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KR101837967B1 - 진공 트레이 및 이를 사용한 발광소자 제조방법 - Google Patents

진공 트레이 및 이를 사용한 발광소자 제조방법 Download PDF

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KR101837967B1
KR101837967B1 KR1020110051457A KR20110051457A KR101837967B1 KR 101837967 B1 KR101837967 B1 KR 101837967B1 KR 1020110051457 A KR1020110051457 A KR 1020110051457A KR 20110051457 A KR20110051457 A KR 20110051457A KR 101837967 B1 KR101837967 B1 KR 101837967B1
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명의 실시형태에 따른 진공 트레이는,
열 방향과 행 방향으로 배열되어 매트릭스 구조를 이루는 복수의 포켓부; 상기 포켓부의 바닥면으로부터 아래쪽으로 단차를 이루며, 발광소자가 놓이도록 마련되는 안착부; 및 상기 안착부의 단부로부터 아래쪽으로 단차를 이루며, 상기 발광소자의 전극 단자를 수용하도록 함몰 형성되는 캐비티부;를 포함한다.

Description

진공 트레이 및 이를 사용한 발광소자 제조방법{VACUUM TRAY AND METHOD OF MANUFACTURING LIGHT EMITTING DIODE USING THE SAME}
본 발명은 진공 트레이 및 이를 사용한 발광소자 제조방법에 관한 것이다.
최근 개인 휴대전화나 PDA 등과 같은 이동통신 단말기는 물론 각종 전자제품에는 전기적 신호에 따라 발광이 이루어지도록 하는 발광다이오드(Light Emitting Diode : LED)가 발광원으로 널리 사용되고 있다.
이러한 LED는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 발광소자의 일종이다.
LED는 함유되는 조성물에 따라서 적색광, 청색광, 녹색광, 자외선광을 각각 방출하며, 각 LED에서 방출되는 적색광과 청색광 및 녹색광을 혼합하여 백색광을 구현한다. 그러나, 이러한 백색광 구현방식은 복수개의 LED를 사용해야 하는 문제와 색감을 균일하게 구현하기 어렵다는 단점이 있다.
따라서, 일반적으로는 파장변환을 위한 형광물질을 실리콘 등의 수지와 함께 믹싱하여 도포하는 방식으로 백색 LED를 제조한다. 이를 통해 LED에서 방출된 청색광 또는 자외선광 등을 백색광으로 전환함으로써 단일의 색인 백색광만을 구현할 수 있다.
그러나, 형광물질을 수지와 함께 믹싱하여 도포하는 방식은 LED의 표면에 형성되는 형광층의 높이가 균일하지 못하다는 문제가 있다. 특히, 대량생산 공정을 통해 제조되는 LED들의 경우 형광층의 높이 산포가 요구사항에 미달되는 문제가 발생한다.
본 발명의 목적 중 하나는 표면에 형광층이 형성된 발광소자를 대량생산을 통해 제조하는데 있어서 형광층의 높이가 균일하도록 하여 높이 산포가 요구사양을 만족하는 진공 트레이 및 이를 사용한 발광소자의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 진공 트레이는,
열 방향과 행 방향으로 배열되어 매트릭스 구조를 이루는 복수의 포켓부; 상기 포켓부의 바닥면으로부터 아래쪽으로 단차를 이루며, 발광소자가 놓이도록 마련되는 안착부; 및 상기 안착부의 단부로부터 아래쪽으로 단차를 이루며, 상기 발광소자의 전극 단자를 수용하도록 함몰 형성되는 캐비티부;를 포함할 수 있다.
또한, 상기 캐비티부의 바닥면에 구비되어 상기 캐비티부와 연통하는 진공 홀을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 포켓부는 상단부의 면적이 상기 바닥면의 면적보다 넓은 구조를 이루도록 내측면이 상기 발광소자를 향해 경사질 수 있다.
또한, 상기 포켓부는 상단부가 상기 발광소자의 상면보다 높은 위치에 위치할 수 있다.
또한, 상기 안착부는 상기 발광소자의 측면과 접하는 수직면 및 상기 수직면으로부터 수평하게 연장되어 상기 발광소자의 하부면과 접하는 평면을 포함하며, 상기 발광소자와 대응되는 형상으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 안착부는 상기 평면상에 구비되는 실링부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 각 포켓부의 상단부와 해당 포켓부 내에 구비되는 상기 각 안착부 사이의 간격은 일정할 수 있다.
