KR101643687B1

KR101643687B1 - Semiconductor light emitting device

Info

Publication number: KR101643687B1
Application number: KR1020140134346A
Authority: KR
Inventors: 진근모; 전수근; 박준천
Original assignee: 주식회사 세미콘라이트
Priority date: 2014-10-06
Filing date: 2014-10-06
Publication date: 2016-08-01
Anticipated expiration: 2034-10-06
Also published as: KR20160041142A

Abstract

본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 전자와 정공 중 하나를 제1 반도체층에 공급하는 제1 전극부와, 전자와 정공 중 나머지 하나를 제2 반도체층에 공급하는 제2 전극부; 그리고 복수의 반도체층 위에 형성되며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사층;을 포함하며, 제1 전극부와 제2 전극부 중 적어도 하나는: 절연성 반사층 위에 형성된 상부 전극; 절연성 반사층 아래에서 복수의 반도체층과 전기적으로 연통된 섬형(island type) 오믹 전극, 연결형 오믹 전극, 연결형 오믹 전극으로부터 뻗는 가지 전극; 그리고 절연성 반사층을 관통하여 연결형 오믹 전극과 상부 전극을 연결하는 전기적 연결;을 포함하며, 연결형 오믹 전극은 섬형 오믹 전극보다 면적이 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device comprising: a plurality of semiconductor layers having a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer; A first electrode portion for supplying one of electrons and holes to the first semiconductor layer; a second electrode portion for supplying the other of the electrons and the holes to the second semiconductor layer; And an insulating reflecting layer formed on the plurality of semiconductor layers and reflecting light from the active layer, wherein at least one of the first electrode portion and the second electrode portion includes: an upper electrode formed on the insulating reflecting layer; An island type ohmic electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers under the insulating reflection layer, a connection type ohmic electrode, a branch electrode extending from the connection type ohmic electrode, And an electrical connection for connecting the connection type ohmic electrode and the upper electrode through the insulating reflection layer, wherein the connection type ohmic electrode has a larger area than the island type ohmic electrode.

Description

Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 전류 통로들에 흐르는 전류의 차이로 인한 내구성 저하를 방지한 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device, and more particularly to a semiconductor light emitting device that prevents a decrease in durability due to a difference in current flowing in current paths.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting element means a semiconductor light emitting element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The Group III nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되는 반사막으로 기능하는 전극(901,902,903) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다.FIG. 1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, an n-type semiconductor layer 300 grown on the substrate 100, an active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, electrodes 901, 902 and 903 functioning as reflective films formed on the p-type semiconductor layer 500, And an n-side bonding pad 800 formed on the exposed n-type semiconductor layer 300.

이러한 구조의 칩, 즉 기판(100)의 일 측에 전극(901,902,903) 및 전극(800) 모두가 형성되어 있고, 전극(901,902,903)이 반사막으로 기능하는 형태의 칩을 플립 칩(filp chip)이라 한다. 전극(901,902,903)은 반사율이 높은 전극(901; 예: Ag), 본딩을 위한 전극(903; 예: Au) 그리고 전극(901) 물질과 전극(903) 물질 사이의 확산을 방지하는 전극(902; 예: Ni)으로 이루어진다. 이러한 금속 반사막 구조는 반사율이 높고, 전류 확산에 이점을 가지지만, 금속에 의한 빛 흡수라는 단점을 가진다.A chip having such a structure, that is, a chip in which both the electrodes 901, 902, 903 and the electrode 800 are formed on one side of the substrate 100 and the electrodes 901, 902, 903 function as a reflection film is called a flip chip . Electrodes 901,902 and 903 may be formed of a highly reflective electrode 901 (e.g., Ag), an electrode 903 (e.g., Au) for bonding, and an electrode 902 (not shown) to prevent diffusion between the electrode 901 material and the electrode 903 material. For example, Ni). Such a metal reflection film structure has a high reflectance and an advantage of current diffusion, but has a disadvantage of light absorption by a metal.

도 2는 일본 공개특허공보 제2006-20913호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며, 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(600), 투광성 도전막(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. 그리고 투광성 도전막(600) 위에는 분포 브래그 리플렉터(900; DBR: Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다. 이러한 구성에 의하면, 금속 반사막(904)에 의한 빛 흡수를 감소하지만, 전극(901,902,903)을 이용하는 것보다 상대적으로 전류 확산이 원활치 못한 단점이 있다.The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200 grown on the substrate 100, a buffer layer 200, a buffer layer 200 formed on the substrate 100, An active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, and a p-type semiconductor layer 500 grown on the n- A p-side bonding pad 700 formed on the transparent conductive film 600, and an n-side bonding pad (not shown) formed on the n-type semiconductor layer 300 exposed by etching 800). A DBR (Distributed Bragg Reflector) 900 and a metal reflection film 904 are provided on the transmissive conductive film 600. According to this structure, although the absorption of light by the metal reflection film 904 is reduced, the current diffusion is less smooth than that using the electrodes 901, 902, and 903.

도 3은 미국 등록특허공보 제6,307,218호에 개시된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면으로서, 발광소자가 대면적화됨(예를 들어, 가로/세로가 1000um/1000um)에 따라, p측 본딩 패드(700)와 n측 본딩 패드로 기능하는 n측 전극(800)에 같은 간격을 가지는 가지 전극을 구비함으로써, 전류 확산을 개선하고 있으며, 더하여 충분한 전류 공급을 위해 p측 본딩 패드(700)와 n측 전극(800)이 각각 두 개씩 마련되어 있다. 복수의 가지 전극(710,810)과 복수의 본딩 패드가 도입되어 있지만, 이들의 도입은 발광 면적의 감소 등을 가져와 발광효율을 감소시키는 역기능을 포함한다.3 shows an example of the electrode structure disclosed in U.S. Patent No. 6,307,218, in which the light emitting element is made large (for example, 1000 μm / 1000 μm horizontally / vertically), the p-side bonding pad 700 Side bonding pad and the n-side electrode 800 functioning as the n-side bonding pad are provided with branch electrodes having the same interval to improve the current diffusion. In addition, the p-side bonding pad 700 and the n- (800) are provided in each case. Although a plurality of branch electrodes 710 and 810 and a plurality of bonding pads are introduced, their introduction involves a reduction in the light emitting area and the like, and thus includes an inverse function of reducing the luminous efficiency.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 전자와 정공 중 하나를 제1 반도체층에 공급하는 제1 전극부와, 전자와 정공 중 나머지 하나를 제2 반도체층에 공급하는 제2 전극부; 그리고 복수의 반도체층 위에 형성되며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사층;을 포함하며, 제1 전극부와 제2 전극부 중 적어도 하나는: 절연성 반사층 위에 형성된 상부 전극; 절연성 반사층 아래에서 복수의 반도체층과 전기적으로 연통된 섬형(island type) 오믹 전극, 연결형 오믹 전극, 연결형 오믹 전극으로부터 뻗는 가지 전극; 그리고 절연성 반사층을 관통하여 연결형 오믹 전극과 상부 전극을 연결하는 전기적 연결;을 포함하며, 연결형 오믹 전극은 섬형 오믹 전극보다 면적이 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, in a semiconductor light emitting device, a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, And a plurality of semiconductor layers interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and having an active layer that generates light by recombination of electrons and holes; A first electrode portion for supplying one of electrons and holes to the first semiconductor layer; a second electrode portion for supplying the other of the electrons and the holes to the second semiconductor layer; And an insulating reflecting layer formed on the plurality of semiconductor layers and reflecting light from the active layer, wherein at least one of the first electrode portion and the second electrode portion includes: an upper electrode formed on the insulating reflecting layer; An island type ohmic electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers under the insulating reflection layer, a connection type ohmic electrode, a branch electrode extending from the connection type ohmic electrode, And an electrical connection for connecting the connection type ohmic electrode and the upper electrode through the insulating reflection layer, wherein the connection type ohmic electrode has an area larger than that of the island type ohmic electrode.

