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KR101651219B1 - 반도체 와이어 그리드, 이를 구비한 디스플레이 장치, 및 디스플레이 장치의 제조 방법 - Google Patents

반도체 와이어 그리드, 이를 구비한 디스플레이 장치, 및 디스플레이 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR101651219B1
KR101651219B1 KR1020100003135A KR20100003135A KR101651219B1 KR 101651219 B1 KR101651219 B1 KR 101651219B1 KR 1020100003135 A KR1020100003135 A KR 1020100003135A KR 20100003135 A KR20100003135 A KR 20100003135A KR 101651219 B1 KR101651219 B1 KR 101651219B1
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Abstract

반도체 와이어 그리드, 이를 구비한 디스플레이 장치, 및 디스플레이 장치의 제조 방법이 개시된다.
개시된 디스플레이 장치는 인가 전압에 따라 전도도가 변하여 입사광의 편광률이 제어되는 반도체로 형성된 반도체 와이어 그리드와 상기 반도체 와이어 그리드의 상부 또는 하부에 구비된 편광판을 구비하여 계조를 표현할 수 있다.

Description

반도체 와이어 그리드, 이를 구비한 디스플레이 장치, 및 디스플레이 장치의 제조 방법{Semiconductor wire grid, display apparatus having the same and method of manufacturing display apparatus}
반도체로 형성된 와이어 그리드, 이를 구비한 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
많은 응용분야에서 광원에서 나온 광을 편리하게 제어하기 위하여 광의 편광 특성을 이용한다. 예를 들어 액정 패널을 이용한 액정 디스플레이 장치의 경우, 액정 패널은 액정분자가 직선편광의 편광방향을 변화시킴으로써 빛을 통과시키거나 차단하는 셔터 기능을 수행한다. 액정 디스플레이 장치는 편광 방향이 직교하는 제1 및 제2 편광판과 그 사이에 구비된 액정층을 포함하고, 각 화소마다 TFT(Thin Film Transistor)를 구비한다. TFT의 스위칭 동작에 따라 각 화소마다 전압의 on-off가 제어된다. 예를 들어, 화소에 전압이 on 되었을 때, 액정 분자들이 일렬로 정렬되고, 입사광은 그 편광 방향이 변하지 않고 액정층을 통과하여 제2 편광판에 의해 차단된다. 화소에 전압이 off 되었을 때, 액정 분자들이 꼬이게 배열되고, 입사광은 그 편광 방향이 액정 분자 배열을 따라 변하면서 액정층을 통과하여 제2 편광판을 통과한다. 즉, 액정이 꼬여 있으면 화이트가 표시되고, 액정의 꼬임이 풀려 있으면 블랙이 표시된다.
반도체로 형성된 와이어 그리드를 제공한다.
반도체 와이어 그리드를 구비하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치를 제공한다.
반도체 와이어 그리드를 구비한 디스플레이 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 와이어 그리드는, 기판; 상기 기판에 서로 이격되게 배열되고, 반도체로 형성된 와이어; 상기 와이어들 사이에 구비된 그루브;를 포함하고, 상기 와이어에 인가되는 전압의 크기에 따라 상기 와이어의 전도도가 변하여 편광률이 제어될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 와이어는 C, Si, SiGe, GaN, GaAs, InSb, InP, CdS로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 와이어는 산화물 반도체 또는 유기 반도체를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 와이어는 탄소 나노 튜브 또는 그래핀을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 백라이트 유닛; 상기 백라이트 유닛 상부에 구비된 것으로, 인가 전압에 따라 전도도가 변하여 입사광의 편광률이 제어되는 반도체로 형성된 반도체 와이어 그리드; 상기 반도체 와이어 그리드의 상부 또는 하부에 구비된 편광판;을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 반도체 와이어 그리드의 상부에 반도체 와이어 그리드에 전압을 인가하는 화소 전극이 구비될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 화소 전극을 스위칭하는 박막 트랜지스터가 더 구비될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 반도체 와이어 그리드는 상기 박막 트랜지스터의 채널층과 같은 재질로 형성될 수 있다.
상기 반도체 와이어 그리드가 n형 반도체로 형성될 수 있다.