또한, 상기 안착부와 캐비티부는 상기 각 포켓부 내에 적어도 하나 이상 마련될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 제조방법은,
열 방향과 행 방향으로 배열되어 매트릭스 구조를 이루는 복수의 포켓부, 상기 포켓부의 바닥면으로부터 아래쪽으로 단차를 이루며 발광소자가 놓이도록 마련되는 안착부, 및 상기 안착부의 단부로부터 아래쪽으로 단차를 이루며 상기 발광소자의 전극 단자를 수용하도록 함몰 형성되는 캐비티부를 구비하는 진공 트레이를 준비하는 단계; 바닥면에 구비된 상기 전극 단자가 상기 캐비티부 내에 수용되도록 상기 발광소자를 상기 각 포켓부 내의 상기 안착부 상에 각각 장착하는 단계; 상기 발광소자를 덮도록 형광물질이 함유된 수지를 각 포켓부 내에 충진하여 형광층을 형성하는 단계; 및 상기 진공 트레이의 각 포켓부에서 상기 형광층이 형성된 상기 발광소자를 각각 분리시키는 단계;를 포함할 수 있다.
또한, 상기 발광소자를 장착하는 단계는 상기 캐비티부와 각각 연통하는 진공 홀을 통해 각 발광소자를 안착부에 고정시킬 수 있다.
또한, 상기 형광층을 형성하는 단계는, 상기 각 포켓부 내에 충진된 상기 수지가 상기 진공 트레이의 상면과 평행을 이루도록 평탄화하는 단계; 및 상기 수지를 경화시키는 단계;를 포함할 수 있다.
또한, 상기 평탄화하는 단계는 상기 각 포켓부에서 상기 진공 트레이의 상면 위로 돌출된 잉여의 수지를 스퀴지 등을 통해 제거할 수 있다.
또한, 상기 경화된 형광층의 상면을 폴리싱하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시형태에 따르면 표면에 형광층이 형성된 발광소자를 대량생산을 통해 제조하는데 있어서 형광층의 높이가 전체적으로 균일하도록 하여 높이 산포가 요구사양을 만족하도록 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 진공 트레이를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 진공 트레이에서 포켓부를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에서 안착부를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 진공 트레이를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5 내지 도 10은 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 제조방법을 각 단계별로 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시형태에 따라 제조된 발광소자를 포함하는 조명용 모듈을 개략적으로 나타내는 도면이다.
본 발명의 실시형태에 따른 진공 트레이 및 이를 사용한 발광소자 제조방법에 관한 사항을 도면을 참조하여 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명되는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다.
따라서, 도면에 도시된 구성요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 도면 상에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 참조부호를 사용할 것이다.
도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시형태에 따른 진공 트레이에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 진공 트레이를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 2는 도 1의 진공 트레이에서 포켓부를 개략적으로 나타내는 도면이며, 도 3은 도 2에서 안착부를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 진공 트레이(100)는 금속 재질의 플레이트 구조물로 복수의 포켓부(110), 각 포켓부(110) 내에 구비되는 안착부(120) 및 캐비티부(130)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 포켓부(110)는 도면에서와 같이 상기 진공 트레이(100)의 일면에 함몰 형성되며, 복수개가 열 방향과 행 방향으로 배열되어 매트릭스 구조를 이룰 수 있다.
상기 포켓부(110)는 발광소자(10)를 진공 트레이(100) 내부에 수용하는 공간을 이루며, 상단부의 면적이 상기 발광소자(10)가 놓이는 바닥면(112)의 면적보다 넓은 역 피라미드 구조를 이루도록 내측면(111)이 상기 발광소자(10)를 향해 경사진 구조를 갖는다.
상기 포켓부(110)는 그 상단부가 내부에 놓이는 상기 발광소자(10)의 상면보다 높은 위치에 위치하도록 상기 발광소자(10)의 두께보다 깊은 깊이로 형성된다. 구체적으로, 상기 포켓부(110)의 바닥면(112)에 상기 발광소자(10)가 장착될 경우 상기 발광소자(10)의 상면(11)이 상기 포켓부(110)의 상단부 위로 노출되지 않도록 한다.