본 개시에 따른 다른 하나의 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 전자와 정공 중 하나를 제1 반도체층에 공급하는 제1 전극부와, 전자와 정공 중 나머지 하나를 제2 반도체층에 공급하는 제2 전극부; 그리고 복수의 반도체층 위에 형성되며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사층;을 포함하며, 제1 전극부와 제2 전극부 중 적어도 하나는: 절연성 반사층 위에 형성된 상부 전극; 절연성 반사층 아래에서 복수의 반도체층과 전기적으로 연통된 연결형 오믹 전극, 및 연결형 오믹 전극으로부터 뻗는 가지 전극; 절연성 반사층을 관통하여 연결형 오믹 전극과 상부 전극을 연결하는 전기적 연결; 그리고 연결형 오믹 전극과 가지 전극이 이어지는 부분에서, 연결형 오믹 전극 및 가지 전극과 일체로 형성되는 보강부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to another aspect of the present disclosure, in a semiconductor light emitting device, a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor having a second conductivity different from the first conductivity, A plurality of semiconductor layers interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and having an active layer that generates light by recombination of electrons and holes; A first electrode portion for supplying one of electrons and holes to the first semiconductor layer; a second electrode portion for supplying the other of the electrons and the holes to the second semiconductor layer; And an insulating reflecting layer formed on the plurality of semiconductor layers and reflecting light from the active layer, wherein at least one of the first electrode portion and the second electrode portion includes: an upper electrode formed on the insulating reflecting layer; A connection type Ohmic electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers under the insulating reflection layer, and a branch electrode extending from the connection type Ohmic electrode; An electrical connection for connecting the connection type ohmic electrode and the upper electrode through the insulating reflection layer; And a reinforcing portion integrally formed with the connection-type ohmic electrode and the branch electrode in a portion where the connection-type ohmic electrode and the branch electrode are continuous.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 일본 공개특허공보 제2006-20913호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 미국 등록특허공보 제6,307,218호에 개시된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 도 4에서 A-A 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 설명하는 도면,
도 6 및 도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면들,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면.1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-20913,
3 is a view showing an example of an electrode structure disclosed in U.S. Patent No. 6,307,218,
4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
5 is a view for explaining an example of a cross section taken along line AA in FIG. 4,
6 and 7 are views for explaining an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
8 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
9 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
10 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
11 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 5는 도 4에서 A-A 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 설명하는 도면이다. 반도체 발광소자는 복수의 반도체층(30,40,50), 제1 전극부(80,81,82,84,85), 제2 전극부(70,71,72,74,75), 및 절연성 반사층(R)을 포함한다. 복수의 반도체층(30,40,50)은 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50), 및 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50)의 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층(40)을 포함한다. 제1 전극부(80,81,82,84,85)는 제1 반도체층(30)과 전기적으로 연통하며 전자와 정공 중 하나를 공급하며, 제2 전극부(70,71,72,74,75)는 제2 반도체층(50)과 전기적으로 연통하며 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급한다. 절연성 반사층(R)은 복수의 반도체층(30,40,50) 위에 형성되며, 활성층(40)으로부터의 빛을 반사한다.FIG. 4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and FIG. 5 is a view for explaining an example of a cross section cut along the line A-A in FIG. The semiconductor light emitting element includes a plurality of semiconductor layers 30, 40, 50, first electrode portions 80, 81, 82, 84, 85, second electrode portions 70, 71, 72, 74, 75, And a reflective layer (R). The plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may include a first semiconductor layer 30 having a first conductivity, a second semiconductor layer 50 having a second conductivity different from the first conductivity, And an active layer 40 interposed between the first semiconductor layer 50 and the second semiconductor layer 50 and generating light by recombination of electrons and holes. The first electrode portions 80, 81, 82, 84, and 85 are electrically connected to the first semiconductor layer 30 to supply electrons and holes, and the second electrode portions 70, 71, 75 are in electrical communication with the second semiconductor layer 50 and supply the remaining one of electrons and holes. The insulating reflection layer R is formed on the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 and reflects light from the active layer 40.

본 개시에서 제1 전극부와 제2 전극부 중 적어도 하나는 절연성 반사층(R) 위에 형성된 상부 전극, 섬형(island type) 오믹 전극, 연결형 오믹 전극, 가지 전극, 전기적 연결 및 추가의 전기적 연결을 포함한다. 섬형 오믹 전극, 연결형 오믹 전극, 및 가지 전극은 절연성 반사층(R) 아래에서 복수의 반도체층(30,40,50)과 전기적으로 연통된다. 섬형(island type)은 원형, 삼각형, 사각형 등의 다각형과 같이 대체로 일 측으로 길게 연장(extending)되지 않는 형상을 의미한다. 가지 전극은 연결형 오믹 전극으로부터 뻗어 있다. 전기적 연결은 절연성 반사층(R)을 관통하여 연결형 오믹 전극과 상부 전극을 연결하며, 추가의 전기적 연결은 절연성 반사층(R)을 관통하여 섬형 오믹 전극과 상부 전극을 연결한다. 연결형 오믹 전극은 섬형 오믹 전극보다 면적이 크다.At least one of the first electrode portion and the second electrode portion in the present disclosure includes an upper electrode formed on the insulating reflection layer R, an island type ohmic electrode, a connected ohmic electrode, a branch electrode, an electrical connection, and an additional electrical connection do. The island-like ohmic electrode, the connected ohmic electrode, and the branch electrode are electrically connected to the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 under the insulating reflection layer R. The island type refers to a shape that does not extend long on one side, such as a polygon such as a circle, a triangle, or a rectangle. Branch electrodes extend from the connected ohmic electrode. The electrical connection connects the connecting ohmic electrode with the upper electrode through the insulating reflective layer R and the further electrical connection connects the island-like ohmic electrode with the upper electrode through the insulating reflecting layer R. The connection type ohmic electrode has a larger area than the island type ohmic electrode.

