KR101855658B1 - Trigger circuit of x-ray photographing device having trigger valid peroid - Google Patents
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Abstract
트리거 유효 시간이 설정되는 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로가 게시된다. 본 발명의 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로는 수신광에 따른 전압 레벨을 가지는 조사 응답 신호를 발생하며, 감지 포토 다이오드 및 감지 리셋 스위치를 광선 감지 소자로서, 감지 포토 다이오드는 상기 수신광에 따라 상기 조사 응답 신호의 전압 레벨을 제1 방향으로 변화시키며, 상기 감지 리셋 스위치는 감지 리셋 신호의 활성화에 응답하여 상기 조사 응답 신호의 전압 레벨을 상기 제1 방향과 상반되는 제2 방향으로 변화시키는 상기 광선 감지 소자; 감지 기준 전압에 대한 상기 조사 응답 신호의 전압 레벨의 관계에 의존되어 활성화되는 최종 트리거 신호를 발생하는 감지 비교 블락로서, 상기 최종 트리거 신호는 트리거 차단 신호의 활성화에 의하여 활성화가 억제되는 상기 감지 비교 블락; 및 상기 트리거 차단 신호를 발생하는 차단 신호 발생 블락으로서, 상기 트리거 차단 신호는 상기 감지 리셋 신호의 활성화로부터 트리거 유효 시간의 경과에 의하여 활성화되는 상기 차단 신호 발생 블락을 구비한다. 상기 트리거 유효 시간의 길이는 주변 온도에 의존된다. 본 발명의 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로에 의하면, 온도 변화에 대한 안정성이 강화된다.The trigger circuit of the X-ray imaging apparatus in which the trigger valid time is set is posted. The trigger circuit of the X-ray photographing apparatus of the present invention generates an irradiation response signal having a voltage level corresponding to the received light, wherein the detection photodiode and the detection reset switch are used as a light ray sensing element, Wherein the detection reset switch changes the voltage level of the irradiation response signal in a second direction opposite to the first direction in response to activation of the detection reset signal, ; Wherein the final trigger signal is generated by generating a final trigger signal that is activated depending on the relationship of the voltage level of the irradiation response signal to the sense reference voltage, ; And a blocking signal generating block for generating the trigger blocking signal, wherein the trigger blocking signal has the blocking signal generating block activated by an elapse of a trigger effective time from activation of the sensing reset signal. The length of the trigger effective time depends on the ambient temperature. According to the trigger circuit of the X-ray imaging apparatus of the present invention, stability against temperature change is enhanced.
Description
본 발명은 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로에 관한 것으로서, 특히, 트리거 유효 시간이 설정됨으로써, 온도 변화 안정성을 가지는 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a trigger circuit of an X-ray imaging apparatus, and more particularly, to a trigger circuit of an X-ray imaging apparatus having a temperature change stability by setting a trigger effective time.
통상적으로, 엑스선 촬영 장치는 엑스선을 주사하는 광원과 주사된 엑스선으로부터 대상의 이미지를 확보하는 센서로 구성된다. 이때, 센서는 광원으로부터 엑스선이 주사됨에 동기되어, 대상의 이미지를 확보하는 것이 중요하다. 이를 위하여 대부분의 엑스선 촬영 장치는 광원으로부터 엑스선이 주사됨을 감지하여, 활성화되는 최종 트리거 신호를 발생하는 트리거 회로를 내장한다.Typically, an x-ray imaging apparatus is composed of a light source for scanning an x-ray and a sensor for securing an image of the object from the scanned x-ray. At this time, it is important that the sensor is synchronized with the scanning of the X-ray from the light source to secure the image of the object. For this purpose, most x-ray imaging devices incorporate a trigger circuit that senses that the x-ray is scanned from the light source and generates the final trigger signal to be activated.
한편, 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로는 감지 포토 다이오드 및 감지 리셋 스위치를 가지는 광선 감지 소자를 포함하여 구성된다. 즉, 주사되는 엑스선이 신틸레이터(scintillator)에 의하여 빛으로 변환되고, 감지 포토 다이오드를 통하여 접지 전압쪽으로 흐르는 전류는 입사되는 빛의 세기에 따라 증가한다. 그리고 트리거 회로는 감지 포토 다이오드에서 접지 전압 쪽으로 흐르는 전류의 양이 일정량 이상으로 증가함을 감지하여 최종 트리거 신호를 활성화시킨다. 이때, 감지 리셋 스위치는 감지 리셋 신호의 활성화에 따라 전원 전압에서 광선 감지 소자의 감지 포토 다이오드 쪽으로 전류를 공급하는 역활을 한다.On the other hand, the trigger circuit of the X-ray photographing apparatus includes a light sensing element having a sensing photodiode and a sensing reset switch. That is, the X-ray to be scanned is converted into light by a scintillator, and the current flowing through the sensing photodiode toward the ground voltage increases with the intensity of the incident light. The trigger circuit senses that the amount of current flowing from the sensing photodiode to the ground voltage is increased by more than a certain amount, and activates the final trigger signal. At this time, the sense reset switch serves to supply current from the power source voltage to the sense photodiode of the light-sensing device in accordance with the activation of the sense reset signal.
