KR101861630B1 - A light emitting device and a manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광장치에 관한 것으로서, 상세하게는 출광되는 빛을 굴절시킴으로써 출광량을 증대시킬 수 있는 발광장치에 관한 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 빛이 투과하는 재질로 구성되는 기판과;상기 기판상에 배치되는 제1전극과; 상기 제1전극상에 배치되는 발광부와; 상기 발광부 상에 배치되는 제2전극과, 상기 기판에 마련되어 상기 발광부로부터 상기 기판으로 전달되는 빛을 굴절시키는 광굴절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치를 제공한다.
이와 같은 본 발명에 의하여 기판에서 발광되는 빛의 양이 종래보다 현저하게 증가할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device capable of increasing the amount of emitted light by refracting outgoing light.
According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising a substrate made of a material through which light is transmitted, a first electrode disposed on the substrate, A light emitting portion disposed on the first electrode; A second electrode disposed on the light emitting portion, and a light refracting portion provided on the substrate and refracting light transmitted from the light emitting portion to the substrate.
According to the present invention, the amount of light emitted from the substrate can be remarkably increased.
Description
본 발명은 발광장치에 관한 것으로서, 상세하게는 출광되는 빛을 굴절시킴으로써 출광량을 증대시킬 수 있는 발광장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device capable of increasing the amount of emitted light by refracting outgoing light and a method of manufacturing the same.
일반적으로 유기 발광 다이오드(organic light-emitting diode; 이하, OLED)는 제1전극(애노드), 상기 제1전극 상에 위치하는 유기발광부 및 상기 유기발광부 상에 위치하는 제2전극(캐소드)를 포함한다. In general, an organic light emitting diode (OLED) includes a first electrode (anode), an organic light emitting portion located on the first electrode, and a second electrode (cathode) .
OLED에 있어서, 제1전극와 제2전극 간에 전압을 인가하면 정공은 제1전극로부터 유기발광부 내로 주입되고, 전자는 제2전극로부터 유기발광부내로 주입된다. In the OLED, when a voltage is applied between the first electrode and the second electrode, holes are injected from the first electrode into the organic light emitting portion, and electrons are injected from the second electrode into the organic light emitting portion.
유기발광부 내로 주입된 정공과 전자는 유기발광부에서 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 전이하면서 빛을 방출하게 된다. The holes and electrons injected into the organic light emitting portion are recombined in the organic light emitting portion to generate an exiton, and the exciton emits light while transitioning from the excited state to the ground state.
상기 제1전극, 제2전극, 유기발광부이 공기 중의 수분이나 산소, NOx 등과 접촉하게 되면 성능 및 수명이 현저히 저하되므로, 그 위에는 보호층이 형성된다. When the first electrode, the second electrode, and the organic light emitting portion come into contact with moisture, oxygen, NOx, or the like in the air, the performance and lifespan are remarkably lowered, so that a protective layer is formed thereon.
OLED 광원은 그 자체를 박막으로 제조 가능하여 광원의 두께를 획기적으로 줄일 수 있고, 온도 상승 경향이 적을 뿐 아니라 저전력 구동이 가능하다. The OLED light source itself can be manufactured as a thin film, so that the thickness of the light source can be drastically reduced, the temperature rising tendency is small, and low power driving is possible.
또한, OLED는 각종 컬러 광을 구현할 수 있는 다양한 이종의 유기 발광 물질들을 사용함으로써, 표시 장치의 패널로서도 기능할 수 있어, 액정표시장치의 백라이트, 각종 조명 기기, 표시 장치 등에 널리 사용되고 있다.In addition, OLEDs can be used as a panel of a display device by using various kinds of organic light emitting materials capable of realizing various color lights, and are widely used for backlights of liquid crystal display devices, various lighting devices, display devices and the like.
유기발광부에서 발생한 빛은 제1전극 또는 제2전극을 통과하고, 기판을 통과하여 외부로 출광된다. The light emitted from the organic light emitting portion passes through the first electrode or the second electrode, passes through the substrate, and is emitted to the outside.
