[go: up one dir, main page]

KR101610978B1 - 트윈 중합에 의하여 얻을 수 있는 저-ｋ 유전체 - Google Patents

트윈 중합에 의하여 얻을 수 있는 저-ｋ 유전체 Download PDF

Info

Publication number
KR101610978B1
KR101610978B1 KR1020107026143A KR20107026143A KR101610978B1 KR 101610978 B1 KR101610978 B1 KR 101610978B1 KR 1020107026143 A KR1020107026143 A KR 1020107026143A KR 20107026143 A KR20107026143 A KR 20107026143A KR 101610978 B1 KR101610978 B1 KR 101610978B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
monomer unit
dielectric layer
monomer
polymer
hydrocarbon radical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020107026143A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110007215A (ko
Inventor
안드레아스 클리프
아르노 랑에
한스 요아힘 핸레
Original Assignee
바스프 에스이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 바스프 에스이 filed Critical 바스프 에스이
Publication of KR20110007215A publication Critical patent/KR20110007215A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101610978B1 publication Critical patent/KR101610978B1/ko
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/44—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins
    • H01B3/441—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins from alkenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J9/00—Working-up of macromolecular substances to porous or cellular articles or materials; After-treatment thereof
    • C08J9/26—Working-up of macromolecular substances to porous or cellular articles or materials; After-treatment thereof by elimination of a solid phase from a macromolecular composition or article, e.g. leaching out
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2383/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

본 발명은 a) 금속 또는 반금속을 포함하는 제1 단량체 단위, 및 b) 화학 결합을 통하여 상기 제1 단량체 단위에 결합되는 제2 단량체 단위를 포함하는 1 이상의 트윈 단량체를 중합하여 수득할 수 있는 유전체를 포함하고 유전율이 3.5 이하인 유전층에 관한 것으로, 여기서 중합은 화학 결합의 파괴 및 제1 단량체 단위를 포함하는 제1 중합체와 제2 단량체 단위를 포함하는 제2 중합체의 형성을 포함하는 트윈 단량체의 중합을 수반하고 제1 및 제2 단량체 단위는 공통 메카니즘으로 중합된다.

