[go: up one dir, main page]

KR101888869B1 - Spatial light modulator - Google Patents

Spatial light modulator Download PDF

Info

Publication number
KR101888869B1
KR101888869B1 KR1020170016379A KR20170016379A KR101888869B1 KR 101888869 B1 KR101888869 B1 KR 101888869B1 KR 1020170016379 A KR1020170016379 A KR 1020170016379A KR 20170016379 A KR20170016379 A KR 20170016379A KR 101888869 B1 KR101888869 B1 KR 101888869B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
line
substrate
spatial light
light modulator
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020170016379A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
장재형
우정민
Original Assignee
광주과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 광주과학기술원 filed Critical 광주과학기술원
Priority to KR1020170016379A priority Critical patent/KR101888869B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101888869B1 publication Critical patent/KR101888869B1/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/02Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10Beam splitting or combining systems
    • G02B27/1006Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths
    • G02B27/102Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths for generating a colour image from monochromatic image signal sources
    • G02B27/1026Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths for generating a colour image from monochromatic image signal sources for use with reflective spatial light modulators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 공간 광 변조기에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판의 제1표면에 소정의 형태로 형성된 제1 패턴과, 상기 제1패턴에 대해 이격된 위치의 상기 기판의 제1표면에 소정의 형태로 형성된 제2 패턴과, 상기 제1 및 제2 패턴에 접속되며, 상기 제1 및 제2 패턴을 통해 인가되는 바이어스에 의해 입사되는 광을 변조하는 광변조 소자와, 상기 제1표면의 반대편인 상기 기판의 제2표면에 형성되는 것으로서, 바이어스 공급부로부터 공급된 상기 바이어스가 상기 제1 및 제2 패턴으로 전달되기 위해 상기 제1 및 제2 패턴에 전기적으로 연결된 바이어스 라인부를 구비한다.
본 발명에 따른 공간 광 변조기는 바이어스 라인부가 광변조 소자가 설치된 기판의 제1표면의 반대편인 제2표면에 형성되어 있으므로 바이어스 라인부를 통과하는 바이어스의 광변조 소자에 대한 간섭을 최소화하여 광변조 소자의 미작동을 방지하는 장점이 있다.
The present invention relates to a spatial light modulator comprising a substrate, a first pattern formed in a predetermined shape on the first surface of the substrate, a second pattern formed in a predetermined shape on the first surface of the substrate at a position spaced apart from the first pattern, A light modulation device connected to the first and second patterns for modulating light incident by a bias applied through the first and second patterns, and a second pattern formed on the opposite side of the first surface And a bias line portion formed on a second surface of the substrate and electrically connected to the first and second patterns so that the bias supplied from the bias supply portion is transmitted to the first and second patterns.
Since the bias line portion is formed on the second surface opposite to the first surface of the substrate on which the optical modulating device is mounted, the interference of the bias optical modulation device passing through the bias line portion is minimized, Thereby preventing malfunction of the battery.

Description

공간 광 변조기{Spatial light modulator}≪ RTI ID = 0.0 > Spatial light modulator &

본 발명은 공간 광 변조기에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 제1 및 제2 패턴이 형성된 기판의 제1표면의 반대편인 제2표면에 바이어스 라인이 마련된 공간 광 변조기에 관한 것이다. The present invention relates to a spatial light modulator, and more particularly to a spatial light modulator provided with a bias line on a second surface opposite a first surface of a substrate on which first and second patterns are formed.

테라헤르츠 과학기술은 인간 사망 원인의 가장 높은 비율을 차지하고 있는 암의 진단 및 치료, DNA구조 분석 등 생명과학 연구, 폭발물 및 향정신성 의약품 색출 등 국가안보, 차세대 근거리 통신시스템 구축 등의 분야에서 매우 큰 기여를 할 수 있는 기반기술로서 최근 테라헤르츠 기술분야에 관한 연구가 활발하다.Terahertz science and technology contributes greatly in fields such as diagnosis and treatment of cancer which accounts for the highest percentage of human deaths, research on life sciences such as DNA structure analysis, national security such as detection of explosives and psychotropic drugs, and construction of next generation telecommunication system As a base technology to do this, researches on the terahertz technology field have been actively conducted recently.

테라헤르츠 대역은 이미 활발하게 활용되고 있는 RF, 마이크로웨이브, 밀리미터 웨이브 그리고, 빛의 주파수 사이에 위치하는 상대적으로 미개척 된 주파수 대역이다.그리하여, 이를 테라헤르츠 갭이라고 지칭되고 있다. 즉, 테라헤르츠 대역보다 낮은 주파수 대역에서는 주로 전자공학기술을 이용하고, 더 높은 주파수 대역에서는 광자 공학기술을 이용하여 신호를 발생, 변조, 검출하지만, 테라헤르츠 대역에서는 위의 두 가지 기술 모두 쉽게 적용할 수 없어 그 기술의 발전이 더딘 상태이다.The terahertz band is the RF, microwave, millimeter wave, and frequency band of light that is already actively being used and is relatively untapped frequency band, so it is called the terahertz gap. In other words, signals are generated, modulated, and detected using mainly photonics technology in the lower frequency bands than in the terahertz band, and in the higher frequency bands. However, in the terahertz band, both of the above technologies are easily applied I can not do that, the development of the technology is slow.

테라헤르츠파는 적외선과 마이크로웨이브 대역 사이에 위치한 전자기파영역으로 이웃한 주파수 대역에 비하여 신호의 발생, 변조, 검출에 이르기까지 모든 기술들이 현저히 뒤떨어진 상대적으로 미개척 영역으로 남아있는 스펙트럼 영역으로 매우 활발하게 사용되고 있는 인접 주파수 영역에 비하여 제한된 응용기술 및 부품, 시스템 기술로 인하여 테라헤르츠 영역은 RF 와 광파 사이에 간격을 형성하고 있어 테라헤르츠 간격 간극 (Terahertz Gap)으로 불리운다.The terahertz wave is very actively used as a spectral region in which electromagnetic waves are located between the infrared and microwave bands and the technologies are far behind in the relatively unexplored regions from generation to generation, Due to limited application technology, components and system technology relative to the adjacent frequency region, the terahertz region forms a gap between the RF and the light wave and is referred to as the Terahertz gap.

이러한 테라헤르츠파는 광파의 직진성과 전파의 투과성을 함께 가지고 있는 등 중간적 성질을 띠어 Photonics 및 Electronics분야에서 사용하고 있는 신호의 발생, 변조, 검출기술을 그대로 적용하기 어려움이 따르는 문제점이 있다. 즉, 테라헤르츠파는 마이크로파 주파수 이하의 전파에 비해 전기장 및 자기장의 영향을 거의 받지 아니하여 신호의 제어가 어렵고, 광자학 분야의 기술이 현재 테라헤르츠 분야에서 가장 앞서 있는 기술이지만, 신호 발생 및 검출효율이 아직 만족할 만한 수준에 이르지 못했다. 특히, 극저온, kV 이상의 고전압 등을 요구하는 경우가 많으며, 체적이 크고 집적이 어려워 소형시스템 개발이 불가능하다는 근본적인 문제점을 가지고 있다.This terahertz wave has the intermediate nature such as having the linearity of the light wave and the permeability of the radio wave, which makes it difficult to apply the signal generation, modulation, and detection techniques used in the fields of Photonics and Electronics. In other words, terahertz wave is less affected by electric field and magnetic field compared to radio wave below microwave frequency, so it is difficult to control the signal and the technology of photomatical field is the most advanced technology in the terahertz field. However, Has not yet reached a satisfactory level. In particular, there are many cases in which cryogenic temperature, high voltage equal to or higher than kV is required, large volume, and difficult to integrate, resulting in a fundamental problem that a compact system can not be developed.

