KR102131345B1

KR102131345B1 - Light emitting device

Info

Publication number: KR102131345B1
Application number: KR1020140014346A
Authority: KR
Inventors: 최병연; 주현승
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2014-02-07
Filing date: 2014-02-07
Publication date: 2020-07-07
Anticipated expiration: 2034-02-07
Also published as: KR20150093493A

Abstract

실시 예에 따른 발광소자는 기판, 상기 기판 상에 형성되는 투명 전도층, 상기 투명 전도층 내에 형성되는 전류제한층 및 상기 투명 전도층 상에 형성되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment is formed on a substrate, a transparent conductive layer formed on the substrate, a current limiting layer formed in the transparent conductive layer, and the transparent conductive layer, the first semiconductor layer, the second semiconductor layer and the A light emitting structure including an active layer may be included between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.

Description

Light emitting device

실시예는 광 효율이 향상된 발광소자에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device with improved light efficiency.

발광소자의 대표적인 예로, LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.As a typical example of a light emitting device, a light emitting diode (LED) is a device that converts an electric signal into a form of infrared light, visible light, or light by using the properties of a compound semiconductor, household appliances, remote controls, electronic displays, indicators, various It is used in automation equipment, etc., and the use area of LED is gradually expanding.

보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.In general, miniaturized LEDs are made of a surface mount device type for mounting directly on a printed circuit board (PCB) board, and accordingly, LED lamps used as display devices are also being developed as a surface mount device type. . Such a surface mount element can replace the existing simple lighting lamp, which is used as a lighting indicator, text display, and image display that emit various colors.

이와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등에 요구되는 휘도가 높이지는 바, LED의 발광휘도를 증가시키는 것이 중요하다.In this way, as the use area of the LED is widened, the luminance required for the light used for life, the light for rescue signals, and the like increases, and it is important to increase the light emission luminance of the LED.

한편, 발광소자에는 전극이 필수적으로 포함되어야하나, 전극에서의 저항으로 인해 광효율이 떨어지는 문제점이 있다. 따라서, 전극에서의 저항을 최소화하는 노력이 필요하다.On the other hand, an electrode must be included in the light emitting device, but there is a problem in that light efficiency is reduced due to resistance at the electrode. Therefore, efforts are needed to minimize the resistance at the electrode.

실시예는 전류제한층 및 전도층을 포함하고 광효율을 개선하는 발광소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device including a current limiting layer and a conductive layer and improving light efficiency.

실시 예에 따른 발광소자는 기판, 상기 기판 상에 형성되는 투명 전도층, 상기 투명 전도층 내에 형성되는 전류제한층 및 상기 투명 전도층 상에 형성되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물을 포함하는 발광소자 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment is formed on a substrate, a transparent conductive layer formed on the substrate, a current limiting layer formed in the transparent conductive layer, and the transparent conductive layer, the first semiconductor layer, the second semiconductor layer and the A light emitting device including a light emitting structure including an active layer may be included between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.

실시예에 따른 발광소자는 광효율이 개선되는 효과가 있다.The light emitting device according to the embodiment has an effect of improving light efficiency.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 2는 제2 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 3은 제3 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 4는 제4 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 5는 제5 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 6은 제6 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 7은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 8은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 표시장치의 분해 사시도이다.
도 9는 도 8의 표시장치의 단면도이다.
도 10은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 조명장치의 분해 사시도이다.1 is a sectional view showing a light emitting device according to a first embodiment.
2 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to a second embodiment.
3 is a sectional view showing a light emitting device according to a third embodiment.
4 is a sectional view showing a light emitting device according to a fourth embodiment.
5 is a sectional view showing a light emitting device according to a fifth embodiment.
6 is a sectional view showing a light emitting device according to a sixth embodiment.
7 is a cross-sectional view showing a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment.
8 is an exploded perspective view of a display device including a light emitting device according to an embodiment.
9 is a cross-sectional view of the display device of FIG. 8.
10 is an exploded perspective view of a lighting device including a light emitting device according to an embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be clarified with reference to embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, and only the embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the person having the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same components throughout the specification.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The spatially relative terms “below”, “beneath”, “lower”, “above”, “upper”, etc., are as shown in the figure. It can be used to easily describe the correlation of a device or components with other devices or components. The spatially relative terms should be understood as terms including different directions of the device in use or operation in addition to the directions shown in the drawings. For example, if the device shown in the figure is turned over, a device described as "below" or "beneath" the other device may be placed "above" the other device. Thus, the exemplary term “below” can include both the directions below and above. The device can also be oriented in other directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to the orientation.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In the present specification, the singular form also includes the plural form unless otherwise specified in the phrase. As used herein, "comprises" and/or "comprising" refers to the components, steps, operations and/or elements mentioned above, the presence of one or more other components, steps, operations and/or elements. Or do not exclude additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used as meanings commonly understood by those skilled in the art to which the present invention pertains. In addition, terms defined in commonly used dictionaries are not to be interpreted ideally or excessively, unless specifically defined.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다. In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity. In addition, the size and area of each component does not entirely reflect the actual size or area.

또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.In addition, the angles and directions mentioned in the process of describing the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those described in the drawings. In the description of the structure constituting the light emitting element in the specification, if the reference point and the positional relationship with respect to the angle is not explicitly mentioned, the related drawings will be referred to.

도 1은 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광소자(100)는 기판(110), 버퍼층(120), 발광 구조물(160), 투명 전도층(170), 전류 제한층(180), 제1 전극(135) 및 제2 전극(190)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the light emitting device 100 according to the first embodiment includes a substrate 110, a buffer layer 120, a light emitting structure 160, a transparent conductive layer 170, a current limiting layer 180, and a first An electrode 135 and a second electrode 190 may be included.

기판(110)은 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 기판으로서, 바람직하게, 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성되며 사파이어 이외에, 기판(110)은 징크 옥사이드(zinc oxide, ZnO), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride, GaN), 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC), 실리콘 및 알루미늄 나이트라이드(AlN)로형성될 수 있다.The substrate 110 is a substrate suitable for growing a semiconductor single crystal, and is preferably formed using a transparent material containing sapphire. In addition to sapphire, the substrate 110 is zinc oxide (ZnO), gallium nitride ( It may be formed of gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC), silicon and aluminum nitride (AlN).

기판(110) 상에는 기판(110)과 제1 반도체층(130) 간의 격자 부정합을 완화하는 버퍼층(120)이 위치할 수 있다. 버퍼층(120)은 저온 분위기에서 형성할 수 있으며, GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, 및 InAlGaN 과 같은 재질 중 선택할 수 있다.A buffer layer 120 that relieves lattice mismatch between the substrate 110 and the first semiconductor layer 130 may be positioned on the substrate 110. The buffer layer 120 may be formed in a low temperature atmosphere, and may be selected from materials such as GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, and InAlGaN.

버퍼층(120) 상에는 발광구조물(160)이 형성될 수 있다. 발광구조물(160)은 제1 반도체층(130), 활성층(140) 및 제2 반도체층(150)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 160 may be formed on the buffer layer 120. The light emitting structure 160 may include a first semiconductor layer 130, an active layer 140, and a second semiconductor layer 150.

