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KR101912286B1 - Capacitor Component - Google Patents

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KR101912286B1
KR101912286B1 KR1020170038371A KR20170038371A KR101912286B1 KR 101912286 B1 KR101912286 B1 KR 101912286B1 KR 1020170038371 A KR1020170038371 A KR 1020170038371A KR 20170038371 A KR20170038371 A KR 20170038371A KR 101912286 B1 KR101912286 B1 KR 101912286B1
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electrode
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capacitor
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이영일
문병철
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삼성전기 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시 형태는 기판과, 상기 기판 상면의 일 영역에 배치되며 다공성 구조를 갖는 바디 및 상기 바디의 다공성 구조에 순차적으로 형성된 제1 전극, 유전체층 및 제2 전극을 포함하는 커패시터부를 포함하며, 상기 제1 및 제2 전극은 상기 기판 상면의 타 영역으로 연장된 형태인 커패시터 부품을 제공한다.An embodiment of the present invention includes a substrate, a capacitor disposed in one region of the substrate and having a porous structure, and a capacitor including a first electrode, a dielectric layer, and a second electrode sequentially formed on the porous structure of the body, And the first and second electrodes extend in other regions of the upper surface of the substrate.

Description

커패시터 부품 {Capacitor Component}Capacitor Components {Capacitor Component}

본 발명은 커패시터 부품에 관한 것이다.
The present invention relates to capacitor components.

커패시터는 액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display) 및 플라즈마 표시 장치 패널(PDP: Plasma Display Panel) 등의 영상 기기, 컴퓨터, 스마트폰 및 휴대폰 등 여러 전자 제품의 인쇄회로기판에 장착되어 전기를 충전시키거나 또는 방전시키는 역할을 한다. 최근 들어 스마트폰, 웨어러블 장비 등의 휴대용 IT 제품의 박형화가 진행되고 있으며, 이로 인해 전체적인 패키지의 두께 감소를 위한 수동 소자의 박형화의 필요성도 증대되고 있다.
The capacitor is mounted on a printed circuit board of various electronic products such as a liquid crystal display (LCD) and a plasma display panel (PDP), a computer, a smart phone and a mobile phone, Or discharging the battery. In recent years, portable IT products such as smart phones and wearable devices have been thinned, and the need for thinner passive devices for reducing overall package thickness is also increasing.

이러한 경향에 따라 더 얇은 두께를 구현할 수 있는 박막 커패시터의 수요도 증가하고 있으며, 박막 커패시터는 박막 (Thin Film) 기술을 사용하여 박형의 커패시터를 구현할 수 있다는 장점이 있다. 또한, 박막 커패시터는 종래의 적층 세라믹 커패시터와 달리 낮은 ESL을 가진다는 장점이 있어서, 최근 AP (Applicaion Processor)용 디커플링 커패시터 (Decoupling Capacitor)로의 적용이 검토되고 있다. 이러한 AP (Application Processor)용 디커플링 커패시터 (Decoupling Capacitor)로 박막 커패시터를 사용하기 위해서 LSC (Land-side Capacitor) 형태로 제작되고 있다.
According to this tendency, there is an increasing demand for a thin film capacitor capable of realizing a thinner thickness, and a thin film capacitor can realize a thin capacitor by using a thin film technology. In addition, thin film capacitors have advantages of low ESL unlike conventional multilayer ceramic capacitors, and their application to decoupling capacitors for AP (Applicaion Processor) has been studied recently. Decoupling capacitors for AP (Application Processor) are fabricated in the form of Land-side Capacitors (LSC) to use thin film capacitors.

한편, 한정된 공간에서 커패시터의 용량을 증가시키기 위하여 트렌치(trench) 타입의 커패시터가 개발되었으며, 이는 실리콘 기판에 트렌치를 형성한 후 커패시터 구조를 형성하는 방식이다. 이러한 트렌치 커패시터의 경우, 전극의 표면적을 증가시켜 용량을 증가시키기에 적합하지만 복잡한 반도체 공정 기술이 요구될 뿐만 아니라, 내전압 조건을 충족하는 유전체 두께를 고려하면 트렌치 내에 다수의 유전체를 형성하기 어려운 문제가 있어 초고용량을 구현하기도 쉽지 않은 실정이다.
Meanwhile, a trench-type capacitor has been developed to increase the capacity of a capacitor in a limited space, which is a method of forming a capacitor structure after forming a trench in a silicon substrate. Such a trench capacitor is suitable for increasing the capacitance by increasing the surface area of the electrode. However, not only is a complicated semiconductor process technology required, but also considering the dielectric thickness satisfying the withstand voltage condition, it is difficult to form a large number of dielectrics in the trench It is not easy to implement ultra high capacity.

