzle disposed centrally on a rear end side of the proximity head, 상기 적어도 하나의 갭 배출 기체 노즐은, 기체를 공급하는 기체 공급 연결부와 유체 소통되고, 상기 기판을 벗어나 상기 갭을 빠져나가서 다시 상기 메니스커스로 되돌아가는 액체에 대하여 힘을 가하는 기체의 흐름을 공급하도록 구성되는, 근접 헤드. Wherein the at least one gap ejection gas nozzle is in fluid communication with a gas supply connection for supplying gas and provides a flow of gas exiting the substrate and exerting a force against the liquid returning back to the meniscus Wherein the proximal head comprises: 제 6 항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 적어도 하나의 갭 배출 기체 노즐은 상기 근접 헤드의 상기 면에 형성된 복수의 주요 기체 노즐에 인접하여 배열되고, Wherein the at least one gap ejection gas nozzle is arranged adjacent to a plurality of major gas nozzles formed on the face of the proximal head, 상기 복수의 주요 기체 노즐은 상기 복수의 진공 포트들을 적어도 부분적으로 둘러싸고, The plurality of main gas nozzles at least partially surrounding the plurality of vacuum ports, 상기 적어도 하나의 갭 배출 기체 노즐은 상기 복수의 주요 기체 노즐과는 독립적으로 기체를 공급하기 위해 기체 공급 연결부와 유체 소통되는, 근접 헤드.Wherein the at least one gap discharge gas nozzle is in fluid communication with a gas supply connection to supply gas independently of the plurality of major gas nozzles. 제 6 항에 있어서,The method according to claim 6, 적어도 하나의 복수의 제 2 갭 배출 노즐들을 더 포함하고, Further comprising at least one plurality of second gap discharge nozzles, 상기 복수의 제 2 갭 배출 노즐들 각각은, 상기 적어도 하나의 갭 배출 노즐의 양측에 배치되며, 상기 적어도 하나의 갭 배출 노즐과는 독립적으로 기체를 공급하기 위해 대응하는 연결부와 유체 소통되는, 근접 헤드.Wherein each of the plurality of second gap discharge nozzles includes a plurality of second gap discharge nozzles disposed on either side of the at least one gap discharge nozzle and in fluid communication with a corresponding connection for supplying gas independently of the at least one gap discharge nozzle head. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 복수의 진공 포트들은 복수의 구역들로 분할되고,Wherein the plurality of vacuum ports are divided into a plurality of zones, 상기 복수의 구역들은 적어도, 상기 근접 헤드의 상기 면의 후단 측 상에 위치한 중심 구역을 포함하고,Wherein the plurality of zones include at least a central zone located on a trailing side of the face of the proximal head, 상기 복수의 구역들 각각은 상기 구역의 상기 진공 포트들과 유체 소통되는 대응하는 독립 진공 연결부를 포함하는, 근접 헤드.Wherein each of the plurality of zones comprises a corresponding independent vacuum connection in fluid communication with the vacuum ports of the zone. 제 9 항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 복수의 구역들은, 상기 중심 구역의 진공 포트들이 아닌 진공 포트들 모두를 포함하는 제 2 구역을 포함하는, 근접 헤드.Wherein the plurality of zones comprises a second zone including all of the vacuum ports but not the vacuum ports of the central zone. 제 9 항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 복수의 구역들은, 상기 중심 구역의 양측에 배치된 진공 포트들을 포함하는 제 2 구역, 및 상기 중심 구역 또는 상기 제 2 구역의 진공 포트들이 아닌 진공 포트들 모두를 포함하는 제 3 구역을 포함하는, 근접 헤드.Said plurality of zones including a second zone comprising vacuum ports arranged on both sides of said central zone and a third zone comprising both vacuum zones and not vacuum zones of said central zone or said second zone , Close-up head. 제 9 항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 중심 구역은 단일 열의 진공 포트들을 포함하고, Said central zone comprising a single column of vacuum ports, 상기 복수의 구역들은 상기 중심 구역의 상기 단일 열의 진공 포트들을 따르는 다른 열의 진공 포트들을 포함하는 제 2 구역을 더 포함하는, 근접 헤드.Wherein the plurality of zones further comprises a second zone comprising vacuum ports of other rows along the single row of vacuum ports of the central zone. 