Description

트윈 중합에 의하여 얻을 수 있는 저-ｋ 유전체{LOW-K DIELECTRICS OBTAINABLE BY TWIN POLYMERIZATION}
본 발명은 유전율(permittivity)이 3.5 이하인 유전층 및 이러한 층을 포함하는 반도체 부품의 제조 방법에 관한 것이다.
집적 회로(IC)의 집적 밀도가 증가함에 따라, 배선의 성능이 훨씬 더 첨단으로 나아가고 있다. 전도체 물질 외에, 유전체는 또한 45 nm 미만의 구조를 얻는 데 중요한 역할을 한다. 유전체에 대한 필수적인 요건은 최소 상대 유전율 ε(유전 상수로서도 공지됨)인데, 이것은 영어권의 기호이고 이하에서는 k라 한다. 유전율이 3.7 미만인 물질(SiO2)은 일반적으로 저-k 유전체라 일컬어진다. 유전율의 하한은 진공으로서 1이다.
낮은 유전율을 달성하기 위하여, 물질은 한편으로 고도로 다공성이어야 할 뿐만 아니라 다른 한편으로 손상 없이 제조 공정을 견디기 위하여 충분한 기계적 안정성을 가져야 한다.
현재 사용되는 저-k 유전체는 무기 재료, 유기 재료 또는 무기 및 유기 재료의 하이브리드로 이루어진다. k 값이 2.5 이하인 유전체의 침착은 현재 두 방법, 스핀온 방법 또는 플라즈마 증강 화학 증기 증착(PECVD)에 의하여 실시된다. 두 방법에 대한 상세한 설명은 예컨대 문헌[Future FAB International 17, 17권 - June 21, 2004, Section 6, "Low k Dielectrics: Spin-On or CVD?" 및 Future FAB International, 23권 - July 09, 2007, Section 6 "Can Spin-on or CVD Porous Low-k Films Meet Future Integration Needs?"]에서 찾을 수 있다.
스핀온 방법에서, 유기실리카 또는 유기 화합물은 액체 형태로 도포된다. 일반적으로 스핀온 방법으로 침착되는 4 부류의 다공성 저-k 유전체는 다음과 같이 대별될 수 있다:
- 실험식 (R-SiO3/2)n의 유기-무기 중합체인 실세스퀴옥산(SSQ)-계 물질,
- 순수하게 무기성인 실리케이트계 물질,
- 유기 중합체, 및
- 무정질 탄소.
다공성은 나노입자에 의하여 또는 경화 동안 제거되는 공극 형성제(공극 형성 물질)에 의하여 생길 수 있다.
스핀온 방법에 의하여 침착되는 이들 다공성 저-k 유전체의 단점은 집적을 복잡하게 하는 3∼10 nm 범위의 공극 크기 및 낮은 영 모듈러스와 같은 불량한 기계적 특성이다. 낮은 접착성은 이러한 저-k 유전체가 화학적 기계 연마(CMP)와 상대적으로 양립할 수 없게 하며, 큰 공극은 소위 핀홀과 같은 베리어층의 집적에 대한 문제를 초래한다. 끝으로, 기존의 저-k 유전체는 열팽창이 많이 되어, 제조 또는 시험 과정 동안 열처리를 복잡하게 한다.
비다공성 실리케이트의 기계적 안정성을 개선시키기 위하여, US 6410149 B1호는 일작용성, 이작용성 또는 삼작용성 알콕시실란을 사작용성 알콕시실란과 혼합하고 이것을 기판에 도포한 다음 가교결합하여 비다공성 실리케이트를 형성하는 것을 제안한다.
US 7148263 B2호에서, 저-k 유전체는 공극 형성제, 용매, 촉매 및 두 규소-함유 예비중합체의 혼합물을 포함하는 조성물을 기판에 도포하고 이것을 가교결합하고 최종적으로 이것을 가열하여 공극 형성 물질을 완전히 제거하는 것으로 제조된다.
지금까지 이용가능한 저-k 유전체의 단점은 특히 모든 노력에도 불구하고 비교적 불량한 기계적 안정성이다.
다른 한편, 문헌(Angew. Chem. 2007, 119, 636-640)은 상호침투적으로 가교결합된 폴리푸르푸릴 알콜(PFA) 및 실리카 겔로 이루어지는 나노복합재를 하나의 단계에서 생성하는 테트라푸르푸릴옥시실란(TFOS) 또는 디푸르푸릴옥시실란(DFOS)의 양이온 트윈 중합을 개시한다. 이들 PFA/SiO2 나노복합재는 미세다공성 나노구조 탄소의 제조를 위한 전구체로서 의도된다. 또한, PFA/SiO2 나노복합재는 대기 중의 산소에 의한 열산화로 메조다공성 SiO2로 전환될 수 있다.
상기 인용된 선행 기술에 대하여 본 발명의 목적은 개선된 미세다공성 및 개선된 기계적 안정성을 갖는 SiO2계 저-k 유전체를 제공하는 것이다.
이 목적은 1 이상의 트윈 단량체를 중합하여 수득할 수 있는 유전체를 포함하고 유전율이 3.5 이하인 유전층에 의하여 달성된다. 상기 1 이상의 트윈 단량체는
a) 금속 또는 반금속을 포함하는 제1 단량체 단위, 및
b) 화학 결합을 통하여 상기 제1 단량체 단위에 결합되는 제2 단량체 단위
를 포함하는데, 여기서 중합은 화학 결합의 파괴 및 제1 단량체 단위를 포함하는 제1 중합체와 제2 단량체 단위를 포함하는 제2 중합체의 형성을 포함하는 트윈 단량체의 중합을 수반하고 제1 및 제2 단량체 단위는 공통 메카니즘으로 중합된다.
동일한 메카니즘에 의하여 중합을 진행할 경우, 제1 중합체 및 제2 중합체의 두 상호침투 중합체 네트워크가 병렬적으로 형성된다. 제1 중합체 및 제2 중합체를 형성하는 중합이 역학적으로 연관된다고도 할 수 있다.
본 발명에 따른 방법에 의하면, 0.5 nm 내지 2 nm의 길이의 나노구조 복합재가 매우 다양한 물질 부류에 대하여 개발될 수 있는데, 유기 중합체를 사용하는 형판-보조 방법이 고유의 한계에 부합한다. 형판-보조 방법에서는, 특정 순서가 추정되고 한 블록에 산화물 구조를 위한 전구체를 포함하는 "보조 중합체", 예컨대 소수성/친수성 블록 공중합체가 사용된다.
따라서, 본 발명에 따른 중합 방법은 분자 및 일반적인 나노구조 사이의 길이 차이를 없앤다. 가교결합된 두 중합체 구조가 동시에 형성되는 경우, 복합재 중의 특정 성분의 길이는 단량체 단위의 분자 크기 및 확산 과정에 의하여 결정된다.
트윈 중합 과정의 특징은 M을 포함하는 제1 거대분자(예컨대, SiO2, 적절할 경우 -O-Si(CH3)n 분획의 결과로서 "결함"을 포함)가 제2 중합체와 동시발생적으로 형성된다는 것이다. 두 상이한 화학 결합 단위로 이루어지는 특별히 설계된 단량체(하이브리드 단량체)의 트윈 중합은 두 상이한 중합체의 동시 형성까지 단 하나의 공정 단계에서 유도된다. 하이브리드 물질의 무기상 및 유기상의 유리한 쌍연속 구조는 두 상이 동시에 형성되는 개개의 반응물의 사용으로 달성된다. 중합 동안 상이 분리되고, 반응 생성물의 임의의 거시적인 가시적 침전은 없다. 대신, 분리는 나노미터 범위의 길이에서 일어난다. 중합에서 형성된 두 상은 서로 완전히 연속적으로 침투한다. 분리된 도메인의 형성은 반응이 정확하게 수행될 때는 관찰될 수 없다. 이것은 특히 균일한 상 분포를 유도한다.
따라서, 트윈 중합은 두 상이한 단량체를 한 시스템에서 동시에 중합하는 동시 중합 또는 조합된 단량체(모단량체)를 두 상이한 메카니즘에 의하여 연속적으로 중합하는 연속 중합과 같은 유전층 제조를 위한 유기 실리케이트 하이브리드 단량체의 이미 공지된 방법과는 매우 상이하다.
제2 단량체 단위는 화학 결합에 의하여 제1 단량체 단위에 결합된다. 본 발명과 관련하여, 화학 결합은 이온-이온 상호작용 또는 반데르발스 힘과 같은 단순한 정전기적 상호작용을 넘는 임의의 결합이다. 상기 결합은 바람직하게는 실질적으로 공유 결합이다.
제1 단량체 단위는 금속 또는 반금속을 포함한다. 금속 또는 반금속은 바람직하게는 Si, B, Ti, Zr 또는 Hf일 수 있으나, 이것에 한정되지 않는다. 반금속 Si 또는 금속 Ti가 특히 바람직하다.
