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KR101468405B1 - method for producing shadow mask for OLED fabrication by multiple exposure and electroplating - Google Patents

method for producing shadow mask for OLED fabrication by multiple exposure and electroplating Download PDF

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KR101468405B1
KR101468405B1 KR1020130021401A KR20130021401A KR101468405B1 KR 101468405 B1 KR101468405 B1 KR 101468405B1 KR 1020130021401 A KR1020130021401 A KR 1020130021401A KR 20130021401 A KR20130021401 A KR 20130021401A KR 101468405 B1 KR101468405 B1 KR 101468405B1
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exposure
light emitting
organic light
shadow mask
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안종영
박성길
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주식회사 웨이브일렉트로닉스
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Abstract

포토레지스트 패턴 측벽의 형상을 제어함으로써 상기 포토레지스트 패턴을 이용한 도금에 의해 최종적으로 얻어지는 새도우 마스크의 개구 측벽의 형상을 제어하여 개구 저면 방향의 유기발광디스플레이 기판상에 도포되는 유기발광재료의 균일한 도포가 이루어지도록 하고, 나아가 유기발광디스플레이 소자의 고해상도와 화질 개선을 달성하기 위한 새도우 마스크 제조방법, 그 새도우 마스크 및 이를 사용한 유기발광디스플레이 제조방법이 개시된다.By controlling the shape of the side wall of the photoresist pattern, the shape of the opening side wall of the shadow mask finally obtained by plating using the photoresist pattern is controlled to uniformly apply the organic light emitting material applied on the organic light emitting display substrate in the opening bottom direction A method of manufacturing a shadow mask for achieving high resolution and image quality of an organic light emitting display device, a shadow mask thereof, and a method of manufacturing an organic light emitting display using the shadow mask.

Figure R1020130021401
Figure R1020130021401

Description

다중 노광과 도금에 의한 유기발광디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법 {method for producing shadow mask for OLED fabrication by multiple exposure and electroplating}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a shadow mask for an organic light emitting display by multiple exposure and plating,

본 발명은 유기발광디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법, 그 새도우 마스크 및 이를 사용한 유기발광디스플레이 제조 방법에 관한 것으로서, 특히, 다중 노광과 도금에 의한 유기발광디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법 및 그 새도우 마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a shadow mask for an organic light emitting display, a shadow mask thereof, and a method of manufacturing an organic light emitting display using the same, and more particularly, to a method of manufacturing a shadow mask for an organic light emitting display by multiple exposure and plating, .

최근 평면 디스플레이 분야에서는 비약적인 발전이 이루어지고 있는데, 특히 LCD(Liquid Crystal Display)를 선두로 하여 등장하기 시작한 평면 디스플레이는 CRT(Cathode Ray Tube)를 추월하여, 최근에는 PDP(Plasma Display Panel), VFD(Visual Fluorescent Display), FED(Field Emission Display), LED(Light Emitting Diode), EL(Electroluminescence) 등의 디스플레이 소자가 치열한 각축을 벌이고 있는 상황이며, 각각 시인성, 색감 및 제조공정의 면에서 많은 개선이 이루어져, 그 응용분야를 넓혀가고 있다.Flat-panel displays, which have begun to appear at the forefront of LCD (Liquid Crystal Display), have recently surpassed CRT (Cathode Ray Tube), and recently, PDP (Plasma Display Panel), VFD Display Fluorescent Display (FED), Light Emitting Diode (LED), and Electroluminescence (EL) display devices are intensively used in various fields. They have many improvements in terms of visibility, color and manufacturing process. , And is expanding its application field.

특히, 최근에는 표시장치의 대형화에 따른 공간 점유가 적은 평판 디스플레이 패널로서 유기발광디스플레이(OLED)(또는 유기발광다이오드)가 주목되고 있는데, 유기발광디스플레이는 유기 EL 디스플레이라고도 하며, 두께가 매우 얇을 뿐 아니라, 매트릭스 형태로 어드레스 할 수 있으며, 15V 이하의 낮은 전압으로도 구동이 가능한 장점을 가지고 있기 때문이다.Particularly, in recent years, organic light emitting displays (OLEDs) (or organic light emitting diodes) have been attracting attention as flat panel display panels which occupy less space due to enlargement of display devices. Organic light emitting displays are also called organic EL displays It can be addressed in the form of a matrix and has the advantage of being able to operate with a voltage as low as 15 V or less.

이와 같은 유기발광디스플레이 패널을 만드는데 있어서 유기물 증착 영역 및 제 2 전극을 형성하기 위해서는 일반적으로 새도우 마스크(shadow mask)가 사용되는데, 특히, 풀-컬러 유기발광디스플레이를 만들 경우에는 새도우 마스크를 사용하여 RGB 화소(픽셀) 영역들을 형성하고 있다. 이때, 새도우 마스크의 해상도는 제품의 해상도를 결정하게 되므로 해상도가 좋아야 함은 물론이고, 기판과 새도우 마스크의 정렬(align)이 매우 중요하게 된다.In order to form the organic light emitting display panel, a shadow mask is generally used to form the organic material deposition region and the second electrode. Particularly, in the case of forming a full-color organic light emitting display, Pixel (pixel) regions. At this time, since the resolution of the shadow mask determines the resolution of the product, not only the resolution is good but also the alignment of the substrate and the shadow mask becomes very important.

종래기술로는 금속 시트에 포토레지스트(PR)을 도포하고, 마스크를 이용한(또는 노광기를 이용하여 마스크 없이 직접 패턴 형성) 노광 및 현상 공정에 의해 패턴을 형성한 후, 습식 식각(WET ETCHING)에 의하여 금속 시트에 패턴을 전사함으로써 새도우 마스크를 제조하는 방식이 널리 이용되어 왔다.In the prior art, a photoresist (PR) is applied to a metal sheet and a pattern is formed by an exposure and development process using a mask (or a direct pattern formation without a mask using an exposure machine), and then wet etching A method of manufacturing a shadow mask by transferring a pattern onto a metal sheet has been widely used.

그러나, 습식 식각에 의한 방식은 식각의 등방성(isotropy)에 의해 식각 과정에서의 패턴 폭의 정밀한 제어가 곤란한 문제점이 있어, 고해상도의 패턴을 얻기 어려운 한계가 있어, 보다 고해상도의 패턴을 얻기 위하여 도금(electroplating)에 의한 새도우 마스크 제조 방식이 검토되고 있다.However, there is a problem that it is difficult to precisely control the pattern width in the etching process due to the isotropy of the etching due to the wet etching method, and it is difficult to obtain a high-resolution pattern. In order to obtain a pattern with a higher resolution, Electroplating has been studied as a method of manufacturing a shadow mask.

도 1a 내지 도 1c는 새도우 마스크 형성을 위한 종래기술의 방법으로 얻어진 포토레지스트 패턴을 도금 공정에 그대로 적용한 경우를 설명하기 위한 도면이다.FIGS. 1A to 1C are views for explaining a case where a photoresist pattern obtained by a conventional method for forming a shadow mask is directly applied to a plating process.

도 1a에 나타난 바와 같이, 마스크(14)를 사용한 노광을 할 경우, 도금용 기판(20) 상의 포토레지스트 막(12)에 대하여 소정의 패턴이 형성된 마스크(14)를 정렬하여 노광(exposure)을 진행한다.1A, when the exposure using the mask 14 is performed, the mask 14 having a predetermined pattern formed on the photoresist film 12 on the substrate 20 for plating is aligned to expose Go ahead.