상부 근접 헤드 및 하부 근접 헤드에 의해 형성된 메니스커스 (meniscus) 를 이용하여 기판을 프로세싱하는 방법으로서,A method of processing a substrate using a meniscus formed by an upper proximity head and a lower proximity head, 상기 기판을 수용하기 위한 크기의 개구 및 상기 개구 내에서 상기 기판을 지지하는 복수의 지지핀들을 갖는 캐리어 상에 상기 기판을 배치하는 단계로서, 상기 개구는 상기 기판보다 약간 커서 상기 기판을 배치한 후에 상기 기판과 상기 개구 사이에 갭이 존재하는, 상기 기판을 배치하는 단계;Disposing the substrate on a carrier having an opening sized for receiving the substrate and a plurality of support pins for supporting the substrate within the opening, the opening being slightly larger than the substrate, Disposing the substrate with a gap between the substrate and the opening; 상기 상부 근접 헤드와 상기 하부 근접 헤드 사이에서 발생된 메니스커스를 통해 상기 기판과 상기 캐리어를 통과시키는 단계로서, 상기 상부 근접 헤드 및 상기 하부 근접 헤드 각각은 상기 근접 헤드의 일 면 상에 형성되는 복수의 메니스커스 노즐들을 포함하고, 상기 복수의 메니스커스 노즐들이 상기 메니스커스에 액체를 공급하도록 구성되고, 상기 상부 근접 헤드 및 상기 하부 근접 헤드 각각은 상기 근접 헤드의 상기 면 상에 형성되는 복수의 진공 포트들을 더 포함하고, 상기 복수의 진공 포트들은 상기 복수의 메니스커스 노즐들에 인접해서 상기 복수의 메니스커스 노즐들을 완전히 둘러싸는 흡인 영역을 형성하도록 배열되는, 상기 메니스커스를 통해 상기 기판과 상기 캐리어를 통과시키는 단계; 및Passing the substrate and the carrier through a meniscus generated between the upper and lower proximity heads, wherein each of the upper and lower proximity heads is formed on one side of the proximal head Wherein the plurality of meniscus nozzles are configured to supply liquid to the meniscus, wherein each of the upper and lower proximity heads is formed on the surface of the proximal head Wherein the plurality of vacuum ports are arranged to form a suction region that completely surrounds the plurality of meniscus nozzles adjacent the plurality of meniscus nozzles, Passing the substrate and the carrier through the substrate; And 상기 상부 근접 헤드 및 상기 하부 근접 헤드를 이용하여 상기 메니스커스로부터의 액체가 상기 갭을 빠져나가는 것을 촉진시킴으로써, 기판들 상의 입구 마크 또는 출구 마크 중 적어도 일방의 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키는 단계를 포함하며, Reducing the size and frequency of at least one of the entry mark or exit mark on the substrates by using the upper and lower proximity heads to facilitate liquid from the meniscus to exit the gap / RTI > 상기 기판들 상의 입구 마크 또는 출구 마크 중 적어도 일방의 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키는 단계는, 상기 메니스커스의 후단측 상에 돌출부를 가지도록 상기 메니스커스를 생성시키는 단계를 포함하며, Wherein reducing the size and frequency of at least one of the entry mark and the exit mark on the substrates comprises generating the meniscus to have a protrusion on the back end side of the meniscus, 상기 돌출부는 상기 기판의 선단 에지 및 후단 에지에서 유체를 배출하기 위해 중심에 배치되는, 메니스커스를 이용하여 기판을 프로세싱하는 방법.Wherein the protrusions are centrally located to eject fluid at a leading edge and a trailing edge of the substrate. 제 13 항에 있어서,14. The method of claim 13, 상기 입구 마크 또는 출구 마크 중 적어도 일방의 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키는 단계는, 상기 기판의 선단 에지가 상기 메니스커스의 후단 에지를 빠져나갈 때, 상기 메니스커스로부터의 액체로 하여금 상기 갭을 빠져나가게 하여, 상기 입구 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키는 단계를 포함하는, 메니스커스를 이용하여 기판을 프로세싱하는 방법.Wherein decreasing the size and frequency of at least one of the entry mark or the exit mark comprises causing liquid from the meniscus to flow through the gap when the leading edge of the substrate exits the trailing edge of the meniscus. And reducing the size and frequency of the entry mark. ≪ Desc / Clms Page number 17 > 제 13 항에 있어서, 14. The method of claim 13, 상기 상부 근접 헤드 및 상기 하부 근접 헤드 각각은 상기 근접 헤드의 후단측 상의 중심에 배치된 적어도 하나의 갭 배출 기체 노즐을 포함하고,Wherein each of the upper and lower proximity heads includes at least one gap ejection gas nozzle disposed centrally on a rear end side of the proximal head, 상기 입구 마크 또는 출구 마크 중 적어도 일방의 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키는 단계는, 상기 적어도 하나의 갭 배출 기체 노즐을 빠져나가는 기체가 상기 메니스커스에 대하여 힘을 가하여 상기 기판을 벗어나 상기 갭을 빠져나가서 다시 상기 메니스커스로 되돌아가는 액체를 푸시하게 하도록, 상기 적어도 하나의 갭 배출 기체 노즐로의 기체 흐름을 제어하는 단계를 더 포함하는, 메니스커스를 이용하여 기판을 프로세싱하는 방법.Wherein reducing the size and frequency of at least one of the entry mark or the exit mark comprises applying a force exerted on the meniscus out of the at least