본 예에서 반도체 발광소자는 상부 전극(80,70)이 절연성 반사층(R)을 기준으로 복수의 반도체층(30,40,50)의 반대 측에 구비되는 플립칩(flip chip)이다. 본 예에서, 제1 전극부(80,81,82,84,85)는 제1 상부 전극(80), 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 제1 섬형 오믹 전극(82), 제1 연결형 오믹 전극(84), 및 제1 연결형 오믹 전극(84)으로부터 뻗은 제1 가지 전극(85)을 포함한다. 제2 전극부(70,71,72,74,75)는 제2 상부 전극(70), 제2 반도체층(50)과 절연성 반사층(R) 사이에 제2 섬형 오믹 전극(72), 제2 연결형 오믹 전극(74), 및 제2 연결형 오믹 전극(74)으로부터 뻗은 제2 가지 전극(75)을 포함한다.In this embodiment, the semiconductor light emitting device is a flip chip in which the upper electrodes 80 and 70 are provided on the opposite sides of the plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50 with respect to the insulating reflection layer R. In this example, the first electrode units 80, 81, 82, 84, and 85 are formed on the first upper electrode 80, the first island-shaped Ohmic electrode 82 on the first semiconductor layer 30 exposed by etching, 1 connected ohmic electrode 84, and a first branched electrode 85 extending from the first connected ohmic electrode 84. [ The second electrode units 70, 71, 72, 74, and 75 may include a second upper electrode 70, a second island-shaped ohmic electrode 72 between the second semiconductor layer 50 and the insulating reflective layer R, A connection type ohmic electrode 74, and a second branched electrode 75 extending from the second connection type ohmic electrode 74.

섬형 오믹 전극(82,72) 및 연결형 오믹 전극(84,74) 모두 상부 전극(80,70)에 각각 연결되므로, 이론적으로 제1 전극부(80,81,82,84,85)는 등전위이고, 제2 전극부(70,71,72,74,75)도 등전위 이지만, 연결형 오믹 전극(84,74)은 가지 전극(85,75)과 연결되어 있고, 이로 인해 연결형 오믹 전극(84,74)과 가지 전극(85,75)이 연결되는 윤곽(outline)이나 전류 흐름의 조건 등에 있어서 섬형 오믹 전극(82,72)과는 차이가 있다. 이로 인해 섬형 오믹 전극(82,72)보다는 연결형 오믹 전극(84,74)으로 전류가 더 많이 또는, 한계치 이상의 전류가 흐르는 경우가 있을 수 있다. 이런 경우 장시간 작동하면, 연결형 오믹 전극(84,74)에 있어서 내구성이 좋지 않게 된다. 이러한 문제는 고전류로 동작하는 반도체 발광소자에서 더 문제가 된다. 본 예에서는 섬형 오믹 전극(82,72)보다 연결형 오믹 전극(84,74)의 면적을 더 크게 함으로써, 연결형 오믹 전극(84,74)으로 흐를 수 있는 전류의 한계를 높여서, 반도체 발광소자의 손상이나 내구성에 문제를 방지하였다.Since both the island-shaped Ohmic electrodes 82 and 72 and the connected Ohmic electrodes 84 and 74 are connected to the upper electrodes 80 and 70, the first electrode units 80, 81, 82, 84, The connection type ohmic electrodes 84 and 74 are connected to the branch electrodes 85 and 75 so that the connection type ohmic electrodes 84 and 74 And the branch electrodes 85 and 75 are connected to each other in the outline and current flow conditions. Thereby, more current may flow to the connected ohmic electrodes 84 and 74, or a current exceeding the limit value may flow rather than the island-shaped Ohmic electrodes 82 and 72. In this case, if the operation is performed for a long time, the durability of the connection-type ohmic electrodes 84 and 74 becomes poor. This problem becomes more problematic in a semiconductor light emitting device operating at a high current. In this embodiment, the area of the connected ohmic electrodes 84 and 74 is made larger than that of the island-shaped Ohmic electrodes 82 and 72, thereby increasing the current flowable to the ohmic electrodes 84 and 74, And durability.

이하, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 하여 설명한다.Hereinafter, a group III nitride semiconductor light emitting device will be described as an example.

복수의 반도체층(30,40,50)은 기판(10) 위에 형성되며, 기판(10)으로는 주로 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 기판(10)은 최종적으로 제거될 수 있다. 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50)은 그 위치가 바뀔 수 있으며, 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서 주로 GaN으로 이루어진다. A plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50 are formed on the substrate 10 and the substrate 10 is mainly made of sapphire, SiC, Si, GaN or the like and the substrate 10 can be finally removed . The positions of the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 may be changed, and they are mainly composed of GaN in the III-nitride semiconductor light emitting device.

복수의 반도체층(30,40,50)은 기판(10) 위에 형성된 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: Si 도핑된 GaN), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: Mg 도핑된 GaN) 및 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50) 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예: InGaN/(In)GaN 다중양자우물구조)을 포함한다. 복수의 반도체층(30,40,50) 각각은 다층으로 이루어질 수 있고, 버퍼층(20)은 생략될 수 있다. The plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may include a buffer layer 20 formed on the substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity (e.g., Si-doped GaN) A second semiconductor layer 50 (e.g., Mg-doped GaN) having conductivity, and an active layer interposed between the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 and generating light through recombination of electrons and holes 40, e.g., InGaN / (In) GaN multiple quantum well structure). Each of the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may have a multi-layer structure, and the buffer layer 20 may be omitted.

바람직하게는 제2 반도체층(50) 위에 전류 확산 도전막(60; 예: ITO,Ni/Au)이 구비된다. Preferably, a current diffusion conductive layer 60 (e.g., ITO, Ni / Au) is provided on the second semiconductor layer 50.

절연성 반사층(R)은 전류 확산 도전막(60), 제1 가지 전극(85), 및 제2 가지 전극(75)을 덮도록 형성되며, 활성층(40)으로부터의 빛을 기판(10) 측으로 반사한다. 본 예에서 절연성 반사층(R)은 금속 반사막에 의한 광흡수 감소를 위해 절연성 물질로 형성되며, 바람직하게는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni-Directional Reflector)을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 예를 들어, 도 5에 제시된 바와 같이, 절연성 반사층(R)은 순차로 적층된 유전체막(91b), DBR(91a), 및 클래드막(91c)을 포함할 수 있다.The insulating reflection layer R is formed to cover the current diffusion conductive film 60, the first branched electrode 85 and the second branched electrode 75 and reflects light from the active layer 40 toward the substrate 10 side do. In this embodiment, the insulating reflective layer R is formed of an insulating material to reduce light absorption by the metal reflective layer, and may preferably be a multi-layer structure including DBR (Distributed Bragg Reflector) or ODR (Omni-Directional Reflector). For example, as shown in Fig. 5, the insulating reflection layer R may include a dielectric film 91b, a DBR 91a, and a clad film 91c which are sequentially stacked.

