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KR102156160B1 - Organic light emitting display device, organic light emitting display panel, and method for driving the organic light emitting display device - Google Patents

Organic light emitting display device, organic light emitting display panel, and method for driving the organic light emitting display device Download PDF

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KR102156160B1
KR102156160B1 KR1020140149904A KR20140149904A KR102156160B1 KR 102156160 B1 KR102156160 B1 KR 102156160B1 KR 1020140149904 A KR1020140149904 A KR 1020140149904A KR 20140149904 A KR20140149904 A KR 20140149904A KR 102156160 B1 KR102156160 B1 KR 102156160B1
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Abstract

본 실시예들은, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법에 관한 것이다. In the present embodiments, an organic light-emitting display device, an organic light-emitting display panel, and a driving device capable of shortening the sensing time by making the voltage saturation speed of the sensing node faster and allowing the saturation voltage of the sensing node to be sensed at a more appropriate timing. It's about how.

Description

유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE, ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY PANEL, AND METHOD FOR DRIVING THE ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Organic light emitting display device, organic light emitting display panel, and driving method {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE, ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY PANEL, AND METHOD FOR DRIVING THE ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display device, an organic light emitting display panel, and a driving method.

최근, 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 큰 장점이 있다. 2. Description of the Related Art Recently, organic light-emitting display devices, which have been in the spotlight as display devices, use organic light-emitting diodes (OLEDs) that emit light by themselves, so that response speed is fast, and luminous efficiency, luminance, and viewing angle are great.

이러한 유기발광표시장치는 유기발광다이오드가 포함된 서브픽셀을 매트릭스 형태로 배열하고 스캔 신호에 의해 선택된 화소들의 밝기를 제어한다. In such an organic light emitting display device, subpixels including organic light emitting diodes are arranged in a matrix form and brightness of pixels selected by a scan signal is controlled.

이러한 유기발광표시장치의 각 서브픽셀은, 유기발광다이오드 이외에도, 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 회로를 포함한다. In addition to the organic light emitting diode, each subpixel of such an organic light emitting display device includes a driving circuit for driving the organic light emitting diode.

이러한 각 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 구동 회로는, 트랜지스터 및 스토리지 캐패시터 등을 포함한다. The driving circuit of the organic light emitting diode in each of the subpixels includes a transistor and a storage capacitor.

이러한 구동 회로 내 트랜지스터는 문턱전압, 이동도 등의 고유 특성치를 갖는다. Transistors in the driving circuit have inherent characteristics such as threshold voltage and mobility.

한편, 구동 회로 내 트랜지스터(특히, 유기발광다이오드로 전류를 공급하는 구동 트랜지스터)는 구동시간이 길어지게 되면, 열화(Degradation)가 진행되어, 트랜지스터의 고유 특성치가 변할 수 있다. 이에 따라, 각 트랜지스터 간의 고유 특성치의 편차가 발생한다. Meanwhile, when the driving time of a transistor in a driving circuit (especially, a driving transistor that supplies current to an organic light emitting diode) increases, degradation may proceed, and the inherent characteristic value of the transistor may change. As a result, variations in intrinsic characteristic values between the respective transistors occur.

이러한 트랜지스터 간의 고유 특성치의 편차는, 각 서브픽셀 간 휘도 편차를 발생시켜 화상 품질을 저하하는 주요 요인이 될 수 있다. Variations in characteristic values between transistors may be a major factor in deteriorating image quality by causing brightness variations between subpixels.

따라서, 각 서브픽셀 내 트랜지스터의 특성치를 센싱하여 이를 보상해줄 수 있는 기능이 개발되었다. Therefore, a function capable of compensating by sensing the characteristic values of the transistors in each subpixel has been developed.

한편, 각 서브픽셀 내 트랜지스터의 문턱전압 등의 고유 특성치를 센싱하여 보상해주기 위해서, 각 서브픽셀에서의 특정 센싱 노드를 어떠한 전압 값으로 초기화시킨 이후, 변화시켜, 특정 센싱 노드의 포화한 전압을 센싱(측정) 하여 센싱 된 전압을 토대로 트랜지스터의 문턱전압 등의 고유 특성치를 보상해준다. Meanwhile, in order to sense and compensate for intrinsic characteristic values such as the threshold voltage of a transistor in each subpixel, a specific sensing node in each subpixel is initialized to a certain voltage value and then changed to sense the saturated voltage of a specific sensing node. Based on the sensed voltage by (measurement), it compensates for intrinsic characteristics such as the threshold voltage of the transistor.

이때, 각 서브픽셀의 센싱 노드의 전압이 포화하는데 상당히 긴 시간이 걸리게 된다. 따라서, 유기발광표시패널 상의 모든 서브픽셀에 대한 센싱 동작을 완료하는데 너무 많은 시간이 걸리는 문제점이 있다. At this time, it takes a very long time for the voltage of the sensing node of each subpixel to saturate. Therefore, there is a problem that it takes too much time to complete the sensing operation for all subpixels on the organic light emitting display panel.

본 실시예들의 목적은, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법을 제공하는 데 있다. It is an object of the present embodiments to provide an organic light emitting display device, an organic light emitting display panel, and a driving method capable of shortening a sensing time.

본 실시예들의 다른 목적은, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법을 제공하는 데 있다. Another object of the present embodiments is an organic light-emitting display device capable of shortening the sensing time by making the voltage saturation speed of the sensing node faster and allowing the saturation voltage of the sensing node to be sensed at a more appropriate timing. It is to provide a panel and a driving method.

본 실시예들의 또 다른 목적은, 데이터 전압 조정을 통해, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법을 제공하는 데 있다. Another object of the present embodiments is to increase the voltage saturation speed of the sensing node by adjusting the data voltage so that the saturation voltage of the sensing node can be sensed at a more appropriate timing, thereby shortening the sensing time. It is to provide a light emitting display device, an organic light emitting display panel, and a driving method.

본 실시예들의 또 다른 목적은, 구동전압 전압 조정을 통해, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법을 제공하는 데 있다. Another object of the present embodiments is to increase the voltage saturation speed of the sensing node by adjusting the driving voltage voltage, so that the saturation voltage of the sensing node can be sensed at a more timing, thereby shortening the sensing time. An organic light emitting display device, an organic light emitting display panel, and a driving method are provided.

일 실시예는, 데이터 라인들, 게이트 라인들 및 구동전압 라인들이 배치되고, 서브픽셀들이 배치된 유기발광표시패널과, 데이터 라인들로 데이터 전압들을 공급하는 데이터 구동부와, 게이트 라인들로 스캔 신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동부와, 데이터 구동부 및 게이트 구동부를 제어하는 타이밍 컨트롤러와, 센싱 모드 구간 동안 각 서브픽셀 내 센싱 노드의 전압을 센싱하여 센싱데이터를 전송하는 센서와, 센싱데이터를 토대로 보상 프로세스를 수행하는 보상기를 포함하는 유기발광표시장치를 제공한다. In one embodiment, an organic light emitting display panel on which data lines, gate lines and driving voltage lines are arranged and subpixels are arranged, a data driver supplying data voltages to the data lines, and a scan signal to the gate lines A gate driver that sequentially supplies a gate driver, a timing controller that controls a data driver and a gate driver, a sensor that senses a voltage of a sensing node in each subpixel during a sensing mode period and transmits sensing data, and a compensation process based on the sensing data It provides an organic light emitting display device including a compensator for performing.

이러한 유기발광표시장치에서, 데이터 구동부는, 센싱 모드 구간에서, 기준 데이터 전압 값에서 일정시간 동안 오버슈팅 전압 값만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값으로 다시 하강하는 데이터 전압을 공급할 수 있다. In such an organic light emitting display device, the data driver may supply a data voltage that increases by an overshooting voltage value for a predetermined time from a reference data voltage value and then falls back to the reference data voltage value in the sensing mode period.

다른 실시예는, 제1방향으로 배치되고 데이터 전압들을 공급하는 데이터 라인들과, 제1방향과 교차하는 제2방향으로 배치되고 스캔 신호를 순차적으로 게이트 라인들과, 매트릭스 타입으로 배치된 서브픽셀들을 포함하는 유기발광표시패널을 제공한다. In another embodiment, data lines arranged in a first direction and supplying data voltages, and subpixels arranged in a second direction crossing the first direction and sequentially arranged in a scan signal with gate lines, in a matrix type It provides an organic light emitting display panel including them.

이러한 유기발광표시패널에서, 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간에서, 각 데이터 라인을 통해 공급되는 데이터 전압은, 기준 데이터 전압 값에서 일정시간 동안 오버슈팅 전압 값만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값으로 다시 하강할 수 있다. In such an organic light emitting display panel, in a mode section different from the display mode section, the data voltage supplied through each data line rises from the reference data voltage value by the overshooting voltage value for a certain period of time and then falls back to the reference data voltage value. can do.

또 다른 실시예는, 센싱 모드가 인에이블 되면, 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 제1노드 및 제2노드 각각에 데이터 전압 및 기준전압을 인가하는 단계와, 구동 트랜지스터의 제2노드를 플로팅시켜 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압을 상승시키는 단계와, 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압이 상승하다가 포화하면, 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압을 센싱하는 단계와, 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압을 센싱한 결과를 토대로, 해당 서브픽셀에 대한 데이터를 변경하는 단계와, 디스플레이 모드가 인에이블 되면, 변경된 데이터를 이용하여 해당 서브픽셀을 구동하는 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동방법에 제공한다. In another embodiment, when the sensing mode is enabled, applying a data voltage and a reference voltage to each of a first node and a second node of a driving transistor in a corresponding subpixel, and driving by floating the second node of the driving transistor The steps of increasing the voltage of the second node of the transistor, sensing the voltage of the second node of the driving transistor when the voltage of the second node of the driving transistor rises and then saturates, and the step of sensing the voltage of the second node of the driving transistor Based on the sensing result, it is provided to a driving method of an organic light-emitting display device comprising the step of changing data for a corresponding sub-pixel, and driving the corresponding sub-pixel using the changed data when the display mode is enabled. .

이러한 유기발광표시장치의 구동방법에서, 구동 트랜지스터의 제1노드에 인가되는 데이터 전압은, 기준 데이터 전압 값에서 일정시간 동안 오버슈팅 전압 값만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값으로 다시 하강할 수 있다. In such a driving method of an organic light emitting display device, the data voltage applied to the first node of the driving transistor may increase from the reference data voltage value by the overshooting voltage value for a predetermined period of time and then decrease again to the reference data voltage value.

또 다른 실시예는, 데이터 라인들, 게이트 라인들 및 구동전압 라인들이 배치되고, 서브픽셀들이 배치된 유기발광표시패널과, 데이터 라인들로 데이터 전압들을 공급하는 데이터 구동부와, 게이트 라인들로 스캔 신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동부와, 데이터 구동부 및 게이트 구동부를 제어하는 타이밍 컨트롤러와, 센싱 모드 구간 동안 각 서브픽셀 내 센싱 노드의 전압을 센싱하여 센싱데이터를 전송하는 센서와, 센싱데이터를 토대로 보상 프로세스를 수행하는 보상기를 포함하는 유기발광표시장치를 제공한다. In another embodiment, an organic light emitting display panel in which data lines, gate lines, and driving voltage lines are arranged and subpixels are arranged, a data driver supplying data voltages to the data lines, and scanning with gate lines A gate driver that sequentially supplies signals, a timing controller that controls the data driver and the gate driver, a sensor that senses the voltage of the sensing node in each subpixel during the sensing mode period and transmits the sensing data, and compensates based on the sensing data. It provides an organic light emitting display device including a compensator for performing a process.

이러한 유기발광표시장치에서, 센싱 모드 구간에서 구동전압 라인들을 통해 공급되는 구동전압은, 디스플레이 모드 구간에서 구동전압 라인들을 통해 공급되는 구동전압보다 높을 수 있다. In such an organic light emitting display device, the driving voltage supplied through the driving voltage lines in the sensing mode period may be higher than the driving voltage supplied through the driving voltage lines in the display mode period.

