KR101983779B1

KR101983779B1 - A light emitting device package

Info

Publication number: KR101983779B1
Application number: KR1020130001912A
Authority: KR
Inventors: 오성주; 김광호
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2013-01-08
Filing date: 2013-01-08
Publication date: 2019-05-29
Anticipated expiration: 2033-01-08
Also published as: KR20140089896A

Abstract

실시 예는 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임, 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임과 전기적으로 연결되는 발광 소자, 및 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임 상에 배치되고, 바닥부 및 상기 발광 소자 주위에 위치하는 측벽부를 포함하는 패키지 몸체를 포함하고, 상기 바닥부는 표면에 형성되는 돌출 패턴을 가지며, 상기 돌출 패턴은 복수의 돌출 라인들을 포함하고, 복수의 돌출 라인들 각각은 적어도 하나의 돌기를 갖는다.An embodiment includes a first lead frame and a second lead frame, a light emitting element electrically connected to the first lead frame and the second lead frame, and a light emitting element disposed on the first lead frame and the second lead frame, And a sidewall portion located around the light emitting element, wherein the bottom portion has a protruding pattern formed on the surface, the protruding pattern includes a plurality of protruding lines, each of the plurality of protruding lines And has at least one projection.

Description

[0001] A LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)나 레이저 다이오드(Laser Diode:LD)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.BACKGROUND ART Light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LD) using semiconducting Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductor materials have been developed with thin film growth technology and device materials, Green, blue, and ultraviolet rays. By using fluorescent materials or combining colors, it is possible to realize white light rays with high efficiency. Also, compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps, low power consumption, It has the advantages of response speed, safety, and environmental friendliness.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL:Cold Cathode Fluorescenece Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

조명 장치나 표시 장치에는 발광 소자 패키지가 널리 사용되고 있다. 발광 소자 패키지는 일반적으로 몸체, 몸체 내에 위치하는 리드 프레임들, 및 리드 프레임들 중 어느 하나에 위치하는 발광 소자(예컨대, LED)를 포함할 수 있다.A light emitting device package is widely used for a lighting device and a display device. The light emitting device package may generally include a body, a lead frame positioned within the body, and a light emitting device (e.g., LED) located in one of the lead frames.

실시 예는 지향각에 따른 색 편차를 감소시킬 수 있고, 엘로우 링 발생을 억제할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of reducing a color deviation according to a directivity angle and suppressing occurrence of yellowing.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임; 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임과 전기적으로 연결되는 발광 소자; 및 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임 상에 배치되고, 바닥부 및 상기 발광 소자 주위에 위치하는 측벽부를 포함하는 패키지 몸체를 포함하고, 상기 바닥부는 표면에 형성되는 돌출 패턴을 가지며, 상기 돌출 패턴은 복수의 돌출 라인들을 포함하고, 복수의 돌출 라인들 각각은 적어도 하나의 돌기를 갖는다.A light emitting device package according to an embodiment includes a first lead frame and a second lead frame; A light emitting element electrically connected to the first lead frame and the second lead frame; And a package body disposed on the first lead frame and the second lead frame and including a bottom portion and a side wall portion positioned around the light emitting element, the bottom portion having a protruding pattern formed on the surface, The protruding pattern includes a plurality of protruding lines, and each of the plurality of protruding lines has at least one protrusion.

상기 돌출 패턴은 제1 돌출 라인들과 제2 돌출 라인들을 포함할 수 있으며, 상기 제1 돌출 라인들 각각은 서로 이격하고, 상기 제2 돌출 라인들 각각은 서로 이격할 수 있다.The protruding pattern may include first protruding lines and second protruding lines, wherein each of the first protruding lines is spaced from each other, and each of the second protruding lines may be spaced apart from each other.

상기 제1 돌출 라인들과 상기 제2 돌출 라인들은 서로 직교할 수 있다.The first protruding lines and the second protruding lines may be orthogonal to each other.

상기 돌출 패턴은 동일선상에 배치되고, 이격하는 복수의 돌출 라인들을 포함할 수 있다.The protruding patterns may be arranged on the same line and may include a plurality of protruding lines spaced apart.

상기 복수의 돌출 라인들 중 서로 접하는 2개의 돌출 라인들이 이루는 각도는 직각 또는 예각일 수 있다.The angle formed by two protruding lines contacting with each other among the plurality of protruding lines may be a right angle or an acute angle.

상기 돌출 패턴은 상기 발광 소자의 주위를 둘러싸도록 배치되는 서로 이격하는 복수의 돌출 링들을 포함할 수 있다.The protruding pattern may include a plurality of spaced apart protruding rings arranged to surround the periphery of the light emitting element.

상기 적어도 하나의 돌기는 서로 인접하는 반구형의 돌기들일 수 있다.The at least one protrusion may be hemispherical protrusions adjacent to each other.

상기 적어도 하나의 돌기는 서로 이격하는 반구형의 돌기들일 수 있다.The at least one protrusion may be hemispherical protrusions spaced apart from each other.

상기 적어도 하나의 돌기는 라인 형태의 하나의 돌기일 수 있다.The at least one projection may be a projection in the form of a line.

상기 제1 및 제2 리드 프레임들 각각은 상부면의 제1 영역에 제1 홈을 가지며, 상기 바닥부는 상기 제1 홈 내에 배치될 수 있다.Each of the first and second lead frames has a first groove in a first region of the upper surface, and the bottom portion may be disposed in the first groove.

상기 제1 및 제2 리드 프레임들 각각은 상부면의 제2 영역에 제2 홈을 가지며, 상기 측벽부는 하면에 상기 제2 홈에 삽입되는 돌기를 가질 수 있다.Each of the first and second lead frames has a second groove in the second region of the upper surface, and the side wall portion may have a protrusion inserted into the second groove on the lower surface.

상기 제1 및 제2 리드 프레임들 각각은 상기 바닥부로부터 노출되는 일 부분을 가지며, 상기 발광 소자는 상기 제1 및 제2 리드 프레임들 각각의 노출되는 상기 일부분에 본딩될 수 있다.Each of the first and second lead frames has a portion exposed from the bottom portion and the light emitting element can be bonded to the exposed portion of each of the first and second lead frames.

실시 예는 지향각에 따른 색 편차를 감소시킬 수 있고, 엘로우 링 발생을 억제할 수 있다.The embodiment can reduce the color deviation according to the directing angle and can suppress the occurrence of yellowing.