차세대 테라헤르츠 시스템은 상온에서 저전압, 저전력 구동이 가능한 소형경량 시스템으로서, 이를 구현하기 위한 핵심소재, 집적 가능한 소자 및 부품기술의 발전이 필요하므로, 테라헤르츠파를 이용하는 시스템의 실용화를 위해 선행되어야 하는 부품기술 개발은 소형 경량의 시스템에 적합한 부품, 전기적인 제어가 가능할 것, 상온에서 사용가능한 부품일 것 등의 요건이 요구된다.The next generation terahertz system is a small and lightweight system that can operate at low temperature and low power at room temperature. Since it is necessary to develop core material, integratable element and component technology to realize this, it is required to be preceded for practical use of a system using terahertz wave Component technology development is required to be a component suitable for a compact and lightweight system, capable of electrical control, and a component that can be used at room temperature.

차세대 테라헤르츠 시스템의 개발을 위해, 위에서 열거한 바와 같은 부품기술의 개발은 매우 활발하지만, 테라헤르츠파의 변조 및 제어를 위한 기술은 아직까지는 태동단계이다. 그 이유는 테라헤르츠파는 마이크로파 주파수 이하의 전파에 비해 전기장 및 자기장의 영향을 거의 받지 아니하여 테라헤르츠 대역의 신호를 제어하기 어렵기 때문이다.For the development of next-generation terahertz systems, the development of component technology as described above is very active, but the technology for modulation and control of terahertz waves is still in its infancy. This is because the terahertz waves are hardly affected by the electric field and the magnetic field in comparison with the electromagnetic waves below the microwave frequency, and it is difficult to control the signals in the terahertz band.

현재까지 연구된 테라헤르츠대역에서의 직접변조 기술은 MEMS (microelectromechanical system)을 이용한 변조방법, Chopper를 이용하여 KHz 정도 수준에서 변조하는 방법이 있으나 테라헤르츠 대역에서의 전기적 제어가능 하며 수 GHz에서 수십 GHz에 이르는 변조주파수를 처리할 수 있는 변조기술이 발표된 바는 없다.The direct modulation technique in the terahertz band studied up to now has a modulation method using a microelectromechanical system (MEMS), a method of modulating at a level of about KHz using a chopper, but it can be electrically controlled in a terahertz band, A modulation technique capable of processing the modulation frequency up to a certain level has not been disclosed.

차세대 Outdoor 또는 Indoor 무선 통신시스템의 경우 40 Gbps 이상의 전송속도를 요구하는 바, 테라헤르츠 또는 서브밀리미터파 대역의 주파수 이용이 불가피할 것으로 전망되며, 이에 따라, 테라헤르츠파를 수십 GHz 정도수준까지 변조할 수 있는 기술 개발이 반드시 필요한 상태이다.In the next generation Outdoor or Indoor wireless communication system, it is expected that the use of a frequency in the terahertz or sub-millimeter wave band is inevitable as a transmission speed of 40 Gbps or more is required, and accordingly, the terahertz wave is modulated to the level of several tens of GHz Technology development is indispensable.

차세대 테라헤르츠 시스템은 상온에서 저전압, 저전력 구동이 가능한 소형경량 시스템으로서, 이를 구현하기 위한 테라헤르츠 발생, 변조, 검출소자들은 반도체 소자를 이용하여 구현하여야 한다.The next generation terahertz system is a compact and lightweight system that can operate at low temperature and low power at room temperature. Terahertz generation, modulation and detection devices must be implemented using semiconductor devices.

그러나 종래의 테라헤르츠 시스템을 포함한 공간 광 변조기는 소자들이 설치된 기판의 제1표면에 바이어스 라인이 함께 형성되어 있으므로 상기 바이어스 라인들 통해 전송되는 바이어스가 소자를 간섭하여 소자들 중 미작동하는 소자가 발생하는 단점이 있다. However, in a conventional spatial light modulator including a terahertz system, since a bias line is formed on a first surface of a substrate on which devices are mounted, a bias transmitted through the bias lines interferes with the device, .

공개특허공보 제10-2016-0057950호: 메타물질 기반 테라헤르츠파 변조기Open Patent Publication No. 10-2016-0057950: meta-material-based terahertz wave modulator

본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위해 창안된 것으로서, 바이어스 라인이 광변조 소자가 설치된 기판의 제1표면의 반대편인 제2표면에 형성된 공간 광 변조기를 제공하는데 그 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a spatial light modulator formed on a second surface opposite to a first surface of a substrate on which a bias line is mounted.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 공간 광 변조기는 기판과, 상기 기판의 제1표면에 소정의 형태로 형성된 제1 패턴과, 상기 제1패턴에 대해 이격된 위치의 상기 기판의 제1표면에 소정의 형태로 형성된 제2 패턴과, 상기 제1 및 제2 패턴에 접속되며, 상기 제1 및 제2 패턴을 통해 인가되는 바이어스에 의해 입사되는 광을 변조하는 광변조 소자와, 상기 제1표면의 반대편인 상기 기판의 제2표면에 형성되는 것으로서, 바이어스 공급부로부터 공급된 상기 바이어스가 상기 제1 및 제2 패턴으로 전달되기 위해 상기 제1 및 제2 패턴에 전기적으로 연결된 바이어스 라인부를 구비한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a spatial light modulator including a substrate, a first pattern formed on the first surface of the substrate in a predetermined shape, and a second pattern formed on the first surface of the substrate, A light modulation device connected to the first and second patterns and modulating light incident by a bias applied through the first and second patterns, a second pattern formed in a predetermined shape on the first and second patterns, And a bias line portion electrically connected to the first and second patterns for transmitting the bias supplied from the bias supply portion to the first and second patterns, the bias line portion being formed on a second surface of the substrate opposite to the surface .

상기 바이어스 라인부는 상기 기판의 제2표면에 설치되며, 제1바이어를 통해 상기 제1 패턴에 전기적으로 연결된 제1라인부재와, 상기 기판의 제2표면에 설치되며, 제2바이어를 통해 상기 제2 패턴에 전기적으로 연결된 제2라인부재를 구비한다. Wherein the bias line portion is disposed on a second surface of the substrate and includes a first line member electrically connected to the first pattern via a first via and a second line member disposed on a second surface of the substrate, 2 pattern of the first line member.

상기 제1바이어는 양단이 각각 상기 제1라인부재 및 제1 패턴에 연결될 수 있도록 상기 기판에 관통되게 설치된다. The first via is installed to penetrate the substrate so that both ends can be connected to the first line member and the first pattern, respectively.

상기 제2바이어는 양단이 각각 상기 제2라인부재 및 제2 패턴에 연결될 수 있도록 상기 기판에 관통되게 설치다. The second vias are installed to penetrate the substrate so that both ends can be connected to the second line member and the second pattern, respectively.

한편, 본 발명에 따른 공간 광 변조기는 상기 바이어스 공급부에 연결되는 것으로서, 상기 기판의 제1표면에 설치되며, 제1연결부재에 의해 상기 제1라인부재에 전기적으로 연결된 소스 콘택부재와, 상기 기판의 제1표면에 설치되며, 제2연결부재에 의해 상기 제2라인부재에 전기적으로 연결된 드레인 콘택부재를 구비한다. Meanwhile, a spatial light modulator according to the present invention includes a source contact member connected to the bias supply unit and provided on a first surface of the substrate, the source contact member being electrically connected to the first line member by a first connection member, And a drain contact member electrically connected to the second line member by a second connection member.

상기 제1연결부재는 양단이 각각 상기 소스 콘택부재 및 제1라인부재에 결합되도록 상기 기판에 관통되게 설치된다. The first connection member is installed to penetrate the substrate such that both ends thereof are respectively coupled to the source contact member and the first line member.

상기 제2연결부재는 양단이 각각 상기 드레인 콘택부재 및 제2라인부재에 결합되도록 상기 기판에 관통되게 설치된다. The second connection member is installed to penetrate the substrate such that both ends thereof are respectively coupled to the drain contact member and the second line member.