제1 중합체는 바람직하게는 실질적으로 무기이다. 실질적으로 무기란 유기물 함량이 10 중량% 미만, 바람직하게는 5 중량% 미만임을 의미한다. 추가로 바람직하게는, 제1 중합체는 금속 산화물 또는 반금속 산화물이다. 제1 중합체는 더 바람직하게는 (SiO2)n이다.
실질적으로 무기인 바람직한 중합체는 실리케이트[SiO2]n, 보레이트[B2O3]n 및 티타네이트[TiO2]n이나, 이에 한정되지 않는다. 실질적으로 무기인 중합체는 순수 공유 결합 구조를 가지거나 또는 이 밖에 (부분적으로) 결정 격자로서 존재하는 것들일 수 있다.
제2 중합체는 바람직하게는 실질적으로 유기이다. 실질적으로 유기란 제2 중합체가 탄소 및 수소가 적어도 부분적으로 치환될 수 있고 비유기 분율이 10 중량% 미만, 바람직하게는 5 중량% 미만인 탄화수소 골격으로 이루어짐을 의미한다.
더 바람직하게는, 제1 중합체가 무기이고 제2 중합체가 유기이다.
하이브리드 단량체의 유기 부분 및 무기 부분의 화학양론 비는 분자 구조에 따라 광범위하게 달라질 수 있다. 예컨대, 1:10 내지 10:1 범위의 비가 가능하다.
본 발명에 따른 유전층으로, 3.5 이하, 바람직하게는 3.0 이하, 더 바람직하게는 2.5 이하, 더욱 바람직하게는 2.0 이하의 유전율을 달성할 수 있다. 제1 중합체 및 제2 중합체는 유전층 내에 남아있을 수 있다. 제1 중합체가 실질적으로 무기 중합체이고 제2 중합체가 실질적으로 유기 중합체일 경우, 무기-유기 복합물이 생성된다.
제2 중합체는 별법으로 열에 의하여, 산화에 의하여 또는 열 및 산화에 의하여 제거될 수 있다. 이로써 유전율이 매우 낮음에도 불구하고 뛰어난 기계적 안정성을 갖는, 나노미터 범위의 작은 간극을 갖는 실질적으로 무기성의 유전층이 얻어진다. 제2 중합체의 제거는 유전율을 더욱 낮춘다.
상기 제2 단량체 단위는 바람직하게는
Figure 112010076167473-pct00001
라디칼일 수 있고, 여기서 A1, A2, A3는 각각 독립적으로 수소, 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 라디칼, 방향족 탄화수소 라디칼 또는 방향족-지방족 탄화수소 라디칼이다.
추가로 바람직하게는, 상기 제2 단량체 단위는
Figure 112010076167473-pct00002
라디칼일 수 있고, 여기서 A1, A2, A3 및 A4는 각각 독립적으로 수소 또는 선형 또는 분지형의 지방족 탄화수소 라디칼, 방향족 탄화수소 라디칼 또는 방향족-지방족 탄화수소 라디칼이고 R3, R4는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, 바람직하게는 메틸 또는 H이다.
트윈 단량체의 일례는 유기금속 화합물 M(R1)n(R2)m이다. 이 경우, M을 포함하는 1 이상의 제1 중합체 및 R1기를 포함하는 1 이상의 제2 중합체가 동시에 형성되며, 여기서
M은 금속 또는 반금속, 바람직하게는 Si, B, Ti, Zr 또는 Hf이고,
n은 3부터 M의 최대 원자가 V까지의 정수이며,
m은 0 내지 V-n의 정수이고,
R1은
Figure 112010076167473-pct00003
이거나 두 R1 라디칼이 함께
Figure 112010076167473-pct00004
이다.
이들 구조에서,
A1, A2, A3, A4는 각각 독립적으로 수소 또는 선형 또는 분지형, 지방족 탄화수소 라디칼, 방향족 탄화수소 라디칼 또는 방향족-지방족 탄화수소 라디칼이고,
R2는 수소 또는 선형 또는 분지형, 지방족 탄화수소 라디칼, 방향족 탄화수소 라디칼 또는 방향족-지방족 탄화수소 라디칼이며,
R3, R4는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, 바람직하게는 메틸 또는 H이다.
바람직하게는, 저-k 유전체는 3 이상의 M-O-C 결합을 갖는 하이브리드 단량체(트윈 단량체)를 동시에 중합함으로써 제조할 수 있다. 여기서 중요한 것은 두 상이한 거대분자 구조가 한 과정에서 동시에 형성된다는 것이다. 형성되는 두 중합체는 각각 선형, 분지형 또는 가교결합형 구조를 형성할 수 있다. 하이브리드 단량체의 분자 조성은 이론적인 가교결합도를 결정한다.
제1 단량체 단위 및 제2 단량체 단위의 중합은 메카니즘이 동일하다면 일반적으로 임의의 메카니즘으로 진행될 수 있다. 중합은 바람직하게는 음이온 중합, 양이온 중합 또는 자유 라디칼 중합으로 진행된다. 즉, 제1 단량체 단위 및 제2 단량체 단위의 중합은 모두 음이온 중합, 양이온 중합 또는 자유 라디칼 중합으로 진행된다. 양이온 트윈 중합이 바람직하다. 두 중합체의 성장 단계는 제1 중합체가 제2 중합체와 동시에 형성되도록 역학적으로 결합된다.
두 바람직한 유형의 양이온 트윈 중합은 다음과 같다:
ㆍ R1 라디칼 중 어느 것도 함께 고리계를 형성하지 않는 하이브리드 단량체의 경우, 양이온성 중합은 추가의 저분자량 축합 생성물, 예컨대 물을 더 형성한다. 따라서, 이 반응은 이하에서 트윈 중축합으로서 언급되기도 하는 축합 중합이다.
중합체 -[A-]n에 대한 하나의 단량체 A의 첨가 중합은 각 경우 다음 단량체 단위와 활성 사슬 말단 사이에 새로운 결합을 형성하고 단량체 내의 결합은 깨진다. 깨진 결합은 다중결합의 일부(예컨대, 에텐 또는 스티렌) 또는 고리의 일부(예컨대, 카프로락탐)일 수 있다.
트윈 중축합의 일례는 이하의 반응식에 따른 테트라푸르푸릴옥시실란(TFOS)의 중합이다:
Figure 112010076167473-pct00005
ㆍ 2 이상의 R1 라디칼 또는 R1 및 R2 라디칼이 함께 고리계를 형성하는 하이브리드 단량체의 경우, 개환 중합은 저분자량 생성물의 제거 없이 한 과정에서 두 중합체를 형성한다. 이것은 이하에서 트윈 개환 중합으로서 언급되기도 한다. 유기 라디칼에 중합 가능한 기(예컨대, 비닐기)를 갖는 실리케이트 단량체는 저분자량 생성물의 형성 없이 한 과정에서 SiO2 뿐만 아니라 유기 중합체도 생성한다.
트윈 개환 중합의 일례는 하기 반응식에 따른 금속- 또는 반금속-스피로 화합물, 예컨대 2,2'-스피로비[4H-1,3,2-벤조디옥사실린]의 중합이다:
Figure 112010076167473-pct00006
중축합 및 개환 중합의 혼합 형태도 가능하다.
A 및 B 단위는 선형이거나 또는 고리에 포함될 수 있는 하나 이상의 결합에 의하여 동일하게 결합될 수 있다.
트윈 중축합을 위한 특히 바람직한 트윈 단량체는 화학식 (IIa)의 것들이다:
Figure 112010076167473-pct00007
상기 식 중,
M은 금속 또는 반금속, 바람직하게는 Si, Ti, Zr 또는 Hf, 더 바람직하게는 Si 또는 Ti이고,
A1, A2, A3은 각각 독립적으로 수소 또는 선형 또는 분지형의, 지방족 탄화수소 라디칼, 방향족 탄화수소 라디칼 또는 방향족-지방족 탄화수소 라디칼이다.
바람직하게는, A1 내지 A3 라디칼 중 2 이상이 서로 결합, 더 구체적으로는 융합하여 통상의 고리계를 형성한다.
A1 내지 A3 라디칼의 하나 이상의 탄소 원자가 독립적으로 헤테로원자로, 더 구체적으로는 산소, 황 및/또는 질소로 치환되는 경우도 바람직하다. A1 내지 A3이 독립적으로 하나 이상의 작용기를 포함하는 경우도 바람직하다. 유용한 작용기는 특히 할로겐, 특히 브롬, 염소 또는 그 밖에 -CN 및 -NR2(여기서, R은 특히 수소 또는 지방족 또는 방향족 탄화수소 라디칼, 바람직하게는 H, 메틸, 에틸 또는 페닐임)를 포함한다.
