[go: up one dir, main page]

KR101739331B1 - 임프린트 리소그래피 주형 - Google Patents

임프린트 리소그래피 주형 Download PDF

Info

Publication number
KR101739331B1
KR101739331B1 KR1020127017385A KR20127017385A KR101739331B1 KR 101739331 B1 KR101739331 B1 KR 101739331B1 KR 1020127017385 A KR1020127017385 A KR 1020127017385A KR 20127017385 A KR20127017385 A KR 20127017385A KR 101739331 B1 KR101739331 B1 KR 101739331B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mold
fluid
channel
outer channel
inlet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020127017385A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120123300A (ko
Inventor
최병진
최영준
코스타 셀리니디스
스티븐 씨. 샤클레턴
Original Assignee
캐논 나노테크놀로지즈 인코퍼레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 나노테크놀로지즈 인코퍼레이티드 filed Critical 캐논 나노테크놀로지즈 인코퍼레이티드
Publication of KR20120123300A publication Critical patent/KR20120123300A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101739331B1 publication Critical patent/KR101739331B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/002—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

나노 임프린트 리소그래피 공정 동안 유체를 퍼지할 수 있는 나노 임프린트 리소그래피 주형이 설명된다. 주형은 내부 채널 및 외부 채널을 포함할 수 있다. 내부 채널은 나노 임프린트 리소그래피 공정 동안 주형과 기판 사이의 영역에 공정 가스를 공급하는 공급원과의 유체 연통을 제공하도록 구성된다. 외부 채널은 유체를 소기시키고 및/또는 주형의 활성 영역과 기판 사이에 유체를 구속하도록 구성된다.

