[go: up one dir, main page]

KR102300931B1 - 기판 처리 방법 및 장치 - Google Patents

기판 처리 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102300931B1
KR102300931B1 KR1020190099686A KR20190099686A KR102300931B1 KR 102300931 B1 KR102300931 B1 KR 102300931B1 KR 1020190099686 A KR1020190099686 A KR 1020190099686A KR 20190099686 A KR20190099686 A KR 20190099686A KR 102300931 B1 KR102300931 B1 KR 102300931B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fluid
substrate
processing
processing space
supercritical state
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020190099686A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210021191A (ko
Inventor
서용준
윤현
고정석
김병근
사윤기
김도연
연예림
이충현
허필균
엄영제
이재성
안동옥
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020190099686A priority Critical patent/KR102300931B1/ko
Priority to US16/993,442 priority patent/US20210050210A1/en
Priority to JP2020136936A priority patent/JP7303784B2/ja
Publication of KR20210021191A publication Critical patent/KR20210021191A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102300931B1 publication Critical patent/KR102300931B1/ko
Priority to US17/965,911 priority patent/US12046466B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 방법은, 챔버 내의 처리공간에서 기판 상의 잔류물을 초임계 상태의 제1유체와 초임계 상태의 제2유체로 기판을 처리하는 처리 단계를 포함하되, 초임계 상태의 제1유체와 초임계 상태의 제2유체는 서로 밀도가 상이할 수 있다.
본 발명에 따르면, 초임계 유체를 이용하여 기판을 건조 시 기판의 건조 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.

Description

기판 처리 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼와 같은 기판으로부터 제조한다. 구체적으로, 반도체 소자는 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정 등을 수행하여 기판의 상부면에 미세한 회로 패턴을 형성하여 제조된다.
상기의 공정들을 수행하면서 상기 회로 패턴이 형성된 기판의 상부면에 각종 이물질이 부착되므로, 상기 공정들 사이에 기판 상의 이물질을 제거하는 세정 공정이 수행된다.
일반적으로 세정 공정은 케미칼을 기판에 공급하여 기판 상의 이물질을 제거하는 케미칼 처리, 순수를 기판에 공급하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 처리, 그리고 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하는 건조 처리를 포함한다.
기판의 건조 처리를 위해 초임계 유체가 사용된다. 일 예에 의하면, 기판 상의 순수를 유기용제로 치환한 다음, 고압 챔버 내에서 초임계 유체를 기판의 상부면에 공급하여 기판 상에 남아있는 유기용제를 초임계 유체에 용해시켜 기판으로부터 제거한다. 유기용제로 이소프로필알코올(isopropyl alcohol; 이하, IPA)이 사용되는 경우, 초임계 유체로는 임계 온도 및 임계 압력이 상대적으로 낮고, IPA가 잘 용해되는 이산화탄소(CO2)가 사용된다.
초임계 유체를 이용한 기판의 처리는 다음과 같다. 도 1은 초임계 유체를 이용한 기판의 처리 시 챔버 내부의 압력(P)과 챔버 내부의 온도(T)를 나타낸다. 기판이 고압 챔버 내로 반입되면, 고압 챔버 내로 초임계 상태의 이산화탄소가 공급되어 고압 챔버 내부를 가압하고(S10), 이후 초임계 유체의 공급 및 고압 챔버 내의 배기를 반복하면서 초임계 유체로 기판을 처리한다(S20). 그리고 기판의 처리가 완료되면, 고압 챔버 내부를 배기하여 감압한다(S30).
도 2에 도시된 바와 같이, IPA의 이산화탄소에 대한 용해도는 온도가 낮아질수록 낮아진다. 따라서, 이산화탄소의 공급 및 챔버 내부의 배기를 반복하면서 기판을 처리하는 도중에, 챔버 내부가 배기될 때 단열 팽창에 의해 챔버 내부의 온도가 낮아진다. 비록 챔버 내부의 온도가 이산화탄소의 임계 온도(t1)보다 낮아지지 않는다 할지라도, 도 2와 같이 이산화탄소에 대한 IPA의 용해도는 챔버 내부의 온도가 낮아질수록 낮아진다. 용해도가 낮아짐에 따라 챔버 내에 남아있던 IPA는 미스트 형태로 잔류하게 되고, 이들이 기판 상에 떨어져 세정 불량을 유발한다
고압 챔버 내부를 배기하여 챔버의 감압이 이루어지는 동안(S30), 챔버 내부의 압력이 하강되며 챔버 내부의 온도는 단열팽창으로 인해 이산화탄소의 임계온도(t1)인 섭씨 31도 이하로 떨어진다. 이로 인해 시간 t1이 경과되는 시점부터 챔버 내부의 초임계 혼합물이 응축하면서 기판에 떨어진다.
미처 초임계 유체에 용해되지 못한 IPA와 이산화탄소 혼합물이 기판에 잔류 및 흡착되어 패턴 리닝 현상을 야기한다. 이에, 기판 상에 잔류하는 IPA를 감소시키기 위해 공정시간을 길게 늘릴 경우, 반도체 가격이 상승하고 수율이 하락하는 문제가 있다.
초임계 상태의 이산화탄소를 사용하는 초임계 공정에서, 챔버 내부의 압력 또는 온도 변화 등으로 인해 이산화탄소의 상 변화가 발생한다. 이에 따라 IPA의 초임계 유체에 대한 용해도가 변화하고, 초임계 유체에 용해되지 않은 IPA가 기판에 여전히 잔류하는 문제가 있다. 특히, 기판의 처리가 완료된 직후 고온고압 상태의 챔버를 개방함에 따라 초임계 유체의 급격한 상변화 및 챔버 내부의 급격한 온도 변화가 발생한다.
또한, 초임계 유체 및 IPA의 배출이 원활하지 않아 공정이 완료된 후에도 패턴 깊숙이 침투한 초임계 유체 또는 초임계 유체에 용해된 IPA가 배출되지 않고 잔류한다.
