[go: up one dir, main page]

KR101909478B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

Apparatus for treating substrate Download PDF

Info

Publication number
KR101909478B1
KR101909478B1 KR1020160143127A KR20160143127A KR101909478B1 KR 101909478 B1 KR101909478 B1 KR 101909478B1 KR 1020160143127 A KR1020160143127 A KR 1020160143127A KR 20160143127 A KR20160143127 A KR 20160143127A KR 101909478 B1 KR101909478 B1 KR 101909478B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liner
substrate
processing space
baffle
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020160143127A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180047236A (en
Inventor
문형철
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020160143127A priority Critical patent/KR101909478B1/en
Publication of KR20180047236A publication Critical patent/KR20180047236A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101909478B1 publication Critical patent/KR101909478B1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/0234—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 가스 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 기판이 반출입되는 개구가 형성되며, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 그리고 상기 처리 공간에 위치되며, 상기 챔버의 내측벽을 보호하는 링 형상의 라이너 유닛을 포함하되, 상기 라이너 유닛은 상부 라이너, 상기 상부 라이너의 아래에 위치되는 하부 라이너, 그리고 상기 상부 라이너 및 상기 하부 라이너가 서로 밀착되는 밀착 위치 또는 서로 이격되는 이격 위치로 이동되도록 상기 상부 라이너 또는 상기 하부 라이너를 승하강시키는 승강 부재를 포함한다. 개구가 형성된 챔버의 내측벽은 상부 라이너 및 하부 라이너에 의해 감싸진다. 이로 인해 처리 공간은 상부 라이너 및 하부 라이너에 의해 대칭되는 공간을 가지고, 기판을 영역 별로 균일하게 가스 처리할 수 있다.Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for gas treating a substrate. The substrate processing apparatus includes a chamber in which an opening through which a substrate is introduced and unloaded is formed, a chamber having a processing space therein, a substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space, a gas supply unit for supplying gas to the processing space, Wherein the liner unit includes a top liner, a bottom liner positioned below the top liner, and a bottom liner positioned between the top liner and the bottom liner so that the top liner and the bottom liner are in close contact with each other And an elevating member for moving the upper liner or the lower liner up and down so as to be moved to a close position or a spaced apart position from each other. The inner wall of the chamber in which the opening is formed is surrounded by an upper liner and a lower liner. As a result, the processing space has a space symmetrical by the upper liner and the lower liner, and the substrate can be uniformly gas-processed on a region-by-region basis.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}[0001] Apparatus for treating substrate [0002]

본 발명은 기판을 가스 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for gas treating a substrate.

반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온 주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 이온 주입, 그리고 세정 공정에는 가스를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.In the process of manufacturing a semiconductor device, various processes such as photolithography, etching, thin film deposition, ion implantation, and cleaning are performed. Among these processes, a substrate processing apparatus using gas is used for etching, thin film deposition, ion implantation, and cleaning processes.

일반적으로 가스 처리 공정은 기판 상에 가스를 공급하여 기판을 처리하는 공정으로, 영역 별 균일도가 매우 중요하다. 이러한 가스 균일도는 온도, 기류, 그리고 주변 환경 등에 의해 쉽게 변화된다. 이에 따라 영역 별 가스 밀도가 불균일할 경우에는 기판의 일부 영역에 가스가 과잉 공급되어 일부 영역이 과잉 처리될 수 있다. 또한 기판의 다른 일부 영역에는 가스가 기준치에 미달된 량이 공급될 수 있다. In general, the gas processing step is a step of processing a substrate by supplying a gas onto the substrate, and uniformity in each region is very important. Such gas uniformity is easily changed by temperature, airflow, and the surrounding environment. Accordingly, when the gas density of each region is nonuniform, gas may be excessively supplied to a part of the substrate to over-treat some of the regions. In addition, an amount of gas that is less than the reference value may be supplied to another part of the substrate.

도 1은 일반적으로 가스 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 2은 도 1의 챔버의 개구 영역에서 가스의 흐름을 확대해 보여주는 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 챔버(2) 내에 기판(W)이 놓여지면, 챔버(2)의 일측벽에 형성된 개구는 도어에 의해 차단된다. 챔버 내에는 공정 가스가 공급된다. Fig. 1 is a cross-sectional view generally showing a gas processing apparatus, and Fig. 2 is a cross-sectional view showing an enlarged view of a gas flow in an opening region of the chamber of Fig. 1 and 2, when the substrate W is placed in the chamber 2, the opening formed in one side wall of the chamber 2 is blocked by the door. A process gas is supplied into the chamber.

그러나 챔버(2)의 내부 공간(12)은 개구에 의해 비대칭적 공간으로 제공된다. 이로 인해 챔버(2) 내에는 와류가 형성되거나, 일부 기류가 개구에 정체되며, 기판(W)은 불균일하게 가스 처리된다.However, the inner space 12 of the chamber 2 is provided as an asymmetric space by the opening. As a result, a vortex is formed in the chamber 2, or a part of the airflow stagnates in the opening, and the substrate W is gas-treated unevenly.

한국 공개 특허 2007-0032091Korean Published Patent Application No. 2007-0032091

본 발명은 기판의 전체 영역을 균일하게 가스 처리할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and a method for uniformly gas-treating an entire region of a substrate.

또한 본 발명은 기판을 가스 처리하는 처리 공간이 기판의 반출입구에 의해 비대칭적 공간으로 제공되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.It is another object of the present invention to provide an apparatus and a method that can prevent a processing space for gas processing a substrate from being provided in an asymmetric space by a substrate entry / exit port.

본 발명의 실시예는 기판을 가스 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 기판이 반출입되는 개구가 형성되며, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 그리고 상기 처리 공간에 위치되며, 상기 챔버의 내측벽을 보호하는 링 형상의 라이너 유닛을 포함하되, 상기 라이너 유닛은 상부 라이너, 상기 상부 라이너의 아래에 위치되는 하부 라이너, 그리고 상기 상부 라이너 및 상기 하부 라이너가 서로 밀착되는 밀착 위치 또는 서로 이격되는 이격 위치로 이동되도록 상기 상부 라이너 또는 상기 하부 라이너를 승하강시키는 승강 부재를 포함한다. Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for gas treating a substrate. The substrate processing apparatus includes a chamber in which an opening through which a substrate is introduced and unloaded is formed, a chamber having a processing space therein, a substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space, a gas supply unit for supplying gas to the processing space, Wherein the liner unit includes a top liner, a bottom liner positioned below the top liner, and a bottom liner positioned between the top liner and the bottom liner so that the top liner and the bottom liner are in close contact with each other And an elevating member for moving the upper liner or the lower liner up and down so as to be moved to a close position or a spaced apart position from each other.