Description

임프린트 리소그래피 주형{IMPRINT LITHOGRAPHY TEMPLATE}
본 출원은 2009년 12월 10일 제출된 U.S. No. 61/285,367과 2010년 12월 9일 제출된 U.S. No. 12/964,081의 우선권을 주장하며, 이들은 모두 그 전체가 본원에 참고자료로 포함된다.
나노-제작은 100 나노미터 이하 정도의 특징부를 가진 초소형 구조의 제작을 포함한다. 나노-제작이 상당한 영향을 미치는 한 용도는 집적회로 가공 분야이다. 반도체 가공 산업은 생산성을 높이기 위해 계속 박차를 가하고 있는 한편, 기판 위에 형성되는 단위 면적당 회로의 수는 증가하고 있다. 따라서, 나노-제작은 점점 중요해지고 있다. 나노-제작은 형성되는 구조의 최소 특징부 치수를 계속 줄이면서 동시에 더욱 정밀한 공정 제어를 제공한다. 나노-제작이 사용되었던 다른 개발 분야들은 생물공학, 광학기술, 기계시스템 등을 포함한다.
요즘 사용되고 있는 전형적인 나노-제작 기술은 흔히 임프린트 리소그래피라고 불린다. 전형적인 임프린트 리소그래피 공정은 미국 특허공개 제2004/0065976호, 미국 특허공개 제2004/0065252호 및 미국 특허 제6,936,194호 등의 많은 공보들에 상세히 설명되며, 이들은 모두 본원에 참고자료로 포함된다.
상기 언급된 미국 특허공개 및 특허에 각각 개시된 임프린트 리소그래피 기술은 중합성 층에 릴리프 패턴을 형성하는 것과 릴리프 패턴에 상응하는 패턴을 하부 기판에 전사하는 것을 포함한다. 기판은 모션 스테이지에 연결되며, 이로써 원하는 위치를 획득함으로써 패턴형성 공정을 촉진할 수 있다. 게다가, 기판은 기판 척에 연결될 수 있다. 패턴형성 공정은 기판과 이격되어 있는 주형 및 주형과 기판 사이에 적용되는 성형가능한 액체를 사용한다. 성형가능한 액체는 고화되어서 이 성형가능한 액체와 접촉된 주형의 표면 모양과 일치하는 패턴을 가진 단단한 층을 형성한다. 고화 후, 주형이 단단한 층으로부터 분리되어 주형과 기판이 이격된다. 다음에, 기판과 고화된 층에 추가의 공정을 행하여 고화된 층에 있는 패턴에 상응하는 릴리프 이미지를 기판에 전사한다.
본 발명의 특징 및 이점들이 상세히 이해될 수 있으며, 본 발명의 구체예에 대한 더 구체적인 설명은 첨부된 도면에 예시된 구체예들을 참조하여 이루어질 수 있다. 그러나, 첨부된 도면은 본 발명의 전형적인 구체예를 예시할 뿐이며, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 생각되어서는 안 되고, 본 발명은 다른 동등하게 유효한 구체예들에 대해서도 인정될 수 있다는 것에 유념해야 한다.
도 1은 리소그래피 시스템의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 2는 패턴형성된 층이 위에 있는, 도 1에 예시된 기판의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 3a 및 3b는 도 1의 시스템에서 사용되는 전형적인 주형의 한 구체예의 위에서 아래를 본 도면과 단순화된 측면도를 예시한다.
도 4a 및 4b는 도 2의 시스템에서 사용되는 전형적인 주형의 다른 구체예의 위에서 아래를 본 도면과 단순화된 측면도를 예시한다.
도 5는 유체가 통과해 흐르는 도 3b의 주형의 단순화된 측면도를 예시한다.
도면, 특히 도 1을 보면, 기판(12) 위에 릴리프 패턴을 형성하는데 사용되는 리소그래피 시스템(10)이 예시된다. 기판(12)은 기판 척(14)과 연결될 수 있다. 예시된 대로, 기판 척(14)은 진공 척이다. 그러나, 기판 척(14)은, 제한되는 것은 아니지만, 진공, 핀-타입, 홈-타입, 정전기, 전자기 및/또는 기타 등등을 포함하는 어떤 척일 수 있다. 전형적인 척들이 미국특허 제6,873,087호에 설명되며, 이것은 본원에 참고자료로 포함된다.
기판(12)과 기판 척(14)은 스테이지(16)에 의해서 더 지지될 수 있다. 스테이지(16)는 x, y 및 z 축을 따라 병진 및/또는 회전 동작을 제공할 수 있다. 스테이지(16), 기판(12) 및 기판 척(14)은 또한 베이스(미도시) 위에 위치될 수 있다.
주형(18)이 기판(12)과 이격되어 있다. 주형(18)은 제 1 측면과 제 2 측면을 가진 본체를 포함할 수 있으며, 한 측면은 거기서부터 기판(12) 쪽으로 연장된 메사(20)를 가진다. 메사(20)는 그 위에 패턴형성 표면(22)을 가진다. 메사(20)는 또한 몰드(20)라고도 할 수 있다. 또는 달리, 주형(18)은 메사(20) 없이 형성될 수 있다.