또 다른 실시예는, 제1방향으로 배치되고 데이터 전압들을 공급하는 데이터 라인들과, 제1방향과 교차하는 제2방향으로 배치되고 스캔 신호를 순차적으로 게이트 라인들과, 매트릭스 타입으로 배치된 서브픽셀들을 포함하는 유기발광표시패널을 제공한다. In yet another embodiment, data lines arranged in a first direction and supplying data voltages, and subs arranged in a second direction crossing the first direction and sequentially arranged in a scan signal in a matrix type It provides an organic light emitting display panel including pixels.

이러한 유기발광표시패널은, 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간에서는, 디스플레이 구동 모드 구간에서보다, 높은 구동전압을 공급하는 구동전압 라인들을 포함할 수 있다. The organic light-emitting display panel may include driving voltage lines that supply a higher driving voltage in a mode period different from the display mode period than in the display driving mode period.

이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법을 제공할 수 있다. According to the exemplary embodiments described above, an organic light emitting display device, an organic light emitting display panel, and a driving method capable of shortening a sensing time can be provided.

또한, 본 실시예들에 의하면, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법을 제공할 수 있다. In addition, according to the present embodiments, the voltage saturation speed of the sensing node is made faster, so that the saturation voltage of the sensing node can be sensed at a more appropriate timing, thereby reducing the sensing time. A display panel and a driving method can be provided.

또한, 본 실시예들에 의하면, 데이터 전압 조정을 통해, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법을 제공할 수 있다. In addition, according to the present embodiments, by adjusting the data voltage, the voltage saturation speed of the sensing node is further accelerated, and the saturation voltage of the sensing node can be sensed at a more timing, thereby reducing the sensing time. A light emitting display device, an organic light emitting display panel, and a driving method can be provided.

또한, 본 실시예들에 의하면, 구동전압 전압 조정을 통해, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 구동방법을 제공할 수 있다. In addition, according to the present embodiments, by adjusting the driving voltage voltage, the voltage saturation speed of the sensing node is made faster, and the saturation voltage of the sensing node can be sensed at a more timing, thereby shortening the sensing time. An organic light-emitting display device, an organic light-emitting display panel, and a driving method can be provided.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구성도이다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀의 간략화된 등가회로도를 예시적으로 나타낸다.
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 보상 구성을 나타낸다.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널의 구동 모드를 나타낸다.
도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 모드 구간에서 센싱 동작 단계를 나타낸다.
도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 모드 구간에서, 구동전압 및 데이터 전압의 기본적인 신호 파형과, 센싱 노드의 전압 변화를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 모드 구간에서, 센싱 시간 단축을 위하여, 오버슈팅(Overshooting) 된 데이터 전압(vdata)의 신호 파형을 나타낸다.
도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 모드 구간에서, 오버슈팅(Overshooting) 된 데이터 전압(vdata)을 이용하는 경우, 센싱 노드의 전압 변화를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 모드 구간에서, 센싱 시간 단축을 위하여, 상승 된 구동전압(EVDD)의 신호 파형을 나타낸다.
도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 모드 구간에서, 상승 된 구동전압(EVDD)을 이용하는 경우, 센싱 노드의 전압 변화를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀의 등가회로도를 예시적으로 나타낸다.
도 12는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동방법의 흐름도이다.
1 is a configuration diagram of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
2 is a simplified equivalent circuit diagram of a subpixel of an organic light emitting display device according to the present exemplary embodiments.
3 illustrates a compensation configuration of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
4 illustrates a driving mode of an organic light emitting display panel according to the present embodiments.
5 illustrates a sensing operation step in a sensing mode section of the organic light emitting display device according to the present embodiments.
6 is a diagram illustrating basic signal waveforms of a driving voltage and a data voltage, and a voltage change of a sensing node in a sensing mode section of the OLED display according to the present embodiments.
7 illustrates a signal waveform of an overshooting data voltage vdata in order to shorten a sensing time in a sensing mode section of the organic light emitting display device according to the present embodiments.
FIG. 8 is a diagram illustrating a voltage change of a sensing node when an overshooted data voltage vdata is used in a sensing mode section of the organic light emitting display device according to the present embodiments.
9 illustrates a signal waveform of an increased driving voltage EVDD in order to shorten a sensing time in a sensing mode section of the organic light emitting display device according to the present embodiments.
10 is a diagram illustrating a voltage change of a sensing node when an elevated driving voltage EVDD is used in a sensing mode section of the organic light emitting display device according to the present embodiments.
11 exemplarily shows an equivalent circuit diagram of a subpixel of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
12 is a flowchart of a method of driving an organic light emitting display device according to the present embodiments.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to elements of each drawing, the same elements may have the same numerals as possible even if they are indicated on different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof may be omitted.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the constituent elements of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b) may be used. These terms are only for distinguishing the component from other components, and the nature, order, order, or number of the component is not limited by the term. When a component is described as being "connected", "coupled" or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to that other component, but other components between each component It is to be understood that is "interposed", or that each component may be "connected", "coupled" or "connected" through other components.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구성도이다. 1 is a configuration diagram of an organic light emitting display device 100 according to the present embodiments.

도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 유기발광표시패널(110), 데이터 구동부(120), 게이트 구동부(130), 타이밍 컨트롤러(140) 등을 포함한다. Referring to FIG. 1, the organic light-emitting display device 100 according to the present embodiments includes an organic light-emitting display panel 110, a data driver 120, a gate driver 130, a timing controller 140, and the like. .

유기발광표시패널(110)에는, 제1방향으로 다수의 데이터 라인(DL: Data Line)이 배치되고, 제1방향과 교차하는 제2방향으로 다수의 게이트 라인(GL: Gate Line)이 배치되며, 다수의 서브픽셀(SP: Sub Pixel)이 매트릭스 타입으로 배치된다. 데이터 구동부(120)는, 데이터 라인들로 데이터 전압을 공급하여 데이터 라인들을 구동한다. 게이트 구동부(130)는, 게이트 라인들로 스캔 신호를 순차적으로 공급하여 게이트 라인들을 순차적으로 구동한다. 타이밍 컨트롤러(140)는, 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130)로 제어신호를 공급하여, 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130)를 제어한다. In the organic light emitting display panel 110, a plurality of data lines (DL) are disposed in a first direction, a plurality of gate lines (GL) are disposed in a second direction crossing the first direction, and , A plurality of sub-pixels (SP) are arranged in a matrix type. The data driver 120 drives data lines by supplying data voltages to the data lines. The gate driver 130 sequentially drives the gate lines by sequentially supplying scan signals to the gate lines. The timing controller 140 supplies control signals to the data driver 120 and the gate driver 130 to control the data driver 120 and the gate driver 130.

타이밍 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 호스트 시스템(160)에서 입력되는 영상 데이터(Data)를 데이터 구동부(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터(Data')를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. The timing controller 140 starts scanning according to the timing implemented in each frame, and converts the image data input from the host system 160 according to the data signal format used by the data driver 120. It outputs the image data (Data') and controls the data drive at an appropriate time according to the scan.

게이트 구동부(130)는, 타이밍 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 게이트 라인들로 순차적으로 공급하여 게이트 라인들을 순차적으로 구동한다. The gate driver 130 sequentially drives the gate lines by sequentially supplying scan signals of an on voltage or an off voltage to the gate lines under the control of the timing controller 140.

게이트 구동부(130)는, 구동 방식에 따라서, 도 1에서와 같이, 유기발광표시패널(110)의 양측에 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 한 측에만 위치할 수도 있다. The gate driver 130 may be located on both sides of the organic light emitting display panel 110 as shown in FIG. 1, depending on the driving method, or may be located only on one side in some cases.

또한, 게이트 구동부(130)는, 다수의 게이트 드라이버 집적회로(Gate Driver IC, GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ... , GDIC #N', N: 1 이상의 자연수)를 포함할 수 있는데, 이러한 다수의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ... , GDIC #N')는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape AuTrmated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. In addition, the gate driver 130 includes a plurality of gate driver integrated circuits (Gate Driver IC, GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ..., GDIC #N', N: 1 or more. A natural number), and such a plurality of gate driver integrated circuits (GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ..., GDIC #N') are tape-automated bonding (TAB : Tape AuTrmated Bonding) method or chip-on-glass (COG) method connected to the bonding pad of the display panel 110, or implemented as a GIP (Gate In Panel) type directly to the organic light emitting display panel 110 It may be disposed, and in some cases, may be integrated and disposed on the organic light emitting display panel 110.

위에서 언급한 다수의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ... , GDIC #N') 각각은 쉬프트 레지스터, 레벨 쉬프터 등을 포함할 수 있다. Each of a plurality of gate driver integrated circuits (GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ..., GDIC #N') mentioned above may include a shift register, a level shifter, and the like.

데이터 구동부(120)는, 특정 게이트 라인이 열리면, 타이밍 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터(Data')를 아날로그 형태의 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 데이터 라인들로 공급함으로써, 데이터 라인들을 구동한다. When a specific gate line is opened, the data driver 120 converts the image data Data' received from the timing controller 140 into an analog data voltage Vdata and supplies it to the data lines, thereby driving the data lines. do.

데이터 구동부(120)는, 다수의 소스 드라이버 집적회로(Source Driver IC, 데이터 드라이버 집적회로(Data Driver IC)라고도 함, SDIC #1, ... , SDIC #M, M: 1 이상의 자연수)를 포함할 수 있는데, 이러한 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC #1, ... , SDIC #M)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape AuTrmated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. The data driver 120 includes a plurality of source driver integrated circuits (Source Driver IC, also referred to as a data driver IC, SDIC #1, ..., SDIC #M, M: a natural number greater than or equal to 1) Many of these source driver integrated circuits (SDIC #1, ..., SDIC #M) are organic light-emitting displays using a tape-automated bonding (TAB) method or a chip-on-glass (COG) method. It may be connected to a bonding pad of the panel 110, or may be directly disposed on the organic light emitting display panel 110, or may be integrated and disposed on the organic light emitting display panel 110 in some cases.

위에서 언급한 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC #1, ... , SDIC #M) 각각은, 쉬프트 레지스터, 래치, 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital Analog Converter), 출력 버터 등을 포함하고, 경우에 따라서, 서브픽셀 보상을 위해 아날로그 전압 값을 센싱하여 디지털 값으로 변환하고 센싱 데이터를 생성하여 출력하는 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. Each of the multiple source driver integrated circuits (SDIC #1, ..., SDIC #M) mentioned above includes a shift register, a latch, a digital analog converter (DAC), an output butter, etc. Accordingly, for subpixel compensation, an analog digital converter (ADC) may be further included that senses an analog voltage value, converts it into a digital value, and generates and outputs the sensing data.

다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC #1, ... , SDIC #M)는, 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC #1, ... , SDIC #M) 각각에서, 일 단은 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(Source Printed Circuit Board)에 본딩되고, 타 단은 유기발광표시패널(110)에 본딩된다. A plurality of source driver integrated circuits (SDIC #1, ..., SDIC #M) may be implemented in a Chip On Film (COF) method. In each of a plurality of source driver integrated circuits (SDIC #1, ..., SDIC #M), one end is bonded to at least one source printed circuit board, and the other end is an organic light emitting display panel ( 110).

한편, 위에서 언급한 호스트 시스템(160)은 입력 영상의 디지털 비디오 데이터(Data)와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 타이밍 컨트롤러(140)로 전송한다. Meanwhile, the host system 160 mentioned above includes a vertical synchronization signal (Vsync), a horizontal synchronization signal (Hsync), an input data enable (DE: Data Enable) signal, and a clock together with the digital video data (Data) of the input image. Various timing signals including a signal CLK and the like are transmitted to the timing controller 140.

