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KR101775657B1 - Manufacturing method for lead frame for light emitting device package - Google Patents

Manufacturing method for lead frame for light emitting device package Download PDF

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KR101775657B1
KR101775657B1 KR1020110021430A KR20110021430A KR101775657B1 KR 101775657 B1 KR101775657 B1 KR 101775657B1 KR 1020110021430 A KR1020110021430 A KR 1020110021430A KR 20110021430 A KR20110021430 A KR 20110021430A KR 101775657 B1 KR101775657 B1 KR 101775657B1
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light emitting
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lead frame
light
plating
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장재훈
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김재하
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해성디에스 주식회사
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Abstract

본 발명에서는 발광소자 패키지용 리드 프레임 및 그 제조방법이 개시된다. 상기 리드 프레임의 제조방법은, 발광소자 패키지용 리드 프레임의 제조방법으로서, 리드 프레임용 기저기판을 준비하는 단계와, 기저기판 위에 확산 조도(diffusion roughness)를 형성하는 단계와, 확산 조도 위에 구상조직을 갖는 반사 도금층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면, 표면처리를 통하여 광 지향각, 넓은 방사 폭을 갖는 발광소자용 리드 프레임 및 그 제조방법을 제공한다.
A lead frame for a light emitting device package and a manufacturing method thereof are disclosed in the present invention. The manufacturing method of the lead frame is a method of manufacturing a lead frame for a light emitting device package, comprising the steps of: preparing a base substrate for a lead frame; forming a diffusion roughness on the base substrate; And forming a reflective plating layer having a reflective surface.
According to the present invention, there is provided a lead frame for a light emitting element having a light directing angle and a wide radiation width through surface treatment, and a method of manufacturing the same.

Description

발광소자 패키지용 리드 프레임의 제조방법{Manufacturing method for lead frame for light emitting device package}Technical Field [0001] The present invention relates to a manufacturing method of a lead frame for a light emitting device package,

본 발명은 발광소자 패키지용 리드 프레임의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing a lead frame for a light emitting device package.

발광소자 패키지는 LED(Light Emitting Diode), LD(Laser Diode) 등과 같은 대게 점 광원 형태의 발광소자 및 상기 발광소자를 지지하며 통전 패스를 제공하는 리드 프레임을 포함한다. The light emitting device package includes a light emitting device in the form of a light source such as an LED (Light Emitting Diode) or an LD (Laser Diode), and a lead frame that supports the light emitting device and provides a current passing path.

발광소자 패키지에서 중요 특성인 휘도는, 리드 프레임의 반사율(GAM)과 사출 구조물(pre-mold)의 반사율이 높을수록 우수하며, 지향각은 사출 구조물의 형태(wall angle, height)와 빛의 각도를 조절하는 발광소자용 렌즈의 형태와 특성에 영향을 받는다. The luminance, which is an important characteristic in the light emitting device package, is higher as the reflectance (GAM) of the lead frame and the reflectance of the pre-mold are higher. The directivity angle is determined by the wall angle Is influenced by the shape and characteristics of the lens for the light emitting element which adjusts the light emitting element.

리드 프레임의 도금특성은 반사율을 높여 발광소자 패키지의 성능을 향상시키는데 집중되었으며, 리드 프레임의 최종 표면층은 매우 매끈한 경면의 반사면으로 형성되고 있다.The plating characteristic of the lead frame is focused on improving the performance of the light emitting device package by increasing the reflectance, and the final surface layer of the lead frame is formed as a mirror surface with a very smooth mirror surface.

본 발명의 목적은 표면처리를 통하여 광 지향각, 넓은 방사 폭을 갖는 발광소자용 리드 프레임의 제조방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a lead frame for a light emitting device having a light directing angle and a wide radiation width through surface treatment.

상기와 같은 목적 및 그 밖의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 리드 프레임의 제조방법은,  In order to achieve the above object and other objects, the present invention provides a method of manufacturing a lead frame,

발광소자 패키지용 리드 프레임의 제조방법으로서,A manufacturing method of a lead frame for a light emitting device package,

리드 프레임용 기저기판을 준비하는 단계;Preparing a base substrate for a lead frame;

상기 기저기판 위에 확산 조도(diffusion roughness)를 형성하는 단계; 및Forming a diffusion roughness on the base substrate; And

상기 확산 조도 위에 구상조직을 갖는 반사 도금층을 형성하는 단계;를 포함한다.And forming a reflective plating layer having a spherical structure on the diffused roughness.

예를 들어, 상기 확산 조도를 형성하는 단계에서는,For example, in the step of forming the diffusion roughness,

상기 기저기판에 에칭 공정 또는 산화 공정 중 선택된 어느 일 화학적 공정을 적용할 수 있다.Any one chemical process selected from the etching process or the oxidation process may be applied to the base substrate.

예를 들어, 상기 확산 조도를 형성하는 단계에서는,For example, in the step of forming the diffusion roughness,

상기 기저기판에 기계적 스템핑 또는 표면 연마 공정 중 선택된 어느 일 물리적 공정을 적용할 수 있다. Any one of the physical processes selected from the mechanical stamping or the surface polishing process can be applied to the base substrate.

이때, 상기 표면 연마 공정은 샌드 블라스팅(sand blasting)을 포함할 수 있다. At this time, the surface polishing process may include sandblasting.

예를 들어, 상기 확산 조도를 형성하는 단계에서는,For example, in the step of forming the diffusion roughness,

상기 기저기판 위에 표면 거칠기 도금공정을 적용할 수 있다. A surface roughness plating process can be applied to the base substrate.

이때, 상기 표면 거칠기 도금공정에서는, At this time, in the surface roughness plating process,

니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 중에서 선택된 일 금속을 도금소재로 하고, A metal selected from nickel (Ni) or copper (Cu) is used as a plating material,

비 균일한 도금표면이 형성되기에 충분히 낮은 도금소재의 농도를 적용하여, 도금공정을 수행할 수 있다. The plating process can be performed by applying a plating material concentration that is low enough to form a non-uniform plating surface.

대안으로, 상기 표면 거칠기 도금공정에서는,Alternatively, in the surface roughness plating process,

니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 중에서 선택된 일 금속을 도금소재로 하고, A metal selected from nickel (Ni) or copper (Cu) is used as a plating material,

구상구조의 도금조직이 형성되기에 충분히 낮은 도금 전류밀도를 적용하여, 도금공정을 수행할 수 있다. The plating process can be performed by applying a plating current density low enough to form a plating structure of a spherical structure.

또 다른 대안으로, 상기 표면 거칠기 도금공정에서는,As another alternative, in the surface roughness plating process,

도금 표면이 확산 조도를 갖기에 충분히 높은 도금 전류밀도를 적용하여, 은 스트라이크(Ag strike) 층을 형성할 수 있다. A silver strike layer can be formed by applying a plating current density high enough for the plating surface to have a diffused roughness.

예를 들어, 상기 반사 도금층을 형성하는 단계에서는,For example, in the step of forming the reflective plating layer,

구상구조의 도금조직이 형성되기에 충분히 낮은 도금 전류밀도를 적용하여, 도금공정을 수행할 수 있다. The plating process can be performed by applying a plating current density low enough to form a plating structure of a spherical structure.

이때, 상기 반사 도금층을 형성하는 단계에서는, At this time, in the step of forming the reflective plating layer,

0.3~2.0 ASD(A/dm2)의 낮은 전류밀도로 도금을 수행할 수 있다.Plating can be performed with a low current density of 0.3 to 2.0 ASD (A / dm 2 ).

예를 들어, 상기 반사 도금층을 형성하는 단계에서는,For example, in the step of forming the reflective plating layer,

광택제를 적용하여 은(Ag) 도금층을 형성할 수 있다. A silver (Ag) plating layer can be formed by applying a polishing agent.

예를 들어, 상기 리드 프레임의 제조방법은, For example, in the method of manufacturing the lead frame,

상기 반사 도금층에 선행하여, 금속 시드층 및 하지층 중의 적어도 하나를 포함하는 금속 피막층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. Forming a metal coating layer including at least one of the metal seed layer and the ground layer in advance of the reflective plating layer.

본 발명의 다른 측면에 따른 리드 프레임은, According to another aspect of the present invention, there is provided a lead frame,

발광소자 패키지용 리드 프레임으로서,A lead frame for a light emitting device package,

상기 리드 프레임의 최외곽층을 형성하며, 구상구조의 도금조직을 갖는 반사 도금층을 포함한다.And a reflective plating layer forming a outermost layer of the lead frame and having a plating structure of a spherical structure.

예를 들어, 상기 반사 도금층은 광택제 성분을 포함하는 은(Ag) 도금층을 포함할 수 있다.For example, the reflective plated layer may comprise a silver (Ag) plated layer comprising a brightener component.

본 발명에 의하면, 리드 프레임의 표면에 대한 광의 산란 특성을 극대화시키는 표면처리를 통해 일반적인 발광소자 패키지의 지향각 100~120도보다 넓은 광 지향각(wide view angle)을 가진 발광소자 패키지를 구현할 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에 의하면, 리드 프레임의 금속층 표면에 확산 조도를 형성하고, 확산 조도가 최외곽 도금층 표면상으로 노출될 수 있도록 구상조직의 반사 도금층을 형성한다.According to the present invention, it is possible to realize a light emitting device package having a wide view angle that is larger than a directivity angle of 100 to 120 degrees of a general light emitting device package through surface treatment that maximizes light scattering characteristics with respect to the surface of a lead frame have. According to one embodiment of the present invention, a diffusing roughness is formed on the surface of the metal layer of the lead frame, and a reflective plating layer of spherical structure is formed so that the diffusing roughness can be exposed on the outermost plating layer surface.

지향각이 넓어진 발광소자 패키지는, 점차 확대되고 있는 디스플레이용의 백라이드 유닛(BLU, Back Light Unit) 및 실내조명용 면 광원 등에 적용될 경우, 기존 일반적인 발광소자 패키지를 적용한 구조에 비하여, 사용되는 발광소자 패키지의 수를 현격하게 줄일 수 있는 장점이 있다. The light emitting device package having a wider directional angle can be applied to a backlight unit (BLU) for a display and a surface light source for indoor illumination, The number of packages can be significantly reduced.