주형(18) 및/또는 몰드(20)는, 제한되는 것은 아니지만, 융합-실리카, 석영, 규소, 유기 중합체, 실록산 중합체, 붕규산 유리, 플루오로카본 중합체, 금속, 강화 사파이어 및/또는 기타 등등을 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 예시된 대로, 패턴형성 표면(22)은 복수의 이격된 홈(24) 및/또는 돌출부(26)에 의해 한정된 특징부를 포함하지만, 본 발명의 구체예는 이러한 구성형태(예를 들어, 평면 표면)에 제한되지는 않는다. 패턴형성 표면(22)은 기판(12) 위에 형성될 패턴의 기초를 형성하는 어떤 원 패턴을 한정할 수 있다.
주형(18)은 척(28)에 연결될 수 있다. 척(28)은, 제한되는 것은 아니지만, 진공, 핀-타입, 홈-타입, 정전기, 전자기 및/또는 다른 유사한 척 타입으로 구성될 수 있다. 전형적인 척들이 미국특허 제6,873,087호에 더 설명되며, 이것은 본원에 참고자료로 포함된다. 또한, 척(28)은 임프린트 헤드(30)에 연결될 수 있으며, 이로써 척(28) 및/또는 임프린트 헤드(30)가 주형(18)의 움직임을 촉진하도록 구성될 수 있다.
시스템(10)은 유체 디스펜스 시스템(32)을 더 포함할 수 있다. 유체 디스펜스 시스템(32)을 사용하여 기판(12) 위에 성형가능한 재료(34)(예를 들어, 중합성 재료)를 놓을 수 있다. 성형가능한 재료(34)는 드롭 디스펜스, 스핀코팅, 딥코팅, 화학증착(CVD), 물리증착(PVD), 박막부착, 후막부착 및/또는 기타 등등과 같은 기술을 사용하여 기판(12) 위에 위치될 수 있다. 성형가능한 재료(34)는 설계 고려사항에 따라서 몰드(22)와 기판(12) 사이에 소정의 체적이 한정되기 전에 및/또는 한정된 이후에 기판(12) 위에 배치될 수 있다. 성형가능한 재료(34)는 바이오-도메인, 태양전지 산업, 배터리 산업 및/또는 기능적 나노입자가 필요한 다른 산업들에서 용도를 가진 기능적 나노입자일 수 있다. 예를 들어, 성형가능한 재료(34)는 미국특허 제7,157,036호 및 미국 특허공개 제2005/0187339호에 설명된 모노머 혼합물을 포함할 수 있으며, 이들은 모두 본원에 참고자료로 포함된다. 또는 달리, 성형가능한 재료(34)는, 제한되는 것은 아니지만, 생물재료(예를 들어, PEG), 태양전지 재료(예를 들어, N-타입, P-타입 재료) 및/또는 기타 등등을 포함할 수 있다.
도 1 및 2를 보면, 시스템(10)은 경로(42)를 따라 에너지(40)를 보내도록 연결된 에너지원(38)을 더 포함할 수 있다. 임프린트 헤드(30)와 스테이지(16)는 주형(18)과 기판(12)이 경로(42)와 겹쳐져 위치되도록 구성될 수 있다. 시스템(10)은 스테이지(16), 임프린트 헤드(30), 유체 디스펜스 시스템(32) 및/또는 에너지원(38)과 통신하는 프로세서(54)에 의해서 조절될 수 있으며, 메모리(56)에 저장된 컴퓨터 판독가능한 프로그램으로 작동될 수 있다.
임프린트 헤드(30), 스테이지(16) 중 어느 하나, 또는 둘 모두는 몰드(20)와 기판(12) 사이의 거리를 변화시켜서 이들 사이에 소정의 체적을 한정할 수 있으며, 이 체적이 성형가능한 재료(34)로 채워진다. 예를 들어, 임프린트 헤드(30)가 주형(18)에 힘을 적용하여 몰드(20)가 성형가능한 재료(34)와 접촉될 수 있다. 소정의 체적이 성형가능한 재료(34)로 채워진 후, 에너지원(38)이 에너지(40), 예를 들어 자외선을 생성해서 성형가능한 재료(34)를 기판(12)의 표면(44) 및 패턴형성 표면(22)의 모양과 일치시켜 고화 및/또는 가교결합시키고, 이로써 기판(12) 위에 패턴형성된 층(46)이 한정된다. 패턴형성된 층(46)은 돌출부(50)와 홈(52)으로서 도시된 복수의 특징부 및 잔류 층(48)을 포함할 수 있으며, 돌출부(50)는 두께 t1을 갖고, 잔류 층은 두께 t2를 가진다.
전술된 시스템 및 공정은 미국특허 제6,932,934호, 미국특허 제7,077,992호, 미국특허 제7,179,396호 및 미국특허 제7,396,475호에 언급된 임프린트 리소그래피 공정 및 시스템에도 또한 사용될 수 있으며, 이들은 모두 그 전체가 본원에 참고자료로 포함된다.