타이밍 컨트롤러(140)는, 호스트 시스템(160)으로부터 입력된 데이터(Data)를 데이터 구동부(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터(Data')를 출력하는 것 이외에, 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130)로 출력한다. The timing controller 140 converts the data input from the host system 160 according to the data signal format used by the data driver 120 to output the converted image data Data'. In order to control the driving unit 120 and the gate driving unit 130, timing signals such as a vertical synchronization signal (Vsync), a horizontal synchronization signal (Hsync), an input DE signal, and a clock signal are received, and various control signals are generated to generate data. Output to the driver 120 and the gate driver 130.

예를 들어, 타이밍 컨트롤러(140)는, 게이트 구동부(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 게이트 제어 신호들(GCSs: Gate Control Signals)을 출력한다. 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 구동부(130)를 구성하는 게이트 드라이버 집적회로들(GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ... , GDIC #N')의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 게이트 드라이버 집적회로들(GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ... , GDIC #N')에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 게이트 드라이버 집적회로들(GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ... , GDIC #N')의 타이밍 정보를 지정하고 있다. For example, in order to control the gate driver 130, the timing controller 140 includes a gate start pulse (GSP), a gate shift clock (GSC), and a gate output enable signal (GOE). : Gate Control Signals (GCSs) including Gate Output Enable) are output. The gate start pulse (GSP) starts the operation of gate driver integrated circuits (GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ..., GDIC #N') constituting the gate driver 130 Control the timing. The gate shift clock (GSC) is a clock signal commonly input to gate driver integrated circuits (GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ..., GDIC #N'), and is a scan signal Controls the shift timing of (gate pulse). The gate output enable signal GOE designates timing information of gate driver integrated circuits GDIC #1, ..., GDIC #N, GDIC #1', ..., GDIC #N'.

타이밍 컨트롤러(140)는, 데이터 구동부(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Souce Output Enable) 등을 포함하는 데이터 제어 신호들(DCSs: Data Control Signals)을 출력한다. 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 구동부(120)를 구성하는 소스 드라이버 집적회로들(SDIC #1, ... , SDIC #M)의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로들(SDIC #1, ... , SDIC #M) 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 구동부(120)의 출력 타이밍을 제어한다. 경우에 따라서, 데이터 구동부(120)의 데이터 전압의 극성을 제어하기 위하여, 데이터 제어 신호들(DCSs)에 극성 제어 신호(POL)가 더 포함될 수 있다. 데이터 구동부(120)에 입력된 데이터(Data')가 mini LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스 규격에 따라 전송된다면, 소스 스타트 펄스(SSP)와 소스 샘플링 클럭(SSC)은 생략될 수 있다. In order to control the data driver 120, the timing controller 140 includes a source start pulse (SSP), a source sampling clock (SSC), and a source output enable signal (SOE: Souce Output Enable). ) Outputs data control signals (DCSs) including. The source start pulse SSP controls the data sampling start timing of the source driver integrated circuits (SDIC #1, ..., SDIC #M) constituting the data driver 120. The source sampling clock (SSC) is a clock signal that controls the sampling timing of data in each of the source driver integrated circuits (SDIC #1, ..., SDIC #M). The source output enable signal SOE controls the output timing of the data driver 120. In some cases, in order to control the polarity of the data voltage of the data driver 120, the polarity control signal POL may be further included in the data control signals DCSs. If data' input to the data driver 120 is transmitted according to the mini Low Voltage Differential Signaling (LVDS) interface standard, the source start pulse SSP and the source sampling clock SSC may be omitted.

도 1을 참조하면, 유기발광표시장치(100)는, 유기발광표시패널(110), 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러(150)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the organic light emitting display device 100 supplies various voltages or currents to the organic light emitting display panel 110, the data driver 120, the gate driver 130, or controls various voltages or currents to be supplied. It may further include a power controller 150.

이러한 전원 컨트롤러(150)는 전원 관리 집적회로(PMIC: Power Management IC)라고도 한다. The power controller 150 is also referred to as a power management integrated circuit (PMIC).

도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀의 간략화된 등가회로도를 예시적으로 나타낸다. 2 is a simplified equivalent circuit diagram of a subpixel of the organic light emitting display device 100 according to the present exemplary embodiments.

도 2를 참조하면, 유기발광표시장치(100)의 각 서브픽셀은, 기본적으로, 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 회로로 구성된다. Referring to FIG. 2, each subpixel of the organic light emitting display device 100 is basically composed of an organic light emitting diode (OLED) and a driving circuit that drives the organic light emitting diode (OLED).

도 2를 참조하면, 구동 회로는, 기본적으로, 유기발광다이오드(OLED)로 전류를 공급하여 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT: Driving TransisTrr)를 포함한다. Referring to FIG. 2, the driving circuit basically includes a driving transistor (DRT) that drives the organic light-emitting diode (OLED) by supplying current to the organic light-emitting diode (OLED).

이러한 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는, 게이트 노드로서, V1 전압이 인가된다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)는, 소스 노드 또는 드레인 노드로서, V2 전압이 인가된다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)는, 드레인 노드 또는 소스 노로서, 구동전압(EVDD: Driving Voltage)이 인가된다. 여기서, V1 전압은 해당 서브픽셀에 대응되는 데이터 전압(Vdata)일 수 있다. V2 전압은 V1 전압과 일정 전위차가 나는 전압으로서, 일 예로, 기준전압(Vref: Reference Voltage)일 수 있다. The first node N1 of the driving transistor DRT is a gate node, and a voltage V1 is applied thereto. The second node N2 of the driving transistor DRT is a source node or a drain node, and a voltage V2 is applied thereto. The third node N3 of the driving transistor DRT is a drain node or a source furnace, and a driving voltage (EVDD) is applied thereto. Here, the voltage V1 may be a data voltage Vdata corresponding to a corresponding subpixel. The voltage V2 is a voltage having a certain potential difference from the voltage V1, and may be, for example, a reference voltage (Vref).

도 2를 참조하면, 구동 회로는, 구동 트랜지스터(DRT)의 N1 노드와 N2 노드 사이에 연결되는 스토리지 캐패시터(Cstg: STrrage CapaciTrr)를 포함할 수 있다. 이러한 스토리지 캐패시터(Cstg)는 한 프레임 동안 일정 전압을 유지시켜 준다. Referring to FIG. 2, the driving circuit may include a storage capacitor Cstg (STrrage CapaciTrr) connected between nodes N1 and N2 of the driving transistor DRT. This storage capacitor Cstg maintains a constant voltage for one frame.

도 2는 각 서브픽셀의 회로적인 구성을 간략화하여 등가적으로 나타낸 것으로서, 실제적으로, 각 서브픽셀에서 유기발광다이오드(OELD)를 구동하는 구동 회로는, 구동 트랜지스터(DRT) 및 스토리지 캐패시터(Cstg) 이외에, 하나 이상의 트랜지스터를 더 포함할 수 있고, 경우에 따라서는, 하나 이상의 캐패시터를 더 포함할 수 있다. FIG. 2 is a simplified and equivalent diagram of a circuit configuration of each subpixel. In practice, a driving circuit for driving an organic light emitting diode (OELD) in each subpixel includes a driving transistor (DRT) and a storage capacitor (Cstg). In addition, one or more transistors may be further included, and in some cases, one or more capacitors may be further included.

한편, 각 서브픽셀 내 트랜지스터, 특히, 구동 트랜지스터(DRT)는 문턱전압(Vth: Threshold Voltage), 이동도(μ: Mobility) 등의 고유한 특성치를 갖는다. Meanwhile, a transistor in each subpixel, in particular, a driving transistor DRT has unique characteristic values such as a threshold voltage (Vth) and a mobility (μ).

트랜지스터(특히, 구동 트랜지스터(DRT))는 구동시간이 길어지게 되면, 열화(Degradation)가 진행되어, 트랜지스터의 고유 특성치가 변할 수 있다. 이에 따라, 각 트랜지스터 간의 고유 특성치의 편차가 발생한다. When the driving time of the transistor (especially, the driving transistor DRT) increases, degradation proceeds, and the characteristic value of the transistor may change. As a result, variations in intrinsic characteristic values between the respective transistors occur.

이러한 트랜지스터 간의 고유 특성치의 편차는, 각 서브픽셀 간 휘도 편차를 발생시켜 화상 품질을 저하하는 주요 요인이 될 수 있다. Variations in characteristic values between transistors may be a major factor in deteriorating image quality by causing brightness variations between subpixels.

이에, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀 간 휘도 편차를 보상해주기 위한 보상 기능을 제공하는 보상 구성을 포함한다. Accordingly, the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments includes a compensation component that provides a compensation function for compensating for a luminance deviation between subpixels.

도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상 구성을 나타낸다. 3 shows a compensation configuration of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments.

도 3을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 센서(310), 보상기(320) 등을 포함한다. Referring to FIG. 3, the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments includes a sensor 310 and a compensator 320.

센서(310)는, 각 서브픽셀(SP) 내 센싱 노드(SN: Sensing Node)의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압(Vsen)을 토대로, 센싱데이터(Dsen)를 보상기(320)로 전송한다. The sensor 310 senses the voltage of a sensing node SN in each subpixel SP, and transmits the sensing data Dsen to the compensator 320 based on the sensed voltage Vsen.

이러한 센서(310)는, 일 예로, 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog Digital Converter)일 수 있다. The sensor 310 may be, for example, an analog digital converter (ADC).

아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 각 서브픽셀에서의 센싱 노드(SN)와 센싱라인(SL: Sensing Line)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. The analog-to-digital converter ADC may be electrically connected to a sensing node SN in each subpixel through a sensing line SL.

아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 각 서브픽셀에서의 센싱 노드(SN)와 전기적으로 연결된 센싱라인(SL)을 통해, 센싱 노드(SN)의 센싱된 전압(Vsen)을 디지털 값으로 변환하여, 변환된 디지털 값들을 포함하는 토대로, 센싱데이터(Dsen)를 생성한다. The analog-to-digital converter (ADC) converts the sensed voltage (Vsen) of the sensing node (SN) into a digital value through a sensing line (SL) electrically connected to the sensing node (SN) in each subpixel, and converts it. The sensing data Dsen is generated based on the digital values.

이러한 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 해당하는 센서(310)는, 다수 개가 있을 수 있으며, 하나의 센서(310), 즉 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 하나의 소스 드라이버 집적회로에 포함될 수 있다. There may be a plurality of sensors 310 corresponding to the analog-to-digital converter (ADC), and one sensor 310, that is, one analog-to-digital converter (ADC) may be included in one source driver integrated circuit.

보상기(320)는, 수신된 센싱데이터(Dsen)를 토대로 보상 프로세스를 수행한다. The compensator 320 performs a compensation process based on the received sensing data Dsen.

보상 프로세스는, 수신된 센싱데이터를 토대로, 다수의 서브픽셀 각각에 대한 데이터(Data)를 변경하기 위한 데이터 보상량(△Data)을 결정하여, 데이터 보상량을 메모리(미도시)에 저장하는 처리일 수 있다. The compensation process is a process of determining a data compensation amount (ΔData) for changing data (Data) for each of a plurality of subpixels based on the received sensing data, and storing the data compensation amount in a memory (not shown). Can be

또한, 보상 프로세스는, 데이터 보상량(△Data)을 기초로, 호스 시스템(160)에서 출력된 데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. 이러한 데이터 변경 처리는, 호스 시스템(160)에서 출력된 데이터(Data)에 데이터 보상량(△Data)을 더하여 변경 데이터(Data'=Data+△Data)로 변경할 수 있다. In addition, the compensation process may include a process of changing the data output from the hose system 160 based on the data compensation amount ΔData. This data change process may be changed into change data (Data'=Data+ΔData) by adding a data compensation amount (ΔData) to the data (Data) output from the hose system 160.

보상기(320)는 타이밍 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있다. The compensator 320 may be included in the timing controller 140.

