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KR102123068B1 - Nonstop gas supplying system using valve manifold structure - Google Patents

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KR102123068B1
KR102123068B1 KR1020180162065A KR20180162065A KR102123068B1 KR 102123068 B1 KR102123068 B1 KR 102123068B1 KR 1020180162065 A KR1020180162065 A KR 1020180162065A KR 20180162065 A KR20180162065 A KR 20180162065A KR 102123068 B1 KR102123068 B1 KR 102123068B1
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Abstract

본 발명에 의하면, 밸브매니폴드 구조체와; 밸브매니폴드 구조체의 해당 구성부에 동작전원을 공급하고 밸브매니폴드 구조체로부터 매니폴드블록체의 내부 상태를 센서를 통해 감지하고 이상 여부 발생시 이에 대응된 제어 모드가 제어되도록 하거나, 저장용기의 교체 작업을 위해 해당 제어밸브들의 개폐 동작이 제어되도록 하는 밸브매니폴드 제어기를 포함하고, 밸브매니폴드 구조체는, 밸브매니폴드패널에 고정되고 한 쌍의 저장용기가 연결되는 매니폴드블록체; 매니폴드블록체에 설치 구성되어 한 쌍의 저장용기로부터 매니폴드블록체의 내부에 공급되는 가스를 감지하여 매니폴드블록체 내부의 이상 여부를 판단하도록 하는 한 쌍의 센서; 매니폴드블록체에 설치 구성되어 한 쌍의 저장용기로부터 매니폴드블록체의 내부에 가스가 공급되도록 하는 한 쌍의 제어밸브; 매니폴드블록체에 연결 구성되어 매니폴드블록체에 공급되는 가스가 반도체 제조설비에 공급되도록 하는 공급관; 매니폴드블록체에 설치되고 매니폴드블록체 내부의 잔여 가스를 배출시키는 벤트; 및 밸브매니폴드패널에 고정되고 공급관에 연결되어 공급관을 통해 반도체 제조설비에 공급되는 가스의 압력을 감소시키는 감압밸브를 포함하는 밸브매니폴드 구조체를 이용한 무정지 가스공급시스템이 제공된다.According to the present invention, the valve manifold structure; Supply operating power to the appropriate part of the valve manifold structure, detect the internal state of the manifold block body from the valve manifold structure through a sensor, and control the control mode corresponding to the occurrence of abnormality, or replace the storage container. For this includes a valve manifold controller to control the opening and closing operation of the control valve, the valve manifold structure is fixed to the valve manifold panel, a manifold block body connected to a pair of storage containers; A pair of sensors configured to be installed in the manifold block body to detect gas supplied to the inside of the manifold block body from a pair of storage containers to determine whether there is an abnormality in the manifold block body; A pair of control valves installed on the manifold block body and configured to supply gas from the pair of storage containers to the inside of the manifold block body; A supply pipe configured to be connected to the manifold block body so that gas supplied to the manifold block body is supplied to a semiconductor manufacturing facility; A vent installed on the manifold block body to discharge residual gas inside the manifold block body; And a pressure reducing valve fixed to the valve manifold panel and connected to the supply pipe to reduce the pressure of the gas supplied to the semiconductor manufacturing facility through the supply pipe, and an uninterrupted gas supply system using a valve manifold structure.

Description

밸브매니폴드 구조체를 이용한 무정지 가스공급시스템{Nonstop gas supplying system using valve manifold structure}Nonstop gas supplying system using valve manifold structure

본 발명은 무정지 가스공급시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조설비에 제조 공정용 가스를 공급하는 가스공급장치에 있어서 가스가 저장되는 한 쌍의 저장용기가 단일체로 구성되는 매니폴드폴드 구조체의 한 쌍의 컨넥터에 각각 연결되도록 하고 교번으로 저장용기로부터 가스가 공급되도록 하여 저장용기의 교체를 위해 제조 공정이 멈추지 않도록 할 수 있는 밸브매니폴드 구조체를 이용한 무정지 가스공급시스템에 관한 것이다.The present invention relates to an uninterrupted gas supply system, and more particularly, in a gas supply device for supplying gas for a manufacturing process to a semiconductor manufacturing facility, a pair of storage containers in which gas is stored is a single manifold structure. It relates to an uninterrupted gas supply system using a valve manifold structure capable of being connected to a pair of connectors and alternately allowing gas to be supplied from a storage container so that the manufacturing process is not stopped for replacement of the storage container.

일반적으로 반도체 소자는, 웨이퍼 상에 다양한 종류의 층을 형성하고 각 층의 일부를 절연시키거나 통전시켜 형성된다. 그리고 각 층의 절연을 위하여 형성된 절연막은 웨이퍼가 안착된 챔버 내부로 절연막의 재료가 되는 소스 가스를 투입하고 소스 가스에 에너지를 가하고 활성화시켜 웨이퍼 또는 웨이퍼에 이미 형성된 특정의 층 위에 증착시키는 것을 통해 형성된다. 이와 같이 사용되는 소스 가스는 TEOS, TDMAT, TEPO, TEB 및 MDEOS 등이 있으며, 이 중 일예로, TEOS는 증착을 위해서 액체 상태의 TEOS를 기체 상태로 변화시켜 공정 챔버로 공급되고 산소와 반응하는데, 이때, 액체 상태의 TEOS를 기체 상태로 변화시키기 위하여 캐리어 가스가 공급되며, 액체 상태의 TEOS는 기체 상태로 전환된 후 공정 챔버의 내부로 공급된다.In general, semiconductor devices are formed by forming various types of layers on a wafer and insulating or energizing a part of each layer. In addition, the insulating film formed for insulating each layer is formed by depositing a source gas, which is a material for the insulating film, into the chamber where the wafer is seated, applying energy to the source gas, and activating it to deposit on the wafer or a specific layer already formed on the wafer. do. The source gas used in this way includes TEOS, TDMAT, TEPO, TEB, and MDEOS, and as an example, TEOS is supplied to a process chamber by changing TEOS in a liquid state to a gas state for deposition, and reacts with oxygen. At this time, the carrier gas is supplied to change the TEOS in the liquid state to the gaseous state, and the TEOS in the liquid state is supplied into the process chamber after being converted into the gaseous state.

한편, 상기와 같은 캐리어 가스와 소스 가스를 CVD 등과 같은 반도체 제조설비에 공급하는 장치로서, 등록특허 10-1185033호 등에 개시된 바 있는, 밸브매니폴드 구조체를 가지는 가스공급장치가 사용된다.On the other hand, as a device for supplying the carrier gas and the source gas as described above to a semiconductor manufacturing facility such as CVD, a gas supply device having a valve manifold structure as disclosed in Patent No. 10-1185033 or the like is used.

여기서, 종래의 반도체 제조설비용 가스공급장치에 적용되는 밸브매니폴드 구조체(10)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 소스 가스가 저장되는 한 쌍의 저장용기가 컨넥터(11)에 각각 연결되고, 컨넥터(11)와 연결되는 가스주입관(12)에 각각 설치되는 제어밸브(13)에 의해 가스주입관(12)이 선택적으로 개폐되는 것을 통하여, 어느 하나의 저장용기로부터 가스주입관(12)에 연장되는 가스공급관(14)을 통해 가스가 공급되도록 하는 구성을 가지고 있다.Here, in the valve manifold structure 10 applied to the gas supply device for a conventional semiconductor manufacturing facility, as shown in FIG. 1, a pair of storage containers in which source gas is stored are connected to the connector 11, respectively. , Through the gas injection pipe 12 is selectively opened and closed by a control valve 13 installed in the gas injection pipe 12 connected to the connector 11, the gas injection pipe 12 from any one storage container It has a configuration to supply gas through the gas supply pipe 14 extending to ).