더 바람직하게는, A1 및 A3 두 라디칼 중 적어도 하나는 수소 원자이다. 매우 특히 바람직한 실시양태에서, A1 및 A3는 모두 수소 원자이다. 또한, 매우 특히 바람직하게는, A1 내지 A3는 각각 H이다.
테트라푸르푸릴옥시실란 화합물이 가장 바람직하다.
트윈 중축합은 문헌[Angew. Chem. 2007, 119, 636-640]에 상세히 개시된다.
트윈 개환 중합을 위한 특히 바람직한 트윈 단량체는 또한 하기 화학식 (IIb)의 스피로 화합물이다:
Figure 112010076167473-pct00008
상기 식 중,
M은 금속 또는 반금속, 바람직하게는 Si, Ti, Zr 또는 Hf, 더 바람직하게는 Si 또는 Ti이고,
A1, A2, A3, A4는 각각 독립적으로 수소 또는 선형 또는 분지형의, 지방족 탄화수소 라디칼, 방향족 탄화수소 라디칼 또는 방향족-지방족 탄화수소 라디칼이며,
R3, R4는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1∼6의 알킬기, 바람직하게는 메틸 또는 H이다.
스피로 화합물의 트윈 개환 중합은 예컨대 본 출원의 우선일에 공개되지 않았던 독일 특허 출원 10 2007 063284.5호에 상세히 개시되어 있다.
바람직하게는, A1 내지 A4 라디칼 중 2 이상이 서로 결합, 더 구체적으로는 융합, 즉 결합하여 공통 방향족 고리계를 형성한다.
A1 내지 A4 라디칼 중 하나 이상의 탄소 원자가 독립적으로 헤테로원자, 더 구체적으로 산소, 황 및/또는 질소로 치환되는 경우도 바람직하다. A1 내지 A4가 각각 독립적으로 하나 이상의 작용기를 포함하는 경우도 바람직하다. 유용한 작용기는 특히 이하의 기, 즉 할로겐, 특히 브롬, 염소 또는 그 밖에 -CN 및 -NR2(여기서, R은 특히 수소 또는 지방족 또는 방향족 탄화수소 라디칼, 바람직하게는 H, 메틸, 에틸 또는 페닐임)를 포함한다.
또한 바람직하게는, R1 및 R2 라디칼은 각각 독립적으로 수소 또는 1∼6 개의 탄소 원자를 갖는 알킬기이다. R1 및 R2는 바람직하게는 각각 수소(H) 및 메틸에서 선택된다. 더 바람직하게는, R1 및 R2는 각각 H이다.
더 바람직하게는, 두 A1 및 A3 라디칼 중 적어도 하나는 수소 원자이다. 매우 특히 바람지한 실시양태에서, A1 및 A3는 모두 수소 원자이다. 또한, 매우 특히 바람직하게는, A1 내지 A4는 각각 H이다.
화합물 2,2'-스피로비[4H-1,3,2-벤조디옥사실린]이 가장 바람직하다.
본 발명은 또한 반도체 기판 상에 유전율 3.5의 유전층을 제조하기 위한,
a) 금속 또는 반금속을 포함하는 제1 단량체, 및
b) 화학 결합을 통하여 상기 제1 단량체 단위에 연결된 제2 단량체 단위
를 포함하는 1 이상의 트윈 단량체를 포함하는 조성물의 용도를 제공하며, 상기 트윈 단량체는 화학 결합의 파괴 및 제1 단량체 단위를 포함하는 제1 중합체와 제2 단량체 단위를 포함하는 제2 중합체의 형성에 의하여 중합될 수 있고 제1 및 제2 단량체 단위는 공통 메카니즘을 통해 중합될 수 있다.
본 발명에 따른 유전층은 트윈 중합에 의하여 얻을 수 있는 유전체 뿐만 아니라 추가의 첨가제 및 보조제를 포함할 수 있다. 유전층은 트윈 중합으로 얻을 수 있는 유전체로 실질적으로 이루어지는 것이 바람직하다. 즉 다른 물질은 5 중량% 미만의 소량으로만 존재한다.
본 발명에 따른 유전층은 반도체 장치의 BEOL 및 FEOL 섹터에서, 특히 로직 및 메모리 부품(예컨대, DRAM, NAND 플래쉬 등)의 제조를 위한 구리 금속화에서 유전층의 제조에 적당하다. 금속 트랙간 거리가 점점 작아지는 이러한 고성능 반도체 장치에서, 본 발명 유전층은 기생 결합 정전용량을 효과적으로 억제하므로 높은 전류 밀도 및 변환 속도가 가능한 고급 절연체층에 기여한다.
상기 층들의 층 두께는 500 nm 내지 2 ㎛, 바람직하게는 300 nm 내지 600 nm, 더 바람직하게는 100 nm 내지 200 nm이다.
유전율이 3.5 미만인 유전층은 바람직하게는
a) 금속 또는 반금속을 포함하는 제1 단량체 단위 및 화학 결합에 의하여 상기 제1 단량체 단위에 결합되는 제2 단량체 단위를 포함하는 1 이상의 트윈 단량체를 반도체 기판에 도포하는 단계, 및
b) 화학 결합의 파괴 및 제1 단량체 단위를 포함하는 제1 중합체 및 제2 단량체 단위를 포함하는 제2 중합체의 형성에 의하여 1 이상의 유기규소 화합물을 중합시키되 제1 및 제2 단량체 단위는 동일한 메카니즘으로 중합되는
방법으로 적용될 수 있다.
트윈 단량체(들)은 모든 공지된 방법에 의하여, 특히 스핀온 방법에 의하여 단계 a)에서 적용될 수 있다.
스핀온 방법(스핀코팅 방법)에서는, 기판(반도체 부품)을 회전시키면서 중합체 희석 용액을 박층으로 도포한다. 희석, 점도 및 회전 속도를 통해 원하는 층 두께를 설정할 수 있다. 회전 속도가 높기 때문에, 용매/용매 혼합물의 일부가 스핀 코팅 과정에서 조기에 휘발된다. 후속 가열 단계에서 또는 상이한 온도 범위(100∼200℃; 200∼300℃; 300∼400℃; 그러나 최대 450℃)에서의 연속 가열 단계에서(프리베이크 및 핫베이크), 물질을 중합하고 경화한다. 약 350∼450℃의 온도는 유기 공극 형성 물질의 열분해에 의하여 다공도를 증가시키고 따라서 유전 상수를 감소시키는 역할을 한다. 저-k 유전체를 제조하기 위하여 400∼450℃의 온도 범위가 특히 바람직하다.
트윈 중합체는 그대로 사용되거나, 제2 중합체를 열에 의하여 및/또는 산화에 의하여 제거하여 나노구조 다공성 금속 산화물 또는 반금속 산화물을 형성하는 단계 c)가 단계 b)에 후속될 수 있다. 스핀코팅 공정 후에 사용되는 열처리 단계의 온도 및 트윈 중합체를 적절히 선택함으로써 침착된 저-k 유전체의 기계적 및 물리적 특성을 제어된 방식으로 조절할 수 있다. 추후 제조 공정 또는 기능적 사용에서 분해 및/또는 침전을 방지하기 위하여, 고온 열처리 단계가 유리하다. 바람직한 온도는 300℃, 특히 바람직한 온도는 400∼450℃이다.
언급된 촉매 외에, 양이온성 광개시제에 의하여 중합이 개시될 수도 있다. 예컨대 에폭시 수지를 경화시키기 위한 양이온성 광개시제가 공지되고 사용된다. 일반적인 양이온성 광개시제는 오늄염, 페로세늄염 또는 디아조늄염이다. 바람직한 오늄염은 설포늄 및 요오도늄염, 예컨대 트리아릴설포늄염 또는 디아릴요오도늄염으로부터 선택된다. 오늄염, 페로센염 또는 디아조늄염의 짝이온은 테트라플루오로보레이트, 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 헥사플루오로포스페이트 또는 헥사플루오로안티모네이트와 같은 비친핵성 음이온이다.
조사될 때, 오늄염은 폴리이소부텐 에폭시드의 개환을 촉매하는 과산의 형성을 유도한다. 조사는 UV광, 가시광, 전자빔 또는 감마선으로 실시될 수 있다. 조건에 대해서, 적당한 조건은 일반적으로 에폭시 수지의 양이온성 중합에 사용되는 조건이다.
인용된 모든 문헌은 본 특허 출원에 참고 문헌으로 포함된다. 양에 대한 모든 언급(백분율, ppm 등)은 달리 언급하지 않는 한 혼합물의 총 중량을 기준으로 한 중량 기준이다.