그런데, 이 경우, 제1전극 또는 제2전극에서 기판으로 빛이 입사되거나, 기판에서 대기로 빛이 출광되는 경우, 많은 부분에서 전반사가 일어나빛이 외부로 출광되지 못한다는 문제점이 있었다. In this case, when light is incident on the substrate from the first electrode or the second electrode, or when light is emitted from the substrate to the atmosphere, total reflection occurs in many portions, and light is not emitted to the outside.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 상세하게는 기판으로 입사되거나, 기판으로부터 출광되는 빛을 굴절시킴으로써 빛의 출광량을 증대시킬 수 있는 발광장치를 제공하는데 그 목적이 있다. An object of the present invention is to provide a light emitting device capable of increasing the light emission amount by refracting light incident on a substrate or emitted from a substrate.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 빛이 투과하는 재질로 구성되는 기판과;상기 기판상에 배치되는 제1전극과; 상기 제1전극상에 배치되는 발광부와; 상기 발광부 상에 배치되는 제2전극과, 상기 기판에 마련되어 상기 발광부로부터 상기 기판으로 전달되는 빛을 굴절시키는 광굴절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치를 제공한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising a substrate made of a material through which light is transmitted, a first electrode disposed on the substrate, A light emitting portion disposed on the first electrode; A second electrode disposed on the light emitting portion, and a light refracting portion provided on the substrate and refracting light transmitted from the light emitting portion to the substrate.
상기 광굴절부는 상기 기판의 출광면에 배치되는 것을 특징으로 한다. And the light refracting portion is disposed on a light exit surface of the substrate.
상기 광굴절부는 상기 기판의 출광면으로부터 외측으로 돌출되게 마련되는 렌즈로 구성되는 것을 특징으로 한다. And the photoreflecting portion is composed of a lens protruding outward from a light emitting surface of the substrate.
상기 광굴절부는 상기 기판의 일부가 상기 출광방향으로 돌출되는 형태로 구비되는 것을 특징으로 한다. And the light refracting portion is provided in a form that a part of the substrate protrudes in the outgoing light direction.
상기 광굴절부는 그 외면이 소정의 곡면을 갖는 볼록렌즈로 구성되는 것을 특징으로 한다. And the light refracting portion is formed of a convex lens whose outer surface has a predetermined curved surface.
상기 광굴절부는 상기 기판의 출광면에 복수개로 배치되는 것을 특징으로 한다. 상기 광굴절부는 상기 기판의 입광면에 배치되는 것을 특징으로 한다. And the plurality of light refraction units are arranged on the light output surface of the substrate. And the light refracting portion is disposed on the light incidence surface of the substrate.
상기 광굴절부는 상기 기판에 형성되어 소정 깊이만큼 요입되는 오목부와;The light refracting portion includes a concave portion formed in the substrate and recessed by a predetermined depth;
상기 오목부에 채워지는 광굴절층으로 구성되는 것을 특징으로 한다. And a light refraction layer filled in the concave portion.
상기 광굴절층은 상기 제1전극을 구성하는 물질보다 굴절율이 큰 물질로 구성되는 것을 특징으로 한다. And the photorefractive layer is made of a material having a higher refractive index than the material constituting the first electrode.
상기 광굴절층을 구성하는 광굴절물질의 굴절율은 1.7 ~ 2.5인 것을 특징으로 한다. And the refractive index of the photorefractive material constituting the photorefractive layer is 1.7 to 2.5.
상기 광굴절부는 상기 기판의 출광면에 형성되는 제1광굴절부와, 상기 기판의 입광면에 배치되는 제2광굴절부를 포함하는 것을 특징으로 한다. The light refracting portion includes a first light refracting portion formed on a light emitting surface of the substrate, and a second light refracting portion disposed on a light incident surface of the substrate.
상기 제1광굴절부는 상기 기판의 출광면으로부터 출광방향으로 연장되며 곡면을 갖는 볼록렌즈로 구성되며,Wherein the first photoreflecting portion is composed of a convex lens having a curved surface extending in a light outgoing direction from a light exiting surface of the substrate,
상기 제2광굴절부는 상기 기판의 입광면에 출광방향으로 요입되며 곡면을 갖는 오목부와, 상기 오목부에 채워진 광굴절층으로 구성되는 것을 특징으로 한다. The second photoreflecting portion is composed of a concave portion which is recessed in the outgoing light direction on the light incidence surface of the substrate and has a curved surface, and a photorefractive layer which is filled in the concave portion.
상기 제1광굴절부를 구성하는 볼록렌즈의 내부 곡률 반경은 상기 제2광굴절부를 구성하는 오목부의 곡률반경보다 작은 것을 특징으로 한다. And the inner radius of curvature of the convex lens constituting the first light refracting portion is smaller than the radius of curvature of the concave portion constituting the second light refracting portion.
상기 제1광굴절부를 구성하는 볼록렌즈의 돌출높이는 상기 제2광굴절부를 구성하는 오목부의 깊이보다 크게 형성되는 것을 특징으로 한다. And the projection height of the convex lens constituting the first light refracting portion is formed to be larger than the depth of the concave portion constituting the second light refracting portion.