그런데 감지 포도 다이오드에 흐르는 전류는 주변 온도가 상승하면 증가한다. 이 경우, 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로는 불안정하게 되어, 엑스선이 주사되지 않았음에도 최종 트리거 신호가 활성화될 수 있다.However, the current flowing in the sensing grape diode increases as the ambient temperature rises. In this case, the trigger circuit of the X-ray imaging apparatus becomes unstable, and the final trigger signal can be activated even though the X-ray is not scanned.
그러므로, 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로에서는, 주변 온도에 대한 영향을 저감하여 엑스선이 주사될 때만 최종 트리거 신호가 활성화되도록 함으로써, 온도 변화 안정성을 가지는 것이 매우 중요하다.Therefore, in the trigger circuit of the X-ray imaging apparatus, it is very important to have the stability of the temperature change by reducing the influence on the ambient temperature so that the final trigger signal is activated only when the X-ray is scanned.
본 발명의 목적은 주변 온도 변화를 반영하여 길이가 조절되는 트리거 유효 시간을 가짐으로써, 온도 변화 안정성을 가지는 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a trigger circuit of an X-ray imaging apparatus having a temperature validity by having a trigger effective time whose length is adjusted to reflect a change in ambient temperature.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면은 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로에 관한 것이다. 본 발명의 일면에 따른 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로는 수신광에 따른 전압 레벨을 가지는 조사 응답 신호를 발생하며, 감지 포토 다이오드 및 감지 리셋 스위치를 광선 감지 소자로서, 감지 포토 다이오드는 상기 수신광에 따라 상기 조사 응답 신호의 전압 레벨을 제1 방향으로 변화시키며, 상기 감지 리셋 스위치는 감지 리셋 신호의 활성화에 응답하여 상기 조사 응답 신호의 전압 레벨을 상기 제1 방향과 상반되는 제2 방향으로 변화시키는 상기 광선 감지 소자; 감지 기준 전압에 대한 상기 조사 응답 신호의 전압 레벨의 관계에 의존되어 활성화되는 최종 트리거 신호를 발생하는 감지 비교 블락; 및 트리거 차단 신호를 발생하는 차단 신호 발생 블락을 구비한다. 상기 최종 트리거 신호는 상기 트리거 차단 신호의 활성화에 의하여 활성화가 억제되고, 상기 트리거 차단 신호는 상기 감지 리셋 신호의 활성화로부터 주변 온도에 의존되는 트리거 유효 시간의 경과에 의하여 활성화된다.In order to accomplish the above object, one aspect of the present invention relates to a trigger circuit of an X-ray imaging apparatus. A trigger circuit of an X-ray photographing apparatus according to an embodiment of the present invention generates an irradiation response signal having a voltage level according to a received light, wherein the detection photodiode and the detection reset switch are used as a light ray sensing element, Wherein the detection reset switch changes the voltage level of the irradiation response signal in a second direction opposite to the first direction in response to activation of the detection reset signal, Light sensing element; A sensing comparison block for generating a final trigger signal which is activated depending on the relationship of the voltage level of the survey response signal to the sensing reference voltage; And a blocking signal generating block for generating a trigger blocking signal. The final trigger signal is activated by activation of the trigger shutoff signal and the trigger shutoff signal is activated by the passage of a trigger valid time that is dependent on the ambient temperature from activation of the sense reset signal.
상기와 같은 구성의 본 발명의 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로에서는, 광선 감지 소자의 감지 포토 다이오드에 흐르는 전류가 주변 온도의 변화에 따라 변화되는 현상을 감안하여 길이가 조절되는 트리거 유효 시간이 설정된다. 그 결과, 본 발명의 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로에 의하면, 온도 변화에 대한 안정성이 강화된다.In the trigger circuit of the X-ray photographing apparatus of the present invention having the above-described structure, the trigger effective time is set in consideration of the phenomenon that the current flowing through the sensing photodiode of the light-sensing device varies with the change in the ambient temperature. As a result, according to the trigger circuit of the X-ray imaging apparatus of the present invention, stability against temperature change is enhanced.
본 발명에서 사용되는 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로를 개략적으로 나타내는 블락도이다.
도 2는 도 1의 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로의 주요 신호의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 3은 도 1의 차단 신호 발생 블락을 자세히 나타내는 도면이다.
