KR101708818B1

KR101708818B1 - Apparatus and method for preventing marking position change of wafer in wafer marking process using laser, and wafer marking apparatus and method using laser

Info

Publication number: KR101708818B1
Application number: KR1020150018882A
Authority: KR
Inventors: 김수영; 김경태; 문제호
Original assignee: 주식회사 이오테크닉스
Priority date: 2015-02-06
Filing date: 2015-02-06
Publication date: 2017-03-08
Anticipated expiration: 2035-02-06
Also published as: KR20160097053A

Abstract

레이저를 이용한 웨이퍼 마킹 공정에서 웨이퍼의 마킹 위치 변동을 방지하는 장치 및 방법과, 레이저를 이용한 웨이퍼 마킹 장치 및 방법이 개시된다. 개시된 웨이퍼의 마킹 위치 변동을 방지하는 장치는 상기 웨이퍼가 안착되는 홀더 삽입부를 포함하고, 소정 형상의 타겟 패턴(target pattern)이 형성되어 있는 웨이퍼 홀더(wafer holder)와, 상기 웨이퍼 홀더의 주위에서 제1 및 제2 방향으로 이동가능하게 설치된 스테이지(stage);와, 상기 스테이지에 장착되어 상기 웨이퍼의 위치 및 상기 타겟 패턴의 위치를 측정하는 카메라;를 포함한다. Disclosed is an apparatus and method for preventing a marking position variation of a wafer in a wafer marking process using a laser, and a wafer marking apparatus and method using a laser. An apparatus for preventing a marking position variation of a disclosed wafer includes a wafer holder including a holder insertion portion on which the wafer is seated and having a target pattern of a predetermined shape formed thereon, And a camera mounted on the stage to measure a position of the wafer and a position of the target pattern.

Description

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and a method for preventing a marking position variation of a wafer in a wafer marking process using a laser and a wafer marking apparatus and method using a laser, and method using laser}

본 발명은 웨이퍼의 마킹에 관한 것으로, 상세하게는 레이저를 이용하여 웨이퍼를 칩 스케일로 마킹하는 공정에서 카메라의 위치가 틀어짐으로써 웨이퍼의 마킹 위치가 변동되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법과, 레이저를 이용한 웨이퍼 마킹 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to marking of wafers, and more particularly, to an apparatus and a method for preventing marking positions of wafers from being changed due to positional errors of a camera in a process of marking wafers on a chip scale using a laser, To a wafer marking apparatus and method using the wafer marking apparatus.

종래에는 레이저를 이용하여 웨이퍼(wafer)에 칩(chip) 단위로 문자나 이미지를 마킹할 때, 카메라로 획득한 웨이퍼 전면(front surface)의 영상으로부터 정렬의 기준이 되는 실제 가공라인 교차점의 위치 정보를 계산한 다음, 이를 미리 설정된 기준 가공라인 교차점의 위치 정보와 비교함으로써 실제 웨이퍼 칩들의 정확한 위치 및 각도를 구하였다. 그리고, 칩 사이즈에 대한 정보를 이용하여 마킹하고자 하는 문자나 숫자 또는 이미지 등의 개별 위치를 계산함으로써 마킹작업을 수행하였다. 그러나, 웨이퍼의 실제 위치 정보를 계산하는데 기준이 되는 카메라의 위치가 틀어지게 되면 웨이퍼의 위치 계산에 있어 오차가 발생하게 되고, 이러한 오차의 발생은 마킹 품질을 떨어드릴 염려가 있다.Conventionally, when a character or an image is marked on a wafer by a laser by using a laser, position information of an actual machining line intersection as a reference for alignment from the image of the front surface of the wafer acquired by the camera And then compares it with the positional information of the preset reference line intersection point to obtain the exact position and angle of the actual wafer chips. The marking operation is performed by calculating the individual positions of characters, numbers, or images to be marked by using information on the chip size. However, if the position of the camera, which serves as a reference for calculating the actual position information of the wafer, is changed, an error occurs in the calculation of the position of the wafer. Such occurrence of errors may deteriorate the marking quality.

본 발명의 예시적인 실시예는 레이저를 이용하여 웨이퍼를 칩 스케일로 마킹하는 공정에서 카메라의 위치가 틀어짐으로써 웨이퍼의 마킹 위치가 변동되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법과, 레이저를 이용한 웨이퍼 마킹 장치 및 방법을 제공한다.An exemplary embodiment of the present invention is directed to an apparatus and method that can prevent a marking position of a wafer from being changed due to a camera position being changed in a process of marking a wafer on a chip scale using a laser, And methods.

일 측면에 있어서, In one aspect,

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레이저를 이용하여 웨이퍼를 마킹하는 방법에 있어서,A method of marking a wafer using a laser,

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웨이퍼를 웨이퍼 홀더에 안착시키는 단계;Placing the wafer on a wafer holder;

이동가능하게 설치된 스테이지에 장착된 카메라를 이용하여 상기 웨이퍼의 위치 정보를 획득하는 단계; 및Acquiring positional information of the wafer using a camera mounted on a movable stage; And

상기 카메라로 획득한 상기 웨이퍼의 위치 정보를 이용하여 상기 웨이퍼의 위치 변동 여부를 검출하는 단계의 수행 여부를 결정하는 단계;를 포함하는 웨이퍼의 마킹방법이 제공된다.And determining whether to perform the step of detecting whether the position of the wafer is changed using the position information of the wafer obtained by the camera.