상기 포켓부(110)의 바닥면(112)에 장착된 상기 발광소자(100와 상기 포켓부(110)의 내측면(111) 사이의 공간과 상기 발광소자(10) 상면(11)과 상기 포켓부(110)의 상단부 사이의 공간은 추후 설명하는 형광층(20)의 두께를 정의한다. 구체적으로, 상기 포켓부(110) 내에 발광소자(10)를 장착한 상태에서 형광층(20) 형성을 위한 수지를 주입하면, 상기 발광소자(10)와 포켓부(110) 사이의 공간에 채워지는 수지에 의해 형광층(20)이 형성된다. 따라서, 상기 포켓부(110)의 깊이 및 상기 내측면(111)과 발광소자(10) 사이의 거리 조절 등을 통해 상기 형광층(20)의 두께 등을 조절할 수 있다.
상기 안착부(120)는 상기 포켓부(110)의 바닥면(112)으로부터 아래쪽으로 함몰 형성되어 단차를 이루며, 상기 발광소자(10)가 놓이도록 마련된다.
도면에서 도시하는 바와 같이, 상기 안착부(120)는 상기 발광소자(10)의 측면(13)과 접하는 수직면(121) 및 상기 수직면(121)으로부터 수평하게 연장되어 상기 발광소자(10)의 하부면(12)과 접하는 평면(122)을 포함한다. 그리고, 전체적으로 상기 발광소자(10)와 대응되는 형상으로 형성된다. 따라서, 발광소자(10)가 상기 안착부(120) 상에 놓이게 되는 경우 상기 발광소자(10)의 하부면(12) 중 가장자리 부분 및 이와 인접한 각 측면(13)들이 상기 평면(122)과 수직면(121)에 각각 접하여 지지된다.
상기 안착부(120)는 상기 포켓부(110)의 상단부와 평행을 이루도록 형성되어 상기 발광소자(10)가 안착시 상기 발광소자(10)의 상면(11)과 상기 진공 트레이(100)의 상면(101)이 서로 평행을 이룰 수 있도록 한다. 그리고, 상기 포켓부(110)의 상단과 상기 안착부(120) 사이의 간격(즉, 깊이)은 일정하도록 형성된다. 특히, 상기 포켓부(110)가 복수개로 형성되는 경우에 있어서 각 포켓부(110)의 상단과 해당 포켓부(110) 내에 구비되는 각 안착부(120) 사이의 간격은 전체적으로 일정하도록 형성된다.
상기 안착부(120)는 도 3a에서와 같이 상기 평면(122)상에 오 링(o-ring)과 같이 절연재질로 이루어지는 실링부재(150)를 구비할 수 있다. 상기 실링부재(150)는 발광소자(10)가 상기 안착부(120) 상에 놓이는 경우 상기 발광소자(10)를 보호하도록 완충 역할을 하는 한편, 상기 발광소자(10)와의 사이에서 틈새가 발생하는 것을 방지한다.
상기 실링부재(150)는 상기 평면(122) 상에는 물론 도 3b에서와 같이 상기 수직면(121) 상에도 구비될 수 있다.
상기 캐비티부(130)는 상기 안착부(120)의 단부로부터 아래쪽으로 함몰 형성되어 단차를 이루며, 상기 발광소자(10)의 전극 단자(14)를 수용한다. 상기 발광소자(10)는 상기 전극 단자(14)가 동일면인 하부면(12)에 형성된 베어 칩(bare chip)일 수 있다. 그리고, 도면으로는 도시하지 않았으나 상기 전극 단자(14)에는 솔더 범프가 더 구비될 수 있다.
도면에서 도시하는 바와 같이, 상기 캐비티부(130)는 상기 안착부(120)의 단부, 구체적으로 상기 평면(122)의 단부로부터 아래쪽으로 단차를 이루며, 상기 발광소자(10)의 하부면(12)에 형성된 상기 전극 단자(14)를 그 내부에 수용할 수 있도록 상기 전극 단자(14)의 돌출 높이보다 깊은 깊이로 형성되는 것이 바람직하다.
