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KR101853368B1 - Apparatus and Method for manufacturing polluted substrate - Google Patents

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KR101853368B1
KR101853368B1 KR1020170016731A KR20170016731A KR101853368B1 KR 101853368 B1 KR101853368 B1 KR 101853368B1 KR 1020170016731 A KR1020170016731 A KR 1020170016731A KR 20170016731 A KR20170016731 A KR 20170016731A KR 101853368 B1 KR101853368 B1 KR 101853368B1
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KR
South Korea
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substrate
contaminants
contaminated
supporting
contaminant
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KR1020170016731A
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Korean (ko)
Inventor
김희환
이무현
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세메스 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은 오염 기판을 제작하는 장치 및 방법을 제공한다. 오염 기판을 제작하는 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛 및 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 오염 물질을 공급하는 오염 발생 유닛을 포함하되, 상기 오염 발생 유닛은 오염 물질이 공급되는 공급 라인 및 상기 공급 라인에 설치되며, 초음파를 발생시키는 초음파 발생 부재를 포함한다. 파우더와 액이 혼합된 오염 물질은 초음파에 의해 파우더가 분산된다. 이로 인해 파티클은 기판 상에 영역 별로 균일하게 도포될 수 있다.The present invention provides an apparatus and method for fabricating a contaminated substrate. An apparatus for manufacturing a contaminated substrate includes a substrate supporting unit for supporting a substrate and a contamination generating unit for supplying a contamination substance onto a substrate supported by the substrate supporting unit, And an ultrasonic wave generating member installed on the supply line and generating ultrasonic waves. The pollutants mixed with the powder and the liquid are dispersed by the ultrasonic wave. As a result, the particles can be evenly applied on a region-by-region basis.

Description

오염 기판 제작 장치 및 방법{Apparatus and Method for manufacturing polluted substrate}[0001] Apparatus and Method for Manufacturing Polluted Substrate [0002]

본 발명은 오염 기판을 제작하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for manufacturing a contaminated substrate.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온 주입, 그리고 박막 증착 등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성된다. 각각의 공정은 시간이 지남에 따라 다양해지고 복잡해져 오염물 및 파티클이 생성된다. 이 때문에 각각의 공정들은 진행 전후단계에서 기판을 세정하는 세정 공정이 실시된다. In order to manufacture a semiconductor device, a desired pattern is formed on a substrate through various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition on the substrate. Each process varies and becomes more complex over time, creating contaminants and particles. For this reason, each of the processes is subjected to a cleaning process for cleaning the substrate before and after the process.

이러한 세정 공정을 수행하기 전에는 세정 장치의 세정력이 테스트된다. 세정력 테스트는 오염 기판에 세정액을 공급하고, 세정 처리된 오염 기판에 잔류 파티클을 근거로 세정력을 판단한다.Prior to performing this cleaning process, the cleaning force of the cleaning device is tested. The cleaning power test supplies the cleaning liquid to the contaminated substrate and determines the cleaning power based on the remaining particles on the cleaned contaminated substrate.

그러나 도 1과 같이, 오염 기판(W)은 작업자가 오염 물질을 직접 도포하여 제작해야한다. 즉, 오염 기판(W)의 제작은 수동으로 진행되며, 복수 개의 오염 기판(W)을 제작하는 과정에서 사용되는 오염 물질의 양이 일정치 않다. 또한 오염 물질은 액과 파우더가 혼합된 혼합액으로서, 파우더는 파티클에 해당된다. 혼합액은 점성을 가지는 액으로서, 파우더의 분포도가 상이하다. 이로 인해 완성된 오염 기판들 간에는 파티클의 분포도 및 개수의 재현성이 매우 낮으며, 이를 이용한 세정 장치의 세정력 테스트에 대한 신뢰도가 저하된다. However, as shown in Fig. 1, the contaminated substrate W must be produced by the operator directly applying the pollutant. That is, the production of the contaminated substrate W is performed manually, and the amount of the pollutants used in the process of manufacturing the plurality of contaminated substrates W is not constant. The pollutant is a mixture of a liquid and a powder, and the powder corresponds to a particle. The mixed liquid is a liquid having a viscosity, and the distribution of the powders is different. As a result, the distribution of the particles and the reproducibility of the number of particles are very low between the completed contaminated substrates, and the reliability of the cleaning apparatus using the cleaning apparatus is deteriorated.

