[go: up one dir, main page]

KR101460416B1 - 회로 기판 - Google Patents

회로 기판 Download PDF

Info

Publication number
KR101460416B1
KR101460416B1 KR1020120150445A KR20120150445A KR101460416B1 KR 101460416 B1 KR101460416 B1 KR 101460416B1 KR 1020120150445 A KR1020120150445 A KR 1020120150445A KR 20120150445 A KR20120150445 A KR 20120150445A KR 101460416 B1 KR101460416 B1 KR 101460416B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
filter chip
filter
laminated substrate
chip
transmission
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020120150445A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130079196A (ko
Inventor
사찌꼬 다나까
나오유끼 다사까
고끼 니시무라
Original Assignee
다이요 유덴 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다이요 유덴 가부시키가이샤 filed Critical 다이요 유덴 가부시키가이샤
Publication of KR20130079196A publication Critical patent/KR20130079196A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101460416B1 publication Critical patent/KR101460416B1/ko
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
    • H03H9/706—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders or supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders or supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H03H9/0561—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement consisting of a multilayered structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

본 발명의 과제는, 양호한 고주파 특성을 얻을 수 있고, 또한 소형화가 가능한 회로 기판을 제공하는 것이다.
본 발명은, 도체층(40, 42, 및 44)과 절연층(30, 32, 34, 36 및 38)이 적층되어 형성된 적층 기판(22)과, 적층 기판(22)에 내장된 송신 필터 칩(10a) 및 수신 필터 칩(10b)과, 송신 필터 칩(10a)을 적층 기판(22)의 두께 방향으로 투영하여 형성되는 투영 영역(10c)과 적어도 일부가 겹쳐지도록 적층 기판(22)의 상면에 설치되고, 또한 송신 필터 칩(10a)과 접속된 능동 부품(16a)을 구비하는 회로 기판이다.

