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KR102180708B1 - 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

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KR102180708B1
KR102180708B1 KR1020130156535A KR20130156535A KR102180708B1 KR 102180708 B1 KR102180708 B1 KR 102180708B1 KR 1020130156535 A KR1020130156535 A KR 1020130156535A KR 20130156535 A KR20130156535 A KR 20130156535A KR 102180708 B1 KR102180708 B1 KR 102180708B1
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Abstract

화소 영역들이 정의된 기판을 준비하고, 상기 화소 영역들에 제1 전극들을 형성한다. 상기 제1 전극들 위에 유기 발광층들을 형성하고, 상기 유기 발광층들 위에 제2 전극을 형성한다. 상기 제1 전극들 각각 및 상기 제2 전극 사이에 공진 거리를 조절하는 공진 조절부들을 형성한다. 상기 화소 영역들 중 서로 다른 색상의 광들을 출력하는 적어도 두 개의 화소 영역들에 일대일 대응하여 용액들이 서로 동일한 양으로 제공되고, 상기 용액들은 서로 상이한 농도를 갖고, 상기 제공된 상기 용액들로부터 용매가 제거되어 상기 공진 조절부들이 형성된다.

Description

유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법 {ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공진 구조를 갖는 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
유기전계발광 표시장치는 평판표시장치 중 하나로, 유기전계발광 표시장치는 액정표시장치를 대체해가고 있다. 유기전계발광 표시장치는 자체적으로 광을 발생시켜 영상을 표시하므로, 액정표시장치와 달리, 그 구성요소로 광을 발생시키는 백라이트 유닛을 필요로 하지 않는다. 따라서, 유기전계발광 표시장치는 액정표시장치보다 그 두께를 감소시키는 데 유리할 뿐만 아니라, 응답 특성이 우수하여 차세대 표시장치로 점차 그 사용 범위가 확대되고 있다.
일반적으로 유기전계발광 표시장치는 애노드, 캐소드, 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재되는 유기발광층을 포함한다. 상기 애노드를 통해 상기 유기발광층에 정공이 제공되고, 상기 캐소드를 통해 상기 유기발광층에 전자가 제공된다. 따라서, 상기 유기발광층에 제공된 전자 및 정공이 재결합되어 여기자가 생성되고, 상기 여기자가 여기 상태에서 기저 상태로 변화됨에 따라 발생되는 에너지에 의해 상기 유기발광층으로부터 광이 발생된다.
본 발명의 목적은 공진 구조를 갖는 유기전계발광 표시장치 및 이를 용이하게 제조할 수 있는 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 유기전계발광 표시장치의 제조 방법은 다음과 같다. 화소 영역들이 정의된 기판을 준비하고, 상기 화소 영역들에 제1 전극들을 형성한다. 상기 제1 전극들 위에 유기 발광층들을 형성하고, 상기 유기 발광층들 위에 제2 전극을 형성한다. 상기 제1 전극들 각각 및 상기 제2 전극 사이에 공진 거리를 조절하는 공진 조절부들을 형성한다.
상기 화소 영역들 중 서로 다른 색상의 광들을 출력하는 적어도 두 개의 화소 영역들에 일대일 대응하여 용액들이 서로 동일한 양으로 제공되고, 상기 용액들은 서로 상이한 농도를 갖고, 상기 제공된 상기 용액들로부터 용매가 제거되어 상기 공진 조절부들이 형성된다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 유기전계발광 표시장치는 화소 영역들이 정의된 기판, 상기 화소 영역들 배치된 제1 전극들, 상기 제1 전극들 위에 배치된 유기 발광층들, 상기 유기발광층들 위에 배치된 제2 전극, 및 공진 조절부들을 포함한다. 상기 공진 조절부들은 상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극 사이에 개재되어 공진 거리를 조절하고, 상기 공진 조절부들은 서로 동일한 방향을 향해 굴곡진 형상을 갖는다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 유기전계발광 표시장치의 화소들을 공진 모드로 구동시키는 데 사용되는 공진 조절부들의 평탄도들을 최대화시킬 수 있고, 상기 공진 조절부들의 평탄도가 균일하게 제어될 수 있다. 따라서, 상기 공진 조절부들 위에 적층되는 다른 박막들의 평탄도들이 커져 상기 박막들의 단선 및 단락과 같은 현상이 발생되는 것이 방지될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 제1 화소를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 유기전계발광 표시장치의 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 제1 화소, 제2 화소 및 제2 화소를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 유기 발광층들 및 공진 조절부들을 형성하는 데 사용되는 용액 공급 장치를 나타내는 도면이다.
도 5a 내지 도 5e들은 도 2에 도시된 유기전계발광 표시장치의 표시기판의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 살펴보기로 한다. 상기한 본 발명의 목적, 특징 및 효과는 도면과 관련된 실시예들을 통해서 용이하게 이해될 수 있을 것이다. 다만, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고, 다양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 오히려 후술될 본 발명의 실시예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고, 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에게 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명의 범위가 후술될 실시예들에 의해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다. 한편, 하기 실시예와 도면 상에 동일한 참조 번호들은 동일한 구성 요소를 나타낸다.
또한, 본 명세서에서 `제1`, `제2` 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 `위에` 또는 `상에` 있다고 할 때, 다른 부분 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 제1 화소를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 유기전계발광 표시장치(200)는 표시기판(100) 및 상기 표시기판(100)을 밀봉하는 봉지부(150)를 포함한다. 상기 표시기판(100)은 상기 유기전계발광 표시장치(200)가 영상을 표시하는 데 사용되는 광을 출력한다. 상기 봉지부(150)는 상기 표시기판(100)을 커버하여 상기 표시기판(100) 측으로 유입될 수 있는 수분 및 공기를 차단한다. 이 실시예에서는, 상기 봉지부(150)는 다수의 무기막들 및 상기 다수의 무기막들과 서로 교번적으로 적층된 다수의 유기막들을 포함하여 플렉서블 특성을 가질 수 있다.