버퍼층(120) 상에는 제1 반도체층(130)이 형성될 수 있다. 제1 반도체층(130)은 p형 또는 n형 반도체층을 포함하여 형성될 수 있다.The first semiconductor layer 130 may be formed on the buffer layer 120. The first semiconductor layer 130 may be formed of a p-type or n-type semiconductor layer.

n형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The n-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1), for example GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN , InAlGaN, AlInN, etc., and n-type dopants such as Si, Ge, and Sn can be doped.

p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The p-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1), for example GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN , InAlGaN, AlInN, etc., and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba can be doped.

상술한 제1 반도체층(130)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first semiconductor layer 130 described above is, for example, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), a chemical vapor deposition (CVD), or a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). ), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), and the like, but are not limited thereto.

제1 반도체층(130)상에는 활성층(140)이 형성될 수 있다. 활성층(140)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.The active layer 140 may be formed on the first semiconductor layer 130. The active layer 140 is a region in which electrons and holes are recombined, and transitions to a low energy level as electrons and holes recombine, and may generate light having a wavelength corresponding thereto.

활성층(140)은 예를 들어, InxAlyGa1-x-yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성 될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.The active layer 140 may be formed of, for example, a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1), and a single It may be formed of a quantum well structure or a multi quantum well structure (MQW). Also, a quantum wire structure or a quantum dot structure may be included.

제2 반도체층(150)은 상술한 활성층(140)에 정공을 주입하며, 제2 반도체층(150)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, p형 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer 150 injects holes into the above-described active layer 140, and the second semiconductor layer 150 may be implemented as, for example, a p-type semiconductor layer, wherein the p-type semiconductor layer is InxAlyGa1-x. A semiconductor material having a composition formula of -yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1), for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, etc. And p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba can be doped.

또한, 제1 2 반도체층(130,150) 상에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 제3 도전형 반도체층(미도시)이 형성될 수도 있으며 이에 따라, 발광소자(100)는 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다.In addition, a third conductivity type semiconductor layer (not shown) including an n-type or p-type semiconductor layer may be formed on the first and second semiconductor layers 130 and 150, and accordingly, the light emitting device 100 includes np, pn, and npn. , pnp junction structure.

또한, 제1 반도체층(130) 및 제2 반도체층(150) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 복수의 반도체층의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Further, the doping concentrations of the conductive dopants in the first semiconductor layer 130 and the second semiconductor layer 150 may be uniformly or non-uniformly. That is, the structure of the plurality of semiconductor layers may be variously formed, but is not limited thereto.

또한, 상술한 바와는 달리 제1 반도체층(130)이 p형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(150)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 즉, 제1 반도체층(130)과 제2 반도체층(150)은 활성층(140)을 중심으로 서로 형성되는 위치가 바뀌어도 무방하나, 하기에서는 제1 반도체층(130)이 n형 반도체층을 포함하여 형성되고 기판(110)에 근접하는 것으로 기술한다.Also, unlike the above, the first semiconductor layer 130 may include a p-type semiconductor layer, and the second semiconductor layer 150 may include an n-type semiconductor layer. That is, although the positions of the first semiconductor layer 130 and the second semiconductor layer 150 formed with respect to the active layer 140 may be changed, in the following description, the first semiconductor layer 130 includes an n-type semiconductor layer. It is formed as described above and close to the substrate 110.

제1 전극(135)이 형성되는 위치는 제한이 없고, 발광소자(100)의 크기 등을 고려하여 복수 개가 형성될 수도 있지만, 바람직하게는 제2 반도체층(150)과 활성층(140)의 일부 영역이 제거되고, 제1 반도체층(130)의 일부가 노출되며, 노출된 제1 반도체층(130) 상면에 제1 전극(135)이 형성될 수 있다. 다시 설명하면, 발광구조물에 투명전도층(160)이 형성된 경우는 투명전도층(160), 제2 반도체층(150) 및 활성층(140)의 일부 영역이 제거되고, 노출된 제1 반도체층(130) 상에 제1 전극(135)이 형성될 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니고, 기판(110) 및 버퍼층(120)이 제거되고 제1 반도체층(130)의 노출되는 면에 제1 전극(135)이 형성될 수도 있다.The position at which the first electrode 135 is formed is not limited, and a plurality of light emitting elements 100 may be formed in consideration of the size, but preferably, the second semiconductor layer 150 and the active layer 140 are partially formed. The region is removed, a portion of the first semiconductor layer 130 is exposed, and the first electrode 135 can be formed on the exposed first semiconductor layer 130. In other words, when the transparent conductive layer 160 is formed on the light emitting structure, a part of the transparent conductive layer 160, the second semiconductor layer 150 and the active layer 140 is removed, and the exposed first semiconductor layer ( The first electrode 135 may be formed on 130. However, the present invention is not limited thereto, and the first electrode 135 may be formed on the exposed surface of the first semiconductor layer 130 after the substrate 110 and the buffer layer 120 are removed.

제1 반도체층(130)의 상면을 제거하는 방법은 제한이 없으나 습식 식각, 건식 식각 등의 방법이 사용될 수 있다.The method of removing the upper surface of the first semiconductor layer 130 is not limited, but methods such as wet etching and dry etching may be used.

제1 전극(170)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 전극(170)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first electrode 170 is a metal material, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), Tin (Sn), Silver (Ag), Phosphorus (P), Aluminum (Al), Indium (In), Palladium (Pd), Cobalt (Co), Silicon (Si), Germanium (Ge), Hafnium (Hf), Ruthenium (Ru), iron (Fe) may include one or more materials or alloys. In addition, the first electrode 170 may be formed to have a single-layer or multi-layer structure, but is not limited thereto.

발광 구조물(160)상에는 투명 전도층(170 TCL : Transparent Conducting Layer)이 형성될 수 있다. A transparent conductive layer (170 TCL: Transparent Conducting Layer) may be formed on the light emitting structure 160.

제2 반도체층(150) 상에는 투명 전도층(130)이 형성될 수 있다. 투명 전도층(170)은 투명 전도 산화물(TCO: Transparent Conducting Oxide), 투명 전도 질화물(TCN: Transparent Conducting Nitride), 투명 전도 산화 질화물(Transparent Conducting Oxide Nitride) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.A transparent conductive layer 130 may be formed on the second semiconductor layer 150. The transparent conductive layer 170 may be formed of at least one of a transparent conductive oxide (TCO: transparent conductive oxide), a transparent conductive nitride (TCN), and a transparent conductive oxide nitride (TCN).

상기 투명 전도층(170)은 50% 이상의 광 투과율을 갖고, 10Ω/sq 이하의 면저항을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 상기 투명 전도층(130)은 In, Sn, Zn, Cd, Ga, Al, Mg, Ti, Mo, Ni, Cu, Ag, Au, Sb, Pt, Rh, Ir, Ru, Pd 중 적어도 어느 하나의 물질이 O 및 N 중 적어도 어느 하나와 결합되어 형성될 수 있다.The transparent conductive layer 170 may be formed of a material having a light transmittance of 50% or more and a sheet resistance of 10Ω/sq or less. The transparent conductive layer 130 is at least one of In, Sn, Zn, Cd, Ga, Al, Mg, Ti, Mo, Ni, Cu, Ag, Au, Sb, Pt, Rh, Ir, Ru, Pd The material may be formed by bonding with at least one of O and N.