상기 언급된 공정 동안, 가스 퍼지(예를 들어, 이산화탄소 퍼지, He 퍼지 및/또는 기타)를 사용하여 주형(18)과 기판(12)의 계면에서 큰 분자 성분들을 대체할 수 있다. 이러한 큰 분자 성분들은 일반적으로 나노-임프린트 리소그래피 공정 동안 기판(12) 위에 형성된 패턴형성된 층(46)에 보이드 결함을 생성할 수 있다. 척 본체 디자인을 사용한 이러한 퍼지 도안 중 하나가 미국특허 제7,090,716호에 설명되며, 이것은 그 전체가 본원에 참고자료로 포함된다.
가스 퍼지는 퍼지 시간, 퍼지 가스의 전체적인 양, 및/또는 시스템(10)의 이웃한 성분들과의 상호작용을 제한하기 위한 제어된 공간 내에 퍼지 가스의 구속에 좌우될 수 있다. 효과적인 퍼지 장치로서 주형(18)은 퍼지 가스를 주형(18)과 기판(12) 사이의 계면에 분포시키기 위한 다수의 채널을 지닐 수 있다. 가스 소기를 위한 다수의 채널을 가진 주형이 미국특허 제7,462,028호에 설명되었으며, 이것은 그 전체가 본원에 참고자료로 포함된다. 여기 설명된 주형의 변형이 퍼지 및/또는 가스 구속을 위한 도안을 제공할 수 있다.
퍼지 및/또는 가스 구속을 위한 요소를 가진 나노 임프린트 리소그래피 주형이 본원에 설명된다. 주형은 퍼지된 가스의 분포 및 소기/구속을 위한 채널을 포함할 수 있다. 또는 달리, 또는 채널에 더해서, 주형은 가스의 분포 및 소기 및/또는 구속을 위한 하나 이상의 구멍을 포함할 수 있다. 도 3 및 4는 도 1의 시스템(10)에 사용되었을 때 주형과 기판(12)의 계면에서 유체(예를 들어, 퍼지 가스)의 분포를 제공하는 전형적인 주형(18a 및 18b)을 예시한다. 단순하게 하기 위해서 주형(18a)은 채널(60 및 62)의 사용을 예시하고, 주형(18b)은 구멍(64)의 사용을 예시한다. 그러나, 주형(18a) 또는 주형(18b)이 가스의 분포 및/또는 소기/구속을 위한 채널(60 및 62) 또는 구멍(64)을 포함하도록 변형될 수 있다는 것이 주지되어야 한다.
채널(60 및 62) 및/또는 구멍(64)의 디자인은 임프린팅 동안 주형(18a 또는 18b)과 기판(12) 사이의 분위기의 제어를 제공할 수 있다. 예를 들어, 채널(60 및 62) 및/또는 구멍(64)은 유체(예를 들어, 이산화탄소, He 등)의 통과 및 소기를 촉진할 수 있다. 한 구체예에서, 채널(60 및 62) 및/또는 구멍(64)은 실질적으로 주형(18)의 활성 영역(66)과 기판(12) 사이에 실질적으로 균일한 부분적 진공을 제공할 수 있다.
주형(18a)은 본체(61)를 포함할 수 있다. 본체(61)는 제 1 표면(63)과 제 2 표면(65)을 포함할 수 있다. 주형(18a)은 홈부(59)를 포함할 수 있다. 홈부(59)는 본체(61)의 제 1 표면(63) 위에 위치될 수 있다.
또한, 본체(61)는 활성 영역(66)을 포함할 수 있다. 활성 영역(66)은 도 1 및 2와 관련해 설명된 대로 패턴형성 동안 중합성 재료(34)와 겹쳐져 위치되는 몰드(20)를 가진 영역 및/또는 주형(18a)의 다른 패턴형성 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 활성 영역(66)은 도 3b에 예시된 대로 본체(61)의 제 2 표면(65) 위에 위치된 몰드(20)를 포함할 수 있다.
채널(60)은 활성 영역(66)에 인접해 위치된 내부 채널일 수 있다. 채널(60)은 주형(18a)의 제 2 표면의 홈부일 수 있다. 예를 들어, 채널(60)은 주형(18a)의 활성 영역(66)을 둘러쌀 수 있다. 채널(60)은 깊이 d1, 길이 l1, 및 너비 w1을 가질 수 있다. 예를 들어, 한 구체예에서, 깊이 d1은 약 10-200㎛일 수 있고, 길이 l1는 약 5-50mm일 수 있고, 너비 w1은 약 5-50mm일 수 있다.
채널(60)은 원형, 원통형, 또는 어떤 상상할 수 있는 모양일 수 있다. 예를 들어, 도 3a에서, 채널(60)은 직사각형이다. 한 구체예에서, 길이 l1와 너비 w1의 치수는 기판(12) 위에 임프린트되는 영역의 치수보다 크도록 구성될 수 있다. 임프린팅 영역은 도 1 및 2와 관련해 더 설명되고 예시된다.
채널(60)은 입구(68) 및 소공(70)을 포함할 수 있다. 입구(68)는 공정 가스 공급원(미도시)과 유체 연통되는 채널(60)을 제공할 수 있다. 공정 가스 공급원은 산업 분야에 공지되어 있다. 입구(68)는 채널로부터 주형(18a)의 본체(61)를 통해 제 1 표면(63)까지 연장될 수 있다. 소공(70)은 본체(61)의 제 2 표면(65)에 홈부를 형성할 수 있다. 소공(70)은 주형(18)과 기판(12) 사이의 분위기와 유체 연통되는 채널(60)을 제공한다.