상기 표시기판(100)은 기판(10), 구동 트랜지스터(TR), 화소 정의막(PDL) 및 제1 화소(PXL1)를 포함한다. 상기 제1 화소(PXL1)는 제1 전극(E1), 정공 주입층(HIL), 공진 조절부(RL1), 제1 유기 발광층(EL1), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)을 포함한다.
상기 구동 트랜지스터(TR)는 상기 제1 전극(E1)과 전기적으로 연결되어 상기 제1 전극(E1) 측으로 제공되는 전원신호를 스위칭한다. 상기 구동 트랜지스터(TR)는 게이트전극(GE), 액티브패턴(AP), 소오스전극(SE), 및 드레인전극(DE)을 포함한다. 상기 소오스 전극(SE)은 상기 전원신호를 전송하는 전원 라인(미도시)과 전기적으로 연결되고, 상기 드레인 전극(DE)은 상기 제1 전극(E1)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 게이트 전극(GE) 측으로 인가되는 게이트 신호에 의해 상기 구동 트랜지스터(TR)가 턴-온 되는 경우에, 상기 전원신호는 상기 구동 트랜지스터(TR)를 통해 상기 제1 전극(E1) 측으로 제공될 수 있다.
이 실시예에서는, 상기 액티브 패턴(AP)은 비정질 실리콘 및 결정질 실리콘과 같은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 상기 액티브 패턴(AP)의 물질에 한정되는 것은 아니고, 다른 실시예에서는 예를 들면 상기 액티브 패턴(AP)은 IGZO, ZnO, SnO2, In2O3, Zn2SnO4, Ge2O3 및 HfO2와 같은 산화물 반도체(oxide semiconductor)를 포함할 수도 있고, GaAs, GaP 및 InP와 같은 화합물 반도체(compound semiconductor)를 포함할 수도 있다.
게이트 절연막(L1)은 상기 액티브패턴(AP)을 커버하여 상기 게이트 전극(GE) 및 상기 액티브패턴(AP)을 상호 간에 절연시키며, 층간 절연막(L2)은 상기 게이트 전극(GE)을 커버하여 상기 소오스 및 드레인 전극들(SE, DE)을 상기 게이트전극(GE)과 절연시킨다. 또한, 평탄화막(L3)은 상기 구동 트랜지스터(TR)을 커버하고, 상기 커버막(L3)에는 비아홀(VH)이 형성되어 상기 비아홀(VH)을 통해 상기 제1 전극(E1)이 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(E1) 위에 배치된다. 상기 화소 정의막(PDL)에는 제1 화소 영역(PA1)에 대응하여 개구부(OP)가 정의되고, 이에 따라 상기 개구부(OP)를 통해 상기 제1 전극(E1)과 상기 정공 주입층(ETL)이 접촉될 수 있다.
상기 제1 화소(PXL1)의 구조는 다음과 같다. 상기 제1 전극(E1)은 상기 제1 화소 영역(PA1)에 대응하여 상기 평탄화막(L3) 위에 배치된다. 상기 유기전계발광 표시장치(200)가 전면 발광형인 경우에, 상기 제1 전극(E1)은 알루미늄과 같은 금속을 포함하여 광 반사 특성을 가질 수 있다. 또한, 상기 유기전계발광 표시장치(200)가 배면 발광형인 경우에, 상기 제1 전극(E1)은 인듐틴옥사이드(indium tin oxide)와 같은 도전물질을 포함하여 광 투과 특성을 갖거나, 상기 제1 전극(E1)은 투명 도전막 및 상기 투명 도전막 위에 적층된 금속막을 포함하여 반투과 특성을 가질 수 있다.
상기 제1 전극(E1) 위에 상기 정공주입층(HIL), 상기 공진 조절부(RL1), 상기 제1 유기 발광층(EL1), 상기 전자수송층(ETL), 상기 전자주입층(EIL) 및 상기 제2 전극(E2)이 순차적으로 적층된다. 상기 제1 전극(E1)이 애노드로 작용하고, 상기 제2 전극(E2)이 캐소드로 작용하는 경우에, 상기 제1 전극(E1)을 통해 주입된 정공은 상기 정공주입층(HIL), 상기 공진 조절부(RL1)를 통해 상기 제1 유기 발광층(EL1) 측으로 제공되고, 상기 제2 전극(E2)을 통해 주입되는 전자는 상기 전자주입층(EIL) 및 상기 전자수송층(ETL)을 통해 상기 제1 유기 발광층(EL1) 측으로 제공된다. 따라서, 상기 제1 유기발광층(EL1) 측에 제공된 상기 정공 및 상기 전자가 재결합됨에 따라 발생되는 에너지에 의해 상기 제1 유기발광층(EL1)으로부터 광이 방출될 수 있다.
이 실시예에서는 상기 제1 공진 조절부(RL1)는 상기 제1 화소 영역(PA1)에 배치되어 상기 제1 유기 발광층(EL1)과 중첩될 수 있다. 이 실시예에서는, 상기 제1 공진 조절부(RL1)는 상기 제1 유기 발광층(EL1) 및 상기 정공 주입층(HIL) 사이에 개재되는 정공 수송층(도 3의 HTL)을 포함하거나, 상기 제1 공진 조절부(RL1)는 상기 정공 수송층을 대신하여 상기 제1 유기 발광층(EL1) 및 상기 정공 주입층(HIL) 사이에 개재될 수 있다.
이 실시예에서, 상기 제1 유기 발광층(EL1)은 적색광을 방출하여 상기 제1 화소(PXL1)는 상기 적색광을 출력할 수 있다. 이 경우에, 상기 제1 공진 조절부(RL1)의 제1 두께(T1)에 의해 상기 제1 화소(PXL1)의 제1 공진 거리(RD1)가 제어될 수 있다.