도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)의 구동 모드를 나타낸다. 4 illustrates a driving mode of the organic light emitting display panel 110 according to the present embodiments.

도 4를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)은, 디스플레이 모드(Display Mode) 및 센싱 모드(Sensing Mode) 등의 구동 모드(Driving Mode)로 동작할 수 있다. Referring to FIG. 4, the organic light-emitting display panel 110 according to the present embodiments may operate in a driving mode such as a display mode and a sensing mode.

디스플레이 모드(Display Mode)는, 유기발광표시패널(110)이 화상을 표시하기 위한 구동 모드이다. The display mode is a driving mode for the organic light emitting display panel 110 to display an image.

센싱 모드(Sensing Mod)는, 전술한 보상 기능과 관련된 구동 모드로서, 유기발광표시패널(110)을 센싱하기 위한 구동 모드이다. 즉, 센싱 모드는, 유기발광표시패널(110) 상의 각 서브픽셀에서의 트랜지스터(특히, 구동 트랜지스터)의 고유 특성치를 센싱하기 위한 구동 모드로서, 이 센싱 모드에서는 각 서브픽셀에서의 센싱 노드의 전압이 센싱된다. The sensing mode is a driving mode related to the above-described compensation function, and is a driving mode for sensing the organic light emitting display panel 110. That is, the sensing mode is a driving mode for sensing a characteristic value of a transistor (especially, a driving transistor) in each subpixel on the organic light emitting display panel 110. In this sensing mode, the voltage of the sensing node in each subpixel Is sensed.

이러한 센싱 모드는, 일 예로, 유기발광표시패널(110)이 디스플레이 모드로 동작하는 도중에 실시간으로 이루어질 수도 있고, 전원 오프 신호(Power Off Signal) 발생 시, 이루어질 수도 있으며, 경우에 따라서, 전원 온 신호(Power On Signal) 발생 시 이루어질 수도 있다. Such a sensing mode, for example, may be performed in real time while the organic light emitting display panel 110 is operating in the display mode, or may be performed when a power off signal is generated, and in some cases, a power on signal It may be made when (Power On Signal) occurs.

센싱 모드가 실시간으로 이루어지는 경우, 센싱 모드는 수직동기신호(Vsync)의 블랭크 타임(Blank Time) 마다 이루어질 수 있다. 이때, 블랭크 타임 마다 이루어지는 센싱 모드는 유기발광표시패널(110) 상의 각 서브픽셀에서의 트랜지스터(특히, 구동 트랜지스터)의 고유 특성치 중에서 상대적으로 센싱 시간이 적게 걸리는 이동도의 센싱 및 보상을 위한 센싱 모드일 수 있다. When the sensing mode is performed in real time, the sensing mode may be performed at each blank time of the vertical synchronization signal Vsync. In this case, the sensing mode performed at each blank time is a sensing mode for sensing and compensating for mobility that takes a relatively small sensing time among the inherent characteristic values of transistors (especially, driving transistors) in each subpixel on the organic light emitting display panel 110 Can be

센싱 모드가 전원 오프 신호 발생 시 이루어지는 경우, 센싱 모드는 유기발광표시패널(110) 상의 각 서브픽셀에서의 트랜지스터(특히, 구동 트랜지스터)의 고유 특성치 중에서 상대적으로 센싱 시간이 많이 걸리는 문턱전압의 센싱을 위한 센싱 모드일 수 있다. When the sensing mode is performed when the power-off signal is generated, the sensing mode performs sensing of a threshold voltage, which takes a relatively long sensing time, among characteristic values of transistors (especially, driving transistors) in each subpixel on the organic light emitting display panel 110. It may be a sensing mode for.

유기발광표시패널(110) 상의 각 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 센싱하는 기본적인 방법 및 원리에 대하여, 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한다. A basic method and principle of sensing the threshold voltage of the driving transistor DRT in each subpixel on the organic light emitting display panel 110 will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 모드 구간에서 센싱 동작 단계를 나타낸다. 도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 모드 구간에서, 구동전압 및 데이터 전압의 기본적인 신호 파형과, 센싱 노드의 전압 변화를 나타낸 도면이다. 5 illustrates a sensing operation step in a sensing mode section of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments. 6 is a diagram illustrating a basic signal waveform of a driving voltage and a data voltage and a voltage change of a sensing node in a sensing mode section of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 모드 구간에서 센싱 동작 단계는, 초기화 단계(STEP 1), 센싱 노드 플로팅 단계(STEP 2) 및 센싱 노드 센싱 단계(STEP 3)로 이루어진다. 5 and 6, the sensing operation step in the sensing mode period of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments includes an initialization step (STEP 1), a sensing node floating step (STEP 2), and a sensing node. It consists of a sensing step (STEP 3).

도 5 및 도 6을 참조하면, 초기화 단계(STEP 1)에서, 센싱 모드가 인에이블(Enable) 된 이후, 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2) 각각에 데이터 전압(Vdata) 및 기준전압(Vref)이 인가된다. 여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드이고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드인 것으로 가정한다. 그리고, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드가 해당 서브픽셀에서의 센싱 노드인것으로 가정한다. 5 and 6, after the sensing mode is enabled in the initialization step (STEP 1), the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT in the corresponding subpixel are ) Is applied to each of the data voltage Vdata and the reference voltage Vref. Here, it is assumed that the first node N1 of the driving transistor DRT is a gate node of the driving transistor DRT, and the second node N2 of the driving transistor DRT is a source node of the driving transistor DRT. . In addition, it is assumed that the source node of the driving transistor DRT is a sensing node in a corresponding subpixel.

도 5 및 도 6을 참조하면, 센싱 노드 플로팅 단계(STEP 2)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드가 Tr 시점에서 플로팅(Floating) 된다. 5 and 6, in the sensing node floating step (STEP 2), the second node N2 of the driving transistor DRT, that is, the source node of the driving transistor DRT, is floating at a time point Tr. do.

이때, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는, 초기화 전압에 해당하는 데이터 전압(Vdata)이 그대로 인가되어 있는 상태이다. At this time, the first node N1 of the driving transistor DRT is in a state in which the data voltage Vdata corresponding to the initialization voltage is applied as it is.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드가 플로팅(Floating) 됨에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 상승(Boosting) 된다. As the second node N2 of the driving transistor DRT, that is, the source node of the driving transistor DRT, is floating, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is boosted. do.

이러한 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압 상승은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압에 해당하는 데이터 전압(Vdata)을 향해 이루어지고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압에 해당하는 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압(Vth) 만큼 차이가 날 때까지 이루어진다. The voltage increase of the source node of the driving transistor DRT is made toward the data voltage Vdata corresponding to the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT, and the first node of the driving transistor DRT It is performed until a difference is made by the data voltage Vdata corresponding to the voltage of (N1) and the threshold voltage Vth.

이와 같이, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압이 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 향해 상승(Boosting) 하는 것을 "소스 팔로윙(Source Following)"이라고 한다. In this way, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT, that is, the source node of the driving transistor DRT, is boosted toward the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT. This is called "Source Following".

도 5 및 도 6을 참조하면, 센싱 노드 센싱 단계(STEP 3)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 상승하다가 Tsat 시점에서 포화(Saturation) 하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 포화된 전압이 센싱 된다. 5 and 6, in the sensing node sensing step (STEP 3), when the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT increases and then saturates at a time point Tsat, the driving transistor DRT The saturated voltage of the second node N2 of is sensed.

여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 포화된 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압에 해당하는 데이터 전압(Vdata)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 뺀 전압(Vdata-Vth=Vd-Vth)이 된다. 단, 도 6에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)이 포지티브 값인 경우를 도시한 것으로서, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)이 네거티브 값일 수도 있다. Here, the saturated voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT, that is, the source node of the driving transistor DRT, is a data voltage corresponding to the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT. It becomes a voltage (Vdata-Vth=Vd-Vth) obtained by subtracting the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT from (Vdata). However, in FIG. 6, a case in which the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT is a positive value is illustrated, and the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT may be a negative value.

도 5 및 도 6을 참조하면, 센싱 모드 구간에서, 데이터 전압(Vdata)은 일정한 전압(Vd)을 갖고, 구동전압(EVDD)도 일정한 전압(Ve)을 갖는다. 5 and 6, in the sensing mode period, the data voltage Vdata has a constant voltage Vd, and the driving voltage EVDD also has a constant voltage Ve.

도 5 및 도 6을 참조하면, 센싱 모드 구간에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 정확하게 센싱하기 위해서는, 해당 서브픽셀에서의 센싱 노드(SN), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가 포화된 이후에, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 센서(310)에 해당하는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 의해 샘플링되어 센싱(측정) 되어야 한다. 5 and 6, in order to accurately sense the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT in the sensing mode period, the sensing node SN in the corresponding subpixel, that is, the driving transistor DRT. After the second node N2 is saturated, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT should be sampled by an analog-to-digital converter ADC corresponding to the sensor 310 and sensed (measured). .

구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 센싱하는 데 걸리는 시간의 길이는, 해당 서브픽셀에서의 센싱 노드(SN), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가, 플로팅 된 시점(Tr)부터 포화되는 시점(Tsat)까지 걸리는 시간의 길이(TL)에 좌우된다. The length of time it takes to sense the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT is the sensing node SN in the subpixel, that is, the second node N2 of the driving transistor DRT is floated. It depends on the length of time TL from the time point Tr to the time point Tsat to be saturated.

해당 서브픽셀에서의 센싱 노드(SN), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가, 플로팅되어 포화하는데 상당한 시간(TL=Tsat-Tr)이 걸리기 때문에, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 센싱하는데 많은 시간이 걸리게 된다. Since the sensing node SN in the subpixel, that is, the second node N2 of the driving transistor DRT, takes a considerable amount of time (TL=Tsat-Tr) to float and saturate, the driving transistor DRT It takes a lot of time to sense the threshold voltage Vth.

아래에서는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 센싱하는 데 필요한 시간, 즉, 센싱 시간을 단축시키기 위하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드를 더욱 빨리 포화시키는 몇 가지 방법에 대하여, 설명한다. Below, in order to shorten the time required for sensing the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT, that is, the sensing time, the second node N2 of the driving transistor DRT, that is, the driving transistor DRT. Several methods of saturating the source node of the saturation faster are described.

먼저, 데이터 전압(Vdata)을 조정하여, 센싱 노드를 더욱 빨리 포화시키는 방법에 대하여, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한다. First, a method of saturating the sensing node more quickly by adjusting the data voltage Vdata will be described with reference to FIGS. 7 and 8.

도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 모드 구간에서, 센싱 시간 단축을 위하여, 오버슈팅(Overshooting) 된 데이터 전압(vdata)의 신호 파형을 나타낸다. 도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 모드 구간에서, 오버슈팅(Overshooting) 된 데이터 전압(vdata)을 이용하는 경우, 센싱 노드의 전압 변화를 나타낸 도면이다. 7 illustrates a signal waveform of an overshooting data voltage vdata in order to shorten a sensing time in a sensing mode section of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments. 8 is a diagram illustrating a voltage change of a sensing node when an overshooted data voltage vdata is used in a sensing mode section of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments.

도 7 및 도 8을 참조하면, 센싱시간 단축을 위해, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압 포화를 더욱 빨리 시켜주기 위하여, 데이터 구동부(120)는, 도 6과 같이, 일정한 전압 값(Vd)의 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 공급해주는 것이 아니라, 오버슈팅(Overshooting) 된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 공급할 수 있다. 7 and 8, in order to shorten the sensing time, that is, to make the voltage saturation of the second node N2 of the driving transistor DRT, that is, the source node of the driving transistor DRT, faster, As shown in FIG. 6, the data driver 120 does not supply the data voltage Vdata of a constant voltage value Vd to the first node N1 of the driving transistor DRT, but overshooting data The voltage Vdata may be supplied to the first node N1 of the driving transistor DRT.

