KR102065778B1

KR102065778B1 - Light emitting device

Info

Publication number: KR102065778B1
Application number: KR1020130088199A
Authority: KR
Inventors: 강고운; 백지현; 이정식; 한대섭; 황정현
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2013-07-25
Filing date: 2013-07-25
Publication date: 2020-01-13
Anticipated expiration: 2033-07-25
Also published as: KR20150012552A

Abstract

실시예에 따른 발광소자는, 기판, 상기 기판상의 제1 도전성 반도체층, 상기 제1 도전성 반도체층상의 활성층, 및 상기 활성층 상의 제2 도전성 반도체층을 포함하고, 상기 제1 도전성 반도체층은, 상면에 오목한 복수의 제1만입부를 포함하는 제1층, 상기 제1층 상에 배치되는 제2층 및 상기 제2층 상에 배치되는 제3층을 포함하며, 상기 제1층은 불순물이 도핑되고, 상기 제2층은 불순물이 도핑되지 않은 언도프층이고, 상기 제3층은 InAlGaN을 포함할 수 있다.A light emitting device according to an embodiment includes a substrate, a first conductive semiconductor layer on the substrate, an active layer on the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer on the active layer, wherein the first conductive semiconductor layer has an upper surface. A first layer comprising a plurality of first indentations, a second layer disposed on the first layer, and a third layer disposed on the second layer, the first layer being doped with impurities The second layer may be an undoped layer which is not doped with impurities, and the third layer may include InAlGaN.

Description

Light emitting device

실시예는 발광소자에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device.

발광소자(Light Emitting Device, LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.Light Emitting Device (LED) is a device that converts an electric signal into infrared, visible or light form by using the characteristics of compound semiconductor.It is used for home appliances, remote control, electronic signboards, indicators, and various automation devices. LED's usage area is getting wider.

보통, 소형화된 발광소자는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 발광소자도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용될 수 있다.In general, miniaturized light emitting devices are made of a surface mount device type for direct mounting on a printed circuit board (PCB) substrate. Accordingly, light emitting devices used as display devices are also developed as surface mount devices. have. Such a surface-mounting device can replace a conventional simple lighting lamp, and can be used as a lighting display that emits various colors, a character display, and an image display.

한편, 발광소자는 기판과 반도체층 사이의 큰 격자 불일치로 인하여 반도체층에 많은 전위(Dislocation) 등의 결정결함이 형성될 수 있으며, 이러한 결정결함은 발광소자의 누설전류를 증가시키고, 외부 정전기가 인가될 경우 발광소자의 활성층이 강한 필드에 의해서 파괴될 수 있다. 따라서, 발광 소자를 조명장치 등에 활용하기 위해서는 일정 수준 이상의 정전기 방전(Electrostatic Discharge, ESD)에 대한 내성이 요구된다.On the other hand, in the light emitting device, crystal defects such as dislocations may be formed in the semiconductor layer due to a large lattice mismatch between the substrate and the semiconductor layer. Such crystal defects increase leakage current of the light emitting device, and external static When applied, the active layer of the light emitting device can be destroyed by the strong field. Therefore, in order to utilize the light emitting device in a lighting device or the like, resistance to a certain level of electrostatic discharge (ESD) is required.

정전기 방전에 대한 내성을 가지고, 발광효율이 향상된 발광소자를 제공함에 있다.It is to provide a light emitting device having resistance to electrostatic discharge and improved luminous efficiency.

실시예는, 전위(Dislocation)에 의한 누설전류를 감소시키며, 정전기 방전에 대한 내성을 향상시킬 수 있다.The embodiment can reduce leakage current due to dislocation and improve resistance to electrostatic discharge.

또한, 제3층이 InAlGaN을 포함하여서, 전위 상에 형성되는 제3만입부의 크기를 자유롭게 조절하면서도, 제3층과 활성층 사이에 발생하는 응력(Strain)을 완화하는 이점이 있다.In addition, since the third layer includes InAlGaN, there is an advantage in that the stress generated between the third layer and the active layer is relaxed while freely adjusting the size of the third indentation formed on the dislocation.

또한 제3만입부의 크기를 쉽게 조절할 수 있으므로, 제1 내지 제3만입부로 생성되지 못한 전위가 활성층 및 제2반도체층에 전달되는 것을 방지하여, 발광소자의 품질을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, since the size of the third indentation can be easily adjusted, the potential that is not generated by the first to third indentations can be prevented from being transferred to the active layer and the second semiconductor layer, thereby improving the quality of the light emitting device.

또한, 제3만입부의 크기를 조절하여서, 활성층의 상면에 제3만입부의 형상에 의해 형성되는 오목부의 크기를 줄일 수 있어서, 발광면적을 확대하고 발광효율을 증가시키는 효과를 가진다.
In addition, by adjusting the size of the third indentation, the size of the concave portion formed by the shape of the third indentation on the upper surface of the active layer can be reduced, thereby increasing the light emitting area and increasing the luminous efficiency.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 도시한 평면도,
도 2a은 도 1의 A-A 선을 따른 단면을 도시한 단면도,
도 2b는 도 2a의 B-B 선을 따른 단면을 도시한 단면도,
도 2c는 도 2a의 C-C 선을 따른 단면을 도시한 단면도,
도 3은 도 2a의 D 영역을 확대한 확대 단면도,
도 4은 실시예에 따른 제1층 상에 제1만입부를 설명하기 위한 참고도,
도 5은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이고,
도 6는 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 7는 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 표시장치의 분해 사시도,
도 8은 도 7의 표시장치의 단면도,
도 9은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다.1 is a plan view showing a light emitting device according to an embodiment of the present invention;
Figure 2a is a cross-sectional view showing a cross section along the line AA of Figure 1,
FIG. 2B is a cross-sectional view showing a section along the BB line of FIG. 2A;
2C is a cross-sectional view illustrating a cross section along line CC of FIG. 2A;
3 is an enlarged cross-sectional view illustrating an enlarged area D of FIG. 2A;
4 is a reference diagram for explaining a first indentation on the first layer according to the embodiment;
5 is a perspective view showing a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiment,
6 is a cross-sectional view showing a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiment.
7 is an exploded perspective view of a display device including a light emitting device according to the embodiment;
8 is a cross-sectional view of the display device of FIG. 7;
9 is an exploded perspective view of a lighting device including a light emitting device according to the embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The spatially relative terms " below ", " beneath ", " lower ", " above ", " upper " It may be used to easily describe the correlation of a device or components with other devices or components. Spatially relative terms are to be understood as terms that include different directions of the device in use or operation in addition to the directions shown in the figures. For example, when flipping a device shown in the figure, a device described as "below" or "beneath" of another device may be placed "above" of another device. Thus, the exemplary term "below" can encompass both an orientation of above and below. The device can also be oriented in other directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, “comprises” and / or “comprising” refers to the presence of one or more other components, steps, operations and / or elements. Or does not exclude additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. In addition, the terms defined in the commonly used dictionaries are not ideally or excessively interpreted unless they are specifically defined clearly.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다. In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size and area of each component does not necessarily reflect the actual size or area.