상기 제1 공진 거리(RD1)는 대략적으로 상기 제1 및 제2 전극들(E1, E2) 간의 거리로 정의될 수 있고, 상기 제1 공진 거리(RD1)가 대략적으로 상기 적색광의 파장을 2로 나눈 값의 정수 배로 설정되는 경우에, 상기 제1 유기 발광층(EL1)으로부터 발광된 상기 적색광이 보강 간섭될 수 있고, 그 결과 상기 제1 화소(PXL1)는 공진 모드로 구동되어 상기 제1 화소(PXL1)로부터 출력되는 상기 적색광의 세기가 증가될 수 있다.
이 실시예에서는, 상기 제1 공진 조절부(RL1)의 상부면은 오목한 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 공진 조절부(RL1)의 상기 상부면이 오목한 형상을 갖는 이유는 상기 제1 공진 조절부(RL1)의 제조 방법과 관련된 것으로, 이에 대해서는 상기 제1 공진 조절부(RL1)의 제조 방법들을 나타내는 도면들을 참조하여 설명된다.
상기 제2 전극(E2)은 상기 전자 주입층(EIL) 위에 배치된다. 상기 유기전계발광 표시장치(200)가 배면 발광형인 경우에, 상기 제2 전극(E2)은 알루미늄과 같은 금속을 포함하여 광 반사 특성을 가질 수 있다. 또한, 상기 유기전계발광 표시장치(200)가 전면 발광형인 경우에, 상기 제2 전극(E2)은 인듐틴옥사이드(indium tin oxide)와 같은 도전성 물질을 포함하여 광 투과 특성을 갖거나, 상기 제2 전극(E2)은 투명 도전막 및 상기 투명 도전막 위에 적층된 금속막을 포함하여 반투과 특성을 가질 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 유기전계발광 표시장치의 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소를 나타내는 단면도이다. 도 2를 설명함에 있어서, 앞서 설명된 구성 요소들에 대해서는 도면 부호를 병기하고, 상기 구성 요소들에 대한 중복된 설명은 생략된다.
도 2를 참조하면, 유기전계발광 표시장치(200)의 표시기판(100)은 도 1을 참조하여 설명된 제1 화소(PXL1), 제2 화소(PXL2) 및 제3 화소(PXL3)를 포함한다. 상기 제1 화소(PXL1)는 제1 화소 영역(PA1)에 배치되고, 상기 제2 화소(PXL2)는 제2 화소 영역(PA2)에 배치되고, 상기 제3 화소(PXL3)는 제3 화소 영역(PA3)에 배치된다.
이 실시예에서는, 상기 제1 내지 제3 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)은 서로 다른 색상의 광을 출력하고, 보다 상세하게는 상기 제1 화소(PXL1)는 적색광을 출력하고, 상기 제2 화소(PXL2)는 녹색광을 출력하고, 상기 제3 화소(PXL3)는 청색광을 출력한다.
앞서 도 1을 참조하여 설명된 제1 화소(PXL1)와 같이, 상기 제2 및 제3 화소들(PXL2, PXL3) 각각은 제1 전극(E1), 정공 주입층(HIL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)을 포함한다. 또한, 상기 제2 화소(PXL2)는 제2 유기 발광층(EL2) 및 상기 제2 유기 발광층(EL2)과 중첩되는 제2 공진 조절부(RL2)를 포함하고, 상기 제3 화소(PXL3)는 제3 유기 발광층(EL3) 및 상기 제3 유기 발광층(EL3)과 중첩되는 제3 공진 조절부(RL3)를 더 포함할 수 있다.
이 실시예에서는, 상기 제2 유기 발광층(EL2)은 녹색광을 발광할 수 있고, 상기 제3 유기 발광층(EL3)은 청색광을 발광할 수 있다. 또한, 앞서 도 1을 참조하여 설명된 제1 공진 조절부(RL1)와 유사하게, 상기 제2 및 제3 공진 조절부들(RL2, RL3) 각각은 정공 수송층(도 3의 HTL)을 포함하거나, 상기 정공 수송층을 대신할 수 있다.
이 실시예에서는, 상기 정공 주입층(HIL), 상기 전자 수송층(ETL) 및 상기 전자 주입층(EIL) 각각은 상기 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각에 패터닝된 형상을 가질 수 있다. 하지만, 본 발명이 상기 정공 주입층(HIL), 상기 전자 수송층(ETL) 및 상기 전자 주입층(EIL) 각각의 형상에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 다른 실시예에서는 상기 정공 주입층(HIL), 상기 전자 수송층(ETL) 및 상기 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나는 상기 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)에 걸쳐 단일막 형상으로 배치될 수 있다.
제2 공진 거리(RD2)는 대략적으로 상기 녹색광의 파장을 2로 나눈 값의 정수 배로 설정될 수 있다. 따라서, 상기 제2 화소(PXL2)에서 상기 제2 공진 조절부(RL2)의 제2 두께(T2)에 의해 상기 제2 공진 거리(RD2)가 용이하게 조절될 수 있다. 즉, 상기 제2 화소(PXL2)가 공진 모드로 구동될 수 있도록 상기 제2 두께(T2)가 제어된 상기 제2 공진 조절부(RL2)가 상기 제2 화소(PXL2)에 제공될 수 있다.
제3 공진 거리(RD3)는 대략적으로 상기 청색광의 파장을 2로 나눈 값의 정수 배로 설정될 수 있다. 따라서, 상기 제3 화소(PXL3)에서 상기 제3 공진 조절부(RL3)의 제3 두께(T3)에 의해 상기 제3 공진 거리(RD3)가 용이하게 조절될 수 있다. 즉, 상기 제3 화소(PXL3)가 공진 모드로 구동될 수 있도록 상기 제3 두께(T3)가 제어된 상기 제3 공진 조절부(RL3)가 상기 제3 화소(PXL3)에 제공될 수 있다.