도 1은 본 발명이 적용된 발광소자의 단면 구조를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 II 부분을 확대 도시한 도면이다.
도 3은 매끄러운 경면 반사면에 의한 반사 형태를 모식적으로 보여주는 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 경면 반사면에 의한 발광상태를 설명하기 위한 도면들이다.
도 5는 표면 거칠기를 갖는 반사면에 의한 반사 형태를 모식적으로 보여주는 도면이다.
도 6a 내지 도 6c는 표면 거칠기를 갖는 반사면에 의한 발광상태를 설명하기 위한 도면들이다.
도 7은 본 발명의 원리가 적용된 발광소자 패키지에 의한 면 광원의 형태를 모식적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 경면 반사면을 갖는 발광소자 패키지에 의한 면 광원의 형태를 모식직으로 보여주는 도면이다.
도 9a 내지 도 9e는 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 패키지용 리드 프레임의 제조방법을 공정 단계별로 도시한 도면들이다.
도 10은 확산 조도 처리된 표면 상태를 보여준다.
도 11a는 표면 거칠기 도금공정(Cu-roughing) 후의 표면 상태를 보여준다.
도 11b는 도 11a의 표면상에 은 도금이 형성된 이후에도 표면 거칠기가 유지되는 상태를 보여준다.
도 12는 표면 거칠기 도금공정의 다른 형태로서, 니켈 도금층의 표면 상태를 보여준다.
도 13은 표면 거칠기 도금공정의 또 다른 형태로서, 은 스트라이트 도금층의 표면 상태를 보여준다.
도 14a 내지 도 14c는 반사 도금층의 표면을 서로 다른 배율에 따라 확대한 사진들이다.
도 15는 본 발명의 원리가 적용된(확산 조도를 갖는) 반사 도금층의 표면상태를 보여준다.
도 16은 본 발명의 원리가 적용되지 않은(경면 반사면을 갖는) 도금층의 표면 상태를 보여준다.
도 17a 내지 도 17c는 본 발명의 일 실시형태에 따른 리드 프레임으로부터 발광소자 패키지를 형성하는 과정을 도시한 공정 단계별 도면들이다.
1 is a cross-sectional view of a light emitting device to which the present invention is applied.
2 is an enlarged view of a portion II in Fig.
Fig. 3 is a view schematically showing a reflection form by a smooth mirror-surface reflecting surface.
4A to 4C are views for explaining the light emitting state by the mirror-surface reflecting surface.
5 is a diagram schematically showing a reflection pattern by a reflecting surface having surface roughness.
6A to 6C are views for explaining a light emitting state by a reflecting surface having surface roughness.
7 is a schematic view illustrating a form of a surface light source according to a light emitting device package to which the principle of the present invention is applied.
8 is a schematic view showing the shape of a surface light source by a light emitting device package having a specular reflecting surface.
FIGS. 9A to 9E are views illustrating a method of manufacturing a lead frame for a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
10 shows the surface condition of the diffused light.
11A shows the surface state after the surface roughness plating process (Cu-roughing).
Fig. 11B shows a state in which surface roughness is maintained even after silver plating is formed on the surface of Fig. 11A.
Fig. 12 shows a surface state of the nickel plated layer as another form of the surface roughness plating process.
Fig. 13 shows a surface state of the silver plated layer as another form of the surface roughness plating process.
14A to 14C are photographs of enlarged surfaces of the reflective plated layer according to different magnifications.
Fig. 15 shows the surface state of a reflective plating layer (having a diffusing roughness) to which the principle of the present invention is applied.
Fig. 16 shows the surface state of the plating layer (with the mirror surface reflecting surface) to which the principle of the present invention is not applied.
FIGS. 17A through 17C are views showing process steps of forming a light emitting device package from a lead frame according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태에 관한 발광소자 패키지에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a light emitting device package according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1에는 본 발명이 적용된 발광소자 패키지의 단면 구조가 도시되어 있다. 도면을 참조하면, 상기 발광소자 패키지(100)는, 발광소자(150)와, 상기 발광소자(150)가 탑재되는 리드 프레임(110)과, 상기 리드 프레임(110)의 일부를 수용하도록 형성된 패키지 몰드(130)를 포함한다. 그리고, 상기 발광소자(150)를 지지해주는 리드 프레임(110) 상면과, 상기 발광소자(150)를 둘러싸는 패키지 몰드(130)의 캐비티 측면에는 각각 반사면(110R,130R)이 형성되며, 상기 반사면(110R,130R)들은 발광소자(150)의 출광 경로 상에서 발광소자(150)로부터 출사된 광 중에서 유효한 표시방향(L, 예를 들어, 상방) 이외의 방향으로 방사된 광들을 반사하여 표시방향(L)으로 광 경로를 전환시킨다.FIG. 1 shows a cross-sectional structure of a light emitting device package to which the present invention is applied. Referring to the drawings, the light emitting device package 100 includes a light emitting device 150, a lead frame 110 on which the light emitting device 150 is mounted, and a package 110 formed to receive a part of the lead frame 110 Mold (130). Reflective surfaces 110R and 130R are formed on the upper surface of the lead frame 110 supporting the light emitting device 150 and the cavity side surface of the package mold 130 surrounding the light emitting device 150, The reflecting surfaces 110R and 130R reflect light emitted in a direction other than the effective display direction (L, for example, upward) out of the light emitted from the light emitting element 150 on the outgoing path of the light emitting element 150 And the optical path is switched in the direction L.

상기 발광소자(150)는 발광 다이오드 또는 레이저 다이오드 등으로 구현될 수 있으며, 발광소자(150)로부터 방사된 광은 직접 유효한 표시방향(L), 예를 들어, 상방으로 방사되거나, 또는 광 경로 상에 형성된 캐비티 반사면(130R) 및/또는 리드 프레임의 반사면(110R)에 의해 유효한 표시방향(L)으로 광 경로를 전환함으로써, 예를 들어, 상방으로 방사될 수 있다. 상기 발광소자(150)는 리드 프레임(110)을 경유하여 구동 전원을 공급받고 광을 출력할 수 있다. 이를 위해, 상기 발광소자(150)는 금(Au), 은(Ag)과 같은 도전성 와이어(180)를 통하여 리드 프레임(110)과 전기적인 접속을 형성할 수 있다.The light emitting device 150 may be implemented by a light emitting diode or a laser diode, and the light emitted from the light emitting device 150 may be directly emitted in the effective display direction L, for example, upward, For example, by switching the optical path in the effective display direction L by the cavity reflection surface 130R formed on the lead frame and / or the reflection surface 110R of the lead frame. The light emitting device 150 receives driving power through the lead frame 110 and outputs light. The light emitting device 150 may be electrically connected to the lead frame 110 through a conductive wire 180 such as gold (Au) or silver (Ag).

상기 리드 프레임(110)은 발광소자(150)와 함께 패키지의 주요 구성으로, 발광소자(150)를 지지하는 동시에, 상기 발광소자(150)와 외부회로를 전기적으로 연결해주는 기능을 한다. 예를 들어, 상기 리드 프레임(110)은 패키지 외부의 구동회로기판(S)과 전기적으로 연결되며, 구동회로기판(S)과 발광소자(150) 간의 전원 패스를 형성해줄 수 있다.The lead frame 110 together with the light emitting device 150 is a main component of the package and functions to support the light emitting device 150 and to electrically connect the light emitting device 150 and an external circuit. For example, the lead frame 110 may be electrically connected to the driving circuit substrate S outside the package, and may form a power supply path between the driving circuit substrate S and the light emitting device 150.

상기 리드 프레임(110)은 서로 이격되어 형성된 제1, 제2 리드 영역(110-1,110-2)을 포함하고, 상기 제1, 제2 리드 영역(110-1,110-2)은 발광소자(150)의 양극단자(미도시) 및 음극단자(미도시)에 각각 접속될 수 있다. 상기 제1, 제2 리드 영역(110-1,110-2)은 서로 비대칭적인 형상으로 형성될 수 있으며, 발광소자(150)는 상기 제1 리드 영역(110-1) 상에 실장될 수 있다.The lead frame 110 includes first and second lead regions 110-1 and 110-2 which are spaced apart from each other. The first and second lead regions 110-1 and 110-2 are connected to the light emitting device 150, (Not shown) and a negative terminal (not shown), respectively. The first and second lead regions 110-1 and 110-2 may be formed asymmetrically with respect to each other and the light emitting device 150 may be mounted on the first lead region 110-1.

상기 제1, 제2 리드 영역(110-1,110-2) 각각은 패키지 내부에 위치하는 내부 리드(110a)와, 패키지 외부에 위치하는 외부 리드(110b)를 포함할 수 있다. 상기 내부 리드(110a)는 도전성 와이어(180)를 경유하여 발광소자(150)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 내부 리드(110a)의 일단부와 발광소자(150)의 전극 패드(미도시) 사이에는 금(Au), 은(Ag)과 같은 도전성 와이어(180)가 현수 상태로 연장될 수 있다. 상기 외부 리드(110b)는 패키지 몰드(130)의 외부로 노출되며, 패키지 외부의 구동회로기판(S)과 접점을 형성할 수 있다.Each of the first and second lead regions 110-1 and 110-2 may include an inner lead 110a located inside the package and an outer lead 110b located outside the package. The inner lead 110a may be electrically connected to the light emitting device 150 via the conductive wire 180. [ For example, a conductive wire 180 such as gold (Au) or silver (Ag) is suspended between one end of the inner lead 110a and an electrode pad (not shown) of the light emitting device 150 in a suspended state . The external lead 110b is exposed to the outside of the package mold 130 and can form a contact with the driving circuit substrate S outside the package.

예시된 실시형태에서는, 발광소자(150)의 전극 패드(미도시)에 접속된 일단과, 리드 프레임(110)에 접속된 타단을 갖는 도전성 와이어(180)를 이용하여, 발광소자(150)와 리드 프레임(110)을 전기 접속하고 있으나, 다른 실시형태에서는 전도성 범프(미도시)를 이용하여 발광소자(150)와 리드 프레임(110)을 상호 전기 접속시킬 수도 있다.The light emitting element 150 and the light emitting element 150 are connected to each other by using the conductive wire 180 having one end connected to the electrode pad (not shown) of the light emitting element 150 and the other end connected to the lead frame 110 The lead frame 110 is electrically connected to the lead frame 110. However, in another embodiment, the lead frame 110 may be electrically connected to the light emitting device 150 using conductive bumps (not shown).

상기 패키지 몰드(130)는 리드 프레임(110)의 일부를 수용하며 리드 프레임(110)을 고정한다. 상기 패키지 몰드(130)는 리드 프레임(110)을 애워싸며, 패키지 몰드(130)의 대략 중앙위치에는 리드 프레임(110)이 노출되도록 캐비티 공간(G)이 형성되어 있다. 상기 캐비티 공간(G) 내에는 리드 프레임(110) 상에 실장된 발광소자(150)가 수납된다. 상기 캐비티 공간(G)은 발광소자(150)를 수용할 수 있도록 패키지 몰드(130)의 상면으로부터 충분한 깊이로 인입 형성될 수 있다. 상기 패키지 몰드(130)는 발광소자(150)로부터 출사된 광을 반사시키는 역할을 한다. 보다 구체적으로, 캐비티 공간(G)을 한정하는 측벽은 발광소자(150)의 측 방향이거나 또는 측 방향에 가까운 방향으로 출사되는 광을 수용하여 광 경로를 상방, 그러니까 유효한 표시방향(L)으로 전환하는 반사면(130R)을 형성할 수 있다. 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 높인다는 측면에서, 상기 캐비티 반사면(130R)을 고 반사율, 고 광택의 반사면으로 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 캐비티 반사면(130R)을 형성하는 패키지 몰드(130)는 성형성과 가공성이 우수한 엔지니어링 플라스틱 계열의 PPA에 더하여, TiO2 등 고반사율 입자를 혼입한 수지를 적용하여 형성될 수 있다. 상기 패키지 몰드(130)는 사출 성형으로 형성될 수 있다.The package mold 130 receives a part of the lead frame 110 and fixes the lead frame 110. The package mold 130 covers the lead frame 110 and a cavity G is formed at a substantially central position of the package mold 130 so that the lead frame 110 is exposed. In the cavity space G, the light emitting device 150 mounted on the lead frame 110 is housed. The cavity G may be formed at a sufficient depth from the upper surface of the package mold 130 to accommodate the light emitting device 150. The package mold 130 reflects light emitted from the light emitting device 150. More specifically, the sidewall defining the cavity G accommodates the light emitted in the lateral direction or in the lateral direction of the light emitting device 150 to switch the optical path upward, that is, in the effective display direction L The reflection surface 130R can be formed. In order to increase the light extraction efficiency of the light emitting device package 100, it is preferable that the cavity reflection surface 130R is formed as a reflection surface with high reflectance and high gloss. For example, the package mold 130 forming the cavity reflection surface 130R can be formed by applying a resin mixed with high reflectance particles such as TiO2 in addition to PPA of engineering plastic type having excellent moldability and workability. The package mold 130 may be formed by injection molding.

