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KR102115817B1 - Thermosetting resin composition for forming cured film, negative radiation-sensitive resin composition, positive radiation-sensitive resin composition, cured film, method for forming the same, semiconductor device and display device - Google Patents

Thermosetting resin composition for forming cured film, negative radiation-sensitive resin composition, positive radiation-sensitive resin composition, cured film, method for forming the same, semiconductor device and display device Download PDF

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KR102115817B1
KR102115817B1 KR1020140003827A KR20140003827A KR102115817B1 KR 102115817 B1 KR102115817 B1 KR 102115817B1 KR 1020140003827 A KR1020140003827 A KR 1020140003827A KR 20140003827 A KR20140003827 A KR 20140003827A KR 102115817 B1 KR102115817 B1 KR 102115817B1
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츠토무 시모카와
다카오 야시로
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제이에스알 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은, 우수한 표면 경도를 가짐과 동시에, 감도, 현상 밀착성, 내약품성, 내열성, 투과율 및 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시킬 수 있는 경화막을 형성할 수 있으며, 또한 보존 안정성이 우수한 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 제공을 목적으로 한다.
본 발명의 해결 수단은, [A1] 하기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위(I)와, 가교성 기(a1)를 포함하는 구조 단위(II-1)를 갖는 중합체를 함유하는 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물이다.
또한, 본 발명의 해결 수단은, [A2] 하기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위(I)와, 가교성 기(a2)를 포함하는 구조 단위(II-2)를 갖는 중합체, [B] 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 중합성 화합물, 및 [C] 감방사선성 중합 개시제를 함유하는 네가티브형 감방사선성 수지 조성물이다.
또한, 본 발명의 해결 수단은, [A3] 하기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위(I)와, 환상 에테르 구조 또는 환상 카보네이트 구조를 포함하는 구조 단위(II-3)를 갖는 중합체, 및 [G] 산 발생체를 함유하는 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이다.

Figure 112014003164485-pat00034

화학식 (1) 중, R1 및 R2는 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다. 화학식 (2) 중, R3 및 R4는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다. 상기 가교성 기(a1)는 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.The present invention, while having excellent surface hardness, can form a cured film capable of satisfactorily satisfying general characteristics such as sensitivity, developing adhesion, chemical resistance, heat resistance, transmittance, and relative dielectric constant, and also has excellent storage stability. It aims at provision of the thermosetting resin composition for formation, a negative radiation sensitive resin composition, and a positive radiation sensitive resin composition.
The solution of the present invention is [A1] a structural unit (I) containing at least one member selected from the group consisting of a group represented by the following formula (1) and a group represented by the following formula (2), and a crosslinkable group It is a thermosetting resin composition for forming a cured film containing a polymer having a structural unit (II-1) containing (a1).
In addition, the solution means of the present invention, [A2] a structural unit (I) comprising at least one member selected from the group consisting of groups represented by the following formula (1) and the following formula (2), and crosslinking Negative radiation-sensitive resin containing a polymer having a structural unit (II-2) containing a radical (a2), [B] a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond, and [C] a radiation-sensitive polymerization initiator It is a composition.
In addition, the solving means of the present invention, [A3] a structural unit (I) containing at least one member selected from the group consisting of a group represented by the following formula (1) and a group represented by the following formula (2), cyclic It is a positive radiation sensitive resin composition containing a polymer having a structural unit (II-3) containing an ether structure or a cyclic carbonate structure, and an acid generator [G].
Figure 112014003164485-pat00034

In the formula (1), R 1 and R 2 are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. In the formula (2), R 3 and R 4 are a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. It is preferable that the crosslinkable group (a1) is at least one selected from the group consisting of an oxiranyl group and an oxetanyl group.

Description

경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물, 경화막, 그의 형성 방법, 반도체 소자 및 표시 소자{THERMOSETTING RESIN COMPOSITION FOR FORMING CURED FILM, NEGATIVE RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, POSITIVE RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, METHOD FOR FORMING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE}Thermosetting resin composition for forming a cured film, negative radiation sensitive resin composition, positive radiation sensitive resin composition, cured film, formation method thereof, semiconductor device and display device {THERMOSETTING RESIN COMPOSITION FOR FORMING CURED FILM, NEGATIVE RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, POSITIVE RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, METHOD FOR FORMING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE}

본 발명은 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물, 경화막, 그의 형성 방법, 반도체 소자 및 표시 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a thermosetting resin composition for forming a cured film, a negative-type radiation-sensitive resin composition, a positive-type radiation-sensitive resin composition, a cured film, a method for forming the same, a semiconductor element, and a display element.

근년, 전자페이퍼 등의 플렉시블 디스플레이가 주목받으면서 플렉시블 디스플레이의 기판으로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등을 이용한 플라스틱제의 기판이 검토되고 있다. 이 기판은 가열시에 신장 또는 수축을 일으키기 때문에, 제조 공정의 저온화가 검토되고 있으며, 그 중에서도 제조 공정상 가장 고온이 되는 층간 절연막 등의 경화막의 형성 공정에서의 소성 온도의 저온화가 요구되고 있다.In recent years, as a flexible display substrate such as electronic paper has attracted attention, a substrate made of plastic using polyethylene terephthalate or the like has been studied as a substrate for the flexible display. Since this substrate causes elongation or shrinkage upon heating, lowering of the manufacturing process is considered, and among these, lowering of the firing temperature in the process of forming a cured film such as an interlayer insulating film that becomes the highest in the manufacturing process is required.

이러한 저온화가 가능한 경화막의 재료로서, 패턴 형성시의 공정수가 적고, 높은 표면 경도가 얻어지는 감방사선성 수지 조성물이 이용되고, 예를 들면 카르복시기 및 에폭시기를 포함하는 공중합체를 함유하는 감방사선성 수지 조성물이 알려져 있으며, 상기 카르복시기와 에폭시기가 반응함으로써 경화막으로서의 표면 경도가 얻어지도록 구성되어 있다(일본 특허 공개 제2001-354822호 공보 참조).As a material for such a curable film capable of lowering temperature, a radiation-sensitive resin composition having a small number of steps at the time of pattern formation and obtaining a high surface hardness is used, for example, a radiation-sensitive resin composition containing a copolymer containing a carboxyl group and an epoxy group. This is known, and the surface hardness as a cured film is obtained by reacting the carboxyl group and the epoxy group (see Japanese Patent Laid-Open No. 2001-354822).

그러나, 상술한 공중합체를 함유하는 감방사선성 수지 조성물에서는, 감방사선성 수지 조성물의 보존시에도 카르복시기와 에폭시기가 반응하여, 그 결과 증점되어 보존 안정성의 저하를 야기할 우려가 있다.However, in the radiation-sensitive resin composition containing the above-mentioned copolymer, the carboxyl group and the epoxy group react even during storage of the radiation-sensitive resin composition, and as a result, there is a concern that the storage stability may be lowered.

따라서, 우수한 표면 경도를 가짐과 동시에, 감도, 현상 밀착성, 내약품성, 내열성, 투과율 및 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시킬 수 있는 경화막을 형성할 수 있고, 보존 안정성이 우수한 경화막 형성용 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 요구되고 있다.Therefore, while having excellent surface hardness, it is possible to form a cured film capable of satisfactorily satisfying general characteristics such as sensitivity, developing adhesion, chemical resistance, heat resistance, transmittance and relative dielectric constant, and a resin for forming a cured film having excellent storage stability. A composition, a negative radiation sensitive resin composition, and a positive radiation sensitive resin composition are required.

일본 특허 공개 제2001-354822호 공보Japanese Patent Publication No. 2001-354822

본 발명은 이상과 같은 사정에 기초하여 이루어진 것으로, 그 목적은 우수한 표면 경도를 가짐과 동시에, 감도, 현상 밀착성, 내약품성, 내열성, 투과율 및 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시킬 수 있는 경화막을 형성할 수 있고, 보존 안정성이 우수한 경화막 형성용 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 제공하는 것이다.The present invention was made on the basis of the above circumstances, the purpose of which is to have an excellent surface hardness, and at the same time, a sensitivity, development adhesion, chemical resistance, heat resistance, transmittance and relative dielectric constant sufficient to satisfy the cured film It is to provide a resin composition for forming a cured film that can be formed and has excellent storage stability, a negative radiation-sensitive resin composition, and a positive radiation-sensitive resin composition.

상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 발명은,The invention made to solve the above problems,

[A1] 하기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위(I)와, 가교성 기(a1)를 포함하는 구조 단위(II-1)를 갖는 중합체(이하, "[A1] 중합체"라고도 함)를 함유하는 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물(이하, "경화막 형성용 수지 조성물(1)"이라고도 함)이다.[A1] A structural unit (I) containing at least one member selected from the group consisting of a group represented by the following formula (1) and a group represented by the following formula (2), and a structure comprising a crosslinkable group (a1) It is a thermosetting resin composition for forming a cured film containing a polymer (hereinafter also referred to as "[A1] polymer") having a unit (II-1) (hereinafter also referred to as "a resin composition for forming a cured film (1)").

Figure 112014003164485-pat00001
Figure 112014003164485-pat00001

(화학식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이고,In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 1 and R 2 is 1 to 4 carbon atoms. Is a fluorinated alkyl group,

화학식 (2) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R3 및 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기임)In the formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 3 and R 4 is a halogen atom Or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)

또한, 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 다른 발명은,In addition, another invention made to solve the above problems,

(1) 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정, 및(1) a step of forming a coating film on a substrate by using the resin composition for forming a cured film (1), and

(2) 상기 도막을 가열하는 공정(2) Process of heating the coating film

을 갖는 경화막의 형성 방법(이하, "경화막의 형성 방법(1)"이라고도 함)이다.It is a method of forming a cured film having (hereinafter, also referred to as "the method of forming a cured film (1)").

또한, 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 다른 발명은,In addition, another invention made to solve the above problems,

[A2] 하기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위(I)와, 가교성 기(a2)를 포함하는 구조 단위(II-2)를 갖는 중합체(이하, "[A2] 중합체"라고도 함),[A2] A structural unit (I) containing at least one member selected from the group consisting of a group represented by the following formula (1) and a group represented by the following formula (2), and a structure comprising a crosslinkable group (a2) A polymer having units (II-2) (hereinafter also referred to as "[A2] polymer"),

[B] 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 중합성 화합물(이하, "[B] 중합성 화합물"이라고도 함), 및[B] a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond (hereinafter also referred to as "[B] polymerizable compound"), and

[C] 감방사선성 중합 개시제[C] radiation-sensitive polymerization initiator

를 함유하는 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(이하, "네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)"이라고도 함)이다.It is a negative radiation-sensitive resin composition containing (hereinafter also referred to as "negative radiation-sensitive resin composition (2)").

Figure 112014003164485-pat00002
Figure 112014003164485-pat00002

(화학식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이고,In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 1 and R 2 is 1 to 4 carbon atoms. Is a fluorinated alkyl group,

화학식 (2) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R3 및 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기임)In the formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 3 and R 4 is a halogen atom Or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)

또한, 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 다른 발명은,In addition, another invention made to solve the above problems,

(1) 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정,(1) a step of forming a coating film on the substrate using the negative radiation-sensitive resin composition (2),

(2) 상기 도막의 일부에 방사선을 조사하는 공정,(2) a step of irradiating a portion of the coating film with radiation,

(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정, 및(3) a process of developing the coated film irradiated with the radiation, and

(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 공정(4) Process of heating the developed coating film

을 갖는 경화막의 형성 방법(이하, "경화막의 형성 방법(2)"이라고도 함)이다.It is a method of forming a cured film having (hereinafter, also referred to as "the method of forming a cured film (2)").

또한, 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 다른 발명은,In addition, another invention made to solve the above problems,

상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)로부터 형성되는 경화막(이하, "경화막(1)"이라고도 함),Cured film formed from the resin composition for forming a cured film (1) (hereinafter also referred to as "cured film (1)"),

상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)로부터 형성되는 경화막(이하, "경화막(2)"이라고도 함),Cured film formed from the negative radiation-sensitive resin composition (2) (hereinafter, also referred to as "cured film (2)"),

상기 경화막을 구비하는 반도체 소자, 및A semiconductor device having the cured film, and

상기 반도체 소자를 구비하는 표시 소자Display element including the semiconductor element

를 포함한다.It includes.

또한, "가교성 기"란, 동일하거나 서로 다른 분자간에 공유 결합을 형성할 수 있는 기를 말한다.In addition, "crosslinkable group" refers to a group capable of forming a covalent bond between the same or different molecules.

상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 또 다른 발명은,Another invention made to solve the above problem,

[A3] 하기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위(I)와, 환상 에테르 구조 또는 환상 카보네이트 구조를 포함하는 구조 단위(II-3)를 갖는 중합체(이하, "[A3] 중합체"라고도 함), 및[A3] A structural unit (I) containing at least one member selected from the group consisting of a group represented by the following formula (1) and a group represented by the following formula (2), and a cyclic ether structure or a cyclic carbonate structure A polymer having a structural unit (II-3) (hereinafter also referred to as "[A3] polymer"), and

[G] 산 발생체[G] acid generator

를 함유하는 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이다.It is a positive radiation sensitive resin composition containing.

Figure 112014003164485-pat00003
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(화학식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다.In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 1 and R 2 is 1 to 4 carbon atoms. It is a fluorinated alkyl group.

화학식 (2) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R3 및 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기임)In the formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 3 and R 4 is a halogen atom Or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)

또한, 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 다른 발명은,In addition, another invention made to solve the above problems,

상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물로부터 형성되는 경화막(이하, "경화막(3)"이라고도 함),Cured film formed from the positive radiation-sensitive resin composition (hereinafter also referred to as "cured film (3)"),

상기 경화막을 구비하는 반도체 소자, 및A semiconductor device having the cured film, and

상기 반도체 소자를 구비하는 표시 소자Display element including the semiconductor element

를 포함한다.It includes.

또한, 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 다른 발명은,In addition, another invention made to solve the above problems,

(1) 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정,(1) a step of forming a coating film on the substrate using the positive radiation-sensitive resin composition,

(2) 상기 도막의 일부에 방사선을 조사하는 공정,(2) a step of irradiating a portion of the coating film with radiation,

(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정, 및(3) a process of developing the coated film irradiated with the radiation, and

(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 공정(4) Process of heating the developed coating film

을 갖는 경화막의 형성 방법(이하, "경화막의 형성 방법(3)"이라고도 함)이다.It is a method of forming a cured film having (hereinafter, also referred to as "the method of forming a cured film (3)").

본 발명은 우수한 표면 경도를 가짐과 동시에, 감도, 현상 밀착성, 내약품성, 내열성, 투과율 및 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시킬 수 있는 경화막을 형성할 수 있고, 보존 안정성이 우수한 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 제공할 수 있다. 따라서, 상기 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물, 이 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물로부터 형성되는 경화막, 반도체 소자 및 표시 소자, 및 상기 경화막의 형성 방법은, 플렉시블 디스플레이 등의 전자 디바이스 등의 제조 공정에 바람직하게 사용할 수 있다.The present invention has excellent surface hardness, and at the same time, it is possible to form a cured film capable of satisfactorily satisfying general characteristics such as sensitivity, developing adhesion, chemical resistance, heat resistance, transmittance and relative dielectric constant, and for forming a cured film having excellent storage stability. A thermosetting resin composition, a negative-type radiation-sensitive resin composition, and a positive-type radiation-sensitive resin composition can be provided. Therefore, the thermosetting resin composition for forming a cured film, a negative radiation-sensitive resin composition, a positive radiation-sensitive resin composition, a thermosetting resin composition for forming the cured film, a negative radiation-sensitive resin composition, a positive radiation-sensitive resin The cured film formed from the composition, a semiconductor element and a display element, and the method for forming the cured film can be preferably used in manufacturing processes such as flexible displays and other electronic devices.

<경화막 형성용 수지 조성물(1)><Resin composition for curing film formation (1)>

본 발명의 경화막 형성용 수지 조성물(1)은, [A1] 중합체를 함유한다. 또한, 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)은 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, [A1] 중합체 이외의 그 밖의 성분을 함유할 수도 있다.The resin composition (1) for forming a cured film of the present invention contains the [A1] polymer. Moreover, the said resin composition for cured film formation (1) may contain other components other than a [A1] polymer in the range which does not impair the effect of this invention.

상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)은 [A1] 중합체를 함유하고 있기 때문에, 가열에 의한 가교에 의해 경화되는 이른바 열경화성 수지 조성물이다. 이하, 각 성분에 대해서 상술한다.Since the resin composition for forming a cured film (1) contains the [A1] polymer, it is a so-called thermosetting resin composition that is cured by crosslinking by heating. Hereinafter, each component is explained in full detail.

<[A1] 중합체><[A1] polymer>

[A1] 중합체는 구조 단위(I) 및 구조 단위(II-1)를 갖는 중합체이다. 또한, [A1] 중합체는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 구조 단위(III) 및 구조 단위(IV)를 가질 수도 있다. [A1] 중합체가 구조 단위(I) 및 구조 단위(II-1)를 가짐으로써, 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)은 우수한 표면 경도를 가짐과 동시에 내약품성, 내열성, 투과율, 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시킬 수 있는 경화막을 형성할 수 있고, 보존 안정성이 우수하다. 이것은 가열시에 있어서, 이 구조 단위(I)에 포함되는 화학식 (1) 및/또는 (2)로 표시되는 기에서의 수산기와, 구조 단위(II-1)에 포함되는 가교성 기(a1)가 반응하여, 강고한 가교 구조의 형성에 의해 경화막이 우수한 표면 경도를 얻을 수 있음과 동시에, 상기 반응이 상온에서는 진행되기 어려운 결과, 보존 중에 증점이 억제되어 양호한 보존 안정성이 얻어지기 때문이라고 추찰된다. 또한, [A1] 중합체는 각 구조 단위를 2종 이상 가질 수도 있다.[A1] The polymer is a polymer having a structural unit (I) and a structural unit (II-1). Further, the polymer [A1] may have a structural unit (III) and a structural unit (IV) within a range that does not impair the effects of the present invention. [A1] As the polymer has a structural unit (I) and a structural unit (II-1), the resin composition for forming a cured film (1) has excellent surface hardness and chemical resistance, heat resistance, transmittance, relative dielectric constant, etc. It is possible to form a cured film capable of satisfactorily satisfying the general characteristics of, and has excellent storage stability. This is a hydroxyl group in the group represented by formulas (1) and / or (2) contained in this structural unit (I) during heating, and a crosslinkable group (a1) contained in the structural unit (II-1). It is presumed that by reacting and forming a strong crosslinked structure, the cured film can obtain excellent surface hardness, and at the same time, the reaction is difficult to proceed at room temperature, and as a result, thickening is suppressed during storage to obtain good storage stability. . Further, the [A1] polymer may have two or more types of each structural unit.

[구조 단위(I)][Structural Unit (I)]

구조 단위(I)는 상기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 상기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위이다.The structural unit (I) is a structural unit comprising at least one member selected from the group consisting of groups represented by the formula (1) and groups represented by the formula (2).

상기 화학식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다. 단, R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다.In the formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. However, at least one of R 1 and R 2 is a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

상기 화학식 (2) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다. 단, R3 및 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다.In the formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. However, at least one of R 3 and R 4 is a halogen atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

상기 R1 내지 R4로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기 등을 들 수 있다.Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1 to R 4 include, for example, a methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t -Butyl group etc. are mentioned.

상기 R1 내지 R4로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기는, 탄소수 1 내지 4의 알킬기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기이다. 상기 R1 내지 R4로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기로서는, 예를 들면 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 2,2-디플루오로에틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 퍼플루오로에틸기, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필기, 퍼플루오로에틸메틸기, 퍼플루오로프로필기, 2,2,3,3,4,4-헥사플루오로부틸기, 퍼플루오로부틸기, 1,1-디메틸-2,2,3,3-테트라플루오로프로필기 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 상기 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기로서는 트리플루오로메틸기가 바람직하다.The fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1 to R 4 is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms are substituted with fluorine atoms. Examples of the fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1 to R 4 include, for example, difluoromethyl group, trifluoromethyl group, 2,2-difluoroethyl group, and 2,2,2-trifluoroethyl group. , Perfluoroethyl group, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl group, perfluoroethylmethyl group, perfluoropropyl group, 2,2,3,3,4,4-hexafluorobutyl group, Perfluorobutyl group, 1,1-dimethyl-2,2,3,3-tetrafluoropropyl group, etc. are mentioned. Among these, a trifluoromethyl group is preferable as the fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

상기 R3 및 R4로 표시되는 할로겐 원자로서는, 예를 들면 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 상기 할로겐 원자로서는 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom represented by R 3 and R 4 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Of these, the halogen atom is preferably a fluorine atom.

상기 화학식 (1)로 표시되는 기를 포함하는 구조 단위(I)로서는, 하기 화학식 (1a) 및 (1b)로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.As the structural unit (I) containing the group represented by the formula (1), structural units represented by the following formulas (1a) and (1b) are preferable.

Figure 112014003164485-pat00004
Figure 112014003164485-pat00004

상기 화학식 (1a) 및 (1b) 중, R은 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 히드록시메틸기, 시아노기 또는 트리플루오로메틸기이다. R1 및 R2는 상기 화학식 (1)과 동의이다. R5 및 R6은 각각 독립적으로 (n+1)가의 유기기이다. n은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이다. n이 2 이상인 경우, 복수개의 R1 및 R2는 각각 동일할 수도 상이할 수도 있다.In the formulas (1a) and (1b), R is each independently a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, a cyano group, or a trifluoromethyl group. R 1 and R 2 are as defined in the above formula (1). R 5 and R 6 are each independently an (n + 1) valent organic group. n is an integer of 1-5 each independently. When n is 2 or more, a plurality of R 1 and R 2 may be the same or different, respectively.

R5 및 R6으로 표시되는 (n+1)가의 유기기로서는, 예를 들면 탄소수 1 내지 20의 (n+1)가의 쇄상 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 (n+1)가의 지환식 탄화수소기, 또는 탄소수 6 내지 20의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기, 또는 탄소수 1 내지 20의 쇄상 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 지환식 탄화수소기 및 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소기 중 2종 이상을 조합한 (n+1)가의 기 등을 들 수 있다. 단, 이들 기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 치환되어 있을 수도 있다.Examples of the (n + 1) valent organic group represented by R 5 and R 6 include, for example, a (n + 1) valent chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and a (n + 1) valent alicyclic hydrocarbon having 3 to 20 carbon atoms. 2 or more of a (n + 1) valent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, or a linear hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms And (n + 1) valent groups. However, some or all of the hydrogen atoms of these groups may be substituted.

상기 탄소수 1 내지 20의 (n+1)가의 쇄상 탄화수소기로서는, 예를 들면 탄소수 1 내지 20의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기에서 수소 원자를 n개 제거한 기 등을 들 수 있다.Examples of the (n + 1) -valent chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms include, for example, a group in which n hydrogen atoms are removed from a straight or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

상기 탄소수 1 내지 20의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, 2-메틸프로필기, 1-메틸프로필기, t-부틸기 등을 들 수 있다.Examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t -Butyl group etc. are mentioned.

상기 탄소수 3 내지 20의 (n+1)가의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면 탄소수 3 내지 20의 1가의 지환식 탄화수소기에서 수소 원자를 n개 제거한 기 등을 들 수 있다.Examples of the (n + 1) -valent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include, for example, a group in which n hydrogen atoms are removed from a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms.

상기 탄소수 3 내지 20의 1가의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group, adamantyl group and the like.

상기 탄소수 6 내지 20의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기로서는, 예를 들면 탄소수 6 내지 20의 1가의 방향족 탄화수소기에서 수소 원자를 n개 제거한 기 등을 들 수 있다.Examples of the (n + 1) -valent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include, for example, a group in which n hydrogen atoms are removed from a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms.

상기 탄소수 6 내지 20의 1가의 방향족 탄화수소기로서는, 예를 들면 페닐기, 톨릴기, 나프틸기 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.

상기 R5로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, 1,3-프로필렌기 또는 1,2-프로필렌기 등의 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 헵타메틸렌기, 옥타메틸렌기, 노나메틸렌기, 데카메틸렌기, 운데카메틸렌기, 도데카메틸렌기, 트리데카메틸렌기, 테트라데카메틸렌기, 펜타데카메틸렌기, 헥사데카메틸렌기, 헵타데카메틸렌기, 옥타데카메틸렌기, 노나데카메틸렌기, 인사렌기, 1-메틸-1,3-프로필렌기, 2-메틸-1,3-프로필렌기, 2-메틸-1,2-프로필렌기, 1-메틸-1,4-부틸렌기, 2-메틸-1,4-부틸렌기, 메틸리덴기, 에틸리덴기, 프로필리덴기, 2-프로필리덴기 등의 포화 쇄상 탄화수소기; 1,3-시클로부틸렌기 등의 시클로부틸렌기, 1,3-시클로펜틸렌기 등의 시클로펜틸렌기, 1,4-시클로헥실렌기 등의 시클로헥실렌기, 1,5-시클로옥틸렌기 등의 시클로옥틸렌기 등의 시클로알킬렌기 등의 단환식 탄화수소환기; 1,4-노르보르닐렌기, 2,5-노르보르닐렌기 또는 2,6-노르보르닐렌기 등의 노르보르닐렌기, 1,5-아다만틸렌기 또는 2,6-아다만틸렌기 등의 아다만틸렌기, 1,3,5-시클로헥산트리일기 등의 시클로헥산트리일기 등의 다환식 탄화수소기; 1,3-페닐렌기 또는 1,4-페닐렌기 등의 방향족 탄화수소기, 또는 이들을 조합한 기가 바람직하고, 에틸렌기, 1,2-프로필렌기, 2,5-노르보르닐렌기, 1,4-페닐렌기, 1,3,5-시클로헥산트리일기가 보다 바람직하다. 또한, 상기 R6으로서는, 1,3-페닐렌기 또는 1,4-페닐렌기 등의 2가의 방향족 탄화수소기가 바람직하고, 1,4-페닐렌기가 보다 바람직하다.Examples of R 5 include propylene groups such as methylene group, ethylene group, 1,3-propylene group, and 1,2-propylene group, tetramethylene group, pentamethylene group, hexamethylene group, heptamethylene group, octamethylene group, and nona Methylene group, decamethylene group, undecamethylene group, dodecamethylene group, tridecamethylene group, tetradecamethylene group, pentadecamethylene group, hexadecamethylene group, heptadecamethylene group, octadecamethylene group, nonadecamethylene group Group, insarene group, 1-methyl-1,3-propylene group, 2-methyl-1,3-propylene group, 2-methyl-1,2-propylene group, 1-methyl-1,4-butylene group, 2 Saturated chain hydrocarbon groups such as -methyl-1,4-butylene group, methylidene group, ethylidene group, propylidene group, and 2-propylidene group; Cyclobutylene groups such as 1,3-cyclobutylene groups, cyclopentylene groups such as 1,3-cyclopentylene groups, cyclohexylene groups such as 1,4-cyclohexylene groups, and 1,5-cyclooctylene groups Monocyclic hydrocarbon ring groups such as cycloalkylene groups such as cyclooctylene groups; Norbornylene groups such as 1,4-norbornylene group, 2,5-norbornylene group or 2,6-norbornylene group, 1,5-adamantylene group or 2,6-adamantylene group Polycyclic hydrocarbon groups, such as cyclohexane triyl group, such as adamantylene group and 1,3,5-cyclohexane triyl group; Aromatic hydrocarbon groups such as 1,3-phenylene group or 1,4-phenylene group, or groups in combination thereof are preferable, and ethylene group, 1,2-propylene group, 2,5-norbornylene group, 1,4- The phenylene group and 1,3,5-cyclohexanetriyl group are more preferable. Moreover, as said R <6> , bivalent aromatic hydrocarbon groups, such as a 1,3-phenylene group or 1,4-phenylene group, are preferable, and a 1,4-phenylene group is more preferable.

상기 화학식 (2)로 표시되는 기를 포함하는 구조 단위(I)로서는, 하기 화학식 (2a) 및 (2b)로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.As the structural unit (I) containing the group represented by the formula (2), structural units represented by the following formulas (2a) and (2b) are preferable.

Figure 112014003164485-pat00005
Figure 112014003164485-pat00005

상기 화학식 (2a) 및 (2b) 중, R은 상기 화학식 (1a) 및 (1b)와 동의이다. R3 및 R4는 상기 화학식 (2)와 동의이다.In the formulas (2a) and (2b), R is synonymous with the formulas (1a) and (1b). R 3 and R 4 are as defined in the above formula (2).

구조 단위(I)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (I-1) 내지 (I-15)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (I) include structural units represented by the following formulas (I-1) to (I-15).

Figure 112014003164485-pat00006
Figure 112014003164485-pat00006

상기 화학식 중, R은 상기 화학식 (1a), (1b), (2a) 및 (2b)와 동의이다. 이들 중에서, 구조 단위(I)로서는 화학식 (I-1) 내지 (I-6), (I-9) 및 (I-11) 내지 (I-13)으로 표시되는 구조 단위가 바람직하고, 알칼리 현상성 및/또는 열경화성의 관점에서, 화학식 (I-1) 내지 (I-6)으로 표시되는 구조 단위가 보다 바람직하다.In the above formula, R is synonymous with the above formulas (1a), (1b), (2a) and (2b). Among them, as the structural unit (I), structural units represented by the formulas (I-1) to (I-6), (I-9) and (I-11) to (I-13) are preferable, and alkali development The structural units represented by the formulas (I-1) to (I-6) are more preferred from the viewpoints of sex and / or thermosetting properties.

구조 단위(I)의 함유 비율로서는, [A1] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 10몰% 이상 90몰% 이하가 바람직하고, 20몰% 이상 80몰% 이하가 보다 바람직하고, 30몰% 이상 70몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(I)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써 효과적으로 보존 안정성 등을 향상시킬 수 있다.The content ratio of the structural unit (I) is preferably 10 mol% or more and 90 mol% or less, more preferably 20 mol% or more and 80 mol% or less, more preferably 30 mol% with respect to the total structural units constituting the polymer [A1]. More than 70 mol% or less is more preferable. When the content ratio of the structural unit (I) is within the above range, storage stability and the like can be effectively improved.

[구조 단위(II-1)][Structural Unit (II-1)]

구조 단위(II-1)는 가교성 기(a1)를 포함하는 구조 단위이다.The structural unit (II-1) is a structural unit containing a crosslinkable group (a1).

상기 가교성 기(a1)로서는, 예를 들면 옥시라닐기(1,2-에폭시 구조), 옥세타닐기(1,3-에폭시 구조), 환상 카보네이트기, (메트)아크릴로일기 등을 들 수 있다.As said crosslinkable group (a1), an oxiranyl group (1,2-epoxy structure), an oxetanyl group (1,3-epoxy structure), a cyclic carbonate group, (meth) acryloyl group etc. are mentioned, for example. have.

옥시라닐기를 포함하는 구조 단위(II-1)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (II-1) 내지 (II-5)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.As a structural unit (II-1) containing an oxiranyl group, the structural unit etc. which are represented by following formula (II-1)-(II-5) are mentioned, for example.

옥세타닐기를 포함하는 구조 단위(II-1)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (II-6) 내지 (II-9)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.As a structural unit (II-1) containing an oxetanyl group, the structural unit etc. which are represented by following formula (II-6)-(II-9) are mentioned, for example.

환상 카보네이트기를 포함하는 구조 단위(II-1)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (II-10) 내지 (II-14)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.As a structural unit (II-1) containing a cyclic carbonate group, the structural unit etc. which are represented by following formula (II-10)-(II-14) are mentioned, for example.

Figure 112014003164485-pat00007
Figure 112014003164485-pat00007

상기 화학식 (II-1) 내지 (II-14) 중, R7은 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다.In the formulas (II-1) to (II-14), R 7 is a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

또한, (메트)아크릴로일기를 포함하는 구조 단위(II-1)로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디프로필렌디(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌디(메트)아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트 등의 디(메트)아크릴레이트 화합물; 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트 등의 트리(메트)아크릴레이트 화합물; 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트 등의 테트라(메트)아크릴레이트 화합물; 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트 등의 펜타(메트)아크릴레이트 화합물 등의 단량체 화합물에서 유래되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Moreover, as a structural unit (II-1) containing a (meth) acryloyl group, for example, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylic Rate, propylene glycol di (meth) acrylate, dipropylene di (meth) acrylate, tripropylene di (meth) acrylate, 1,3-butylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di ( Di (meth) acrylate compounds such as meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, and tripropylene glycol diacrylate; Tri (meth) acrylate compounds such as tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and pentaerythritol tri (meth) acrylate; Tetra (meth) acrylate compounds such as pentaerythritol tetra (meth) acrylate; And structural units derived from monomeric compounds such as penta (meth) acrylate compounds such as dipentaerythritol penta (meth) acrylate.

이들 중에서, 가교성 기(a1)로서는 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 이에 따라, 형성되는 경화막의 내약품성을 보다 높일 수 있다.Among them, the crosslinkable group (a1) is preferably at least one selected from the group consisting of an oxiranyl group and an oxetanyl group. Accordingly, the chemical resistance of the formed cured film can be further improved.

구조 단위(II-1)의 함유 비율로서는, [A1] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 1몰% 이상 70몰% 이하가 바람직하고, 5몰% 이상 50몰% 이하가 보다 바람직하고, 10몰% 이상 30몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(II-1)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써 효과적으로 보존 안정성 등을 향상시킬 수 있다.The content ratio of the structural unit (II-1) is preferably 1 mol% or more and 70 mol% or less, more preferably 5 mol% or more and 50 mol% or less, more preferably 10 with respect to the total structural units constituting the polymer [A1]. More preferably, it is more than 30% by mole. When the content ratio of the structural unit (II-1) is within the above range, storage stability and the like can be effectively improved.

[구조 단위(III)][Structural Unit (III)]

[A1] 중합체는 후술하는 구조 단위(III)를 가질 수도 있다. 구조 단위(III)의 함유 비율로서는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 적절하게 결정할 수 있다.[A1] The polymer may have a structural unit (III) described later. The content ratio of the structural unit (III) can be appropriately determined within a range that does not impair the effects of the present invention.

[구조 단위(IV)][Structural Unit (IV)]

[A1] 중합체는 후술하는 구조 단위(IV)를 가질 수도 있다. [A1] 중합체가 구조 단위(IV)를 가짐으로써, 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)은 수지의 유리 전이 온도를 조정하여, 열경화시의 용융 흐름성(melt flow)이나 얻어지는 경화막의 기계적 강도, 내약품성을 향상시킬 수 있다.[A1] The polymer may have a structural unit (IV) described later. [A1] As the polymer has a structural unit (IV), the resin composition for forming a cured film (1) adjusts the glass transition temperature of the resin, so that the melt flow during heat curing or the mechanical properties of the cured film obtained Strength and chemical resistance can be improved.