뿐만 아니라, 오염 기판(W)은 제작되는 과정에서 외부의 이물이 유입될 수 있다. 이에 따라 복수 개의 오염 기판(W)을 제작하는 과정에서 일정한 양의 오염 물질을 사용하였다 할지라도, 외부의 이물에 의해 오염도가 일정치 않다.In addition, the contaminated substrate W may be introduced with foreign substances in the process of manufacturing the contaminated substrate W. Accordingly, even if a certain amount of contaminants are used in the process of manufacturing a plurality of contaminated substrates W, the degree of contamination is not uniform due to external foreign matter.

본 발명은 기판에 설정한 양의 오염 물질이 도포할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.The present invention seeks to provide an apparatus capable of applying a predetermined amount of contaminants to a substrate.

또한 본 발명은 기판 상에 도포된 파티클의 분포도 및 개수의 재현성을 향상시킬 수 있는 장치를 제공하고자 한다The present invention also provides an apparatus capable of improving the reproducibility and the degree of distribution of particles applied on a substrate

또한 발명은 오염 기판을 제작하는 과정에서 외부의 이물이 유입되는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide a device capable of preventing foreign particles from flowing in the process of manufacturing a contaminated substrate.

본 발명의 실시예는 오염 기판을 제작하는 장치 및 방법을 제공한다. 오염 기판을 제작하는 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛 및 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 오염 물질을 공급하는 오염 발생 유닛을 포함하되, 상기 오염 발생 유닛은 오염 물질이 공급되는 공급 라인 및 상기 공급 라인에 설치되며, 초음파를 발생시키는 초음파 발생 부재를 포함한다. Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for fabricating a contaminated substrate. An apparatus for manufacturing a contaminated substrate includes a substrate supporting unit for supporting a substrate and a contamination generating unit for supplying a contamination substance onto a substrate supported by the substrate supporting unit, And an ultrasonic wave generating member installed on the supply line and generating ultrasonic waves.

오염 발생 유닛은 내부에 수용 공간을 가지며, 상기 공급 라인으로부터 오염 물질을 공급받는 수용 탱크를 더 포함하되, 상기 수용 탱크는 오염 물질의 공급 방향에 대해 상기 초음파 발생 부재보다 하류에 위치되도록 상기 공급 라인에 연결될 수 있다. 오염 물질은 파우더와 액이 혼합된 혼합액으로 제공되고, 상기 오염 발생 유닛은 상기 수용 공간에 수용되는 오염 물질을 순환시키도록 상기 수용 탱크에 제공되는 순환 부재를 더 포함하되, 상기 순환 부재는 상기 수용 탱크에 설치되는 순환 라인 및 상기 순환 라인에 설치되는 펌프를 포함할 수 있다. The contamination generating unit further includes a receiving tank having a receiving space therein and supplied with contaminants from the supplying line, wherein the receiving tank is disposed downstream of the supplying line with respect to the supplying direction of the contaminant, Lt; / RTI > Wherein the pollutant is provided as a mixture of a mixture of a powder and a liquid and the pollution generating unit further comprises a circulation member provided in the accommodation tank to circulate the pollutants contained in the accommodation space, A circulation line installed in the tank, and a pump installed in the circulation line.

상기 기판 지지 유닛은 오염 기판이 놓여지는 지지 바디, 상기 지지 바디를 지지하며, 길이 방향이 상하 방향을 향하는 회전축, 그리고 상기 회전축이 회전되도록 상기 회전축에 구동력을 제공하는 구동 부재를 포함할 수 있다. 상기 장치는 상기 기판 지지 유닛 및 상기 오염 발생 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 지지 바디에 놓여진 오염 기판에 오염 물질의 공급하는 제1공정 및 상기 지지 바디에 놓여진 오염 기판에 오염 물질의 공급을 중지하는 제2공정을 순차적으로 진행하되, 상기 제1공정 및 상기 제2공정은 반복 수행될 수 있다. The substrate supporting unit may include a supporting body on which the contaminated substrate is placed, a supporting shaft supporting the supporting body, a rotating shaft extending in the longitudinal direction, and a driving member for providing driving force to the rotating shaft to rotate the rotating shaft. Wherein the apparatus further comprises a controller for controlling the substrate support unit and the contamination generating unit, the controller comprising: a first process of supplying contaminants to a contaminant substrate placed on the supporting body; and a second process of contaminating the contaminant substrate And a second step of stopping the supply of the substance are sequentially performed, and the first step and the second step may be repeatedly performed.