상기 패키지 몰드(130)는 발광소자 패키지(100)의 외관을 구성하고, 패키지 몰드(130)의 외부로는 도전성 와이어(180)를 통하여 발광소자(150)와 전기적으로 연결된 리드 프레임(110) 일부가 돌출된다.The package mold 130 constitutes an outer appearance of the light emitting device package 100 and a part of the lead frame 110 electrically connected to the light emitting device 150 is electrically connected to the outside of the package mold 130 through the conductive wire 180 Respectively.

도 1에는 발광소자(150)로부터의 출사광의 진행경로를 전환하기 위한 패키지 몰드(130)가 도시되어 있으나, 본 발명에서 상기 패키지 몰드(130)가 필수적인 것은 아니다. 후술하는 바와 같이, 리드 프레임(110)의 상면에 반사면(110R)을 형성함으로써 유효한 표시방향(L) 이외의 다른 방향으로 출사된 광의 진행방향을 전환시킬 수 있다. 이에, 상기 패키지 몰드(130)를 생략함으로써 전체 발광소자 패키지(100)의 구조를 단순화시킬 수 있다.FIG. 1 shows a package mold 130 for switching the path of light emitted from the light emitting device 150. However, the package mold 130 is not essential in the present invention. As described later, by forming the reflective surface 110R on the upper surface of the lead frame 110, the traveling direction of light emitted in a direction other than the effective display direction L can be switched. By omitting the package mold 130, the structure of the entire light emitting device package 100 can be simplified.

발광소자(150)가 수납된 캐비티 공간(G)에는 밀봉 수지(190)가 주입되며, 이로써 발광소자(150)가 외부환경으로부터 물리적으로, 전기적으로 보호된다. 보다 구체적으로, 캐비티 공간(G) 내에는 발광소자(150) 및 본딩부를 외부환경으로부터 절연시키고, 이물질의 침입을 방지하기 위하여 밀봉 수지(190)가 도포될 수 있다. 상기 본딩부는 발광소자(150)와 도전성 와이어(180) 간의 접속개소와, 도전성 와이어(180)와 리드 프레임(110) 간의 접속개소를 의미할 수 있다. 도시된 바와 같이, 상기 밀봉 수지(190)는 발광소자(150) 및 도전성 와이어(180)를 매립하여 보호할 수 있으며, 캐비티 공간(G)을 충진할 수 있다.The sealing resin 190 is injected into the cavity space G in which the light emitting device 150 is housed so that the light emitting device 150 is physically and electrically protected from the external environment. More specifically, in the cavity space G, a sealing resin 190 may be applied to insulate the light emitting device 150 and the bonding portion from the external environment and prevent foreign matter from entering. The bonding portion may refer to a connecting portion between the light emitting device 150 and the conductive wire 180 and a connecting portion between the conductive wire 180 and the lead frame 110. As shown in the figure, the sealing resin 190 may fill the cavity G by filling the light emitting device 150 and the conductive wire 180.

발광소자(150)는 밀봉 수지(190)에 의해 매립되며, 발광소자(150)로부터 출사되는 광은 밀봉 수지(190)를 통하여 출광된다. 상기 밀봉 수지(190)는 광 투명성 수지소재로 형성되거나, 또는 형광체가 혼합된 광 투명성 수지소재로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 밀봉 수지(190)는 실리콘 수지 또는 에폭시 수지 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 높은 광 투과성을 갖고, 예를 들어 렌즈(미도시)와의 복합작용에 의해 발광소자(150)의 출사광을 확산시키기에 적합한 굴절률을 갖는 소재로 형성될 수 있다.The light emitting element 150 is embedded by the sealing resin 190 and the light emitted from the light emitting element 150 is output through the sealing resin 190. The sealing resin 190 may be formed of a light transparent resin material, or may be formed of a light transparent resin material mixed with a fluorescent material. For example, the sealing resin 190 may be formed of silicone resin, epoxy resin, or the like, but is not limited thereto. The sealing resin 190 may have a high light transmittance and may be formed by a combination action with, for example, a lens The diffraction grating may be formed of a material having a refractive index suitable for diffusing the outgoing light of the incident light.

상기 밀봉 수지(190)는 발광소자(150)로부터의 출사광을 넓은 방사 폭으로 확산시키기 위한 목적에 기여할 수 있으며, 도시된 바와 달리 예를 들어, 반구 형상 또는 반구 형상에 가까운 렌즈 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 밀봉 수지(190)의 굴절작용으로 출사광이 넓은 방사 폭으로 확산될 수 있다. 도면에 도시되어 있지는 않지만, 상기 밀봉 수지(190) 상에 별도의 렌즈(미도시)가 부착될 수 있다. 예를 들어, 반구 형상 또는 이에 가까운 형상의 실리콘 렌즈(미도시)가 적용될 수 있다. 렌즈(미도시)의 굴절력을 통하여 발광소자(150)로부터의 출사광은 넓은 방사 폭으로 확산될 수 있다.The sealing resin 190 may contribute to the purpose of diffusing the outgoing light from the light emitting element 150 with a wide radiation width and may be formed in a lens shape which is, for example, hemispherical or hemispherical . For example, the outgoing light can be diffused with a wide radiation width due to the refracting action of the sealing resin 190. Although not shown in the drawings, a separate lens (not shown) may be attached on the sealing resin 190. For example, a silicone lens (not shown) having a hemispherical shape or a shape close thereto may be applied. The outgoing light from the light emitting element 150 can be diffused over a wide radiation width through the refracting power of a lens (not shown).

도 2는 도 1의 II 부분을 확대하여 도시한 도면이다. 예를 들어, 상기 리드 프레임(110)은, 기저기판(112), 상기 기저기판(112) 상에 형성되고 이종소재 간의 층간 결합력을 높이기 위한 금속피막층(115), 상기 금속피막층(115) 상에 형성된 반사 도금층(117)이 순차적으로 형성된 적층체 구조를 이룰 수 있다. 2 is an enlarged view of a portion II in Fig. For example, the lead frame 110 includes a base substrate 112, a metal coating layer 115 formed on the base substrate 112 for enhancing interlayer coupling between different materials, And the reflective plating layer 117 formed thereon may be sequentially formed.

리드 프레임(110) 상면에는 발광소자(150)로부터의 출사광을 수용하기 위한 반사면(110R)이 형성되며, 상기 반사면(110R) 상에는 광 확산을 위한 소정의 표면 거칠기 내지 확산 조도(diffusion roughness)가 형성될 수 있다. 표면 거칠기(또는 확산 조도, 이하 같다)를 갖는 반사면은, 발광소자(150)로부터 출사된 광의 난반사 또는 산란을 촉진하여 넓은 방사 폭에 걸쳐서 광이 확산될 수 있도록 한다.A reflective surface 110R for receiving the light emitted from the light emitting device 150 is formed on the top surface of the lead frame 110. A predetermined surface roughness or diffusion roughness for light diffusion is formed on the reflective surface 110R. May be formed. The reflective surface having the surface roughness (or diffusion roughness, the same applies hereinafter) promotes irregular reflection or scattering of light emitted from the light emitting element 150, so that light can be diffused over a wide radiation width.

상기 리드 프레임(110)의 반사면(110R)은, 리드 프레임(110)의 최외곽을 이루는 반사 도금층(117)으로 구현될 수 있다. 상기 반사 도금층(117)은, 가시광 대역에서 높은 반사 특성을 갖는 소재로 선택될 수 있으며, 이러한 고 반사율 소재로는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 등이 예시될 수 있다. 또한, 이들 고 반사율 소재와 함께 다른 기능 성분들을 포함하는 합금 소재로 형성될 수도 있다. 상기 리드 프레임(110)의 반사면(110R)은 고 광택의 금속 소재로 형성될 수 있으며, 이에 따라 수지 계열의 소재로 형성되는 패키지 몰드(130 캐비티 반사면 130R)에 비해 높은 반사율을 가질 수 있다.The reflective surface 110R of the lead frame 110 may be embodied as a reflective plating layer 117 forming the outermost edge of the lead frame 110. [ The reflective plating layer 117 can be selected as a material having a high reflective characteristic in a visible light band. Examples of such a high reflective material include aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au) Further, these high-reflectivity materials may be formed of an alloy material including other functional components. The reflective surface 110R of the lead frame 110 may be formed of a high-gloss metallic material and thus may have a higher reflectance than the package mold 130 (cavity reflective surface 130R) formed of a resin-based material .

발광소자(150)로부터 유효한 표시방향(L), 예를 들어, 상방으로 출사된 광은 곧바로 표시면으로 투입될 수 있다. 유효한 표시방향(L) 이외의 방향으로 출사된 광은, 패키지 몰드(130)에 형성된 캐비티 벽면을 반사면(130R)으로 하거나, 또는 발광소자(150) 저면에 형성된 리드 프레임(110)을 반사면(110R)으로 하여, 광 경로를 유효한 표시방향(L)으로 전환하게 된다. 예를 들어, 발광소자(150)로부터 측 방향이나 저면 방향으로 출사된 광은 패키지 몰드(130)의 캐비티 반사면(130R)에 의하거나 또는 리드 프레임(110)의 반사면(110R)에 의해 진행방향이 상방으로 전환되고, 이때, 예를 들어, 리드 프레임(110)의 반사면(110R)에 의해 광 진행방향이 전환된 광은 재차 캐비티 반사면(130R)에 의해 반사됨으로써 유효한 표시방향(L)인 상방으로 출사될 수 있다. 이렇게 유효한 표시방향(L) 이외의 방향으로 사출되는 광을, 발광소자(150)를 수용한 캐비티 공간(G)의 캐비티 반사면(130R)이나, 발광소자(150)를 지지하는 리드 프레임(110)의 반사면(110R)을 이용하여 광 경로를 전환시킴으로써 발광소자 패키지(100)의 광 추출효율을 높일 수 있다.Light emitted from the light emitting element 150 in the effective display direction L, for example, upward, can be directly applied to the display surface. The light emitted in a direction other than the effective display direction L may be formed by using the cavity wall surface formed in the package mold 130 as the reflecting surface 130R or the lead frame 110 formed on the bottom surface of the light emitting element 150 as the reflecting surface 130R, (110R) to switch the optical path to the effective display direction (L). For example, light emitted from the light emitting element 150 in the lateral direction or the bottom surface direction is guided by the cavity reflection surface 130R of the package mold 130 or by the reflection surface 110R of the lead frame 110 The light whose direction of light traveling is changed by the reflecting surface 110R of the lead frame 110 is reflected again by the cavity reflecting surface 130R so that the effective display direction L ≪ / RTI > The light emitted in a direction other than the effective display direction L is reflected by the cavity reflection surface 130R of the cavity space G accommodating the light emitting element 150 and the lead frame 110 The light extraction efficiency of the light emitting device package 100 can be increased by switching the light path by using the reflective surface 110R of the light emitting device package 100. [

상기 리드 프레임(110)의 반사면(110R)은 발광소자(150)로부터 출사되는 광을 유효한 표시방향(L), 예를 들어, 상방으로 반사한다. 즉, 소정의 표면 거칠기 내지 확산 조도(diffusion roughness)를 갖는 반사면(110R)에 의해, 발광소자(150)로부터 출사된 광은 유효한 표시방향(L)으로 광 경로가 전환된다. 이때, 반사면(110R) 표면에 형성된 표면 거칠기(또는 확산 조도)에 따라 반사면(110R)으로 입사된 광은 입사위치에 따라 다양한 지향각으로 반사된다.The reflective surface 110R of the lead frame 110 reflects the light emitted from the light emitting device 150 in the effective display direction L, for example, upward. That is, the light emitted from the light emitting element 150 is switched in the effective display direction L by the reflective surface 110R having a predetermined surface roughness or diffusion roughness. At this time, the light incident on the reflection surface 110R according to the surface roughness (or diffusing roughness) formed on the surface of the reflection surface 110R is reflected at various orientation angles according to the incident position.