한편, 상기 적색광의 파장, 상기 녹색광의 파장 및 상기 청색광의 파장은 서로 상이하므로, 상기 제1 내지 제3 공진 거리들(RD1, RD2, RD3)도 서로 상이하다. 보다 상세하게는, 상기 적색광의 파장은 상기 녹색광의 파장보다 크고, 상기 녹색광의 파장은 상기 청색광의 파장보다 크므로, 상기 제1 내지 제3 공진 거리들(RD1, RD2, RD3) 중 상기 제1 공진 거리(RD1)가 가장 크고, 상기 제3 공진 거리(RD3)이 가장 작다. 따라서, 이 실시예에서는 상기 제1 두께(RD1)는 상기 제2 두께(RD2)보다 크고, 상기 제2 두께(RD2)는 상기 제3 두께(RD3)보다 클 수 있다.
이 실시예에서는, 상기 제1 공진 조절부(RL1)의 상부면 뿐만 아니라 상기 제2 및 제3 공진 조절부들(RL2, RL3) 각각의 상부면은 오목한 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들(RL1, RL2, RL3)의 상부면들이 갖는 곡률들은 실질적으로 서로 동일할 수 있고, 이에 대해서는 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들(RL1, RL2, RL3)의 제조 방법들과 관련될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 제1 화소, 제2 화소 및 제3 화소를 나타내는 단면도이다. 도 3을 설명함에 있어서, 앞서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명된 구성 요소들에 대해서는 도면 부호를 병기하고, 상기 구성 요소들에 대한 중복된 설명은 생략된다.
도 3을 참조하면, 유기전계발광 표시장치(201)는 표시기판(101) 및 봉지부(150)를 포함하고, 상기 표시기판(101)은 제1 화소(PXL1`), 제2 화소(PXL2`) 및 제3 화소(PXL3`)를 포함한다. 이 실시예에서는, 상기 제1 화소(PXL1`)는 적색광을 발광하는 제1 유기 발광층(EL1)을 포함하여 적색광을 출력하고, 상기 제2 화소(PXL2`)는 녹색광을 발광하는 제2 유기 발광층(EL2)을 포함하여 녹색광을 출력하고, 상기 제3 화소(PXL3`)는 청색광을 발광하는 제3 유기 발광층(EL3)을 포함하여 청색광을 출력한다.
이 실시예에서는, 상기 제1 내지 제3 화소들(PXL1`, PXL2`, PXL3`) 각각은 제1 전극(E1), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL) 및 전자 주입층(EIL)을 포함한다. 또한, 상기 제1 화소(PXL1`)는 상기 제1 유기 발광층(EL1) 및 상기 전자 주입층(EIL) 사이에 배치되는 제1 공진 조절부(RL1)을 포함하고, 상기 제2 화소(PXL2`)는 상기 제2 유기 발광층(EL2) 및 상기 전자 주입층(EIL) 사이에 배치되는 제2 공진 조절부(RL2)을 포함하고, 상기 제3 화소(PXL3`)는 상기 제3 유기 발광층(EL3) 및 상기 전자 주입층(EIL) 사이에 배치되는 제3 공진 조절부(RL3)을 포함한다.
즉, 앞서 도 2를 참조하여 설명된 실시예와 달리, 이 실시예에서는 상기 제1 내지 제3 화소들(PXL1`, PXL2`, PXL3`) 각각에서 상기 정공 주입층(HIL) 상에 상기 정공 주입층(HIL)과 접촉되는 상기 정공 수송층(HTL)이 배치되고, 상기 제1 내지 제3 화소들(PXL1`, PXL2`, PXL3`)에서 전자 수송층들(도 2의 ETL) 대신에 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들(RL1, RL2, RL3)이 배치된다. 즉, 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들(RL1, RL2, RL3)은 상기 전자 수송층들을 포함할 수 있거나, 상기 전자 수송층들은 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들(RL1, RL2, RL3)로 대체될 수 있다.
앞서 도 2를 참조하여 설명된 실시예와 같이, 이 실시예에서는 상기 제1 화소(PXL1`)에 상기 제1 공진 조절부(RL1)가 배치됨에 따라 상기 제1 공진 조절부(RL1)의 두께에 의해 제1 공진 거리(RD1)가 용이하게 조절될 수 있다. 또한, 상기 제2 공진 조절부(RL2)의 두께에 의해 제2 공진 거리(RD2)가 용이하게 조절될 수 있고, 상기 제3 공진 조절부(RL3)의 두께에 의해 제3 공진 거리(RD3)가 용이하게 조절될 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 유기 발광층들 및 공진 조절부들을 형성하는 데 사용되는 용액 공급 장치를 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 용액 공급 장치(300)는 제1 내지 제6 저장부들(ST1, ST2, ST3, ST4, ST5, ST6), 제1 내지 제6 라인들(LN1, LN2, LN3, LN4, LN5, LN6) 및 제1 내지 제6 분사부들(D1, D2, D3, D4, D5, D6)을 포함한다.
제1 내지 제6 용액들(SL1, SL2, SL3, SL4, SL5, SL6)은 일대일 대응하여 상기 제1 내지 제6 저장부들(ST1, ST2, ST3, ST4, ST5, ST6)에 수용된다. 또한, 상기 제1 내지 제6 라인들(LN1, LN2, LN3, LN4, LN5, LN6)의 일 단들은 상기 제1 내지 제6 저장부들(ST1, ST2, ST3, ST4, ST5, ST6)과 일대일 대응하여 연결되고, 상기 제1 내지 제6 라인들(LN1, LN2, LN3, LN4, LN5, LN6)의 타 단들은 상기 제1 내지 제6 분사부들(D1, D2, D3, D4, D5, D6)과 일대일 대응하여 연결된다.
따라서, 상기 제1 내지 제6 용액들(SL1, SL2, SL3, SL4, SL5, SL6)은 상기 제1 내지 제6 라인들(LN1, LN2, LN3, LN4, LN5, LN6)을 통해 상기 제1 내지 제6 분사부들(D1, D2, D3, D4, D5, D6)과 일대일 대응하여 상기 제1 내지 제6 분사부들(D1, D2, D3, D4, D5, D6)을 통해 토출될 수 있다.