즉, 종래의 반도체 제조설비용 가스공급장치는, 밸브매니폴드 구조체(10)를 통하여, 복수개 바람직하게는 한 쌍의 가스 저장용기로부터 선택적으로 반도체 제조설비 등에 가스가 교번으로 공급되는 구조를 가짐으로써, 어느 하나의 저장용기를 교체하더라도 제조 공정을 멈추지 않아 제조 효율이 향상되도록 하고 있다.That is, the conventional gas supply device for a semiconductor manufacturing facility has a structure in which gas is alternately supplied to a semiconductor manufacturing facility or the like through a valve manifold structure 10, preferably from a plurality of preferably a pair of gas storage containers. However, even if any one storage container is replaced, the manufacturing process is not stopped so that the manufacturing efficiency is improved.

그러나 종래의 밸브매니폴드 구조체(10)는, 컨넥터(11), 가스주입관(12), 제어밸브(13) 및 가스공급관(14)이 다수개의 가스이동용 파이프와 연결용 너트들을 통해 매니폴드 구조로 결합되는 구성을 가지기 때문에, 조립 및 제조에 많은 시간과 비용이 소요되고, 또한, 가스이동용 파이프와 연결용 너트들의 연결부분이 견고하게 연결되지 않는 경우 가스 공급 중 누출이 발생되어 정확한 가스의 공급이 불가능하거나 주위가 오염되어 안전사고가 발생되는 문제점이 있다.However, in the conventional valve manifold structure 10, the connector 11, the gas injection pipe 12, the control valve 13, and the gas supply pipe 14 have a manifold structure through a plurality of gas movement pipes and connecting nuts. Because it has a configuration that is combined with, it takes a lot of time and money to assemble and manufacture. In addition, if the connection part of the pipe for gas movement and the nuts for connection is not firmly connected, a leak occurs during gas supply, thereby providing accurate gas. This is impossible or there is a problem that a safety accident occurs due to contamination.

따라서 본 발명의 목적은 한 쌍의 저장용기가 연결되는 매니폴드 구조체가 단일체로 구성되도록 하여 조립 및 제조에 따른 시간과 비용을 절감하고 리크 부분이 최소화되도록 하여 누출 사고가 방지되도록 할 수 있는 밸브매니폴드 구조체를 이용한 무정지 가스공급시스템을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to ensure that the manifold structure to which a pair of storage containers are connected is composed of a single body, thereby reducing time and cost associated with assembly and manufacturing, and minimizing the leak, thereby preventing leakage accidents. It is to provide an uninterrupted gas supply system using a fold structure.

또한, 한 쌍의 제어밸브들이 선택적으로 가스이동로를 개폐하는 것을 통하여, 한 쌍의 가스 저장용기로부터 선택적으로 반도체 제조설비 등에 가스가 교번으로 공급되는 구조를 가짐으로써, 어느 하나의 저장용기를 교체하더라도 제조 공정을 멈추지 않아 제조 효율이 향상되도록 할 수 있다.In addition, by having a structure in which a pair of control valves selectively opens and closes a gas transfer path, the gas is alternately supplied to a semiconductor manufacturing facility or the like from a pair of gas storage containers, and replaces any one storage container. Even if the manufacturing process is not stopped, the manufacturing efficiency can be improved.

한편, 본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.On the other hand, the object of the present invention is not limited to the object mentioned above, other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명에 의하면, 밸브매니폴드 구조체와; 밸브매니폴드 구조체의 해당 구성부에 동작전원을 공급하고 밸브매니폴드 구조체로부터 매니폴드블록체의 내부 상태를 센서를 통해 감지하고 이상 여부 발생시 이에 대응된 제어 모드가 제어되도록 하거나, 저장용기의 교체 작업을 위해 해당 제어밸브들의 개폐 동작이 제어되도록 하는 밸브매니폴드 제어기를 포함하고, 밸브매니폴드 구조체는, 밸브매니폴드패널에 고정되고 한 쌍의 저장용기가 연결되는 매니폴드블록체; 매니폴드블록체에 설치 구성되어 한 쌍의 저장용기로부터 매니폴드블록체의 내부에 공급되는 가스를 감지하여 매니폴드블록체 내부의 이상 여부를 판단하도록 하는 한 쌍의 센서; 매니폴드블록체에 설치 구성되어 한 쌍의 저장용기로부터 매니폴드블록체의 내부에 가스가 공급되도록 하는 한 쌍의 제어밸브; 매니폴드블록체에 연결 구성되어 매니폴드블록체에 공급되는 가스가 반도체 제조설비에 공급되도록 하는 공급관; 매니폴드블록체에 설치되고 매니폴드블록체 내부의 잔여 가스를 배출시키는 벤트; 및 밸브매니폴드패널에 고정되고 공급관에 연결되어 공급관을 통해 반도체 제조설비에 공급되는 가스의 압력을 감소시키는 감압밸브를 포함하는 밸브매니폴드 구조체를 이용한 무정지 가스공급시스템이 제공된다.According to the present invention, the valve manifold structure; Supply operating power to the appropriate part of the valve manifold structure, detect the internal state of the manifold block body from the valve manifold structure through a sensor, and control the control mode corresponding to the occurrence of abnormality, or replace the storage container. For this includes a valve manifold controller to control the opening and closing operation of the control valve, the valve manifold structure is fixed to the valve manifold panel, a manifold block body connected to a pair of storage containers; A pair of sensors configured to be installed in the manifold block body to detect gas supplied to the inside of the manifold block body from a pair of storage containers to determine whether there is an abnormality in the manifold block body; A pair of control valves installed on the manifold block body and configured to supply gas from the pair of storage containers to the inside of the manifold block body; A supply pipe configured to be connected to the manifold block body so that gas supplied to the manifold block body is supplied to a semiconductor manufacturing facility; A vent installed on the manifold block body to discharge residual gas inside the manifold block body; And a pressure reducing valve fixed to the valve manifold panel and connected to the supply pipe to reduce the pressure of the gas supplied to the semiconductor manufacturing facility through the supply pipe, and an uninterrupted gas supply system using a valve manifold structure.

여기서, 매니폴드블록체는, 막대 형상의 매니폴드블록; 매니폴드블록의 하면 양측부에 관통 형성되고 한 쌍의 저장용기가 연결되는 컨넥터가 각각 설치 구성되는 한 쌍의 컨넥터설치공; 한 쌍의 컨넥터설치공에 대향되도록 매니폴드블록의 상면 양측부에 관통 형성되고 한 쌍의 센서가 각각 설치 구성되는 한 쌍의 센서설치공; 매니폴드블록의 정면 중앙 양측부에 관통 형성되고 컨넥터를 통해 공급되는 가스의 이동을 제어하는 한 쌍의 제어밸브가 각각 설치 구성되는 한 쌍의 밸브설치공; 매니폴드블록의 한 쌍의 센서설치공 사이에 관통 형성되고 컨넥터를 통해 공급되는 가스가 반도체 제조설비를 향해 공급되도록 하는 공급관컨넥터가 설치 구성되는 공급관설치공; 매니폴드블록의 양측면에 각각 관통 형성되고 벤트가 각각 설치 구성되는 한 쌍의 벤트설치공; 및 매니폴드블록의 내부에 형성되고 컨넥터설치공, 센서설치공, 밸브설치공, 공급관설치공 및 벤트설치공이 연통된 상태를 가지도록 하여 가스의 이동을 가능하게 하는 가스이동로를 포함하는 것이 바람직하다.Here, the manifold block body includes a rod-shaped manifold block; A pair of connector installation holes which are formed through both sides of the lower surface of the manifold block and which are connected to a pair of storage containers, respectively; A pair of sensor installation holes which are formed through both sides of the upper surface of the manifold block so as to face the pair of connector installation holes, and a pair of sensors are respectively installed; A pair of valve installation holes which are formed through the front center and both sides of the manifold block and are configured with a pair of control valves for controlling the movement of the gas supplied through the connector; A supply pipe installation hole formed between a pair of sensor installation holes of the manifold block and having a supply pipe connector installed to supply gas supplied through the connector toward a semiconductor manufacturing facility; A pair of vent installation holes formed on both sides of the manifold block and vents are respectively installed; And a gas moving path formed inside the manifold block and having a state in which a connector installation hole, a sensor installation hole, a valve installation hole, a supply pipe installation hole, and a vent installation hole are in communication, thereby enabling gas movement. Do.