도 7 및 도 8을 참조하면, 데이터 구동부(120)는, 센싱 모드 구간에서, 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 일정시간(△T) 동안 오버슈팅 전압 값(△Vd)만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값(Vd)으로 다시 하강하는 데이터 전압(Vdata)을 공급할 수 있다. 7 and 8, the data driver 120 increases the overshooting voltage value (ΔVd) for a predetermined time (ΔT) from the reference data voltage value (Vd) in the sensing mode section A data voltage Vdata that falls back to the voltage value Vd may be supplied.

즉, 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간, 즉, 센싱 모드 구간에서는, 각 데이터 라인(DL)을 통해 공급되는 데이터 전압(Vdata)은, 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 일정시간(△T) 동안 오버슈팅 전압 값(△Vd)만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값(Vd)으로 다시 하강한다. That is, in a mode period different from the display mode period, that is, in the sensing mode period, the data voltage Vdata supplied through each data line DL exceeds the reference data voltage value Vd for a certain period of time (△T). It rises by the shooting voltage value (ΔVd) and then falls back to the reference data voltage value (Vd).

도 7 및 도 8을 참조하면, 데이터 전압(Vdata)이 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 오버슈팅(Overshooting) 되는 시점은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가 플로팅(Floating) 되는 시점(Tr)과 동일할 수 있다. 7 and 8, when the data voltage Vdata is overshooting from the reference data voltage value Vd, the second node N2 of the driving transistor DRT is floating. It may be the same as the time point Tr.

도 7 및 도 8을 참조하면, 데이터 전압(Vdata)이 데이터 전압(Vdata)이 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 오버슈팅(Overshooting)되는 오버슈팅 전압 값(△Vd)은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 포화 시점이 충분히 빨라질 수 있도록 미리 설정된 값일 수 있다. 7 and 8, the overshooting voltage value ΔVd at which the data voltage Vdata is overshooting from the reference data voltage value Vd is the driving transistor DRT. The voltage saturation timing of the second node N2 of may be a preset value so that the voltage saturation time of is sufficiently rapid.

도 7 및 도 8을 참조하면, 데이터 전압(Vdata)이 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 일시적으로 오버슈팅(Overshooting) 되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 일시적으로 상승하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 연결된 스토리지 캐패시터(Cstg)의 양단의 전위차가 일시적으로 커져서, 스토리지 캐패시터(Cstg)의 충전 속도가 일시적으로 빨라진다. 7 and 8, when the data voltage Vdata is temporarily overshooting from the reference data voltage value Vd, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT temporarily increases. Thus, the potential difference between both ends of the storage capacitor Cstg connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT temporarily increases, so that the charging speed of the storage capacitor Cstg temporarily increases. .

따라서, 도 8에 도시된 바와 같이, 데이터 전압(Vdata)에 대한 오버슈팅을 하는 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압(V2)이 포화하는 시점(Tsat')은, 데이터 전압(Vdata)에 대한 오버슈팅을 하지 않는 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압(V2)이 포화하는 시점(Tsat)보다 빨라진다. Accordingly, as illustrated in FIG. 8, when overshooting the data voltage Vdata, a time point Tsat' at which the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT saturates is, When overshooting the data voltage Vdata is not performed, the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes faster than the saturation time Tsat.

전술한 바와 같이, 센싱 모드 구간에서, 데이터 전압(Vdat)을 일시적으로 오버슈팅함으로써, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 빠르게 해줄 수 있다. As described above, by temporarily overshooting the data voltage Vdat in the sensing mode period, the voltage saturation speed of the sensing node can be accelerated.

한편, 도 7 및 도 8을 참조하면, 센싱 모드 구간에서, 데이터 전압(Vdata)이 Tr 시점에 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 오버슈팅 전압 값(△Vd)만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값(Vd)으로 다시 하강하는 시점(Tf)은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 포화 시점(Tsat')보다 빠를 수 있다. Meanwhile, referring to FIGS. 7 and 8, in the sensing mode period, the data voltage Vdata increases from the reference data voltage value Vd by the overshooting voltage value ΔVd at the time point Tr, and then the reference data voltage value ( The time point Tf that falls back to Vd may be earlier than the voltage saturation time point Tsat' of the second node N2 of the driving transistor DRT.

이로 인해, 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간, 즉, 센싱 모드 구간에서, 데이터 전압(Vdata)이 Tr 시점에 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 오버슈팅 전압 값(△Vd)만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값(Vd)으로 다시 하강하는 시점(Tf)은, 센서(310)가 센싱 노드의 전압을 센싱하는 시점(Tsat' 시점 또는 그 이후 시점)보다 빠를 수 있다. For this reason, in a mode section different from the display mode section, that is, in the sensing mode section, the data voltage Vdata rises from the reference data voltage value Vd by the overshooting voltage value (ΔVd) at the time Tr, and then the reference data voltage A time point Tf that falls back to the value Vd may be earlier than a time point at which the sensor 310 senses the voltage of the sensing node (a time point Tsat' or a time point thereafter).

이와 관련하여, 도 7 및 도 8을 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압은, 최종적으로, 오버슈팅 된 전압 값(Vd+△Vd)을 향해 상승하는 것이 아니라, 기준 데이터 전압 값(Vd)을 향해 상승한다. 즉, 최종적으로, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압의 전압 상승 폭은, "Vd+△Vd-Vth-Vref"이 아니라, "Vd-Vth-Vref"이다. In this regard, referring to FIGS. 7 and 8, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT does not finally rise toward the overshooted voltage value (Vd+ΔVd), but the reference It rises toward the data voltage value (Vd). That is, finally, the voltage rise width of the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is not "Vd+ΔVd-Vth-Vref" but "Vd-Vth-Vref".

다시 말해, 데이터 전압(Vdata)이 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 일시적으로 오버슈팅(Overshooting) 되었다가 기준 데이터 전압 값(Vd)으로 다시 복귀하기 때문에, 스토리지 캐패시터(Cstg)의 충전 속도를 일시적으로 빠르게 해주어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 포화 속도를 빠르게 해주면서도, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 포화를 위한 전압 상승폭을 그대로 유지시켜줄 수 있다. In other words, since the data voltage (Vdata) temporarily overshoots from the reference data voltage value (Vd) and then returns to the reference data voltage value (Vd), the charging rate of the storage capacitor (Cstg) is temporarily increased. By speeding it up, the voltage saturation speed of the second node N2 of the driving transistor DRT can be increased while maintaining the voltage rise width for voltage saturation of the second node N2 of the driving transistor DRT as it is.

즉, 최종적으로, 데이터 전압 조정이 있는 경우(도 6)와 데이터 전압 조정이 있는 경우 모두, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압은, 기준전압(Vref)에서 "Vd-Vth"까지 동일하게 상승한다. That is, finally, in both the data voltage adjustment (FIG. 6) and the data voltage adjustment, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is "Vd-Vth" from the reference voltage Vref. The same rises until ".

전술한 방식의 데이터 전압에 대한 오버슈팅을 통해, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압에 대한 포화 속도를 빠르게 하여 센싱 시간 단축을 가능하게 하면서도, 오버슈팅 된 데이터 전압의 하강 시점(Tf)을 센싱 노드 전압 포화 시(Tsat')점보다 빠르게 함으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압에 대한 포화 전압을 데이터 전압(Vdata)의 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 문턱전압(Vth)를 뺀 전압(Vd-Vth)으로 동일하게 유지시켜줄 수 있다. By overshooting the data voltage of the above-described method, the saturation speed for the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is accelerated to shorten the sensing time, while the time when the overshooted data voltage falls By making (Tf) faster than the point when the sensing node voltage is saturated (Tsat'), the saturation voltage for the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is the reference data voltage value (Vd) of the data voltage (Vdata). The voltage (Vd-Vth) obtained by subtracting the threshold voltage (Vth) can be maintained equally.

다음으로, 구동전압(EVDD)을 조정하여, 센싱 노드를 더욱 빨리 포화시키는 방법에 대하여, 도 9 및 도 10 참조하여 설명한다. Next, a method of saturating the sensing node more quickly by adjusting the driving voltage EVDD will be described with reference to FIGS. 9 and 10.

도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 모드 구간에서, 센싱 시간 단축을 위하여, 상승 된 구동전압(EVDD)의 신호 파형을 나타낸다. 도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 모드 구간에서, 상승 된 구동전압(EVDD)을 이용하는 경우, 센싱 노드의 전압 변화를 나타낸 도면이다. 9 illustrates a signal waveform of an increased driving voltage EVDD in order to shorten a sensing time in a sensing mode section of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments. 10 is a diagram illustrating a voltage change of a sensing node when an elevated driving voltage EVDD is used in a sensing mode section of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments.

도 9를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 센싱 노드의 전압에 대한 포화 시점을 더욱 빠르게 하여 센싱 시간을 단축시키기 위하여, 구동전압(EVDD)을 조정할 수 있다. Referring to FIG. 9, the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments may adjust the driving voltage EVDD in order to shorten the sensing time by making the saturation timing of the voltage of the sensing node faster.

도 9를 참조하면, 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간, 즉, 센싱 모드 구간에서 구동전압 라인(DVL)들을 통해 공급되는 구동전압(EVDD)은, 디스플레이 모드 구간에서 구동전압 라인(DVL)들을 통해 공급되는 구동전압의 기준 구동전압 값(Ve)보다 일정 전압 값(△Ve)만큼 높은 전압 값(Ve+△Ve)일 수 있다. 여기서, 기준 구동전압 값(Ve)은 디스플레이 모드 구간에서 사용되는 구동전압(EVDD)의 전압 값일 수 있다.Referring to FIG. 9, the driving voltage EVDD supplied through the driving voltage lines DVL in a mode period different from the display mode period, that is, in the sensing mode period, is supplied through the driving voltage lines DVL in the display mode period. The voltage value (Ve+ΔVe) may be higher than the reference driving voltage value Ve of the driving voltage by a predetermined voltage value (ΔVe). Here, the reference driving voltage value Ve may be a voltage value of the driving voltage EVDD used in the display mode period.

즉, 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간에서는, 즉, 센싱 모드 구간에서는, 구동전압 라인들(DRLs)이, 디스플레이 구동 모드 구간에서보다, 더 높은 구동전압(EVDD)을 공급할 수 있다. That is, in a mode period different from the display mode period, that is, in the sensing mode period, the driving voltage lines DRLs may supply a higher driving voltage EVDD than in the display driving mode period.

이러한 구동전압 제어는, 타이밍 컨트롤러(140)와 전원 컨트롤러(150)에 의해 이루어질 수 있다. Such driving voltage control may be performed by the timing controller 140 and the power controller 150.

구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1), 제2노드(N2) 및 제3노드(N3)가 게이트 노드, 소스 노드 및 드레인 노드일 때, 하기 수학식 1을 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)로 인가되는 구동전압(EVDD)을 높이게 되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 노드 및 소스 노드 간의 전압 차이, Vds가 커진다. When the first node N1, the second node N2, and the third node N3 of the driving transistor DRT are gate nodes, source nodes, and drain nodes, referring to Equation 1 below, the driving transistor DRT When the driving voltage EVDD applied to the third node N3 of) is increased, the voltage difference between the drain node and the source node of the driving transistor DRT, Vds, increases.

