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KR101639786B1 - 기판 상에 적어도 하나의 전기 전도성 막을 퇴적하는 방법 - Google Patents

기판 상에 적어도 하나의 전기 전도성 막을 퇴적하는 방법 Download PDF

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KR101639786B1
KR101639786B1 KR1020117018957A KR20117018957A KR101639786B1 KR 101639786 B1 KR101639786 B1 KR 101639786B1 KR 1020117018957 A KR1020117018957 A KR 1020117018957A KR 20117018957 A KR20117018957 A KR 20117018957A KR 101639786 B1 KR101639786 B1 KR 101639786B1
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디에트리치 버트람
요하네스 크리즈네
홀거 슈왑
에드워드 더블유. 에이. 영
제로엔 에이치. 에이. 엠. 반 불
안드레스 가서
콘라드 위센바흐
크리스티안 베데르
노베르트 피르치
조첸 에이치. 스톨렌워크
Original Assignee
코닌클리케 필립스 엔.브이.
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Abstract

본 발명은 기판(30) 상에 적어도 하나의 전기 전도성 막(20)을 퇴적하는 방법에 관한 것으로서, 이 방법은 막 재료의 층(10)을 선택하는 단계 - 층(10)은 앞면(11) 상에 마스크(40)를 포함하고, 층(10) 및 마스크(40)는 일체부임 -; 층(10)의 앞면(11)을 기판(30) 상에 배치하는 단계; 층(10)의 적어도 일부분들이 용융하고 기화하여, 용융 액적들(110)이 기판(30)을 향해 추진되고 기판 상에 퇴적되어 막(20)을 형성하도록, 층(10)의 뒷면(12)에 적어도 하나의 레이저 펄스(120)를 인가하는 단계를 포함하고, 마스크(40)의 적어도 하나의 슬롯(45)이 상기 용융 액적들(110)의 분포를 제한한다.

Description

기판 상에 적어도 하나의 전기 전도성 막을 퇴적하는 방법{A METHOD FOR DEPOSITION OF AT LEAST ONE ELECTRICALLY CONDUCTING FILM ON A SUBSTRATE}
본 발명은 기판 상에 적어도 하나의 전기 전도성 막을 퇴적하는 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 및 미세 기계 가공(micromachining)에서의 많은 공정 단계들은 얇은 금속막이 제어되고 정밀한 방식으로 표면 상에 퇴적될 것을 요구한다. 얇은 전기 전도성 막(상호접속부라고도 칭해짐)들은 OLED 기술에서 기판의 전체 표면의 약 10％를 덮는다.
얇은 금속막을 퇴적하기 위한 한가지 방법은 기판 표면들 위에서의 유기 금속 기체의 레이저-열(laser-thermal) 또는 광 분해를 이용한다. 이러한 연속적인 레이저-열 방법은 현재 일부 금속화 응용들에서 이용되고 있지만, 실제로는 적어도 3가지의 단점을 겪고 있다. 첫번째로, 기판 위에서 기체상(gas phase)에서 발생되는 금속 원자들은 분해 영역으로부터 멀어지도록 표면 위로 확산되는 경향이 있다. 두번째로, 공정이 비교적 느리다. 세번째로, 적합한 유기금속 기체를 갖는 금속들만이 이용될 수 있다. 이러한 문제점들은 많은 미세 전자 공학(microelectronics) 및 미세 구조화(microstructuring) 응용들에 대하여, 이 방법에 의한 신속하고 정확한 금속화를 실행 불가능하게 한다. 또한, 이 방법은 일부 유독한 유기금속 기체 및 구조물의 안전한 취급 및 처분을 필요로 한다고 하는 관련 환경 문제를 내재적으로 가지고 있다.
다른 방법에서, 전체 기판 표면은 스퍼터법을 이용하여 전기 전도성 막 재료로 코팅된다. 그 다음, 습식 화학 에칭 또는 삭마 레이저법(ablative laser method)을 이용하여, 원하는 박막 기하형상을 기판 상에 노출시킨다. 그러나, 이용되는 에칭액은 독성학 및 환경 보호 측면에서 문제가 있으며, 기계 컴포넌트들 상에 퇴적되는 상호접속부 재료의 부분들과 마찬가지로 거의 재활용되지 못한다.