또한, 가스이동로는, 한 쌍의 벤트설치공이 상호간 연통되도록 하고 동시에 한 쌍의 밸브설치공을 관통하면서 형성되는 제1가스이동로; 한 쌍의 컨넥터설치공과 센서설치공이 상호간 연통되도록 하고 동시에 제1가스이동로를 관통하면서 형성되는 제2가스이동로; 및 공급관설치공으로부터 제1가스이동로에 연통되면서 형성되는 제3가스이동로를 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the gas moving furnace, the first gas moving furnace is formed while allowing a pair of vent installation holes to communicate with each other and simultaneously passing through the pair of valve installation holes; A second gas movement path formed by allowing a pair of connector installation holes and sensor installation holes to communicate with each other and simultaneously passing through the first gas movement path; And it is preferable to include a third gas moving furnace formed while communicating with the first gas moving furnace from the supply pipe installation hole.

따라서 본 발명에 의하면, 한 쌍의 저장용기가 연결되는 매니폴드 구조체가 단일체로 구성되도록 하여 조립 및 제조에 따른 시간과 비용을 절감하고 리크 부분이 최소화되도록 하여 누출 사고가 방지되도록 할 수 있다.Therefore, according to the present invention, a manifold structure to which a pair of storage containers are connected is configured to be a single body, thereby reducing time and cost associated with assembly and manufacturing, and preventing leaks by minimizing leaks.

또한, 한 쌍의 제어밸브들이 선택적으로 가스이동로를 개폐하는 것을 통하여, 한 쌍의 가스 저장용기로부터 선택적으로 반도체 제조설비 등에 가스가 교번으로 공급되는 구조를 가짐으로써, 어느 하나의 저장용기를 교체하더라도 제조 공정을 멈추지 않아 제조 효율이 향상되도록 할 수 있다. In addition, by having a structure in which a pair of control valves selectively opens and closes a gas transfer path, the gas is alternately supplied to a semiconductor manufacturing facility or the like from a pair of gas storage containers, and replaces any one storage container. Even if the manufacturing process is not stopped, the manufacturing efficiency can be improved.

한편, 본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Meanwhile, the effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

도 1은 종래의 가스공급장치용 밸브매니폴드 구조체를 나타낸 도면;
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스공급장치용 밸브매니폴드 구조체 및 이를 이용한 무정지 가스공급시스템을 나타낸 도면; 및
도 3 내지 도 5는 각각 도 2의 가스공급장치용 밸브매니폴드 구조체에 있어서 매니폴드블록의 구성을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional valve manifold structure for a gas supply device;
2 is a view showing a valve manifold structure for a gas supply apparatus and a non-stop gas supply system using the same according to a preferred embodiment of the present invention; And
3 to 5 are views showing the configuration of the manifold block in the valve manifold structure for the gas supply device of FIG. 2, respectively.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 내지 도 5에 도시된 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스공급장치용 밸브매니폴드 구조체(100)는, 막대 형상을 가지고 밸브매니폴드패널(P)에 고정되고 한 쌍의 저장용기(B)가 연결되는 매니폴드블록체(110), 매니폴드블록체(110)에 설치 구성되어 한 쌍의 저장용기(B)로부터 매니폴드블록체(110)의 내부에 공급되는 가스를 감지하여 매니폴드블록체(110) 내부의 이상 여부를 판단하도록 하는 한 쌍의 센서(120), 매니폴드블록체(110)에 설치 구성되어 한 쌍의 저장용기(B)로부터 매니폴드블록체(110)의 내부에 가스가 공급되도록 하는 한 쌍의 제어밸브(130), 매니폴드블록체(110)에 연결 구성되어 매니폴드블록체(110)에 공급되는 가스가 반도체 제조설비에 공급되도록 하는 공급관(140), 매니폴드블록체(110)에 설치되고 매니폴드블록체(110) 내부의 잔여 가스를 배출시키는 벤트(150) 및 밸브매니폴드패널(P)에 고정되고 공급관(140)에 연결되어 공급관(140)을 통해 반도체 제조설비에 공급되는 가스의 압력을 감소시키는 감압밸브(160) 등을 포함한다.2 to 5, the valve manifold structure 100 for a gas supply device according to a preferred embodiment of the present invention has a rod shape and is fixed to the valve manifold panel P and a pair of storage containers (B) is installed on the manifold block body 110, the manifold block body 110 is connected to detect the gas supplied to the inside of the manifold block body 110 from a pair of storage containers (B) Manifold block body 110 is configured to be installed on a pair of sensors 120 and manifold block body 110 to determine whether there is an abnormality in the manifold block body 110, a manifold block body 110 from a pair of storage containers (B) The supply pipe 140 is configured to be connected to a pair of control valves 130 and a manifold block body 110 to supply gas to the inside, and to supply gas supplied to the manifold block body 110 to a semiconductor manufacturing facility. ), is installed on the manifold block body 110 and fixed to the vent 150 and valve manifold panel (P) for discharging residual gas inside the manifold block body 110 and connected to the supply pipe 140 and connected to the supply pipe ( 140) to reduce the pressure of the gas supplied to the semiconductor manufacturing equipment, including a pressure reducing valve (160).