상기 제1 및 제2라인부재는 상호 나란한 방향으로 소정길이 연장형성되는 것이 바람직하다. The first and second line members may be formed by extending a predetermined length in a mutually parallel direction.

상기 광변조 소자는 입사되는 테라헤르츠 파를 변조하는 테라헤르츠 파 변조기이고, 상기 제1라인부재는 상기 기판의 제1표면으로 입사되는 상기 테라헤르츠 파의 전기장(electric field)의 방향에 대해 교차하는 방향으로 연장형성된다. Wherein the optical modulation element is a terahertz wave modulator for modulating an incident terahertz wave and the first line member comprises a first line member intersecting a direction of an electric field of the terahertz wave incident on a first surface of the substrate, Direction.

상기 광변조 소자는 입사되는 테라헤르츠 파를 변조하는 테라헤르츠 파 변조기이고, 상기 제2라인부재는 상기 기판의 제1표면으로 입사되는 상기 테라헤르츠 파의 전기장의 방향에 대해 교차하는 방향으로 연장형성된다. Wherein the optical modulation element is a terahertz wave modulator for modulating an incident terahertz wave and the second line member is formed to extend in a direction intersecting the direction of the electric field of the terahertz wave incident on the first surface of the substrate do.

상기 제1패턴은 상기 기판의 제1표면에 소정길이로 연장형성된 제1메인라인과, 상기 광변조 소자에 연결되기 위해 상기 제1메인라인으로부터 상기 제2패턴에 인접되도록 상기 제1메인라인의 길이방향에 대해 교차하는 방향으로 연장된 제1연결라인을 구비한다. Wherein the first pattern comprises a first main line extending a predetermined length on a first surface of the substrate and a second main line extending from the first main line to the second pattern to be connected to the optical modulation device, And a first connection line extending in a direction crossing the longitudinal direction.

상기 제1라인부재는 상기 바이어스가 상기 광변조 소자로 입사되는 광에 간섭되는 것이 방지될 수 있도록 상기 기판의 제2표면에 상기 제1메인라인의 길이방향을 따라 연장형성되는 것이 바람직하다. The first line member is preferably formed on the second surface of the substrate so as to extend along the longitudinal direction of the first main line so that the bias can be prevented from interfering with the light incident on the optical modulator.

상기 제1라인부재는 복수개가 상기 제1연결라인의 길이방향을 따라 상호 이격되게 형성될 수도 있다. The plurality of first line members may be spaced apart from each other along the longitudinal direction of the first connection line.

상기 제2패턴은 상기 제1메인라인으로부터 이격된 위치의 상기 기판의 제1표면에, 상기 제1메인라인의 길이방향을 따라 소정길이 연장된 제2메인라인과, 상기 광변조 소자에 연결되기 위해 상기 제2메인라인으로부터 상기 제1패턴에 인접되도록 상기 제2메인라인의 길이방향에 대해 교차하는 방향으로 연장된 제2연결라인을 구비한다. The second pattern includes a second main line extending from the first surface of the substrate at a position spaced apart from the first main line by a predetermined length along the longitudinal direction of the first main line, And a second connection line extending in a direction crossing the longitudinal direction of the second main line so as to be adjacent to the first pattern from the second main line.

상기 제2라인부재는 상기 바이어스가 상기 광변조 소자로 입사되는 광에 간섭되는 것이 방지될 수 있도록 상기 기판의 제2표면에 상기 제2메인라인의 길이방향을 따라 연장형성되는 것이 바람직하다. The second line member may extend along a longitudinal direction of the second main line on a second surface of the substrate so that the bias may be prevented from interfering with light incident on the optical modulation device.

상기 제2라인부재는 복수개가 상기 제2연결라인의 길이방향을 따라 상호 이격되게 형성된다. The plurality of second line members are spaced apart from each other along the longitudinal direction of the second connection line.

본 발명에 따른 공간 광 변조기는 바이어스 라인부가 광변조 소자가 설치된 기판의 제1표면의 반대편인 제2표면에 형성되어 있으므로 바이어스 라인부를 통과하는 바이어스의 광변조 소자에 대한 간섭을 최소화하여 광변조 소자의 미작동을 방지하는 장점이 있다. Since the bias line portion is formed on the second surface opposite to the first surface of the substrate on which the optical modulation device is mounted, the interference of the bias modulation portion with the bias light passing through the bias line portion is minimized, Thereby preventing malfunction of the battery.

도 1은 본 발명에 따른 공간 광 변조기에 대한 사시도이고,
도 2 및 도 3은 도 1의 공간 광 변조기에 대한 단면도이고,
도 4는 도 1의 공간 광변조기에 대한 부분 절개 사시도이고,
도 5 및 도 6은 도 1의 공간 광변조기의 광변조 소자에 대한 성능을 나타낸 그래프이고,
도 7은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 공간 광 변조기에 대한 부분 절개 사시도이고,
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 공간 광 변조기에 대한 부분 절개 사시도이고,
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시 예들에 따른 공간 광 변조기의 광변조 소자에 대한 성능을 나타낸 그래프이다.
1 is a perspective view of a spatial light modulator according to the present invention,
FIGS. 2 and 3 are cross-sectional views of the spatial light modulator of FIG. 1,
FIG. 4 is a partial cutaway perspective view of the spatial light modulator of FIG. 1,
5 and 6 are graphs showing the performance of the optical modulator of the spatial light modulator of FIG. 1,
7 is a partial cutaway perspective view of a spatial light modulator according to another embodiment of the present invention,
8 is a partial cutaway perspective view of a spatial light modulator according to another embodiment of the present invention,
FIGS. 9 and 10 are graphs illustrating performance of an optical modulator of a spatial light modulator according to embodiments of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 공간 광 변조기에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a spatial light modulator according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It is to be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but on the contrary, is intended to cover all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the present invention in order to clarify the present invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

도 1 내지 도 4에는 본 발명에 따른 공간 광 변조기(100)가 도시되어 있다. 1 to 4 show a spatial light modulator 100 according to the present invention.

도면을 참조하면, 상기 공관 광 변조기는 기판(110)과, 상기 기판(110)의 제1표면에 소정의 형태로 형성된 제1 패턴(120)과, 상기 제1 패턴(120)에 대해 이격된 위치의 상기 기판(110)의 제1표면에 소정의 형태로 형성된 제2 패턴(130)과, 상기 제1 및 제2 패턴(120,130)에 접속되며, 상기 제1 및 제2 패턴(120,130)을 통해 인가되는 바이어스에 의해 입사되는 광을 변조하는 광변조 소자(160)와, 상기 제1표면의 반대편인 상기 기판(110)의 제2표면에 형성되는 것으로서, 바이어스 공급부로부터 공급된 상기 바이어스가 상기 제1 및 제2 패턴(120,130)으로 전달되기 위해 상기 제1 및 제2 패턴(120,130)에 전기적으로 연결된 바이어스 라인부(140)를 구비한다. Referring to FIG. 1, the cavity optical modulator includes a substrate 110, a first pattern 120 formed in a predetermined shape on a first surface of the substrate 110, A second pattern 130 formed in a predetermined shape on a first surface of the substrate 110 at a position where the first and second patterns 120 and 130 are connected to the first and second patterns 120 and 130, And the bias supplied from the bias supply unit is formed on the second surface of the substrate 110 opposite to the first surface, and the bias supplied from the bias supply unit is formed on the second surface of the substrate 110 opposite to the first surface, And a bias line portion 140 electrically connected to the first and second patterns 120 and 130 to be transferred to the first and second patterns 120 and 130.