채널(62)은 활성 영역(64)으로부터 거리를 두고서 위치된 외부 채널일 수 있다. 채널(62)은 활성 영역(64)으로부터 거리 r1(예를 들어, 약 1-40mm)에 위치될 수 있다. 활성 영역(64)과 채널(62) 사이의 거리 r1은 임프린팅 동안 주형(18)의 활성 영역(64) 내에 유체가 구속될 수 있게 결정될 수 있다. 예를 들어, 거리 r1은 채널(62)이 퍼지된 가스를 소기시키는 것과 동시에 구속함으로써 실질적으로 활성 영역(66)과 기판(12) 사이에 유지될 수 있도록 결정될 수 있다. 한 구체예에서, 퍼지된 가스의 구속은 실질적으로 채널(62)의 원주 내에서 주형(18a)과 기판(12) 사이의 영역을 포함할 수 있다.
채널(62)은 깊이 d2 및 직경 di2를 가질 수 있다. 깊이 d2는 채널(60)의 깊이 d1과 실질적으로 유사할 수 있다. 또는 달리, 깊이 d2는 채널(60)의 깊이 d1과 상이할 수 있다. 채널(62)의 직경 di2는 약 40-100mm일 수 있다. 원형으로 예시되었지만, 채널(62)은, 제한되는 것은 아니지만, 삼각형, 직사각형 등을 포함하는 어떤 상상할 수 있는 모양일 수 있다. 채널(62)은 입구(72) 및 소공(74)을 포함할 수 있다. 입구(72)는 본체(61)의 제 1 표면(63)에서부터 제 2 표면(63)까지 연장될 수 있고, 시스템(10)의 폐기물 용기 및/또는 시스템(10)의 외부의 분위기와 유체 연통되는 채널(62)을 제공할 수 있다. 소공(74)은 본체(61)의 제 2 표면(65)의 홈부를 제공할 수 있으며, 주형(18)과 기판(12) 사이의 분위기와 유체 연통되는 채널(62)을 제공할 수 있다.
도 5는 주형(18a)의 내부 채널(60)을 통해 유체를 제공하고 주형(18a)의 활성 영역(66)과 주형(18a)과 겹쳐져 위치된 기판(12) 사이에 유체를 구속하는 것에 의해 주형(18a)(도 3b에서도 도시된)을 사용하는 방법을 예시한다. 즉, 유체는 채널(60)의 입구(68)로 들어가서 채널(60)의 소공(70)을 통해 주형(18)의 활성 영역(66)과 기판(12) 사이의 분위기로 보내진다. 유체는 채널(62)에 의해서 주형(18)의 활성 영역(66)과 기판(12) 사이에 구속될 수 있다. 예를 들어, 내부 채널(60)을 통해 유체를 제공하고 외부 채널(62)을 통해 유체를 소기함으로써 주형(18)의 활성 영역(66)과 기판(12) 사이에 유체가 구속될 수 있고, 채널(62)은 유체를 소기할 수 있고 동시에 임프린트 리소그래피 공정 동안에 외부 채널(62)의 원주 내에 유체를 구속하도록 구성된다. 예를 들어, 유체는 채널(62) 쪽으로 보내져서 소공(74)을 통과해서 입구(76)를 향해 소기될 수 있으며, 이 지점에서 유체는 폐기물 용기에 제공되거나 보내질 수 있고 및/또는 예를 들면, 시스템(10)의 외부의 분위기 또는 분위기 조건에 제공될 수 있다.
도 4a 및 4b는 주형(18b) 내의 구멍(64)을 예시한다. 하나 이상의 구멍(64)을 통해서 유체가 펄스되고 및/또는 소기될 수 있다. 유사하게, 도 3b에 예시된 주형(18a)는 또한 활성 영역에 인접하게 위치한 하나 이상의 구멍(64)을 더 포함할 수 있으며, 이로써 유체가 구멍(64)을 통해서 펄스되고, 이어서 예를 들면, 채널(62)을 통해서 소기될 수 있다.
즉, 구멍(64)은 활성 영역(66)에 인접해 위치될 수 있고, 주형(18a)의 본체(61)를 통해서 제 1 표면(63)으로부터 제 2 표면(65)까지 연장될 수 있다. 유체는 채널(60)을 통해서 제공되고 구멍(64)을 통해서 펄스될 수 있다. 다음에, 잔류 유체가 채널(62)을 통해서 소기될 수 있다. 유체의 펄스는 활성 영역(66)을 가로질러 유체를 인출할 수 있다.
다른 구체예에서, 구멍(64) 및/또는 채널(60 및 62) 중 적어도 하나를 사용하여 연속적으로 유체를 분포시키고 소기시킬 수 있다. 예를 들어, 주형(18)의 활성 영역과 기판(12) 사이의 영역에 유체를 분포시키도록, 활성 영역(66)에 인접하게 위치된 구멍(64)의 첫 번째 부분 및/또는 채널(60)을 통해 유체는 연속적으로 펄스될 수 있다. 유체는 활성 영역(66)에 인접하게 위치된 채널(62) 및/또는 구멍(64)의 두 번째 부분을 통해 주형(18)의 활성 영역(66)과 기판(12) 사이로부터 소기시킬 수 있다. 대안으로, 유체는 주형(18)의 활성 영역(66)에 인접한 구멍을 통해 소기될 수 있다.