표면 상에 전기 상호접속부들을 제조하기 위한 다른 방법은 잉크젯법을 이용하여 확산으로 도포되는 나노 입자들의 레이저 소결이다. 지금까지는, 이 방법을 이용한 공정 속도와 구조물의 크기 및 기하형상 중 어느 것도 OLED 기술에서의 공업적 대량 생산에 적합하지 않았다. 또한, 기판은 레이저 공정 동안 열적으로 유도되는 균열에 의해 손상을 입을 수 있다.
<발명의 개요>
따라서, 본 발명은 상기 언급된 단점들을 제거한다는 목적을 갖는다. 구체적으로, 본 발명의 목적은 기판 상에 전기 전도성 막들을 생성하여, 대량 생산에서 <100㎛의 폭 및 수백 ㎜의 길이를 갖는 이러한 구조물들을 생성하는 것을 가능하게 하는 것이다.
이러한 목적은 본 발명의 청구항 1에 의해 교시되는 방법에 의해 달성된다. 방법의 유리한 실시예들은 종속 청구항들, 이하의 설명 또는 예시적인 실시예들에 정의된다.
본 발명은 기판 상에 적어도 하나의 전기 전도성 막을 퇴적하는 방법으로서,
- 막 재료의 층을 선택하는 단계 - 층은 앞면(front side) 상에 마스크를 포함하고, 층 및 마스크는 일체부임 -,
- 층의 앞면을 기판 상에 배치하는 단계,
- 층의 적어도 일부분들이 용융하고 기화하여, 용융 액적들(melt droplets)이 상기 기판을 향해 추진되고 기판 상에 퇴적되어 막을 형성하도록, 층의 뒷면에 적어도 하나의 레이저 펄스를 인가하는 단계
를 포함하고, 마스크의 적어도 하나의 슬롯이 상기 용융 액적들의 분포를 제한하는 방법을 개시한다.
본 발명의 가장 중요한 개념은 마스크를 포함하는 막 재료의 층을 이용하며, 층과 마스크가 일체부라는 것이다. 마스크는 용융 액적들의 분포를 제한하기 위해 이용되며, 따라서 기판 상에 퇴적되는 전기 전도성 막의 크기를 제한한다. 마스크는 층의 앞면을 형성한다. 본 발명의 목표를 달성하기 위해, 마스크는 접촉 영역들 및 슬롯들을 포함한다. 층이 기판 상에 위치될 때, 접촉 영역들은 기판과 직접 접촉한다. 슬롯들은 상기 용융 액적들의 분포를 제한하도록 층 내에 형성된다. 용융 및 기화 자체는 뒷면으로부터 층에 인가되는 레이저 펄스에 의해 행해진다. 레이저 펄스에 의한 에너지가 층의 뒷면에 전달되는 것으로 인해, 층이 용융되고 기화되며, 따라서 내부적으로 형성된 충격파들에 의해, 용융 액적들을 기판을 향해 추진시킨다. 증발(evaporation) 동안의 압력파의 형성을 위해서는, 단순히 적합한 에너지 밀도가 층 내에 놓여져야 한다. 본 발명의 맥락에서, 막은 또한 기판 상의 전기 전도성 재료의 텍스처 또는 구조물을 나타낸다.
본 발명의 첨가적 성질(additive nature)로 인해, 재료가 절약된다. 이용되지 않은 재료는 재사용될 수 있다. 방법은 고진공 공정을 요구하지 않고서 주변 대기(ambient air) 내에서 수행될 수 있다. 또한, 어떠한 에칭액도 이용될 필요가 없기 때문에, 처분 비용이 절약된다. 따라서, 이 방법은 또한 상호접속부의 생성 동안의 레이저 빔의 높은 피드(feed) 속도 또는 주사 속도를 가능하게 하므로, 대량 생산에서 자원 절약적이고 비용 효율적인 방식으로 이용될 수 있다.