이후, 베이크(bake), 현상(develop)을 거치면 도 1b에 나타난 바와 같이, 기판(20) 상의 원하는 위치에 포토레지스트 패턴(12)이 형성된다. 도 1a 내지 도 1b의 포토레지스트 패턴을 얻는 과정은 종래의 습식 식각을 통한 새도우 마스크 제조 방식의 경우와 차이가 없다.Thereafter, as shown in FIG. 1B, a photoresist pattern 12 is formed at a desired position on the substrate 20 after bake and develop. The process of obtaining the photoresist pattern of FIGS. 1A to 1B is not different from that of the conventional shadow mask manufacturing method by wet etching.

그러나, 이러한 포토레지스트 패턴(12)을 이용하여 도금 공정을 진행하면 도 1c에 나타낸 바와 같이, 포토레지스트 패턴이 형성되지 않은 영역에 도금에 의한 금속 막(10)이 형성되는데, 그 형상은 포토레지스트 패턴의 형상에 의존하게 되므로, 도금 막(10)의 형성 이후, 포토레지스트 패턴(12) 및 기판(20)을 제거하면 수직한 측벽을 갖는 개구들이 형성된 새도우 마스크(10)가 얻어지게 된다.However, when the plating process is performed using such a photoresist pattern 12, as shown in FIG. 1C, a metal film 10 is formed by plating on a region where no photoresist pattern is formed, After the formation of the plated film 10, the removal of the photoresist pattern 12 and the substrate 20 results in a shadow mask 10 in which openings with vertical sidewalls are formed.

도 2는 위의 종래기술과 동일한 노광공정을 진행하고, 도금을 통해 얻어진 새도우 마스크(10)를 유기발광디스플레이 제조 공정에 적용한 경우의 문제점을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2 is a view for explaining a problem in the case where the same exposure process as in the prior art is performed and the shadow mask 10 obtained through plating is applied to an organic light emitting display manufacturing process.

도 1a 내지 도 1c와 같이 종래기술의 노광공정을 그대로 사용하고 습식 식각을 단순히 도금 공정으로 대체하게 되면, 기존에 비해 고해상도의 패턴을 얻을 수 있다는 장점이 있으나, 도금 공정에서는 새도우 마스크의 개구 측벽의 경사를 제어하기 곤란하여 측벽의 경사가 지나치게 수직하게 형성됨으로써 개구 하부의 일부 영역에서 개구 측벽에 의한 가려짐 효과가 발생하여 유기발광재료의 균일한 도포가 이루어지지 못하는 문제점이 발생하게 된다.As shown in FIGS. 1A to 1C, when the conventional exposure process is used as it is and the wet etching is simply replaced with a plating process, there is an advantage in that a pattern of high resolution can be obtained compared with the conventional method. However, in the plating process, It is difficult to control the inclination and the inclination of the side wall is formed to be excessively vertical, so that a clogging effect due to the opening sidewall occurs in a part of the lower portion of the opening, resulting in a problem that the organic light emitting material can not be uniformly coated.

도 2에 도시된 바와 같이 개구의 측벽(11')의 경사가 지나치게 수직 형성되어 있다면 개구 하부의 기판(1)상 화소 영역(6')에 유기발광재료가 균일하게 도포되지 못하게 되는데, 그 이유는 도시된 바와 같은 유기물 소스(2)와의 위치 관계에 따라 일부 개구 하부에 대한 유기발광재료의 공급 경로(3)가 측벽에 의해 차폐됨으로써 해당 개구 측벽 바로 하부의 일정 영역(5)에는 유기발광재료가 원활하게 공급되지 못하는 현상이 발생하기 때문이다.If the inclination of the side wall 11 'of the opening is formed to be excessively vertical as shown in FIG. 2, the organic light emitting material is not uniformly applied to the pixel region 6' on the substrate 1 under the opening, The supply path 3 of the organic luminescent material with respect to the lower part of the opening is shielded by the side wall in accordance with the positional relationship with the organic material source 2 as shown in the figure, Is not smoothly supplied.

이러한 현상은 유기발광 디스플레이 소자의 화소 패턴의 정밀도를 저하시켜 고해상도를 얻는 것을 곤란하게 하여 화질의 저하로 이어지게 된다.
This phenomenon lowers the precision of the pixel pattern of the organic light emitting display device, making it difficult to obtain a high resolution, leading to a reduction in image quality.

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 포토레지스트 패턴 측벽의 형상을 제어함으로써 상기 포토레지스트 패턴을 이용한 도금에 의해 최종적으로 얻어지는 새도우 마스크의 개구 측벽의 형상을 제어하여 개구 저면 방향의 유기발광디스플레이 기판상에 도포되는 유기발광재료의 균일한 도포가 이루어지도록 하고, 나아가 유기발광디스플레이 소자의 고해상도와 화질 개선을 달성하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method of controlling the shape of a sidewall of a photoresist pattern to control the shape of an opening sidewall of a shadow mask finally obtained by plating using the photoresist pattern, Uniform application of the organic light emitting material applied on the substrate, and further to achieve high resolution and image quality improvement of the organic light emitting display device.

또한, 유기발광 디스플레이의 우수한 화소 균일도(uniformity)를 위해서는 새도우마스크 패턴의 균일도가 중요한데, 본 발명은 포토레지스트 패턴 측벽 형상을 원활히 제어하면서도 전면에 걸친 우수한 균일도와 재현성을 갖는 안정적인 공정을 구현하기 위한 것이다.In addition, uniformity of the shadow mask pattern is important for excellent pixel uniformity of the organic light emitting display. The present invention is intended to realize a stable process with excellent uniformity and reproducibility over the entire surface while smoothly controlling the shape of the sidewall of the photoresist pattern .

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부 도면을 참조한 실시형태에 관한 설명을 통하여 명백히 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention will become apparent from the following description of embodiments with reference to the accompanying drawings.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 한 측면에 따른 유기발광디스플레이용 새도우 마스크 제조방법은, 도금용 기판 표면에 포토레지스트 막을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 막을 노광영역의 폭을 조정하여 n회(n≥2) 노광하는 단계; 상기 포토레지스트 막을 현상하여 패턴 측벽이 테이퍼 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴에 의해 상기 도금용 기판상에 도금 공정을 진행함으로써 개구 측벽이 제어된 형상을 갖는 새도우 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a shadow mask for an organic light emitting display, comprising: forming a photoresist film on a surface of a substrate for plating; Exposing the photoresist film to n times (n? 2) exposures by adjusting the width of the exposure region; Developing the photoresist film to form a photoresist pattern having a tapered sidewall; And forming a shadow mask pattern having a controlled opening sidewall by conducting a plating process on the plating substrate by the photoresist pattern.

여기서, 상기 노광하는 단계에서는 노광영역 폭이 조정된 n개의 마스크를 사용하여 n회 노광하는 방식을 적용할 수 있다.Here, in the step of exposing, n exposure may be performed using n masks whose exposure region widths are adjusted.