도 1은 제1 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 3은 도 2에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 제1 및 제2 리드 프레임들을 나타낸다.
도 5는 도 1에 도시된 바닥부 및 측벽부를 포함하는 패키지 몸체의 단면도를 나타낸다.
도 6은 돌출 패턴이 없는 바닥부를 나타낸다.
도 7은 도 1에 도시된 돌출 패턴의 일 실시 예를 나타낸다.
도 8은 도 7에 도시된 제1 및 제2 돌출 라인들 각각에 포함되는 적어도 하나의 돌기의 제1 실시 예를 나타낸다.
도 9는 도 8에 도시된 복수의 돌기들 각각의 형상을 나타낸다.
도 10은 도 7에 도시된 제1 및 제2 돌출 라인들 각각에 포함되는 적어도 하나의 돌기의 제2 실시 예를 나타낸다.
도 11은 도 7에 도시된 제1 및 제2 돌출 라인들 각각에 포함되는 적어도 하나의 돌기의 제3 실시 예를 나타낸다.
도 12는 도 1에 도시된 돌출 패턴의 변형 예를 나타낸다.
도 13은 도 1에 도시된 돌출 패턴의 다른 변형 예를 나타낸다.
도 14는 도 8에 도시된 돌기들을 갖는 도 7에 도시된 돌출 패턴을 포함하는 발광 소자 패키지의 조도 분포를 나타낸다
도 15는 도 8에 도시된 돌기들을 갖는 도 7에 도시된 돌출 패턴을 포함하는 발광 소자 패키지의 지향각 특성을 나타낸다.
도 16은 도 8에 도시된 돌기들을 갖는 도 7에 도시된 돌출 패턴을 포함하는 발광 소자 패키지의 색 편차를 나타낸다.
도 17은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 18은 도 1에 도시된 발광 소자의 일 실시 예를 나타낸다.
도 19는 도 1에 도시된 발광 소자의 다른 실시 예를 나타낸다.
도 20은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 21는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 22는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프를 나타낸다.1 is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment.
2 is a plan view of the light emitting device package shown in Fig.
3 is a sectional view of the light emitting device package shown in Fig. 2 in the AB direction.
Fig. 4 shows the first and second lead frames shown in Fig.
5 shows a cross-sectional view of a package body including the bottom and sidewall portions shown in Fig.
6 shows a bottom without protruding patterns.
Fig. 7 shows an embodiment of the protruding pattern shown in Fig.
Fig. 8 shows a first embodiment of at least one projection included in each of the first and second projection lines shown in Fig.
Fig. 9 shows the shape of each of the plurality of projections shown in Fig.
Fig. 10 shows a second embodiment of at least one projection included in each of the first and second projection lines shown in Fig.
Fig. 11 shows a third embodiment of at least one protrusion included in each of the first and second protruding lines shown in Fig.
Fig. 12 shows a modification of the protruding pattern shown in Fig.
Fig. 13 shows another modification of the protruding pattern shown in Fig.
14 shows the illuminance distribution of the light emitting device package including the protruding pattern shown in Fig. 7 having the protrusions shown in Fig. 8
Fig. 15 shows the directional angle characteristics of the light emitting device package including the protruding pattern shown in Fig. 7 having the protrusions shown in Fig.
16 shows a color deviation of the light emitting device package including the protruding pattern shown in Fig. 7 having the protrusions shown in Fig.
17 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
Fig. 18 shows an embodiment of the light emitting device shown in Fig.
Fig. 19 shows another embodiment of the light emitting device shown in Fig.
20 is an exploded perspective view of a lighting apparatus including a light emitting device package according to an embodiment.
FIG. 21 shows a display device including the light emitting device package according to the embodiment.
22 shows a head lamp including the light emitting device package according to the embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on " and " under " include both " directly " or " indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 설명한다.In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, a light emitting device package according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 제1 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)의 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 평면도를 나타내고, 도 3은 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 AB 방향의 단면도를 나타내고, 도 4는 도 1에 도시된 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32)을 나타내고, 도 5는 도 1에 도시된 바닥부(101) 및 측벽부(102)를 포함하는 패키지 몸체(10)의 단면도를 나타낸다.FIG. 1 is a perspective view of a light emitting device package 100 according to a first embodiment, FIG. 2 is a plan view of the light emitting device package 100 shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross- FIG. 4 shows the first and second lead frames 31 and 32 shown in FIG. 1, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the bottom portion 101 and the side walls 100 shown in FIG. Sectional view of the package body 10 including a portion 102 of the package body 10 shown in Fig.

도 1 내지 도 5을 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 패키지 몸체(10), 제1 리드 프레임(31), 제2 리드 프레임(32), 발광 소자(20), 및 수지층(40)을 포함한다.1 to 5, a light emitting device package 100 includes a package body 10, a first lead frame 31, a second lead frame 32, a light emitting device 20, and a resin layer 40, .

제1 리드 프레임(31)과 제2 리드 프레임(32)은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 리드 프레임(31), 및 제2 리드 프레임(32)은 금속과 같은 전도성 재질, 예컨대, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 하나, 또는 이들을 포함하는 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조일 수 있다.The first lead frame 31 and the second lead frame 32 may be disposed apart from each other. The first lead frame 31 and the second lead frame 32 may be formed of a conductive material such as a metal such as aluminum (Al), titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni) May be formed of one of, or an alloy including, chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag) have.

발광 소자(20)는 제1 리드 프레임(31) 및 제2 리드 프레임(32) 상에 배치되며, 제1 및 제2 리드 프레임들(31)과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 20 is disposed on the first lead frame 31 and the second lead frame 32 and may be electrically connected to the first and second lead frames 31. [

도 18은 도 1에 도시된 발광 소자(20)의 일 실시 예(300-1)를 나타낸다.FIG. 18 shows an embodiment 300-1 of the light emitting device 20 shown in FIG.

도 18을 참조하면, 발광 소자(300-1)는 기판(310), 발광 구조물(320), 전도층(330), 제1 전극(342), 및 제2 전극(344)을 포함한다.Referring to FIG. 18, the light emitting device 300-1 includes a substrate 310, a light emitting structure 320, a conductive layer 330, a first electrode 342, and a second electrode 344.

기판(310)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 또한 기판(310)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예를 들어 기판(310)은 사파이어(Al₂0₃), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga₂0₃, GaAs 중 적어도 하나를 포함하는 물질일 수 있다. 이러한 기판(310)의 상면에는 요철 패턴이 형성될 수 있다.The substrate 310 may be formed of a carrier wafer, a material suitable for semiconductor material growth. Further, the substrate 310 may be formed of a material having high thermal conductivity, and may be a conductive substrate or an insulating substrate. For example, the substrate 310 may be a material comprising at least one of sapphire (Al ₂ O ₃ ), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga ₂ O ₃ , GaAs. An irregular pattern may be formed on the upper surface of the substrate 310.

또한 기판(310) 위에는 2족 내지 6족 원소의 화합물 반도체를 이용한 층 또는 패턴, 예컨대, ZnO층(미도시), 버퍼층(미도시), 언도프드 반도체층(미도시) 중 적어도 한 층이 형성될 수 있다. 버퍼층 또는 언도프드 반도체층은 3족-5족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있으며, 버퍼층은 기판과의 격자 상수의 차이를 줄여주게 되며, 언도프드 반도체층은 도핑하지 않는 GaN계 반도체로 형성될 수 있다.On the substrate 310, a layer or a pattern using a compound semiconductor of Group 2 or Group 6 elements such as a ZnO layer (not shown), a buffer layer (not shown) and an undoped semiconductor layer (not shown) . The buffer layer or the undoped semiconductor layer may be formed using a compound semiconductor of a group III-V element, and the buffer layer may reduce the difference in lattice constant with respect to the substrate. The undoped semiconductor layer may be a GaN- .

발광 구조물(320)은 빛을 발생하는 반도체층일 수 있으며, 제1 반도체층(322), 활성층(324), 및 제2 반도체층(326)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 320 may be a semiconductor layer that generates light and may include a first semiconductor layer 322, an active layer 324, and a second semiconductor layer 326.

제1 반도체층(322)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제1 반도체층(322)은 In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있으며, n형 도펀트(예: Si, Ge, Sn 등)가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer 322 may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V, a group II-VI, or the like, and may be doped with a first conductivity type dopant. For example, the first semiconductor layer 322 may be a semiconductor having a composition formula of In _x Al _y Ga _1-xy N (0? X? 1, 0? _Y? 1, 0? _X + y? Type dopants (e.g., Si, Ge, Sn, etc.) may be doped.

활성층(324)은 제1 반도체층(322) 및 제2 반도체층(326)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다.The active layer 324 can generate light by energy generated in the recombination process of electrons and holes provided from the first semiconductor layer 322 and the second semiconductor layer 326 .

활성층(324)은 반도체 화합물, 예컨대, 3족-5족, 2족-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다. 활성층(324)이 양자우물구조인 경우에는 In_xAl_yGa₁ _-x- _yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 In_aAl_bGa_1-a-bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 가질 수 있다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질일 수 있다.The active layer 324 may be a compound semiconductor of a semiconductor compound, such as a Group 3-V-5 or a Group 2-VI-6 compound semiconductor, and may be a single well structure, a multi-well structure, a quantum- Dot) structure or the like. When the active layer 324 is a quantum well structure, a well layer having a composition formula of In _x Al _y Ga ₁ _-x- _y N (0? X? 1, 0? _Y? 1, 0? _X + y? 1) And a barrier layer having a composition formula of In _a Al _b Ga _1-ab N (0? A? 1, 0? B? 1, 0? A + b? 1). The well layer may be a material having a band gap lower than the energy band gap of the barrier layer.

제2 반도체층(326)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제2 반도체층(326)은 In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체일 수 있으며, p형 도펀트(예컨대, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba)가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer 326 may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V element, a group II-VI element, or the like, and the second conductivity type dopant may be doped. For example, the second semiconductor layer 326 may be a semiconductor having a composition formula of In _x Al _y Ga _1-xy N (0? X? 1, 0? _Y? 1, 0? _X + y? Type dopant (e.g., Mg, Zn, Ca, Sr, Ba) can be doped.

발광 구조물(320)는 제2 반도체층(326), 활성층(324) 및 제1 반도체층(322)의 일부가 제거되어 제1 반도체층(322)의 일부를 노출할 수 있다.The light emitting structure 320 may expose a part of the first semiconductor layer 322 by removing a portion of the second semiconductor layer 326, the active layer 324 and the first semiconductor layer 322.

전도층(330)은 전반사를 감소시킬 뿐만 아니라, 투광성이 좋기 때문에 활성층(324)으로부터 제2 반도체층(326)으로 방출되는 빛의 추출 효율을 증가시킬 수 있다.The conductive layer 330 not only reduces the total reflection but also increases the extraction efficiency of the light emitted from the active layer 324 to the second semiconductor layer 326 because of its good light transmittance.