Description

회로 기판{CIRCUIT SUBSTRATE}
본 발명은 회로 기판에 관한 것이다.
고주파 특성이 우수한 필터로서, 탄성 표면파(Surface Acoustic Wave : SAW) 필터, 압전 박막 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator : FBAR) 필터 등의 탄성파 필터가 있다. 휴대 전화 등의 이동체 통신 단말기의 보급에 수반하여, 탄성파 필터를 포함하는 부품의 소형화가 요구되고 있다. 소형화를 위해, 탄성파 필터와, 예를 들면 파워 앰프, IC(Integrated Circuit : 집적 회로) 등의 전자 부품을 동일한 기판에 내장한 회로 기판이 이용된다. 특허문헌 1에는 기판 상면에 SAW 필터 칩을 설치하고, 기판의 내부 배선에 의해 필터를 형성하는 발명이 개시되어 있다. 특허문헌 2에는 기판 상면에 트랜지스터 및 SAW 필터를 설치한 발명이 기재되어 있다.
[특허문헌]
[특허문헌 1] 일본 특허 출원 공개 제2001-189605호 공보
[특허문헌 2] 일본 특허 출원 공개 제2011-176061호 공보
그러나 종래의 기술에서는, 탄성파 필터와 전자 부품을 접속하는 배선이 길어진다. 이 결과, 노이즈의 영향이 증대된다. 이 결과, 탄성파 필터의 고주파 특성이 악화되는 경우가 있었다. 또한 회로 기판을 충분히 소형화하는 것도 어려웠다. 본 발명은 상기 과제에 비추어, 양호한 고주파 특성을 얻을 수 있고, 또한 소형화가 가능한 회로 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 도체층과 절연층이 적층되어 형성된 적층 기판과, 탄성파 필터가 형성되고, 상기 적층 기판에 내장된 필터 칩과, 상기 필터 칩을 상기 적층 기판의 두께 방향으로 투영하여 형성되는 투영 영역과 적어도 일부가 겹쳐지도록 상기 적층 기판의 표면에 설치되고, 또한 상기 필터 칩과 접속된 능동 부품을 구비하는 회로 기판이다.
상기 구성에 있어서, 상기 능동 부품 전체가 상기 투영 영역의 내측에 위치하는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 필터 칩과 상기 능동 부품은, 별도의 부품을 개재하지 않고 직접 접속되어 있는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 복수의 상기 필터 칩은 송신 필터가 형성된 송신 필터 칩 및 수신 필터가 형성된 수신 필터 칩을 포함하는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 송신 필터 칩은 송신 노드와 공통 노드와의 사이에 접속되고, 상기 수신 필터 칩은 수신 노드와 상기 공통 노드와의 사이에 접속되고, 상기 능동 부품은, 상기 송신 필터 칩과 접속되고, 또한 상기 송신 필터 칩을 상기 적층 기판의 두께 방향으로 투영하여 형성되는 투영 영역과 겹쳐지는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 필터 칩과 상기 능동 부품을 접속하는 배선 중, 상기 적층 기판의 면 방향으로 연장되는 제1 배선은, 상기 적층 기판의 두께 방향으로 연장되는 제2 배선보다 짧은 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 적층 기판은 금속으로 이루어지는 코어를 포함하고, 상기 필터 칩은 상기 코어에 형성된 개구부에 내장되어 있는 구성으로 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 양호한 고주파 특성을 얻을 수 있고, 또한 소형화가 가능한 회로 기판을 제공할 수 있다.
도 1의 (a)는 탄성파 필터를 포함하는 모듈을 예시하는 모식도, 도 1의 (b)는 래더형 필터를 예시하는 회로도.
도 2의 (a)는 비교예에 따른 회로 기판을 예시하는 상면도, 도 2의 (b)는 도 2의 (a)의 B-B에 따른 단면도.
도 3의 (a)는 실시예 1에 따른 회로 기판을 예시하는 상면도, 도 3의 (b)는 도 3의 (a)의 B-B에 따른 단면도.
도 4의 (a)는 실시예 2에 따른 회로 기판을 예시하는 상면도, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)의 B-B에 따른 단면도.