도 4는 도 1의 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로에서, 트리거 유효 시간의 길이가 주변 온도에 의존됨을 설명하기 위한 도면이다.A brief description of each drawing used in the present invention is provided.
1 is a block diagram schematically showing a trigger circuit of an X-ray imaging apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a timing chart for explaining the operation of the main signal of the trigger circuit of the X-ray imaging apparatus of Fig.
FIG. 3 is a view showing in detail the blocking signal generating block of FIG. 1; FIG.
4 is a diagram for explaining that the length of the trigger effective time depends on the ambient temperature in the trigger circuit of the X-ray imaging apparatus of FIG.
본 발명과 본 발명의 동작상의 잇점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. For a better understanding of the present invention and its operational advantages, and the objects attained by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings, which illustrate preferred embodiments of the invention, and the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are being provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art.
그리고, 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의해야 한다. 그리고, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.It should be noted that, in understanding each of the drawings, the same members are denoted by the same reference numerals whenever possible. Further, detailed descriptions of known functions and configurations that may be unnecessarily obscured by the gist of the present invention are omitted.
또한 각 구성요소에 대한 복수의 표현도 생략될 수도 있다. 예컨대 복수 개의 스위치나 복수개의 신호선으로 이루어진 구성일지라도 '스위치들', '신호선들'과 같이 표현할 수도 있고, '스위치', '신호선'과 같이 단수로 표현할 수도 있다. 이는 스위치들이 서로 상보적으로 동작하는 경우도 있고, 때에 따라서는 단독으로 동작하는 경우도 있기 때문이며, 신호선 또한 동일한 속성을 가지는 여러 신호선들, 예컨대 데이터 신호들과 같이 다발로 이루어진 경우에 이를 굳이 단수와 복수로 구분할 필요가 없기 때문이기도 하다. 이런 점에서 이러한 기재는 타당하다. 따라서 이와 유사한 표현들 역시 명세서 전반에 걸쳐 모두 이와 같은 의미로 해석되어야 한다.Also, a plurality of expressions for each component may be omitted. For example, a plurality of switches or a plurality of signal lines may be expressed as 'switches', 'signal lines', or may be expressed in a single number, such as 'switch' or 'signal line'. This is because the switches operate in complementary manner and sometimes operate independently. In the case where the signal lines are formed of a plurality of signal lines, for example, data signals having the same property, It is also because there is no need to divide into plural. In this respect, such description is reasonable. Accordingly, similar expressions should be construed in the same sense throughout the specification.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로를 개략적으로 나타내는 블락도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 트리거 회로는 광선 감지 소자(110), 감지 비교 블락(120) 및 차단 신호 발생 블락(130)을 구비한다.1 is a block diagram schematically showing a trigger circuit of an X-ray imaging apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the trigger circuit of the present invention includes a
상기 광선 감지 소자(110)는 수신광(LGT)을 수신하며 조사 응답 신호(XRSD)를 발생한다. 이때, 조사 응답 신호(XRSP)의 전압 레벨은 세기 등 수신되는 수신광(LGT)의 성질에 따른다. The light-sensing
상기 광선 감지 소자(110)는 감지 포토 다이오드(111) 및 감지 리셋 스위치(113)을 포함한다. 상기 감지 포토 다이오드(111)는 수신광(LGT)에 대응하는 양의 다이오드 전류(Ipd)를 생성한다. 이에 따라, 상기 조사 응답 신호(XRSD)의 전압 레벨은 제1 방향으로(본 실시예에서는, 전원 전압(VDD) 쪽에서 접지 전압(VSS) 쪽으로) 변화된다. 결과적으로, 상기 조사 응답 신호(XRSD)의 전압 레벨은 상기 감지 포토 다이오드(111)에 흐르는 상기 다이오드 전류(Ipd)의 양에 대응하는 전압 레벨을 가진다. 즉, 상기 조사 응답 신호(XRSD)의 전압 레벨은 상기 수신광(LGT)의 세기에 대응한다. The
이때, 상기 광선 감지 소자(110)의 상기 감지 포토 다이오드(111)에 흐르는 전류의 양은 주변 온도의 상승에 따라 증가된다.At this time, the amount of current flowing in the
참고로, 상기 광선 감지 소자(110)의 상기 감지 포토 다이오드(111)에 수신광(LGT)은 광원(미도시)으로부터 주사되는 엑스선(X-ray, 미도시)이 신틸레이터(scintillator, 미도시)에 의하여 변환되어 생성된다.The reference light LGT is incident on the
상기 감지 리셋 스위치(113)는 감지 리셋 신호(XRTS)의 활성화에 응답하여 상기 조사 응답 신호(XRSD)의 전압 레벨을 상기 제1 방향과 상반되는 제2 방향으로(본 실시예에서는, 접지 전압(VSS) 쪽에서 전원 전압(VDD) 쪽으로) 변화시킨다.The
상기 감지 비교 블락(120)은 상기 조사 응답 신호(XRSD)의 전압 레벨을 상기 감지 기준 전압(VRFS)과 비교하여 최종 트리거 신호(XTRGF)를 발생한다. The
본 실시예에서는, 상기 차단 신호 발생 블락(130)에서 제공되는 트리거 차단 신호(XPTB)가 "H"로 비활성화되는 트리거 유효 시간(T_VA, 도 2 참조) 동안에, 상기 최종 트리거 신호(XTRGF)는 상기 조사 응답 신호(XRSD)의 전압 레벨이 상기 감지 기준 전압(VRFS)보다 낮게 되면 "H"로 활성화된다.In the present embodiment, during the trigger effective time (T_VA, see FIG. 2) during which the trigger cutoff signal XPTB provided in the blocking
하지만, 상기 트리거 차단 신호(XPTB)가 "L"로 활성화되면, 상기 최종 트리거 신호(XTRGF)의 활성화는 억제된다.However, when the trigger interception signal XPTB is activated to "L ", the activation of the final trigger signal XTRGF is suppressed.