제안된 방법은 전기 전도성 막을 생성하기 위해서만 이용될 수 있는 것이 아니라, 다른 유형의 재료 라인을 생성하는 데에도 이용될 수 있다. 이하에서, 본 발명은 전기 전도성 막을 참조하여 더 상세하게 설명되지만, 이 방법을 그러한 도전성 막으로 한정하지는 않는다. 본 방법이 라인 재료로서의 전기 전도성 재료에만 한정되지 않는다는 것은 분명하다.
유리한 실시예에서, 본 방법의 인가하는 단계는,
- 층의 적어도 일부분들을 용융시키고 기화시키는 단계;
- 기판을 향해 확장하는 충격파를 발생시키는 단계;
- 층을 향하는 내부 압력파가 형성되는 단계; 및
- 용융 액적들을 상기 기판을 향해 추진시키는 단계
를 더 포함한다.
층 재료는 유도된 레이저 빔 에너지에 의해 부분적으로 용융되고 기화되고 있다. 재료가 증발할 때, 용융 표면으로부터 충격파가 나와서 용융조(melt bath) 위의 진공을 남기며, 이는 용융된 표면을 향해 나아가는 반전된 내부 압력파를 유도한다. 충돌 시에, 액적들이 부딪쳐져서 용융된 층으로부터 제거되고, 부분적으로는 기판의 표면 위로 내몰려지고, 거기에서 즉시 고체화한다. 층의 앞면 상의 구성은 예를 들어 기판 표면 상의 도전 라인과 같은 원하는 정의된 구조를 형성하기 위해 증기로 된 용융 스트림(vapour-melt-stream)을 안내하는 마스크를 형성한다. 이러한 구조는 마스크 구조의 직접적인 재현이므로, 폭이 <100㎛인 미세한 도전성 텍스처가 기판 상에 재현될 수 있다. 레이저 파워, 빔 직경, 펄스 지속기간, 펄스 반복, 주사 속도 등과 같은 레이저 공정 매개변수들을 조절함으로써, 레이저 방사가 표면에 부딪쳐서 그것을 파괴하는 것을 금지하는 소정의 각도를 갖는 절단 선두(cutting front)가 설정되고 있다.
바람직한 실시예에서, 방법은 증발된 막 재료의 층에 의해 충격파가 형성되는 단계를 더 포함한다. 레이저 펄스는 층의 일부를 증발시키고, 이것은 기판을 향해 확장하는 충격파를 발생시킨다. 증발은 기화된 층의 기체의 방출을 유발하고, 이것이 확장하여 충격파를 형성한다. 충격파의 경계들 내에서, 진공이 생성되고, 그 자체가 충격파의 시작점을 향해 지향되는 압력파를 발생시킨다.
바람직한 실시예는 복수의 레이저 펄스가 순차적으로 인접하여 인가되고, 바람직하게는 복수의 레이저 펄스가 슬롯 위에서 층을 따라 이동하는 것을 특징으로 한다. 레이저 펄스들은 정의된 피드 속도로 층을 따라 이동될 수 있다.
바람직한 실시예는,
- 층에 레이저 펄스 및/또는 레이저 펄스들을 인가하는 단계가 절단 에지(cutting edge)를 형성하고, 그 절단 에지가 층의 뒷면에 대하여 30°≤θ≤70°의 절단 각도(cut angle) θ를 포함하는 것
을 특징으로 한다.
층은 슬롯들을 구비하고, 앞면을 기판 상에 두고서 배치되며, 후속의 레이저 공정 동안 기판 상으로 눌려진다. 그 다음, 레이저 빔 및/또는 레이저 펄스는, 막의 층 재료가 국부적으로 용융되는 방식으로 뒷쪽으로부터 층에 인가된다. 전기 전도성 막을 기판 상에 퇴적하는 공정 동안, 층 상에서의 레이저 펄스의 위치가 이동된다. 레이저 펄스의 위치가 변화되는 속도는 피드 속도(feed speed)라고 칭해지며, 1㎜/sec 내지 10000㎜/sec일 수 있다. 이러한 레이저 펄스들 및/또는 빔의 이동으로 인해, 절단 에지가 확립된다. 층에 레이저 펄스를 인가하는 것은, 층 재료의 용융 및/또는 증발과, 레이저 펄스의 절단 에지의 각도로의 동시적인 순방향 이동을 유발한다. 이 각도는:
- 레이저 펄스가 기판을 손상시키지 않고,
- 추진된 용융 액적들이 기판에 부딪치게 되는
방식으로 선택되어야 한다.