상기 제1광굴절부를 구성하는 볼록렌즈의 폭은 상기 제2광굴절부를 구성하는 상기 오목부의 폭보다 작게 형성되는 것을 특징으로 한다. And the width of the convex lens constituting the first light refraction portion is formed to be smaller than the width of the concave portion constituting the second light refraction portion.
상기 볼록렌즈와 인접한 다른 볼록렌즈 간의 간격은 상기 볼록렌즈의 폭보다 작게 형성되는 것을 특징으로 한다. And the distance between the convex lens and another convex lens adjacent to the convex lens is smaller than the width of the convex lens.
또한, 본 발명은 기판의 표면에 빛이 굴절되는 광굴절부를 형성하는 단계; 상기 광굴절부가 형성된 기판에 제1전극을 배치하는 단계; 상기 제1전극상에 발광부를 배치하는 단계; 상기 발광부 상에 제2전극을 배치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법을 제공한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device, comprising: forming a light refraction portion on a surface of a substrate, Disposing a first electrode on a substrate having the light refracting portion; Disposing a light emitting portion on the first electrode; And disposing a second electrode on the light emitting portion.
상기 광굴절부를 형성하는 단계는 홈이 형성된 금형에 기판을 배치하는 단계; 기판을 가열하는 단계; 상기 기판에 압력을 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. The forming of the light refracting portion includes: disposing a substrate on a groove-formed metal mold; Heating the substrate; And applying pressure to the substrate.
상기 기판에 압력을 가하는 단계에서, 상기 기판의 출광면에 볼록렌즈부와 상기 기판의 입광면에 오목부가 형성되는 것을 특징으로 한다. Wherein a convex lens portion and a concave portion are formed on the light-incoming surface of the substrate on the light-exiting surface of the substrate in the step of applying pressure to the substrate.
상기 광굴절부를 형성하는 단계는; 상기 기판의 입광면에 마련되는 오목부에 광굴절물질을 충진하여 광굴절층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. The step of forming the light refracting portion includes: And forming a photorefractive layer by filling a concave portion provided on a light incident surface of the substrate with a photorefractive material.
이와 같은 본 발명에 의하여 기판에서 발광되는 빛의 양이 종래보다 현저하게 증가할 수 있다.According to the present invention, the amount of light emitted from the substrate can be remarkably increased.
특히, 상기 기판의 출광면에 형성되는 볼록렌즈와 기판의 입광면에 형성되는 광굴절층에 의하여 기판으로 입사되거나, 기판으로부터 출광되는 빛의 전반사 량이 현저하게 감소하게 될 수 있다.Particularly, the total reflection amount of light incident on the substrate or emitted from the substrate can be remarkably reduced by the convex lens formed on the light emitting surface of the substrate and the light refraction layer formed on the light incident surface of the substrate.
또한, 상기 기판의 볼록렌즈 또는 광굴절층이 조밀하게 배치됨으로써, 기판에서 전반사가 발생하는 빈도를 최대한 억제할 수 있게 되었다. In addition, since the convex lens or the photorefractive layer of the substrate is densely arranged, the frequency of occurrence of the total internal reflection in the substrate can be suppressed as much as possible.
도1은 본 발명에 의한 발광장치의 단면도이다.
도2는 본 발명에 의한 발광장치의 기판에 형성된 볼록렌즈의 사진이다.
도3 내지 도9는 본 발명에 의한 발광장치의 제조방법을 도시한 도면이다.
도10은 본 발명에 의한 발광장치에서 빛이 출광되는 것을 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to the present invention.
2 is a photograph of a convex lens formed on a substrate of a light emitting device according to the present invention.
3 to 9 are views showing a method of manufacturing a light emitting device according to the present invention.
10 is a cross-sectional view showing that light is emitted in the light emitting device according to the present invention.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해서 알아보도록 하겠다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
이 과정에서 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다. The sizes and shapes of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience.