도 5의 (a)는 실시예 3에 따른 회로 기판을 예시하는 상면도, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)의 B-B에 따른 단면도.
도 6은 제4 실시예에 따른 회로 기판을 예시하는 단면도.
우선, 탄성파 필터를 포함하는 모듈에 대하여 설명한다. 도 1의 (a)는 탄성파 필터를 포함하는 모듈을 예시하는 모식도이다.
도 1의 (a)에 도시한 바와 같이, 분파기(10)는, 예를 들면 SAW 필터인 송신 필터(10Tx) 및 수신 필터(10Rx)를 포함한다. 송신 필터(10Tx)는, 안테나 노드(Ant)(공통 노드)와 송신 노드(Tx1)와의 사이에 접속되어 있다. 수신 필터(10Rx)는, 안테나 노드(Ant)와 수신 노드(Rx) 사이에 접속되어 있다. 또한, 송신 필터(10Tx) 및 수신 필터(10Rx)는 도시되지 않은 접지 단자에 접속되어 있다. 수신 필터(10Rx)와 RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)(18)(전자 부품)와의 사이에 수신 노드(Rx) 및 PA(16)와 RFIC(18)와의 사이에 송신 노드(Tx2)가 설치되어 있다.
BBIC(Base Band Integrated Circuit)(20)로부터 RFIC(18)에 베이스 밴드의 송신 신호가 입력된다. RFIC(18)는 송신 신호를 베이스 밴드로부터 고주파수로 업 컨버트한다. 송신 신호는 파워 앰프(Power Amp : PA)(16)에 있어서 증폭되고, 송신 필터(10Tx)에 입력된다. 송신 필터(10Tx)는, 송신 신호 중 송신 필터(10Tx)의 통과 대역 내의 주파수를 갖는 신호를 통과시키고, 통과 대역 외의 주파수를 갖는 신호를 억압한다. 도 1의 (a)에서는 도시를 생략하고 있지만, 스위치(12)에는, 분파기(10), PA(16), RFIC(18) 및 BBIC(20)를 포함하는 복수의 시스템이 접속되어 있다. 예를 들면, 통신 대역(밴드)에 따라서, 스위치(12)는 복수의 시스템으로부터 1개를 선택하여, 신호를 안테나(14)에 입출력시킨다. 송신 신호는 스위치(12)를 통하여 안테나(14)에 입력되고, 안테나(14)로부터 송신된다. 안테나(14)가 수신한 수신 신호는 스위치(12)를 통하여 수신 필터(10Rx)에 입력된다. 수신 필터(10Rx)는, 수신 신호 중 수신 필터(10Rx)의 통과 대역 내의 주파수를 갖는 신호를 통과시키고, 통과 대역 외의 주파수를 갖는 신호를 억압한다. 수신 신호는 RFIC(18)에 입력되고, RFIC(18)에 포함되는 로우 노이즈 앰프에 의해 증폭된다. RFIC(18)는 수신 신호를 베이스 밴드로 다운 컨버트한다. BBIC(20)는 베이스 밴드의 수신 신호를 처리한다. 양호한 고주파 특성을 얻기 위해서는, 분파기(10), PA(16), 스위치(12), 안테나(14), RFIC(18) 및 BBIC(20) 사이의 임피던스를 정합하는 것이 요구된다.
송신 필터(10Tx) 및 수신 필터(10Rx)에는, 예를 들면 래더형 필터가 채용된다. 도 1의 (b)는 래더형 필터를 예시하는 회로도이다. 입력 단자(In)와 출력 단자(Out)와의 사이에 직렬 공진자(S1∼S3)가 직렬 접속되어 있다. 직렬 공진자(S1∼S2) 사이에 병렬 공진자(P1)가 접속되고, 직렬 공진자(S2∼S3) 사이에 병렬 공진자(P2)가 접속되어 있다. 병렬 공진자(P1 및 P2)는 접지 단자에 접속되어 있다. 송신 필터(10Tx)의 입력 단자(In)는 도 1의 (a)의 송신 노드(Tx1)와 접속되고, 출력 단자(Out)는 안테나 노드(Ant)와 접속되어 있다. 수신 필터(10Rx)의 입력 단자(In)는 안테나 노드(Ant)와 접속되고, 출력 단자(Out)는 수신 노드(Rx)와 접속되어 있다. 송신 필터(10Tx) 및 수신 필터(10Rx)로서, 래더형 필터 이외에, 예를 들면 다중 모드 필터 등을 이용해도 된다.
다음으로, 비교예로서, 모듈 중 사각형 A로 둘러싸인 구성을 1개의 회로 기판에 내장하는 예에 대해 설명한다. 도 2의 (a)는 비교예에 따른 회로 기판(100R)을 예시하는 상면도이다. 도 2의 (b)는 도 2의 (a)의 B-B에 따른 단면도이다. 도 2의 (a)에서는, 솔더 레지스트(124) 및 도체층(140)의 도시는 생략하였다. 도 2의 (b)에서는 복수의 비아 배선(150) 중 일부에만 부호를 붙였다.