매니폴드블록체(110)는, 막대 형상을 가지고 밸브매니폴드패널(P)에 고정되어 한 쌍의 저장용기(B)가 연결되도록 하는 수단으로서, 막대 형상의 매니폴드블록(111), 매니폴드블록(111)의 하면 양측부에 관통 형성되고 한 쌍의 저장용기(B)가 연결되는 컨넥터(C)가 각각 설치 구성되는 한 쌍의 컨넥터설치공(112), 한 쌍의 컨넥터설치공(112)에 대향되도록 매니폴드블록(111)의 상면 양측부에 관통 형성되고 컨넥터(C)를 통해 공급되는 가스의 유속 등을 감지하는 한 쌍의 센서(120)가 각각 설치 구성되는 한 쌍의 센서설치공(113), 매니폴드블록(111)의 정면 중앙 양측부에 관통 형성되고 컨넥터(C)를 통해 공급되는 가스의 이동을 제어하는 한 쌍의 제어밸브(130)가 각각 설치 구성되는 한 쌍의 밸브설치공(114), 매니폴드블록(111)의 한 쌍의 센서설치공(113) 사이에 관통 형성되고 컨넥터(C)를 통해 공급되는 가스가 반도체 제조설비를 향해 공급되도록 하는 공급관컨넥터(PC)가 설치 구성되는 공급관설치공(115), 매니폴드블록(111)의 양측면에 각각 관통 형성되고 잔여 가스를 배출시키기 위한 벤트(150)가 각각 설치 구성되는 한 쌍의 벤트설치공(116) 및 매니폴드블록(111)의 내부에 형성되고 컨넥터설치공(112), 센서설치공(113), 밸브설치공(114), 공급관설치공(115) 및 벤트설치공(116)이 연통된 상태를 가지도록 하여 가스의 이동을 가능하게 하는 가스이동로(117) 등을 포함한다.The manifold block body 110 has a rod shape and is fixed to the valve manifold panel P, so as to connect a pair of storage containers B, a rod-shaped manifold block 111 and a manifold A pair of connector installation holes 112 and a pair of connector installation holes 112 in which connectors C formed to penetrate through both sides of the lower surface of the block 111 and to which a pair of storage containers B are connected are respectively installed. ), a pair of sensors 120, which are formed through both sides of the upper surface of the manifold block 111 and detect the flow rate of gas supplied through the connector C, respectively, are installed. A pair of control valves 130 that are formed to penetrate the balls 113 and the manifold block 111 at the front center and both sides and control the movement of the gas supplied through the connector C. A supply pipe connector (PC) that is formed through a valve installation hole 114 and a pair of sensor installation holes 113 of the manifold block 111 and that gas supplied through the connector C is supplied toward the semiconductor manufacturing facility. ) Is installed in the supply pipe installation hole 115, the manifold block 111 is formed on each side of each side, and a pair of vent installation holes 116, each of which is configured with a vent 150 for discharging residual gas, and It is formed inside the manifold block 111 and the connector installation hole 112, the sensor installation hole 113, the valve installation hole 114, the supply pipe installation hole 115 and the vent installation hole 116 is in communication It includes a gas transfer path 117 and the like to enable the movement of the gas.

매니폴드블록(111)은, 막대 형상을 가지고 밸브매니폴드패널(P)에 고정되는 수단으로서, 금속재질을 가지는 것이 바람직하다.The manifold block 111 has a rod shape and is a means to be fixed to the valve manifold panel P, and preferably has a metal material.

한 쌍의 컨넥터설치공(112)은, 매니폴드블록(111)의 하면 양측부에 관통 형성되고 한 쌍의 저장용기(B)가 연결되는 컨넥터(C)가 각각 설치 구성되는 수단으로서, 천공장치 등을 통하여 금속재질을 가지는 매니폴드블록(111)의 하면에 소정 깊이로 관통되는 방식으로 형성되며, 컨넥터(C)가 공지의 방식을 통해 삽입 및 실링된다.A pair of connector installation holes 112 is a means through which the connector C, which is formed through both sides of the lower surface of the manifold block 111 and which is connected to a pair of storage containers B, is respectively installed and installed. It is formed in such a way that it penetrates to the lower surface of the manifold block 111 having a metallic material through a predetermined depth, and the connector C is inserted and sealed through a known method.

한 쌍의 센서설치공(113)은, 한 쌍의 컨넥터설치공(112)에 대향되도록 매니폴드블록(111)의 상면 양측부에 관통 형성되고 컨넥터(C)를 통해 공급되는 가스의 유속 등을 감지하는 한 쌍의 센서(120)가 각각 설치 구성되는 수단으로서, 천공장치 등을 통하여 금속재질을 가지는 매니폴드블록(111)의 상면에 소정 깊이로 관통되는 방식으로 형성되며, 센서(120)가 공지의 방식을 통해 삽입 및 실링된다.The pair of sensor installation holes 113 are formed to penetrate through both sides of the upper surface of the manifold block 111 so as to face the pair of connector installation holes 112, and the flow rate of gas supplied through the connector C. As a means in which each pair of sensing sensors 120 is installed and configured, it is formed in such a way that it penetrates to the upper surface of the manifold block 111 having a metal material through a perforating device to a predetermined depth, and the sensor 120 It is inserted and sealed through a known method.

한 쌍의 밸브설치공(114)은, 매니폴드블록(111)의 정면 중앙 양측부에 관통 형성되고 컨넥터(C)를 통해 공급되는 가스의 이동을 제어하는 한 쌍의 제어밸브(130)가 각각 설치 구성되는 수단으로서, 천공장치 등을 통하여 금속재질을 가지는 매니폴드블록(111)의 정면에 소정 깊이로 관통되는 방식으로 형성되며, 제어밸브(130)가 공지의 방식을 통해 삽입 및 실링된다.The pair of valve installation holes 114 are formed through the front center and both sides of the manifold block 111, and a pair of control valves 130 for controlling the movement of gas supplied through the connector C, respectively As a means to be installed, it is formed in a manner that penetrates to the front of the manifold block 111 having a metal material through a perforation device to a predetermined depth, and the control valve 130 is inserted and sealed through a known method.

공급관설치공(115)은, 매니폴드블록(111)의 한 쌍의 센서설치공(113) 사이에 관통 형성되고 컨넥터(C)를 통해 공급되는 가스가 반도체 제조설비를 향해 공급되도록 하는 공급관컨넥터(PC)가 설치 구성되는 수단으로서, 천공장치 등을 통하여 금속재질을 가지는 매니폴드블록(111)의 상면에 소정 깊이로 관통되는 방식으로 형성되며, 공급관컨넥터(PC)가 공지의 방식을 통해 삽입 및 실링된다.The supply pipe installation hole 115 is formed between a pair of sensor installation holes 113 of the manifold block 111 and is supplied through a connector (C) so that the gas supplied through the connector is supplied to the semiconductor manufacturing facility ( PC) is a means to be installed, is formed in a manner that penetrates to the upper surface of the manifold block 111 having a metal material through a punching device to a predetermined depth, the supply pipe connector (PC) is inserted and through a known method It is sealed.

한 쌍의 벤트설치공(116)은, 매니폴드블록(111)의 양측면에 각각 관통 형성되고 잔여 가스를 배출시키기 위한 벤트(150)가 각각 설치 구성되는 수단으로서, 천공장치 등을 통하여 금속재질을 가지는 매니폴드블록(111)의 양측면에 소정 깊이로 관통되는 방식으로 형성되며, 벤트(150)가 공지의 방식을 통해 삽입 및 실링된다.A pair of vent installation holes 116 are formed on each side surface of the manifold block 111 and vents 150 for discharging residual gas are respectively installed, and a metal material is formed through a drilling device or the like. The branches are formed in a manner that penetrates to both sides of the manifold block 111 to a predetermined depth, and the vent 150 is inserted and sealed through a known method.

가스이동로(117)는, 매니폴드블록(111)의 내부에 형성되고 컨넥터설치공(112), 센서설치공(113), 밸브설치공(114), 공급관설치공(115) 및 벤트설치공(116)이 연통된 상태를 가지도록 하여 가스의 이동을 가능하게 하는 수단으로서, 한 쌍의 벤트설치공(116)이 상호간 연통되도록 하고 동시에 한 쌍의 밸브설치공(116)을 관통하면서 형성되는 제1가스이동로(117a), 한 쌍의 컨넥터설치공(112)과 센서설치공(113)이 상호간 연통되도록 하고 동시에 제1가스이동로(117a)를 관통하면서 형성되는 제2가스이동로(117b) 및 공급관설치공(115)으로부터 제1가스이동로(117a)에 연통되면서 형성되는 제3가스이동로(117c) 등을 포함한다.The gas moving furnace 117 is formed inside the manifold block 111, and the connector installation hole 112, the sensor installation hole 113, the valve installation hole 114, the supply pipe installation hole 115, and the vent installation hole As a means to enable the movement of the gas by having the (116) in a communicating state, the pair of vent installation holes 116 are formed to communicate with each other and at the same time passing through the pair of valve installation holes 116 The first gas moving furnace 117a, the pair of connector installation holes 112 and the sensor installation holes 113 communicate with each other, and at the same time, the second gas moving furnace formed through the first gas moving furnace 117a ( 117b) and a third gas moving path 117c formed while communicating with the first gas moving path 117a from the supply pipe installation hole 115.