one gap exit gas nozzle to move the gap away from the substrate Further comprising: controlling the gas flow to the at least one gap ejection gas nozzle so as to exit and push the liquid back to the meniscus. ≪ Desc / Clms Page number 19 > 제 15 항에 있어서,16. The method of claim 15, 상기 적어도 하나의 갭 배출 기체 노즐은 상기 근접 헤드의 상기 면 상에 형성된 복수의 주요 기체 노즐들에 인접하여 배열되고,Wherein the at least one gap ejection gas nozzle is arranged adjacent a plurality of main gas nozzles formed on the face of the proximal head, 상기 복수의 주요 기체 노즐들은 적어도 부분적으로 상기 진공 포트들을 둘러싸고, The plurality of main gas nozzles at least partially surrounding the vacuum ports, 상기 적어도 하나의 갭 배출 기체 노즐은 상기 복수의 주요 기체 노즐들과는 독립적으로 기체를 공급하기 위해 기체 공급 연결부와 유체 소통되며,Wherein the at least one gap discharge gas nozzle is in fluid communication with a gas supply connection to supply gas independently of the plurality of major gas nozzles, 상기 메니스커스를 이용하여 기판을 프로세싱하는 방법은, 상기 메니스커스의 후단 에지가 상기 갭을 빠져나갈 때에만 상기 힘을 가하도록 상기 적어도 하나의 갭 배출 노즐들을 독립적으로 제어하는 단계를 더 포함하는, 메니스커스를 이용하여 기판을 프로세싱하는 방법.The method of processing a substrate using the meniscus further comprises independently controlling the at least one gap ejection nozzles to apply the force only when the trailing edge of the meniscus exits the gap Wherein the substrate is processed using a meniscus. 제 15 항에 있어서,16. The method of claim 15, 상기 근접 헤드는, 적어도 하나의 복수의 제 2 갭 배출 노즐들을 더 포함하고,Wherein the proximity head further comprises at least one plurality of second gap discharge nozzles, 상기 복수의 제 2 갭 배출 노즐들 각각은, 상기 상부 근접 헤드 및 하부 근접 헤드 상의 상기 적어도 하나의 갭 배출 노즐의 양측에 배치되며,Wherein each of the plurality of second gap discharge nozzles is disposed on either side of the at least one gap discharge nozzle on the upper and lower proximity heads, 상기 메니스커스를 이용하여 프로세싱하는 방법은, 상기 메니스커스의 후단 에지가 상기 기판과 상기 캐리어 사이에서 전이 (transition) 할 때, 기체를 공급하기 위해 상기 적어도 하나의 복수의 제 2 갭 배출 노즐들 각각으로의 기체 흐름을 독립적으로 제어하는 단계를 더 포함하는, 메니스커스를 이용하여 기판을 프로세싱하는 방법.The method of processing with the meniscus further comprises the step of supplying a gas to the at least one second plurality of gap ejection nozzles to supply gas when the trailing edge of the meniscus transitions between the substrate and the carrier. ≪ / RTI > further comprising the step of independently controlling the gas flow into each of the plurality of processing chambers. 제 13 항에 있어서,14. The method of claim 13, 상기 복수의 진공 포트들은 복수의 구역들로 분할되며,Wherein the plurality of vacuum ports are divided into a plurality of zones, 상기 입구 마크 및 출구 마크 중 적어도 일방의 마크의 크기 및 빈도수를 감소시키는 단계는, 진공 포트들의 상기 복수의 구역들에 진공을 독립적으로 공급하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 구역들은 상기 근접 헤드의 상기 면 상의 후단 측 상에 위치한 적어도 하나의 중심 구역을 포함하는, 메니스커스를 이용하여 기판을 프로세싱하는 방법.Wherein decreasing the size and frequency of at least one of the entry mark and the exit mark comprises independently supplying vacuum to the plurality of zones of vacuum ports, And at least one central region located on a posterior side of the face. ≪ Desc / Clms Page number 13 > 제 18 항에 있어서,19. The method of claim 18, 상기 복수의 구역들은, 상기 중심 구역의 진공 포트들이 아닌 진공 포트들 모두를 포함하는 제 2 구역을 포함하는, 메니스커스를 이용하여 기판을 프로세싱하는 방법.Wherein the plurality of zones comprises a second zone including both vacuum ports and not vacuum ports of the central zone. 제 18 항에 있어서,19. The method of claim 18, 상기 복수의 구역들은, 상기 중심 구역의 양측에 배치된 진공 포트들을 포함하는 제 2 구역, 및 상기 중심 구역 또는 상기 제 2 구역의 진공 포트들이 아닌 진공 포트들 모두를 포함하는 제 3 구역을 포함하는, 메니스커스를 이용하여 기판을 프로세싱하는 방법.Said plurality of zones including a second zone comprising vacuum ports arranged on both sides of said central zone and a third zone comprising both vacuum zones and not vacuum zones of said central zone or said second zone A method for processing a substrate using a meniscus. 