본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리 시 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 기판을 건조 시 이종의 초임계 유체를 이용하여 초임계 유체의 급격한 상변화를 방지하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 방법은, 챔버 내의 처리공간에서 기판 상의 잔류물을 초임계 상태의 제1유체와 초임계 상태의 제2유체로 기판을 처리하는 처리 단계를 포함하되, 초임계 상태의 제1유체와 초임계 상태의 제2유체는 서로 밀도가 상이할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 처리 단계에서 처리공간으로 제1유체를 공급하는 공급 단계와 처리공간을 배기하는 배기 단계는 순차적으로 복수 회 반복하면서 이루어지고, 제2유체는 공급 단계에서 공급될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 처리 단계에서 처리공간으로 제1유체를 공급하는 공급 단계와 처리공간을 배기하는 배기 단계는 순차적으로 복수 회 반복하면서 이루어지고, 제2유체는 공급 단계와 배기 단계에서 공급될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 기판 처리 방법은, 처리 단계 이후에 처리공간 내를 배출하여 처리공간을 감압하는 감압 단계를 더 포함하되, 감압 단계 동안 처리공간으로 제2유체가 공급될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 처리공간으로 공급되는 제2유체의 단위시간당 공급량은 처리공간으로부터 배출되는 단위 시간당 제1유체 및 제2유체의 배기량 보다 적을 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 기판 처리 방법은 감압 단계 이후에 챔버를 개방하는 개방 단계를 포함하되, 개방 단계 동안에 처리공간으로 가스 상태의 제2유체가 공급될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 처리 단계는, 제1유체 또는 제2유체를 공급하는 공급단계와 공급단계 이후에 처리공간을 배기하는 배기단계를 교대로 번갈아가면서 복수 회 공급하되, 공급단계는 제1유체만 공급되는 제1공급단계와, 제2유체만 공급되는 제2공급단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1공급단계는 N회 연속되고 제2공급단계는 M회 연속되되, N은 M 보다 큰 수일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 공급단계의 반복 횟수가 증가됨에 따라 N은 점진적으로 감소하고 M은 점진적으로 증가할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 공급단계의 반복 횟수가 증가됨에 따라 제1공급단계에서 제1유체의 단위 시간당 공급량은 감소하고, 제2유체의 단위 시간당 제2유체의 공급량은 증가할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 기판의 처리는 기판 상의 유기용제를 제1유체 또는 제2유체에 용해시켜 기판 상에서 유기용제를 제거하는 공정일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1유체는 제2유체보다 밀도가 더 높고, 제2유체는 제1유체보다 확산율이 더 높을 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1유체는 제2유체보다 잔류물을 더 잘 용해하는 유체일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제2유체는 제1유체보다 더 낮은 온도 및 더 낮은 압력에서 초임계 상태로 상변화하는 유체일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1유체는 이산화탄소이고 제2유체는 불활성 가스일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제2유체는 아르곤 가스, 질소 가스 또는 헬륨 가스일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1유체와 제2유체는 서로 밀도가 상이한 동일 종류의 유체일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1유체와 제2유체는 이산화탄소일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 패턴이 형성된 기판을 처리공간에 배치하고, 처리공간 내로 초임계 상태의 제1유체를 공급하여 기판 상에 잔류하는 잔류물을 제1유체에 용해시키고, 처리공간 내로 초임계 상태의 제2유체를 공급하여 패턴 내에 잔존하는 잔류물이 용해된 제1유체를 패턴으로부터 방출시키되, 제1유체는 제2유체보다 밀도가 높고, 제2유체는 제1유체보다 확산율이 높은 유체일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 처리공간으로 제1유체를 공급하는 공급 단계와 처리공간을 배기하는 배기 단계를 순차적으로 복수 회 반복하되, 배기는 처리공간의 아래 방향으로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1유체와 제2유체는 처리공간으로 동시에 공급될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1유체와 제2유체는 처리공간으로 번갈아 가며 공급될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 기판의 처리는 처리공간으로 제1유체의 공급 및 처리공간의 배기가 순차적으로 복수 회 반복하면서 이루어지고, 반복 횟수가 증가됨에 따라 제1유체의 단위 시간당 공급량은 작아지고, 제2유체의 단위 시간당 공급량은 증가할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 기판의 처리는 기판 상의 유기용제를 제1유체 또는 제2유체에 용해시켜 기판 상에서 유기용제를 제거하는 공정일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1유체는 제2유체보다 밀도가 더 높고, 제2유체는 제1유체보다 확산율이 더 높을 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1유체는 제2유체보다 잔류물을 더 잘 용해하는 유체일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제2유체는 제1유체보다 더 낮은 온도 및 더 낮은 압력에서 초임계 상태로 상변화하는 유체일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1유체와 제2유체는 서로 밀도가 상이한 동일 종류의 유체일 수 있다.
또한 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 기판 처리 장치는, 내부에 처리공간을 가지는 챔버와; 처리공간 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과; 처리공간으로 초임계 상태의 제1유체를 공급하는 제1공급유닛과; 처리공간으로 초임계 상태의 제2유체를 공급하는 제2공급유닛과; 처리공간 내부를 배기하는 배기유닛을 포함하되, 제2유체는 제1유체보다 더 낮은 온도 및 더 낮은 압력에서 초임계 상태로 상 변화하는 유체일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 가스 상태의 제2유체를 처리공간으로 공급하는 제3공급유닛을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1공급유닛 및 제2공급유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하며, 제어기는, 처리공간에서 기판 상의 잔류물을 초임계 상태의 제1유체와 초임계 상태의 제2유체로 기판을 처리하는 처리 단계에서 처리공간으로 제1유체를 공급하는 공급 단계와 처리공간을 배기하는 배기 단계는 순차적으로 복수 회 반복하면서 이루어지고, 제2유체는 공급 단계에서 공급되도록 제1공급유닛 및 제2공급유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제어기는, 제2유체는 공급 단계와 배기 단계에서 공급되도록 제1공급유닛 및 제2공급유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1공급유닛 및 제2공급유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하며, 제어기는, 처리 단계 이후에 처리공간 내를 배출하여 처리공간을 감압하는 감압 단계를 더 포함하되, 감압 단계 동안 처리공간으로 제2유체가 공급되도록 제1공급유닛 및 제2공급유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제3공급유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하며, 제어기는, 처리공간에서 기판 상의 잔류물을 초임계 상태의 제1유체와 초임계 상태의 제2유체로 기판을 처리하는 처리 단계와; 처리공간을 배기하는 감압 단계와; 감압 단계 이후에 챔버를 개방하는 개방 단계를 포함하되, 개방 단계 동안에 처리공간으로 가스 상태의 제2유체가 공급되도록 제1공급유닛, 제2공급유닛 및 제3공급유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 기판의 처리는 기판 상의 유기용제를 제1유체 또는 제2유체에 용해시켜 기판 상에서 유기용제를 제거하는 공정일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 제1유체는 제2유체보다 밀도가 더 높고, 제2유체는 제1유체보다 확산율이 더 높을 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리 시 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 챔버 내 처리공간을 배기할 때, 처리공간 내의 온도가 저하됨에 따라 아임계 상태가 되어 응축된 초임계 유체의 혼합물이 기판을 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 챔버 내 처리공간에 초임계 유체를 공급하거나 챔버 내 처리공간으로부터 초임계 유체를 배기할 경우 처리공간의 온도 저하로 인해 유기용제의 초임계 유체에 대한 용해도가 감소되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 초임계 유체를 이용하여 기판을 건조 시 기판에 잔류하는 IPA를 최소화할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 초임계 건조 공정을 보여주는 그래프이다.