상기 표면 거칠기는 일정한 주기를 갖는 정형 패턴으로 이루어질 수도 있고, 또는 램덤하게 형성된 비정형 패턴으로 이루어질 수도 있다. 표면 거칠기를 갖는 반사면(110R)은 발광소자(150)로부터 하방으로 향하는 입사광을 유효한 표시방향(L), 예를 들어, 상방으로 전환시키며, 동시에 입사광을 넓게 확산시키는 역할을 한다. 즉, 동일한 입사각을 갖는 입사광이 반사면(110R)을 경유하면서 다양한 지향각으로 출사된다. 표면 거칠기를 갖는 반사면(110R)은 넓은 방사 폭을 갖도록 광을 확산시키며 넓은 표시면에 걸쳐서 광을 확산시킴으로써 균일한 휘도를 얻을 수 있다.The surface roughness may be a regular pattern having a constant period, or may be an amorphous pattern formed randomly. The reflective surface 110R having surface roughness converts incident light directed downward from the light emitting element 150 into an effective display direction L, for example, upward, and at the same time spreads the incident light widely. That is, incident light having the same incident angle passes through the reflection surface 110R and is emitted at various orientations. The reflective surface 110R having a surface roughness can diffuse light so as to have a wide emission width and diffuse light over a wide display surface, thereby obtaining a uniform luminance.

상기 발광소자 패키지(100)는 디스플레이 용도에 적용될 수 있으며, 평면표시소자용 조명장치에 적용될 수 있다. 예를 들어, 발광소자 패키지(100)와 같은 점 광원을 적용하여 디스플레이 용도의 면 광원(예를 들어, 디스플레이 소자의 백라이트 등)을 구성할 경우, 다수의 발광소자 패키지(100)들을 병렬적으로 배치함으로써 표시면 전체에 걸쳐서 균일한 광 분포를 갖도록 하며, 표시면 일부에서 저휘도 영역이나, 암점 또는 사-영역(dead area)이 형성되지 않도록 한다.The light emitting device package 100 may be applied to a display device, and may be applied to a lighting device for a flat display device. For example, when a point light source such as a backlight of a display device is configured by using a point light source such as the light emitting device package 100, a plurality of light emitting device packages 100 may be arranged in parallel So as to have a uniform light distribution over the whole display surface and prevent a low luminance area, a dark spot or a dead area from being formed in a part of the display surface.

예를 들어, 상기 발광소자 패키지(100)는 구동회로기판(S)상에 다수의 배열을 이루도록 장착될 수 있고, 구동회로기판(S)을 통하여 발광소자 패키지(100)들은 구동전원을 공급받고 광을 출력할 수 있다.For example, the light emitting device package 100 may be mounted on the driving circuit substrate S in a plurality of arrangements, and the light emitting device packages 100 are supplied with driving power through the driving circuit substrate S Light can be output.

이때, 표면 거칠기(확산 조도)의 반사면(110R)을 통하여 넓은 방사 폭으로 광을 확산시킴으로써 표시면의 넓은 영역에 걸쳐서 균일한 휘도를 제공할 수 있다. 상대적으로 넓은 범위에 걸쳐 확산되는 광빔의 발광소자 패키지(100)를 이용하면, 상대적으로 적은 수의 발광소자 패키지(100)로도 균일한 휘도 분포의 면 광원을 얻을 수 있기 때문에, 면 광원의 제조단가를 낮출 수 있다. 이런 점에서, 표면 거칠기의 반사면(110R)을 적용함으로써 적은 수의 발광소자 패키지(100)를 이용하면서도 균일한 휘도를 갖는 면 광원을 제공할 수 있다. At this time, it is possible to provide uniform brightness over a wide area of the display surface by diffusing the light with a wide radiation width through the reflection surface 110R having the surface roughness (diffusive illumination). The use of the light emitting device package 100 of a light beam diffused over a relatively wide range can provide a planar light source with a uniform luminance distribution even with a relatively small number of the light emitting device packages 100, . In this regard, by applying the reflective surface 110R having a surface roughness, it is possible to provide a planar light source having a uniform luminance while using a small number of the light emitting device packages 100. [

도 3에 도시된 바와 같이, 상대적으로 매끈한 경면의 반사면(R1)으로 입사된 광은 주 지향각에서 우세한 광 강도(Lm)를 보이며, 주 지향각 이외의 다른 지향각에서는 상대적으로 미약한 광 강도를 보이게 된다. 즉, 정반사(specular reflection) 내지 이와 유사한 반사 형태에 해당된다. 반사광의 광 강도는 주 지향각에 집중되며 뚜렷한 방향성을 보이고, 다른 지향각에서 급격히 감쇄하는 이른바, 가우시안 분포(Gaussian distribution)를 보이게 된다. As shown in FIG. 3, the light incident on the relatively smooth specular reflection surface R1 has a dominant light intensity Lm at the main directivity angle, and a relatively weak light intensity Lm at the other directivity angles other than the main directivity angle. It shows strength. That is, it corresponds to a specular reflection or a similar reflection form. The light intensity of the reflected light is concentrated on the main directivity angle and shows a distinctive directionality and a so-called Gaussian distribution in which the light intensity is rapidly attenuated in the other directional angles.

도 4a 내지 도 4c에는 리드 프레임 상에 상대적으로 매끈한 경면의 반사면(R1)을 갖는 발광소자 패키지의 발광상태를 보여주는 도면이 도시되어 있다. 도 4a 내지 도 4c에는 각각 발광상태를 모식적으로 보여주는 도면, 방사상으로 지향각에 따른 광 강도의 분포를 보여주는 도면, 그리고, 표시면 상에서의 실제 발광상태를 보여주는 도면이 각각 도시되어 있다. 도면들을 참조하면, 매끈한 경면의 반사면(R1)을 갖는 패키지의 경우, 상대적으로 상방으로 광이 집중되며, 이외의 다른 지향각에서는 상대적으로 많이 감쇄된 형태의 광 강도 분포를 보인다. 도 4c에서 볼 수 있듯이, 표시면의 중앙영역에서는 집중적으로 높인 휘도를 보이지만, 그 외의 주변영역에서는 낮은 저 휘도 영역이 형성됨을 알 수 있다. Figs. 4A to 4C show a light emitting device package having a relatively smooth specular reflection surface R1 on a lead frame. Fig. FIGS. 4A to 4C are diagrams illustrating a light emitting state, a light intensity distribution according to a radial direction angle, and an actual light emitting state on a display surface, respectively. Referring to the drawings, in the case of a package having a smooth specular reflection surface R1, light is concentrated relatively upward, and a light intensity distribution with a relatively much attenuated shape is observed at other orientations. As can be seen from FIG. 4C, the central region of the display surface exhibits intensively high brightness, while the other peripheral regions have a low low-brightness region.

도 5에 도시된 바와 같이, 상대적으로 거친 표면, 즉 소정의 표면 거칠기(확산 조도)를 갖는 반사면(R2)으로 입사된 광은 주 지향각에서 우세한 광 강도(Lm)를 보이지만, 주 지향각 이외의 다른 지향각으로 넓게 분포되는 광 강도를 보이며, 주 지향각에서 광 강도가 높더라도 방향성이 많이 완화된 경향을 보이게 된다. 이는 확산 반사(diffuse reflection)의 형태에 해당된다. 즉, 지향각의 분포는 주 지향각을 중심으로 넓은 스펙트럼을 보이며, 넓은 지향각 범위에 걸쳐서 확산되며 방사 폭이 확대된다.As shown in FIG. 5, the light incident on the relatively rough surface, that is, the reflection surface R2 having a predetermined surface roughness (diffusing roughness) shows the light intensity Lm dominant in the main directivity angle, The light intensity is widely distributed at other directional angles, and the directionality tends to be relaxed even if the light intensity is high at the main directional angle. This corresponds to the form of diffuse reflection. That is, the distribution of the directivity angle has a broad spectrum centering on the main directivity angle, spreading over a wide directivity angle range and widening the radiation width.

도 6a 내지 도 6c에는 리드 프레임 상에 확산 조도가 형성된 반사면(R2`)을 갖는 발광소자 패키지의 발광상태를 보여주는 도면이 도시되어 있다. 도 6a 내지 도 6c에는 각각 발광상태를 모식적으로 보여주는 도면, 방사상으로 출사각에 따른 광 강도의 분포를 보여주는 도면, 그리고, 표시면 상에서의 실제 발광상태를 보여주는 도면이 각각 도시되어 있다. 도면들을 참조하면, 확산 조도의 반사면(R2`)을 갖는 패키지의 경우, 상대적으로 광이 넓은 방사 폭으로 확산되며, 상방 이외의 다른 지향각에 걸쳐서 상대적으로 균일한 광 강도 분포를 보이게 된다. 그리고, 도 6c에서 볼 수 있듯이, 표시영역의 중앙 영역뿐만 아니라, 그 주변영역으로 휘도가 고르게 분산되며, 상대적으로 넓은 고 휘도 영역을 갖는다는 점을 알 수 있다.6A to 6C are views showing a light emitting state of a light emitting device package having a reflection surface (R2 ') on which a diffused illumination is formed on a lead frame. 6A to 6C are diagrams each schematically showing a light emitting state, a diagram showing a distribution of light intensity according to an emission angle in a radial direction, and a diagram showing an actual light emitting state on a display surface, respectively. Referring to the drawings, in the case of a package having a diffusive reflection surface (R 2 '), a relatively wide light is diffused at a wide radiation width, and a relatively uniform light intensity distribution is seen over other directional angles other than upward. 6C, it can be seen that the luminance is uniformly distributed not only in the central region of the display region but also in the peripheral region thereof, and has a relatively wide high luminance region.

도 3에 도시된 경면의 반사면(R1)과 비교할 때, 다양한 지향각에 걸쳐서 광 강도가 상대적으로 균일화되는 것을 확인할 수 있다. 이것은 표면 거칠기(확산 조도)를 갖는 반사면(R2,R2`)의 경우에는 광의 입사위치에 따라 서로 다른 지향각으로 출사되기 갖기 때문으로, 상대적으로 광 강도가 균일화되고 넓은 방사 폭에 걸쳐서 광이 확산되는 것이다. 즉, 주 지향각에서 비교적 우세한 광 강도를 갖지만, 다른 지향각에서의 광 강도 역시 어느 정도 균일화되는 형태의 이른바 램버시안 분포(Lambertian distribution)의 광 강도를 보이게 된다.It can be confirmed that the light intensity is relatively uniform over various directional angles when compared with the specular reflection surface R1 shown in Fig. This is because, in the case of the reflection surfaces (R2, R2 ') having surface roughness (diffusive illumination), the light beams are emitted at different directing angles depending on the incident position of light, and the light intensity is relatively uniform, Is spread. That is, the light intensity of a Lambertian distribution having a relatively high light intensity at the main directivity angle but a light intensity at another directivity angle is also uniformized to some extent.