상기 감지 비교 블락(120)은 구체적으로 감지 비교 유닛(121) 및 논리 유닛(123)을 구비한다.The
상기 감지 비교 유닛(121)은 상기 조사 응답 신호(XRSD)의 전압 레벨을 상기 감지 기준 전압(VRFS)과 비교하여 예비 트리거 신호(XTRGP)를 발생한다. 본 실시예에서, 상기 예비 트리거 신호(XTRGP)는 상기 조사 응답 신호(XRSD)의 전압 레벨이 상기 감지 기준 전압(VRFS)보다 낮게 되면 "H"로 활성화된다.The sensing and comparing
이때, 상기 감지 기준 전압(VRFS)은 상기 감지 리셋 스위치(113)의 구성 및 감지 리셋 신호(XRTS)의 활성화 레벨 등을 고려하여 적절한 레벨로 설정된다.At this time, the sensing reference voltage VRFS is set to an appropriate level in consideration of the configuration of the
참고로, 도 1의 감지 기준 캐패시터(CPS)는 상기 조사 응답 신호(XRSD)의 전하를 저장하는 역활을 하며, 의도적 또는 비의도적으로 생성된다.For reference, the sense reference capacitor CPS of FIG. 1 serves to store the charge of the probe response signal XRSD and is intentionally or unintentionally generated.
상기 논리 유닛(123)은 상기 예비 트리거 신호(XTRGP) 및 상기 트리거 차단 신호(XPTB)를 논리 연산하여 상기 최종 트리거 신호(XTRGF)를 발생한다.The
이때, 상기 최종 트리거 신호(XTRGF)는 상기 트리거 유효 시간(T_VA, 도 2 참조) 동안에는 상기 예비 트리거 신호(XTRGP)의 활성화 상태에 따른 활성화 상태를 가진다. 그리고, 상기 트리거 차단 신호(XPTB)에 의하여 상기 최종 트리거 신호(XTRGF)의 활성화는 억제된다.At this time, the final trigger signal XTRGF has an activation state according to the activation state of the preliminary trigger signal XTRGP during the trigger valid time T_VA (see FIG. 2). Then, activation of the final trigger signal XTRGF is suppressed by the trigger interception signal XPTB.
한편, 상기 예비 트리거 신호(XTRGP)를 그대로 엑스선 촬영 장치의 센서를 구동하는 트리거로 사용되는 경우, 엑스선 촬영 장치는 오동작될 수 있다.On the other hand, when the preliminary trigger signal XTRGP is directly used as a trigger for driving the sensor of the X-ray imaging apparatus, the X-ray imaging apparatus may malfunction.
예를 들어, 주변 온도가 상승하여 상기 감지 포토 다이오드(111)에 흐르는 전류의 양이 증가되는 경우, 오동작이 발생될 수 있다. 즉, 수신광(LGT)이 존재하는 영역(PON) 뿐만 아니라, 수신광(LGT)이 존재하지 않는 영역(POFF)에서도, 상기 조사 응답 신호(XRSD)의 전압 레벨이 상기 감지 기준 전압(VRFS)보다 낮게 되게 시점(t11 참조)이 발생된다.For example, if the ambient temperature rises and the amount of current flowing through the
이에 따라, 수신광(LGT)이 존재하지 않음에도 불구하고, 상기 예비 트리거 신호(XTRGP)가 "H"로 활성화(t13, 도 2참조)된다.Thus, the preliminary trigger signal XTRGP is activated (t13, see Fig. 2) to "H" despite the absence of the received light LGT.