Claims (17)

  1. a) 금속 또는 반금속을 포함하는 제1 단량체 단위, 및
    b) 화학 결합을 통하여 상기 제1 단량체 단위에 결합되는 제2 단량체 단위
    를 포함하는 1 이상의 트윈 단량체(twin monomer)를 중합하여 얻을 수 있는 유전체를 포함하고 유전율(permittivity)이 3.5 이하인 유전층으로서, 상기 중합이 화학 결합의 파괴 및 제1 단량체 단위를 포함하는 제1 중합체와 제2 단량체 단위를 포함하는 제2 중합체의 형성에 의한 트윈 단량체의 중합을 수반하고 상기 제1 및 제2 단량체 단위가 공통 메카니즘을 통해 중합되는 유전층.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속 또는 반금속은 Si, B, Ti, Zr 또는 Hf인 것인 유전층.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 중합체는 실질적으로 무기이고 상기 제2 중합체는 실질적으로 유기인 것인 유전층.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1 단량체 단위 및 제2 단량체 단위는 음이온 중합, 양이온 중합 또는 자유 라디칼 중합으로 중합되는 것인 유전층.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유전율은 3.0 이하인 것인 유전층.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 중합체는 열에 의하여, 산화에 의하여 또는 열 및 산화에 의하여 제거되는 것인 유전층.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2 단량체 단위는 하기 라디칼인 것인 유전층:
    Figure 112015087410853-pct00009