상기 이격 위치에는 상기 상부 라이너와 상기 하부 라이너의 이격된 공간이 상기 개구와 대응되는 높이를 가질 수 있다. 상기 상부 라이너는 환형의 링 형상으로 제공되고, 상기 하부 라이너는 상기 상부 라이너와 동일한 직경을 가지는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 상기 상부 라이너 및 상기 하부 라이너는 각각의 수직축이 서로 일치되도록 위치될 수 있다. 상기 장치는 상기 가스 공급 유닛 및 상기 라이너 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 처리 공간에 기판을 반출입하는 기판 반출입 단계와 상기 처리 공간에 위치된 기판을 가스 처리하는 기판 처리 단계가 수행되도록 상기 가스 공급 유닛 및 상기 라이너 유닛을 제어하되, 상기 기판 반출입 단계에는 상기 라이너 유닛이 이격 위치로 이동되고, 상기 기판 처리 단계에는 상기 라이너 유닛이 밀착 위치로 이동될 수 있다. The spaced apart spaces may have a height corresponding to the openings of the upper liner and the lower liner. The upper liner is provided in an annular ring shape, and the lower liner may be provided in an annular ring shape having the same diameter as the upper liner. The upper liner and the lower liner may be positioned such that their respective vertical axes coincide with each other. The apparatus further includes a controller for controlling the gas supply unit and the liner unit, wherein the controller includes a substrate carry-in / take-out step for carrying a substrate into and out of the processing space, and a substrate processing step for gas- The liner unit is moved to the separated position and the liner unit is moved to the close position in the substrate processing step.

상기 장치는 상기 하부 라이너의 하단으로부터 연장되며, 상기 기판 지지 유닛과 상기 챔버의 내측벽 사이에 위치되며 배플을 더 포함하되, 상기 처리 공간이 상기 챔버의 상벽, 상부 라이너, 하부 라이너, 기판 지지 유닛, 그리고 배플 간 조합에 의해 정의될 수 있다. 상기 기판 지지 유닛은 기판이 놓이는 상면을 가지며, 상기 상면에 핀홀을 가지는 지지판, 상기 핀홀에 제공되며, 상기 상면으로부터 기판을 들어올리거나 내려놓는 리프트핀, 그리고 상기 리프트핀을 지지하는 하판을 포함하되, 상기 승강 부재는 상기 리프트핀과 상기 베플을 서로 역방향으로 승하강 이동시키는 링크 아암 및 상기 하판을 승하강시키는 구동기를 포함할 수 있다. The apparatus further includes a baffle extending from a lower end of the lower liner and positioned between the substrate support unit and an inner wall of the chamber, the processing space including a top wall, a top liner, a bottom liner, , And a combination of baffles. Wherein the substrate supporting unit includes a supporting plate having an upper surface on which the substrate is placed and having a pinhole on the upper surface, a lift pin provided on the pinhole and lifting or lowering the substrate from the upper surface, and a lower plate supporting the lift pin, The elevating member may include a link arm for moving the lift pin and the baffle up and down in mutually opposite directions, and a driver for moving the lift plate up and down.

기판을 가스 처리하는 방법은 챔버에 형성된 개구를 통해 상기 챔버 내에 형성된 처리 공간으로 기판을 반출입하는 기판 반출입 단계 및 상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하여 기판을 가스 처리하는 기판 처리 단계를 포함하되, 상기 기판 반출입 단계에는 상기 챔버의 내측벽을 보호하며, 상하 방향으로 위치되는 상부 라이너 및 하부 라이너가 서로 이격되는 이격 위치로 이동하고, 상기 기판 처리 단계에는 상기 상부 라이너 및 하부 라이너가 서로 밀착되는 밀착 위치로 이동하되, 상기 기판 반출입 단계에는 상기 개구 및 상기 상부 라이너와 상기 하부 라이너의 사이 공간을 통해 상기 기판을 반출입한다. A method of gas-treating a substrate includes a substrate carrying-in / out step for carrying a substrate into and out of a processing space formed in the chamber through an opening formed in the chamber, and a substrate processing step for gas-treating the substrate by supplying a processing gas to the processing space, The upper liner and the lower liner are moved to a spaced position where the upper liner and the lower liner are separated from each other while protecting the inner wall of the chamber, The substrate is carried in and out through the opening and a space between the upper liner and the lower liner.

상기 상부 라이너는 위치가 고정되고, 상기 하부 라이너는 상기 이격 위치 및 상기 밀착 위치로 이동되도록 상가 상하 방향으로 이동되며, 상기 기판을 지지하는 지지판에는 상기 기판을 들어올리거나 내려놓도록 승하강 이동되는 리프트핀이 제공되고, 상기 리프트핀은 상기 상하 방향과 반대되는 역방향으로 이동될 수 있다. 상기 기판 처리 단계에는 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 상기 기판 처리 단계에는 상기 공정 가스로 상기 기판을 식각 처리하는 식각 공정을 수행할 수 있다. Wherein the upper liner is fixed in position and the lower liner is moved up and down in a vertical direction so as to move to the spaced apart position and the close contact position and the support plate supporting the substrate is lifted and lowered to lift or lower the substrate, A pin is provided, and the lift pin can be moved in a direction opposite to the up-down direction. In the substrate processing step, a plasma can be generated from the process gas. In the substrate processing step, an etching process for etching the substrate with the process gas may be performed.

본 발명의 실시예에 의하면, 개구가 형성된 챔버의 내측벽은 상부 라이너 및 하부 라이너에 의해 감싸진다. 이로 인해 처리 공간은 상부 라이너 및 하부 라이너에 의해 대칭되는 공간을 가지고, 기판을 영역 별로 균일하게 가스 처리할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the inner wall of the chamber in which the opening is formed is surrounded by an upper liner and a lower liner. As a result, the processing space has a space symmetrical by the upper liner and the lower liner, and the substrate can be uniformly gas-processed on a region-by-region basis.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 상부 라이너 및 하부 라이너는 개구와 대응되는 높이의 이격 공간을 형성할 수 있다. 이로 인해 기판이 반출입되는 중에 기판과 라이너들 간에 간섭을 피할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the upper liner and the lower liner can form a spaced-apart space corresponding to the opening. Thereby avoiding interference between the substrate and the liner during substrate transfer.

도 1은 일반적으로 가스 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2은 도 1의 챔버의 개구 영역에서 가스의 흐름을 확대해 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 정전척를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 3의 배플을 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 3의 라이너 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 7 및 도 8은 도 3의 승강 부재에 의해 라이너 유닛이 이동되는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 9 및 도 10은 도 3의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a cross-sectional view generally showing a gas processing apparatus.
2 is a cross-sectional view of an enlarged view of the flow of gas in the open region of the chamber of FIG.
3 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a plan view showing the electrostatic chuck of FIG.
Figure 5 is a top view of the baffle of Figure 3;
Figure 6 is a perspective view showing the liner unit of Figure 3;
FIGS. 7 and 8 are views showing the process of moving the liner unit by the lifting member of FIG.
FIG. 9 and FIG. 10 are views showing a process of processing a substrate using the apparatus of FIG.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 실시예는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치 및 방법에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 플라즈마를 이용하여 공정을 수행하는 장치라면 다양하게 적용 가능하다.The present embodiment describes a substrate processing apparatus and method for etching a substrate using plasma. However, the present invention is not limited thereto, and various apparatuses can be applied as long as the apparatus is a device that performs a process using plasma.