이와 같은 오동작 가능성을 해소하기 위하여, 본 발명의 트리거 회로는 상기 트리거 차단 신호(XPTB)가 "L"로 활성화된 상태(t15, 도 2참조)에서는, 상기 예비 트리거 신호(XTRGP)의 활성화에도 불구하고, 상기 최종 트리거 신호(XTRGF)의 활성화가 억제되도록(t17 , 도 2 참조) 구동된다.In order to solve the possibility of such a malfunction, the trigger circuit of the present invention is configured such that, in the state (t15, see Fig. 2) in which the trigger shutoff signal XPTB is activated to "L" , And the activation of the final trigger signal XTRGF is suppressed (t17, see Fig. 2).
이때, 상기 감지 리셋 신호(XRTS)의 활성화로부터 상기 트리거 차단 신호(XPTB)가 비활성화 상태를 유지하는 시간의 길이, 즉, 상기 트리거 유효 시간(T_VA)의 길이는 주변 온도에 의존된다.At this time, the length of time during which the trigger shutoff signal XPTB maintains the inactivated state from the activation of the sense reset signal XRTS, that is, the length of the trigger effective time T_VA depends on the ambient temperature.
이에 따라, 본 발명의 트리거 회로에 의하면, 상기 예비 트리거 신호(XTRGP)를 그대로 엑스선 촬영 장치의 센서를 구동하는 트리거로 사용되는 경우에 발생될 수 있는 오동작 가능성이 해소된다.Thus, according to the trigger circuit of the present invention, the possibility of malfunction that may occur when the preliminary trigger signal XTRGP is used as a trigger for driving the sensor of the X-ray imaging apparatus is solved.
상기 차단 신호 발생 블락(130)은 상기 트리거 차단 신호(XPTB)를 발생한다. 이때, 상기 트리거 차단 신호(XPTB)는 상기 감지 리셋 신호(XRTS)의 활성화로부터 트리거 유효 시간(T_VA)의 경과에 의하여 활성화된다.The blocking
바람직하기로는, 상기 차단 신호 발생 블락(130)은 다크 포토 다이오드(131)를 포함한다. 상기 다크 포토 다이오드(131)는 표면에 차단막이 쓰워지며, 다크 기준 전류(Idar)를 발생한다. 즉, 바람직하기로는, 상기 다크 포토 다이오드(131)는 표면에 쓰워진 차단막으로 인하여 빛이 차단된 상태에서, 상기 다크 기준 전류(Idar)를 발생한다. 다시 기술하자면, 상기 다크 기준 전류(Idar)는 상기 다크 포토 다이오드(131) 자체적으로 발생되는 전류에 해당된다.Preferably, the blocking
상기 트리거 유효 시간(T_VA)의 길이는 이러한 상기 다크 포토 다이오드(131)의 다크 기준 전류(Idar)의 양에 의존된다.The length of the trigger effective time (T_VA) depends on the amount of the dark reference current (Idar) of the dark photodiode (131).
참고로, 이러한 상기 다크 포토 다이오드(131)의 다크 기준 전류(Idar)는 주변 온도가 상승함에 따라 증가하는 경향이 있다.For reference, the dark reference current Idar of the
계속하여, 도 1의 상기 차단 신호 발생 블락(130)을 좀 더 자세히 살펴본다.Next, the blocking signal generation block 130 of FIG. 1 will be described in more detail.
도 3은 도 1의 상기 차단 신호 발생 블락(130)의 일 예를 구체적으로 나타내는 도면이다. 도 3을 참조하면, 상기 차단 신호 발생 블락(130)은 상기 다크 포토 다이오드(131), 다크 리셋 스위치(133) 및 다크 비교 유닛(135)을 구비한다.3 is a diagram specifically illustrating an example of the blocking