상기 웨이퍼 홀더는 상기 웨이퍼가 안착되는 홀더 베이스를 포함하며, 상기 홀더 베이스의 일면에는 타겟 패턴이 형성될 수 있다. The wafer holder includes a holder base on which the wafer is placed, and a target pattern may be formed on one surface of the holder base.

상기 웨이퍼의 위치 정보를 획득하는 단계는, 상기 웨이퍼의 기준 위치를 설정하는 단계; 상기 카메라를 이용하여 상기 웨이퍼의 실제 위치를 측정하는 단계; 및 상기 웨이퍼의 기준 위치와 상기 웨이퍼의 실제 위치의 차이를 계산하는 단계;를 포함할 수 있다. The step of acquiring positional information of the wafer may include: setting a reference position of the wafer; Measuring an actual position of the wafer using the camera; And calculating a difference between a reference position of the wafer and an actual position of the wafer.

상기 웨이퍼의 기준 위치는 상기 웨이퍼 상의 제1 및 제2 기준점에 대해 설정되며, 상기 웨이퍼의 실제 위치는 상기 제1 및 제2 기준 위치에 대응하는 상기 웨이퍼 상의 제1 및 제2 측정점에 대해 측정될 수 있다. 상기 제1 및 제2 기준점과 상기 제1 및 제2 측정점을 이용하여 상기 웨이퍼의 실제 위치에 있는 칩들의 위치 및 각도가 계산될 수 있다. The reference position of the wafer is set for the first and second reference points on the wafer and the actual position of the wafer is measured for the first and second measurement points on the wafer corresponding to the first and second reference positions . The positions and angles of the chips at the actual position of the wafer can be calculated using the first and second reference points and the first and second measurement points.

상기 웨이퍼의 기준 위치와 상기 웨이퍼의 실제 위치의 차이가 허용범위 이내이면 상기 웨이퍼의 위치 변동 여부를 검출하는 단계가 수행될 수 있다. 여기서, 상기 웨이퍼의 위치 변동 여부를 검출하는 단계는, 상기 타겟 패턴의 기준 위치를 설정하는 단계; 상기 카메라를 이용하여 상기 타겟 패턴의 실제 위치를 측정하는 단계; 및 상기 설정된 타겟 패턴의 기준 위치와 상기 측정된 타겟 패턴의 실제 위치 사이의 차이를 계산하여 웨이퍼 마킹 작업의 수행 여부를 결정하는 단계;를 포함할 수 있다. A step of detecting whether the position of the wafer is changed may be performed if the difference between the reference position of the wafer and the actual position of the wafer is within the allowable range. Here, the step of detecting whether the position of the wafer varies may include: setting a reference position of the target pattern; Measuring an actual position of the target pattern using the camera; And determining whether to perform a wafer marking operation by calculating a difference between a reference position of the set target pattern and an actual position of the measured target pattern.

상기 타겟 패턴의 기준 위치와 상기 타겟 패턴의 실제 위치 사이의 차이가 허용 범위 이내이면 웨이퍼 마킹 작업을 수행하는 단계가 포함될 수 있다. 한편, 상기 타겟 패턴의 기준 위치와 상기 타겟 패턴의 실제 위치 사이의 차이가 허용 범위를 넘으면 사용자에게 이를 경고하는 단계가 포함될 수 있다. 그리고, 상기 웨이퍼의 기준 위치와 상기 웨이퍼의 실제 위치의 차이가 허용범위를 넘으면 사용자에게 이를 경고하는 단계가 수행될 수 있다. And performing a wafer marking operation when the difference between the reference position of the target pattern and the actual position of the target pattern is within an allowable range. If the difference between the reference position of the target pattern and the actual position of the target pattern exceeds the allowable range, the step of informing the user of the difference may be included. If the difference between the reference position of the wafer and the actual position of the wafer exceeds the allowable range, a step of warning the user may be performed.

