KR101565795B1 - Semiconductor apparatus having optical connections between central processing unit and memory module - Google Patents
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Abstract
중앙처리장치(CPU)와 메모리 모듈 사이에 광 커넥션을 갖는 반도체 장치에 관해 개시되어 있다. 개시된 반도체 장치는 메모리 컨트롤러에 연결된 광전모듈을 포함하고, 한쪽은 상기 광전모듈에 연결되고 다른 쪽은 메모리 모듈이 장착되는 소켓를 경유하여 확장되는 광 채널을 포함하며, 상기 소켓이나 상기 메모리 모듈에 다른 광전모듈이나 광 커넥터를 포함할 수 있다.A semiconductor device having an optical connection between a central processing unit (CPU) and a memory module is disclosed. The disclosed semiconductor device includes a photoelectric module connected to a memory controller, one of which is connected to the photoelectric module and the other of which is a light channel extending through a socket on which the memory module is mounted, Module or an optical connector.
Description
적어도 2개의 구성요소 사이에 광 커넥션(optical connection)을 갖는 반도체 장치에 관한 것이다.To a semiconductor device having an optical connection between at least two components.
중앙처리장치와 메인 메모리 모듈과의 연결 속도가 빨라질수록 1개의 CPU와 연결할 수 있는 메모리 모듈, 예를 들면 DIMM(Dual Inline Memory Module)의 수는 줄어들고 있다. 메모리 모듈이 DDR3급일 때, 현재의 전기적 연결방식으로 1개의 CPU와 연결할 수 있는 DIMM의 수는 2개 정도이다.As the connection speed between the central processing unit and the main memory module increases, the number of memory modules, for example, DIMMs (Dual Inline Memory Modules), which can be connected to one CPU is decreasing. When the memory module is DDR3 class, the number of DIMMs that can be connected to one CPU by current electrical connection is about two.
이러한 제한은 전기신호를 다양한 모듈로 보낼 때 발생되는 임피던스 부정합(impedance mismatch)에 의해 신호 보전(signal integrity) 상태가 저하되기 때문에 발생된다.This limitation arises because the signal integrity state is degraded by impedance mismatch that occurs when an electrical signal is sent to various modules.
전송 데이터에 영향을 미치지 않으면서 고속 데이터 전송이 가능하고, 안정적 연결이 가능한 메모리 모듈 수를 증가시킬 수 있는 광 커넥션을 갖는 반도체 장치를 제공함에 있다.The present invention provides a semiconductor device having an optical connection capable of high-speed data transfer without affecting transmission data and capable of increasing the number of memory modules capable of stable connection.
본 발명의 일 실시예에 의한 광 커넥션을 갖는 반도체 장치는 메모리 컨트롤러, 상기 메모리 컨트롤러에 연결된 메모리 모듈, 상기 메모리 모듈이 장착되는 소켓, 상기 메모리 컨트롤러에 연결된 제1 광전모듈, 한쪽은 상기 제1 광전모듈에 연결되고 다른 쪽은 상기 소켓을 경유하여 확장되는 광 채널, 상기 구성 요소들 중 적어도 일부가 장착되는 시스템 보드 및 상기 광 채널과 상기 메모리 모듈 사이에 구비된 제2 광전모듈을 포함하고, 상기 제2 광전모듈은 상기 소켓에 구비되어 있는 반도체 장치를 제공한다.A semiconductor device having an optical connection according to an embodiment of the present invention includes a memory controller, a memory module connected to the memory controller, a socket on which the memory module is mounted, a first photoelectric module connected to the memory controller, And a second photoelectric module connected between the optical channel and the memory module, wherein the second photoelectric module is connected to the optical channel, And the second photoelectric module provides the semiconductor device provided in the socket.
상기 제2 광전모듈은 상기 광 채널과 마주하도록 상기 소켓의 밑면에 구비될수 있다.The second photoelectric module may be provided on a bottom surface of the socket to face the optical channel.
상기 메모리 컨트롤러와 상기 소켓 사이에 복수의 광 분배기가 더 구비될 수있다.And a plurality of optical splitters may be further provided between the memory controller and the socket.
본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 장치는 메모리 컨트롤러, 상기 메모리 컨트롤러에 연결된 메모리 모듈, 상기 메모리 모듈이 장착되는 소켓을 포함하는 반도체 장치에 있어서, 상기 메모리 컨트롤러에 연결된 제1 광전모듈, 한쪽은 상기 제1 광전모듈에 연결되고 다른 쪽은 상기 소켓을 경유하여 확장되는 광 채널, 상기 구성 요소들 중 적어도 일부가 장착되는 시스템 보드, 상기 광 채널과 상기 메모리 모듈 사이에서 광 신호의 분기 및 결합을 담당하는 광 결합기 및 상기 광 결합기 및 상기 메모리 모듈 중 어느 한쪽의 광 신호를 다른 한쪽으로 전달하는 제1 광 커넥터를 구비하고, 상기 광 커넥터는 상기 소켓에 구비되어 있는 반도체 장치를 제공한다.A semiconductor device according to another embodiment of the present invention includes a memory controller, a memory module connected to the memory controller, and a socket to which the memory module is mounted, the semiconductor device comprising: a first photoelectric module connected to the memory controller; A system board on which at least some of the components are mounted, a branching and coupling unit for optical signals between the optical channel and the memory module, And a first optical connector for transmitting an optical signal of either the optical coupler or the memory module to the other side, wherein the optical connector is provided in the socket.
상기 제1 광전 모듈과 상기 소켓 사이에 광 커넥터가 더 구비될 수 있다.And an optical connector may be further provided between the first photoelectric module and the socket.
상기 제1 광 커넥터 및 상기 메모리 모듈 중 어느 한쪽의 광 신호를 다른 한쪽으로 전달하는 제2 광 커넥터를 더 포함할 수 있다.And a second optical connector for transmitting the optical signal of either one of the first optical connector and the memory module to the other.
상기 제2 광 커넥터와 상기 메모리 모듈에 장착된 복수의 메모리 칩 사이에서 상기 제2 광 커넥터 및 상기 메모리 칩 중 어느 한쪽의 신호를 변환하여 다른 쪽으로 전달하는 제2 광전 모듈을 더 포함할 수 있다.And a second photoelectric module for converting signals of either the second optical connector or the memory chip between the second optical connector and a plurality of memory chips mounted on the memory module and transferring the signal to the other.