구조 단위(IV)의 함유 비율로서는, [A1] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 0몰% 이상 90몰% 이하가 바람직하고, 1몰% 이상 70몰% 이하가 보다 바람직하고, 3몰% 이상 60몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(IV)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 내약품성을 효과적으로 향상시킬 수 있다.The content ratio of the structural unit (IV) is preferably 0 mol% or more and 90 mol% or less, more preferably 1 mol% or more and 70 mol% or less, and more preferably 3 mol% with respect to the total structural units constituting the polymer [A1]. More than 60 mol% or less is more preferable. By setting the content ratio of the structural unit (IV) to the above range, chemical resistance can be effectively improved.

<[A1] 중합체의 합성 방법><Synthesis method of [A1] polymer>

[A1] 중합체는, 예를 들면 소정의 각 구조 단위에 대응하는 단량체를, 라디칼 개시제를 사용하여 적당한 용매 속에서 중합함으로써 제조할 수 있다. 예를 들면, 단량체 및 라디칼 개시제를 함유하는 용액을, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법, 단량체를 함유하는 용액과, 라디칼 개시제를 함유하는 용액을 각각 별도로, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법, 각각의 단량체를 함유하는 복수종의 용액과, 라디칼 개시제를 함유하는 용액을 각각 별도로, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법 등의 방법으로 합성하는 것이 바람직하다.[A1] The polymer can be produced, for example, by polymerizing a monomer corresponding to each predetermined structural unit in a suitable solvent using a radical initiator. For example, a solution containing a monomer and a radical initiator is added dropwise to a reaction solvent or a solution containing a monomer to perform polymerization reaction, a solution containing a monomer and a solution containing a radical initiator are each separately, a reaction solvent or A method of polymerization by dropping a solution containing a monomer, and a plurality of types of solutions containing each monomer and a solution containing a radical initiator are separately added to a reaction solvent or a solution containing a monomer to perform polymerization reaction. It is preferable to synthesize by a method such as.

이들 방법에서의 반응 온도는 개시제종에 따라서 적절하게 결정하면 된다. 통상 30℃ 내지 180℃이고, 40℃ 내지 160℃가 바람직하고, 50℃ 내지 140℃가 보다 바람직하다. 적하 시간은 반응 온도, 개시제의 종류, 반응시키는 단량체 등의 조건에 따라서 다르지만, 통상 30분 내지 8시간이고, 45분 내지 6시간이 바람직하고, 1시간 내지 5시간이 보다 바람직하다. 또한, 적하 시간을 포함하는 전체 반응 시간도 적하 시간과 마찬가지로 조건에 따라 다르지만, 통상 30분 내지 8시간이고, 45분 내지 7시간이 바람직하고, 1시간 내지 6시간이 보다 바람직하다.The reaction temperature in these methods may be appropriately determined depending on the initiator type. Usually 30 to 180 ° C, 40 to 160 ° C is preferred, and 50 to 140 ° C is more preferred. The dropping time varies depending on the reaction temperature, the type of initiator, and conditions such as a monomer to be reacted, but is usually 30 minutes to 8 hours, preferably 45 minutes to 6 hours, and more preferably 1 hour to 5 hours. In addition, the total reaction time including the dropping time varies depending on the conditions as in the dropping time, but is usually 30 minutes to 8 hours, preferably 45 minutes to 7 hours, and more preferably 1 hour to 6 hours.

상기 중합에 사용되는 라디칼 개시제로서는, 아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-시클로프로필프로피오니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오니트릴) 등을 들 수 있다. 이들 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.As the radical initiator used in the polymerization, azobisisobutyronitrile (AIBN), 2,2'-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis ( 2-cyclopropyl propionitrile), 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis (2-methylpropionitrile), and the like. These initiators may be used alone or in combination of two or more.

중합 용매로서는, 중합을 저해하는 용매(중합 금지 효과를 갖는 니트로벤젠, 연쇄 이동 효과를 갖는 머캅토 화합물 등) 이외의 용매이며, 그 단량체를 용해 가능한 용매이면 한정되지 않는다. 중합 용매로서는, 예를 들면 알코올계 용매, 에테르계 용매, 케톤계 용매, 아미드계 용매, 에스테르·락톤계 용매, 니트릴계 용매 등을 들 수 있다. 이들 용매는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.The polymerization solvent is a solvent other than a solvent that inhibits polymerization (nitrobenzene having a polymerization inhibitory effect, a mercapto compound having a chain transfer effect, etc.), and is not limited as long as it is a solvent capable of dissolving the monomer. Examples of the polymerization solvent include alcohol-based solvents, ether-based solvents, ketone-based solvents, amide-based solvents, ester-lactone-based solvents, and nitrile-based solvents. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

중합 반응에 의해 얻어진 중합체는 재침전법에 의해 회수할 수 있다. 즉, 중합 반응 종료 후, 중합체 용액을 재침전 용매에 투입함으로써 목적으로 하는 중합체를 분체로서 회수한다. 재침전 용매로서는, 알코올류나 알칸류 등을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 재침전법 외에, 분액 조작이나 칼럼 조작, 한외 여과 조작 등에 의해, 단량체, 올리고머 등의 저분자 성분을 제거하여 중합체를 회수할 수도 있다. 또한, 중합 용매가 제조하는 경화막 형성용 수지 조성물(1)의 용매와 동일한 경우, 얻어진 중합체 용액을 그대로 이용하거나, 얻어진 중합체 용액에 용매를 추가함으로써, 경화막 형성용 수지 조성물(1)의 제조에 제공할 수도 있다.The polymer obtained by the polymerization reaction can be recovered by reprecipitation. That is, after completion of the polymerization reaction, the target polymer is recovered as a powder by adding the polymer solution to the reprecipitation solvent. As the reprecipitation solvent, alcohols, alkanes, or the like can be used alone or in combination of two or more. In addition to the reprecipitation method, a polymer may be recovered by removing small-molecular components such as monomers and oligomers by separating operation, column operation, ultrafiltration operation, or the like. In addition, when the polymerization solvent is the same as the solvent of the resin composition for forming a cured film 1 to be produced, the obtained polymer solution is used as it is, or by adding a solvent to the obtained polymer solution, the production of the resin composition for forming a cured film 1 It can also be provided.

[A1] 중합체를 제조하기 위한 중합 반응에서는, 분자량을 조정하기 위해서 분자량 조정제를 사용할 수 있다. 분자량 조정제로서는, 예를 들면 클로로포름, 사브롬화탄소 등의 할로겐화 탄화수소류; n-헥실머캅탄, n-옥틸머캅탄, n-도데실머캅탄, t-도데실머캅탄, 티오글리콜산 등의 머캅탄류; 디메틸크산토겐술피드, 디이소프로필크산토겐디술피드 등의 크산토겐류; 테르피놀렌, α-메틸스티렌 이량체 등을 들 수 있다.[A1] In the polymerization reaction for producing the polymer, a molecular weight modifier can be used to adjust the molecular weight. Examples of the molecular weight modifier include halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide; mercaptans such as n-hexylmercaptan, n-octylmercaptan, n-dodecylmercaptan, t-dodecylmercaptan, and thioglycolic acid; Xanthogens such as dimethyl xanthogen sulfide and diisopropyl xanthogen disulfide; Terpineolene, alpha-methylstyrene dimer, etc. are mentioned.

[A1] 중합체의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)으로서는 특별히 한정되지 않지만, 1,000 이상 30,000 이하가 바람직하고, 5,000 이상 20,000 이하가 보다 바람직하다. 또한, [A1] 중합체의 Mw와 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 수 평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)로서는, 1 이상 3 이하가 바람직하고, 1.5 이상 2.5 이하가 보다 바람직하다.[A1] The weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) of the polymer is not particularly limited, but is preferably 1,000 or more and 30,000 or less, more preferably 5,000 or more and 20,000 or less. Moreover, as ratio (Mw / Mn) of the number average molecular weight (Mn) of [A1] polymer by polystyrene conversion by Mw and GPC, 1 or more and 3 or less are preferable, and 1.5 or more and 2.5 or less are more preferable.

<그 밖의 성분><Other ingredients>

상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)이 함유할 수도 있는 그 밖의 성분으로서는, 예를 들면 후술하는 용매 외에, [D] 산화 방지제, [E] 계면 활성제, [F] 접착 보조제 등을 들 수 있다. 또한, 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)은, 상기 각 성분을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.As other components which may be contained in the resin composition for forming a cured film (1), for example, [D] antioxidant, [E] surfactant, [F] adhesion aid, etc. may be mentioned in addition to the solvent described below. . Moreover, the said resin composition for cured film formation (1) can also use each said component individually or in combination of 2 or more types.

<[D] 산화 방지제><[D] Antioxidant>

[D] 산화 방지제는 노광 또는 가열에 의해 발생된 라디칼, 또는 산화에 의해서 생성된 과산화물을 분해하여, 중합체 분자의 결합의 해열(解裂)을 방지할 수 있는 성분이다. 그 결과, 얻어지는 경화막은 경시적인 산화 열화가 방지되어, 예를 들면 경화막의 막 두께 변화를 억제할 수 있다.[D] Antioxidants are components that can decompose radicals generated by exposure or heating, or peroxides produced by oxidation, to prevent the antipyretic bonds of polymer molecules. As a result, the resulting cured film is prevented from deteriorating oxidation over time, for example, it is possible to suppress a change in the film thickness of the cured film.

[D] 산화 방지제로서는, 예를 들면 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물, 힌더드아민 구조를 갖는 화합물, 알킬포스파이트 구조를 갖는 화합물, 티오에테르 구조를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서, [D] 산화 방지제로서는 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물이 바람직하다.[D] Examples of the antioxidant include a compound having a hindered phenol structure, a compound having a hindered amine structure, a compound having an alkylphosphite structure, and a compound having a thioether structure. Among them, a compound having a hindered phenol structure is preferable as the [D] antioxidant.

상기 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 티오디에틸렌비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 트리스-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)-이소시아누레이트, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, N,N'-헥산-1,6-디일비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐프로피온아미드), 3,3',3',5',5'-헥사-tert-부틸-a,a',a'-(메시틸렌-2,4,6-트리일)트리-p-크레졸, 4,6-비스(옥틸티오메틸)-o-크레졸, 4,6-비스(도데실티오메틸)-o-크레졸, 에틸렌비스(옥시에틸렌)비스[3-(5-tert-부틸-4-히드록시-m-톨릴)프로피오네이트, 헥사메틸렌비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 1,3,5-트리스[(4-tert-부틸-3-히드록시-2,6-크실릴)메틸]-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 2,6-디-tert-부틸-4-(4,6-비스(옥틸티오)-1,3,5-트리아진-2-일아민)페놀, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 2,6-디-t-부틸-4-크레졸 등을 들 수 있다.Examples of the compound having the hindered phenol structure include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] and thiodiethylenebis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, tris- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-tert-butyl-4 -Hydroxybenzyl) benzene, N, N'-hexane-1,6-diylbis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenylpropionamide), 3,3 ', 3' , 5 ', 5'-hexa-tert-butyl-a, a', a '-(mesitylene-2,4,6-triyl) tri-p-cresol, 4,6-bis (octylthiomethyl) -o-cresol, 4,6-bis (dodecylthiomethyl) -o-cresol, ethylenebis (oxyethylene) bis [3- (5-tert-butyl-4-hydroxy-m-tolyl) propionate , Hexamethylenebis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,3,5-tris [(4-tert-butyl-3-hydroxy-2 , 6-Xylyl) methyl] -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -trione, 2,6-di-tert-butyl-4- (4,6 -Bis (octylthio) -1,3,5-triazine-2-ylamine) phenol, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4 -Hydroxybenzyl) benzene, 2,6-di-t-butyl-4-cresol, and the like.

상기 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면 아데카스탭 AO-20, 동 AO-30, 동 AO-40, 동 AO-50, 동 AO-60, 동 AO-70, 동 AO-80, 동 AO-330(이상, ADEKA 제조), sumilizer GM, 동 GS, 동 MDP-S, 동 BBM-S, 동 WX-R, 동 GA-80(이상, 스미또모 가가꾸 제조), IRGANOX 1010, 동 1035, 동 1076, 동 1098, 동 1135, 동 1330, 동 1726, 동 1425WL, 동 1520L, 동 245, 동 259, 동 3114, 동 565, IRGAMOD 295(이상, BASF 제조), 요시녹스 BHT, 동 BB, 동 2246G, 동 425, 동 250, 동 930, 동 SS, 동 TT, 동 917, 동 314(이상, API 코포레이션 제조) 등을 들 수 있다.As a commercial item of the compound having the hindered phenol structure, for example, Adekastab AO-20, copper AO-30, copper AO-40, copper AO-50, copper AO-60, copper AO-70, copper AO- 80, copper AO-330 (above, manufactured by ADEKA), sumilizer GM, copper GS, copper MDP-S, copper BBM-S, copper WX-R, copper GA-80 (above, manufactured by Sumitomo Chemicals), IRGANOX 1010 , East 1035, East 1076, East 1098, East 1135, East 1330, East 1726, East 1425WL, East 1520L, East 245, East 259, East 3114, East 565, IRGAMOD 295 (above, manufactured by BASF), Yoshinox BHT, Copper BB, copper 2246G, copper 425, copper 250, copper 930, copper SS, copper TT, copper 917, copper 314 (above, manufactured by API Corporation).

이들 중에서, 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물로서는, 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 2,6-디-t-부틸-4-크레졸이 보다 바람직하다.Among them, as a compound having a hindered phenol structure, pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,3,5-trimethyl- 2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, 2,6-di-t-butyl-4-cresol is more preferable.

[D] 산화 방지제의 함유량으로서는, [A1] 중합체 100질량부에 대하여 0.001질량부 이상 5질량부 이하가 바람직하고, 0.01질량부 이상 2질량부 이하가 보다 바람직하다. [D] 산화 방지제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 얻어지는 경화막의 경시적인 산화 열화를 효과적으로 방지할 수 있다.[D1] The content of the antioxidant is preferably 0.001 parts by mass or more and 5 parts by mass or less, more preferably 0.01 parts by mass or more and 2 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer [A1]. [D] By setting the content of the antioxidant in the above range, it is possible to effectively prevent aging deterioration over time of the cured film obtained.

<[E] 계면 활성제><[E] surfactant>

[E] 계면 활성제는 막 형성성을 향상시키는 성분이다. [E] 계면 활성제로서는, 예를 들면 불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제, 및 그 밖의 계면 활성제를 들 수 있다.[E] The surfactant is a component that improves film formability. [E] Examples of the surfactant include fluorine-based surfactants, silicone-based surfactants, and other surfactants.

상기 불소계 계면 활성제로서는, 말단, 주쇄 및 측쇄 중 적어도 어느 하나의 부위에 플루오로알킬기 및/또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물이 바람직하고, 예를 들면 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(1,1,2,2-테트라플루오로-n-프로필)에테르, 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(n-헥실)에테르, 헥사에틸렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타에틸렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 퍼플루오로-n-도데칸술폰산나트륨, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-데칸, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-데카플루오로-n-도데칸이나, 플루오로알킬벤젠술폰산나트륨, 플루오로알킬인산나트륨, 플루오로알킬카르복실산나트륨, 디글리세린테트라키스(플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르), 플루오로알킬암모늄요오디드, 플루오로알킬베타인, 다른 플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르, 퍼플루오로알킬폴리옥시에탄올, 퍼플루오로알킬알콕시레이트, 카르복실산플루오로알킬에스테르 등을 들 수 있다.As the fluorine-based surfactant, a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group on at least one of the terminal, main and side chains is preferable, for example, 1,1,2,2-tetrafluoro- n-octyl (1,1,2,2-tetrafluoro-n-propyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluoro-n-octyl (n-hexyl) ether, hexaethylene glycoldi (1 , 1,2,2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, hexapropylene glycol di (1 , 1,2,2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, perfluoro-n- Sodium dodecanesulfonate, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro-n-decane, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-decafluoro-n -Dodecane, sodium fluoroalkylbenzenesulfonate, sodium fluoroalkyl phosphate, sodium fluoroalkyl carboxylate, diglycerin tetrakis (fluoroalkylpolyoxyethylene ether), fluoroalkylammonium iodide, fluoroalkyl Betaine, other fluoroalkyl polyoxyethylene ethers, perfluoroalkyl polyoxyethanols, perfluoroalkyl alkoxylates, fluoroalkyl carboxylic acids, and the like.

상기 불소계 계면 활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 BM-1000, BM-1100(이상, 비엠 케미(BM CHEMIE) 제조), 메가페이스 F142D, 동 F172, 동 F173, 동 F183, 동 F178, 동 F191, 동 F471, 동 F476(이상, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 제조), 플루오라드 FC-170C, 동-171, 동-430, 동-431(이상, 스미또모 쓰리엠 제조), 서플론 S-112, 동-113, 동-131, 동-141, 동-145, 동-382, 서플론 SC-101, 동-102, 동-103, 동-104, 동-105, 동-106(이상, 아사히 글래스 제조), 에프톱 EF301, 동 303, 동 352(이상, 신아키타 가세이 제조), 프터젠트 FT-100, 동-110, 동-140A, 동-150, 동-250, 동-251, 동-300, 동-310, 동-400S, FTX-218, 동-251(이상, 네오스 제조) 등을 들 수 있다.As a commercial product of the fluorine-based surfactant, for example, BM-1000, BM-1100 (above, manufactured by BM CHEMIE), Megaface F142D, Copper F172, Copper F173, Copper F183, Copper F178, Copper F191, Copper F471, copper F476 (above, manufactured by Dai Nippon Ink Chemical Co., Ltd.), Fluorad FC-170C, copper-171, copper-430, copper-431 (above, manufactured by Sumitomo 3M), suplon S-112, copper- 113, copper-131, copper-141, copper-145, copper-382, suplon SC-101, copper-102, copper-103, copper-104, copper-105, copper-106 (above, manufactured by Asahi Glass) , F-top EF301, Copper 303, Copper 352 (above, manufactured by Shin-Akita Kasei), Gift FT-100, Copper-110, Copper-140A, Copper-150, Copper-250, Copper-251, Copper-300, Copper -310, copper-400S, FTX-218, copper-251 (above, manufactured by Neos), and the like.

상기 실리콘계 계면 활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 도레이 실리콘 DC3PA, 동 DC7PA, 동 SH11PA, 동 SH21PA, 동 SH28PA, 동 SH29PA, 동 SH30PA, 동 SH-190, 동 SH-193, 동 SZ-6032, 동 SF-8428, 동 DC-57, 동 DC-190(이상, 도레이·다우 코닝·실리콘 제조), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452(이상, GE 도시바실리콘 제조), 오르가노실록산 중합체 KP341(신에쓰 가가꾸 고교 제조) 등을 들 수 있다.Commercially available products of the silicone surfactants include, for example, Toray Silicone DC3PA, Copper DC7PA, Copper SH11PA, Copper SH21PA, Copper SH28PA, Copper SH29PA, Copper SH30PA, Copper SH-190, Copper SH-193, Copper SZ-6032, Copper SF -8428, Copper DC-57, Copper DC-190 (above, manufactured by Toray Dow Corning and Silicon), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452 (above, GE Toshiba Silicon Co., Ltd., organosiloxane polymer KP341 (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and the like.

상기 그 밖의 계면 활성제로서는, 예를 들면 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르; 폴리옥시에틸렌-n-옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌-n-노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르; 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌디알킬에스테르 등의 비이온계 계면 활성제 등을 들 수 있다.Examples of the other surfactant include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether; Polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene-n-octylphenyl ether and polyoxyethylene-n-nonylphenyl ether; And nonionic surfactants such as polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate.

상기 그 밖의 계면 활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 (메트)아크릴산계 공중합체 폴리플로우 No.57, 동 No.95(이상, 교에이샤 가가꾸 제조) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the other surfactants include (meth) acrylic acid copolymer polyflow No.57, copper No.95 (above, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) and the like.

[E] 계면 활성제의 함유량으로서는, [A1] 중합체 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상 3질량부 이하가 바람직하고, 0.05질량부 이상 1질량부 이하가 보다 바람직하다. [E] 계면 활성제의 함유량을 상기 범위로 함으로써 효과적으로 막 형성성을 향상시킬 수 있다.[E1] The content of the surfactant is preferably 0.01 parts by mass or more and 3 parts by mass or less, more preferably 0.05 parts by mass or more and 1 part by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer [A1]. When the content of the surfactant [E] is within the above range, film-forming properties can be effectively improved.

<[F] 접착 보조제><[F] adhesion aid>

[F] 접착 보조제는, 얻어지는 경화막과 기판의 접착성을 향상시키는 성분이다. [F] 접착 보조제로서는, 카르복시기, 메타크릴로일기, 비닐기, 이소시아네이트기, 옥시라닐기 등의 반응성 관능기를 갖는 관능성 실란 커플링제가 바람직하다.[F] The adhesion aid is a component that improves the adhesion between the resulting cured film and the substrate. [F] As the adhesion aid, a functional silane coupling agent having a reactive functional group such as a carboxyl group, methacryloyl group, vinyl group, isocyanate group, or oxiranyl group is preferable.

상기 관능성 실란 커플링제로서는, 예를 들면 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다.Examples of the functional silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatepropyltriethoxysilane, and γ -Glycidoxypropyl trimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl trimethoxysilane, and the like.

[F] 접착 보조제의 함유량으로서는, [A1] 중합체 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상 20질량부 이하가 바람직하고, 0.1질량부 이상 15질량부 이하가 보다 바람직하다.[F1] As the content of the adhesion aid, 0.01 parts by mass or more and 20 parts by mass or less are preferable, and more preferably 0.1 parts by mass or more and 15 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer [A1].

<경화막 형성용 수지 조성물(1)의 제조 방법><The manufacturing method of the resin composition for hardening film formation (1)>

본 발명의 경화막 형성용 수지 조성물(1)은, [A1] 중합체, 필요에 따라서 그 밖의 성분을 소정의 비율로 혼합하고, 바람직하게는 적당한 용매에 용해시켜 제조할 수 있다. 제조한 경화막 형성용 수지 조성물(1)은, 예를 들면 공경 0.2㎛ 정도의 필터로 여과하는 것이 바람직하다.The resin composition (1) for forming a cured film of the present invention can be produced by mixing the [A1] polymer and other components, if necessary, in a predetermined ratio, and preferably dissolving in a suitable solvent. It is preferable to filter the produced resin composition (1) for forming a cured film with a filter having a pore size of about 0.2 µm, for example.

상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)의 제조에 이용되는 용매로서는, 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)이 함유하는 각 성분을 균일하게 용해 또는 분산시키며, 상기 각 성분과 반응하지 않는 것이 이용된다. 이러한 용매로서는, 예를 들면 알코올계 용매, 에테르계 용매, 케톤계 용매, 아미드계 용매, 에스테르계 용매, 탄화수소계 용매 등을 들 수 있다.As a solvent used in the preparation of the resin composition for forming a cured film (1), one that uniformly dissolves or disperses each component contained in the resin composition for forming a cured film (1) and does not react with each of the components is used do. Examples of such a solvent include alcohol solvents, ether solvents, ketone solvents, amide solvents, ester solvents, and hydrocarbon solvents.

상기 알코올계 용매로서는, 예를 들면As said alcohol solvent, for example

모노 알코올계 용매로서, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, i-프로판올, n-부탄올, i-부탄올, sec-부탄올, tert-부탄올, n-펜탄올, i-펜탄올, 2-메틸부탄올, sec-펜탄올, tert-펜탄올, 3-메톡시부탄올, n-헥산올, 2-메틸펜탄올, sec-헥산올, 2-에틸부탄올, sec-헵탄올, 3-헵탄올, n-옥탄올, 2-에틸헥산올, sec-옥탄올, n-노닐알코올, 2,6-디메틸-4-헵탄올, n-데칸올, sec-운데실알코올, 트리메틸노닐알코올, sec-테트라데실알코올, sec-헵타데실알코올, 푸르푸릴알코올, 페놀, 시클로헥산올, 메틸시클로헥산올, 3,3,5-트리메틸시클로헥산올, 벤질알코올, 디아세톤알코올 등;As a mono alcohol solvent, methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, tert-butanol, n-pentanol, i-pentanol, 2-methylbutanol, sec -Pentanol, tert-pentanol, 3-methoxybutanol, n-hexanol, 2-methylpentanol, sec-hexanol, 2-ethylbutanol, sec-heptanol, 3-heptanol, n-octanol , 2-ethylhexanol, sec-octanol, n-nonyl alcohol, 2,6-dimethyl-4-heptanol, n-decanol, sec-undecyl alcohol, trimethylnonyl alcohol, sec-tetradecyl alcohol, sec -Heptadecyl alcohol, furfuryl alcohol, phenol, cyclohexanol, methylcyclohexanol, 3,3,5-trimethylcyclohexanol, benzyl alcohol, diacetone alcohol, etc .;

다가 알코올계 용매로서, 에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 2,4-펜탄디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 2,5-헥산디올, 2,4-헵탄디올, 2-에틸-1,3-헥산디올, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 트리프로필렌글리콜 등;As a polyhydric alcohol solvent, ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-butylene glycol, 2,4-pentanediol, 2-methyl-2,4-pentanediol, 2,5-hexanediol, 2 , 4-heptanediol, 2-ethyl-1,3-hexanediol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol, etc .;

다가 알코올 부분 에테르계 용매로서, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 에틸렌글리콜모노-2-에틸부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르 등을 들 수 있다.As a polyalcohol partial ether-based solvent, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol mono-2- Ethyl butyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether , Propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, and the like.

상기 에테르계 용매로서는, 예를 들면 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르, 디페닐에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라히드로푸란 등을 들 수 있다.Examples of the ether-based solvent include diethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, diphenyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, tetrahydrofuran, and the like. Can be lifted.

상기 케톤계 용매로서는, 예를 들면 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 디에틸케톤, 메틸-i-부틸케톤, 메틸-n-펜틸케톤, 에틸-n-부틸케톤, 메틸-n-헥실케톤, 디-i-부틸케톤, 트리메틸노나논, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 시클로헵타논, 시클로옥타논, 메틸시클로헥사논, 2,4-펜탄디온, 아세토닐아세톤, 아세토페논 등을 들 수 있다.Examples of the ketone solvents include acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-i-butyl ketone, methyl-n-pentyl ketone, and ethyl-n -Butyl ketone, methyl-n-hexyl ketone, di-i-butyl ketone, trimethylnonanone, cyclopentanone, cyclohexanone, cycloheptanone, cyclooctanone, methylcyclohexanone, 2,4-pentanedione, And acetonyl acetone, acetophenone, and the like.

상기 아미드계 용매로서는, 예를 들면 N,N'-디메틸이미다졸리디논, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸프로피온아미드, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다.Examples of the amide solvents include N, N'-dimethylimidazolidinone, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, and N-methylacetate Amide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpropionamide, N-methylpyrrolidone, and the like.

상기 에스테르계 용매로서는, 예를 들면 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 i-부틸, 아세트산 sec-부틸, 아세트산 n-펜틸, 아세트산 sec-펜틸, 아세트산 3-메톡시부틸, 아세트산 3-메틸-3-메톡시부틸, 아세트산메틸펜틸, 아세트산 2-에틸부틸, 아세트산 2-에틸헥실, 아세트산벤질, 아세트산시클로헥실, 아세트산메틸시클로헥실, 아세트산 n-노닐, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 아세트산에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 아세트산에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노프로필에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노부틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디아세트산글리콜, 아세트산메톡시트리글리콜, 프로피온산에틸, 프로피온산 n-부틸, 프로피온산 i-아밀, 옥살산디에틸, 옥살산디-n-부틸, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산 n-부틸, 락트산 n-아밀, 말론산디에틸, 프탈산디메틸, 프탈산디에틸 등을 들 수 있다.Examples of the ester solvent include methyl acetate, ethyl acetate, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, sec-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, methylpentyl acetate, 2-ethylbutyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate, cyclohexyl acetate, methylcyclohexyl acetate, n-nonyl acetate , Methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol mono-n-propyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol monomethyl ether acetate , Diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monoacetate-n-propyl ether, diethylene glycol monoacetate-n-butyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl acetate acetate, propylene glycol monopropyl acetate Ether, propylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, glycol diacetate, methoxy triglycol acetate, ethyl propionate, n-butyl propionate, i-amyl propionate, di oxalate And ethyl, di-n-butyl oxalate, methyl lactate, ethyl lactate, n-butyl lactate, n-amyl lactate, diethyl malonate, dimethyl phthalate, diethyl phthalate and the like.

상기 탄화수소계 용매로서는, 예를 들면As the hydrocarbon-based solvent, for example

지방족 탄화수소계 용매로서, n-펜탄, i-펜탄, n-헥산, i-헥산, n-헵탄, i-헵탄, 2,2,4-트리메틸펜탄, n-옥탄, i-옥탄, 시클로헥산, 메틸시클로헥산 등;As an aliphatic hydrocarbon-based solvent, n-pentane, i-pentane, n-hexane, i-hexane, n-heptane, i-heptane, 2,2,4-trimethylpentane, n-octane, i-octane, cyclohexane, Methyl cyclohexane, etc .;

방향족 탄화수소계 용매로서, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 에틸벤젠, 트리메틸벤젠, 메틸에틸벤젠, n-프로필벤젠, i-프로필벤젠, 디에틸벤젠, i-부틸벤젠, 트리에틸벤젠, 디-i-프로필벤젠, n-아밀나프탈렌 등을 들 수 있다.As aromatic hydrocarbon solvent, benzene, toluene, xylene, mesitylene, ethylbenzene, trimethylbenzene, methylethylbenzene, n-propylbenzene, i-propylbenzene, diethylbenzene, i-butylbenzene, triethylbenzene, di- and i-propylbenzene, n-amylnaphthalene, and the like.

또한, 상기 용매는 카프로산, 카프릴산, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌 등의 고비점 용매를 더 함유할 수도 있다.In addition, the solvent may further contain a high boiling point solvent such as caproic acid, caprylic acid, ethylene carbonate, propylene carbonate.

<경화막의 형성 방법(1)><Method of forming a cured film (1)>

본 발명의 경화막의 형성 방법 (1)은,The method (1) of forming the cured film of the present invention,

(1) 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정(이하, "공정 (A1)"이라고도 함), 및(1) A step of forming a coating film on the substrate using the resin composition for forming a cured film (1) (hereinafter also referred to as "step (A1)"), and

(2) 상기 도막을 가열하는 공정(이하, "공정 (A2)"라고도 함)(2) Step of heating the coating film (hereinafter also referred to as "step (A2)")

을 갖는다.Have

상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)이 상기 성질을 갖고 있기 때문에, 본 발명의 경화막의 형성 방법 (1)에 따르면, 내열성, 내약품성, 투과율, 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시키며, 우수한 표면 경도를 갖는 경화막을 형성할 수 있다. 이하, 각 공정에 대해서 상술한다.Since the resin composition for forming a cured film (1) has the above properties, according to the method (1) for forming a cured film of the present invention, it satisfies general characteristics such as heat resistance, chemical resistance, transmittance, and relative dielectric constant, and is excellent. A cured film having a surface hardness can be formed. Hereinafter, each process is explained in full detail.

[공정 (A1)][Process (A1)]

본 공정에서는, 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)을 이용하여 기판 상에 도막을 형성한다. 구체적으로는, 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)의 용액을 기판 표면에 도포하고, 바람직하게는 프리베이킹을 행함으로써 용매를 제거하여 도막을 형성한다. 상기 기판으로서는, 예를 들면 유리 기판, 실리콘 기판, 플라스틱 기판, 및 이들의 표면에 각종 금속 박막이 형성된 기판 등을 들 수 있다. 상기 플라스틱 기판으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드 등의 플라스틱을 포함하는 수지 기판을 들 수 있다.In this step, a coating film is formed on the substrate by using the resin composition for forming a cured film (1). Specifically, the solution of the resin composition for forming a cured film (1) is applied to the surface of the substrate, and preferably pre-baking to remove the solvent to form a coating film. Examples of the substrate include glass substrates, silicon substrates, plastic substrates, and substrates on which various metal thin films are formed. As said plastic substrate, the resin substrate containing plastics, such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), polyether sulfone, polycarbonate, polyimide, is mentioned, for example.

도포 방법으로서는, 예를 들면 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법(스핀 코팅법), 슬릿다이 도포법, 바 도포법, 잉크젯법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 이들 중에서 도포 방법으로서는, 스핀 코팅법, 바 도포법, 슬릿다이 도포법이 바람직하다. 상기 프리베이킹의 조건으로서는, 각 성분의 종류, 사용 비율 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면 60℃ 내지 130℃에서 30초간 내지 10분간 정도로 할 수 있다. 형성되는 도막의 막 두께는 프리베이킹 후의 값으로서 0.1㎛ 내지 8㎛가 바람직하고, 0.1㎛ 내지 6㎛가 보다 바람직하고, 0.1㎛ 내지 4㎛가 더욱 바람직하다.As the coating method, suitable methods such as a spray method, a roll coating method, a rotation coating method (spin coating method), a slit die coating method, a bar coating method, and an inkjet method can be adopted, for example. Of these, spin coating, bar coating or slit die coating is preferred as the coating method. The conditions of the pre-baking vary depending on the type of each component, the use ratio, and the like, but can be, for example, from 60 ° C to 130 ° C for about 30 seconds to 10 minutes. The film thickness of the formed coating film is preferably 0.1 µm to 8 µm, more preferably 0.1 µm to 6 µm, and even more preferably 0.1 µm to 4 µm as a value after pre-baking.

[공정 (A2)][Process (A2)]

본 공정에서는, 상기 도막을 가열에 의해 경화시킨다. 가열 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 오븐이나 핫 플레이트 등의 가열 장치를 이용하여 가열할 수 있다. 본 공정에서의 가열 온도로서는 200℃ 이하가 바람직하다. 이와 같이 낮은 온도에서의 가열이 가능함으로써, 상기 경화막의 형성 방법 (1)은 플렉시블 디스플레이의 플라스틱 기판 상에서의 층간 절연막 등의 경화막 형성에 바람직하게 사용할 수 있다. 가열 온도로서는 120℃ 내지 180℃가 보다 바람직하고, 120℃ 내지 150℃가 더욱 바람직하다. 가열 시간으로서는 가열 기기의 종류에 따라 다르지만, 예를 들면 핫 플레이트 상에서 가열 처리를 행하는 경우에는 5분 내지 40분, 오븐 중에서 가열 처리를 행하는 경우에는 30분 내지 80분으로 할 수 있고, 보다 바람직하게는 핫 플레이트 상에서 가열 처리를 행하는 경우에는 30분간 이내, 오븐 중에서 가열 처리를 행하는 경우에는 60분간 이내이다. 이와 같이 하여, 목적으로 하는 층간 절연막 등의 경화막(1)을 기판 상에 형성할 수 있다.In this step, the coating film is cured by heating. Although it does not specifically limit as a heating method, For example, it can heat using a heating apparatus, such as an oven and a hot plate. The heating temperature in this step is preferably 200 ° C or lower. By heating at such a low temperature, the method (1) of forming the cured film can be preferably used for forming a cured film such as an interlayer insulating film on a plastic substrate of a flexible display. The heating temperature is more preferably 120 ° C to 180 ° C, and even more preferably 120 ° C to 150 ° C. The heating time varies depending on the type of the heating device, but may be, for example, 5 minutes to 40 minutes when heat treatment is performed on a hot plate, and 30 minutes to 80 minutes when heat treatment is performed in an oven, more preferably Is within 30 minutes when performing heat treatment on a hot plate, and within 60 minutes when performing heat treatment in an oven. In this way, a cured film 1 such as a target interlayer insulating film can be formed on a substrate.