제 18 항에 있어서,19. The method of claim 18, 상기 중심 구역은 일 열의 진공 포트들을 포함하고, Said central zone comprising a row of vacuum ports, 상기 복수의 구역들은, 상기 메니스커스에 액체를 공급하는 메니스커스 노즐들을 완전히 둘러싸는 진공 포트들을 포함하는 제 2 구역을 포함하며, 상기 중심 구역의 진공 포트들의 상기 열을 따라 일 열의 진공 포트들을 포함하는, 메니스커스를 이용하여 기판을 프로세싱하는 방법.Said plurality of zones including a second zone comprising vacuum ports that completely surround meniscus nozzles that supply liquid to said meniscus, said second zone including a series of vacuum ports ≪ / RTI > wherein the substrate is processed using a meniscus. 기판을 프로세싱하기 위해 메니스커스 (meniscus) 를 발생 및 유지시키기 위한 근접 헤드로서,A proximity head for generating and maintaining a meniscus for processing a substrate, 상기 기판은 캐리어에 의해 지지되고, 상기 캐리어는 상기 기판을 둘러싸는 프레임을 포함하며,Wherein the substrate is supported by a carrier, the carrier including a frame surrounding the substrate, 상기 근접 헤드는,The near- 상기 근접 헤드의 일 면 상에서 선형 축을 따라 형성되고, 상기 메니스커스에 메니스커스 액체를 공급하도록 구성되는 복수의 메니스커스 노즐들;A plurality of meniscus nozzles formed along a linear axis on one side of the proximal head and configured to supply meniscus liquid to the meniscus; 상기 근접 헤드의 상기 면 상에 형성되고, 상기 복수의 메니스커스 노즐들에 인접해서 상기 복수의 메니스커스 노즐들을 완전히 둘러싸는 흡인 영역을 형성하도록 배열되는 복수의 진공 포트들로서, 상기 근접 헤드의 중심 부분에의 상기 흡인 영역이 상기 선형 축에서 상기 근접 헤드의 중심 부분의 중심 지점에의 일 지점까지 거울상 (mirrored) 오목 형태로 연장하도록, 상기 복수의 진공 포트들의 일부는, 선형 축을 따라 위치하는 상기 복수의 진공 포트들의 나머지에 비해 상기 복수의 메니스커스 노즐이 따라 형성되는 상기 선형 축으로부터 더 멀리, 그리고 상기 근접 헤드의 중심 부분에 위치되는, 상기 복수의 진공 포트들;A plurality of vacuum ports formed on the face of the proximity head and arranged to form a suction area completely surrounding the plurality of meniscus nozzles adjacent the plurality of meniscus nozzles, A portion of the plurality of vacuum ports is located along a linear axis such that the suction region in the central portion extends in a mirrored concave shape from the linear axis to a point on the center point of the center portion of the proximal head The plurality of vacuum ports being located farther from the linear axis along which the plurality of meniscus nozzles are formed than in the rest of the plurality of vacuum ports and at a central portion of the proximity head; 상기 근접 헤드의 상기 면 상에 형성되고, 상기 복수의 진공 포트들을 적어도 부분적으로 둘러싸는 복수의 기체 노즐들을 포함하고,A plurality of gas nozzles formed on the face of the proximity head and at least partially surrounding the plurality of vacuum ports, 상기 근접 헤드의 중심 부분에의 상기 흡인 영역의 상기 거울상 오목 형태는, 상기 기판 상의 선단 에지 및 후단 에지에서 입구 마크 및 출구 마크 중 적어도 일방의 마크의 크기 및 빈도수를 감소시켜서, 상기 메니스커스로부터의 액체가 상기 기판과 상기 캐리어 사이의 갭을 빠져나가는 것을 돕고 촉진시키는, 근접 헤드.Wherein said enamel concave shape of said suction region at a central portion of said proximity head reduces the size and frequency of at least one of an entrance mark and an exit mark at a leading edge and a trailing edge on said substrate, To facilitate the escape of liquid in the gap between the substrate and the carrier. 삭제delete
KR1020097008769A 2006-09-29 2007-09-27 Reduction of the entrance mark and exit mark left by the substrate-processing meniscus Expired - Fee Related KR101453115B1 (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/537,501 US7946303B2 (en) 2006-09-29 2006-09-29 Carrier for reducing entrance and/or exit marks left by a substrate-processing meniscus
US11/537,501 2006-09-29
US11/612,868 US7703462B2 (en) 2006-09-29 2006-12-19 Reduction of entrance and exit marks left by a substrate-processing meniscus
US11/612,868 2006-12-19
PCT/US2007/020893 WO2008042238A1 (en) 2006-09-29 2007-09-27 Reduction of entrance and exit marks left by a substrate-processing meniscus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090094226A KR20090094226A (en) 2009-09-04
KR101453115B1 true KR101453115B1 (en) 2014-10-27