제1 상부 전극(80) 및 제2 상부 전극(70)은 절연성 반사층(R) 위에서 서로 떨어져 제1 상부 전극(80)의 에지와 제2 상부 전극(70)의 에지가 서로 대향하게 구비된다. 제1 상부 전극(80) 및 제2 상부 전극(70)은 외부와 직접 접합되거나, 와이어 본딩될 수 있다. 제1 가지 전극(85)은 제2 상부 전극(70) 아래로 뻗고, 제2 가지 전극(75)은 제1 상부 전극(80) 아래로 뻗는다. 제1 섬형 오믹 전극(82)은 제2 상부 전극(70)과 대향하는 제1 상부 전극(80)의 에지로부터 제1 연결형 오믹 전극(84)보다 멀리 떨어져 있고, 제2 섬형 오믹 전극(72)은 제1 상부 전극(80)과 대향하는 제2 상부 전극(70)의 에지로부터 제2 연결형 오믹 전극(74)보다 멀리 떨어져 있다. 이와 같이 섬형 오믹 전극(82,72)을 배치하면 가지 전극(85,75)이 불필요하게 연장되는 것이 방지된다. 본 예에서는 제1 가지 전극(85)의 연장선상에 제1 섬형 오믹 전극(82)이 위치하고, 제2 가지 전극(75)의 연장선상에 제2 섬형 오믹 전극(72)이 위치하지만, 섬형 오믹 전극(82,72)의 위치는 이와 같은 연장선상에서 벗어날 수도 있다.The first upper electrode 80 and the second upper electrode 70 are separated from each other on the insulating reflection layer R so that the edges of the first upper electrode 80 and the second upper electrode 70 are opposed to each other. The first upper electrode 80 and the second upper electrode 70 may be directly bonded to the outside or may be wire-bonded. The first branched electrode 85 extends below the second upper electrode 70 and the second branched electrode 75 extends below the first upper electrode 80. The first island-like Ohmic electrode 82 is farther from the edge of the first upper electrode 80 facing the second upper electrode 70 than the first connection-type ohmic electrode 84, and the second island- Is farther away from the edge of the second upper electrode (70) than the second connected ohmic electrode (74), which is opposite to the first upper electrode (80). By arranging the island-like Ohmic electrodes 82 and 72 in this way, the branch electrodes 85 and 75 are prevented from extending unnecessarily. In this example, the first island-shaped ohmic electrode 82 is located on the extension line of the first branched electrode 85 and the second island-shaped Ohmic electrode 72 is located on the extension of the second branched electrode 75, The positions of the electrodes 82 and 72 may deviate from such an extension line.

본 예에서, 복수의 제1 가지 전극(85)이 제2 반도체층(50) 및 활성층(40)이 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 구비되며, 각 제1 가지 전극(85)은 각 제1 연결형 오믹 전극(84)으로부터 뻗는다. 전기적 연결(81)은 절연성 반사층(R)을 관통하여 제1 상부 전극(80)과 제1 연결형 오믹 전극(84)을 연결한다. 다른 전기적 연결(81)은 절연성 반사층(R)을 관통하여 제1 상부 전극(80)과 제1 섬형 오믹 전극(82)을 연결한다. 제1 섬형 오믹 전극(82) 및 제1 연결형 오믹 전극(84)은 제1 반도체층(30)과 전기적 연결(81) 사이에 접촉저항을 감소하고 연결의 안정성 향상한다.A plurality of first branched electrodes 85 are provided on the exposed first semiconductor layer 30 with the second semiconductor layer 50 and the active layer 40 being etched and the first branched electrodes 85, Extending from each first connection type ohmic electrode (84). The electrical connection 81 connects the first upper electrode 80 and the first connection type Ohmic electrode 84 through the insulating reflection layer R. [ The other electrical connection 81 connects the first upper electrode 80 and the first island-shaped ohmic electrode 82 through the insulating reflection layer R. The first island-like Ohmic electrode 82 and the first connection-type Ohmic electrode 84 reduce the contact resistance between the first semiconductor layer 30 and the electrical connection 81 and improve the stability of the connection.

제2 섬형 오믹 전극(72), 제2 연결형 오믹 전극(74), 및 제2 가지 전극(75)은 전류 확산 도전막(60)과 절연성 반사층(R) 사이에 구비되며, 본 예에서는 복수의 제2 가지 전극(75)이 복수의 제1 가지 전극(85)과 대략 나란하며 교대로 구비되어 있고, 제2 섬형 오믹 전극(72)은 제2 가지 전극(75)의 연장선상에 위치해 있다. 각 제2 가지 전극(75)은 각 제2 연결형 오믹 전극(74)으로부터 뻗는다. 전기적 연결(71)은 절연성 반사층(R)을 관통하여 제2 상부 전극(70)과 제2 연결형 오믹 전극(74)을 연결한다. 다른 전기적 연결(71)은 절연성 반사층(R)을 관통하여 제2 상부 전극(70)과 제2 섬형 오믹 전극(72)을 연결한다. 제2 섬형 오믹 전극(72) 및 제2 연결형 오믹 전극(74)은 전류 확산 도전막(60)과 전기적 연결(71) 사이에 접촉저항을 감소하고 연결의 안정성을 향상한다.The second island-shaped ohmic electrode 72, the second connected ohmic electrode 74 and the second branched electrode 75 are provided between the current diffusion conductive film 60 and the insulating reflection layer R. In this example, The second island electrode 75 is disposed on the extension line of the second island electrode 75. The second island electrode 75 is disposed on the extension line of the second island electrode 75, Each second branched electrode 75 extends from each second connected-type ohmic electrode 74. The electrical connection 71 connects the second upper electrode 70 and the second connection type ohmic electrode 74 through the insulating reflection layer R. [ The other electrical connection 71 connects the second upper electrode 70 and the second island-shaped ohmic electrode 72 through the insulating reflection layer R. The second island-shaped ohmic electrode 72 and the second connected-type ohmic electrode 74 reduce the contact resistance between the current diffusion conductive film 60 and the electrical connection 71 and improve the stability of the connection.

바람직하게는, 광흡수 방지막(41)이 제2 반도체층(50)과 전류 확산 도전막(60) 사이에 제2 가지 전극(75), 제2 섬형 오믹 전극(72), 및 제2 연결형 오믹 전극(74)에 각각 대응하게 구비될 수 있다. 광흡수 방지막(41)은 SiO₂, TiO₂등으로 형성될 수 있으며, 활성층(40)에서 발생된 빛의 일부 또는 전부를 반사하는 기능만을 가져도 좋고, 제2 가지 전극(75), 제2 섬형 오믹 전극(72), 및 제2 연결형 오믹 전극(74)으로부터 바로 아래로 전류가 흐르지 못하도록 하는 기능만을 가져도 좋고, 양자의 기능을 모두 가져도 좋다. Preferably, the light absorption preventing film 41 is formed between the second semiconductor layer 50 and the current diffusion conductive film 60 by a second branched electrode 75, a second island-shaped ohmic electrode 72, Electrodes 74 may be provided correspondingly. The light absorption preventing film 41 may be formed of SiO ₂ or TiO ₂ and may have a function of reflecting a part or all of the light generated in the active layer 40. Only the functions of preventing the current from flowing downward from the island-shaped ohmic electrode 72 and the second connected-type ohmic electrode 74, or both of them may be used.

가지 전극(85,75) 및 오믹 전극(82,84,72,74)은 복수의 금속층으로 이루어질 수 있으며, 제1 반도체층(30) 또는 전류 확산 도전막(60)과의 전기적 접촉이 좋은 접촉층과 광반사성이 좋은 반사층 등을 구비할 수 있다.The branch electrodes 85 and 75 and the ohmic electrodes 82, 84, 72 and 74 may be formed of a plurality of metal layers and may have good electrical contact with the first semiconductor layer 30 or the current diffusion conductive film 60 And a reflective layer having good light reflectivity.