상기 화소 전극에 양의 전압이 인가될 때, 상기 반도체 와이어 그리드가 편광 동작을 하고, 양의 전압의 크기가 클수록 편광률이 증가하며, 상기 화소 전극에 음의 전압이 인가될 때, 상기 반도체 와이어 그리드가 편광 동작을 하지 않을 수 있다.
상기 반도체 와이어 그리드가 p형 반도체로 형성될 수 있다.
상기 화소 전극에 음의 전압이 인가될 때, 상기 반도체 와이어 그리드가 편광 동작을 하고, 음의 전압의 절대값이 클수록 편광률이 증가하며, 상기 화소 전극에 양의 전압이 인가될 때, 상기 반도체 와이어 그리드가 편광 동작을 하지 않을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극과 기판 상에 절연층을 적층하는 단계; 상기 절연층 위에 채널층과, 반도체 와이어가 이격되게 배열된 반도체 와이어 그리드를 패터닝하는 단계; 상기 채널층의 양측에 서로 이격되게 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 와이어 그리드는 인가되는 전압을 변경하여 와이어 그리드의 전도도를 조절함으로써 빛의 편광 상태를 제어할 수 있다. 반도체 와이어 그리드는 편광 작용과 함께 편광량을 제어할 수 있다. 따라서, 반도체 와이어 그리드를 구비한 디스플레이 장치는 액정층 없이 계조 표현을 할 수 있다.
또한, 반도체 와이어 그리드를 구비한 디스플레이 장치는 반도체 공정을 이용하여 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 1에 도시된 디스플레이 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구동 소자를 개략적으로 도시한 것이다.
도 5는 도 4의 A-A 단면도이다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 와이어 그리드, 이를 구비한 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 광을 조사하는 백라이트 유닛(10)과, 상기 백라이트 유닛(10)으로부터의 광의 편광률을 제어할 수 있도록 반도체로 형성된 반도체 와이어 그리드(12)를 포함한다.
상기 백라이트 유닛(10)은 복수의 광원을 포함할 수 있다. 백라이트 유닛(10)은 광원의 배치 형태에 따라서 직하형(direct light type)과, 측광형(edge light type)으로 분류될 수 있다. 직하형은 광원이 상기 반도체 와이어 그리드(12)의 아래에 설치되어 광을 디스플레이 장치에 직접 조사하는 방식이고, 측광형은 광을 도광판(미도시)을 통해 반도체 와이어 그리드(12)에 조사하는 방식이다. 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는 직하형과 측광형 양쪽에 적용 가능하다. 도 1에서는 직하형을 도시한 것이다. 상기 광원으로는 예를 들어, LED(Light Emitting Diode), OLED(Organic Light Emitting Diode), CCFL(Cool Cathode Fluorescent Light) 등이 사용될 수 있다.
상기 반도체 와이어 그리드(12)는 기판(12a) 상에 와이어(12b)가 소정 간격으로 이격되게 배열되어 형성될 수 있다. 상기 와이어 그리드(12)는 와이어의 배열 주기가 입사광의 파장보다 작을 수 있다. 상기 기판(12a)은 와이어(12b)와 별도의 몸체로 구비될 수 있다. 상기 와이어와 와이어 사이에는 그루브(12c)가 구비될 수 있다. 상기 와이어(12b)는 반도체로 형성된다. 예를 들어, 상기 와이어(12b)는 3족, 4족, 5족 반도체 또는 이들의 화합물을 포함할 수 있다. 상기 와이어(12b)는 예를 들어, C, Si, SiGe, GaN, GaAs, InSb, InP, CdS로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 와이어(12b)는 산화물 반도체 또는 유기 반도체를 포함할 수 있다. 산화물 반도체는 예를 들어 Zinc Oxide, Tin Oxide, GaInZn Oxide, InZn Oxide 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 또는, 상기 와이어(12b)는 탄소 나노 튜브(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀(Graphene)을 포함할 수 있다.