예를 들어, 상기 투명 전도 산화물은 ITO(Indium-Tin Oxide), ZnO, AZO(Aluminum doped Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), ZITO(Zinc Indium-Tin Oxide), Sn-O, In-O, Ga-O 중 어느 하나가 될 수 있고, 상기 투명 전도 질화물은 TiN, CrN, TaN, In-N 중 적어도 어느 하나가 될 수 있으며, 상기 투명 전도 산화 질화물은 ITON(Indium-Tin Oxide Nitride), ZnON, O-In-N, IZON(Indium Zinc Oxide Nitride) 중 어느 하나가 될 수 있다.For example, the transparent conductive oxides are ITO (Indium-Tin Oxide), ZnO, AZO (Aluminum doped Zinc Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide), ZITO (Zinc Indium-Tin Oxide), It may be any one of Sn-O, In-O, Ga-O, the transparent conductive nitride may be at least one of TiN, CrN, TaN, In-N, the transparent conductive oxide nitride is ITON ( Indium-Tin Oxide Nitride), ZnON, O-In-N, or IZON (Indium Zinc Oxide Nitride).

투명 전도층(170) 내에는 전류제한층(180)이 형성될 수 있다. 전류제한층(180)은 예를들어, 제1 반도체층(150)이 n형 반도체층일 때, 전자가 제2 전극(190)의 하부에 밀집되는 전류군집현상을 방지하기 위해 마련된다.A current limiting layer 180 may be formed in the transparent conductive layer 170. The current limiting layer 180 is provided to prevent a current clustering phenomenon in which electrons are concentrated under the second electrode 190 when, for example, the first semiconductor layer 150 is an n-type semiconductor layer.

이러한, 전류제한층(180)은 이산화규소(SiO2), 또는 이산화규소(SiO2)를 포함하는 산화알루미늄(Al2O3)으로 구성될 수도 있다.The current limiting layer 180 may be made of silicon dioxide (SiO2) or aluminum oxide (Al2O3) including silicon dioxide (SiO2).

제2 전극(190)은 투명전도층(170) 상에 형성되며, 전류제한층(180)과 적어도 일부분이 수직방향으로 중첩될 수 있다.The second electrode 190 is formed on the transparent conductive layer 170, and at least a portion of the current limiting layer 180 may overlap in the vertical direction.

제2 전극(190)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제2 전극(190)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second electrode 190 is a metal material, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta), platinum (Pt), Tin (Sn), Silver (Ag), Phosphorus (P), Aluminum (Al), Indium (In), Palladium (Pd), Cobalt (Co), Silicon (Si), Germanium (Ge), Hafnium (Hf), Ruthenium (Ru), iron (Fe) may include one or more materials or alloys. In addition, the second electrode 190 may be formed to have a single-layer or multi-layer structure, but is not limited thereto.

도 2는 제2 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to a second embodiment.

도 2를 참조하면, 제2 실시예에 따른 발광소자(200)는 기판(210), 버퍼층(220), 발광 구조물(260), 투명 전도층(270), 전류 제한층(280), 제1 전극(235) 및 제2 전극(290)을 포함할 수 있다. 여기서, 발광 구조물(260)은 제1 반도체층(230), 활성층(240) 및 제2 반도체층(250)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the light emitting device 200 according to the second embodiment includes a substrate 210, a buffer layer 220, a light emitting structure 260, a transparent conductive layer 270, a current limiting layer 280, and a first An electrode 235 and a second electrode 290 may be included. Here, the light emitting structure 260 includes a first semiconductor layer 230, an active layer 240 and a second semiconductor layer 250.

제2 실시예에 따른 발광 소자(200)를 설명함에 있어서, 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)에 대한 설명과 중복되는 설명은 생략하도록 한다. 제2 실시예에 따른 발광 소자(200)는 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)와 투명 전도층(270)의 구조에 있어서 차이를 가진다. In describing the light emitting device 200 according to the second embodiment, a description overlapping with the description of the light emitting device 100 according to the first embodiment will be omitted. The light emitting device 200 according to the second embodiment has a difference in the structure of the light emitting device 100 and the transparent conductive layer 270 according to the first embodiment.

제2 실시예에 따른 발광 소자(200)에 포함된 투명 전도층(270)은 제1 투명 전도층(271) 및 제2 투명 전도층(272)을 포함할 수 있다. The transparent conductive layer 270 included in the light emitting device 200 according to the second embodiment may include a first transparent conductive layer 271 and a second transparent conductive layer 272.

제1 투명 전도층(271)과 제2 투명 전도층(272)는 동일한 물질로 형성되며, 서로 다른 증착 방법으로 형성될 수 있다. The first transparent conductive layer 271 and the second transparent conductive layer 272 are formed of the same material and may be formed by different deposition methods.

예를 들면, 제1 투명 전도층(271)과 제2 투명 전도층(272)를 형성하기 위한 증착 방법은 Evaporation, Sputtering, Spray Prolysis, CVD, Dip coating, Reactive Ion plating, Wet coating, Screen printing, Laser Techniques 중 적어도 어느 하나의 방법이 사용될 수 있다.For example, deposition methods for forming the first transparent conductive layer 271 and the second transparent conductive layer 272 include Evaporation, Sputtering, Spray Prolysis, CVD, Dip coating, Reactive Ion plating, Wet coating, Screen printing, At least one method of laser techniques can be used.

제1 투명 전도층(271)과 제2 투명 전도층(272)은 증착 방법에 따라 동일한 물질로 형성되어도 다른 전기적 특정을 가질 수 있다.The first transparent conductive layer 271 and the second transparent conductive layer 272 may have different electrical characteristics even if they are formed of the same material according to a deposition method.

예를 들어, 상기 제1 투명 전도층(271)은 Sputtering 방법으로 형성할 수 있고, 상기 제2 투명 전도층(272)은 상기 제1 투명 전도층(271)과 동일한 물질을 Evaporation 방법으로 형성할 수 있다. 이 경우 상기 제1 투명 전도층(271)은 상기 제2 투명 전도층(272) 보다 큰 일함수를 갖는다.For example, the first transparent conductive layer 271 may be formed by a sputtering method, and the second transparent conductive layer 272 may form the same material as the first transparent conductive layer 271 by an evaporation method. Can. In this case, the first transparent conductive layer 271 has a greater work function than the second transparent conductive layer 272.

예를 들어, 상기 제1 투명 전도층(271)을 Sputtering 방법으로 형성할 때 플라즈마 파워를 낮게 설정하고, 상기 제2 투명 전도층(272)을 Sputtering 방법으로 형성할 때 플라즈마 파워를 낮게 높게 설정할 수 있다. 이 경우 상기 제1 투명 전도층(272)은 상기 제2 투명 전도층(272)보다 큰 일함수를 갖는다.For example, when forming the first transparent conductive layer 271 by the sputtering method, the plasma power may be set low, and when forming the second transparent conductive layer 272 by the sputtering method, the plasma power may be set low and high. have. In this case, the first transparent conductive layer 272 has a greater work function than the second transparent conductive layer 272.

상기 제1 투명 전도층(271)은 상기 제2 도전형의 반도체층(250)과 오믹 접촉을 할 수 있다.The first transparent conductive layer 271 may make ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 250.