또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 한다In addition, terms defined in consideration of the configuration and operation of the present invention may be changed according to the intention or custom of the user, the operator. Definitions of these terms should be based on the context of the present specification
도1에서 도시한 바와 같이, 본 발명에 의한 발광장치(100)는 빛이 투과할 수 있는 유리와 같은 기판과, 상기 기판 위에 배치되는 제1전극(120)과, 상기 제1전극(120) 위에 배치되는 발광부(140)와, 상기 발광부(140) 상부에 마련되는 제2전극으로 구성된다.1, a
여기서 상기 발광부(140)는 유기발광부로 구성되는 것이 바람직하다. 이하에서는 발광부(140)를 유기발광부로 하여 설명하도록 하겠다. Here, the
상기 제1전극(120)은 금속 물질, 예를 들어, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.The
또한, 제1 전극(120)은 투명성 도전체, 예를 들어 ITO(Indium tin oxide; 인듐 틴 옥사이드)나 IZO(Indium zinc oxide; 인듐 징크 옥사이드), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등으로 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 제1 전극(120)은 ITO로 이루어진다. The
상기 제1전극(120)은 정공 주입 전극인 (+)극이 된다. 한편, 후술하겠지만, 상기 제2전극(150)은 전자 주입 전극인 (-)극이 된다. The
상기 유기발광부(140)는 전자-정공 쌍의 재조합의 결과로서 발광을 수행하는 발광층(emissive layer)을 구비한다. The organic
또한, 상기 유기발광부(140)는 정공주입층(hole injecting layer), 전자 주입층(electron injecting layer), 정공수송층(hole transporting layer) 및 전자수송층(electron transporting layer) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 다중 막으로 구성될 수 있다. The organic
이들 모두를 포함할 경우, 정공 주입층이 양극인 제1전극(120)의 상에 배치되고, 그 위에 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층된다. When all of these are included, a hole injection layer is disposed on the
한편, 상기 유기발광부(140) 위에는 제2 전극(150)이 형성된다. The
상기 제2 전극(150)은 불투명한 금속 물질, 예를 들어, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. The
또한, 제2 전극(150)은 투명성 도전체, 예를 들어 ITO(Indium tin oxide; 인듐 틴 옥사이드)나 IZO(Indium zinc oxide; 인듐 징크 옥사이드)로 형성될 수 있다. 일 예로, 제2 전극(150)은 알루미늄으로 이루어진다. The
상기 발광 장치(100)가 일면 발광을 할 경우에는, 제1 전극(120)과 제2 전극(150) 중 어느 하나가 투명성 전극으로 구성되고, 발광 장치(100)가 양면 발광을 할 경우에는, 제1 전극(120)과 제2 전극(150)은 모두 투명성 전극으로 형성된다. When the
도1에서는 상기 발광장치(100)에 전원이 공급되는 경우, 빛이 하방으로 출광되는 것을 예로 들었으나, 빛이 상방과 하방으로 모두 출광될 수 있다.In FIG. 1, when power is supplied to the
상기 유기발광부(140)에서 발생된 빛이 하부로 출광되는 경우, 상기 기판의 상면은 입광면이 되고, 상기 기판(110)의 하면은 출광면(111)이 된다.When the light emitted from the organic
상기 기판(110)의 입광면과 출광면(111) 중 적어도 어느 하나에는 광굴절부가 마련될 수 있다. A light refraction unit may be provided on at least one of the light incident surface and the
상기 광굴절부는 상기 기판(110)으로 들어오는 빛 또는 기판(110)으로부터 나가는 빛을 굴절시키고, 기판(110)에서 발생하는 전반사를 방지하여, 상기 기판(110)으로부터 출광되는 빛의 양을 증대시키기 위한 구조이다.The light refracting portion refracts light entering the
상기 기판(110)의 출광면(111)에 마련되는 광굴절부를 제1광굴절부(210)라고 하고, 상기 기판(110)의 입광면(112)에 마련되는 광굴절부를 제2광굴절부(220)라고 하겠다.The light refracting portion provided on the
상기 제1광굴절부(210)는 상기 기판(110)의 출광면(111)으로부터 출광방향으로 돌출되어 있는 볼록렌즈(211) 형태로 구현되며, 상기 기판(110)의 출광면(111)상에 복수개로 마련되는 것이 바람직하다.The first
상기 제1광굴절부(210)는 상기 기판(110) 일부가 출광방향으로 양각형태로 돌출되어 마련되었기 때문에 그 재질은 상기 기판(110)과 동일하다. 다만, 그 형상으로 인하여, 상기 제1광굴절부(210)로부터 출광되는 빛이 대기로 나올때 굴절되어 출광될 수 있다.The first