상기 반도체 와이어 그리드(12)는 인가되는 전압 값에 따라 전도도가 변할 수 있다. 상기 반도체 와이어 그리드(12)의 전도도가 변할 때, 반도체 와이어 그리드를 통과하는 광의 편광률이 달라질 수 있다. 와이어 그리드가 편광자로 작용하는 것에 대해서는 이미 널리 알려져 있다. 예를 들어, 와이어 그리드가 입사광 중 제1편광의 광만을 투과시키는 작용을 할 수 있다. 그런데, 상기 반도체 와이어 그리드(12)는 편광자로 작용하는 것 뿐만 아니라 전도도를 변화시켜 편광률을 제어할 수 있다. 편광률은 예를 들어 입사광 중 제1편광의 광을 투과시키고 제2편광의 광을 차단하는 정도를 나타낸다. 와이어 그리드의 전도도가 높으면 제1편광의 광의 투과율이 높고 제2 편광의 광의 투과율이 낮아 편광자로서의 기능이 증가되고, 와이어 그리드의 전도도가 낮으면 제1 편광의 광과 제2 편광의 광이 함께 투과되어 편광자로서의 기능이 감소될 수 있다.
상기 반도체 와이어 그리드(12) 상부에 편광판(18)이 구비될 수 있다. 상기 편광판(18)은 예를 들어, 제2편광의 광을 투과시키고 나머지 광은 차단할 수 있다. 상기 제1편광 방향과 제2편광 방향은 직교할 수 있다. 상기 반도체 와이어 그리드(12)와 편광판(18) 사이에 상기 반도체 와이어 그리드(12)에 전압을 인가하기 위한 화소 전극(14)이 더 구비될 수 있다. 하지만, 반도체 와이어 그리드(12)에 전압을 인가하기 위한 전극은 여기에 한정되는 것은 아니다. 한편, 상기 화소전극(14)의 상부에 칼라필터(16)가 더 구비될 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치를 도시한 것이다. 도 2에 도시된 디스플레이 장치는 도 1에 도시된 것과 비교할 때 편광판의 위치가 변경되었다. 도 2에 도시된 디스플레이 장치는 백라이트 유닛(20), 상기 백라이트 유닛(20)의 상부에 구비된 편광판(22) 및 상기 편광판(22) 위에 구비된 반도체 와이어 그리드(24)를 포함할 수 있다. 상기 반도체 와이어 그리드(24)의 상부에 화소 전극(26)이 구비되고, 상기 화소 전극(26) 상부에 칼라 필터(28)가 구비될 수 있다.
도 1에 도시된 디스플레이 장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.
반도체 와이어 그리드(12)가 편광자로 동작하도록 하는 전압을 V0이라고 할 때, 도 3a는 반도체 와이어 그리드(12)에 V0과 같거나 큰 제1전압(V1)를 인가한 경우를 도시한 것이다. 반도체 와이어 그리드(12)에 제1전압이 인가될 때 반도체 와이어 그리드(12)의 전도도가 커져 반도체 와이어 그리드(12)가 편광 작용을 한다. 백라이트 유닛(10)에서 무편광의 광이 조사되고, 반도체 와이어 그리드(12)에 의해 제1편광의 광, 예를 들어 P 편광이 투과되어 편광판(16)에 입사된다. 상기 편광판(18)은 제2편광의 광, 예를 들어 S편광을 투과시키므로 제1편광의 광은 상기 편광판(18)에서 차단된다. 따라서, 도 3a에 도시된 경우는 빛이 통과되지 않아 블랙이 표시된다.
도 3b는 V0보다 작은 제2전압(V2)이 반도체 와이어 그리드(12)에 인가될 때를 도시한 것으로, 제1전압이 인가되는 경우에 비해 반도체 와이어 그리드(12)의 편광률이 감소되어 백라이트 유닛(10)으로부터의 무편광의 광 중 제1편광과 함께 제2편광의 일부 광이 반도체 와이어 그리드(12)를 통과한다. 그리고, 편광판(18)에 의해 제2편광의 일부 광만이 투과된다.
도 3c는 V2보다 작은 제3전압(V3)이 반도체 와이어 그리드(12)에 인가될 때를 도시한 것으로, 전압이 감소할수록 반도체 와이어 그리드(12)의 편광률이 감소하고 반도체 와이어 그리드(12)가 편광 동작을 하지 않게 될 때가 있다. 이 경우에는 백라이트 유닛(10)으로부터의 광이 편광되지 않고 반도체 와이어 그리드(12)를 통과한다. 그리고, 상기 반도체 와이어 그리드(12)를 통과한 광은 편광판(18)에 의해 제2편광의 광이 투과되어 화이트가 표시된다.