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본 발명의 예시적인 실시예들에 의하면, 레이저를 이용하여 웨이퍼를 칩 스케일로 마킹하는 공정에서 웨이퍼 홀더의 홀더 베이스에 소정의 타겟 패턴을 형성하고, 이 타겟 패턴의 실제 위치를 스테이지에 장착된 카메라를 이용하여 주기적으로 측정한다. 그리고, 이렇게 측정된 타겟 패턴의 실제 위치와 미리 설정된 타겟 패턴의 기준 위치를 비교함으로써 스테이지에 장착된 카메라의 위치가 틀어졌는지 여부를 알 수 있게 된다. 따라서, 레이저를 이용하여 칩 스케일로 마킹 작업을 수행할 때 스테이지에 장착된 카메라의 위치가 틀어짐으로써 웨이퍼의 마킹 위치가 변동되는 것을 사전에 방지할 수 있다. According to exemplary embodiments of the present invention, a predetermined target pattern is formed on a holder base of a wafer holder in a process of marking a wafer on a chip scale using a laser, and the actual position of the target pattern is detected by a camera To measure periodically. By comparing the measured actual position of the target pattern and the reference position of the preset target pattern, it is possible to know whether or not the position of the camera mounted on the stage is changed. Therefore, when the marking operation is performed on the chip scale using the laser, the position of the camera mounted on the stage is changed, thereby preventing the marking position of the wafer from being changed in advance.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 웨이퍼의 마킹 위치 변동을 방지하는 장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 홀더를 확대하여 도시한 것이다.
도 3은 도 1에 도시된 타겟 패턴을 확대하여 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 웨이퍼의 마킹 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 웨이퍼의 마킹 방법을 나타낸 도면들이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a plan view showing an apparatus for preventing marking position variation of a wafer according to an exemplary embodiment of the present invention.
Fig. 2 is an enlarged view of the wafer holder shown in Fig.
Fig. 3 is an enlarged view of the target pattern shown in Fig.
4 is a flowchart illustrating a method of marking a wafer according to another exemplary embodiment of the present invention.
5 to 7 are views showing a method of marking a wafer according to another exemplary embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 아래에 예시되는 실시예는 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니며, 본 발명을 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments illustrated below are not intended to limit the scope of the invention, but rather are provided to illustrate the invention to those skilled in the art. In the drawings, like reference numerals refer to like elements, and the size and thickness of each element may be exaggerated for clarity of explanation.

도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 웨이퍼의 마킹 위치 변동을 방지하는 장치를 도시한 평면도이다. 그리고, 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 홀더를 확대하여 도시한 것이며, 도 3은 도 1에 도시된 타겟 패턴을 확대하여 도시한 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a plan view showing an apparatus for preventing marking position variation of a wafer according to an exemplary embodiment of the present invention. Fig. 2 is an enlarged view of the wafer holder shown in Fig. 1, and Fig. 3 is an enlarged view of the target pattern shown in Fig.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 웨이퍼의 마킹 위치 변동 방지장치(100)는 레이저를 이용하여 웨이퍼(W)를 마킹 공정할 때 카메라(130)가 틀어짐으로써 웨이퍼(W)의 마킹 위치가 변동하는 것을 방지한다. 이러한 마킹 위치 변동 방지장치(100)는 웨이퍼(W)가 수용하는 웨이퍼 홀더(wafer holder,110)와, 웨이퍼 홀더(110) 주위에 이동가능하게 설치된 스테이지(stage,120)와, 스테이지(120)에 장착된 카메라(130)를 포함한다.1 to 3, an apparatus 100 for preventing mark position fluctuation of a wafer according to an embodiment of the present invention detects the position of the wafer W when the camera 130 is turned when the wafer W is marked using a laser, Thereby preventing the marking position from fluctuating. The marking position variation preventing apparatus 100 includes a wafer holder 110 accommodated in a wafer W, a stage 120 movably installed around the wafer holder 110, And a camera 130 mounted on the camera.

웨이퍼 홀더(110)는 마킹 공정을 수행하고자 하는 웨이퍼(W)가 적재되는 것으로, 홀더 베이스(holder base,111)를 포함한다. 여기서, 홀더 베이스(111)의 중앙부에는 웨이퍼(W)가 안착되는 홀더 삽입부(112)가 관통되어 있다. 이러한 홀더 삽입부(112)는 마킹하고자 하는 웨이퍼(W)에 대응하는 크기로 형성되어 있다. 그리고, 홀더 삽입부(112)의 내측에는 웨이퍼(W)의 지지를 가이드하기 위한 적어도 하나의 웨이퍼 가이드(113)가 마련되어 있다. The wafer holder 110 includes a holder base 111 on which a wafer W to be subjected to a marking process is loaded. Here, a holder insertion portion 112 through which the wafer W is seated is passed through the center of the holder base 111. The holder inserting portion 112 has a size corresponding to the wafer W to be marked. At least one wafer guide 113 for guiding the support of the wafer W is provided on the inner side of the holder inserting portion 112.

홀더 베이스(111)의 일면(도 1에서는 상면)에는 타겟 패턴(target pattern, 114)이 형성되어 있다. 이러한 타겟 패턴(114)은 홀더 베이스(111) 일면의 가장자리 부분에 형성될 수 있다. 하지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 타겟 패턴(114)이 형성되는 위치는 다양하게 변형될 수 있다. 이 타겟 패턴(114)은 홀더 베이스(111)의 일면을 소정 깊이로 식각(etching)함으로써 형성될 수 있다. 이러한 타겟 패턴(114)은 다양한 모양으로 형성될 수 있다. 도 5에는 타겟 패턴(114)이 십자형으로 형성되어 있는 경우가 예시적으로 도시되어 있으나, 이는 단지 예시적인 것으로 이외에도 다양한 형태로 형성될 수 있다. 또한, 이상에서는 홀더 베이스(111)에 하나의 타겟 패턴(114)이 형성된 경우가 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않고 타겟 패턴(114)의 개수도 다양하게 변형될 수 있다. A target pattern 114 is formed on one surface (upper surface in FIG. 1) of the holder base 111. The target pattern 114 may be formed at an edge portion of one side of the holder base 111. However, the present invention is not limited thereto, and the position where the target pattern 114 is formed may be variously modified. The target pattern 114 may be formed by etching a surface of the holder base 111 to a predetermined depth. The target pattern 114 may be formed in various shapes. FIG. 5 illustrates an example in which the target pattern 114 is formed in a cross shape, but it is merely exemplary and may be formed in various other forms. In the above description, one target pattern 114 is formed on the holder base 111. However, the present invention is not limited to this, and the number of the target patterns 114 may be variously modified.