상기 다크 포토 다이오드(131)는 주변 온도에 의존되는 양의 다크 기준 전류(Idar)를 생성함은 전술한 바와 같다. 이러한 상기 다크 기준 전류(Idar)에 따라, 상기 다크 응답 신호(XPRD)의 전압 레벨은 제1 방향으로(본 실시예에서는, 전원 전압(VDD) 쪽에서 접지 전압(VSS) 쪽으로) 변화된다. 결과적으로, 상기 다크 응답 신호(XPRD)의 전압 레벨은 상기 다크 포토 다이오드(131)에 흐르는 다크 기준 전류(Idar)의 양에 대응하는 전압 레벨을 가진다. 즉, 상기 다크 응답 신호(XPRD)의 전압 레벨은 주변 온도에 대응한다.The
이때, 상기 다크 포토 다이오드(131)의 다크 기준 전류(Idar)는 주변 온도의 상승에 따라 증가되며, 주변 온도의 하강에 따라 감소된다.At this time, the dark reference current Idar of the
상기 다크 리셋 스위치(133)는 다크 리셋 신호(XRTD)의 활성화에 응답하여 상기 다크 응답 신호(XPRD)의 전압 레벨을 상기 제1 방향과 상반되는 제2 방향으로(본 실시예에서는, 접지 전압(VSS) 쪽에서 전원 전압(VDD) 쪽으로) 변화시킨다.The
상기 다크 비교 유닛(135)은 상기 다크 응답 신호(XPRD)의 전압 레벨을 상기 다크 기준 전압(VRFD)과 비교하여 다크 예비 신호(XPRD)를 발생한다. 본 실시예에서, 상기 다크 예비 신호(XPRD)는 상기 다크 응답 신호(XPRD)의 전압 레벨이 상기 다크 기준 전압(VRFD)보다 낮게 되면 "H"로 활성화된다.The
그리고 상기 다크 기준 전압(VRFD)은 상기 다크 리셋 스위치(133)의 구성 및 다크 리셋 신호(XRTD)의 활성화 레벨 등을 고려하여 적절한 레벨로 설정된다.The dark reference voltage VRFD is set to an appropriate level in consideration of the configuration of the
이러한 구성을 가지는 상기 차단 신호 발생 블락(130)에 의하여, 상기 다크 예비 신호(XPRD)은 일정한 주기로 활성화된다. 이때, 상기 다크 예비 신호(XPRD)의 주기는 상기 다크 포토 다이오드(131)의 다크 기준 전류(Idar)의 크기 즉, 주변 온도에 의존하게 된다. 다시 기술하자면, 상기 다크 예비 신호(XPRD)의 주기는 주변 온도가 상승되면, 짧아진다.With the blocking
참고로, 도 3의 다크 기준 캐패시터(CPD)는 상기 다크 응답 신호(XPRD)의 전하를 저장하는 역활을 하며, 의도적 또는 비의도적으로 생성된다.For reference, the dark reference capacitor CPD of FIG. 3 serves to store the charge of the dark response signal XPRD and is intentionally or unintentionally generated.
본 실시예에서, 상기 다크 리셋 신호(XRTD)의 활성화는 상기 다크 예비 신호(XPRD)의 활성화에 의존된다. 그리고 상기 트리거 유효 시간(T_VA)의 길이는 상기 다크 예비 신호(XPRD)의 활성화 주기에 의존된다.In this embodiment, the activation of the dark reset signal XRTD is dependent on the activation of the dark preliminary signal XPRD. The length of the trigger effective time T_VA depends on the activation period of the dark spare signal XPRD.
바람직하기로는, 상기 차단 신호 발생 블락(130)은 지연 유닛(136)을 더 구비한다.Preferably, the blocking
상기 지연 유닛(136)은 상기 다크 예비 신호(XPRD)를 지연하여 상기 다크 리셋 신호(XRTD)로 발생한다.The
또한, 바람직하기로는, 상기 차단 신호 발생 블락(130)은 카운터(137)를 더 구비한다.Also, preferably, the blocking
상기 카운터(137)는 상기 감지 리셋 신호(XRTS)의 활성화로부터 상기 다크 예비 신호(XPRD)(본 실시예에서, 하강 단부)를 카운팅하여 활성화되는 상기 트리거 차단 신호(XPTB)를 발생한다. 이에 따라, 상기 감지 리셋 신호(XRTS)의 활성화로부터 일정한 수(본 실시예에서는, '5'임)의 상기 다크 예비 신호(XPRD)의 활성화 주기가 경과함에 따라, 상기 트리거 차단 신호(XPTB)가 활성화된다.The
결과적으로, 상기 트리거 유효 시간(T_VA)의 길이는 상기 다크 예비 신호(XPRD)의 활성화 주기 즉, 주변 온도에 의존하게 된다.As a result, the length of the trigger effective time T_VA depends on the activation period of the dark spare signal XPRD, that is, the ambient temperature.