본 발명의 목적 중 하나는 트렌치 타입 커패시터 대비 더욱 증가된 표면적의 기판을 활용하여 초고용량을 구현할 수 있으며, 나아가 반도체 공정을 이용하지 않고도 효율적으로 제조될 수 있는 커패시터 부품을 제공하는 것이다.
One of the objects of the present invention is to provide a capacitor component which can realize an ultra-high capacitance by utilizing a substrate having an increased surface area as compared with a trench type capacitor and can be manufactured efficiently without using a semiconductor process.

상술한 과제를 해결하기 위한 방법으로, 본 발명은 일 실시 형태를 통하여 신규한 커패시터 부품을 제안하고자 하며, 구체적으로, 기판과, 상기 기판 상면의 일 영역에 배치되며 다공성 구조를 갖는 바디 및 상기 바디의 다공성 구조에 순차적으로 형성된 제1 전극, 유전체층 및 제2 전극을 포함하는 커패시터부를 포함하며, 상기 제1 및 제2 전극은 상기 기판 상면의 타 영역으로 연장된 형태이다.
In order to solve the above problems, the present invention proposes a novel capacitor component through an embodiment. Specifically, the present invention provides a capacitor component comprising a substrate, a body disposed in one region of the substrate and having a porous structure, And a capacitor portion including a first electrode, a dielectric layer, and a second electrode sequentially formed on the porous structure of the substrate, wherein the first and second electrodes are extended to other regions of the upper surface of the substrate.

일 실시 예에서, 상기 제1 전극은 상기 바디의 표면에 코팅된 형태일 수 있다.In one embodiment, the first electrode may be coated on the surface of the body.

일 실시 예에서, 상기 유전체층은 상기 제1 전극의 표면에 코팅된 형태일 수 있다.In one embodiment, the dielectric layer may be coated on the surface of the first electrode.

일 실시 예에서, 상기 제2 전극은 상기 유전체층의 표면에 코팅된 형태일 수 있다.In one embodiment, the second electrode may be coated on the surface of the dielectric layer.

일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 전극에서 상기 기판 상면의 타 영역으로 연장된 부분은 각각 제1 및 제2 단자 전극을 형성할 수 있다.In one embodiment, the portions extending from the first and second electrodes to the other regions of the upper surface of the substrate may form first and second terminal electrodes, respectively.

일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 단자 전극 상에 각각 배치된 제1 및 제2 도금 전극을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the plasma display apparatus may further include first and second plating electrodes respectively disposed on the first and second terminal electrodes.

일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 도금 전극은 상기 바디보다 높게 형성될 수 있다.In one embodiment, the first and second plating electrodes may be formed higher than the body.

일 실시 예에서, 상기 기판과 상기 바디는 세라믹으로 이루어질 수 있다.In one embodiment, the substrate and the body may be made of ceramic.

일 실시 예에서, 상기 바디는 다수의 입자가 응집된 형상을 가질 수 있다.In one embodiment, the body may have an aggregated shape of a plurality of particles.

일 실시 예에서, 상기 기판은 상기 바디를 둘러싸는 격벽부를 가질 수 있다.In one embodiment, the substrate may have a partition wall surrounding the body.

일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 전극은 상기 격벽부의 내측면으로부터 상면으로 연장된 형태일 수 있다.In one embodiment, the first and second electrodes may be formed to extend from the inner side surface of the partition wall portion to the upper surface.

일 실시 예에서, 상기 제1 및 제2 단자 전극 상에 각각 배치된 제1 및 제2 도금 전극을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the plasma display apparatus may further include first and second plating electrodes respectively disposed on the first and second terminal electrodes.

일 실시 예에서, 상기 격벽부는 상기 바디보다 높게 형성될 수 있다.In one embodiment, the partition wall portion may be formed higher than the body.

일 실시 예에서, 상기 바디 및 커패시터부를 커버하는 절연성 보호층을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the insulating layer may further include an insulating protective layer covering the body and the capacitor portion.

일 실시 예에서, 상기 바디는 세라믹을 주성분으로 하되 폴리머 성분을 일부 포함할 수 있다.In one embodiment, the body may be ceramic-based, but may include a polymer component.

일 실시 예에서, 상기 커패시터부는 상기 유전체층을 복수 개 포함하며, 상기 제1 및 제2 전극 중 적어도 하나를 2개 이상 포함할 수 있다.
In one embodiment, the capacitor portion includes a plurality of dielectric layers, and may include at least two of the first and second electrodes.

본 발명의 여러 효과 중 일 효과로서, 트렌치 타입 커패시터 대비 더욱 증가된 표면적의 기판을 활용하여 초고용량을 갖는 커패시터 부품을 구현할 수 있다. 또한, 이러한 커패시터 부품은 반도체 공정을 이용하지 않고도 효율적으로 제조될 수 있다.
As one of the various effects of the present invention, it is possible to realize a capacitor part having a very high capacitance by utilizing a substrate having an increased surface area as compared with a trench type capacitor. Further, such a capacitor component can be efficiently manufactured without using a semiconductor process.