스테이지(120)는 웨이퍼 홀더(110) 주위에 이동가능하게 설치될 수 있다. 구체적으로, 스테이지(120)는 웨이퍼 홀더(110) 주위에서 제1 및 제2 방향으로 이동가능하도록 설치될 수 있다. 예를 들면, 스테이지(120)는 웨이퍼(W)의 표면에 나란하고 서로 수직인 X 방향 및 Y 방향으로 움직이도록 설치된 X-Y 스테이지가 될 수 있다.The stage 120 may be movably installed around the wafer holder 110. Specifically, the stage 120 can be installed so as to be movable in the first and second directions around the wafer holder 110. For example, the stage 120 may be an X-Y stage arranged to move in the X and Y directions perpendicular to each other and on the surface of the wafer W. [

이러한 스테이지(120)에는 카메라(130)가 장착되어 있다. 카메라(130)는 스테이지(120)의 움직임에 따라 이동하면서 웨이퍼(W)의 위치 정보(보다 구체적으로는, 이미지 정보)를 획득하고, 또한 웨이퍼 홀더(110)에 형성된 타겟 패턴(114)의 위치 정보를 획득하게 된다. 이러한 카메라(130)는 촬상 소자로서 예를 들면, CCD(Charge Coupled Device)를 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. A camera 130 is mounted on the stage 120. The camera 130 obtains the positional information (more specifically, image information) of the wafer W while moving in accordance with the movement of the stage 120 and detects the position of the target pattern 114 formed on the wafer holder 110 Information is acquired. Such a camera 130 may include, for example, a CCD (Charge Coupled Device) as an image pickup device, but is not limited thereto.

한편, 스테이지(120)에 장착된 카메라(130)는 웨이퍼 마킹 작업 중이나 또는 시간이 경과함에 따라 그 위치가 틀어짐으로써 웨이퍼(W)의 실제 위치 계산에 있어 오차가 발생될 염려가 있다. 이 경우, 정확한 위치에 마킹 작업이 수행되지 못함으로써 마킹 품질이 떨어질 수 있다. 따라서, 이를 방지하기 위해서 본 발명에서는 웨이퍼 홀더(110)에 타겟 패턴(114)을 형성하고 이 타겟 패턴(114)의 위치를 카메라(130)가 주기적으로 측정함으로써 카메라(130)의 위치가 틀여졌는지 여부를 알 수 있다. 이러한 카메라(130)의 위치 틀어짐을 판별하기 위해 도면에는 도시되어 있지 않으나 웨이퍼(W)의 마킹 위치 변동 방지장치(100)에는 제어부가 마련될 수 있다. 여기서, 제어부는 카메라(130)에 의해 획득한 타겟 패턴(114)의 위치 정보와 제어부에 사전에 입력된 타겟 패턴(114)의 위치 정보를 비교함으로써 카메라(130)의 위치 틀어짐 정도를 검출할 수 있다. On the other hand, the camera 130 mounted on the stage 120 may have an error in calculation of the actual position of the wafer W during the wafer marking operation or when the position is changed as time elapses. In this case, the marking quality may be lowered due to failure to perform the marking operation at the correct position. In order to prevent this, in the present invention, the target pattern 114 is formed on the wafer holder 110 and the position of the target pattern 114 is periodically measured by the camera 130, Or not. Although not shown in the figure to discriminate the positional deviation of the camera 130, a control unit may be provided in the marking position variation prevention apparatus 100 of the wafer W. [ The control unit can detect the degree of positional shift of the camera 130 by comparing the positional information of the target pattern 114 acquired by the camera 130 with the positional information of the target pattern 114 previously input to the control unit have.

이를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.This will be described in detail as follows.

먼저, 웨이퍼 홀더(110)에 형성된 타겟 패턴(114)의 기준 위치를 설정한다. 이렇게 설정된 타겟 패턴(114)의 기준 위치에 대한 데이터는 제어부에 마련된 웨이퍼 마킹 작업의 수행을 위한 프로그램 내에 입력될 수 있다. 이어서, 스테이지(120)에 장착된 카메라(130)가 타겟 패턴(114)의 실제 위치를 측정한다. 카메라(130)는 이동가능하게 설치된 스테이지(120)에 장착되어 있으므로, 이 스테이지(120)의 움직임에 따라 카메라(130)가 타겟 패턴(114) 쪽으로 이동하여 타겟 패턴(114)의 실제 위치를 측정한다. 그리고, 이렇게 측정된 타겟 패턴(114)의 실제 위치에 대한 데이터는 제어부에 마련된 웨이퍼 마킹 작업의 수행을 위한 프로그램 내에 입력될 수 있다. First, the reference position of the target pattern 114 formed on the wafer holder 110 is set. The data on the reference position of the target pattern 114 thus set can be input into the program for carrying out the wafer marking operation provided in the control section. Then, the camera 130 mounted on the stage 120 measures the actual position of the target pattern 114. The camera 130 is moved to the target pattern 114 in accordance with the movement of the stage 120 and the actual position of the target pattern 114 is measured do. Data on the actual position of the target pattern 114 measured in this manner can be input into a program for carrying out a wafer marking operation provided in the control section.