도 2의 (a) 및 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 절연층(130, 132, 134, 136 및 138) 및 도체층(140, 142, 144, 및 146)이 적층되어 있다. 각 도체층 사이는, 절연층(130, 132, 134, 136 및 138)을 관통하는 비아 배선(150)에 의해 접속되어 있다. 도체층(146)은, 적층 기판(122)과, 안테나(14), RFIC(18) 및 BBIC(20)와 같은 외부의 부품을 접속하기 위한 풋 패드로서 기능한다. 도 2의 (b)에 도시한 도체층(146)의 송신 단자(146a)는 도 1의 (a)의 송신 노드(Tx2)에 대응한다. 도 1의 (a)의 수신 노드(Rx)에 대응하는 수신 단자 및 안테나 노드(Ant)에 대응하는 안테나 단자의 도시는 생략하였다.
송신 필터 칩(110a)은, 예를 들면 도 1의 (a)의 송신 필터(10Tx)가 형성된 SAW 필터 칩이고, 수신 필터 칩(110b)은 예를 들면 수신 필터(10Rx)가 형성된 SAW 필터 칩이다. 능동 부품(116a)은 도 1의 (a)의 PA(16)를 포함한다.
송신 필터 칩(110a) 및 수신 필터 칩(110b)은, 적층 기판(122)의 상면의 도체층(140)에 플립 칩 실장되어 있다. 송신 필터 칩(110a)의 접지 단자(GND1) 및 능동 부품(116a)의 접지 단자(GND2)는, 접지 단자(146b)에 접속되어 있다. 송신 필터 칩(110a)의 출력 단자(Out1)는, 도체층(146)에 포함되는 안테나 단자에 접속되어 있다. 안테나 단자는 도 1의 (a)에 나타낸 스위치(12)와 접속된다. 송신 필터 칩(110a)의 입력 단자(In1)는, 도체층(140)에 포함되는 배선을 통해 능동 부품(116a)의 출력 단자(Out2)와 접속되어 있다. 능동 부품(116a)의 입력 단자(In2)는 송신 단자(146a)와 접속되어 있다. 송신 단자(146a)는, RFIC(18)(도 1의 (a) 참조)와 접속된다.
필터 칩(송신 필터 칩(110a) 및 수신 필터 칩(110b))과 능동 부품(116a)이 적층 기판(122)의 상면에 설치되어 있으므로, 적층 기판(122)이 대형화된다. 또한, 도체층(140)에 포함되는 배선과 같은, 적층 기판(122)의 면 방향으로 연장되는 배선은 길어져, 예를 들면 150㎛ 이상의 길이를 갖는다. 이로 인해, 배선을 흐르는 고주파 신호는 전기적인 노이즈의 영향을 받기 쉬워진다. 이 결과, 회로 기판(100R)의 고주파 특성이 열화된다. 또한, 필터 칩 및 능동 부품(116a)의 배치 및 배선의 경로가 제약된다. 이로 인해, 배선이 보다 길어져, 고주파 특성이 크게 열화되는 경우도 있다. 다음으로, 실시예 1에 대하여 설명한다.
[실시예 1]
실시예 1은 필터 칩(송신 필터 칩 및 수신 필터 칩)이 적층 기판에 내장되고, 능동 부품은 적층 기판의 상면(표면)에 실장된 예이다. 도 3의 (a)는 실시예 1에 따른 회로 기판(100)을 예시하는 상면도이다. 도 3의 (b)는 도 3의 (a)의 B-B에 따른 단면도이다.
도 3의 (a) 및 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 송신 필터 칩(10a) 및 수신 필터 칩(도시 생략)은, 예를 들면 탄탈산 리튬(LiTaO3) 또는 니오븀산 리튬(LiNbO3) 등의 압전체로 이루어지는 압전 기판 상에 IDT(Interdigital Transducer)가 형성된 SAW 필터 칩이며, 적층 기판(22)에 내장되어 있다. 탄성파를 여진하는 IDT는 도시되지 않았지만, 각 필터 칩의 상면에 설치되어 있다.
능동 부품(16a)은 적층 기판(22)의 상면에 플립 칩 실장되고, 송신 필터 칩(10a)을 적층 기판(22)의 두께 방향(도 3의 (b)의 상하 방향)으로 투영하여 형성되는 투영 영역(10c)(도면 중의 파선 참조) 및 수신 필터 칩(도시 생략)을 적층 기판(22)의 두께 방향으로 투영하여 형성되는 투영 영역(10d)(도면 중의 파선 참조)과 겹쳐진다. 이로 인해 비교예에 비해, 적층 기판(22)의 면적을 작게 할 수 있다. 따라서, 회로 기판(100)의 소형화가 가능하다.