Claims (20)

  1. 제 1 표면 및 제 2 표면을 가진 본체;
    본체의 제 2 표면 위에 위치된 활성 영역;
    활성 영역에 인접해 위치된, 소공 및 입구를 가진 내부 채널로서, 소공이 본체의 제 2 표면에 홈 영역을 형성하고, 입구가 소공에서부터 본체의 제 1 표면까지 연장된 내부 채널; 및
    활성 영역으로부터 거리를 두고 위치된 외부 채널
    을 포함하는, 나노 임프린트 리소그래피 주형으로서,
    내부 채널의 입구는 공정 가스 공급원과 유체 연동되는 내부 채널을 제공하도록 구성되고,
    홈 영역을 형성하는 외부 채널은 입구 및 소공을 포함하고, 외부 채널의 입구는 본체의 제 2 표면에 인접한 분위기와 유체 연통된 외부 채널을 제공하도록 구성되고,
    활성 영역과 외부 채널 사이의 거리는 임프린트 리소그래피 공정 동안 활성 영역 내에 유체를 구속하도록 구성된,
    나노 임프린트 리소그래피 주형.
  2. 제 1 항에 있어서, 활성 영역은 패턴형성된 영역을 가진 몰드를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피 주형.
  3. 제 1 항에 있어서, 제 2 표면의 홈 영역은 본체의 활성 영역을 둘러싸고 있는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피 주형.
  4. 제 1 항에 있어서, 채널은 직사각형인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피 주형.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서, 소공은 본체의 제 2 표면에 인접한 분위기와 유체 연통된 내부 채널을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피 주형.
  7. 제 1 항에 있어서, 외부 채널의 입구는 폐기물 용기와 유체 연통된 외부 채널을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피 주형.
  8. 제 1 항에 있어서, 활성 영역과 외부 채널 사이의 거리는 외부 채널이 유체를 소기시키면서 동시에 임프린트 리소그래피 공정 동안 유체를 외부 채널의 원주 내에 구속하도록 구성된 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피 주형.
  9. 제 1 항 내지 제4항 및 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 본체를 통해 제 1 표면에서 제 2 표면까지 연장된 적어도 하나의 구멍을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피 주형.
  10. 제 1 표면 및 제 2 표면을 가진 본체;
    본체의 제 2 표면 위에 위치된 활성 영역;
    활성 영역에 인접해 위치된, 소공 및 입구를 가진 내부 채널로서, 소공이 본체의 제 2 표면에 홈 영역을 형성하고, 입구가 소공에서부터 본체의 제 1 표면까지 연장된 내부 채널; 및
    활성 영역으로부터 거리를 두고 위치된 외부 채널
    을 포함하는 나노 임프린트 리소그래피 주형의 사용 방법으로서,
    임프린트 리소그래피 주형의 내부 채널에 유체를 제공하는 단계; 및
    유체를 주형의 활성 영역과 주형과 겹쳐져 위치된 기판 사이에 구속하는 단계
    를 포함하는,
    나노 임프린트 리소그래피 주형의 사용 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 구속 단계는 유체를 외부 채널을 통해 소기시키는 것을 포함하고, 외부 채널은 이 외부 채널이 유체를 소기시키면서 동시에 임프린트 리소그래피 공정 동안 외부 채널의 원주 내에 유체를 구속하도록 구성된 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 10 항에 있어서, 유체를 주형의 외부 채널을 통해 폐기물 용기로 보내는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 10 항에 있어서, 유체를 주형의 외부 채널을 통해 주변 분위기 조건으로 보내는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 10 항에 있어서, 주형의 활성 영역에 인접해 위치된 적어도 하나의 구멍을 통해서 유체를 펄스하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 펄스 단계는 주형의 활성 영역에 인접해 위치된 구멍의 첫 번째 부분 및 구멍의 두 번째 부분을 통해서 유체를 연속적으로 펄스하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 13 항에 있어서, 임프린트 리소그래피 주형의 내부 채널에 유체를 제공하는 단계는 내부 채널 및 주형의 활성 영역에 인접해 위치된 구멍의 첫 번째 부분을 통해서 유체를 연속적으로 펄스하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 주형의 활성 영역에 인접해 위치된 구멍의 두 번째 부분을 통해서 유체를 소기시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 10 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서, 주형의 활성 영역에 인접해 위치된 구멍을 통해서 유체를 소기시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 삭제
  20. 삭제
KR1020127017385A 2009-12-10 2010-12-10 임프린트 리소그래피 주형 Active KR101739331B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US28536709P 2009-12-10 2009-12-10
US61/285,367 2009-12-10
US12/964,081 2010-12-09
US12/964,081 US20110140304A1 (en) 2009-12-10 2010-12-09 Imprint lithography template
PCT/US2010/059840 WO2011072202A1 (en) 2009-12-10 2010-12-10 Imprint lithography template