상기 제2 광 커넥터는 상기 제1 커넥터와 결합될 수 있도록 상기 메모리 모듈에 구비되어 있고, 상기 메모리 모듈과 상기 소켓에 상기 메모리 모듈의 고정을 위한 수단이 구비될 수 있다.The second optical connector is provided in the memory module so as to be coupled to the first connector, and the memory module and the socket may be provided with means for fixing the memory module.
상기 제1 광전 모듈과 상기 소켓 사이에 복수의 광 분배기가 구비될 수 있다. 이때, 상기 광 분배기에 적어도 2개의 메모리 모듈 그룹이 연결되어 있고, 각 메모리 모듈 그룹은 복수의 메모리 모듈을 포함할 수 있다.A plurality of optical splitters may be provided between the first photoelectric module and the socket. At this time, at least two memory module groups are connected to the optical distributor, and each memory module group may include a plurality of memory modules.
본 발명의 또 다른 실시예에 의한 반도체 장치는 메모리 컨트롤러, 상기 메모리 컨트롤러에 연결된 메모리 모듈, 상기 메모리 모듈이 장착되는 소켓을 포함하 는 반도체 장치에 있어서, 상기 메모리 컨트롤러에 연결된 제1 광전모듈, 한쪽은 상기 제1 광전모듈에 연결되고 다른 쪽은 상기 소켓을 경유하여 확장되는 광 채널, 상기 구성 요소들 중 적어도 일부가 장착되는 시스템 보드, 상기 광 채널과 상기 메모리 모듈 사이에서 광 신호의 분기 및 결합을 담당하는 광 결합기 및 상기 광 결합기와 광학적으로 연결되고, 상기 메모리 모듈에 포함된 메모리 칩과 상기 광 결합기 사이에 구비되어 있는 제2 광전모듈을 포함하고, 상기 제2 광전모듈은 상기 메모리 모듈의 상기 소켓에 삽입되는 부분의 하단에 구비되어 있는 반도체 장치를 제공한다.A semiconductor device according to another embodiment of the present invention includes a memory controller, a memory module connected to the memory controller, and a socket to which the memory module is mounted, the semiconductor device comprising: a first photoelectric module connected to the memory controller, A system board on which at least some of the components are mounted, a branching and coupling of optical signals between the optical channel and the memory module, And a second photoelectric module optically connected to the photo coupler and provided between the memory chip included in the memory module and the photo coupler, and the second photoelectric module is connected to the memory module, And a semiconductor device provided at a lower end of a portion to be inserted into the socket.
상기 소켓에 상기 제2 광전 모듈이 통과하는 홀이 구비되어 있고, 상기 소켓의 상기 제2 광전 모듈측 측면은 개방될 수 있다.The socket is provided with a hole through which the second photoelectric module passes, and the second photoelectric module side of the socket can be opened.
상기 제1 광전 모듈과 상기 소켓 사이에 복수의 광 분배기가 구비될 수 있다.A plurality of optical splitters may be provided between the first photoelectric module and the socket.
상기 광 분배기에 적어도 2개의 메모리 모듈 그룹이 연결되어 있고, 각 메모리 모듈 그룹은 복수의 메모리 모듈을 포함할 수 있다.At least two memory module groups are connected to the optical distributor, and each memory module group may include a plurality of memory modules.
상기 메모리 모듈에 상기 제2 광전모듈과 한 그룹으로 버퍼칩이 구비될 수 있다.And a buffer chip may be provided in the memory module as one group with the second photoelectric module.
본 발명의 또 다른 실시예에 의한 반도체 장치는 메모리 컨트롤러, 상기 메모리 컨트롤러에 연결된 메모리 모듈, 상기 메모리 모듈이 장착되는 소켓을 포함하는 반도체 장치에 있어서, 상기 메모리 컨트롤러에 연결된 제1 광전모듈, 한쪽은 상기 제1 광전모듈에 연결되고 다른 쪽은 상기 소켓을 경유하여 확장되는 광 채널, 상기 구성 요소들 중 적어도 일부가 장착되는 시스템 보드, 상기 광 채널의 광 신호의 일부를 상기 메모리 모듈로 분할하는 광 분할기, 상기 광 분할기로부터 분할된 광 신호를 상기 메모리 모듈에 포함된 메모리 칩으로 전달하는 광학계 및 상기 광학계와 상기 메모리 칩 사이에서 어느 한쪽의 신호를 변환하여 다른 쪽에 전달하는 제2 광전모듈을 포함하는 반도체 장치를 제공한다.A semiconductor device according to another embodiment of the present invention includes a memory controller, a memory module connected to the memory controller, and a socket to which the memory module is mounted, the semiconductor device comprising: a first photoelectric module connected to the memory controller, A system board on which at least some of the components are mounted; a light source for splitting a part of the optical signal of the optical channel into the memory module; An optical system for transmitting an optical signal divided from the optical splitter to a memory chip included in the memory module, and a second photoelectric module for converting a signal between the optical system and the memory chip and transmitting the signal to the other side, A semiconductor device is provided.
상기 광 분할기는 입사광의 일부는 반사하고 나머지는 통과하는 광 반사체일수 있다.The light splitter may be a light reflector that reflects a portion of the incident light and the remainder.
상기 광학계는 상기 광 분할기로부터 광이 입사되는 제1 마이크로 볼 렌즈를 포함하는 제1 광학계, 상기 제1 광학계로부터 광이 입사되는 제2 마이크로 볼 렌즈와 반사면을 포함하는 제2 광학계 및 상기 반사면으로부터 반사된 광이 입사되는 제3 마이크로 볼 렌즈를 포함하는 제3 광학계를 포함할 수 있다.Wherein the optical system includes a first optical system including a first micro-ball lens through which light is incident from the light splitter, a second micro-ball lens through which light is incident from the first optical system, and a second optical system including a reflection surface, And a third micro-ball lens through which the light reflected from the third micro-ball lens is incident.
상기 제1 광학계는 상기 광 분할기와 광축 정렬이 이루어지도록 상기 소켓의 안쪽에 구비될 수 있다.The first optical system may be provided on the inner side of the socket so as to align the optical axis with the optical splitter.
상기 제2 광학계는 상기 제1 광학계와 광축 정렬이 이루어지도록 상기 메모리 모듈 내부에 구비되어 있고, 상기 메모리 모듈은 상기 소켓 안쪽의 상기 제1 광학계 상에 장착될 수 있다.The second optical system is provided in the memory module so as to be optically aligned with the first optical system, and the memory module can be mounted on the first optical system inside the socket.
상기 제3 광학계는 상기 제2 광학계와 광축 정렬이 이루어지도록 상기 메모리 칩과 패키지로 구성될 수 있다.The third optical system may be configured as a package with the memory chip so that optical axis alignment with the second optical system is performed.