또는, 상기 노광하는 단계에서는 마스크 없이 노광기에 설정된 노광영역 폭을 조정하여 n회 노광하는 방식을 적용할 수 있다.Alternatively, in the step of exposing, the method of adjusting the width of the exposure region set in the exposure apparatus without the use of a mask and performing exposure n times may be applied.

나아가, 상기 노광하는 단계에서는 노광세기를 조정하여 n회 노광하는 방식을 적용할 수 있다.Further, in the step of exposing, the exposure intensity may be adjusted to expose n times.

한편, 상기 노광 이후 상기 현상 이전에 베이크(bake) 공정을 진행하는 단계를 더 포함하는 실시형태도 가능하다.On the other hand, it is possible to carry out a bake process after the exposure and before the development.

나아가, 상기 새도우 마스크 패턴의 상기 제어된 형상은 상기 새도우 마스크 패턴 개구의 제1면상의 폭이 상기 패턴 개구의 제2면상의 폭보다 큰 형상인 것이 바람직하다.Furthermore, it is preferable that the controlled shape of the shadow mask pattern is a shape in which the width on the first surface of the shadow mask pattern opening is larger than the width on the second surface of the pattern opening.

본 발명의 다른 한 측면에 의한 유기발광디스플레이용 새도우 마스크는, 도금용 기판 표면에 포토레지스트 막을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 막을 노광 영역의 폭을 변화시켜 n회(n≥2) 노광하는 단계, 상기 포토레지스트 막을 현상하여 패턴 측벽이 제어된 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트 패턴에 의해 상기 도금용 기판상에 도금 공정을 진행함으로써 형성되고, 개구 측벽이 제어된 형상을 갖는 복수 개의 패턴을 갖는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a shadow mask for an organic light emitting display, comprising: forming a photoresist film on a surface of a plating substrate; exposing the photoresist film to n times (n? 2) Developing the photoresist film to form a photoresist pattern having a patterned sidewall controlled shape, and performing a plating process on the plating substrate with the photoresist pattern, wherein the opening sidewalls have a controlled shape And has a plurality of patterns.

본 발명의 또 다른 한 측면에 의한 유기발광디스플레이용 새도우 마스크는, 도금 막으로 된 판상의 금속 기재; 및 상기 기재상에 형성되며 유기발광디스플레이의 화소 배열 형성에 사용되는 하나 이상의 셀 패턴 영역을 포함하고, 상기 셀 패턴은 상기 판상의 금속 기재를 관통하는 복수개의 개구를 포함하며 상기 개구는 상기 화소 배열 형성을 위한 유기발광재료가 입사될 상기 판상의 제1면상의 개구 폭이 반대쪽 제2면상의 개구 폭에 비하여 넓은 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a shadow mask for an organic light emitting display, comprising: a plate-shaped metal substrate made of a plated film; And at least one cell pattern region formed on the substrate and used for forming a pixel array of the organic light emitting display, wherein the cell pattern includes a plurality of openings penetrating the plate-shaped metal substrate, Wherein an opening width on the first surface of the plate on which the organic light emitting material for forming the first electrode is to be incident is larger than an opening width on the second surface opposite to the first electrode.

나아가, 본 발명의 또 다른 한 측면에 의한 유기발광디스플레이 제조방법은, 도금용 기판 표면에 포토레지스트 막을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 막을 노광 영역의 폭을 변화시켜 n회(n≥2) 노광하는 단계, 상기 포토레지스트 막을 현상하여 패턴 측벽이 기울기를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트 패턴에 의해 상기 도금용 기판상에 도금 공정을 진행함으로써 형성되고, 개구 측벽이 기울기를 갖는 복수 개의 패턴을 갖는 새도우 마스크를 이용하여 화소영역에 유기발광재료를 증착하는 것을 특징으로 한다.Further, a method of manufacturing an organic light emitting display according to another aspect of the present invention includes: forming a photoresist film on a surface of a plating substrate; exposing the photoresist film to n times (n? 2) Developing the photoresist film to form a photoresist pattern having a slope of the pattern side wall, and performing a plating process on the plating substrate by the photoresist pattern, wherein the opening side wall has a plurality of And the organic light emitting material is deposited on the pixel region using a shadow mask having a pattern.

나아가, 본 발명의 또 다른 한 측면에 의한 유기발광디스플레이 제조방법은, 도금 막으로 된 판상의 금속 기재 및 상기 기재상에 형성되며 유기발광디스플레이의 화소 배열 형성에 사용되는 하나 이상의 셀 패턴 영역을 포함하고, 상기 셀 패턴은 상기 판상의 금속 기재를 관통하는 복수개의 개구를 포함하며 상기 개구는 상기 화소 배열 형성을 위한 유기발광재료가 입사될 상기 판상의 제1면상의 개구 폭이 반대쪽 제2면상의 개구 폭에 비하여 넓은 유기발광디스플레이용 새도우 마스크의 상기 제2면과 유기발광디스플레이용 기판을 정렬하는 단계; 및 상기 유기발광디스플레이용 기판에 상기 새도우 마스크상의 상기 패턴 개구들을 관통하여 상기 유기발광재료를 공급하는 단계를 포함한다.
A method of manufacturing an organic light emitting display according to another aspect of the present invention includes a metal substrate in the form of a plated film and at least one cell pattern region formed on the substrate and used for forming a pixel array of the organic light emitting display Wherein the cell pattern includes a plurality of openings passing through the plate-like metal base material, and the openings are formed on the second surface opposite to the opening width on the first surface on which the organic light emitting material for the pixel array formation is to be incident Aligning the second surface of the shadow mask for the organic light emitting display with the substrate for the organic light emitting display as compared with the opening width; And supplying the organic light emitting material through the pattern openings on the shadow mask to the substrate for the organic light emitting display.

본 발명에 의한 다중 노광과 도금에 의한 유기발광 디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법에 의해 원하는 측벽 형상으로 제어된 고해상도의 새도우 마스크를 도금에 의해 얻는 것이 가능하게 된다. 또한, 본 발명의 새도우 마스크를 유기발광디스플레이 제조공정에 사용함으로써 측벽에 의한 증착 재료의 차폐효과를 경감할 수 있게 되어 유기발광디스플레이 소자의 해상도를 더욱 높이고 화질을 개선하는 것이 가능하게 된다.It is possible to obtain a shadow mask of high resolution controlled by a desired sidewall shape by plating by the method of manufacturing a shadow mask for an organic light emitting display by multiple exposure and plating according to the present invention. In addition, by using the shadow mask of the present invention in the manufacturing process of the organic light emitting display, the shielding effect of the evaporation material due to the side wall can be reduced, and the resolution of the organic light emitting display device can be further improved and the image quality can be improved.

또한, 유기발광 디스플레이의 우수한 화소 균일도(uniformity)를 위해서는 새도우마스크 패턴의 균일도가 중요한데, 본 발명에 의해 포토레지스트 패턴 측벽 형상을 원활히 제어하면서도 전면에 걸친 우수한 균일도와 재현성을 갖는 안정적인 공정을 구현할 수 있게 된다.
In addition, uniformity of the shadow mask pattern is important for excellent pixel uniformity of the organic light emitting display. However, according to the present invention, it is possible to realize a stable process with excellent uniformity and reproducibility over the entire surface while smoothly controlling the shape of the sidewall of the photoresist pattern do.