전도층(330)은 투명 전도성 산화물, 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), ATO(Antimony tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IrOx, RuOx,RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.The conductive layer 330 may include a transparent conductive oxide such as ITO (indium tin oxide), TO (tin oxide), IZO (indium zinc oxide), ITZO (indium tin zinc oxide), IAZO (indium aluminum zinc oxide) Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), IrOx, RuOx, RuOx / ITO, Ni, / Au, or Ni / IrOx / Au / ITO.

제1 전극(342)은 노출되는 제1 반도체층(322) 상에 배치되며, 제2 전극(344)은 전도층(330) 상에 배치된다.The first electrode 342 is disposed on the exposed first semiconductor layer 322 and the second electrode 344 is disposed on the conductive layer 330.

도 19는 도 1에 도시된 발광 소자(20)의 다른 실시 예(300-2)를 나타낸다.Fig. 19 shows another embodiment 300-2 of the light emitting device 20 shown in Fig.

도 19를 참조하면, 발광 소자(300-2)는 제2 전극부(405), 보호층(440), 전류 차단층(Current Blocking Layer; 445), 발광 구조물(450), 패시베이션층(465), 및 제1 전극부(470)를 포함한다.19, the light emitting device 300-2 includes a second electrode unit 405, a passivation layer 440, a current blocking layer 445, a light emitting structure 450, a passivation layer 465, And a first electrode unit 470.

제2 전극부(405)는 제1 전극부(470)와 함께 발광 구조물(450)에 전원을 제공한다. 제2 전극부(405)는 지지층(support, 410), 접합층(bonding layer, 415), 배리어층(barrier layer, 420), 반사층(reflective layer, 425), 및 오믹층(ohmic layer, 430)을 포함할 수 있다.The second electrode unit 405 supplies power to the light emitting structure 450 together with the first electrode unit 470. The second electrode unit 405 includes a support 410, a bonding layer 415, a barrier layer 420, a reflective layer 425, and an ohmic layer 430, . &Lt; / RTI >

지지층(410)는 발광 구조물(450)을 지지한다. 지지층(210)은 금속 또는 반도체 물질로 형성될 수 있다. 또한 지지층(410)은 전기 전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 지지층(410)는 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 및 구리-텅스텐(Cu-W) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 물질이거나, 또는 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 중 적어도 하나를 포함하는 반도체일 수 있다.The support layer 410 supports the light emitting structure 450. The support layer 210 may be formed of a metal or a semiconductor material. The support layer 410 may also be formed of a material having high electrical conductivity and high thermal conductivity. For example, the support layer 410 may be formed of a metal including at least one of copper (Cu), a copper alloy, gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), and copper- Material, or a semiconductor including at least one of Si, Ge, GaAs, ZnO, and SiC.

접합층(415)은 지지층(410)와 배리어층(420) 사이에 배치될 수 있으며, 지지층(410)과 배리어층(420)을 접합시키는 본딩층(bonding layer)의 역할을 할 수 있다. 접합층(415)은 금속 물질, 예를 들어, In,Sn, Ag, Nb, Pd, Ni, Au, Cu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 접합층(415)은 지지층(410)을 본딩 방식으로 접합하기 위해 형성하는 것이므로 지지층(410)을 도금이나 증착 방법으로 형성하는 경우에는 접합층(215)은 생략될 수 있다.The bonding layer 415 may be disposed between the supporting layer 410 and the barrier layer 420 and may serve as a bonding layer for bonding the supporting layer 410 to the barrier layer 420. The bonding layer 415 may include at least one of a metal material, for example, In, Sn, Ag, Nb, Pd, Ni, Au and Cu. The bonding layer 415 is formed to bond the supporting layer 410 by bonding. Therefore, when the supporting layer 410 is formed by plating or vapor deposition, the bonding layer 215 may be omitted.

배리어층(420)은 반사층(425), 오믹층(430), 및 보호층(440)의 아래에 배치되며, 접합층(415) 및 지지층(410)의 금속 이온이 반사층(425), 및 오믹층(430)을 통과하여 발광 구조물(450)로 확산하는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 배리어층(420)은 Ni, Pt, Ti,W,V, Fe, Mo 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.The barrier layer 420 is disposed under the reflective layer 425, the ohmic layer 430 and the protective layer 440 and the metal ions of the bonding layer 415 and the support layer 410 are disposed on the reflective layer 425, The light can be prevented from diffusing to the light emitting structure 450 through the first and second light emitting layers 430 and 430. For example, the barrier layer 420 may include at least one of Ni, Pt, Ti, W, V, Fe, and Mo, and may be a single layer or a multilayer.

반사층(425)은 배리어층(420) 상에 배치될 수 있으며, 발광 구조물(450)로부터 입사되는 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 반사층(425)은 광 반사 물질, 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.The reflective layer 425 may be disposed on the barrier layer 420 and may reflect light incident from the light emitting structure 450 to improve light extraction efficiency. The reflective layer 425 may be formed of a metal or an alloy containing at least one of a reflective material such as Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au and Hf.

반사층(425)은 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 형성할 수 있다.The reflective layer 425 may be formed of a multilayer of a metal or an alloy and a light transmitting conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, or ATO. For example, IZO / Ni, AZO / / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni, or the like.

오믹층(430)은 반사층(425)과 제2 반도체층(452) 사이에 배치될 수 있으며,제2 반도체층(452)에 오믹 접촉(ohmic contact)되어 발광 구조물(450)에 전원이 원활히 공급되도록 할 수 있다.The ohmic layer 430 may be disposed between the reflective layer 425 and the second semiconductor layer 452 and may be ohmic contacted with the second semiconductor layer 452 to smoothly supply power to the light emitting structure 450. [ .

투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용하여 오믹층(430)을 형성할 수 있다. 예컨대 오믹층(430)은 제2 반도체층(452)과 오믹 접촉하는 금속 물질, 예컨대, Ag, Ni,Cr,Ti,Pd,Ir, Sn, Ru, Pt, Au, Hf 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The ohmic layer 430 can be formed by selectively using the light-transmitting conductive layer and the metal. For example, the ohmic layer 430 may include at least one of a metal material that makes an ohmic contact with the second semiconductor layer 452, for example, Ag, Ni, Cr, Ti, Pd, Ir, Sn, Ru, Pt, Au, can do.

보호층(440)은 제2 전극층(405)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 보호층(440)은 오믹층(430)의 가장 자리 영역, 또는 반사층(425)의 가장 자리 영역, 또는 배리어층(420)의 가장 자리 영역, 또는 지지층(410)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다.The protective layer 440 may be disposed on the edge region of the second electrode layer 405. For example, the protective layer 440 may be disposed on the edge region of the ohmic layer 430, or the edge region of the reflective layer 425, or the edge region of the barrier layer 420, .

보호층(440)은 발광 구조물(450)과 제2 전극층(405) 사이의 계면이 박리되어 발광 소자(300-2)의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 보호층(440)은 전기 절연성 물질, 예를 들어, ZnO, SiO₂, Si₃N₄, TiOx(x는 양의 실수), 또는 Al₂O₃ 등으로 형성될 수 있다.The protective layer 440 can prevent the interface between the light emitting structure 450 and the second electrode layer 405 from being peeled off so that the reliability of the light emitting device 300-2 is lowered. The protective layer 440 is an electrically insulating material, e.g., ZnO, SiO _2, Si ₃ N _4, TiOx (x is a positive real number), or Al ₂ O ₃ Or the like.

전류 차단층(445)은 오믹층(430)과 발광 구조물(450) 사이에 배치될 수 있다. 전류 차단층(445)의 상면은 제2 반도체층(452)과 접촉하고, 전류 차단층(445)의 하면, 또는 하면과 측면은 오믹층(430)과 접촉할 수 있다. 전류 차단층(445)은 수직 방향으로 제1 전극부(470)와 적어도 일부가 오버랩되도록 배치될 수 있다.The current blocking layer 445 may be disposed between the ohmic layer 430 and the light emitting structure 450. The upper surface of the current blocking layer 445 is in contact with the second semiconductor layer 452 and the lower surface or the lower surface and the side surface of the current blocking layer 445 can be in contact with the ohmic layer 430. The current blocking layer 445 may be arranged so that at least a part of the current blocking layer 445 overlaps with the first electrode portion 470 in the vertical direction.