도 2는 온도에 따른 이소프로필 알코올의 이산화탄소에 대한 용해도를 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 2의 액 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 도 2의 초임계 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6은 초임계 유체를 공급하는 유체 공급 유닛의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 순서도를 나타내는 도면이다.
도 8은 챔버 내부의 시간에 따른 압력 변화를 나타내는 도면이다.
도 9 내지 도 12는 기판 상에 형성된 패턴 내부에서 제1유체(F1)와 제2유체(F2)의 거동을 나타낸다.
도 13 및 도 14는 각각 아르곤 가스와 질소 가스의 상평형도를 나타낸다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 시스템은 인덱스 모듈(10), 처리 모듈(20), 그리고 제어기(미도시)를 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.
인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다.
용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.
처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 장치(300), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 장치(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 초임계 장치(500)는 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 공정을 수행한다. 반송 장치(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 장치(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 장치(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 초임계 장치(500)는 반송 장치(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 초임계 장치(500)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 장치(300)의 일단에 위치될 수 있다.
일 예에 의하면, 액 처리 장치(400)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되고, 초임계 장치(500)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되며, 액 처리 장치(400)들은 초임계 장치(500)들보다 버퍼 유닛(200)에 더 가까운 위치에 배치될 수 있다. 반송 장치(300)의 일측에서 액 처리 장치(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. 또한, 반송 장치(300)의 일측에서 초임계 장치(500)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 C X D(C, D는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수)개가 제공될 수 있다. 상술한 바와 달리, 반송 장치(300)의 일측에는 액 처리 장치(400)들만 제공되고, 그 타측에는 초임계 장치(500)들만 제공될 수 있다.
반송 장치(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 장치(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.
버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 장치(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.
도 4는 도 3의 액 처리 장치(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 액 처리 장치(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 액 공급 유닛(460), 승강 유닛(480) 및 제어기(40)를 가진다. 제어기(40)는 액 공급 유닛(460), 지지 유닛(440) 및 승강 유닛(480)의 동작을 제어한다. 하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 유닛(440), 그리고 액 공급 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.
컵(420)은 상부가 개방된 처리공간을 가지고, 기판(W)은 처리공간 내에서 액 처리된다. 지지 유닛(440)은 처리공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.
일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 전 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. 일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.
지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다. 지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다.
척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.
일 예에 의하면, 액 공급 유닛(460)은 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)을 가진다. 제1노즐(462)은 제1액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제1액은 기판(W) 상에 잔존하는 막이나 이물을 제거하는 액일 수 있다. 제2노즐(464)은 제2액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제2액은 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제2액은 제1액에 비해 제3액에 더 잘 용해되는 액일 수 있다. 제2액은 기판(W) 상에 공급된 제1액을 중화시키는 액일 수 있다. 또한, 제2액은 제1액을 중화시키고 동시에 제1액에 비해 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다.
일 예에 의하면, 제2액은 물일 수 있다. 제3노즐(466)은 제3액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제3액은 초임계 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제3액은 제2액에 비해 초임계 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 일 예에 의하면, 제3액은 유기용제일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다. 일 예에 의하면, 초임계 유체는 이산화탄소일 수 있다.
제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 서로 상이한 아암(461)에 지지되고, 이들 아암(461)들은 독립적으로 이동될 수 있다. 선택적으로 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 동일한 아암에 장착되어 동시에 이동될 수 있다.
승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 전 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
도 5는 도 2의 초임계 장치(500)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 일 실시예에 의하면, 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상의 액을 제거한다. 일 실시예에 따르면, 기판(W) 상의 액은 IPA이다. 초임계 장치(500)에 초임계 유체가 공급되어 기판(W) 상의 IPA를 용해시켜 기판(W)으로부터 증발시킴에 따라 기판(W)을 건조시킬 수 있다.
초임계 장치(500)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상의 액을 제거한다. 일 실시예에 따르면, 기판(W) 상의 액은 이소프로필 알코올(IPA)이다. 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 기판 상에 공급하여 기판(W) 상의 IPA를 초임계 유체에 용해시켜 기판(W)으로부터 IPA를 제거한다.
도 5를 참조하면, 초임계 장치(500)는 공정챔버(520), 유체 공급유닛(560), 지지 장치(580) 그리고 배기 라인(550)을 포함한다.
공정챔버(520)는 세정 공정이 수행되는 처리공간(502)을 제공한다. 공정챔버(520)는 상부 하우징(522)과 하부 하우징(524)을 가지며, 상부 하우징(522)과 하부 하우징(524)은 서로 조합되어 상술한 처리공간(502)을 제공한다. 상부 하우징(522)은 하부 하우징(524)의 상부에 제공된다.
상부 하우징(522)은 그 위치가 고정되고, 하부 하우징(524)은 실린더와 같은 구동부재(590)에 의해 승하강될 수 있다. 하부 하우징(524)이 상부 하우징(522)으로부터 이격되면 처리공간(502)이 개방되고, 이 때 기판(W)이 반입 또는 반출된다.
공정 진행시에는 하부 하우징(524)이 상부 하우징(522)에 밀착되어 처리공간(502)이 외부로부터 밀폐된다. 공정챔버(520)의 벽 내부에는 히터(570)가 제공된다. 히터(570)는 공정챔버(520)의 내부공간 내로 공급된 유체가 초임계 상태를 유지하도록 공정챔버(520)의 처리공간(502)을 가열한다. 처리공간(502)의 내부는 초임계 유체에 의한 분위기가 형성된다.
지지 장치(580)는 공정챔버(520)의 처리공간(502) 내에서 기판(W)을 지지한다. 공정챔버(520)의 처리공간(502)으로 반입된 기판(W)은 지지 장치(580)에 놓인다. 일 예에 의하면, 기판(W)은 패턴면이 상부를 향하도록 지지 장치(580)에 의해 지지된다.