상기 제어기는 상기 제1공정에서 오염 기판을 제1속도로 회전시키고, 상기 제2공정에서 오염 기판을 제2속도로 회전시키되, 상기 제2속도는 상기 제1속도보다 빠를 수 있다. The controller rotates the contaminated substrate at a first rate in the first process and rotates the contaminated substrate at a second rate in the second process, wherein the second rate may be faster than the first rate.

오염 기판을 제작하는 방법은 상기 오염 기판 상에 오염 물질을 공급하는 제1공정 단계 및 상기 제1공정 단계 이후에, 상기 오염 기판 상에 오염 물질의 공급을 중지하는 제2공정 단계를 포함하되, 상기 제1공정 단계 및 상기 제2공정 단계는 반복 수행된다.A method of fabricating a contaminated substrate includes a first process step of supplying contaminants onto the contaminated substrate and a second process step of stopping the supply of contaminants onto the contaminated substrate after the first process step, The first process step and the second process step are repeated.

상기 제1공정 단계에는 상기 오염 기판을 제1속도로 회전시키고, 상기 제2공정 단계에는 상기 오염 기판을 제2속도로 회전시키되, 상기 제2속도는 상기 제1속도보다 빠를 수 있다. 상기 제1공정 단계 이전에, 상기 오염 물질을 형성하는 형성 단계를 더 포함하되, 상기 형성 단계에는 상기 오염 물질에 초음파를 제공할 수 있다. 상기 오염 물질은 파우더와 액이 혼합된 혼합액으로 제공될 수 있다. 상기 파우더는 나노(Nano) 사이즈로 제공될 수 있다.In the first process step, the contaminated substrate is rotated at a first speed, and in the second process step, the contaminated substrate is rotated at a second speed, and the second speed may be faster than the first speed. The method may further comprise forming the contaminant prior to the first process step, wherein the forming step may provide ultrasound to the contaminant. The contaminants may be provided as a mixture of a powder and a liquid. The powder may be provided in a nano size.

본 발명의 실시예에 의하면, 파우더와 액이 혼합된 오염 물질은 초음파에 의해 파우더가 분산된다. 이로 인해 파티클은 기판 상에 영역 별로 균일하게 도포될 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the contaminants mixed with the powder and the liquid are dispersed by ultrasonic waves. As a result, the particles can be evenly applied on a region-by-region basis.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 오염 기판은 오염 물질의 도포 및 건조를 반복 수행하여 제작된다. 이로 인해 오염 기판에는 파티클 개수의 재현성을 일정하게 조절 가능하다.Further, according to the embodiment of the present invention, the contaminated substrate is manufactured by repeatedly applying and drying the contaminants. As a result, the reproducibility of the number of particles can be constantly adjusted on the contaminated substrate.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 오염 물질은 수용 탱크에 저장되므로, 외부의 이물이 유입되는 것을 방지할 수 있다. In addition, according to the embodiment of the present invention, since contaminants are stored in the receiving tank, it is possible to prevent foreign matter from entering the outside.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 오염 물질은 수용 탱크 내에서 순환된다. 이로 인해 파우더가 액 내에서 가라앉거나 뭉치는 것을 방지할 수 있다.Also according to an embodiment of the present invention, the contaminants are circulated in the receiving tank. This makes it possible to prevent the powder from sinking or aggregating in the liquid.

도 1은 일반적으로 오염 기판을 제작하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 오염 기판 제작 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3 및 도 4는 도 2의 장치를 이용하여 오염 기판을 제작하는 과정을 보여주는 도면들이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view showing a process of manufacturing a contaminated substrate in general.
2 is a cross-sectional view illustrating an apparatus for manufacturing a contaminated substrate according to an embodiment of the present invention.
3 and 4 are views showing a process of fabricating a contaminated substrate using the apparatus of FIG.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 실시예의 장치는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 오염 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 원형의 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The apparatus of this embodiment can be used to perform a dirty process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. Hereinafter, a case where a circular wafer is used as the substrate will be described as an example.