도 1a 내지 도 1c는 새도우 마스크 제조를 위한 종래기술의 포토레지스트 패턴을 도금 공정에 그대로 적용한 경우를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 종래기술과 동일한 노광공정을 진행하고, 도금을 통해 얻어진 새도우 마스크를 유기발광디스플레이 제조 공정에 적용한 경우의 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 새도우 마스크를 유기발광디스플레이 소자의 제조공정 중 유기발광재료의 증착 공정에 적용한 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 한 실시형태로서 네거티브PR을 이용한 테이퍼 개구 측벽을 갖는 새도우 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 또 다른 실시형태로서 포지티브PR을 이용한 테이퍼 개구 측벽을 갖는 새도우 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a 내지 도 6b는 본 발명의 또 다른 실시형태로서 네거티브PR에 대해 노광기를 사용하여 노광하는 실시형태를 나타내는 도면이다.
도 7a 내지 도 7b는 본 발명의 또 다른 실시형태로서 포지티브PR에 대해 노광기를 사용하여 노광하는 실시형태를 나타내는 도면이다.
도 8a 내지 도 8b는 본 발명의 또 다른 실시형태로서 포토레지스트에 대해 다수 회 노광을 하여 새도우 마스크 측벽의 기울기를 원하는 형상으로 제어하는 실시형태를 나타내는 도면이다.FIGS. 1A to 1C are diagrams for explaining a case where a conventional photoresist pattern for manufacturing a shadow mask is directly applied to a plating process.
FIG. 2 is a view for explaining a problem in the case where the same exposure process as the conventional technique is performed and a shadow mask obtained through plating is applied to an organic light emitting display manufacturing process.
FIG. 3 is a view for explaining an embodiment in which the shadow mask of the present invention is applied to a process of depositing an organic light emitting material during a manufacturing process of an organic light emitting display device.
4A to 4F are views for explaining a method of manufacturing a shadow mask having a tapered sidewall using a negative PR as an embodiment of the present invention.
5A to 5F are views for explaining a method of manufacturing a shadow mask having a tapered sidewall using a positive PR as another embodiment of the present invention.
6A and 6B are views showing an embodiment in which exposure is performed using an exposure apparatus for a negative PR as another embodiment of the present invention.
Figs. 7A and 7B are diagrams showing an embodiment in which exposure is performed using an exposure machine for positive PR as another embodiment of the present invention. Fig.
8A to 8B are diagrams showing an embodiment in which the slope of the shadow mask side wall is controlled to a desired shape by exposing the photoresist to a plurality of times as another embodiment of the present invention.

이하에서는, 본 발명의 다중 노광과 도금에 의한 유기발광 디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법, 그 새도우 마스크 및 이를 사용한 유기발광디스플레이 소자 제조방법의 예시적인 실시형태들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of a method for manufacturing a shadow mask for an organic light emitting display by multiple exposure and plating, a shadow mask thereof, and a method of manufacturing an organic light emitting display device using the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 새도우 마스크를 유기발광디스플레이 소자의 제조를 위한 유기발광재료의 증착 공정에 적용한 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining an embodiment in which the shadow mask of the present invention is applied to a deposition process of an organic light emitting material for manufacturing an organic light emitting display device.

유기발광디스플레이 소자 제조를 위한 기판(1)으로는 유리나 또는 플라스틱 등의 유연성(flexible) 기판이 사용될 수 있으며, 증착 공정에서는 기판(1)상의 원하는 영역에 유기발광재료를 공급하기 위한 유기발광재료 소스(2)가 기판(1)의 전면에 이격 배치되며, 기판(1)과 유기발광재료 소스(2)의 사이에는 새도우 마스크(10)가 배치되는데, 새도우 마스크(10)에는 기판(1) 상의 화소 영역(6)에 유기발광재료 등을 증착 형성시키기 위한 소정의 개구 패턴이 형성된다.A flexible substrate such as glass or plastic may be used as the substrate 1 for manufacturing an organic light emitting display device. In the deposition process, an organic light emitting material source (not shown) for supplying an organic light emitting material to a desired region on the substrate 1 A shadow mask 10 is disposed between the substrate 1 and the organic light emitting material source 2. The shadow mask 10 is provided on the substrate 1 with a light- A predetermined opening pattern for forming an organic light emitting material or the like on the pixel region 6 is formed.

본 발명의 새도우 마스크(10)는 도금에 의해 제조되는 것으로서, 패턴 개구(opening) 측벽(11)이 제어된 형상을 갖는 것을 특징으로 하며, 도 3에 예시된 바와 같이 개구 측벽(11)이 소정의 경사를 갖는 테이퍼(taper) 유사의 형상으로 되어 개구의 한쪽 방향 입구가 반대 방향의 입구보다 넓도록 형성되는 것일 수 있다.The shadow mask 10 of the present invention is manufactured by plating and is characterized in that the pattern opening side wall 11 has a controlled shape and the opening side wall 11 is formed by a predetermined Like tapered shape with an inclination of < RTI ID = 0.0 > a < / RTI >

이와 같이 제어된 테이퍼 형상의 측벽을 갖는 개구는, 위의 도 2에 도시된 유기발광재료 증착 공정에서의 개구 측벽(11)에 의한 유기발광재료 공급경로의 차폐 효과를 방지하여 개구 하부의 기판(1)상 화소 영역(6)상에 보다 균일하고 해상도 높은 유기발광재료의 도포가 가능하도록 한다.The opening having the tapered sidewall thus controlled prevents the shielding effect of the organic light emitting material supply path by the opening sidewall 11 in the organic light emitting material deposition process shown in FIG. 2, 1) -type pixel region 6 to be applied with a more uniform and high resolution organic light emitting material.

도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 한 실시형태(제1 실시형태)로서 네거티브PR을 이용한 테이퍼 개구 측벽을 갖는 새도우 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.4A to 4F are diagrams for explaining a method of manufacturing a shadow mask having a tapered sidewall using negative PR as an embodiment (first embodiment) of the present invention.

도 4f에 도시된 바와 같이, 도금 공정에서는 도금용 기판(20) 상의 포토레지스트 패턴(12')에 의해 가려지지 않은 개구 하부 노출 부분의 전계에 의해 금속 재료의 이온(ion)이 표면에 누적됨으로써 도금 막(10)이 형성되며, 형성 중의 도금 막(10)은 다시 그 자체가 도금용 기판(20)의 표면과 같은 역할을 하여 전계를 형성함으로써 그 상부에 계속하여 도금 막(10)이 성장되어 간다. 결과적으로 도금 막(10)의 성장 과정은 포토레지스트 패턴(12')에 의해 형성된 개구를 하부로부터 순차적으로 채우는 형태가 된다.As shown in FIG. 4F, in the plating process, the ions of the metal material are accumulated on the surface by the electric field of the lower exposed portion not covered by the photoresist pattern 12 'on the plating substrate 20 The plating film 10 is formed and the plating film 10 itself acts as the surface of the plating substrate 20 to form an electric field so that the plating film 10 continues to grow It goes. As a result, the growth process of the plated film 10 is such that the opening formed by the photoresist pattern 12 'is sequentially filled from the bottom.