전류 차단층(445)은 오믹층(430)과 제2 반도체층(452) 사이에 형성되거나, 반사층(425)과 오믹층(430) 사이에 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The current blocking layer 445 may be formed between the ohmic layer 430 and the second semiconductor layer 452 or may be formed between the reflective layer 425 and the ohmic layer 430. However,

발광 구조물(450)은 오믹층(430) 및 보호층(440) 상에 배치될 수 있다. 발광 구조물(450)의 측면은 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭 과정에서 경사면이 될 수 있다.The light emitting structure 450 may be disposed on the ohmic layer 430 and the protective layer 440. The side surface of the light emitting structure 450 may be an inclined surface in an isolation etching process that is divided into unit chips.

발광 구조물(450)은 제2 반도체층(452), 활성층(454), 및 제1 반도체층(456)을 포함할 수 있으며, 도 18에서 설명한 바와 동일할 수 있으며, 중복을 피하기 위하여 설명을 생략한다.The light emitting structure 450 may include a second semiconductor layer 452, an active layer 454, and a first semiconductor layer 456, which may be the same as those described with reference to FIG. 18. In order to avoid redundancy, do.

패시베이션층(465)은 발광 구조물(450)을 전기적으로 보호하기 위하여 발광 구조물(450)의 측면에 배치될 수 있다. 패시베이션층(465)은 제1 반도체층(456)의 상면 일부 또는 보호층(440)의 상면에도 배치될 수 있다. 패시베이션층(465)은 절연 물질, 예컨대, SiO₂, SiO_x, SiO_xN_y,Si₃N₄, 또는 Al₂O₃로 형성될수 있다.The passivation layer 465 may be disposed on the side of the light emitting structure 450 to electrically protect the light emitting structure 450. The passivation layer 465 may be disposed on the top surface of the first semiconductor layer 456 or on the top surface of the protective layer 440. The passivation layer 465 is an insulating material, e.g., SiO _2, SiO _x, SiO _x N _y, Si ₃ N ₄ , or Al ₂ O ₃ .

제1 전극부(470)는 제1 반도체층(456) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극부(470)은 소정의 패턴 형상일 수 있다. 제1 반도체층(456)의 상면은 광 추출 효율을 증가시키기 위해 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. 또한 광 추출 효율을 증가시키기 위하여 제1 전극(470)의 상면에도 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다.The first electrode portion 470 may be disposed on the first semiconductor layer 456. The first electrode part 470 may have a predetermined pattern shape. A roughness pattern (not shown) may be formed on the upper surface of the first semiconductor layer 456 to increase light extraction efficiency. A roughness pattern (not shown) may also be formed on the top surface of the first electrode 470 to increase the light extraction efficiency.

패키지 몸체(10)는 제1 리드 프레임(31) 및 제2 리드 프레임(32) 상에 배치될 수 있다. 또한 패키지 몸체(10)의 일 부분은 제1 리드 프레임(31)과 제2 리드 프레임(32) 사이에 배치될 수 있으며, 제1 리드 프레임(31)과 제2 리드 프레임(32)을 전기적으로 분리할 수 있다.The package body 10 may be disposed on the first lead frame 31 and the second lead frame 32. [ A portion of the package body 10 may be disposed between the first lead frame 31 and the second lead frame 32 and the first lead frame 31 and the second lead frame 32 may be electrically Can be separated.

패키지 몸체(10)는 반사도가 높은 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide), EMC(Epoxy Molding Compound), PA9T, 실리콘과 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 또한 패키지 몸체(10)는 실리콘 기반의 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package), 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC), 질화알루미늄(aluminum nitride, AlN) 등과 같이 절연성 또는 열전도도가 좋은 기판으로 형성될 수 있다. 패키지 몸체(10)는 복수 개의 기판이 적층되는 구조일 수 있다.The package body 10 may be formed of a resin material such as polyphthalamide (PPA), epoxy molding compound (EMC), PA9T, or silicone, which has high reflectivity. The package body 10 may also be formed of a substrate having good insulating or thermal conductivity, such as a silicon-based wafer level package, a silicon substrate, silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AlN) . The package body 10 may be a structure in which a plurality of substrates are stacked.

패키지 몸체(10)의 상부면 형상은 발광 소자 패키지(100)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상일 수 있다. 그러나 실시 예는 상술한 몸체의 재질, 구조, 및 형상으로 한정되는 것은 아니다.The shape of the upper surface of the package body 10 may be various shapes such as a triangle, a rectangle, a polygon, and a circle according to the use and design of the light emitting device package 100. However, the embodiment is not limited to the material, structure, and shape of the body.

패키지 몸체(10)는 바닥부(101) 및 측벽부(102)를 포함할 수 있다. The package body 10 may include a bottom portion 101 and a side wall portion 102.

바닥부(101)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각의 상부면(111, 112)의 제1 영역(S11,S12)에 위치할 수 있고, 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 사이에 위치할 수 있다.The bottom portion 101 may be located in the first area S11 and S12 of the top surfaces 111 and 112 of the first and second lead frames 31 and 32, (31, 32).

예컨대, 바닥부(101)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각의 상부면(111, 112)의 제1 영역(S11,S12)에 위치하는 제1 부분(301) 및 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 사이에 위치하는 제2 부분(302)을 포함할 수 있다. 바닥부(101)의 제2 부분(302)에 의하여 제1 리드 프레임(31)과 제2 리드 프레임(32)은 전기적으로 절연될 수 있다.For example, the bottom portion 101 may include a first portion 301 and a second portion 301 located in the first areas S11 and S12 of the top surfaces 111 and 112 of the first and second lead frames 31 and 32, And a second portion 302 positioned between the first and second lead frames 31,32. The first lead frame 31 and the second lead frame 32 can be electrically insulated by the second portion 302 of the bottom portion 101. [

제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각은 바닥부(101)로부터 노출되는 일 부분(31-1,31-2)을 가질 수 있으며, 바닥부(101)는 노출되는 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32)의 일 부분(31-1,32-1)을 둘러쌀 수 있다.Each of the first and second lead frames 31 and 32 may have a portion 31-1 and 31-2 exposed from the bottom portion 101, 32-1 of the second lead frames 31,32.

도 2를 참조하면, 바닥부(101)의 제1 부분(301)과 측벽부(102)의 경계선(108)으로부터 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각의 노출되는 일 부분(31-1, 31-2)까지의 제1 방향으로의 거리(D1)는 0.4mm ~ 0.5mm일 수 있다. 여기서 제1 방향은 발광 소자(20)의 가로 및 세로 중 길이가 긴 방향일 수 있다.2, the exposed portions of the first lead frame and the second lead frames 31 and 32 from the boundary 108 between the first portion 301 of the bottom portion 101 and the side wall portion 102 The distance D1 in the first direction to the portions 31-1 and 31-2 may be 0.4 mm to 0.5 mm. Here, the first direction may be a direction in which the length of the light emitting device 20 is long.

또한 바닥부(101)의 제1 부분(301)과 측벽부(102)의 경계선(108)으로부터 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각의 노출되는 일 부분(31-1, 31-2)까지의 제2 방향으로의 거리(D2)는 0.65mm ~ 0.75mm일 수 있다. 제2 방향은 제1 방향과 수직일 수 있다.The exposed portion 31-1 of each of the first lead frame and the second lead frames 31 and 32 from the boundary 108 between the first portion 301 of the bottom portion 101 and the side wall portion 102 , And 31-2 in the second direction may be 0.65 mm to 0.75 mm. The second direction may be perpendicular to the first direction.

제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각은 상부면(111,112)의 제1 영역(S11,S12)에 기설정된 깊이(D3)를 갖는 제1 홈(401, 402)을 가질 수 있다. 바닥부(101)의 제1 부분(301)은 제1 홈(401, 402) 내에 배치될 수 있다. 이는 바닥부(101)와 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 간의 접촉 면적을 증가시켜, 양자 접착력을 향상시키기 위함이다. 또한 가스 침투 경로를 길게 함으로써 기밀성을 향상시킬 수 있다. Each of the first and second lead frames 31 and 32 may have first grooves 401 and 402 having a predetermined depth D3 in the first areas S11 and S12 of the top surfaces 111 and 112 . The first portion 301 of the bottom portion 101 may be disposed in the first grooves 401, 402. This is to increase the contact area between the bottom portion 101 and the first and second lead frames 31 and 32 to improve the quantum adhesion. In addition, airtightness can be improved by lengthening the gas infiltration path.