유체 공급유닛(560)은 공정챔버(520)의 처리공간(502)으로 기판 처리를 위한 초임계 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 유체 공급유닛(560)은 메인 공급 라인(562), 상부 공급 라인(564) 그리고 하부 공급 라인(566)을 가진다. 상부 공급 라인(564)과 하부 공급 라인(566)은 메인 공급 라인(562)으로부터 분기된다. 상부 공급 라인(564)은 상부 하우징(522)의 중앙에 결합될 수 있다. 일 예에 의하면, 하부 공급 라인(566)은 하부 하우징(524)에 결합될 수 있다. 또한, 하부 하우징(524)에는 배기 라인이 결합된다. 공정챔버(520)의 처리공간(502) 내의 유체는 배기 라인을 통해서 공정챔버(520)의 외부로 배기된다.
도 6은 본 발명의 기판을 처리하는 장치를 나타내는 일 실시예이다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 장치는 제1공급유닛(610), 제2공급유닛(620) 및 제3공급유닛(630)과 제어기(미도시)를 포함할 수 있다. 제어기는 제1공급유닛(610) 내지 제3공급유닛(630)을 제어한다.
제1공급유닛(610)은 처리공간(502)으로 초임계 상태의 제1유체를 공급한다. 제2공급유닛(620)은 처리공간(502)으로 초임계 상태의 제2유체를 공급한다. 제3공급유닛(630)은 가스 상태의 제2유체를 처리공간(502)으로 공급한다.
제1공급유닛(610)은, 제1공급라인(611)과 제1공급라인(611)에 설치되는 제1펌프(612), 제1전방밸브(614), 제1후방밸브(616), 제1히터(618), 제1필터(619) 및 제1조절밸브(617)를 포함한다. 제1펌프(612)는 제1레저버(615)의 전단에 설치되어 제1유체를 제1레저버(615)로 송출한다. 제1전방밸브(614)는 제1펌프(612)로부터 제1레저버(615)로 송출되는 제1유체의 유량을 조절한다. 제1후방밸브(616)는 제1레저버(615)로부터 제1히터(618)로 공급되는 제1유체의 유량을 조절한다. 제1히터(618)의 하류에 제1필터(619)가 제공되어 제1공급라인(611)에 흐르는 불순물을 제거한다. 제1조절밸브(617)는 제1공급라인(611)으로부터 처리공간(502)으로 공급되는 제1유체의 유량을 조절한다.
제2공급유닛(620)은, 제2펌프(622), 제2전방밸브(624), 제2후방밸브(626), 제2히터(628), 제2필터(629) 및 제2조절밸브(627)를 포함한다. 제2펌프(622)는 제2레저버(625)의 전단에 설치되어 제2유체를 제2레저버(625)로 송출한다. 제2전방밸브(624)는 제2펌프(622)로부터 제2레저버(625)로 송출되는 제2유체의 유량을 조절한다. 제2후방밸브(626)는 제2레저버(625)로부터 제2히터(628)로 공급되는 제2유체의 유량을 조절한다. 제2히터(628)의 하류에 제2필터(629)가 제공되어 제2공급라인(621)에 흐르는 불순물을 제거한다. 제2조절밸브(627)는 제2공급라인(621)으로부터 처리공간(502)으로 공급되는 제2유체의 유량을 조절한다.
제3공급유닛(630)은, 제3펌프(632), 제3전방밸브(634), 제3후방밸브(636), 제3필터(639) 및 제3조절밸브(637)를 포함한다. 제3펌프(632)는 제3레저버(635)의 전단에 설치되어 제3유체를 제3레저버(635)로 송출한다. 제3전방밸브(634)는 제3펌프(632)로부터 제3레저버(635)로 송출되는 제3유체의 유량을 조절한다. 제3후방밸브(636)는 제3레저버(635)로부터 공급되는 제3유체의 유량을 조절한다. 제3후방밸브(636)의 하류에 제3필터(639)가 제공되어 제3공급라인(631)에 흐르는 불순물을 제거한다. 제3조절밸브(637)는 제3공급라인(631)으로부터 처리공간(502)으로 공급되는 제3유체의 유량을 조절한다.
이상, 도 6에서, 제3공급유닛(630)에 히터를 포함하지 않는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 실시 예에서, 제3공급유닛(630)은 제2유체가 초임계 상태가 되는 임계 온도 미만의 온도로 제2유체를 공급하는 조건 하에 히터를 포함할 수 있다.
일 예에서, 제1공급유닛(610), 제2공급유닛(620) 그리고 제3공급유닛(630)은 유체 공급유닛(560)의 메인 공급 라인(562)에 연결될 수 있다.
도 7은 본 발명의 기판을 처리하는 방법을 나타내는 순서도이고, 도 8은 본 발명의 공정챔버(520) 내의 압력 변화를 보여주는 그래프이다. 도 7 내지 도 8을 참조하면, 기판을 처리하는 방법은 가압 단계(S100), 처리 단계(S200), 감압 단계(S300) 및 개방 단계(S400)를 포함할 수 있다.
가압 단계(S100)는, 기판이 처리공간(502)으로 반입되면 가압 단계(S100)가 수행된다. 가압 단계(S100)에서 처리공간(502)에 초임계 상태의 제1유체가 공급되어 처리공간(502)을 가압한다. 가압은 처리공간(502)의 내부가 제1유체가 초임계 유체가 되는 임계 압력 또는 그 이상이 될 때까지 이루어진다.
처리 단계(S200)는 초임계 상태의 제1유체를 처리공간(502)으로 공급하여 기판을 처리한다. 처리 단계(S200)는, 공급 단계(S201)와 배기 단계(S203)를 포함한다. 처리 단계(S200)와 공급 단계(S201)은 순차적으로 복수 회 반복되면서 수행된다. 공급 단계(S201)에서 처리공간(502)으로 제1유체가 공급되고, 배기 단계(S203)에서 처리공간(502)이 배기된다.
감압 단계(S300)는 기판의 처리를 완료한 후, 처리공간(502)을 배기한다. 일 예에 의하면 감압은 처리공간(502) 내부의 상압 또는 이와 유사한 압력이 될 때까지 이루어진다. 감압 단계(S300)가 완료되면, 챔버를 개방하는 개방 단계(S400)가 수행되고, 챔버가 개방되면 기판이 처리공간(502)에서 반출된다.
상술한 바와 같이, 가압 단계(S100) 및 처리 단계(S200)에서, 초임계 상태의 제1유체가 처리공간(502)으로 공급된다. 처리 단계(S200), 감압 단계(S300) 또는 개방 단계(S400) 중 적어도 어느 한 단계 이상에서 제2유체가 처리공간(502)으로 공급된다. 제1유체와 제2유체는 번갈아 공급될 수 있다.
