KR101477350B1 - 비대칭 라인 나노 패턴 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
이러한 나노 패턴을 형성하기 위해서, 본 발명은 하나의 블록 공중합체의 적어도 하나의 블록이 다른 블록 공중합체의 적어도 하나의 블록과 2차 결합을 이루는 2 이상의 블록 공중합체 혼합물을 이용하여 비대칭성 라멜라 패턴을 형성하는 방법을 제시한다.
Description
도 2는 B와 C 도메인 사이에 수소결합이 있는 비대칭 블록 공중합체 블렌드에서 (A-B/A-C) 가능한 마이크로도메인들.
도 3은 다양한 무게분율을 가지는 블록 공중합체 블렌드의 TEM images와 SAXS profiles. (a), (d) 80/20 (wt/wt) S2VP/SHS-L; (b), (e) 50/50 (wt/wt) S2VP/SHS-H; 20/80 (wt/wt) S2VP/SHS-H.
도 4는 세 가지의 블렌드에 있어서 조절 가능한 PS 부피 분율을 가진 Ideal two-phase lamellar model을 이용한 Curve-fitted SAXS profiles: 80/20 (wt/wt) S2VP/SHS-L (□), 50/50 (wt/wt) S2VP/SHS-H (○), 20/80 (wt/wt) S2VP/SHS-H ( △).
도 5는 (a) A-B/A-C 블렌드에서의 예측되는 상도해. (b) 서로 다른 a에 따른 (0.22 for A-C-L, 0.40 for A-C-H) A-B/A-C 블렌드의 상도해.
도 6은 사용한 솔벤트 어닐링 장치의 이미지
도 7은 새로운 솔벤트 어닐링 방법으로 준비된 80/20 (wt/wt) S2VP/SHS-L 블렌드의 약 50nm 정도의 두께를 가지는 필름의 AFM phase와 TEM image (inset).
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- 기판에 하나의 블록 공중합체의 적어도 하나의 블록이 다른 블록 공중합체의 적어도 하나의 블록과 2차 결합을 이루는 2 이상의 블록 공중합체 혼합물을 이용하여 비대칭성 라멜라 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 패턴을 어닐링하는 단계를 포함하고,
여기서 상기 어닐링은 솔벤트 어닐링과 온도 구배 어닐링의 조합인 것을 특징으로 하는 비대칭성 라인 패턴 형성 방법. - 제13항에 있어서, 상기 비대칭성 라멜라 패턴은 상기 기판에 수직으로 배향된 나노 패턴인 것을 특징으로 하는 비대칭성 라인 패턴 형성 방법.
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- 제13항에 있어서, 상기 비대칭성 라멜라 패턴은 2개의 블록으로 이루어진 2 개의 블록 공중합체 혼합물 용액을 코팅 후 건조하여 형성되는 것을 특징으로 하는 비대칭성 라인 패턴 형성 방법.
- 제13항 또는 제16항에 있어서, 상기 2차 결합을 이루진 않는 블록 중 적어도 하나는 제거 가능하며, 2차 결합을 이루진 않는 다른 블록들과 상분리되는 블록인 것을 특징으로 하는 비대칭성 라인 패턴 형성 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 제거 가능한 블록은 폴리(메틸메타아크릴레이트)블록, 폴리(락틱엑시드)블록, 폴리이소프렌블록, 또는 폴리부타디엔블록인 것을 특징으로 하는 비대칭성 라인 패턴 형성 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 비대칭성 라멜라 패턴은 40 nm 이상 수직으로 배향된 것을 특징으로 하는 비대칭성 라인 패턴 형성 방법.
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