이하, 도 3 내지 도 10을 참조하여 본 발명을 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to Figs. 3 to 10. Fig.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치는 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 배플(500), 라이너 유닛(600), 그리고 제어기(700)를 포함한다.3 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 3, the substrate processing apparatus includes a chamber 100, a substrate support unit 200, a gas supply unit 300, a plasma source 400, a baffle 500, a liner unit 600, and a controller 700 ).

챔버(100)는 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간(102)을 제공한다. 챔버(100)는 몸체(110) 및 커버(120)를 포함한다. 몸체(110)는 상부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 커버(120)는 몸체(110)의 상부를 개폐하도록 제공된다. 몸체(110)는 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 몸체(110)는 알루미늄 재질로 제공되고, 커버(120)는 유전체 재질로 제공될 수 있다. 몸체(110)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성된다. 배기홀(150)은 배기 라인을 통해 감압 부재(160)에 연결된다. 감압 부재(160)는 배기 라인을 통해 배기홀(150)로 진공압을 제공한다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물은 진공압에 의해 챔버(100)의 외부로 배출된다. 몸체(110)의 일측벽에는 개구(104)가 형성된다. 개구(104)는 수평 방향을 향하도록 제공된다. 측부에서 바라볼 때 개구(104)는 챔버(100)의 원주방향을 향하는 슬릿 형상으로 제공된다. 개구(104)는 기판(W)이 반입 또는 반출되는 통로(104)로서 기능한다. 개구(104)는 도어(106)에 의해 차단 또는 개방된다.The chamber 100 provides a processing space 102 in which a substrate W is processed. The chamber 100 includes a body 110 and a cover 120. The body 110 is provided in a cylindrical shape with an open top. The cover 120 is provided to open and close the upper portion of the body 110. The body 110 is made of a metal material. For example, the body 110 may be made of an aluminum material, and the cover 120 may be provided of a dielectric material. An exhaust hole 150 is formed in the bottom surface of the body 110. The exhaust hole 150 is connected to the pressure reducing member 160 through the exhaust line. The pressure-reducing member 160 provides vacuum pressure to the exhaust hole 150 through the exhaust line. By-products generated during the process are discharged to the outside of the chamber 100 by the vacuum pressure. An opening 104 is formed in one side wall of the body 110. The opening 104 is provided so as to face in the horizontal direction. The opening 104 is provided in the shape of a slit facing the circumferential direction of the chamber 100 when viewed from the side. The opening 104 functions as a passage 104 through which the substrate W is carried in or out. The opening 104 is blocked or opened by the door 106.

기판 지지 유닛(200)은 처리 공간(102)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.The substrate support unit 200 supports the substrate W in the processing space 102. The substrate support unit 200 may be provided with an electrostatic chuck 200 that supports the substrate W using electrostatic force. Optionally, the substrate support unit 200 can support the substrate W in a variety of ways, such as mechanical clamping.

정전척(200)은 유전판(210), 포커스링(250), 그리고 베이스(230)를 포함한다. 유전판(210)은 기판(W)을 직접 지지하는 지지판(210)으로 제공된다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 일 예에 의하면, 유전판(210)의 상단은 챔버의 개구(104)와 대향되는 높이를 가질 수 있다. 유전판(210)의 상면에는 핀홀들(220)이 형성된다. 핀홀들(220)은 복수 개로 제공된다. 예컨대 핀홀들(220)은 3 개로 제공되며, 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 핀홀들(220) 각각에는 리프트핀(222)이 위치되며, 리프트핀(222)은 상하 방향으로 승강 이동될 수 있다. 리프트핀(222)은 상단이 핀홀(220) 내에 제공되는 하강 위치 또는 핀홀(220)로부터 돌출되는 승강 위치로 이동될 수 있다. 리프트핀들(222)은 하판(224)에 의해 지지된다. 하판(224)은 베이스(230)에 위치된다. 리프트핀들(222)은 하판(224)과 함께 승강 이동이 가능하다. 유전판(210)의 내부에는 하부전극(212)이 설치된다. 하부전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 하부전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 하부전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹 재질로 제공될 수 있다. The electrostatic chuck 200 includes a dielectric plate 210, a focus ring 250, and a base 230. The dielectric plate 210 is provided as a support plate 210 that directly supports the substrate W. The substrate W is directly placed on the upper surface of the dielectric plate 210. The dielectric plate 210 is provided in a disc shape. The dielectric plate 210 may have a smaller radius than the substrate W. [ According to one example, the top of the dielectric plate 210 may have a height that opposes the opening 104 of the chamber. On the upper surface of the dielectric plate 210, pinholes 220 are formed. A plurality of pinholes 220 are provided. For example, the pinholes 220 are provided in three, and can be spaced at equal intervals from each other. A lift pin 222 is positioned in each of the pinholes 220, and the lift pin 222 can be moved up and down in the vertical direction. The lift pin 222 can be moved to a lowering position where the upper end is provided in the pinhole 220 or to a lifting position where the upper end protrudes from the pinhole 220. [ The lift pins 222 are supported by a lower plate 224. The lower plate 224 is located on the base 230. The lift pins 222 are movable up and down together with the lower plate 224. A lower electrode 212 is provided inside the dielectric plate 210. A power source (not shown) is connected to the lower electrode 212, and receives power from a power source (not shown). The lower electrode 212 provides an electrostatic force such that the substrate W is attracted to the dielectric plate 210 from the applied power (not shown). Inside the dielectric plate 210, a heater 214 for heating the substrate W is provided. The heater 214 may be positioned below the lower electrode 212. The heater 214 may be provided as a helical coil. For example, the dielectric plate 210 may be provided in a ceramic material.

베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각 유로(232)가 형성된다. 냉각 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. The base 230 supports the dielectric plate 210. The base 230 is positioned below the dielectric plate 210 and is fixedly coupled to the dielectric plate 210. The upper surface of the base 230 has a stepped shape such that its central region is higher than the edge region. The central portion of the upper surface of the base 230 has an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 210. A cooling passage 232 is formed in the base 230. The cooling channel 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The cooling channel 232 may be provided in a spiral shape inside the base 230.