기판(110)은 소정의 두께를 갖는 판형으로 형성되는 것으로서, GaAs, InP, Sappire, SiC, Highly resistive Si, 유리 등의 소재로 형성된다. 이때, 기판(110)은 전도성이 매우 낮은 즉 절연체에 가까운 전기적 특성이 필요하므로, 특수한 재질의 HR (highly resistive Si)을 활용하는 것이 바람직하다. The substrate 110 is formed of a plate having a predetermined thickness, and is formed of a material such as GaAs, InP, Sappire, SiC, Highly resistive Si, or glass. At this time, since the substrate 110 requires electrical characteristics that are very low, that is, close to that of an insulator, it is preferable to utilize a highly resistive Si of a special material.

제1 패턴(120)은 기판(110)의 상면인 제1 표면에 형성되는 것으로, 바이어스(bias)가 전달될 수 있도록 도전성 소재로 형성된다. 이때, 제1 패턴(120)은 제1메인라인 및 다수의 제1연결라인을 구비한다. The first pattern 120 is formed on the first surface, which is the upper surface of the substrate 110, and is formed of a conductive material so that a bias can be transmitted. At this time, the first pattern 120 includes a first main line and a plurality of first connection lines.

제1메인라인은 기판(110)의 제1표면에 소정길이로 연장형성된다. 제1메인라인은 도 4를 참조하면, x축 방향으로 소정길이 연장되는 것이 바람직하다. The first main line extends a predetermined length on the first surface of the substrate 110. Referring to FIG. 4, the first main line preferably extends a predetermined length in the x-axis direction.

제1연결라인은 상기 광변조 소자에 연결되기 위해 상기 제1메인라인으로부터 상기 제2 패턴(130)에 인접되도록 상기 제1메인라인의 길이방향에 대해 교차하는 방향으로 연장된다. 즉, 제1연결라인은 y축 방향으로 소정길이 연장된다. 이때, 제1연결라인은 다수개가 제1메인라인의 길이방향을 따라 상호 이격되게 형성된다. A first connection line extends from the first main line in a direction crossing the longitudinal direction of the first main line so as to be adjacent to the second pattern to be connected to the optical modulation element. That is, the first connection line extends a predetermined length in the y-axis direction. At this time, a plurality of first connection lines are formed to be spaced apart from each other along the longitudinal direction of the first main line.

도시된 예에서는 상기 제1 패턴(120)은 'ㅌ'자 형으로 형성되어 있으나, 제1 패턴(120)의 형상은 이에 한정하지 않고, 광변조 소자(160) 및 기판(110)의 크기에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있다. The shape of the first pattern 120 is not limited thereto and the size of the optical modulation device 160 and the substrate 110 may be changed depending on the size of the first pattern 120. [ And thus can be formed into various shapes.

제2 패턴(130)은 기판(110)의 제1 표면에 형성되는 것으로서, 바이어스가 전달될 수 있도록 도전성 소재로 형성된다. 이때, 제2 패턴(130)은 제2메인라인 및 다수의 제2연결라인을 구비한다. The second pattern 130 is formed on the first surface of the substrate 110 and is formed of a conductive material so that a bias can be transmitted. At this time, the second pattern 130 includes a second main line and a plurality of second connection lines.

제2메인라인은 기판(110)의 제1표면에 소정길이로 연장형성된다. 제2메인라인은 도 4를 참조하면, x축 방향으로 소정길이 연장되는 것이 바람직하다. The second main line extends a predetermined length on the first surface of the substrate 110. Referring to FIG. 4, the second main line preferably extends a predetermined length in the x-axis direction.

제2연결라인은 상기 광변조 소자에 연결되기 위해 상기 제2메인라인으로부터 상기 제1 패턴(120)에 인접되도록 상기 제2메인라인의 길이방향에 대해 교차하는 방향으로 연장된다. 즉, 제2연결라인은 y축 방향으로 소정길이 연장된다. 이때, 제2연결라인은 다수개가 제2메인라인의 길이방향을 따라 상호 이격되게 형성된다. A second connection line extends from the second main line in a direction crossing the longitudinal direction of the second main line so as to be adjacent to the first pattern 120 to be connected to the optical modulation element. That is, the second connection line extends a predetermined length in the y-axis direction. At this time, a plurality of second connection lines are formed to be spaced apart from each other along the longitudinal direction of the second main line.

한편, 제2 패턴(130)은 도시된 예에서 'ㅌ'자 형으로 형성되어 있으나, 제1 패턴(120)의 형상은 이에 한정하지 않고, 광변조 소자(160) 및 기판(110)의 크기에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 제2 패턴(130)은 양단이 제1 패턴(120)에 대향되도록 위치하는 것이 바람직하다. However, the shape of the first pattern 120 is not limited to the shape of the first pattern 120, and the size of the optical modulation device 160 and the size of the substrate 110 As shown in FIG. At this time, it is preferable that the second pattern 130 is located so that both ends of the second pattern 130 are opposed to the first pattern 120.

광변조 소자(160)는 제1 패턴(120)의 제1연결라인 및 제2 패턴(130)의 제2연결라인에 단부가 각각 접촉되는 것으로서, 제1 패턴(120)에는 쇼트키 접촉(Schottky contact)으로 연결되어 있고, 제2 패턴(130)에는 오믹 접촉(Ohmic contact)으로 연결될 수 있다. 상기 광변조 소자(160)는 테라헤르츠파 광변조 소자가 적용되는데, 이에 한정하는 것이 아니라, CMOS 이미지 센서의 픽셀 단위를 이루는 소자 등이 적용될 수 있다. The light modulation element 160 has ends connected to the first connection line of the first pattern 120 and the second connection line of the second pattern 130. The first pattern 120 has a Schottky contact and may be connected to the second pattern 130 through an ohmic contact. The terahertz wave modulation device is applied to the optical modulation device 160, but the present invention is not limited thereto, and a pixel unit of a CMOS image sensor may be applied.

상기 제1 패턴(120), 제2 패턴(130) 및 광변조 소자(160)는 하나의 단위그룹을 이루고, 상기 기판(110)의 제1표면에는 다수의 단위그룹이 마련되어 있다. 도시된 예에서는 기판(110)의 제1표면에 16개의 단위그룹이 4X4 형식으로 배열된 구조에 도시되어 있으나, 단위그룹은 이에 한정하는 것이 아니라 64개가 8X8 형식으로 기판(110)에 배열될 수도 있다. The first pattern 120, the second pattern 130 and the optical modulation elements 160 form one unit group and the first surface of the substrate 110 has a plurality of unit groups. In the illustrated example, sixteen unit groups are arranged in the 4X4 form on the first surface of the substrate 110, but the unit groups are not limited thereto and 64 units may be arranged in the 8X8 form on the substrate 110 have.

한편, 기판(110)의 제1표면의 좌우측 가장자리에 인접된 위치에 각각 소스 콘택부재(151) 및 드레인 콘택부재(152)가 각각 설치되어 있다. On the other hand, a source contact member 151 and a drain contact member 152 are provided at positions adjacent to left and right edges of the first surface of the substrate 110, respectively.

상기 소스 콘택부재(151)는 도전성 소재로 형성되며, 전후방향으로 소정길이 연장되고, 바이어스 공급부(미도시)에 연결되어 있다. 상기 바이어스 공급부는 종래에 일반적으로 공간 광변조기와 같이 모듈레이터에 바이어스를 공급하는 수단으로서 상세한 설명은 생략한다. 이때, 소스 콘택부는 바이어스 라인부(140)에 의해 제1 패턴(120)에 연결되며, 광변조 소자(160)는 상기 제1 패턴(120)을 소스 단자로 사용한다. The source contact member 151 is formed of a conductive material, extends a predetermined length in the front-rear direction, and is connected to a bias supply unit (not shown). The bias supply unit is conventionally used as a means for supplying a bias to a modulator such as a spatial light modulator, and a detailed description thereof will be omitted. At this time, the source contact portion is connected to the first pattern 120 by the bias line portion 140, and the light modulation device 160 uses the first pattern 120 as a source terminal.