표면 거칠기(확산 조도)의 반사면(R2,R2`)을 통하여 넓은 방사 폭으로 광이 확산됨에 따라 표시면의 넓은 영역에 걸쳐서 넓게 광이 확산되며 균일한 휘도를 제공할 수 있고, 상대적으로 균등한 휘도 분포를 갖는 면 광원을 제공할 수 있다. 이와 관련하여, 상대적으로 넓은 스폿 사이즈를 갖는 광빔의 발광소자 패키지를 이용하여, 상대적으로 적은 수의 발광소자 패키지로도 균일한 휘도 분포의 면 광원을 얻을 수 있기 때문에, 면 광원의 제조단가를 낮출 수 있다는 장점이 있다.Light is diffused over a wide area of the display surface as the light is diffused over the reflection surface (R2, R2 ') of the surface roughness (diffusive illumination), and uniform lightness can be provided, It is possible to provide a planar light source having a luminance distribution. In this regard, it is possible to obtain a surface light source with a uniform luminance distribution even in a relatively small number of light emitting device packages by using a light emitting device package having a relatively large spot size, so that the manufacturing cost of the surface light source is reduced There is an advantage that it can be.

그러나, 상대적으로 매끈한 경면의 반사면(R1)을 적용하면, 지향각이 상대적으로 좁은 범위로 한정되고, 지향각이 좁은 스펙트럼에 편중되어 휘도가 불균일하게 된다. 따라서, 균등한 휘도 분포를 갖는 면 광원을 제공하기 위해서는 상대적으로 많은 수의 발광소자 패키지가 적용되어야 하는 것이며, 이는 곧바로 제조 단가의 상승으로 이어지게 된다.However, applying a mirror surface R1 having a relatively smooth mirror surface is limited to a relatively narrow range of the directivity angle, and is unevenly distributed in the spectrum with a narrow directivity angle. Therefore, in order to provide a planar light source having an even luminance distribution, a relatively large number of light emitting device packages must be applied, which leads directly to an increase in manufacturing cost.

표면 거칠기(확산 조도)를 갖는 반사면(R2,R2`)에서는, 표면 거칠기에 따라 광 진행경로가 전환되며, 입사위치에 따라 달라지는 입사각에 따라 다양한 지향각을 갖도록 광 진행경로가 전환된다. 이때, 도시된 바와 같이, 표면 거칠기를 갖는 반사면(R2,R2`)은 입사 위치에 따라 서로 다른 표면 상태를 갖기 때문에, 입사각에 차등을 둘 수 있는 것이고, 이에 따라 지향각의 스펙트럼을 넓게 확산시킬 수 있다. 이렇게 넓은 범위에 걸쳐 광 강도를 확산시키는 것은, 균일한 광 분포를 갖는 면 광원 용도로 적합하다는 것을 의미하는 것이고, 면 광원을 제공하기 위해 필요한 발광소자 패키지의 수를 저감할 수 있다는 것을 의미하는 것이다.In the reflective surfaces (R2, R2 ') having surface roughness (diffusive roughness), the light traveling path is switched according to the surface roughness, and the light traveling path is changed so as to have various orienting angles depending on the incident angle depending on the incident position. At this time, as shown in the figure, the reflecting surfaces R2 and R2 having surface roughness have different surface states depending on the incident position, so that the incident angle can be differentiated. Accordingly, the spectrum of the directing angle is diffused widely . The diffusion of the light intensity over such a wide range means that it is suitable for a planar light source having a uniform light distribution and means that the number of light emitting device packages necessary for providing a planar light source can be reduced .

도 7 및 도 8은 발광소자 패키지(LED1,LED2)들을 적용하여 구성한 면 광원의 형태를 보여주는 도면들이다. 도 7은 본 발명의 원리가 적용된 발광소자 패키지(LED1)가 적용된 광원이며, 도 8은 본 발명의 원리가 채용되지 않은 발광소자 패키지(LED2)가 적용된 광원이다.7 and 8 are views showing a form of a surface light source configured by applying the light emitting device packages LED1 and LED2. FIG. 7 is a light source to which a light emitting device package (LED1) to which the principle of the present invention is applied is applied, and FIG. 8 is a light source to which a light emitting device package (LED2) to which the principle of the present invention is not applied is applied.

디스플레이 용도의 면 광원을 발광소자 패키지(LED1,LED2)와 같은 점 광원으로 구성할 경우, 다수의 발광소자 패키지(LED1,LED2)를 병렬적으로 배치함으로써 표시면(D) 전역에 걸쳐서 발광소자 패키지(LED1,LED2)의 출사광이 도달하게 하고, 표시면(D) 상에 출사광이 도달하지 못하는 저휘도 영역이나 암점 내지 사-영역(dead area)을 제거하는 것이 관건이다.When a planar light source for display is constituted by a point light source such as the light emitting device packages LED1 and LED2, a plurality of light emitting device packages LED1 and LED2 are arranged in parallel, It is essential to remove the low luminance area or the dark spot or the dead area where the outgoing light of the LEDs LED1 and LED2 reaches and the outgoing light does not reach on the display surface D.

도면들을 참조하면, 다수의 발광소자 패키지(LED1,LED2)들이 구동회로기판(S)상에 매트릭스 배열을 이루어 장착될 수 있고, 구동회로기판(S)을 통하여 발광소자 패키지(LED1,LED2)들은 구동 전원을 공급받고 광을 발산할 수 있다.Referring to the drawings, a plurality of light emitting device packages LED1 and LED2 may be mounted on a driving circuit substrate S in a matrix array, and light emitting device packages LED1 and LED2 may be mounted on a driving circuit substrate S The driving power can be supplied and light can be emitted.

도 7에서 볼 수 있듯이, 각 발광소자 패키지(LED1)의 직 상방 영역은 각 발광소자 패키지(LED1)로부터 직접 출사된 광으로부터 충분한 휘도를 얻는다. 인접한 발광소자 패키지(LED1)들 사이의 영역은 표면 거칠기를 갖는 반사면을 경유함으로써 넓은 방사 폭으로 확산된 광들이 혼합되며 충분한 휘도를 얻을 수 있다. 도면번호 P는 표시면(D) 상에서의 휘도 프로파일을 개략적으로 도시한 것이다. 예를 들어, 발광소자 패키지(LED1)로부터 유효한 표시방향 이외의 방향으로 출사된 광은 패키지 몰드(130, 도 1 참조)에 형성된 캐비티 벽면을 반사면(130R)으로 하거나, 또는 발광소자(150) 저면에 형성된 리드 프레임(110)을 반사면(110R)으로 하여, 광 경로를 유효한 표시방향으로 전환하게 된다. 예를 들어, 발광소자(150)로부터 측 방향이나 저면 방향으로 출사된 광은 패키지 몰드(130)의 캐비티 반사면(130R)에 의하거나 또는 리드 프레임(110)의 반사면(110R)에 의해 진행방향이 상방으로 전환되고, 이때, 리드 프레임(110R)의 반사면(110R)에 형성된 표면 거칠기(확산 조도)에 의해 넓은 방사 폭으로 광이 확산됨으로써 상대적으로 적은 수의 발광소자 패키지(LED1)로도 일정한 표시영역을 균일한 휘도로 조명할 수 있다.As can be seen from Fig. 7, a region directly above each light emitting device package LED1 obtains sufficient luminance from the light emitted directly from each light emitting device package LED1. The area between the adjacent light emitting device packages LED1 can pass through the reflection surface having surface roughness so that light diffused at a wide radiation width can be mixed and a sufficient luminance can be obtained. And the reference numeral P schematically shows the luminance profile on the display surface D. [ For example, the light emitted from the light emitting device package LED1 in a direction other than the effective display direction is reflected by the cavity wall surface formed in the package mold 130 (see FIG. 1) as the reflecting surface 130R, The lead frame 110 formed on the bottom surface is used as the reflecting surface 110R to switch the optical path in the effective display direction. For example, light emitted from the light emitting element 150 in the lateral direction or the bottom surface direction is guided by the cavity reflection surface 130R of the package mold 130 or by the reflection surface 110R of the lead frame 110 The light is diffused at a wide radiation width by the surface roughness (diffusion roughness) formed on the reflective surface 110R of the lead frame 110R, so that a relatively small number of the light emitting device packages LED1 A constant display area can be illuminated with a uniform luminance.

도 8에 도시된 바와 같이, 상대적으로 좁은 방사 폭을 갖는 발광소자 패키지(LED2)를 적용하면, 동일한 표시영역을 균일한 휘도로 조명하기 위해, 보다 많은 수의 발광소자 패키지(LED2)가 요구된다. 이것은 각 개별 발광소자 패키지(LED2)의 방사 폭이 좁기 때문에, 그만큼 많은 수의 발광소자 패키지(LED2)가 조밀하게 배열되어야 하기 때문이다. 또한, 도 8에서 볼 수 있듯이, 이웃한 발광소자 패키지(LED2)들 사이의 영역에 조명이 도달하지 못하여 상대적으로 어두운 저휘도 영역이 형성되거나 사-영역(dead area)이 형성될 수도 있다.As shown in Fig. 8, when a light emitting device package LED2 having a relatively narrow emission width is applied, a larger number of light emitting device packages LED2 are required to illuminate the same display area with uniform luminance . This is because the emission width of each individual light emitting device package LED2 is narrow, so that a large number of the light emitting device packages LED2 must be densely arranged. Also, as can be seen from FIG. 8, a relatively dark low luminance region may be formed or a dead area may be formed due to the illumination not reaching the region between the neighboring light emitting device packages LED2.

본 발명의 원리가 적용된 도 7의 광원에서는, 각 발광소자 패키지(LED1)로부터의 출사광이 넓은 방사 폭에 걸쳐서 퍼지며 확산되므로, 상대적으로 적은 수의 발광소자 패키지(LED1)를 적용하면서도 전체 표시면에 걸쳐서 균일한 휘도 분포를 얻을 수 있다.7 in which the principle of the present invention is applied, the outgoing light from each light emitting device package LED1 spreads and spreads over a wide radiation width, so that a relatively small number of the light emitting device packages LED1 are applied, A uniform luminance distribution can be obtained.

이하, 도 9a 내지 도 9e를 참조하여, 발광소자의 실장에 적용되는 리드 프레임의 제조방법에 대해 설명하기로 한다. 먼저, 도 9a에 도시된 바와 같이, 리드 프레임용 기저기판(210)을 준비하는데, 이러한 기저기판(210)으로는, 통상적인 리드 프레임 소재가 모두 적용될 수 있으며, 예를 들어, 구리 박판 또는 구리 합금 박판이나, 철-니켈을 주성분으로 하는 합금 박판 등이 적용될 수 있다.Hereinafter, with reference to Figs. 9A to 9E, a description will be given of a method of manufacturing a lead frame to be used for mounting a light emitting device. First, as shown in FIG. 9A, a base substrate 210 for a lead frame is prepared. As the base substrate 210, a common lead frame material can be applied. For example, An alloy thin plate, an alloy thin plate mainly composed of iron-nickel, or the like can be applied.

다음에, 도 9b에 도시된 바와 같이, 기저기판(210)상에 리드 프레임 패턴을 형성하는 패터닝 공정이 진행된다. 상기 패터닝 공정에서는 기저기판(210)의 일부 영역을 제거함으로써 서로 다른 극성을 갖는 제1 리드 영역(210-1)과 제2 리드 영역(210-2)을 갖는 리드 프레임 패턴을 형성할 수 있으며, 화학적인 에칭이나 기계적인 타발, 펀칭 성형 등이 모두 적용될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1, 제2 리드 영역(210-1,210-2)은 서로에 대해 비대칭적인 형상으로 형성될 수 있으며, 어느 하나의 리드 영역(210-1,210-2)이 더 크게 형성될 수 있고, 더 크게 형성된 리드 영역(210-1) 상에 발광소자가 장착될 수 있다.Next, as shown in Fig. 9B, a patterning process for forming a lead frame pattern on the base substrate 210 proceeds. In the patterning process, a lead frame pattern having the first lead region 210-1 and the second lead region 210-2 having different polarities can be formed by removing a portion of the base substrate 210, Chemical etching, mechanical stamping, punching, and the like can all be applied. For example, the first and second lead regions 210-1 and 210-2 may be formed asymmetrically with respect to each other, and one of the lead regions 210-1 and 210-2 may be formed to be larger And the light emitting element can be mounted on the lead region 210-1 formed to be larger.