따라서 매니폴드블록체(110)에 의하면, 한 쌍의 저장용기(B)로부터 선택적으로 가스가 반도체 제조설비로 공급되도록 하는 구성이 막대 형상을 가지는 단일의 매니폴드블록(111)에 다수개의 설치공(112,113,114,115,116)들이 관통 형성되고 설치공(112,113,114,115)들이 가스이동로(117)를 통해 연통되는 구조를 가짐으로써, 종래와 같이 다수개의 가스이동용 파이프들이 연결용 너트를 통해 밸브매니폴드 구조로 연결되는 것에 비해, 제조와 조립도 용이하고 또한, 연결부분이 최소화되어 가스 누출 사고가 방지되도록 할 수 있다.Accordingly, according to the manifold block body 110, a plurality of installation holes are provided in a single manifold block 111 having a rod-like configuration in which gas is selectively supplied from a pair of storage containers B to a semiconductor manufacturing facility. (112,113,114,115,116) is formed through, and the installation holes (112,113,114,115) have a structure that communicates through the gas passage 117, so that a plurality of pipes for gas movement are connected to the valve manifold structure through a connecting nut as in the prior art. In comparison, it is easy to manufacture and assemble, and the connection portion is minimized to prevent a gas leakage accident.

한편, 본 발명에 따른 가스공급장치용 밸브매니폴드 구조체(100)는, 가스이동로(117) 중 제1가스이동로(117a)의 한 쌍의 밸브설치공(114)과 공급관설치공(115) 사이의 구간에 가스의 감압을 위한 다수개의 감압체가 충전될 수 있다.On the other hand, the valve manifold structure 100 for a gas supply device according to the present invention, a pair of valve installation holes 114 and supply pipe installation holes 115 of the first gas movement path 117a of the gas movement path 117 ) May be filled with a plurality of pressure reducing bodies for the pressure reduction of the gas.

여기서, 상기 감압체는, 중공의 제1가스이동로(117a)의 내부에 소정의 공극을 제공하는 볼(Ball) 형상을 가지고, 제1가스이동로(117a)에 고압으로 이동되는 가스의 압력을 감소시킬 수 있다.Here, the pressure reducing body has a ball shape that provides a predetermined air gap inside the hollow first gas transfer path 117a, and the pressure of the gas moved at a high pressure to the first gas transfer path 117a Can be reduced.

즉, 상기 감압체가 볼 타입의 형상을 가지는 것을 통하여, 가스와의 접촉시 가스의 이동 흐름을 방해하지 않으면서도 소정의 저항을 발생시켜 유체의 이동속도를 저하시키며 상대적으로 제1가스이동로(117a)의 직경 또는 단면적 보다 제3가스이동로(117c)의 직경 또는 단면적이 커지도록 하여 가스의 압력이 감소되도록 할 수 있고, 이를 통하여, 공급관컨넥터(PC)에 연결되는 공급관(140)에 감압밸브(160)가 구성되지 않도록 하거나, 소형의 감압밸브가 구성되도록 하여 제조 비용을 향상시킬 수 있다. In other words, through the pressure-sensitive body having a ball-shaped shape, a predetermined resistance is generated without interfering with the flow of gas upon contact with the gas, thereby reducing the movement speed of the fluid and relatively the first gas moving path 117a. ) The pressure or pressure of the gas can be reduced by making the diameter or cross-sectional area of the third gas transfer passage 117c larger than the diameter or cross-sectional area, and through this, the pressure reducing valve to the supply pipe 140 connected to the supply pipe connector PC The manufacturing cost can be improved by preventing the 160 from being configured or by making a small pressure reducing valve.

한편, 상기 감압체는, 볼 타입의 몸체를 관통하는 하나 또는 복수개의 관통공을 통하여 가스의 이동 흐름을 보다 원활히 하여도 좋다. On the other hand, the pressure-sensitive body, the flow of the gas may be more smoothly through one or a plurality of through-holes penetrating the ball-type body.

센서(120)는, 매니폴드블록(111)의 센서설치공(113)에 설치 구성되어 한 쌍의 저장용기(B)로부터 매니폴드블록(111)의 내부에 공급되는 가스를 감지하여 가스의 누출 등과 같은 이상 여부를 판단하도록 하는 수단으로서, 센서설치공(113)에 설치되어 가스 누출을 감지하는 가스누출센서와, 온도를 감지하는 온도센서와, 화재 발생을 감지하는 빛센서 중 적어도 어느 하나로 구성될 수 있다.The sensor 120 is configured to be installed in the sensor mounting hole 113 of the manifold block 111 to detect the gas supplied to the inside of the manifold block 111 from a pair of storage containers B and leak gas. As a means to determine whether an abnormality such as, etc., installed in the sensor installation hole 113 is composed of at least one of a gas leak sensor for detecting a gas leak, a temperature sensor for sensing the temperature, and a light sensor for detecting a fire. Can be.

따라서 센서(120)에 의하면, 매니폴드블록(111)의 내부 상태를 감지하고 이에 대한 정보를 밸브매니폴드 제어기(200)가 판단하도록 하여 해당 제어 모드가 제어되도록 할 수 있다.Therefore, according to the sensor 120, it is possible to sense the internal state of the manifold block 111 and allow the valve manifold controller 200 to determine information about the control mode.

제어밸브(130)는, 매니폴드블록(111)의 밸브설치공(114)에 설치 구성되어 한 쌍의 저장용기(B)로부터 매니폴드블록(111)의 내부에 가스가 공급되도록 하는 수단으로서, 밸브설치공(114)에 설치되는 개폐체와, 상기 개폐체를 구동시켜 개폐체에 의한 가스이동로(117)의 개폐를 가능하게 하는 구동수단 등을 포함한다.The control valve 130 is installed in the valve installation hole 114 of the manifold block 111 and configured to supply gas to the inside of the manifold block 111 from a pair of storage containers B, It includes an opening and closing body installed in the valve installation hole 114, and driving means for driving the opening and closing body to open and close the gas transfer path 117 by the opening and closing body.

따라서 제어밸브(130)에 의하면, 밸브매니폴드 제어기(200)의 제어에 따라 한 쌍 중 선택적으로 어느 하나가 가스이동로(117)를 개폐시키며, 이를 통하여, 한 쌍의 저장용기(B) 중 어느 하나로부터 가스가 공급되도록 할 수 있고, 이를 통하여, 가스가 고갈된 저장용기(B)를 교체시 다른 하나로부터 가스가 공급되도록 할 수 있으며, 이에, 저장용기(B)를 교체하더라도 제조 공정을 멈추지 않아도 되어 제조 효율이 향상될 수 있다.Therefore, according to the control valve 130, under the control of the valve manifold controller 200, any one of the pair selectively opens and closes the gas transfer path 117, through which, among the pair of storage containers B Gas can be supplied from any one, and through this, when replacing the depleted storage container (B), the gas can be supplied from the other, and thus, even if the storage container (B) is replaced, the manufacturing process There is no need to stop the manufacturing efficiency can be improved.