도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 송신 필터 칩(10a)의 입력 단자(In1)는, 비아 배선(50), 도체층(40 및 42)을 개재하여 능동 부품(16a)의 출력 단자(Out2)와 접속되어 있다. 입력 단자(In1)와 출력 단자(Out2)와의 사이의 비아 배선(50), 도체층(40 및 42)은, 도 1의 (a)의 송신 노드(Tx1)가 설치된 배선에 대응한다. 송신 필터 칩(10a)의 출력 단자(Out1)는, 비아 배선(50) 및 도체층(42)을 개재하여, 도체층(44)에 포함되는 안테나 단자(44a)와 접속되어 있다. 안테나 단자(44a)는, 도 1의 (a)의 안테나 노드(Ant)에 대응하고, 스위치(12) 및 안테나(14)와 접속된다. 능동 부품(16a)의 단자(16b 및 16c)는, 전원과 접속되는 단자, 접지 단자 및 입력 단자 중 어느 2개에 대응한다.
송신 필터 칩(10a)과 접속되어 있는 능동 부품(16a)이 투영 영역(10c)과 겹쳐지므로, 송신 필터 칩(10a)과 능동 부품(16a)을 접속하는 배선은 면 방향으로 연장되는 배선을 포함하지 않고, 비아 배선(50)에 의해 구성된다. 절연층(30 및 32) 각각의 두께는, 예를 들면 30㎛ 정도이고, 송신 필터 칩(10a)과 능동 부품(16a)을 접속하는 2개의 비아 배선(50)의 길이의 합계 L1은 예를 들면 60㎛ 정도이다. 이와 같이, 실시예 1에 있어서는 비교예에 비해, 송신 필터 칩(10a)과 능동 부품(16a)을 접속하는 배선이 짧아진다. 이 결과, 노이즈의 영향을 저감할 수 있다. 또한, 배선의 기생 용량 및 기생 인덕턴스 등의 기생 성분도 저감된다. 따라서, 회로 기판(100)의 고주파 특성이 개선된다. 고주파 특성을 효과적으로 개선하기 위해, 송신 필터 칩(10a)과 능동 부품(16a)은, 예를 들면 인덕터 등의 부품을 개재하지 않고 직접 접속되어 있는 것이 바람직하다.
필터 칩이 내장되어 있으므로, 능동 부품(16a)의 배치 및 배선의 경로의 자유도가 높아진다. 이 결과, 회로 기판(100)을 소형화하고, 또한 면 방향으로 신장되는 배선을 보다 짧게 할 수 있다.
적층 기판(22)에 포함되는 절연층의 수 및 도체층의 수는 변경 가능하다. 회로 기판(100)은, 도 1의 (a)의 사각형 A로 둘러싸인 회로 요소 이외에, 스위치(12), 안테나(14), BBIC(20) 및 RFIC(18) 중 적어도 하나를 포함해도 되고, 전부를 포함해도 된다. 능동 부품(16a)은, 예를 들면 도 1의 (a)에 나타낸 스위치(12), RFIC(18) 및 BBIC(20)를 포함해도 된다. 능동 부품(16a)이, 스위치(12) 및 RFIC(18)와 같이 수신 필터 칩과 접속되어 있는 것을 포함하는 경우, 능동 부품(16a)은 투영 영역(10d)의 내측에 위치하고, 또한 수신 필터 칩과 비아 배선(50)에 의해 접속되는 것이 바람직하다. 능동 부품(16a)은, 도 1의 (a)에 나타낸 것 이외에, 전원이 입력되는 부품으로 할 수 있다.
절연층(30, 32, 34, 36 및 38)은, 예를 들면 글래스 에폭시 수지 등의 수지 또는 세라믹스 등으로 이루어진다. 각 절연층이 수지로 이루어짐으로써, 필터 칩의 내장이 용이해진다. 송신 필터 칩(10a)에 포함되는 단자, 도체층(40, 42 및 44)은, 예를 들면 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등의 금속, 또는 이들 금속을 포함하는 합금으로 이루어진다. 도 3의 (b)에 나타낸 솔더 레지스트(24)는, 플립 칩 실장에 이용되는 땜납 볼이 적층 기판(22) 및 도체층(40)의 불필요한 개소에 부착되는 것을 억제한다.
[실시예 2]
실시예 2는 능동 부품(16a) 전체가 투영 영역(10c) 내에 설치되어 있는 예이다. 도 4의 (a)는 실시예 2에 따른 회로 기판(200)을 예시하는 상면도이다. 도 4의 (b)는 도 4의 (a)의 B-B에 따른 단면도이다.
도 4의 (a) 및 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 능동 부품(16a) 전체는 투영 영역(10c)의 내측에 위치한다. 이로 인해, 회로 기판(200)을 보다 작게 할 수 있다. 또한, 실시예 1과 마찬가지로 배선이 짧아지므로, 고주파 특성이 개선된다.