예를 들어, 주변 온도가 상대적으로 낮은 경우(CASE1, 도 4 참조)에는, 상기상기 다크 예비 신호(XPRD)의 주기는 상대적으로 길다. 이 경우, 상기 감지 리셋 신호(XRTS)의 주기가 상기 다크 예비 신호(XPRD)의 활성화 주기의 5배 보다는 짧다. 그 결과, CASE1의 경우에는, 상기 트리거 차단 신호(XPTB)는 "H"의 비활성화 상태를 유지하며, "L"로의 활성화는 발생되지 않는다.For example, when the ambient temperature is relatively low (CASE1, see FIG. 4), the period of the dark spare signal XPRD is relatively long. In this case, the period of the sensing reset signal XRTS is shorter than five times the activation period of the dark spare signal XPRD. As a result, in case of CASE1, the trigger cutoff signal XPTB maintains the inactive state of "H ", and the activation to the" L "
반면에, 주변 온도가 상승하여 높아지는 경우(CASE2, 도 4 참조)에는, 상기상기 다크 예비 신호(XPRD)의 주기는 짧아진다. 이 경우, 상기 감지 리셋 신호(XRTS)의 주기는 상기 다크 예비 신호(XPRD)의 활성화 주기의 5배 보다는 길다. 그 결과, CASE2의 경우에는, 상기 트리거 차단 신호(XPTB)는 상기 감지 리셋 신호(XRTS)의 활성화로부터 5회의 상기 다크 예비 신호(XPRD)의 활성화 주기가 경과한 시점(t21)에서 "L"로의 활성화된다. 이에 따라, 트리거 유효 시간(T_VA)가 경과한 후, 트리거 차단 구간(T_PT)이 발생된다. 이후, 상기 트리거 차단 신호(XPTB)는 다음 주기의 상기 감지 리셋 신호(XRTS)의 활성화(t22)에 응답하여 다시 비활성화된다.On the other hand, when the ambient temperature rises (CASE2, see Fig. 4), the period of the dark spare signal XPRD is shortened. In this case, the period of the sensing reset signal XRTS is longer than five times the activation period of the dark spare signal XPRD. As a result, in the case of CASE2, the trigger shutoff signal XPTB is set to "L" at the time t21 when the activation period of the dark spare signal XPRD has elapsed five times from the activation of the sense reset signal XRTS Activated. Accordingly, after the trigger effective time T_VA has elapsed, the trigger cut-off period T_PT is generated. Thereafter, the trigger cutoff signal XPTB is deactivated again in response to the activation (t22) of the sense reset signal XRTS in the next cycle.
정리하면, 본 발명의 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로에서, 트리거 유효 시간(T_VA)의 설정 및 길이의 조절이 주변 온도에 의존됨을 알 수 있다.In summary, in the trigger circuit of the X-ray imaging apparatus of the present invention, it can be seen that the setting of the trigger effective time (T_VA) and the adjustment of the length depend on the ambient temperature.
계속, 도 3을 참조하면, 더욱 바람직하기로는, 상기 차단 신호 발생 블락(130)은 래치(138)를 더 구비한다.3, the blocking
상기 래치(138)는 상기 다크 예비 신호(XPRD)를 래치하여 상기 카운터(137)의 입력으로 제공한다. 상기 래치(138)에 의하여, 상기 다크 예비 신호(XPRD)의 활성화는 안정적으로 카운팅될 수 있다.The
또한, 바람직하기로는, 상기 차단 신호 발생 블락(130)은 전류 소스(139)를 더 구비한다.Also, preferably, the blocking
상기 전류 소스(139)는 상기 다크 응답 신호(XRDS)의 전류를 소싱한다. 상기 전류 소스(139)에 의하여, 상기 트리거 유효 시간(T_VA)의 길이에 대한 주변 온도의 반영이 원활히 수정될 수 있다.The
정리하면, 본 발명의 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로에서는, 광선 감지 소자(110)의 감지 포토 다이오드(111)에 흐르는 전류가 주변 온도의 변화에 따라 변화되는 현상을 감안하여, 상기 트리거 유효 시간(T_VA)의 길이가 조절된다. 그 결과, 본 발명의 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로에 의하면, 온도 변화에 대한 안정성이 강화된다.In summary, in the trigger circuit of the X-ray imaging apparatus of the present invention, in consideration of the phenomenon that the current flowing in the
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
Claims (8)
수신광에 따른 전압 레벨을 가지는 조사 응답 신호를 발생하며, 감지 포토 다이오드 및 감지 리셋 스위치를 가지는 광선 감지 소자로서, 감지 포토 다이오드는 상기 수신광에 따라 상기 조사 응답 신호의 전압 레벨을 제1 방향으로 변화시키며, 상기 감지 리셋 스위치는 감지 리셋 신호의 활성화에 응답하여 상기 조사 응답 신호의 전압 레벨을 상기 제1 방향과 상반되는 제2 방향으로 변화시키는 상기 광선 감지 소자;
감지 기준 전압에 대한 상기 조사 응답 신호의 전압 레벨의 관계에 의존되어 활성화되는 최종 트리거 신호를 발생하는 감지 비교 블락; 및
트리거 차단 신호를 발생하는 차단 신호 발생 블락을 구비하며,
상기 최종 트리거 신호는
상기 트리거 차단 신호의 활성화에 의하여 활성화가 억제되고,
상기 트리거 차단 신호는 상기 감지 리셋 신호의 활성화로부터 주변 온도에 의존되는 트리거 유효 시간의 경과에 의하여 활성화되는 것을 특징으로 하는 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로.