제2유체는 처리공간(502)으로 공급되는 제2유체는 제1유체와 밀도가 상이하게 제공된다. 제1유체는 제2유체보다 밀도가 더 높고, 제2유체는 제1유체보다 확산율이 더 높게 제공될 수 있다. 제1유체는 제2유체보다 잔류물을 더 잘 용해하도록 제공될 수 있다. 일 예에서, 잔류물은 유기용제인 IPA이다.
이하, 제1유체는 이산화탄소이고 제2유체는 질소인 것으로 설명한다. 가압 단계(S100)가 진행된 후, 공급 단계(S201)에서 초임계 상태의 이산화탄소와 함께 초임계 상태의 질소가 처리공간(502)으로 공급된다.
공급 단계(S201)는 제1공급단계(S211)와 제2공급단계(S221)를 포함한다. 제1공급단계(S211)에서는 처리공간으로 이산화탄소만이 공급되고, 질소는 공급되지 않는다. 제2공급단계(S221)에서는 처리공간으로 질소만이 공급되고, 이산화탄소는 공급되지 않는다. 일 예에서, 제1공급단계(S211)에서 처리공간(502)으로 공급되는 제1유체와 제2공급단계(S221)에서 처리공간(502)으로 공급되는 제2유체의 단위 시간당 공급량은 동일하게 제공된다.
제1공급단계(S211)는 N회 연속되고 제2공급단계(S221)는 M회 연속될 수 있다. N은 M보다 큰 수일 수 있다. 일 예에서, 공급 단계(S201)에서 이산화탄소가 처리공간(502)으로 연속 5회 공급되고, 이후 공급 단계(S201)에서 처리공간(502)으로 질소가 1회 공급된다. 다시 이후 공급 단계(S201)에서 이산화탄소가 처리공간(502)으로 5회 공급되고, 이후 공급 단계(S201)에서 처리공간(502)으로 질소가 1회 공급되는 과정이 반복될 수 있다.
공급 단계(S201)의 반복 횟수가 증가됨에 따라 N은 점진적으로 감소하고 M은 점진적으로 증가할 수 있다. 일 예에서, 공급 단계(S201)에서 이산화탄소가 처리공간(502)으로 연속 5회 공급되고, 이후 공급 단계(S201)에서 처리공간(502)으로 질소가 1회 공급된다. 이후 공급 단계(S201)에서 이산화탄소가 처리공간(502)으로 4회 공급되고, 이후 공급 단계(S201)에서 처리공간(502)으로 질소가 2회 공급된다.
공급 단계(S201)의 반복 횟수가 증가됨에 따라 N은 점진적으로 감소하고 M은 점진적으로 증가하도록 제공되되, N은 M보다 크게 유지되어 공급 단계(S201)에서 공급되는 이산화탄소의 총량이 질소의 총량 보다 크게 제공된다.
도 9 내지 도 12는 기판 상에 형성된 패턴 내부에서 제1유체(F1)와 제2유체(F2)의 거동을 나타낸다. 도 9를 참조하면, 제1유체(F1)가 처리공간(502)으로 공급되면, 상대적으로 밀도가 높은 제1유체(F1)는 패턴 사이사이에 가라 앉게 된다. 이때, 제1유체(F1)에 용해된 IPA는 패턴 사이에도 존재하게 된다.
이후, 제2유체(F2)를 처리공간(502)으로 공급한다. 도 10을 참조하면, 제2유체(F2)는 제1유체(F1)에 비해 상대적으로 밀도는 낮고 확산율이 높아, 패턴 사이에 가라앉은 제1유체(F1)를 패턴 사이에서 밀어낸다. 이때, 제1유체(F1)에 용해된 IPA 역시 제1유체(F1)와 함께 패턴 사이에서 밀어내진다. 도 11을 참조하면, 패턴 사이에는 확산율이 높은 제2유체(F2)만이 잔존하게 된다.
이후, 재차 제1유체(F1)를 처리공간(502)으로 공급한다. 도 12를 참조하면, 제1유체(F1)와 제2유체(F2)의 밀도 차에 의해, 밀도가 높은 제1유체(F1)는 패턴 사이에 잔존하던 제2유체(F2)를 밀어내며 가라 앉는다.
따라서, 도 9 내지 도 12의 과정을 반복하면, 제1유체와 제2유체의 움직임이 활발해지고 이에 따라 처리공간(502)내부를 휘젓는 스터링 효과(Stirring)를 가진다. 처리공간(502) 내부가 제1유체와 제2유체에 의해 휘저어지면서 패턴 사이사이에 있던 제1유체에 용해되어 있던 IPA가 효과적으로 배출되는 이점이 있다.
또한, 제1유체와 제2유체의 밀도 차이로 인해 제2유체가 패턴 깊숙이 침투된 후 다시 패턴으로부터 빼내져 패턴이 깊게 형성된 경우에도 IPA를 효과적으로 배출시킬 수 있는 이점이 있다.
제2유체는 제1유체보다 더 낮은 온도 및 더 낮은 압력에서 초임계 상태로 상 변화하도록 제공될 수 있다. 제2유체는 처리공간(502)으로 제1유체가 초임계 상태가 되는 온도와 압력 조건 이상의 온도와 압력으로 공급된다. 따라서, 처리공간(502)에 도입된 기체 상태의 제2유체는 처리공간(502) 내부에서 초임계 상태로 존재한다.
일 예에서, 제1유체는 이산화탄소이고 제2유체는 불활성 가스일 수 있다. 도 13 및 도 14는 각각 아르곤 가스와 질소 가스의 상평형도를 나타낸다. 도 13 내지 도 14를 참조하면, 아르곤 가스, 질소 가스는 이산화탄소 보다 낮은 온도와 낮은 압력에서 초임계 상태로 상변화한다. 따라서, 아르곤 가스, 질소 가스를 처리공간(502)으로 이산화탄소가 초임계 상태가 되는 온도와 압력 조건 이상의 온도와 압력으로 공급하고 처리공간(502)의 온도와 압력 조건을 이산화탄소가 초임계 상태가 되도록 유지하는 경우, 처리공간(502) 내의 유체는 초임계 상태가 유지된다.
일 예에서, 제2유체는 아르곤 가스, 질소 가스일 수 있고, 아르곤 가스, 질소 가스와 마찬가지로 이산화탄소보다 낮은 온도와 압력에서 초임계 상태로 상변화하는 헬륨 가스 등일 수 있다.