다만, 본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
It should be understood, however, that the various and advantageous advantages and effects of the present invention are not limited to those described above, and may be more readily understood in the course of describing a specific embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 커패시터 부품을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 커패시터 부품에서 기판과 바디의 형태를 나타낸 상부 평면도이다.
도 3 내지 6은 변형된 예에 따른 커패시터 부품을 나타낸다.
도 7 내지 11은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 커패시터 부품의 제조 공정을 나타낸 것이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a capacitor component according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a top plan view of the substrate and body in the capacitor component of Figure 1;
Figs. 3 to 6 show a capacitor part according to a modified example.
Figures 7 to 11 illustrate a process for manufacturing a capacitor component according to an embodiment of the present invention.

이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 통상의 기술자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to specific embodiments and the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Further, the embodiments of the present invention are provided for a more complete description of the present invention to the ordinary artisan. Accordingly, the shapes and sizes of the elements in the drawings may be exaggerated for clarity of description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다. 나아가, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
It is to be understood that, although the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Will be described using the symbols. Further, throughout the specification, when an element is referred to as "including" an element, it means that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 커패시터 부품을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 2는 도 1의 커패시터 부품에서 기판과 바디의 형태를 나타낸 상부 평면도이다.
1 is a cross-sectional view schematically showing a capacitor component according to an embodiment of the present invention. Figure 2 is a top plan view of the substrate and body in the capacitor component of Figure 1;

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 커패시터 부품(100)은 기판(101), 다공성 구조를 갖는 바디(102), 다공성 구조에 형성된 커패시터부(110)를 포함하며, 커패시터부(110)의 제1 및 제2 전극(111, 113)은 바디가 배치되지 아니한 영역으로 연장되어 제1 및 제2 단자 전극(121, 122)을 각각 형성하는 형태이다.
1 and 2, a capacitor component 100 according to an embodiment of the present invention includes a substrate 101, a body 102 having a porous structure, and a capacitor portion 110 formed in a porous structure, The first and second electrodes 111 and 113 of the capacitor unit 110 extend to the region where the body is not disposed to form the first and second terminal electrodes 121 and 122, respectively.

기판(101)은 바디(102), 커패시터부(110), 제1 및 제2 전극(111, 113) 등의 지지 영역으로서 이러한 지지 기능을 수행할 수 있는 물질로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 기판(101)은 세라믹, 폴리머, 금속 등으로 이루어질 수 있으며, 여기서 금속으로 기판(101)을 형성하는 경우에는 상면에 추가적인 절연층이 필요할 수 있을 것이다. 기판(101)을 세라믹으로 형성하는 경우 상부의 바디(102)와 동일한 물질로 형성하여 이종 물질의 물성 불일치에 따른 영향을 없애면서 공정 효율성이 확보될 수 있다. 기판(101)의 용도로 적합한 세라믹 물질은 예컨대, 알루미나(Alumina)를 들 수 있으며, 제조 시 판상의 알루미나 기판을 활용하거나 캐리어 필름에 알루미나 그린 시트를 형성하는 방법 등을 이용할 수 있다. 이 경우, 기판(101)은 알루미나 외에도 다른 세라믹 물질, 예컨대, BaTiO3(티탄산바륨)계나 티탄산스트론튬(SrTiO3)계 물질로 형성될 수도 있다.
The substrate 101 may be made of a material capable of performing such a supporting function as a supporting region of the body 102, the capacitor portion 110, the first and second electrodes 111 and 113, and the like. As an example, the substrate 101 may be made of ceramic, polymer, metal, or the like. In this case, when the substrate 101 is formed of metal, an additional insulating layer may be required on the upper surface. When the substrate 101 is formed of ceramic, it may be formed of the same material as that of the upper body 102, so that the process efficiency can be ensured while eliminating the effect of physical property inconsistency of the heterogeneous material. The ceramic material suitable for the use of the substrate 101 is, for example, alumina, and a method of utilizing a plate-shaped alumina substrate or forming an alumina green sheet on a carrier film can be used. In this case, the substrate 101 may be formed of a ceramic material other than alumina, for example, a BaTiO 3 (barium titanate) -based or strontium titanate (SrTiO 3 ) -based material.