상기한 바와 같이 반도체 와이어 그리드(12)에 인가되는 전압의 양을 조절하여 반도체 와이어 그리드(12)의 편광률을 제어함으로써 계조를 표현할 수 있다. 그리고, 칼라 필터를 통해 다양한 칼라를 표시함으로써 칼라 영상을 표시할 수 있다.
도 2에 도시된 디스플레이 장치는 백라이트 유닛(20)으로부터의 광을 편광판(22)에 의해 제1편광의 광을 투과시키고, 반도체 와이어 그리드(24)에 인가하는 전압을 조절하여 제1편광의 광의 투과율을 제어함으로써 계조를 표현할 수 있다. 이와 같이 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치는 액정층 없이 계조를 표현하는 것이 가능하여 생산 단가를 줄일 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구동 소자의 일 예를 도시한 것이고, 도 5는 도 4의 A-A 단면도이다.
반도체 와이어 그리드(75) 위에 화소 전극(80)이 구비되고, 상기 화소 전극(80)은 박막 트랜지스터(TFT:Thin Film Transistor)에 의해 스위칭될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 도 5를 참조하면, 기판(40), 상기 기판(40) 위에 구비된 게이트 전극(53), 상기 게이트 전극(53) 위에 구비된 절연층(54)을 포함한다. 상기 기판(40)은 투명 기판으로, 예를 들어 유리 기판 또는 투명한 플라스틱 기판이 사용될 수 있다. 상기 절연층(54)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다. 상기 절연층(54) 위에 채널층(55)이 구비되고, 상기 채널층(55)의 일측에 소스 전극(65)이, 타측에 드레인 전극(70)이 서로 이격되게 배치될 수 있다. 상기 채널층(55)은 투명한 산화물 반도체로 이루어질 수 있다. 산화물 반도체는 예를 들어, Zinc Oxide, Tin Oside, Ga-In-Zn Oxide, In-Zn Oxide, In-Sn Oxide 및 이들 물질에 Al, Ni, Cu, Ta, Hf 또는 Ti를 도핑한 물질 중 하나를 포함할 수 있다. 하지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. 상기 절연층(54) 위에는 채널층(55)과 함께 반도체 와이어 그리드(75)가 구비될 수 있다. 상기 반도체 와이어 그리드(75)는 앞서 설명한 바와 같이 반도체 물질로 형성될 수 있다. 상기 반도체 와이어 그리드(75)는 채널층(55)과 같은 물질로 형성될 수 있으며, 또는 서로 다른 물질로 형성되는 것도 가능하다.
상기 소스 전극(65), 드레인 전극(70), 와이어 그리드(75)를 덮는 보호층(passivation layer)(77)이 구비될 수 있다. 상기 보호층(77)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 또는 유기 절연체를 포함할 수 있다. 하지만, 여기에 한정되는 것은 아니다. 여기서, 상기 보호층(77)은 상기 드레인 전극(70)의 일부가 노출되도록 비아홀(73)을 포함할 수 있다. 상기 화소 전극(80)은 상기 비아홀(73)을 통해 드레인 전극(70)에 연결될 수 있다. 상기 화소 전극(80)은 상기 반도체 와이어 그리드(75)의 상부에까지 연장되어 구비된다.
상기 게이트 전극(53)은 게이트 라인(50)에 연결되며, 상기 소스 전극(65)은 데이터 라인(60)에 연결될 수 있다. 화소 전극(80)의 일측에 캐패시터 전극(85)이 구비되어 상기 게이트 라인(50)의 스캐닝 동안 화소 전극에 인가된 전압을 유지시켜준다.
상기 게이트 전극(53)에 전압이 인가되면 채널층(55) 하부에 전하가 유도된다. 예를 들어, 게이트 전극에 문턱 전압(threshold voltage) 이하의 전압이 인가되면 채널층에 이동 가능한 전하(mobile carrier)가 여기되지 않아 소스-드레인 전극에 바이어스 전압을 걸어주어도 전류가 흐르지 않으며, 드레인 전극에 연결된 화소 전극에 전류가 흐르지 않게 된다. 이 상태가 박막 트랜지스터의 off 상태이다.