<경화막(1)><Curing film (1)>

본 발명의 경화막(1)은, 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)로부터 형성된다. 상기 경화막(1)의 형성 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 상술한 상기 경화막의 형성 방법 (1)을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 경화막(1)은 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)로부터 형성되어 있기 때문에, 우수한 표면 경도를 가짐과 동시에 내약품성, 내열성, 투과율 및 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시킬 수 있다. 상기 경화막(1)은 상기 특성을 갖고 있기 때문에, 예를 들면 표시 소자의 층간 절연막, 스페이서, 보호막, 컬러 필터용 착색 패턴 등으로서 바람직하다.The cured film 1 of the present invention is formed from the resin composition 1 for forming the cured film. Although it does not specifically limit as a formation method of the said cured film 1, Preferably, it can form using the formation method (1) of the said cured film mentioned above. Since the cured film 1 is formed from the resin composition 1 for forming a cured film, it has excellent surface hardness and can satisfactorily satisfy general characteristics such as chemical resistance, heat resistance, transmittance, and relative dielectric constant. Since the cured film 1 has the above characteristics, it is preferable as, for example, an interlayer insulating film of a display element, a spacer, a protective film, a coloring pattern for a color filter, or the like.

<네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)><Negative radiation sensitive resin composition (2)>

본 발명의 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은, [A2] 중합체, [B] 중합성 화합물 및 [C] 감방사선성 중합 개시제를 함유한다. 또한, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은, 적합 성분으로서 [D] 산화 방지제를 함유할 수도 있다. 또한, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, [A] 성분 내지 [D] 성분 이외의 그 밖의 임의 성분을 함유할 수도 있다.The negative radiation-sensitive resin composition (2) of the present invention contains the [A2] polymer, [B] polymerizable compound, and [C] radiation-sensitive polymerization initiator. Moreover, the said negative radiation sensitive resin composition (2) may contain [D] antioxidant as a suitable component. Moreover, the said negative radiation sensitive resin composition (2) may contain other arbitrary components other than [A] component-[D] component in the range which does not impair the effect of this invention.

상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은, [A2] 중합체, [B] 중합성 화합물 및 [C] 감방사선성 중합 개시제를 함유하고 있기 때문에, 방사선이 조사된 부위(노광부)가 중합에 의해 경화되어, 알칼리 현상액에 의한 현상에 의해 상기 노광부 이외의 부위(미노광부)가 용해 제거되어 패턴을 형성할 수 있는, 이른바 네가티브형의 특성을 갖는 네가티브형 감방사선성 수지 조성물이다. 그 때문에, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은 패턴상의 경화막을 형성할 수 있다. 이하, 각 성분에 대해서 상술한다.Since the negative-type radiation-sensitive resin composition (2) contains a [A2] polymer, a [B] polymerizable compound, and a [C] radiation-sensitive polymerization initiator, a region (exposed part) irradiated with radiation is polymerized. It is a negative radiation sensitive resin composition having so-called negative characteristics that can be cured by, and a part other than the exposed portion (unexposed portion) is dissolved and removed by development with an alkali developer to form a pattern. Therefore, the said negative radiation sensitive resin composition 2 can form a patterned cured film. Hereinafter, each component is explained in full detail.

<[A2] 중합체><[A2] polymer>

[A2] 중합체는 구조 단위(I) 및 구조 단위(II-2)를 갖는 중합체이다. 또한, [A2] 중합체는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 구조 단위(III) 및 구조 단위(IV)를 가질 수도 있다. [A2] 중합체가 구조 단위(I) 및 구조 단위(II-2)를 가짐으로써, 상술한 경화막 형성용 수지 조성물(1)과 마찬가지로, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은 우수한 표면 경도를 가짐과 동시에, 감도, 현상 밀착성, 내약품성, 내열성, 투과율, 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시킬 수 있는 경화막을 형성할 수 있고, 보존 안정성이 우수하다. 뿐만 아니라, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은, 화학식 (1)로 표시되는 기의 불소화 알킬기의 전자 흡인성에 의한 알코올성 수산기의 수소 원자 이탈 용이성, 및 화학식 (2)로 표시되는 기의 할로겐 원자 및/또는 불소화 알킬기의 전자 흡인성에 의한 페놀성 수산기의 수소 원자 이탈 용이성에 의해 산성을 나타내고, 그 결과 미노광부에서의 알칼리 현상액에 의한 현상 잔사를 감소시킬 수 있다. 또한, [A2] 중합체는 각 구조 단위를 2종 이상 가질 수도 있다.[A2] The polymer is a polymer having a structural unit (I) and a structural unit (II-2). Further, the polymer [A2] may have a structural unit (III) and a structural unit (IV) within a range that does not impair the effects of the present invention. [A2] As the polymer has a structural unit (I) and a structural unit (II-2), the negative radiation-sensitive resin composition (2) has an excellent surface similar to the resin composition (1) for forming a cured film. At the same time as having hardness, a cured film capable of satisfactorily satisfying general characteristics such as sensitivity, developing adhesion, chemical resistance, heat resistance, transmittance, and relative dielectric constant can be formed, and storage stability is excellent. In addition, the negative-type radiation-sensitive resin composition (2), the ease of leaving the hydrogen atom of the alcoholic hydroxyl group by the electron withdrawing of the fluorinated alkyl group of the group represented by the formula (1), and the group represented by the formula (2) The phenolic hydroxyl group by the electron withdrawing property of the halogen atom and / or the fluorinated alkyl group exhibits acidity due to the ease of leaving the hydrogen atom, and as a result, the development residue by the alkali developer in the unexposed portion can be reduced. Further, the [A2] polymer may have two or more types of each structural unit.

[구조 단위(I)][Structural Unit (I)]

구조 단위(I)는, 상기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 상기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위이다.The structural unit (I) is a structural unit comprising at least one member selected from the group consisting of groups represented by the formula (1) and groups represented by the formula (2).

이 구조 단위(I)는, 상술한 [A1] 중합체에서의 구조 단위(I)와 마찬가지이기 때문에, 그 상세한 설명은 생략한다.Since this structural unit (I) is the same as the structural unit (I) in the above-mentioned [A1] polymer, detailed description thereof is omitted.

구조 단위(I)의 함유 비율로서는, [A2] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 5몰% 이상 90몰% 이하가 바람직하고, 20몰% 이상 80몰% 이하가 보다 바람직하고, 30몰% 이상 70몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(I)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써 효과적으로 보존 안정성 등을 향상시킬 수 있다.The content ratio of the structural unit (I) is preferably 5 mol% or more and 90 mol% or less, more preferably 20 mol% or more and 80 mol% or less, more preferably 30 mol% with respect to the total structural units constituting the polymer [A2]. More than 70 mol% or less is more preferable. When the content ratio of the structural unit (I) is within the above range, storage stability and the like can be effectively improved.

[구조 단위(II-2)][Structural Unit (II-2)]

구조 단위(II-2)는 가교성 기(a2)를 포함하는 구조 단위이다.The structural unit (II-2) is a structural unit containing a crosslinkable group (a2).

구조 단위(II-2)로서는, 예를 들면 상술한 구조 단위(II-1)에서 예시한 구조 단위와 마찬가지의 구조 단위 등을 들 수 있다.As a structural unit (II-2), the structural unit similar to the structural unit illustrated by the structural unit (II-1) mentioned above, etc. are mentioned, for example.

상기 가교성 기(a2)로서는, 옥시라닐기, 옥세타닐기, 환상 카보네이트기 및 (메트)아크릴로일기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 이에 따라, 형성되는 경화막의 내약품성을 보다 높일 수 있다.It is preferable that it is at least 1 sort (s) selected from the group which consists of an oxiranyl group, an oxetanyl group, a cyclic carbonate group, and a (meth) acryloyl group as said crosslinkable group (a2). Accordingly, the chemical resistance of the formed cured film can be further improved.

구조 단위(II-2)의 함유 비율로서는, [A2] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 1몰% 이상 70몰% 이하가 바람직하고, 5몰% 이상 50몰% 이하가 보다 바람직하고, 10몰% 이상 30몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(II-2)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써 효과적으로 보존 안정성 등을 향상시킬 수 있다.The content ratio of the structural unit (II-2) is preferably 1 mol% or more and 70 mol% or less, more preferably 5 mol% or more and 50 mol% or less, more preferably 10 with respect to the total structural units constituting the polymer [A2]. More preferably, it is more than 30% by mole. When the content ratio of the structural unit (II-2) is within the above range, storage stability and the like can be effectively improved.

[구조 단위(III)][Structural Unit (III)]

구조 단위(III)는 구조 단위(I) 이외의 구조 단위이며, 수산기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 유래의 구조 단위, 또는 하기 화학식 (3)으로 표시되는 화합물 유래의 구조 단위이다. [A2] 중합체가 구조 단위(III)를 가짐으로써, 알칼리 현상성의 제어 및 잔사 억제를 도모할 수 있다.The structural unit (III) is a structural unit other than the structural unit (I), and is a structural unit derived from a (meth) acrylic acid ester having a hydroxyl group, or a structural unit derived from a compound represented by the following formula (3). [A2] When the polymer has a structural unit (III), it is possible to control alkali developability and suppress residue.

Figure 112014003164485-pat00008
Figure 112014003164485-pat00008

상기 화학식 (3) 중, R'는 수소 원자, 또는 불소 원자로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다. RL1 내지 RL5는 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다. Y는 단결합, -COO- 또는 -CONH-이다. p는 0 내지 3의 정수이다. 단, RL1 내지 RL5 중 적어도 1개는 수산기이다.In the formula (3), R 'is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom. R L1 to R L5 are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Y is a single bond, -COO- or -CONH-. p is an integer from 0 to 3. However, at least 1 of R L1 to R L5 is a hydroxyl group.

상기 RL1 내지 RL5로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서는, 예를 들면 상기 R1 내지 R4로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서 예시한 기와 마찬가지의 기를 적용할 수 있다.As the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R L1 to R L5 , for example, the same groups as those exemplified as the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1 to R 4 can be applied.

구조 단위(III)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (III-1) 내지 (III-11)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (III) include structural units represented by the following formulas (III-1) to (III-11).

Figure 112014003164485-pat00009
Figure 112014003164485-pat00009

상기 화학식 (III-1) 내지 (III-11) 중, R8은 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. p는 상기 화학식 (3)과 동의이다. 이들 중에서 구조 단위(III)로서는, 화학식 (III-1), (III-4) 및 (III-10)으로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.In the formulas (III-1) to (III-11), R 8 is a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. p is synonymous with the said Formula (3). Among them, as the structural unit (III), structural units represented by the formulas (III-1), (III-4) and (III-10) are preferable.

구조 단위(III)를 제공하는 단량체 화합물로서는, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 4-히드록시페닐메타크릴레이트, o-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌이 바람직하고, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 4-히드록시페닐메타크릴레이트, α-메틸-p-히드록시스티렌이 보다 바람직하다.As a monomer compound providing the structural unit (III), 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxyphenyl methacrylate, o-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, α-methyl-p-hydroxy Styrene is preferable, 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxyphenylmethacrylate, and α-methyl-p-hydroxystyrene are more preferable.

구조 단위(III)의 함유 비율로서는, [A2] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 0몰% 이상 50몰% 이하가 바람직하고, 1몰% 이상 30몰% 이하가 보다 바람직하고, 3몰% 이상 20몰% 이하가 더욱 바람직하다.The content ratio of the structural unit (III) is preferably 0 mol% or more and 50 mol% or less, more preferably 1 mol% or more and 30 mol% or less, and more preferably 3 mol% with respect to the total structural units constituting the polymer [A2]. More than 20 mol% or less is more preferable.

[구조 단위(IV)][Structural Unit (IV)]

구조 단위(IV)는, 상기 구조 단위(I) 내지 (III) 이외의 구조 단위이다. 구조 단위(IV)로서는, 상기 구조 단위(I) 내지 (III) 이외의 구조 단위인 한 특별히 한정되지 않는다. [A2] 중합체가 구조 단위(IV)를 가짐으로써, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은 수지의 유리 전이 온도를 조정하여, 알칼리 현상성, 열경화시의 용융 흐름성이나 경화막의 기계적 강도, 내약품성을 향상시킬 수 있다.The structural unit (IV) is a structural unit other than the structural units (I) to (III). The structural unit (IV) is not particularly limited as long as it is a structural unit other than the structural units (I) to (III). [A2] As the polymer has a structural unit (IV), the negative radiation-sensitive resin composition (2) adjusts the glass transition temperature of the resin, so that alkali developability, melt flow during thermal curing, or mechanical properties of the cured film Strength and chemical resistance can be improved.

구조 단위(IV)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (IV-1) 내지 (IV-11)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (IV) include structural units represented by the following formulas (IV-1) to (IV-11).

Figure 112014003164485-pat00010
Figure 112014003164485-pat00010

상기 화학식 (IV-1) 내지 (IV-11) 중, R9는 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. RM은 수소 원자 또는 메틸기이다. s는 1 내지 10의 정수이다. 이들 중에서 구조 단위(IV)로서는, 화학식 (IV-1), (IV-2), (IV-7) 내지 (IV-9), (IV-11)로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.In the formulas (IV-1) to (IV-11), R 9 is a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. R M is a hydrogen atom or a methyl group. s is an integer from 1 to 10. Among them, as the structural unit (IV), structural units represented by formulas (IV-1), (IV-2), (IV-7) to (IV-9), and (IV-11) are preferable.

구조 단위(IV)를 제공하는 단량체 화합물로서는, 예를 들면 (메트)아크릴산, (메트)아크릴산 쇄상 알킬에스테르, (메트)아크릴산 환상 알킬에스테르, (메트)아크릴산아릴에스테르, 불포화 디카르복실산디에스테르, 비시클로 불포화 화합물, 말레이미드 화합물, 불포화 방향족 화합물 및 공액 디엔 화합물, 및 테트라히드로푸란 골격, 푸란 골격, 테트라히드로피란 골격, 피란 골격 또는 하기 화학식 (4)로 표시되는 골격을 갖는 불포화 화합물, 그 밖의 불포화 화합물 등에서 유래되는 구조 단위를 들 수 있다.Examples of the monomer compound that provides the structural unit (IV) include (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid chain alkyl ester, (meth) acrylic acid cyclic alkyl ester, (meth) acrylic acid aryl ester, unsaturated dicarboxylic acid diester, Bicyclo unsaturated compounds, maleimide compounds, unsaturated aromatic compounds and conjugated diene compounds, and tetrahydrofuran skeletons, furan skeletons, tetrahydropyran skeletons, pyran skeletons, or unsaturated compounds having a skeleton represented by the following formula (4), other And structural units derived from unsaturated compounds and the like.

Figure 112014003164485-pat00011
Figure 112014003164485-pat00011

상기 화학식 (4) 중, RM 및 s는 상기 화학식 (IV-1) 내지 (IV-11)과 동의이다.In the formula (4), R M and s are synonymous with the formulas (IV-1) to (IV-11).

상기 (메트)아크릴산 쇄상 알킬에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산메틸, 아크릴산에틸, 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 sec-부틸, 아크릴산 t-부틸, 아크릴산 2-에틸헥실, 아크릴산이소데실, 아크릴산 n-라우릴, 아크릴산트리데실, 아크릴산 n-스테아릴 등의 아크릴산 쇄상 알킬에스테르; 메타크릴산메틸, 메타크릴산에틸, 메타크릴산 n-부틸, 메타크릴산 sec-부틸, 메타크릴산 t-부틸, 메타크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산이소데실, 메타크릴산 n-라우릴, 메타크릴산트리데실, 메타크릴산 n-스테아릴 등의 메타크릴산 쇄상 알킬에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid chain alkyl ester include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, t-butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, isodecyl acrylate, n-lauryl acrylate, Acrylic acid chain alkyl esters such as tridecyl acrylate and n-stearyl acrylate; Methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, isodecyl methacrylate, n-methacrylate And methacrylic acid chain alkyl esters such as lauryl, tridecyl methacrylate, and n-stearyl methacrylate.

상기 (메트)아크릴산 환상 알킬에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산시클로헥실, 아크릴산 2-메틸시클로헥실, 아크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 아크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸, 아크릴산이소보로닐 등의 아크릴산 환상 알킬에스테르; 메타크릴산시클로헥실, 메타크릴산 2-메틸시클로헥실, 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸, 메타크릴산이소보로닐 등의 메타크릴산 환상 알킬에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid cyclic alkyl ester include cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo acrylate [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl, and tricyclo acrylate [5.2.1.0 2, 6 ] acrylic acid cyclic alkyl esters such as decan-8-yloxyethyl and isobornyl acrylate; Cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo methacrylate [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl, tricyclomethacrylate [5.2.1.0 2,6 ] decane-8 -Cyclic alkyl esters of methacrylic acid such as monooxyethyl and isobornyl methacrylate.

상기 (메트)아크릴산아릴에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산페닐, 아크릴산벤질 등의 아크릴산아릴에스테르; 메타크릴산페닐, 메타크릴산벤질 등의 메타크릴산아릴에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid aryl ester include acrylic acid aryl esters such as phenyl acrylate and benzyl acrylate; And methacrylic acid aryl esters such as phenyl methacrylate and benzyl methacrylate.

상기 불포화 디카르복실산디에스테르로서는, 예를 들면 말레산디에틸, 푸마르산디에틸, 이타콘산디에틸 등을 들 수 있다.As said unsaturated dicarboxylic acid diester, diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconic acid, etc. are mentioned, for example.

상기 비시클로 불포화 화합물로서는, 예를 들면 비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-메톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-에톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디메톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디에톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-t-부톡시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-시클로헥실옥시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-페녹시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(t-부톡시카르보닐)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(시클로헥실옥시카르보닐)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-(2'-히드록시에틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디히드록시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(히드록시메틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(2'-히드록시에틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시-5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시메틸-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔 등을 들 수 있다.Examples of the bicyclo unsaturated compound include bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, and 5-ethylbicyclo [2.2.1] hept -2-ene, 5-methoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-ethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dimethoxybicyclo [2.2.1] Hept-2-ene, 5,6-diethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-t-butoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-cyclohex Siloxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-phenoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (t-butoxycarbonyl) bicyclo [ 2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (cyclohexyloxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5- (2'-hydroxyethyl) bicyclo [2.2 .1] hept-2-ene, 5,6-dihydroxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (hydroxymethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2- Yen, 5,6-di (2'-hydroxyethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-hydroxy-5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5 -Hydroxy-5-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-hydroxymethyl-5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, etc. are mentioned.

상기 말레이미드 화합물로서는, 예를 들면 N-페닐말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-(4-히드록시페닐)말레이미드, N-(4-히드록시벤질)말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부티레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트, N-(9-아크리디닐)말레이미드 등을 들 수 있다.Examples of the maleimide compound include N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N- (4-hydroxyphenyl) maleimide, and N- (4-hydroxybenzyl) maleimide Mid, N-succinimidyl-3-maleimide benzoate, N-succinimidyl-4-maleimide butyrate, N-succinimidyl-6-maleimidecaproate, N-succinimidyl-3-maleimide Propionate, N- (9-acridinyl) maleimide, and the like.

상기 불포화 방향족 화합물로서는, 예를 들면 스티렌, α-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated aromatic compound include styrene, α-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, vinyltoluene, p-methoxystyrene, and α-methyl-p-hydroxystyrene.

상기 공액 디엔 화합물로서는, 예를 들면 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔 등을 들 수 있다.As said conjugated diene compound, 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene etc. are mentioned, for example.

상기 테트라히드로푸란 골격을 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 2-메타크릴로일옥시-프로피온산테트라히드로푸르푸릴에스테르, 3-(메트)아크릴로일옥시테트라히드로푸란-2-온, (메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴, 테트라히드로(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As the unsaturated compound having a tetrahydrofuran skeleton, for example, 2-methacryloyloxy-propionic acid tetrahydrofurfuryl ester, 3- (meth) acryloyloxytetrahydrofuran-2-one, (meth) acrylic acid Tetrahydrofurfuryl, tetrahydro (meth) acrylate, and the like.

상기 푸란 골격을 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 2-메틸-5-(3-푸릴)-1-펜텐-3-온, (메트)아크릴산푸르푸릴, 1-푸란-2-부틸-3-엔-2-온, 1-푸란-2-부틸-3-메톡시-3-엔-2-온, 6-(2-푸릴)-2-메틸-1-헥센-3-온, 6-푸란-2-일-헥시-1-엔-3-온, 아크릴산-2-푸란-2-일-1-메틸-에틸에스테르, 6-(2-푸릴)-6-메틸-1-헵텐-3-온 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound having a furan skeleton include 2-methyl-5- (3-furyl) -1-penten-3-one, furfuryl (meth) acrylate, and 1-furan-2-butyl-3-ene -2-one, 1-furan-2-butyl-3-methoxy-3-en-2-one, 6- (2-furyl) -2-methyl-1-hexen-3-one, 6-furan- 2-yl-hexy-1-en-3-one, acrylic acid-2-furan-2-yl-1-methyl-ethyl ester, 6- (2-furyl) -6-methyl-1-hepten-3-one And the like.

상기 테트라히드로피란 골격을 함유하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 (테트라히드로피란-2-일)메틸메타크릴레이트, 2,6-디메틸-8-(테트라히드로피란-2-일옥시)-옥트-1-엔-3-온, 2-메타크릴산테트라히드로피란-2-일에스테르, 1-(테트라히드로피란-2-옥시)-부틸-3-엔-2-온 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound containing the tetrahydropyran skeleton include (tetrahydropyran-2-yl) methyl methacrylate, 2,6-dimethyl-8- (tetrahydropyran-2-yloxy) -oct- And 1-en-3-one, 2-methacrylic acid tetrahydropyran-2-yl ester, and 1- (tetrahydropyran-2-oxy) -butyl-3-en-2-one.

상기 피란 골격을 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 4-(1,4-디옥사-5-옥소-6-헵테닐)-6-메틸-2-피란, 4-(1,5-디옥사-6-옥소-7-옥테닐)-6-메틸-2-피란 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound having a pyran skeleton include 4- (1,4-dioxa-5-oxo-6-heptenyl) -6-methyl-2-pyran, 4- (1,5-dioxa- And 6-oxo-7-octenyl) -6-methyl-2-pyran.

상기 화학식 (4)로 표시되는 골격을 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As the unsaturated compound having a skeleton represented by the formula (4), for example, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (Meth) acrylate, dipropylene glycol di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, and the like.

상기 그 밖의 불포화 화합물로서는, 예를 들면 (메트)아크릴로니트릴, 염화비닐, 염화비닐리덴, (메트)아크릴아미드, 아세트산비닐 등을 들 수 있다.As said other unsaturated compound, (meth) acrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, (meth) acrylamide, vinyl acetate etc. are mentioned, for example.

이들 중에서, 상기 구조 단위(IV)를 제공하는 단량체 화합물로서는, 메타크릴산 쇄상 알킬에스테르, 메타크릴산 환상 알킬에스테르, 말레이미드 화합물, 테트라히드로푸란 골격, 푸란 골격, 테트라히드로피란 골격, 피란 골격, 상기 화학식 (4)로 표시되는 골격을 갖는 불포화 화합물, 불포화 방향족 화합물, 아크릴산 환상 알킬에스테르가 바람직하고, 공중합 반응성 및 알칼리 수용액에 대한 용해성의 점에서, 스티렌, 메타크릴산, 메타크릴산메틸, 메타크릴산 t-부틸, 메타크릴산 n-라우릴, 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, p-메톡시스티렌, 아크릴산 2-메틸시클로헥실, N-페닐말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, (메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴, 폴리에틸렌글리콜(n=2 내지 10)모노(메트)아크릴레이트, 3-(메트)아크릴로일옥시테트라히드로푸란-2-온이 보다 바람직하다.Among these, as the monomer compound providing the structural unit (IV), methacrylic acid chain alkyl ester, methacrylic acid cyclic alkyl ester, maleimide compound, tetrahydrofuran skeleton, furan skeleton, tetrahydropyran skeleton, pyran skeleton, An unsaturated compound having a skeleton represented by the formula (4), an unsaturated aromatic compound, and an acrylic acid cyclic alkyl ester are preferred, and in view of copolymerization reactivity and solubility in an aqueous alkali solution, styrene, methacrylic acid, methyl methacrylate, and meta T-butyl acrylate, n-lauryl methacrylate, tricyclo methacrylate [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl, p-methoxystyrene, 2-methylcyclohexyl acrylate, N-phenylmaleate Mid, N-cyclohexylmaleimide, (meth) acrylic acid tetrahydrofurfuryl, polyethylene glycol (n = 2 to 10) mono (meth) acrylate, 3- (meth) acryloyloxytetrahydrofuran-2-one It is more preferable.

구조 단위(IV)의 함유 비율로서는, [A2] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 0몰% 이상 90몰% 이하가 바람직하고, 1몰% 이상 70몰% 이하가 보다 바람직하고, 3몰% 이상 60몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(IV)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써 내약품성을 효과적으로 향상시킬 수 있다.The content ratio of the structural unit (IV) is preferably 0 mol% or more and 90 mol% or less, more preferably 1 mol% or more and 70 mol% or less, and more preferably 3 mol% with respect to the total structural units constituting the polymer [A2]. More than 60 mol% or less is more preferable. The chemical resistance can be effectively improved by making the content rate of the structural unit (IV) into the said range.

<[A2] 중합체의 합성 방법><Synthesis method of [A2] polymer>

[A2] 중합체의 합성 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 상술한 [A1] 중합체의 합성 방법과 마찬가지의 방법 등을 적용할 수 있다.The method for synthesizing the polymer [A2] is not particularly limited, and for example, the same method as for the method for synthesizing the polymer [A1] described above can be applied.

[A2] 중합체의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)으로서는, 1,000 이상 30,000 이하가 바람직하고, 5,000 이상 20,000 이하가 보다 바람직하다. [A2] 중합체의 Mw를 상기 범위로 함으로써 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)의 감도 및 현상성을 보다 높일 수 있다. 또한, [A2] 중합체의 Mw와 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 수 평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)로서는, 1 이상 3 이하가 바람직하고, 1.5 이상 2.5 이하가 보다 바람직하다.[A2] As the weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) of the polymer, 1,000 or more and 30,000 or less are preferable, and 5,000 or more and 20,000 or less are more preferable. [A2] By setting the Mw of the polymer to the above range, the sensitivity and developability of the negative radiation-sensitive resin composition 2 can be further improved. Moreover, as ratio (Mw / Mn) of the number average molecular weight (Mn) in polystyrene conversion by Mw and GPC of [A2] polymer, 1 or more and 3 or less are preferable, and 1.5 or more and 2.5 or less are more preferable.

<[B] 중합성 화합물><[B] polymerizable compound>

[B] 중합성 화합물은 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물이다. 또한, [B] 중합성 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.[B] The polymerizable compound is a compound having an ethylenically unsaturated bond. Further, the polymerizable compound [B] may be used alone or in combination of two or more.

[B] 중합성 화합물로서는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 중합성 화합물이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 ω-카르복시폴리카프로락톤모노(메트)아크릴레이트, 2-(2'-비닐옥시에톡시)에틸(메트)아크릴레이트 등의 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물; 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디(메트)아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-(메트)아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 트리(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 에틸렌옥시드 변성 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 직쇄 알킬렌기 및 지환식 구조를 가지며, 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물과, 분자 내에 1개 이상의 수산기를 가지며, 3개 내지 5개의 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 우레탄(메트)아크릴레이트 화합물 등의 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물 등을 들 수 있다.[B] The polymerizable compound is not particularly limited as long as it is a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond, for example, ω-carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate, 2- (2'-vinyloxyethoxy) ethyl Monofunctional (meth) acrylate compounds such as (meth) acrylate; Ethylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) ) Acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, bisphenoxyethanolfluorenedi (meth) acrylate, dimethyloltricyclodecanedi (meth) acrylate, 2-hydroxy-3- (meth) Acryloyloxypropyl methacrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, Dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, tri (2- (meth) acryloyloxyethyl) phosphate, ethylene oxide modified dipentaerythritol hexaacrylate, succinic acid modified pentaerythritol triacrylate, straight chain alkylene group And urethane (meth) acrylates obtained by reacting a compound having an alicyclic structure, two or more isocyanate groups, and one or more hydroxyl groups in the molecule, and three to five (meth) acryloyloxy groups. And polyfunctional (meth) acrylate compounds such as compounds.

[B] 중합성 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면[B] As a commercial product of the polymerizable compound, for example

아로닉스 M-400, 동 M-402,동 M-405, 동 M-450, 동 M-1310, 동 M-1600, 동 M-1960, 동 M-7100, 동 M-8030, 동 M-8060, 동 M-8100, 동 M-8530, 동 M-8560, 동 M-9050, 아로닉스 TO-1450, 동 TO-1382(이상, 도아 고세이 제조);Aaronix M-400, East M-402, East M-405, East M-450, East M-1310, East M-1600, East M-1960, East M-7100, East M-8030, East M-8060 , Copper M-8100, Copper M-8530, Copper M-8560, Copper M-9050, Aaronix TO-1450, Copper TO-1382 (above, manufactured by Toa Kosei);

KAYARAD DPHA, 동 DPCA-20, 동 DPCA-30, 동 DPCA-60, 동 DPCA-120, 동 MAX-3510(이상, 닛본 가야꾸 제조);KAYARAD DPHA, copper DPCA-20, copper DPCA-30, copper DPCA-60, copper DPCA-120, copper MAX-3510 (above, manufactured by Nippon Kayaku);

비스코트 295, 동 300, 동 360, 동 GPT, 동 3PA, 동 400(이상, 오사카 유키 가가꾸 고교 제조);Biscot 295, Copper 300, Copper 360, Copper GPT, Copper 3PA, Copper 400 (above, manufactured by Osaka Yuki Kagaku High School);

우레탄아크릴레이트계 화합물로서, 뉴 프론티어 R-1150(다이이치 고교 세이야꾸 제조);As a urethane acrylate type compound, New Frontier R-1150 (made by Daiichi Kogyo Seiyaku);

KAYARAD DPHA-40H, UX-5000(이상, 닛본 가야꾸 제조);KAYARAD DPHA-40H, UX-5000 (above, manufactured by Nippon Kayaku);

UN-9000H(네가미 고교 제조);UN-9000H (manufactured by Negami High School);

아로닉스 M-5300, 동 M-5600, 동 M-5700, M-210, 동 M-220, 동 M-240, 동 M-270, 동 M-6200, 동 M-305, 동 M-309, 동 M-310, 동 M-315(이상, 도아 고세이 제조);Aaronix M-5300, Copper M-5600, Copper M-5700, M-210, Copper M-220, Copper M-240, Copper M-270, Copper M-6200, Copper M-305, Copper M-309, Copper M-310, Copper M-315 (above, manufactured by Toa Kosei);

KAYARAD HDDA, KAYARAD HX-220, 동 HX-620, 동 R-526, 동 R-167, 동 R-604, 동 R-684, 동 R-551, 동 R-712, UX-2201, UX-2301, UX-3204, UX-3301, UX-4101, UX-6101, UX-7101, UX-8101, UX-0937, MU-2100, MU-4001(이상, 닛본 가야꾸 제조);KAYARAD HDDA, KAYARAD HX-220, East HX-620, East R-526, East R-167, East R-604, East R-684, East R-551, East R-712, UX-2201, UX-2301 , UX-3204, UX-3301, UX-4101, UX-6101, UX-7101, UX-8101, UX-0937, MU-2100, MU-4001 (above, manufactured by Nippon Kayaku);

아트레진 UN-9000PEP, 동 UN-9200A, 동 UN-7600, 동 UN-333, 동 UN-1003,동 UN-1255, 동 UN-6060PTM, 동 UN-6060P(이상, 네가미 고교 제조);Art resin UN-9000PEP, copper UN-9200A, copper UN-7600, copper UN-333, copper UN-1003, copper UN-1255, copper UN-6060PTM, copper UN-6060P (above, manufactured by Negami High School);

SH-500B 비스코트 260, 동 312, 동 335HP(이상, 오사카 유키 가가꾸 고교 제조) 등을 들 수 있다.And SH-500B biscoat 260, copper 312, copper 335HP (above, manufactured by Osaka Yuki Chemical Industries).

[B] 중합성 화합물은, 동일 분자 내에 카르복시기를 적어도 1개 갖는 것이 바람직하다. 이에 따라, 가교성의 향상 및 미노광부에서의 현상 잔사의 감소를 도모할 수 있다. 동일 분자 내에 카르복시기를 적어도 1개 갖는 [B] 중합성 화합물로서는, ω-카르복시폴리카프로락톤모노(메트)아크릴레이트, 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리아크릴레이트가 바람직하다.[B] It is preferable that the polymerizable compound has at least one carboxy group in the same molecule. Accordingly, it is possible to improve the crosslinking property and reduce the development residue in the unexposed portion. As the [B] polymerizable compound having at least one carboxyl group in the same molecule, ω-carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate and succinic acid-modified pentaerythritol triacrylate are preferable.

[B] 중합성 화합물의 함유량으로서는, [A2] 중합체 100질량부에 대하여 20질량부 이상 200질량부 이하가 바람직하고, 40질량부 이상 160질량부 이하가 보다 바람직하다. [B] 중합성 화합물의 함유량을 상기 범위로 함으로써 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은 밀착성이 우수하고, 저노광량에서도 충분한 표면 경도를 갖는 경화막을 형성할 수 있다.[B2] The content of the polymerizable compound is preferably 20 parts by mass or more and 200 parts by mass or less, more preferably 40 parts by mass or more and 160 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer [A2]. [B] By setting the content of the polymerizable compound in the above range, the negative radiation-sensitive resin composition (2) has excellent adhesion and can form a cured film having a sufficient surface hardness even at a low exposure amount.

<[C] 감방사선성 중합 개시제><[C] radiation-sensitive polymerization initiator>

[C] 감방사선성 중합 개시제는, 방사선에 감응하여 [B] 중합성 화합물의 중합을 개시할 수 있는 활성종을 발생시키는 성분이다. [C] 감방사선성 중합 개시제로서는, 예를 들면 옥심에스테르 화합물, 아세토페논 화합물, 비이미다졸 화합물 등을 들 수 있다. 또한, [C] 감방사선성 중합 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.[C] The radiation-sensitive polymerization initiator is a component that generates an active species capable of initiating polymerization of the polymerizable compound [B] in response to radiation. [C] As a radiation-sensitive polymerization initiator, an oxime ester compound, an acetophenone compound, a biimidazole compound, etc. are mentioned, for example. Further, the radiation-sensitive polymerization initiator [C] may be used alone or in combination of two or more.