다음에, 기저기판(210)을 표면 처리하여 표면에 형성된 산화 피막을 제거하고, 기저기판(210)의 표면을 활성화하는 도금 전처리 공정을 진행한다. 이러한 도금 전 처리 공정에서는, 예를 들어, 전해 탈지(electro degreasing), 1차 산세(acid dip), 화학적 폴리싱(chemical polishing), 2차 산세(acid dip), 중화(neutralization) 등으로 이루어지는 일련의 단위 공정들을 포함할 수 있다.Next, the base substrate 210 is subjected to a surface treatment to remove the oxide film formed on the surface, and a plating pretreatment step for activating the surface of the base substrate 210 is performed. In this pre-plating process, for example, a series of processes consisting of electro degreasing, acid dip, chemical polishing, acid dip, neutralization, Unit processes.

다음에, 도 9c에 도시된 바와 같이, 광 확산을 위해 기저기판(210)의 표면을 조도 처리하는 확산 조도처리 공정이 수행된다. 예를 들어, 상기 확산 조도처리는 리드 프레임(210)의 패턴, 구조 등의 형상이 붕괴되지 않도록 목표수준을 벗어나지 않는 수준의 표면 거칠기를 형성하는 공정이다. 여기서, 확산 조도(diffusion roughness)란, 리드 프레임의 패턴이나 구조 등을 변경하지 않는 수준에서 광 확산을 촉진하기에 충분한 수준으로 형성된 표면 거칠기를 의미한다. 예를 들어, 확산 조도처리의 표면 거칠기는 대략 1.0 ~ 5.0μm의 식각 깊이(d)를 의미할 수 있다.Next, as shown in Fig. 9C, a diffusive roughness processing process for roughing the surface of the base substrate 210 for light diffusion is performed. For example, the diffusion roughing process is a process of forming a surface roughness at a level not exceeding a target level so that the shape, such as the pattern, structure, etc., of the lead frame 210 is not collapsed. Here, the diffusion roughness means a surface roughness formed at a level sufficient to promote light diffusion at a level that does not change the pattern or structure of the lead frame. For example, the surface roughness of the diffusive roughness treatment may mean an etch depth d of approximately 1.0 to 5.0 μm.

보다 구체적으로, 상기 확산 조도처리에서는 얕은 부식깊이를 형성하는 화학적 에칭(micro etching, soft etching, flash etching), 산화공정(black oxidation, brown oxidation) 등과 같은 화학적 처리공정이나, 기계적 스템핑, 샌드 블레스트(sand blast) 등의 연마 공정과 같은 물리적인 처리공정 등에 의해 형성될 수 있다.More specifically, in the diffusive roughness treatment, a chemical treatment such as a chemical etching (micro etching, soft etching, flash etching) or a oxidation (black oxidation, brown oxidation) for forming a shallow corrosion depth, And a physical treatment process such as a polishing process such as a sand blast.

예를 들어, 상기 화학적 에칭에서는, 기저기판(210)에 대해 확산 조도 처리용액을 적용하는데, 과수황산 계열 또는 과류산계의 소프트 에칭(soft ecthing) 용액 또는 박리제 등을 조합하여 적용할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 확산 조도처리에서는, 기저기판(210)에 대해 동박리제와 산화제 타입의 조도 처리제를 적용하여 대략 10~60초 정도 반응을 진행시킬 수 있다. 도 10은 이러한 확산 조도 처리 이후의 표면 상태를 보여준다.For example, in the chemical etching, a diffusion etching treatment solution is applied to the base substrate 210, and a soft etching solution or a stripping agent based on hydrous sulfuric acid or perspiration can be used in combination. More specifically, in the diffusive roughness treatment, a copper remover and an oxidizing agent type roughing agent may be applied to the base substrate 210 for about 10 to 60 seconds. Fig. 10 shows the surface state after such diffuse illumination processing.

상기 확산 조도처리에서는 기계적 스템핑, 샌드 블래스팅(sand blasting) 등의 연마공정이 적용될 수 있다. 이 경우에는 원소재 기저기판(210)에 대한 패터닝 이전에 확산 조도처리가 선행될 수 있고, 이후에 확산 조도처리된 기저기판(210)에 대해 패터닝 공정이 후행될 수 있다.In the diffusive roughness processing, an abrasive process such as mechanical stamping, sandblasting, or the like may be applied. In this case, the diffusive illumination process may precede the patterning of the raw base substrate 210, and the patterning process may be followed for the diffusely-illuminated base substrate 210.

한편, 상기 확산 조도처리에서는 상기한 바와 같은 표면처리 공정 이외에, 다양한 표면 거칠기 도금공정이 적용될 수 있는데, 예를 들어, 니켈이나 구리를 이용한 표면 거칠기 도금공정이 적용될 수 있다(Ni-roughing, Cu-roughing). 예를 들어, 원소재 기저기판(210) 상에 니켈이나 구리를 도금 형성하는데, 도금소재로서의 니켈(Ni), 구리(Cu) 등을 저 농도로 함유시킨 도금 용액 속에서 고전류를 인가하는 도금을 형성하면, 기저기판(210) 상에 표면 거칠기(또는 확산 조도)를 갖는 니켈 도금층 또는 구리 도금층이 형성된다. 예를 들어, 저 농도의 도금소재를 이용하므로, 원소재 기저기판(210) 상에 고르게 분산되며 치밀하게 형성되는 도금층이 형성되는 것이 아니라, 기저기판(210) 상의 군데 군데에 도금소재가 집중되는 거친 표면의 도금층이 형성될 수 있다. 이때, 이러한 표면 거칠기 도금공정에서, 니켈이나 구리 도금층를 박층 두께(5μm 이하)로 형성할 경우에는 도금 전처리를 거친 이후에 니켈이나 구리 도금층을 형성하는 것이 바람직하다. 도 11a는 표면 거칠기 공정(Cu-roughing) 후의 표면 상태를 보여준다. 도 11b는 도 11a의 표면상에 은 도금이 형성된 이후에도 표면 거칠기가 유지되는 상태를 보여준다. In addition, in the diffusive roughness treatment, various surface roughness plating processes may be applied in addition to the surface treatment process as described above. For example, a surface roughness plating process using nickel or copper may be applied (Ni-roughing, Cu- roughing). For example, nickel or copper is plated on a base substrate 210 of a raw material, and plating is performed by applying a high current in a plating solution containing nickel (Ni), copper (Cu), or the like as a plating material at a low concentration A nickel plating layer or a copper plating layer having a surface roughness (or a diffusion roughness) is formed on the base substrate 210. For example, since a low-concentration plating material is used, not only a plating layer that is uniformly dispersed and densely formed on the base substrate 210 is formed, but a plating material is concentrated on the base substrate 210 A plated layer of a rough surface can be formed. At this time, in the case of forming the nickel or copper plating layer with a thin layer thickness (5 탆 or less) in such a surface roughness plating process, it is preferable to form a nickel or copper plating layer after the plating pretreatment. 11A shows the surface state after the surface roughness process (Cu-roughing). Fig. 11B shows a state in which surface roughness is maintained even after silver plating is formed on the surface of Fig. 11A.

표면 거칠기 도금공정의 다른 형태로서, 저 전류(1.0~2.0 ASD 이하)로 니켈(Ni) 도금층이나 구리(Cu) 도금층을 형성함으로써 니켈도금조직(구리도금조직)을 구상구조로 형성하는 방법이 있다. 도 12는 이러한 방식의 표면 거칠기 공정을 이용하여 확산 조도를 형성한 표면 상태를 보여준다(니켈 도금층). As another mode of the surface roughness plating process, there is a method of forming a nickel (Ni) plating layer or a copper (Cu) plating layer at a low current (1.0 to 2.0 ASD or less) to form a nickel plating structure (copper plating structure) into a spherical structure . Fig. 12 shows a surface state in which the diffusion roughness is formed by using this type of surface roughness process (nickel plated layer).

표면 거칠기 도금공정의 또 다른 형태로서, 고 전류(3~5 ASD)로 은 스트라이트(Ag strike) 도금층을 형성하여 표면 조직에 확산 조도(표면 거칠기)를 형성하는 방법이 있다. 도 13은 이러한 방식의 표면 거칠기 도금공정을 이용하여 확산 조도(표면 거칠기)를 형성한 표면 상태를 보여준다. 은 스트라이크 도금층은, 후술하는 반사 도금층에 선행하는 도금 전처리 공정으로 볼 수 있거나 또는 반사 도금층의 일 구성으로서 반사 도금층 형성의 일 단위 공정으로 볼 수도 있다. 그리고, 은 스트라이크(Ag strike) 도금층은 그 자체로서 층간 결합력 증진에 기여하므로, 별도의 층간 결합력 증진을 위한 시드층 형성 등이 생략될 수 있다.As another form of the surface roughness plating process, there is a method of forming a silver strike plating layer at a high current (3 to 5 ASD) to form a diffusion roughness (surface roughness) in the surface texture. Fig. 13 shows the surface state in which the diffusing roughness (surface roughness) is formed using this type of surface roughness plating process. The silver strike plating layer may be regarded as a plating pretreatment step preceding the reflective plating layer to be described later, or may be regarded as one unit process of forming the reflective plating layer as one configuration of the reflective plating layer. Since the Ag strike plating layer itself contributes to the enhancement of the interlayer bonding force, formation of a seed layer for enhancing the interlayer bonding strength can be omitted.

다음에, 도 9d에서 볼 수 있듯이, 기저기판(210) 상에 금속 피막층(215)이 형성될 수 있다. 상기 금속 피막층(215)은, 예를 들어, 금속 시드층(211)과 하지층(213)을 포함할 수 있다. 상기 금속 시드층(211)은 기저기판(210)의 구리합금 등과의 결합력을 높이고, 도금 품질 향상을 위한 것이다. 상기 금속 시드층(211)은 기저기판(210)에 대한 양호한 밀착력, 우수한 층간 결합력을 갖는 특정 금속 소재로 형성될 수 있으며, 기판 소재에 따라 상응하는 후보 물질군이 고려될 수 있으나, 예를 들어, 구리 스트라이크(Cu strike) 층으로 형성될 수 있다. Next, as shown in FIG. 9D, a metal coating layer 215 may be formed on the base substrate 210. The metal coating layer 215 may include a metal seed layer 211 and a ground layer 213, for example. The metal seed layer 211 is for enhancing the bonding force between the base substrate 210 and the copper alloy and improving the plating quality. The metal seed layer 211 may be formed of a specific metal material having a good adhesion to the base substrate 210 and an excellent interlayer bonding force, and a corresponding candidate material group may be considered depending on the substrate material. For example, , And a copper strike (Cu strike) layer.

상기 금속 시드층(211) 상에는 하지층(213, under layer)이 형성될 수 있다. 상기 하지층(213)은 반사 도금층에 선행하는 하지층으로, 예를 들어, 발광소자(150)와의 전기적인 연결을 매개하는 도전성 와이어(180)의 본딩 특성을 향상시키고, 금속이온의 마이그레이션(migration)을 방지하기 위한 확산 방지막으로 기능할 수 있다.An underlayer 213 may be formed on the metal seed layer 211. The underlayer 213 is a base layer preceding the reflective plating layer and improves the bonding characteristics of the conductive wire 180 that mediates electrical connection with the light emitting device 150, As a diffusion preventing film.