게이트 전극에 문턱 전압 이상의 전압이 인가되면 이동 가능한 전하가 채널층에 여기되고, 이때 소스-드레인 전극에 바이어스 전압을 걸어주면 전하가 이동하여 화소 전극(80)에 전압이 인가되면 반도체 와이어 그리드(75)에 전하가 유기된다. 이 상태가 박막 트랜지스터의 on 상태일 수 있다. 화소 전극에 인가되는 전압이 증가할수록 유기되는 전하량이 증가하여 반도체 와이어 그리드의 전도도가 증가하여 편광률이 증가될 수 있다. 반도체 와이어 그리드의 편광률이 증가할수록 편광판을 통과하는 광이 감소되어 계조가 표현될 수 있다.
반도체 와이어 그리드가 완전한 편광자로 동작하는데 필요한 전압(또는 전도도)와 이에 대응하여 화소 전극에 인가되는 전압은 반도체 와이어 그리드를 형성하는 물질에 따라 달라질 것이다. 예를 들어, 반도체 와이어 그리드가 편광자로 동작하도록 하는 화소 전극의 전압을 V0이라고 할 때, 화소 전극의 전압이 V0이면 블랙을, V0보다 작으면 중간 밝기, 와이어 그리드의 문턱 전압(threshold voltage) 이하의 전압이 인가되면 화이트를 표시할 수 있다.
예를 들어, 반도체 와이어 그리드가 n형 반도체로 형성될 때, 화소 전극에 양(+)의 전압이 인가되면, 이에 대응하여 반도체 와이어 그리드에서 전자가 유기되어 전도도가 높아진다. 화소 전극에 인가되는 (+)전압이 증가할수록 유기되는 전자가 증가하여 반도체 와이어 그리드의 전도도가 증가하고, 전도도가 증가할수록 편광판(도 1의 16)을 통과하는 광량이 줄어들어 계조를 표현할 수 있다. 그리고, 화소 전극에 음(-)의 전압이 인가되면, 반도체 와이어 그리드의 전도도가 낮아져서, 상기 편광판(16)을 통과하는 광량이 증가하여 화이트를 표시할 수 있다.
반도체 와이어 그리드가 p형 반도체로 형성될 때, 화소 전극에 음의 전압이 인가되면, 이에 대응하여 반도체 와이어 그리드에 정공이 유기되어 전도도가 높아질 수 있다. 화소 전극에 인가되는 전압의 절대값이 증가할수록 유기되는 정공이 증가하여 반도체 와이어 그리드의 전도도가 증가하고, 전도도가 증가할수록 편광판(16)을 통과하는 광량이 줄어들어 계조를 표현할 수 있다. 그리고, 화소 전극에 양(+)의 전압이 인가되면, 반도체 와이어 그리드의 전도도가 낮아져서, 상기 편광판(16)을 통과하는 광량이 증가하여 화이트를 표시할 수 있다.
다음, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 6a를 참조하면, 기판(100) 상에 금속층을 증착한 다음 패터닝하여 게이트 전극(103)을 형성한다. 상기 기판(100)은 유리 기판 또는 투명한 플라스틱 기판일 수 있다. 도 6b에 도시된 바와 같이 상기 기판(100)과 게이트 전극(103) 위에 절연층(105)을 증착한다. 상기 절연층(105)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물로 형성될 수 있다. 상기 절연층(105) 위에 반도체층을 증착한 다음 패터닝하여 채널층(110)과 반도체 와이어 그리드(115)를 형성할 수 있다. 채널층과 반도체 와이어 그리드가 서로 다른 반도체 물질로 형성될 수도 있다. 이때에는, 제1 반도체 물질을 증착하고, 채널층을 형성한 후, 제2 반도체 물질을 증착하여 반도체 와이어 그리드를 형성할 수 있다. 또는 이와 반대 순서로 반도체 와이어 그리드를 먼저 형성하고, 그 다음에 채널층을 형성할 수 있다. 도 6c를 참조하면, 상기 채널층(110)의 일측에 소스 전극(118)을, 타측에 드레인 전극(120)을 패터닝한다. 그리고, 도 6d에 도시된 바와 같이 상기 소스 전극, 드레인 전극과 반도체 와이어 그리드(115)를 덮도록 보호층(122)을 증착한다. 상기 보호층(122)을 패터닝하여 비아홀(123)을 형성한다. 도 6e를 참조하면, 도 6d에 도시된 상부층에 투명 전극을 증착한 다음 패터닝하여 화소 전극(125)을 형성한다. 상기 화소 전극(125)은 상기 비아홀(123)을 통해 드레인 전극(120)에 접촉하며 상기 반도체 와이어 그리드(115)의 상부에 위치할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은 반도체 공정을 통해 채널층과 반도체 와이어 그리드를 같은 층에 형성할 수 있어 제조 공정이 간단하다.