드레인 콘택부재(152)는 도정성 소재로 형성되며, 소스 콘택부재(151)에 대해 나란하게 전후방향으로 소정길이 연장된다. 드레인 콘택부재(152)는 바이어스 라인부(140)에 의해 제2 패턴(130)에 연결되며, 광변조 소자(160)는 상기 제2 패턴(130)을 드레인 단자로 사용한다. The drain contact member 152 is formed of a corrugated material and extends a predetermined length in the longitudinal direction in parallel with the source contact member 151. The drain contact member 152 is connected to the second pattern 130 by the bias line unit 140 and the optical modulation device 160 uses the second pattern 130 as a drain terminal.

바이어스 라인부(140)는 상기 기판(110)의 제2표면에 설치되며, 제1바이어(143)를 통해 상기 제1 패턴(120)에 전기적으로 연결된 다수의 제1라인부재(141)와, 상기 기판(110)의 제2표면에 설치되며, 제2바이어(144)를 통해 상기 제2 패턴(130)에 전기적으로 연결된 다수의 제2라인부재(142)를 구비한다. The bias line unit 140 is provided on the second surface of the substrate 110 and includes a plurality of first line members 141 electrically connected to the first pattern 120 through a first via 143, And a plurality of second line members 142 disposed on a second surface of the substrate 110 and electrically connected to the second pattern 130 through a second via 144.

제1라인부재(141)는 바이어스가 전달될 수 있도록 전도성 소재로 형성되며, 일단부는 소스 콘택부재(151)에 대향되는 위치의 기판(110)의 제2표면에 설치된다. 제1라인부재(141)들은 소스 콘택부재(151)의 길이방향을 따라 상호 이격되게 배열되되, 상기 단위그룹들의 제1 패턴(120)에 대향되도록 기판(110)의 제2표면에 설치되는 것이 바람직하다. The first line member 141 is formed of a conductive material so that a bias can be transmitted and one end is installed on a second surface of the substrate 110 at a position facing the source contact member 151. The first line members 141 are arranged on the second surface of the substrate 110 so as to be spaced apart from each other along the longitudinal direction of the source contact member 151 so as to face the first patterns 120 of the unit groups desirable.

또한, 제1라인부재(141)는 일단부에 소스 콘택부재(151)와 전기적으로 연결될 수 있도록 제1연결부재(145)가 마련되어 있다. 상기 제1연결부재(145)는 도전성 소재로 형성되며, 양단이 각각 상기 소스 콘택부재(151) 및 제1라인부재(141)에 결합되도록 소스 콘택부재(151)에 대향되는 위치의 기판(110)에 형성된 제1비아홀를 통해 기판(110)에 관통되게 설치된다. The first line member 141 is provided at one end with a first connection member 145 so as to be electrically connected to the source contact member 151. The first connection member 145 is formed of a conductive material and includes a substrate 110 at a position opposite to the source contact member 151 so that both ends thereof are coupled to the source contact member 151 and the first line member 141, (Not shown) through the first via hole formed in the substrate 110.

제1바이어(143)는 도전성 소재로 형성되며, 다수개가 단위그룹들의 제1 패턴(120)에 각각 대향되는 위치의 제1라인부재(141)에 설치된다. 상기 제1바이어(143)는 양단이 각각 제1라인부재(141) 및 단위그룹들의 제1 패턴(120)에 연결될 수 있도록 제1 패턴(120)에 대응되는 위치의 기판(110)에 형성된 제2비아홀을 통해 기판(110)에 관통되게 설치된다. The first via 143 is formed of a conductive material and is provided on the first line member 141 at a position where a plurality of the unit groups are opposed to the first patterns 120 of the unit groups. The first via 143 is formed on the substrate 110 at a position corresponding to the first pattern 120 so that both ends of the first via 143 are connected to the first line member 141 and the first pattern 120 of unit groups, 2 via a via hole.

한편, 도 4를 참조하면, 광변조 소자(160)에 입사되는 테라헤르츠 파는 기판(110)에 대해 y축 방향의 전기장(electric field)를 갖는데, 제1라인부재(141)는 상기 바이어스가 상기 광변조 소자(160)로 입사되는 광에 간섭되는 것이 방지될 수 있도록 상기 테라헤르츠 파의 전기장의 방향에 대해 교차하는 방향으로 연장된다. 즉, 상기 제1라인부재(141)는 상기 기판(110)의 제2표면에 상기 제1메인라인의 길이방향인 x축 방향을 따라 연장형성된다. 이때, 제1라인부재(141)는 y축 방향 폭이 4um 내지 6um로 형성되되, 바람직하게는 5um로 형성된다. 4, the terahertz wave incident on the optical modulation device 160 has an electric field in the y-axis direction with respect to the substrate 110, and the first line member 141 has the bias And extend in a direction intersecting the direction of the electric field of the terahertz wave so as to be prevented from interfering with the light incident on the optical modulation element 160. That is, the first line member 141 is formed on the second surface of the substrate 110 along the x-axis direction which is the longitudinal direction of the first main line. At this time, the width of the first line member 141 in the y-axis direction is set to 4 um to 6 um, preferably 5 um.

제2라인부재(142)는 바이어스가 전달될 수 있도록 전도성 소재로 형성되며, 제1라인부재(141)에 나란하게 좌우방향을 따라 소정길이 연장되고, 일단부는 드레인 콘택부재(152)에 대향되는 위치의 기판(110)의 제2표면에 설치된다. 제2라인부재(142)들은 드레인 콘택부재(152)의 길이방향을 따라 상호 이격되게 배열되되, 상기 단위그룹들의 제2 패턴(130)에 대향되도록 기판(110)의 제2표면에 설치되는 것이 바람직하다. The second line member 142 is formed of a conductive material so that a bias can be transmitted. The second line member 142 extends a predetermined length along the lateral direction in parallel with the first line member 141, and one end thereof is opposed to the drain contact member 152 Lt; RTI ID = 0.0 > 110 < / RTI > The second line members 142 are disposed on the second surface of the substrate 110 so as to be spaced apart from each other along the longitudinal direction of the drain contact member 152 so as to face the second patterns 130 of the unit groups desirable.

또한, 제2라인부재(142)는 일단부에 드레인 콘택부재(152)와 전기적으로 연결될 수 있도록 제2연결부재(146)가 마련되어 있다. 상기 제2연결부재(146)는 도전성 소재로 형성되며, 양단이 각각 상기 드레인 콘택부재(152) 및 제2라인부재(142)에 결합되도록 드레인 콘택부재(152)에 대응되는 위치의 기판(110)에 형성된 제3비아홀을 통해 기판(110)에 관통되게 설치된다. The second line member 142 is provided at one end thereof with a second connection member 146 so as to be electrically connected to the drain contact member 152. The second connection member 146 is made of a conductive material and is connected to the drain contact member 152 at a position corresponding to the drain contact member 152 so that both ends thereof are coupled to the drain contact member 152 and the second line member 142, Through the third via hole formed in the substrate 110.

제2바이어(144)는 도전성 소재로 형성되며, 다수개가 단위그룹들의 제2 패턴(130)에 각각 대향되는 위치의 제2라인부재(142)에 설치된다. 상기 제2바이어(144)는 양단이 각각 제2라인부재(142) 및 단위그룹들의 제2 패턴(130)에 연결될 수 있도록 제2 패턴(130)에 대응되는 위치의 기판(110)에 형성된 제4비아홀을 통해 기판(110)에 관통되게 설치된다. The second vias 144 are formed of a conductive material and are provided on the second line members 142 at positions where a plurality of unit groups are opposed to the second patterns 130. The second vias 144 are formed on the substrate 110 at positions corresponding to the second patterns 130 so that both ends can be connected to the second line members 142 and the second patterns 130 of unit groups, 4 via a via hole.