따라서, 상기 포켓부(110) 내에 상기 발광소자(10)를 장착하는 경우 상기 발광소자(10)는 상기 안착부(120) 상에 놓여 지지 및 고정되며, 상기 발광소자(10)의 전극 단자(14)는 상기 진공 트레이(100)와 접하지 않는 구조로 상기 캐비티부(130) 내에 수용된다. 이러한 구조를 통해 상기 발광소자(10)는 상기 안착부(120)에 의해 지지 및 고정되는 구조로 상기 포켓부(110) 내에 장착된다.
한편, 상기 캐비티부(130)의 바닥면에는 진공 홀(140)이 형성되어 상기 캐비티부(130)와 연통하도록 구비될 수 있다. 상기 진공 홀(140)은 미도시된 외부의 진공 펌프와 연결되며, 진공 흡인을 통해 상기 발광소자(10)가 상기 포켓부(110) 내의 상기 안착부(120)에서 용이하게 빠지지 않도록 보다 확고하게 고정시킨다.
도면에서는 상기 진공 홀(140)이 각 캐비티부(130) 마다 단일로 구비되는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정하지 않고 상기 진공 홀(140)의 개수는 다양하게 변경할 수 있다.
도 4를 참조하여 본 발명의 다른 실시형태에 따른 진공 트레이에 대해 설명한다.
도 4에서 도시하는 실시형태에 따른 진공 트레이를 구성하는 구성은 상기 도 1 내지 도 3에 도시된 실시형태와 기본적인 구조는 실질적으로 동일하다. 다만, 안착부 및 캐비티부의 구조가 상기 도 1 내지 도 3에 도시된 실시형태와 다르기 때문에 이하에서는 앞서 설명한 실시형태와 중복되는 부분에 관한 설명은 생략하고 안착부 및 캐비티부에 관한 구성을 위주로 설명한다.
도 4는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 진공 트레이를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도면에서 도시하는 바와 같이, 상기 안착부(120') 및 캐비티부(130')는 상기 포켓부(110)의 바닥면(112)에 복수개로 구비될 수 있다. 즉, 각 포켓부(110) 내에 단일의 안착부(120)가 형성되는 도 1에서와 달리 각 포켓부(110) 내에 복수개의 안착부(120') 및 캐비티부(130')가 형성될 수 있다. 따라서, 하나의 포켓부(110) 내에 복수개의 발광소자(10)가 장착될 수 있다.
상기 복수의 안착부(120')와 상기 포켓부(110) 상단까지의 간격은 모두 일정하도록 형성되는 것이 바람직하다. 이를 통해 상기 각 안착부(120')에 놓이는 각 발광소자(10)의 상면(11)과 상기 포켓부(110) 상단 사이의 간격이 모두 일정하도록 할 수 있다.
이와 같이, 포켓부(110) 내에 복수의 발광소자(10)를 장착하는 경우 추후 상기 포켓부(110)를 수지로 채워 형광층을 형성하는 공정을 통해 복수의 발광소자에 대해 형광층을 일괄하여 형성할 수 있어 대량 생산이 용이하다는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 복수개의 발광소자로 이루어진 멀티칩을 생산하는 것도 가능하다. 특히, 각 발광소자에 형성된 형광층의 두께가 모두 일정하여 동일한 광특성을 갖는 발광소자를 일괄하여 제조할 수 있다는 장점을 갖는다.
도 5 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 제조방법에 대해 설명한다. 도 5 내지 도 10은 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광소자 제조방법을 각 단계별로 개략적으로 나타내는 도면이다.
먼저, 도 1 내지 도 4에서 도시하는 발광소자(10)가 장착되는 진공 트레이(100)를 준비한다.
상기 진공 트레이(100)는 상기 발광소자(10)가 각각 내부에 장착되는 복수개의 포켓부(110)를 포함하며, 상기 포켓부(110)는 열 방향과 행 방향으로 배열되어 매트릭스 구조를 이루며 구비된다.
상기 각 포켓부(110)에는 바닥면으로부터 아래쪽으로 함몰 형성되어 단차를 이루며 상기 발광소자(10)가 놓이도록 안착부(120)가 마련된다. 그리고, 상기 안착부(120)의 바닥면에는 단부로부터 아래쪽으로 단차를 이루며 상기 발광소자(10)의 전극 단자(14)를 수용하도록 함몰 형성되는 캐비티부(130)가 구비된다.