측정치들이 나타내는 바와 같이, 훨씬 더 바람직한 실시예의 절단 에지는 층의 뒷면에 대해 45°≤θ≤60°의 절단 각도 θ를 포함한다.
제안된 방법을 이용하여, 전기적 상호접속부를 막으로서 생성하기 위해, 층 재료가 기판 상에 제공된다. 그러므로, 층 재료는 구조화된 앞면(structured front)을 가져서, 하나 또는 복수의 슬롯을 형성하는 마스크를 포함한다. 층 및/또는 마스크 및/또는 슬롯의 구조화는 예를 들어 기계적 도구에 의해 이루어질 수 있다. 그러나, 명백히, 본 발명은 이러한 슬롯들의 생성의 유형으로 한정되지 않는다. 슬롯 및/또는 마스크 자체는 우선적으로 직사각형 단면을 갖는다.
바람직한 실시예에서, 층의 뒤쪽에서의 레이저 빔 직경 및/또는 레이저 출력 매개변수들은 기판의 직접적인 조사가 방지되도록 조절된다. 따라서, 레이저에 의한 기판의 직접적인 조사가 방지된다. 그러므로, 기판은 레이저 펄스에 의해 손상되지 않을 수 있다. 레이저 빔 직경 및/또는 레이저의 출력 매개변수들을 조절함으로써, 레이저 빔이 기판 상에 퇴적되는 막에 에너지를 주입하는 것이 방지된다. 이에 의해, 막이 다시 증발하여 막의 구조가 손상되는 것이 방지된다.
바람직한 실시예에서, 기판은 OLED 기판이다. 방법은 도전막들이 그 위에 형성되는 기판으로서 OLED가 이용되는 경우에 특히 효과적이었다.
막 재료의 층은 마스크를 포함한다. 층은 설명된 방법들 중 임의의 것에 따라 이용가능하다. 또한, 방법에 관련하여 설명된 특징들 및 세부사항들은 시스템에도 적용되고, 그 반대도 마찬가지이다.
또한, 목적은 기판 상에 적어도 하나의 전기 전도성 막을 퇴적하기 위한 시스템으로서, 레이저 및 막 재료의 층을 포함하고, 층(10)은 앞면(11) 상에 마스크(40)를 포함하고, 층(10)과 마스크(40)는 일체(one piece)로 되어 있는, 설명된 방법들 중 임의의 것에 따라 작동하는 시스템에 의해 해결된다. 방법들에 관련하여 설명된 특징들 및 세부사항들은 시스템에도 적용되고, 그 반대도 마찬가지이다.
바람직한 실시예에서, 시스템은 펄스식(pulsed) Nd:YVO4 레이저(neodymium-doped yttrium orthovanadate)인 레이저를 포함한다. 바람직하게는, Nd:YVO4 레이저는 1064㎚의 파장을 갖는 광을 방출한다. 다른 유리한 실시예에서, 시스템은, 레이저가 10 내지 100와트, 바람직하게는 20 내지 60와트의 평균 출력 파워를 포함하는 것을 특징으로 한다. 다른 바람직한 실시예에서, 시스템은 레이저가 20 내지 200㎑, 바람직하게는 110 내지 170㎑의 레이저 펄스 반복 레이트를 포함하며, 바람직하게는 레이저가 10 내지 100㎛, 바람직하게는 20 내지 50㎛의 레이저 빔 직경을 포함하는 것을 특징으로 한다. 각 레이저 펄스의 길이는 40 내지 60㎱이다.