상기 제2 광전 모듈은 상기 메모리 칩에 포함될 수 있다.The second photoelectric module may be included in the memory chip.
상기 광전모듈은 실리콘 포토닉스(silicon photonics) 기술을 이용한 모듈레 이터(modulator)와 포토다이오드와 외부광원을 포함할 수 있다.The photoelectric module may include a modulator using silicon photonics technology, a photodiode, and an external light source.
상기 제1 광전 모듈과 상기 광 분할기 사이에 복수의 광 분배기가 구비될 수있다.A plurality of optical splitters may be provided between the first photoelectric module and the optical splitter.
상술한 실시예에 의한 반도체 장치에서 상기 메모리 컨트롤러와 상기 제1 광전 모듈은 CPU 패키지를 이룰 수 있고, 상기 메모리 컨트롤러와 상기 제1 광전 모듈은 동일보드에 구비되거나 서로 다른 보드 상에 구비될 수 있다. 이때, 상기 CPU 패키지와 상기 소켓 사이에 상기 제1 광전모듈에 광학적으로 연결되는 광 커넥터를 더 구비할 수 있다. 또한, 상기 메모리 컨트롤러와 상기 소켓 사이에 전기 배선이 더 구비될 수 있다.In the semiconductor device according to the above-described embodiment, the memory controller and the first photoelectric module may form a CPU package, and the memory controller and the first photoelectric module may be provided on the same board or on different boards . The optical connector may further include an optical connector that is optically connected to the first photoelectric module between the CPU package and the socket. Further, an electric wiring may be further provided between the memory controller and the socket.
데이터 손상이나 손실없이 고속으로 데이터 전송이 가능하고, CPU 당 연결할 수 있는 메모리 모듈 수를 증가시킬 수 있다.Data can be transferred at high speed without data corruption or loss, and the number of memory modules connectable per CPU can be increased.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 중앙처리장치와 메모리 모듈 사이에 광 커넥션을 갖는 반도체 메모리 장치를 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.Hereinafter, a semiconductor memory device having an optical connection between a central processing unit and a memory module according to an embodiment of the present invention will be described in detail. In this process, the thicknesses of the layers or regions shown in the figures are exaggerated for clarity of the description.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 광 커넥션을 갖는 반도체 메모리 장치는 시스템 보드(system board)(8)에 장착된 메모리 컨트롤러(memory controller)(10), 제1 광전모듈(optical-electrical module)(12) 및 복수의 소켓(16(1)-16(n), n은 1, 2, 3...)을 포함한다. 메모리 컨트롤러(10)은 CPU를 포함 할 수 있다. CPU는 메모리 컨트롤러(10)와 연결되도록 별도 구비될 수도 있다. 제1 광전모듈(12)은 발광소자와 수광소자와 광전 변환회로를 포함할 수 있다. 메모리 컨트롤러(10)와 제1 광전모듈(12)은 신호 전송로인 복수의 배선(20(1)-20(n), n은 1, 2, 3...)으로 연결되어 있다. 제1 광전모듈(12)과 메모리 컨트롤러(10)는 CPU 패키지(11)를 이룰 수도 있다. 제1 광전모듈(12)과 복수의 소켓(16(1)-16(n))은 복수의 전송로(22(1)-22(n), n은 1, 2, 3...)로 연결될 수 있다. 복수의 소켓(16(1)-16(n)) 각각에 메모리 모듈(16(1)M-16(n)M)이 장착될 수 있다. 복수의 전송로(22(1)-22(n))는 광 링크일 수 있는데, 예를 들면 광섬유 또는 광 도파로 등일 수 있다. 이와 같이 메모리 컨트롤러(10)와 메모리 모듈(16(1)M-16(n)M) 사이의 정보 전달이 전기 신호 대신, 광 신호로 이루어지므로 고속으로 대량의 정보 전달이 이루어질 수 있다. 복수의 전송로(22(1)-22(n)) 중 일부는 전기 배선일 수 있다. 전기 배선을 통해서 메모리 모듈(16(1)M-16(n)M)에 전력이 공급될 수 있고, 소켓(16(1)-16(n)) 또는 메모리 모듈(16(1)M-16(n)M)에 장착될 수 있는 제2 광전모듈에도 동작에 필요한 전력이 공급될 수 있다. 상기 제2 광전모듈에 대해서는 후술된다. 각 소켓(16(1)-16(n))에 메모리 모듈(16(1)M-16(n)M)의 정렬을 위한 4개의 가이드 핀(26)이 마련되어 있다. 이 가이드 핀(26)에 의해 메모리 모듈(16(1)M-16(n)M)과 소켓(16(1)-16(n)) 사이에 전기적 및 기계적 정렬과 함께 광 정렬이 이루어질 수 있다. 소켓(16(1)-16(n))은 도 1에 도시한 바와 다른 형태를 가질 수도 있다. 가이드 핀(26)의 위치 역시 도 1에 도시한 바와 다를 수 있다. 메모리 모듈(16(1)M-16(n)M)은 DIMM(Dual In Memory Module)일 수 있으나, SIMM(Single In Memory Module)일 수도 있다.Referring to FIG. 1, a semiconductor memory device having an optical connection according to an embodiment of the present invention includes a
도 2는 도1을 2-2'방향으로 절개한 단면을 보여준다.FIG. 2 shows a cross section of FIG. 1 taken along line 2-2 '.