한편, 상기 제1 투명 전도층(271)과 제2 투명 전도층(272)은 동일한 물질로 형성되기 때문에, 상기 제1 투명 전도층(271)과 제2 투명 전도층(272)이 명확하게 구분되지 않을 수도 있다. 그러나, 상기 투명 전도층(270), 즉 상기 제1 투명 전도층(271)과 제2 투명 전도층(272)이 하나의 물질로 형성되는 경우에 영역에 따라 전기 전도성이 다를 수 있으며, 제2 투명 전도층(272)의 전기 전도성이 제1 투명 전도층(271)의 전기 전도성보다 클 수 있다.Meanwhile, since the first transparent conductive layer 271 and the second transparent conductive layer 272 are formed of the same material, the first transparent conductive layer 271 and the second transparent conductive layer 272 are clearly separated. It may not be. However, when the transparent conductive layer 270, that is, the first transparent conductive layer 271 and the second transparent conductive layer 272 are formed of a single material, electrical conductivity may vary according to regions, and the second The electrical conductivity of the transparent conductive layer 272 may be greater than that of the first transparent conductive layer 271.

도 3은 제3 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이다.3 is a sectional view showing a light emitting device according to a third embodiment.

도 3을 참조하면, 제3 실시예에 따른 발광소자(300)는 기판(310), 버퍼층(320), 발광 구조물(360), 투명 전도층(370), 전류 제한층(380), 제1 전극(335) 및 제2 전극(390)을 포함할 수 있다. 여기서, 발광 구조물(360)은 제1 반도체층(330), 활성층(340) 및 제2 반도체층(350)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the light emitting device 300 according to the third embodiment includes a substrate 310, a buffer layer 320, a light emitting structure 360, a transparent conductive layer 370, a current limiting layer 380, and a first An electrode 335 and a second electrode 390 may be included. Here, the light emitting structure 360 includes a first semiconductor layer 330, an active layer 340, and a second semiconductor layer 350.

제3 실시예에 따른 발광 소자(300)를 설명함에 있어서, 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)에 대한 설명과 중복되는 설명은 생략하도록 한다. 제3 실시예에 따른 발광 소자(300)는 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)와 전류 제한층(380)의 구조에 있어서 차이를 가진다.In describing the light emitting device 300 according to the third embodiment, a description overlapping with the description of the light emitting device 100 according to the first embodiment will be omitted. The light emitting device 300 according to the third embodiment has a difference in the structure of the light emitting device 100 and the current limiting layer 380 according to the first embodiment.

제3 실시예에 따른 발광 소자(300)에 포함된 전류 제한층(380)은 제1층(381) 및 제2층(382)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1층(381)은 반사층에 해당하고, 알루미늄(Al),은(Ag), 로듐(Rh) 혹은 Al이나 Ag를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수도 있다. 알루미늄(Al),은(Ag), 로듐(Rh) 등은 활성층에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.The current limiting layer 380 included in the light emitting device 300 according to the third embodiment may include a first layer 381 and a second layer 382. Here, the first layer 381 corresponds to the reflective layer, and may be made of a metal layer containing an alloy containing aluminum (Al), silver (Ag), rhodium (Rh), or Al or Ag. Aluminum (Al), silver (Ag), rhodium (Rh), and the like can effectively improve light extraction efficiency of the light emitting device by effectively reflecting light generated from the active layer.

또한, 제2층(382)은 절연층에 해당하고, 산화 실리콘(SiO₂) 또는 불화마그네슘(MgF₂)을 이용하여 형성할 수 있다.In addition, the second layer 382 corresponds to the insulating layer, and may be formed using silicon oxide (SiO ₂ ) or magnesium fluoride (MgF ₂ ).

도 4는 제4 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이다.4 is a sectional view showing a light emitting device according to a fourth embodiment.

도 4를 참조하면, 제4 실시예에 따른 발광소자(400)는 기판(410), 버퍼층(420), 발광 구조물(460), 투명 전도층(470), 전류 제한층(480), 제1 전극(435) 및 제2 전극(490)을 포함할 수 있다. 여기서, 발광 구조물(460)은 제1 반도체층(430), 활성층(440) 및 제2 반도체층(450)을 포함한다.Referring to FIG. 4, the light emitting device 400 according to the fourth embodiment includes a substrate 410, a buffer layer 420, a light emitting structure 460, a transparent conductive layer 470, a current limiting layer 480, and a first An electrode 435 and a second electrode 490 may be included. Here, the light emitting structure 460 includes a first semiconductor layer 430, an active layer 440, and a second semiconductor layer 450.

제4 실시예에 따른 발광 소자(400)를 설명함에 있어서, 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)에 대한 설명과 중복되는 설명은 생략하도록 한다. 제4 실시예에 따른 발광 소자(400)는 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)와 투명 전도층(470) 및 전류 제한층(480) 의 구조에 있어서 차이를 가진다.In describing the light emitting device 400 according to the fourth embodiment, a description overlapping with the description of the light emitting device 100 according to the first embodiment will be omitted. The light emitting device 400 according to the fourth embodiment has a difference in the structure of the light emitting device 100 according to the first embodiment, the transparent conductive layer 470 and the current limiting layer 480.

제 4 실시예에 따른 발광 소자(400)에 포함된 투명 전도층(470)은 제1 투명 전도층(471) 및 제2 투명 전도층(472)을 포함할 수 있다.The transparent conductive layer 470 included in the light emitting device 400 according to the fourth embodiment may include a first transparent conductive layer 471 and a second transparent conductive layer 472.

제1 투명 전도층(471)과 제2 투명 전도층(472)는 동일한 물질로 형성되며, 서로 다른 증착 방법으로 형성될 수 있다. The first transparent conductive layer 471 and the second transparent conductive layer 472 are formed of the same material and may be formed by different deposition methods.

예를 들면, 제1 투명 전도층(471)과 제2 투명 전도층(472)를 형성하기 위한 증착 방법은 Evaporation, Sputtering, Spray Prolysis, CVD, Dip coating, Reactive Ion plating, Wet coating, Screen printing, Laser Techniques 중 적어도 어느 하나의 방법이 사용될 수 있다.For example, deposition methods for forming the first transparent conductive layer 471 and the second transparent conductive layer 472 include Evaporation, Sputtering, Spray Prolysis, CVD, Dip coating, Reactive Ion plating, Wet coating, Screen printing, At least one method of laser techniques can be used.

제1 투명 전도층(471)과 제2 투명 전도층(472)은 증착 방법에 따라 동일한 물질로 형성되어도 다른 전기적 특정을 가질 수 있다.The first transparent conductive layer 471 and the second transparent conductive layer 472 may have different electrical characteristics even if they are formed of the same material according to a deposition method.

예를 들어, 상기 제1 투명 전도층(471)은 Sputtering 방법으로 형성할 수 있고, 상기 제2 투명 전도층(472)은 상기 제1 투명 전도층(471)과 동일한 물질을 Evaporation 방법으로 형성할 수 있다. 이 경우 상기 제1 투명 전도층(471)은 상기 제2 투명 전도층(472) 보다 큰 일함수를 갖는다.For example, the first transparent conductive layer 471 may be formed by a sputtering method, and the second transparent conductive layer 472 may form the same material as the first transparent conductive layer 471 by an evaporation method. Can. In this case, the first transparent conductive layer 471 has a greater work function than the second transparent conductive layer 472.