상기 제1 용액(SL1)은 제1 공진 조절부(도 2의 RL1)를 형성하는 데 사용되는 소오스 물질이고, 상기 제2 용액(SL2)은 제2 공진 조절부(도 2의 RL2)를 형성하는 데 사용되는 소오스 물질이고, 상기 제3 용액(SL3)은 제3 공진 조절부(도 2의 RL3)를 형성하는 데 사용되는 소오스 물질이다. 이 실시예에서는, 상기 제1 내지 제3 용액들(SL1, SL2, SL3)은 하나의 용매에 하나의 용질이 용해되어 형성될 수 있고, 상기 제1 내지 제3 용액들(SL1, SL2, SL3)에서 상기 용매에 용해된 상기 용질의 농도들은 서로 상이하다.
이 실시예에서는, 상기 용매 및 상기 용질 각각의 재료에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 용매 및 상기 용질은 정공 수송층(도 3의 HTL)을 프린팅 방법으로 형성하는 데 사용되는 소오스 용액의 기 공지된 용매 및 용질과 동일한 재료를 포함할 수 있다.
상기 제4 용액(SL4)은 제1 유기 발광층(도 2의 EL1)을 형성하는 데 사용되는 소오스 물질이고, 상기 제5 용액(SL5)은 제2 유기 발광층(도 2의 EL2)을 형성하는 데 사용되는 소오스 물질이고, 상기 제6 용액(SL6)은 제3 유기 발광층(도 2의 EL3)을 형성하는 데 사용되는 소오스 물질일 수 있다. 앞서 상술한 바와 같이, 상기 제1 내지 제3 유기 발광층들은 서로 다른 색상의 광을 발광하므로, 상기 제4 내지 제6 용액들(SL4)에 용해된 용질들은 서로 상이할 수 있다.
상기 용액 공급 장치(300)를 이용하여 도 2에 도시된 유기전계발광 표시장치(도 2의 200), 보다 상세하게는 상기 유기전계발광 표시장치의 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들(도 2의 RL1, RL2, RL3)을 형성하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 5a 내지 도 5e들은 도 2에 도시된 유기전계발광 표시장치의 표시기판의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
도 5a를 참조하면, 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)이 정의된 기판(10)을 준비하고, 상기 기판(10) 위에 게이트 절연막(L1), 층간 절연막(L2) 및 평탄화막(L3)을 형성한다. 도 5a에서 도시되지는 않았으나, 상기 평탄화막(L3)을 형성하기 이전에, 상기 기판(10) 위에 구동 트랜지스터(도 1의 TR)가 상기 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)에 일대일 대응하여 다수로 형성될 수 있다.
상기 평탄화막(L3)이 형성된 이후에, 상기 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각에 제1 전극(E1)을 형성하고, 화소 정의막(PDL)을 형성한다. 상기 화소 정의막(PDL)에는 상기 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각에 대응하여 개구부(OP)가 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)이 형성된 이후에, 상기 개구부(OP)를 통해 외부에 노출된 상기 제1 전극(E1) 위에 정공 주입층(HIL)을 형성한다. 이 실시예에서는, 상기 정공 주입층(HIL)은 잉크젯 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 다른 실시예에서는, 상기 정공 주입층(HIL)은 스핀 코팅 방법을 이용하여 형성될 수도 있고, 이 경우에, 상기 정공 주입층(HIL)은 상기 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)에 걸쳐 단일막 형상으로 형성될 수 있다.
도 4 및 도 5b를 참조하면, 제1 화소 영역(PA1)에 제1 예비 공진 조절부(AL1)를 형성하고, 제2 화소 영역(PA2)에 제2 예비 공진 조절부(AL2)를 형성하고, 제3 화소 영역(PA3)에 제3 예비 공진 조절부(AL3)를 형성한다.
상기 제1 내지 제3 예비 공진 조절부들(AL1, AL2, AL3)을 형성하는 방법은 다음과 같다. 제1 분사부(D1), 제2 분사부(D2) 및 제3 분사부(D3)를 준비한다. 상기 제1 분사부(D1)는 제1 라인(LN1)을 통해 제1 저장부(ST1)와 연결되고, 상기 제2 분사부(D2)는 제2 라인(LN2)을 통해 제2 저장부(ST2)와 연결되고, 상기 제3 분사부(D3)는 제3 라인(LN3)을 통해 제3 저장부(ST3)와 연결된다.
상기 제1 분사부(D1)는 상기 제1 화소 영역(PA1)에 제1 용액(SL1)을 분사하여 상기 제1 예비 공진 조절부(AL1)가 형성되고, 상기 제2 분사부(D2)는 상기 제2 화소 영역(PA2)에 제2 용액(SL2)을 분사하여 상기 제2 예비 공진 조절부(AL2)가 형성되고, 상기 제3 분사부(D3)는 상기 제3 화소 영역(PA3)에 제3 용액(SL3)을 분사하여 상기 제3 예비 공진 조절부(AL3)가 형성된다.
이 실시예에서는, 상기 제1 내지 제3 용액들(SL1, SL2, SL3)은 서로 동일한 양으로 제공된다. 그 결과, 상기 제1 내지 제3 예비 공진 조절부들(AL1, AL2, AL3)의 두께들은 실질적으로 서로 동일할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 예비 공진 조절부(AL1)이 제4 두께(T4)를 갖는다면, 상기 제2 및 제3 예비 공진 조절부들(AL2, AL3) 각각은 상기 제4 두께(T4)를 가질 수 있다.
이 실시예에서는, 상기 제4 두께(T4)는 제1 내지 제3 두께들(도 2의 T1, T2, T3) 각각보다 클 수 있고, 그 이유는 후술될 상기 제1 내지 제3 예비 공진 조절부들(AL1, AL2, AL3)에 대해 건조 공정을 수행하는 동안에, 상기 제1 예비 공진 조절부(AL1)를 구현하는 상기 제1 용액(SL1)의 용매, 상기 제2 예비 공진 조절부(AL2)를 구현하는 상기 제2 용액(SL2)의 용매 및 상기 제3 예비 공진 조절부(AL2)를 구현하는 상기 제3 용액(SL3)의 용매가 제거되기 때문이다.