상기 옥심에스테르 화합물로서는, 예를 들면 에타논-1-〔9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심), 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 1-〔9-에틸-6-벤조일-9H-카르바졸-3-일〕-옥탄-1-온옥심-O-아세테이트, 1-〔9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-에탄-1-온옥심-O-벤조에이트, 1-〔9-n-부틸-6-(2-에틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-에탄-1-온옥심-O-벤조에이트, 에타논-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라히드로푸라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에타논-1-〔9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라히드로피라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심), 에타논-1-〔9-에틸-6-(2-메틸-5-테트라히드로푸라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심), 에타논-1-〔9-에틸-6-{2-메틸-4-(2,2-디메틸-1,3-디옥솔라닐)메톡시벤조일}-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심) 등의 O-아실옥심 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서 옥심에스테르 화합물로서는, 에타논-1-〔9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심), 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에타논-1-〔9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라히드로푸라닐메톡시벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심), 에타논-1-〔9-에틸-6-{2-메틸-4-(2,2-디메틸-1,3-디옥솔라닐)메톡시벤조일}-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심)이 바람직하다.Examples of the oxime ester compound include ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), 1,2 -Octanedione-1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)], 1- [9-ethyl-6-benzoyl-9H-carbazol-3-yl] -octan-1-one Oxime-O-acetate, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -ethan-1-one oxime-O-benzoate, 1- [9-n -Butyl-6- (2-ethylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -ethan-1-one oxime-O-benzoate, ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl -4-tetrahydrofuranylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydro Pyranylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-5-tetrahydrofuranylbenzoyl)- 9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone-1- [9-ethyl-6- {2-methyl-4- (2,2-dimethyl-1,3-diox) And o-acyloxime compounds such as solanyl) methoxybenzoyl} -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime). Among them, as the oxime ester compound, ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), 1,2-octane Dione-1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)], ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydrofuranylmethoxybenzoyl) -9H -Carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone-1- [9-ethyl-6- {2-methyl-4- (2,2-dimethyl-1,3-dioxosol) Neil) methoxybenzoyl} -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime) is preferred.

상기 아세토페논 화합물로서는, 예를 들면 α-아미노케톤 화합물, α-히드록시케톤 화합물을 들 수 있다.Examples of the acetophenone compound include an α-aminoketone compound and an α-hydroxyketone compound.

상기 α-아미노케톤 화합물로서는, 예를 들면 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온 등을 들 수 있다.Examples of the α-aminoketone compound include 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one and 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl). -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one, 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropan-1-one, and the like. have.

상기 α-히드록시케톤 화합물로서는, 예를 들면 1-페닐-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-i-프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-(2-히드록시-2-프로필)케톤, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등을 들 수 있다.Examples of the α-hydroxyketone compound include 1-phenyl-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one and 1- (4-i-propylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropane. -1-one, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, and the like.

상기 아세토페논 화합물로서는, α-아미노케톤 화합물이 바람직하고, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온이 보다 바람직하다.As the acetophenone compound, an α-aminoketone compound is preferable, 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one, 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropan-1-one is more preferable.

상기 비이미다졸 화합물로서는, 예를 들면 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4', 5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸이 바람직하고, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸이 보다 바람직하다.Examples of the biimidazole compound include 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis (4-ethoxycarbonylphenyl) -1,2'- Biimidazole, 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis (2,4- Dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis (2,4,6-trichlorophenyl) -4,4', 5 And 5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole. Of these, 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis (2,4-dichloro Phenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis (2,4,6-trichlorophenyl) -4,4', 5, 5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole is preferred, 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2' -Biimidazole is more preferred.

[C] 감방사선성 중합 개시제의 시판품으로서는, 예를 들면 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온(이르가큐어 907), 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온(이르가큐어 379), 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)](이르가큐어 OXE01), 에타논-1-〔9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심)(이르가큐어 OXE02)(이상, 시바·스페셜티·케미컬즈 제조) 등을 들 수 있다.[C] As a commercial product of the radiation-sensitive polymerization initiator, for example, 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropan-1-one (Irgacure 907), 2-dimethylamino -2- (4-methylbenzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one (Irgacure 379), 1,2-octandione-1- [4- ( Phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)] (Irgacure OXE01), Ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1 -(O-acetyloxime) (Irgacure OXE02) (above, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) and the like.

[C] 감방사선성 중합 개시제의 함유량으로서는, [A2] 중합체 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 40질량부 이하가 바람직하고, 0.5질량부 이상 20질량부 이하가 보다 바람직하다. [C] 감방사선성 중합 개시제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은 저노광량의 경우에도 충분한 표면 경도 및 밀착성을 갖는 경화막을 형성할 수 있다.[C2] The content of the radiation-sensitive polymerization initiator is preferably 0.1 parts by mass or more and 40 parts by mass or less, more preferably 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer [A2]. By setting the content of the radiation-sensitive polymerization initiator in the above range, the negative radiation-sensitive resin composition 2 can form a cured film having sufficient surface hardness and adhesion even in the case of a low exposure amount.

또한, [C] 감방사선성 중합 개시제가 옥심에스테르 화합물이고, 이 옥심에스테르 화합물의 함유량이 [A2] 중합체 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 1질량부 이상 5질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 이에 따라, 저노광량의 경우에도 충분한 표면 경도 및 밀착성을 갖는 경화막을 효율적으로 형성할 수 있다.In addition, the radiation-sensitive polymerization initiator [C] is an oxime ester compound, and the content of the oxime ester compound is preferably 0.1 parts by mass or more and 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer [A2], and 1 part by mass or more and 5 parts by mass or less It is more preferably less than or equal to parts. Accordingly, a cured film having sufficient surface hardness and adhesion can be efficiently formed even in the case of a low exposure amount.

<[D] 산화 방지제><[D] Antioxidant>

[D] 산화 방지제는 노광 또는 가열에 의해 발생된 라디칼, 또는 산화에 의해서 생성된 과산화물을 분해하여, 중합체 분자의 결합의 해열을 방지할 수 있는 성분이다. [D] 산화 방지제로서는, 상술한 <경화막 형성용 수지 조성물(1)>의 항에서 설명한 산화 방지제를 적용할 수 있다. 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은 [D] 산화 방지제를 함유함으로써, 얻어지는 경화막의 경시적인 산화 열화가 방지되어, 예를 들면 경화막의 막 두께 변화를 억제할 수 있다. 또한, [D] 산화 방지제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.[D] Antioxidants are components that can decompose radicals generated by exposure or heating, or peroxides produced by oxidation, to prevent the deterioration of the binding of polymer molecules. [D] As the antioxidant, the antioxidant described in the above section of <Resin composition for curing film formation (1)> can be applied. By containing the antioxidant [D], the negative radiation-sensitive resin composition (2) can prevent aging deterioration of the cured film obtained over time, for example, to suppress a change in the film thickness of the cured film. In addition, [D] antioxidants may be used alone or in combination of two or more.

[D] 산화 방지제의 함유량으로서는, [A2] 중합체 100질량부에 대하여 0질량부 이상 5질량부 이하가 바람직하고, 0.01질량부 이상 2질량부 이하가 보다 바람직하다. [D] 산화 방지제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 얻어지는 경화막의 경시적인 산화 열화를 효과적으로 방지할 수 있다.[D2] The content of the antioxidant is preferably 0 parts by mass or more and 5 parts by mass or less, more preferably 0.01 parts by mass or more and 2 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer [A2]. [D] By setting the content of the antioxidant in the above range, it is possible to effectively prevent aging deterioration over time of the cured film obtained.

<그 밖의 임의 성분><Other optional ingredients>

상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)이 함유할 수도 있는 그 밖의 임의 성분으로서는, 예를 들면 용매 외에, [E] 계면 활성제, [F] 접착 보조제 등을 들 수 있다. 또한, 각각의 그 밖의 임의 성분에 대해서는, 상술한 <경화막 형성용 수지 조성물(1)>의 항에서 설명한 것을 적용할 수 있다.As other arbitrary components which the said negative radiation sensitive resin composition (2) may contain, for example, [E] surfactant, [F] adhesion aid, etc. are mentioned besides a solvent. Moreover, what was demonstrated by the term of the above-mentioned <resin composition for hardening film formation (1)> can be applied to each other arbitrary component.

<네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)의 제조 방법><The manufacturing method of a negative radiation sensitive resin composition (2)>

본 발명의 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은, [A2] 중합체, 필요에 따라서 그 밖의 성분을 소정의 비율로 혼합하고, 바람직하게는 적당한 용매에 용해시켜서 제조할 수 있다. 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)의 제조에 이용되는 용매로서는, 예를 들면 상술한 <경화막 형성용 수지 조성물(1)의 제조 방법>의 항에서 예시한 용매와 마찬가지의 용매 등을 적용할 수 있다. 제조한 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은, 예를 들면 공경 0.2㎛ 정도의 필터로 여과하는 것이 바람직하다.The negative radiation-sensitive resin composition (2) of the present invention can be produced by mixing the [A2] polymer and other components, if necessary, in a predetermined ratio, and preferably dissolving in a suitable solvent. As a solvent used for the production of the negative-type radiation-sensitive resin composition 2, for example, the same solvent as the solvent exemplified in the above-described <Method for producing the resin composition for forming a cured film 1> is applied. can do. It is preferable to filter the produced negative radiation-sensitive resin composition 2 with a filter having a pore size of about 0.2 µm, for example.

<경화막의 형성 방법 (2)><Method of forming a cured film (2)>

본 발명의 경화막의 형성 방법 (2)는,The method (2) of forming the cured film of the present invention is

(1) 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정(이하, "공정 (B1)"이라고도 함),(1) A step of forming a coating film on the substrate using the negative radiation-sensitive resin composition (2) (hereinafter also referred to as "step (B1)"),

(2) 상기 도막의 일부에 방사선을 조사하는 공정(이하, "공정 (B2)"라고도 함),(2) A step of irradiating a portion of the coating film with radiation (hereinafter also referred to as "step (B2)"),

(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정(이하, "공정 (B3)"이라고도 함), 및(3) a process of developing the coated film irradiated with the radiation (hereinafter also referred to as "process (B3)"), and

(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 공정(이하, "공정 (B4)"라고도 함)(4) Process of heating the developed coating film (hereinafter also referred to as "process (B4)")

을 갖는다.Have

상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)이 상기 성질을 갖고 있기 때문에, 본 발명의 경화막의 형성 방법(2)에 따르면, 내열성, 내약품성, 투과율, 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시키고, 우수한 표면 경도를 갖는 경화막을 형성할 수 있다. 이하, 각 공정에 대해서 상술한다.Since the negative radiation-sensitive resin composition (2) has the above properties, according to the method (2) of forming the cured film of the present invention, it satisfies general characteristics such as heat resistance, chemical resistance, transmittance, and relative dielectric constant. A cured film having excellent surface hardness can be formed. Hereinafter, each process is explained in full detail.

[공정 (B1)][Process (B1)]

본 공정에서는, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)을 이용하여 기판 상에 도막을 형성한다. 구체적으로는, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)의 용액을 기판 표면에 도포하고, 바람직하게는 프리베이킹을 행함으로써 용매를 제거하여 도막을 형성한다. 상기 기판으로서는, 예를 들면 유리 기판, 실리콘 웨이퍼, 플라스틱 기판, 및 이들의 표면에 각종 금속 박막이 형성된 기판 등을 들 수 있다. 상기 플라스틱 기판으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드 등의 플라스틱을 포함하는 수지 기판을 들 수 있다.In this step, a coating film is formed on the substrate using the negative radiation-sensitive resin composition (2). Specifically, the solution of the negative radiation-sensitive resin composition (2) is applied to the surface of the substrate, and preferably pre-baking to remove the solvent to form a coating film. Examples of the substrate include glass substrates, silicon wafers, plastic substrates, and substrates on which various metal thin films are formed. As said plastic substrate, the resin substrate containing plastics, such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), polyether sulfone, polycarbonate, and polyimide, is mentioned, for example.

도포 방법으로서는, 예를 들면 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법(스핀 코팅법), 슬릿다이 도포법, 바 도포법, 잉크젯법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 이들 중에서 도포 방법으로서는, 스핀 코팅법, 바 도포법, 슬릿다이 도포법이 바람직하다. 상기 프리베이킹의 조건으로서는, 각 성분의 종류, 사용 비율 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면 60℃ 내지 130℃에서 30초간 내지 10분간 정도로 할 수 있다. 형성되는 도막의 막 두께는 프리베이킹 후의 값으로서 0.1㎛ 내지 8㎛가 바람직하고, 0.1㎛ 내지 6㎛가 보다 바람직하고, 0.1㎛ 내지 4㎛가 더욱 바람직하다.As the coating method, suitable methods such as a spray method, a roll coating method, a rotation coating method (spin coating method), a slit die coating method, a bar coating method, and an inkjet method can be adopted, for example. Of these, spin coating, bar coating or slit die coating is preferred as the coating method. The conditions of the pre-baking vary depending on the type of each component, the use ratio, and the like, but can be, for example, from 60 ° C to 130 ° C for about 30 seconds to 10 minutes. The film thickness of the formed coating film is preferably 0.1 µm to 8 µm, more preferably 0.1 µm to 6 µm, and even more preferably 0.1 µm to 4 µm as a value after pre-baking.

[공정 (B2)][Process (B2)]

본 공정에서는, 상기 도막의 일부에 방사선을 조사한다. 구체적으로는, 공정 (B1)에서 형성한 도막에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 통해 방사선을 조사한다. 이때 이용되는 방사선으로서는, 예를 들면 자외선, 원자외선, X선, 하전 입자선 등을 들 수 있다.In this process, a part of the coating film is irradiated with radiation. Specifically, the coating film formed in step (B1) is irradiated with radiation through a mask having a predetermined pattern. Examples of the radiation used at this time include ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, and charged particle rays.

상기 자외선으로서는, 예를 들면 g선(파장 436nm), i선(파장 365nm) 등을 들 수 있다. 원자외선으로서는, 예를 들면 KrF 엑시머 레이저광 등을 들 수 있다. X선으로서는, 예를 들면 싱크로트론 방사선 등을 들 수 있다. 하전 입자선으로서는, 예를 들면 전자선 등을 들 수 있다. 이들 방사선 중 자외선이 바람직하고, 자외선 중에서도 g선, h선 및/또는 i선을 포함하는 방사선이 보다 바람직하다. 방사선의 노광량으로서는, 0.1J/m2 내지 10,000J/m2가 바람직하다.Examples of the ultraviolet rays include g-rays (wavelength 436 nm), i-rays (wavelength 365 nm), and the like. Examples of the far ultraviolet rays include KrF excimer laser light and the like. As X-rays, synchrotron radiation etc. are mentioned, for example. As a charged particle beam, an electron beam etc. are mentioned, for example. Among these radiations, ultraviolet rays are preferred, and among the ultraviolet rays, radiations including g rays, h rays and / or i rays are more preferable. Examples of radiation exposure dose, 0.1J / m 2 to 10,000J / m 2 is preferred.

[공정 (B3)][Process (B3)]

본 공정에서는, 상기 방사선이 조사된 도막을 현상한다. 구체적으로는, 공정 (B2)에서 방사선이 조사된 도막에 대하여 현상액에 의해 현상을 행하여 방사선의 조사 부분을 제거한다. 상기 현상액으로서는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아, 에틸아민, n-프로필아민, 디에틸아민, 디에틸아미노에탄올, 디-n-프로필아민, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민, 테트라메틸암모늄히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄히드록시드, 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자비시클로〔5,4,0〕-7-운데센, 1,5-디아자비시클로〔4,3,0〕-5-노난 등의 알칼리(염기성 화합물)의 수용액 등을 들 수 있다. 또한, 상기 알칼리의 수용액에 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매나 계면 활성제를 적당량 첨가한 수용액, 또는 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)을 용해 가능한 각종 유기 용매를 소량 포함하는 알칼리 수용액을 현상액으로서 이용할 수도 있다.In this step, the coated film irradiated with the radiation is developed. Specifically, in the step (B2), the coated film irradiated with radiation is developed with a developer to remove the irradiated portion of the radiation. Examples of the developer include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, diethylaminoethanol, di-n-propylamine, triethyl Amines, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo [5,4,0 And an aqueous solution of an alkali (basic compound) such as 7-undecene and 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonane. Further, an aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent or surfactant, such as methanol or ethanol, is added to the aqueous solution of the alkali, or an aqueous alkali solution containing a small amount of various organic solvents capable of dissolving the negative radiation-sensitive resin composition (2) is a developer. It can also be used as.

현상 방법으로서는, 예를 들면 액고임법, 디핑법, 요동 침지법, 샤워법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 현상 시간으로서는, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)의 조성에 따라서 다르지만, 예를 들면 30초 내지 120초로 할 수 있다. 또한, 현상 공정 후, 패터닝된 도막에 대하여 유수(流水) 세정에 의한 린스 처리를 행하고, 이어서 고압 수은등 등에 의한 방사선을 전체면에 조사(후 노광)함으로써, 도막 내에 잔존하는 [C] 감방사선성 중합 개시제의 분해 처리를 행하는 것이 바람직하다. 이 후 노광에서의 노광량으로서는, 2,000J/m2 내지 5,000J/m2가 바람직하다.As the developing method, suitable methods such as a liquid accumulating method, a dipping method, a rocking dipping method, and a shower method can be adopted, for example. As development time, although it differs depending on the composition of the said negative radiation sensitive resin composition (2), it can be made into 30 to 120 seconds, for example. In addition, after the development process, the patterned coating film is subjected to rinsing treatment by flowing water washing, followed by irradiation (post-exposure) of radiation by a high-pressure mercury lamp or the like, followed by exposure to (C) radiation remaining in the coating film. It is preferable to decompose the polymerization initiator. As the exposure amount in the subsequent exposure, 2,000 J / m 2 to 5,000 J / m 2 is preferable.

[공정 (B4)][Process (B4)]

본 공정에서는, 상기 현상된 도막을 가열한다. 구체적으로는, 공정 (B3)에서 현상된 도막을 가열하는 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치를 이용하여, 이 도막을 가열 처리(포스트 베이킹)함으로써 도막의 경화를 행한다. 본 공정에서의 가열 온도로서는 200℃ 이하가 바람직하다. 감방사선성을 이용한 미세한 패턴 형성능 외에도, 이와 같이 낮은 온도에서의 가열이 가능함으로써, 상기 경화막의 형성 방법 (2)는 플렉시블 디스플레이의 플라스틱 기판 상에서의 층간 절연막 등의 경화막 형성에 바람직하게 사용할 수 있다. 가열 온도로서는 120℃ 내지 180℃가 보다 바람직하고, 120℃ 내지 150℃가 더욱 바람직하다. 가열 시간으로서는 가열 기기의 종류에 따라 다르지만, 예를 들면 핫 플레이트 상에서 가열 처리를 행하는 경우에는 5분 내지 40분, 오븐 중에서 가열 처리를 행하는 경우에는 30분 내지 80분으로 할 수 있고, 보다 바람직하게는 핫 플레이트 상에서 가열 처리를 행하는 경우에는 30분간 이내, 오븐 중에서 가열 처리를 행하는 경우에는 60분간 이내이다. 이와 같이 하여, 목적으로 하는 층간 절연막 등의 경화막에 대응하는 패턴상 도막을 기판 상에 형성할 수 있다.In this step, the developed coating film is heated. Specifically, the coating film is cured by heating (post baking) the coating film using a heating device such as a hot plate or oven for heating the developed film developed in the step (B3). The heating temperature in this step is preferably 200 ° C or lower. In addition to the ability to form fine patterns using radiation-sensitive properties, heating at such a low temperature enables the method (2) of forming the cured film to be preferably used for forming a cured film such as an interlayer insulating film on a plastic substrate of a flexible display. . The heating temperature is more preferably 120 ° C to 180 ° C, and even more preferably 120 ° C to 150 ° C. The heating time varies depending on the type of the heating device, but may be, for example, 5 minutes to 40 minutes when heat treatment is performed on a hot plate, and 30 minutes to 80 minutes when heat treatment is performed in an oven, more preferably Is within 30 minutes when performing heat treatment on a hot plate, and within 60 minutes when performing heat treatment in an oven. In this way, a patterned coating film corresponding to a cured film such as a target interlayer insulating film can be formed on a substrate.

<경화막(2)><Curing film (2)>

본 발명의 경화막(2)은, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)로부터 형성된다. 상기 경화막(2)의 형성 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 상술한 상기 경화막의 형성 방법(2)을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 경화막(2)은 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)로부터 형성되어 있기 때문에, 우수한 표면 경도를 가짐과 동시에 내약품성, 내열성, 투과율 및 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시킬 수 있다. 상기 경화막(2)은 상기 특성을 갖고 있기 때문에, 예를 들면 표시 소자의 층간 절연막, 스페이서, 보호막, 컬러 필터용 착색 패턴 등으로서 바람직하다.The cured film 2 of the present invention is formed from the negative radiation sensitive resin composition 2. Although it does not specifically limit as a formation method of the said cured film 2, Preferably, it can form using the formation method (2) of the said cured film mentioned above. Since the cured film 2 is formed from the negative radiation-sensitive resin composition 2, it has excellent surface hardness and can satisfactorily satisfy general characteristics such as chemical resistance, heat resistance, transmittance, and relative dielectric constant. . Since the cured film 2 has the above characteristics, it is preferable, for example, as an interlayer insulating film, a spacer, a protective film of a display element, a coloring pattern for a color filter, and the like.

<반도체 소자><Semiconductor element>

본 발명의 반도체 소자는 상기 경화막(상술한 경화막(1) 또는 경화막(2))을 구비하고 있다. 이 경화막은, 예를 들면 해당 반도체 소자 중의 배선 사이를 절연하는 층간 절연막 등으로서 이용된다. 상기 반도체 소자는 공지된 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 반도체 소자는 상기 경화막을 구비하고 있기 때문에, 표시 소자, LED, 태양 전지 등의 전자 디바이스에 바람직하게 사용할 수 있다.The semiconductor device of the present invention is provided with the cured film (cured film 1 or cured film 2 described above). This cured film is used, for example, as an interlayer insulating film that insulates between wirings in the semiconductor element. The semiconductor device can be formed using a known method. Since the semiconductor element is provided with the cured film, it can be suitably used for electronic devices such as display elements, LEDs, and solar cells.

<표시 소자><Display element>

본 발명의 표시 소자는 상기 반도체 소자를 구비하고 있다. 상기 표시 소자는 상기 경화막을 갖는 반도체 소자를 구비하고 있기 때문에, 표시 소자로서 실용면에서 요구되는 일반적 특성을 만족시킨다. 상기 표시 소자로서는, 예를 들면 액정 표시 소자 등을 들 수 있다. 상기 액정 표시 소자는, 예를 들면 액정 배향막이 표면에 형성된 TFT 어레이 기판 2장이, TFT 어레이 기판의 주변부에 설치된 시일제를 통해 액정 배향막측에서 대향하여 배치되어 있고, 이들 2장의 TFT 어레이 기판사이에 액정이 충전되어 있다. 상기 TFT 어레이 기판은 층상으로 배치되는 배선을 갖고, 이 배선 사이를 층간 절연막으로서의 상기 경화막에 의해 절연하고 있는 것이다.The display element of this invention is equipped with the said semiconductor element. Since the display element is provided with a semiconductor element having the cured film, it satisfies the general characteristics required in practical terms as a display element. As said display element, a liquid crystal display element etc. are mentioned, for example. In the liquid crystal display device, for example, two TFT array substrates having a liquid crystal alignment film formed on the surface thereof are arranged opposite to each other on the liquid crystal alignment film side through a sealing agent provided on the periphery of the TFT array substrate, and between these two TFT array substrates The liquid crystal is charged. The TFT array substrate has wirings arranged in layers and is insulated between the wirings by the cured film as an interlayer insulating film.

<포지티브형 감방사선성 수지 조성물><Positive radiation-sensitive resin composition>

본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, [A3] 중합체 및 [G] 산 발생체를 함유한다. 또한, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은 적합 성분으로서 [H] 용매를 함유할 수도 있다. 또한, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 그 밖의 임의 성분을 함유할 수도 있다. 이하, 각 성분에 대해서 상술한다.The positive radiation-sensitive resin composition of the present invention contains the [A3] polymer and the [G] acid generator. Further, the positive radiation-sensitive resin composition may contain a [H] solvent as a suitable component. Moreover, the said positive radiation sensitive resin composition may contain other arbitrary components in the range which does not impair the effect of this invention. Hereinafter, each component is explained in full detail.

<[A3] 중합체><[A3] polymer>

[A3] 중합체는 구조 단위(I) 및 (II-3)을 갖는 중합체이다. 또한, [A3] 중합체는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 구조 단위(III) 및 구조 단위(IV)를 가질 수도 있다. 또한, [A3] 중합체는 각 구조 단위를 2종 이상 가질 수도 있다.[A3] The polymer is a polymer having structural units (I) and (II-3). Further, the polymer [A3] may have a structural unit (III) and a structural unit (IV) within a range that does not impair the effects of the present invention. Further, the polymer [A3] may have two or more types of structural units.

[구조 단위(I)][Structural Unit (I)]

구조 단위(I)는, 상기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 상기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위이다. [A3] 중합체가 구조 단위(I) 및 후술하는 구조 단위(II-3)를 가짐으로써, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은 양호한 표면 경도를 유지하면서, 보존 안정성도 우수할 뿐 아니라, 감도, 현상 밀착성, 내열성, 내약품성, 투과율, 비유전율 등의 일반적 특성도 충분히 만족시킬 수 있는 경화막을 형성할 수 있다. 이것은, 이 구조 단위(I)에 포함되는 화학식 (1) 및/또는 (2)로 표시되는 기에서의 수산기와, 후술하는 구조 단위(II-3)에 포함되는 환상 에테르 및/또는 환상 카보네이트가 반응하여, 강고한 가교 구조의 형성에 의해 경화막의 표면 경도를 유지할 수 있음과 동시에, 상기 반응이 상온에서는 진행되기 어려운 결과, 보존 중에 증점이 억제되어 양호한 보존 안정성이 얻어지기 때문이라고 추찰된다.The structural unit (I) is a structural unit comprising at least one member selected from the group consisting of groups represented by the formula (1) and groups represented by the formula (2). [A3] The polymer has a structural unit (I) and a structural unit (II-3) to be described later, so that the positive radiation-sensitive resin composition maintains good surface hardness, as well as excellent storage stability, sensitivity, A cured film capable of satisfactorily satisfying general characteristics such as developing adhesion, heat resistance, chemical resistance, transmittance, and relative dielectric constant can be formed. This is the hydroxyl group in the group represented by the formulas (1) and / or (2) contained in this structural unit (I), and the cyclic ether and / or cyclic carbonate contained in the structural unit (II-3) described later. It is presumed that, by reacting, the surface hardness of the cured film can be maintained by forming a strong cross-linked structure, and the reaction is difficult to proceed at room temperature, and as a result, thickening is suppressed during storage to obtain good storage stability.

상기 화학식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다. 단, R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다.In the formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. However, at least one of R 1 and R 2 is a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

상기 화학식 (2) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다. 단, R3 및 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다.In the formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. However, at least one of R 3 and R 4 is a halogen atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

상기 R1 내지 R4로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기 등을 들 수 있다.Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1 to R 4 include, for example, a methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t -Butyl group etc. are mentioned.

상기 R1 내지 R4로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기는, 탄소수 1 내지 4의 알킬기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기이다. 상기 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서는, 예를 들면 상기 R1 내지 R4로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서 예시한 기와 마찬가지의 기를 적용할 수 있다.The fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1 to R 4 is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms are substituted with fluorine atoms. As the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, for example, the same groups as those exemplified as the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1 to R 4 can be applied.

상기 할로겐 원자로서는, 예를 들면 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.Examples of the halogen atom include fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, and iodine atom.

상기 R1 내지 R4로서는, 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기, 할로겐 원자가 바람직하다. 상기 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기로서는, 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬기가 보다 바람직하고, 트리플루오로메틸기가 더욱 바람직하다. 또한, 상기 할로겐 원자로서는, 불소 원자가 보다 바람직하다.Examples of the R 1 to R 4, is preferably a fluorinated alkyl group, a halogen atom having 1 to 4 carbon atoms. As the fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms is more preferable, and a trifluoromethyl group is more preferable. Moreover, as said halogen atom, a fluorine atom is more preferable.

상기 화학식 (1)로 표시되는 기를 포함하는 구조 단위(I)로서는, 하기 화학식 (1a) 및 (1b)로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.As the structural unit (I) containing the group represented by the formula (1), structural units represented by the following formulas (1a) and (1b) are preferable.

Figure 112014003164485-pat00012
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상기 화학식 (1a) 및 (1b) 중, R은 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 히드록시메틸기, 시아노기 또는 트리플루오로메틸기이다. R1 및 R2는 상기 화학식 (1)과 동의이다. R5 및 R6은 각각 독립적으로 (n+1)가의 유기기이다. n은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이다. n이 2 이상인 경우, 복수개의 R1 및 R2는 각각 동일할 수도 상이할 수도 있다.In the formulas (1a) and (1b), R is each independently a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, a cyano group, or a trifluoromethyl group. R 1 and R 2 are as defined in the above formula (1). R 5 and R 6 are each independently an (n + 1) valent organic group. n is an integer of 1-5 each independently. When n is 2 or more, a plurality of R 1 and R 2 may be the same or different, respectively.

R5 및 R6으로 표시되는 (n+1)가의 유기기로서는, 예를 들면 탄소수 1 내지 20의 (n+1)가의 쇄상 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 (n+1)가의 지환식 탄화수소기, 또는 탄소수 6 내지 20의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기, 또는 탄소수 1 내지 20의 쇄상의 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 지환식 탄화수소기 및 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소기 중 2종 이상을 조합한 (n+1)가의 기 등을 들 수 있다. 단, 이들 기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 치환되어 있을 수도 있다.Examples of the (n + 1) valent organic group represented by R 5 and R 6 include, for example, a (n + 1) valent chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and a (n + 1) valent alicyclic hydrocarbon having 3 to 20 carbon atoms. 2 kinds of groups, or (n + 1) valent aromatic hydrocarbon groups having 6 to 20 carbon atoms, or chain hydrocarbon groups having 1 to 20 carbon atoms, alicyclic hydrocarbon groups having 3 to 20 carbon atoms, and aromatic hydrocarbon groups having 6 to 20 carbon atoms And (n + 1) valent groups combining the above. However, some or all of the hydrogen atoms of these groups may be substituted.

상기 탄소수 1 내지 20의 (n+1)가의 쇄상 탄화수소기로서는, 예를 들면 탄소수 1 내지 20의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기에서 수소 원자를 n개 제거한 기 등을 들 수 있다.Examples of the (n + 1) -valent chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms include, for example, a group in which n hydrogen atoms are removed from a straight or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

상기 탄소수 1 내지 20의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, 2-메틸프로필기, 1-메틸프로필기, t-부틸기 등을 들 수 있다.Examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t -Butyl group etc. are mentioned.

상기 탄소수 3 내지 20의 (n+1)가의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면 탄소수 3 내지 20의 1가의 지환식 탄화수소기에서 수소 원자를 n개 제거한 기 등을 들 수 있다.Examples of the (n + 1) -valent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include, for example, a group in which n hydrogen atoms are removed from a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms.

상기 탄소수 3 내지 20의 1가의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, norbornyl group, adamantyl group and the like.

상기 탄소수 6 내지 20의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기로서는, 예를 들면 탄소수 6 내지 20의 1가의 방향족 탄화수소기에서 수소 원자를 n개 제거한 기 등을 들 수 있다.Examples of the (n + 1) -valent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include, for example, a group in which n hydrogen atoms are removed from a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms.

상기 탄소수 6 내지 20의 1가의 방향족 탄화수소기로서는, 예를 들면 페닐기, 톨릴기, 나프틸기 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.

이들 중에서, R5로서는 쇄상의 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 및 이들 기를 조합한 기가 바람직하고, 에틸렌기, 1,2-프로필렌기, 2,5-노르보르닐렌기, 2,6-노르보르닐렌기를 포함하는 탄화수소기가 보다 바람직하다. 또한, R6으로서는 2가의 방향족 탄화수소기가 바람직하고, 페닐렌기가 보다 바람직하다.Of these, R 5 is preferably a chain hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, or a group combining these groups, and is preferably an ethylene group, a 1,2-propylene group, a 2,5-norbornylene group, or a 2,6-norbornylene group. The hydrocarbon group containing a group is more preferable. Moreover, as R 6 , a divalent aromatic hydrocarbon group is preferable, and a phenylene group is more preferable.

상기 화학식 (2)로 표시되는 기를 포함하는 구조 단위(I)로서는, 하기 화학식 (2a) 및 (2b)로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.As the structural unit (I) containing the group represented by the formula (2), structural units represented by the following formulas (2a) and (2b) are preferable.

Figure 112014003164485-pat00013
Figure 112014003164485-pat00013

상기 화학식 (2a) 및 (2b) 중, R은 상기 화학식 (1a) 및 (1b)와 동의이다. R3 및 R4는 상기 화학식 (2)와 동의이다.In the formulas (2a) and (2b), R is synonymous with the formulas (1a) and (1b). R 3 and R 4 are as defined in the above formula (2).

구조 단위(I)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (I-1) 내지 (I-15)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (I) include structural units represented by the following formulas (I-1) to (I-15).

Figure 112014003164485-pat00014
Figure 112014003164485-pat00014

상기 화학식 중, R은 상기 화학식 (1a), (1b), (2a) 및 (2b)와 동의이다. 이들 중에서 구조 단위(I)로서는, 화학식 (I-1) 내지 (I-6), (I-9) 및 (I-11) 내지 (I-13)으로 표시되는 구조 단위가 바람직하고, 알칼리 현상성 및 열경화성의 관점에서, 화학식 (I-1) 내지 (I-6)으로 표시되는 구조 단위가 보다 바람직하다.In the above formula, R is synonymous with the above formulas (1a), (1b), (2a) and (2b). Among them, as the structural unit (I), structural units represented by the formulas (I-1) to (I-6), (I-9) and (I-11) to (I-13) are preferable, and alkali development The structural units represented by the formulas (I-1) to (I-6) are more preferable from the viewpoints of sex and thermosetting properties.