예를 들어, 상기 제1 투명 전도층(471)을 Sputtering 방법으로 형성할 때 플라즈마 파워를 낮게 설정하고, 상기 제2 투명 전도층(472)을 Sputtering 방법으로 형성할 때 플라즈마 파워를 낮게 높게 설정할 수 있다. 이 경우 상기 제1 투명 전도층(472)은 상기 제2 투명 전도층(472)보다 큰 일함수를 갖는다.For example, when forming the first transparent conductive layer 471 by the sputtering method, the plasma power may be set low, and when forming the second transparent conductive layer 472 by the sputtering method, the plasma power may be set low and high. have. In this case, the first transparent conductive layer 472 has a greater work function than the second transparent conductive layer 472.

상기 제1 투명 전도층(471)은 상기 제2 도전형의 반도체층(450)과 오믹 접촉을 할 수 있다.The first transparent conductive layer 471 may make ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 450.

한편, 상기 제1 투명 전도층(471)과 제2 투명 전도층(472)은 동일한 물질로 형성되기 때문에, 상기 제1 투명 전도층(471)과 제2 투명 전도층(472)이 명확하게 구분되지 않을 수도 있다. 그러나, 상기 투명 전도층(470), 즉 상기 제1 투명 전도층(471)과 제2 투명 전도층(472)이 하나의 물질로 형성되는 경우에 영역에 따라 전기 전도성이 다를 수 있으며, 제2 투명 전도층(472)의 전기 전도성이 제1 투명 전도층(471)의 전기 전도성보다 클 수 있다.Meanwhile, since the first transparent conductive layer 471 and the second transparent conductive layer 472 are formed of the same material, the first transparent conductive layer 471 and the second transparent conductive layer 472 are clearly separated. It may not be. However, when the transparent conductive layer 470, that is, the first transparent conductive layer 471 and the second transparent conductive layer 472 are formed of one material, electrical conductivity may be different depending on the region, and the second The electrical conductivity of the transparent conductive layer 472 may be greater than that of the first transparent conductive layer 471.

제4 실시예에 따른 발광 소자(400)에 포함된 전류 제한층(480)은 제1층(481) 및 제2층(482)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1층(481)은 반사층에 해당하고, 알루미늄(Al),은(Ag), 로듐(Rh) 혹은 Al이나 Ag를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수도 있다. 알루미늄(Al),은(Ag), 로듐(Rh) 등은 활성층에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.The current limiting layer 480 included in the light emitting device 400 according to the fourth embodiment may include a first layer 481 and a second layer 482. Here, the first layer 481 corresponds to the reflective layer, and may be formed of a metal layer containing an alloy containing aluminum (Al), silver (Ag), rhodium (Rh), or Al or Ag. Aluminum (Al), silver (Ag), rhodium (Rh), and the like can effectively improve light extraction efficiency of the light emitting device by effectively reflecting light generated from the active layer.

또한, 제2층(482)은 절연층에 해당하고, 산화 실리콘(SiO₂) 또는 불화마그네슘(MgF₂)을 이용하여 형성할 수 있다.Further, the second layer 482 corresponds to an insulating layer, and may be formed using silicon oxide (SiO ₂ ) or magnesium fluoride (MgF ₂ ).

도 5는 제5 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이다.5 is a sectional view showing a light emitting device according to a fifth embodiment.

도 5를 참조하면, 제5 실시예에 따른 발광소자(500)는 기판(510), 버퍼층(520), 발광 구조물(560), 투명 전도층(570), 전류 제한층(580), 제1 전극(535) 및 제2 전극(590)을 포함할 수 있다. 여기서, 발광 구조물(560)은 제1 반도체층(530), 활성층(540) 및 제2 반도체층(550)을 포함한다.5, the light emitting device 500 according to the fifth embodiment includes a substrate 510, a buffer layer 520, a light emitting structure 560, a transparent conductive layer 570, a current limiting layer 580, a first An electrode 535 and a second electrode 590 may be included. Here, the light emitting structure 560 includes a first semiconductor layer 530, an active layer 540 and a second semiconductor layer 550.

제5 실시예에 따른 발광 소자(500)를 설명함에 있어서, 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)에 대한 설명과 중복되는 설명은 생략하도록 한다.In describing the light emitting device 500 according to the fifth embodiment, a description overlapping with the description of the light emitting device 100 according to the first embodiment will be omitted.

제5 실시예에 따른 발광 소자(500)에 포함된 전류 제한층(580)은 제1층(581), 제2층(582) 및 제3층(583)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1층(581) 및 제3층(583)은 절연층에 해당하고, 산화 실리콘(SiO₂) 또는 불화마그네슘(MgF₂)을 이용하여 형성할 수 있다.The current limiting layer 580 included in the light emitting device 500 according to the fifth embodiment may include a first layer 581, a second layer 582, and a third layer 583. Here, the first layer 581 and the third layer 583 correspond to an insulating layer, and may be formed using silicon oxide (SiO ₂ ) or magnesium fluoride (MgF ₂ ).

또한, 제2층(582)은 반사층에 해당하고, 알루미늄(Al),은(Ag), 로듐(Rh) 혹은 Al이나 Ag를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수도 있다. 알루미늄(Al),은(Ag), 로듐(Rh) 등은 활성층에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.In addition, the second layer 582 corresponds to a reflective layer, and may be made of a metal layer containing an alloy containing aluminum (Al), silver (Ag), rhodium (Rh), or Al or Ag. Aluminum (Al), silver (Ag), rhodium (Rh), and the like can effectively improve light extraction efficiency of the light emitting device by effectively reflecting light generated from the active layer.

도 6은 제6 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이다.6 is a sectional view showing a light emitting device according to a sixth embodiment.

도 6을 참조하면, 제6 실시예에 따른 발광소자(600)는 기판(610), 버퍼층(620), 발광 구조물(660), 투명 전도층(670), 전류 제한층(680), 제1 전극(635) 및 제2 전극(690)을 포함할 수 있다. 여기서, 발광 구조물(660)은 제1 반도체층(630), 활성층(640) 및 제2 반도체층(650)을 포함한다.Referring to FIG. 6, the light emitting device 600 according to the sixth embodiment includes a substrate 610, a buffer layer 620, a light emitting structure 660, a transparent conductive layer 670, a current limiting layer 680, and a first An electrode 635 and a second electrode 690 may be included. Here, the light emitting structure 660 includes a first semiconductor layer 630, an active layer 640 and a second semiconductor layer 650.

제6 실시예에 따른 발광 소자(600)를 설명함에 있어서, 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)에 대한 설명과 중복되는 설명은 생략하도록 한다.In describing the light emitting device 600 according to the sixth embodiment, a description overlapping with the description of the light emitting device 100 according to the first embodiment will be omitted.

제6 실시예에 따른 발광 소자(600)는 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)와 투명 전도층(670) 및 전류 제한층(680) 의 구조에 있어서 차이를 가진다.The light emitting device 600 according to the sixth embodiment has a difference in the structures of the light emitting device 100 according to the first embodiment, the transparent conductive layer 670 and the current limiting layer 680.