도 2를 참조하면, 소켓(16(1))과 일체로 제2 광전모듈(30)이 장착되어 있다. 제2 광전모듈(30)은 소켓(16(1))의 밑면에 장착되어 있다. 제2 광전모듈(30)은 시스템 보드(8)와 이격되어 있다. 제2 광전모듈(30) 양측으로 소켓(16(1))이 하향 확장되어 시스템 보드(8)에 장착되어 있다. 제2 광전모듈(30)과 시스템 보드(8) 사이에 광 전송로(22(2))의 광 신호를 제2 광전모듈(30)로 분기하고 또한 제2 광전 모듈(30)의 광 신호를 광 전송로(22(2))에 결합시키는 광 결합기(미도시)가 더 구비될 수 있다. 메모리 모듈(16(1)M)의 소켓(16(1))에 삽입되는 부분의 양면에 제1 접촉체(C1)가 구비되어 있다. 소켓(16(1)의 메모리 모듈(16(1)M)이 삽입되는 영역의 내면에 제2 접촉체(C2)가 구비되어 있다. 제2 접촉체(C2)는 제2 광전모듈(30)과 연결되어 있다. 메모리 모듈(16(1)M)이 소켓(16(1))에 끼워질 때, 제1 접촉체(C1)는 제2 접촉체(C2)와 접촉된다. 메모리 모듈(16(1))의 한쪽 면에 제1 메모리 칩(M1)이 장착되어 있고, 반대 면에 제2 메모리 칩(M2)이 장착되어 있다. 메모리 모듈(16(1))의 상기 한쪽 면에는 제1 메모리 칩(M1)과 같은 메모리 칩이 복수개 장착될 수 있다. 또한, 메모리 모듈(16(1))의 상기 반대면에도 제2 메모리 칩(M2)과 같은 메모리 칩이 복수개 장착될 수 있다.Referring to Fig. 2, the second
메모리 컨트롤러(10)에서 광 전송로(22(2))를 통해 전달된 광 신호(34)의 일부는 광 전송로(22(2)) 상에 위치한 광 분할기(23)에 의해 분할되고 나머지는 광 분할기(23)를 통과한다. 광 분할기(23)는 예를 들면 프리즘일 수 있다. 광 분할 기(23)에 의해 분할된 광의 진행 경로는 위쪽으로 바뀌어서 제2 광전모듈(30)에 입사된다. 제2 광전모듈(30)에 입사된 광 신호는 전기 신호로 변화되어 메모리 모듈(16(1)M)의 제1 메모리 칩(M1) 또는 제2 메모리 칩(M2)으로 전달된다. 이때, 광 신호(34)는 데이터 쓰기 신호 또는 클럭 신호 등과 같은 고속 데이터일 수 있다. 광 신호(34)는 명령이나 어드레스 등과 같은 저속 데이터일 수도 있다. 한편, 메모리 모듈(16(1)M)로부터 발생된 전기 신호는 제2 광전모듈(30)에 의해 광 신호로 변환된다. 이렇게 변화된 광 신호(34)는 광 전송로(22(2))를 통해서 제2 광전모듈(12)로 전달되고, 제1 광전모듈(12)에서 전기신호로 변환되어 메모리 컨트롤러(10)에 전달된다. 이때의 광 신호(34)는 읽기 신호가 될 수 있고, 또한 제1 메모리 칩(M1) 또는 제2 메모리 칩(M2)의 상태를 포함하는 정보일 수 있다.A part of the
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 광 커넥션을 갖는 반도체 메모리 장치를 보여준다.3 shows a semiconductor memory device having an optical connection according to another embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 시스템 보드(8)(혹은 메인 보드)에 장착된 메모리 컨트롤러(10)는 CPU(10b)와 제1 광전모듈(10C)을 포함한다. 제1 광전모듈(10C)은 내부에 광원, 예를 들면 레이저 다이오드를 포함할 수 있다. 제1 광전모듈(10C)은 광원(LS)을 제1 광전모듈(10C) 바깥에 그러나 메모리 컨트롤러(10) 내부에 구비할 수도 있다. CPU와 제1 광전모듈(10C)은 다수의 전기 배선(10d)으로 연결되어 있다. 시스템 보드(8)에 제1 광 커넥터(13)와 다수의 소켓(40(1)-40(n))이 장착되어 있다. 제1 광 커넥터(13)와 제1 광전모듈(12)은 다수의 광 채널(OPL)로 연결되어 있다. 다수의 소켓(40(1)-40(n)) 각각에 메모리 모듈(40(1)M-40(n)M)이 장착되어 있 다. 제1 광 커넥터(13)와 제1 소켓(40(1))은 복수의 광 채널(L1-Ln)로 연결되어 있다. 각 광 채널(L1-Ln)의 각 소켓(40(1)-40(n)) 앞에는 광 결합기(optical coupler)((42(1)-42(n))가 연결되어 있다. 광 채널(L1-L(n))은 폴리머 도파관 또는 광 섬유일 수 있다. 광 채널(L1-Ln)은 시스템 보드(8) 상에 또는 시스템 보드(8) 내에 구비될 수 있다. 이러한 광 채널(L1-Ln)은 마지막 소켓(40(n))까지 연결되어 있다. 각각의 광 결합기(42(1)-42(n))에 의해 광 신호는 두 소켓으로 분리되고 또한 두 소켓에서 오는 광 신호는 결합될 수 있다. 광 결합기(42(1)-42(n))은 마지막 소켓(40(n))에는 구비되어 있지 않고, 마지막 소켓(40(n)) 바로 앞의 소켓(40(n-1))까지 구비되어 있다.Referring to FIG. 3, the
도 4는 도 3을 4-4'방향으로 절개한 단면을 보여준다.FIG. 4 shows a cross section of FIG. 3 taken along line 4-4 '.
도 4를 참조하면, 시스템 보드(8) 상에 제1 소켓(40(1))이 장착되어 있다. 제1 소켓(40(1) 앞쪽에 광 결합기(42(n))가 장착되어 있다. 제1 소켓(40(1))에 제2 광 커넥터(OC2)가 구비되어 있다. 제2 광 커넥터(OC2)는 제1 소켓(40(1))의 트랜치(T1)에 매립된 형태로 구비되어 있다. 그러나 제2 광 커넥터(OC2)는 제1 소켓(40(1))의 상부면에 구비될 수도 있다. 제2 광 커넥터(OC2)에 제3 광 커넥터(OC3)가 접속되어 있다. 제3 광 커넥터(OC3)는 메모리 모듈(40(1)M)에 연결되어 있다. 제3 광 커넥터(OC3)는 메모리 모듈(40(1)M)의 하단에 구비되어 있다. 메모리 모듈(40(1)M)의 하단은 제2 광 커넥터(OC2)를 향한다. 제3 광 커넥터(OC3)는 메모리 모듈(40(1)M)의 하단을 감싸는 형태로 구비되어 있지만, 다른 형태로 구비될 수 있다. 메모리 모듈(40(1)M)의 양면에 각각 제1 및 제2 메모리 칩(M1, M2), 예를 들 면 DRAM이 장착되어 있다. 제1 메모리 칩(M1)과 제3 광 커넥터(OC3) 사이의 메모리 모듈(40(1)M)에 제2 광전모듈(48a)가 장착되어 있다. 그리고 제2 메모리 칩(M2)과 제3 광 커넥터(OC3) 사이의 메모리 모듈(40(1)M)에 제3 광전모듈(48b)이 장착되어 있다. 제3 광 커넥터(OC3)와 제2 및 제3 광전모듈(48a, 48b)은 광 채널(L11)로 연결되어 있다. 제1 광 커넥터(13)에서 광 결합기(42(n))로 연결된 광 채널(Ln)은 광 결합기(42(n))에 의해 2개의 광 채널(Ln1, Ln2)로 분기된다. 분기된 2개의 광 채널(Ln1, Ln2) 중 하나의 광 채널(Ln2)은 제2 광 커넥터(OC2)에 연결되고, 나머지 한 채널(Ln1)은 다음 소켓으로 연결된다.Referring to FIG. 4, a first socket 40 (1) is mounted on the
도 5는 도 4의 메모리 모듈(40(1)M)의 정면도, 곧 광전모듈이 장착된 면을 보여준다.Fig. 5 shows a front view of the memory module 40 (1) M of Fig. 4, that is, a surface on which the photoelectric module is mounted.