또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.In addition, the angle and direction mentioned in the process of describing the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those described in the drawings. In the description of the structure constituting the light emitting device in the specification, if the reference point and the positional relationship with respect to the angle is not clearly mentioned, reference is made to related drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자를 도시한 평면도, 도 2a은 도 1의 A-A 선을 따른 단면을 도시한 단면도, 도 2b는 도 2a의 B-B 선을 따른 단면을 도시한 단면도, 도 2c는 도 2a의 C-C 선을 따른 단면을 도시한 단면도, 도 3은 도 2a의 D 영역을 확대한 확대 단면도, 도 4은 실시예에 따른 제1층 상에 제1만입부를 설명하기 위한 참고도이다.1 is a plan view showing a light emitting device according to an embodiment of the present invention, Figure 2a is a cross-sectional view showing a cross-section along the line AA of Figure 1, Figure 2b is a cross-sectional view showing a cross-section along the line BB of Figure 2a, FIG. 2C is a cross-sectional view illustrating a cross section along the line CC of FIG. 2A, FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view illustrating an enlarged area D of FIG. It is also.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(100)는, 기판(110), 기판(110) 상의 제1 도전성 반도체층(120), 제1 도전성 반도체층(120) 상의 활성층(130), 활성층(130) 상의 제2 도전성 반도체층(140)을 포함할 수 있고, 제1 도전성 반도체층(120)은 제1층(121), 제2층(123) 및 제3층(125)을 포함할 수 있다.1 to 4, the light emitting device 100 according to the embodiment may include a substrate 110, a first conductive semiconductor layer 120 on the substrate 110, and an active layer on the first conductive semiconductor layer 120. 130, the second conductive semiconductor layer 140 on the active layer 130, and the first conductive semiconductor layer 120 may include the first layer 121, the second layer 123, and the third layer 125. ) May be included.

또한, 제3층(125)과 활성층(130) 사이에 배치되는 스트레인 완화층(135)을 더 포함할 수 있다.In addition, the strain relief layer 135 may be further included between the third layer 125 and the active layer 130.

기판(110)은 광 투과적 성질을 가지는 재질, 예를 들어 사파이어(Al₂O₃), GaN, ZnO, AlO 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. 또한, 기판(110)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하여 예를 들어, 사파이어(Al₂O₃) 기판에 비해 열전도성이 큰 SiC 기판 또는 Si, GaAs, GaP, InP, Ga₂O₃ 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. The substrate 110 may be formed of a material having a light transmitting property, for example, any one of sapphire (Al ₂ O ₃ ), GaN, ZnO, AlO, but is not limited thereto. In addition, the substrate 110 may be formed of a material suitable for growth of a semiconductor material, a carrier wafer. It may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and includes a conductive substrate or an insulating substrate, for example, a SiC substrate having a higher thermal conductivity than a sapphire (Al ₂ O ₃ ) substrate or Si, GaAs, GaP, InP, Ga ₂ At least one of O ₃ may be used.

도시하지는 않았으나, 기판(110) 상에는 기판(110)과 제1 도전성 반도체층(120) 간의 격자 부정합을 완화하는 버퍼층(미도시)이 위치할 수 있다. 버퍼층(미도시)은 기판(110)상에 단결정으로 성장할 수 있으며, 단결정으로 성장한 버퍼층(미도시)은 버퍼층(미도시)상에 성장하는 제1 도전성 반도체층(120)의 결정성을 향상시킬 수 있다. Although not shown, a buffer layer (not shown) may be disposed on the substrate 110 to mitigate lattice mismatch between the substrate 110 and the first conductive semiconductor layer 120. The buffer layer (not shown) may be grown on the substrate 110 as a single crystal, and the buffer layer (not shown) grown as the single crystal may improve crystallinity of the first conductive semiconductor layer 120 growing on the buffer layer (not shown). Can be.

버퍼층(미도시)은 In_xAl_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, 및 InAlGaN 과 같은 재질 중에서 선택될 수 있다.The buffer layer (not shown) is a semiconductor material having a composition formula of In _x Al _y Ga _(1-xy ) N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1), for example, GaN, It may be selected from materials such as InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, and InAlGaN.

제1 도전성 반도체층(120)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며 제1 도전성 도펀트가 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전성 반도체층(120)은 n형 반도체층으로 구현되어, 활성층(140)에 전자를 제공할 수 있다. 제1 도전성 반도체층(120)은 In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 120 may be formed of a semiconductor compound and may be doped with the first conductive dopant. For example, the first conductive semiconductor layer 120 may be implemented as an n-type semiconductor layer to provide electrons to the active layer 140. The first conductive semiconductor layer 120 is a semiconductor material having a composition formula of In _x Al _y Ga _1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1), for example, GaN , AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, and the like, and n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, Te, and the like may be doped.

한편, 제1 도전성 반도체층(120)은 제1층(121), 제2층(123) 및 제3층(125)을 포함할 수 있으며, 제1층(121)의 상면에는 아래 방향으로 오목한 제1만입부(122)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the first conductive semiconductor layer 120 may include the first layer 121, the second layer 123, and the third layer 125, and may be concave downward on the top surface of the first layer 121. It may include a first indentation (122).

제1층(121)은 n형 도펀트가 도핑된 층일 수 있으며, 제1층(121)의 성장 시 온도 조절에 의해 제1만입부(122)가 형성되도록 할 수 있다. The first layer 121 may be a layer doped with an n-type dopant, and the first indentation 122 may be formed by temperature control when the first layer 121 is grown.

예를 들어, 제1층(121)을 온도 550~940℃, 압력 100~500torr로 하여 성장시키면, 제1층(121)의 상면에 제1만입부(122)가 형성되도록 할 수 있다.For example, when the first layer 121 is grown at a temperature of 550 to 940 ° C. and a pressure of 100 to 500 torr, the first indentation 122 may be formed on the upper surface of the first layer 121.

제1층(121)의 성장 초기에는 1000℃ 이상의 고온에서 성장시키며, 성장의 마지막 단계에서, 성장 온도를 550~940℃로 낮추게 되면, 제1만입부(122)가 형성되게 된다. 또한, 제1층(121)의 성장 초기에는 1000℃ 이상의 고온에서 성장시키고, Ga 소스(TGMA 등), N 소스(NH3 등) 및 H₂ 등을 공급하다가, 성장의 마지막 단계에서, 성장 온도를 550~940℃로 낮추고, Ga 소스와 N 소스를 중단하거나 줄임으로써 제1만입부(122)가 형성되게 된다.In the initial stage of growth of the first layer 121 is grown at a high temperature of 1000 ℃ or more, and in the last step of the growth, when the growth temperature is lowered to 550 ~ 940 ℃, the first inlet 122 is formed. In addition, the growth of the first layer 121 is grown at a high temperature of 1000 ° C. or higher, and Ga source (TGMA, etc.), N source (NH 3, etc.), H _2, and the like are supplied. Lowering to 550 ~ 940 ℃, the first source portion 122 is formed by stopping or reducing the Ga source and N source.

한편, 제1 도전성 반도체층(120)은 In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 성장하므로, 제1만입부(122)는 도 4에서 도시하는 바와 같이, 단면이 제1층(121)의 성장면(0,0,0,1)과 이어진 두 개의 경사면인 제1 경사면(1,-1,0,2)과 제2 경사면(-1,1,0,2)에 의해 "V" 형상을 가질 수 있다. 또한, 제1만입부(122)를 평면에서 보면 육각형의 모양을 가지며 형성될 수 있다. 즉, 제1만입부(122)는 쐐기 또는 육각뿔 (헥사고날(hexagonal))의 형상을 가질 수 있다. 제1만입부(122)의 형상은 이에 한정하지 않으며 예를 들어 단면 및 평면에서 본 형상은 반원형, 원형, 다각형 등으로 형성할 수 있다.Meanwhile, the first conductive semiconductor layer 120 grows into a semiconductor material having a composition formula of In _x Al _y Ga _1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). As shown in FIG. 4, the first indentation part 122 has a first inclined surface 1,-that is a cross-section having two inclined surfaces connected to the growth surface 0,0,0,1 of the first layer 121. 1,0, 2 and the second inclined surfaces (-1, 1, 0, 2) may have a "V" shape. In addition, the first indentation part 122 may have a hexagonal shape in plan view. That is, the first indentation 122 may have a shape of a wedge or hexagonal pyramid (hexagonal). The shape of the first indentation 122 is not limited thereto. For example, the shape of the first indentation 122 may be formed in a semicircle, a circle, a polygon, or the like.