본 발명은 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.The present invention will now be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4. FIG.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 오염 기판 제작 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 오염 기판 제작 장치(100)는 기판 지지 유닛(200), 오염 발생 유닛(300), 제어기(400)를 포함한다. 2 is a cross-sectional view illustrating an apparatus for manufacturing a contaminated substrate according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the contaminated substrate fabrication apparatus 100 includes a substrate holding unit 200, a contamination generating unit 300, and a controller 400.

기판 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(200)은 지지 바디(220), 회전축(240), 그리고 구동 부재(260)를 포함한다. 지지 바디(220)는 원형의 판 형상을 가진다. 지지 바디(220)의 상면은 기판(W)이 안착되는 안착면으로 제공된다. 지지 바디(220)는 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 안착면에는 기판(W)을 진공 흡착 가능한 흡착홀이 형성될 수 있다. 지지 바디(220)는 기판(W)을 진공 흡착하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 지지 바디(220)는 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 지지 바디(220)는 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. The substrate supporting unit 200 supports and rotates the substrate W. The substrate supporting unit 200 includes a supporting body 220, a rotating shaft 240, and a driving member 260. The support body 220 has a circular plate shape. The upper surface of the support body 220 is provided with a seating surface on which the substrate W is seated. The support body 220 is provided to have a smaller diameter than the substrate W. [ According to an example, a suction hole capable of vacuum suction of the substrate W may be formed on the seating surface. The support body 220 can vacuum-adsorb the substrate W to chuck the substrate W. [ Alternatively, the support body 220 may be provided with an electrostatic chuck for chucking the substrate W using static electricity. The support body 220 can also chuck the substrate W with a physical force.

회전축(240)은 길이 방향이 상하 방향을 향하는 로드 형상을 가진다. 회전축(240)은 지지 바디(220)의 아래에서 지지 바디(220)를 지지한다. 회전축(240)은 지지 바디(220)의 저면에 고정 결합된다. 회전축(240)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동 부재(260)는 회전축(240)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 지지 바디(220)는 회전축(240)과 함께 회전 가능하다. 예컨대, 구동 부재(260)는 회전축(240)의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다. 구동 부재(260)에 의해 지지 바디(220)는 제1속도(V1) 및 제2속도(V2)로 회전될 수 있다. 제1속도(V1) 및 제2속도(V2)는 서로 상이한 속도일 수 있다.The rotary shaft 240 has a rod shape whose longitudinal direction is directed upward and downward. The rotation axis 240 supports the support body 220 below the support body 220. The rotary shaft 240 is fixedly coupled to the bottom surface of the support body 220. The rotation axis 240 is provided so as to be rotatable about its central axis. The driving member 260 provides driving force for rotating the rotating shaft 240. The support body 220 is rotatable together with the rotation shaft 240. For example, the driving member 260 may be a motor capable of varying the rotational speed of the rotating shaft 240. The drive body 260 can rotate the support body 220 at the first speed V1 and the second speed V2. The first speed V1 and the second speed V2 may be different from each other.