감압 단계(S300)에서 초임계 상태의 질소가 처리공간(502)으로 공급될 수 있다. 감압 단계(S300)에서 처리공간(502)으로 공급되는 질소의 단위시간당 공급량은 처리공간(502)으로부터 배출되는 단위 시간당 처리공간(502)의 배기량 보다 적게 제공된다. 따라서, 감압 단계(S300)에서 처리공간(502)의 압력이 하강하게 된다. 일 예에서, 질소는 감압 단계(S300)가 수행되는 동안 계속적으로 공급될 수 있다.
감압 단계(S300)에서, 공급되는 질소의 온도와 압력은 시간이 경과할수록 하강하여, 개방 단계(S400) 이전에 질소가 기체 상태가 되도록 제공될 수 있다. 개방 단계(S400) 이전에 질소를 기체상태로 공급하는 경우 기판의 건조 효율을 상승시키고 파티클 제거가 용이하도록 하는 이점이 있다.
처리공간(502)의 배기 시, 처리공간(502) 내부는 압력이 급격하게 하락한다. 따라서, 종래 공정챔버 내부 온도(T1)는 단열 팽창에 의해 급격히 하락하게 된다. 처리공간(502) 내부의 온도가 하강함에 따라 IPA의 이산화탄소에 대한 용해도가 감소한다. 처리공간(502) 내부의 온도가 섭씨 31도 이하로 하강할 경우 초임계 상태의 이산화탄소는 아임계상태가 된다. 아임계상태의 이산화탄소는 혼합물을 형성하여 기판을 오염시킨다.
압력이 하강하는 구간인 감압 단계(S300)에서 이산화탄소의 초임계 온도 및 압력 조건 이상의 온도와 압력을 가지는 이종의 초임계 유체를 공급함에 따라 이산화탄소의 초임계 환경을 안정적으로 유지하도록 하며, IPA의 이산화탄소에 대한 용해도를 유지시킨다. 이에 따라 IPA의 이산화탄소에 대한 용해도가 보존되어 처리공간(502)의 감압 시 초임계 상태의 이산화탄소에 용해된 IPA는 챔버 외부로 배출된다.
감압 단계(S300) 이후 개방 단계(S400)에서 초임계 상태의 질소가 처리공간(502)으로 공급될 수 있다. 일 예에서, 질소는 개방 단계(S400)가 수행되는 동안 계속적으로 공급될 수 있다. 개방 단계(S400)에서 질소를 지속적으로 공급하여 처리공간(502)에 잔류하는 IPA의 배출을 돕는다.
이상에서, 공급 단계(S201)에서 제2유체가 공급되되, 제1공급단계(S211)는 N회 연속되고 제2공급단계(S221)는 M회 연속되되 N은 M보다 큰 수로 설명하였다. 이와 달리 제1유체와 제2유체는 1회씩 번갈아가며 교대로 공급될 수 있고, 이때 제1유체의 단위 시간당 공급량이 제2유체의 단위 시간당 공급량 보다 크게 설정될 수 있다. 공급 단계(S201)가 수회 반복됨에 따라, 제1유체의 단위 시간당 공급량은 점차 감소하고 제2유체의 단위 시간당 공급량은 점차 증가하되 제2유체의 단위 시간당 공급량이 제1유체의 단위 시간당 공급량을 초과하지 않도록 설정될 수 있다.
이상에서, 처리 단계(S200)에서 초임계 상태의 제2유체는 공급 단계(S201)에서 공급되는 것으로 설명하였으나, 초임계 상태의 제2유체는 배기 단계(S203)에서 공급될 수 있다. 선택적으로, 초임계 상태의 제2유체는 처리 단계(S200) 동안 끊임없이 계속적으로 공급될 수 있다. 시간이 경과할수록 제2유체의단위 시간당 공급량은 증가하고, 제1유체의 단위 시간당 공급량은 감소하되, 처리 단계(S200)에서 공급되는 이산화탄소의 총량은 질소의 총량 보다 크게 제공된다.
이상에서, 제1유체는 감압 단계(S300)가 수행되는 동안 계속적으로 공급되는 것으로 서술하였으나, 공급 단계(S200)에서와 마찬가지로 간헐적으로 공급될 수 있다.
이상에서, 제1유체는 개방 단계(S400)가 수행되는 동안 계속적으로 공급되는 것으로 서술하였으나, 공급 단계(S200)에서와 마찬가지로 간헐적으로 공급될 수 있다.
이상에서, 제2유체는 공급 단계(S201), 감압 단계(S300) 및 개방 단계(S400)모두에서 공급되는 것으로 설명하였으나. 제2유체는 각 단계 중 어느 하나 이상의 단계에서 공급될 수 있다.
이상에서, 제1유체와 제2유체는 종류가 상이한 유체로 서술하였으나, 제1유체와 제2유체는 서로 밀도가 상이한 동일 종류의 유체일 수 있다. 일 예에서, 제1유체와 제2유체는 이산화탄소일 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
500: 초임계 장치
560: 유체 공급유닛
610: 제1공급유닛
620: 제2공급유닛
630: 제3공급유닛

Claims (39)

  1. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    챔버 내의 처리공간에서 상기 기판 상의 잔류물을 초임계 상태의 제1유체와 초임계 상태의 제2유체로 기판을 처리하는 처리 단계를 포함하되,
    상기 처리 단계에서 상기 처리공간으로 상기 제1유체를 공급하는 공급 단계와 상기 처리공간을 배기하는 배기 단계는 순차적으로 복수 회 반복하면서 이루어지고,
    상기 제2유체는 상기 공급 단계와 상기 배기 단계에서 공급되되, 상기 공급 단계에서 상기 제1유체와 함께 공급되며,
    초임계 상태의 상기 제1유체와 초임계 상태의 상기 제2유체는 서로 밀도가 상이한 기판 처리 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판 처리 방법은,
    상기 처리 단계 이후에 상기 처리공간 내를 배출하여 상기 처리공간을 감압하는 감압 단계를 더 포함하되,
    상기 감압 단계 동안 상기 처리공간으로 상기 제2유체가 공급되는 기판 처리 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 기판 처리 방법은 상기 감압 단계 이후에 상기 챔버를 개방하는 개방 단계를 포함하되,
    상기 개방 단계 동안에 상기 처리공간으로 가스 상태의 상기 제2유체가 공급되는 기판 처리 방법.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 제1유체의 총 공급량은 상기 제2유체의 총 공급량보다 크게 제공되는 기판 처리 방법.