    상기 라디칼 중, A1, A2, A3는 각각 독립적으로 수소, 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 라디칼, 방향족 탄화수소 라디칼 또는 방향족-지방족 탄화수소 라디칼이다.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제2 단량체 단위는 하기 라디칼인 것인 유전층:
    Figure 112015087410853-pct00010

    상기 라디칼 중, A1, A2, A3 및 A4는 각각 독립적으로 수소 또는 선형 또는 분지형의 지방족 탄화수소 라디칼, 방향족 탄화수소 라디칼 또는 방향족-지방족 탄화수소 라디칼이고 R3, R4는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1∼6의 알킬기이다.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, A1, A2, A3 및 존재할 경우 A4 라디칼 중 2개 이상이 서로 결합, 더 구체적으로는 융합되는 것인 유전층.
  10. 제7항 또는 제8항에 있어서, A1, A2, A3 및 존재할 경우 A4 라디칼의 하나 이상의 탄소 원자가 독립적으로 헤테로원자, 더 구체적으로는 O, S 및/또는 N으로 치환되는 것인 유전층.
  11. 제7항 또는 제8항에 있어서, A1, A2, A3 및 존재할 경우 A4는, 각각 독립적으로, Br 및 Cl과 같은 할로겐, 및 또한 CN 및 NR2(여기서, R은 H 또는 지방족 또는 방향족 탄화수소임)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 작용기인 것인 유전층.
  12. 제7항 또는 제8항에 있어서, A1 및 A3은 각각 H인 것인 유전층.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서, 유전체가 하기 화학식 (IIa)의 1 이상의 유기금속 화합물의 트윈 중합(twin polymerization)에 의하여 수득될 수 있는 것인 유전층:
    Figure 112015087410853-pct00011