다음으로, 제어부에서 설정된 타겟 패턴(114)의 기준 위치와 측정된 타겟 패턴(114)의 실제 위치를 비교하게 되면 스테이지(120)에 장착된 카메라(130)의 위치가 틀여졌는지 여부를 알 수 있다. 즉. 제어부가 타겟 패턴(114)의 기준 위치와 타겟 패턴(114)의 실제 위치를 사이의 차이를 계산한 다음, 이러한 차이가 허용 범위 이내에 해당하는지 여부를 판별한다. 타겟 패턴(114)의 기준 위치와 타겟 패턴(114)의 실제 위치를 사이의 차이가 허용 범위 이내에 해당한다면 스테이지(120)에 장착된 카메라(130)의 위치는 정상으로 볼 수 있으며, 이후 레이저를 이용하여 웨이퍼 마킹 작업을 진행한다. 한편, 타겟 패턴(114)의 기준 위치와 타겟 패턴(114)의 실제 위치를 사이의 차이가 허용 범위를 벗어난다면 이는 스테이지(120)에 장착된 카메라(130)의 위치가 웨이퍼 마킹 작업을 수행할 수 없을 정도로 틀여져 있다는 것을 의미한다. 따라서, 이 경우에는 카메라(130)의 위치가 틀어졌다는 것을 사용자에게 경고할 수 있다. 이후 사용자는 웨이퍼 마킹 작업을 중단하고 카메라(130)의 위치를 올바르게 수정할 수 있다. Next, if the reference position of the target pattern 114 set in the control unit is compared with the actual position of the measured target pattern 114, whether the camera 130 mounted on the stage 120 is turned off can be determined . In other words. The control unit calculates the difference between the reference position of the target pattern 114 and the actual position of the target pattern 114 and then determines whether or not the difference falls within the allowable range. If the difference between the reference position of the target pattern 114 and the actual position of the target pattern 114 falls within the permissible range, the position of the camera 130 mounted on the stage 120 can be viewed as normal, The wafer marking operation is performed. On the other hand, if the difference between the reference position of the target pattern 114 and the actual position of the target pattern 114 is out of the permissible range, the position of the camera 130 mounted on the stage 120 performs the wafer marking operation It means that you can not do it. Therefore, in this case, the user can be warned that the position of the camera 130 is changed. The user can then stop the wafer marking operation and correct the position of the camera 130 correctly.

한편, 상기 제어부는 후술하는 바와 같이 카메라(130)에 의해 획득한 웨이퍼(W)의 이미지 정보를 이용하여 웨이퍼(W)의 위치 변동 정도를 검출하는 역할도 할 수 있다. 전술한 웨이퍼의 마킹 위치 변동 방지장치(100)는 레이저 마킹 장치에 구비되어 마킹 작업을 수행할 수 있다. The controller may also detect the degree of positional variation of the wafer W using the image information of the wafer W acquired by the camera 130 as described later. The marking position variation prevention apparatus 100 of the wafer described above can be provided in the laser marking apparatus to perform a marking operation.

이하에서는 도 1에 도시된 장치(100)를 이용하여 웨이퍼의 마킹 작업을 수행하는 방법을 설명한다. 도 4는 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 웨이퍼의 마킹 방법을 설명하는 흐름도이다.Hereinafter, a method of performing the marking operation of the wafer using the apparatus 100 shown in FIG. 1 will be described. 4 is a flowchart illustrating a method of marking a wafer according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 먼저 웨이퍼(W)를 웨이퍼 홀더(110)의 홀더 삽입부(112) 내에 안착시킨다(S201). 도 5에는 도 1에 도시된 웨이퍼의 마킹 위치 변동 방지장치(100)에서 홀더 삽입부(112)에 웨이퍼(W)가 안착된 모습이 도시되어 있다. 도 5를 참조하면, 웨이퍼 홀더(110)는 홀더 베이스(111)를 포함하며, 이러한 홀더 베이스(111)의 중앙부에는 웨이퍼(W)에 대응되는 크기로 홀더 삽입부(112)가 형성되어 있다. 그리고, 홀더 베이스(111) 상면의 소정 위치(예를 들면, 가장자리 부분)에 타겟 패턴(114)이 소정 형태(예를 들면, 십자형)로 형성되어 있다. Referring to FIG. 4, first, the wafer W is placed in the holder inserting portion 112 of the wafer holder 110 (S201). Fig. 5 shows a state in which the wafer W is seated in the holder inserting portion 112 in the marking position variation preventing apparatus 100 of the wafer shown in Fig. 5, the wafer holder 110 includes a holder base 111. At the center of the holder base 111, a holder inserting portion 112 is formed to have a size corresponding to the wafer W. As shown in FIG. The target pattern 114 is formed in a predetermined shape (for example, a cross shape) at a predetermined position (for example, an edge portion) on the upper surface of the holder base 111.