Figure 112014104978312-pat00001
Figure 112014104978312-pat00001

상기 수학식 1에서, id는 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 노드(N3)로 흐르는 전류이고, W은 구동 트랜지스터(DRT)의 채널(Channel)의 폭(Width)이며, L은 구동 트랜지스터(DRT)의 채널(Channel)의 길이(Length)이고, kn'는 트랜스컨덕턴스 파라미터(Transconductance Parameter)로서, μCox 이다. μ는 구동 트랜지스터(DRT)의 전자 이동도(Electron Mobility)이고, Cox는 옥사이드 캐패시턴스(Oxide Capacitance)이다. 그리고, Vgs는 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)와 소스 노드(N2)의 전압 차이이고, Vds는 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 노드(N3) 및 소스 노드(N2) 간의 전압 차이이다. 그리고, λ는 id가 Vds에 의존하는 관계를 나타내는 파라미터로서, 양(+)의 상수 값일 수 있으며, 일 예로, 0.005 내지 0.03 [1/V]일 수 있다. In Equation 1, id is the current flowing to the drain node N3 of the driving transistor DRT, W is the width of the channel of the driving transistor DRT, and L is the driving transistor DRT. Is the length of a channel of, and kn' is a transconductance parameter, and is μCox. μ is the electron mobility of the driving transistor (DRT), and Cox is the oxide capacitance (Oxide Capacitance). In addition, Vgs is the voltage difference between the gate node N1 and the source node N2 of the driving transistor DRT, and Vds is the voltage difference between the drain node N3 and the source node N2 of the driving transistor DRT. In addition, λ is a parameter representing a relationship in which id is dependent on Vds, and may be a positive (+) constant value, for example, 0.005 to 0.03 [1/V].

상기 수학식 1에서, (1+λVds) 항목에서, Vds가 커지면, id가 커지게 된다는 것을 알 수 있다. In Equation 1, in the (1+λVds) item, it can be seen that as Vds increases, id increases.

이와 같이, 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 노드(N3)로 흐르는 전류 id가 커지게 되어, 스토리지 캐패시터(Cstg)가 더 빨리 충전된다. 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N2)의 전압이 더 빨리 포화한다. In this way, the current id flowing to the drain node N3 of the driving transistor DRT increases, so that the storage capacitor Cstg is charged faster. That is, the voltage of the source node N2 of the driving transistor DRT saturates faster.

다시 말해, 센싱 모드 구간에서 구동전압(EVDD)을 기준 구동전압 값(Ve)에서 일정 전압 값(△Ve)만큼 높여주는 경우(도 10), 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2, 예: 소스 노드)의 전압(V2)의 포화 시점(Tsat")은, 센싱 모드 구간에서 구동전압(EVDD)이 일정한 기준 구동전압 값(Ve)인 경우(도 6), 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2, 예: 소스 노드)의 전압(V2)의 포화 시점(Tsat)보다 빠르다. In other words, when the driving voltage EVDD is increased by a certain voltage value ΔVe from the reference driving voltage value Ve in the sensing mode period (FIG. 10), the second node N2 of the driving transistor DRT, for example : The saturation point (Tsat") of the voltage V2 of the source node) is the second of the driving transistor DRT when the driving voltage EVDD is a constant reference driving voltage value Ve in the sensing mode section (Fig. 6). It is faster than the saturation point Tsat of the voltage V2 of the two nodes (N2, for example, the source node).

이러한 구동전압 조정 방식, 즉, 센싱 모드 구간에서 구동전압 라인(DVL)들을 통해 공급되는 구동전압(EVDD)을 높이게 되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2), 즉, 센싱 노드의 전압에 대한 포화 속도가 빨라져, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압의 센싱을 위해, 센싱 노드의 포화 전압을 더 빠른 시점(Tsat" 또는 그 이후 시점)에 센싱할 수 있는 상태로 만들어 줄 수 있다. When the driving voltage adjustment method, that is, when the driving voltage EVDD supplied through the driving voltage lines DVL is increased in the sensing mode period, the second node N2 of the driving transistor DRT, that is, the voltage of the sensing node The saturation speed of is increased, so that the saturation voltage of the sensing node can be sensed at an earlier time (Tsat" or later) for sensing the threshold voltage of the driving transistor DRT.

전술한 센싱시간 단축으로 위한 2가지 방식(데이터 전압 조정 방식, 구동전압 조정 방식)은, 유기발광표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀 내 트랜지스터(특히, 구동 트랜지스터)의 고유 특성치를 센싱할 때, 이용될 수 있다. Two methods (data voltage adjustment method, driving voltage adjustment method) for shortening the sensing time described above are used to sense the unique characteristic values of transistors (especially driving transistors) in each subpixel disposed on the organic light emitting display panel 110. When, it can be used.

아래에서는 전술한 센싱시간 단축으로 위한 2가지 방식(데이터 전압 조정 방식, 구동전압 조정 방식)이 적용될 수 있는 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀의 구체적인 구조를 도 11을 참조하여 예시적으로 설명한다. Hereinafter, a detailed structure of the subpixel of the organic light emitting display device 100 to which the above-described two methods (data voltage adjustment method, driving voltage adjustment method) can be applied to shorten the sensing time will be exemplarily described with reference to FIG. do.

도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀의 등가회로도를 예시적으로 나타낸다. 11 exemplarily shows an equivalent circuit diagram of subpixels of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments.

도 11에 예시된 서브픽셀(SP)은, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 구동 회로가 3개의 트랜지스터(DRT, T1, T2)와 1개의 캐패시터(Cstg)를 포함하는 3T(Transistor)1C(Capacitor) 구조이다. In the subpixel SP illustrated in FIG. 11, a driving circuit for driving an organic light emitting diode (OLED) includes three transistors (DRT, T1, T2) and one capacitor (Cstg). (Capacitor) structure.

도 11을 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)는, 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 제1노드(N1)와, 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극)과 전기적으로 연결된 제2노드(N2)와, 구동전압 라인(DVL)과 전기적으로 연결되어 구동전압(EVDD)이 인가되는 제3노드(N3)를 갖는다. Referring to FIG. 11, the driving transistor DRT is electrically connected to a first node N1 to which a data voltage Vdata is applied, and a first electrode (eg, an anode electrode or a cathode electrode) of an organic light emitting diode OLED. It has a second node N2 connected in a manner and a third node N3 electrically connected to the driving voltage line DVL to which the driving voltage EVDD is applied.

도 11을 참조하면, 제1트랜지스터(T1)는, 데이터 전압을 공급하는 데이터 라인(DLi)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1) 사이에 전기적으로 연결된다. Referring to FIG. 11, a first transistor T1 is electrically connected between a data line DL supplying a data voltage and a first node N1 of a driving transistor DRT.

이러한 제1트랜지스터(T1)의 게이트 노드는, 제1게이트 라인(GLj)을 통해 스캔 신호(Scan Signal)를 인가받는다. 제1트랜지스터(T1)의 드레인 노드 또는 소스 노드는 데이터 라인(DLi)으로부터 데이터 전압(Vdata)을 공급받는다. 제1트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 전기적으로 연결된다. The gate node of the first transistor T1 receives a scan signal through the first gate line GLj. The drain node or source node of the first transistor T1 receives the data voltage Vdata from the data line DLi. The source node or drain node of the first transistor T1 is electrically connected to the first node N1 of the driving transistor DRT.

제1트랜지스터(T1)는, 스캔 신호에 의해 턴 온 되면, 제1트랜지스터(T1)의 드레인 노드 또는 소스 노드로 공급된 데이터 전압(Vdata)을 제1트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 인가해준다. When the first transistor T1 is turned on by the scan signal, the data voltage Vdata supplied to the drain node or the source node of the first transistor T1 is applied to the source node or the drain node of the first transistor T1. It is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT that is electrically connected.

도 11을 참조하면, 제2트랜지스터(T2)는, 기준전압(Vref)을 공급하는 기준전압 라인(RVL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된다. Referring to FIG. 11, the second transistor T2 is electrically connected between the reference voltage line RVL supplying the reference voltage Vref and the second node N2 of the driving transistor DRT.

이러한 제2트랜지스터(T2)의 게이트 노드는, 제2게이트 라인(GLj')을 통해 일종의 스캔 신호인 센스 신호(Sense Signal)를 인가받는다. 제2트랜지스터(T2)의 드레인 노드 또는 소스 노드는 기준전압 라인(RVL)으로부터 기준전압(Vref)을 공급받는다. 제2트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 전기적으로 연결된다. The gate node of the second transistor T2 receives a sense signal, which is a type of scan signal, through the second gate line GLj'. The drain node or source node of the second transistor T2 receives the reference voltage Vref from the reference voltage line RVL. The source node or drain node of the second transistor T2 is electrically connected to the second node N2 of the driving transistor DRT.

도 11을 참조하면, 스토리지 캐패시터(Cstg)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된다. Referring to FIG. 11, the storage capacitor Cstg is electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.

도 11에 도시된 3T1C의 서브픽셀 구조는, 서브픽셀에 대한 센싱 및 보상이 가능한 구조이다. The subpixel structure of 3T1C shown in FIG. 11 is a structure capable of sensing and compensating for a subpixel.

도 11을 참조하면, 센서(310)는, 기준전압 라인(RVL)을 통해, 센싱 노드에 해당하는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압을 센싱하여, 센싱된 전압을 디지털 값으로 변환하고, 변환된 디지털 값을 포함하는 센싱 데이터를 보상기(320)로 전송해준다. Referring to FIG. 11, the sensor 310 senses a voltage of a second node N2 of a driving transistor DRT corresponding to a sensing node through a reference voltage line RVL, and converts the sensed voltage to a digital value. And transmits the sensing data including the converted digital value to the compensator 320.

이에 따라, 보상기(320)는, 수신한 센싱 데이터를 이용하여 보상 프로세스를 수행하여, 데이터 보상량(△Data)을 결정한다. 이에 따라, 데이터 변경부(1100)는, 외부에서 입력된 데이터(Data)를 데이터 보상량(△Data)에 근거하여 변경하고, 변경된 데이터(Data')를 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC #K, K=1, ... , M)로 전송해준다. Accordingly, the compensator 320 performs a compensation process using the received sensing data to determine the data compensation amount ΔData. Accordingly, the data change unit 1100 changes the data input from the outside based on the data compensation amount ΔData, and changes the changed data Data' to the corresponding source driver integrated circuit (SDIC #K, K=1, ..., M).

이에 따라, 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC #K)는, 변경 데이터(Data')를 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여, 해당 데이터 라인(DLi)으로 공급해준다. Accordingly, the source driver integrated circuit (SDIC #K) converts the change data (Data') into a data voltage (Vdata) and supplies it to the data line (DLi).

도 11의 예시에서는, 센서(310)가 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC #K, K=1, ... , M)에 포함된 아날로그 디지털 컨버터(ADC)이고, 보상기(320)가 타이밍 컨트롤러(140)에 포함된 경우이다. In the example of FIG. 11, the sensor 310 is an analog-to-digital converter (ADC) included in the corresponding source driver integrated circuit (SDIC #K, K=1, ..., M), and the compensator 320 is a timing controller ( 140).

전술한 바와 같이, 데이터 전압 및/또는 구동전압을 조정하여, 센싱 노드(SN), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 포화 속도를 빠르게 해주어, 센싱 시간을 단축할 수 있는 3T1C 서브픽셀 구조를 제공할 수 있다.As described above, by adjusting the data voltage and/or the driving voltage, the voltage saturation speed of the sensing node SN, that is, the second node N2 of the driving transistor DRT, is accelerated, thereby shortening the sensing time. A 3T1C subpixel structure can be provided.

도 11을 참조하면, 기준전압 라인(RVL)을 기준전압 공급 노드 또는 센서(310)에 연결해주는 스위치(SW)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 기준전압 공급 노드는, 전원 컨트롤러(150)에서 소스 드라이버 집적회로(SDIC #K)로 기준전압이 공급되는 노드로서, 스위치(SW)가 온(ON)이 되는 노드이다. Referring to FIG. 11, a switch SW for connecting the reference voltage line RVL to the reference voltage supply node or sensor 310 may be further included. Here, the reference voltage supply node is a node to which the reference voltage is supplied from the power controller 150 to the source driver integrated circuit (SDIC #K), and is a node in which the switch SW is turned on.