    상기 식 중,
    M은 금속 또는 반금속이고,
    A1, A2, A3은 각각 독립적으로 수소 또는 선형 또는 분지형의, 지방족 탄화수소 라디칼, 방향족 탄화수소 라디칼 또는 방향족-지방족 탄화수소 라디칼이다.
  14. 제1항 또는 제2항에 있어서, 유전체가 하기 화학식 (IIb)의 1 이상의 유기금속 화합물의 트윈 중합에 의하여 수득될 수 있는 것인 유전층:
    Figure 112015087410853-pct00012

    상기 식 중,
    M은 금속 또는 반금속이고,
    A1, A2, A3, A4는 각각 독립적으로 수소 또는 선형 또는 분지형의, 지방족 탄화수소 라디칼, 방향족 탄화수소 라디칼 또는 방향족-지방족 탄화수소 라디칼이며,
    R3, R4는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1∼6의 알킬기이다.
  15. a) 금속 또는 반금속을 포함하는 제1 단량체, 및
    b) 화학 결합을 통하여 상기 제1 단량체 단위에 연결된 제2 단량체 단위
    를 포함하는 1 이상의 트윈 단량체를 포함하고 반도체 기판 상에 유전율 3.5의 유전층을 제조하기 위한 조성물로서, 상기 트윈 단량체가 화학 결합의 파괴 및 제1 단량체 단위를 포함하는 제1 중합체와 제2 단량체 단위를 포함하는 제2 중합체의 형성으로 중합될 수 있고 상기 제1 및 제2 단량체 단위가 공통 메카니즘으로 중합될 수 있는 것인 조성물.
  16. 제1항 또는 제2항의 유전층을 포함하는 반도체 부품.
  17. a) 금속 또는 반금속을 포함하는 제1 단량체 단위 및 화학 결합에 의하여 상기 제1 단량체 단위에 결합되는 제2 단량체 단위를 포함하는 1 이상의 트윈 단량체를 반도체 기판에 도포하고,
    b) 화학 결합의 파괴 및 제1 단량체 단위를 포함하는 제1 중합체 및 제2 단량체 단위를 포함하는 제2 중합체의 형성으로 1 이상의 유기금속 화합물을 중합하며, 제1 및 제2 단량체 단위를 동일한 메카니즘을 통해 중합하는
    유전율이 3.5 미만인 1 이상의 유전층을 포함하는 반도체 부품의 제조 방법.
KR1020107026143A 2008-04-28 2009-04-28 트윈 중합에 의하여 얻을 수 있는 저-ｋ 유전체 Expired - Fee Related KR101610978B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP08155304 2008-04-28
EP08155304.2 2008-04-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110007215A KR20110007215A (ko) 2011-01-21
KR101610978B1 true KR101610978B1 (ko) 2016-04-08

Family

ID=40833468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107026143A Expired - Fee Related KR101610978B1 (ko) 2008-04-28 2009-04-28 트윈 중합에 의하여 얻을 수 있는 저-ｋ 유전체

Country Status (10)

Country Link
US (1) US8476368B2 (ko)
EP (1) EP2272068B1 (ko)
JP (1) JP5404772B2 (ko)
KR (1) KR101610978B1 (ko)
CN (1) CN102017015B (ko)
IL (1) IL208534A (ko)
MY (1) MY152799A (ko)
RU (1) RU2010148303A (ko)
TW (1) TWI491657B (ko)
WO (1) WO2009133082A1 (ko)

Families Citing this family (361)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
WO2010112581A1 (de) 2009-04-03 2010-10-07 Basf Se Verfahren zur herstellung von kompositmaterialien
US8992801B2 (en) 2009-04-03 2015-03-31 Basf Se Electroactive material, and use thereof in anodes for lithium-ion cells
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
MY158776A (en) 2009-05-07 2016-11-15 Basf Se Resist stripping compositions and methods for manufacturing electrical devices
JP5663562B2 (ja) 2009-05-07 2015-02-04 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ レジストストリッピング組成物及び電気装置を製造するための方法
US8969275B2 (en) 2009-06-30 2015-03-03 Basf Se Aqueous alkaline cleaning compositions and methods of their use
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
EP2665764A2 (de) * 2011-01-19 2013-11-27 Basf Se Verfahren zur herstellung eines kompositmaterials
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
CN104103572B (zh) * 2013-04-02 2017-02-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 多孔低k介质层的形成方法及多孔低k介质层
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) * 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
US10837234B2 (en) 2018-03-26 2020-11-17 Novatek Ip, Llc Unidirectionally extendable cutting element steering
US11002077B2 (en) 2018-03-26 2021-05-11 Schlumberger Technology Corporation Borehole cross-section steering
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102854019B1 (ko) 2018-06-27 2025-09-02 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
US11289326B2 (en) 2019-05-07 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Method for reforming amorphous carbon polymer film
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20220038380A (ko) 2019-07-18 2022-03-28 바스프 에스이 트윈 단량체 조성물 및 이의 유전 필름
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
CN110706926B (zh) * 2019-10-14 2020-11-17 深圳市峰泳科技有限公司 可宽温使用的柔性薄膜电容及其制备方法
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
JP7636892B2 (ja) 2020-01-06 2025-02-27 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
CN113410160A (zh) 2020-02-28 2021-09-17 Asm Ip私人控股有限公司 专用于零件清洁的系统
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210130646A (ko) 2020-04-21 2021-11-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
TWI884193B (zh) 2020-04-24 2025-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
JP2021172585A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー バナジウム化合物を安定化するための方法および装置
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TWI874701B (zh) 2020-08-26 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202232565A (zh) 2020-10-15 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 製造半導體裝置之方法及使用乙太網路控制自動化技術之基板處理裝置
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005516391A (ja) 2002-01-17 2005-06-02 シレックス オサケユキチュア ポリ（オルガノシロキサン）材料および集積回路用ハイブリッド有機−無機誘電体の製造方法
US20050127814A1 (en) 2003-03-06 2005-06-16 Masahiro Deguchi Electron-emitting element, fluorescent light-emitting element, and image displaying device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4172806A (en) * 1978-02-27 1979-10-30 Dow Corning Corporation Endblocked furfuryloxy organosilicon dielectric fluids and electrical devices containing same
US6410149B1 (en) * 1998-08-27 2002-06-25 Alliedsignal Inc. Silane-based nanoporous silica thin films and precursors for making same
US7384471B2 (en) * 2002-04-17 2008-06-10 Air Products And Chemicals, Inc. Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants
US7611996B2 (en) * 2004-03-31 2009-11-03 Applied Materials, Inc. Multi-stage curing of low K nano-porous films
US7148263B2 (en) * 2004-07-14 2006-12-12 Honeywell International Inc. Hybrid inorganic/organic low k dielectric films with improved mechanical strength
JP2006193629A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Yokohama Rubber Co Ltd:The 硬化性組成物およびその硬化物
JP4957037B2 (ja) * 2006-03-24 2012-06-20 東ソー株式会社 有機シラン化合物、それを含むＳｉ含有膜形成材料、製造方法および用途
DE102007063284A1 (de) 2007-12-27 2009-07-02 Basf Se Spiroverbindungen