한편, 상기 캐비티부(130)의 바닥면에는 진공 홀(140)이 형성되어 상기 캐비티부(130)와 연통하도록 구비될 수 있다. 상기 진공 홀(140)은 미도시된 외부의 진공 펌프와 연결되며, 진공 흡인을 통해 상기 발광소자(10)가 상기 포켓부(110) 내의 상기 안착부(120)에서 용이하게 빠지지 않도록 보다 확고하게 고정시킨다.
상기 포켓부(110), 안착부(120) 및 캐비티부(130)를 구비하는 진공 트레이(100)의 구체적인 구조는 상기 도 1 내지 도 4에 도시된 진공 트레이(100)의 구조와 실질적으로 동일하므로 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
다음으로, 도 5 및 도 6에서 도시하는 바와 같이, 바닥면(12)에 구비된 상기 전극 단자(14)가 상기 캐비티부(130) 내에 수용되도록 상기 발광소자(10)를 각 포켓부(110) 내의 안착부(120) 상에 각각 장착한다. 상기 발광소자(10)는 전극 단자(14)가 동일면인 하부면(12)에 형성되며, 표면에 형광층(20)이 형성되지 않은 베어 칩(bare chip)을 포함한다. 상기 발광소자(10)는 각 포켓부(110) 내에 하나씩 장착되거나, 복수개가 장착될 수 있다.
그리고, 상기 발광소자(10)가 상기 안착부(120)에서 용이하게 빠지지 않도록 상기 캐비티부(130)와 각각 연통하는 상기 진공 홀(140)을 통해 각 발광소자(10)를 상기 안착부(120)에 고정시킨다. 이를 통해 제조공정 과정에서 상기 발광소자(10)가 상기 포켓부(110) 내에서 수평 상태를 유지하며 안정적으로 고정상태를 유지할 수 있도록 한다.
상기 진공 홀(140)은 미도시된 진공 펌프와 연결되어 상기 진공 펌프의 작동에 의해 발생하는 진공 흡인력을 통해 상기 발광소자(10)를 고정시킨다. 따라서, 상기 발광소자(10)가 상기 안착부(120) 상에 놓이는 경우 상기 캐비티부(130)는 기밀을 유지하는 것이 바람직하다. 이를 위해 상기 안착부(120)에는 절연재질로 이루어지는 실링부재(150)가 구비될 수 있다. 상기 실링부재(150)는 발광소자(10)가 상기 안착부(120) 상에 놓이는 경우 상기 발광소자(100를 보호하도록 완충 역할을 하는 한편, 상기 발광소자(10)와의 사이에서 틈새가 발생하는 것을 방지한다.
다음으로, 도 7 및 도 8에서 도시하는 바와 같이 상기 발광소자(10)를 덮도록 형광물질이 함유된 수지(20')를 각 포켓부(110) 내에 충진하여 형광층(20)을 형성한다.
구체적으로, 미도시된 디스펜서 등을 통해 형광물질이 함유된 수지(20')를 상기 진공 트레이(100)의 상면에 일정량 주입한다. 상기 수지(20')는 상기 진공 트레이(100)에 형성된 복수의 포켓부(110)를 전체적으로 채울 수 있는 정도로 충분히 주입되는 것이 바람직하다.
이와 같이 수지(20')가 주입된 상태에서 스퀴지(squeegee)(S) 등을 사용하여 상기 진공 트레이(100)의 일단에서 반대측 끝단까지 밀어줌으로써 상기 진공 트레이(100)의 상면에 주입된 상기 수지(20')가 프린팅 되는 방식으로 각 포켓부(110) 내에 채워지도록 한다.
그리고, 도 8에서 도시하는 바와 같이 각 포켓부(110)에서 상기 진공 트레이(100)의 상면(101) 위로 돌출된 잉여의 수지(20')를 스퀴지(S) 등을 통해 제거하여 각 포켓부(110) 내에 충진된 상기 수지(20')가 상기 진공 트레이(100)의 상면(101)과 평행을 이루도록 평탄화할 수 있다.
다음으로, 상기 수지(20')를 경화시켜 형광층(20)을 형성한다. 따라서, 각 포켓부(110) 내에 형성된 형광층(20)은 높이가 서로 균일한 구조를 가질 수 있다.