일반적으로, 질화물 반도체층 및 그의 합성물들은 육방정계 결정구조(특히, hexagonal wurzite structure)에서 가장 안정적이다. 반도체 성장공정에서, 온도의 변화 또는 챔버 내의 소스의 변화되면, 질화물 반도체층의 안정적인 구조를 가지지 않고 결함이 생성되게 되는데, 이 결함은 확률적으로 전위(190)가 형성된 부분에 형성되게 되어 제1만입부(122)를 형성한다. 제1만입부(122)의 형상은 질화물 반도체층의 육방정계 결정구조로 인해 육각뿔 (헥사고날(hexagonal))의 형상을 가지는 것이 일반적이며 이 외에도 성장 조건등의 조절을 통해 다양한 형태의 형상을 가질 수도 있다.In general, the nitride semiconductor layer and its composites are most stable in hexagonal crystal structure (especially hexagonal wurzite structure). In the semiconductor growth process, a change in temperature or a change in a source in the chamber causes a defect to be generated without having a stable structure of the nitride semiconductor layer. An indentation 122 is formed. The first indentation part 122 has a hexagonal pyramid shape (hexagonal) due to the hexagonal crystal structure of the nitride semiconductor layer. In addition, the shape of the first indentation part 122 is controlled through growth conditions. May have

이와 같은 제1만입부(122)는 전위(190)가 형성된 부분에 선택적으로 발생하게 되며, 제1만입부(122)는 꼭지점 부분의 저항(R₂)이 제1층(121)의 성장면(0,0,0,1)의 저항(R₁)보다 크므로, 전위(190)가 발생한 부위의 저항을 높일 수 있다. 따라서, 정전기가 인가될 때 전위(190)를 통해 집중되는 전류를 차단하고, 전위(190)에 의한 누설전류를 감소시켜, 발광소자(100)의 ESD (Electrostatic Discharge) 내성이 향상될 수 있다. 이때, 전류는 저항이 낮고 결정성이 우수한 제1층(121)의 성장면(0,0,0,1)을 통해 이동할 수 있다.The first indentation 122 may be selectively generated at a portion where the dislocation 190 is formed, and the first indentation 122 has a resistance R ₂ at the vertex portion of the growth surface of the first layer 121. Since it is larger than the resistance R ₁ of (0,0,0,1), the resistance of the portion where the potential 190 occurs can be increased. Therefore, when static electricity is applied, the electric current concentrated through the potential 190 is cut off, and the leakage current caused by the potential 190 is reduced, so that electrostatic discharge (ESD) resistance of the light emitting device 100 may be improved. In this case, the current may move through the growth surfaces 0, 0, 0, 1 of the first layer 121 having low resistance and excellent crystallinity.

제1층(121)의 상면에 형성되는 제1만입부(122)는 제1층(121) 내부에 형성된 전위(190) 상에 수직적으로 중첩되게 위치될 수 있다. 또한, 제1만입부(122)의 꼭지점과 전위(190)의 일단이 접촉될 수 있다. 여기서, "수직적으로 중첩된다" 의 의미는 도 2를 기준으로 위아래방향을 따라 중첩되는 것을 의미할 수 있다.The first indentation 122 formed on the upper surface of the first layer 121 may be positioned to vertically overlap the dislocation 190 formed in the first layer 121. In addition, one end of the dislocation 190 may be in contact with the vertex of the first indentation 122. Here, the term "vertically overlapped" may mean overlapping in an up and down direction based on FIG. 2.

제1만입부(122)는 제1층(121)의 상면에 복수 개가 불규칙적으로 배치될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
A plurality of first indents 122 may be irregularly disposed on the upper surface of the first layer 121, but is not limited thereto.

제2층(123)은 제1층(121) 상에 적층될 수 있다. 제2층(123)은 불순물의 도핑이 이루어지지 않은 언도프(undoped)층일 수 있다. 제2층(123)은 제1만입부(122)와 수직적으로 중첩되는 위치에 형성되는 제2만입부(124)를 포함할 수 있다.The second layer 123 may be stacked on the first layer 121. The second layer 123 may be an undoped layer that is not doped with impurities. The second layer 123 may include a second indentation part 124 formed at a position vertically overlapping with the first indentation part 122.

제2만입부(124)는 제1만입부(122) 상에 제1만입부(122)와 대응되는 형상을 가지고 형성될 수 있다. 제2만입부(124)는 제2층(123)이 적층되는 과정에서 제1만입부(122)의 형상에 의해 형성될 수 있다.The second indentation part 124 may be formed on the first indentation part 122 to have a shape corresponding to the first indentation part 122. The second indentation 124 may be formed by the shape of the first indentation 122 in the process of stacking the second layer 123.

예를 들면, 제2만입부(124)는 도 3에서 도시하는 바와 같이, 단면이 "V" 형상을 가질 수 있고, 이를 평면에서 보면 육각형의 모양을 가지며 형성될 수 있다. 즉, 제2만입부(124)는 쐐기 또는 육각뿔의 형상을 가질 수 있다. 제2만입부(124)의 형상은 이에 한정하지 않으며 예를 들어 단면 및 평면에서 본 형상은 반원형, 원형, 다각형 등으로 형성할 수 있다.For example, as shown in FIG. 3, the second indentation part 124 may have a “V” shape in cross section, and may have a hexagonal shape when viewed in plan view. That is, the second indentation 124 may have a shape of a wedge or hexagonal pyramid. The shape of the second indentation part 124 is not limited thereto, and for example, the shape seen in the cross section and the plane may be formed in a semicircle, a circle, a polygon, or the like.

한편, 제2만입부(124)의 크기는 제1만입부(122)의 크기 보다 클 수 있다. 여기서, 제1만입부(122) 및 제2만입부(124)의 크기는 폭, 깊이, 체적 등을 의미할 것이다.On the other hand, the size of the second indentation 124 may be larger than the size of the first indentation 122. Here, the sizes of the first indentation 122 and the second indentation 124 may mean a width, depth, volume, and the like.

예를 들면, 제1만입부(122) 상에 형성되는 제2만입부(124)의 깊이는 제1만입부(122)의 깊이 보다 클 수 있다. 또한, 제1만입부(122) 상에 형성되는 제2만입부(124)의 폭(L2)은 제1만입부(122)의 폭(L1) 보다 클 수 있다.
For example, the depth of the second indentation 124 formed on the first indentation 122 may be greater than the depth of the first indentation 122. In addition, the width L2 of the second indentation 124 formed on the first indentation 122 may be greater than the width L1 of the first indentation 122.

제3층(125)은 제2층(123) 상에 적층된다. 제3층(125)은 제2만입부(124)와 수직적으로 중첩되는 위치에 형성되는 제3만입부(126)를 포함할 수 있다.The third layer 125 is stacked on the second layer 123. The third layer 125 may include a third indentation part 126 formed at a position perpendicular to the second indentation part 124.

제3층(125)은 In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)으로 형성할 수 있다. 예를 들어, 제3층(125)는 InAlGaN을 포함하여 900℃ 이상의 온도에서 형성될 수 있다. 제3층(125)에 포함된 InAlGaN의 In, Al의 함량 조절 및 제3층(125)의 두께를 통해 제3만입부(126)의 크기 조절이 가능하다.The third layer 125 may be formed of In _x Al _y Ga _1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). For example, the third layer 125 may be formed at a temperature of 900 ° C. or more including InAlGaN. It is possible to control the size of the third indentation part 126 by adjusting the In and Al content of InAlGaN included in the third layer 125 and the thickness of the third layer 125.