한편, 홀더 삽입부(112)에 안착된 웨이퍼(W)에는 후술하는 바와 같이 칩 단위로 마킹 작업이 수행된다. 홀더 삽입부(112)에 안착된 웨이퍼(W)에는 다수의 칩들(미도시)이 제작되어 있으며, 이러한 칩들 사이에는 칩들의 분할을 위해 예를 들면, saw line 등과 같은 가공 라인들이 구획되어 있다. On the other hand, the wafer W placed on the holder inserting portion 112 is subjected to a marking operation on a chip basis as described later. A plurality of chips (not shown) are formed on the wafer W placed on the holder inserting portion 112. Processing lines such as a saw line are partitioned between chips for dividing the chips.

카메라(130)를 이용하여 웨이퍼(W)의 위치 정보(구체적으로는, 이미지 정보)를 획득한다(S202). 도 6에는 카메라(130)를 이용하여 웨이퍼(W)의 위치 정보를 획득하는 모습이 도시되어 있다. 도 6을 참조하면, 먼저 웨이퍼(W)의 기준 위치를 설정한다. 여기서, 웨이퍼(W)의 기준 위치는 예를 들면, 2개의 기준점, 즉 제1 및 제2 기준점(151,152)을 선정하고, 이 제1 및 제2 기준점(151,152)에 대한 위치 정보를 입력함으로써 설정될 수 있다. 여기서, 제1 및 제2 기준점(151,152)은 각각 웨이퍼(W) 상에 기준 가공라인들이 교차하는 교차점으로 선정될 수 있다. 이렇게 설정된 웨이퍼(W)의 기준 위치에 대한 데이터는 제어부에 마련된 웨이퍼 마킹 작업의 수행을 위한 프로그램 내에 입력될 수 있다.Position information (specifically, image information) of the wafer W is acquired using the camera 130 (S202). FIG. 6 shows a state in which the position information of the wafer W is acquired using the camera 130. FIG. Referring to FIG. 6, first, a reference position of the wafer W is set. Here, the reference position of the wafer W is set by, for example, selecting two reference points, i.e., first and second reference points 151 and 152, and inputting position information about the first and second reference points 151 and 152 . Here, the first and second reference points 151 and 152 may be selected as intersections where the reference processing lines cross the wafer W, respectively. The data on the reference position of the wafer W thus set can be input into the program for carrying out the wafer marking operation provided in the control section.

이어서, 홀더 삽입부(112)에 안착된 웨이퍼(W)의 실제 위치를 측정한다. 웨이퍼(W)의 실제 위치는 2개의 측정점, 즉 제1 및 제2 측정점(161,162)에 대한 위치를 스테이지(120)에 장착된 카메라(130)가 측정함으로써 알 수 있다. 여기서, 제1 및 제2 측정점(161,162)은 전술한 제1 및 제2 기준점(151,152)에 대응하는 것으로, 웨이퍼(W)의 안착에 따른 제1 및 제2 기준점(151,152)의 변위 지점으로 볼 수 있다. 스테이지(120)에 장착된 카메라(130)는 스테이지(120)의 움직임에 따라 제1 측정점(161) 쪽으로 이동하여 제1 측정점(161)의 위치를 측정하고, 이어서 제2 측정점(162) 쪽으로 이동하여 제2 측정점(162)의 위치를 측정하게 된다. 한편, 도 6에는 편의상 스테이지(120)에 장착된 카메라(130)가 이동하는 모습은 도시되어 있지 않다. 그리고, 이렇게 측정된 웨이퍼(W)의 실제 위치에 대한 데이터는 제어부에 마련된 웨이퍼 마킹 작업의 수행을 위한 프로그램 내에 입력될 수 있다.Subsequently, the actual position of the wafer W placed on the holder inserting portion 112 is measured. The actual position of the wafer W can be determined by measuring the position of the two measurement points, i.e., the first and second measurement points 161 and 162, by the camera 130 mounted on the stage 120. The first and second measurement points 161 and 162 correspond to the first and second reference points 151 and 152. The first and second measurement points 161 and 162 correspond to the first and second reference points 151 and 152, . The camera 130 mounted on the stage 120 moves toward the first measurement point 161 in accordance with the movement of the stage 120 to measure the position of the first measurement point 161 and then moves toward the second measurement point 162 And the position of the second measurement point 162 is measured. 6, the movement of the camera 130 mounted on the stage 120 for convenience is not shown. Data on the actual position of the wafer W thus measured can be input into a program for carrying out a wafer marking operation provided in the control section.

이와 같이, 스테이지(120)에 장착된 카메라(130)를 통해 웨이퍼(W)의 실제 위치를 측정한 다음, 제어부는 웨이퍼(W)의 실제 위치와 미리 설정된 웨이퍼(W)의 기준 위치를 비교한다. 여기서, 웨이퍼(W)의 기준 위치와 웨이퍼(W)의 실제 위치의 차이가 허용범위를 넘게 되면 마킹 작업을 수행하지 않고, 이를 사용자에게 경고할 수 있다. 이에 따라, 사용자는 홀더 삽입부(112)에 안착된 웨이퍼(W)를 움직임으로써 마킹 작업이 가능하도록 그 위치를 조절할 수 있다. After the actual position of the wafer W is measured through the camera 130 mounted on the stage 120 as described above, the control unit compares the actual position of the wafer W with the reference position of the wafer W set in advance . When the difference between the reference position of the wafer W and the actual position of the wafer W exceeds the allowable range, the marking operation is not performed and the user can be warned. Accordingly, the user can adjust the position of the wafer W so that the marking operation can be performed by moving the wafer W placed on the holder inserting portion 112.