한편, 광변조 소자(160)에 입사되는 테라헤르츠 파는 기판(110)에 대해 y축 방향의 전기장(electric field)를 갖는데, 제2라인부재(142)는 상기 바이어스가 상기 광변조 소자(160)로 입사되는 광에 간섭되는 것이 방지될 수 있도록 상기 테라헤르츠 파의 전기장의 방향에 대해 교차하는 방향으로 연장된다. 즉, 상기 제2라인부재(142)는 기판(110)의 제2표면에 상기 제1메인라인의 길이방향인 x축 방향을 따라 연장형성된다. 이때, 제2라인부재(141)는 y축 방향 폭이 4um 내지 6um로 형성되되, 바람직하게는 5um로 형성된다.The terahertz wave incident on the optical modulator 160 has an electric field in the y-axis direction with respect to the substrate 110. The second line member 142 has a bias voltage applied to the optical modulator 160, So as to be prevented from interfering with the light incident on the terahertz wave. That is, the second line member 142 is formed on the second surface of the substrate 110 along the x-axis direction which is the longitudinal direction of the first main line. At this time, the second line member 141 has a width in the y axis direction of 4 um to 6 um, preferably 5 um.

상술된 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 공간 광 변조기(100)는 바이어스 라인부(140)가 광변조 소자(160)가 설치된 기판(110)의 제1표면의 반대편인 제2표면에 형성되어 있으므로 바이어스 라인부(140)를 통과하는 바이어스의 광변조 소자(160)에 대한 간섭을 최소화하여 광변조 소자(160)의 미작동을 방지하는 장점이 있다. Since the bias line portion 140 is formed on the second surface of the substrate 110 on which the optical modulation device 160 is provided, There is an advantage that interference of the bias through the line section 140 with the optical modulation device 160 is minimized to prevent the optical modulation device 160 from being operated.

도 5 및 도 6는 본 발명에 따른 제1 및 제2라인부재(141,142)가 설치된 공간 광변조기의 광변조 소자(160)(이하, 실시예1)와 테라헤르츠 파의 전기장 방향인 y축 방향으로 연장형성된 라인부재를 공간 광 변조기)의 광변조 소자(이하, 비교예1)의 성능을 나타낸 그래프이다. 이때, 실시예1 및 비교예1는 라인부재의 폭이 5um으로 형성된다. 도 5는 바이어스 전압이 0V 일때, 입사되는 광파의 변화에 따라 실시예1 및 비교예1의 광변조 소자(160)의 투과도를 나타낸 그래프이고, 도 6은 바이어스 전압이 3V 일때, 입사되는 광파의 변화에 따라 실시예1 및 비교예1의 광변조 소자(160)의 투과도를 나타낸 그래프이다. 여기서, Horizontal line은 실시 예1이고, Vertical line은 비교예1을 나타낸다. 도면을 참조하면, 실시예1은 비교예1보다 광변조 소자(160)의 투과도가 더 높은 것으로 나타난다. 따라서, 테라헤르츠 파의 전기장 방향에 대해 교차하는 방향으로 연장된 제1 및 제2라인부재(141,142)를 갖는 바이어스 라인부(140)는 광변조 소자(160)에 대한 간섭을 보다 감소시킬 수 있다. 5 and 6 are schematic diagrams of a light modulation device 160 (hereinafter referred to as Embodiment 1) of a spatial light modulator provided with first and second line members 141 and 142 according to the present invention, (Hereinafter referred to as comparative example 1) of a line member formed by extending a light source (a light source) and a spatial light modulator. At this time, in Example 1 and Comparative Example 1, the line member has a width of 5 mu m. 5 is a graph showing the transmittance of the optical modulator 160 according to the first embodiment and the first comparative example when the bias voltage is 0 V. FIG. 6 is a graph showing the transmittance of the light wave Is a graph showing the transmittance of the optical modulator 160 of Example 1 and Comparative Example 1 in accordance with the change. Here, the horizontal line is the first embodiment, and the vertical line is the first comparative example. Referring to the drawings, Example 1 shows that the transmittance of the optical modulation device 160 is higher than that of Comparative Example 1. Therefore, the bias line portion 140 having the first and second line members 141 and 142 extending in the direction crossing the electric field direction of the terahertz wave can further reduce the interference to the light modulation element 160 .

한편, 도 7에는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 제1라인부재(141) 및 제2라인부재(미도시)가 도시되어 있다. 7 shows a first line member 141 and a second line member (not shown) according to another embodiment of the present invention.

앞서 도시된 도면에서와 동일한 기능을 하는 요소는 동일 참조부호로 표기한다.Elements having the same functions as those in the previous drawings are denoted by the same reference numerals.

도면을 참조하면, 제1라인부재(141) 및 제2라인부재는 도 4의 제1 및 제2라인부재(141,142)보다 폭이 더 길게 형성되어 있다. 즉, 상기 제1 및 제2라인부재(141,142)는 y축 방향 길이가 도 4의 제1 및 제2라인부재(141,142)의 y축 방향 길이보다 더 길게 형성된다. 이때, 제1라인부재(141) 및 제2라인부재는 15um 내지 25um의 높이로 형성되되, 20um의 높이로 형성되는 것이 바람직하다. Referring to FIG. 4, the first line member 141 and the second line member are formed to have a longer width than the first and second line members 141 and 142 of FIG. That is, the lengths of the first and second line members 141 and 142 in the y-axis direction are longer than the lengths of the first and second line members 141 and 142 in the y-axis direction in FIG. At this time, the first line member 141 and the second line member are formed to have a height of 15 um to 25 um and a height of 20 um.

또한, 도 8에는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 제1라인부재(141) 및 제2라인부재(미도시)가 도시되어 있다. 8 shows a first line member 141 and a second line member (not shown) according to another embodiment of the present invention.

도면을 참조하면, 제1라인부재(141)는 복수개가 각각 상기 제1연결라인의 길이방향을 따라 상호 이격되게 형성되어 있다. 이때, 제1라인부재(141)의 사이 간격은 15um 내지 35um이 바람직하다. Referring to the drawings, a plurality of the first line members 141 are formed to be spaced apart from each other along the longitudinal direction of the first connection line. At this time, the interval between the first line members 141 is preferably from 15 to 35 mu m.

또한, 제2라인부재도 도면에 도시되진 않았지만, 복수개가 각각 상기 제1연결라인의 길이방향을 따라 상호 이격되게 형성되어 있다. 이때, 제2라인부재의 사이 간격은 15um 내지 35um이 바람직하다. Although not shown in the drawing, the second line member is formed so as to be spaced apart from each other along the longitudinal direction of the first connection line. At this time, the interval between the second line members is preferably from 15 탆 to 35 탆.