제3층(125)의 Al(알루미늄)은 격자 크기가 작아서 제1만입부(122) 상에 형성된 제2만입부(124)를 메울 수 있다. 따라서, Al(알루미늄은)의 함량과 제3층(125)의 두께의 조절로 인해 제3만입부(126)의 크기를 조절할 수 있다.Al (aluminum) of the third layer 125 may have a small lattice size to fill the second indentation 124 formed on the first indentation 122. Therefore, the size of the third indentation part 126 may be adjusted by adjusting the content of Al (aluminum) and the thickness of the third layer 125.

제3층(125)에 도핑되는 Al(알루미늄)의 함량은 0.06(6%) 내지 0.1(10%)로 형성할 수 있다. 제3층(125)의 Al(알루미늄)의 함량이 0.06(6%) 보다 작은 경우, 제2만입부(124)를 메우는 효과가 적고, 제3층(125)의 Al(알루미늄)의 함량이 0.1(10%) 보다 많은 경우, 인장 응력(tensile stress)이 커지게 되어서 발광소자의 품질이 저하되는 문제가 발생할 수 있다. The content of Al (aluminum) doped in the third layer 125 may be 0.06 (6%) to 0.1 (10%). When the content of Al (aluminum) of the third layer 125 is less than 0.06 (6%), the effect of filling the second indentation 124 is less, and the content of Al (aluminum) of the third layer 125 is If more than 0.1 (10%), the tensile stress (tensile stress) becomes large may cause a problem that the quality of the light emitting device is degraded.

제3층(125)의 In(인듐)은 제3층(125)과 활성층(130) 사이의 격자상수 차이로 발생하는 응력(Strain)을 완화할 수 있다.In (indium) of the third layer 125 may relieve stress caused by the lattice constant difference between the third layer 125 and the active layer 130.

제3층(125)에 도핑되는 In(인듐)의 함량은 0.02(2%) 내지 0.05(5%)로 형성할 수 있다. 제3층(125)의 In(인듐)의 함량이 0.02(2%) 보다 작은 경우, 응력(Strain) 완화 효과가 적고, 제3층(125)의 In(인듐)의 함량이 0.05(5%) 보다 많은 경우, 표면의 질이 저하되고, 스파이럴(spiral)이 형성되는 문제가 있다. The content of In (indium) doped in the third layer 125 may be 0.02 (2%) to 0.05 (5%). When the In (indium) content of the third layer 125 is less than 0.02 (2%), the stress relaxation effect is less, and the In (Indium) content of the third layer 125 is 0.05 (5%). In more cases, there is a problem that the quality of the surface is degraded, and spiral is formed.

따라서, 제3층(125)을 InAlGaN을 포함하여 형성할 경우, In(인듐)과 Al(알루미늄)의 함량 조절을 통해 전위(190) 상에 형성되는 제3만입부(126)의 크기를 자유롭게 조절하면서도, 활성층(130) 사이에 발생하는 응력(Strain)을 완화하는 이점이 있다. 제3층(125)는 InAlGaN 대신에 AlGaN을 포함하여 형성할 수도 있으나 이에 한정하지 않는다.Therefore, when the third layer 125 is formed including InAlGaN, the size of the third indentation portion 126 formed on the potential 190 is freely controlled by controlling the content of In (indium) and Al (aluminum). While adjusting, there is an advantage to relieve the stress (Strain) generated between the active layer 130. The third layer 125 may include AlGaN instead of InAlGaN, but is not limited thereto.

또한, 제3만입부(126)의 크기를 조절하여서, 제1 내지 제3만입부(126)로 생성되지 못한 전위(190)가 활성층(130) 및 제2반도체층(150)에 전달되는 것을 방지하여, 발광소자의 품질을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, by adjusting the size of the third indentation 126, the potential 190, which is not generated by the first to third indentation 126, is transferred to the active layer 130 and the second semiconductor layer 150. There is an advantage in that it is possible to improve the quality of the light emitting device.

또한, 제3만입부(126)의 크기를 조절하여서, 활성층(130)의 상면에 제3만입부(126)의 형상에 의해 형성되는 제5만입부(131)의 크기를 줄일 수 있어서, 발광면적을 확대하고 발광효율을 증가시키는 효과를 가진다.In addition, by adjusting the size of the third indent 126, the size of the fifth indent 131 formed on the upper surface of the active layer 130 by the shape of the third indent 126 may be reduced, thereby emitting light. It has the effect of enlarging the area and increasing the luminous efficiency.

제3만입부(126)의 크기는 제3층(125)의 두께에 의해서도 결정될 수 있다. 예를 들어, 제3층(125)의 두께는 2nm 내지 20nm의 범위로 형성할 수 있다. 제3층(125)의 두께를 2nm보다 얇게 형성할 경우, 제3만입부(126)의 크기가 커질 수 있고 이로 인해 전류 확산 효과가 줄어들어 발광 효율이 떨어지는 문제점이 생길 수 있다. 제3층(125)의 두께가 20nm보다 두껍게 형성할 경우, 제2만입부(124)를 완전히 메우게 되는 문제가 발생할 수 있다.The size of the third indentation 126 may also be determined by the thickness of the third layer 125. For example, the thickness of the third layer 125 may be formed in the range of 2 nm to 20 nm. When the thickness of the third layer 125 is formed to be thinner than 2 nm, the size of the third indentation 126 may be increased, resulting in a decrease in current spreading effect, thereby lowering luminous efficiency. If the thickness of the third layer 125 is greater than 20 nm, the second filling portion 124 may be completely filled.

제3만입부(126)는 제2만입부(124) 상에 제2만입부(124)와 대응되는 형상을 가지고 형성될 수 있다. 제3만입부(126)는 제3층(125)이 적층되는 과정에서 제2만입부(124)의 형상에 의해 형성될 수 있다.The third indentation 126 may be formed on the second indentation 124 and have a shape corresponding to that of the second indentation 124. The third indentation 126 may be formed by the shape of the second indentation 124 in the process of stacking the third layer 125.

예를 들면, 제3만입부(126)는 도 3에서 도시하는 바와 같이, 단면이 "V" 형상을 가질 수 있고, 이를 평면에서 보면 육각형의 모양을 가지며 형성될 수 있다. 즉, 제3만입부(126)는 쐐기 또는 육각뿔의 형상을 가질 수 있다. 제3만입부(126)의 형상은 이에 한정하지 않으며, 예를 들어 단면 및 평면에서 본 형상은 반원형, 원형, 다각형 등으로 형성할 수 있다.For example, as shown in FIG. 3, the third indentation part 126 may have a “V” shape in cross section, and may have a hexagonal shape when viewed in plan view. That is, the third indentation 126 may have a shape of a wedge or hexagonal pyramid. The shape of the third indentation part 126 is not limited thereto, and for example, the shape seen in the cross section and the plane may be formed in a semicircle, a circle, a polygon, or the like.

한편, 제3만입부(126)의 크기는 제2만입부(124)의 크기 보다 클 수 있다. 즉, 제2만입부(124)의 크기는 제3만입부(126)의 크기 보다 작을 수 있다.On the other hand, the size of the third indentation 126 may be larger than the size of the second indentation 124. That is, the size of the second indent 124 may be smaller than the size of the third indent 126.

예를 들면, 제2만입부(124) 상에 형성되는 제3만입부(126)의 폭(L3)은 제2만입부(124)의 폭(L2)보다 클 수 있다.For example, the width L3 of the third indentation 126 formed on the second indentation 124 may be greater than the width L2 of the second indentation 124.

여기서, 제1 및 제3만입부(126)의 크기는 만입부의 폭, 깊이 또는 부피를 포함하는 개념이다.Here, the size of the first and third indents 126 is a concept including the width, depth or volume of the indents.