발광 소자(20)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 상에 배치될 수 있으며, 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32)의 노출되는 일 부분(31-1,32-1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 발광 소자(20)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32)의 노출되는 일 부분(31-1,32-1)에 플립 칩(flip-chip) 본딩 또는 유테틱(eutetic) 본딩될 수 있다. The light emitting device 20 may be disposed on the first and second lead frames 31 and 32 and may include a portion of the exposed first and second lead frames 31 and 32 -1). For example, the light emitting device 20 may be flip-chip bonded or eutectic to the exposed portions 31-1 and 32-1 of the first and second lead frames 31 and 32, Can be bonded.

예컨대, 발광 소자(20)가 도 18에 도시된 수평형 발광 소자일 경우, 제1 전극(342)은 제1 리드 프레임(31)의 노출된 일 부분(31-1)에 본딩될 수 있고, 제2 전극(344)은 제2 리드 프레임(32)의 노출출된 일 부분(32-1)에 본딩될 수 있다.18, the first electrode 342 may be bonded to the exposed portion 31-1 of the first lead frame 31, and the first electrode 342 may be bonded to the exposed portion 31-1 of the first lead frame 31. In this case, The second electrode 344 may be bonded to the exposed portion 32-1 of the second lead frame 32.

다른 실시 예에서는 발광 소자(20)는 와이어 본딩(wire bonding) 방식에 의해 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32)의 노출되는 일 부분(31-1,32-1)과 전기적으로 연결될 수도 있다.In another embodiment, the light emitting device 20 is electrically connected to the exposed portions 31-1 and 32-1 of the first and second lead frames 31 and 32 by a wire bonding method It is possible.

측벽부(102)는 바닥부(101)를 둘러싸도록 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32)의 상부면(111,112)의 제2 영역(S21,S22) 상에 배치될 수 있다. 바닥부(101)를 기준으로 측벽부(102)의 내측면은 일정한 각도로 기울어진 경사면일 수 있다. 측벽부(101)와 바닥부(101)는 캐비티(cavity)를 형성할 수 있다.The side wall portion 102 may be disposed on the second regions S21 and S22 of the upper surfaces 111 and 112 of the first and second lead frames 31 and 32 so as to surround the bottom portion 101. [ The inner side surface of the side wall portion 102 with respect to the bottom portion 101 may be an inclined surface inclined at a constant angle. The side wall portion 101 and the bottom portion 101 may form a cavity.

측벽부(102)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32)의 노출되는 일 부분(31-1,32-1) 주위를 감싸도록 배치될 수 있다. 측벽부(102)의 폭(W)은 0.4mm ~ 0.45mm일 수 있다. The side wall portion 102 may be arranged to surround the exposed portions 31-1 and 32-1 of the first and second lead frames 31 and 32. [ The width W of the side wall portion 102 may be 0.4 mm to 0.45 mm.

제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각은 상부면(111,112)의 제2 영역(S21,S22)에 제2 홈(403, 404)을 가질 수 있다. 측벽부(102)의 하면에는 제2 홈(403,404)에 삽입되는 돌기(501,502)가 마련될 수 있다. 돌기(501,502)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각과 측벽부(102) 사이의 접착력 또는 결합력을 향상시키는 역할을 할 수 있다.Each of the first and second lead frames 31 and 32 may have second grooves 403 and 404 in the second regions S21 and S22 of the upper surfaces 111 and 112. [ Protrusions 501 and 502 to be inserted into the second grooves 403 and 404 may be provided on the lower surface of the side wall portion 102. The protrusions 501 and 502 may serve to improve an adhesive force or a bonding force between the first and second lead frames 31 and 32 and the side wall portion 102, respectively.

바닥부(101)는 표면에 형성되는 돌출 패턴을 가질 수 있다. 돌출 패턴은 복수의 돌출 라인들을 포함할 수 있으며, 복수의 돌출 라인들 각각은 복수의 돌기들을 포함할 수 있다. The bottom portion 101 may have a protruding pattern formed on the surface. The protruding pattern may include a plurality of protruding lines, and each of the plurality of protruding lines may include a plurality of protrusions.

도 6은 돌출 패턴이 없는 바닥부(101)를 나타내고, 도 7은 도 1에 도시된 돌출 패턴의 일 실시 예(70)를 나타낸다.Fig. 6 shows the bottom 101 without protruding patterns, and Fig. 7 shows an embodiment 70 of the protruding pattern shown in Fig.

도 6을 참조하면, 돌출 패턴이 없는 바닥부(201)의 상부면은 편평할 수 있다. 도 7을 참조하면, 실시 예에 따른 바닥부(101)는 표면에 형성되는 돌출 패턴(70)을 가질 수 있다. 돌출 패턴(70)은 라인 형태일 수 있다. 실시 예에 따른 바닥부(101)의 직경은 1.8mm ~ 2.0mm일 수 있으며, 바람직하게는 1.8mm일 수 있다.Referring to Fig. 6, the upper surface of the bottom portion 201 free of protruding patterns may be flat. Referring to FIG. 7, the bottom 101 according to the embodiment may have a protruding pattern 70 formed on the surface. The protruding pattern 70 may be in the form of a line. The diameter of the bottom portion 101 according to the embodiment may be 1.8 mm to 2.0 mm, preferably 1.8 mm.

예컨대, 돌출 패턴(70)은 서로 직교하는 제1 돌출 라인들(a1 내지 an, n>1인 자연수) 및 제2 돌출 라인들(b1 내지 bm, m>1인 자연수)을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 돌출 라인들(a1 내지 an, n>1인 자연수)과 제2 돌출 라인들(b1 내지 bm, m>1인 자연수)이 이루는 각도(θ1)는 직각일 수 있다.For example, the protruding pattern 70 may include first protruding lines (a1 to an, a natural number of n> 1) orthogonal to each other and second protruding lines (b1 to bm, natural number of m> 1). For example, the angle? 1 formed by the first protruding lines (a1 to an, n> 1) and the second protruding lines (b1 to bm, natural number of m> 1) may be orthogonal.

제1 돌출 라인들(a1 내지 an, n>1인 자연수)의 길이 방향은 제1 리드 프레임(31)에서 제2 리드 프레임(32)으로 향하는 방향(QQ')과 수직한 방향일 수 있고, 제2 돌출 라인들(b1 내지 bm, m>1인 자연수)의 길이 방향은 제1 리드 프레임(31)에서 제2 리드 프레임(32)으로 향하는 방향(QQ')과 평행할 수 있다.The longitudinal direction of the first protruding lines (a1 to an, n> 1) may be a direction perpendicular to the direction QQ 'from the first lead frame 31 to the second lead frame 32, The longitudinal direction of the second protruding lines (b1 to bm, m> 1) may be parallel to the direction QQ 'from the first lead frame 31 to the second lead frame 32.

제1 돌출 라인들(a1 내지 an, n>1인 자연수) 각각은 서로 이격할 수 있으며, 제2 돌출 라인들(b1 내지 bm, m>1인 자연수) 각각은 서로 이격할 수 있다.Each of the first protruding lines (a1 to an, n> 1) may be spaced from each other, and each of the second protruding lines (b1 to bm, m> 1) may be spaced from each other.

복수의 돌출 라인들(a1 내지 an, b1 내지 bm, n,m>1인 자연수) 각각은 적어도 하나의 돌기를 포함할 수 있다.Each of the plurality of protruding lines (a1 to an, b1 to bm, n, m> 1) may include at least one protrusion.

도 8은 도 7에 도시된 제1 및 제2 돌출 라인들 각각에 포함되는 적어도 하나의 돌기의 제1 실시 예를 나타낸다.Fig. 8 shows a first embodiment of at least one projection included in each of the first and second projection lines shown in Fig.

도 8을 참조하면, 제1 및 제2 돌출 라인들(a1 내지 an, b1 내지 bm, n,m>1인 자연수) 각각은 서로 인접하는 복수의 돌기들(71-1 내지 71-k, k>1인 자연수)을 포함할 수 있다. 서로 인접하는 복수의 돌기들(71-1 내지 71-k, k>1인 자연수)은 라인 형태일 수 있다. 복수의 돌기들(71-1 내지 71-k, k>1인 자연수) 각각은 반구 형상일 수 있다.Referring to Fig. 8, each of the first and second protruding lines (a1 to an, b1 to bm, n, and natural number m> 1) includes a plurality of projections 71-1 to 71- > 1). The plurality of projections 71-1 to 71-k adjacent to each other, the natural number being k> 1, may be in the form of a line. Each of the plurality of projections 71-1 through 71-k, natural number k> 1 may be hemispherical.

도 8에는 반구 형상인 돌기를 도시하였지만, 돌기의 형상이 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예는 사면체 등과 같은 다면체, 또는 돔 형상일 수 있다.Although the hemispherical protrusion is shown in Fig. 8, the shape of the protrusion is not limited thereto, and other embodiments may be a polyhedron such as a tetrahedron or a dome.