바디(102)는 기판(101) 상면의 일 영역에 배치되며 다공성 구조를 갖는다. 이러한 다공성 구조에 의하여 바디(102)의 표면적이 증가할 수 있으므로 이에 커패시터부(110)를 형성함으로써 높은 용량의 커패시터 부품(100)을 구현할 수 있다. 또한, 트렌치 타입 커패시터 대비 제조 공정은 간단하면서도 고 용량의 구현이 가능하다. 일 예로서, 바디(102)는 기판(101)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 예컨대, 알루미나와 같은 세라믹으로 이루어질 수 있다. 도 2에 도시된 형태와 같이, 바디(102)는 다수의 입자가 응집된 형상을 가질 수 있으며, 이러한 형상에 의하여 효과적으로 다공성 구조가 구현될 수 있다. 이러한 응집체 형상은 세라믹 입자를 소결하되 완전 치밀화가 일어나지 않도록 소결 온도 등의 조건을 조절하여 얻어질 수 있다.
The body 102 is disposed in one region of the upper surface of the substrate 101 and has a porous structure. Since the surface area of the body 102 may increase due to the porous structure, the capacitor part 110 may be formed to realize the capacitor part 100 having a high capacity. In addition, the fabrication process compared to the trench type capacitor is simple and can be implemented with a high capacity. As an example, the body 102 may be made of the same material as the substrate 101, and may be made of, for example, ceramics such as alumina. As shown in FIG. 2, the body 102 may have a shape in which a plurality of particles are agglomerated, and the porous structure can be effectively realized by this shape. Such an aggregate shape can be obtained by controlling conditions such as sintering temperature so that ceramic particles are sintered and complete densification does not occur.

커패시터부(110)는 제1 및 제2 전극(111, 113)과 이들 사이에 배치된 유전체층(112)을 포함한다. 구체적으로, 도 1에 도시된 형태와 같이, 제1 전극(111)은 바디(102)의 표면에 코팅된 형태이고, 유전체층(112)은 제1 전극(111)의 표면에 코팅된 형태이며, 제2 전극(113)은 유전체층(112)의 표면에 코팅된 형태일 수 있다. 이 경우, 다공성 구조의 포어가 미세한 크기를 갖는 점에서 커패시터부(110)를 구성하는 요소들은 원자층 증착(ALD) 방식으로 효과적으로 형성될 수 있다. 다만, 원자층 증착 외에도 다공성 구조의 포어에 코팅 가능한 다른 방법을 사용할 수도 있을 것이다.
The capacitor unit 110 includes first and second electrodes 111 and 113 and a dielectric layer 112 disposed therebetween. 1, the first electrode 111 is coated on the surface of the body 102, the dielectric layer 112 is coated on the surface of the first electrode 111, The second electrode 113 may be coated on the surface of the dielectric layer 112. In this case, since the pores of the porous structure have a minute size, the elements constituting the capacitor portion 110 can be effectively formed by atomic layer deposition (ALD). In addition to atomic layer deposition, other methods that can be applied to the pores of a porous structure may be used.

일 예로서, 제1 및 제2 전극(111, 113)은 Ag, Cu, Pt, Ni 등과 같이 전기 전도성이 우수한 금속을 사용할 수 있다. 또한, 유전체층(112)의 경우, 알루미나(Al2O3), SiO2, Sn3N4, ZrO2, CaTiO3, SrTiO3, (Ba, Sr)TiO3, BaTiO3 등의 물질로 형성될 수 있으며 하나 또는 복수의 물질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 유전체층(112)을 복수의 물질로 형성함으로써 절연 특성을 높일 수 있다.
For example, the first and second electrodes 111 and 113 may be made of a metal having excellent electrical conductivity such as Ag, Cu, Pt, or Ni. The dielectric layer 112 may be formed of a material such as alumina (Al 2 O 3 ), SiO 2 , Sn 3 N 4 , ZrO 2 , CaTiO 3 , SrTiO 3 , (Ba, Sr) TiO 3 , BaTiO 3 , And may be made of one or more materials. In this case, the dielectric layer 112 can be formed of a plurality of materials to increase the insulating property.

도 1에 도시된 형태와 같이, 제1 및 제2 전극(111, 113)에서 기판(101) 상면의 타 영역으로 연장된 부분은 각각 제1 및 제2 단자 전극(121, 122)을 형성하며, 본 실시 형태와 같이, 바디(102)는 기판(101) 상면의 중앙에, 제1 및 제2 단자 전극(121, 122)은 외곽에 배치될 수 있다. 단자 전극(121, 122)을 바디(102)의 주변에 따로 배치하여 둠으로써 다른 소자나, 기판 등과의 전기 연결 구조가 효과적으로 구현될 수 있다. 이러한 전기 연결 구조 중 일부로서, 제1 및 제2 단자 전극(121, 122) 상에는 각각 제1 및 제2 도금 전극(131, 132)이 배치될 수 있다. 제1 및 제2 도금 전극(131, 132)은 하나 이상의 층을 포함할 수 있으며, 예를 들어, Ni, Sn, Au 등의 물질을 포함할 수 있다.
1, the first and second electrodes 111 and 113 extend to the other region of the upper surface of the substrate 101 to form first and second terminal electrodes 121 and 122, respectively The body 102 may be disposed at the center of the upper surface of the substrate 101 and the first and second terminal electrodes 121 and 122 may be disposed at the outer periphery as in the present embodiment. By disposing the terminal electrodes 121 and 122 separately on the periphery of the body 102, an electrical connection structure with other elements, a substrate, and the like can be effectively realized. First and second plating electrodes 131 and 132 may be disposed on the first and second terminal electrodes 121 and 122, respectively, as a part of the electrical connection structure. The first and second plating electrodes 131 and 132 may include one or more layers, and may include materials such as Ni, Sn, and Au.