또한, 웨이퍼(W)의 기준 위치와 웨이퍼(W)의 실제 위치의 차이가 허용범위 이내 이면 웨이퍼(W)의 마킹 작업이 가능하다는 것을 의미하며, 이 경우에는 웨이퍼(W)의 위치 변동 여부를 검출하는 과정을 수행하게 되는데, 이러한 과정을 다음과 같다.If the difference between the reference position of the wafer W and the actual position of the wafer W is within the permissible range, it means that the marking operation of the wafer W is possible. In this case, And the process of detecting is performed as follows.

먼저, 홀더 베이스(111)에 형성된 타겟 패턴(114)의 기준 위치를 설정한다. 이렇게 설정된 타겟 패턴(114)의 기준 위치에 대한 데이터는 제어부 내에 마련된 웨이퍼 마킹 작업의 수행을 위한 프로그램 내에 입력될 수 있다. 이어서, 스테이지(120)에 장착된 카메라(130)를 이용하여 타겟 패턴(114)의 실제 위치를 측정한다 (S203). 도 7에는 스테이지(120)에 장착된 카메라(130)를 이용하여 타켓 패턴(114)의 실제 위치를 측정하는 모습이 도시되어 있다. 한편, 도 7에는 편의상 카메라(130)가 이동하는 모습은 도시되어 있지 않다. 이 과정에서 카메라(130)는 스테이지(120)의 움직임에 따라 타겟 패턴(114) 쪽으로 이동하여 타겟 패턴(114)의 실제 위치를 측정할 수 있다. 그리고, 이렇게 측정된 타겟 패턴(114)의 실제 위치에 대한 데이터는 제어부에 마련된 웨이퍼 마킹 작업의 수행을 위한 프로그램 내에 입력될 수 있다.First, the reference position of the target pattern 114 formed on the holder base 111 is set. The data on the reference position of the target pattern 114 thus set can be input into the program for performing the wafer marking operation provided in the control section. Subsequently, the actual position of the target pattern 114 is measured using the camera 130 mounted on the stage 120 (S203). FIG. 7 shows a state in which the actual position of the target pattern 114 is measured using the camera 130 mounted on the stage 120. 7, the movement of the camera 130 is not shown for the sake of convenience. In this process, the camera 130 moves toward the target pattern 114 in accordance with the movement of the stage 120, and the actual position of the target pattern 114 can be measured. Data on the actual position of the target pattern 114 measured in this manner can be input into a program for carrying out a wafer marking operation provided in the control section.

다음으로, 제어부는 측정된 타겟 패턴(114)의 실제 위치와 미리 설정된 타겟 패턴(114)의 기준 위치를 비교하여 그 차이를 계산한다 (S204). 만약, 측정된 타겟 패턴(114)의 실제 위치와 미리 설정된 타겟 패턴(114)의 기준 위치의 차이가 허용 범위를 넘는 다면, 이는 스테이지(120)에 장착된 카메라(130)의 위치가 마킹 작업을 수행할 수 없을 정도로 틀어져 있음을 나타낸다. 따라서, 이러한 상황을 알리기 위해 사용자에게 경고를 할 수 있다 (S205). 그리고, 사용자는 이러한 경고를 인식하고, 틀어진 카메라(130)의 위치를 웨이퍼 마킹 작업이 가능하도록 올바르게 정정할 수 있다.Next, the control unit compares the actual position of the measured target pattern 114 with the reference position of the preset target pattern 114 and calculates the difference (S204). If the difference between the actual position of the measured target pattern 114 and the reference position of the preset target pattern 114 exceeds the permissible range, the position of the camera 130 mounted on the stage 120 becomes the marking operation Indicating that it is too far to perform. Therefore, the user can be warned to notify such a situation (S205). Then, the user can recognize this warning and correctly correct the position of the wrong camera 130 to enable the wafer marking operation.

한편, 측정된 타겟 패턴(114)의 실제 위치와 미리 설정된 타겟 패턴(114)의 기준 위치의 차이가 허용 범위를 넘지 않는 다면, 이는 스테이지(120)에 장착된 카메라(130)가 마킹 작업을 수행해도 될 정도로 정상적인 위치에 있음을 나타낸다. 따라서, 이 경우에는 레이저를 이용하여 웨이퍼(W)를 마킹하는 공정이 수행될 수 있다.If the difference between the actual position of the measured target pattern 114 and the reference position of the preset target pattern 114 does not exceed the permissible range, the camera 130 mounted on the stage 120 performs a marking operation It is in a normal position. Therefore, in this case, a step of marking the wafer W using a laser can be performed.