오염 발생 유닛(300)은 수용 탱크(320), 오염 물질 저장부(330), 제1공급 라인(350), 초음파 발생 부재(340), 순환 부재(370), 그리고 노즐(390)을 포함한다. 수용 탱크(320)는 내부에 수용 공간(322)을 가지는 통 형상으로 제공된다. 수용 공간(322)에는 오염 물질이 수용된다. 오염 물질 저장부(330)에는 오염 물질이 저장된다. 오염 물질 저장부(330)와 수용 탱크(320)에는 서로 상이한 상태의 오염 물질이 저장된다. 예컨대, 오염 물질은 파우더와 액이 혼합된 혼합액으로 제공될 수 있다. 액은 순수이고, 파우더는 질화물일 수 있다. 파우더는 나노 사이즈의 입자일 수 있다. 오염 물질 저장부(330)에 저장된 오염 물질은 오염 공정에 비적합한 물질로 제공되고, 수용 공간(322)에 수용된 오염 물질은 오염 공정에 적합한 물질로 제공될 수 있다. 오염 공정에 비적합한 오염 물질은 액 내에 파우더가 가라앉거나, 뭉쳐있는 상태일 수 있다. 오염 공정에 적합한 오염 물질은 액 내에 파우더가 균일하게 분산된 상태일 수 있다.The contamination generating unit 300 includes a receiving tank 320, a pollutant storage unit 330, a first supply line 350, an ultrasonic generating member 340, a circulating member 370, and a nozzle 390 . The receiving tank 320 is provided in a cylindrical shape having a receiving space 322 therein. Contaminants are contained in the accommodation space 322. The pollutant storage portion 330 stores pollutants. The contaminant storage unit 330 and the storage tank 320 store contaminants in different states. For example, the pollutant may be provided as a mixed liquid in which a powder and a liquid are mixed. The liquid may be pure, and the powder may be a nitride. The powder may be nano-sized particles. The pollutants stored in the pollutant storage part 330 are provided as a material unsuitable for the pollution process and the pollutants contained in the accommodation space 322 can be provided as a material suitable for the pollution process. Contaminants that are unsuitable for the contamination process may be in a state where the powder is submerged or clumped in the liquid. Pollutants suitable for the contamination process may be in a state in which the powder is uniformly dispersed in the liquid.

제1공급 라인(350)은 오염 물질 저장부(330) 및 수용 탱크(320)를 서로 연결한다. 오염 물질은 제1공급 라인(350)을 통해 오염 물질 저장부(330)에서 수용 탱크(320)로 공급된다.The first supply line 350 connects the pollutant storage portion 330 and the storage tank 320 to each other. Contaminants are supplied from the pollutant storage 330 to the containment tank 320 via the first supply line 350.

초음파 발생 부재(340)는 제1공급 라인(350)에 설치된다. 초음파 발생 부재(340)는 제1공급 라인(350)을 통과하는 오염 물질에 초음파를 발생시킨다. 초음파는 액 내에 제공된 파우더를 분산시킨다. 이에 따라 오염 물질은 초음파 발생 부재(340)를 통과하면서 오염 공정에 비적합한 상태에서 적합한 상태로 변환될 수 있다.The ultrasonic wave generating member 340 is installed in the first supply line 350. The ultrasonic wave generating member 340 generates ultrasonic waves in the contaminants passing through the first supply line 350. The ultrasonic waves disperse the powder provided in the liquid. Accordingly, the pollutant can be converted into a suitable state in a state unsuitable for the contamination process while passing through the ultrasonic wave generating member 340.

순환 부재(370)는 수용 공간(322)에 수용된 오염 물질을 순환시킨다. 순환 부재(370)는 수용 탱크(320)에 설치된다. 오염 물질은 순환되는 과정에서 오염 공정에 적합한 상태를 유지할 수 있다. 순환 부재(370)는 순환 라인(372) 및 펌프(374)를 포함한다. 순환 라인(372)은 수용 탱크(320)에 설치된다. 순환 라인(372)은 수용 탱크(320)의 제1지점과 제2지점을 연결한다. 예컨대, 제1지점은 제2지점보다 낮은 지점일 수 있다. 펌프(374)는 순환 라인(372) 상에 설치된다. 펌프(374)는 오염 물질이 제1지점에서 제2지점으로 순환되도록 순환 라인(372)을 가압한다. The circulation member 370 circulates the contaminants contained in the accommodation space 322. The circulation member 370 is installed in the accommodation tank 320. Pollutants can remain in a state suitable for the pollution process in the course of circulation. The circulation member 370 includes a circulation line 372 and a pump 374. The circulation line 372 is installed in the receiving tank 320. The circulation line 372 connects the first point and the second point of the receiving tank 320. For example, the first point may be a point lower than the second point. A pump 374 is installed on the circulation line 372. The pump 374 pressurizes the circulation line 372 to circulate the contaminant from the first point to the second point.

선택적으로, 순환 부재(370)는 히터를 더 포함할 수 있다. 히터는 순환 라인(372)에 설치되어 오염 물질을 기설정 온도로 조절 가능하다.Alternatively, the circulation member 370 may further include a heater. The heater is installed in the circulation line 372 to adjust the contaminant to a predetermined temperature.