스트레인 완화층(135)은 제3층(125)과 활성층(130) 사이에 배치된다.The strain relaxed buffer layer 135 is disposed between the third layer 125 and the active layer 130.

예를 들면, 스트레인 완화층(135)은 In_yAl_xGa_(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)/GaN 등으로 형성된 다층 구조를 가질 수 있다.For example, the strain relaxed buffer layer 135 is formed of In _y Al _x Ga _(1-xy) N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1) / GaN, or the like. It can have

상기 스트레인 완화층(135)은 제1 도전형 반도체층(121)과 활성층(130) 사이의 격자 불일치에 기이한 응력을 효과적으로 완화시킬 수 있다.The strain relaxed buffer layer 135 may effectively alleviate stresses that are odd due to lattice mismatch between the first conductive semiconductor layer 121 and the active layer 130.

또한, 스트레인 완화층(135)은 제1 In_x1GaN 및 제2 In_x2GaN 등의 조성을 갖는 적어도 5주기로 반복 적층됨에 따라, 더 많은 전자가 활성층(130)의 낮은 에너지 준위로 모이게 되며, 결과적으로 전자와 정공의 재결합 확률 이 증가되어 발광효율이 향상될 수 있다.In addition, as the strain relaxed layer 135 is repeatedly stacked in at least five cycles having a composition of 1 In _{x 1} GaN, 2 In _x 2 GaN, and the like, more electrons are collected at a lower energy level of the active layer 130, and as a result, As the probability of recombination of electrons and holes increases, luminous efficiency may be improved.

스트레인 완화층(135)은 제3만입부(126)와 수직적으로 중첩되는 위치에 형성되는 제4만입부(128)를 포함할 수 있다.The strain relaxed buffer layer 135 may include a fourth indentation 128 formed at a position vertically overlapping with the third indentation 126.

예를 들면, 제4만입부(128)는 제3만입부(126)와 수직적으로 중첩되는 위치에 제3만입부(126)와 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 제4만입부(128)의 크기(폭, 깊이, 부피)는 제3만입부(126)의 크기 보다 작게 형성될 수 있다. 제4만입부(128)의 폭(L4)은 제3만입부(126)의 폭(L3)보다 작을 수 있다.
For example, the fourth indentation 128 may be formed in a shape corresponding to the third indentation 126 at a position vertically overlapping with the third indentation 126. In addition, the size (width, depth, volume) of the fourth indentation 128 may be smaller than the size of the third indentation 126. The width L4 of the fourth indentation 128 may be smaller than the width L3 of the third indentation 126.

스트레인 완화층(135)의 두께는 20nm 내지 30nm의 범위로 형성할 수 있다. 스트레인 완화층(135)의 두께를 20nm보다 얇게 형성할 경우, 제4만입부(128)의 크기가 커질 수 있어서 활성층(130)에 형성되는 제5만입부(131)의 크기를 줄일 수 없으며, 이로 인해 전류 확산 효과가 줄어들어 발광 효율이 떨어지는 문제점이 생길 수 있다. 스트레인 완화층(135)의 두께가 30nm보다 두껍게 형성할 경우, 제3만입부(126)를 완전히 메우게 되는 문제가 발생할 수 있다.The strain relaxed buffer layer 135 may have a thickness ranging from 20 nm to 30 nm. When the thickness of the strain relaxed buffer layer 135 is formed thinner than 20 nm, the size of the fourth indentation 128 may be increased, and thus the size of the fifth indentation 131 formed in the active layer 130 may not be reduced. This may cause a problem in that the current spreading effect is reduced and the luminous efficiency is lowered. When the strain relaxed buffer layer 135 is formed to have a thickness greater than 30 nm, a problem may occur that completely fills the third indentation 126.

스트레인 완화층(135) 상에 활성층(130)이 배치된다.The active layer 130 is disposed on the strain relaxed buffer layer 135.

활성층(130)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.The active layer 130 is a region where electrons and holes are recombined. The active layer 130 transitions to a low energy level as the electrons and holes recombine, and may generate light having a corresponding wavelength.

활성층(130)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.The active layer 130 may be formed of a single or multiple quantum well structure, a quantum-wire structure, a quantum dot structure, or the like using a compound semiconductor material of a group III-V group element.

활성층(130)이 양자우물구조로 형성된 경우 예컨대, In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 In_aAl_bGa_1-a-bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 가질 수 있다. 우물층은 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.In the case where the active layer 130 has a quantum well structure, for example, a well layer having a composition formula of In _x Al _y Ga _1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1); It may have a single or quantum well structure having a barrier layer having a composition formula of In _a Al _b Ga _1-ab N (0 ≦ a ≦ 1, 0 ≦ _b ≦ ₁ , 0 ≦ a + b ≦ 1). The well layer may be formed of a material having a band gap smaller than the band gap of the barrier layer.

예를 들어 다중 양자 우물 구조의 활성층(130)은 InGaN과 GaN이 반복적으로 적층되어 형성될 수 있고, AlGaN과 GaN이 반복적으로 적층되어 형성될 수도 있다. 여기서, 활성층(130)을 이루는 물질의 종류에 따라 전자 및 홀이 결합하여 발생하는 발광 파장이 변화되기 때문에 목표로 하는 파장에 따라 활성층(130)에 포함되는 반도체 재료를 조절할 수 있다..For example, the active layer 130 of the multi-quantum well structure may be formed by repeatedly stacking InGaN and GaN, or may be formed by repeatedly stacking AlGaN and GaN. Here, since the emission wavelength generated by the combination of electrons and holes is changed according to the type of material forming the active layer 130, the semiconductor material included in the active layer 130 may be adjusted according to the target wavelength.

또한, 활성층(130)의 상면에는 제4만입부(128)에 대응되는 위치에 제4만입부(128)의 형상에 의해 형성되는 제5만입부(131)가 형성될 수 있다. In addition, a fifth indentation 131 formed by the shape of the fourth indentation 128 may be formed at a position corresponding to the fourth indentation 128 on the upper surface of the active layer 130.

제5만입부(131)는 활성층(130)의 상면에 위치된다. 제5만입부(131)는 제4만입부(128)와 수직적으로 중첩되는 위치에 선택적으로 형성될 수 있다. The fifth indentation 131 is positioned on the top surface of the active layer 130. The fifth indentation 131 may be selectively formed at a position vertically overlapping with the fourth indentation 128.

제5만입부(131)는 제4만입부(128)의 형상에 의해 활성층(130)이 적층되면서 형성될 수 있다.The fifth indentation 131 may be formed by stacking the active layers 130 by the shape of the fourth indentation 128.

제5만입부(131)의 형상은 제4만입부(128)에 대응한 형상을 가질 수 있다.The fifth indentation part 131 may have a shape corresponding to the fourth indentation part 128.

제5만입부(131)의 크기는 제4만입부(128)의 크기 보다 작을 수 있다.The size of the fifth indent 131 may be smaller than the size of the fourth indent 128.

예를 들면, 제5만입부(131)의 폭(L5)은 제4만입부(128)의 폭(L4) 보다 작을 수 있다.For example, the width L5 of the fifth indentation 131 may be smaller than the width L4 of the fourth indentation 128.

따라서, 제3층(125) 또는 스트레인 완화층(135)의 두께와 조성을 조정하여서, 활성층(130)의 상면에 형성되는 제5만입부(131)의 크기를 줄일 수 있다. 활성층(130)의 상면에 형성되는 제5만입부(131)의 크기를 줄어 들게 되면, 활성층(130)에서 비발광 영역이 줄어 줄어 들게 되므로, 발광소자의 발광효율을 크게 감소시키지 않으면서, 전위를 효과적으로 차단할 수 있는 효과를 가진다.Therefore, by adjusting the thickness and composition of the third layer 125 or the strain relaxed buffer layer 135, the size of the fifth indentation 131 formed on the upper surface of the active layer 130 can be reduced. When the size of the fifth indentation portion 131 formed on the upper surface of the active layer 130 is reduced, the non-light emitting area is reduced in the active layer 130, so that the potential of the light emitting device is not significantly reduced. Has the effect of effectively blocking.