[실시예 3]
실시예 3은 면 방향의 배선을 이용하는 예이다. 도 5의 (a)는 실시예 3에 따른 회로 기판(300)을 예시하는 상면도이다. 도 5의 (b)는 도 5의 (a)의 B-B에 따른 단면도이다.
도 5의 (a) 및 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 송신 필터 칩(10a)과 능동 부품(16a)은, 도체층(40)에 포함되는 배선(40a)(제1 배선, 도 5의 (b)의 격자 사선 참조)과 비아 배선(50a)(제2 배선)에 의해 접속되어 있다. 배선(40a)의 길이 L2는, 예를 들면 30㎛이다. 비아 배선(50a)의 길이의 합계 L1은, 예를 들면 60㎛이다. 비아 배선(50a)이 능동 부품(16a)과 겹쳐지는 위치에 설치되어 있지 않아도, 면 방향으로 연장되는 배선(40a)이 비아 배선(50a)보다 짧기 때문에, 고주파 특성은 개선된다. 배선(40a)의 길이는, 적층 기판(22)의 상면의 레이아웃에 따라서 변경 가능하지만, 비아 배선(50a)보다 짧은 것이 바람직하다. 실시예 1∼3에 나타낸 바와 같이, 능동 부품(16a)의 적어도 일부가 투영 영역(10c)과 겹쳐지면 되고, 능동 부품(16a)의 사이즈에 따라서 실시예 1∼3을 구분하여 사용할 수 있다.
[실시예 4]
실시예 4는 코어를 이용하는 예이다. 도 6은 실시예 4에 따른 회로 기판(400)을 예시하는 단면도이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 적층 기판(22)은, 절연층(32∼38) 사이에 코어(52)를 포함한다. 코어(52)는, 예를 들면 250㎛ 정도의 두께를 갖고, Cu 등의 금속으로 이루어지고, 접지 전위를 갖는다. 코어(52)에 형성된 개구부(52a)에는, 송신 필터 칩(10a)이 내장되어 있다. 개구부(52b)에는, 도체층(42)과 도체층(44)과의 사이를 접속하는 비아 배선(50)이 관통한다. 코어(52)에 의해, 코어(52)보다 상측의 도체층(40 및 42)과, 하측의 도체층(44)과의 사이에 있어서의 신호의 간섭은 억제된다. 이 결과, 고주파 특성이 보다 개선된다. 코어(52)는 금속으로 이루어지고, 또한 다른 도체층보다 두껍기 때문에, 회로 기판(400)의 강도 및 방열성이 향상된다.
필터 칩의 IDT 및 단자는, 필터 칩의 상면에 설치되어도 되고, 하면에 설치되어도 된다. 필터 칩은 SAW 필터 칩 이외에, 예를 들면 탄성 경계파 필터 칩, FBAR 필터 칩 등, 다른 탄성파 필터 칩이어도 된다. 송신 필터와 수신 필터를 1개의 칩에 설치한 분파기 칩을 적층 기판(22)에 내장해도 된다. 이때 분파기 칩을 적층 기판(22)의 두께 방향으로 투영한 투영 영역과 겹쳐지도록 능동 부품(16a)을 설치한다. 또한 실시예 1∼4는 분파기가 아닌, 필터 단일 부재가 적층 기판(22)에 내장되는 예에도 적용 가능하다.
도 1의 (a)의 분파기(10)와 스위치(12)와의 사이, 수신 필터(10Rx)와 RFIC(18)와의 사이 및 송신 필터(10Tx)와 PA(16)와의 사이에, 임피던스 정합을 위한 매칭 회로가 설치되는 경우가 있다. 매칭 회로는, 예를 들면 캐패시터 및 인덕터 등의 칩 부품으로 구성되고, 칩 부품은 투영 영역(10c 또는 10d)과 겹쳐지도록, 적층 기판(22)의 상면에 실장되는 것이 바람직하다. 배선이 짧아지기 때문이다.
이상, 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 서술하였지만, 본 발명은 이러한 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에 있어서, 다양한 변형ㆍ변경이 가능하다.
10 : 분파기
10a : 송신 필터 칩
10b : 수신 필터 칩
10c, 10d : 투영 영역
16 : PA
16a : 능동 부품
22 : 적층 기판
30, 32, 34, 36, 38 : 절연층
40, 42, 44 : 도체층
40a : 배선
50, 50a : 비아 배선
52 : 코어
52a, 52b : 개구부
100, 200, 300, 400 : 회로 기판
Ant : 안테나 노드
Rx : 수신 노드
Tx1, Tx2 : 송신 노드