노즐(390)은 수용 공간(322)으로부터 제2공급 라인(380)을 통해 오염 물질을 공급 받는다. 노즐(390)은 기판 지지 유닛(200)에 지지된 기판(W) 상에 오염 물질을 토출한다. 노즐(390)은 지지 바디(220)의 상부에서 지지 바디(220)와 마주보도록 위치된다. 노즐(390)은 그 위치가 고정될 수 있다. 노즐(390)은 기판 지지 유닛(200)에 지지된 기판(W)의 중심으로 오염 물질을 토출할 수 있다.The nozzles 390 are supplied with contaminants from the containing space 322 through the second supply line 380. The nozzle 390 discharges the contaminants onto the substrate W supported by the substrate supporting unit 200. The nozzle 390 is positioned to face the support body 220 at the top of the support body 220. The position of the nozzle 390 can be fixed. The nozzle 390 can discharge the contaminant to the center of the substrate W supported by the substrate supporting unit 200. [

제어기(400)는 기판 지지 유닛(200) 및 오염 발생 유닛(300)을 제어한다. 제어기(400)는 오염 공정이 수행되도록 제2공급 라인(380)에 설치된 밸브(382) 및 구동 부재(260)를 제어한다. 오염 공정은 제1공정 및 제2공정을 포함한다. 제1공정은 제1속도(V1)로 회전되는 기판(W)에 오염 물질을 공급하는 공정으로 오염 물질의 도포 공정이 수행된다. 제2공정은 오염 물질의 공급이 중지된 상태에서 기판(W)을 제2속도(V2)로 회전시키는 공정으로, 기판(W) 상에 도포된 오염 물질을 건조시키는 건조 공정이 수행된다. 제2속도(V2)는 제1속도(V1)에 비해 빠른 속도로 제공될 수 있다. 제어기(400)는 단일 기판(W)에 대해 오염 공정이 복수 회 반복되도록 각 유닛(200,300)을 제어할 수 있다.The controller 400 controls the substrate support unit 200 and the contamination generating unit 300. The controller 400 controls the valve 382 and the driving member 260 provided in the second supply line 380 so that the dirty process is performed. The contamination process includes a first process and a second process. The first step is a step of supplying contaminants to the substrate W rotated at the first speed V1, and the contaminant application process is performed. The second step is a step of rotating the substrate W at the second speed V2 in a state in which the supply of the contaminants is stopped, and a drying process for drying the contaminants applied on the substrate W is performed. The second speed V2 may be provided at a higher speed than the first speed V1. The controller 400 may control each unit 200, 300 so that the contamination process is repeated a plurality of times for a single substrate W. [

다음은 상술한 오염 기판 제작 장치(100)를 이용하여 오염 기판(W)을 제작하는 과정을 설명한다. 도 3 및 도 4는 도 2의 장치를 이용하여 오염 기판을 제작하는 과정을 보여주는 도면들이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 오염 기판(W)을 제작하는 방법으로는 제1공정 단계 및 제2공정 단계가 순차적으로 진행된다. 도 3을 참조하면, 제1공정 단계에는 기판(W)을 제1속도(V1)로 회전시킨다. 제1속도(V1)로 회전되는 기판(W) 상에 오염 물질을 공급한다. 오염 물질은 기판(W)의 중심 영역으로 공급된다. 기판(W) 상에 공급된 오염 물질은 원심력에 의해 기판(W)의 중심에서 가장자리 영역으로 확산 도포된다. 제1공정 단계가 완료되면, 제2공정 단계가 진행된다.Next, a process of fabricating the contaminated substrate W using the apparatus 100 for producing a contaminated substrate will be described. 3 and 4 are views showing a process of fabricating a contaminated substrate using the apparatus of FIG. Referring to FIGS. 3 and 4, as a method of manufacturing the contaminated substrate W, a first process step and a second process step are sequentially performed. Referring to FIG. 3, in a first process step, the substrate W is rotated at a first speed V1. And supplies the contaminants to the substrate W rotated at the first speed V1. The contaminants are supplied to the central region of the substrate W. The contaminants supplied on the substrate W are spread by the centrifugal force from the center of the substrate W to the edge region. When the first process step is completed, the second process step proceeds.