상기 금속 시드층(211)과 하지층(215)은 서로에 대해 적층되는 이종 금속층 간에 개재되어 층간 결합력을 높이기 위한 목적으로 적용될 수 있으며, 기저기판(210)을 구성하는 금속 성분이 리드 프레임의 표면으로 확산되는 것을 차단하여 반사 도금층을 보호하고 유해 성분이 형성되는 것을 방지하기 위한 목적에 기여할 수 있다. The metal seed layer 211 and the ground layer 215 may be interposed between different metal layers stacked on each other to increase the interlayer coupling force. The metal constituting the base substrate 210 may be formed on the surface of the lead frame To protect the reflective plating layer and to prevent the formation of harmful components.

상기 금속 피막층(215)은 상기 금속 시드층(211)과 하지층(213)으로 한정되는 것이 아니며, 필요에 따라 동종의 단일 금속층 또는 이종 간의 금속층이 2 이상 복층으로 적층되는 다양한 형태를 가질 수 있다. 상기 금속 시드층(211) 및 하지층(213) 중, 어느 일 구성이 생략될 수 있으며, 예를 들어, 도금 조건 및 도금 특성에 따라 상기 금속 시드층(211)은 생략될 수도 있다.The metal coat layer 215 is not limited to the metal seed layer 211 and the ground layer 213. The metal coat layer 215 may have various forms in which a single metal layer or an intermetallic metal layer of the same kind is stacked in two or more layers as necessary . Any one of the metal seed layer 211 and the ground layer 213 may be omitted, for example, the metal seed layer 211 may be omitted depending on plating conditions and plating characteristics.

다음에, 도 9e에 도시된 바와 같이, 상기 기저기판(210) 상에 반사 도금층(217)을 형성한다. 다만, 도면에 도시되어 있지는 않지만, 상기 반사 도금층(217)에 선행하여 층간 결합력을 높이기 위한 목적으로, 은 스트라이크(Ag strike) 층이 형성될 수 있다. Next, as shown in FIG. 9E, a reflective plating layer 217 is formed on the base substrate 210. However, although not shown in the drawing, a silver strike layer may be formed in advance of the reflective plating layer 217 for the purpose of enhancing the interlayer coupling force.

상기 반사 도금층(217)은 발광소자(150)로부터 출사되는 광을 높은 반사율(광택도)로 반사시킴으로써 발광소자(150)의 광 추출효율을 높이기 위한 목적에 기여한다. 상기 반사 도금층(217)은, 가시광 대역에서 높은 반사 특성을 갖는 소재로 선택될 수 있으며, 이러한 고 반사율 소재로는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 등이 예시될 수 있다. 또한, 이들 고 반사율 소재와 함께 다른 기능 성분들을 포함하는 합금 소재로 형성될 수도 있다.The reflection plating layer 217 contributes to the purpose of increasing light extraction efficiency of the light emitting device 150 by reflecting light emitted from the light emitting device 150 with high reflectance (gloss). The reflective plating layer 217 may be selected as a material having high reflective properties in a visible light band. Examples of such a high reflective material include aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au) Further, these high-reflectivity materials may be formed of an alloy material including other functional components.

예를 들어, 상기 반사 도금층(217)은 은(Ag) 도금층, 또는 은(Ag)-알루미늄(Al) 등의 은(Ag) 합금 도금층(이하, 은(Ag) 도금층으로 총칭함)으로 형성될 수 있다. 상기 반사 도금층(217)은 은(Ag) 도금층으로 형성될 수 있으며, 상기 은(Ag) 도금층은, 은(Ag) 성분과 함께 충분한 양의 광택제가 혼합되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 반사 도금층(217)의 형성에서는, 고광택 은(Ag) 도금욕에 입수된 피 도금소재(예를 들어, 기저기판)의 표면상에서 도금층이 성장하는데, 표면상의 확산 조도를 유지하면서 도금층이 성장할 수 있도록 낮은 전류밀도로 도금을 수행한다. 예를 들어, 상기 반사 도금층의 형성에서는, 0.3 ASD를 하한치로 하고, 2.0 ASD를 하한치로 하여, 0.3~2.0 ASD(A/dm2)의 낮은 전류밀도로 도금이 수행될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 반사 도금층(217)의 형성에서는 1 ASD(A/dm2)의 전류밀도가 적용될 수 있다. 이렇게 낮은 저 전류밀도를 적용하여 형성된 반사 도금층(217)은, 침상구조가 아니라 구상구조를 갖게 된다. 통상 은(Ag) 도금층의 형성에서는 고 전류밀도, 예를 들어, 5~10 ASD의 높은 전류밀도로 고속의 도금이 수행되며, 이에 따라 은(Ag) 도금층의 도금조직은 침상구조를 갖게 된다. For example, the reflective plating layer 217 may be formed of a silver (Ag) plating layer or a silver (Ag) plating layer such as silver (Al) . The reflective plating layer 217 may be formed of a silver (Ag) plating layer, and the silver (Ag) plating layer may be formed by mixing a sufficient amount of a brightener together with a silver (Ag) component. For example, in the formation of the reflective plating layer 217, a plating layer is grown on the surface of a plating material (for example, a base substrate) obtained in a high-gloss (Ag) plating bath, Plating is performed at a low current density so that the plating layer can grow. For example, in the formation of the reflective plating layer, plating may be performed at a low current density of 0.3 to 2.0 ASD (A / dm 2 ) with a lower limit of 0.3 ASD and a lower limit of 2.0 ASD. More specifically, a current density of 1 ASD (A / dm < 2 >) may be applied in forming the reflective plating layer 217. [ The reflective plating layer 217 formed by applying such a low low current density has a spherical structure, not a needle-shaped structure. In the formation of the silver (Ag) plating layer, high-speed plating is performed at a high current density, for example, a high current density of 5 to 10 ASD, so that the plating structure of the silver (Ag) plating layer has a needle-like structure.

상기 반사 도금층(217)은 저 전류밀도를 적용하여 저속으로 도금을 수행함으로써 도 9e에 도시된 바와 같이 구상구조가 형성되며, 기저기판(210) 상에 형성된 확산 조도가 외부로 표출될 수 있다. 즉, 저속의 도금을 수행함으로써 기저기판(210) 상에 형성된 확산 조도를 따라 도금층이 천천히 형성되는 결과, 반사 도금층(217)의 표면이 확산 조도를 갖는 것이다. The reflective plating layer 217 is plated at a low current density by applying a low current density to form a spherical structure as shown in FIG. 9E, and the diffusing roughness formed on the base substrate 210 can be exposed to the outside. That is, by performing low-speed plating, the plating layer is formed slowly along the diffusion roughness formed on the base substrate 210, so that the surface of the reflective plating layer 217 has a diffusion roughness.

확산 조도처리된 표면에 고 전류밀도를 적용하는 고속 도금을 적용할 경우, 확산 조도가 도금층에 의해 매립되며 평활한 도금면이 형성됨으로써 확산 조도처리의 효과가 상쇄된다. 상기 반사 도금층(217)은 구상구조의 도금조직을 갖고, 저속의 도금에 의해 형성되므로, 광 확산을 위한 확산 조도를 유지할 수 있다.When high-speed plating applying a high current density is applied to the surface subjected to the diffused roughness, the diffused roughness is buried by the plating layer and the smooth plating surface is formed, so that the effect of the diffused roughing treatment is canceled. Since the reflective plating layer 217 has a spherical plating structure and is formed by low-speed plating, the diffusion roughness for light diffusion can be maintained.

도 9e에 도시된 바와 같이, 확산 조도, 즉 표면 거칠기를 갖는 기저기판(210)의 표면을 따라 반사 도금층(217)이 형성될 수 있으며, 이 반사 도금층(217)은 확산 조도를 형성하는 요입-요철을 따라 형성될 수 있고, 요입-요철을 따르는 구상조직의 도금조직을 보이게 된다.9E, a reflective plating layer 217 may be formed along the surface of the base substrate 210 having a diffused roughness, that is, a surface roughness, and the reflective plating layer 217 may be formed as a recess- Can be formed along the irregularities, and the plating structure of the spherical structure following the concave-convexity is displayed.

상기 반사 도금층(217)은, 리드 프레임의 최외곽 표면을 형성하며 발광소자로부터 출광 경로 상의 반사면을 형성한다. 따라서, 상기 반사 도금층(217)은 일정 이상의 광택제를 첨가하고 충분한 두께(t)로 형성될 필요가 있다.The reflective coating layer 217 forms the outermost surface of the lead frame and forms a reflecting surface on the light-emitting path from the light emitting element. Therefore, the reflection plating layer 217 needs to be formed to have a sufficient thickness t by adding a certain amount of a brightening agent.

도 14a 내지 도 14c는 반사 도금층의 표면을 서로 다른 배율에 따라 확대한 사진이 제시되어 있다. 도 14a 내지 도 14c는 각각 5000 배율, 1000 배율, 그리고 100 배율로 확대한 사진들이다. Figs. 14A to 14C show photographs in which the surfaces of the reflective plated layers are magnified at different magnifications. 14A to 14C are enlarged photographs at magnifications of 5000, 1000, and 100 magnifications, respectively.

도면을 참조하면, 상기 반사 도금층(217)은, 확산 조도를 가지며 구상 조직의 고광택 표면을 갖는다. 이러한 반사 도금층(217)은, VAS 300 시리즈의 측정 장비를 이용하여 측정한 결과, 0.6~1.2 GAM 범위의 반사율(광택도)를 가진다. 또한, 상기 반사 도금층(217)은, 높은 전류밀도의 고속 도금으로 얻어진 반사면과 비교할 때, 유백색의 표면을 갖는다.Referring to the drawing, the reflective plating layer 217 has a diffusing roughness and has a highly-glossy surface of spherical structure. The reflection plating layer 217 has a reflectance (gloss) in the range of 0.6 to 1.2 GAM as a result of measurement using a measuring instrument of the VAS 300 series. The reflective coating layer 217 has a milky white surface as compared with the reflective surface obtained by high-speed plating with a high current density.

도 15는 본 발명의 원리가 적용된(확산 조도를 갖는) 반사 도금층의 표면상태를 보여주고, 도 16은 본 발명의 원리가 적용되지 않은(경면 반사면을 갖는) 도금층의 표면 상태를 보여준다. 도 15의 반사 도금층의 경우에는 표면을 따라 확산 조도를 갖고 유백색의 표면을 갖지만, 도 16의 경면 반사면의 경우에는 외관상 검게 보이는 표면을 갖는다.Fig. 15 shows a surface state of a reflective plating layer (with a diffusing roughness) to which the principle of the present invention is applied, and Fig. 16 shows a surface state of a plating layer (with a mirror reflection surface) to which the principle of the present invention is not applied. In the case of the reflective plated layer in Fig. 15, it has a milky white surface with a diffused roughness along the surface, but in the case of the mirror-surface reflective surface in Fig. 16, it has a surface that appears black in appearance.

한편, 저 전류밀도를 적용한 저속 도금을 수행함에 있어서, 릴-투-릴(reel-to-reel) 도금 공정이나 배치(batch) 도금공정이 모두 적용될 수 있다. 다만, 상기 릴-투-릴 도금공정에서는 롤 형태로 권취된 모재로부터 일정한 이송속도로 진행되는 모재에 대해 저속 도금을 수행하기 위해서는 공정 라인의 길이가 증가될 필요가 있을 것이며, 배치 도금공정이 보다 적합하게 적용될 수 있다. Meanwhile, reel-to-reel plating or batch plating can be applied to low-speed plating using a low current density. However, in the above-mentioned reel-to-reel plating process, it is necessary to increase the length of the process line in order to perform low-speed plating on the base material which is fed at a constant feed rate from the base material wound in roll form, Can be suitably applied.