본 예에 따른 반도체 발광소자는 금속 반사막 대신 절연성 반사층(R)을 사용하여 도 1에 제시된 플립칩보다 금속에 의한 광흡수 손실 감소에 유리하다. 또한, 발광면을 거의 절연성 반사층(R)이 덮고 있고, 섬형 오믹 전극(82,72), 연결형 오믹 전극(84,74), 및 가지 전극(85,75)을 사용하여 전류 공급 경로 또는 통로의 개수와 위치를 상대적으로 더 자유롭게 할 수 있어서, 도 2에 제시된 플립칩보다 전류확산에 유리하다. 이렇게 섬형 오믹 전극(82,72), 연결형 오믹 전극(84,74), 및 가지 전극(85,75)을 구비하는 구조에서, 전류 공급의 균일성 또는, 발광의 균일성을 위해 섬형 오믹 전극(82,72), 연결형 오믹 전극(84,74), 및 가지 전극(85,75)을 적절히 위치나 개수, 및 형상을 변경할 수 있을 것이다. 본 예는 이러한 장점을 가지는 구조에서 섬형 오믹 전극(82,72)보다 연결형 오믹 전극(84,74)에 상대적으로 전류가 더 쏠리는 경우의 손상이나 내구성 문제를 해소한다. 정격의 전류가 공급되는 경우뿐만 아니라, 원하지 않게 순간적으로 고전류가 흐를 수 있는데, 연결형 오믹 전극(84,74)으로의 전류쏠림이 발생하더라도 섬형 오믹 전극(82,72)보다 큰 면적을 가져서 충분히 손상을 방지하고 내구성을 가지고 동작할 수 있다.The semiconductor light emitting device according to the present embodiment is advantageous in reducing light absorption loss due to metal rather than the flip chip shown in FIG. 1 by using an insulating reflection layer (R) in place of the metal reflection film. Further, the light-emitting surface is covered with the insulating reflection layer R, and the island-shaped ohmic electrodes 82 and 72, the connection-type ohmic electrodes 84 and 74, and the branch electrodes 85 and 75 are used, The number and position of the flip chip can be made relatively freely, which is more advantageous than the flip chip shown in Fig. In the structure including the island-shaped ohmic electrodes 82 and 72, the connected ohmic electrodes 84 and 74, and the branched electrodes 85 and 75, the island-shaped ohmic electrode 82 and 72, the connection-type Ohmic electrodes 84 and 74, and the branch electrodes 85 and 75 can be appropriately positioned, numbered, and changed in shape. In this embodiment having the advantages described above, the problem of damage and durability in the case where the current is relatively more directed to the connection-type Ohmic electrodes 84 and 74 than the island-like Ohmic electrodes 82 and 72 is solved. Even when a current is applied to the connection-type ohmic electrodes 84 and 74, a large current can flow instantaneously and undesirably as well as when the rated current is supplied. And can operate with durability.

제1 섬형 오믹 전극(82)과 제1 연결형 오믹 전극(84)의 면적의 비율과, 제2 섬형 오믹 전극(72)과 제2 연결형 오믹 전극(74)의 면적의 비율은 전류가 연결형 오믹 전극(84,74)에 더 쏠리는 정도에 따라 적절한 범위에서 결정할 수 있다. 한편, 제1 연결형 오믹 전극(84)과 제2 연결형 오믹 전극(74)으로 전류가 흐르는 정도가 다를 수 있고, 따라서, 제1 연결형 오믹 전극(84)과 제2 연결형 오믹 전극(74)의 면적도 서로 다르게 할 수 있다. 예를 들어, 보통 제1 연결형 오믹 전극(84)보다 제2 연결형 오믹 전극(74)으로 전류가 쏠리는 정도가 더 심할 수 있는데, 이 경우, 제1 연결형 오믹 전극(84)보다 제2 연결형 오믹 전극(74)의 면적을 더 크게하는 실시예도 고려할 수 있다.The ratio of the area of the first island-like ohmic electrode 82 to the area of the first connection-type ohmic electrode 84 and the ratio of the area of the second island-type ohmic electrode 72 to the area of the second connection- (84, 74). On the other hand, the degree of current flow may vary between the first connection type ohmic electrode 84 and the second connection type ohmic electrode 74, and therefore, the area of the first connection type ohmic electrode 84 and the second connection type ohmic electrode 74 Can also be different. For example, the current may be more concentrated to the second connection-type ohmic electrode 74 than the first connection-type ohmic electrode 84. In this case, (74) may be increased.

도 6 및 도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면으로서, 도 4 내지 도 7을 참조하면, 먼저, 도 5 및 도 6에 제시된 바와 같이, 기판(10) 상에 제1 반도체층(30), 활성층(40), 제2 반도체층(50)을 형성하고, 광흡수 방지막(41)을 형성한 후, 그 위에 전류 확산 도전막(60; 예: ITO)을 형성하고, 메사식각하여 제1 반도체층(30)의 일부(35)를 노출시킨다. 메사식각은 전류 확산 도전막(60) 형성 전에 수행될 수도 있다. 전류 확산 도전막(60)은 생략될 수 있다. FIGS. 6 and 7 are views for explaining an example of a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. Referring to FIGS. 4 to 7, first, as shown in FIGS. 5 and 6, After forming the first semiconductor layer 30, the active layer 40 and the second semiconductor layer 50 on the light absorption barrier film 41 and forming the light absorption barrier film 41 on the current diffusion conductive film 60 And a portion 35 of the first semiconductor layer 30 is exposed by mesa etching. The mesa etching may be performed before the current diffusion conductive film 60 is formed. The current diffusion conductive film 60 may be omitted.

이후, 도 7에 제시된 바와 같이, 노출된 제1 반도체층(30) 및 전류 확산 도전막(60) 위에 각각 가지 전극(85,75), 및 오믹 전극(82,84,72,74)을 형성한다. 이후, 전류 확산 도전막(60) 위에 절연성 반사층(R)을 형성한다. 본 예에서 절연성 반사층(R)은 금속 반사막에 의한 광흡수 감소를 위해 절연성 물질로 형성되며, 바람직하게는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni-Directional Reflector)을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 예를 들어, 유전체 막(91b), 분포 브래그 리플렉터(91a) 및 클래드 막(91c)을 형성하여 절연성 반사층(R)이 형성된다. 유전체 막(91b) 또는 클래드 막(91c)은 생략될 수 있다. 분포 브래그 리플렉터(91a)는, 예를 들어, SiO₂와 TiO₂의 쌍이 복수 회 적층되어 이루어진다. 이 외에도 분포 브래그 리플렉터(91a)는 Ta₂O₅, HfO, ZrO, SiN 등 고 굴절률 물질과 이보다 굴절률이 낮은 유전체 박막(대표적으로 SiO₂) 등의 조합으로 이루어질 수 있다. 절연성 반사층(R)은 그 두께가 수 ㎛(예: 1 ~ 8㎛)정도 일 수 있다.7, branch electrodes 85 and 75 and ohmic electrodes 82, 84, 72 and 74 are formed on the exposed first semiconductor layer 30 and the current diffusion conductive film 60, respectively, do. Thereafter, the insulating reflection layer R is formed on the current diffusion conductive film 60. In this embodiment, the insulating reflective layer R is formed of an insulating material to reduce light absorption by the metal reflective layer, and may preferably be a multi-layer structure including DBR (Distributed Bragg Reflector) or ODR (Omni-Directional Reflector). For example, a dielectric film 91b, a distributed Bragg reflector 91a, and a clad film 91c are formed to form the insulating reflection layer R. The dielectric film 91b or the clad film 91c may be omitted. Distributed Bragg reflector (91a) is, for example, pairs of SiO ₂ and TiO ₂ are laminated is made a plurality of times. In addition, distributed Bragg reflector (91a) can be configured with a combination, such as _{_{Ta 2 O 5, HfO, ZrO}} , SiN , such as high refractive index material than the low dielectric thin film (typically, SiO ₂₎ refractive index. The insulating reflection layer R may have a thickness of several micrometers (e.g., 1 to 8 占 퐉).