도 3 내지 6은 변형된 예에 따른 커패시터 부품을 나타낸다. 우선, 도 3의 실시 형태의 경우, 도 1의 실시 형태에서 보호층(103)이 추가된 구조이다. 보호층(103)은 바디(102)와 커패시터부(110)를 커버하여 이들을 보호할 수 있으며, 산화물이나 폴리머 등의 물질을 도포하는 방식 등으로 구현될 수 있다.
Figs. 3 to 6 show a capacitor part according to a modified example. First, in the embodiment of FIG. 3, the protective layer 103 is added in the embodiment of FIG. The protective layer 103 covers the body 102 and the capacitor unit 110 to protect the body 102 and the capacitor unit 110, and may be realized by a method of applying a material such as an oxide or a polymer.

다음으로, 도 4의 변형 예의 경우, 제1 및 제2 도금 전극(131`, 132`)의 형상 면에서 앞선 실시 형태와 차이가 있다. 구체적으로, 제1 및 제2 도금 전극(131`, 132`)은 바디(102)보다 높게 형성된 형태이다. 제1 및 제2 도금 전극(131`, 132`)의 두께를 늘려 바디(102)보다 높게 형성되어 기판 등에 마운트(mount)되기에 적합한 구조를 제공한다. 또한, 상대적으로 높게 형성된 제1 및 제2 도금 전극(131`, 132`)에 의하여 구조적으로 취약할 수 있는 바디(102)가 보호될 수 있다.
Next, in the modification of FIG. 4, the shape of the first and second plating electrodes 131 'and 132' is different from that of the previous embodiment. Specifically, the first and second plating electrodes 131 'and 132' are formed higher than the body 102. The thickness of the first and second plating electrodes 131 'and 132' is increased to be higher than that of the body 102 to provide a structure suitable for mounting on a substrate or the like. Also, the body 102, which may be structurally fragile, can be protected by the relatively high first and second plating electrodes 131 'and 132'.

다음으로, 도 5의 실시 형태의 경우, 기판(101`)은 바디(102)를 둘러싸는 격벽부(106)를 갖는 구조이다. 제1 및 제2 전극(111, 113)은 격벽부(106)의 내측면으로부터 상면으로 연장된 형태이며, 제1 및 제2 단자 전극(121, 122)은 격벽부(106)의 상면에 형성된다. 그리고 제1 및 제2 도금 전극(131, 132)은 제1 및 제2 단자 전극(121, 122) 상에 각각 배치된다. 격벽부(106)는 기판(101)과 동일한 물질, 예컨대, 알루미나 등의 세라믹으로 이루어질 수 있으며, 다만, 실시 형태에 따라 다른 물질이 사용될 수 있을 것이다. 격벽부(106)를 채용함으로써 구조적으로 취약할 수 있는 바디(102)를 효과적으로 보호할 수 있다. 이 경우, 도 5에 도시된 형태와 같이 보호 기능을 충실히 수행하기 위하여 격벽부(106)를 바디(102)보다 높게 형성할 수 있다. 이러한 격벽부(106)는 바디(102)를 형성하기 전이나 후에 기판(101) 상에 세라믹 페이스트를 도포하는 방식, 기판(101)의 상면에서 중앙부 중 일부를 제거하는 방식 등으로 형성될 수 있을 것이다.
Next, in the case of the embodiment of FIG. 5, the substrate 101 'is a structure having a partition wall portion 106 surrounding the body 102. The first and second electrodes 111 and 113 extend from the inner surface of the barrier rib portion 106 to the upper surface and the first and second terminal electrodes 121 and 122 are formed on the upper surface of the barrier rib portion 106 do. The first and second plating electrodes 131 and 132 are disposed on the first and second terminal electrodes 121 and 122, respectively. The partition wall portion 106 may be made of the same material as the substrate 101, for example, ceramic such as alumina, but other materials may be used according to the embodiment. By adopting the partition wall portion 106, the body 102, which may be structurally weak, can be effectively protected. In this case, as shown in FIG. 5, the partition wall portion 106 may be formed higher than the body 102 in order to faithfully perform the protective function. The partition wall 106 may be formed by a method of applying a ceramic paste on the substrate 101 before or after the body 102 is formed, a method of removing a part of the center portion from the upper surface of the substrate 101 will be.