포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)의 상면은 내측링(252)의 상면에 비해 그 높이가 높게 제공된다. 일 예에 의하면, 외측링(254)의 상단은 센싱홀(110)보다 낮은 높이를 가질 수 있다. 외측링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.The focus ring 250 focuses the plasma onto the substrate W. [ The focus ring 250 includes an inner ring 252 and an outer ring 254. The inner ring 252 is provided in an annular ring shape surrounding the dielectric plate 210. The inner ring 252 is located in the edge region of the base 230. [ The upper surface of the inner ring 252 is provided so as to have the same height as the upper surface of the dielectric plate 210. The inner surface of the upper surface of the inner ring 252 supports the bottom edge region of the substrate W. [ For example, the inner ring 252 may be provided with a conductive material. The outer ring 254 is provided in an annular ring shape surrounding the inner ring 252. The outer ring 254 is positioned adjacent to the inner ring 252 in the edge region of the base 230. The upper surface of the outer ring 254 is provided with a higher height than the upper surface of the inner ring 252. According to one example, the upper end of the outer ring 254 may have a lower height than the sensing hole 110. The outer ring 254 may be provided with an insulating material.

가스 공급 유닛(300)은 기판 지지 유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(350), 가스 공급 라인(330), 그리고 가스 유입 포트(310)를 포함한다. 가스 공급 라인(330)은 가스 저장부(350)와 가스 유입 포트(310)를 연결한다. 가스 저장부(350)에 저장된 공정 가스는 가스 공급 라인(330)을 통해 가스 유입 포트(310)으로 공급한다. 가스 공급 라인(330)에는 밸브가 설치되어 그 통로를 개폐하거나, 그 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다.The gas supply unit 300 supplies the process gas onto the substrate W supported by the substrate support unit 200. The gas supply unit 300 includes a gas reservoir 350, a gas supply line 330, and a gas inlet port 310. The gas supply line 330 connects the gas storage 350 and the gas inlet port 310. The process gas stored in the gas storage unit 350 is supplied to the gas inlet port 310 through the gas supply line 330. A valve is provided in the gas supply line 330 to open or close the passage, or to control the flow rate of the gas flowing in the passage.

플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 처리 공간(102)에 방전 공간을 형성한다. 방전 공간 내에 머무르는 공정 가스는 여기되어 플라즈마 상태를 유지할 수 있다. 일 예에 의하면, 플라즈마는 기판을 식각 처리할 수 있다. The plasma source 400 excites the process gas into the plasma state within the chamber 100. As the plasma source 400, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 400 includes an antenna 410 and an external power source 430. An antenna 410 is disposed on the outer side of the chamber 100. The antenna 410 is provided in a spiral shape in multiple turns and is connected to an external power supply 430. The antenna 410 receives power from the external power supply 430. The powered antenna 410 forms a discharge space in the process space 102 of the chamber 100. The process gas staying in the discharge space can be excited to maintain the plasma state. According to one example, the plasma can etch the substrate.

배플(500)은 처리 공간(102)에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 도 4는 도 3의 배플을 보여주는 평면도이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 배플(500)은 베이스와 챔버(100)의 측벽 사이에 위치된다. 배플(500)은 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 또한 배플(500)은 판 형상을 가지도록 제공된다. 배플(500)에는 복수의 슬릿홀(502)들이 형성된다. 슬릿홀(502)들은 배플(500)의 상면에서 저면까지 연장되는 홀로 제공된다. 슬릿홀(502)들은 배플(500)의 원주 방향을 따라 순차적으로 배열된다. 슬릿홀(502)들 각각은 배플(500)의 반경 방향을 향하는 길이 방향을 가진다. 각각의 슬릿홀(502)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 제공된다. The baffle 500 uniformly evacuates the plasma in the processing space 102 from region to region. 4 is a plan view showing the baffle of Fig. Referring to Figures 3 and 4, the baffle 500 is positioned between the base and the side wall of the chamber 100. The baffle 500 is provided to have an annular ring shape. The baffle 500 is also provided with a plate shape. A plurality of slit holes 502 are formed in the baffle 500. The slit holes 502 are provided as holes extending from the upper surface to the lower surface of the baffle 500. The slit holes 502 are sequentially arranged along the circumferential direction of the baffle 500. Each of the slit holes 502 has a radial direction lengthwise direction of the baffle 500. Each of the slit holes 502 is provided at an equal distance from each other.

라이너 유닛(600)은 챔버(100)의 내벽을 보호한다. 라이너 유닛(600)은 플라즈마에 의해 챔버(100)가 손상되는 것을 방지한다. 도 5는 도 3의 라이너 유닛을 보여주는 사시도이다. 도 3 및 도 5를 참조하면, 라이너 유닛(600)은 상부 라이너(620), 하부 라이너(640), 그리고 승강 부재(660)를 포함한다. 상부 라이너(620)는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 상부 라이너(620)는 중심축이 상하 방향을 향하는 수직축으로 제공된다. 상부 라이너(620)는 몸체(110)의 개구(104)를 기준으로 개구(104)의 상부 영역에 해당되는 몸체(110)의 내측벽을 감싸도록 제공될 수 있다. 상부 라이너(620)는 몸체(110)의 내측벽과 밀착되게 위치된다. 즉, 상부 라이너(620)의 하단은 개구(104)보다 위에 위치될 수 있다. 상부 라이너(620)는 챔버(100)의 내경과 동일한 외경을 가질 수 있다.The liner unit 600 protects the inner wall of the chamber 100. The liner unit 600 prevents the chamber 100 from being damaged by the plasma. Figure 5 is a perspective view showing the liner unit of Figure 3; 3 and 5, the liner unit 600 includes an upper liner 620, a lower liner 640, and an elevating member 660. [ The upper liner 620 is provided to have an annular ring shape. The top liner 620 is provided with a vertical axis with the central axis oriented up and down. The upper liner 620 may be provided to enclose the inner wall of the body 110 corresponding to the upper region of the opening 104 with respect to the opening 104 of the body 110. The upper liner 620 is positioned in close contact with the inner wall of the body 110. That is, the lower end of the upper liner 620 may be positioned above the opening 104. The upper liner 620 may have the same outer diameter as the inner diameter of the chamber 100.

하부 라이너(640)는 상부 라이너(620)의 아래에 위치된다. 하부 라이너(640)는 상부 라이너(620)와 동일한 직경을 가지는 환형의 링 형상을 가진다. 하부 라이너(640)는 상부 라이너(620)와 동일한 중심축을 가지도록 제공된다. 즉, 상부 라이너(620)의 하단과 하부 라이너(640)의 상단은 서로 일치되게 위치된다. 상부 라이너(620)와 하부 라이너(640)가 서로 이격되는 공간은 개구(104)와 대응되는 높이에 제공된다. 배플(500)은 하부 라이너(640)의 하단으로부터 수직하게 연장되는 판으로 제공될 수 있다. 배플(500)은 하부 라이너(640)의 내측에 위치된다. 일 예에 의하면, 처리 공간(102)은 챔버(100)의 상벽, 상부 라이너(620), 하부 라이너(640), 기판 지지 유닛(200), 그리고 배플(500) 간 조합에 의해 정의될 수 있다.The lower liner 640 is positioned below the upper liner 620. The lower liner 640 has an annular ring shape having the same diameter as the upper liner 620. The lower liner 640 is provided with the same central axis as the upper liner 620. That is, the lower end of the upper liner 620 and the upper end of the lower liner 640 are positioned to coincide with each other. A space in which the upper liner 620 and the lower liner 640 are spaced from each other is provided at a height corresponding to the opening 104. [ The baffle 500 may be provided as a plate extending vertically from the lower end of the lower liner 640. The baffle 500 is located inside the lower liner 640. The processing space 102 may be defined by a combination between the top wall of the chamber 100, the top liner 620, the bottom liner 640, the substrate support unit 200, and the baffle 500 .