도 9는 도 8에 도시된 복수의 돌기들 각각의 형상을 나타낸다. 도 9를 참조하면, 복수의 돌기들(71-1 내지 71-k, k>1인 자연수) 각각은 반지름이 R인 반구일 수 있다. 이때, 반지름(R)은 0.01mm ~ 0.05mm일 수 있다.Fig. 9 shows the shape of each of the plurality of projections shown in Fig. Referring to FIG. 9, each of the plurality of protrusions 71-1 through 71-k, a natural number of k> 1 may be a hemisphere having a radius R. FIG. At this time, the radius (R) may be 0.01 mm to 0.05 mm.

도 10은 도 7에 도시된 제1 및 제2 돌출 라인들 각각에 포함되는 적어도 하나의 돌기의 제2 실시 예를 나타낸다.Fig. 10 shows a second embodiment of at least one projection included in each of the first and second projection lines shown in Fig.

도 10을 참조하면, 제1 및 제2 돌출 라인들(a1 내지 an, b1 내지 bm, n,m>1인 자연수) 각각은 서로 이격하는 복수의 돌기들(72-1 내지 72-k, k>1인 자연수)을 포함할 수 있다. 복수의 돌기들(72-1 내지 72-k, k>1인 자연수) 각각은 반지름이 R인 반구일 수 있다. 이때, 반지름(R)은 0.01mm ~ 0.05mm일 수 있다. 이웃하는 돌기들 사이의 이격 거리(X1)는 돌기의 반지름(R) 이하일 수 있다. 예컨대, 이격 거리(X1)는 0.05mm이하일 수 있다.10, each of the first and second protruding lines (a1 to an, b1 to bm, n, m> 1) has a plurality of protrusions 72-1 to 72-k, k > 1). Each of the plurality of projections 72-1 through 72-k, a natural number of k > 1 may be a hemisphere having a radius R. [ At this time, the radius (R) may be 0.01 mm to 0.05 mm. The spacing X1 between neighboring protrusions may be less than the radius R of the protrusions. For example, the separation distance X1 may be 0.05 mm or less.

도 11은 도 7에 도시된 제1 및 제2 돌출 라인들 각각에 포함되는 적어도 하나의 돌기의 제3 실시 예를 나타낸다. Fig. 11 shows a third embodiment of at least one protrusion included in each of the first and second protruding lines shown in Fig.

도 11을 참조하면, 제1 및 제2 돌출 라인들(a1 내지 an, b1 내지 bm, n,m>1인 자연수) 각각은 라인 형태의 하나의 돌기(73)를 가질 수 있다. 돌기(73)의 높이(H1)는 0.01mm ~ 0.05mm일 수 있다.Referring to Fig. 11, each of the first and second protruding lines a1 to an, b1 to bm, n, and m> 1 may have one projection 73 in the form of a line. The height H1 of the projection 73 may be 0.01 mm to 0.05 mm.

수지층(40)은 발광 소자(20)를 밀봉하여 보호하도록 측벽부(102) 내에 배치될 수 있다. 예컨대, 수지층(40)은 발과 소자(200를 밀봉하도록 바닥부(101) 및 측벽부(102)가 이루는 캐비티 내에 충진될 수 있다. 수지층(40)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 무색 투명한 고분자 수지로 이루어질 수 있다. The resin layer 40 may be disposed in the side wall portion 102 to seal and protect the light emitting element 20. For example, the resin layer 40 may be filled in the cavity between the bottom portion 101 and the side wall portion 102 to seal the foot 200. The resin layer 40 may be a colorless transparent polymer such as epoxy or silicone Resin.

수지층(40)은 발광 소자(20)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있도록 형광체를 포함할 수 있다. 예컨대, 수지층(40)은 적색 형광체, 녹색 형광체, 및 황색 형광체 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The resin layer 40 may include a phosphor to change the wavelength of the light emitted from the light emitting device 20. [ For example, the resin layer 40 may include at least one of a red phosphor, a green phosphor, and a yellow phosphor.

도 12는 도 1에 도시된 돌출 패턴(70)의 변형 예(70-1)를 나타낸다.12 shows a modification 70-1 of the protruding pattern 70 shown in Fig.

도 12를 참조하면, 돌출 패턴(70-1)은 복수의 돌출 라인들(C1 내지 Cn, n>1인 자연수)을 포함할 수 있다. Referring to Fig. 12, the protruding pattern 70-1 may include a plurality of protruding lines (C1 to Cn, natural number of n> 1).

복수의 돌출 라인들(C1 내지 Cn, n>1인 자연수) 중 일부(예컨대, C3 및 C4)는 동일선상에 위치할 수 있으며, 서로 이격할 수 있다. 또한 복수의 돌출 라인들(C1 내지 Cn, n>1인 자연수) 중 인접하는 2개의 돌출 라인들(예컨대, C1과 C2)이 이루는 각도(θ2)는 직각 또는 예각일 수 있다.Some (e.g., C3 and C4) of the plurality of protruding lines (C1 through Cn, n> 1 natural numbers) may be collinear and may be spaced apart from one another. The angle? 2 formed by two adjacent protruding lines (for example, C1 and C2) among the plurality of protruding lines (C1 to Cn, n> 1) may be a right angle or an acute angle.

복수의 돌출 라인들(C1 내지 Cn, n>1인 자연수)의 각각의 길이 방향과 제1 리드 프레임(31)에서 제2 리드 프레임(32)으로 향하는 방향(QQ')이 이루는 각도(θ2)는 예각일 수 있다. 2 formed by the longitudinal direction of each of the plurality of protruding lines (C1 to Cn, n> 1) and the direction QQ 'from the first lead frame 31 to the second lead frame 32, May be an acute angle.

복수의 돌출 라인들(C1 내지 Cn, n>1인 자연수) 각각은 적어도 하나의 돌기를 가질 수 있으며, 적어도 하나의 돌기의 형상은 도 8, 도 10, 및 도 11에서 설명한 바와 동일할 수 있다.Each of the plurality of protruding lines (C1 to Cn, n> 1 natural number) may have at least one protrusion, and the shape of at least one protrusion may be the same as described in Figs. 8, 10, and 11 .

도 13은 도 1에 도시된 돌출 패턴(70)의 다른 변형 예(70-2)를 나타낸다.Fig. 13 shows another modification 70-2 of the protruding pattern 70 shown in Fig.

도 13을 참조하면, 돌출 패턴(70-2)은 서로 이격하는 복수의 돌출 링들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)을 포함할 수 있다. 복수의 돌출 링들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)은 발광 소자(20) 주위를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 즉 발광 소자(20)는 돌출 링(d1 내지 dn, n>1인 자연수)들 내측에 위치할 수 있다.Referring to Fig. 13, the protruding pattern 70-2 may include a plurality of protruding rings d1 to dn, natural numbers being n> 1, which are spaced apart from each other. A plurality of protruding rings (d1 to dn, natural number of n> 1) may be arranged so as to surround the light emitting element 20. That is, the light emitting element 20 may be located inside the protruding rings d1 to dn, natural numbers of n> 1.

복수의 돌출 링들(d1 내지 dn, n>1인 자연수) 각각은 적어도 하나의 돌기를 가질 수 있으며, 적어도 하나의 돌기의 형상은 도 8, 도 10, 및 도 11에서 설명한 바와 동일할 수 있다.Each of the plurality of protruding rings (natural numbers d1 to dn, n > 1) may have at least one protrusion, and the shape of at least one protrusion may be the same as that described in Figs. 8, 10 and 11.

도 14는 도 8에 도시된 돌기들을 갖는 도 7에 도시된 돌출 패턴을 포함하는 발광 소자 패키지의 조도 분포를 나타낸다. g1은 돌출 패턴을 갖지 않는 발광 소자 패키지의 조도 분포이고, g2는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 조도 분포를 나타낸다. x축은 발광 소자(20)를 기준으로 좌우 거리를 나타내고, y축은 조도를 나타낸다.Fig. 14 shows the illuminance distribution of the light emitting device package including the protruding pattern shown in Fig. 7 having the protrusions shown in Fig. g1 is the illuminance distribution of the light emitting device package having no protruding pattern, and g2 is the illuminance distribution of the light emitting device package according to the embodiment. The x-axis represents the left and right distances with respect to the light emitting element 20, and the y-axis represents the illuminance.

도 14를 참조하면, g2는 g1과 차이가 거의 없는 것을 알 수 있으며, 조도 분포는 동일한 수준을 유지할 수 있다.Referring to FIG. 14, it can be seen that g2 is almost the same as g1, and the illuminance distribution can be maintained at the same level.