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120123300A KR20120123300A (ko) 2012-11-08
KR101739331B1 true KR101739331B1 (ko) 2017-05-24

Family

ID=44142010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127017385A Active KR101739331B1 (ko) 2009-12-10 2010-12-10 임프린트 리소그래피 주형

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20110140304A1 (ko)
JP (1) JP5745532B2 (ko)
KR (1) KR101739331B1 (ko)
WO (1) WO2011072202A1 (ko)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080160129A1 (en) * 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
US9766074B2 (en) 2008-03-28 2017-09-19 Regents Of The University Of Minnesota Vision-aided inertial navigation
JP5868215B2 (ja) * 2012-02-27 2016-02-24 キヤノン株式会社 インプリント装置およびインプリント方法、それを用いた物品の製造方法
CN102866582B (zh) * 2012-09-29 2014-09-10 兰红波 一种用于高亮度led图形化的纳米压印装置和方法
JP6171412B2 (ja) * 2013-03-06 2017-08-02 大日本印刷株式会社 インプリント方法、インプリント用のモールドおよびインプリント装置
US10012504B2 (en) 2014-06-19 2018-07-03 Regents Of The University Of Minnesota Efficient vision-aided inertial navigation using a rolling-shutter camera with inaccurate timestamps
JP6525567B2 (ja) * 2014-12-02 2019-06-05 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法
JP6700794B2 (ja) * 2015-04-03 2020-05-27 キヤノン株式会社 インプリント材吐出装置
JP6768368B2 (ja) * 2015-09-08 2020-10-14 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP6700771B2 (ja) * 2015-12-16 2020-05-27 キヤノン株式会社 インプリント装置、及び物品の製造方法
JP2016149578A (ja) * 2016-05-11 2016-08-18 大日本印刷株式会社 ナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法
JP6808386B2 (ja) * 2016-07-12 2021-01-06 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品製造方法
US11466990B2 (en) 2016-07-22 2022-10-11 Regents Of The University Of Minnesota Square-root multi-state constraint Kalman filter for vision-aided inertial navigation system
US10991582B2 (en) * 2016-12-21 2021-04-27 Canon Kabushiki Kaisha Template for imprint lithography including a recession, an apparatus of using the template, and a method of fabricating an article
JP7058951B2 (ja) * 2017-05-24 2022-04-25 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP6972784B2 (ja) * 2017-08-31 2021-11-24 大日本印刷株式会社 インプリント装置
JP6992331B2 (ja) * 2017-09-05 2022-01-13 大日本印刷株式会社 インプリントモールド
US10895806B2 (en) 2017-09-29 2021-01-19 Canon Kabushiki Kaisha Imprinting method and apparatus
JP7064310B2 (ja) * 2017-10-24 2022-05-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品製造方法
WO2019218081A1 (en) * 2018-05-18 2019-11-21 Marion Surgical Inc. A virtual reality surgical system including a surgical tool assembly with haptic feedback
US11940277B2 (en) 2018-05-29 2024-03-26 Regents Of The University Of Minnesota Vision-aided inertial navigation system for ground vehicle localization
US10921706B2 (en) 2018-06-07 2021-02-16 Canon Kabushiki Kaisha Systems and methods for modifying mesa sidewalls
US10990004B2 (en) 2018-07-18 2021-04-27 Canon Kabushiki Kaisha Photodissociation frame window, systems including a photodissociation frame window, and methods of using a photodissociation frame window
US11590687B2 (en) 2020-06-30 2023-02-28 Canon Kabushiki Kaisha Systems and methods for reducing pressure while shaping a film
JP7558696B2 (ja) * 2020-07-06 2024-10-01 キヤノン株式会社 成形装置及び物品の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007067469A2 (en) 2005-12-08 2007-06-14 Molecular Imprints, Inc. Method for expelling gas positioned between a substrate and a mold
JP2009266841A (ja) * 2008-04-21 2009-11-12 Toshiba Corp ナノインプリント方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6873087B1 (en) 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
US20080164638A1 (en) * 2006-11-28 2008-07-10 Wei Zhang Method and apparatus for rapid imprint lithography