도 5를 참조하면, 메모리 모듈(40(1)M)의 하단, 곧 소켓(40(1))에 장착되는 부분에 제3 광 커넥터(OC3)가 장착되어 있다. 제3 광 커넥터(OC3) 위쪽의 메모리 모듈(40(1)M)에 제2 광전모듈(48a)이 장착되어 있다. 제3 광 커넥터(OC3)와 제2 광전모듈(48a)은 복수의 광 채널(L11)로 연결된 것을 볼 수 있다. 제2 광전모듈(48a) 위쪽의 메모리 모듈(40(1)M)에 복수의 제1 메모리 칩(M1)이 장착되어 있다. 제2 광전모듈(48a)과 복수의 제1 메모리 칩(M1)은 각각 전기배선(62)로 연결되어 있다. 메모리 모듈(40(1)M)의 하단의 양 끝부분에 제1 및 제2 콘택부(64, 66)가 존재한다. 제1 및 제2 콘택부(64, 66)는 각각 전원전압연결과 접지(ground)를 위한 부분이다. 제1 콘택부(64)를 통해서 제2 광전모듈(48a)과 복수의 제1 메모리 칩(M1)에 동작 전원이 공급된다. 메모리 모듈(40(1)M)의 제2 메모리 칩(M2)이 장착된 면에도 상술한 바와 같은 동일한 구성이 존재할 수 있다.Referring to FIG. 5, a third optical connector OC3 is mounted on a lower end of the memory module 40 (1) M, that is, a portion mounted on the socket 40 (1). And the second
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 광 커넥션을 갖는 반도체 장치의 구성을 개략적으로 보여준다.6 schematically shows a configuration of a semiconductor device having an optical connection according to another embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 메모리 컨트롤러(70)와 제1 광전모듈(72)이 일체로 되어 CPU 패키지를 구성한다. 제1 광전모듈(72)은 광 채널(76)을 통해서 복수의 소켓(80(1)-80(n))과 연결되어 있다. 복수의 소켓(80(1)-80(n))은 각각에 구비된 제2 광전모듈(82)을 통해서 광 채널(76)과 연결된다. 도 7은 메모리 컨트롤러(70)와 제1 광전모듈(72)이 일체로 되어 구성된 CPU 패키지의 단면을 보여준다.Referring to FIG. 6, the
도 7을 참조하면, 시스템 보드(8) 상에 CPU 패키지(68)가 존재한다. 패키지(68)는 CPU 보드(68B) 상에 CPU를 포함하는 메모리 컨트롤러(70)와 제1 광전모듈(72)을 포함한다. 메모리 컨트롤러(70)와 제1 광전모듈(72)은 전기배선(68C)로 연결되어 있다. 메모리 컨트롤러(70), 제1 광전모듈(72) 및 전기배선(68C)은 보호층(68D)으로 덮여있다. 보드(8)에 광 채널(76)이 형성되어 있다. 광 채널(76)은 보드(8)에 그루브 형태로 존재할 수 있지만, 보드(8) 표면에 존재하는 폴리머 광 도파관 또는 광 섬유일 수도 있다. 제1 광전모듈(72)에서 방출된 광 신호(78)는 CPU 보드(68B)를 통과하여 광 채널(76)을 통해서 메모리 모듈(80(1)M-80(n)M)로 전달된다. 또한, 메모리 모듈(80(1)M-80(n)M)로부터 전달되는 광 신호(78)는 CPU 보드(68B)를 통과하여 제1 광전모듈(72)에 입사된 후, 전기적 신호로 변환되어 메모리 컨트롤러(70)로 전달된다.Referring to FIG. 7, there is a
한편, 도 8에 도시한 바와 같이, 메모리 컨트롤러(70)와 제1 광전모듈(72)이 동일한 CPU 보드(68B) 상에 존재하지만, 제1 광전모듈(72)은 CPU 패키지(68)와 분리되어 구비될 수 있다. 이때도 메모리 컨트롤러(70)와 제1 광전모듈(72)은 전기배선(68C)으로 연결되고 도 7과 동일하게 동작한다.8, although the
다른 한편으로, 도 7의 CPU 패키지(68)에서 제1 광전모듈(72)은 CPU 패키지(68) 외부에 구비될 수 있고, CPU 보드(68B)가 아닌 다른 보드에 장착될 수 있다. 도 9는 이에 대한 일예를 보여준다. On the other hand, in the
도 9를 참조하면, 시스템 보드(8) 상에 메모리 컨트롤러(70)가 포함된 CPU 패키지(68)가 장착되어 있다. 그리고 시스템 보드(8) 상에 제1 광전모듈(72)이 장착되어 있다. CPU 패키지(68)와 제1 광전모듈(72)은 이격되어 있되, 전기배선(68C)으로 연결되어 있다. 제1 광전모듈(72)에 CPU 패키지(68)로부터 전달된 전기신호를 변환한 광 신호(78)를 메모리 모듈에 전달하기 위한 또는 메모리 모듈로부터 전달되는 광 신호를 제1 광전모듈(72)에 전달하기 위한 광 채널(80)이 연결되어 있다. 광 채널(80)은 시스템 보드(8) 상에 구비되어 있다.Referring to Fig. 9, a
도 7 내지 도 8에 도시한 메모리 컨트롤러(70)와 제1 광전 모듈(72) 사이의 구성 관계는 다른 실시예에도 적용될 수 있다.The configuration relationship between the
도 10은 도 6의 메모리 모듈(80(1))의 일 예를 보여주는 평면도이다.10 is a plan view showing an example of the memory module 80 (1) of Fig.