이와 같이 프린팅 공법을 통해 형광물질이 함유된 수지(20')를 한번의 공정으로 일괄적으로 복수의 포켓부(110) 내에 충진시킬 수 있어 공정시간이 단축되는 장점을 갖는다. 또한, 전체적으로 동일한 높이를 갖는 형광층을 일괄하여 형성할 수 있다는 장점을 갖는다.
상기 형광층(20)은 상기 발광소자(10)에서 방사되는 빛의 파장을 변환시켜 원하는 색상의 파장으로 변환시킨다. 예를 들어 적색광 또는 청색광과 같은 단색광을 백색광으로 변환시킨다. 이를 위해 상기 형광층(20)을 형성하는 수지에는 적어도 한 종류 이상의 형광물질이 함유될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(10)에서 발생되는 자외선을 흡수하는 자외선 흡수제를 함유할 수도 있다.
상기 형광층(20)은 상기 포켓부(110) 내에 채워져 경화되는 방식으로 형성될 수 있다. 상기 형광층(20)은 상기 발광소자(10)에서 발생되는 빛을 최소한의 손실로 통과시킬 수 있는 높은 투명도의 수지로 선택되는 것이 바람직하며, 예를 들어 탄성 수지를 사용할 수 있다. 탄성 수지는 실리콘 등의 젤 형태의 수지로 황변(yellowing)과 같은 단파장의 빛에 의한 변화가 매우 적고, 굴절률 또한 높기 때문에 우수한 광학적 특성을 갖는다. 또한, 에폭시와는 달리 경화 작업 이후에도 젤이나 탄성체(elastomer) 상태를 유지하기 때문에, 열에 의한 스트레스, 진동 및 외부 충격 등으로부터 발광소자를 보다 안정적으로 보호할 수 있다. 또한, 형광층(20)은 액체 상태로 포켓부(110) 내에 채워진 다음 경화되므로, 경화 과정에서의 내부의 기포가 외기에 노출되어 원활히 밖으로 빠져나가는 장점이 있다.
다음으로, 도 9에서 도시하는 바와 같이 상기 경화된 형광층(20)의 상면과 상기 진공 트레이(100)의 상면(101)을 연마장치(P) 등을 통해 폴리싱한다. 이를 통해 진공 트레이(100)의 상면(101)에 일부 잔존하는 경화된 수지가 완전히 제거될 수 있도록 한다.
다음으로, 도 10에서 도시하는 바와 같이 상기 진공 트레이(100)의 각 포켓부(110)에서 상기 형광층(20)이 형성된 상기 발광소자(10)를 각각 분리시켜 표면에 형광층(20)이 구비된 발광소자(10')를 대량으로 제조한다.
이와 같이 대량으로 제조된 복수의 발광소자는 형광층의 두께(혹은 높이)가 전체적으로 균일하도록 형성될 수 있어 높이 산포가 요구사양을 만족하도록 할 수 있다. 따라서, 불량율 발생이 최소화될 수 있어 생산성이 향상되는 효과를 갖는다.
도 11에서 도시하는 바와 같이, 형광층(20)이 형성된 발광소자(10')를 플립칩 방식으로 기판(B) 상에 실장하여 조명용 모듈(1)을 제조할 수 있다. 이 경우, 별도의 형광층 도포 공정등이 불필요하여 제조공정이 단순화 될 수 있고, 따라서 원가 절감이 가능하다는 장점을 갖는다.