제 6 실시예에 따른 발광 소자(600)에 포함된 투명 전도층(670)은 제1 투명 전도층(671) 및 제2 투명 전도층(672)을 포함할 수 있다.The transparent conductive layer 670 included in the light emitting device 600 according to the sixth embodiment may include a first transparent conductive layer 671 and a second transparent conductive layer 672.

제1 투명 전도층(671)과 제2 투명 전도층(672)는 동일한 물질로 형성되며, 서로 다른 증착 방법으로 형성될 수 있다. The first transparent conductive layer 671 and the second transparent conductive layer 672 are formed of the same material and may be formed by different deposition methods.

예를 들면, 제1 투명 전도층(671)과 제2 투명 전도층(672)를 형성하기 위한 증착 방법은 Evaporation, Sputtering, Spray Prolysis, CVD, Dip coating, Reactive Ion plating, Wet coating, Screen printing, Laser Techniques 중 적어도 어느 하나의 방법이 사용될 수 있다.For example, deposition methods for forming the first transparent conductive layer 671 and the second transparent conductive layer 672 include Evaporation, Sputtering, Spray Prolysis, CVD, Dip coating, Reactive Ion plating, Wet coating, Screen printing, At least one method of laser techniques can be used.

제1 투명 전도층(671)과 제2 투명 전도층(672)은 증착 방법에 따라 동일한 물질로 형성되어도 다른 전기적 특정을 가질 수 있다.The first transparent conductive layer 671 and the second transparent conductive layer 672 may have different electrical characteristics even if they are formed of the same material according to a deposition method.

예를 들어, 상기 제1 투명 전도층(671)은 Sputtering 방법으로 형성할 수 있고, 상기 제2 투명 전도층(672)은 상기 제1 투명 전도층(671)과 동일한 물질을 Evaporation 방법으로 형성할 수 있다. 이 경우 상기 제1 투명 전도층(671)은 상기 제2 투명 전도층(672) 보다 큰 일함수를 갖는다.For example, the first transparent conductive layer 671 may be formed by a sputtering method, and the second transparent conductive layer 672 may form the same material as the first transparent conductive layer 671 by an evaporation method. Can. In this case, the first transparent conductive layer 671 has a greater work function than the second transparent conductive layer 672.

예를 들어, 상기 제1 투명 전도층(671)을 Sputtering 방법으로 형성할 때 플라즈마 파워를 낮게 설정하고, 상기 제2 투명 전도층(672)을 Sputtering 방법으로 형성할 때 플라즈마 파워를 낮게 높게 설정할 수 있다. 이 경우 상기 제1 투명 전도층(672)은 상기 제2 투명 전도층(672)보다 큰 일함수를 갖는다.For example, when forming the first transparent conductive layer 671 by the sputtering method, the plasma power may be set low, and when forming the second transparent conductive layer 672 by the sputtering method, the plasma power may be set low and high. have. In this case, the first transparent conductive layer 672 has a greater work function than the second transparent conductive layer 672.

상기 제1 투명 전도층(671)은 상기 제2 도전형의 반도체층(650)과 오믹 접촉을 할 수 있다.The first transparent conductive layer 671 may make ohmic contact with the second conductive semiconductor layer 650.

한편, 상기 제1 투명 전도층(671)과 제2 투명 전도층(672)은 동일한 물질로 형성되기 때문에, 상기 제1 투명 전도층(671)과 제2 투명 전도층(672)이 명확하게 구분되지 않을 수도 있다. 그러나, 상기 투명 전도층(670), 즉 상기 제1 투명 전도층(671)과 제2 투명 전도층(672)이 하나의 물질로 형성되는 경우에 영역에 따라 전기 전도성이 다를 수 있으며, 제2 투명 전도층(672)의 전기 전도성이 제1 투명 전도층(671)의 전기 전도성보다 클 수 있다.Meanwhile, since the first transparent conductive layer 671 and the second transparent conductive layer 672 are formed of the same material, the first transparent conductive layer 671 and the second transparent conductive layer 672 are clearly separated. It may not be. However, when the transparent conductive layer 670, that is, the first transparent conductive layer 671 and the second transparent conductive layer 672 are formed of one material, electrical conductivity may be different depending on the region, and the second The electrical conductivity of the transparent conductive layer 672 may be greater than that of the first transparent conductive layer 671.

제6 실시예에 따른 발광 소자(600)에 포함된 전류 제한층(680)은 제1층(681), 제2층(682) 및 제3층(683)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1층(681) 및 제3층(683)은 절연층에 해당하고, 산화 실리콘(SiO₂) 또는 불화마그네슘(MgF₂)을 이용하여 형성할 수 있다.The current limiting layer 680 included in the light emitting device 600 according to the sixth embodiment may include a first layer 681, a second layer 682, and a third layer 683. Here, the first layer 681 and the third layer 683 correspond to an insulating layer, and may be formed using silicon oxide (SiO ₂ ) or magnesium fluoride (MgF ₂ ).

또한, 제2층(682)은 반사층에 해당하고, 알루미늄(Al),은(Ag), 로듐(Rh) 혹은 Al이나 Ag를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수도 있다. 알루미늄(Al),은(Ag), 로듐(Rh) 등은 활성층에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.In addition, the second layer 682 corresponds to the reflective layer, and may be made of a metal layer containing an alloy containing aluminum (Al), silver (Ag), rhodium (Rh), or Al or Ag. Aluminum (Al), silver (Ag), rhodium (Rh), and the like can effectively improve light extraction efficiency of the light emitting device by effectively reflecting light generated from the active layer.

도 7은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment.

도 7을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자패키지(700)는 캐비티가 형성된 몸체(710), 몸체(710)에 실장되는 제1 전극(730) 및 제2 전극(740), 제1 및 제2 전극(730,740)과 전기적으로 연결되는 광원부(720) 및 광원부(720)을 덮도록 캐비티에 충진되는 봉지재(750)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, the light emitting device package 700 according to the embodiment includes a body 710 having a cavity, a first electrode 730 and a second electrode 740 mounted on the body 710, first and first A light source unit 720 electrically connected to the two electrodes 730 and 740 and an encapsulant 750 filled in the cavity to cover the light source unit 720 may be included.

몸체(710)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board), 세라믹 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(710)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The body 710 is made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), liquid crystal polymer (PSG, photo sensitive glass), polyamide 9T (PA9T) ), new geotactic polystyrene (SPS), metal material, sapphire (Al2O3), beryllium oxide (BeO), printed circuit board (PCB, Printed Circuit Board), may be formed of at least one of ceramics. The body 710 may be formed by an injection molding or etching process, but is not limited thereto.

몸체(710)의 내면은 경사면이 형성될 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 광원부(720)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. An inner surface of the body 710 may have an inclined surface. The angle of reflection of the light emitted from the light source unit 720 may be changed according to the angle of the inclined surface, and accordingly, the directing angle of the light emitted to the outside may be adjusted.

광의 지향각이 줄어들수록 광원부(720)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하고, 반대로 광의 지향각이 클수록 광원부(720)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.As the directivity of light decreases, the concentration of light emitted from the light source unit 720 increases, and conversely, as the directivity of light increases, the concentration of light emitted from the light source unit 720 decreases.

한편, 몸체(710)에 형성되는 캐비티를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Meanwhile, the shape of the cavity formed in the body 710 when viewed from above may be a circular shape, a rectangular shape, a polygonal shape, an elliptical shape, or the like, but may have a curved shape.