도 10을 참조하면, 복수의 전송선(74, 76, 77)이 광 커플러(86)와 소켓(80(1)) 아래를 지난다. 복수의 전송선(74, 76, 77)은 전기 배선(74, 77)을 포함하고, 광 채널(76 or 80)을 포함할 수 있다. 참조번호 80(1)M은 소켓(80(1))에 장착된 메모리 모듈을 나타낸다. 그리고 참조번호 79는 메모리 모듈(80(1)M)을 기계 적, 전기적 및 광학적으로 정렬하기 위한 가이드 수단일 수 있다.10, a plurality of
도 11은 도 10을 11-11'방향으로 절개한 단면을 보여준다.FIG. 11 shows a cross section of FIG. 10 taken along the line 11-11 '.
도 11을 참조하면, 시스템 보드(8)에 구비된 광 채널(76) 위로 광 커플러(86), 메모리 모듈(80(1)M) 및 소켓(80(1))이 존재한다. 메모리 모듈(80(1)M)은 소켓(80(1))에 형성된 관통홀(94)을 통해 보드(8)에 접촉된다. 메모리 모듈(80(1)M)의 하단 제1 면에 제2 광전모듈(88)이 장착되어 있다. 상기 제1 면에 제2 광전모듈(88)과 일체로 혹은 패키지 형태로 버퍼 칩(buffer chip)(90)이 존재한다. 상기 제1 면은 광 커플러(86)와 마주하는 면일 수 있다. 광 커플러(86)와 제2 광전모듈(88)은 광학적으로 연결되어 있다. 도 12는 소켓(80(1))만의 평면도이다. 도 12를 참조하면, 소켓(80(1))의 관통홀(94)는 메모리 모듈(80(1)M)의 몸체가 통과하는 제1 관통홀(94a)과 메모리 모듈(80(1)M)에 장착된 제2 광전모듈(88)과 버퍼칩(90)이 통과하는 제2 관통홀(94b)을 포함한다. 제2 관통홀(94b)은 제1 관통홀(94a)보다 작고 제1 관통홀(94a)의 일부가 바깥으로 돌출된 형태일 수 있다. 11, there is an
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 광 커넥션을 갖는 반도체 메모리 장치를 보여준다. 도 13에서 메모리 컨트롤러 또는 CPU 패키지는 도 1, 도 3 또는 도 7-9에서 도시한 바와 같을 수 있다. 따라서 메모리 컨트로러 또는 CPU 패키지에 대한 설명을 생략한다.13 shows a semiconductor memory device having an optical connection according to another embodiment of the present invention. In Fig. 13, the memory controller or the CPU package may be as shown in Figs. 1, 3, or 7-9. Therefore, the description of the memory controller or the CPU package is omitted.
도 13을 참조하면, 시스템 보드(8)에 광 채널(96)이 구비되어 있다. 광 채널(96) 경로 상에 광 반사체(98)가 구비되어 있다. 반사체(98)는 입사하는 광(78)의 일부는 통과시키고 나머지는 메모리 모듈(100M)로 반사시키는 반사체일 수 있 다. 반사체(98)는 프리즘 또는 광 분할기 등일 수 있다. 광 채널(96) 위로 소켓(100), 광 정렬매체(102), 메모리 모듈(100M)이 존재한다. 소켓(100) 안쪽에 광 정렬매체(102)가 구비되어있다. 광 정렬매체(102)는 제1 광학계일 수 있다. 광 정렬매체(102)는 제1 수직 광도파로(108)를 포함한다. 제1 수직 광 도파로(108)는 도파관 일 수 있다. 제1 수직 광도파로(108)에 제1 마이크로 볼 렌즈(104)가 마련되어 있다. 제1 마이크로 볼 렌즈(104)는 콜리메이팅(collimating) 렌즈로써 광 반사체(98)로부터 반사된 광을 평행하게 정렬시킨다. 이에 따라 광 정렬매체(102)는 제1 마이크로 볼 렌즈(104)의 광축이 광 반사체(98)이 광축과 광 반사체(98)의 반사면 상에서 만날 수 있도록 구비될 수 있다. 소켓(100) 안쪽의 광 정렬매체(102) 상에 메모리 모듈(100M)이 장착되어 있다. 소켓(100)과 메모리 모듈(100M)은 양측의 광 정렬을 위해 가이드 수단(미도시)을 구비할 수 있다. 메모리 모듈(100M)은 내부에 제2 수직 광 도파로(116)을 포함한다. 제2 수직 도파로(116)는 도파관일 수 있다. 제2 수직 광 도파로(116)는 제1 수직 광도파로(108)와 연속성을 갖도록 구비될 수 있다. 제2 수직 광 도파로(116)에 제2 마이크로 볼 렌즈(106)가 마련되어 있다. 제2 마이크로 볼 렌즈(106)는 제1 마이크로 볼 렌즈(104)에서 입사되는 광을 집광하여 제2 수직 광 도파로의 상부 반사면(S1)에 초점을 맺게 한다. 반사면(S1)에서 반사된 광은 윈도우(120)를 통해 메모리 칩(M11)에 내장된 광전모듈(112)로 입사된다. 제2 수직 광 도파로(116), 제2 마이크로 볼 렌즈(106) 및 반사면(S1)은 제2 광학계를 이룰 수 있다. 윈도우(120)가 상기 제2 광학계에 포함될 수도 있다. 메모리 모듈(100M)은 제2 마이크로 볼 렌즈(106)가 제1 마이크로 볼 렌즈(104)와 동일한 광축 상에 위치하도록 광학적으로 정렬될 수 있다. 메모리 모듈(100M)의 제1 면에 메모리 칩(M11)이 장착되어 있다. 메모리 칩(M11)은 메모리 다이(114), 광전모듈(112), 제3 마이크로 볼 렌즈(110)를 포함할 수 있다. 제3 마이크로 볼 렌즈(110)는 제3 광학계일 수 있다. 메모리 다이(114), 광전모듈(112) 및 제3 마이크로 볼 렌즈(110)의 외부는 보호층(119)으로 덮여 있다. 메모리 다이(114)에 복수의 메모리 소자들(미도시)이 존재한다. 메모리 다이(114) 상에 복수의 메모리 소자들과 함께 광전모듈(112)이 구비될 수 있다. 광전모듈(112)은 실리콘 III-V족 화합물 반도체 레이저와 수광소자를 포함할 수 있지만, 이 대신에 실리콘 포토닉스(silicon photonics)로 만든 모듈레이터(modulator), 포토다이오드와 함께 외부광원(III-V 화합물 반도체 레이저)를 포함할 수도 있다. 제3 마이크로 볼 렌즈(110)는 제2 수식 광 도파로(116)의 반사면(S1)으로부터 반사되어 입사되는 광을 광전모듈(112)에 입사시킨다. 반대로 광전모듈(112)로부터 입사되는 광을 제2 수직 광 도파로(116)의 반사면(S1)에 집광하는 역할을 한다. 메모리 칩(M11)은 제2 및 제3 마이크로 볼 렌즈(106, 110)의 광축이 반사면(S1)에서 만날 수 있도록 광학적으로 정렬된 후, 장착될 수 있다. 제3 마이크로 볼 렌즈(110)는 메모리 칩(M11)과 패키지를 이룰 수 있다.Referring to FIG. 13, a
도 14 및 도 15는 본 발명의 실시예들에 의한 반도체 메모리 장치에서 광 신호를 복수의 메모리 모듈로 분배하는 예를 보여준다.14 and 15 show an example of distributing an optical signal to a plurality of memory modules in a semiconductor memory device according to embodiments of the present invention.