Family

ID=39268754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097008769A Expired - Fee Related KR101453115B1 (en) 2006-09-29 2007-09-27 Reduction of the entrance mark and exit mark left by the substrate-processing meniscus

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101453115B1 (en)
WO (1) WO2008042238A1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11111803A (en) * 1997-10-06 1999-04-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate conveying device
JP2005328038A (en) * 2004-03-31 2005-11-24 Lam Res Corp Method and apparatus for heating proximity head

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5975098A (en) * 1995-12-21 1999-11-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for and method of cleaning substrate
US6398975B1 (en) * 1997-09-24 2002-06-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
US6988327B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11111803A (en) * 1997-10-06 1999-04-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate conveying device
JP2005328038A (en) * 2004-03-31 2005-11-24 Lam Res Corp Method and apparatus for heating proximity head

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090094226A (en) 2009-09-04
WO2008042238A1 (en) 2008-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8623152B2 (en) Reduction of entrance and exit marks left by a substrate-processing meniscus
JP4758694B2 (en) Proximity proximity process head
JP4676230B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4759300B2 (en) Method and apparatus for processing a wafer surface using a thin high velocity fluid layer
US7234477B2 (en) Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
KR101168183B1 (en) Substrate meniscus interface and methods for operation
US7198055B2 (en) Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
JP4423289B2 (en) Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and medium recording program used for the method
CN1707759B (en) Method and apparatus for processing a wafer surface using a thin, high velocity liquid layer
KR102465094B1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium
JP4578373B2 (en) Substrate processing equipment
JP4118659B2 (en) Substrate tray
JP2007524225A (en) System and method for integrating in situ measurements within a wafer process
JP6224515B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable recording medium recording substrate processing program
KR101453115B1 (en) Reduction of the entrance mark and exit mark left by the substrate-processing meniscus
KR20100020826A (en) Waferchuck for using in semiconductor manufacturing process
KR20060046548A (en) Etching Apparatus and Etching Method
JP2003017462A (en) Glass substrate or wafer processing sprayer

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

A201 Request for examination
P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E90F Notification of reason for final refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181001

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20191015

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20191015