활성층(130)의 두께는 20nm 내지 40nm의 범위로 형성할 수 있다. 활성층(130)의 두께를 20nm보다 얇게 형성할 경우, 발광영역이 줄어들게 되는 문제가 발생할 수 있다. 활성층(130)의 두께가 40nm보다 두껍게 형성할 경우, 제4만입부(128)를 완전히 메우게 되는 문제가 발생할 수 있다.The thickness of the active layer 130 may be formed in the range of 20nm to 40nm. When the thickness of the active layer 130 is formed thinner than 20 nm, a problem may occur in that the emission area is reduced. If the thickness of the active layer 130 is greater than 40 nm, the fourth filling portion 128 may be completely filled.

활성층(130)상에는 제2 도전성 반도체층(140)이 형성될 수 있다. 제2 도전성 반도체층(140)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며 제2 도전성 도펀트가 도핑될 수 있다. 예를 들어, 제2 도전성 반도체층(140)은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트를 도핑하여 p형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 활성층(130)에 정공을 주입할 수 있다. 제2 도전성 반도체층(140)은 In_xAl_yGa_1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택된 반도체 재료로 형성될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 140 may be formed on the active layer 130. The second conductive semiconductor layer 140 may be formed of a semiconductor compound and may be doped with the second conductive dopant. For example, the second conductive semiconductor layer 140 may be implemented as a p-type semiconductor layer by doping p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba, and may inject holes into the active layer 130. have. The second conductive semiconductor layer 140 is a semiconductor material having a composition formula of In _x Al _y Ga _1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1), for example, GaN , AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN and the like can be formed of a semiconductor material.

제2 도전성 반도체층(140)은 활성층(130)상에 형성되어 활성층(130)상에 형성되어 있는 제5만입부(131)를 메우며 형성될 수 있다..The second conductive semiconductor layer 140 may be formed on the active layer 130 to fill the fifth indentation 131 formed on the active layer 130.

제2 도전성 반도체층(140)이 제5만입부(131)를 메우게 되어, 활성층(130)까지 형성되는 제1 내지 제5만입부로 인해 전위를 효과적으로 차단할 수 있으며 이로 인해 발광소자의 품질이 향상될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 140 fills the fifth inlet 131, thereby effectively blocking the potential due to the first to fifth indentations formed up to the active layer 130, thereby improving the quality of the light emitting device. Can be.

한편, 활성층(130)과 제2 도전성 반도체층(140) 사이에 중간층(미도시)이 형성될 수 있으며, 중간층은 고 전류 인가 시 제1 도전성 반도체층(120)으로부터 활성층(130)으로 주입되는 전자가 활성층(130)에서 재결합되지 않고, 제2 도전성 반도체층(140)으로 흐르는 현상을 방지하는 전자 차단층(Electron blocking layer)일 수 있다. 중간층은 활성층(130)보다 상대적으로 큰 밴드갭을 가짐으로써, 제1 도전성 반도체층(120)으로부터 주입된 전자가 활성층(130)에서 재결합되지 않고 제2 도전성 반도체층(140)으로 주입되는 현상을 방지할 수 있다. 이에 따라 활성층(130)에서 전자와 정공의 재결합 확률을 높이고 누설전류를 방지할 수 있다.Meanwhile, an intermediate layer (not shown) may be formed between the active layer 130 and the second conductive semiconductor layer 140, and the intermediate layer is injected into the active layer 130 from the first conductive semiconductor layer 120 when a high current is applied. The electron may be an electron blocking layer that prevents electrons from recombining in the active layer 130 and flows into the second conductive semiconductor layer 140. The intermediate layer has a band gap relatively larger than that of the active layer 130, thereby preventing electrons injected from the first conductive semiconductor layer 120 from being injected into the second conductive semiconductor layer 140 without being recombined in the active layer 130. You can prevent it. Accordingly, the probability of recombination of electrons and holes in the active layer 130 may be increased and leakage current may be prevented.

한편, 상술한 중간층은 활성층(130)에 포함된 장벽층의 밴드갭 보다 큰 밴드갭을 가질 수 있으며, 예를 들어 p 형 AlGaN 과 같은 Al 을 포함한 반도체층으로 형성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다.On the other hand, the above-described intermediate layer may have a bandgap larger than the bandgap of the barrier layer included in the active layer 130, for example, may be formed of a semiconductor layer including Al, such as p-type AlGaN, but is not limited thereto. .

상술한 제1 도전성 반도체층(120), 활성층(130) 및 제2 도전성 반도체층(140)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.For example, the first conductive semiconductor layer 120, the active layer 130, and the second conductive semiconductor layer 140 may include, for example, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and chemical vapor deposition (CVD). Deposition), Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), and the like. It is not limited thereto.

또한, 제2 도전성 반도체층(140) 상에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 제3 도전성 반도체층(미도시)이 형성될 수도 있으며 이에 따라, 발광소자(100)는 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. In addition, a third conductive semiconductor layer (not shown) including an n-type or p-type semiconductor layer may be formed on the second conductive semiconductor layer 140. Accordingly, the light emitting device 100 may include np, pn, npn, It may have at least one of the pnp junction structure.

또한, 제1 도전성 반도체층(120) 및 제2 도전성 반도체층(140) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 복수의 반도체층의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the doping concentrations of the conductive dopants in the first conductive semiconductor layer 120 and the second conductive semiconductor layer 140 may be uniformly or non-uniformly formed. That is, the structure of the plurality of semiconductor layers may be variously formed, but is not limited thereto.

활성층(130)과 제2 도전성 반도체층(140)은 일부가 제거되어 제1 도전성 반도체층(120)의 일부가 노출되고, 노출된 제1 도전성 반도체층(120) 상에는 제1 전극(160)이 형성될 수 있다.A portion of the active layer 130 and the second conductive semiconductor layer 140 are removed to expose a portion of the first conductive semiconductor layer 120, and the first electrode 160 is disposed on the exposed first conductive semiconductor layer 120. Can be formed.

또한, 제2 도전성 반도체층(140) 상에는 투광성전극층(150)이 형성되며, 투광성전극층(150)상에는 제2 전극(152)이 형성될 수 있다.In addition, the transparent electrode layer 150 may be formed on the second conductive semiconductor layer 140, and the second electrode 152 may be formed on the transparent electrode layer 150.

제1 전극(160) 및 제2 전극(152)은 전도성 물질, 예를 들어 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 WTi 중에서 선택된 금속 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The first electrode 160 and the second electrode 152 are conductive materials such as In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, It can be formed in a single layer or multiple layers using a metal or alloy selected from W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, and WTi.

투광성전극층(150)은 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 제2 도전성 반도체층(140)상에 형성됨으로써, 전류군집현상을 방지할 수 있다.
The transparent electrode layer 150 includes ITO, IZO (In-ZnO), GZO (Ga-ZnO), AZO (Al-ZnO), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx At least one of / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO may be formed and formed on the second conductive semiconductor layer 140 to prevent current grouping.

도 5은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 나타낸 사시도이고, 도 6는 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.5 is a perspective view showing a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiment, Figure 6 is a cross-sectional view showing a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiment.