이후, 절연성 반사층(R)에 건식식각 등의 방법으로 개구를 형성하고, 개구를 통하도록 전기적 연결(81,71)을 형성한다. 절연성 반사층(R) 위에 상부 전극(80,70)을 형성한다. 전기적 연결(81,71)과 상부 전극(70,80)은 별개로 형성될 수도 있지만, 하나의 과정에서 일체로 형성될 수도 있다.Thereafter, openings are formed in the insulating reflection layer R by a method such as dry etching, and electrical connections 81 and 71 are formed to pass through the openings. The upper electrodes 80 and 70 are formed on the insulating reflection layer R. The electrical connections 81 and 71 and the upper electrodes 70 and 80 may be formed separately or may be integrally formed in one process.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 광흡수 방지막은 도시가 생략되어 있다. 섬형 오믹 전극(82,72)에 비해 연결형 오믹 전극(84,74)에 전류가 더 쏠림에 따라 반도체 발광소자의 내구성이나 손상이 문제될 수 있는데, 전극의 에지나 윤곽(outline)이 급히 꺾이거나 좁은 각도의 에지를 이루는 부분이 특히 문제가 될 수 있다. 한편, 전극은 금속으로서 빛을 일부 흡수하므로 가지 전극(85,75)이나 오믹 전극(82,84,72,74)의 면적이 증가하는 데에는 한계가 있다.FIG. 8 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, wherein the light absorption preventing film is omitted. Durability or damage of the semiconductor light emitting device may be a problem as the current is more concentrated in the connected ohmic electrodes 84 and 74 as compared with the island-shaped Ohmic electrodes 82 and 72. The edge or outline of the electrode may be rapidly broken A narrow angled edge can be particularly problematic. On the other hand, since the electrode partially absorbs light as a metal, there is a limit in increasing the area of the branch electrodes 85, 75 and the ohmic electrodes 82, 84, 72, 74.

본 예에 따른 반도체 발광소자에서는 섬형 오믹 전극(82,72)과 연결형 오믹 전극(84,74)의 면적이 거의 비슷하며, 전술된 내구성이나 손상의 문제를 해결하기 위해 연결형 오믹 전극(84,74)과 가지 전극(85,75)이 이어지는 부분에서, 오믹 전극 및 가지 전극(85,75)과 일체로 형성되는 보강부(77,87)를 구비한다. 도 8에서 보강부(77,87)는 연결형 오믹 전극(84,74)과 가지 전극(85,75)과는 점선으로 구분되어 있으며, 이들은 함께 일체로 형성될 수 있다. 보강부(77,87)가 없는 경우, 연결형 오믹 전극(84,74)과 가지 전극(85,75)이 연결되는 윤곽(outline)에 있어서 급히 꺾이거나 좁은 각도의 에지(예: 79)가 형성되므로, 내구성 측면에서 고전류 구동이나 순간적인 고전류의 흐름에 좋지 않다.In the semiconductor light emitting device according to the present embodiment, the island-like ohmic electrodes 82 and 72 and the connection-type ohmic electrodes 84 and 74 have substantially the same area, and in order to solve the aforementioned problem of durability and damage, And the reinforcing portions 77 and 87 formed integrally with the ohmic electrode and the branch electrodes 85 and 75 in the portion where the branch electrodes 85 and 75 are connected. In FIG. 8, the reinforcing portions 77 and 87 are separated from the connection-type ohmic electrodes 84 and 74 and the branched electrodes 85 and 75 by dotted lines, and they may be integrally formed together. In the absence of the reinforcing portions 77 and 87, sharp edges or narrow angles (e.g., 79) are formed in the outline where the connection type ohmic electrodes 84 and 74 and the branch electrodes 85 and 75 are connected to each other Therefore, it is not good for high current driving or instantaneous high current flow in terms of durability.

보강부(77,87)는 이러한 좁은 각도의 에지(79)의 형성을 방지한다. 또한, 보강부(77,87)는 연결형 오믹 전극(84,74)과 일체로 형성되므로 면적 증가 효과도 있다. 그 결과, 상기 문제 발생이 억제되며 내구성이 향상된다. 본 예에서 보강부(77,87)는 가지 전극(85,75) 측으로 갈수록 폭이 좁아지며, 보강부(77,87)와 연결형 오믹 전극(84,74) 및 가지 전극(85,75)이 연결되는 윤곽은 급한 또는 좁은 각도의 꺾임이 없이 부드럽게 이어지며 가지 전극(85,75)의 뻗는 방향과 경사를 이루고 있다. 보강부(77,87)의 형상은 이 외에도 변형이 가능하다.The reinforcing portions 77 and 87 prevent the formation of such a narrow angle edge 79. Also, since the reinforcing portions 77 and 87 are formed integrally with the connection-type ohmic electrodes 84 and 74, the reinforcing portions 77 and 87 also have an area increasing effect. As a result, the occurrence of the problem is suppressed and the durability is improved. In this example, the reinforcing portions 77 and 87 have narrower widths toward the branch electrodes 85 and 75, and the reinforcing portions 77 and 87, the connecting ohmic electrodes 84 and 74, and the branch electrodes 85 and 75 The connected contour is smoothly connected without any sudden or narrow angle bending and is inclined with respect to the extending direction of the branch electrodes 85, The shape of the reinforcing portions 77 and 87 can be modified in addition to the above.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 연결형 오믹 전극(84,74)은 섬형 오믹 전극(82,72)보다 면적이 크고, 연결형 오믹 전극(84,74)과 가지 전극(85,75)의 연결부분에 보강부(77,87)가 일체로 형성되어 있다. 따라서, 내구성이 향상된다. 보강부(77,87)와 연결형 오믹 전극(84,74), 및 가지 전극(85,75)의 윤곽은 급한 꺾임이 없이 부드러운 곡선 또는 직선형으로 이어지며, 상기 윤곽은 나팔형(horn or trumpet type)으로 폭이 좁아지며 가지 전극(85,75)으로 이어진다. 본 예에서, 연결형 오믹 전극(84,74)의 윤곽은 전기적 연결을 기준으로 가지 전극(85,75)의 반대 측은 반원형이며, 보강부(77,87)의 윤곽은 반원형의 접선이 될 수 있다. 9 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which the connection type ohmic electrodes 84 and 74 are larger in area than the island type ohmic electrodes 82 and 72, and the connection type ohmic electrodes 84 and 74 And reinforcing portions 77 and 87 are integrally formed at the connection portions of the branched electrodes 85 and 75. [ Therefore, durability is improved. The contours of the reinforcing portions 77 and 87, the connecting ohmic electrodes 84 and 74 and the branch electrodes 85 and 75 are connected to each other in a smooth curve or a straight line without sudden bending. The contour is horn or trumpet type And is connected to the branch electrodes 85 and 75. [ In this example, the outline of the connection-type ohmic electrodes 84 and 74 is semicircular on the opposite side of the branch electrodes 85 and 75 with respect to the electrical connection, and the outline of the reinforcement portions 77 and 87 may be a semicircular tangent line .