광원부(720)는 몸체(710)의 캐비티에 배치되며, 일 예로 광원부(720)는 도 1 내지 도 6에서 도시하고 설명한 발광소자 중 어느 하나일 수 있다. 발광소자는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광 소자는 한 개 이상 실장될 수 있다.The light source unit 720 is disposed in the cavity of the body 710, and for example, the light source unit 720 may be any one of the light emitting devices illustrated and described in FIGS. 1 to 6. The light emitting device may be a UV (Ultra Violet) light emitting device that emits ultraviolet rays, but is not limited thereto. Also, one or more light emitting devices may be mounted.

몸체(710)는 제1 전극(730) 및 제2 전극(740)을 포함할 수 있다. 제1 전극(730) 및 제2 전극(740)은 광원부(720)와 전기적으로 연결되어 광원부(720)에 전원을 공급할 수 있다.The body 710 may include a first electrode 730 and a second electrode 740. The first electrode 730 and the second electrode 740 may be electrically connected to the light source unit 720 to supply power to the light source unit 720.

또한, 제1 전극(730) 및 제2 전극(740)은 서로 전기적으로 분리되며, 광원부(720)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있고, 또한 광원부(720)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수 있다.In addition, the first electrode 730 and the second electrode 740 are electrically separated from each other, and can reflect light generated from the light source unit 720 to increase light efficiency, and also heat generated from the light source unit 720 Can be discharged to the outside.

도 7에는 제1 전극(730)과 제2 전극(740) 모두가 와이어(760)에 의해 광원부(720)와 본딩된 것을 도시하나, 이에 한정하지 않으며, 특히 수직형 발광소자의 경우는 제1 전극(730) 및 제2 전극(740) 중 어느 하나가 와이어(760)에 의해 광원부(720)와 본딩될 수 있으며, 플립칩 방식에 의해 와이어(760) 없이 광원부(720)와 전기적으로 연결될 수도 있다. 따라서 제1 및 제2 전극(730, 740)에 전원이 연결되면 발광소자에 전원이 인가될 수 있다. 한편, 수개의 리드 프레임(미도시)이 몸체(710)내에 실장되고 각각의 리드 프레임(미도시)이 발광소자와 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.7 illustrates that both the first electrode 730 and the second electrode 740 are bonded to the light source unit 720 by a wire 760, but is not limited thereto. In particular, in the case of a vertical light emitting device, the first electrode Any one of the electrode 730 and the second electrode 740 may be bonded to the light source unit 720 by a wire 760, or may be electrically connected to the light source unit 720 without a wire 760 by a flip chip method. have. Therefore, when power is connected to the first and second electrodes 730 and 740, power may be applied to the light emitting device. Meanwhile, several lead frames (not shown) may be mounted in the body 710 and each lead frame (not shown) may be electrically connected to the light emitting device, but is not limited thereto.

이러한 제1 전극(730) 및 제2 전극(740)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 전극(730) 및 제2 전극(740)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first electrode 730 and the second electrode 740 are metal materials, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum ( Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium ( Ge), hafnium (Hf), ruthenium (Ru), and iron (Fe). In addition, the first electrode 730 and the second electrode 740 may be formed to have a single-layer or multi-layer structure, but are not limited thereto.

봉지재(미도시)는 광원부(720)를 덮도록 캐비티에 충진될 수 있다.An encapsulant (not shown) may be filled in the cavity to cover the light source unit 720.

봉지재(미도시)는 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있으며, 캐비티 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다.The encapsulant (not shown) may be formed of silicone, epoxy, and other resin materials, and after filling in the cavity, it may be formed by ultraviolet or heat curing.

또한 봉지재(미도시)는 형광체를 포함할 수 있으며, 형광체는 광원부(720)에서 방출되는 광의 파장에 종류가 선택되어 발광소자 패키지(700)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다. In addition, the encapsulant (not shown) may include a phosphor, and the phosphor is selected by the type of wavelength of light emitted from the light source unit 720 so that the light emitting device package 700 can implement white light.

이러한 형광체는 광원부(720)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다. According to the wavelength of the light emitted from the light source unit 720, one of the blue light emitting phosphor, blue light emitting phosphor, green light emitting phosphor, yellow green light emitting phosphor, yellow light emitting phosphor, yellow red light emitting phosphor, orange light emitting phosphor, and red light emitting phosphor Can be applied.

즉, 형광체는 광원부(720)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 광원부(720)가 UV 발광 다이오드이고 형광체가 적색, 녹색, 청색이 다층으로 형성된 형광체인 경우, UV 발광다이오드에서 발생한 자외선 영역의 빛이 적색, 녹색 및 청색 형광체를 통과하면서 여기되어 백색 빛을 제공할 수 있다.That is, the phosphor is excited by the light having the first light emitted from the light source unit 720 to generate the second light. For example, when the light source unit 720 is a UV light emitting diode and the phosphor is a red, green, and blue multilayered phosphor, light in the ultraviolet region generated by the UV light emitting diode is excited while passing through the red, green, and blue phosphors to be white Can provide light.

이러한 형광체는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 형광체일 수 있다.Such phosphors may be known phosphors such as YAG-based, TAG-based, sulfide-based, silicate-based, aluminate-based, nitride-based, carbide-based, nitridosilicate-based, borate-based, fluoride-based, and phosphate-based.

실시예에 따른 발광 소자는 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 8 및 도 9에 도시된 표시 장치, 도 10에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may be applied to an illumination system. The lighting system includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arrayed, and includes the display device shown in FIGS. 8 and 9, the lighting device shown in FIG. 10, and may include a lighting lamp, a traffic light, a vehicle headlight, and a signboard. have.

도 8은 실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 표시 장치의 분해 사시도이다. 8 is an exploded perspective view of a display device including a light emitting device according to an embodiment.

도 8을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 8, the display device 1000 according to an exemplary embodiment includes a light guide plate 1041, a light source module 1031 providing light to the light guide plate 1041, and a reflective member 1022 under the light guide plate 1041. ), an optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061 on the optical sheet 1051, the light guide plate 1041, a light source module 1031, and a reflective member 1022. It may include a bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 may be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethylmethacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphtha late) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse light and make a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin series such as PMMA (polymethylmethacrylate), PET (polyethylene terephthalate), PC (poly carbonate), COC (cycloolefin copolymer) and PEN (polyethylene naphtha late) It may include one of the resin.

상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light source module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of the display device.

상기 광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 발광 소자(1035)를 포함하며, 상기 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. The light source module 1031 includes at least one, and may directly or indirectly provide light from one side of the light guide plate 1041. The light source module 1031 includes a substrate 1033 and a light emitting device 1035 according to the embodiment disclosed above, and the light emitting devices 1035 may be arranged on the substrate 1033 at predetermined intervals. .

상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 1033 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB, metal core PCB), a flexible PCB (FPCB, flexible PCB), and the like. When the light emitting element 1035 is mounted on a side surface of the bottom cover 1011 or a heat radiation plate, the substrate 1033 may be removed. Here, a part of the heat dissipation plate may be in contact with the top surface of the bottom cover 1011.