공급관(140)은, 매니폴드블록(111)의 공급관설치공(115)에 설치되는 공급관컨넥터(PC)에 연결 구성되어 매니폴드블록(111)에 공급되는 가스가 반도체 제조설비에 공급되도록 하는 수단으로서, 공지의 구성을 가질 수 있으므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.The supply pipe 140 is configured to be connected to a supply pipe connector (PC) installed in the supply pipe installation hole 115 of the manifold block 111 so that the gas supplied to the manifold block 111 is supplied to the semiconductor manufacturing facility As, as it may have a known configuration, a detailed description will be omitted.

벤트(150)는, 매니폴드블록(111)의 벤트설치공(116)에 설치되고 매니폴드블록(111) 내부의 잔여 가스를 배출시키는 수단으로서, 일예로, 한 쌍의 제어밸브(130) 중 어느 하나에 의해 어느 하나의 저장용기(B)로부터만 가스가 공급되는 상태일 때, 다른 하나의 저장용기(B)가 연결된 컨넥터(C) 부근의 가스이동로(117)에 존재하는 잔여 가스가 외부로 배출되도록 하며, 공지의 구성을 가질 수 있으므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.The vent 150 is installed in the vent installation hole 116 of the manifold block 111 and is a means for discharging residual gas inside the manifold block 111, for example, among a pair of control valves 130 When gas is supplied from only one storage container (B) by any one, the remaining gas present in the gas transfer path (117) near the connector (C) to which the other storage container (B) is connected It is discharged to the outside, and since it may have a known configuration, detailed description will be omitted.

감압밸브(160)는, 밸브매니폴드패널(P)에 고정되고 공급관(140)에 연결되어 공급관(140)을 통해 반도체 제조설비에 공급되는 가스의 압력을 감소시키는 수단으로서, 공지의 구성을 가질 수 있으므로 상세한 설명은 생략하기로 한다. The pressure-reducing valve 160 is fixed to the valve manifold panel P and connected to the supply pipe 140 to reduce the pressure of the gas supplied to the semiconductor manufacturing equipment through the supply pipe 140 and has a known configuration. Therefore, detailed descriptions will be omitted.

여기서, 감압밸브(160)는, 제1가스이동로(117a)의 내부에 다수개의 감압체가 충전되는 경우에는 그 크기와 용량이 소형으로 구성될 수 있다.Here, the pressure reducing valve 160 may be configured in a small size and capacity when a plurality of pressure reducing bodies are filled in the first gas moving furnace 117a.

이하, 상술한 바와 같은 구성을 가지는 가스공급장치용 밸브매니폴드 구조체의 작용에 대해 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation of the valve manifold structure for a gas supply device having the above-described configuration will be described.

먼저, 밸브매니폴드패널(P)에 매니폴드블록체(110)가 고정되고, 매니폴드블록체(110)에 한 쌍의 센서(120), 한 쌍의 제어밸브(130), 공급관(140), 한 쌍의 벤트(150) 및 감압밸브(160) 등이 구성되어 밸브매니폴드 구조체(100)가 조립 구성된다.First, the manifold block body 110 is fixed to the valve manifold panel P, a pair of sensors 120, a pair of control valves 130, and a supply pipe 140 to the manifold block body 110 , A pair of vents 150 and the pressure reducing valve 160 are configured to assemble the valve manifold structure 100.

이후, 매니폴드블록체(110)에 한 쌍의 저장용기(B)가 연결된다.Thereafter, a pair of storage containers B are connected to the manifold block body 110.

이후, 밸브매니폴드 제어기(200)의 제어에 의해 한 쌍의 제어밸브(130) 중 제1제어밸브(130a)는 개방 구동되고 제2제어밸브(130b)는 폐쇄 구동되는 것을 통하여, 제1제어밸브(130a)에 의해 개방된 제1가스이동로(117a)에 위치된 한 쌍의 저장용기(B) 중 제1저장용기(B1)의 가스만이 제1가스이동로(117a)를 경유한 후 공급관(140)을 통해 공급된다.Thereafter, the first control valve 130a of the pair of control valves 130 is opened by the control of the valve manifold controller 200, and the second control valve 130b is closed by the first control. Only the gas of the first storage container B1 of the pair of storage containers B located in the first gas transport passage 117a opened by the valve 130a passes through the first gas transport passage 117a. After that, it is supplied through the supply pipe 140.

이후, 공급관(140)을 통해 공급된 가스는 감압밸브(160)에 의해 소정의 압력으로 감압된 후 반도체 제조설비에 공급된다.Thereafter, the gas supplied through the supply pipe 140 is reduced to a predetermined pressure by the pressure reducing valve 160 and then supplied to the semiconductor manufacturing facility.

한편, 상기와 같은 상태에서, 제1저장용기(B1)의 가스가 고갈되어 제1저장용기(B1)가 교체되어야 하는 경우에는, 제1제어밸브(130a)는 폐쇄 구동되고 제2제어밸브(130b)는 개방 구동되는 것을 통하여, 제2제어밸브(130b)에 의해 개방된 제1가스이동로(117a)에 위치된 한 쌍의 저장용기(B) 중 제2저장용기(B2)의 가스만이 제1가스이동로(117a)를 경유한 후 공급관(140)을 통해 공급된다.On the other hand, when the gas in the first storage container (B1) is exhausted in the above state and the first storage container (B1) needs to be replaced, the first control valve (130a) is closed driving and the second control valve ( 130b) is only the gas of the second storage container (B2) of the pair of storage containers (B) located in the first gas transfer path (117a) opened by the second control valve (130b) through an open drive. After passing through the first gas transfer path 117a, it is supplied through the supply pipe 140.

이후, 공급관(140)을 통해 공급된 가스는 감압밸브(160)에 의해 소정의 압력으로 감압된 후 반도체 제조설비에 공급된다.Thereafter, the gas supplied through the supply pipe 140 is reduced to a predetermined pressure by the pressure reducing valve 160 and then supplied to the semiconductor manufacturing facility.

따라서 상술한 바에 의하면, 매니폴드블록체(110)가 한 쌍의 저장용기(B)로부터 선택적으로 가스가 반도체 제조설비로 공급되도록 하는 구성이 막대 형상을 가지는 단일의 매니폴드블록(111)에 다수개의 설치공(112,113,114,115,116)들이 관통 형성되고 설치공(112,113,114,115,116)들이 가스이동로(117)를 통해 연통되는 구조를 가짐으로써, 종래와 같이 다수개의 가스이동용 파이프들이 연결용 너트를 통해 밸브매니폴드 구조로 연결되는 것에 비해, 제조와 조립도 용이하고 또한, 연결부분이 최소화되어 가스 누출 사고가 방지되도록 할 수 있다.Therefore, according to the above, the manifold block body 110 has a configuration in which gas is selectively supplied from a pair of storage containers B to a semiconductor manufacturing facility in a single manifold block 111 having a rod shape. Since the installation holes (112, 113, 114, 115, 116) are formed through and the installation holes (112, 113, 114, 115, 116) have a structure in communication through the gas transfer path (117), a plurality of pipes for gas movement are connected to the valve manifold structure through a connecting nut as in the prior art. Compared to the connection, it is easy to manufacture and assemble, and the connection part is minimized so that a gas leakage accident can be prevented.