도 15는 도 8에 도시된 돌기들을 갖는 도 7에 도시된 돌출 패턴을 포함하는 발광 소자 패키지의 지향각 특성을 나타낸다. g1는 돌출 패턴을 갖지 않는 발광 소자 패키지의 지향각 특성이고, g4는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 지향각 특성을 나타낸다.Fig. 15 shows the directional angle characteristics of the light emitting device package including the protruding pattern shown in Fig. 7 having the protrusions shown in Fig. g1 is the directivity angle characteristic of the light emitting device package having no protruding pattern, and g4 is the directivity angle characteristic of the light emitting device package according to the embodiment.

도 15를 참조하면, g4와 g3에 비교할 때, 실시 예는 배광 형상이 날카로워짐을 알 수 있다. Referring to FIG. 15, it can be seen that the light distribution shape of the embodiment is sharp compared to g4 and g3.

도 16은 도 8에 도시된 돌기들을 갖는 도 7에 도시된 돌출 패턴을 포함하는 발광 소자 패키지의 색 편차를 나타낸다. g5는 돌출 패턴을 갖지 않는 발광 소자 패키지의 색 편차를 나타내고, g6는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 색 편차를 나타낸다.16 shows a color deviation of the light emitting device package including the protruding pattern shown in Fig. 7 having the protrusions shown in Fig. g5 represents the color deviation of the light emitting device package having no protruding pattern, and g6 represents the color deviation of the light emitting device package according to the embodiment.

도 16을 참조하면, g6와 g5를 비교할 때, 실시 예는 색 편차가 감소함을 알 수 있다. 따라서 실시 예는 돌출 패턴에 의하여 난반사가 일어나기 때문에, 발광이 균일할 수 있고, 이로 인하여 엘로우 링(yellow ring)과 같은 현상을 방지할 수 있다.Referring to FIG. 16, when g6 and g5 are compared, it can be seen that the color deviation decreases in the embodiment. Therefore, in the embodiment, irregular reflection occurs due to the protruding pattern, so that the light emission can be made uniform, thereby preventing a phenomenon such as a yellow ring.

도 14 내지 도 16을 참조할 때, 실시 예는 배광 형상이 날카로워지고, 색 편차가 감소하기 때문에, 엘로우 링과 같은 현상의 발생을 억제하여 품질을 향상시킬 수 있다. 또한 실시 예는 조도 분포의 특성이 저하되지 않는다. Referring to Figs. 14 to 16, in the embodiment, since the light distribution shape is sharpened and the color deviation is reduced, the occurrence of phenomenon such as yellowing can be suppressed and the quality can be improved. Also, the embodiment does not deteriorate the characteristics of the illuminance distribution.

도 17은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)의 단면도를 나타낸다.17 is a cross-sectional view of a light emitting device package 200 according to another embodiment.

도 3과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하거나, 간략하게 설명한다. The same reference numerals as in FIG. 3 denote the same components, and the same components are not described or briefly described.

도 17을 참조하면, 발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체(10-1), 제1 리드 프레임(31), 제2 리드 프레임(32), 발광 소자(20), 및 수지층(40)을 포함한다. 패키지 몸체(10-1)는 바닥부(101-1) 및 측벽부(102)를 포함할 수 있다.17, a light emitting device package 200 includes a package body 10-1, a first lead frame 31, a second lead frame 32, a light emitting device 20, and a resin layer 40 . The package body 10-1 may include a bottom portion 101-1 and a side wall portion 102. [

바닥부(101-1)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각의 상부면(111, 112)의 제1 영역(S11,S12)에 위치하는 제1 부분(303) 및 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 사이에 위치하는 제2 부분(302)을 포함할 수 있다.The bottom portion 101-1 includes a first portion 303 and a second portion 303 located in the first areas S11 and S12 of the upper surfaces 111 and 112 of the first and second lead frames 31 and 32, And a second portion 302 positioned between the first and second lead frames 31,32.

도 3에 도시된 실시 예는 바닥부(101)의 제1 부분(301)은 돌출 패턴을 갖지만, 도 17에 도시된 실시 예의 바닥부(101-1)의 제1 부분(303)은 오목부(75)를 갖는다는 점이 다르다.Although the embodiment shown in Figure 3 has the protruding pattern of the first portion 301 of the bottom portion 101, the first portion 303 of the bottom portion 101-1 of the embodiment shown in Figure 17, (75).

바닥부(101-1)의 제1 부분(303)의 표면은 기설정된 곡률을 갖도록 라운드된(rounded) 오목부(75)를 가질 수 있다. 예컨대, 기설정된 곡률은 반지름이 0.4mm ~ 0.5mm인 원의 곡률과 동일할 수 있다.The surface of the first portion 303 of the bottom portion 101-1 may have a recessed portion 75 that is rounded to have predetermined curvature. For example, the predetermined curvature may be the same as the curvature of a circle having a radius of 0.4 mm to 0.5 mm.

실시 예는 오목부(75)에 의하여 발광 소자(20)로부터 조사된 빛이 오목부(75)에 의하여 난반사되고, 이로 인하여 색 편차가 감소하기 때문에, 실시 예는 엘로우 링과 같은 현상의 발생을 억제하여 품질을 향상시킬 수 있다.In the embodiment, the light irradiated from the light emitting element 20 by the concave portion 75 is irregularly reflected by the concave portion 75, and as a result, the color deviation is reduced. Therefore, in the embodiment, occurrence of phenomenon such as yellowing The quality can be improved.

도 20은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다. 도 20을 참조하면, 조명 장치는 광을 투사하는 광원(750)과, 광원의 열을 방출하는 방열부(740)와, 광원(750)과 방열부(740)를 수납하는 하우징(700)과, 광원(750)과 방열부(740)를 하우징(700)에 결합하는 홀더(760)를 포함한다.20 is an exploded perspective view of a lighting apparatus including a light emitting device package according to an embodiment. 20, the illumination device includes a light source 750 that emits light, a heat dissipation unit 740 that emits heat of the light source, a housing 700 that houses the light source 750 and the heat dissipation unit 740, And a holder 760 coupling the light source 750 and the heat dissipating unit 740 to the housing 700.

하우징(700)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(710)와, 소켓 결합부(710)와 연결되고 광원(750)이 내장되는 몸체부(730)를 포함할 수 있다. 몸체부(730)에는 하나의 공기 유동구(720)가 관통하여 형성될 수 있다.The housing 700 may include a socket coupling portion 710 coupled to an electric socket (not shown), and a body portion 730 connected to the socket coupling portion 710 and having a light source 750 embedded therein. One air flow hole 720 may be formed through the body portion 730.

하우징(700)의 몸체부(730) 상에 복수 개의 공기 유동구(720)가 구비될 수 있으며, 공기 유동구(720)는 하나이거나, 복수 개일 수 있다. 공기 유동구(720)는 몸체부(730)에 방사상으로 배치되거나 다양한 형태로 배치될 수 있다.A plurality of air flow holes 720 may be provided on the body portion 730 of the housing 700 and one or more air flow holes 720 may be provided. The air flow port 720 may be disposed radially or in various forms on the body portion 730.

광원(750)은 기판(754) 상에 실장되는 복수 개의 발광 소자 패키지(752)를 포함할 수 있다. 기판(754)은 하우징(700)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(740)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 발광 소자 패키지(752)는 도 7, 도 12, 또는 도 13에 도시된 돌출 패턴(70, 70-1,70-2)을 가질 수 있고, 돌출 패턴(70, 70-1,70-2)에 포함되는 돌기는 도 8 내지 도 10에 도시된 실시 예들 중 어느 하나일 수 있다. The light source 750 may include a plurality of light emitting device packages 752 mounted on the substrate 754. [ The substrate 754 may have a shape that can be inserted into the opening of the housing 700 and may be made of a material having a high thermal conductivity to transmit heat to the heat dissipating unit 740 as described later. For example, the light emitting device package 752 may have the protruding patterns 70, 70-1, and 70-2 shown in FIGS. 7, 12, or 13, and the protruding patterns 70, 70-1, 2 may be any one of the embodiments shown in Figs. 8 to 10. Fig.

광원(750)의 하부에는 홀더(760)가 구비되며, 홀더(760)는 프레임 및 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 광원(750)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 광원(750)의 발광 소자 패키지(752)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.A holder 760 is provided below the light source 750, and the holder 760 may include a frame and other air flow holes. Although not shown, an optical member may be provided under the light source 750 to diffuse, scatter, or converge light projected from the light emitting device package 752 of the light source 750.