도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 연결형 오믹 전극(84,74)과 가지 전극(85,75)의 연결부분에 보강부(77,87)가 일체로 형성되며, 도 9에 제시된 예와 다르게 약간 볼록하게 형성되어 있다. 각 연결형 오믹 전극(84,74)의 면적이 각 섬형 오믹 전극(82,86,72,76)의 면적보다 크며, 복수의 섬형 오믹 전극(82,86,72,76)의 면적이 서로 다르다. 복수의 섬형 오믹 전극(82,86,72,76)도 위치에 따라 전류가 차이가 나는 경우, 서로 면적을 다르게 할 수 있다. 본 예에서, 연결형 오믹 전극(84,74)에 가까운 섬형 오믹 전극(82,72)이 먼 섬형 오믹 전극(86,76)보다 면적이 크게 되어 있지만, 이와 면적 분포가 다를 수도 있다.10 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which reinforcing portions 77 and 87 are integrally formed at the connection portion between the connection type ohmic electrodes 84 and 74 and branch electrodes 85 and 75 And is slightly convexly formed, unlike the example shown in FIG. The area of each of the connection-type Ohmic electrodes 84 and 74 is larger than the area of each of the island-like Ohmic electrodes 82, 86, 72 and 76, and the areas of the island-shaped Ohmic electrodes 82, 86, 72 and 76 are different from each other. The plurality of island-shaped Ohmic electrodes 82, 86, 72, and 76 may have different areas when the currents are different according to their positions. In this example, the island-like Ohmic electrodes 82 and 72 close to the connection-type ohmic electrodes 84 and 74 have larger areas than the island-like Ohmic electrodes 86 and 76, but the area distribution may be different.

도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 연결형 오믹 전극(84,74)은 섬형 오믹 전극(82,72)보다 면적이 크고, 연결형 오믹 전극(84,74)과 가지 전극(85,75)이 이어지는 부분에 보강부(77,87)가 일체로 형성되어 있다. 가지 전극(85,75)은 폭이 일정한 연장부들과, 연장부들보다 폭이 큰 확장부(88,78)를 포함한다. 이와 같이, 가지 전극(85,75)은 그 폭이 일정하거나 위치에 따라 변하는 예가 가능하며, 직선형 가지 전극뿐만 아니라 곡선형 가지 전극의 경우도 포함한다.11 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which the connection type Ohmic electrodes 84 and 74 are larger in area than the island type ohmic electrodes 82 and 72 and the connection type ohmic electrodes 84 and 74 And reinforcing portions 77 and 87 are integrally formed at portions where the branch electrodes 85 and 75 are continuous. The branch electrodes 85, 75 include extensions of constant width and extensions 88, 78 of a greater width than the extensions. As described above, the branch electrodes 85 and 75 may have a constant width or vary depending on the position, and include not only a straight branch electrode but also a curved branch electrode.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 전자와 정공 중 하나를 제1 반도체층에 공급하는 제1 전극부와, 전자와 정공 중 나머지 하나를 제2 반도체층에 공급하는 제2 전극부; 그리고 복수의 반도체층 위에 형성되며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사층;을 포함하며, 제1 전극부와 제2 전극부 중 적어도 하나는: 절연성 반사층 위에 형성된 상부 전극; 절연성 반사층 아래에서 복수의 반도체층과 전기적으로 연통된 섬형(island type) 오믹 전극, 연결형 오믹 전극, 및 연결형 오믹 전극으로부터 뻗는 가지 전극; 그리고 절연성 반사층을 관통하여 연결형 오믹 전극과 상부 전극을 연결하는 전기적 연결(an electrical connection);을 포함하며, 연결형 오믹 전극은 섬형 오믹 전극보다 면적이 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(1) A semiconductor light emitting device comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; and a second semiconductor layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A plurality of semiconductor layers each having an active layer that generates light by recombination of holes; A first electrode portion for supplying one of electrons and holes to the first semiconductor layer; a second electrode portion for supplying the other of the electrons and the holes to the second semiconductor layer; And an insulating reflecting layer formed on the plurality of semiconductor layers and reflecting light from the active layer, wherein at least one of the first electrode portion and the second electrode portion includes: an upper electrode formed on the insulating reflecting layer; An island type ohmic electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers under the insulating reflection layer, a connection type ohmic electrode, and a branch electrode extending from the connection type ohmic electrode; And an electrical connection through the insulating reflection layer to connect the connection type ohmic electrode and the upper electrode, wherein the connection type ohmic electrode has a larger area than the island type ohmic electrode.

(2) 연결형 오믹 전극과 가지 전극이 이어지는 부분에서 연결형 오믹 전극 및 가지 전극과 일체로 형성되는 보강부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(2) a reinforcing portion formed integrally with the connection-type ohmic electrode and the branch electrode at a portion where the connection-type ohmic electrode and the branch electrode are connected to each other.

(3) 위에서 볼 때, 가지 전극은 상부 전극의 바깥으로 뻗고, 섬형 오믹 전극은 가지 전극 측 상부 전극의 에지로부터 연결형 오믹 전극보다 멀리 떨어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(3) In view of the above, the branch electrode extends to the outside of the upper electrode, and the island-like ohmic electrode is farther from the edge of the branch electrode-side upper electrode than the connection-type ohmic electrode.

(4) 연결형 오믹 전극, 보강부, 및 가지 전극의 윤곽(outline)은 곡선 및 직선 중 어느 하나를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (4), wherein the outline of the connection-type ohmic electrode, the reinforcing portion, and the branch electrode forms a curve or a straight line.

(5) 섬형 오믹 전극과 면적이 다른 추가의 섬형 오믹 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(5) An additional island-shaped ohmic electrode having an area different from that of the island-shaped ohmic electrode.

(6) 제1 전극부는: 제1 상부 전극; 그리고 제2 반도체층 및 활성층이 식각되어 노출된 제1 반도체층 위에 제1 섬형 오믹 전극, 제1 연결형 오믹 전극, 및 제1 가지 전극;을 포함하며, 제2 전극부는: 제2 상부 전극; 그리고 제2 반도체층과 절연성 반사층 사이에 제2 섬형 오믹 전극, 제2 연결형 오믹 전극, 및 제2 가지 전극을 포함하며, 제1 가지 전극은 제2 상부 전극 아래로 뻗고, 제2 가지 전극은 제1 상부 전극 아래로 뻗으며, 제1 섬형 오믹 전극은 제1 가지 전극 측 제1 상부 전극의 에지로부터 제1 연결형 오믹 전극보다 멀리 떨어져 있고, 제2 섬형 오믹 전극은 제2 가지 전극 측 제2 상부 전극의 에지로부터 제2 연결형 오믹 전극보다 멀리 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(6) the first electrode portion includes: a first upper electrode; And a first island-shaped ohmic electrode, a first connected ohmic electrode, and a first branched electrode on a first semiconductor layer exposed by etching the second semiconductor layer and the active layer, and the second electrode portion includes: a second upper electrode; A second island-shaped ohmic electrode, a second branched electrode, and a second branched electrode between the second semiconductor layer and the insulating reflective layer, the first branched electrode extending below the second upper electrode, 1 upper electrode, the first island-like Ohmic electrode is farther from the edge of the first upper electrode and the second island-shaped Ohmic electrode than the first connection-type Ohmic electrode, and the second island- And the second connection type ohmic electrode is farther from the edge of the electrode than the second connection type ohmic electrode.