한편, 도 10 및 도 11에는 도 4의 제1 및 제2라인부재(141,142)가 설치된 공간 광변조기의 광변조 소자(160)(이하, 비교 예2), 도 4의 제1 및 제2라인부재(141,142)보다 y축 방향으로 이격된 위치에 제1 및 제2라인부재가 설치된 공간 광변조기의 광변조 소자(이하, 실시 예2), 도 7의 제1 및 제2라인부재(141,142)가 설치된 공간 광변조기의 광변조 소자(160)(이하, 실시 예3) 및 도 8의 제1 및 제2라인부재(141,142)가 설치된 공간 광변조기의 광변조 소자(160)(이하, 실시 예4)의 성능을 나타낸 그래프이다. 도 9는 바이어스 전압이 0V 일때, 입사되는 광파의 변화에 따라 비교예2 및 실시예2,3,4의 광변조 소자(160)의 투과도를 나타낸 그래프이고, 도 10은 바이어스 전압이 3V 일때, 입사되는 광파의 변화에 따라 비교예2 및 실시예2,3,4의 광변조 소자(160)의 투과도를 나타낸 그래프이다. 여기서, Horizontal line은 비교 예2이고, Type1은 실시 예2, Type2는 실시 예3, Type3은 실시 예4이다. 도면을 참조하면, 실시예2,3,4는 비교예2와 유사한 광변조 소자(160)의 투과도를 나타낸다. 따라서, 제1 및 제2라인부재(141,142)는 크기 및 설치위치에 따라 광면조 소자의 투과도에 영향을 주지 않으므로 기판(110)의 형성이나 제조하고자 하는 공간 광 변조기(100)에 따라 비교예2, 실시예2,3,4 중 어느 형식으로든 제조할 수 있다. 10 and 11 show the optical modulator 160 (hereinafter referred to as Comparative Example 2) of the spatial light modulator provided with the first and second line members 141 and 142 of FIG. 4, the first and second lines (Hereinafter referred to as Embodiment 2) of the spatial light modulator provided with the first and second line members at positions spaced apart from the members 141 and 142 in the y-axis direction, the first and second line members 141 and 142 of Fig. The optical modulation device 160 of the spatial light modulator in which the first and second line members 141 and 142 of the spatial light modulator in FIG. 4). 9 is a graph showing the transmittance of the optical modulator 160 of Comparative Example 2 and Embodiments 2, 3 and 4 according to a change in incident light wave when the bias voltage is 0 V. FIG. 10 is a graph showing the transmittance of the optical modulator 160 when the bias voltage is 3 V, 2 is a graph showing the transmittance of the optical modulator 160 of Comparative Example 2 and Examples 2, 3, and 4 according to changes of incident light waves. Here, the horizontal line is Comparative Example 2, Type 1 is Embodiment 2, Type 2 is Embodiment 3, and Type 3 is Embodiment 4. Referring to the drawings, Examples 2, 3 and 4 show the transmittance of the optical modulation element 160 similar to Comparative Example 2. Accordingly, since the first and second line members 141 and 142 do not affect the transmittance of the optical surface roughness element depending on the size and the installation position, according to the spatial light modulator 100 to be formed or manufactured, , And Examples 2, 3, and 4.

제시된 실시예들에 대한 설명은 임의의 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 이용하거나 또는 실시할 수 있도록 제공된다. 이러한 실시예들에 대한 다양한 변형들은 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명백할 것이며, 여기에 정의된 일반적인 원리들은 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 다른 실시예들에 적용될 수 있다. 그리하여, 본 발명은 여기에 제시된 실시예들로 한정되는 것이 아니라, 여기에 제시된 원리들 및 신규한 특징들과 일관되는 최광의의 범위에서 해석되어야 할 것이다.The description of the disclosed embodiments is provided to enable any person skilled in the art to make or use the present invention. Various modifications to these embodiments will be readily apparent to those skilled in the art, and the generic principles defined herein may be applied to other embodiments without departing from the scope of the invention. Thus, the present invention is not intended to be limited to the embodiments shown herein but is to be accorded the widest scope consistent with the principles and novel features presented herein.

100: 공간 광 변조기
110: 기판
120: 제1 패턴
130: 제2 패턴
140: 바이어스 라인부
141: 제1라인부재
142: 제2라인부재
151: 소스 콘택부재
152: 드레인 콘택부재
160: 광변조 소자
100: spatial light modulator
110: substrate
120: First pattern
130: the second pattern
140: bias line section
141: first line member
142: second line member
151: source contact member
152: drain contact member
160: optical modulation element

Claims (16)

기판;
상기 기판의 제1표면에 소정의 형태로 형성된 제1 패턴;
상기 제1패턴에 대해 이격된 위치의 상기 기판의 제1표면에 소정의 형태로 형성된 제2 패턴;
상기 제1 및 제2 패턴에 접속되며, 상기 제1 및 제2 패턴을 통해 인가되는 바이어스에 의해 입사되는 광을 변조하는 광변조 소자;
상기 제1표면의 반대편인 상기 기판의 제2표면에 형성되는 것으로서, 바이어스 공급부로부터 공급된 상기 바이어스가 상기 제1 및 제2 패턴으로 전달되기 위해 상기 제1 및 제2 패턴에 전기적으로 연결된 바이어스 라인부;를 구비하는,
공간 광 변조기.
Board;
A first pattern formed on the first surface of the substrate in a predetermined shape;
A second pattern formed in a predetermined shape on a first surface of the substrate at a position spaced apart from the first pattern;
An optical modulator connected to the first and second patterns and modulating light incident by the bias applied through the first and second patterns;
Wherein the bias supplied from the bias supply portion is formed on a second surface of the substrate opposite to the first surface, the bias line being electrically connected to the first and second patterns to transmit the first and second patterns, Comprising:
Spatial light modulator.
제1항에 있어서,
상기 바이어스 라인부는
상기 기판의 제2표면에 설치되며, 제1바이어를 통해 상기 제1 패턴에 전기적으로 연결된 제1라인부재;
상기 기판의 제2표면에 설치되며, 제2바이어를 통해 상기 제2 패턴에 전기적으로 연결된 제2라인부재;를 구비하는,
공간 광 변조기.
The method according to claim 1,
The bias line portion
A first line member mounted on a second surface of the substrate and electrically connected to the first pattern via a first via;
And a second line member electrically connected to the second pattern via a second via, the second line member being disposed on a second surface of the substrate,
Spatial light modulator.
제2항에 있어서,
상기 제1바이어는 양단이 각각 상기 제1라인부재 및 제1 패턴에 연결될 수 있도록 상기 기판에 관통되게 설치된,
공간 광 변조기.
3. The method of claim 2,
Wherein the first via is provided to penetrate the substrate so that both ends thereof can be connected to the first line member and the first pattern,
Spatial light modulator.
제2항에 있어서,
상기 제2바이어는 양단이 각각 상기 제2라인부재 및 제2 패턴에 연결될 수 있도록 상기 기판에 관통되게 설치된,
공간 광 변조기.
3. The method of claim 2,
Wherein the second vias are disposed so as to penetrate the substrate so that both ends thereof can be connected to the second line member and the second pattern, respectively,
Spatial light modulator.
제2항에 있어서,
상기 바이어스 공급부에 연결되는 것으로서, 상기 기판의 제1표면에 설치되며, 제1연결부재에 의해 상기 제1라인부재에 전기적으로 연결된 소스 콘택부재;
상기 기판의 제1표면에 설치되며, 제2연결부재에 의해 상기 제2라인부재에 전기적으로 연결된 드레인 콘택부재;를 구비하는,
공간 광 변조기.
3. The method of claim 2,
A source contact member connected to the bias supply unit, the source contact member being provided on a first surface of the substrate and electrically connected to the first line member by a first connection member;
And a drain contact member mounted on a first surface of the substrate and electrically connected to the second line member by a second connection member,
Spatial light modulator.
제5항에 있어서,
상기 제1연결부재는 양단이 각각 상기 소스 콘택부재 및 제1라인부재에 결합되도록 상기 기판에 관통되게 설치된,
공간 광 변조기.
6. The method of claim 5,
Wherein the first connection member is provided so as to penetrate the substrate so that both ends thereof are respectively coupled to the source contact member and the first line member,
Spatial light modulator.
제5항에 있어서,
상기 제2연결부재는 양단이 각각 상기 드레인 콘택부재 및 제2라인부재에 결합되도록 상기 기판에 관통되게 설치된,
공간 광 변조기.
6. The method of claim 5,
Wherein the second connection member is provided so as to penetrate the substrate such that both ends thereof are respectively coupled to the drain contact member and the second line member,
Spatial light modulator.
제2항에 있어서,
상기 제1 및 제2라인부재는 상호 나란한 방향으로 소정길이 연장형성된,
공간 광 변조기.
3. The method of claim 2,
Wherein the first and second line members are formed by extending a predetermined length in a mutually-
Spatial light modulator.
제2항에 있어서,
상기 광변조 소자는 입사되는 테라헤르츠 파를 변조하는 테라헤르츠 파 변조기이고,
상기 제1라인부재는 상기 기판의 제1표면으로 입사되는 상기 테라헤르츠 파의 전기장(electric field)의 방향에 대해 교차하는 방향으로 연장형성된,
공간 광 변조기.
3. The method of claim 2,
Wherein the optical modulator is a terahertz wave modulator for modulating an incident terahertz wave,
Wherein the first line member is formed extending in a direction crossing the direction of an electric field of the terahertz wave incident on the first surface of the substrate,
Spatial light modulator.
제2항에 있어서,
상기 광변조 소자는 입사되는 테라헤르츠 파를 변조하는 테라헤르츠 파 변조기이고,
상기 제2라인부재는 상기 기판의 제1표면으로 입사되는 상기 테라헤르츠 파의 전기장의 방향에 대해 교차하는 방향으로 연장형성된,
공간 광 변조기.
3. The method of claim 2,
Wherein the optical modulator is a terahertz wave modulator for modulating an incident terahertz wave,
The second line member being formed extending in a direction crossing the direction of the electric field of the terahertz wave incident on the first surface of the substrate,
Spatial light modulator.
제2항에 있어서,
상기 제1패턴은 상기 기판의 제1표면에 소정길이로 연장형성된 제1메인라인과, 상기 광변조 소자에 연결되기 위해 상기 제1메인라인으로부터 상기 제2패턴에 인접되도록 상기 제1메인라인의 길이방향에 대해 교차하는 방향으로 연장된 제1연결라인을 구비하는,
공간 광 변조기.
3. The method of claim 2,
Wherein the first pattern comprises a first main line extending a predetermined length on a first surface of the substrate and a second main line extending from the first main line to the second pattern to be connected to the optical modulation device, And a first connection line extending in a direction crossing the longitudinal direction,
Spatial light modulator.
제11항에 있어서,
상기 제1라인부재는 상기 바이어스가 상기 광변조 소자로 입사되는 광에 간섭되는 것이 방지될 수 있도록 상기 기판의 제2표면에 상기 제1메인라인의 길이방향을 따라 연장형성된,
공간 광 변조기.
12. The method of claim 11,
The first line member is formed on the second surface of the substrate so as to extend along the longitudinal direction of the first main line so that the bias can be prevented from interfering with the light incident on the optical modulation element,
Spatial light modulator.
제12항에 있어서,
상기 제1라인부재는 복수개가 상기 제1연결라인의 길이방향을 따라 상호 이격되게 형성된,
공간 광 변조기.
13. The method of claim 12,
Wherein the plurality of first line members are spaced apart from each other along a longitudinal direction of the first connection line,
Spatial light modulator.
제11항에 있어서,
상기 제2패턴은 상기 제1메인라인으로부터 이격된 위치의 상기 기판의 제1표면에, 상기 제1메인라인의 길이방향을 따라 소정길이 연장된 제2메인라인과, 상기 광변조 소자에 연결되기 위해 상기 제2메인라인으로부터 상기 제1패턴에 인접되도록 상기 제2메인라인의 길이방향에 대해 교차하는 방향으로 연장된 제2연결라인을 구비하는,
공간 광 변조기
12. The method of claim 11,
The second pattern includes a second main line extending from the first surface of the substrate at a position spaced apart from the first main line by a predetermined length along the longitudinal direction of the first main line, And a second connection line extending in a direction crossing the longitudinal direction of the second main line so as to be adjacent to the first pattern from the second main line,
Spatial light modulator
제14항에 있어서,
상기 제2라인부재는 상기 바이어스가 상기 광변조 소자로 입사되는 광에 간섭되는 것이 방지될 수 있도록 상기 기판의 제2표면에 상기 제2메인라인의 길이방향을 따라 연장형성된,
공간 광 변조기.
15. The method of claim 14,
The second line member is formed on the second surface of the substrate so as to extend along the longitudinal direction of the second main line so that the bias can be prevented from interfering with the light incident on the optical modulation element,
Spatial light modulator.
제15항에 있어서,
상기 제2라인부재는 복수개가 상기 제2연결라인의 길이방향을 따라 상호 이격되게 형성된,
공간 광 변조기.