도 21은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다. 도 21을 참조하면, 표시 장치(800)는 바텀 커버(810)와, 바텀 커버(810) 상에 배치되는 반사판(820)과, 광을 방출하는 발광 모듈(830, 835)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 발광 모듈(830,835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850,860)을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널(870)과, 디스플레이 패널(870)과 연결되고 디스플레이 패널(870)에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로(872)와, 디스플레이 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버(810), 반사판(820), 발광 모듈(830,835), 도광판(840), 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.21 shows a display device including the light emitting device package according to the embodiment. 21, the display device 800 includes a bottom cover 810, a reflection plate 820 disposed on the bottom cover 810, light emitting modules 830 and 835 for emitting light, a reflection plate 820 A light guide plate 840 disposed in front of the light emitting module 830 and guiding the light emitted from the light emitting modules 830 and 835 to the front of the display device and prism sheets 850 and 860 disposed in front of the light guide plate 840, An image signal output circuit 872 connected to the display panel 870 and supplying an image signal to the display panel 870 and a display panel 870 disposed in front of the display panel 870, And a color filter 880 disposed therein. Here, the bottom cover 810, the reflection plate 820, the light emitting modules 830 and 835, the light guide plate 840, and the optical sheet may form a backlight unit.

발광 모듈은 기판(830) 상에 실장되는 발광 소자 패키지들(835)을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있으며, 발광 소자 패키지(835)는 도 7, 도 12, 또는 도 13에 도시된 돌출 패턴(70, 70-1,70-2)을 가질 수 있고, 돌출 패턴(70, 70-1,70-2)에 포함되는 돌기는 도 8 내지 도 10에 도시된 실시 예들 중 어느 하나일 수 있다.The light emitting module may include light emitting device packages 835 mounted on the substrate 830. Here, the substrate 830 may be a PCB or the like, and the light emitting device package 835 may have the protruding patterns 70, 70-1, and 70-2 shown in FIGS. 7, 12, or 13 , The protrusions included in the protruding patterns 70, 70-1 and 70-2 may be any of the embodiments shown in FIGS.

바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 810 can house components within the display device 800. [ Also, the reflection plate 820 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be provided on the rear surface of the light guide plate 840 or on the front surface of the bottom cover 810 in a state of being coated with a highly reflective material .

여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the reflection plate 820 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and polyethylene terephthalate (PET) can be used.

도광판(830)은 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.The light guide plate 830 may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE).

그리고, 제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 850 may be formed of a light-transmissive and elastic polymeric material on one side of the support film, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of three-dimensional structures are repeatedly formed. Here, as shown in the drawings, the plurality of patterns may be provided with a floor and a valley repeatedly as stripes.

그리고, 제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 디스플레이 패널(1870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 860, the direction of the floor and the valley on one side of the supporting film may be perpendicular to the direction of the floor and the valley on one side of the supporting film in the first prism sheet 850. This is for evenly distributing the light transmitted from the light emitting module and the reflective sheet to the front surface of the display panel 1870.

그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.Although not shown, a diffusion sheet may be disposed between the light guide plate 840 and the first prism sheet 850. The diffusion sheet may be made of polyester and polycarbonate-based materials, and the light incidence angle can be maximized by refracting and scattering light incident from the backlight unit. The diffusion sheet includes a support layer including a light diffusing agent, a first layer formed on the light exit surface (first prism sheet direction) and a light incidence surface (in the direction of the reflection sheet) . &Lt; / RTI >

실시 예에서 확산 시트, 제1 프리즘시트(850), 및 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In an embodiment, the diffusion sheet, the first prism sheet 850, and the second prism sheet 860 make up an optical sheet, which may be made of other combinations, for example a microlens array, A combination of one prism sheet and a microlens array, or the like.

디스플레이 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 표시 장치가 구비될 수 있다.The display panel 870 may include a liquid crystal display (LCD) panel, and may include other types of display devices that require a light source in addition to the liquid crystal display panel 860.

도 22는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프(head lamp, 900)를 나타낸다. 도 22를 참조하면, 해드 램프(900)는 발광 모듈(901), 리플터(reflector, 902), 쉐이드(903), 및 렌즈(904)를 포함한다.FIG. 22 shows a head lamp 900 including the light emitting device package according to the embodiment. Referring to FIG. 22, the head lamp 900 includes a light emitting module 901, a reflector 902, a shade 903, and a lens 904.

발광 모듈(901)은 기판(미도시) 상에 배치되는 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다. 이때 발광 모듈(901)에 포함되는 발광 소자 패키지는 도 7, 도 12, 또는 도 13에 도시된 돌출 패턴(70, 70-1,70-2)을 가질 수 있고, 돌출 패턴(70, 70-1,70-2)에 포함되는 돌기는 도 8 내지 도 10에 도시된 실시 예들 중 어느 하나일 수 있다.The light emitting module 901 may include a light emitting device package disposed on a substrate (not shown). In this case, the light emitting device package included in the light emitting module 901 may have the protruding patterns 70, 70-1, and 70-2 shown in FIGS. 7, 12, or 13, The protrusions included in the protrusions 1,70-2 may be any of the embodiments shown in Figs.

리플렉터(902)는 발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛(911)을 일정 방향, 예컨대, 전방(912)으로 반사시킬 수 있다.The reflector 902 can reflect the light 911 emitted from the light emitting module 901 in a predetermined direction, for example, toward the front 912.

쉐이드(903)는 리플렉터(902)와 렌즈(904) 사이에 배치되며, 리플렉터(902)에 의하여 반사되어 렌즈(904)로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 부재로서, 쉐이드(903)의 일측부(903-1)와 타측부(903-2)는 서로 높이가 다를 수 있다.The shade 903 is disposed between the reflector 902 and the lens 904 and reflects off or reflects a part of the light reflected by the reflector 902 toward the lens 904 to form a light distribution pattern desired by the designer. The one side portion 903-1 and the other side portion 903-2 of the shade 903 may have different heights from each other.

발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛은 리플렉터(902) 및 쉐이드(903)에서 반사된 후 렌즈(904)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다. 렌즈(904)는 리플렉터(902)에 의하여 반사된 빛을 전방으로 굴절시킬 수 있다.The light emitted from the light emitting module 901 can be reflected by the reflector 902 and the shade 903 and then transmitted through the lens 904 and directed toward the front of the vehicle body. The lens 904 can refract the light reflected by the reflector 902 forward.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

10: 패키지 몸체 20: 발광 소자
31: 제1 리드 프레임 32: 제2 리드 프레임
40: 수지층 70,70-1,70-2: 돌출 패턴
71-1 내지 71-k, 72-1 내지 72-k, 73: 돌기
101: 바닥부 102: 측벽부.10: package body 20: light emitting element
31: first lead frame 32: second lead frame
40: resin layer 70, 70-1, 70-2: protruding pattern
71-1 to 71-k, 72-1 to 72-k, 73:
101: bottom part 102: side wall part.

Claims

A first lead frame and a second lead frame;
A light emitting element electrically connected to the first lead frame and the second lead frame; And
And a package body disposed on the first lead frame and the second lead frame, the package body including a bottom portion and a side wall portion located around the light emitting element,
Wherein an upper surface of the first lead frame has a first portion exposed from the bottom portion and an upper surface of the second lead frame has a first portion exposed from the bottom portion,
Wherein the light emitting element is disposed on first portions of the first and second lead frames,
The upper surface of the bottom portion surrounds the first portion of each of the first and second lead frames, the upper surface of the bottom portion is formed with first protruding lines spaced from each other and second protruding lines spaced from each other,
The first protruding lines and the second protruding lines being orthogonal,
Wherein each of the first protruding lines includes a plurality of first protrusions,
Each of the second projecting lines including a plurality of second projections,
Wherein the first protrusions and the second protrusions are arranged to surround the first portions of the first and second lead frames.

The method according to claim 1,
The longitudinal direction of each of the first projecting lines is a direction perpendicular to the direction from the first lead frame to the second lead frame,
And the longitudinal direction of each of the second projecting lines is a direction parallel to a direction from the first lead frame to the second lead frame.

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The method according to claim 1,
Wherein the first protrusions are spaced apart from each other, and the second protrusions are spaced apart from each other.

The method according to claim 1,
The first protrusions being in contact with each other, and the second protrusions being in contact with each other.

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The method according to claim 2, wherein
Wherein a first groove is formed in a first region of an upper surface of each of the first and second lead frames, the bottom portion is disposed in the first groove, and the first projecting lines and the second projecting lines 1,
A second groove is formed in a second region of the upper surface of each of the first and second lead frames, and a protrusion inserted into the second groove is formed on a bottom surface of the side wall portion.

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