제2공정 단계가 진행되면, 오염 물질의 공급을 중지하고, 기판(W)을 제1속도(V1)보다 빠른 제2속도(V2)로 회전시킨다. 이에 따라 기판(W) 상에 도포된 오염 물질은 건조 처리된다. When the second process step proceeds, the supply of the pollutants is stopped and the substrate W is rotated at the second speed V2, which is faster than the first speed V1. Thus, the contaminants applied on the substrate W are dried.

제2공정 단계가 완료되면, 다시 제1공정 단계를 수행하며, 제1공정 단계 및 제2공정 단계는 반복 수행된다. 이에 따라 오염 기판(W)에 도포된 오염 물질은 항상 일정량의 오염 물질이 도포될 수 있다.When the second process step is completed, the first process step is again performed, and the first process step and the second process step are repeatedly performed. Accordingly, the contaminants applied to the contaminating substrate W can always be applied with a certain amount of contaminants.

100: 오염 기판 제작 장치 200: 기판 지지 유닛
300: 오염 발생 유닛 320: 슈용 탱크
340: 초음파 발생 부재 400: 제어기100: contaminated substrate manufacturing apparatus 200: substrate holding unit
300: Pollution generation unit 320: Shoe tank
340: ultrasonic wave generating member 400: controller

Claims (11)

오염 기판을 제작하는 장치에 있어서,
기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 오염 물질을 공급하는 오염 발생 유닛과;
상기 기판 지지 유닛 및 상기 오염 발생 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 오염 발생 유닛은,
오염 물질이 공급되는 공급 라인과;
상기 공급 라인에 설치되며, 초음파를 발생시키는 초음파 발생 부재를 포함하고,
상기 기판 지지 유닛은,
오염 기판이 놓여지는 지지 바디와;
상기 지지 바디를 지지하며, 길이 방향이 상하 방향을 향하는 회전축과;
상기 회전축이 회전되도록 상기 회전축에 구동력을 제공하는 구동 부재를 포함하며,
상기 제어기는 상기 지지 바디에 놓여진 오염 기판에 오염 물질을 공급하는 제1공정 및 상기 지지 바디에 놓여진 오염 기판에 오염 물질의 공급을 중지하는 제2공정을 순차적으로 진행하되,
상기 제1공정에서 오염 기판을 제1속도로 회전시키고, 상기 제2공정에서 오염 기판을 상기 제1속도보다 빠른 제2속도로 회전시키는 오염 기판 제작 장치.An apparatus for producing a contaminated substrate,
A substrate supporting unit for supporting the substrate;
A contamination generating unit for supplying pollutants onto the substrate supported by the substrate supporting unit;
And a controller for controlling the substrate supporting unit and the contamination generating unit,
The contamination generating unit includes:
A supply line through which contaminants are supplied;
And an ultrasonic wave generating member installed on the supply line for generating ultrasonic waves,
Wherein the substrate supporting unit comprises:
A support body on which the contaminated substrate is placed;
A rotating shaft supporting the supporting body and having a longitudinal direction facing up and down;
And a driving member for providing a driving force to the rotary shaft so that the rotary shaft is rotated,
Wherein the controller sequentially performs a first process of supplying contaminants to the contaminant substrate placed on the supporting body and a second process of stopping the contaminant supply to the contaminant substrate placed on the supporting body,
Wherein the contaminated substrate is rotated at a first speed in the first process and the contaminated substrate is rotated at a second rate faster than the first rate in the second process. 제1항에 있어서,
오염 발생 유닛은,
내부에 수용 공간을 가지며, 상기 공급 라인으로부터 오염 물질을 공급받는 수용 탱크를 더 포함하되,
상기 수용 탱크는 오염 물질의 공급 방향에 대해 상기 초음파 발생 부재보다 하류에 위치되도록 상기 공급 라인에 연결되는 오염 기판 제작 장치.The method according to claim 1,
The pollution-
Further comprising a receiving tank having a receiving space therein for receiving contaminants from the supply line,
Wherein the accommodating tank is connected to the supply line so as to be located downstream of the ultrasonic generating member with respect to a supply direction of the contaminant. 제2항에 있어서,
오염 물질은 파우더와 액이 혼합된 혼합액으로 제공되고,
상기 오염 발생 유닛은,
상기 수용 공간에 수용되는 오염 물질을 순환시키도록 상기 수용 탱크에 제공되는 순환 부재를 더 포함하되,
상기 순환 부재는,
상기 수용 탱크에 설치되는 순환 라인과;
상기 순환 라인에 설치되는 펌프를 포함하는 오염 기판 제작 장치.3. The method of claim 2,
The contaminants are provided as a mixture of a powder and a liquid,
The contamination generating unit includes:
Further comprising: a circulation member provided in the accommodation tank to circulate contaminants contained in the accommodation space,
The circulation member
A circulation line installed in the accommodation tank;
And a pump installed in the circulation line. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1공정 및 상기 제2공정은 반복 수행되는 오염 기판 제작 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first step and the second step are repeatedly performed. 삭제delete 오염 기판을 제작하는 방법에 있어서,
상기 오염 기판 상에 오염 물질을 공급하는 제1공정 단계와;
상기 제1공정 단계 이후에, 상기 오염 기판 상에 오염 물질의 공급을 중지하는 제2공정 단계를 포함하되,
상기 제1공정 단계 및 상기 제2공정 단계는 반복 수행되며,
상기 제1공정 단계에는 상기 오염 기판을 제1속도로 회전시키고,
상기 제2공정 단계에는 상기 오염 기판을 제2속도로 회전시키되,
상기 제2속도는 상기 제1속도보다 빠른 오염 기판 제작 방법.A method of fabricating a contaminated substrate,
A first processing step of supplying contaminants to the contaminated substrate;
And a second processing step after said first processing step to stop the supply of contaminants onto said contaminated substrate,
The first process step and the second process step are repeated,
Wherein the first processing step rotates the contaminated substrate at a first speed,
Wherein the second process step rotates the contaminated substrate at a second speed,
Wherein the second velocity is higher than the first velocity. 삭제delete 제7항에 있어서,
상기 제1공정 단계 이전에, 상기 오염 물질을 형성하는 형성 단계를 더 포함하되,
상기 형성 단계에는 상기 오염 물질에 초음파를 제공하는 오염 기판 제작 방법.8. The method of claim 7,
Further comprising forming the contaminant prior to the first process step,
Wherein the forming step provides ultrasonic waves to the contaminants. 제9항에 있어서,
상기 오염 물질은 파우더와 액이 혼합된 혼합액으로 제공되는 오염 기판 제작 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the pollutant is provided as a mixture of a powder and a liquid. 제10항에 있어서,
상기 파우더는 나노(Nano) 사이즈로 제공되는 오염 기판 제작 방법.