Claims (7)

  1. 도체층과 절연층이 적층되어 형성된 적층 기판과,
    상기 적층 기판에 설치된 안테나 단자와,
    탄성파 필터가 형성되고, 상기 적층 기판에 내장되며, 상기 안테나 단자와 전기적으로 접속된 필터 칩과,
    상기 필터 칩을 상기 적층 기판의 두께 방향으로 투영하여 형성되는 투영 영역과 적어도 일부가 겹쳐지도록 상기 적층 기판의 표면에 설치되고, 또한 상기 필터 칩과 접속된 능동 부품을 구비하고,
    상기 필터 칩은, 상기 적층 기판의 두께 방향으로 연장되는 접속 배선 및 면 방향으로 연장되는 도체층을 통해 상기 안테나 단자에 전기적으로 접속되고,
    상기 안테나 단자는, 상기 능동 부품이 설치된 상기 적층 기판의 상기 표면과는 반대 측의 상기 적층 기판의 표면에 배치되는 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 능동 부품 전체가 상기 투영 영역의 내측에 위치하는 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 필터 칩과 상기 능동 부품은, 별도의 부품을 개재하지 않고 직접 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    복수의 상기 필터 칩은 송신 필터가 형성된 송신 필터 칩 및 수신 필터가 형성된 수신 필터 칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 송신 필터 칩은 송신 노드와 공통 노드와의 사이에 접속되고, 상기 수신 필터 칩은 수신 노드와 상기 공통 노드와의 사이에 접속되고,
    상기 능동 부품은, 상기 송신 필터 칩과 접속되고, 또한 상기 송신 필터 칩을 상기 적층 기판의 두께 방향으로 투영하여 형성되는 투영 영역과 겹쳐지는 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 필터 칩과 상기 능동 부품을 접속하는 배선 중, 상기 적층 기판의 면 방향으로 연장되는 제1 배선은, 상기 적층 기판의 두께 방향으로 연장되는 제2 배선보다 짧은 것을 특징으로 하는 회로 기판.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 적층 기판은 금속으로 이루어지는 코어를 포함하고,
    상기 필터 칩은 상기 코어에 형성된 개구부에 내장되어 있는 것을 특징으로 하는 회로 기판.
KR1020120150445A 2011-12-22 2012-12-21 회로 기판 Expired - Fee Related KR101460416B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-282013 2011-12-22
JP2011282013A JP5241910B2 (ja) 2011-12-22 2011-12-22 回路基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130079196A KR20130079196A (ko) 2013-07-10
KR101460416B1 true KR101460416B1 (ko) 2014-11-11