출광면(111) 전체가 평면일 경우에는 출광면(111) 전체에 걸쳐서 전반사가 나타날 수 있지만, 도1과 같이, 상기 출광면(111)의 상당 부분에 제1광굴절부(210)와 같은 볼록렌즈(211)가 형성되는 경우에는 이와 같은 전반사가 억제될 수 있다.When the entire
한편, 상기 기판(110)의 입광면(112)에는 제2광굴절부(220)가 마련된다.The second
상기 제2광굴절부(220)는 상기 기판(110)의 입광면(112)에 형성되는 음각형태의 오목부(221)와, 상기 오목부(221)에 광굴절물질로 채워지는 광굴절층(222)이 마련되는 것이 바람직하다.The second
상기 광굴절층(222)은 상기 입광면(112)과 상기 오목부(221)에 증착 또는 코팅될 수 있다. The
여기서 상기 광굴절층(222)를 구성하는 물질은 고굴절 재료인 ZnO등의 무기물이나, PI(Polyimide)등의 유기물로 구성될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. Here, the material of the
상기 광굴절층(222)을 구성하는 물질의 굴절율은 1.7~2.5 정도인 것이 바람직하다. The refractive index of the material constituting the
상기 오목부(221)는 그 테두리로부터 그 중심으로 갈수록 그 깊이가 순차적으로 깊어지는 형태로 마련되고, 상기 광굴절층(222)은 그러한 오목부(221)의 형태에 대응되게 채워지는 형태가 된다.The
그리고, 상기 광굴절층(222)의 입광면(112)은 상기 기판(110)의 입광면(112)과 평면을 형성하는 것이 바람직하다.The
도1에서는 상기 제1광굴절부(210)와 다른 제1광굴절부(210) 사이의 간격, 그리고, 상기 제2광굴절부(220)와 다른 제2광굴절부(220) 간의 간격이 어느 정도 형성된 것으로 도시하였으나, 바람직하게는 그 간격이 거의 없이 상호 간에 조밀하게 형성되는 것이 바람직하다. 1, the distance between the first
상기 제1광굴절부(210)를 구성하는 볼록렌즈(211)와 상기 제2광굴절부(220)를 구성하는 오목부(221)의 형상은 아래와 같은 특징을 갖는다.The
후술하는 바와 같이, 상기 볼록렌즈(211)와 상기 오목부(221)는 상기 기판(110)을 고온 고압을 이용하여 변형함으로써 형성되는 것이기 때문에, 상기 볼록렌즈(211)의 돌출된 높이(H1)는 상기 오목부(221)의 깊이(H2)에 비해 크게 형성된다.Since the
그리고, 상기 볼록렌즈(211)의 지름(R1)은 상기 오목부(221)의 지름(R2)에 비하여 작게 형성되며, 상기 볼록렌즈(211) 내면에 형성된 곡면의 곡률반경은 상기 오목부(221)의 내면의 곡면의 곡률반경에 비하여 작게 형성된다.The diameter R1 of the
한편, 상기 볼록렌즈(211)의 지름(R1)은 상기 볼록렌즈(211)의 높이보다 크게 형성되는 것이 바람직하다. It is preferable that the diameter R1 of the
그리고, 상기 볼록렌즈(211)와 다른 볼록렌즈(211)의 간격(S)는 상기 볼록렌즈(211)의 지름(R1)보다 작게 형성되는 것이 바람직하다. The distance S between the
여기서, 상기 볼록렌즈(211)의 직경은 75μm , 높이는 40μm인 것을 한 예로 생각할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. Here, the
도2는 상기 기판(110)의 출광면(111)에 형성되는 제1광굴절부(210), 즉, 볼록렌즈(211)의 형태를 나타낸 사진이다. 2 is a photograph showing the shape of the first
여기서, 상기 볼록렌즈(211)로 구성되는 제1광굴절부(210)는 반구형태로 마련되는 것이 바람직하며, 상기 기판(110)의 출광면(111)에 다수개로 마련되며 조밀하게 마련되는 것이 바람직하다.Here, the first
상기 볼록렌즈(211)와 볼록렌즈(211) 간의 간격은 상기 볼록렌즈(211)의 폭보다 작게 형성되는 것이 바람직하다. 이는 기판(110)의 출광면(111)에서의 전반사가 발생하는 비율을 최대한 억제하는 한편, 상기 볼록렌즈(211)에서 굴절되어 출광되는 빛의 비율을 높이기 위함이다.The distance between the
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 발광장치(100)를 제조하는 방법에 대하여 알아보도록 하겠다.Hereinafter, a method of manufacturing the
도3에서 도시한 바와 같이, 특정 온도 이상으로 가열된 기판(110)을 소정의 홈(310)이 형성되어 있는 금형(300)에 올려놓는다. As shown in FIG. 3, a
상기 홈(310)은 상기 제1광굴절부(210)를 구성하는 볼록렌즈(211)가 형성되기 위한 홈이다. The
도3에서 도시한 바와 같이, 상기 금형(300)에 올려놓은 기판(110)에 대하여 압력을 가하지 않았기 때문에 아직 기판(110)은 수평상태를 유지한다.As shown in FIG. 3, since no pressure is applied to the
도4에서 도시한 바와 같이, 상기 기판(110)이 유리로 구성되는 경우, 유리의상기 기판(110)의 온도가 유리가 유동화 될 수 있는 온도인 유리전이온도(T)가 될 수 있도록 한다. As shown in FIG. 4, when the
유리전이온도(T)에서 상기 기판(110)의 상면에 대해서 전체적으로 균일한 압력(P)을 가하는 경우, 상기 홈(310)에 대응되는 상기 기판(110)의 부분에서 변형이 일어난다.When a uniform pressure P is applied to the upper surface of the