11. The method of claim 10,
Wherein the powder is provided in a nano size.

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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002350301A (en) * 2001-05-22 2002-12-04 Advantest Corp Method of manufacturing quantitative contamination sample and apparatus of manufacturing the same
KR20040040111A (en) * 2002-11-06 2004-05-12 동부전자 주식회사 particle deposition apparatus for manufacturing reference wafer
KR100661391B1 (en) * 2005-07-15 2006-12-27 주식회사 실트론 Particle Deposition Equipment for Standard Wafer Fabrication
KR100667222B1 (en) * 2005-07-26 2007-01-12 장성규 Circulating water tank on building roof
KR100725113B1 (en) * 2005-12-08 2007-06-04 삼성전자주식회사 Particle adsorption sample wafer fabrication method.
JP2013201199A (en) * 2012-03-23 2013-10-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002350301A (en) * 2001-05-22 2002-12-04 Advantest Corp Method of manufacturing quantitative contamination sample and apparatus of manufacturing the same
KR20040040111A (en) * 2002-11-06 2004-05-12 동부전자 주식회사 particle deposition apparatus for manufacturing reference wafer
KR100661391B1 (en) * 2005-07-15 2006-12-27 주식회사 실트론 Particle Deposition Equipment for Standard Wafer Fabrication
KR100667222B1 (en) * 2005-07-26 2007-01-12 장성규 Circulating water tank on building roof
KR100725113B1 (en) * 2005-12-08 2007-06-04 삼성전자주식회사 Particle adsorption sample wafer fabrication method.
JP2013201199A (en) * 2012-03-23 2013-10-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus

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