승강 부재(660)는 상부 라이너(620)와 하부 라이너(640) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 부재(660)는 상부 라이너(620)와 하부 라이너(640) 중 하나를 승하강시킨다. 승강 부재(660)는 상부 라이너(620)와 하부 라이너(640)를 밀착 위치 또는 이격 위치로 이동시킨다. 여기서 밀착위치는 상부 라이너(620)와 하부 라이너(640)가 서로 밀착되어 접촉되는 위치이고, 이격 위치는 상부 라이너(620)와 하부 라이너(640)가 서로 이격되는 위치로 정의한다. 본 실시예에는 상부 라이너(620)가 챔버(100)에 고정되고, 하부 라이너(640)가 승하강되는 것으로 설명한다. 하부 라이너(640)는 승강 이동되어 상부 라이너(620)와 밀착되고, 하강 이동되어 상부 라이너(620)와 이격될 수 있다. The lifting member 660 adjusts the relative height between the upper liner 620 and the lower liner 640. The elevating member 660 moves up and down one of the upper liner 620 and the lower liner 640. The elevating member 660 moves the upper liner 620 and the lower liner 640 to the close position or the separation position. Here, the close contact position is a position where the upper liner 620 and the lower liner 640 are in close contact with each other, and the spacing position is defined as a position where the upper liner 620 and the lower liner 640 are spaced apart from each other. In the present embodiment, the upper liner 620 is fixed to the chamber 100, and the lower liner 640 is moved up and down. The lower liner 640 may be moved up and down to be in close contact with the upper liner 620 and moved downward to be separated from the upper liner 620.

승강 부재(660)는 리프트핀(222)과 라이너 유닛(600)을 함께 이동시킨다. 승강 부재(660)는 리프트핀(222)과 하부 라이너(640)를 상하 방향에 대해 서로 역방향으로 이동시킨다. 일 예에 의하면, 리프트핀(222)은 승강 이동 시 하부 라이너(640)는 하강 이동될 수 있다. 또한 리프트핀(222)은 하강 이동 시 하부 라이너(640)는 승강 이동될 수 있다. 즉 리프트핀(222)이 지지판(210)으로부터 기판(W)을 들어올리도록 승강 위치로 이동되면, 하부 라이너(640)는 이격 위치로 이동될 수 있다. 리프트핀(222)이 지지판(210)에 기판(W)을 내려놓도록 하강 위치로 이동되면, 하부 라이너(640)는 밀착 위치로 이동될 수 있다.The lift member 660 moves the lift pin 222 and the liner unit 600 together. The elevating member 660 moves the lift pin 222 and the lower liner 640 in opposite directions with respect to the vertical direction. According to one example, the lift pin 222 can be moved down while the lower liner 640 is lifted. Further, the lift pin 222 can be moved up and down when the lower liner 640 is moved down. That is, when the lift pin 222 is moved to the lifting position to lift the substrate W from the support plate 210, the lower liner 640 can be moved to the spaced position. When the lift pin 222 is moved to the lowered position to lower the substrate W to the support plate 210, the lower liner 640 can be moved to the close position.

승강 부재(660)는 링크 아암(664)과 구동기(662)를 포함한다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 링크 아암(664) 및 구동기(662)는 베이스에 제공된다. 링크 아암(664)은 하판(224)과 배플(500)을 서로 연결한다. 링크 아암(664)은 양단이 서로 상이한 높이를 가지도록 제공된다. 링크 아암(664)은 일단이 승강 이동되면 타단이 하강 이동되고, 일단이 하강 이동되면 타단이 승강 이동되도록 제공된다. 링크 아암(664)의 일단에는 하판(224)이 설치되고, 타단에는 배플(500)이 설치된다. 링크 아암(664)은 하판(224)이 승강 이동 시 배플(500)이 하강 이동되도록, 그리고 하판(224)이 하강 이동 시 배플(500)이 승강 이동되도록 이동 가능하다. 구동기(662)는 하판(224)은 승강 위치 또는 하강 위치로 이동시킨다. 예컨대, 구동기(662)는 실린더 또는 모터일 수 있다. 링크 아암(664)은 2 이상의 링크가 서로 연결된 아암일 수 있다.The lifting member 660 includes a link arm 664 and a driver 662. Referring to Figs. 7 and 8, a link arm 664 and a driver 662 are provided at the base. The link arm 664 connects the lower plate 224 and the baffle 500 to each other. The link arm 664 is provided so that both ends thereof have different heights. When one end of the link arm 664 is moved up and down, the other end of the link arm 664 is moved downward, and when one end of the link arm 664 is moved downward, the other end thereof is moved up and down. The link arm 664 has a lower plate 224 at one end and a baffle 500 at the other end. The link arm 664 is movable such that the baffle 500 moves down while the lower plate 224 moves up and down and the baffle 500 is moved up and down when the lower plate 224 moves down. The driver 662 moves the lower plate 224 to the elevating position or the lowering position. For example, the actuator 662 may be a cylinder or a motor. The link arm 664 may be an arm in which two or more links are interconnected.

제어기(700)는 가스 공급 유닛(300) 및 라이너 유닛(600)을 제어한다. 제어기(700)는 기판 반출입 단계 및 기판 처리 단계가 수행되도록 각 유닛(300,600)을 제어한다. 기판 반출입 단계는 챔버(100)의 개구(104)를 통해 기판(W)이 처리 공간(102)에 반출입되는 단계이다. 기판 처리 단계는 처리 공간(102)에 위치된 기판(W)을 플라즈마 처리하는 단계이다. 기판 반출입 단계는 처리 공간(102)이 개구(104)를 통해 외부와 통하도록 제공된다. 기판 처리 단계는 처리 공간(102)이 라이너 유닛(600)에 의해 외부로부터 밀폐된다. The controller 700 controls the gas supply unit 300 and the liner unit 600. The controller 700 controls each of the units 300 and 600 so that the substrate take-in and take-in and substrate processing steps are performed. The substrate loading / unloading step is a step in which the substrate W is transferred into and out of the processing space 102 through the opening 104 of the chamber 100. The substrate processing step is a step of plasma processing the substrate W placed in the processing space 102. The substrate loading / unloading step is provided so that the processing space 102 communicates with the outside through the opening 104. The substrate processing step is such that the processing space 102 is sealed from the outside by the liner unit 600.