도 5b 및 도 5c를 참조하면, 제1 내지 제3 예비 공진 조절부들(AL1, AL2, AL3)에 대해 건조 공정을 수행하여 제1 내지 제3 공진 조절부들(RL1, RL2, RL3)을 형성한다. 또한, 상기 건조 공정을 수행할 때, 상기 제1 내지 제3 예비 공진 조절부들(AL1, AL2, AL3)은 서로 동일한 조건에서 수행될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 내지 제3 예비 공진 조절부들(AL1, AL2, AL3)은 상온에서 서로 동일한 건조 시간 동안에 일괄적으로 건조되거나, 상기 제1 내지 제3 예비 공진 조절부들(AL1, AL2, AL3)은 소정 온도에서 서로 동일한 건조 시간 동안에 열처리되어 일괄적으로 건조될 수 있다.
앞서 도 4를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제1 내지 제3 예비 공진 조절부들 (AL1, AL2, AL3)을 형성하는 데 사용되는 제1 내지 제3 용액들(SL1, SL2, SL3)은 하나의 용매에 하나의 용질이 용해되어 형성되나, 상기 제1 내지 제3 용액들(SL1, SL2, SL3)에 용해된 상기 용질의 농도들은 서로 상이하다. 따라서, 상기 건조 공정이 수행되는 동안에, 상기 제1 예비 공진 조절부(AL1)에서 제거되는 용매의 양은 상기 제2 예비 공진 조절부(AL2)에서 제거되는 용매의 양보다 적고, 상기 제2 예비 공진 조절부(AL2)에서 제거되는 용매의 양은 상기 제3 예비 공진 조절부(AL3)에서 제거되는 용매의 양보다 적다. 그 대신에, 상기 건조 공정이 종료된 이후에 상기 제1 화소 영역(PA1)에 남는 상기 용질의 양은 상기 제2 화소 영역(PA2)에 남는 상기 용질의 양보다 크고, 상기 건조 공정이 종료된 이후에 상기 제2 화소 영역(PA2)에 남는 상기 용질의 양은 상기 제3 화소 영역(PA3)에 남는 상기 용질의 양보다 크다. 그 결과, 상기 제1 공진 조절부(AL1)의 제1 두께(T1)는 상기 제2 공진 조절부(AL2)의 제2 두께(T2)보다 크고, 상기 제2 공진 조절부(AL2)의 상기 제2 두께(T2)는 상기 제3 공진 조절부(AL3)의 제3 두께(T3)보다 크다.
이 실시예에서는, 상기 건조 공정을 통해 형성된 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들(RL1, RL2, RL3) 각각의 상부면은 오목한 형상을 가질 수 있고, 그 이유는 다음과 같다.
상기 제1 용액(SL1)으로 형성된 상기 제1 예비 공진 조절부(AL1)를 예를 들어 설명하면, 상기 제1 예비 공진 조절부(AL1)에 대해 상기 건조 공정이 수행되는 동안에, 상기 제1 예비 공진 조절부(AL1)의 상부면의 에지 부분에 위치한 상기 용매의 증발 속도는 상기 에지 부분에 의해 둘러싸이는 상기 상부면의 중앙 부분에 위치한 상기 용매의 증발 속도보다 크다. 그 결과, 상기 용매가 증발되는 동안에, 상기 상부면에 위치한 상기 용질은 상기 중앙 부분으로부터 상기 에지 부분으로 리플로우(reflow)될 수 있고, 이에 따라 상기 리플로우에 의해 상기 에지 부분에 상기 용질이 적층되는 현상, 소위 커피링(coffee ring) 현상이 발생될 수 있다. 따라서, 상기 건조 공정이 종료된 이후에, 상기 에지 부분의 높이는 상기 중앙 부분보다 높을 수 있고, 그 결과 상기 상부면은 전반적으로 오목한 형상을 가질 수 있다.
한편, 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들(RL1, RL2, RL3) 각각의 상부면이 평탄도가 클수록, 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들(RL1, RL2, RL3) 위에 적층되는 다른 박막들의 평탄도가 커질 수 있고, 이에 따라 상기 박막들의 큰 평탄도를 가짐에 따라 단선 및 단락과 같은 현상이 발생되는 것이 최소화될 수 있다. 하지만, 상기 건조 공정의 메커니즘에 따르면, 상기 건조 공정이 수행되는 동안에 상기 커피링 현상이 수반될 수 있으므로, 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들(RL1, RL2, RL3) 각각의 상부면은 단면상에서 어느 정도 오목한 형상을 가질 수 있다. 따라서, 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들(RL1, RL2, RL3)의 상부면들의 평탄도를 향상시키기 위해서는 상기 상부면들 각각의 곡률을 최소화하는 것이 중요할 수 있다. 이 실시예에서는 다음과 같은 이유들로 상기 상부면들 각각의 곡률이 최소화하여 상기 상부면들의 평탄도를 향상시킬 수 있다.
이 실시예에서는, 앞서 상술한 바와 같이, 상기 제1 내지 제3 용액들(SL1, SL2, SL3)의 농도들의 차이로 인해 상기 제1 내지 제3 용액들(SL1, SL2, SL3)에 함유된 용매들의 양이 서로 미세하게 차이나더라도, 상기 제1 내지 제3 예비 공진 조절부들(AL1, AL2, AL3)은 서로 동일한 두께들로 형성된다. 따라서, 상기 건조 공정이 수행되는 동안에, 상기 제1 내지 제3 용액들(SL1, SL2, SL3)에 함유된 용매들이 증발되는 양들 간의 차이를 최소화할 수 있다. 이 경우에, 상기 제1 내지 제3 예비 공진 조절부들(AL1, AL2, AL3)은 서로 동일한 시간 동안에 건조될 수 있고, 이에 따라 상기 제1 내지 제3 예비 공진 조절부들(AL1, AL2, AL3)이 건조되는 동안에, 상기 제1 내지 제3 예비 공진 조절부들(AL1, AL2, AL3)의 상부면들에 발생되는 상기 커피링 현상이 지속되는 시간들이 서로 동일하여 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들(AL1, AL2, AL3)의 상부면들은 실질적으로 서로 동일한 곡률들을 가질 수 있다.