이러한 스위치(SW)는, 센싱 모드 구간의 초기화 단계(STEP 1 단계)에서 온(ON)이 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)로 기준전압(Vref)을 인가해준다. The switch SW is turned on in the initializing step (STEP 1 step) of the sensing mode period and applies the reference voltage Vref to the second node N2 of the driving transistor DRT.

단, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 플로팅은, 제2트랜지스터(T2)의 턴 오프(Turn Off)로 이루어질 수 있다. However, the floating of the second node N2 of the driving transistor DRT may be performed by turning off the second transistor T2.

또는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 플로팅은, 스위치(SW)의 스위칭 동작을 온-오프(ON-OFF)의 2 단계가 아니라, 기준전압 공급 노드와 기준전압 라인(RVL)을 연결해주는 스위칭 단계, 센서(310)와 기준전압 라인(RVL)을 연결해주는 스위칭 단계, 기준전압 공급 노드 및 센서(310) 모두를 기준전압 라인(RVL)과 연결해주지 않는 스위칭 단계의 3 단계 스위칭 동작으로 구현하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 플로팅이 이루어지도록 해줄 수도 있다. Alternatively, the floating of the second node N2 of the driving transistor DRT does not turn the switching operation of the switch SW into the second stage of ON-OFF, but the reference voltage supply node and the reference voltage line RVL. ), a switching step for connecting the sensor 310 and the reference voltage line RVL, and a switching step for not connecting both the reference voltage supply node and the sensor 310 to the reference voltage line RVL. By implementing the switching operation, the second node N2 of the driving transistor DRT may be floated.

또한, 스위치(SW)는, 센싱 모드 구간의 센싱 단계(STEP 3)에서 오프(OFF) 되어, 센서(310)가 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압을 센싱할 수 있도록 해준다. In addition, the switch SW is turned off in the sensing step (STEP 3) in the sensing mode section, so that the sensor 310 can sense the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT. .

전술한 바와 같은 스위치(SW)의 스위칭 동작 타이밍은, 타이밍 컨트롤러(140)에서 출력되는 제어 신호에 의해 제어될 수 있다. The timing of the switching operation of the switch SW as described above may be controlled by a control signal output from the timing controller 140.

전술한 스위치(SW)를 통해, 센싱 동작에 맞게 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 대한 전압 인가 및 전압 센싱이 원하는 타이밍에 가능하도록 해줄 수 있다. Through the above-described switch SW, voltage application and voltage sensing of the driving transistor DRT to the second node N2 of the driving transistor DRT can be performed at a desired timing in accordance with the sensing operation.

도 11에서, 각 서브픽셀(SP) 내 센싱 노드(SN: Sensing Node)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)이다. In FIG. 11, a sensing node (SN) in each subpixel SP is a second node N2 of the driving transistor DRT.

도 11에서, 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간에서, 데이터 전압(Vdata)이 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 오버슈팅 전압 값(△Vd)만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값(Vd)으로 다시 하강하는 시점(Tf)은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압(V2)이 Tr 시점에서 상승하다가 포화하는 시점(Tsat')보다 빠르다. In FIG. 11, in a mode section different from the display mode section, the data voltage Vdata increases from the reference data voltage value Vd by the overshooting voltage value ΔVd and then falls back to the reference data voltage value Vd. A time point Tf is earlier than a time point Tsat' when the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT rises and then saturates at the time Tr.

전술한 데이터 전압에 대한 오버슈팅 방식을 통해, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압에 대한 포화 속도를 더욱 빠르게 하여 센싱 시간 단축을 가능하게 하면서도, 오버슈팅 된 데이터 전압의 하강 시점(Tf)을 센싱 노드 전압 포화 시(Tsat')점보다 빠르게 함으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압에 대한 포화 전압을 데이터 전압(Vdata)의 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 문턱전압(Vth)를 뺀 전압(Vd-Vth)으로 동일하게 유지시켜줄 수 있다. Through the above-described overshooting method for the data voltage, the saturation speed for the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is further accelerated to shorten the sensing time, while the time when the overshooted data voltage falls By making (Tf) faster than the point when the sensing node voltage is saturated (Tsat'), the saturation voltage for the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is the reference data voltage value (Vd) of the data voltage (Vdata). The voltage (Vd-Vth) obtained by subtracting the threshold voltage (Vth) can be maintained equally.

아래에서, 이상에서 설명한 센싱 시간 단축 방법(데이터 조정 방식, 구동전압 조정 방식)에 대하여, 간략하게 설명한다. Hereinafter, a method of shortening the sensing time (data adjustment method, driving voltage adjustment method) described above will be briefly described.

도 12는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동방법의 흐름도이다. 12 is a flowchart of a method of driving the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments.

도 12를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동방법은, 센싱 모드를 인에이블 하는 단계(S1210)와, 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(M2) 각각에 데이터 전압(Vdata) 및 기준전압(Vref)을 인가하는 단계(S1220)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)를 플로팅시켜, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압을 상승시키는 단계(S1230)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 상승하다가 포화하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압을 센싱하는 단계(S1240)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압을 센싱한 결과를 토대로, 해당 서브픽셀에 대한 데이터를 변경하는 단계(S1250)와, 디스플레이 모드가 인에이블 되면, 변경된 데이터를 이용하여 해당 서브픽셀을 구동하는 단계(S1260) 등을 포함한다. Referring to FIG. 12, in the driving method of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments, the step of enabling a sensing mode (S1210) and a first node of a driving transistor DRT in a corresponding subpixel ( Applying the data voltage Vdata and the reference voltage Vref to each of the N1 and the second node M2 (S1220), and by floating the second node N2 of the driving transistor DRT, the driving transistor ( Step S1230 of raising the voltage of the second node N2 of the DRT, and when the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT increases and then saturates, the second node of the driving transistor DRT ( The step of sensing the voltage of N2) (S1240) and the step of changing data for the corresponding subpixel (S1250) based on the result of sensing the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT (S1250), and a display When the mode is enabled, a step of driving a corresponding subpixel by using the changed data (S1260), and the like.

구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 인가되는 데이터 전압(Vdata)은, 기준 데이터 전압 값(Vd)에서 일정시간 동안 오버슈팅 전압 값(△Vd)만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값(Vd)으로 다시 하강할 수 있다(도 8 및 도 9 참조)The data voltage Vdata applied to the first node N1 of the driving transistor DRT rises from the reference data voltage value Vd by the overshooting voltage value ΔVd for a certain period of time and then increases the reference data voltage value ( Vd) can be lowered again (see Figs. 8 and 9)

이러한 데이터 전압(Vdata)의 오버슈팅은, S1220 단계에서 이루어질 수 있다. The overshooting of the data voltage Vdata may be performed in step S1220.

즉, 데이터 전압(Vdata)의 오버슈팅 시점(Tr)은, S1220 단계에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 플로팅 시점(Tr)일 수 있다. 데이터 전압(Vdata)이 오버슈팅 전압 값(△Vd)만큼 상승하였다가 기준 데이터 전압 값(Vd)으로 다시 하강하는 시점(Tf), 즉, 오버슈팅 된 데이터 전압(Vdata)의 하강 시점(Tf)은, S1220 단계에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 포화 시점(Tsat') 이전이다. That is, the overshooting timing Tr of the data voltage Vdata may be a floating timing Tr of the second node N2 of the driving transistor DRT in step S1220. The point at which the data voltage (Vdata) rises by the overshooting voltage value (△Vd) and then falls back to the reference data voltage value (Vd) (Tf), that is, the time point at which the overshooted data voltage (Vdata) falls (Tf) Is before the voltage saturation time Tsat' of the second node N2 of the driving transistor DRT in step S1220.

전술한 바와 같이, 센싱 모드 구간에서, 데이터 전압(Vdat)을 일시적으로 오버슈팅함으로써, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 빠르게 해줄 수 있다. As described above, by temporarily overshooting the data voltage Vdat in the sensing mode period, the voltage saturation speed of the sensing node can be accelerated.

한편, 센싱 모드를 인에이블 한 이후, 즉, S1210 단계 이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)에 인가되는 구동전압(EVDD)은, 디스플레이 모드 구간에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)에 인가되는 구동전압(EVDD)보다 높은 전압 값일 수 있다(도 9 및 도 10 참조). On the other hand, after the sensing mode is enabled, that is, after step S1210, the driving voltage EVDD applied to the third node N3 of the driving transistor DRT is, in the display mode period, the second voltage of the driving transistor DRT. The voltage value may be higher than the driving voltage EVDD applied to the third node N3 (see FIGS. 9 and 10 ).

도 10에 도시된 바와 같이, 구동전압(EVDD)의 상승 시점은 S1210 단계 이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2)가 초기화되는 단계(S1220) 이전일 수 있다. As shown in FIG. 10, the rising point of the driving voltage EVDD may be after step S1210 and before the step S1220 of initializing the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT. have.

또한, 도 10에 도시된 바와 같이, 구동전압(EVDD)의 하강 시점은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압을 센싱하는 S1240 단계 이후일 수 있다. In addition, as shown in FIG. 10, the falling time point of the driving voltage EVDD may be after step S1240 of sensing the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT.

전술한 바와 같이, 센싱 모드 구간에서 구동전압 라인(DVL)들을 통해 공급되는 구동전압(EVDD)을 높임으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2), 즉, 센싱 노드의 전압에 대한 포화 속도를 빠르게 하여, 센싱 노드의 포화 전압을 더 빠른 시점(Tsat" 또는 그 이후 시점)에 센싱할 수 있는 상태로 만들어 줄 수 있다. As described above, by increasing the driving voltage EVDD supplied through the driving voltage lines DVL in the sensing mode period, the second node N2 of the driving transistor DRT, that is, the voltage of the sensing node is saturated. By increasing the speed, the saturation voltage of the sensing node can be made into a state in which the saturation voltage of the sensing node can be sensed at a faster time (Tsat" or later).

이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치(100), 유기발광표시패널(110) 및 구동방법을 제공할 수 있다. According to the exemplary embodiments described above, the organic light emitting display device 100, the organic light emitting display panel 110, and a driving method capable of shortening the sensing time can be provided.

또한, 본 실시예들에 의하면, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치(100), 유기발광표시패널(110) 및 구동방법을 제공할 수 있다. In addition, according to the present embodiments, the organic light emitting display device 100 capable of shortening the sensing time by making the voltage saturation speed of the sensing node faster and allowing the saturation voltage of the sensing node to be sensed at a more appropriate timing. , An organic light emitting display panel 110 and a driving method may be provided.

또한, 본 실시예들에 의하면, 데이터 전압 조정을 통해, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치(100), 유기발광표시패널(110) 및 구동방법을 제공할 수 있다. In addition, according to the present embodiments, by adjusting the data voltage, the voltage saturation speed of the sensing node is further accelerated, and the saturation voltage of the sensing node can be sensed at a more timing, thereby reducing the sensing time. A light emitting display device 100, an organic light emitting display panel 110, and a driving method may be provided.

또한, 본 실시예들에 의하면, 구동전압 전압 조정을 통해, 센싱 노드의 전압 포화 속도를 더욱 빠르게 하여, 보다 따른 타이밍에 센싱 노드의 포화 전압을 센싱할 수 있도록 함으로써, 센싱 시간을 단축할 수 있는 유기발광표시장치(100), 유기발광표시패널(110) 및 구동방법을 제공할 수 있다. In addition, according to the present embodiments, by adjusting the driving voltage voltage, the voltage saturation speed of the sensing node is made faster, and the saturation voltage of the sensing node can be sensed at a more timing, thereby shortening the sensing time. An organic light emitting display device 100, an organic light emitting display panel 110, and a driving method may be provided.