기판 처리 단계 이전의 기판 반출입 단계는 기판(W)을 처리 공간(102)에 반입하는 단계일 수 있다. 기판 반출입 단계가 수행되면, 개구(104)는 개방되고 라이너 유닛(600)은 이격 위치로 이동된다. 라이너 유닛(600)이 이격 위치로 이동되는 동시에 리프트핀(222)은 승강 위치로 이동된다. 반송 로봇(미도시)에 의해 리프트핀(222)에는 기판(W)이 놓여지고, 개구(104)는 도어(106)에 의해 닫혀지며, 라이너 유닛(600)은 밀착 위치로 이동된다. 라이너 유닛(600)이 밀착 위치로 이동되는 동시에 리프트핀(222)은 하강 위치로 이동된다. 리프트핀(222)에 올려진 기판(W)은 지지판(210)의 상면에 안착된다.The step of loading / unloading the substrate before the substrate processing step may be a step of bringing the substrate W into the processing space 102. When the substrate loading / unloading step is performed, the opening 104 is opened and the liner unit 600 is moved to the separated position. The liner unit 600 is moved to the spaced position and the lift pin 222 is moved to the lifting position. The substrate W is placed on the lift pin 222 by the carrying robot (not shown), the opening 104 is closed by the door 106, and the liner unit 600 is moved to the close position. The liner unit 600 is moved to the close position and the lift pin 222 is moved to the lower position. The substrate W placed on the lift pins 222 is seated on the upper surface of the support plate 210.

도 9 및 도 10은 도 3의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다. 도 9 및 도 10을 참조하면, 지지판(210)에는 기판(W)이 놓여지고, 기판 처리 단계가 진행된다. 기판 처리 단계가 수행되면, 처리 공간(102)이 라이너 유닛(600)에 의해 외부로부터 차단된 상태에서, 처리 공간(102)에 공정 가스가 공급되고, 플라즈마 소스에 의해 여기된 공정 가스는 기판(W)을 플라즈마 처리한다. FIG. 9 and FIG. 10 are views showing a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. 9 and 10, the substrate W is placed on the support plate 210, and the substrate processing step proceeds. When the substrate processing step is performed, the processing gas is supplied to the processing space 102 while the processing space 102 is shielded from the outside by the liner unit 600, and the processing gas excited by the plasma source is supplied to the substrate W) is subjected to plasma treatment.

기판(W)의 플라즈마 처리가 완료되면, 다시 기판 반출입 단계가 수행된다. 기판 처리 단계 이후의 기판 반출입 단계는 기판(W)을 처리 공간(102)으로부터 반출하는 단계일 수 있다. 라이너 유닛(600)은 밀착 위치에서 이격 위치로 이동된다. 라이너 유닛(600)이 이격 위치로 이동되는 동시에 리프트핀(222)은 하강 위치에서 승강 위치로 이동된다. 기판(W)은 지지판(210)으로부터 들어 올려지고, 반송 로봇(미도시)는 기판(W)을 처리 공간(102)으로부터 반출한다.When the plasma processing of the substrate W is completed, the substrate carrying-in / out step is carried out again. The substrate carrying-out step after the substrate processing step may be a step of taking the substrate W out of the processing space 102. The liner unit 600 is moved from the close position to the release position. The liner unit 600 is moved to the separated position and the lift pin 222 is moved from the lowered position to the elevated position. The substrate W is lifted from the support plate 210 and a transport robot (not shown) removes the substrate W from the processing space 102.

예컨대, 기판(W)의 플라즈마 처리 공정은 식각 처리 공정일 수 있다. 처리 공간(102)은 커버(120), 라이너 유닛(600), 배플(500), 그리고 유전판(210)에 의해 정의되며, 이는 중심축을 기준으로 대칭되는 공간으로 제공된다. 이에 따라 기판(W)의 전체 영역은 균일하게 플라즈마 처리될 수 있다.For example, the plasma processing process of the substrate W may be an etching process. The processing space 102 is defined by a cover 120, a liner unit 600, a baffle 500, and a dielectric plate 210, which are provided in a space that is symmetrical with respect to a central axis. Whereby the entire area of the substrate W can be uniformly plasma-processed.

또한 라이너 유닛은 리프트핀을 승강 이동시키는 승강 부재에 의해 이동된다. 이로 인해 라이너 유닛을 승강 이동시키기 위한 별도의 구동기가 제공되지 않으며, 이는 기판 처리 장치의 공간 효율을 향상시킬 수 있다.Further, the liner unit is moved by an elevating member for moving the lift pin up and down. As a result, no separate driver for lifting and moving the liner unit is provided, which can improve the space efficiency of the substrate processing apparatus.

본 실시예는 기판을 플라즈마 처리하는 장치에 대해 설명하였으나, 기판을 외부로부터 밀폐된 위치에서 기판을 가스 처리하는 장치라면 다양하게 적용 가능하다.Although the present embodiment has been described with respect to an apparatus for plasma-processing a substrate, it can be applied variously as long as it is an apparatus for gas-treating a substrate in a closed position from the outside.

100: 챔버 102: 처리 공간
104: 개구 110: 몸체
120: 커버 200: 기판 지지 유닛
600: 라이너 유닛 620: 상부 라이너
640: 하부 라이너 660: 승강 부재100: chamber 102: processing space
104: opening 110: body
120: cover 200: substrate support unit
600: liner unit 620: upper liner
640: lower liner 660: lifting member

Claims (11)