채워진 도금 막은 새도우 마스크(10)를 형성하게 되므로, 도금에 의해 형성되는 새도우 마스크(10)의 개구 측벽 형상은 포토레지스트의 패턴 측벽 형상에 의해 결정되게 된다. 그러므로 새도우 마스크(10)의 개구 측벽(11) 형상을 제어하여, 예컨대 도 3과 같은 테이퍼 유사의 형상을 갖도록 하기 위해서는 포토레지스트 패턴의 측벽 형상을 제어하는 방법이 효과적일 수 있다.Since the filled plating film forms the shadow mask 10, the shape of the opening sidewall of the shadow mask 10 formed by plating is determined by the shape of the sidewall of the pattern of the photoresist. Therefore, in order to control the shape of the opening sidewall 11 of the shadow mask 10 to have a taper-like shape as shown in Fig. 3, a method of controlling the shape of the sidewall of the photoresist pattern may be effective.

도금용 기판(20)으로는 일반적으로 SUS(스테인레스) 등의 금속 시트나 ITO가 도포된 유리 기판 등이 사용될 수 있다. 그 상면에 포토레지스트(12)가 도포되며, 마스크(14)를 이용한 노광을 하거나, 또는 마스크 없이 노광영역 및 노광세기의 설정이 가능한 노광기(디지털 노광기 등)를 사용하는 방식에 의해(도시되지 않음) 노광을 하는 것도 가능하다.As the substrate 20 for plating, a metal sheet such as stainless steel (SUS) or a glass substrate coated with ITO may be used. A photoresist 12 is applied on the upper surface thereof and exposure is performed by using the mask 14 or by a method of using an exposure apparatus (digital exposure apparatus or the like) capable of setting the exposure region and the exposure intensity without a mask ) Exposure can be performed.

포토레지스트(PR)는 포지티브(positive)PR과 네거티브(negative)PR의 두 가지 방식이 있는데, 포지티브PR은 노광 부분이 현상에 의해 제거되는 PR을 말하며, 네거티브PR은 노광 부분이 현상에 의해 잔류하는 특성을 갖는 PR을 말한다.There are two types of photoresist (PR): positive PR and negative PR. Positive PR refers to PR in which the exposed portion is removed by development, and negative PR refers to the case where the exposed portion remains by development PR. ≪ / RTI >

도 4a 내지 도 4f에 도시된 제1 실시형태에서는, 우선, 도 4a에 나타낸 바와 같이 기판(20)에 네거티브 포토레지스트(12) 막을 도포하며, 도 4b와 같이 넓은 폭의 노광영역 패턴(W)을 갖는 제1 마스크에 의해 제1회 노광을 진행한다.4A to 4F, a negative photoresist 12 film is first applied to the substrate 20 as shown in FIG. 4A, and a wide exposure area pattern W is formed as shown in FIG. 4B, The first exposure is carried out by the first mask having the first exposure.

한편, 도 4c와 같이 좁은 폭의 노광영역 패턴(N)을 갖는 제2 마스크에 의해 제2회 노광을 진행한다.On the other hand, as shown in FIG. 4C, the second exposure is progressed by the second mask having the exposure area pattern N of narrow width.

제1회 노광의 노광영역 패턴(W)의 폭과 제2회 노광의 노광영역 패턴(N)의 폭은 최종적으로 원하는 패턴 측벽 형상을 얻도록, 필요에 따라 컴퓨터 시뮬레이션이나 실험을 통해 최적화될 수 있다. 양 패턴의 폭이 많이 차이가 날수록 패턴 측벽의 경사가 완만해 지는 경향이 나타난다(즉, 측벽이 보다 기울어진 상태).The width of the exposure area pattern W of the first exposure and the width of the exposure area pattern N of the second exposure can be optimized by computer simulation or experiment as necessary so as to finally obtain a desired pattern side wall shape have. As the width of the two patterns increases, the inclination of the pattern side wall tends to become gentle (i.e., the side wall is more inclined).

여기서, 제1회 노광과 제2회 노광의 노광영역의 폭을 달리하면서, 그와 함께 광량이나 노출시간 등의 공정변수를 조정하여 노광세기를 다르게 조정할 수도 있다. 이때, 노광세기의 조정은 최종적으로 원하는 패턴 측벽 형상을 얻을 수 있도록 필요에 따라 실험적으로 최적화될 수 있으며, 넓은 폭을 갖는 노광영역으로 진행되는 제1회 노광에 대하여 제2회 노광에 비해 노광세기가 낮도록 조정할수록 패턴 측벽의 경사가 완만해 지는 경향이 나타난다(즉, 측벽이 보다 기울어진 상태).Here, the widths of the exposure regions of the first exposure and the second exposure may be different, and the exposure intensities may be adjusted by adjusting process parameters such as the amount of light and exposure time. In this case, the adjustment of the exposure intensity can be experimentally optimized as necessary so as to finally obtain a desired pattern sidewall shape, and the exposure time for the first exposure proceeding to the exposure area having a wide width, The slope of the pattern side wall tends to become gentle (i.e., the side wall is more inclined).

이후, 도 4d와 같이 포토레지스트의 베이크(bake) 공정과 현상 공정을 거치면 도 4e와 같이 제1회 노광 및 제2회 노광을 거친 부분이 잔류하게 되어 테이퍼 또는 테이퍼 유사 형상의 측벽을 갖는 포토레지스트 패턴(12')이 얻어지게 된다. 이때, 베이크 공정의 조건 설정 역시 최종적으로 얻어지는 포토레지스트 패턴(12')의 측벽 형상에 영향을 미칠 수 있으므로 필요에 따라 실험적으로 최적화될 수 있다.Then, as shown in FIG. 4D, when the photoresist is subjected to a bake process and a development process, a portion subjected to the first exposure and the second exposure is left as shown in FIG. 4E, so that the photoresist having a tapered or taper- The pattern 12 'is obtained. At this time, the condition setting of the baking process may also affect the shape of the side wall of the finally obtained photoresist pattern 12 ', so that it can be experimentally optimized as necessary.

이러한 포토레지스트 패턴(12')을 이용하여 도금 공정을 진행하면 도 4f에 개략적으로 예시한 바와 같이 제어된 형상, 예컨대 테이퍼 형상의 개구 측벽을 갖는 도금 막(10)이 얻어지며, 도금 공정 완료 후 포토레지스트 패턴(12')과 기판(20)을 제거하면 제어된 형상, 예컨대 테이퍼 형상의 개구 측벽을 갖는 본 발명의 새도우 마스크(10)가 최종적으로 얻어지게 된다. 얻어진 포토레지스트 패턴의 형상은 새도우 마스크 전면에 걸쳐 우수한 균일도(uniformity)와 재현성을 가져야 하는데, 본 발명에 의한 포토레지스트 형상 제어를 적용함으로써 이를 달성할 수 있다.When the plating process is performed using the photoresist pattern 12 ', a plating film 10 having a controlled shape, for example, a tapered opening sidewall is obtained as schematically illustrated in FIG. 4F. After the completion of the plating process Removal of the photoresist pattern 12 'and substrate 20 finally results in a shadow mask 10 of the present invention having a controlled shape, such as a tapered opening sidewall. The shape of the obtained photoresist pattern should have excellent uniformity and reproducibility over the entire surface of the shadow mask. This can be achieved by applying the photoresist shape control according to the present invention.