  13. 제1항, 제4항, 제5항 및 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 처리는 상기 기판 상의 유기용제를 상기 제1유체 또는 상기 제2유체에 용해시켜 상기 기판 상에서 상기 유기용제를 제거하는 공정인 기판 처리 방법.
  14. 제1항, 제4항, 제5항 및 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1유체는 상기 제2유체보다 밀도가 더 높고, 상기 제2유체는 상기 제1유체보다 확산율이 더 높은 기판 처리 방법.
  15. 제1항, 제4항, 제5항 및 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1유체는 상기 제2유체보다 상기 잔류물을 더 잘 용해하는 유체인 기판 처리 방법.
  16. 제1항, 제4항, 제5항 및 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2유체는 상기 제1유체보다 더 낮은 온도 및 더 낮은 압력에서 초임계 상태로 상변화하는 유체인 기판 처리 방법.
  17. 제1항, 제4항, 제5항 및 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2유체는 상기 제1유체가 초임계 상태로 상변화하는 온도 및 압력 이상의 온도 및 압력으로 제공되는 기판 처리 방법.
  18. 제1항, 제4항, 제5항 및 제12항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1유체는 이산화탄소이고 상기 제2유체는 불활성 가스인 기판 처리 방법.
  19. 제1항, 제4항, 제5항 및 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2유체는 아르곤 가스, 질소 가스 또는 헬륨 가스인 기판 처리 방법.
  20. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    챔버 내의 처리공간에서 상기 기판 상의 잔류물을 초임계 상태의 제1유체와 초임계 상태의 제2유체로 기판을 처리하는 처리 단계를 포함하되,
    초임계 상태의 상기 제1유체와 초임계 상태의 상기 제2유체는 서로 밀도가 상이하고,
    상기 제1유체와 상기 제2유체는 서로 밀도가 상이한 동일 종류의 유체인 기판 처리 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 제1유체와 상기 제2유체는 이산화탄소인 기판 처리 방법.
  22. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    패턴이 형성된 기판을 처리공간에 배치하고, 상기 처리공간 내로 초임계 상태의 제1유체를 공급하여 상기 기판 상에 잔류하는 잔류물을 상기 제1유체에 용해시키고, 상기 처리공간 내로 초임계 상태의 제2유체를 공급하여 상기 패턴 내에 잔존하는 상기 잔류물이 용해된 상기 제1유체를 상기 패턴으로부터 방출시키되,
    상기 제1유체는 상기 제2유체보다 밀도가 높고, 상기 제2유체는 상기 제1유체보다 확산율이 높은 유체이고,
    상기 기판의 처리는 상기 처리공간으로 상기 제1유체의 공급 및 상기 처리공간의 배기가 순차적으로 복수 회 반복하면서 이루어지고,
    상기 제1유체와 상기 제2유체는 상기 처리공간으로 동시에 공급되며,
    상기 제2유체는 상기 처리공간이 배기가 행해질 때 공급되는 기판 처리 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 배기는 상기 처리공간의 아래 방향으로 이루어지는 기판 처리 방법.
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 제22항에 있어서,
    반복 횟수가 증가됨에 따라 상기 제1유체의 단위 시간당 공급량은 작아지고, 상기 제2유체의 단위 시간당 공급량은 증가하는 기판 처리 방법.
  27. 제22항, 제23항 및 제26항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 처리는 상기 기판 상의 유기용제를 상기 제1유체 또는 상기 제2유체에 용해시켜 상기 기판 상에서 상기 유기용제를 제거하는 공정인 기판 처리 방법.
  28. 제22항, 제23항 및 제26항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1유체는 상기 제2유체보다 밀도가 더 높고, 상기 제2유체는 상기 제1유체보다 확산율이 더 높은 기판 처리 방법.
  29. 제22항, 제23항 및 제26항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1유체는 상기 제2유체보다 상기 잔류물을 더 잘 용해하는 유체인 기판 처리 방법.
  30. 제22항, 제23항 및 제26항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2유체는 상기 제1유체보다 더 낮은 온도 및 더 낮은 압력에서 초임계 상태로 상변화하는 유체인 기판 처리 방법.
  31. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    패턴이 형성된 기판을 처리공간에 배치하고, 상기 처리공간 내로 초임계 상태의 제1유체를 공급하여 상기 기판 상에 잔류하는 잔류물을 상기 제1유체에 용해시키고, 상기 처리공간 내로 초임계 상태의 제2유체를 공급하여 상기 패턴 내에 잔존하는 상기 잔류물이 용해된 상기 제1유체를 상기 패턴으로부터 방출시키되,
    상기 제1유체는 상기 제2유체보다 밀도가 높고, 상기 제2유체는 상기 제1유체보다 확산율이 높은 유체이고,
    상기 제1유체와 상기 제2유체는 서로 밀도가 상이한 동일 종류의 유체인 기판 처리 방법.
  32. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리공간을 가지는 챔버와;
    상기 처리공간 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과;
    상기 처리공간으로 초임계 상태의 제1유체를 공급하는 제1공급유닛과;
    상기 처리공간으로 초임계 상태의 제2유체를 공급하는 제2공급유닛과;
    상기 처리공간 내부를 배기하는 배기유닛과;
    상기 제1공급유닛 및 상기 제2공급유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제2유체는 상기 제1유체보다 더 낮은 온도 및 더 낮은 압력에서 초임계 상태로 상 변화하는 유체이고,
    상기 제어기는,
    상기 처리공간에서 상기 기판 상의 잔류물을 초임계 상태의 제1유체와 초임계 상태의 제2유체로 기판을 처리하는 처리 단계에서 상기 처리공간으로 상기 제1유체를 공급하는 공급 단계와 상기 처리공간을 배기하는 배기 단계는 순차적으로 복수 회 반복하면서 이루어지고,
    상기 제2유체는 상기 공급 단계에서 상기 제1유체와 함께 공급되고, 또한 상기 제2유체는 상기 배기 단계에서 공급되도록 상기 제1공급유닛 및 상기 제2공급유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  33. 제32항에 있어서,
    가스 상태의 상기 제2유체를 상기 처리공간으로 공급하는 제3공급유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  34. 삭제
  35. 삭제
  36. 제32항에 있어서,
    상기 제1공급유닛 및 상기 제2공급유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하며,
    상기 제어기는,
    상기 처리 단계 이후에 상기 처리공간 내를 배출하여 상기 처리공간을 감압하는 감압 단계를 더 포함하되,
    상기 감압 단계 동안 상기 처리공간으로 상기 제2유체가 공급되도록 상기 제1공급유닛 및 상기 제2공급유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  37. 제33항에 있어서,
    상기 제3공급유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하며,
    상기 제어기는,
    상기 처리공간에서 상기 기판 상의 잔류물을 초임계 상태의 제1유체와 초임계 상태의 제2유체로 기판을 처리하는 처리 단계와;
    상기 처리공간을 배기하는 감압 단계와;
    상기 감압 단계 이후에 상기 챔버를 개방하는 개방 단계를 포함하되,
    상기 개방 단계 동안에 상기 처리공간으로 가스 상태의 상기 제2유체가 공급되도록 상기 제1공급유닛, 상기 제2공급유닛 및 상기 제3공급유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  38. 제32항, 제33항, 제36항 및 제37항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 처리는 상기 기판 상의 유기용제를 상기 제1유체 또는 상기 제2유체에 용해시켜 상기 기판 상에서 상기 유기용제를 제거하는 공정인 기판 처리 장치.