기판이 반출입되는 개구가 형성되며, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 처리 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
상기 처리 공간에 위치되며, 상기 챔버의 내측벽을 보호하는 링 형상의 라이너 유닛과;
상기 처리 공간의 가스가 배기되는 슬릿홀이 형성되는 배플을 포함하되,
상기 라이너 유닛은,
상부 라이너와;
상기 상부 라이너의 아래에 위치되는 하부 라이너와;
상기 상부 라이너 및 상기 하부 라이너가 서로 밀착되는 밀착 위치 또는 서로 이격되는 이격 위치로 이동되도록 상기 하부 라이너를 승하강시키는 승강 부재를 포함하고,
상기 챔버는,
상부가 개방된 통 형상의 몸체와;
상기 몸체의 상부를 밀폐하는 커버를 포함하되,
상기 배플은 상기 하부 라이너의 하단으로부터 연장되며, 상기 기판 지지 유닛과 상기 하부 라이너 사이에 위치되고,
상기 승강 부재는 상기 배플과 연결되어 상기 배플을 승강시킴으로써 상기 하부 라이너를 승강시키고,
상기 이격 위치에서 상기 상부 라이너와 상기 하부 라이너 사이의 이격된 공간은 상기 개구에 대응되며,
상기 처리 공간은 상기 커버, 상기 밀착 위치에 위치되는 상기 상부 라이너 및 상기 하부 라이너, 상기 배플, 그리고 기판 지지 유닛 간 조합에 의해 정의되며,
상기 처리 공간 내 가스는 상기 배플에 제공된 상기 슬릿홀을 통해서 직접 상기 처리 공간의 아래 방향으로 상기 처리 공간의 외부로 배기되는 기판 처리 장치.A chamber in which an opening through which the substrate is taken in and out is formed, the chamber having a processing space therein;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space;
A gas supply unit for supplying gas to the processing space;
A ring shaped liner unit located in the processing space and protecting the inner wall of the chamber;
And a baffle in which a slit hole is formed in which the gas in the processing space is exhausted,
Wherein the liner unit comprises:
A top liner;
A lower liner positioned below said upper liner;
And a lifting member for lifting and lowering the lower liner to move the upper liner and the lower liner to a close contact position where the upper liner and the lower liner are in close contact with each other,
The chamber may comprise:
A tubular body having an open top;
And a cover for sealing the upper portion of the body,
Wherein the baffle extends from a lower end of the lower liner and is positioned between the substrate support unit and the lower liner,
Wherein the lifting member is connected to the baffle to lift and lower the baffle,
Wherein the spaced apart space between the upper and lower liners in the spaced apart position corresponds to the opening,
Wherein the processing space is defined by a combination of the cover, the upper liner and the lower liner, the baffle, and the substrate support unit located in the close position,
Wherein the gas in the processing space is exhausted out of the processing space directly below the processing space through the slit hole provided in the baffle. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 상부 라이너는 환형의 링 형상으로 제공되고,
상기 하부 라이너는 상기 상부 라이너와 동일한 직경을 가지는 환형의 링 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the upper liner is provided in an annular ring shape,
Wherein the lower liner is provided in an annular ring shape having the same diameter as the upper liner. 제3항에 있어서,
상기 상부 라이너 및 상기 하부 라이너는 각각의 수직축이 서로 일치되도록 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the upper liner and the lower liner are positioned so that their respective vertical axes coincide with each other. 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 장치는,
상기 가스 공급 유닛 및 상기 라이너 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 처리 공간에 기판을 반출입하는 기판 반출입 단계와 상기 처리 공간에 위치된 기판을 가스 처리하는 기판 처리 단계가 수행되도록 상기 가스 공급 유닛 및 상기 라이너 유닛을 제어하되,
상기 기판 반출입 단계에는 상기 라이너 유닛이 이격 위치로 이동되고,
상기 기판 처리 단계에는 상기 라이너 유닛이 밀착 위치로 이동되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 3,
The apparatus comprises:
Further comprising a controller for controlling said gas supply unit and said liner unit,
Wherein the controller controls the gas supply unit and the liner unit such that a substrate carrying-in / out step for carrying the substrate in and out of the processing space and a substrate processing step for gassing the substrate placed in the processing space are performed,
The liner unit is moved to a spaced position at the substrate loading / unloading step,
And the liner unit is moved to the close position in the substrate processing step. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은,
기판이 놓이는 상면을 가지며, 상기 상면에 핀홀을 가지는 지지판과;
상기 핀홀에 제공되며, 상기 상면으로부터 기판을 들어올리거나 내려놓는 리프트핀과;
상기 리프트핀을 지지하는 하판을 포함하되,
상기 승강 부재는,
상기 리프트핀과 상기 배플을 서로 역방향으로 승하강 이동시키는 링크 아암과;
상기 하판을 승하강시키는 구동기를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate supporting unit comprises:
A support plate having a top surface on which the substrate is placed and having a pinhole on the top surface;
A lift pin provided on the pinhole and lifting or lowering the substrate from the upper surface;
And a lower plate for supporting the lift pins,
The elevating member
A link arm for moving the lift pin and the baffle up and down in opposite directions;
And a driver for moving the lower plate up and down. 기판이 반출입되는 개구가 형성되며, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 처리 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
상기 처리 공간에 위치되며, 상기 챔버의 상부 내측벽을 보호하는 링 형상의 상부 라이너와;
상기 상부 라이너의 아래에 위치하며, 상기 챔버의 하부 내측벽을 보호하는 링 형상의 하부 라이너와;
상기 하부 라이너의 하단에 내측 방향으로 연결되고 상기 기판 지지 유닛과 상기 하부 라이너 사이에 위치하며, 상기 처리 공간의 가스가 배기되는 슬릿홀이 형성되는 배플과;
상기 배플과 연결되어 상기 배플을 승강시킴으로써 상기 하부 라이너를 승강시키고, 상기 하부 라이너를 상승시켜 상기 상부 라이너에 밀착되는 밀착 위치로 이동시키고, 상기 하부 라이너를 하강시켜 상기 상부 라이너에 이격되는 이격 위치로 이동시키는 승강 부재를 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은,
기판이 놓이는 상면을 가지고 상기 상면에 핀홀이 형성되는 지지판과,
상기 핀홀에 수용되며, 상기 상면으로부터 기판을 들어올리거나 내려놓도록 승강하는 리프트핀과,
상기 리프트핀을 지지하는 하판을 포함하고,
상기 챔버는,
상부가 개방된 통 형상의 몸체와;
상기 몸체의 상부를 밀폐하는 커버를 포함하되,
상기 승강 부재는 상기 하판과 연결되어 상기 리프트핀을 승강시키고,
상기 이격 위치에서 상기 상부 라이너와 상기 하부 라이너 사이의 이격된 공간은 상기 개구에 대응되며,
상기 승강 부재는 상기 리프트핀과 상기 배플을 서로 역방향으로 승하강 이동시키고,
상기 처리 공간은 상기 커버, 상기 밀착 위치에 위치되는 상기 상부 라이너 및 상기 하부 라이너, 상기 배플, 그리고 기판 지지 유닛 간 조합에 의해 정의되며,
상기 처리 공간 내 가스는 상기 배플에 제공된 상기 슬릿홀을 통해서 직접 상기 처리 공간의 아래 방향으로 상기 처리 공간의 외부로 배기되는 기판 처리 장치.A chamber in which an opening through which the substrate is taken in and out is formed, the chamber having a processing space therein;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space;
A gas supply unit for supplying gas to the processing space;
A ring shaped top liner positioned in the processing space and protecting the top inner wall of the chamber;
A lower ring-shaped liner positioned below the upper liner and protecting the lower inner wall of the chamber;
A baffle connected inward to a lower end of the lower liner and positioned between the substrate support unit and the lower liner, the baffle defining a slit hole through which the gas in the processing space is exhausted;
The baffle is moved up and down to raise and lower the lower liner to move the lower liner up to the close position where it is brought into close contact with the upper liner and lower the lower liner to be separated from the upper liner And a lifting member for moving the lifting member,
Wherein the substrate supporting unit comprises:
A support plate having a top surface on which the substrate is placed and a pinhole formed on the top surface,
A lift pin accommodated in the pinhole and lifted and lowered to lift or lower the substrate from the upper surface,
And a lower plate for supporting the lift pins,
The chamber may comprise:
A tubular body having an open top;
And a cover for sealing the upper portion of the body,
The lift member is connected to the lower plate to lift and lift the lift pin,
Wherein the spaced apart space between the upper and lower liners in the spaced apart position corresponds to the opening,
Wherein the lift member lifts and moves the lift pin and the baffle in directions opposite to each other,
Wherein the processing space is defined by a combination of the cover, the upper liner and the lower liner, the baffle, and the substrate support unit located in the close position,
Wherein the gas in the processing space is exhausted out of the processing space directly below the processing space through the slit hole provided in the baffle. 제8항에 있어서,
상기 승강 부재는 상기 리프트핀과 상기 배플을 연결하는 링크 아암을 포함하고,
상기 승강 부재가 상기 하판을 상승시키는 때에 상기 리프트핀은 상승하고, 상기 링크 아암을 통해 상기 하판과 연결되는 상기 배플은 하강하며,
상기 승강 부재가 상기 하판을 하강시키는 때에 상기 리프트핀은 하강하고, 상기 링크 아암을 통해 상기 하판과 연결되는 상기 배플은 상승하는 기판 처리 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the lifting member includes a link arm connecting the lift pin and the baffle,
When the lift member lifts the lower plate, the lift pin rises and the baffle connected to the lower plate through the link arm descends,
Wherein the lift pin descends when the elevating member descends the lower plate, and the baffle connected to the lower plate via the link arm rises.
삭제delete 삭제delete
KR1020160143127A 2016-10-31 2016-10-31 Apparatus for treating substrate Active KR101909478B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160143127A KR101909478B1 (en) 2016-10-31 2016-10-31 Apparatus for treating substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160143127A KR101909478B1 (en) 2016-10-31 2016-10-31 Apparatus for treating substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180047236A KR20180047236A (en) 2018-05-10
KR101909478B1 true KR101909478B1 (en) 2018-10-18