그리고, 상기 복수의 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the plurality of light emitting elements 1035 may be mounted such that an emission surface on which the light is emitted on the substrate 1033 is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but is not limited thereto. The light emitting element 1035 may directly or indirectly provide light to the light incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflection member 1022 may improve the luminance of the light unit 1050 by reflecting light incident on the bottom surface of the light guide plate 1041 and facing upward. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may accommodate the light guide plate 1041, a light source module 1031, a reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with an accommodating portion 1012 having a box shape with an open top surface, but is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be combined with a top cover, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or non-metal material having good thermal conductivity, but is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, and includes first and second substrates of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, and is not limited to the attachment structure of the polarizing plate. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. The display device 1000 may be applied to various portable terminals, notebook computer monitors, laptop computer monitors, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041, and includes at least one transmissive sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses the incident light, the horizontal or/and vertical prism sheet condenses the incident light into the display area, and the luminance enhancement sheet reuses the lost light to improve luminance. In addition, a protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but is not limited thereto.

여기서, 상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, as the optical member on the light path of the light source module 1031, the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included, but is not limited thereto.

도 9는 실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 표시 장치를 나타낸 단면도이다. 9 is a cross-sectional view illustrating a display device including a light emitting device according to an embodiment.

도 9를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(1124)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. Referring to FIG. 9, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1120 on which the light-emitting elements 1124 disclosed above are arrayed, an optical member 1154, and a display panel 1155.

상기 기판(1120)과 상기 발광 소자(1124)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기의 광원 모듈(1160)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광 소자(1124)를 포함한다.The substrate 1120 and the light emitting device 1124 may be defined as a light source module 1160. The bottom cover 1152, at least one light source module 1160, and the optical member 1154 may be defined as a light unit 1150. The bottom cover 1152 may include a storage unit 1153, which is not limited thereto. The light source module 1160 includes a substrate 1120 and a plurality of light emitting elements 1124 arranged on the substrate 1120.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(polymethyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancing sheet. The light guide plate may be made of PC material or PMMA (polymethyl methacrylate) material, and the light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses the incident light, the horizontal and vertical prism sheets converge the incident light into the display area, and the luminance enhancement sheet reuses the lost light to improve luminance.

상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1160) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1160)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light source module 1160 and performs surface light or diffusion, condensing, and the like, emitted from the light source module 1160.

도 10은 실시 예에 따른 발광소자를 포함하는 조명장치의 분해 사시도이다.10 is an exploded perspective view of a lighting device including a light emitting device according to an embodiment.

도 10을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10, the lighting device according to the embodiment may include a cover 2100, a light source module 2200, a heat radiator 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, and a socket 2800. Can be. In addition, the lighting device according to the embodiment may further include any one or more of the member 2300 and the holder 2500. The light source module 2200 may include a light emitting device according to an embodiment.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, a hollow portion, and a portion of the cover 2100. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200. For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 2200. The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be combined with the heat radiator 2400. The cover 2100 may have a coupling portion coupled to the heat radiator 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. A milky white coating may be coated on the inner surface of the cover 2100. The milky white paint may include a diffusion material that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is for light from the light source module 2200 to be sufficiently scattered and diffused to be emitted to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 2100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate has excellent light resistance, heat resistance, and strength. The cover 2100 may be transparent so that the light source module 2200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 2100 may be formed through blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 발광소자(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one surface of the heat radiator 2400. Thus, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat sink 2400. The light source module 2200 may include a light emitting device 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광소자(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 발광소자(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on an upper surface of the radiator 2400 and has guide grooves 2310 into which a plurality of light emitting elements 2210 and a connector 2250 are inserted. The guide groove 2310 corresponds to the substrate and connector 2250 of the light emitting element 2210.

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflective material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects light that is reflected on the inner surface of the cover 2100 and returns to the direction of the light source module 2200 in the direction of the cover 2100 again. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting device according to the embodiment.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of, for example, an insulating material. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact may be made between the heat sink 2400 and the connection plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to block electrical shorts between the connection plate 2230 and the heat radiator 2400. The radiator 2400 radiates heat by receiving heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.The holder 2500 closes the storage groove 2719 of the insulating portion 2710 of the inner case 2700. Therefore, the power supply unit 2600 accommodated in the insulation portion 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 may include a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides it to the light source module 2200. The power supply unit 2600 is accommodated in a storage groove 2719 of the inner case 2700 and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500.

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 돌출부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide 2630, a base 2650, and a protrusion 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 2630 has a shape protruding from the side of the base 2650 to the outside. The guide part 2630 may be inserted into the holder 2500. A plurality of parts may be disposed on one surface of the base 2650. The plurality of components include, for example, a DC converter for converting AC power provided from an external power source into DC power, a driving chip controlling driving of the light source module 2200, and ESD for protecting the light source module 2200. (ElectroStatic discharge) may include a protection element, but is not limited thereto.

상기 돌출부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 돌출부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The protrusion 2670 has a shape protruding from the other side of the base 2650 to the outside. The protrusion 2670 is inserted into the connection portion 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the protrusion 2670 may be provided equal to or smaller than the width of the connecting portion 2750 of the inner case 2700. Each end of the "+ wire" and the "- wire" may be electrically connected to the protrusion 2670, and the other end of the "+ wire" and the "- wire" may be electrically connected to the socket 2800.

상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 2700 may include a molding unit together with the power supply unit 2600 therein. The molding portion is a portion in which the molding liquid is hardened, so that the power supply unit 2600 can be fixed inside the inner case 2700.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, although the embodiments have been mainly described above, these are merely examples and do not limit the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains are exemplified above in a range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. You will see that it is possible to modify and apply various papers. For example, each component specifically shown in the embodiments can be implemented by modification. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

Claims

Board;
A light emitting structure formed on the substrate and including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer;
A transparent conductive layer disposed on the light emitting structure;
A current limiting layer disposed in the transparent conductive layer;
A first electrode disposed on an upper surface of the first semiconductor layer; And
The second electrode is disposed on the transparent conductive layer, the current limiting layer and at least a portion overlapping in the vertical direction,
The transparent conductive layer,
A first transparent conductive layer disposed on the light emitting structure; And
And a second transparent conductive layer disposed on the first transparent conductive layer,
The current limiting layer is disposed between the first and second transparent conductive layers, and has a lower height and a smaller horizontal width than the transparent conductive layer,
The current limiting layer,
A first layer disposed on the first transparent conductive layer and including an insulating material;
A second layer disposed on the first layer and including a metal material; And
A third layer disposed on the second layer and including an insulating material,
The second transparent conductive layer is in direct contact with the side surfaces of the first to third layers and the top surface of the third layer,
The first transparent conductive layer is a light emitting device having a greater work function than the second transparent conductive layer.

According to claim 1,
The second and third layers are light emitting devices spaced apart from the first transparent conductive layer.

According to claim 1,
The second transparent conductive layer has a higher electrical conductivity than the first transparent conductive layer,
The first transparent conductive layer is a light emitting device that is ohmic contact with the second semiconductor layer.

According to claim 1,
The transparent conductive layer, among ITO, ZnO, AZO, IZO, ZITO, Sn-O, In-O, Ga-O, TiN, CrN, TaN, In-N, ITON, ZnON, O-In-N, IZON At least one,
The first layer and the third layer include SiO ₂ or MgF ₂ , and the second layer includes Al or Ag.

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