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005516391A (ja) 2002-01-17 2005-06-02 シレックス オサケユキチュア ポリ（オルガノシロキサン）材料および集積回路用ハイブリッド有機−無機誘電体の製造方法
US20050127814A1 (en) 2003-03-06 2005-06-16 Masahiro Deguchi Electron-emitting element, fluorescent light-emitting element, and image displaying device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Angew. Chem. Int. Ed. 46, 628-632 (2006.12.07.)

Also Published As

Publication number Publication date
CN102017015A (zh) 2011-04-13
US8476368B2 (en) 2013-07-02
RU2010148303A (ru) 2012-06-10
WO2009133082A1 (en) 2009-11-05
EP2272068B1 (en) 2018-07-04
IL208534A0 (en) 2010-12-30
MY152799A (en) 2014-11-28
JP2011524077A (ja) 2011-08-25
CN102017015B (zh) 2013-01-16
IL208534A (en) 2013-09-30
JP5404772B2 (ja) 2014-02-05
TW201000532A (en) 2010-01-01
KR20110007215A (ko) 2011-01-21
TWI491657B (zh) 2015-07-11
US20110046314A1 (en) 2011-02-24
EP2272068A1 (en) 2011-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101610978B1 (ko) 트윈 중합에 의하여 얻을 수 있는 저-ｋ 유전체
EP1891146B1 (en) Organo functionalized silane monomers and siloxane polymers of the same
US6177143B1 (en) Electron beam treatment of siloxane resins
TWI470695B (zh) 環狀碳矽烷介電膜
WO2007072750A1 (ja) 低誘電率非晶質シリカ系被膜形成用塗布液および該塗布液から得られる低誘電率非晶質シリカ系被膜
JP2003508895A (ja) Ｕｌｓｉ用途のためにシロキサンポリマーで処理されたナノポーラスシリカ
KR101222428B1 (ko) 폴리유기실록산 유전 물질
KR20080063098A (ko) 노보넨계 폴리실세스퀴옥산 공중합체 및 그의 제조에이용되는 노보넨계 실란 유도체와 그를 포함하는 반도체소자 절연막의 제조방법
US7357961B2 (en) Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device
JP2004533517A (ja) 有機シリケート重合体の製造方法、及びこれを利用した絶縁膜の製造方法
US20060141163A1 (en) Organic siloxane resins and insulating film using the same
JP2006526672A (ja) 低ｋ誘電体形成用有機シルセスキオキサン重合体
US20040096398A1 (en) Siloxane-based resin and method of forming an insulating film between interconnect layers of a semiconductor device using the same
WO2005114724A1 (ja) 積層体および半導体装置
JP4324786B2 (ja) 積層体およびその製造方法ならびに絶縁膜および半導体装置
JP2005536026A (ja) ナノ多孔質材料およびその形成方法
JP4004983B2 (ja) 絶縁膜形成材料及びそれを用いた絶縁膜
JP2004292767A (ja) 絶縁膜形成材料及びそれを用いた絶縁膜
KR100504431B1 (ko) 기상 실리레이션 공정을 이용한 저유전성 박막 형성방법
JPH1064895A (ja) 絶縁膜形成用組成物、絶縁膜形成用塗布液およびこれを用いる半導体装置用絶縁膜の形成方法ならびに半導体装置
JPH06271772A (ja) シルセスキオキサンポリマー組成物
JP2005200515A (ja) 絶縁膜形成用材料及びそれを用いた絶縁膜
JPH04252230A (ja) 有機燐珪素重合体およびそれを用いた半導体装置
KR20050090978A (ko) 저 ｋ 재료용 중간층 접착 촉진제

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20230405

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20230405