Family

ID=62185000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160143127A Active KR101909478B1 (en) 2016-10-31 2016-10-31 Apparatus for treating substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101909478B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230100832A (en) * 2021-12-28 2023-07-06 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate
US11776858B2 (en) 2019-06-21 2023-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma apparatus and methods of manufacturing semiconductor device using the same

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102073749B1 (en) * 2018-07-18 2020-02-05 세메스 주식회사 Appparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR102469302B1 (en) * 2018-08-01 2022-11-22 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디. Reaction chamber and plasma device
CN108987237B (en) * 2018-08-01 2024-06-21 北京北方华创微电子装备有限公司 Reaction chamber and plasma equipment
KR102200709B1 (en) * 2019-11-13 2021-01-12 세메스 주식회사 Wall liner unit and system for treating substrate with the wall liner unit
CN116259563B (en) * 2022-12-25 2024-01-23 北京屹唐半导体科技股份有限公司 Reaction chamber and wafer etching equipment
CN119920674B (en) * 2025-03-31 2025-06-27 深圳市新凯来工业机器有限公司 Process chamber and semiconductor device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030194510A1 (en) 2002-04-16 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Methods used in fabricating gates in integrated circuit device structures
KR100883948B1 (en) * 2001-06-29 2009-02-18 램 리써치 코포레이션 Configurable Plasma Volume Etch Chamber
US20160160351A1 (en) 2013-03-22 2016-06-09 Charm Engineering Co., Ltd. Liner assembly and substrate processing apparatus having the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100810783B1 (en) 2002-03-26 2008-03-06 동경 엘렉트론 주식회사 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101689015B1 (en) * 2011-01-06 2016-12-26 주식회사 원익아이피에스 Liner assembly and wafer treatment equipment having the same
KR101966800B1 (en) * 2012-06-08 2019-08-13 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate
KR102189151B1 (en) * 2013-12-27 2020-12-09 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100883948B1 (en) * 2001-06-29 2009-02-18 램 리써치 코포레이션 Configurable Plasma Volume Etch Chamber
US20030194510A1 (en) 2002-04-16 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Methods used in fabricating gates in integrated circuit device structures
US20160160351A1 (en) 2013-03-22 2016-06-09 Charm Engineering Co., Ltd. Liner assembly and substrate processing apparatus having the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11776858B2 (en) 2019-06-21 2023-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma apparatus and methods of manufacturing semiconductor device using the same
KR20230100832A (en) * 2021-12-28 2023-07-06 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate
KR102712810B1 (en) * 2021-12-28 2024-10-07 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180047236A (en) 2018-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101909478B1 (en) Apparatus for treating substrate
US9597704B2 (en) Plasma boundary limiter unit and apparatus for treating substrate
KR102189151B1 (en) Apparatus for treating substrate
CN118073190A (en) Plasma processing apparatus
KR102092150B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101974422B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20170024215A (en) Unit for supporting substrate, Apparatus for treating substrate, and Method for treating substrate
KR20150019596A (en) Supporting unit and apparatus and method for treating substrate comprising the same
KR102117354B1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR101966800B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
JP7275087B2 (en) Substrate processing apparatus and method
KR20130125528A (en) Apparatus for treating substrate
KR20170039461A (en) Apparatus for treating substrate and Method for teaching robot
KR102284470B1 (en) Apparatus for treating substrate, method for detecting lift pin alignment and method for detecting whether electrostatic force is applied
US12211675B2 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating a substrate
KR102675611B1 (en) Apparatus for treating substrate and method for processing a substrate
KR102278083B1 (en) Unit for supporting substrate and Apparatus for treating substrate with the unit
KR102593139B1 (en) Support unit, apparatus for treating substrate with the same and method for processing a substrate with the same
KR102818285B1 (en) Substrate supporting unit, apparatus for processing substrate including the same, and ring transfer method
KR102239116B1 (en) Apparatus for processing substrate
KR102222460B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20230032622A (en) Apparatus for treating substrate and method for aligning dielectric plate using the same
KR101909484B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101951373B1 (en) Apparatus for treatinf substrate and Exhausting method
KR102805826B1 (en) Substrate supporting unit, apparatus for processing substrate including the same, and ring transfer method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

AMND Amendment
E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

St.27 status event code: N-2-6-B10-B15-exm-PE0601

AMND Amendment
E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PX0901 Re-examination

St.27 status event code: A-2-3-E10-E12-rex-PX0901

PX0701 Decision of registration after re-examination

St.27 status event code: A-3-4-F10-F13-rex-PX0701

X701 Decision to grant (after re-examination)
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8