웨이퍼(W)의 마킹 공정에서는 전술한 웨이퍼(W)의 기준 위치 및 웨이퍼(W)의 실제 위치를 토대로 하여 칩 단위의 마킹 작업이 진행될 수 있다. 구체적으로, 웨이퍼(W)의 기준 위치에 대한 제1 및 제2 기준점(151,152)에 대한 좌표와 웨이퍼(W)의 실제 위치에 대한 제1 및 제2 측정점(161,162)에 대한 좌표를 비교함으로써 그 위치 변화 및 각도 변화를 계산하고, 웨이퍼 마킹 프로그램에 미리 입력된 칩 사이즈에 대한 정보를 토대로 하여 웨이퍼 칩들에 대해 마킹 작업을 수행할 수 있다. In the marking step of the wafer W, the marking operation can be performed on a chip basis on the basis of the reference position of the wafer W and the actual position of the wafer W described above. Specifically, by comparing the coordinates of the first and second reference points 151 and 152 with respect to the reference position of the wafer W and the coordinates of the first and second measurement points 161 and 162 with respect to the actual position of the wafer W, The positional change and the angle change are calculated, and the marking operation can be performed on the wafer chips based on the information on the chip size pre-inputted in the wafer marking program.

이상에서 살펴본 예시적인 실시예에 의하면, 레이저를 이용하여 웨이퍼(W)를 칩 스케일로 마킹하는 공정에서 웨이퍼 홀더(110)의 홀더 베이스(111)에 소정의 타겟 패턴(114)을 형성하고, 이 타겟 패턴(114)의 실제 위치를 스테이지(120)에 장착된 카메라(130)를 이용하여 주기적으로 측정한다. 그리고, 이렇게 측정된 타겟 패턴(114)의 실제 위치와 미리 설정된 타겟 패턴(114)의 기준 위치를 비교함으로써 스테이지(120)에 장착된 카메라(130)의 위치가 틀어졌는지 여부를 알 수 있게 된다. 따라서, 레이저를 이용하여 칩 스케일로 마킹 작업을 수행할 때 스테이지(120)에 장착된 카메라(130)의 위치가 틀어짐으로써 웨이퍼의 마킹 위치가 변동되는 것을 사전에 방지할 수 있다. According to the exemplary embodiment described above, a predetermined target pattern 114 is formed on the holder base 111 of the wafer holder 110 in the process of marking the wafer W on a chip scale using a laser, The actual position of the target pattern 114 is periodically measured using the camera 130 mounted on the stage 120. [ By comparing the measured actual position of the target pattern 114 and the reference position of the preset target pattern 114, it is possible to know whether or not the position of the camera 130 mounted on the stage 120 is changed. Therefore, when the marking operation is performed on the chip scale using the laser, the position of the camera 130 mounted on the stage 120 is changed, thereby preventing the marking position of the wafer from being changed in advance.

이상에서 본 발명의 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the scope of the invention as defined by the appended claims.

100.. 웨이퍼의 마킹 위치 변동을 방지하는 장치
110.. 웨이퍼 홀더
111.. 홀더 베이스
112.. 홀더 삽입부
113.. 웨이퍼 가이드
114.. 타겟 패턴
120.. 스테이지
130.. 카메라
151,152.. 제1, 제2 기준점
161,162.. 제1, 제2 측정점100. Device for preventing marking position variation of a wafer
110 .. Wafer holder
111 .. holder base
112 .. holder holder
113. Wafer guide
114 .. Target pattern
120 .. Stage
130 .. Camera
151, 152 .. First and second reference points
161, 162 .. First and second measuring points

Claims

delete

A method of marking a wafer using a laser,
Placing the wafer on a wafer holder;
Acquiring positional information of the wafer using a camera mounted on a movable stage; And
And determining whether to perform a marking operation on the wafer using the positional information of the wafer obtained by the camera,
Wherein the wafer holder includes a holder base on which the wafer is placed, a target pattern is formed on one surface of the holder base,
The step of acquiring the position information of the wafer includes:
Setting a reference position of the wafer;
Measuring an actual position of the wafer using the camera; And
Calculating a difference between a reference position of the wafer and an actual position of the wafer,
Wherein the step of determining whether to perform the marking operation of the wafer is performed when a difference between a reference position of the wafer and an actual position of the wafer is within an allowable range,
Setting a reference position of the target pattern;
Measuring an actual position of the target pattern using the camera; And
And determining whether to perform a wafer marking operation by calculating a difference between a reference position of the set target pattern and an actual position of the measured target pattern.

delete

14. The method of claim 13,
Wherein a reference position of the wafer is set with respect to first and second reference points on the wafer and the actual position of the wafer is determined based on the first and second reference points on the wafer measured for the first and second measurement points on the wafer corresponding to the first and second reference points, Lt; / RTI >

17. The method of claim 16,
Wherein the position and angle of the chips at the actual position of the wafer are calculated using the first and second reference points and the first and second measurement points.

delete

14. The method of claim 13,
And performing a wafer marking operation when a difference between a reference position of the target pattern and an actual position of the target pattern is within an allowable range.

14. The method of claim 13,
And warning the user if the difference between the reference position of the target pattern and the actual position of the target pattern exceeds an allowable range.

delete