구조 단위(I)의 함유 비율로서는, [A3] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 10몰% 이상 90몰% 이하가 바람직하고, 20몰% 이상 80몰% 이하가 보다 바람직하고, 30몰% 이상 70몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(I)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 효과적으로 보존 안정성 등을 향상시킬 수 있다.The content ratio of the structural unit (I) is preferably 10 mol% or more and 90 mol% or less, more preferably 20 mol% or more and 80 mol% or less, more preferably 30 mol% with respect to the total structural units constituting the polymer [A3]. More than 70 mol% or less is more preferable. When the content ratio of the structural unit (I) is within the above range, storage stability and the like can be effectively improved.

[구조 단위(II-3)][Structural Unit (II-3)]

구조 단위(II-3)는 환상 에테르 구조 또는 환상 카보네이트 구조를 포함하는 구조 단위이다.The structural unit (II-3) is a structural unit containing a cyclic ether structure or a cyclic carbonate structure.

상기 환상 에테르 구조로서는, 예를 들면 옥시란 구조(1,2-에폭시 구조), 옥세탄 구조(1,3-에폭시 구조) 및 테트라히드로푸란 구조 등을 들 수 있다.Examples of the cyclic ether structure include an oxirane structure (1,2-epoxy structure), an oxetane structure (1,3-epoxy structure), a tetrahydrofuran structure, and the like.

구조 단위(II-3)로서는, 예를 들면,As a structural unit (II-3), for example,

옥시란 구조를 포함하는 것으로서, 하기 화학식 (II-1) 내지 (II-5)로 표시되는 구조 단위 등;As an oxirane structure, structural units represented by the following formulas (II-1) to (II-5);

옥세탄 구조를 포함하는 것으로서, 하기 화학식 (II-6) 내지 (II-9)로 표시되는 구조 단위 등;As an oxetane structure, structural units represented by the following formulas (II-6) to (II-9), etc .;

테트라히드로푸란 구조를 포함하는 것으로서, 하기 화학식 (II-10) 및 (II-11)로 표시되는 구조 단위 등;As a tetrahydrofuran structure, structural units represented by the following formulas (II-10) and (II-11);

환상 카보네이트 구조를 포함하는 것으로서, 하기 화학식 (II-12) 내지 (II-16)으로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.As containing a cyclic carbonate structure, structural units represented by the following formulas (II-12) to (II-16) and the like can be given.

Figure 112014003164485-pat00015
Figure 112014003164485-pat00015

상기 화학식 (II-1) 내지 (II-16) 중, R7은 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. 이들 중에서 구조 단위(II-3)로서는, 가교성 및 내약품성의 관점에서 화학식 (II-1) 내지 (II-9) 및 (II-12) 내지 (II-16)으로 표시되는 구조 단위가 바람직하고, 화학식 (II-1) 내지 (II-9)로 표시되는 구조 단위가 보다 바람직하고, 화학식 (II-1) 내지 (II-5)로 표시되는 구조 단위가 더욱 바람직하고, 화학식 (II-1) 내지 (II-3)으로 표시되는 구조 단위가 특히 바람직하다.In the formulas (II-1) to (II-16), R 7 is a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. Among them, the structural unit (II-3) is preferably a structural unit represented by formulas (II-1) to (II-9) and (II-12) to (II-16) from the viewpoints of crosslinkability and chemical resistance. The structural units represented by the formulas (II-1) to (II-9) are more preferable, and the structural units represented by the formulas (II-1) to (II-5) are more preferable, and the formula (II- The structural units represented by 1) to (II-3) are particularly preferred.

구조 단위(II-3)의 함유 비율로서는, [A3] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 1몰% 이상 70몰% 이하가 바람직하고, 5몰% 이상 50몰% 이하가 보다 바람직하고, 10몰% 이상 30몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(II-3)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 효과적으로 보존 안정성 등을 향상시킬 수 있다.The content ratio of the structural unit (II-3) is preferably 1 mol% or more and 70 mol% or less, more preferably 5 mol% or more and 50 mol% or less, more preferably 10 with respect to the total structural units constituting the polymer [A3]. More preferably, it is more than 30% by mole. When the content ratio of the structural unit (II-3) is within the above range, storage stability and the like can be effectively improved.

상기 구조 단위(II-3)는 환상 에테르 구조를 포함하고, 이 환상 에테르 구조가 옥시란 구조 및 옥세탄 구조 중 적어도 어느 하나인 것이 바람직하다. 상기 구조 단위(II-3)가 상기 구조를 포함함으로써 가교성을 향상시킬 수 있고, 그 결과 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은 표면 경도나 내열성 등을 높일 수 있다.The said structural unit (II-3) contains a cyclic ether structure, and it is preferable that this cyclic ether structure is at least one of an oxirane structure and an oxetane structure. The structural unit (II-3) can improve crosslinking property by including the structure, and as a result, the positive radiation-sensitive resin composition can increase surface hardness, heat resistance, and the like.

[구조 단위(III)][Structural Unit (III)]

구조 단위(III)는, 수산기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 유래의 구조 단위, 또는 하기 화학식 (3)으로 표시되는 화합물 유래의 구조 단위이다. [A3] 중합체가 구조 단위(III)를 가짐으로써, 알칼리 현상성의 제어 및 잔사 억제를 도모할 수 있다.The structural unit (III) is a structural unit derived from a (meth) acrylic acid ester having a hydroxyl group, or a structural unit derived from a compound represented by the following formula (3). [A3] When the polymer has a structural unit (III), it is possible to control alkali developability and suppress residue.

Figure 112014003164485-pat00016
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상기 화학식 (3) 중, R'는 수소 원자, 또는 불소 원자로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1 내지 4의 알킬이다. RL1 내지 RL5는 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다. Y는 단결합, -COO- 또는 -CONH-이다. p는 0 내지 3의 정수이다. 단, RL1 내지 RL5 중 적어도 1개는 수산기이다.In the formula (3), R 'is a hydrogen atom or alkyl having 1 to 4 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom. R L1 to R L5 are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Y is a single bond, -COO- or -CONH-. p is an integer from 0 to 3. However, at least 1 of R L1 to R L5 is a hydroxyl group.

상기 RL1 내지 RL5로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서는, 예를 들면 상기 R1 내지 R4로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서 예시한 기와 마찬가지의 기를 적용할 수 있다.As the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R L1 to R L5 , for example, the same groups as those exemplified as the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1 to R 4 can be applied.

구조 단위(III)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (III-1) 내지 (III-11)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (III) include structural units represented by the following formulas (III-1) to (III-11).

Figure 112014003164485-pat00017
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상기 화학식 (III-1) 내지 (III-11) 중, R8은 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. p는 상기 화학식 (3)과 동의이다. 이들 중에서 구조 단위(III)로서는, 화학식 (III-1), (III-4) 및 (III-10)으로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.In the formulas (III-1) to (III-11), R 8 is a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. p is synonymous with the said Formula (3). Among them, as the structural unit (III), structural units represented by the formulas (III-1), (III-4) and (III-10) are preferable.

구조 단위(III)를 제공하는 단량체 화합물로서는, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 4-히드록시페닐메타크릴레이트, o-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌이 바람직하고, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 4-히드록시페닐메타크릴레이트, α-메틸-p-히드록시스티렌이 보다 바람직하다.As a monomer compound providing the structural unit (III), 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxyphenyl methacrylate, o-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, α-methyl-p-hydroxy Styrene is preferable, 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxyphenylmethacrylate, and α-methyl-p-hydroxystyrene are more preferable.

구조 단위(III)의 함유 비율로서는, [A3] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 0몰% 이상 50몰% 이하가 바람직하고, 1몰% 이상 30몰% 이하가 보다 바람직하고, 3몰% 이상 20몰% 이하가 더욱 바람직하다.The content ratio of the structural unit (III) is preferably 0 mol% or more and 50 mol% or less, more preferably 1 mol% or more and 30 mol% or less, and more preferably 3 mol% with respect to the total structural units constituting the polymer [A3]. More than 20 mol% or less is more preferable.

[구조 단위(IV)][Structural Unit (IV)]

구조 단위(IV)는, 상기 구조 단위(I) 내지 (III) 이외의 구조 단위이다. 구조 단위(IV)로서는, 상기 구조 단위(I) 내지 (III) 이외의 구조 단위인 한 특별히 한정되지 않는다. [A3] 중합체가 구조 단위(IV)를 가짐으로써, 수지의 유리 전이온도를 조정하여, 알칼리 현상성, 열경화시의 용융 흐름성이나 경화막의 기계적 강도, 내약품성을 각각 향상시킬 수 있다.The structural unit (IV) is a structural unit other than the structural units (I) to (III). The structural unit (IV) is not particularly limited as long as it is a structural unit other than the structural units (I) to (III). [A3] When the polymer has a structural unit (IV), the glass transition temperature of the resin can be adjusted to improve alkali developability, melt flow during heat curing, mechanical strength of the cured film, and chemical resistance, respectively.

구조 단위(IV)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (IV-1) 내지 (IV-11)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (IV) include structural units represented by the following formulas (IV-1) to (IV-11).

Figure 112014003164485-pat00018
Figure 112014003164485-pat00018

상기 화학식 (IV-1) 내지 (IV-11) 중, R9는 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. RM은 수소 원자 또는 메틸기이다. s는 1 내지 10의 정수이다. 이들 중에서 구조 단위(IV)로서는, 화학식 (IV-1), (IV-2), (IV-7) 내지 (IV-9), (IV-11)로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.In the formulas (IV-1) to (IV-11), R 9 is a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. R M is a hydrogen atom or a methyl group. s is an integer from 1 to 10. Among them, as the structural unit (IV), structural units represented by formulas (IV-1), (IV-2), (IV-7) to (IV-9), and (IV-11) are preferable.

구조 단위(IV)를 제공하는 단량체 화합물로서는, 예를 들면 (메트)아크릴산, (메트)아크릴산 쇄상 알킬에스테르, (메트)아크릴산 환상 알킬에스테르, (메트)아크릴산아릴에스테르, 불포화 디카르복실산디에스테르, 비시클로 불포화 화합물, 말레이미드 화합물, 불포화 방향족 화합물 및 공액 디엔 화합물, 및 테트라히드로푸란 골격, 푸란 골격, 테트라히드로피란 골격, 피란 골격 또는 하기 화학식 (4)로 표시되는 골격을 갖는 불포화 화합물, 그 밖의 불포화 화합물 등에서 유래되는 구조 단위를 들 수 있다.Examples of the monomer compound that provides the structural unit (IV) include (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid chain alkyl ester, (meth) acrylic acid cyclic alkyl ester, (meth) acrylic acid aryl ester, unsaturated dicarboxylic acid diester, Bicyclo unsaturated compounds, maleimide compounds, unsaturated aromatic compounds and conjugated diene compounds, and tetrahydrofuran skeletons, furan skeletons, tetrahydropyran skeletons, pyran skeletons, or unsaturated compounds having a skeleton represented by the following formula (4), other And structural units derived from unsaturated compounds and the like.

Figure 112014003164485-pat00019
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상기 화학식 (4) 중, RM 및 s는 상기 화학식 (IV-1) 내지 (IV-11)과 동의이다.In the formula (4), R M and s are synonymous with the formulas (IV-1) to (IV-11).

상기 (메트)아크릴산 쇄상 알킬에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산메틸, 아크릴산에틸, 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 sec-부틸, 아크릴산 t-부틸, 아크릴산 2-에틸헥실, 아크릴산이소데실, 아크릴산 n-라우릴, 아크릴산트리데실, 아크릴산 n-스테아릴 등의 아크릴산 쇄상 알킬에스테르; 메타크릴산메틸, 메타크릴산에틸, 메타크릴산 n-부틸, 메타크릴산 sec-부틸, 메타크릴산 t-부틸, 메타크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산이소데실, 메타크릴산 n-라우릴, 메타크릴산트리데실, 메타크릴산 n-스테아릴 등의 메타크릴산 쇄상 알킬에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid chain alkyl ester include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, t-butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, isodecyl acrylate, n-lauryl acrylate, Acrylic acid chain alkyl esters such as tridecyl acrylate and n-stearyl acrylate; Methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, isodecyl methacrylate, n-methacrylate And methacrylic acid chain alkyl esters such as lauryl, tridecyl methacrylate, and n-stearyl methacrylate.

상기 (메트)아크릴산 환상 알킬에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산시클로헥실, 아크릴산 2-메틸시클로헥실, 아크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 아크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸, 아크릴산이소보로닐 등의 아크릴산 환상 알킬에스테르; 메타크릴산시클로헥실, 메타크릴산 2-메틸시클로헥실, 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸, 메타크릴산이소보로닐 등의 메타크릴산 환상 알킬에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid cyclic alkyl ester include cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo acrylate [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl, and tricyclo acrylate [5.2.1.0 2, 6 ] acrylic acid cyclic alkyl esters such as decan-8-yloxyethyl and isobornyl acrylate; Cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo methacrylate [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl, tricyclomethacrylate [5.2.1.0 2,6 ] decane-8 -Cyclic alkyl esters of methacrylic acid such as monooxyethyl and isobornyl methacrylate.

상기 (메트)아크릴산아릴에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산페닐. 아크릴산벤질 등의 아크릴산아릴에스테르; 메타크릴산페닐, 메타크릴산벤질 등의 메타크릴산아릴에스테르 등을 들 수 있다.As said (meth) acrylic acid aryl ester, it is phenyl acrylate, for example. Acrylic acid aryl esters such as benzyl acrylate; And methacrylic acid aryl esters such as phenyl methacrylate and benzyl methacrylate.

상기 불포화 디카르복실산디에스테르로서는, 예를 들면 말레산디에틸, 푸마르산디에틸, 이타콘산디에틸 등을 들 수 있다.As said unsaturated dicarboxylic acid diester, diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconic acid, etc. are mentioned, for example.

상기 비시클로 불포화 화합물로서는, 예를 들면 비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-메톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-에톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디메톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디에톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-t-부톡시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-시클로헥실옥시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-페녹시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(t-부톡시카르보닐)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(시클로헥실옥시카르보닐)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-(2'-히드록시에틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디히드록시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(히드록시메틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(2'-히드록시에틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시-5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시메틸-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔 등을 들 수 있다.Examples of the bicyclo unsaturated compound include bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, and 5-ethylbicyclo [2.2.1] hept -2-ene, 5-methoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-ethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dimethoxybicyclo [2.2.1] Hept-2-ene, 5,6-diethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-t-butoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-cyclohex Siloxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-phenoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (t-butoxycarbonyl) bicyclo [ 2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (cyclohexyloxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5- (2'-hydroxyethyl) bicyclo [2.2 .1] hept-2-ene, 5,6-dihydroxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (hydroxymethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2- Yen, 5,6-di (2'-hydroxyethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-hydroxy-5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5 -Hydroxy-5-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-hydroxymethyl-5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, etc. are mentioned.

상기 말레이미드 화합물로서는, 예를 들면 N-페닐말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-(4-히드록시페닐)말레이미드, N-(4-히드록시벤질)말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부티레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트, N-(9-아크리디닐)말레이미드 등을 들 수 있다.Examples of the maleimide compound include N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N- (4-hydroxyphenyl) maleimide, and N- (4-hydroxybenzyl) maleimide Mid, N-succinimidyl-3-maleimide benzoate, N-succinimidyl-4-maleimide butyrate, N-succinimidyl-6-maleimidecaproate, N-succinimidyl-3-maleimide Propionate, N- (9-acridinyl) maleimide, and the like.

상기 불포화 방향족 화합물로서는, 예를 들면 스티렌, α-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated aromatic compound include styrene, α-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, vinyltoluene, p-methoxystyrene, and α-methyl-p-hydroxystyrene.

상기 공액 디엔 화합물로서는, 예를 들면 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔 등을 들 수 있다.As said conjugated diene compound, 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene etc. are mentioned, for example.

상기 테트라히드로푸란 골격을 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 테트라히드로(메트)아크릴레이트, 2-메타크릴로일옥시-프로피온산테트라히드로푸르푸릴에스테르, 3-(메트)아크릴로일옥시테트라히드로푸란-2-온, (메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound having a tetrahydrofuran skeleton include tetrahydro (meth) acrylate, 2-methacryloyloxy-propionic acid tetrahydrofurfuryl ester, and 3- (meth) acryloyloxytetrahydrofuran- 2-on, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, and the like.

상기 푸란 골격을 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 2-메틸-5-(3-푸릴)-1-펜텐-3-온, (메트)아크릴산푸르푸릴, 1-푸란-2-부틸-3-엔-2-온, 1-푸란-2-부틸-3-메톡시-3-엔-2-온, 6-(2-푸릴)-2-메틸-1-헥센-3-온, 6-푸란-2-일-헥시-1-엔-3-온, 아크릴산-2-푸란-2-일-1-메틸-에틸에스테르, 6-(2-푸릴)-6-메틸-1-헵텐-3-온 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound having a furan skeleton include 2-methyl-5- (3-furyl) -1-penten-3-one, furfuryl (meth) acrylate, and 1-furan-2-butyl-3-ene -2-one, 1-furan-2-butyl-3-methoxy-3-en-2-one, 6- (2-furyl) -2-methyl-1-hexen-3-one, 6-furan- 2-yl-hexy-1-en-3-one, acrylic acid-2-furan-2-yl-1-methyl-ethyl ester, 6- (2-furyl) -6-methyl-1-hepten-3-one And the like.

상기 테트라히드로피란 골격을 함유하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 (테트라히드로피란-2-일)메틸메타크릴레이트, 2,6-디메틸-8-(테트라히드로피란-2-일옥시)-옥트-1-엔-3-온, 2-메타크릴산테트라히드로피란-2-일에스테르, 1-(테트라히드로피란-2-옥시)-부틸-3-엔-2-온 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound containing the tetrahydropyran skeleton include (tetrahydropyran-2-yl) methyl methacrylate, 2,6-dimethyl-8- (tetrahydropyran-2-yloxy) -oct- And 1-en-3-one, 2-methacrylic acid tetrahydropyran-2-yl ester, and 1- (tetrahydropyran-2-oxy) -butyl-3-en-2-one.

상기 피란 골격을 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 4-(1,4-디옥사-5-옥소-6-헵테닐)-6-메틸-2-피란, 4-(1,5-디옥사-6-옥소-7-옥테닐)-6-메틸-2-피란 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound having a pyran skeleton include 4- (1,4-dioxa-5-oxo-6-heptenyl) -6-methyl-2-pyran, 4- (1,5-dioxa- And 6-oxo-7-octenyl) -6-methyl-2-pyran.

상기 그 밖의 불포화 화합물로서는, 예를 들면 (메트)아크릴로니트릴, 염화비닐, 염화비닐리덴, (메트)아크릴아미드, 아세트산비닐 등을 들 수 있다.As said other unsaturated compound, (meth) acrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, (meth) acrylamide, vinyl acetate etc. are mentioned, for example.

이들 중에서, 상기 구조 단위(IV)를 제공하는 단량체 화합물로서는, 메타크릴산 쇄상 알킬에스테르, 메타크릴산 환상 알킬에스테르, 말레이미드 화합물, 테트라히드로푸란 골격, 푸란 골격, 테트라히드로피란 골격, 피란 골격, 상기 화학식 (4)로 표시되는 골격을 갖는 불포화 화합물, 불포화 방향족 화합물, 아크릴산 환상 알킬에스테르가 바람직하고, 공중합 반응성 및 알칼리 수용액에 대한 용해성의 점에서, 스티렌, 메타크릴산, 메타크릴산메틸, 메타크릴산 t-부틸, 메타크릴산 n-라우릴, 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, p-메톡시스티렌, 아크릴산 2-메틸시클로헥실, N-페닐말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, (메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴, 폴리에틸렌글리콜(n=2 내지 10)모노(메트)아크릴레이트, 3-(메트)아크릴로일옥시테트라히드로푸란-2-온이 보다 바람직하다.Among these, as the monomer compound providing the structural unit (IV), methacrylic acid chain alkyl ester, methacrylic acid cyclic alkyl ester, maleimide compound, tetrahydrofuran skeleton, furan skeleton, tetrahydropyran skeleton, pyran skeleton, An unsaturated compound having a skeleton represented by the formula (4), an unsaturated aromatic compound, and an acrylic acid cyclic alkyl ester are preferred, and in view of copolymerization reactivity and solubility in an aqueous alkali solution, styrene, methacrylic acid, methyl methacrylate, and meta T-butyl acrylate, n-lauryl methacrylate, tricyclo methacrylate [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl, p-methoxystyrene, 2-methylcyclohexyl acrylate, N-phenylmaleate Mid, N-cyclohexylmaleimide, (meth) acrylic acid tetrahydrofurfuryl, polyethylene glycol (n = 2 to 10) mono (meth) acrylate, 3- (meth) acryloyloxytetrahydrofuran-2-one It is more preferable.

구조 단위(IV)의 함유 비율로서는, [A3] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 0몰% 이상 90몰% 이하가 바람직하고, 1몰% 이상 70몰% 이하가 보다 바람직하고, 3몰% 이상 60몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(IV)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 내약품성을 효과적으로 향상시킬 수 있다.The content ratio of the structural unit (IV) is preferably 0 mol% or more and 90 mol% or less, more preferably 1 mol% or more and 70 mol% or less, and more preferably 3 mol% with respect to the total structural units constituting the polymer [A3]. More than 60 mol% or less is more preferable. By setting the content ratio of the structural unit (IV) to the above range, chemical resistance can be effectively improved.

<[A3] 중합체의 합성 방법><Synthesis method of [A3] polymer>

[A3] 중합체는, 예를 들면 소정의 각 구조 단위에 대응하는 단량체를, 라디칼 개시제를 사용하여 적당한 용매 중에서 중합함으로써 제조할 수 있다. 예를 들면, 단량체 및 라디칼 개시제를 함유하는 용액을, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법, 단량체를 함유하는 용액과, 라디칼 개시제를 함유하는 용액을 각각 별도로, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법, 각각의 단량체를 함유하는 복수종의 용액과, 라디칼 개시제를 함유하는 용액을 각각 별도로, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법 등의 방법으로 합성하는 것이 바람직하다.[A3] The polymer can be produced, for example, by polymerizing a monomer corresponding to each predetermined structural unit in a suitable solvent using a radical initiator. For example, a solution containing a monomer and a radical initiator is added dropwise to a reaction solvent or a solution containing a monomer to perform polymerization reaction, a solution containing a monomer and a solution containing a radical initiator are each separately, a reaction solvent or A method of polymerization by dropping a solution containing a monomer, and a plurality of types of solutions containing each monomer and a solution containing a radical initiator are separately added to a reaction solvent or a solution containing a monomer to perform polymerization reaction. It is preferable to synthesize by a method such as.

이들 방법에서의 반응 온도는 개시제종에 따라서 적절하게 결정하면 된다. 통상 30℃ 내지 180℃이고, 40℃ 내지 160℃가 바람직하고, 50℃ 내지 140℃가 보다 바람직하다. 적하 시간은, 반응 온도, 개시제의 종류, 반응시키는 단량체 등의 조건에 따라서 다르지만, 통상 30분 내지 8시간이고, 45분 내지 6시간이 바람직하고, 1시간 내지 5시간이 보다 바람직하다. 또한, 적하 시간을 포함하는 전체 반응 시간도 적하 시간과 마찬가지로 조건에 따라 다르지만, 통상 30분 내지 8시간이고, 45분 내지 7시간이 바람직하고, 1시간 내지 6시간이 보다 바람직하다.The reaction temperature in these methods may be appropriately determined depending on the initiator type. Usually 30 to 180 ° C, 40 to 160 ° C is preferred, and 50 to 140 ° C is more preferred. The dropping time varies depending on the reaction temperature, the type of initiator, and conditions such as a monomer to be reacted, but is usually 30 minutes to 8 hours, preferably 45 minutes to 6 hours, and more preferably 1 hour to 5 hours. In addition, the total reaction time including the dropping time varies depending on the conditions as in the dropping time, but is usually 30 minutes to 8 hours, preferably 45 minutes to 7 hours, and more preferably 1 hour to 6 hours.

상기 중합에 사용되는 라디칼 개시제로서는, 아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-시클로프로필프로피오니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오니트릴) 등을 들 수 있다. 이들 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.As the radical initiator used in the polymerization, azobisisobutyronitrile (AIBN), 2,2'-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis ( 2-cyclopropyl propionitrile), 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis (2-methylpropionitrile), and the like. These initiators may be used alone or in combination of two or more.

중합 용매로서는, 중합을 저해하는 용매(중합 금지 효과를 갖는 니트로벤젠, 연쇄 이동 효과를 갖는 머캅토 화합물 등) 이외의 용매이며, 그 단량체를 용해 가능한 용매이면 한정되지 않는다. 중합 용매로서는, 예를 들면 알코올계 용매, 에테르계 용매, 케톤계 용매, 아미드계 용매, 에스테르·락톤계 용매, 니트릴계 용매 등을 들 수 있다. 이들 용매는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.The polymerization solvent is a solvent other than a solvent that inhibits polymerization (nitrobenzene having a polymerization inhibitory effect, a mercapto compound having a chain transfer effect, etc.), and is not limited as long as it is a solvent capable of dissolving the monomer. Examples of the polymerization solvent include alcohol-based solvents, ether-based solvents, ketone-based solvents, amide-based solvents, ester-lactone-based solvents, and nitrile-based solvents. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

중합 반응에 의해 얻어진 중합체는 재침전법에 의해 회수하는 것이 바람직하다. 즉, 중합 반응 종료 후, 중합액을 재침전 용매에 투입함으로써, 목적으로 하는 중합체를 분체로서 회수한다. 재침전 용매로서는, 알코올류나 알칸류 등을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 재침전법 외에, 분액 조작이나 칼럼 조작, 한외 여과 조작 등에 의해, 단량체, 올리고머 등의 저분자 성분을 제거하여 중합체를 회수할 수도 있다.It is preferable that the polymer obtained by the polymerization reaction is recovered by a reprecipitation method. That is, after completion of the polymerization reaction, the target polymer is recovered as a powder by adding the polymerization solution to the reprecipitation solvent. As the reprecipitation solvent, alcohols, alkanes, or the like can be used alone or in combination of two or more. In addition to the reprecipitation method, a polymer may be recovered by removing small-molecular components such as monomers and oligomers by separating operation, column operation, ultrafiltration operation, or the like.

[A3] 중합체를 제조하기 위한 중합 반응에서는, 분자량을 조정하기 위해서 분자량 조정제를 사용할 수 있다. 분자량 조정제로서는, 예를 들면 클로로포름, 사브롬화탄소 등의 할로겐화 탄화수소류; n-헥실머캅탄, n-옥틸머캅탄, n-도데실머캅탄, t-도데실머캅탄, 티오글리콜산 등의 머캅탄류; 디메틸크산토겐술피드, 디이소프로필크산토겐디술피드 등의 크산토겐류; 테르피놀렌, α-메틸스티렌이량체 등을 들 수 있다.[A3] In the polymerization reaction for producing the polymer, a molecular weight modifier can be used to adjust the molecular weight. Examples of the molecular weight modifier include halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide; mercaptans such as n-hexylmercaptan, n-octylmercaptan, n-dodecylmercaptan, t-dodecylmercaptan, and thioglycolic acid; Xanthogens such as dimethyl xanthogen sulfide and diisopropyl xanthogen disulfide; Terpineolene, alpha-methylstyrene dimer, etc. are mentioned.

[A3] 중합체의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)으로서는, 특별히 한정되지 않지만 1,000 이상 30,000 이하가 바람직하고, 5,000 이상 20,000 이하가 보다 바람직하다. [A3] 중합체의 Mw를 상기 범위로 함으로써, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 감도 및 현상성을 높일 수 있다.[A3] The weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) of the polymer is not particularly limited, but is preferably 1,000 or more and 30,000 or less, more preferably 5,000 or more and 20,000 or less. [A3] When the Mw of the polymer is within the above range, the sensitivity and developability of the positive radiation sensitive resin composition can be improved.

[A3] 중합체의 Mw와 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 수 평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)로서는, 1 이상 3 이하가 바람직하고, 1.5 이상 2.5 이하가 보다 바람직하다.[A3] The ratio (Mw / Mn) of the number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene by Mw of the polymer and GPC is preferably 1 or more and 3 or less, and more preferably 1.5 or more and 2.5 or less.

<[G] 산 발생체><[G] acid generator>

[G] 산 발생체는 방사선의 조사나 가열에 의해 산을 발생한다. 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 [G] 산 발생체를 함유함으로써, 방사선의 노광 부분이 현상 공정에서 제거되는 포지티브형의 감방사선 특성을 가짐과 동시에, 후속의 가열 공정에서의 가열로 발생한 산이 가교 촉매로서 기능하여, 가교 반응을 촉진시켜 높은 내열성 및 표면 경도 등을 갖는 경화막을 형성할 수 있다. 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에서의 [G] 산 발생체의 함유 형태로서는, 후술하는 바와 같은 화합물의 양태(이하, 이 양태를 "[G] 산 발생제"라고도 함)일 수도, 중합체의 일부로서 삽입된 양태일 수도, 이들 양쪽의 양태일 수도 있다. 또한, 상기 방사선은, 가시광선, 자외선, 원자외선, X선, 하전 입자선 등을 포함하는 개념이다.[G] The acid generator generates acid by irradiation with radiation or heating. When the positive radiation-sensitive resin composition contains an acid generator [G], the exposed portion of radiation has a positive radiation-sensitive property that is removed in the development process, and at the same time, the acid generated by heating in a subsequent heating process is generated. By functioning as a crosslinking catalyst, the crosslinking reaction can be promoted to form a cured film having high heat resistance and surface hardness. As the content form of the [G] acid generator in the positive radiation sensitive resin composition, it may be an aspect of the compound as described below (hereinafter, this aspect is also referred to as "[G] acid generator"), or of a polymer. It may be an aspect inserted as a part or both of them. In addition, the radiation is a concept including visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-rays, charged particle beams, and the like.

[G] 산 발생제로서는, 예를 들면 옥심술포네이트 화합물, 술폰이미드 화합물, 퀴논디아지드 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 이들 [G] 산 발생제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.[G] As an acid generator, an oxime sulfonate compound, a sulfonimide compound, a quinonediazide compound, etc. are mentioned, for example. Moreover, these [G] acid generators may be used alone or in combination of two or more.

상기 옥심술포네이트 화합물로서는, 하기 화학식 (5)로 표시되는 옥심술포네이트기를 포함하는 화합물이 바람직하다.As said oxime sulfonate compound, the compound containing the oxime sulfonate group represented by following formula (5) is preferable.

Figure 112014003164485-pat00020
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상기 화학식 (5) 중, Ra는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 지환식기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다. 단, 이들 알킬기, 지환식기 및 아릴기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 치환기에 의해 치환되어 있을 수도 있다.In the formula (5), R a is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms. However, some or all of the hydrogen atoms of these alkyl groups, alicyclic groups, and aryl groups may be substituted by substituents.

상기 Ra로 표시되는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기가 바람직하다.Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R a include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, and t-butyl group. And the like. Among these, a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable.

상기 Ra로 표시되는 탄소수 3 내지 20의 지환식기로서는, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다.Examples of the alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms represented by R a include, for example, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group.

상기 알킬기 및 지환식기가 가질 수도 있는 치환기로서는, 예를 들면 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 지환식기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group and the alicyclic group may have include an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, an alicyclic group having 1 to 10 carbon atoms, and the like.

상기 치환기로서의 탄소수 1 내지 10의 알콕시기로서는, 예를 들면 메톡시기, 에톡시기 등을 들 수 있다.Examples of the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms as the substituent include a methoxy group, an ethoxy group, and the like.

상기 치환기로서의 탄소수 1 내지 10의 지환식기로서는, 예를 들면 상기 Ra로 표시되는 탄소수 3 내지 20의 지환식기 중, 탄소수 1 내지 10의 것을 적용할 수 있다.As the alicyclic group having 1 to 10 carbon atoms as the substituent, for example, an alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms represented by R a can be used having 1 to 10 carbon atoms.

상기 Ra로 표시되는 탄소수 6 내지 20의 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기, 안트릴기 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 탄소수 6 내지 11의 아릴기가 바람직하고, 페닐기, 나프틸기가 보다 바람직하다.Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms represented by R a include phenyl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, and anthryl group. Among these, an aryl group having 6 to 11 carbon atoms is preferable, and a phenyl group and a naphthyl group are more preferable.

상기 아릴기가 가질 수도 있는 치환기로서는, 예를 들면 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다.As a substituent which the said aryl group may have, a C1-C5 alkyl group, a C1-C5 alkoxy group, a halogen atom, etc. are mentioned, for example.

상기 치환기로서의 탄소수 1 내지 5의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기 등을 들 수 있다.Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as the substituent include a methyl group, an ethyl group, and the like.

상기 치환기로서의 탄소수 1 내지 5의 알콕시기로서는, 예를 들면 메톡시기, 에톡시기 등을 들 수 있다.Examples of the alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms as the substituent include a methoxy group, an ethoxy group, and the like.

상기 치환기로서의 할로겐 원자로서는, 예를 들면 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

상기 화학식 (5)로 표시되는 옥심술포네이트기를 포함하는 화합물로서는, 하기 화학식 (5-1) 및 (5-2)로 표시되는 옥심술포네이트 화합물이 바람직하다.As a compound containing an oxime sulfonate group represented by the above formula (5), an oxime sulfonate compound represented by the following formulas (5-1) and (5-2) is preferable.

Figure 112014003164485-pat00021
Figure 112014003164485-pat00021

상기 화학식 (5-1) 및 (5-2) 중, Ra는 상기 화학식 (5)와 동의이다. X는 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시기 또는 할로겐 원자이다. m은 0 내지 3의 정수이다. m이 2 또는 3인 경우, 복수개의 X는 동일할 수도 상이할 수도 있다.In the formulas (5-1) and (5-2), R a is synonymous with the formula (5). X is a C1-C5 alkyl group, a C1-C5 alkoxy group, or a halogen atom. m is an integer from 0 to 3. When m is 2 or 3, a plurality of Xs may be the same or different.

상기 X로 표시되는 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시기 및 할로겐 원자로서는, 예를 들면 상기 치환기로서 예시한 각각의 기와 마찬가지의 기를 적용할 수 있다. 이들 중에서, 상기 알킬기로서는 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기가 바람직하고, 상기 알콕시기로서는 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알콕시기가 바람직하고, 상기 할로겐 원자로서는 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다. 또한, m은 0 또는 1이 바람직하다. 특히, 상기 화학식 (5-1)에서, m이 1, X가 메틸기이고, X의 치환 위치가 오르토 위치인 화합물이 바람직하다.As the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by X, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms and a halogen atom, for example, groups similar to the respective groups exemplified as the above substituents can be applied. Of these, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable as the alkyl group, a straight chain or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferable as the alkoxy group, and a chlorine atom or fluorine as the halogen atom. Atoms are preferred. In addition, m or 0 is preferable. In particular, in the formula (5-1), a compound in which m is 1, X is a methyl group, and the substitution position of X is an ortho position is preferable.