  39. 제32항, 제33항, 제36항 및 제37항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1유체는 상기 제2유체보다 밀도가 더 높고, 상기 제2유체는 상기 제1유체보다 확산율이 더 높은 기판 처리 장치.
KR1020190099686A 2019-08-14 2019-08-14 기판 처리 방법 및 장치 Active KR102300931B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190099686A KR102300931B1 (ko) 2019-08-14 2019-08-14 기판 처리 방법 및 장치
US16/993,442 US20210050210A1 (en) 2019-08-14 2020-08-14 Method and apparatus for treating substrate
JP2020136936A JP7303784B2 (ja) 2019-08-14 2020-08-14 基板処理方法及び装置
US17/965,911 US12046466B2 (en) 2019-08-14 2022-10-14 Method and apparatus for treating substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190099686A KR102300931B1 (ko) 2019-08-14 2019-08-14 기판 처리 방법 및 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210021191A KR20210021191A (ko) 2021-02-25
KR102300931B1 true KR102300931B1 (ko) 2021-09-13

Family

ID=74567883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190099686A Active KR102300931B1 (ko) 2019-08-14 2019-08-14 기판 처리 방법 및 장치

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20210050210A1 (ko)
JP (1) JP7303784B2 (ko)
KR (1) KR102300931B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102300931B1 (ko) 2019-08-14 2021-09-13 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
JP7674877B2 (ja) * 2021-03-23 2025-05-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004363404A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 超臨界乾燥方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MA21625A1 (fr) 1988-09-12 1990-04-01 Johnson & Johnson Inc Serviette hygienique unifiee.
US7387868B2 (en) 2002-03-04 2008-06-17 Tokyo Electron Limited Treatment of a dielectric layer using supercritical CO2
JP4246640B2 (ja) 2002-03-04 2009-04-02 東京エレクトロン株式会社 ウェハ処理において低誘電率材料を不動態化する方法
TWI291714B (en) * 2005-12-09 2007-12-21 Ind Tech Res Inst Supercritical fluid washing method and system thereof
JP5647845B2 (ja) 2010-09-29 2015-01-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
JP6006923B2 (ja) * 2010-09-30 2016-10-12 Ｋｉｓｃｏ株式会社 極微細構造体の乾燥処理装置および乾燥処理方法
KR101187375B1 (ko) 2011-01-27 2012-10-05 부경대학교 산학협력단 반도체 기판의 실리콘 산화막의 식각방법
JP5985156B2 (ja) 2011-04-04 2016-09-06 東京エレクトロン株式会社 半導体基板の超臨界乾燥方法及び装置
KR101572746B1 (ko) 2011-05-30 2015-11-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
JP5544666B2 (ja) * 2011-06-30 2014-07-09 セメス株式会社 基板処理装置
JP5646419B2 (ja) 2011-09-09 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR101910797B1 (ko) * 2011-11-14 2018-10-25 세메스 주식회사 기판처리장치
KR20140144806A (ko) 2013-06-11 2014-12-22 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
KR20140014043A (ko) * 2013-12-23 2014-02-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 기판처리설비
KR101681190B1 (ko) * 2015-05-15 2016-12-02 세메스 주식회사 기판 건조 장치 및 방법
JP6498573B2 (ja) 2015-09-15 2019-04-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
WO2017062135A1 (en) 2015-10-04 2017-04-13 Applied Materials, Inc. Drying process for high aspect ratio features
JP6876417B2 (ja) 2016-12-02 2021-05-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の洗浄方法および基板処理装置の洗浄システム
US10825698B2 (en) 2017-06-15 2020-11-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate drying apparatus, facility of manufacturing semiconductor device, and method of drying substrate
KR102413443B1 (ko) * 2017-06-23 2022-06-28 주식회사 케이씨텍 기판처리장치 및 기판처리방법
KR102158232B1 (ko) 2017-06-30 2020-09-21 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102376957B1 (ko) * 2017-10-12 2022-03-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102278629B1 (ko) 2019-07-22 2021-07-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102300931B1 (ko) * 2019-08-14 2021-09-13 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
KR102105164B1 (ko) 2020-01-06 2020-06-01 주식회사 신아티앤씨 양자점층을 포함하는 광변환 필름, 상기 광변환 필름을 포함하는 디스플레이 장치용 백라이트 유닛, 및 양자점 분산액의 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004363404A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 超臨界乾燥方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210050210A1 (en) 2021-02-18
KR20210021191A (ko) 2021-02-25
JP7303784B2 (ja) 2023-07-05
US20230044888A1 (en) 2023-02-09
US12046466B2 (en) 2024-07-23
JP2021034730A (ja) 2021-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102449625B1 (ko) 기판 처리 방법
KR102219883B1 (ko) 기판 처리 방법
JP7246351B2 (ja) 基板処理設備及び基板処理方法
JP7287930B2 (ja) 基板処理装置及び方法
KR102586053B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US12046466B2 (en) Method and apparatus for treating substrate
KR20220054494A (ko) 유체 공급 유닛 및 기판 처리 장치
JP7237042B2 (ja) 流体供給ユニット及びこれを有する基板処理装置
JP7335935B2 (ja) 基板処理装置及び支持ユニットの結合方法
KR102061004B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230132757A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102310464B1 (ko) 유체 공급유닛과 이를 이용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20120056620A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102360937B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102606621B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102480392B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102387280B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102211779B1 (ko) 기판 처리 방법
KR102603680B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102845577B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
CN120252303A (zh) 衬底干燥装置和衬底干燥方法
JP2023095783A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20220094239A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5