(7) 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 전자와 정공 중 하나를 제1 반도체층에 공급하는 제1 전극부와, 전자와 정공 중 나머지 하나를 제2 반도체층에 공급하는 제2 전극부; 그리고 복수의 반도체층 위에 형성되며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사층;을 포함하며, 제1 전극부와 제2 전극부 중 적어도 하나는: 절연성 반사층 위에 형성된 상부 전극; 절연성 반사층 아래에서 복수의 반도체층과 전기적으로 연통된 연결형 오믹 전극, 및 연결형 오믹 전극으로부터 뻗는 가지 전극; 절연성 반사층을 관통하여 연결형 오믹 전극과 상부 전극을 연결하는 전기적 연결; 그리고 연결형 오믹 전극과 가지 전극이 이어지는 부분에서 연결형 오믹 전극 및 가지 전극과 일체로 형성되는 보강부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) A semiconductor light emitting device comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; and a second semiconductor layer interposed between the first and second semiconductor layers, A plurality of semiconductor layers each having an active layer that generates light by recombination of holes; A first electrode portion for supplying one of electrons and holes to the first semiconductor layer; a second electrode portion for supplying the other of the electrons and the holes to the second semiconductor layer; And an insulating reflecting layer formed on the plurality of semiconductor layers and reflecting light from the active layer, wherein at least one of the first electrode portion and the second electrode portion includes: an upper electrode formed on the insulating reflecting layer; A connection type Ohmic electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers under the insulating reflection layer, and a branch electrode extending from the connection type Ohmic electrode; An electrical connection for connecting the connection type ohmic electrode and the upper electrode through the insulating reflection layer; And a reinforcing portion formed integrally with the connection-type ohmic electrode and the branch electrode at a portion where the connection-type ohmic electrode and the branch electrode are connected.

(8) 연결형 오믹 전극 및 가지 전극과 떨어져 복수의 반도체층과 전기적으로 연통되는 섬형 오믹 전극; 그리고 절연성 반사층을 관통하여 섬형 오믹 전극과 상부 전극을 연결하는 추가의 전기적 연결;을 포함하며, 연결형 오믹 전극은 섬형 오믹 전극보다 면적이 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(8) a shallow ohmic electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers so as to be separated from the ohmic electrode and the branch electrode; And an additional electrical connection connecting the island-shaped ohmic electrode and the upper electrode through the insulating reflection layer, wherein the connection-type ohmic electrode has a larger area than the island-shaped ohmic electrode.

(9) 연결형 오믹 전극, 보강부, 및 가지 전극의 윤곽(outline)은 꺾임이 없는 곡선 및 직선 중 적어도 어느 하나를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(9) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (5), wherein the outline of the connection-type ohmic electrode, the reinforcing portion, and the branch electrode comprises at least one of a curve and a straight line without bending.

(10) 가지 전극은; 폭이 일정한 연장부; 그리고 연장부가 연결되며 연장부보나 폭이 큰 확장부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(10) the branched electrode comprises: An extension having a constant width; And an extension part connected to the extension part and having an extended part or a large width.

본 개시에 따른 반도체 발광소자에 의하면, 전류 통로에 흐르는 전류의 차이로 인한 문제에 있어서, 반도체 발광소자의 내구성이 향상된다.According to the semiconductor light emitting device of the present disclosure, the durability of the semiconductor light emitting device is improved in the problem caused by the difference in the current flowing in the current path.

또한, 금속에 의한 광흡수 손실이 감소한다.Also, the light absorption loss by the metal is reduced.

제1 반도체층(30), 활성층(40), 제2 반도체층(50), 제1 상부 전극(80)
제1 섬형 오믹 전극(82), 제1 연결형 오믹 전극(84), 제1 가지 전극(85)
보강부(87,77), 제2 상부 전극(70), 제2 섬형 오믹 전극(72),
제2 연결형 오믹 전극(74), 제2 가지 전극(75)The first semiconductor layer 30, the active layer 40, the second semiconductor layer 50, the first upper electrode 80,
The first island-shaped ohmic electrode 82, the first connected ohmic electrode 84, the first branched electrode 85,
The reinforcing portions 87 and 77, the second upper electrode 70, the second island-shaped ohmic electrode 72,
The second connection type Ohmic electrode 74, the second branched electrode 75,

Claims

In the semiconductor light emitting device,
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and a second semiconductor layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer to generate light by recombination of electrons and holes A plurality of semiconductor layers having active layers formed thereon;
A first electrode portion for supplying one of electrons and holes to the first semiconductor layer; a second electrode portion for supplying the other of the electrons and the holes to the second semiconductor layer; And
And an insulating reflection layer formed on the plurality of semiconductor layers and reflecting light from the active layer,
At least one of the first electrode portion and the second electrode portion includes:
An upper electrode formed on the insulating reflection layer;
An island type ohmic electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers under the insulating reflection layer, a connection type ohmic electrode, and a branch electrode extending from the connection type ohmic electrode; And
And an electrical connection for connecting the connection type ohmic electrode and the island-like ohmic electrode to the upper electrode through the insulating reflection layer,
Wherein the connection type ohmic electrode has a larger area than the island type ohmic electrode.

The method according to claim 1,
And a reinforcing portion formed integrally with the connection-type ohmic electrode and the branch electrode in a portion where the connection-type ohmic electrode and the branch electrode are connected.

The method according to claim 1,
As viewed from above, the branch electrodes extend outside the upper electrode,
Wherein the island-like ohmic electrode is farther from the edge of the upper electrode of the branch electrode side than the connection-type ohmic electrode.

The method of claim 2,
Wherein an outline of the connection-type ohmic electrode, the reinforcing portion, and the branch electrode is one of a curve and a straight line.

The method according to claim 1,
And an additional island-shaped ohmic electrode having a different area from that of the island-shaped ohmic electrode.

The method according to claim 1,
The first electrode portion includes:
A first upper electrode; And
A first connection type ohmic electrode, and a first branch electrode on the first semiconductor layer exposed by etching the second semiconductor layer and the active layer,
The second electrode portion includes:
A second upper electrode; And
A second island-shaped ohmic electrode, a second connected ohmic electrode, and a second branched electrode between the second semiconductor layer and the insulating reflection layer,
The first branched electrode extends below the second upper electrode and the second branched electrode extends below the first upper electrode. The first island-shaped ohmic electrode extends from the edge of the first upper electrode- And the second island-shaped ohmic electrode is farther from the edge of the second upper electrode than the second connection-type ohmic electrode.

delete