상기의 방법 및/또는 막의 층 및/또는 시스템, 및 청구되는 구성요소들 및 설명되는 실시예들에서 본 발명에 따라 이용될 구성요소들은, 크기, 형상 및 재료 선택에 관련하여 어떠한 특수한 예외에도 종속되지 않는다. 관련 분야에서 선택 기준을 알게 되도록 하는 기술적 개념들이 제한없이 적용될 수 있다. 본 발명의 목적의 추가의 상세, 특성 및 이점은 종속청구항들, 및 각 도면들의 이하의 설명에 개시되며, 이 도면들은 오직 예시적인 방식으로만, 본 발명에 따른 방법 및/또는 막의 층 및/또는 시스템의 복수의 바람직한 실시예를 보여주고 있다.
제안된 방법은 이하에서 도면들에 관련하여 예시적인 실시예에 의해 더 상세하게 다시 설명된다. 이것은 개략적으로 도시되어 있다.
도 1은 그 안에 슬롯이 생성되는 층의 예이다.
도 2는 슬롯을 포함하는 마스크를 구비하는 도 1의 층의 예이다.
도 3은 표면에 도포되는 층을 나타낸 것이다.
도 4는 절단 에지를 분명하게 볼 수 있는, 도 3의 수직 단면도이다.
도 5는 본 발명의 방법의 단계들의 개략도이다.
도 6은 기판 상에 도포된 막의 개략적인 상면도 및 단면도이다.
이하에서는, 유리 기판(30) 상에 구리막이 도포되는 예를 이용하여, 제안된 방법이 재차 설명된다.
도 1에는, 막 재료의 층(10)이 도시되어 있다. 본 방법의 목표는 이러한 막 재료의 적어도 일부분들을 기판(30) 상에 퇴적하는 것이다. 이러한 목표를 달성하기 위해, 층(10) 내에 슬롯(45)이 삽입된다. 본 예에서, 45㎛ 두께의 구리 층(10)이 이용될 수 있다. 이러한 구리 층(10)은 후속하여, 도포될 막의 폭 및 코스(course)를 갖는 슬롯(45)을 구리 층의 정면에 생성하기 위해, 기계적 도구(140), 예를 들어 다이아몬드 포인트를 갖는 도구로 가공된다. 본 예에서, 슬롯(45)은 80㎛의 슬롯 폭(46) 및 25㎛의 슬롯 깊이를 포함할 수 있다. 본 발명의 맥락에서, 막은 또한 기판 상의 전기 전도성 재료의 텍스처 또는 구조를 나타낸다.
도 2에는, 삽입된 슬롯(45)을 갖는 층(10)이 도시되어 있다. 도 2의 좌측에는, 층(10)의 앞면(11)의 보기가 도시되어 있다. 층(10)의 중간에는, 슬롯(45)이 층(10) 내에 구현되어 있다. 도 2의 우측에는, 층(10)의 단면이 그것의 슬롯(45)과 함께 도시되어 있다. 층(10)은 앞면(11)을 포함한다. 기계적 도구(140)에 의해 제거되지 않은 앞면(11)의 부분들은 마스크(40)를 형성한다. 이러한 마스크(40)는 도전막(20)이 도포되어야 할 기판(30) 위에 놓여질 것이다. 슬롯(45)의 바람직한 직사각형 단면 형상이 단면도에 분명하게 나타나 있다.
단지 막(20)을 생성하기 위한 직선 코스를 갖는 슬롯(45)만이 본 예에 나타나 있다. 그러나, 본 방법으로 어떠한 슬롯 구조라도 층(10)의 앞면에 생성될 수 있으며, 따라서 어떠한 막 구조라도 생성될 수 있음이 분명하다.
층(10)은 앞면(11)을 막이 생성되어야 할 유리 기판(30) 상에 두고서 배치된다/될 수 있다. 그 다음, 레이저 펄스(120) 및/또는 레이저 빔이 슬롯(45)을 따라 층(10)의 뒷쪽에 인가되는데, 그 슬롯을 통해 층(10)의 구리 재료가 유리 기판(30) 상에 전달된다. 공정에서의 도포되는 막(20)의 형상, 즉 폭 및 코스는 마스크(40)로서 기능하는 층(10)의 앞면(11) 상의 슬롯(45)의 형상에 의해 정의된다. 이는 도 3에 개략적으로 도시되어 있다.