즉, 상기 기판(110)의 상면에 대해서 압력(P)이 가해지면, 그 압력(P)은 상기 기판(110)의 하부로 전달되는데, 금형(300)과 면접하는 부분에서는 변형이 일어나지 않지만, 상기 홈(310)이 형성된 부분에서는 그 홈(310) 방향으로 기판(110)의 일부가 돌출되어 볼록렌즈(211)를 구성한다.That is, when the pressure P is applied to the upper surface of the
상기 기판(110)의 변형이 상기 홈(310)을 중심으로 일어나기 때문에, 상기 기판(110)의 변형방향은 상기 홈(310)이 있는 부분에 형성되는 볼록렌즈(211) 부분으로 집중된다.Since the deformation of the
따라서, 상기 오목부(221)의 깊이가 상기 볼록렌즈(211)의 높이보다 작게 되는데, 반해, 상기 오목부(221)의 직경이 상기 볼록렌즈(211)의 직경보다 크게 형성되는 것이다. The depth of the
도5에서 도시한 바와 같이, 상기 볼록렌즈(211)와 상기 오목부(221)의 형성이 완료되면, 도6에서 도시한 바와 같이, 상기 오목부(221)에 상기 광굴절층(222)을 형성하기 위해, 상기 기판(110)의 입광면에 광굴절물질을 배치함으로써 상기 오목부(221)에 광굴절물질을 채우는 공정이 필요하다.5, when the formation of the
상기 광굴절층(222)을 형성하는 광굴절물질의 굴절률은 상기 제1전극(120)보다 큰 굴절률을 가지는 것이 바람직하다. The refractive index of the photorefractive material forming the
상기 광굴절층(222)의 굴절율이 상기 제1전극(120)의 굴절율보다 커야 상기 광굴절층(222)을 거쳐서 상기 기판(110)으로 입사되는 빛이 굴절될 수 있으며, 이로 인해 빛의 전반사를 최대한 억제할 수 있기 때문이다. The refractive index of the
상술한 바와 같이, 상기 광굴절층(222)을 형성하는 광굴절물질의 굴절률은 1.7~2.5정도로 되는 것이 바람직하다. 이러한 물질로는 ZnO 와 같은 무기물질 또는 PI(Polyimide) 와 같은 유기물질을 생각할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. As described above, the refractive index of the photorefractive material forming the
상기 오목부(221)에 광굴절층(222)을 형성하고 그 위에 대하여 평탄화 작업을 함으로써, 상기 기판(110)의 상면 또는 입광면 전체가 평탄해지도록 한다. A
도7에서 도시한 바와 같이, 상기 광굴절층(222)이 형성된 이후에는 상기 기판(110)의 입사면 및 상기 광굴절층(222) 상부에 상기 제1전극(120)을 형성한다. The
상술한 바와 같이, 제1 전극(120)은 금속 물질, 예를 들어, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.The
또한, 제1 전극(120)은 투명성 도전체, 예를 들어 ITO(Indium tin oxide; 인듐 틴 옥사이드)나 IZO(Indium zinc oxide; 인듐 징크 옥사이드), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등으로 형성될 수 있다. 일 예로, 상기 제1 전극(120)은 ITO로 구성될 수 있다. The
상기 제1전극(120)은 PECVD 또는 MOCVD 또는 스퍼터링 공정으로 상기 기판(110)에 증착될 수 있다. The
상기 제1전극(120)의 배치가 완료되면, 도8에서 도시한 바와 같이, 상기 제1전극(120)위에 상기 유기발광부(140)를 배치한다. When the
상술한 바와 같이, 상기 유기발광부(140)는 전자-정공 쌍의 재조합의 결과로서 발광을 수행하는 발광층(emissive layer)을 구비한다. As described above, the organic
상기 유기발광부(140)는 정공주입층(hole injecting layer), 전자 주입층(electron injecting layer), 정공수송층(hole transporting layer) 및 전자수송층(electron transporting layer) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 다중 막으로 구성될 수 있다. The organic
이들 모두를 포함할 경우, 정공 주입층이 양극인 제1전극(120)의 상에 배치되고, 그 위에 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층된다. When all of these are included, a hole injection layer is disposed on the
상기 유기발광부(140)의 형성이 완료되면, 도9에서 도시한 바와 같이, 상기 유기발광부(140)의 상면에 상기 제2전극(150)을 형성한다.When the organic
상기 제2 전극(150)은 불투명한 금속 물질, 예를 들어, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. The
또한, 제2 전극(150)은 투명성 도전체, 예를 들어 ITO(Indium tin oxide; 인듐 틴 옥사이드)나 IZO(Indium zinc oxide; 인듐 징크 옥사이드)로 형성될 수 있다. 일 예로, 제2 전극(150)은 알루미늄으로 이루어진다. The