Family

ID=47143616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120150445A Expired - Fee Related KR101460416B1 (ko) 2011-12-22 2012-12-21 회로 기판

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9093981B2 (ko)
EP (1) EP2608408B1 (ko)
JP (1) JP5241910B2 (ko)
KR (1) KR101460416B1 (ko)
CN (1) CN103178804B (ko)
TW (1) TWI450659B (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5241909B2 (ja) 2011-12-22 2013-07-17 太陽誘電株式会社 回路基板
JP5117632B1 (ja) 2012-08-21 2013-01-16 太陽誘電株式会社 高周波回路モジュール
JP5285806B1 (ja) 2012-08-21 2013-09-11 太陽誘電株式会社 高周波回路モジュール
WO2015098792A1 (ja) * 2013-12-25 2015-07-02 株式会社村田製作所 弾性波フィルタデバイス
WO2017057567A1 (ja) 2015-10-02 2017-04-06 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
WO2017057568A1 (ja) 2015-10-02 2017-04-06 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
CN109075751B (zh) * 2016-03-30 2022-06-07 株式会社村田制作所 高频信号放大电路、功率放大模块、前端电路及通信装置
JP6638710B2 (ja) 2016-10-14 2020-01-29 株式会社デンソー 電池装置
US10944379B2 (en) * 2016-12-14 2021-03-09 Qualcomm Incorporated Hybrid passive-on-glass (POG) acoustic filter
KR102359559B1 (ko) * 2016-12-14 2022-02-08 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 스위치 ic, 프론트 엔드 모듈 및 통신 장치
CN111342807B (zh) * 2018-12-18 2023-12-15 天津大学 具有增大的过孔面积的滤波器和电子设备
JP2020120185A (ja) * 2019-01-21 2020-08-06 株式会社村田製作所 フロントエンドモジュール及び通信装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001313467A (ja) * 2000-02-21 2001-11-09 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板
US20030128083A1 (en) * 2002-01-09 2003-07-10 Alps Electric Co., Ltd. SAW filter module capable of being easily miniaturized
JP2007273585A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Sony Corp マイクロデバイスモジュール及びその製造方法
KR20110091878A (ko) * 2008-12-26 2011-08-16 다이요 유덴 가부시키가이샤 분파기 및 전자 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001189605A (ja) 1999-10-21 2001-07-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック積層ｒｆデバイス
JP3598060B2 (ja) * 1999-12-20 2004-12-08 松下電器産業株式会社 回路部品内蔵モジュール及びその製造方法並びに無線装置
JP2001285024A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Kyocera Corp 高周波フィルタ
JP3604033B2 (ja) * 2000-09-08 2004-12-22 日立エーアイシー株式会社 電子部品内蔵型多層配線板
JP3554310B2 (ja) * 2001-03-28 2004-08-18 京セラ株式会社 電子回路モジュール
JP2002344146A (ja) * 2001-05-15 2002-11-29 Tdk Corp 高周波モジュールとその製造方法
US6873529B2 (en) 2002-02-26 2005-03-29 Kyocera Corporation High frequency module
JP4000081B2 (ja) * 2003-03-12 2007-10-31 京セラ株式会社 ダイプレクサ内蔵配線基板
TW200520201A (en) 2003-10-08 2005-06-16 Kyocera Corp High-frequency module and communication apparatus
JP2007533152A (ja) * 2004-04-16 2007-11-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 集積回路、集積回路の製造方法及び集積回路を製造するための組立部品、並びに該集積回路を有する携帯電話
DE102006016345A1 (de) 2006-04-05 2007-10-18 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul mit diskreten Bauelementen und Verfahren zur Herstellung desselben
JP5149881B2 (ja) * 2009-09-30 2013-02-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2011176061A (ja) 2010-02-23 2011-09-08 Panasonic Corp 半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001313467A (ja) * 2000-02-21 2001-11-09 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板
US20030128083A1 (en) * 2002-01-09 2003-07-10 Alps Electric Co., Ltd. SAW filter module capable of being easily miniaturized
JP2007273585A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Sony Corp マイクロデバイスモジュール及びその製造方法
KR20110091878A (ko) * 2008-12-26 2011-08-16 다이요 유덴 가부시키가이샤 분파기 및 전자 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130079196A (ko) 2013-07-10
EP2608408A3 (en) 2014-05-14
US9093981B2 (en) 2015-07-28
TW201330732A (zh) 2013-07-16
CN103178804A (zh) 2013-06-26
TWI450659B (zh) 2014-08-21
EP2608408A2 (en) 2013-06-26
JP5241910B2 (ja) 2013-07-17
JP2013132015A (ja) 2013-07-04
CN103178804B (zh) 2015-09-09
US20130163212A1 (en) 2013-06-27
EP2608408B1 (en) 2018-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101460416B1 (ko) 회로 기판
JP6725059B2 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
TWI451818B (zh) 電路基板
US10873352B2 (en) Radio-frequency module and communication apparatus
KR20190040041A (ko) 스위치 ic, 프론트 엔드 모듈 및 통신 장치
KR20240101877A (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
CN114051695B (zh) 高频模块和通信装置
CN213213453U (zh) 高频模块和通信装置
WO2018110577A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
JP5888786B2 (ja) 回路基板
JP2012205215A (ja) 弾性表面波装置およびその製造方法
JP2004088778A (ja) 弾性表面波フィルタ、及びそれを用いたアンテナ共用器、通信機器
JP6112654B2 (ja) モジュール
US12388471B2 (en) Radio-frequency module and communication device
JP6105358B2 (ja) 回路基板
CN110476355B (zh) 多工器、高频前端电路以及通信装置
CN115039345B (zh) 高频模块以及通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

AMND Amendment
P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

St.27 status event code: N-2-6-B10-B15-exm-PE0601

AMND Amendment
P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PX0901 Re-examination

St.27 status event code: A-2-3-E10-E12-rex-PX0901

PX0701 Decision of registration after re-examination

St.27 status event code: A-3-4-F10-F13-rex-PX0701

X701 Decision to grant (after re-examination)
PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171018

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181023

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20241105

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20241105