In the trigger circuit of the X-ray imaging apparatus,
A light sensing element having a sensing photodiode and a sensing reset switch, the sensing photodiode generating a sensing signal having a voltage level according to the received light, the sensing photodiode having a voltage level of the sensing response signal in a first direction Wherein the detection reset switch changes the voltage level of the irradiation response signal in a second direction opposite to the first direction in response to activation of a detection reset signal;
A sensing comparison block for generating a final trigger signal which is activated depending on the relationship of the voltage level of the survey response signal to the sensing reference voltage; And
And a blocking signal generating block for generating a trigger blocking signal,
The final trigger signal
Activation is suppressed by activation of the trigger interception signal,
Wherein the trigger shut-off signal is activated upon elapse of a trigger effective time that is dependent on ambient temperature from activation of the sense reset signal.
상기 감지 기준 전압에 대한 상기 조사 응답 신호의 전압 레벨의 관계에 의존되어 활성화되는 예비 트리거 신호를 발생하는 감지 비교 유닛; 및
상기 트리거 유효 시간 동안에는 상기 예비 트리거 신호의 활성화 상태에 따른 활성화 상태를 가지는 상기 최종 트리거 신호를 발생하되, 상기 트리거 차단 신호의 활성화에 의하여 상기 최종 트리거 신호의 활성화를 억제하도록 구동되는 논리 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로.
2. The method of claim 1,
A detection comparing unit which generates a preliminary trigger signal which is activated depending on a relation of a voltage level of the irradiation response signal to the detection reference voltage; And
And a logic unit which is driven to generate the final trigger signal having an activation state according to an activation state of the spare trigger signal during the trigger valid time and to inhibit activation of the final trigger signal by activation of the trigger interception signal And the trigger circuit of the X-ray imaging apparatus.
표면에 차단막이 씌워져, 다크 기준 전류를 생성하는 다크 포토 다이오드를 포함하며,
상기 트리거 유효 시간은
상기 다크 기준 전류의 크기에 의존되는 것을 특징으로 하는 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로.
2. The apparatus of claim 1, wherein the blocking signal generating block
And a dark photodiode having a shielding film on its surface to generate a dark reference current,
The trigger effective time is
Wherein the second reference current is dependent on the magnitude of the dark reference current.
상기 다크 기준 전류를 생성하여 다크 응답 신호의 전압 레벨을 상기 제1 방향으로 변화시키는 상기 다크 포토 다이오드;
다크 리셋 신호에 응답하여 상기 다크 응답 신호의 전압 레벨을 상기 제2 방향으로 변화시키는 다크 리셋 스위치; 및
다크 기준 전압에 대한 상기 다크 응답 신호의 전압 레벨의 관계에 의존되어 활성화되는 다크 예비 신호를 발생하는 다크 비교 유닛을 구비하며,
상기 다크 리셋 신호의 활성화는
상기 다크 예비 신호의 활성화에 의존되며,
상기 트리거 유효 시간은
상기 다크 예비 신호의 활성화 주기에 의존되는 것을 특징으로 하는 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로.
4. The apparatus of claim 3, wherein the blocking signal generation block
The dark photodiode generating the dark reference current to change the voltage level of the dark response signal in the first direction;
A dark reset switch for changing a voltage level of the dark response signal in the second direction in response to a dark reset signal; And
And a dark comparison unit for generating a dark spare signal which is activated depending on the relationship of the voltage level of the dark response signal to the dark reference voltage,
The activation of the dark reset signal
Dependent on activation of the dark spare signal,
The trigger effective time is
And the activation period of the dark preliminary signal.
상기 다크 예비 신호를 지연하여 상기 다크 리셋 신호로 발생하는 지연 유닛을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로.
5. The apparatus of claim 4, wherein the blocking signal generation block
And a delay unit for delaying the dark spare signal to generate the dark reset signal.
상기 감지 리셋 신호의 활성화로부터 상기 다크 예비 신호를 카운팅하여 상기 트리거 차단 신호를 활성화하는 카운터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로.
5. The apparatus of claim 4, wherein the blocking signal generation block
Further comprising a counter for counting the dark spare signal from the activation of the detection reset signal to activate the trigger cutoff signal.
상기 다크 예비 신호를 래치하여 상기 카운터의 입력으로 제공하는 래치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로.
7. The apparatus of claim 6, wherein the blocking signal generation block
Further comprising a latch for latching the dark spare signal and providing it as an input to the counter.
상기 다크 응답 신호의 전류를 소싱하는 전류 소스를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 엑스선 촬영 장치의 트리거 회로.
5. The apparatus of claim 4, wherein the blocking signal generation block
Further comprising a current source for sourcing the current of the dark response signal.
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| KR20100047167A (en) * | 2008-10-27 | 2010-05-07 | 이미징 사이언시즈 인터내셔널 엘엘씨 | System and method of x-ray detection with a sensor |
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