도 14에서 참조번호 2(n)(n은 1,2,3...)은 메모리 컨트롤러에 연결된 제1 광전모듈(12)에서 오는 광을 각 메모리 모듈로 분배하는 광 분배기를 나타낸다. 제1 광 분배기(2(1))는 제1 광전모듈(12)과 제1 광 채널(2L1)로 연결된다. 제n 광 분배기(2(n))는 제1 광전모듈(12)과 제n 광채널(2Ln)로 연결된다. 따라서 광 분배기 수는 제1 광전모듈(12)에 연결된 광 채널의 수와 동일할 수 있다. 제1 광 분배기((2(1))는 제1 광 채널(2L1)을 통해 전달된 광 신호를 메모리 모듈(3(1)M-3(n)M)의 수와 동일한 수로 분할하여 각 메모리 모듈(3(1)M-3(n)M)로 전달한다. 제1 광 분배기(2(1))로부터 전달되는 광 신호는 각 메모리 모듈(3(1)M-3(n)M)의 제1 채널(52L1, 52Ln))을 통해 각 메모리 모듈(3(1)M-3(n)M)로 전달된다. 마찬가지로 마지막 광 분배기인 제n 광 분배기(2(n))는 제n 광 채널(2Ln)을 통해 전달된 광 신호를 메모리 모듈(3(1)M-3(n)M)과 동일한 수로 분할하여 각 메모리 모듈(3(1)M-3(n)M)의 마지막 채널(50L1, 50Ln)을 통해 각 메모리 모듈(3(1)M-3(n)M)에 전달한다. 참조번호 3(1)-3(n)은 각 메모리 모듈이 장착되는 소켓을 나타낸다.Reference numeral 2 (n) (n = 1, 2, 3...) In FIG. 14 represents an optical distributor for distributing light from the first
도 15는 도 3과 도 14를 결합한 경우를 보여준다.Fig. 15 shows a case where Fig. 3 and Fig. 14 are combined.
도 15를 참조하면, 광 분배기(2(1)1-2(1)n)는 각각 제1 광전모듈(12)의 광 채널(2L1-2Ln))로부터 전달되는 광 신호를 2개로 분할하여 한 신호는 제1 메모리 모듈 그룹(G1)으로 전송하고, 다른 신호는 제2 메모리 모듈 그룹(G2)으로 전송한다. 그러므로 제1 광 분배기(2(1)1)에 의해 분할된 2개의 광 신호중 하나는 제1 메모리 모듈 그룹(G1)의 제1 채널(Ch1)로 전달된다. 제1 채널(Ch1)을 통해서 제1 내지 제n 메모리 모듈(3(1)M-3(n)M)에 광 신호가 전달되는데, 각 메모리 모듈(3(1)M-3(n)M) 앞에서 광 결합기(42(1))에 의해 각 메모리 모듈(3(1)M-3(n)M)로 분기된다. 제1 광 분배기(2(1)1)에 의해 분할된 2개의 광 신호중 나머지 하나는 제2 메모리 모듈 그룹(G2)의 제1 채널(Ch11)을 통해서 제1 내지 제n 메모리 모듈(5(1)M-5(1)nM)로 전달되는데, 각 메모리 모듈(5(1)M-5(1)nM) 앞에서 광 결합기(45(1))에 의해 각 메모리 모듈(5(1)M-5(1)nM)로 분기된다.15, the optical distributor 2 (1) 1-2 (1) n divides the optical signal transmitted from the optical channels 2L1-2Ln of the first
제1 광 분배기(2(1)1)와 동일하게, 제n 광 분배기(2(1)n)에 의해 2개로 분할된 광 신호는 각각 제1 및 제2 메모리 모듈 그룹(G1, G2)에 포함된 메모리 모듈(3(1)M 3(n)M, 5(1)M 5(n)M)의 마지막 채널(Chn, Chnn)로 전달되고, 각 메모리 모듈 앞에 구비된 광 결합기(42(1)n, 45(1)n))에 의해 각 메모리 모듈로 분기된다. 이와 같은 방식으로 전송 속도를 저하시키지 않으면서 하나의 CPU에 보다 많은 메모리 모듈을 연결할 수 있는 바, 메모리 용량을 증가시킬 수있다.Similarly to the first optical distributor 2 (1) 1, the optical signals divided into two by the n-th optical distributor 2 (1) n are supplied to the first and second memory module groups G1 and G2, (Chn, Chnn) of the memory modules 3 (1) M3 (n) M and 5 (1) M5 (n) M included) 1) n, 45 (1) n). In this way, more memory modules can be connected to one CPU without lowering the transfer speed, which can increase the memory capacity.
상술한 광 분배기들은 상술한 광 커넥션을 갖는 모든 반도체 장치에 적용될 수 있다.The above-described optical distributors can be applied to all the semiconductor devices having the optical connection described above.
도 16은 광 커넥터의 일예를 보여준다.16 shows an example of an optical connector.