10, 10'... 발광소자 20... 형광층
20'... 수지 100... 진공 트레이
110... 포켓부 120... 안착부
130... 캐비티부 140... 진공 홀
150... 실링부재

Claims (13)

  1. 열 방향과 행 방향으로 배열되어 매트릭스 구조를 이루는 복수의 포켓부;
    상기 포켓부의 바닥면으로부터 아래쪽으로 단차를 이루며, 발광소자가 놓이도록 마련되는 안착부;
    상기 안착부의 단부로부터 아래쪽으로 단차를 이루며, 상기 발광소자의 전극 단자를 수용하도록 상기 전극 단자의 돌출 높이보다 깊은 깊이로 함몰 형성되는 캐비티부; 및
    상기 캐비티부의 바닥면에 구비되어 상기 캐비티부와 연통하는 진공 홀
    을 포함하는 진공 트레이.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 포켓부는 상단부의 면적이 상기 바닥면의 면적보다 넓은 구조를 이루도록 내측면이 상기 발광소자를 향해 경사진 것을 특징으로 하는 진공 트레이.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 포켓부는 상단부가 상기 발광소자의 상면보다 높은 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 진공 트레이.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 안착부는 상기 발광소자의 측면과 접하는 수직면 및 상기 수직면으로부터 수평하게 연장되어 상기 발광소자의 하부면과 접하는 평면을 포함하며, 상기 발광소자와 대응되는 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 진공 트레이.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 안착부는 상기 평면상에 구비되는 실링부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 트레이.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 각 포켓부의 상단부와 해당 포켓부 내에 구비되는 상기 각 안착부 사이의 간격은 일정한 것을 특징으로 하는 진공 트레이.
  8. 열 방향과 행 방향으로 배열되어 매트릭스 구조를 이루는 복수의 포켓부, 상기 포켓부의 바닥면으로부터 아래쪽으로 단차를 이루며 발광소자가 놓이도록 마련되는 안착부, 및 상기 안착부의 단부로부터 아래쪽으로 단차를 이루며 상기 발광소자의 전극 단자를 수용하도록 상기 전극 단자의 돌출 높이보다 깊은 깊이로 함몰 형성되는 캐비티부를 구비하는 진공 트레이를 준비하는 단계;
    바닥면에 구비된 상기 전극 단자가 상기 캐비티부 내에 수용되도록 상기 발광소자를 상기 각 포켓부 내의 상기 안착부 상에 각각 장착하는 단계;
    상기 발광소자를 덮도록 형광물질이 함유된 수지를 각 포켓부 내에 충진하여 형광층을 형성하는 단계; 및
    상기 진공 트레이의 각 포켓부에서 상기 형광층이 형성된 상기 발광소자를 각각 분리시키는 단계;
    를 포함하는 발광소자 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 발광소자를 장착하는 단계는 상기 캐비티부와 각각 연통하는 진공 홀을 통해 각 발광소자를 안착부에 고정시키는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 형광층을 형성하는 단계는,
    상기 각 포켓부 내에 충진된 상기 수지가 상기 진공 트레이의 상면과 평행을 이루도록 평탄화하는 단계; 및
    상기 수지를 경화시키는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9054188B2 (en) * 2012-02-24 2015-06-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Curved wafer processing on method and apparatus
CN103639937A (zh) * 2013-12-13 2014-03-19 东莞市闻誉实业有限公司 煲模治具
CN103855069A (zh) * 2014-01-26 2014-06-11 上海瑞丰光电子有限公司 一种吸附装置
CN104752299A (zh) * 2015-03-06 2015-07-01 太仓天宇电子有限公司 二极管真空定位料盘
CN107179177B (zh) * 2016-03-10 2022-04-01 晶元光电股份有限公司 一种发光二极管的光学检测装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100685348B1 (ko) * 1997-01-07 2007-02-22 엔테그리스, 아이엔씨. 집적회로 부품 트레이
KR100818518B1 (ko) * 2007-03-14 2008-03-31 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005040558A1 (de) 2005-08-26 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
KR100748707B1 (ko) 2005-09-16 2007-08-13 서울반도체 주식회사 발광 소자의 제조 방법
KR100877221B1 (ko) 2007-03-12 2009-01-09 (주) 아모엘이디 반도체 패키지의 제조방법
JP5448334B2 (ja) 2007-12-11 2014-03-19 株式会社ディスコ パッケージ基板の保持治具
KR100980115B1 (ko) 2008-01-07 2010-09-07 서울대학교산학협력단 발광 다이오드 코팅 방법
KR20100077517A (ko) 2008-12-29 2010-07-08 (주) 아모엘이디 엘이디 패키지의 제조방법
KR101089801B1 (ko) 2009-03-12 2011-12-08 티에스테크놀로지 주식회사 반도체 패키지 제조용 금형 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100685348B1 (ko) * 1997-01-07 2007-02-22 엔테그리스, 아이엔씨. 집적회로 부품 트레이
KR100818518B1 (ko) * 2007-03-14 2008-03-31 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지

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