한편, 상기 반사 도금층(217)은 기저기판(210)의 전체 영역에 대해 형성될 수 있으며, 이와 달리 예를 들어, 발광소자의 출사광이 도달될 수 있는 범위 내의 기저기판(210) 영역에 한하여, 예를 들어, 리드 프레임의 내부영역에 해당되는 범위에 한하여 반사 도금층(217)을 형성하는 것도 가능하다.Alternatively, the reflective plating layer 217 may be formed over the entire area of the base substrate 210. Alternatively, the reflective plating layer 217 may be formed only on the area of the base substrate 210 within a range where emitted light of the light emitting device can reach, , It is also possible to form the reflection plating layer 217 only in a range corresponding to the inner area of the lead frame.

이렇게 선행하는 공정들을 통하면 완성된 형태의 리드 프레임이 형성된다. 이후에는 후처리 공정이 진행될 수 있다. 상기 후처리 공정은 반사 도금층(217)의 변색을 방지하고, 완성된 리드 프레임을 건조시키기 위한 공정이 진행될 수 있다. 예를 들어, 상기 후처리 공정은 일렉트로 크리닝(electro cleaning) 공정, 변색방지(anti-tarnish) 공정, 건조(dry) 공정 등 일련의 단위공정들이 수행될 수 있다.Through these preceding processes, a finished lead frame is formed. Thereafter, a post-treatment process may be performed. The post-treatment process can prevent the discoloration of the reflective plating layer 217 and allow the process for drying the finished lead frame to proceed. For example, the post-treatment process may be performed by a series of unit processes including an electro-cleaning process, an anti-tarnish process, and a dry process.

이하, 도 17a 내지 도 17c를 참조하여, 상기 리드 프레임을 이용하여 발광소자 패키지를 제조하는 방법에 대해 설명하기로 한다. Hereinafter, a method of manufacturing a light emitting device package using the lead frame will be described with reference to FIGS. 17A to 17C. FIG.

먼저, 도 17a에 도시된 바와 같이, 상기 리드 프레임(310)의 일부를 수용하는 패키지 몰드(330)를 형성한다. 예를 들어, 상기 패키지 몰드(330)는 사출 성형으로 형성될 수 있다. 상기 패키지 몰드(330)는 리드 프레임(310) 일부를 수용하며 패키지 몰드(330)의 대략 중앙에는 리드 프레임(310)의 실장영역을 노출시키는 캐비티 공간(G)이 형성되어 있다. 예를 들어, 상기 패키지 몰드(330)는 성형성과 가공성이 우수한 엔지니어링 플라스틱 계열의 PPA에 더하여, TiO2 등 고반사율 입자를 혼입한 수지를 적용하여 형성될 수 있다.First, as shown in FIG. 17A, a package mold 330 is formed to accommodate a part of the lead frame 310. For example, the package mold 330 may be formed by injection molding. The package mold 330 receives a part of the lead frame 310 and a cavity space G for exposing the mounting area of the lead frame 310 is formed at the center of the package mold 330. For example, the package mold 330 may be formed by applying a resin mixed with high reflectance particles such as TiO 2 in addition to PPA of an engineering plastic type having excellent moldability and workability.

다음에, 도 17b에 도시된 바와 같이, 패키지 몰드(330)에 형성된 캐비티 공간(G)을 통하여 리드 프레임(310)의 실장영역에 발광소자(350)를 탑재한다. 예를 들어, 상기 발광소자(350)는, 발광 다이오드로 구현될 수 있다.17B, the light emitting device 350 is mounted on the mounting area of the lead frame 310 through the cavity space G formed in the package mold 330. Next, as shown in FIG. For example, the light emitting device 350 may be implemented as a light emitting diode.

다음에, 발광소자(350)의 전극패드(미도시)와 리드 프레임(310)을 전기적으로 연결시킨다. 예를 들어, 도전성 와이어(380)의 일단을 발광소자(350)의 전극패드에 접속하는 한편으로, 도전성 와이어(380)의 타단은 리드 프레임(310) 상에 접속시킴으로써 이들 양자를 전기 접속시킬 수 있다. 상기 도전성 와이어(380)는 금(Au), 은(Ag) 등의 세선으로 형성될 수 있다. Next, the electrode pad (not shown) of the light emitting device 350 and the lead frame 310 are electrically connected. For example, one end of the conductive wire 380 may be connected to the electrode pad of the light emitting device 350, while the other end of the conductive wire 380 may be connected to the lead frame 310 to electrically connect the two. have. The conductive wire 380 may be formed of fine wires such as gold (Au) and silver (Ag).

다음에, 도 19c에 도시된 바와 같이, 상기 캐비티 공간(G) 내에 밀봉 수지(390)를 도포한다. 예를 들어, 상기 패키지 몰드(330)의 캐비티 공간(G) 내에 밀봉 수지(390)를 도포하는데, 발광소자(350) 및 도전성 와이어(380)가 매립되도록 밀봉 수지(390)를 도포할 수 있다. 예를 들어, 상기 밀봉 수지(390)는 광 투명성 수지소재로 형성되거나, 또는 형광체가 혼합된 광 투명성 수지소재로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 밀봉 수지(390)는 실리콘 수지 또는 에폭시 수지 등으로 형성될 수 있다. 도시된 바와 달리, 상기 밀봉 수지(390)는 반구 형태의 렌즈 형상으로 형성될 수 있으며, 필요에 따라 상기 밀봉 수지(390) 위에 별도의 렌즈(미도시)를 더 형성할 수 있다.Next, as shown in Fig. 19C, a sealing resin 390 is applied in the cavity space G. Then, as shown in Fig. For example, the sealing resin 390 may be applied so that the light emitting device 350 and the conductive wire 380 are embedded in the cavity space G of the package mold 330 . For example, the sealing resin 390 may be formed of a light transparent resin material, or may be formed of a light transparent resin material mixed with a fluorescent material. For example, the sealing resin 390 may be formed of a silicone resin, an epoxy resin, or the like. The sealing resin 390 may be formed in a hemispherical lens shape, and a separate lens (not shown) may be further formed on the sealing resin 390 if necessary.

본 명세서 전반을 통하여, 어느 하나의 층 위에 다른 층이 형성된다고 할 때에, 상기 "위에" 란 상방을 포괄적으로 지시하는 것으로, 하층 위에 직접 상층이 존재하는 경우만을 의미하는 것이 아니라, 하층과 상층 사이에 다른 층이 개재되는 경우도 포함하는 것이다.Throughout this specification, when it is assumed that another layer is formed on any one of the layers, the term "above " refers collectively to the upper part and does not mean that the upper layer exists directly on the lower layer, But also includes a case where another layer is interposed.

예를 들어, 기저기판(210) 위에 확산 조도가 형성된다고 할 때, 상기 확산 조도는 기저기판(210)의 표면에 직접 형성되는 경우만을 의미하는 것이 아니다. 예를 들어, 기저기판(210) 상에 표면 거칠기 도금공정으로 형성된 니켈 도금층, 구리 도금층, 또는 은 스트라이크 층 등이 존재하는 경우, 즉 상기 확산 조도가 기저기판(210) 상의 니켈 도금층, 구리 도금층 또는 은 스트라이크 층 등에 형성된 경우를 포괄하는 의미이다.For example, when the diffusion roughness is formed on the base substrate 210, the diffusion roughness does not mean that the diffusion roughness is directly formed on the surface of the base substrate 210. For example, when a nickel plating layer, a copper plating layer, or a silver strike layer formed by a surface roughness plating process is present on the base substrate 210, that is, when the diffusion roughness is lower than the nickel plating layer, the copper plating layer, Is meant to encompass the case of being formed on a strike layer or the like.

예를 들어, 확산 조도 위에 반사 도금층(217)이 형성된다는 것은, 확산 조도가 형성된 기저기판(210)의 표면에 직접 반사 도금층(217)이 형성되는 경우만을 의미하는 것이 아니다. 예를 들어, 기저기판(210) 상에 스트라이크 층이 존재하는 경우도 포괄하는 의미이다. For example, the fact that the reflection plating layer 217 is formed on the diffusion roughness does not mean only when the reflection plating layer 217 is directly formed on the surface of the base substrate 210 on which the diffusion roughness is formed. For example, the case where a strike layer exists on the base substrate 210 is also meant to encompass.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

100: 발광소자 패키지 110,310: 리드 프레임
110-1,210-1: 제1 리드 영역 110-2,210-2: 제2 리드 영역
110a: 내부 리드 110b: 외부 리드
110R: 리드 프레임의 반사면 112,210: 기저기판
115,215: 금속 피막층 117,217: 반사 도금층
130,330: 패키지 몰드 130R: 캐비티 반사면
150,350: 발광소자 180,380: 도전성 와이어
190,390: 밀봉 수지
G: 캐비티 공간 R1,R2,R2`: 반사면
LED1,LED2: 발광소자 패키지 S: 구동회로기판
L: 표시방향 t: 반사 도금층의 두께
100: light emitting device package 110, 310: lead frame
110-1 and 210-1: first lead regions 110-2 and 210-2: second lead regions
110a: inner lead 110b: outer lead
110R: Reflective surface of lead frame 112, 210: Base substrate
115, 215 metal coating layer 117, 217 reflective coating layer
130, 330: package mold 130R: cavity reflection surface
150, 350: light emitting element 180, 380: conductive wire
190,390: Sealing resin
G: Cavity space R1, R2, R2 ': Reflection surface
LED1, LED2: light emitting device package S:
L: Display direction t: Thickness of reflective plating layer

Claims (14)

발광소자 패키지용 리드 프레임의 제조방법으로서,
리드 프레임용 기저기판을 준비하는 단계;
상기 기저기판 위에 확산 조도(diffusion roughness)를 형성하되, 발광소자의 탑재 위치를 포함하는 기저기판의 내부영역에 확산 조도를 형성하는 단계로서, 1.0 ~ 5.0μm의 식각 깊이(d)를 갖도록 화학적 에칭을 수행하는 단계; 및
상기 확산 조도 위에 구상조직을 갖는 반사 도금층을 형성하는 단계로서, 0.3~2.0 ASD(A/dm2)의 낮은 전류밀도로 도금을 수행하여, 0.6~1.2 GAM 범위의 표면 광택도를 갖는 반사 도금층을 형성하는 단계;를 포함하는 리드 프레임의 제조방법.
A manufacturing method of a lead frame for a light emitting device package,
Preparing a base substrate for a lead frame;
Forming a diffusion roughness on the base substrate and forming a diffusion roughness in an inner region of the base substrate including a mounting position of the light emitting device, the method comprising the steps of: ; And
Forming a reflective plating layer having a spherical structure on the diffusing surface, the plating is performed at a low current density of 0.3 to 2.0 ASD (A / dm 2 ) to form a reflective plating layer having a surface gloss in the range of 0.6 to 1.2 GAM And forming the lead frame.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 반사 도금층을 형성하는 단계에서는,
광택제를 적용하여 은(Ag) 도금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임의 제조방법.
The method according to claim 1,
In the step of forming the reflective plating layer,
And a silver (Ag) plating layer is formed by applying a polishing agent.
제1항에 있어서,
상기 반사 도금층에 선행하여, 금속 시드층 및 하지층 중의 적어도 하나를 포함하는 금속 피막층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임의 제조방법.
The method according to claim 1,
Forming a metal coating layer including at least one of a metal seed layer and a ground layer in advance of the reflective plating layer.
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