여기서, 도금 막(10)의 재료로는 다양한 금속 재료가 사용 가능하며, 예컨대 열팽창계수가 적절하도록 소정의 합금 비율(니켈 약 36 중량%)로 조정된 Fe와 Ni합금(관용명칭으로 '인바' 또는 'Invar'라 함)을 사용할 수 있다.The plated film 10 may be made of various metal materials. For example, Fe and Ni alloy (commonly referred to as " Invar ") having a predetermined coefficient of alloy (nickel of about 36 wt% Or 'Invar') may be used.

도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 또 다른 실시형태(제2 실시형태)로서 포지티브PR을 이용한 테이퍼 개구 측벽을 갖는 새도우 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.5A to 5F are views for explaining a method of manufacturing a shadow mask having a tapered sidewall using a positive PR as another embodiment (second embodiment) of the present invention.

도 5a에 도시된 바와 같이, 기판(20)상에 포지티브 포토레지스트(12) 막을 도포하며, 도 5b와 같이 넓은 폭의 노광영역 패턴(W)을 갖는 제1 마스크에 의해 제1회 노광을 진행한다. 5A, a film of a positive photoresist 12 is coated on a substrate 20, and a first exposure is performed by a first mask having a wide exposure area pattern W as shown in FIG. 5B do.

한편, 도 5c와 같이 좁은 폭의 노광영역 패턴(N)을 갖는 제2 마스크에 의해 제2회 노광을 진행한다.On the other hand, as shown in FIG. 5C, the second exposure is progressed by the second mask having the exposure area pattern N of a narrow width.

이후, 도 5d와 같이 포토레지스트의 베이크(bake) 공정과 현상 공정을 거치면, 도 5e와 같이 제1회 노광 및 제2회 노광을 거친 부분이 제거되게 되어(포지티브PR의 특성) 원하는 소정 형상, 예컨대 테이퍼나 테이퍼 유사 형상의 측벽을 갖는 포토레지스트 패턴(12')이 얻어지게 된다.Then, as shown in FIG. 5D, the portions subjected to the first exposure and the second exposure are removed (characteristic of the positive PR) as shown in FIG. 5E when the photoresist is subjected to a bake process and a development process, A photoresist pattern 12 'having tapered or taper-like side walls is obtained.

제1회 노광의 노광영역 패턴(W)의 폭과 제2회 노광의 노광영역 패턴(N)의 폭은 최종적으로 원하는 패턴 측벽 형상을 얻도록, 필요에 따라 컴퓨터 시뮬레이션이나 실험을 통해 최적화될 수 있다. 양 패턴의 폭이 많이 차이가 날수록 패턴 측벽의 경사가 완만해지는 경향이 나타난다(즉, 측벽이 보다 기울어진 상태).The width of the exposure area pattern W of the first exposure and the width of the exposure area pattern N of the second exposure can be optimized by computer simulation or experiment as necessary so as to finally obtain a desired pattern side wall shape have. As the widths of the two patterns increase, the inclination of the pattern side wall tends to become gentle (i.e., the side wall is more inclined).

여기서, 제1회 노광과 제2회 노광의 노광영역의 폭을 달리하면서, 그와 함께 광량이나 노출시간 등의 공정변수를 조정하여 노광세기를 다르게 조정할 수도 있다. 이때, 노광세기의 조정은 최종적으로 원하는 패턴 측벽 형상을 얻을 수 있도록 필요에 따라 실험적으로 최적화될 수 있으며, 넓은 폭을 갖는 노광영역으로 진행되는 제1회 노광에 대하여 제2회 노광에 비해 노광세기가 낮도록 조정할수록 패턴 측벽의 경사가 완만해지는 경향이 나타난다(즉, 측벽이 보다 기울어진 상태).Here, the widths of the exposure regions of the first exposure and the second exposure may be different, and the exposure intensities may be adjusted by adjusting process parameters such as the amount of light and exposure time. In this case, the adjustment of the exposure intensity can be experimentally optimized as necessary so as to finally obtain a desired pattern sidewall shape, and the exposure time for the first exposure proceeding to the exposure area having a wide width, The slope of the pattern side wall tends to become gentle (i.e., the side wall is more inclined).

이러한 포토레지스트 패턴(12')을 이용하여 도금 공정을 진행하면 도 5f에 나타난 바와 같이 원하는 소정 형상, 예컨대 테이퍼 형상의 측벽을 갖는 도금 막(10)이 얻어지며, 도금 공정 완료 후 포토레지스트 패턴(12')과 기판(20)을 제거하면 테이퍼(또는 테이퍼 유사 형상의) 개구 측벽을 갖는 본 발명의 새도우 마스크(10)가 얻어지게 된다.When the plating process is performed using the photoresist pattern 12 ', a plating film 10 having a desired predetermined shape, for example, a tapered sidewall is obtained as shown in FIG. 5F. After the completion of the plating process, 12 'and the substrate 20 are removed, a shadow mask 10 of the present invention having a tapered (or taper-like shaped) opening sidewall is obtained.

상술한 제1실시형태와 비교하면 제2실시형태의 새도우 마스크는 측벽의 기울기가 상하 반대로 되어 있는(MIRROR 이미지 형태) 차이가 있는데, 유기발광재료 증착 공정에서는 유기발광재료 소스를 향한 방향의 개구 폭이 반대쪽 개구 폭보다 넓어야 하므로, 제2 실시형태의 경우에는 상하를 뒤집어 도 1과 같이 유기발광재료 소스 방향의 개구가 폭이 넓도록 배치하여, 제1실시형태와 마찬가지로 증착 공정에 새도우 마스크로 사용이 가능하게 된다.In contrast to the first embodiment, the shadow mask of the second embodiment differs in that the tilt of the side wall is inverted (MIRROR image form). In the organic light emitting material deposition process, the opening width in the direction toward the source of the organic light emitting material The opening of the organic light emitting material in the direction of the source is arranged so as to be wide as shown in Fig. 1, and in the same manner as in the first embodiment, it is used as a shadow mask in the deposition step Lt; / RTI >

도 6a 내지 도 6b는 본 발명의 또 다른 실시형태로서 네거티브PR에 대하여 노광기를 사용하여 노광하는 제3 실시형태를 나타낸다.Figs. 6A and 6B show a third embodiment of the present invention, in which the exposure is performed using an exposure apparatus for a negative PR as another embodiment of the present invention.

마스크를 사용하지 않고(mask-less) 노광 영역 및 세기의 설정이 가능한 노광기(예컨대, 디지털 노광기)에 의한 노광 공정을 통하여서도 다수 회의 노광을 진행한다면 상술한 제1 및 제2 실시형태와 유사한 결과를 얻을 수 있다.If a plurality of exposures are made through an exposure process using an exposure apparatus (e.g., a digital exposure apparatus) capable of setting an exposure area and intensity without using a mask (mask-less), similar results to those of the first and second embodiments Can be obtained.

가령, 네거티브PR의 경우, 도 6a에 도시한 바와 같이 제1노광 시에는 폭이 넓은 제1영역(S1)에 대해 노광이 이루어지도록 노광기를 제어하고, 도 6b와 같이 제2노광 시에는 폭이 좁은 제2영역(S2)에 대해 노광이 이루어지도록 노광기를 제어한다면 상술한 제1실시형태의 경우와 유사한 효과를 얻을 수 있다.6A, in the first exposure, the exposure unit is controlled so that exposure is performed with respect to the first area S1 having a wide width. In the second exposure, as shown in FIG. 6B, If the exposure apparatus is controlled to expose the narrow second region S2, an effect similar to that of the first embodiment can be obtained.