한편, 앞선 실시 형태에서는 커패시터부(110)에 제1 및 제2 전극(111, 113)과 유전체층(112)이 각각 1개씩 존재하는 구조를 나타내고 있지만, 도 6의 실시 형태와 같이 커패시터부(110)는 다수의 전극(111, 113)과 유전체층(112)을 포함할 수 있다. 도 6의 변형 예는 제1 전극(111)이 2개, 제2 전극(113)이 1개, 유전체층(112)이 2개인 구조에 해당하며, 용량 조절 등의 목적으로 필요 시 전극(111, 113)과 유전체층(112)의 개수는 더 늘어날 수 있을 것이다. 바디(102)의 다공성 구조에 더하여 전극(111, 113)의 개수가 늘어남으로써 커패시터 부품(100)의 용량을 더욱 증가시킬 수 있다.
In the above embodiment, the first and second electrodes 111 and 113 and the dielectric layer 112 are respectively provided in the capacitor unit 110. However, the capacitor unit 110 May include a plurality of electrodes 111 and 113 and a dielectric layer 112. 6 corresponds to a structure in which two first electrodes 111, one second electrode 113, and two dielectric layers 112 are formed. For the purpose of capacity adjustment, the electrodes 111, 113 and the number of dielectric layers 112 may increase. The number of the electrodes 111 and 113 is increased in addition to the porous structure of the body 102, so that the capacity of the capacitor component 100 can be further increased.

이하, 상술한 구조를 갖는 커패시터 부품을 제조할 수 있는 공정의 일 예를 설명한다. 커패시터 부품의 구조적 특징들은 후술할 제조 공정의 설명으로부터 더욱 명확히 이해될 수 있을 것이다.
Hereinafter, an example of a process capable of manufacturing a capacitor component having the above structure will be described. The structural features of the capacitor component may be more clearly understood from the description of the manufacturing process described below.

우선, 도 7에 도시된 형태와 같이, 기판(101) 상에 다수의 입자(104)를 형성한다. 다수의 입자(104)는 소결에 의하여 치밀화가 일어나서 다공성 구조를 형성할 수 있는 물질, 예컨대, 세라믹 소재일 수 있으며, 필요 시 소결을 촉진하는 글래스 프릿 등의 성분을 포함할 수 있다. 다수의 입자(104)는 기판(101)에 도포, 인쇄될 수 있으며 필요한 경우 이를 반복하여 두께를 조절할 수 있다.
First, as shown in FIG. 7, a plurality of particles 104 are formed on a substrate 101. The plurality of particles 104 may be a material that can be densified by sintering to form a porous structure, such as a ceramic material, and may include components such as glass frit that facilitate sintering, if desired. The plurality of particles 104 can be applied to the substrate 101, printed and, if necessary, can be repeatedly adjusted in thickness.

이어서, 다수의 입자(104)를 소결하여 치밀화가 일어나도록 하며, 기판(101)도 함께 소결될 수 있다. 도 8은 소결에 의하여 다수의 입자(104)가 서로 응집체를 형성하여 바디(102)가 형성된 모습을 나타내며, 바디(102)는 입자들(104)의 응집에 의해 다공성 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 상술한 바와 같이, 입자들(104)이 완전히 치밀화되는 것은 다공성 구조 형성 측면에서 바람직하지 않을 수 있기 때문에 완전 치밀화가 일어나지 않도록 소결 온도, 소결 시간 등의 조건을 조절할 수 있을 것이며, 예컨대, 종래 완전 치밀화된 세라믹층을 소결하는 경우보다 소결 온도를 낮추고 소결 시간을 줄이는 방법을 사용할 수 있다.
Subsequently, a plurality of particles 104 are sintered to cause densification, and the substrate 101 can also be sintered together. 8 shows a state where a plurality of particles 104 are aggregated with each other by sintering to form a body 102. The body 102 may have a porous structure by agglomeration of the particles 104. FIG. In this case, as described above, since the particles 104 are completely densified in terms of forming a porous structure, conditions such as sintering temperature and sintering time may be controlled so that complete densification does not occur. For example, A method of lowering the sintering temperature and reducing the sintering time can be used as compared with the conventional case of sintering the completely densified ceramic layer.

앞서 설명한 공정은 바디(102)의 다공성 구조가 더욱 많은 포어와 확대된 표면을 갖기 위하여 일부 변형될 수 있다. 도 9 및 도 10을 참조하여, 이를 설명하면, 변형된 예의 공정에서는 다수의 입자들(104) 사이에 폴리머 비드(105)가 배치되어 있다. 이러한 폴리머 비드(105)는 주로 아크릴계 성분으로 이루어질 수 있는데 세라믹 입자(104)와 혼합하여 페이스트 형태로 도포한 형태가 도 9에 해당한다. 이렇게 도포된 상태에서 소결 시 도 10에 도시된 형태와 같이, 폴리머 비드(105)가 점유하던 공간은 기공으로 남게 되어 바디(102)는 더욱 많은 포어와 확대된 표면을 가질 수 있으며, 이로부터 제조된 커패시터부는 더욱 높은 정전 용량을 가질 수 있다. 이 경우, 소결 시 모든 폴리머 비드(105)가 항상 제거되는 것은 아니라 할 것이며, 소결 후에도 일부 폴리머 성분은 바디(102)에 잔존할 수 있을 것이다.
The process described above may be partially modified to have more pores and an enlarged surface of the porous structure of the body 102. Referring to FIGS. 9 and 10, in the process of the modified example, the polymer beads 105 are disposed between the plurality of particles 104. Such a polymer bead 105 may be mainly composed of an acrylic component, and the polymer bead 105 is mixed with the ceramic particles 104 and applied in the form of a paste. 10, the space occupied by the polymer beads 105 remains as pores so that the body 102 can have more pores and enlarged surfaces, and from this, The capacitor portion can have a higher capacitance. In this case, not all polymer beads 105 will always be removed during sintering, and some polymeric components may remain in the body 102 after sintering.