이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The description above and the accompanying drawings are merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains, combinations of configurations without departing from the essential characteristics of the present invention Various modifications and variations, such as separation, substitution, and alteration, will be possible. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain the technical idea, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100: 유기발광표시장치
110: 유기발광표시패널
120: 데이터 구동부
130: 게이트 구동부
140: 타이밍 컨트롤러
100: organic light emitting display device
110: organic light emitting display panel
120: data driver
130: gate driver
140: timing controller

Claims (14)

데이터 라인들, 게이트 라인들 및 구동전압 라인들이 배치되고, 서브픽셀들이 배치된 유기발광표시패널;
상기 데이터 라인들로 데이터 전압들을 공급하는 데이터 구동부;
상기 게이트 라인들로 스캔 신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동부;
상기 데이터 구동부 및 상기 게이트 구동부를 제어하는 타이밍 컨트롤러;
센싱 모드 구간 동안 상기 각 서브픽셀 내 센싱 노드의 전압을 센싱하여 센싱데이터를 전송하는 센서; 및
상기 센싱데이터를 토대로 보상 프로세스를 수행하는 보상기를 포함하되,
상기 데이터 구동부는, 상기 센싱 모드 구간에서, 기준 데이터 전압 값에서 일정시간 동안 오버슈팅 전압 값만큼 상승하였다가 상기 기준 데이터 전압 값으로 다시 하강하는 데이터 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.
An organic light emitting display panel on which data lines, gate lines and driving voltage lines are disposed, and subpixels are disposed;
A data driver supplying data voltages to the data lines;
A gate driver sequentially supplying scan signals to the gate lines;
A timing controller that controls the data driver and the gate driver;
A sensor that senses a voltage of a sensing node in each subpixel during a sensing mode period and transmits sensing data; And
Including a compensator for performing a compensation process based on the sensing data,
And the data driver supplies a data voltage that increases by an overshooting voltage value for a predetermined time from a reference data voltage value and then falls back to the reference data voltage value in the sensing mode period.
제1항에 있어서,
상기 센싱 모드 구간에서, 상기 데이터 전압이 상기 오버슈팅 전압 값만큼 상승하였다가 상기 기준 데이터 전압 값으로 다시 하강하는 시점은, 상기 센서가 상기 센싱 노드의 전압을 센싱하는 시점보다 빠른 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.
The method of claim 1,
In the sensing mode period, a time point at which the data voltage rises by the overshooting voltage value and then falls back to the reference data voltage value is earlier than a time point at which the sensor senses the voltage of the sensing node. Luminous display device.
제1항에 있어서,
상기 센싱 모드 구간에서 상기 구동전압 라인들을 통해 공급되는 구동전압은, 디스플레이 모드 구간에서 상기 구동전압 라인들을 통해 공급되는 구동전압보다 높은 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.
The method of claim 1,
A driving voltage supplied through the driving voltage lines in the sensing mode period is higher than a driving voltage supplied through the driving voltage lines in a display mode period.
제1항에 있어서,
상기 각 서브픽셀은,
유기발광다이오드와,
상기 데이터 전압이 인가되는 제1노드와, 상기 유기발광다이오드의 제1전극과 전기적으로 연결된 제2노드와, 상기 구동전압 라인과 전기적으로 연결된 제3노드를 갖는 구동 트랜지스터와,
상기 데이터 전압을 공급하는 상기 데이터 라인과 상기 구동 트랜지스터의 제1노드 사이에 전기적으로 연결된 제1트랜지스터와,
기준전압을 공급하는 기준전압 라인과 상기 구동 트랜지스터의 제2노드 사이에 전기적으로 연결된 제2트랜지스터와,
상기 구동 트랜지스터의 제1노드와 제2노드 사이에 전기적으로 연결된 캐패시터를 포함하는 유기발광표시장치.
The method of claim 1,
Each of the subpixels,
An organic light emitting diode,
A driving transistor having a first node to which the data voltage is applied, a second node electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode, and a third node electrically connected to the driving voltage line,
A first transistor electrically connected between the data line supplying the data voltage and a first node of the driving transistor,
A second transistor electrically connected between a reference voltage line supplying a reference voltage and a second node of the driving transistor,
An organic light emitting display device comprising a capacitor electrically connected between a first node and a second node of the driving transistor.
제4항에 있어서,
상기 기준전압 라인을 기준전압 공급 노드 또는 상기 센서에 연결해주는 스위치를 더 포함하는 유기발광표시장치.
The method of claim 4,
An organic light-emitting display device further comprising a switch connecting the reference voltage line to a reference voltage supply node or the sensor.
제4항에 있어서,
상기 각 서브픽셀 내 센싱 노드는, 상기 구동 트랜지스터의 제2노드인 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.
The method of claim 4,
The sensing node in each subpixel is a second node of the driving transistor.
제1방향으로 배치되고 데이터 전압들을 공급하는 데이터 라인들;
상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 배치되고 스캔 신호를 순차적으로 게이트 라인들; 및
매트릭스 타입으로 배치된 서브픽셀들을 포함하되,
디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간에서, 상기 각 데이터 라인을 통해 공급되는 데이터 전압은,
기준 데이터 전압 값에서 일정시간 동안 오버슈팅 전압 값만큼 상승하였다가 상기 기준 데이터 전압 값으로 다시 하강하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널.
Data lines disposed in a first direction and supplying data voltages;
Gate lines disposed in a second direction crossing the first direction and sequentially receiving a scan signal; And
Including subpixels arranged in a matrix type,
In a mode period different from the display mode period, the data voltage supplied through each of the data lines is,
An organic light-emitting display panel, comprising: an overshooting voltage value rising from a reference data voltage value for a predetermined period of time and then falling back to the reference data voltage value.
제7항에 있어서,
상기 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간에서는, 상기 디스플레이 구동 모드 구간에서보다, 높은 구동전압을 공급하는 구동전압 라인들을 포함하는 유기발광표시패널.
The method of claim 7,
An organic light-emitting display panel including driving voltage lines supplying a higher driving voltage than in the display driving mode period in a mode period different from the display mode period.
제7항에 있어서,
상기 각 서브픽셀은,
유기발광다이오드와,
상기 데이터 전압이 인가되는 제1노드와, 상기 유기발광다이오드의 제1전극과 연결된 제2노드와, 구동전압 라인과 전기적으로 연결된 제3노드를 갖는 구동 트랜지스터와,
상기 데이터 전압을 공급하는 상기 데이터 라인과 상기 구동 트랜지스터의 제1노드 사이에 전기적으로 연결된 제1트랜지스터와,
기준전압을 공급하는 기준전압 라인과 상기 구동 트랜지스터의 제2노드 사이에 전기적으로 연결된 제2트랜지스터와,
상기 구동 트랜지스터의 제1노드와 제2노드 사이에 전기적으로 연결된 캐패시터를 포함하는 유기발광표시패널.
The method of claim 7,
Each of the subpixels,
An organic light emitting diode,
A driving transistor having a first node to which the data voltage is applied, a second node connected to the first electrode of the organic light emitting diode, and a third node electrically connected to a driving voltage line,
A first transistor electrically connected between the data line supplying the data voltage and a first node of the driving transistor,
A second transistor electrically connected between a reference voltage line supplying a reference voltage and a second node of the driving transistor,
An organic light-emitting display panel comprising a capacitor electrically connected between a first node and a second node of the driving transistor.
제9항에 있어서,
상기 디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간에서, 상기 데이터 전압이 상기 오버슈팅 전압 값만큼 상승하였다가 상기 기준 데이터 전압 값으로 다시 하강하는 시점은,
상기 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압이 상승하다가 포화하는 시점보다 빠른 것을 특징으로 하는 유기발광표시패널.
The method of claim 9,
In a mode period different from the display mode period, a point in time when the data voltage rises by the overshooting voltage value and then falls back to the reference data voltage value,
The organic light-emitting display panel according to claim 1, wherein the voltage of the second node of the driving transistor increases and then saturates.
센싱 모드가 인에이블 되면, 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 제1노드 및 제2노드 각각에 데이터 전압 및 기준전압을 인가하는 단계;
상기 구동 트랜지스터의 제2노드를 플로팅시켜 상기 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압을 상승시키는 단계; 및
상기 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압이 상승하다가 포화하면, 상기 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압을 센싱하는 단계;
상기 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압을 센싱한 결과를 토대로, 상기 해당 서브픽셀에 대한 데이터를 변경하는 단계; 및
디스플레이 모드가 인에이블 되면, 상기 변경된 데이터를 이용하여 상기 해당 서브픽셀을 구동하는 단계를 포함하고,
상기 구동 트랜지스터의 제1노드에 인가되는 데이터 전압은,
기준 데이터 전압 값에서 일정시간 동안 오버슈팅 전압 값만큼 상승하였다가 상기 기준 데이터 전압 값으로 다시 하강하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치의 구동방법.
When the sensing mode is enabled, applying a data voltage and a reference voltage to each of the first node and the second node of the driving transistor in the corresponding subpixel;
Floating a second node of the driving transistor to increase a voltage of the second node of the driving transistor; And
Sensing the voltage of the second node of the driving transistor when the voltage of the second node of the driving transistor rises and then saturates;
Changing data for the corresponding subpixel based on a result of sensing the voltage of the second node of the driving transistor; And
When the display mode is enabled, including the step of driving the corresponding sub-pixel using the changed data,
The data voltage applied to the first node of the driving transistor is
A method of driving an organic light-emitting display device, comprising: rising from a reference data voltage value by an overshooting voltage value for a predetermined time and then falling back to the reference data voltage value.
제11항에 있어서,
상기 센싱 모드 구간에서, 상기 구동 트랜지스터의 제3노드에 인가되는 구동전압은, 상기 디스플레이 모드 구간에서, 상기 구동 트랜지스터의 제3노드에 인가되는 구동전압보다 높은 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치의 구동방법.
The method of claim 11,
In the sensing mode period, the driving voltage applied to the third node of the driving transistor is higher than the driving voltage applied to the third node of the driving transistor in the display mode period. Way.
데이터 라인들, 게이트 라인들 및 구동전압 라인들이 배치되고, 서브픽셀들이 배치된 유기발광표시패널;
상기 데이터 라인들로 데이터 전압들을 공급하는 데이터 구동부;
상기 게이트 라인들로 스캔 신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동부;
상기 데이터 구동부 및 상기 게이트 구동부를 제어하는 타이밍 컨트롤러;
센싱 모드 구간 동안 상기 각 서브픽셀 내 센싱 노드의 전압을 센싱하여 센싱데이터를 전송하는 센서; 및
상기 센싱데이터를 토대로 보상 프로세스를 수행하는 보상기를 포함하되,
상기 센싱 모드 구간에서 상기 구동전압 라인들을 통해 공급되는 구동전압은, 디스플레이 모드 구간에서 상기 구동전압 라인들을 통해 공급되는 구동전압보다 높은 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.
An organic light emitting display panel on which data lines, gate lines and driving voltage lines are disposed, and subpixels are disposed;
A data driver supplying data voltages to the data lines;
A gate driver sequentially supplying scan signals to the gate lines;
A timing controller that controls the data driver and the gate driver;
A sensor that senses a voltage of a sensing node in each subpixel during a sensing mode period and transmits sensing data; And
Including a compensator for performing a compensation process based on the sensing data,
A driving voltage supplied through the driving voltage lines in the sensing mode period is higher than a driving voltage supplied through the driving voltage lines in a display mode period.
제1방향으로 배치되고 데이터 전압들을 공급하는 데이터 라인들;
상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 배치되고 스캔 신호를 순차적으로 게이트 라인들;
매트릭스 타입으로 배치된 서브픽셀들; 및
디스플레이 모드 구간과 다른 모드 구간에서는, 상기 디스플레이 구동 모드 구간에서보다, 높은 구동전압을 공급하는 구동전압 라인들을 포함하는 유기발광표시패널.
Data lines disposed in a first direction and supplying data voltages;
Gate lines disposed in a second direction crossing the first direction and sequentially receiving a scan signal;
Subpixels arranged in a matrix type; And
An organic light emitting display panel including driving voltage lines supplying a higher driving voltage than in the display driving mode period in a mode period different from the display mode period.
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