상기 발광장치(100)가 일면 발광을 할 경우에는, 제1 전극(120)과 제2 전극(150) 중 어느 하나가 투명성 전극으로 구성되고, 발광 장치(100)가 양면 발광을 할 경우에는, 제1 전극(120)과 제2 전극(150)은 모두 투명성 전극으로 형성되는 것이 바람직하다. When the
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 발광장치(100)의 동작에 대하여 알아보도록 하겠다.Hereinafter, the operation of the
상기 제1전극(120)에 (+)전원이 인가되고, 상기 제2전극에 (-) 전원이 인가되면, 정공은 제1전극(120)로부터 유기발광부(140) 내로 주입되고, 전자는 제2전극로부터 유기발광부(140)내로 주입된다. When positive (+) power is applied to the
유기발광부(140) 내로 주입된 정공과 전자는 유기발광부(140)에서 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 전이하면서 빛을 방출하게 된다. The holes and electrons injected into the organic
상기 유기발광부(140)에서 방출된 빛은 상기 제1전극(120)을 통과하여 상기 기판(110) 및 상기 광굴절층(222)에 입사한다.The light emitted from the organic
특히, 상기 광굴절층(222)에 입사한 빛은 상기 광굴절층(222)이 입사하는 동시에 굴절된다. 이는 상기 광굴절층(222)을 구성하는 광굴절물질의 굴절률이 상기 제1전극(120)보다 크기 때문이다.Particularly, the light incident on the
그리고, 상기 광굴절층(222)을 통과한 빛은 상기 기판(110)으로 입사하면서 재차 굴절되며, 굴절된 빛은 상기 볼록렌즈(211)를 통과하면서 굴절되어 외부도 출광된다.The light having passed through the
이와 같은 굴절과정을 거쳐서 빛이 출광되므로 기판(110)에서 발생했던 전반사 현상이 최대한 억제될 수 있으며, 전반사로 인하여 기판(110) 외부로 출광되지 못하였던 빛이 출광됨으로써 빛의 출광도가 현저하게 증가할 수 있게 되었다. Since the light is emitted through the refraction process, the total reflection phenomenon generated in the
100: 발광장치 110: 기판
120: 제1전극 140: 발광부(유기발광부)
150: 제2전극 200: 광굴절부
210: 제1광굴절부 211: 볼록렌즈
220: 제2광굴절부 221: 오목부
220: 광굴절층100: light emitting device 110: substrate
120: first electrode 140: light emitting portion (organic light emitting portion)
150: second electrode 200: photorefractive portion
210: first optical refraction unit 211: convex lens
220: second light refraction part 221: concave part
220: photorefractive layer
Claims (20)
상기 기판상에 배치되는 제1전극과;
상기 제1전극상에 배치되는 발광부와;
상기 발광부 상에 배치되는 제2전극과,
상기 기판에 마련되어 상기 발광부로부터 상기 기판으로 전달되는 빛을 굴절시키는 광굴절부를 포함하고,
상기 광굴절부는,
상기 기판의 출광면에 형성되는 제1광굴절부; 및
상기 기판의 입광면에 배치되되 상기 제1전극과 상기 제1광굴절부 사이에 배치되고, 상기 제1전극과 경계면은 평면으로 형성되며, 상기 제1광굴절부와 경계면은 곡면으로 형성되는 제2광굴절부
를 포함하고,
상기 제2광굴절부는 상기 제1전극보다 굴절율이 큰 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광장치. A substrate made of a material through which light is transmitted;
A first electrode disposed on the substrate;
A light emitting portion disposed on the first electrode;
A second electrode disposed on the light emitting portion,
And a light refraction unit provided on the substrate and refracting light transmitted from the light emitting unit to the substrate,
The light refracting portion includes:
A first light refraction unit formed on an outgoing surface of the substrate; And
Wherein the first electrode and the first electrode are disposed on a light incident surface of the substrate and are disposed between the first electrode and the first light refraction portion, the interface between the first electrode and the first electrode is planar, 2 light refraction part
Lt; / RTI >
Wherein the second light refraction unit is formed of a material having a higher refractive index than the first electrode.