한편, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스공급장치용 밸브매니폴드 구조체를 이용한 무정지 가스공급시스템은, 상기와 같은 밸브매니폴드 구조체(100)를 포함하고, 밸브매니폴드 구조체(100)의 해당 구성부에 동작전원을 공급하고 밸브매니폴드 구조체(100)로부터 매니폴드블록(111)의 내부 상태를 센서(120)를 통해 감지하고 이상 여부 발생시 이에 대응된 제어 모드가 제어되도록 하거나, 저장용기(B)의 교체 작업을 위해 해당 제어밸브(130)들의 개폐 동작이 제어되도록 하는 밸브매니폴드 제어기(200)를 포함한다.On the other hand, the non-stop gas supply system using a valve manifold structure for a gas supply device according to a preferred embodiment of the present invention includes the valve manifold structure 100 as described above, and the corresponding configuration of the valve manifold structure 100 Supply the operating power to the unit, and detect the internal state of the manifold block 111 from the valve manifold structure 100 through the sensor 120, and control the corresponding control mode when an abnormality occurs, or the storage container (B ) Includes a valve manifold controller 200 to control opening and closing of the corresponding control valves 130 for the replacement operation.

이하, 상술한 바와 같은 구성을 가지는 밸브매니폴드 구조체를 이용한 무정지 가스공급시스템의 작용에 대해 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation of the non-stop gas supply system using the valve manifold structure having the above-described configuration will be described.

먼저, 밸브매니폴드패널(P)에 매니폴드블록체(110)가 고정되고, 매니폴드블록체(110)에 한 쌍의 센서(120), 한 쌍의 제어밸브(130), 공급관(140), 한 쌍의 벤트(150) 및 감압밸브(160) 등이 구성되어 밸브매니폴드 구조체(100)가 조립 구성된 후, 매니폴드블록체(110)에 한 쌍의 저장용기(B)가 연결된다.First, the manifold block body 110 is fixed to the valve manifold panel P, a pair of sensors 120, a pair of control valves 130, and a supply pipe 140 to the manifold block body 110 , After a pair of vents 150 and a pressure reducing valve 160 are configured, the valve manifold structure 100 is assembled, and a pair of storage containers B are connected to the manifold block body 110.

이후, 밸브매니폴드패널(P)에 구성된 센서(120), 제어밸브(130) 및 벤트(150) 등에 밸브매니폴드 제어기(200)로부터 동작전원과 제어신호 및 정보 전달을 위한 전기적 결선이 이루어진다.Subsequently, an electrical connection is made for the operation power and control signals and information transmission from the valve manifold controller 200 to the sensor 120, the control valve 130, and the vent 150, etc. configured in the valve manifold panel P.

이후, 밸브매니폴드 제어기(200)의 제어에 의해 한 쌍의 제어밸브(130) 중 제1제어밸브(130a)는 개방 구동되고 제2제어밸브(130b)는 폐쇄 구동되는 것을 통하여, 제1제어밸브(130a)에 의해 개방된 제1가스이동로(117a)에 위치된 한 쌍의 저장용기(B) 중 제1저장용기(B1)의 가스만이 제1가스이동로(117a)를 경유한 후 공급관(140)을 통해 공급된다.Thereafter, the first control valve 130a of the pair of control valves 130 is opened by the control of the valve manifold controller 200, and the second control valve 130b is closed by the first control. Only the gas of the first storage container B1 of the pair of storage containers B located in the first gas transport passage 117a opened by the valve 130a passes through the first gas transport passage 117a. After that, it is supplied through the supply pipe 140.

이후, 공급관(140)을 통해 공급된 가스는 감압밸브(160)에 의해 소정의 압력으로 감압된 후 반도체 제조설비에 공급된다.Thereafter, the gas supplied through the supply pipe 140 is reduced to a predetermined pressure by the pressure reducing valve 160 and then supplied to the semiconductor manufacturing facility.

한편, 상기와 같은 상태에서, 센서(120)의 감지에 따라 제1저장용기(B1)의 가스가 고갈되어 제1저장용기(B1)가 교체되어야 하는 경우에는, 제1제어밸브(130a)는 폐쇄 구동되고 제2제어밸브(130b)는 개방 구동되는 것을 통하여, 제2제어밸브(130b)에 의해 개방된 제1가스이동로(117a)에 위치된 한 쌍의 저장용기(B) 중 제2저장용기(B2)의 가스만이 제1가스이동로(117a)를 경유한 후 공급관(140)을 통해 공급된다.On the other hand, when the gas of the first storage container (B1) is exhausted due to the detection of the sensor 120 in the above state, the first storage container (B1) is to be replaced, the first control valve (130a) The second of the pair of storage containers (B) located in the first gas transfer path (117a) opened by the second control valve (130b), through the closed driving and the second control valve (130b) is driven to open Only the gas in the storage container B2 is supplied through the supply pipe 140 after passing through the first gas transfer path 117a.

이후, 공급관(140)을 통해 공급된 가스는 감압밸브(160)에 의해 소정의 압력으로 감압된 후 반도체 제조설비에 공급된다.Thereafter, the gas supplied through the supply pipe 140 is reduced to a predetermined pressure by the pressure reducing valve 160 and then supplied to the semiconductor manufacturing facility.

따라서 상술한 바에 의하면, 매니폴드블록체(110)가 한 쌍의 저장용기(B)로부터 선택적으로 가스가 반도체 제조설비로 공급되도록 하는 구성이 막대 형상을 가지는 단일의 매니폴드블록(111)에 다수개의 설치공(112,113,114,115,116)들이 관통 형성되고 설치공(112,113,114,115,116)들이 가스이동로(117)를 통해 연통되는 구조를 가짐으로써, 종래와 같이 다수개의 가스이동용 파이프들이 연결용 너트를 통해 밸브매니폴드 구조로 연결되는 것에 비해, 제조와 조립도 용이하고 또한, 연결부분이 최소화되어 가스 누출 사고가 방지되도록 할 수 있다.Therefore, according to the above, the manifold block body 110 has a configuration in which gas is selectively supplied from a pair of storage containers B to a semiconductor manufacturing facility in a single manifold block 111 having a rod shape. Since the installation holes (112, 113, 114, 115, 116) are formed through and the installation holes (112, 113, 114, 115, 116) have a structure in communication through the gas transfer path (117), a plurality of pipes for gas movement are connected to the valve manifold structure through a connecting nut as in the prior art. Compared to the connection, it is easy to manufacture and assemble, and the connection part is minimized so that a gas leakage accident can be prevented.

또한, 한 쌍의 제어밸브(130)들이 선택적으로 가스이동로(117)를 개폐하는 것을 통하여, 한 쌍의 가스 저장용기로부터 선택적으로 반도체 제조설비 등에 가스가 교번으로 공급되는 구조를 가짐으로써, 어느 하나의 저장용기를 교체하더라도 제조 공정을 멈추지 않아 제조 효율이 향상되도록 할 수 있다.In addition, by having a structure in which gas is alternately supplied to a semiconductor manufacturing facility or the like from a pair of gas storage containers through a pair of control valves 130 selectively opening and closing the gas transfer path 117, which Even if one storage container is replaced, it is possible to improve the manufacturing efficiency by not stopping the manufacturing process.

상술한 본 발명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 여러 가지 변형이 본 발명의 범위에서 벗어나지 않고 실시될 수 있다. 따라서 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 청구 범위와 청구 범위의 균등한 것에 의해 정해져야 한다. In the above-described present invention, specific embodiments have been described, but various modifications can be carried out without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the invention should not be determined by the described embodiments, but should be defined by the equivalents of the claims and claims.