16. The method of claim 15,
Wherein the second line members are spaced apart from each other along a longitudinal direction of the second connection line,
Spatial light modulator.

KR1020170016379A 2017-02-06 2017-02-06 Spatial light modulator Expired - Fee Related KR101888869B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170016379A KR101888869B1 (en) 2017-02-06 2017-02-06 Spatial light modulator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170016379A KR101888869B1 (en) 2017-02-06 2017-02-06 Spatial light modulator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101888869B1 true KR101888869B1 (en) 2018-08-16

Family

ID=63443763

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170016379A Expired - Fee Related KR101888869B1 (en) 2017-02-06 2017-02-06 Spatial light modulator

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101888869B1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008010811A (en) * 2006-05-31 2008-01-17 Canon Inc Electromagnetic wave oscillator
KR20120040023A (en) * 2010-10-18 2012-04-26 광주과학기술원 Terahertz wave Resonator and Modulator Utilizing Metamaterial
US20140085711A1 (en) * 2010-11-05 2014-03-27 Trustees Of Boston College Active manipulation of electromagnetic wave propagation in metamaterials
KR20160057950A (en) 2014-11-14 2016-05-24 삼육대학교산학협력단 Terahertz wave modulator based on metamaterial
KR20170006129A (en) * 2015-07-07 2017-01-17 광주과학기술원 Terahertz modulator

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008010811A (en) * 2006-05-31 2008-01-17 Canon Inc Electromagnetic wave oscillator
KR20120040023A (en) * 2010-10-18 2012-04-26 광주과학기술원 Terahertz wave Resonator and Modulator Utilizing Metamaterial
US20140085711A1 (en) * 2010-11-05 2014-03-27 Trustees Of Boston College Active manipulation of electromagnetic wave propagation in metamaterials
KR20160057950A (en) 2014-11-14 2016-05-24 삼육대학교산학협력단 Terahertz wave modulator based on metamaterial
KR20170006129A (en) * 2015-07-07 2017-01-17 광주과학기술원 Terahertz modulator

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9985331B2 (en) Substrate integrated waveguide switch
US20190045630A1 (en) Flexible printed circuit board
CN203859223U (en) Microstrip antenna
KR101139938B1 (en) Terahertz wave resonator and modulator utilizing metamaterial
US8570114B2 (en) Defected ground structure with shielding effect
WO2007007442A1 (en) Broadband antenna device
JP2007522735A (en) Adjustable device
WO2018137997A1 (en) Waveguide assembly
JP2007116573A (en) Array antenna
KR20140000814A (en) Direction control antenna and method for controlling of the same
US11450956B2 (en) Antenna phase shifter with integrated DC-block
Venkatesh et al. A programmable terahertz metasurface with circuit-coupled meta-elements in silicon chips: creating low-cost, large-scale, reconfigurable terahertz metasurfaces
Kiani et al. Single‐layer bandpass active frequency selective surface
CN111224222A (en) Electronic device
CN111638813A (en) Display device and manufacturing method thereof
US20070008223A1 (en) High-gain loop antenna
Li et al. Tunable and reconfigurable bandstop filters enabled by optically controlled switching elements
KR101888869B1 (en) Spatial light modulator
KR102039914B1 (en) Controlled lens antenna apparatus and system
US11973267B2 (en) Antenna and communication apparatus
KR102061114B1 (en) Unit cell meta structure device operating bandwidth of terahertz and polarizing apparatus including the same
Kanazawa et al. Compact flip‐chip interconnection 8× 50 Gbit/s EADFB laser array module for 400 Gbit/s transceiver
EP3796466B1 (en) Radio frequency device
US20250023246A1 (en) Holographic antenna and electronic device
Qu et al. Three‐state SIW diplexer with independently controllable centre frequencies

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20220810

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20220810

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000