상기 화학식 (5)로 표시되는 옥심술포네이트 화합물로서는, 예를 들면 하기 화학식 (5-1-i) 내지 (5-1-iv), 및 (5-2-i) 및 (5-2-ii)로 표시되는 화합물 등을 들 수 있다.As the oxime sulfonate compound represented by the above formula (5), for example, the following formulas (5-1-i) to (5-1-iv), and (5-2-i) and (5-2- and compounds represented by ii).

Figure 112014003164485-pat00022
Figure 112014003164485-pat00022

상기 술폰이미드 화합물로서는, 예를 들면 N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)숙신이미드, N-(캄파술포닐옥시)숙신이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드(트리플루오로메탄술폰산-1,8-나프탈이미드), N-(캄파술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(페닐술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(펜타플루오로에틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(헵타플루오로프로필술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(노나플루오로부틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(에틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(프로필술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(부틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(펜틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(헥실술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(헵틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(옥틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(노닐술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드 등을 들 수 있다.Examples of the sulfonimide compound include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (campasulfonyloxy) succinimide, and N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide , N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide (trifluoromethanesulfonic acid-1,8-naphthalimide ), N- (campasulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (phenylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N -(2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (pentafluoroethylsulfonyloxy) naph Tildicarboxylimide, N- (heptafluoropropylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (nonafluorobutylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (ethylsulfonyloxy) Naphthyldicarboxylimide, N- (propylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (butylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (pentylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyl Mead, N- (hexylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (heptylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- (octylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide, N- ( And nonylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxyimide.

상기 퀴논디아지드 화합물로서는, 예를 들면 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(이하, "모핵"이라고도 함)과, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드 또는 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산아미드의 축합물을 사용할 수 있다.As the quinonediazide compound, for example, a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter also referred to as "mother nucleus") and 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide or 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid amide Condensate of can be used.

상기 모핵으로서는, 예를 들면 트리히드록시벤조페논, 테트라히드록시벤조페논, 펜타히드록시벤조페논, 헥사히드록시벤조페논, (폴리히드록시페닐)알칸, 상기 모핵 이외의 그 밖의 모핵 등을 들 수 있다.Examples of the parent nucleus include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, (polyhydroxyphenyl) alkane, and other parent nuclei other than the parent nucleus. have.

상기 모핵의 구체예로서는, 예를 들면As a specific example of the said nucleus, for example

트리히드록시벤조페논으로서, 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,4,6-트리히드록시벤조페논 등;As trihydroxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone, etc .;

테트라히드록시벤조페논으로서, 2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,3'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,2'-테트라히드록시-4'-메틸벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시-3'-메톡시벤조페논 등;As tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy Benzophenone, 2,3,4,2'-tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy-3'-methoxybenzophenone, etc .;

펜타히드록시벤조페논으로서, 2,3,4,2',6'-펜타히드록시벤조페논 등;As pentahydroxybenzophenone, 2,3,4,2 ', 6'-pentahydroxybenzophenone, etc .;

헥사히드록시벤조페논으로서, 2,4,6,3',4',5'-헥사히드록시벤조페논, 3,4,5,3',4',5'-헥사히드록시벤조페논 등;As hexahydroxybenzophenone, 2,4,6,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone, etc .;

(폴리히드록시페닐)알칸으로서, 비스(2,4-디히드록시페닐)메탄, 비스(p-히드록시페닐)메탄, 트리스(p-히드록시페닐)메탄, 1,1,1-트리스(p-히드록시페닐)에탄, 비스(2,3,4-트리히드록시페닐)메탄, 2,2-비스(2,3,4-트리히드록시페닐)프로판, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-3-페닐프로판, 4,4'-〔1-〔4-〔1-〔4-히드록시페닐〕-1-메틸에틸〕페닐〕에틸리덴〕비스페놀, 비스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-2-히드록시페닐메탄, 3,3,3',3'-테트라메틸-1,1'-스피로비인덴-5,6,7,5',6',7'-헥산올, 2,2,4-트리메틸-7,2',4'-트리히드록시플라반 등;(Polyhydroxyphenyl) alkanes, bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (p-hydroxyphenyl) methane, tris (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tris ( p-hydroxyphenyl) ethane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris ( 2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] Bisphenol, bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3 ', 3'-tetramethyl-1,1'-spirobiindene-5,6, 7,5 ', 6', 7'-hexanol, 2,2,4-trimethyl-7,2 ', 4'-trihydroxyflavane and the like;

그 밖의 모핵으로서, 2-메틸-2-(2,4-디히드록시페닐)-4-(4-히드록시페닐)-7-히드록시크로만, 1-[1-(3-{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디히드록시페닐)-1-메틸에틸]-3-(1-(3-{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디히드록시페닐)-1-메틸에틸)벤젠, 4,6-비스{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-1,3-디히드록시벤젠 등을 들 수 있다.As other parent nuclei, 2-methyl-2- (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman, 1- [1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl] -3- (1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1 -Methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl) benzene, 4,6-bis {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -1,3-dihydrate And hydroxybenzene.

이들 중에서 모핵으로서는, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논, 1,1,1-트리스(p-히드록시페닐)에탄, 4,4'-〔1-〔4-〔1-〔4-히드록시페닐〕-1-메틸에틸〕페닐〕에틸리덴〕비스페놀이 바람직하다.Among these, as the nucleus, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 1,1,1-tris (p-hydroxyphenyl) ethane, 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is preferred.

상기 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드로서는, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산클로라이드가 바람직하고, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산클로라이드, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드가 보다 바람직하고, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드가 더욱 바람직하다.As said 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride is preferable, 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid chloride, 1,2-naphtho Quinoniazide-5-sulfonic acid chloride is more preferred, and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride is more preferred.

상기 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산아미드로서는, 2,3,4-트리아미노벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산아미드가 바람직하다.As the 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid amide, 2,3,4-triaminobenzophenone-1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid amide is preferable.

상기 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(모핵)과, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드의 축합 반응에서는, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물 중의 OH기 수에 대하여 바람직하게는 30몰% 이상 85몰% 이하, 보다 바람직하게는 50몰% 이상 70몰% 이하에 상당하는 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드를 사용할 수 있다. 또한, 상기 축합 반응은 공지된 방법에 의해서 실시할 수 있다.In the condensation reaction of the phenolic compound or alcoholic compound (parent nucleus) with 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide, preferably 30 mol% or more and 85 mol% with respect to the number of OH groups in the phenolic compound or alcoholic compound Hereinafter, more preferably, it is possible to use 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide equivalent to 50 mol% or more and 70 mol% or less. In addition, the said condensation reaction can be performed by a well-known method.

[G] 산 발생제의 함유량으로서는, [A3] 중합체 100질량부에 대하여 5질량부 이상 100질량부 이하가 바람직하고, 10질량부 이상 50질량부 이하가 보다 바람직하고, 20질량부 이상 40질량부 이하가 더욱 바람직하다. [G] 산 발생제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 현상액이 되는 알칼리 수용액에 대한 방사선의 조사 부분과 미조사 부분의 용해도의 차가 크고, 그 결과 패터닝 성능이 양호하게 됨과 동시에, 얻어지는 경화막의 내약품성도 양호해진다.[G3] The content of the acid generator is preferably 5 parts by mass or more and 100 parts by mass or less, more preferably 10 parts by mass or more and 50 parts by mass or less, more preferably 20 parts by mass or more and 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer [A3]. Part or less is more preferable. When the content of the acid generator is within the above range, the difference in solubility between the irradiated portion and the unradiated portion of the alkali aqueous solution serving as a developer is large, and as a result, the patterning performance becomes good, and at the same time, the chemical resistance of the resulting cured film It also becomes good.

<[H] 용매><[H] solvent>

[H] 용매는, [A3] 중합체, [G] 산 발생제, 및 필요에 따라서 함유되는 임의 성분을 균일하게 용해시키며, 각 성분과 반응하지 않는 것이 이용된다. 또한, [H] 용매는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.The [H] solvent dissolves the [A3] polymer, the [G] acid generator, and optional components contained as necessary, and those that do not react with each component are used. Further, the [H] solvent may be used alone or in combination of two or more.

[H] 용매로서는, 예를 들면 알코올계 용매, 에테르계 용매, 케톤계 용매, 아미드계 용매, 에스테르계 용매, 탄화수소계 용매 등을 들 수 있다.Examples of the [H] solvent include alcohol solvents, ether solvents, ketone solvents, amide solvents, ester solvents, and hydrocarbon solvents.

상기 알코올계 용매로서는, 예를 들면As said alcohol solvent, for example

모노 알코올계 용매로서, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, i-프로판올, n-부탄올, i-부탄올, sec-부탄올, tert-부탄올, n-펜탄올, i-펜탄올, 2-메틸부탄올, sec-펜탄올, tert-펜탄올, 3-메톡시부탄올, n-헥산올, 2-메틸펜탄올, sec-헥산올, 2-에틸부탄올, sec-헵탄올, 3-헵탄올, n-옥탄올, 2-에틸헥산올, sec-옥탄올, n-노닐알코올, 2,6-디메틸-4-헵탄올, n-데칸올, sec-운데실알코올, 트리메틸노닐알코올, sec-테트라데실알코올, sec-헵타데실알코올, 푸르푸릴알코올, 페놀, 시클로헥산올, 메틸시클로헥산올, 3,3,5-트리메틸시클로헥산올, 벤질알코올, 디아세톤알코올 등;As a mono alcohol solvent, methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, tert-butanol, n-pentanol, i-pentanol, 2-methylbutanol, sec -Pentanol, tert-pentanol, 3-methoxybutanol, n-hexanol, 2-methylpentanol, sec-hexanol, 2-ethylbutanol, sec-heptanol, 3-heptanol, n-octanol , 2-ethylhexanol, sec-octanol, n-nonyl alcohol, 2,6-dimethyl-4-heptanol, n-decanol, sec-undecyl alcohol, trimethylnonyl alcohol, sec-tetradecyl alcohol, sec -Heptadecyl alcohol, furfuryl alcohol, phenol, cyclohexanol, methylcyclohexanol, 3,3,5-trimethylcyclohexanol, benzyl alcohol, diacetone alcohol, etc .;

다가 알코올계 용매로서, 에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 2,4-펜탄디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 2,5-헥산디올, 2,4-헵탄디올, 2-에틸-1,3-헥산디올, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 트리프로필렌글리콜 등;As a polyhydric alcohol solvent, ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-butylene glycol, 2,4-pentanediol, 2-methyl-2,4-pentanediol, 2,5-hexanediol, 2 , 4-heptanediol, 2-ethyl-1,3-hexanediol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol, etc .;

다가 알코올 부분 에테르계 용매로서, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 에틸렌글리콜모노-2-에틸부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르 등을 들 수 있다.As a polyalcohol partial ether-based solvent, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol mono-2- Ethyl butyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether , Propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, and the like.

상기 에테르계 용매로서는, 예를 들면 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르, 디페닐에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라히드로푸란 등을 들 수 있다.Examples of the ether-based solvent include diethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, diphenyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, tetrahydrofuran, and the like. Can be lifted.

상기 케톤계 용매로서는, 예를 들면 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 디에틸케톤, 메틸-i-부틸케톤, 메틸-n-펜틸케톤, 에틸-n-부틸케톤, 메틸-n-헥실케톤, 디-i-부틸케톤, 트리메틸노나논, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 시클로헵타논, 시클로옥타논, 메틸시클로헥사논, 2,4-펜탄디온, 아세토닐아세톤, 아세토페논 등을 들 수 있다.Examples of the ketone solvents include acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-i-butyl ketone, methyl-n-pentyl ketone, and ethyl-n -Butyl ketone, methyl-n-hexyl ketone, di-i-butyl ketone, trimethylnonanone, cyclopentanone, cyclohexanone, cycloheptanone, cyclooctanone, methylcyclohexanone, 2,4-pentanedione, And acetonyl acetone, acetophenone, and the like.

상기 아미드계 용매로서는, 예를 들면 N,N'-디메틸이미다졸리디논, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸프로피온아미드, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다.Examples of the amide solvents include N, N'-dimethylimidazolidinone, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, and N-methylacetate Amide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpropionamide, N-methylpyrrolidone, and the like.

상기 에스테르계 용매로서는, 예를 들면 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 i-부틸, 아세트산 sec-부틸, 아세트산 n-펜틸, 아세트산 sec-펜틸, 아세트산 3-메톡시부틸, 아세트산 3-메틸-3-메톡시부틸, 아세트산메틸펜틸, 아세트산 2-에틸부틸, 아세트산 2-에틸헥실, 아세트산벤질, 아세트산시클로헥실, 아세트산메틸시클로헥실, 아세트산 n-노닐, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 아세트산에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 아세트산에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노프로필에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노부틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디아세트산글리콜, 아세트산메톡시트리글리콜, 프로피온산에틸, 프로피온산 n-부틸, 프로피온산 i-아밀, 옥살산디에틸, 옥살산디-n-부틸, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산 n-부틸, 락트산 n-아밀, 말론산디에틸, 프탈산디메틸, 프탈산디에틸 등을 들 수 있다.Examples of the ester solvent include methyl acetate, ethyl acetate, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, sec-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, methylpentyl acetate, 2-ethylbutyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate, cyclohexyl acetate, methylcyclohexyl acetate, n-nonyl acetate , Methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol mono-n-propyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol monomethyl ether acetate , Diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monoacetate-n-propyl ether, diethylene glycol monoacetate-n-butyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl acetate acetate, propylene glycol monopropyl acetate Ether, propylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, glycol diacetate, methoxy triglycol acetate, ethyl propionate, n-butyl propionate, i-amyl propionate, di oxalate And ethyl, di-n-butyl oxalate, methyl lactate, ethyl lactate, n-butyl lactate, n-amyl lactate, diethyl malonate, dimethyl phthalate, diethyl phthalate and the like.

상기 탄화수소계 용매로서는, 예를 들면As the hydrocarbon-based solvent, for example

지방족 탄화수소계 용매로서, n-펜탄, i-펜탄, n-헥산, i-헥산, n-헵탄, i-헵탄, 2,2,4-트리메틸펜탄, n-옥탄, i-옥탄, 시클로헥산, 메틸시클로헥산 등;As an aliphatic hydrocarbon-based solvent, n-pentane, i-pentane, n-hexane, i-hexane, n-heptane, i-heptane, 2,2,4-trimethylpentane, n-octane, i-octane, cyclohexane, Methyl cyclohexane, etc .;

방향족 탄화수소계 용매로서, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 에틸벤젠, 트리메틸벤젠, 메틸에틸벤젠, n-프로필벤젠, i-프로필벤젠, 디에틸벤젠, i-부틸벤젠, 트리에틸벤젠, 디-i-프로필벤젠, n-아밀나프탈렌 등을 들 수 있다.As aromatic hydrocarbon solvent, benzene, toluene, xylene, mesitylene, ethylbenzene, trimethylbenzene, methylethylbenzene, n-propylbenzene, i-propylbenzene, diethylbenzene, i-butylbenzene, triethylbenzene, di- and i-propylbenzene, n-amylnaphthalene, and the like.

또한, [H] 용매는 상기 용매와 함께, 카프로산, 카프릴산, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌 등의 고비점 용매를 함유할 수도 있다.In addition, the [H] solvent may contain a high boiling point solvent such as caproic acid, caprylic acid, ethylene carbonate, or propylene carbonate together with the solvent.

<그 밖의 임의 성분><Other optional ingredients>

상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 함유할 수도 있는 그 밖의 임의 성분으로서는, 예를 들면 [A3] 중합체 이외의 환상 에테르 화합물(이하, "화합물 X"라고도 함), 산화 방지제, 계면 활성제, 접착 보조제 등을 들 수 있다. 또한, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 상기 각 성분을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.Examples of other optional components that the positive radiation-sensitive resin composition may contain include, for example, cyclic ether compounds other than the [A3] polymer (hereinafter also referred to as "Compound X"), antioxidants, surfactants, and adhesion aids. And the like. Moreover, the said positive radiation sensitive resin composition can also use each said component individually or in combination of 2 or more types.

[화합물 X][Compound X]

화합물 X는, [A3] 중합체 이외의 환상 에테르 화합물이며, 구체적으로는 옥시라닐기(1,2-에폭시 구조), 옥세타닐기(1,3-에폭시 구조) 등의 열 반응성기를 갖는 화합물이다. 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 화합물 X를 함유함으로써, 얻어지는 경화막의 내열성, 표면 경도 등을 향상시킬 수 있다. 화합물 X로서는, 분자 내에 2개 이상의 옥시라닐기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물이 바람직하다.Compound X is a cyclic ether compound other than the [A3] polymer, and specifically, is a compound having a thermally reactive group such as an oxiranyl group (1,2-epoxy structure) and an oxetanyl group (1,3-epoxy structure). When the positive radiation-sensitive resin composition contains compound X, the heat resistance, surface hardness, and the like of the resulting cured film can be improved. As the compound X, a compound having two or more oxiranyl groups or oxetanyl groups in the molecule is preferable.

분자 내에 2개 이상의 옥시라닐기를 갖는 화합물 X로서는, 예를 들면As the compound X having two or more oxiranyl groups in the molecule, for example

비스페놀형 디글리시딜에테르류로서, 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 비스페놀 F 디글리시딜에테르, 비스페놀 S 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 F 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 AD 디글리시딜에테르 등;Bisphenol type diglycidyl ethers, bisphenol A diglycidyl ether, bisphenol F diglycidyl ether, bisphenol S diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol F diglyc Cidyl ether, hydrogenated bisphenol AD diglycidyl ether, etc .;

다가 알코올의 폴리글리시딜에테르류로서, 1,4-부탄디올디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 글리세린트리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르 등;As polyglycidyl ethers of polyhydric alcohols, 1,4-butanediol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, polyethylene glycol Diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, and the like;

에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세린 등의 지방족 다가 알코올에 1종 또는 2종 이상의 알킬렌옥시드를 부가함으로써 얻어지는 폴리에테르폴리올의 폴리글리시딜에테르류;Polyglycidyl ethers of polyether polyols obtained by adding one or two or more alkylene oxides to aliphatic polyhydric alcohols such as ethylene glycol, propylene glycol, and glycerin;

페놀노볼락형 에폭시 수지;Phenol novolac-type epoxy resins;

크레졸노볼락형 에폭시 수지;Cresol novolac-type epoxy resins;

폴리페놀형 에폭시 수지;Polyphenol type epoxy resins;

지방족 장쇄 2염기산의 디글리시딜에스테르류;Diglycidyl esters of aliphatic long-chain dibasic acids;

고급 지방산의 글리시딜에스테르류;Glycidyl esters of higher fatty acids;

지방족 폴리글리시딜에테르류;Aliphatic polyglycidyl ethers;

에폭시화 대두유, 에폭시화 아마인유 등을 들 수 있다.And epoxidized soybean oil and epoxidized linseed oil.

분자 내에 2개 이상의 옥시라닐기를 갖는 화합물 X의 시판품으로서는, 예를 들면As a commercial product of the compound X having two or more oxiranyl groups in the molecule, for example

비스페놀 A형 에폭시 수지로서, 에피코트 1001, 동 1002, 동 1003, 동 1004, 동 1007, 동 1009, 동 1010, 동 828(이상, 재팬 에폭시 레진 제조) 등;Examples of bisphenol A-type epoxy resins include Epicoat 1001, Copper 1002, Copper 1003, Copper 1004, Copper 1007, Copper 1009, Copper 1010, Copper 828 (above, manufactured by Japan Epoxy Resin);

비스페놀 F형 에폭시 수지로서, 에피코트 807(재팬 에폭시 레진 제조) 등;As bisphenol F-type epoxy resin, Epicoat 807 (made by Japan Epoxy Resin), etc .;

페놀노볼락형 에폭시 수지로서, 에피코트 152, 동 154, 동 157S65(이상, 재팬 에폭시 레진 제조), EPPN 201, 동 202(이상, 닛본 가야꾸 제조) 등;As a phenol novolak-type epoxy resin, Epicoat 152, Copper 154, Copper 157S65 (above, manufactured by Japan Epoxy Resin), EPPN 201, Copper 202 (above, manufactured by Nippon Kayaku), etc .;

크레졸노볼락형 에폭시 수지로서, EOCN 102, 동 103S, 동 104S, 1020, 1025, 1027(이상, 닛본 가야꾸 제조), 에피코트 180S75(재팬 에폭시 레진 제조) 등;As a cresol novolak-type epoxy resin, EOCN 102, copper 103S, copper 104S, 1020, 1025, 1027 (above, manufactured by Nippon Kayaku), Epicoat 180S75 (made by Japan Epoxy Resin), etc .;

폴리페놀형 에폭시 수지로서, 에피코트 1032H60, 동 XY-4000(이상, 재팬 에폭시 레진 제조) 등;As a polyphenol-type epoxy resin, Epicoat 1032H60, Copper XY-4000 (above, Japan Epoxy Resin), etc .;

환상 지방족 에폭시 수지로서, CY-175, 동 177, 동 179, 아랄다이트 CY-182, 동 192, 184(이상, 시바 스페셜티케미컬즈 제조), ERL-4234, 4299, 4221, 4206(이상, U.C.C 제조), 쇼다인 509(쇼와 덴꼬 제조), 에피클론 200, 동 400(이상, 다이니폰잉크 제조), 에피코트 871, 동 872(이상, 재팬 에폭시 레진 제조), ED-5661, 동 5662(이상, 셀라니즈코팅 제조) 등;As a cyclic aliphatic epoxy resin, CY-175, Copper 177, Copper 179, Araldite CY-182, Copper 192, 184 (above, manufactured by Ciba Specialty Chemicals), ERL-4234, 4299, 4221, 4206 (above, UCC Manufacturing), Showdyne 509 (Showa Denko), Epiclone 200, Copper 400 (above, manufactured by Dainippon Ink), Epicoat 871, Copper 872 (above, manufactured by Japan Epoxy Resin), ED-5661, Copper 5662 ( As above, Cellanise coating production), etc .;

지방족 폴리글리시딜에테르로서, 에폴라이트 100MF(교에이샤 가가꾸 제조), 에피올 TMP(닛본 유시 제조) 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic polyglycidyl ether include epolite 100MF (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), epiol TMP (manufactured by Nippon Yushi Co., Ltd.) and the like.

분자 내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물 X로서는, 예를 들면 1,4-비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, 디[1-에틸-(3-옥세타닐)메틸]에테르(별칭: 비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르), 3,7-비스(3-옥세타닐)-5-옥사-노난, 3,3'-[1,3-(2-메틸레닐)프로판디일비스(옥시메틸렌)]비스-(3-에틸옥세탄), 1,2-비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에탄, 1,3-비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]프로판, 에틸렌글리콜비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 디시클로펜테닐비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 트리에틸렌글리콜비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 테트라에틸렌글리콜비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 트리시클로데칸디일디메틸렌(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 트리메틸올프로판트리스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 1,4-비스(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)부탄, 크실렌비스옥세탄, 1,6-비스(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)헥산, 펜타에리트리톨트리스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 펜타에리트리톨테트라키스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 폴리에틸렌글리콜비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 디펜타에리트리톨헥사키스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 디펜타에리트리톨펜타키스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 디펜타에리트리톨테트라키스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사키스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨펜타키스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 디트리메틸올프로판테트라키스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, EO 변성 비스페놀 A 비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, PO 변성 비스페놀 A 비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, EO 변성 수소 첨가 비스페놀 A 비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, PO 변성 수소 첨가 비스페놀 A 비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, EO 변성 비스페놀 F(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르 등을 들 수 있다.As compound X having two or more oxetanyl groups in the molecule, for example, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, di [1-ethyl- (3-oxeta) Neil) methyl] ether (alias: bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether), 3,7-bis (3-oxetanyl) -5-oxa-nonane, 3,3 '-[1 , 3- (2-methylenyl) propanediylbis (oxymethylene)] bis- (3-ethyloxetane), 1,2-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ethane, 1 , 3-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] propane, ethylene glycol bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, dicyclopentenylbis (3-ethyl-3- Oxetanylmethyl) ether, triethylene glycol bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, tetraethylene glycol bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, tricyclodecanediyldimethylene ( 3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, trimethylolpropanetris (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, 1,4-bis (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) butane, Xylene bisoxetane, 1,6-bis (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) hexane, pentaerythritol tris (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, pentaerythritol tetrakis (3- Ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, polyethylene glycol bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, dipentaerythritol hexakis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, dipenta Erythritol pentakis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, dipentaerythritol tetrakis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, caprolactone-modified dipentaerythritol hexakis (3- Ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, caprolactone modified dipentaerythritol pentakis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, ditrimethylolpropanetetrakis (3-ethyl-3-oxetanyl Methyl) ether, EO-modified bisphenol A bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, PO-modified bisphenol A bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, EO-modified hydrogenated bisphenol A bis ( 3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, PO-modified hydrogenated bisphenol A bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, EO-modified bisphenol F (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) And ethers.

이들 중에서, 분자 내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물 X로서는, 디[1-에틸-(3-옥세타닐)메틸]에테르, 1,4-비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠이 바람직하다.Among these, as compound X having two or more oxetanyl groups in the molecule, di [1-ethyl- (3-oxetanyl) methyl] ether, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylme Methoxy) methyl] benzene is preferred.

화합물 X의 함유량으로서는, [A3] 중합체 100질량부에 대하여 1질량부 이상 100질량부 이하가 바람직하고, 1질량부 이상 50질량부 이하가 보다 바람직하고, 1질량부 이상 25질량부 이하가 더욱 바람직하다. 화합물 X의 함유량을 상기 범위로 함으로써 감도, 내열성 등을 향상시킬 수 있다.The content of the compound X is preferably 1 part by mass or more and 100 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass or more and 50 parts by mass or less, and more preferably 1 part by mass or more and 25 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer [A3]. desirable. When the content of compound X is within the above range, sensitivity, heat resistance, and the like can be improved.

[산화 방지제][Antioxidants]

산화 방지제는 노광 또는 가열에 의해 발생된 라디칼, 또는 산화에 의해서 생성된 과산화물을 분해하여, 중합체 분자의 결합의 해열을 방지할 수 있는 성분이다. 그 결과, 얻어지는 경화막은 경시적인 산화 열화가 방지되어, 예를 들면 경화막의 막 두께 변화를 억제할 수 있다.Antioxidants are components that can decompose radicals generated by exposure or heating, or peroxides produced by oxidation, to prevent the antipyretic bonds of polymer molecules. As a result, the resulting cured film is prevented from deteriorating oxidation over time, for example, it is possible to suppress a change in the film thickness of the cured film.

상기 산화 방지제로서는, 예를 들면 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물, 힌더드아민 구조를 갖는 화합물, 알킬포스파이트 구조를 갖는 화합물, 티오에테르 구조를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 산화 방지제로서는 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물이 바람직하다.Examples of the antioxidants include compounds having a hindered phenol structure, compounds having a hindered amine structure, compounds having an alkylphosphite structure, compounds having a thioether structure, and the like. Among them, a compound having a hindered phenol structure is preferable as the antioxidant.

상기 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 티오디에틸렌비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 트리스-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)-이소시아누레이트, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, N,N'-헥산-1,6-디일비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐프로피온아미드), 3,3',3',5',5'-헥사-tert-부틸-a,a',a'-(메시틸렌-2,4,6-트리일)트리-p-크레졸, 4,6-비스(옥틸티오메틸)-o-크레졸, 4,6-비스(도데실티오메틸)-o-크레졸, 에틸렌비스(옥시에틸렌)비스[3-(5-tert-부틸-4-히드록시-m-톨릴)프로피오네이트, 헥사메틸렌비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 1,3,5-트리스[(4-tert-부틸-3-히드록시-2,6-크실릴)메틸]-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 2,6-디-tert-부틸-4-(4,6-비스(옥틸티오)-1,3,5-트리아진-2-일아민)페놀, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 2,6-디-t-부틸-4-크레졸 등을 들 수 있다.Examples of the compound having the hindered phenol structure include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] and thiodiethylenebis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, tris- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-tert-butyl-4 -Hydroxybenzyl) benzene, N, N'-hexane-1,6-diylbis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenylpropionamide), 3,3 ', 3' , 5 ', 5'-hexa-tert-butyl-a, a', a '-(mesitylene-2,4,6-triyl) tri-p-cresol, 4,6-bis (octylthiomethyl) -o-cresol, 4,6-bis (dodecylthiomethyl) -o-cresol, ethylenebis (oxyethylene) bis [3- (5-tert-butyl-4-hydroxy-m-tolyl) propionate , Hexamethylenebis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,3,5-tris [(4-tert-butyl-3-hydroxy-2 , 6-Xylyl) methyl] -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -trione, 2,6-di-tert-butyl-4- (4,6 -Bis (octylthio) -1,3,5-triazine-2-ylamine) phenol, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4 -Hydroxybenzyl) benzene, 2,6-di-t-butyl-4-cresol, and the like.

상기 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면 아데카스탭 AO-20, 동 AO-30, 동 AO-40, 동 AO-50, 동 AO-60, 동 AO-70, 동 AO-80, 동 AO-330(이상, ADEKA 제조), sumilizer GM, 동 GS, 동 MDP-S, 동 BBM-S, 동 WX-R, 동 GA-80(이상, 스미또모 가가꾸 제조), IRGANOX 1010, 동 1035, 동 1076, 동 1098, 동 1135, 동 1330, 동 1726, 동 1425WL, 동 1520L, 동 245, 동 259, 동 3114, 동 565, IRGAMOD 295(이상, BASF 제조), 요시녹스 BHT, 동 BB, 동 2246G, 동 425, 동 250, 동 930, 동 SS, 동 TT, 동 917, 동 314(이상, API 코포레이션 제조) 등을 들 수 있다.As a commercial item of the compound having the hindered phenol structure, for example, Adekastab AO-20, copper AO-30, copper AO-40, copper AO-50, copper AO-60, copper AO-70, copper AO- 80, copper AO-330 (above, manufactured by ADEKA), sumilizer GM, copper GS, copper MDP-S, copper BBM-S, copper WX-R, copper GA-80 (above, manufactured by Sumitomo Chemicals), IRGANOX 1010 , East 1035, East 1076, East 1098, East 1135, East 1330, East 1726, East 1425WL, East 1520L, East 245, East 259, East 3114, East 565, IRGAMOD 295 (above, manufactured by BASF), Yoshinox BHT, Copper BB, copper 2246G, copper 425, copper 250, copper 930, copper SS, copper TT, copper 917, copper 314 (above, manufactured by API Corporation).

이들 중에서, 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물로서는, 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 2,6-디-t-부틸-4-크레졸이 보다 바람직하다.Among them, as a compound having a hindered phenol structure, pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,3,5-trimethyl- 2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, 2,6-di-t-butyl-4-cresol is more preferable.

산화 방지제의 함유량으로서는, [A3] 중합체 100질량부에 대하여 0.001질량부 이상 5질량부 이하가 바람직하고, 0.01질량부 이상 2질량부 이하가 보다 바람직하다.The content of the antioxidant is preferably 0.001 parts by mass or more and 5 parts by mass or less, more preferably 0.01 parts by mass or more and 2 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer [A3].

[계면 활성제][Surfactants]

계면 활성제는, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 막 형성성을 향상시키는 성분이다. 상기 계면 활성제로서는, 예를 들면 불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제, 및 그 밖의 계면 활성제를 들 수 있다.The surfactant is a component that improves the film-forming properties of the positive radiation-sensitive resin composition. Examples of the surfactant include fluorine-based surfactants, silicone-based surfactants, and other surfactants.

상기 불소계 계면 활성제로서는, 말단, 주쇄 및 측쇄 중 적어도 어느 하나의 부위에 플루오로알킬기 및/또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물이 바람직하고, 예를 들면 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(1,1,2,2-테트라플루오로-n-프로필)에테르, 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(n-헥실)에테르, 헥사에틸렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타에틸렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 퍼플루오로-n-도데칸술폰산나트륨, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-데칸, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-데카플루오로-n-도데칸이나, 플루오로알킬벤젠술폰산나트륨, 플루오로알킬인산나트륨, 플루오로알킬카르복실산나트륨, 디글리세린테트라키스(플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르), 플루오로알킬암모늄요오디드, 플루오로알킬베타인, 다른 플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르, 퍼플루오로알킬폴리옥시에탄올, 퍼플루오로알킬알콕시레이트, 카르복실산플루오로알킬에스테르 등을 들 수 있다.As the fluorine-based surfactant, a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group on at least one of the terminal, main and side chains is preferable, for example, 1,1,2,2-tetrafluoro- n-octyl (1,1,2,2-tetrafluoro-n-propyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluoro-n-octyl (n-hexyl) ether, hexaethylene glycoldi (1 , 1,2,2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, hexapropylene glycol di (1 , 1,2,2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, perfluoro-n- Sodium dodecanesulfonate, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro-n-decane, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-decafluoro-n -Dodecane, sodium fluoroalkylbenzenesulfonate, sodium fluoroalkyl phosphate, sodium fluoroalkyl carboxylate, diglycerin tetrakis (fluoroalkylpolyoxyethylene ether), fluoroalkylammonium iodide, fluoroalkyl Betaine, other fluoroalkyl polyoxyethylene ethers, perfluoroalkyl polyoxyethanols, perfluoroalkyl alkoxylates, fluoroalkyl carboxylic acids, and the like.

상기 불소계 계면 활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 BM-1000, BM-1100(이상, BM CHEMIE 제조), 메가페이스 F142D, 동 F172, 동 F173, 동 F183, 동 F178, 동 F191, 동 F471, 동 F476(이상, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 제조), 플루오라드 FC-170C, 동-171, 동-430, 동-431(이상, 스미또모 쓰리엠 제조), 서플론 S-112, 동-113, 동-131, 동-141, 동-145, 동-382, 서플론 SC-101, 동-102, 동-103, 동-104, 동-105, 동-106(이상, 아사히 글래스 제조), 에프톱 EF301, 동 303, 동 352(이상, 신아키타 가세이 제조), 프터젠트 FT-100, 동-110, 동-140A, 동-150, 동-250, 동-251, 동-300, 동-310, 동-400S, FTX-218, 동-251(이상, 네오스 제조) 등을 들 수 있다.As commercially available products of the fluorine-based surfactant, for example, BM-1000, BM-1100 (above, manufactured by BM CHEMIE), Megaface F142D, Copper F172, Copper F173, Copper F183, Copper F178, Copper F191, Copper F471, Copper F476 (Above, manufactured by Dani Nippon Ink Chemical Co., Ltd.), Fluorad FC-170C, Dong-171, Dong-430, Dong-431 (above, manufactured by Sumitomo 3M), Sufflon S-112, Dong-113, Dong- 131, copper-141, copper-145, copper-382, suplon SC-101, copper-102, copper-103, copper-104, copper-105, copper-106 (above, manufactured by Asahi Glass), F-top EF301 , Copper 303, Copper 352 (above, manufactured by Shin-Akita Kasei), Pactant FT-100, Copper-110, Copper-140A, Copper-150, Copper-250, Copper-251, Copper-300, Copper-310, Copper -400S, FTX-218, copper-251 (above, manufactured by Neos), and the like.