도 5 및 도 6를 참조하면, 발광소자 패키지(500)는 캐비티(520)가 형성된 몸체(510), 몸체(510)에 실장되는 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)과, 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)과 전기적으로 연결되는 발광소자(530), 및 발광소자(530)를 덮도록 캐비티(520)에 충진되는 봉지재(미도시)를 포함할 수 있다. 5 and 6, the light emitting device package 500 includes a body 510 having a cavity 520, first and second lead frames 540 and 550 mounted on the body 510, and a first one. And a light emitting device 530 electrically connected to the second lead frames 540 and 550, and an encapsulant (not shown) filled in the cavity 520 to cover the light emitting device 530.

몸체(510)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(510)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다. The body 510 is made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), photosensitive glass (PSG), polyamide 9T (PA9T) ), Neogeotactic polystyrene (SPS), a metal material, sapphire (Al2O3), beryllium oxide (BeO), and may be formed of at least one of a printed circuit board (PCB, Printed Circuit Board). The body 510 may be formed by injection molding, etching, or the like, but is not limited thereto.

몸체(510)의 내면은 경사면이 형성될 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 발광소자(530)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. An inner surface of the body 510 may be formed with an inclined surface. The angle of reflection of the light emitted from the light emitting device 530 may vary according to the angle of the inclined surface, thereby adjusting the directivity angle of the light emitted to the outside.

광의 지향각이 줄어들수록 발광소자(530)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하고, 반대로 광의 지향각이 클수록 발광소자(530)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.As the directivity of the light decreases, the concentration of light emitted from the light emitting device 530 to the outside increases. On the contrary, the greater the directivity of the light, the less the concentration of light emitted from the light emitting device 530 to the outside.

한편, 몸체(510)에 형성되는 캐비티(520)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.On the other hand, the shape of the cavity 520 formed on the body 510 as viewed from above may be circular, rectangular, polygonal, elliptical, or the like, and may have a curved edge, but is not limited thereto.

발광소자(530)는 제1 리드 프레임(540) 상에 실장되며, 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 발광소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광소자(530)는 한 개 이상 실장될 수 있다.The light emitting device 530 is mounted on the first lead frame 540 and may be, for example, a light emitting device emitting light of red, green, blue, white, or UV (ultraviolet) light emitting device emitting ultraviolet light. But it is not limited thereto. In addition, one or more light emitting devices 530 may be mounted.

또한, 발광소자(530)는 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type)이거나, 또는 상, 하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩(flip chip) 모두에 적용 가능하다.In addition, the light emitting device 530 may be a horizontal type in which all of its electrical terminals are formed on an upper surface, or a vertical type or flip chip formed on an upper and a lower surface. Applicable

봉지재(미도시)는 발광소자(530)를 덮도록 캐비티(520)에 충진될 수 있다.An encapsulant (not shown) may be filled in the cavity 520 to cover the light emitting device 530.

봉지재(미도시)는 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있으며, 캐비티(520) 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다.The encapsulant (not shown) may be formed of silicon, epoxy, and other resin materials, and may be formed by filling the cavity 520 and then UV or heat curing the same.

또한 봉지재(미도시)는 형광체를 포함할 수 있으며, 형광체는 발광소자(530)에서 방출되는 광의 파장에 종류가 선택되어 발광소자 패키지(500)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다. In addition, the encapsulant (not shown) may include a phosphor, and the phosphor may be selected from a wavelength of light emitted from the light emitting device 530 so that the light emitting device package 500 may realize white light.

이러한 형광체는 발광소자(530)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다. The phosphor is one of a blue light emitting phosphor, a blue green light emitting phosphor, a green light emitting phosphor, a yellow green light emitting phosphor, a yellow light emitting phosphor, a yellow red light emitting phosphor, an orange light emitting phosphor, and a red light emitting phosphor according to the wavelength of light emitted from the light emitting element 530. Can be applied.

즉, 형광체는 발광소자(530)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(530)가 청색 발광 다이오드이고 형광체가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(500)는 백색 빛을 제공할 수 있다. That is, the phosphor may be excited by light having the first light emitted from the light emitting device 530 to generate the second light. For example, when the light emitting element 530 is a blue light emitting diode and the phosphor is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to emit yellow light, and the blue light and blue light generated by the blue light emitting diode As the generated yellow light is mixed, the light emitting device package 500 may provide white light.

이와 유사하게, 발광소자(530)가 녹색 발광 다이오드인 경우는 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체를 혼용하는 경우, 발광소자(530)가 적색 발광 다이오드인 경우는 Cyan형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하는 경우를 예로 들 수 있다.Similarly, when the light emitting element 530 is a green light emitting diode, a magenta phosphor or a mixture of blue and red phosphors is mixed. When the light emitting element 530 is a red light emitting diode, a cyan phosphor or a blue and green phosphor is used. For example,

이러한 형광체는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 형광체일 수 있다.Such phosphor may be a known phosphor such as YAG, TAG, sulfide, silicate, aluminate, nitride, carbide, nitridosilicate, borate, fluoride or phosphate.

제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first and second lead frames 540 and 550 are made of a metal material, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), and tantalum (Ta). , Platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium (Ge) It may include one or more materials or alloys of hafnium (Hf), ruthenium (Ru), iron (Fe). In addition, the first and second lead frames 540 and 550 may be formed to have a single layer or a multilayer structure, but the embodiment is not limited thereto.

제1 제2 리드 프레임(540, 550)은 서로 이격되어 서로 전기적으로 분리된다. 발광소자(530)는 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)상에 실장되며, 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)은 발광소자(530)와 직접 접촉하거나 또는 솔더링 부재(미도시)와 같은 전도성을 갖는 재료를 통해서 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 발광소자(530)는 와이어 본딩(미도시)을 통해 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 따라서 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)에 전원이 연결되면 발광소자(530)에 전원이 인가될 수 있다. 한편, 수개의 리드 프레임(미도시)이 몸체(510)내에 실장되고 각각의 리드 프레임(미도시)이 발광소자(530)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.The first second lead frames 540 and 550 are spaced apart from each other and electrically separated from each other. The light emitting device 530 is mounted on the first and second lead frames 540 and 550, and the first and second lead frames 540 and 550 are in direct contact with the light emitting device 530 or a soldering member (not shown). May be electrically connected through a material having conductivity such as C). In addition, the light emitting device 530 may be electrically connected to the first and second lead frames 540 and 550 through wire bonding (not shown), but is not limited thereto. Therefore, when power is connected to the first and second lead frames 540 and 550, power may be applied to the light emitting device 530. Meanwhile, several lead frames (not shown) may be mounted in the body 510, and each lead frame (not shown) may be electrically connected to the light emitting device 530, but is not limited thereto.

실시예에 따른 발광 소자는 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 7 및 도 8에 도시된 표시 장치, 도 9에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may be applied to a lighting system. The lighting system includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arranged, and includes a display device shown in FIGS. 7 and 8 and a lighting device shown in FIG. 9, and may include a lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlamp, an electronic signboard, and the like. have.

도 7는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치의 분해 사시도이다. 7 is an exploded perspective view of a display device having a light emitting device according to the embodiment.

도 7를 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트유닛(1050)으로 정의될 수 있다.Referring to FIG. 7, the display device 1000 according to the embodiment includes a light guide plate 1041, a light source module 1031 that provides light to the light guide plate 1041, and a reflective member 1022 under the light guide plate 1041. ), An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061, a light guide plate 1041, a light source module 1031, and a reflective member 1022 on the optical sheet 1051. The bottom cover 1011 may include, but is not limited to. The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 may be defined as a light unit 1050. .

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethylmethacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphtha late) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 diffuses light to serve as a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin-based, such as polymethylmethacrylate (PMMA), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphtha late (PEN) It may include one of the resins.

상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light source module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately serves as a light source of the display device.