제1영역(S1)의 폭과 제2영역(S2)의 폭은 최종적으로 원하는 패턴 측벽 형상을 얻도록, 필요에 따라 컴퓨터 시뮬레이션이나 실험을 통해 최적화될 수 있다. 양 패턴의 폭이 많이 차이가 날수록 패턴 측벽의 경사가 완만해지는 경향이 나타난다(즉, 측벽이 보다 기울어진 상태).The width of the first area S1 and the width of the second area S2 can be optimized by computer simulation or experimentation as necessary so as to finally obtain the desired pattern side wall shape. As the widths of the two patterns increase, the inclination of the pattern side wall tends to become gentle (i.e., the side wall is more inclined).

여기서, 제1회 노광과 제2회 노광의 노광영역의 폭을 달리하면서, 그와 함께 광량 또는 노출시간 등의 공정변수를 조정하여 노광세기를 다르게 조정할 수도 있다. 이때, 노광세기의 조정은 최종적으로 원하는 패턴 측벽 형상을 얻을 수 있도록 필요에 따라 실험적으로 최적화될 수 있으며, 넓은 폭을 갖는 노광영역으로 진행되는 제1회 노광에 대하여 제2회 노광에 비해 노광세기가 낮도록 조정할수록 패턴 측벽의 경사가 완만해지는 경향이 나타난다(즉, 측벽이 보다 기울어진 상태).Here, the widths of the exposure areas of the first exposure and the second exposure may be different, and the exposure intensity may be adjusted by adjusting process parameters such as the amount of light or exposure time. In this case, the adjustment of the exposure intensity can be experimentally optimized as necessary so as to finally obtain a desired pattern sidewall shape, and the exposure time for the first exposure proceeding to the exposure area having a wide width, The slope of the pattern side wall tends to become gentle (i.e., the side wall is more inclined).

도 7a 내지 도 7b는 본 발명의 또 다른 실시형태로서 포지티브PR에 대하여 노광기를 사용하여 노광하는 실시형태를 나타낸다.7A to 7B show an embodiment in which the positive PR is exposed using an exposure machine as another embodiment of the present invention.

포지티브PR을 사용하는 경우에도 도 7a에 나타난 바와 같이 제1노광 시에는 폭이 넓은 제1영역(T1)에 대해 노광이 이루어지도록 노광기를 제어하고, 도 7b에 나타난 바와 같이 제2노광 시에는 폭이 좁은 제2영역(T2)에 대해 노광이 이루어지도록 노광기를 제어한다면 상술한 제2실시형태의 경우와 유사한 효과를 얻을 수 있다.As shown in FIG. 7A, when the positive PR is used, the exposure unit is controlled so that exposure is performed to the first area T1 having a wide width during the first exposure, and the width If the exposure apparatus is controlled so that exposure is performed to the narrow second region T2, an effect similar to that of the second embodiment can be obtained.

제1영역(T1)의 폭과 제2영역(T2)의 폭은 최종적으로 원하는 패턴 측벽 형상을 얻도록, 필요에 따라 컴퓨터 시뮬레이션이나 실험을 통해 최적화될 수 있다. 양 패턴의 폭이 많이 차이가 날수록 패턴 측벽의 경사가 완만해지는 경향이 나타난다(즉, 측벽이 보다 기울어진 상태).The width of the first region T1 and the width of the second region T2 can be optimized by computer simulation or experimentation as necessary so as to finally obtain a desired pattern side wall shape. As the widths of the two patterns increase, the inclination of the pattern side wall tends to become gentle (i.e., the side wall is more inclined).

여기서, 제1회 노광과 제2회 노광의 노광영역의 폭을 달리하면서, 그와 함께 광량 또는 노출시간 등의 공정 변수를 조정하여 노광세기를 다르게 조정할 수도 있다. 이때, 노광세기의 조정은 최종적으로 원하는 패턴 측벽 형상을 얻을 수 있도록 필요에 따라 실험적으로 최적화될 수 있으며, 넓은 폭을 갖는 노광영역으로 진행되는 제1회 노광에 대하여 제2회 노광에 비해 노광세기가 낮도록 조정할수록 패턴 측벽의 경사가 완만해지는 경향이 나타난다(즉, 측벽이 보다 기울어진 상태).Here, the widths of the exposure areas of the first exposure and the second exposure may be different, and the exposure intensity may be adjusted by adjusting process parameters such as the amount of light or exposure time. In this case, the adjustment of the exposure intensity can be experimentally optimized as necessary so as to finally obtain a desired pattern sidewall shape, and the exposure time for the first exposure proceeding to the exposure area having a wide width, The slope of the pattern side wall tends to become gentle (i.e., the side wall is more inclined).

도 8a 내지 도 8b는 본 발명의 또 다른 실시형태로서 포토레지스트에 대하여 다수 회의 노광을 수행하여 새도우 마스크 측벽의 기울기를 원하는 형상으로 제어하는 실시형태를 설명하기 위한 도면이다.8A to 8B are diagrams for explaining an embodiment in which exposure of a photoresist to a plurality of times is performed to control a slope of a shadow mask side wall to a desired shape as another embodiment of the present invention.

위에서 살펴본 실시형태들은 2회의 노광을 진행하는 구성이었으나, 본 발명의 실시형태는 일반적인 n회(n은 2 이상의 정수)의 노광을 진행하는 구성으로 확장이 가능하며, 이와 같이 다수회의 노광을 진행할 경우, 각 노광 시의 노광영역을 조정하거나 필요에 따라 노광세기를 조정하여 보다 정밀한 패턴 기울기의 제어가 가능하게 된다.Although the embodiments described above are configured to perform two exposures, the embodiments of the present invention can be extended to a configuration in which exposure is performed in general n times (where n is an integer of 2 or more), and when a plurality of exposures , It is possible to control the pattern inclination more precisely by adjusting the exposure area at each exposure or adjusting the exposure intensity as necessary.

가령, 도 8a에 나타낸 바와 같이 노광영역을 조정한 다수회의 노광을 통해 도금용 기판(20)상에서 각각 측벽 기울기가 각각 a, b, c인 3개의 영역을 갖도록 포토레지스트 패턴(12') 형상을 제어할 수도 있으며, 이러한 포토레지스트 패턴(12')을 이용하여 도금을 수행하면 도 9b와 같이 개구 측벽 형상이 보다 정밀하게 제어된 새도우 마스크(10)를 얻게 된다.8A, the photoresist pattern 12 'is formed so as to have three regions each having a side wall inclination a, b, and c on the plating substrate 20 through a plurality of exposures adjusted by adjusting the exposure region If plating is performed using the photoresist pattern 12 ', the shadow mask 10 having the shape of the opening sidewall is more precisely controlled as shown in FIG. 9B.