Claims (4)

밸브매니폴드 구조체(100)와; 밸브매니폴드 구조체(100)의 해당 구성부에 동작전원을 공급하고 밸브매니폴드 구조체(100)로부터 매니폴드블록체(110)의 내부 상태를 센서(120)를 통해 감지하고 이상 여부 발생시 이에 대응된 제어 모드가 제어되도록 하거나, 저장용기(B)의 교체 작업을 위해 해당 제어밸브(130)들의 개폐 동작이 제어되도록 하는 밸브매니폴드 제어기(200)를 포함하고,
밸브매니폴드 구조체(100)는,
밸브매니폴드패널(P)에 고정되고 한 쌍의 저장용기(B)가 연결되는 매니폴드블록체(110); 매니폴드블록체(110)에 설치 구성되어 한 쌍의 저장용기(B)로부터 매니폴드블록체(110)의 내부에 공급되는 가스를 감지하여 매니폴드블록체(110) 내부의 이상 여부를 판단하도록 하는 한 쌍의 센서(120); 매니폴드블록체(110)에 설치 구성되어 한 쌍의 저장용기(B)로부터 매니폴드블록체(110)의 내부에 가스가 공급되도록 하는 한 쌍의 제어밸브(130); 매니폴드블록체(110)에 연결 구성되어 매니폴드블록체(110)에 공급되는 가스가 반도체 제조설비에 공급되도록 하는 공급관(140); 매니폴드블록체(110)에 설치되고 매니폴드블록체(110) 내부의 잔여 가스를 배출시키는 벤트(150); 및 밸브매니폴드패널(P)에 고정되고 공급관(140)에 연결되어 공급관(140)을 통해 반도체 제조설비에 공급되는 가스의 압력을 감소시키는 감압밸브(160)를 포함하며,
매니폴드블록체(110)는,
막대 형상의 매니폴드블록(111);
매니폴드블록(111)의 하면 양측부에 관통 형성되고 한 쌍의 저장용기(B)가 연결되는 컨넥터(C)가 각각 설치 구성되는 한 쌍의 컨넥터설치공(112);
한 쌍의 컨넥터설치공(112)에 대향되도록 매니폴드블록(111)의 상면 양측부에 관통 형성되고 한 쌍의 센서(120)가 각각 설치 구성되는 한 쌍의 센서설치공(113);
매니폴드블록(111)의 정면 중앙 양측부에 관통 형성되고 컨넥터(C)를 통해 공급되는 가스의 이동을 제어하는 한 쌍의 제어밸브(130)가 각각 설치 구성되는 한 쌍의 밸브설치공(114);
매니폴드블록(111)의 한 쌍의 센서설치공(113) 사이에 관통 형성되고 컨넥터(C)를 통해 공급되는 가스가 반도체 제조설비를 향해 공급되도록 하는 공급관컨넥터(PC)가 설치 구성되는 공급관설치공(115);
매니폴드블록(111)의 양측면에 각각 관통 형성되고 벤트(150)가 각각 설치 구성되는 한 쌍의 벤트설치공(116); 및
매니폴드블록(111)의 내부에 형성되고 컨넥터설치공(112), 센서설치공(113), 밸브설치공(114), 공급관설치공(115) 및 벤트설치공(116)이 연통된 상태를 가지도록 하여 가스의 이동을 가능하게 하는 가스이동로(117)를 포함하는 것을 특징으로 하는 밸브매니폴드 구조체를 이용한 무정지 가스공급시스템.A valve manifold structure 100; The operating power is supplied to a corresponding component of the valve manifold structure 100, and the internal state of the manifold block body 110 is sensed through the sensor 120 from the valve manifold structure 100, and is responded to an abnormality. Includes a valve manifold controller 200 to control the control mode or to control the opening and closing operation of the control valve 130 for the replacement operation of the storage container (B),
The valve manifold structure 100,
A manifold block body 110 fixed to the valve manifold panel P and connected to a pair of storage containers B; It is configured to be installed in the manifold block body 110 to detect the gas supplied to the inside of the manifold block body 110 from a pair of storage containers (B) to determine whether there is an abnormality in the manifold block body 110 A pair of sensors 120; A pair of control valves 130 installed on the manifold block body 110 and configured to supply gas to the inside of the manifold block body 110 from a pair of storage containers B; A supply pipe 140 configured to be connected to the manifold block body 110 so that gas supplied to the manifold block body 110 is supplied to a semiconductor manufacturing facility; A vent 150 installed on the manifold block body 110 to discharge residual gas inside the manifold block body 110; And a pressure reducing valve 160 fixed to the valve manifold panel P and connected to the supply pipe 140 to reduce the pressure of the gas supplied to the semiconductor manufacturing facility through the supply pipe 140,
The manifold block body 110,
Rod-shaped manifold block 111;
A pair of connector installation holes 112, which are formed through the both sides of the lower surface of the manifold block 111 and are connected to a connector C to which a pair of storage containers B are connected, respectively;
A pair of sensor installation holes 113 formed to penetrate through both sides of the upper surface of the manifold block 111 so as to face the pair of connector installation holes 112, and a pair of sensors 120 are respectively installed;
A pair of valve installation holes 114 are formed through a pair of front centers of both sides of the manifold block 111, and a pair of control valves 130 for controlling the movement of the gas supplied through the connector C are respectively installed. );
A supply pipe connector (PC) is installed through which a pair of sensor installation holes (113) of the manifold block (111) is formed through and the gas supplied through the connector (C) is supplied toward the semiconductor manufacturing facility. Ball 115;
A pair of vent installation holes 116 formed on both sides of the manifold block 111 and the vents 150 are respectively installed; And
It is formed inside the manifold block 111 and the connector installation hole 112, the sensor installation hole 113, the valve installation hole 114, the supply pipe installation hole 115 and the vent installation hole 116 is in communication Non-stop gas supply system using a valve manifold structure, characterized in that it comprises a gas moving passage 117 to enable the movement of the gas. 삭제delete 제1항에 있어서, 가스이동로(117)는,
한 쌍의 벤트설치공(116)이 상호간 연통되도록 하고 동시에 한 쌍의 밸브설치공(116)을 관통하면서 형성되는 제1가스이동로(117a);
한 쌍의 컨넥터설치공(112)과 센서설치공(113)이 상호간 연통되도록 하고 동시에 제1가스이동로(117a)를 관통하면서 형성되는 제2가스이동로(117b); 및
공급관설치공(115)으로부터 제1가스이동로(117a)에 연통되면서 형성되는 제3가스이동로(117c)를 포함하는 것을 특징으로 하는 밸브매니폴드 구조체를 이용한 무정지 가스공급시스템.The method of claim 1, wherein the gas transfer furnace (117),
A first gas transfer path 117a formed to allow a pair of vent installation holes 116 to communicate with each other and to penetrate the pair of valve installation holes 116 at the same time;
A pair of connector installation holes 112 and a sensor installation hole 113 to communicate with each other, and at the same time, a second gas movement path 117b formed while passing through the first gas movement path 117a; And
Non-stop gas supply system using a valve manifold structure, characterized in that it comprises a third gas transfer path (117c) formed while communicating with the first gas transfer path (117a) from the supply pipe installation hole (115). 제3항에 있어서,
가스이동로(117) 중 제1가스이동로(117a)의 한 쌍의 밸브설치공(114)과 공급관설치공(115) 사이의 구간에는 가스의 감압을 위한 다수개의 감압체가 충전되고,
상기 감압체는 볼 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 밸브매니폴드 구조체를 이용한 무정지 가스공급시스템.According to claim 3,
In the section between the pair of valve installation holes 114 and the supply pipe installation holes 115 of the first gas movement passage 117a among the gas movement passages 117, a plurality of pressure reducing bodies for depressurizing the gas are filled,
The pressure reducing body is a non-stop gas supply system using a valve manifold structure, characterized in that it has a ball shape.
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