상기 광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 발광 소자(1035)를 포함하며, 상기 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. The light source module 1031 may include at least one, and may provide light directly or indirectly at one side of the light guide plate 1041. The light source module 1031 may include a substrate 1033 and a light emitting device 1035 according to the above-described embodiment, and the light emitting device 1035 may be arranged on the substrate 1033 at predetermined intervals. .

상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 1033 may include not only a general PCB but also a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), a flexible PCB (FPCB, Flexible PCB) and the like, but is not limited thereto. When the light emitting device 1035 is mounted on the side surface of the bottom cover 1011 or the heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. Here, a part of the heat dissipation plate may contact the upper surface of the bottom cover 1011.

그리고, 상기 복수의 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the plurality of light emitting devices 1035 may be mounted on the substrate 1033 such that an emission surface from which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but is not limited thereto. The light emitting device 1035 may directly or indirectly provide light to a light incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 may improve the luminance of the light unit 1050 by reflecting light incident to the lower surface of the light guide plate 1041 and pointing upward. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may accommodate the light guide plate 1041, the light source module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with an accommodating part 1012 having a box shape having an upper surface opened thereto, but is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be combined with the top cover, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or non-metal material having good thermal conductivity, but is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, and includes a first and second substrates of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizer may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the polarizer is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. The display device 1000 may be applied to various portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light transmissive sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as, for example, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses the incident light, the horizontal and / or vertical prism sheet focuses the incident light into the display area, and the brightness enhancement sheet reuses the lost light to improve the brightness. In addition, a protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but is not limited thereto.

여기서, 상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included as an optical member on the optical path of the light source module 1031, but are not limited thereto.

도 8는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다. 8 is a diagram illustrating a display device having a light emitting device according to an exemplary embodiment.

도 8를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(1124)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. Referring to FIG. 8, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1120 on which the light emitting device 1124 disclosed above is arranged, an optical member 1154, and a display panel 1155.

상기 기판(1120)과 상기 발광 소자(1124)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기의 광원 모듈(1160)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광 소자(1124)를 포함한다.The substrate 1120 and the light emitting device 1124 may be defined as a light source module 1160. The bottom cover 1152, the at least one light source module 1160, and the optical member 1154 may be defined as a light unit 1150. The bottom cover 1152 may include an accommodating part 1153, but is not limited thereto. The light source module 1160 includes a substrate 1120 and a plurality of light emitting devices 1124 arranged on the substrate 1120.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(polymethyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, horizontal and vertical prism sheets, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a polymethyl methacrylate (PMMA) material, and the light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses incident light, the horizontal and vertical prism sheets focus incident light onto a display area, and the brightness enhancement sheet reuses the lost light to improve luminance.

상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1160) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1160)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light source module 1160 and performs surface light, or diffuses, condenses, or the like the light emitted from the light source module 1160.

도 9은 실시 예에 따른 발광소자를 갖는 조명장치의 분해 사시도이다.9 is an exploded perspective view of a lighting device having a light emitting device according to the embodiment.

도 9을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 9, the lighting apparatus according to the embodiment may include a cover 2100, a light source module 2200, a radiator 2400, a power supply 2600, an inner case 2700, and a socket 2800. Can be. In addition, the lighting apparatus according to the embodiment may further include any one or more of the member 2300 and the holder 2500. The light source module 2200 may include a light emitting device according to an embodiment.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or hemisphere, may be hollow, and may be provided in an open shape. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200. For example, the cover 2100 may diffuse, scatter or excite the light provided from the light source module 2200. The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be coupled to the heat sink 2400. The cover 2100 may have a coupling part coupled to the heat sink 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. An inner surface of the cover 2100 may be coated with a milky paint. The milky paint may include a diffuser to diffuse light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is for the light from the light source module 2200 to be sufficiently scattered and diffused to be emitted to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 2100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 2100 may be transparent and opaque so that the light source module 2200 is visible from the outside. The cover 2100 may be formed through blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 발광소자(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one surface of the heat sink 2400. Thus, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat sink 2400. The light source module 2200 may include a light emitting element 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광소자(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 발광소자(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on an upper surface of the heat sink 2400 and has a plurality of light emitting devices 2210 and guide grooves 2310 into which the connector 2250 is inserted. The guide groove 2310 corresponds to the board and the connector 2250 of the light emitting element 2210.

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflective material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 is reflected on the inner surface of the cover 2100 to reflect the light returned to the light source module 2200 side again toward the cover 2100. Therefore, the light efficiency of the lighting apparatus according to the embodiment can be improved.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact may be made between the radiator 2400 and the connection plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 2230 and the radiator 2400. The radiator 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 to radiate heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.The holder 2500 may block the accommodating groove 2719 of the insulating portion 2710 of the inner case 2700. Therefore, the power supply unit 2600 accommodated in the insulating unit 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 may include a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside to provide the light source module 2200. The power supply unit 2600 is accommodated in the accommodating groove 2725 of the inner case 2700, and is sealed in the inner case 2700 by the holder 2500.

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 돌출부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide unit 2630, a base 2650, and a protrusion 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide part 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650. The guide part 2630 may be inserted into the holder 2500. A plurality of parts may be disposed on one surface of the base 2650. The plurality of components may include, for example, a DC converter for converting AC power provided from an external power source into DC power, a driving chip for controlling the driving of the light source module 2200, and an ESD for protecting the light source module 2200. (ElectroStatic discharge) protection element and the like, but may not be limited thereto.

상기 돌출부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 돌출부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The protrusion 2670 has a shape protruding to the outside from the other side of the base 2650. The protrusion 2670 is inserted into the connection part 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the protrusion 2670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection portion 2750 of the inner case 2700. Each end of the “+ wire” and the “− wire” may be electrically connected to the protrusion 2670, and the other end of the “+ wire” and the “− wire” may be electrically connected to the socket 2800.

상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 2700 may include a molding unit together with the power supply unit 2600 therein. The molding part is a part where the molding liquid is hardened, so that the power supply part 2600 can be fixed inside the inner case 2700.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Although described above with reference to the embodiment is only an example and is not intended to limit the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains not to be exemplified above in the range without departing from the essential characteristics of the present embodiment It will be appreciated that many variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

Claims

Board;
A first conductive semiconductor layer on the substrate;
A strain mitigating layer on the first conductive semiconductor layer;
An active layer on the strain relaxed buffer layer; And
A second conductive semiconductor layer on the active layer;
The first conductive semiconductor layer,
A first layer including a plurality of first indents formed on the upper surface, a second layer disposed on the first layer, and a third layer disposed on the second layer,
The second layer includes a second indentation formed at a position perpendicular to the first indentation,
The third layer includes a third indentation formed at a position perpendicular to the second indentation,
The first layer is doped with impurities,
The second layer is an undoped layer doped with impurities,
The third layer includes In _x Al _y Ga _(1-xy) N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1),
The first indentation is a hexagonal pyramidal or wedge shaped,
The thickness of the third layer is a light emitting device 2nm to 20nm.

The method of claim 1,
The third layer has an In content of 0.02 (2%) to 0.05 (5%),
The third layer has an Al content of 0.06 (6%) to 0.1 (10%),
The light emitting device of which the width of the third indent is greater than the width of the second indent.

delete

The method of claim 1,
The first indentation part is disposed to vertically overlap on the potential (Dislocation) formed in the first layer.

The method of claim 6,
The strain relief layer includes a light emitting device including a fourth indentation formed at a position perpendicular to the third indentation.

delete

The method of claim 7, wherein
The active layer includes a fifth indentation formed at a position perpendicular to the fourth indentation,
The size of the fourth entry portion is smaller than the size of the third entry portion,
The second conductive semiconductor layer is formed to fill the fifth indentation portion.

The method of claim 9,
The width of the fifth indent is less than the width of the fourth indent.

delete