상기 제1광굴절부는 상기 기판의 출광면으로부터 외측으로 돌출되게 마련되는 렌즈로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광장치. The method according to claim 1,
Wherein the first photoreflecting portion comprises a lens that protrudes outward from a light emitting surface of the substrate.
상기 제1광굴절부는 상기 기판의 출광면에 복수개로 배치되는 것을 특징으로 하는 발광장치. The method according to claim 1,
Wherein the first light refraction part is disposed in a plurality of light emission surfaces of the substrate.
상기 제2광굴절부는 상기 기판에 형성되어 소정 깊이만큼 요입되는 오목부와;
상기 오목부에 채워지는 광굴절층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광장치. The method according to claim 1,
Wherein the second light refraction portion comprises: a concave portion formed in the substrate and recessed by a predetermined depth;
And a light refraction layer filled in the concave portion.
상기 광굴절층은 상기 제1전극을 구성하는 물질보다 굴절율이 큰 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광장치. 9. The method of claim 8,
Wherein the light refraction layer is made of a material having a higher refractive index than the material of the first electrode.
상기 광굴절층을 구성하는 광굴절물질의 굴절율은 1.7 ~ 2.5인 것을 특징으로 하는 발광장치. 10. The method of claim 9,
Wherein the refractive index of the photorefractive material constituting the photorefractive layer is 1.7 to 2.5.
상기 제1광굴절부는 상기 기판의 출광면으로부터 출광방향으로 연장되며 곡면을 갖는 볼록렌즈로 구성되며,
상기 제2광굴절부는 상기 기판의 입광면에 출광방향으로 요입되며 곡면을 갖는 오목부와, 상기 오목부에 채워진 광굴절층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광장치. The method according to claim 1,
Wherein the first photoreflecting portion is composed of a convex lens having a curved surface extending in a light outgoing direction from a light exiting surface of the substrate,
Wherein the second light refraction portion is composed of a concave portion which is recessed in the outgoing light direction on the light incoming surface of the substrate and has a curved surface, and a light refraction layer which is filled in the concave portion.
상기 광굴절부가 형성된 기판에 제1전극을 배치하는 단계;
상기 제1전극상에 발광부를 배치하는 단계;
상기 발광부 상에 제2전극을 배치하는 단계를 포함하고,
상기 광굴절부는,
상기 기판의 출광면에 형성되는 제1광굴절부; 및
상기 기판의 입광면에 배치되되 상기 제1전극과 상기 제1광굴절부 사이에 배치되고, 상기 제1전극과 경계면은 평면으로 형성되며, 상기 제1광굴절부와 경계면은 곡면으로 형성되는 제2광굴절부
를 포함하고,
상기 제2광굴절부는 상기 제1전극보다 굴절율이 큰 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법. Forming a photorefractive portion on the surface of the substrate where light is refracted;
Disposing a first electrode on a substrate having the light refracting portion;
Disposing a light emitting portion on the first electrode;
And disposing a second electrode on the light emitting portion,
The light refracting portion includes:
A first light refraction unit formed on an outgoing surface of the substrate; And
Wherein the first electrode and the first electrode are disposed on a light incident surface of the substrate and are disposed between the first electrode and the first light refraction portion, the interface between the first electrode and the first electrode is planar, 2 light refraction part
Lt; / RTI >
Wherein the second light refraction unit is formed of a material having a higher refractive index than the first electrode.
상기 광굴절부를 형성하는 단계는
홈이 형성된 금형에 기판을 배치하는 단계;
기판을 가열하는 단계;
상기 기판에 압력을 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법. 18. The method of claim 17,
The step of forming the light refracting portion
Disposing a substrate on a mold having grooves;
Heating the substrate;
And a step of applying pressure to the substrate.
상기 기판에 압력을 가하는 단계에서,
상기 기판의 출광면에 볼록렌즈부와 상기 기판의 입광면에 오목부가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법. 19. The method of claim 18,
In the step of applying pressure to the substrate,
Wherein a convex lens portion and a concave portion are formed on the light-incoming surface of the substrate on the light-exiting surface of the substrate.
상기 광굴절부를 형성하는 단계는;
상기 기판의 입광면에 마련되는 오목부에 광굴절물질을 충진하여 광굴절층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로하는 발광장치의 제조방법. 20. The method of claim 19,
The step of forming the light refracting portion includes:
Further comprising the step of forming a light refraction layer by filling a concave portion provided on a light incident surface of the substrate with a light refraction material.
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Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2010146955A (en) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Organic el light-emitting device |
| JP2010176928A (en) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Organic el light-emitting device |
-
2011
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005109059A (en) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| JP2010146955A (en) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Organic el light-emitting device |
| JP2010176928A (en) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Organic el light-emitting device |
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Legal Events
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