또한, 상기 제1 내지 제3 예비 공진 조절부들(AL1, AL2, AL3)은 서로 동일한 시간 동안에 건조되더라도, 상기 제1 내지 제3 용액들(SL1, SL2, SL3)에서 상기 용질이 서로 다른 농도로 용해되므로, 상기 건조 공정이 완료된 이후에 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들(RL1, RL2, RL3)의 두께는 수 나노미터 내지 수백 나노미터 범위 내에서 서로 상이해질 수 있다.
도 5b 및 도 5c를 참조하여 설명된 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들(RL1, RL2, RL3)의 제조 방법에 따르면, 서로 동일한 두께를 갖는 상기 제1 내지 제3 예비 공진 조절부들(AL1, AL2, AL3)을 이용하여 서로 상이한 두께들을 갖는 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들(RL1, RL2, RL3)이 용이하게 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1 내지 제3 예비 공진 조절부들(AL1, AL2, AL3)을 건조하는 데 소요되는 건조 시간들이 서로 동일하게 설정될 수 있고, 이에 따라 상기 제1 내지 제3 예비 공진 조절부들(AL1, AL2, AL3)이 서로 다른 건조 시간들로 건조됨에 따라 상기 제1 내지 제3 예비 공진 조절부들(AL1, AL2, AL3) 중 일부가 과 건조되어 그 상부면의 평탄도가 다른 일부의 상부면의 평탄도보다 저하되는 것이 방지될 수 있다. 종합하면, 상기 건조시간을 조절하여 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들(RL1, RL2, RL3)의 평탄도들을 최대화시키기가 용이하고, 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들(RL1, RL2, RL3)에 대해 서로 동일한 상기 건조 시간이 적용되므로 상기 평탄도들이 균일해지는 효과가 발생될 수 있다.
도 4 및 도 5d를 참조하면, 제1 공진 조절부(RL1) 위에 제1 유기 발광층(EL1)을 형성하고, 제2 공진 조절부(RL2) 위에 제2 유기 발광층(EL2)을 형성하고, 제3 공진 조절부(RL3) 위에 제3 유기 발광층(EL3)을 형성한다.
이 실시예에 따른 상기 제1 내지 제3 유기 발광층들(EL1, EL2, EL3)을 형성하는 방법은 다음과 같다. 제4 분사부(D4), 제5 분사부(D5) 및 제6 분사부(D6)를 준비한다. 상기 제4 분사부(D4)는 제4 라인(LN4)을 통해 제4 저장부(ST4)와 연결되고, 상기 제5 분사부(D5)는 제5 라인(LN5)을 통해 제5 저장부(ST5)와 연결되고, 상기 제6 분사부(D6)는 제6 라인(LN6)을 통해 제6 저장부(ST6)와 연결된다.
상기 제4 분사부(D4)는 제1 화소 영역(PA1)에 제4 용액(SL4)을 분사하여 상기 제1 유기 발광층(EL1)이 형성되고, 상기 제5 분사부(D5)는 제2 화소 영역(PA2)에 제5 용액(SL5)을 분사하여 상기 제2 유기 발광층(EL2)이 형성되고, 상기 제6 분사부(D6)는 제3 화소 영역(PA3)에 제6 용액(SL6)을 분사하여 상기 제3 유기 발광층(EL3)이 형성된다.
도 5e를 참조하면, 제1 내지 제3 유기 발광층들(EL1, EL2, EL3) 각각에 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(ETL)을 형성하여 제1 내지 제3 화소들(PXL1, PXL2, PXL3)을 형성한다. 그 이후에, 상기 전자 주입층(ETL) 및 화소 정의막(PDL)을 커버하는 제2 전극(E2)을 형성하여 표시 기판(100)의 제조를 완성한다. 그 이후에, 상기 표시기판(100) 위에 봉지부(150)를 형성하여 상기 표시기판(100)을 밀봉한다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
200: 유기전계발광 표시장치 100: 표시기판
150: 봉지부 E1: 제1 전극
E2: 제2 전극 RL1: 제1 공진 조절부
PXL1: 제1 화소 PDL: 화소 정의막
D1: 제1 분사부 LN1: 제1 라인
ST1: 제1 저장부

Claims (20)

  1. 화소 영역들이 정의된 기판을 준비하는 단계;
    상기 화소 영역들에 제1 전극들을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극들 위에 유기 발광층들을 형성하는 단계;
    상기 유기 발광층들 위에 제2 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 전극들 각각 및 상기 제2 전극 사이에 공진 거리를 조절하는 공진 조절부들을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 화소 영역들 중 서로 다른 색상의 광들을 출력하는 적어도 두 개의 화소 영역들에 일대일 대응하여 용액들이 서로 동일한 양으로 제공되고, 상기 용액들은 서로 상이한 농도를 갖고, 상기 제공된 상기 용액들로부터 용매가 제거되어 상기 공진 조절부들이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 용액들은 서로 동일한 시간 동안에 건조되어 상기 용액들로부터 상기 용매가 제거되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제공된 용액들에 일대일 대응하여 예비 공진 조절부들이 형성되고, 상기 예비 공진 조절부들의 두께는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 용액들의 농도에 따라 상기 예비 공진 조절부들로부터 상기 용매가 제거된 양들이 서로 상이하여 상기 공진 조절부들은 서로 상이한 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 발광층들을 형성하는 단계는,
    상기 화소 영역들의 제1 화소 영역에 제1 유기 발광층을 형성하는 단계;
    상기 화소 영역들의 제2 화소 영역에 상기 제1 유기 발광층과 상이한 색상의 광을 발생하는 제2 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 화소 영역들의 제3 화소 영역에 상기 제1 및 제2 유기 발광층들과 상이한 색상의 광을 발생하는 제3 유기 발광층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 공진 조절부들을 형성하는 단계는,
    상기 제1 화소 영역에 상기 제1 유기 발광층과 중첩되는 제1 공진 조절부를 형성하는 단계;
    상기 제2 화소 영역에 상기 제2 유기 발광층과 중첩되고, 상기 제1 공진 조절부와 다른 두께를 갖는 제2 공진 조절부를 형성하는 단계; 및
    상기 제3 화소 영역에 상기 제3 유기 발광층과 중첩되고, 상기 제1 및 제2 공진 조절부들과 상이한 두께를 갖는 제3 공진 조절부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 공진 조절부를 형성하는 단계는,
    상기 제1 유기 발광층 위에 제1 농도를 갖는 제1 용액을 제공하여 제1 예비 공진 조절층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 예비 공진 조절층을 건조하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 공진 조절부를 형성하는 단계는,
    상기 제2 유기 발광층 위에 상기 제1 농도와 상이한 제2 농도를 갖는 제2 용액을 제공하여 제2 예비 공진 조절층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 예비 공진 조절층을 건조하는 단계를 포함하고,
    상기 제3 공진 조절부를 형성하는 단계는,
    상기 제3 유기 발광층 위에 상기 제1 및 제2 농도들과 상이한 제3 농도를 갖는 제3 용액을 제공하여 제3 예비 공진 조절층을 형성하는 단계; 및