기판(30) 상에 막(20)을 형성하기 위해, 이하의 단계들이 적용된다:
- 앞면(11) 상에 마스크(40)를 포함하는 층(10)을 이용하는 단계, 여기에서 층(10) 및 마스크(40)는 일체부임,
- 기판(30) 상에 층(10)의 앞면(11)을 배치하는 단계,
- 층(10)의 적어도 일부분들을 용융 및/또는 증발 및/또는 기화시키는 단계,
- 기판(30)을 향해 확장하는 충격파(150)를 발생시키는 단계,
- 층(10)을 향하는 내부 압력파(155)가 형성되는 단계,
- 용융 액적들(110)을 상기 기판(30)을 향해 추진시키는 단계, 및
- 상기 기판(30) 상에 상기 용융 액적들(110)을 퇴적하여 막(20)을 형성하는 단계, 여기에서, 마스크(40)의 적어도 하나의 슬롯(45)은 상기 용융 액적들(110)의 분포를 제한함.
이 방법은 주변 대기(ambient air) 내에서 수행될 수 있다는 이점을 갖는다. 따라서, 층 상에 전기 전도성 막을 퇴적하기 위해서 어떠한 진공도 요구되지 않는다.
도 4는 슬롯(45)을 구비하는 층(10)의 단면도를 도시한 것으로서, 레이저 빔의 삭마 공정이 분명하게 나타나 있다. 레이저 펄스(120)는 화살표로 표시된 방향으로 이동된다. 따라서, 피드 속도, 평균 레이저 출력 매개변수 및 빔 직경의 적절한 세팅으로 층(10)의 표면 상에 절단 에지(130)가 생성되는데, 본 예에서는, 약 45°의 절단 각도 θ를 갖는다. 이러한 절단 각도(131)를 이용하면, 레이저 빔(120)은 유리 기판의 표면에 손상을 주지 않는다.
유리 기판(30)에 막 재료를 도포하는 것의 원리가 도 5의 개략도를 이용하여 더 상세하게 설명된다. 도 5는 도 4의 층(10)의 내부도(cutaway)로서, 층(10)의 절단 에지(130)에 평행한 부분이 도시되어 있다. 층 재료(10)는 도 5의 부분 도면 (a)에 도시되어 있는 바와 같이, 레이저 펄스(120)에 의해 도입된 광학 에너지를 통해 용융된다. 이것은 도 4에도 나타나 있다. 또한, 용융조(100)의 표면은 증발 온도까지 가열된다. 증발된 재료를 통해 나오는 충격파(150)(도 5의 (b) 참조)는 재료 표면 상에 진공을 생성하고, 이를 통해 반전된 압력파(155)가 형성된다 (도 5의 (c)). 상기 압력파(155)가 용융조(100)에 부딪치는 경우, 용융 액적들(110)이 층(10)의 표면으로 분출되어져 나온다 (도 5의 (d)). 이러한 용융 액적들(110)은 기판 표면 상에서 고체화하고, 기판(30)의 표면과의 접착 연결부로 들어가는 도전성 결합(conductive bond)을 형성하여, 막(20)을 형성한다. 층(10) 내에 통합된 마스크(40)를 통해, 막(20)이 그것의 기하형상으로 정의되고, <100㎛로 폭이 조절될 수 있다.
이와 관련하여, 도 6은 퇴적된 막(20)을 상면도 및 단면도로 도시하고 있다. 본 예에서, 1064㎚의 파장과 높은 펄스 안정성을 갖는 펄스식 Nd:YVO4 레이저가 이용되었다. 평균 레이저 출력을 약 40와트로 세팅하고, 130㎑의 펄스 반복 레이트, 및 30㎛의 초점을 이용하여, 구리 막을 생성하기 위한 1300-1400㎜/s의 피드 속도를 달성하는 것이 가능하였다. 막의 결과적인 면적 저항은 0.05Ω/sq에 이르렀고, 따라서 OLED 응용에 충분하다. 약 35㎛ 두께의 알루미늄 층이 이용된 경우에는, 평균 레이저 출력을 약 40와트로, 펄스 반복 레이트를 150㎑로 세팅하는 것이 바람직했다. 막을 생성하기 위해 2400-2700㎜/s의 피드 속도를 달성하는 것이 가능하였다.