상기 소결 공정에 의하여 다공성의 바디(102)를 형성한 후에는 도 11에 도시된 형태와 같이 제1 전극(111)을 바디(102)의 표면에 형성한다. 제1 전극(111)은 증착법, 액상법 등 다양한 공정을 이용하여 형성될 수 있을 것이지만, 다공성 구조의 포어가 미세한 것을 고려하였을 때 원자층 증착을 사용할 경우 효과적으로 형성될 수 있다. 이후, 유전체층(112)과 제2 전극(113) 역시 원자층 증착 등의 방법으로 제1 전극(111) 상에 형성하여 도 1에 도시된 형태의 커패시터 부품(100)을 구현할 수 있다.
After the porous body 102 is formed by the sintering process, the first electrode 111 is formed on the surface of the body 102 as shown in FIG. The first electrode 111 may be formed using various processes such as a vapor deposition method and a liquid phase method. However, when the pores of the porous structure are considered to be fine, the first electrode 111 can be effectively formed by using atomic layer deposition. Then, the dielectric layer 112 and the second electrode 113 may be formed on the first electrode 111 by atomic layer deposition or the like to realize the capacitor component 100 of the type shown in FIG.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
The present invention is not limited by the above-described embodiments and the accompanying drawings, but is intended to be limited only by the appended claims. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. something to do.

100: 커패시터 부품
101: 기판
102: 바디
103: 절연성 보호층
104: 입자
105: 폴리머 비드
106: 격벽부
110: 커패시터부
111, 113: 전극
112: 유전체층
121, 122: 단자 전극
131, 132: 도금 전극100: Capacitor parts
101: substrate
102: Body
103: Insulating protective layer
104: particles
105: polymer bead
106: partition wall portion
110:
111, 113: electrode
112: dielectric layer
121, 122: terminal electrode
131, 132: Plating electrode

Claims (16)