    상기 제3 예비 공진 조절층을 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 예비 공진 조절층들은 서로 동일한 시간 동안 건조되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 용액들은 상기 용매 및 상기 용매에 용해된 용질로 형성되고, 상기 제1 내지 제3 용액들에서 상기 용매에 용해된 상기 용질의 양은 서로 상이한 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 제1 용액은 제1 분사부를 통해 상기 제1 화소 영역에 제공되고, 상기 제2 용액은 제2 분사부를 통해 상기 제2 화소 영역에 제공되고, 상기 제3 용액은 제3 분사부를 통해 상기 제3 화소 영역에 제공되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 제1 분사부는 상기 제1 용액을 수용하는 제1 저장부로부터 상기 제1 용액을 제공받고, 상기 제2 분사부는 상기 제2 용액을 수용하는 제2 저장부로부터 상기 제2 용액을 제공받고, 상기 제3 분사부는 상기 제3 용액을 수용하는 제3 저장부로부터 상기 제3 용액을 제공받는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
  11. 제 6 항에 있어서, 상기 제1 유기 발광층은 적색광을 방출하고, 상기 제2 유기 발광층은 녹색광을 방출하고, 상기 제3 유기 발광층은 청색광을 방출하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
  12. 제 6 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 유기 발광층들 중 상기 제1 유기 발광층으로부터 방출되는 광의 파장이 가장 커서 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들 중 상기 제1 공진 조절부의 두께가 가장 크고, 상기 제1 내지 제3 유기 발광층들 중 상기 제3 유기 발광층으로부터 방출되는 광의 파장이 가장 작아 상기 제1 내지 제3 공진 조절부들 중 상기 제3 공진 조절부의 두께가 가장 작은 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 발광층들을 형성하기 이전에, 상기 제1 전극들 위에 정공 주입층을 형성하는 단계;
    상기 유기 발광층들을 형성하기 이전에, 상기 정공 주입층 위에 정공 수송층을 형성하는 단계;
    상기 제2 전극을 형성하기 이전에, 상기 유기 발광층들 위에 전자 수송층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 전극을 형성하기 이전에, 상기 전자 수송층 위에 전자 주입층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층 중 어느 하나는 상기 공진 조절부들로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 공진 조절부들은 상기 제1 전극들 및 상기 유기 발광층들 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
  16. 제 13 항에 있어서, 상기 공진 조절부들은 상기 제2 전극 및 상기 유기 발광층들 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105720081B (zh) * 2016-02-24 2021-04-16 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管阵列基板、显示装置和制作方法
US20230276685A9 (en) * 2016-08-26 2023-08-31 Najing Technology Corporation Limited Manufacturing method for light emitting device, light emitting device, and hybrid light emitting device
KR102587116B1 (ko) 2018-05-31 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109449189B (zh) 2018-11-13 2022-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法和显示面板
CN111129088B (zh) * 2019-12-17 2022-09-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示装置
KR20230097031A (ko) * 2020-11-03 2023-06-30 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치
CN112952025A (zh) * 2021-03-31 2021-06-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006269327A (ja) 2005-03-25 2006-10-05 Seiko Epson Corp 発光装置
KR100823511B1 (ko) 2006-11-10 2008-04-21 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6087196A (en) * 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
TW386060B (en) 1998-04-13 2000-04-01 Seiko Epson Corp Method and apparatus of recoding data and regenerating data
KR100663028B1 (ko) 2003-12-30 2006-12-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
CN101350361B (zh) * 2004-11-22 2011-06-15 精工爱普生株式会社 El装置和电子机器
JP4525536B2 (ja) * 2004-11-22 2010-08-18 セイコーエプソン株式会社 Ｅｌ装置および電子機器
JP5219237B2 (ja) 2007-03-23 2013-06-26 大日本スクリーン製造株式会社 塗布装置
KR101399215B1 (ko) * 2007-11-05 2014-05-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법
EP2239798A1 (en) * 2009-04-07 2010-10-13 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Patterning the emission colour in top-emissive OLEDs
KR101058109B1 (ko) * 2009-09-15 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101349143B1 (ko) * 2010-03-30 2014-01-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
JP5624047B2 (ja) 2010-06-30 2014-11-12 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネルとその製造方法
US9528814B2 (en) * 2011-05-19 2016-12-27 NeoVision, LLC Apparatus and method of using impedance resonance sensor for thickness measurement

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006269327A (ja) 2005-03-25 2006-10-05 Seiko Epson Corp 発光装置
KR100823511B1 (ko) 2006-11-10 2008-04-21 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법

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