상기한 실시예들은 예시적인 것에 불과한 것으로, 당해 기술분야의 통상을 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 하기의 특허청구범위에 기재된 발명의 기술적 사상에 의해 정해져야만 할 것이다.
10,20...백라이트 유닛 12,24,75...반도체 와이어 그리드
16,28...칼라 필터, 18,22...편광판
14,26,80...화소 전극, 53...게이트 전극
54...절연층, 55...채널층
60...데이터 라인 65...소스 전극
70...드레인 전극

Claims (21)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 백라이트 유닛;
    상기 백라이트 유닛 상부에 구비된 것으로, 인가 전압에 따라 전도도가 변하여 입사광의 편광률이 제어되는 반도체로 형성된 반도체 와이어 그리드;
    상기 반도체 와이어 그리드의 상부 또는 하부에 구비된 편광판;
    상기 반도체 와이어 그리드의 상부에 구비된 것으로, 반도체 와이어 그리드에 전압을 인가하는 화소 전극;;
    상기 화소 전극을 스위칭하는 박막 트랜지스터;를 포함하는 디스플레이 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 반도체 와이어 그리드는 C, Si, SiGe, GaN, GaAs, InSb, InP, CdS로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 디스플레이 장치.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 반도체 와이어 그리드는 산화물 반도체 또는 유기 반도체를 포함하는 디스플레이 장치.
  8. 제5 항에 있어서,
    상기 반도체 와이어 그리드는 탄소 나노 튜브 또는 그래핀을 포함하는 디스플레이 장치.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제5 항에 있어서,
    상기 반도체 와이어 그리드는 상기 박막 트랜지스터의 채널층과 같은 재질로 형성되는 디스플레이 장치.
  12. 제 5항에 있어서,
    상기 반도체 와이어 그리드가 n형 반도체로 형성되는 디스플레이 장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 화소 전극에 양의 전압이 인가될 때, 상기 반도체 와이어 그리드가 편광 동작을 하고, 양의 전압의 크기가 클수록 편광률이 증가하며, 상기 화소 전극에 음의 전압이 인가될 때, 상기 반도체 와이어 그리드가 편광 동작을 하지 않는 디스플레이 장치.
  14. 제 5항에 있어서,
    상기 반도체 와이어 그리드가 p형 반도체로 형성되는 디스플레이 장치.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 화소 전극에 음의 전압이 인가될 때, 상기 반도체 와이어 그리드가 편광 동작을 하고, 음의 전압의 절대값이 클수록 편광률이 증가하며, 상기 화소 전극에 양의 전압이 인가될 때, 상기 반도체 와이어 그리드가 편광 동작을 하지 않는 디스플레이 장치.
  16. 제5 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 와이어 그리드가, 기판, 상기 기판에 서로 이격되게 배열되고, 반도체로 형성된 와이어, 및 상기 와이어들 사이에 구비된 그루브를 포함하는 디스플레이 장치.
  17. 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극과 기판 상에 절연층을 적층하는 단계;
    상기 절연층 위에 채널층과, 반도체 와이어가 이격되게 배열된 반도체 와이어 그리드를 패터닝하는 단계;
    상기 채널층의 양측에 서로 이격되게 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;
    상기 드레인 전극에 접촉하고 상기 반도체 와이어 그리드 상부를 덮도록 화소 전극을 패터닝하는 단계; 및
    상기 화소 전극을 스위칭하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 반도체 와이어 그리드는 C, Si, SiGe, GaN, GaAs, InSb, InP, CdS로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 반도체 와이어 그리드는 산화물 반도체 또는 유기 반도체를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 반도체 와이어 그리드는 탄소 나노 튜브 또는 그래핀을 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  21. 삭제
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