기판;
상기 기판 상면의 일 영역에 배치되며 다공성 구조를 갖는 바디; 및
상기 바디의 다공성 구조에 순차적으로 형성된 제1 전극, 유전체층 및 제2 전극을 포함하는 커패시터부;를 포함하며,
상기 제1 및 제2 전극은 상기 기판 상면의 타 영역으로 연장된 형태이고,
상기 제1 및 제2 전극에서 상기 기판 상면의 타 영역으로 연장된 부분은 각각 제1 및 제2 단자 전극을 형성하는 커패시터 부품.
Board;
A body disposed in a region of the upper surface of the substrate and having a porous structure; And
And a capacitor portion including a first electrode, a dielectric layer, and a second electrode sequentially formed on the porous structure of the body,
Wherein the first and second electrodes extend in the other regions of the upper surface of the substrate,
And portions of the first and second electrodes extending to other regions of the upper surface of the substrate form first and second terminal electrodes, respectively.
제1항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 바디의 표면에 코팅된 형태인 커패시터 부품.
The method according to claim 1,
Wherein the first electrode is coated on the surface of the body.
제2항에 있어서,
상기 유전체층은 상기 제1 전극의 표면에 코팅된 형태인 커패시터 부품.
3. The method of claim 2,
Wherein the dielectric layer is coated on the surface of the first electrode.
제3항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 유전체층의 표면에 코팅된 형태인 커패시터 부품.
The method of claim 3,
And the second electrode is coated on the surface of the dielectric layer.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 단자 전극 상에 각각 배치된 제1 및 제2 도금 전극을 더 포함하는 커패시터 부품.
The method according to claim 1,
Further comprising first and second plating electrodes disposed on the first and second terminal electrodes, respectively.
제6항에 있어서,
상기 제1 및 제2 도금 전극은 상기 바디보다 높게 형성된 커패시터 부품.
The method according to claim 6,
Wherein the first and second plating electrodes are formed higher than the body.
기판;
상기 기판 상면의 일 영역에 배치되며 다공성 구조를 갖는 바디; 및
상기 바디의 다공성 구조에 순차적으로 형성된 제1 전극, 유전체층 및 제2 전극을 포함하는 커패시터부;를 포함하며,
상기 제1 및 제2 전극은 상기 기판 상면의 타 영역으로 연장된 형태이고,
상기 기판과 상기 바디는 세라믹으로 이루어진 커패시터 부품.
Board;
A body disposed in a region of the upper surface of the substrate and having a porous structure; And
And a capacitor portion including a first electrode, a dielectric layer, and a second electrode sequentially formed on the porous structure of the body,
Wherein the first and second electrodes extend in the other regions of the upper surface of the substrate,
Wherein the substrate and the body are made of ceramic.
제1항에 있어서,
상기 바디는 다수의 입자가 응집된 형상을 갖는 커패시터 부품.
The method according to claim 1,
Wherein the body has a shape in which a plurality of particles are aggregated.
기판;
상기 기판 상면의 일 영역에 배치되며 다공성 구조를 갖는 바디; 및
상기 바디의 다공성 구조에 순차적으로 형성된 제1 전극, 유전체층 및 제2 전극을 포함하는 커패시터부;를 포함하며,
상기 제1 및 제2 전극은 상기 기판 상면의 타 영역으로 연장된 형태이고,
상기 기판은 상기 바디를 둘러싸는 격벽부를 갖는 커패시터 부품.
Board;
A body disposed in a region of the upper surface of the substrate and having a porous structure; And
And a capacitor portion including a first electrode, a dielectric layer, and a second electrode sequentially formed on the porous structure of the body,
Wherein the first and second electrodes extend in the other regions of the upper surface of the substrate,
Wherein the substrate has a partition wall surrounding the body.
제10항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전극은 상기 격벽부의 내측면으로부터 상면으로 연장된 형태인 커패시터 부품.
11. The method of claim 10,
Wherein the first and second electrodes extend from the inner side surface of the partition wall portion to the upper surface.
제11항에 있어서,
상기 제1 및 제2 단자 전극 상에 각각 배치된 제1 및 제2 도금 전극을 더 포함하는 커패시터 부품.
12. The method of claim 11,
Further comprising first and second plating electrodes disposed on the first and second terminal electrodes, respectively.
제10항에 있어서,
상기 격벽부는 상기 바디보다 높게 형성된 커패시터 부품.
11. The method of claim 10,
And the partition wall portion is formed higher than the body.
기판;
상기 기판 상면의 일 영역에 배치되며 다공성 구조를 갖는 바디; 및
상기 바디의 다공성 구조에 순차적으로 형성된 제1 전극, 유전체층 및 제2 전극을 포함하는 커패시터부;를 포함하며,
상기 제1 및 제2 전극은 상기 기판 상면의 타 영역으로 연장된 형태이고,
상기 바디 및 커패시터부를 커버하는 절연성 보호층을 더 포함하는 커패시터 부품.
Board;
A body disposed in a region of the upper surface of the substrate and having a porous structure; And
And a capacitor portion including a first electrode, a dielectric layer, and a second electrode sequentially formed on the porous structure of the body,
Wherein the first and second electrodes extend in the other regions of the upper surface of the substrate,
And an insulating protective layer covering the body and the capacitor portion.
기판;
상기 기판 상면의 일 영역에 배치되며 다공성 구조를 갖는 바디; 및
상기 바디의 다공성 구조에 순차적으로 형성된 제1 전극, 유전체층 및 제2 전극을 포함하는 커패시터부;를 포함하며,
상기 제1 및 제2 전극은 상기 기판 상면의 타 영역으로 연장된 형태이고,
상기 바디는 세라믹을 주성분으로 하되 폴리머 성분을 일부 포함하는 커패시터 부품.
Board;
A body disposed in a region of the upper surface of the substrate and having a porous structure; And
And a capacitor portion including a first electrode, a dielectric layer, and a second electrode sequentially formed on the porous structure of the body,
Wherein the first and second electrodes extend in the other regions of the upper surface of the substrate,
Wherein the body comprises a ceramic as a main component and a part of a polymer component.
기판;
상기 기판 상면의 일 영역에 배치되며 다공성 구조를 갖는 바디; 및
상기 바디의 다공성 구조에 순차적으로 형성된 제1 전극, 유전체층 및 제2 전극을 포함하는 커패시터부;를 포함하며,
상기 제1 및 제2 전극은 상기 기판 상면의 타 영역으로 연장된 형태이고,
상기 커패시터부는 상기 유전체층을 복수 개 포함하며, 상기 제1 및 제2 전극 중 적어도 하나를 2개 이상 포함하는 커패시터 부품.Board;
A body disposed in a region of the upper surface of the substrate and having a porous structure; And
And a capacitor portion including a first electrode, a dielectric layer, and a second electrode sequentially formed on the porous structure of the body,
Wherein the first and second electrodes extend in the other regions of the upper surface of the substrate,
Wherein the capacitor portion includes a plurality of the dielectric layers, and at least two of the first and second electrodes are included.
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