명백히, 상기 언급된 평균 레이저 출력, 펄스 반복 레이트, 초점에서의 빔 직경 및 피드 속도의 매개변수들은 층 재료, 층 두께, 그리고 소정 조건 하에서는, 층 재료의 정렬 및 마스크 슬롯의 기하형상에도 의존한다.
10 층
11 층의 앞면
12 뒷면
20 전기 전도성 막
30 기판
40 마스크
45 슬롯
46 슬롯 폭
100 용융조
110 용융 액적들
120 레이저 펄스
125 레이저 빔 직경
130 절단 에지
131 절단 각도
140 기계적 도구
150 충격파
155 압력파

Claims (14)

  1. 기판(30) 상에 적어도 하나의 전기 전도성 막(20)을 퇴적하는 방법으로서,
    막 재료의 층(10)을 선택하는 단계 - 상기 층(10)은 앞면(front side)(11) 상에 마스크(40)를 포함하고, 상기 층(10) 및 상기 마스크(40)는 일체부(one piece)임 -;
    상기 층(10)의 상기 앞면(11)을 상기 기판(30) 상에 배치하는 단계;
    상기 층(10)의 적어도 일부분들이 용융(melt)하고 기화(vaporize)하여, 용융 액적들(melt droplets)(110)이 상기 기판(30)을 향해 나아가게 되고 상기 기판(30) 상에 퇴적되어 막(20)을 형성하도록, 상기 층(10)의 뒷면(12)에 적어도 하나의 레이저 펄스(120)를 인가하는 단계
    를 포함하고, 상기 마스크(40)의 적어도 하나의 슬롯(45)이 상기 용융 액적들(110)의 분포(distribution)를 제한하고,
    상기 층(10)의 뒷면 상에서의 레이저 빔 직경(125) 및/또는 레이저 출력은 상기 기판의 직접적인 조사(irradiation)가 방지되는 방식으로 조절되는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 인가하는 단계는,
    상기 층(10)의 적어도 일부분들을 용융시키고 기화시키는 단계;
    상기 기판(30)을 향해 확장하는 충격파(shockwave)(150)를 발생시키는 단계;
    상기 층(10)을 향하는 내부 압력파(155)가 형성되는 단계; 및
    상기 용융 액적들(110)을 상기 기판(30)을 향해 추진시키는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 충격파(150)는 기화된 상기 막 재료의 층에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    복수의 레이저 펄스(120)가 순차적으로 인접하여 인가되고, 상기 복수의 레이저 펄스(120)가 상기 슬롯(45) 위에서 상기 층(10)을 따라 이동하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 층(10)에 레이저 펄스(120)를 인가하는 단계는 절단 에지(cutting edge)(130)를 형성하고, 상기 절단 에지(130)는 상기 층(10)의 상기 뒷면(12)에 대하여 30°≤θ≤70°의 절단 각도(cut angle) θ(131)를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 마스크(40) 및/또는 상기 슬롯(45)은 기계적 도구(140)를 이용하여 상기 층(10)의 상기 앞면(11) 내에 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 마스크(40) 및/또는 상기 슬롯(45)은 직사각형 단면을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판(30)은 OLED 기판(30)인 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 기판(30) 상에 적어도 하나의 전기 전도성 막(20)을 퇴적하기 위한 시스템으로서,
    레이저 및 막 재료의 층(10)을 포함하고,
    상기 층(10)은 앞면(11) 상에 마스크(40)를 포함하고, 상기 층(10)과 상기 마스크(40)는 일체(one piece)로 되어 있으며,
    상기 시스템은, 제1항 또는 제2항에 따른 방법에 따라 작동하는 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 레이저는 펄스식(pulsed) Nd:YVO4 레이저인 것을 특징으로 하는 시스템.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 레이저는 10 내지 100와트의 출력을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 레이저는 20 내지 200㎑의 레이저 펄스(120) 반복 레이트(repetition rate)를 포함하며, 상기 레이저는 10 내지 100㎛의 레이저 빔 직경(125)을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  13. 삭제
  14. 삭제
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