도 16을 참조하면, 광 커넥터는 하부 커넥터(140)와 상부 커넥터(160)을 포함한다. 하부 커넥터(140)는 소켓쪽에 구비될 수 있고, 상부 커넥터는 메모리 모듈쪽에 구비될 수 있다. 또는 반대로 구비될 수도 있다. 상부 커넥터(160)는 기판(150)의 하부 커넥터(140)와 마주하는 면에 광 채널(146)을 고정시키는 지지대(144)가 구비되어 있고, 지지대(144) 둘레에는 상하부 커넥터(160, 140)의 결합 후 수분이나 분진의 침투를 방지하기 위한 러버 실(rubber seal)(142)이 구비되어 있다. 또한, 기판(150)의 밑면 가장자리에 상하부 커넥터(160, 140)의 광 정렬을 위한 가이드 핀(148)이 마련되어 있다. 하부 커넥터(140)에 가이드 핀(148)이 수용 되는 홈(미도시)이 존재할 수 있다.Referring to FIG. 16, the optical connector includes a
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 예시한 메모리 소자의 범위를 한정하려는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어 예시한 메모리 소자가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 다양한 형태로 광 커넥터나 광 결합기를 변형할 수 있을 것이다. 또한, 광 채널 분기 방식도 다양하게 변형할 수 있을 것이다. 때문에 예시한 광 커넥션을 갖는 반도체 장치의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.Although a number of matters have been specifically described in the above description, they should be construed as examples of preferred embodiments rather than limiting the scope of the illustrated memory devices. For example, a person skilled in the art will be able to modify the optical connector or the optical coupler in various forms. In addition, the optical channel branching method may be variously modified. Therefore, the scope of the semiconductor device having the illustrated optical connection is not to be determined by the described embodiment but should be determined by the technical idea described in the claims.
도 1은 일 실시예에 의한 광 커넥션을 갖는 반도체 장치의 평면도이다.1 is a plan view of a semiconductor device having an optical connection according to an embodiment.
도 2는 도 1을 2-2'방향으로 절개한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of FIG. 1 taken along line 2-2 '.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 광 커넥션을 갖는 반도체 장치의 평면도이다.3 is a plan view of a semiconductor device having an optical connection according to another embodiment of the present invention.
도 4는 도 3을 4-4'방향으로 절개한 부분의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a portion cut along the line 4-4 'of FIG.
도 5는 도 4의 메모리 모듈의 제2 광전모듈이 장착된 면의 정면도이다.Fig. 5 is a front view of a surface of the memory module of Fig. 4 on which the second photoelectric module is mounted.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 광 커넥션을 갖는 반도체 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 구성도이다.Fig. 6 is a schematic diagram showing a configuration of a semiconductor device having an optical connection according to another embodiment of the present invention.
도 7 내지 도 9는 메모리 컨트롤러와 제1 광전모듈 사이의 다양한 연결관계를 나타낸 단면도들이다.Figs. 7 to 9 are cross-sectional views illustrating various connection relationships between the memory controller and the first photoelectric module.
도 10은 도 6에 도시한 반도체 장치의 소켓과 메모리 모듈과 광 채널 부분에대한 평면도이다.10 is a plan view of the socket, memory module and optical channel portion of the semiconductor device shown in Fig.
도 11은 도 10을 11-11'방향으로 절개한 단면도이다.11 is a cross-sectional view taken along the line 11-11 'of FIG.
도 12는 도 11의 메모리 모듈이 장착되는 소켓의 평면도이다.12 is a plan view of a socket on which the memory module of Fig. 11 is mounted.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 광 커넥션을 갖는 반도체 장치의 단면도이다.13 is a cross-sectional view of a semiconductor device having an optical connection according to another embodiment of the present invention.
도 14 및 도 15는 광 분배기와 메모리 모듈 사이의 다양한 연결을 나타낸 평면도이다.14 and 15 are plan views showing various connections between the optical distributor and the memory module.
도 16의 본 발명의 실시예에 의한 광 커넥터의 일 예를 보여준다.16 shows an example of an optical connector according to an embodiment of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*Description of the Related Art [0002]
2(1)-2(n), 2(1)1-2(1)n:제1 내지 제n 광 분배기2 (1) -2 (n), 2 (1) 1-2 (1) n:
3(1)-3(n), 16(1)-16(n), 40(1)-40(n-1),40(n), 80(1)-80(n), 100:소켓40 (n), 40 (n), 80 (1) -80 (n), 100: Socket
5(1)M-5(1)Nm, 3(1)M-3(n)M, 16(1)M-16(n)M, 40(1)M-40(n)M, 80(1)M-80(n)M:제1 내지 제n 메모리 모듈5 (1) M-5 (1) Nm, 3 (1) M-3 (n) M, 16 (1) M- 1) M-80 (n) M: First to nth memory modules
2L1-2Ln, 76, 50L1-50Ln, 52L1-52Ln, 76, 80, 96, 146, L1-Ln, L11, Ln1, Ln2 OPL:광 채널2L1-2Ln, 76, 50L1-50Ln, 52L1-52Ln, 76, 80, 96, 146, L1-Ln, L11, Ln1,
8:시스템 보드 10,70:메모리 컨트롤러8:
10B:CPU 10C, 12, 72:제1 광전모듈10B:
10D, 62, 68C, 74, 77:전기배선 13:광 커넥터10D, 62, 68C, 74, 77: electric wiring 13: optical connector
20(1)-20(n):배선 22(1)-22(n):전송로20 (1) -20 (n): Wiring 22 (1) -22 (n)
23:광 분할기 26, 148:가이드 핀23:
30, 48a:제2 광전모듈 34, 78:광 신호30, 48a: second
42(1)-42(1)n, 45(1)-45(n), 86:광 결합기42 (1) -42 (1) n, 45 (1) -45 (n)
48b:제3 광전모듈 64, 66: 제1 및 제2 콘택부48b: third
68:CPU 패키지 68B:CPU 보드68:
68D, 119:보호층 79:가이드 수단68D, 119: protective layer 79: guide means
82,88:제2 광전모듈 90:버퍼 칩(buffer chip)82,88: second photoelectric module 90: buffer chip
94:관통홀 94a, 94b:제1 및 제2 관통홀94: Through
98:광 반사체 100M:메모리 모듈98:
102:광 정렬매체 108, 116:제1 및 제2 수직 광도파로102:
104, 106, 110:제1 내지 제3 마이크로 볼 렌즈104, 106, 110: first to third microball lenses
120:윈도우 112:광전모듈120: Window 112: Photoelectric module
114:메모리 다이 140:하부 커넥터114: memory die 140: lower connector
142:러버 실(rubber seal) 144:지지대142: rubber seal 144: support
150:기판 160:상부 커넥터150: substrate 160: upper connector
C1,C2: 제1 및 제2 접촉체 Ch1-Chn, Ch11-Chnn:제1 내지 제n 채널C1, C2: first and second contact bodies Ch1-Chn, Ch11-Chnn: first to n-th channels
G1, G2:제1 및 제2 메모리 모듈 그룹G1, G2: first and second memory module groups
LS:광원 M1, M2:제1 및 제2 메모리 칩LS: light source M1, M2: first and second memory chips
M11:메모리 칩 OC2,OC3: 제1 내지 제3 광 커넥터M11: memory chips OC2, OC3: first to third optical connectors
S1:상부 반사면 T1:트랜치S1: upper reflecting surface T1: trench
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