상기 실리콘계 계면 활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 도레이 실리콘 DC3PA, 동 DC7PA, 동 SH11PA, 동 SH21PA, 동 SH28PA, 동 SH29PA, 동 SH30PA, 동 SH-190, 동 SH-193, 동 SZ-6032, 동 SF-8428, 동 DC-57, 동 DC-190(이상, 도레이·다우 코닝·실리콘 제조), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452(이상, GE 도시바실리콘 제조), 오르가노실록산 중합체 KP341(신에쓰 가가꾸 고교 제조) 등을 들 수 있다.Commercially available products of the silicone surfactants include, for example, Toray Silicone DC3PA, Copper DC7PA, Copper SH11PA, Copper SH21PA, Copper SH28PA, Copper SH29PA, Copper SH30PA, Copper SH-190, Copper SH-193, Copper SZ-6032, Copper SF -8428, Copper DC-57, Copper DC-190 (above, manufactured by Toray Dow Corning and Silicon), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452 (above, GE Toshiba Silicon Co., Ltd., organosiloxane polymer KP341 (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and the like.

상기 그 밖의 계면 활성제로서는, 예를 들면 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르; 폴리옥시에틸렌-n-옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌-n-노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르; 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌디알킬에스테르 등의 비이온계 계면 활성제를 들 수 있다.Examples of the other surfactant include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether; Polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene-n-octylphenyl ether and polyoxyethylene-n-nonylphenyl ether; And nonionic surfactants such as polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate.

상기 그 밖의 계면 활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 (메트)아크릴산계 공중합체 폴리플로우 No.57, 동 No.95(이상, 교에이샤 가가꾸 제조) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the other surfactants include (meth) acrylic acid copolymer polyflow No.57, copper No.95 (above, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) and the like.

상기 계면 활성제의 함유량으로서는, [A3] 중합체 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상 3질량부 이하가 바람직하고, 0.05질량부 이상 1질량부 이하가 보다 바람직하다. 계면 활성제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 효과적으로 막 형성성을 향상시킬 수 있다.As content of the said surfactant, 0.01 mass part or more and 3 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of [A3] polymers, and 0.05 mass part or more and 1 mass part or less are more preferable. When the content of the surfactant is within the above range, film formability can be effectively improved.

[접착 보조제][Adhesive Aid]

접착 보조제는, 얻어지는 경화막과 기판의 접착성을 향상시키는 성분이다. 상기 접착 보조제로서는, 카르복시기, 메타크릴로일기, 비닐기, 이소시아네이트기, 옥시라닐기 등의 반응성 관능기를 갖는 관능성 실란 커플링제가 바람직하다.The adhesion aid is a component that improves the adhesion between the resulting cured film and the substrate. As the adhesion aid, a functional silane coupling agent having a reactive functional group such as a carboxyl group, methacryloyl group, vinyl group, isocyanate group, or oxiranyl group is preferable.

상기 관능성 실란 커플링제로서는, 예를 들면 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다.Examples of the functional silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatepropyltriethoxysilane, and γ -Glycidoxypropyl trimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl trimethoxysilane, and the like.

상기 접착 보조제의 함유량으로서는, [A3] 중합체 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상 20질량부 이하가 바람직하고, 0.1질량부 이상 15질량부 이하가 보다 바람직하다. 접착 보조제의 사용량이 20질량부를 초과하면, 현상 잔여물이 생기기 쉬워지는 경향이 있다.As content of the said adhesive auxiliary agent, 0.01 mass part or more and 20 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of [A3] polymers, and 0.1 mass part or more and 15 mass parts or less are more preferable. When the usage-amount of an adhesive aid exceeds 20 mass parts, there exists a tendency for a development residue to arise easily.

<포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 제조 방법><Production method of positive radiation sensitive resin composition>

본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, [A3] 중합체, [G] 산 발생제, 필요에 따라서 [H] 용매, 산화 방지제, 계면 활성제, 접착 보조제 등의 임의 성분을 소정의 비율로 혼합함으로써 제조할 수 있다. 제조한 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 예를 들면 공경 0.5㎛ 정도의 필터로 여과하는 것이 바람직하다.In the positive radiation sensitive resin composition of the present invention, optional components such as [A3] polymer, [G] acid generator, and [H] solvent, antioxidant, surfactant, and adhesion aid are mixed in a predetermined ratio, if necessary. Can be produced. It is preferable to filter the produced positive radiation sensitive resin composition with a filter having a pore size of about 0.5 µm.

<경화막의 형성 방법 (3)><Method of forming a cured film (3)>

본 발명의 경화막의 형성 방법 (3)은,The method (3) of forming the cured film of the present invention,

(1) 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정,(1) a step of forming a coating film on the substrate using the positive radiation-sensitive resin composition,

(2) 상기 도막의 일부에 방사선을 조사하는 공정,(2) a step of irradiating a portion of the coating film with radiation,

(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정, 및(3) a process of developing the coated film irradiated with the radiation, and

(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 공정(4) Process of heating the developed coating film

을 갖는다.Have

상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 상술한 성질을 갖고 있기 때문에, 본 발명의 경화막의 형성 방법 (3)에 따르면, 양호한 표면 경도를 갖고, 현상 밀착성, 내열성, 내약품성, 투과율 및 비유전율 등의 일반적 특성도 충분히 만족시킬 수 있는 경화막을 형성할 수 있다. 이하, 각 공정에 대해서 상술한다.Since the positive radiation-sensitive resin composition has the above-described properties, according to the method (3) of forming the cured film of the present invention, it has good surface hardness, develop adhesion, heat resistance, chemical resistance, transmittance, and relative dielectric constant. A cured film capable of satisfactorily satisfying general characteristics can also be formed. Hereinafter, each process is explained in full detail.

[공정 (C1)][Process (C1)]

본 공정에서는, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 기판 상에 도막을 형성한다. 구체적으로는, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 용액을 기판 표면에 도포하고, 바람직하게는 프리베이킹을 행함으로써 용매를 제거하여 감방사선성 수지 조성물의 도막을 형성한다. 상기 기판으로서는, 예를 들면 유리 기판, 실리콘 웨이퍼, 플라스틱 기판, 및 이들의 표면에 각종 금속 박막이 형성된 기판 등을 들 수 있다. 상기 플라스틱 기판으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드 등의 플라스틱을 포함하는 수지 기판을 들 수 있다.In this step, a coating film is formed on the substrate using the positive radiation-sensitive resin composition. Specifically, a solution of the positive radiation-sensitive resin composition is applied to the surface of the substrate, and preferably pre-baking, the solvent is removed to form a coating film of the radiation-sensitive resin composition. Examples of the substrate include glass substrates, silicon wafers, plastic substrates, and substrates on which various metal thin films are formed. As said plastic substrate, the resin substrate containing plastics, such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), polyether sulfone, polycarbonate, polyimide, is mentioned, for example.

도포 방법으로서는, 예를 들면 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법(스핀 코팅법), 슬릿다이 도포법, 바 도포법, 잉크젯법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 이들 중에서, 도포 방법으로서는 스핀 코팅법, 바 도포법, 슬릿다이 도포법이 바람직하다. 상기 프리베이킹의 조건으로서는, 각 성분의 종류, 사용 비율 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면 60℃ 내지 130℃에서 30초간 내지 10분간 정도로 할 수 있다. 형성되는 도막의 막 두께는 프리베이킹 후의 값으로서 0.1㎛ 내지 8㎛가 바람직하고, 0.1㎛ 내지 6㎛가 보다 바람직하고, 0.1㎛ 내지 4㎛가 더욱 바람직하다.As the coating method, suitable methods such as a spray method, a roll coating method, a rotation coating method (spin coating method), a slit die coating method, a bar coating method, and an inkjet method can be adopted, for example. Of these, spin coating, bar coating, and slit die coating are preferred as the coating method. The conditions of the pre-baking vary depending on the type of each component, the use ratio, and the like, but can be, for example, from 60 ° C to 130 ° C for about 30 seconds to 10 minutes. The film thickness of the formed coating film is preferably 0.1 µm to 8 µm, more preferably 0.1 µm to 6 µm, and even more preferably 0.1 µm to 4 µm as a value after pre-baking.

[공정 (C2)][Process (C2)]

본 공정에서는, 상기 도막의 일부에 방사선을 조사한다. 구체적으로는, 공정 (C1)에서 형성한 도막에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 통해 방사선을 조사한다. 이때 이용되는 방사선으로서는, 예를 들면 자외선, 원자외선, X선, 하전 입자선 등을 들 수 있다.In this process, a part of the coating film is irradiated with radiation. Specifically, radiation is irradiated to the coating film formed in step (C1) through a mask having a predetermined pattern. Examples of the radiation used at this time include ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, and charged particle rays.

상기 자외선으로서는, 예를 들면 g선(파장 436nm), i선(파장 365nm) 등을 들 수 있다. 원자외선으로서는, 예를 들면 KrF 엑시머 레이저광 등을 들 수 있다. X선으로서는, 예를 들면 싱크로트론 방사선 등을 들 수 있다. 하전 입자선으로서는, 예를 들면 전자선 등을 들 수 있다. 이들 방사선 중 자외선이 바람직하고, 자외선의 중에서도 g선, h선 및/또는 i선을 포함하는 방사선이 보다 바람직하다. 방사선의 노광량으로서는, 0.1J/m2 내지 10,000J/m2가 바람직하다.Examples of the ultraviolet rays include g-rays (wavelength 436 nm), i-rays (wavelength 365 nm), and the like. Examples of the far ultraviolet rays include KrF excimer laser light and the like. As X-rays, synchrotron radiation etc. are mentioned, for example. As a charged particle beam, an electron beam etc. are mentioned, for example. Among these radiations, ultraviolet rays are preferred, and among the ultraviolet rays, radiations including g rays, h rays and / or i rays are more preferable. Examples of radiation exposure dose, 0.1J / m 2 to 10,000J / m 2 is preferred.

[공정 (C3)][Process (C3)]

본 공정에서는, 상기 방사선이 조사된 도막을 현상한다. 구체적으로는, 공정 (C2)에서 방사선이 조사된 도막에 대해 현상액에 의해 현상을 행하여 방사선의 조사 부분을 제거한다. 상기 현상액으로서는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아, 에틸아민, n-프로필아민, 디에틸아민, 디에틸아미노에탄올, 디-n-프로필아민, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민, 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄히드록시드, 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자비시클로〔5,4,0〕-7-운데센, 1,5-디아자비시클로〔4,3,0〕-5-노난 등의 알칼리(염기성 화합물)의 수용액 등을 들 수 있다. 또한, 상기 알칼리의 수용액에 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매나 계면 활성제를 적당량 첨가한 수용액, 또는 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 용해하는 각종 유기 용매를 소량 포함하는 알칼리 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.In this step, the coated film irradiated with the radiation is developed. Specifically, in the step (C2), the coated film irradiated with radiation is developed with a developer to remove the irradiated portion of the radiation. Examples of the developer include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, diethylaminoethanol, di-n-propylamine, triethyl Amines, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo [5,4,0 And an aqueous solution of an alkali (basic compound) such as 7-undecene and 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonane. Further, an aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added to the aqueous solution of the alkali, or an aqueous alkali solution containing a small amount of various organic solvents for dissolving the positive radiation-sensitive resin composition may be used as the developer. have.

현상 방법으로서는, 예를 들면 액고임법, 디핑법, 요동 침지법, 샤워법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 현상 시간으로서는, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 조성에 따라서 다르지만, 예를 들면 30초 내지 120초로 할 수 있다. 또한, 현상 공정 후, 패터닝된 도막에 대하여 유수 세정에 의한 린스 처리를 행하고, 이어서 고압 수은등 등에 의한 방사선을 전체면에 조사(후 노광)함으로써, 도막 내에 잔존하는 [G] 산 발생제의 분해 처리를 행하는 것이 바람직하다. 이 후 노광에서의 노광량으로서는, 2,000J/m2 내지 5,000J/m2가 바람직하다.As the developing method, suitable methods such as a liquid accumulating method, a dipping method, a rocking dipping method, and a shower method can be adopted, for example. The development time varies depending on the composition of the positive radiation sensitive resin composition, but can be, for example, 30 seconds to 120 seconds. Further, after the development process, the patterned coating film is subjected to a rinsing treatment by washing with running water, followed by irradiation with high pressure mercury lamp or the like (post exposure) to decompose the acid generator remaining in the coating film. It is preferable to do. As the exposure amount in the subsequent exposure, 2,000 J / m 2 to 5,000 J / m 2 is preferable.

[공정 (C4)][Process (C4)]

본 공정에서는 상기 현상된 도막을 가열한다. 구체적으로는, 공정 (C3)에서 현상된 도막을 소성하는 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치를 이용하여, 이 도막을 가열·소성 처리(포스트 베이킹)함으로써 도막의 경화를 행한다. 본 공정에서의 소성 온도로서는 200℃ 이하가 바람직하다. 감방사선성을 이용한 미세한 패턴 형성능 외에도, 이와 같이 낮은 온도에서의 소성이 가능함으로써, 상기 형성 방법 (3)은 플렉시블 디스플레이의 플라스틱 기판 상에서의 층간 절연막 등의 경화막 형성에 바람직하게 사용할 수 있다. 소성 온도로서는, 120℃ 내지 180℃가 보다 바람직하고, 120℃ 내지 150℃가 더욱 바람직하다. 소성 시간으로서는 가열 기기의 종류에 따라 다르지만, 예를 들면 핫 플레이트 상에서 가열 처리를 행하는 경우에는 5분 내지 40분, 오븐 중에서 가열 처리를 행하는 경우에는 30분 내지 80분으로 할 수 있고, 보다 바람직하게는 핫 플레이트 상에서 가열 처리를 행하는 경우에는 30분간 이내, 오븐 중에서 가열 처리를 행하는 경우에는 60분간 이내이다. 이와 같이 하여, 목적으로 하는 층간 절연막 등의 경화막에 대응하는 패턴상 도막을 기판 상에 형성할 수 있다.In this step, the developed coating film is heated. Specifically, the coating film is cured by heating and firing (post baking) the coating film using a heating device such as a hot plate or oven for firing the developed film developed in step (C3). The firing temperature in this step is preferably 200 ° C or lower. In addition to the ability to form a fine pattern using radiation-sensitive properties, by firing at such a low temperature, the forming method (3) can be preferably used for forming a cured film such as an interlayer insulating film on a plastic substrate of a flexible display. As the firing temperature, 120 ° C to 180 ° C is more preferable, and 120 ° C to 150 ° C is more preferable. The calcination time varies depending on the type of the heating device, but may be, for example, 5 minutes to 40 minutes when heat treatment is performed on a hot plate, and 30 minutes to 80 minutes when heat treatment is performed in an oven, more preferably Is within 30 minutes when performing heat treatment on a hot plate, and within 60 minutes when performing heat treatment in an oven. In this way, a patterned coating film corresponding to a cured film such as a target interlayer insulating film can be formed on a substrate.

<경화막(3)><Curing film (3)>

본 발명의 경화막(3)은, 상술한 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 예를 들면 상술한 상기 경화막의 형성 방법 (3)에 의해 형성된다. 상기 경화막(3)은, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성되기 때문에, 양호한 표면 경도를 갖고, 현상 밀착성, 내열성, 내약품성, 투과율 및 비유전율 등의 일반적 특성도 충분히 만족시킬 수 있다.The cured film 3 of the present invention is formed by, for example, the method (3) for forming the cured film described above, using the above-mentioned positive radiation sensitive resin composition. Since the cured film 3 is formed using the positive radiation-sensitive resin composition, it has good surface hardness and can sufficiently satisfy general characteristics such as developing adhesion, heat resistance, chemical resistance, transmittance, and relative dielectric constant. have.

<반도체 소자><Semiconductor element>

본 발명의 반도체 소자는, 상기 경화막(3)을 구비하고 있다. 해당 반도체 소자는 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물로부터 형성되는 경화막(3)을 구비하고 있기 때문에, 회로의 집적도나 기록 밀도를 향상시킬 수 있어, 표시 소자, LED, 태양 전지 등의 전자 디바이스에 바람직하게 사용할 수 있다.The semiconductor element of the present invention is provided with the cured film 3. Since the semiconductor element is provided with a cured film 3 formed from the positive radiation-sensitive resin composition, it is possible to improve the integration density and recording density of the circuit, and to electronic devices such as display elements, LEDs, and solar cells. It can be preferably used.

<표시 소자><Display element>

본 발명의 표시 소자는, 상기 반도체 소자를 구비하고 있다. 이 반도체 소자는, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물로부터 형성되는 경화막(3)을 갖고 있다. 이에 따라, 표시 소자로서 실용면에서 요구되는 일반적 특성을 만족시킨다. 상기 표시 소자로서는, 예를 들면 액정 표시 소자 등을 들 수 있다. 상기 액정 표시 소자는, 예를 들면 액정 배향막이 표면에 형성된 TFT 어레이 기판 2장이, TFT 어레이 기판의 주변부에 설치된 시일제를 통해 액정 배향막측에서 대향하여 배치되어 있고, 이들 2장의 TFT 어레이 기판 사이에 액정이 충전되어 있다. 상기 TFT 어레이 기판은 층상으로 배치되는 배선을 갖고, 이 배선 사이를 층간 절연막 등의 상기 경화막에 의해 절연하고 있는 것이다.The display element of this invention is equipped with the said semiconductor element. This semiconductor element has a cured film 3 formed from the positive radiation-sensitive resin composition. Accordingly, the general characteristics required in practical terms as a display element are satisfied. As said display element, a liquid crystal display element etc. are mentioned, for example. In the liquid crystal display element, for example, two TFT array substrates on which a liquid crystal alignment film is formed on the surface are disposed to face each other on the liquid crystal alignment film side through a sealing agent provided on the periphery of the TFT array substrate, and between these two TFT array substrates The liquid crystal is charged. The TFT array substrate has wirings arranged in layers, and the wirings are insulated by the cured film such as an interlayer insulating film.

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 각 물성치의 측정 방법을 하기에 나타내었다.Hereinafter, the present invention will be specifically described based on Examples, but the present invention is not limited to these Examples. The measurement method of each physical property value is shown below.

[중량 평균 분자량(Mw) 및 수 평균 분자량(Mn)][Weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn)]

하기 조건에 의한 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 Mw 및 Mn을 측정하였다. 또한, 분자량 분포(Mw/Mn)는 얻어진 Mw 및 Mn으로부터 산출하였다.Mw and Mn were measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions. In addition, the molecular weight distribution (Mw / Mn) was calculated from the obtained Mw and Mn.

장치: GPC-101(쇼와 덴꼬 제조)Device: GPC-101 (manufactured by Showa Denko)

GPC 칼럼: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 및 GPC-KF-804를 결합함(시마즈 GLC 제조)GPC column: combines GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804 (manufactured by Shimadzu GLC)

이동상: 테트라히드로푸란Mobile phase: Tetrahydrofuran

칼럼 온도: 40℃Column temperature: 40 ° C

유속: 1.0mL/분Flow rate: 1.0 mL / min

시료 농도: 1.0질량%Sample concentration: 1.0% by mass

시료 주입량: 100μLSample injection volume: 100 μL

검출기: 시차 굴절계 Detector: Differential refractometer

표준 물질: 단분산 폴리스티렌Standard material: monodisperse polystyrene

<[A1] 중합체 및 [A2] 중합체의 합성><Synthesis of [A1] polymer and [A2] polymer>

각 실시예 및 비교예의 중합체의 합성에서 이용한 단량체 화합물을 이하에 나타내었다.The monomer compounds used in the synthesis of the polymers of the respective examples and comparative examples are shown below.

[구조 단위(I)를 제공하는 단량체 화합물][Monomer compound providing structural unit (I)]

하기 화학식 (1-1) 내지 (1-10)으로 표시되는 단량체 화합물(1-1) 내지 (1-10)Monomer compounds (1-1) to (1-10) represented by the following formulas (1-1) to (1-10)

Figure 112014003164485-pat00023
Figure 112014003164485-pat00023

[구조 단위(II-1), 구조 단위(II-2)를 제공하는 단량체 화합물][Monomer compound providing structural unit (II-1), structural unit (II-2)]

하기 화학식 (2-1) 내지 (2-7)로 표시되는 단량체 화합물(2-1) 내지 (2-7)Monomer compounds (2-1) to (2-7) represented by the following formulas (2-1) to (2-7)

Figure 112014003164485-pat00024
Figure 112014003164485-pat00024

[구조 단위(III)를 제공하는 단량체 화합물][Monomer compound providing structural unit (III)]

(3-1): 메타크릴산 p-히드록시페놀(4-히드록시페닐메타크릴레이트)(3-1): Methacrylic acid p-hydroxyphenol (4-hydroxyphenyl methacrylate)

(3-2): 메타크릴산히드록시에틸(2-히드록시에틸메타크릴레이트)(3-2): Hydroxyethyl methacrylate (2-hydroxyethyl methacrylate)

(3-3): α-메틸-p-히드록시스티렌(3-3): α-methyl-p-hydroxystyrene

[구조 단위(IV)를 제공하는 단량체 화합물][Monomer compound providing structural unit (IV)]

(4-1): 메타크릴산(4-1): methacrylic acid

(4-2): 스티렌(4-2): Styrene

(4-3): 메타크릴산메틸(4-3): methyl methacrylate

(4-4): N-시클로헥실말레이미드(4-4): N-cyclohexylmaleimide

(4-5): 메타크릴산테트라히드로푸르푸릴(4-5): Tetrahydrofurfuryl methacrylate

(4-6): 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일(4-6): Tricyclo methacrylate [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl

[합성예 1] (중합체(A-1)의 합성)[Synthesis Example 1] (Synthesis of polymer (A-1))

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부 및 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 220질량부를 투입하였다. 이어서, 구조 단위(I)를 제공하는 단량체 화합물(1-1) 60질량부, 구조 단위(II-1)를 제공하는 단량체 화합물(2-1) 18질량부, 구조 단위(IV)를 제공하는 단량체 화합물(4-2) 22질량부를 투입하고, 질소 치환하여 천천히 교반하면서, 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 4시간 유지시켜 중합함으로써 중합체(A-1)를 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이 중합체 용액의 고형분 농도는 30.4%이고, 중합체(A-1)의 Mw는 8,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.3이었다.To a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 220 parts by mass of diethylene glycol methyl ethyl ether were added. Subsequently, 60 parts by mass of the monomer compound (1-1) providing the structural unit (I), 18 parts by mass of the monomer compound (2-1) providing the structural unit (II-1), and the structural unit (IV) A polymer solution containing polymer (A-1) by adding 22 parts by mass of monomer compound (4-2), purging with nitrogen and slowly stirring, raising the temperature of the solution to 70 ° C, and maintaining the temperature for 4 hours to polymerize. Got The polymer solution had a solid content concentration of 30.4%, a polymer (A-1) had an Mw of 8,000, and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.3.

[합성예 2 내지 46] (중합체(A-2) 내지 (A-42) 및 (a-1) 내지 (a-4)의 합성)[Synthesis Examples 2 to 46] (Synthesis of polymers (A-2) to (A-42) and (a-1) to (a-4))

하기 표 1에 나타내는 종류 및 배합량의 단량체 화합물을 이용한 것 이외에는, 합성예 1과 마찬가지로 조작하여, 중합체(A-2) 내지 (A-42) 및 (a-1) 내지 (a-4)를 합성하였다. 얻어진 각 중합체 용액의 고형분 농도, 및 각 중합체의 Mw 및 Mw/Mn은 상기 중합체(A-1)의 값과 동등하였다. 또한, 표 1 중의 공란은, 해당하는 단량체 화합물을 배합하지 않은 것을 나타낸다.Polymers (A-2) to (A-42) and (a-1) to (a-4) were synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1, except that the monomer compounds of the types and compounding amounts shown in Table 1 below were used. Did. The solid content concentration of each obtained polymer solution, and Mw and Mw / Mn of each polymer were equivalent to the values of the polymer (A-1). In addition, the blank in Table 1 indicates that the corresponding monomer compound was not blended.

Figure 112014003164485-pat00025
Figure 112014003164485-pat00025

<경화막 형성용 수지 조성물(1)의 제조><Production of the resin composition for forming a cured film (1)>

[실시예 1][Example 1]

[A1] 중합체로서의 (A-1) 100질량부(고형분)를 함유하는 중합체 용액에, 고형분 농도가 30질량%가 되도록 용매로서의 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르를 첨가한 후, 공경 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과함으로써, 경화막 형성용 수지 조성물(1)을 제조하였다.[A1] To a polymer solution containing 100 parts by mass (solid content) of (A-1) as a polymer, after adding diethylene glycol methyl ethyl ether as a solvent so that the solid content concentration becomes 30 mass%, a membrane filter having a pore diameter of 0.2 µm The resin composition for cured film formation (1) was produced by filtration with.

[실시예 2 및 비교예 1][Example 2 and Comparative Example 1]

[A] 성분을 표 2에 나타내는 종류 및 배합량으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 조작하여, 각 경화막 형성용 수지 조성물(1)을 제조하였다. 또한, 표 2 중의 "-"는, 해당하는 성분을 배합하지 않은 것, 또는 후술하는 평가를 행하지 않은 것을 나타낸다.The resin composition (1) for forming each cured film was produced in the same manner as in Example 1, except that the component [A] was used as the type and compounding amount shown in Table 2. In addition, "-" in Table 2 indicates that the corresponding component was not blended, or that evaluation described later was not performed.

<네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)의 제조><Production of the negative radiation sensitive resin composition (2)>

각 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)의 제조에 이용한 [B] 중합성 화합물, [C] 감방사선성 중합 개시제 및 [D] 산화 방지제를 이하에 나타내었다.The [B] polymerizable compound, [C] radiation-sensitive polymerization initiator and [D] antioxidant used in the production of each negative-type radiation-sensitive resin composition (2) are shown below.

[[B] 중합성 화합물][[B] polymerizable compound]

B-1: 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트B-1: Dipentaerythritol hexaacrylate

B-2: 다관능 아크릴레이트 화합물의 혼합물(KAYARAD DPHA-40H, 닛본 가야꾸 제조)B-2: Mixture of polyfunctional acrylate compounds (KAYARAD DPHA-40H, manufactured by Nippon Kayaku)

B-3: 1,9-노난디올디아크릴레이트B-3: 1,9-nonanediol diacrylate

B-4: ω-카르복시-폴리카프로락톤모노아크릴레이트(아로닉스 M-5300(도아 고세이 제조)B-4: ω-carboxy-polycaprolactone monoacrylate (Aronics M-5300 (manufactured by Toagosei)

B-5: 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리아크릴레이트B-5: Succinic acid-modified pentaerythritol triacrylate

[[C] 감방사선성 중합 개시제][[C] radiation-sensitive polymerization initiator]

C-1: 에타논-1-〔9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심)(이르가큐어 OXE02, 시바·스페셜티·케미컬즈 제조)C-1: Ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime) (Irgacure OXE02, Ciba Specialty · Chemicals)

C-2: 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)](이르가큐어 OXE01, 시바·스페셜티·케미컬즈 제조)C-2: 1,2-octanedione-1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)] (Irgacure OXE01, manufactured by Ciba Specialty Chemicals)

C-3: 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온(이르가큐어 907, 시바·스페셜티·케미컬즈 제조)C-3: 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropan-1-one (Irgacure 907, manufactured by Ciba Specialty Chemicals)

C-4: 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온(이르가큐어 379, 시바·스페셜티·케미컬즈 제조)C-4: 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one (Irgacure 379, Ciba Specialty Chemicals) Produce)

[[D] 산화 방지제][[D] Antioxidants]

D-1: 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], (아데카스탭 AO-60, ADEKA 제조)D-1: Pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], (Adekast AO-60, manufactured by ADEKA)

D-2: 트리스-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시벤질)-이소시아누레이트(아데카스탭 AO-20, ADEKA 제조)D-2: Tris- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate (adekastab AO-20, manufactured by ADEKA)

[실시예 3][Example 3]

[A2] 중합체로서의 (A-1) 100질량부(고형분)를 함유하는 중합체 용액, [B] 중합성 화합물로서의 (B-1) 50질량부, 및 [C] 감방사선성 중합 개시제로서의 (C-1) 5질량부를 혼합하고, 고형분 농도가 30질량%가 되도록 용매로서의 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르를 더 첨가한 후, 공경 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과함으로써, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)을 제조하였다.[A2] A polymer solution containing 100 parts by mass (A-1) (solid content) as a polymer, [B] 50 parts by mass (B-1) as a polymerizable compound, and [C] (C) as a radiation-sensitive polymerization initiator -1) After mixing 5 parts by mass and further adding diethylene glycol methyl ethyl ether as a solvent so that the solid content concentration becomes 30% by mass, and then filtering with a membrane filter having a pore diameter of 0.2 µm, a negative radiation sensitive resin composition (2 ) Was prepared.

[실시예 4 내지 50 및 비교예 2 내지 5][Examples 4 to 50 and Comparative Examples 2 to 5]

[A] 성분, [B] 중합성 화합물, [C] 감방사선성 중합 개시제, 및 [D] 산화 방지제를 표 2에 나타내는 종류 및 배합량으로 한 것 이외에는, 실시예 3과 마찬가지로 조작하여, 각 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)을 제조하였다. 또한, 표 2 중의 "-"는, 해당하는 성분을 배합하지 않은 것을 나타낸다.It was operated in the same manner as in Example 3 except that the components [A], [B] the polymerizable compound, [C] the radiation-sensitive polymerization initiator, and [D] the antioxidant were the types and compounding amounts shown in Table 2, and each negative was A type radiation-sensitive resin composition (2) was prepared. In addition, "-" in Table 2 indicates that the corresponding component was not blended.

<평가><Evaluation>

제조한 각 경화막 형성용 수지 조성물(1) 및 (2)를 이용하여, 하기 평가 방법에 따라서 평가하였다. 그 평가 결과를 표 2에 합쳐서 나타낸다.Each of the prepared resin compositions for forming a cured film (1) and (2) was evaluated according to the following evaluation method. Table 2 shows the evaluation results.

[보존 안정성][Storage stability]

각 경화막 형성용 수지 조성물을 40℃의 오븐 속에서 1주간 방치시키고, 가온 전후의 점도를 측정하여 점도 변화율(%)을 구하고, 보존 안정성의 지표로 하였다. 점도 변화율을, A: 점도 변화율 5% 미만, B: 점도 변화율 5% 이상 10% 미만, C: 점도 변화율 10% 이상 15% 미만, D: 점도 변화율 15% 이상으로 하고, A 또는 B의 경우 보존 안정성은 양호라고, C 또는 D의 경우 불량이라고 평가하였다. 점도는 E형 점도계(VISCONIC ELD. R, 도키산교 제조)를 이용하여 25℃에서 측정하였다.The resin composition for forming each cured film was left in an oven at 40 ° C. for one week, and the viscosity before and after heating was measured to obtain a rate of change in viscosity (%), and was used as an indicator of storage stability. Viscosity change rate, A: viscosity change rate of less than 5%, B: viscosity change rate of 5% or more and less than 10%, C: viscosity change rate of 10% or more and less than 15%, D: viscosity change rate of 15% or more, and storage for A or B The stability was evaluated as good, and in the case of C or D, it was evaluated as poor. The viscosity was measured at 25 ° C using an E-type viscometer (VISCONIC ELD. R, manufactured by Toki Sangyo).

[감도][Sensitivity]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 경화막 형성용 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴을 갖는 패턴 마스크를 통해, 수은 램프에 의해서 소정량의 자외선을 조사하였다. 이어서 테트라메틸암모늄히드록시드 2.38질량% 수용액을 포함하는 현상액을 이용하여, 25℃에서 60초 현상 처리를 행한 후, 초순수(超純水)로 1분간 유수 세정을 행하였다. 이때, 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴을 형성 가능한 최소 자외선 조사량을 측정하였다. 이 측정치가 700J/m2 미만인 경우, 감도는 양호라고, 700J/m2 이상인 경우 불량이라고 평가할 수 있다.After the resin composition for forming each cured film was coated on a silicon substrate using a spinner, pre-baking was performed on a hot plate at 90 ° C for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 µm. The obtained coating film was irradiated with a predetermined amount of ultraviolet light by a mercury lamp through a pattern mask having a line-and-space pattern having a width of 10 µm. Subsequently, a developing solution containing a 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide was used for developing for 60 seconds at 25 ° C., followed by washing with running water for 1 minute with ultrapure water. At this time, the minimum ultraviolet irradiation amount capable of forming a line-and-space pattern having a width of 10 µm was measured. If the measurement is 700J / m 2 is less than, and the sensitivity can be evaluated as good as, or more defective 700J / m 2.

[현상 밀착성][Phenomenon adhesion]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 경화막 형성용 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴을 갖는 패턴 마스크를 통해, 수은 램프에 의해서 1,000J/m2의 자외선을 조사하였다. 이어서 테트라메틸암모늄히드록시드 2.38질량% 수용액을 포함하는 현상액을 이용하여, 25℃에서 60초 현상 처리를 행한 후, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하였다. 그리고 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴의 박리 유무를 현미경으로 관찰하여 현상 밀착성으로 하였다. 이때, 박리의 정도에 따라, A: 박리 없음, B: 약간 박리 있음, C: 일부 박리 있음, D: 전체면 박리 있음으로 하고, A 또는 B의 경우 현상 밀착성은 양호라고, C 또는 D의 경우 불량이라고 평가하였다.After applying the resin composition for forming each cured film on a silicon substrate using a spinner, pre-baking was performed on a hot plate at 90 ° C for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 µm. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays of 1,000 J / m 2 by a mercury lamp through a pattern mask having a line and space pattern having a width of 10 μm. Subsequently, using a developing solution containing a 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, development was performed at 25 ° C for 60 seconds, followed by washing with running water with ultrapure water for 1 minute. Then, the presence or absence of peeling of the line-and-space pattern having a width of 10 µm was observed under a microscope to obtain developing adhesion. At this time, depending on the degree of peeling, A: no peeling, B: slightly peeling, C: partially peeling, D: full face peeling, and in the case of A or B, the developing adhesiveness is good, in the case of C or D It was evaluated as bad.

[내약품성][Chemical resistance]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 경화막 형성용 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 1,000J/m2가 되도록 자외선을 조사하였다. 이어서, 이 실리콘 기판을 핫 플레이트 상에서 200℃에서 30분 가열하여, 얻어진 경화막의 막 두께(T1)를 측정하였다. 그리고, 이 경화막이 형성된 실리콘 기판을, 70℃로 온도 제어된 디메틸술폭시드 중에 20분간 침지시킨 후, 상기 침지 후의 경화막의 막 두께(t1)를 측정하여, 막 두께 변화율을 하기 계산식으로부터 산출하고, 이것을 내약품성의 지표로 하였다.After the resin composition for forming each cured film was coated on a silicon substrate using a spinner, pre-baking was performed on a hot plate at 90 ° C for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 µm. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet light so that the integrated irradiation amount was 1,000 J / m 2 by a mercury lamp. Subsequently, the silicon substrate was heated on a hot plate at 200 ° C for 30 minutes to measure the film thickness (T1) of the resulting cured film. Then, after immersing the silicon substrate on which the cured film was formed in dimethyl sulfoxide temperature-controlled at 70 ° C. for 20 minutes, the film thickness (t1) of the cured film after immersion was measured, and the film thickness change rate was calculated from the following formula. This was used as an index of chemical resistance.