US6932934B2 (en) 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
US7077992B2 (en) 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
DK1542668T3 (da) * 2002-08-20 2009-07-20 Bristol Myers Squibb Co Formulering af aripiprazolkompleks og fremgangsmåde
US6936194B2 (en) 2002-09-05 2005-08-30 Molecular Imprints, Inc. Functional patterning material for imprint lithography processes
US20040065252A1 (en) 2002-10-04 2004-04-08 Sreenivasan Sidlgata V. Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards
US8349241B2 (en) 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
US7179396B2 (en) 2003-03-25 2007-02-20 Molecular Imprints, Inc. Positive tone bi-layer imprint lithography method
US7396475B2 (en) 2003-04-25 2008-07-08 Molecular Imprints, Inc. Method of forming stepped structures employing imprint lithography
US7157036B2 (en) 2003-06-17 2007-01-02 Molecular Imprints, Inc Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
US7090716B2 (en) * 2003-10-02 2006-08-15 Molecular Imprints, Inc. Single phase fluid imprint lithography method
US8076386B2 (en) 2004-02-23 2011-12-13 Molecular Imprints, Inc. Materials for imprint lithography
US7611348B2 (en) * 2005-04-19 2009-11-03 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
KR20080114681A (ko) 2006-04-03 2008-12-31 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 리소그래피 임프린팅 시스템
JP2008078550A (ja) * 2006-09-25 2008-04-03 Toppan Printing Co Ltd インプリントモールドおよびその製造方法およびパターン形成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007067469A2 (en) 2005-12-08 2007-06-14 Molecular Imprints, Inc. Method for expelling gas positioned between a substrate and a mold
JP2009266841A (ja) * 2008-04-21 2009-11-12 Toshiba Corp ナノインプリント方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5745532B2 (ja) 2015-07-08
KR20120123300A (ko) 2012-11-08
US9227361B2 (en) 2016-01-05
WO2011072202A1 (en) 2011-06-16
US20110140304A1 (en) 2011-06-16
US20140008841A1 (en) 2014-01-09
JP2013513950A (ja) 2013-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101739331B1 (ko) 임프린트 리소그래피 주형
US7462028B2 (en) Partial vacuum environment imprinting
US7281919B2 (en) System for controlling a volume of material on a mold
CN102119363B (zh) 用于光刻的高深宽比模板、制作相同模板的方法、以及这种模板在纳米级基板射孔中的应用
EP2470956B1 (en) Functional nanoparticles
KR102046933B1 (ko) 비-볼록 형상의 나노구조의 패터닝
KR102247829B1 (ko) 임프린트 템플레이트 복제 프로세스 중에 압출을 제어하기 위한 방법
CN101932754A (zh) 单相流体印刻平板印刷方法
US10921706B2 (en) Systems and methods for modifying mesa sidewalls
KR101346063B1 (ko) 관통홀을 가지는 프리스탠딩한 고분자 멤브레인 및 그 제조방법
JP2013519228A (ja) ナノインプリントのためのプロセスガス閉じ込め
KR101107474B1 (ko) 소프트몰드와 이를 이용한 패턴방법
US20110180964A1 (en) Systems and methods for substrate formation
JP6503606B2 (ja) インプリント装置
KR20100025363A (ko) 나노 패턴 제조방법, 마스크 제조방법 및 나노 임프린트 리소그래피 방법
WO2008138361A1 (en) Mold for generating nanostructures, and mold holder unit
Gubbi et al. Nanomanufacturing technologies: development strategies and future prospects
KR20240083622A (ko) 임프린트 리소그래피를 이용한 나노멤브레인 제작방법 및 상기 방법으로 제작된 나노멤브레인
Peroz et al. Fabrication of high aspect ratio structures by soft UV nanoimprint lithography

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20120704

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20151105

Comment text: Request for Examination of Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20160613

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20170420

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20170518

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20170519

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200512

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210511

Start annual number: 5

End annual number: 5