상기 실시예와 도면은 발명의 내용을 상세히 설명하기 위한 목적일 뿐, 발명의 기술적 사상의 범위를 한정하고자 하는 목적은 아니며, 이상에서 설명한 본 발명은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형, 및 변경이 가능하므로 상기 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것은 아님은 물론이며, 후술하는 청구범위뿐만이 아니라 청구범위와 균등 범위를 포함하여 판단되어야 한다.It is to be understood that both the foregoing description and drawings are for the purpose of describing the subject of the invention in detail and not for the purpose of limiting the scope of the technical idea of the invention, It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims and their equivalents. Should be judged including the equivalence range.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
1: 유기발광디스플레이용 기판
2: 유기발광재료 소스
6: 유기발광재료 증착 영역
10: 새도우 마스크
11: 패턴 개구 측벽
12: 포토레지스트
14: 포토 마스크
20: 도금용 기판Description of the Related Art
1: substrate for organic light emitting display
2: Organic light emitting material source
6: Organic light emitting material deposition area
10: Shadow mask
11: pattern opening side wall
12: Photoresist
14: Photomask
20: substrate for plating

Claims (10)

도금용 기판 표면에 포토레지스트 막을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트 막을 노광영역의 폭을 조정하여 n회(n≥2) 노광하는 단계;
상기 포토레지스트 막을 현상하여 패턴 측벽이 제어된 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 포토레지스트 패턴에 의해 상기 도금용 기판상에 도금 공정을 진행함으로써 개구 측벽이 제어된 형상을 갖는 새도우 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법.Forming a photoresist film on the surface of the plating substrate;
Exposing the photoresist film to n times (n? 2) exposures by adjusting the width of the exposure region;
Developing the photoresist film to form a photoresist pattern having a controlled sidewall pattern; And
And forming a shadow mask pattern having a controlled opening sidewall by performing a plating process on the plating substrate by the photoresist pattern. 제1항에 있어서,
상기 노광하는 단계는 노광영역 폭이 조정된 n개(n≥2)의 마스크를 사용하여 n회(n≥2) 노광하는 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of exposing is performed n times (n? 2) exposures using n (n? 2) masks whose exposure region widths are adjusted. 제1항에 있어서,
상기 노광하는 단계는 마스크 없이 노광기에 설정된 노광영역 폭을 조정하여 n회(n≥2) 노광하는 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of exposing is performed n times (n &gt; = 2) by adjusting a width of an exposure region set in an exposure apparatus without a mask. 제1항 내지 제3항의 어느 한 항에 있어서,
상기 노광하는 단계는 노광세기를 조정하여 n회(n≥2) 노광하는 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the step of exposing comprises adjusting the exposure intensity to expose n times (n &gt; = 2). 제1항 내지 제3항의 어느 한 항에 있어서,
상기 노광 이후 상기 현상 이전에 베이크(bake) 공정을 진행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Further comprising a step of performing a bake process after the exposure and before the development of the shadow mask. 제1항에 있어서,
상기 새도우 마스크 패턴의 상기 제어된 형상은 상기 새도우 마스크 패턴 개구의 제1면상의 폭이 상기 패턴 개구의 제2면상의 폭보다 큰 형상인 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the controlled shape of the shadow mask pattern is a shape in which a width on a first surface of the shadow mask pattern opening is larger than a width on a second surface of the pattern opening. 도금용 기판 표면에 포토레지스트 막을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 막을 노광 영역의 폭을 변화시켜 n회(n≥2) 노광하는 단계, 상기 포토레지스트 막을 현상하여 패턴 측벽이 제어된 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트 패턴에 의해 상기 도금용 기판상에 도금 공정을 진행함으로써 형성되고, 상기 노광 영역에 따라 개구 측벽의 각도가 점진적으로 커지거나 작아지는 개구 측벽이 제어된 형상을 갖는 복수 개의 패턴을 갖는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크.Forming a photoresist film on the surface of the substrate for plating, exposing the photoresist film to n times (n? 2) by changing the width of the exposure region, developing the photoresist film to form a photoresist Wherein the opening sidewall is formed by progressing a plating process on the plating substrate by the photoresist pattern, and the opening sidewall gradually increasing or decreasing in angle with the exposure region has a controlled shape A shadow mask for an organic light emitting display having a plurality of patterns. 도금 막으로 된 판상의 금속 기재; 및
상기 기재상에 형성되며 유기발광디스플레이의 화소 배열 형성에 사용되는 하나 이상의 셀 패턴 영역을 포함하고,
상기 셀 패턴은 상기 판상의 금속 기재를 관통하는 복수개의 개구를 포함하며 상기 개구는 상기 화소 배열 형성을 위한 유기발광재료가 입사될 상기 판상의 제1면상의 개구 폭이 반대쪽 제2면상의 개구 폭에 비하여 넓고,
개구측벽의 각도가 점진적으로 커지거나 작아지는 제어된 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이용 새도우 마스크.A plate-shaped metal base made of a plated film; And
And at least one cell pattern region formed on the substrate and used for forming a pixel array of the organic light emitting display,
Wherein the cell pattern includes a plurality of openings passing through the plate-like metal base material, the openings having a width on the first side of the plate on which the organic light emitting material for forming the pixel array is to be incident, Respectively.
Wherein the shadow mask has a controlled shape in which the angle of the opening sidewall gradually increases or decreases. 도금용 기판 표면에 포토레지스트 막을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 막을 노광 영역의 폭을 변화시켜 n회(n≥2) 노광하는 단계, 상기 포토레지스트 막을 현상하여 패턴 측벽이 기울기를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트 패턴에 의해 상기 도금용 기판상에 도금 공정을 진행함으로써 형성되고, 개구 측벽이 기울기를 갖는 복수 개의 패턴을 갖는 새도우 마스크를 이용하여 화소영역에 유기발광재료를 증착하는 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이 제조방법.Forming a photoresist film on the surface of the substrate for plating, exposing the photoresist film to n times (n? 2) by changing the width of the exposure region, developing the photoresist film to form a photoresist pattern having a slope of the pattern side wall Depositing an organic light emitting material on the pixel region by using a shadow mask having a plurality of patterns formed by advancing a plating process on the plating substrate by the photoresist pattern and having opening side walls inclined Wherein the organic light-emitting layer is formed on the substrate. 도금 막으로 된 판상의 금속 기재 및 상기 기재상에 형성되며 유기발광디스플레이의 화소 배열 형성에 사용되는 하나 이상의 셀 패턴 영역을 포함하고, 상기 셀 패턴은 상기 판상의 금속 기재를 관통하는 복수개의 개구를 포함하며 상기 개구는 상기 화소 배열 형성을 위한 유기발광재료가 입사될 상기 판상의 제1면상의 개구 폭이 반대쪽 제2면상의 개구 폭에 비하여 넓은 유기발광디스플레이용 새도우 마스크의 상기 제2면과 유기발광디스플레이용 기판을 정렬하는 단계; 및
상기 유기발광디스플레이용 기판에 상기 새도우 마스크상의 상기 패턴 개구들을 관통하여 상기 유기발광재료를 공급하는 단계를 포함하는 유기발광디스플레이 제조방법.And a plurality of openings penetrating through the plate-like metal base material, the plate-shaped metal base material being formed of a plated film, and at least one cell pattern region formed on the substrate and used for pixel array formation of an organic light emitting display, And the opening is larger than the opening width on the second surface opposite to the opening width on the first surface on which the organic light emitting material for forming the pixel array is to be incident, Aligning a substrate for a light emitting display; And
And supplying the organic light emitting material through the pattern openings on the shadow mask to the substrate for the organic light emitting display.
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