막 두께 변화율={(t1-T1)/T1}×100(%)Film thickness change rate = {(t1-T1) / T1} × 100 (%)

이 값의 절대값이 5% 미만인 경우 내약품성은 양호라고, 5% 이상인 경우 불량이라고 평가할 수 있다.When the absolute value of this value is less than 5%, it can be evaluated that the chemical resistance is good, and when it is 5% or more, it is poor.

[내열성][Heat resistance]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 경화막 형성용 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 1,000J/m2가 되도록 자외선을 조사하였다. 이어서, 이 실리콘 기판을 핫 플레이트 상에서 200℃에서 30분간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막의 5% 중량 감소 온도를 측정기(TG/DTA220U, SII·나노테크놀로지 제조)를 이용해서 공기 하에서 측정하여, 내열성의 지표로 하였다. 이때, 5% 중량 감소 온도가 300℃ 이상인 경우 내열성은 양호라고, 300℃ 미만인 경우 내열성은 불량이라고 평가할 수 있다.After applying the resin composition for forming each cured film on a silicon substrate using a spinner, pre-baking was performed on a hot plate at 90 ° C for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 µm. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet light so that the integrated irradiation amount was 1,000 J / m 2 by a mercury lamp. Next, this silicon substrate was heated on a hot plate at 200 ° C for 30 minutes to obtain a cured film. The 5% weight loss temperature of the obtained cured film was measured under air using a measuring device (TG / DTA220U, manufactured by SII · Nano Technology), and used as an index of heat resistance. At this time, it can be evaluated that the heat resistance is good when the 5% weight loss temperature is 300 ° C or higher, and the heat resistance is poor when it is less than 300 ° C.

[투과율][Transmittance]

스피너를 이용하여, 유리 기판 상에 각 경화막 형성용 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 1,000J/m2가 되도록 자외선을 조사하였다. 이어서, 이 유리 기판을 핫 플레이트 상에서 200℃에서 30분간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막의 투과율을 자외 가시 분광 광도계(V-630, 니혼 분꼬 제조)를 이용하여 측정하였다. 이때, 파장 400nm의 광의 투과율이 95% 이상인 경우를 양호(투명성이 좋음)라고, 95% 미만인 경우를 불량(투명성이 나쁨)이라고 평가할 수 있다.After the resin composition for forming each cured film was coated on a glass substrate using a spinner, pre-baking was performed on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet light so that the integrated irradiation amount was 1,000 J / m 2 by a mercury lamp. Subsequently, this glass substrate was heated on a hot plate at 200 ° C for 30 minutes to obtain a cured film. The transmittance of the obtained cured film was measured using an ultraviolet visible spectrophotometer (V-630, manufactured by Nippon Bunko). At this time, the case where the transmittance of light having a wavelength of 400 nm is 95% or more can be evaluated as good (good transparency), and the case where it is less than 95% can be evaluated as poor (bad transparency).

[표면 경도][Surface hardness]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 경화막 형성용 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에, 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 1,000J/m2가 되도록 자외선을 조사하였다. 이어서, 이 실리콘 기판을 핫 플레이트 상에서 200℃에서 30분 가열하여 경화막을 얻었다. 그리고, 경화막이 형성된 기판에 대해서, JIS K-5400-1990의 8.4.1 연필 긁기 시험에 의해 경화막의 연필 경도를 측정하여, 이것을 표면 경도의 지표로 하였다. 연필 경도가 3H 이상인 경우, 경화막의 표면 경도는 양호(경화막 형성용 수지 조성물은 충분한 경화성을 가짐)라고, 2H 이하인 경우 불량이라고 평가할 수 있다.After the resin composition for forming each cured film was coated on a silicon substrate using a spinner, pre-baking was performed on a hot plate at 90 ° C for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 µm. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays so that the integrated irradiation amount was 1,000 J / m 2 by a mercury lamp. Subsequently, this silicon substrate was heated on a hot plate at 200 ° C for 30 minutes to obtain a cured film. And the pencil hardness of the cured film was measured by the 8.4.1 pencil scratching test of JIS K-5400-1990 with respect to the substrate on which the cured film was formed, and this was used as an index of surface hardness. When the pencil hardness is 3H or more, it can be evaluated that the surface hardness of the cured film is good (the resin composition for forming a cured film has sufficient curability), and when it is 2H or less, it is poor.

[비유전율][Relative permittivity]

스피너를 이용하여, SUS 기판 상에 각 경화막 형성용 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 노광기(MPA-600FA, 캐논 제조)를 이용하여, 적산 조사량이 1,000J/m2가 되도록 상기 도막을 노광하고, 노광한 기판을 클린 오븐 내에서 200℃에서 30분 가열함으로써, SUS 기판 상에 경화막을 형성하였다. 이어서, 증착법에 의해, 상기 경화막 상에 Pt/Pd 전극 패턴을 형성하여 유전율 측정용 샘플을 제작하였다. 이 전극 패턴을 갖는 기판에 대해서, 전극(HP16451B, 요코가와·휴렛팩커드 제조) 및 프래시존 LCR 미터(HP4284A, 요코가와·휴렛팩커드 제조)를 이용하여, 주파수 10kHz에서 CV법에 의해 비유전율의 측정을 행하였다. 이때, 비유전율이 3.9 이하인 경우를 양호라고, 3.9를 초과하는 경우를 불량이라고 평가할 수 있다.After applying the resin composition for forming each cured film on the SUS substrate using a spinner, pre-baking was performed on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. Cured on the SUS substrate by exposing the coating film to an integrated irradiation amount of 1,000 J / m 2 using an exposure machine (MPA-600FA, manufactured by Canon) and heating the exposed substrate at 200 ° C. for 30 minutes in a clean oven. A film was formed. Subsequently, a Pt / Pd electrode pattern was formed on the cured film by a vapor deposition method to prepare a dielectric constant measurement sample. For the substrate having this electrode pattern, the relative dielectric constant was measured by CV method at a frequency of 10 kHz using an electrode (HP16451B, manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard) and a flash zone LCR meter (HP4284A, manufactured by Yokogawa-Hewlett-Packard). Was done. At this time, it can be evaluated that the case where the relative dielectric constant is 3.9 or less is good, and the case where it exceeds 3.9 is defective.

Figure 112014003164485-pat00026
Figure 112014003164485-pat00026

표 2의 평가 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예에서는 어느 것의 특성도 양호한 것에 반해, 비교예에서는 어느 하나의 특성이 불량이었다.As can be seen from the evaluation results in Table 2, the properties of any of the examples were good, whereas those of the comparative examples were poor.

<[A3] 중합체의 합성><Synthesis of [A3] polymer>

각 실시예 및 비교예의 중합체의 합성에서 이용한 단량체 화합물을 이하에 나타내었다.The monomer compounds used in the synthesis of the polymers of the respective examples and comparative examples are shown below.

[구조 단위(I)를 제공하는 단량체 화합물][Monomer compound providing structural unit (I)]

하기 화학식 (1-1) 내지 (1-10)으로 표시되는 단량체 화합물(1-1) 내지 (1-10)Monomer compounds (1-1) to (1-10) represented by the following formulas (1-1) to (1-10)

Figure 112014003164485-pat00027
Figure 112014003164485-pat00027

[구조 단위(II-3)를 제공하는 단량체 화합물][Monomer compound providing structural unit (II-3)]

하기 화학식 (2-1) 내지 (2-7)로 표시되는 단량체 화합물(2-1) 내지 (2-7)Monomer compounds (2-1) to (2-7) represented by the following formulas (2-1) to (2-7)

Figure 112014003164485-pat00028
Figure 112014003164485-pat00028

[구조 단위(III)를 제공하는 단량체 화합물][Monomer compound providing structural unit (III)]

(3-1): 메타크릴산 p-히드록시페닐(4-히드록시페닐메타크릴레이트)(3-1): Methacrylic acid p-hydroxyphenyl (4-hydroxyphenyl methacrylate)

(3-2): 메타크릴산히드록시에틸(2-히드록시에틸메타크릴레이트)(3-2): Hydroxyethyl methacrylate (2-hydroxyethyl methacrylate)

(3-3): α-메틸-p-히드록시스티렌(3-3): α-methyl-p-hydroxystyrene

[구조 단위(IV)를 제공하는 단량체 화합물][Monomer compound providing structural unit (IV)]

(4-1): 메타크릴산(4-1): methacrylic acid

(4-2): 스티렌(4-2): Styrene

(4-3): 메타크릴산메틸(4-3): methyl methacrylate

(4-4): N-시클로헥실말레이미드(4-4): N-cyclohexylmaleimide

(4-5): 메타크릴산테트라히드로푸르푸릴(4-5): Tetrahydrofurfuryl methacrylate

(4-6): 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일(4-6): Tricyclo methacrylate [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl

[합성예 a1] (중합체(A-a1)의 합성)[Synthesis Example a1] (Synthesis of polymer (A-a1))

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부 및 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 220질량부를 투입하였다. 이어서, 구조 단위(I)를 제공하는 화합물(1-1) 60질량부, 구조 단위(II-3)를 제공하는 화합물(2-1) 18질량부, 구조 단위(IV)를 제공하는 화합물(4-2) 22질량부를 투입하고, 질소 치환하여 천천히 교반하면서, 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 4시간 유지시켜 중합함으로써 공중합체(A-a1)를 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이 중합체 용액의 고형분 농도는 30.4질량%이고, 공중합체(A-a1)의 Mw는 8,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.3이었다.To a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 220 parts by mass of diethylene glycol methyl ethyl ether were added. Subsequently, 60 parts by mass of the compound (1-1) providing the structural unit (I), 18 parts by mass of the compound (2-1) providing the structural unit (II-3), and a compound providing the structural unit (IV) ( 4-2) 22 parts by mass was added, and the mixture was nitrogen-stirred and stirred slowly, while raising the temperature of the solution to 70 ° C and maintaining the temperature for 4 hours to polymerize to obtain a polymer solution containing the copolymer (A-a1). . The polymer solution had a solid content concentration of 30.4 mass%, a copolymer (A-a1) had an Mw of 8,000, and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.3.

[합성예 a2 내지 a45] (중합체(A-a2) 내지 (A-a42) 및 (a-a1) 내지 (a-a3)의 합성)[Synthesis Examples a2 to a45] (Synthesis of polymers (A-a2) to (A-a42) and (a-a1) to (a-a3))

하기 표 3에 나타내는 종류 및 사용량의 단량체 화합물을 이용한 것 이외에는, 합성예 a1과 마찬가지로 조작하여, 중합체(A-a2) 내지 (A-a42) 및 (a-a1) 내지 (a-a3)을 합성하였다. 얻어진 각 중합체 용액의 고형분 농도, 및 각 중합체의 Mw 및 Mw/Mn은 상기 중합체(A-a1)의 값과 동등하였다. 또한, 표 3 중의 공란은, 해당하는 단량체 화합물을 배합하지 않은 것을 나타낸다.Polymers (A-a2) to (A-a42) and (a-a1) to (a-a3) were synthesized in the same manner as in Synthesis Example a1, except that the monomer compounds of the types and amounts shown in Table 3 below were used. Did. The solid content concentration of each obtained polymer solution, and Mw and Mw / Mn of each polymer were equivalent to the values of the polymer (A-a1). In addition, the blank in Table 3 indicates that the corresponding monomer compound was not blended.

Figure 112014003164485-pat00029
Figure 112014003164485-pat00029

<포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 제조><Preparation of positive radiation sensitive resin composition>

각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 제조에 이용한 [G] 산 발생제를 이하에 나타내었다.The [G] acid generator used in the production of each positive radiation sensitive resin composition is shown below.

[G] 산 발생제[G] acid generator

G-1: 트리플루오로메탄술폰산-1,8-나프탈이미드G-1: trifluoromethanesulfonic acid-1,8-naphthalimide

G-2: 4,4'-〔1-〔4-〔1-〔4-히드록시페닐〕-1-메틸에틸〕페닐〕에틸리덴〕비스페놀(1.0몰)과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드(2.0몰)의 축합물G-2: 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1.0 mol) and 1,2-naphthoquinonedia Condensate of Zid-5-sulfonic acid chloride (2.0 mol)

G-3: 1,1,1-트리(p-히드록시페닐)에탄과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드(2.0몰)의 축합물G-3: Condensate of 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride (2.0 mol)

G-4: 상기 화학식 (5-1-i)로 표시되는 화합물G-4: the compound represented by the formula (5-1-i)

[실시예 a1][Example a1]

[A3] 중합체로서의 (A-a1) 100질량부(고형분)를 함유하는 중합체 용액, [G] 산 발생제로서의 (G-2) 30질량부, 접착 보조제(γ-글리시독시프로필트리메톡시실란) 5질량부, 계면 활성제(FTX-218, 네오스 제조) 0.5질량부, 산화 방지제(IRGANOX1010, BASF 제조) 0.1질량부를 혼합하고, 고형분 농도가 30질량% 가 되도록 [H] 용매로서의 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르를 더 첨가한 후, 공경 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과함으로써 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 제조하였다.[A3] A polymer solution containing 100 parts by mass of (A-a1) as a polymer (solid content), [G] 30 parts by mass of (G-2) as an acid generator, adhesion aid (γ-glycidoxypropyltrimethoxy Silane) 5 parts by weight, 0.5 parts by weight of surfactant (FTX-218, manufactured by Neos), 0.1 parts by weight of antioxidant (manufactured by IRGANOX1010, manufactured by BASF), and diethylene glycol as a solvent [H] so that the solid content concentration is 30% by mass. After further adding methyl ethyl ether, a positive radiation sensitive resin composition was prepared by filtration through a membrane filter having a pore diameter of 0.2 µm.

[실시예 a2 내지 a58 및 비교예 a1 내지 a6][Examples a2 to a58 and Comparative Examples a1 to a6]

[A3] 중합체 및 [G] 산 발생제를 표 4에 나타내는 종류로 한 것 이외에는, 실시예 a1과 마찬가지로 조작하여 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 제조하였다.Each positive-type radiation-sensitive resin composition was prepared by operating in the same manner as in Example a1, except that the polymers [A3] and [G] were used as the types shown in Table 4.

<평가><Evaluation>

제조한 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 하기 평가 방법에 따라서 평가하였다. 그 평가 결과를 표 4에 합쳐서 나타낸다.Each positive radiation sensitive resin composition thus prepared was evaluated in accordance with the following evaluation method. Table 4 shows the evaluation results.

[보존 안정성][Storage stability]

각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 40℃의 오븐 중에서 1주간 방치시키고, 가온 전후의 점도를 측정하여 점도 변화율(%)을 구하여, 보존 안정성의 지표로 하였다. 점도 변화율을, A: 점도 변화율 5% 미만, B: 점도 변화율 5% 이상 10% 미만, C: 점도 변화율 10% 이상 15% 미만, D: 점도 변화율 15% 이상으로 하고, A 또는 B의 경우 보존 안정성은 양호라고, C 또는 D의 경우 불량이라고 평가하였다. 점도는 E형 점도계(VISCONIC ELD. R, 도키산교 제조)를 이용하여 25℃에서 측정하였다.Each positive radiation sensitive resin composition was left in an oven at 40 ° C. for one week, and the viscosity change rate (%) was measured by measuring the viscosity before and after heating to obtain an index of storage stability. Viscosity change rate, A: viscosity change rate of less than 5%, B: viscosity change rate of 5% or more and less than 10%, C: viscosity change rate of 10% or more and less than 15%, D: viscosity change rate of 15% or more, and storage for A or B The stability was evaluated as good, and in the case of C or D, it was evaluated as poor. The viscosity was measured at 25 ° C using an E-type viscometer (VISCONIC ELD. R, manufactured by Toki Sangyo).

[감도][Sensitivity]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴을 갖는 패턴 마스크를 통해, 수은 램프에 의해서 소정량의 자외선을 조사하였다. 이어서 테트라메틸암모늄히드록시드 2.38질량% 수용액을 포함하는 현상액을 이용하여, 25℃에서 60초 현상 처리를 행한 후, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하였다. 이때, 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴을 형성 가능한 최소 자외선 조사량을 측정하였다. 이 측정치가 500J/m2 미만인 경우 감도는 양호라고, 500J/m2 이상인 경우 불량이라고 평가할 수 있다.Each positive-type radiation-sensitive resin composition was coated on a silicon substrate using a spinner, and then pre-baked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. The obtained coating film was irradiated with a predetermined amount of ultraviolet light by a mercury lamp through a pattern mask having a line-and-space pattern having a width of 10 µm. Subsequently, using a developing solution containing a 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, development was performed at 25 ° C for 60 seconds, followed by washing with running water with ultrapure water for 1 minute. At this time, the minimum ultraviolet irradiation amount capable of forming a line-and-space pattern having a width of 10 µm was measured. If this measurement is 500J / m 2 is less than the sensitivity that can be evaluated as good, bad or more 500J / m 2.

[현상 밀착성][Phenomenon adhesion]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴을 갖는 패턴 마스크를 통해, 수은 램프에 의해서 500J/m2의 자외선을 조사하였다. 이어서 테트라메틸암모늄히드록시드 2.38질량% 수용액을 포함하는 현상액을 이용하여, 25℃에서 60초 현상 처리를 행한 후, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하였다. 그리고 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴의 박리 유무를 현미경으로 관찰하여 현상 밀착성으로 하였다. 이때, 박리의 유무에 따라, A: 박리 없음, B: 약간 박리 있음, C: 일부 박리 있음, D: 전체면 박리 있음으로 하고, A 또는 B의 경우 현상 밀착성은 양호라고, C 또는 D의 경우 불량이라고 평가하였다.Each positive-type radiation-sensitive resin composition was coated on a silicon substrate using a spinner, and then pre-baked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays of 500 J / m 2 by a mercury lamp through a pattern mask having a line and space pattern having a width of 10 μm. Subsequently, using a developing solution containing a 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, development was performed at 25 ° C for 60 seconds, followed by washing with running water with ultrapure water for 1 minute. Then, the presence or absence of peeling of the line-and-space pattern having a width of 10 µm was observed under a microscope to obtain developing adhesion. At this time, depending on the presence or absence of peeling, A: no peeling, B: slightly peeling, C: partially peeling, D: full face peeling, and in the case of A or B, the developing adhesiveness is good, in the case of C or D It was evaluated as bad.

[내약품성][Chemical resistance]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 3,000J/m2가 되도록 자외선을 조사하였다. 이어서, 이 실리콘 기판을 핫 플레이트 상에서 200℃에서 30분 가열하여, 얻어진 경화막의 막 두께(T1)를 측정하였다. 그리고, 이 경화막이 형성된 실리콘 기판을 70℃로 온도 제어된 디메틸술폭시드 중에 20분간 침지시킨 후, 상기 침지 후의 경화막의 막 두께(t1)를 측정하여, 막 두께 변화율을 하기 계산식으로부터 산출하고, 이것을 내약품성의 지표로 하였다.Each positive-type radiation-sensitive resin composition was coated on a silicon substrate using a spinner, and then pre-baked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays so that the integrated irradiation amount was 3,000 J / m 2 by a mercury lamp. Subsequently, the silicon substrate was heated on a hot plate at 200 ° C for 30 minutes to measure the film thickness (T1) of the resulting cured film. Then, after immersing the silicon substrate on which the cured film was formed in dimethyl sulfoxide temperature-controlled at 70 ° C. for 20 minutes, the film thickness (t1) of the cured film after immersion was measured, and the film thickness change rate was calculated from the following calculation formula. It was set as an index of chemical resistance.

막 두께 변화율={(t1-T1)/T1}×100(%)Film thickness change rate = {(t1-T1) / T1} × 100 (%)

이 값의 절대값이 5% 미만인 경우 내약품성은 양호라고, 5% 이상인 경우 불량이라고 평가할 수 있다.When the absolute value of this value is less than 5%, it can be evaluated that the chemical resistance is good, and when it is 5% or more, it is poor.

[내열성][Heat resistance]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 3,000J/m2가 되도록 자외선을 조사하였다. 이어서, 이 실리콘 기판을 핫 플레이트 상에서 200℃에서 30분간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막의 5% 중량 감소 온도를 측정기(TG/DTA220U, SII·나노테크놀로지 제조)를 이용해서 공기 하에서 측정하여, 내열성의 지표로 하였다. 이때, 5% 중량 감소 온도가 300℃ 이상인 경우 내열성은 양호라고, 300℃ 미만인 경우 내열성은 불량이라고 평가할 수 있다.Each positive-type radiation-sensitive resin composition was coated on a silicon substrate using a spinner, and then pre-baked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays so that the integrated irradiation amount was 3,000 J / m 2 by a mercury lamp. Next, this silicon substrate was heated on a hot plate at 200 ° C for 30 minutes to obtain a cured film. The 5% weight loss temperature of the obtained cured film was measured under air using a measuring device (TG / DTA220U, manufactured by SII · Nano Technology), and used as an index of heat resistance. At this time, it can be evaluated that the heat resistance is good when the 5% weight loss temperature is 300 ° C or higher, and the heat resistance is poor when it is less than 300 ° C.

[투과율][Transmittance]

스피너를 이용하여, 유리 기판 상에 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 3,000J/m2가 되도록 자외선을 조사하였다. 이어서, 이 유리 기판을 핫 플레이트 상에서 200℃에서 30분간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막의 투과율을 자외 가시 분광 광도계(V-630, 니혼 분꼬 제조)를 이용하여 측정하였다. 이때, 파장 400nm의 광의 투과율이 95% 이상인 경우를 양호(투명성이 좋음)라고, 95% 미만인 경우를 불량(투명성이 나쁨)이라고 평가할 수 있다.Each positive-type radiation-sensitive resin composition was coated on a glass substrate using a spinner, and then pre-baked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays so that the integrated irradiation amount was 3,000 J / m 2 by a mercury lamp. Subsequently, this glass substrate was heated on a hot plate at 200 ° C for 30 minutes to obtain a cured film. The transmittance of the obtained cured film was measured using an ultraviolet visible spectrophotometer (V-630, manufactured by Nippon Bunko). At this time, the case where the transmittance of light having a wavelength of 400 nm is 95% or more can be evaluated as good (good transparency), and the case where it is less than 95% can be evaluated as poor (bad transparency).

[표면 경도][Surface hardness]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 3,000J/m2가 되도록 자외선을 조사하였다. 이어서, 이 실리콘 기판을 핫 플레이트 상에서, 200℃에서 30분 가열하여 경화막을 얻었다. 그리고, 경화막이 형성된 기판에 대해서, JIS K-5400-1990의 8.4.1 연필 긁기 시험에 의해 경화막의 연필 경도를 측정하고, 이것을 표면 경도의 지표로 하였다. 연필 경도가 3H 이상인 경우, 경화막의 표면 경도는 양호(포지티브형 감방사선성 수지 조성물은 충분한 경화성을 가짐)라고, 2H 이하인 경우 불량이라고 평가할 수 있다.Each positive-type radiation-sensitive resin composition was coated on a silicon substrate using a spinner, and then pre-baked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays so that the integrated irradiation amount was 3,000 J / m 2 by a mercury lamp. Subsequently, the silicon substrate was heated on a hot plate at 200 ° C for 30 minutes to obtain a cured film. And the pencil hardness of the cured film was measured about the board | substrate in which the cured film was formed by the 8.4.1 pencil scratching test of JIS K-5400-1990, and this was used as an index of surface hardness. When the pencil hardness is 3H or more, it can be evaluated that the surface hardness of the cured film is good (positive radiation-sensitive resin composition has sufficient curability), and when it is 2H or less, it is poor.

[비유전율][Relative permittivity]

스피너를 이용하여, SUS 기판 상에 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 노광기(MPA-600FA, 캐논 제조)를 이용해서, 적산 조사량이 9,000J/m2가 되도록 상기 도막을 노광하고, 노광한 기판을 클린 오븐 내에서 200℃에서 30분 가열함으로써, SUS 기판 상에 경화막을 형성하였다. 이어서, 증착법에 의해, 상기 경화막 상에 Pt/Pd 전극 패턴을 형성하여 유전율 측정용 샘플을 제작하였다. 이 전극 패턴을 갖는 기판에 대해서, 전극(HP16451B, 요코가와·휴렛팩커드 제조) 및 프래시존 LCR 미터(HP4284A, 요코가와·휴렛팩커드 제조)를 이용하여, 주파수 10kHz에서 CV법에 의해 비유전율의 측정을 행하였다. 이때, 비유전율이 3.9 이하인 경우를 양호라고, 3.9를 초과하는 경우를 불량이라고 평가할 수 있다.After applying each positive-type radiation-sensitive resin composition on the SUS substrate using a spinner, it was pre-baked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 μm. Cured on the SUS substrate by exposing the coating film to an integrated irradiation amount of 9,000 J / m 2 using an exposure machine (MPA-600FA, manufactured by Canon) and heating the exposed substrate at 200 ° C. for 30 minutes in a clean oven. A film was formed. Subsequently, a Pt / Pd electrode pattern was formed on the cured film by a vapor deposition method to prepare a dielectric constant measurement sample. For the substrate having this electrode pattern, the relative dielectric constant was measured by CV method at a frequency of 10 kHz using an electrode (HP16451B, manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard) and a flash zone LCR meter (HP4284A, manufactured by Yokogawa-Hewlett-Packard). Was done. At this time, it can be evaluated that the case where the relative dielectric constant is 3.9 or less is good, and the case where it exceeds 3.9 is defective.

Figure 112019131956212-pat00035
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본 발명은 우수한 표면 경도를 가짐과 동시에, 감도, 현상 밀착성, 내약품성, 내열성, 투과율 및 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시킬 수 있는 경화막을 형성할 수 있고, 보존 안정성이 우수한 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 제공할 수 있다. 따라서, 상기 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물, 이 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물로부터 형성되는 경화막, 반도체 소자 및 표시 소자, 및 상기 경화막의 형성 방법은, 플렉시블 디스플레이 등의 전자 디바이스 등의 제조 공정에 바람직하게 사용할 수 있다.The present invention has excellent surface hardness, and at the same time, it is possible to form a cured film capable of satisfactorily satisfying general characteristics such as sensitivity, developing adhesion, chemical resistance, heat resistance, transmittance and relative dielectric constant, and for forming a cured film having excellent storage stability. A thermosetting resin composition, a negative-type radiation-sensitive resin composition, and a positive-type radiation-sensitive resin composition can be provided. Therefore, the thermosetting resin composition for forming a cured film, a negative radiation-sensitive resin composition, a positive radiation-sensitive resin composition, a thermosetting resin composition for forming the cured film, a negative radiation-sensitive resin composition, a positive radiation-sensitive resin The cured film formed from the composition, a semiconductor element and a display element, and the method for forming the cured film can be preferably used in manufacturing processes such as flexible displays and other electronic devices.

Claims (17)

[A2] 하기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위(I)와, 가교성 기(a2)를 포함하는 구조 단위(II-2)를 갖는 중합체,
[B] 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 중합성 화합물, 및
[C] 감방사선성 중합 개시제
를 함유하고,
[C] 감방사선성 중합 개시제가 [B] 중합성 화합물의 중합을 개시할 수 있는 활성종을 발생시키는 성분인 네가티브형 감방사선성 수지 조성물.
Figure 112019131956212-pat00036

(화학식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이고,
화학식 (2) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R3 및 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기임)
[A2] A structural unit (I) containing at least one member selected from the group consisting of a group represented by the following formula (1) and a group represented by the following formula (2), and a structure comprising a crosslinkable group (a2) Polymer having unit (II-2),
[B] a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond, and
[C] radiation-sensitive polymerization initiator
Containing,
[C] A radiation-sensitive resin composition in which the radiation-sensitive polymerization initiator is a component that generates an active species capable of initiating polymerization of the polymerizable compound [B].
Figure 112019131956212-pat00036

In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 1 and R 2 is 1 to 4 carbon atoms. Is a fluorinated alkyl group,
In the formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 3 and R 4 is a halogen atom Or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)
제1항에 있어서, 상기 가교성 기(a2)가 옥시라닐기, 옥세타닐기, 환상 카보네이트기 및 (메트)아크릴로일기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 네가티브형 감방사선성 수지 조성물.The negative radiation-sensitive resin composition according to claim 1, wherein the crosslinkable group (a2) is at least one selected from the group consisting of an oxiranyl group, an oxetanyl group, a cyclic carbonate group, and a (meth) acryloyl group. 제1항 또는 제2항에 있어서, [C] 감방사선성 중합 개시제가 옥심에스테르 화합물이고, 이 옥심에스테르 화합물의 함유량이 [A2] 중합체 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 10질량부 이하인 네가티브형 감방사선성 수지 조성물.The negative type according to claim 1 or 2, wherein the radiation-sensitive polymerization initiator [C] is an oxime ester compound, and the content of the oxime ester compound is 0.1 part by mass or more and 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the [A2] polymer. Radiation-sensitive resin composition. 제1항 또는 제2항에 있어서, [D] 산화 방지제를 더 함유하는 네가티브형 감방사선성 수지 조성물.The negative radiation sensitive resin composition according to claim 1 or 2, further comprising an antioxidant [D]. 제1항 또는 제2항에 있어서, [B] 중합성 화합물이 동일 분자 내에 카르복시기를 적어도 1개 갖는 것인 네가티브형 감방사선성 수지 조성물.The negative-type radiation-sensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein the polymerizable compound has at least one carboxyl group in the same molecule. [A3] 하기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위(I)와, 환상 에테르 구조 또는 환상 카보네이트 구조를 포함하는 구조 단위(II-3)를 갖는 중합체, 및
[G] 산 발생체
를 함유하고,
[G] 산 발생체가 퀴논디아지드 화합물을 포함하는 산 발생체인 포지티브형 감방사선성 수지 조성물.
Figure 112019131956212-pat00037

(화학식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이고,
화학식 (2) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R3 및 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기임)
[A3] A structural unit (I) containing at least one member selected from the group consisting of a group represented by the following formula (1) and a group represented by the following formula (2), and a cyclic ether structure or a cyclic carbonate structure A polymer having a structural unit (II-3), and
[G] acid generator
Containing,
[G] A positive radiation-sensitive resin composition in which the acid generator is an acid generator containing a quinonediazide compound.
Figure 112019131956212-pat00037

In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 1 and R 2 is 1 to 4 carbon atoms. Is a fluorinated alkyl group,
In the formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 3 and R 4 is a halogen atom Or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)
제6항에 있어서, 상기 구조 단위(II-3)가 환상 에테르 구조를 포함하고, 이 환상 에테르 구조가 옥시란 구조 및 옥세탄 구조 중 적어도 어느 하나인 포지티브형 감방사선성 수지 조성물.The positive radiation-sensitive resin composition according to claim 6, wherein the structural unit (II-3) includes a cyclic ether structure, and the cyclic ether structure is at least one of an oxirane structure and an oxetane structure. (1) [A1] 하기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위(I)와, 가교성 기(a1)를 포함하는 구조 단위(II-1)를 갖는 중합체를 함유하는 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정, 및
(2) 상기 도막을 가열하는 공정
을 갖는 경화막의 형성 방법.
Figure 112019131956212-pat00038

(화학식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이고,
화학식 (2) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R3 및 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기임)
(1) [A1] a structural unit (I) and a crosslinkable group (a1) comprising at least one member selected from the group consisting of groups represented by the following formula (1) and groups represented by the following formula (2): A step of forming a coating film on a substrate using a thermosetting resin composition for forming a cured film containing a polymer having a structural unit (II-1) containing the same, and
(2) Process of heating the coating film
A method of forming a cured film having a.
Figure 112019131956212-pat00038

In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 1 and R 2 is 1 to 4 carbon atoms. Is a fluorinated alkyl group,
In the formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 3 and R 4 is a halogen atom Or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)
제8항에 있어서, 상기 가교성 기(a1)가 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 경화막의 형성 방법.The method for forming a cured film according to claim 8, wherein the crosslinkable group (a1) is at least one selected from the group consisting of an oxiranyl group and an oxetanyl group. (1) 제1항 또는 제2항에 기재된 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 또는 제6항 또는 제7항에 기재된 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정,
(2) 상기 도막의 일부에 방사선을 조사하는 공정,
(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정, 및
(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 공정
을 갖는 경화막의 형성 방법.
(1) The process of forming a coating film on a board | substrate using the negative radiation sensitive resin composition of Claim 1 or 2, or the positive radiation sensitive resin composition of Claim 6 or 7,
(2) a step of irradiating a portion of the coating film with radiation,
(3) a process of developing the coated film irradiated with the radiation, and
(4) Process of heating the developed coating film
A method of forming a cured film having a.
[A1] 하기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위(I)와, 가교성 기(a1)를 포함하는 구조 단위(II-1)를 갖는 중합체를 함유하는 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물로부터 형성되는 경화막.
Figure 112019131956212-pat00039

(화학식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이고,
화학식 (2) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R3 및 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기임)
[A1] A structural unit (I) containing at least one member selected from the group consisting of a group represented by the following formula (1) and a group represented by the following formula (2), and a structure comprising a crosslinkable group (a1) A cured film formed from a thermosetting resin composition for forming a cured film containing a polymer having a unit (II-1).
Figure 112019131956212-pat00039

In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 1 and R 2 is 1 to 4 carbon atoms. Is a fluorinated alkyl group,
In the formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 3 and R 4 is a halogen atom Or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)
제11항에 있어서, 상기 가교성 기(a1)가 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 경화막.The cured film according to claim 11, wherein the crosslinkable group (a1) is at least one selected from the group consisting of an oxiranyl group and an oxetanyl group. 제1항 또는 제2항에 기재된 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 또는 제6항 또는 제7항에 기재된 포지티브형 감방사선성 수지 조성물로부터 형성되는 경화막.A cured film formed from the negative radiation-sensitive resin composition according to claim 1 or 2, or from the positive radiation-sensitive resin composition according to claim 6 or 7. 제11항 또는 제12항에 기재된 경화막을 구비하는 반도체 소자.A semiconductor device comprising the cured film according to claim 11 or 12. 제13항에 기재된 경화막을 구비하는 반도체 소자.A semiconductor device comprising the cured film according to claim 13. 제14항에 기재된 반도체 소자를 구비하는 표시 소자.A display element comprising the semiconductor element according to claim 14. 제15항에 기재된 반도체 소자를 구비하는 표시 소자.A display element comprising the semiconductor element according to claim 15.
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