KR102311482B1 - Organic light emitting display device - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예는 구동 트랜지스터의 문턱전압과 전자이동도와 같은 구동 트랜지스터의 특성뿐만 아니라 킥백전압 및 스캔 트랜지스터의 문턱전압을 보상할 수 있는 유기발광표시장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치는 데이터라인들, 센싱라인들, 스캔라인들 및 센싱신호라인들에 접속되는 화소들을 포함하는 표시패널; 및 상기 화소들로부터 상기 센싱라인들로 흐르는 전류들을 센싱하여 센싱 데이터를 출력하는 센싱 데이터 출력부를 구비한다. 상기 화소는 게이트전압과 소스전압 간의 전압 차에 따라 유기발광다이오드로 흐르는 전류량을 조정하는 구동 트랜지스터; 상기 스캔라인의 스캔신호에 의해 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 상기 데이터라인의 데이터전압을 공급하는 제1 트랜지스터; 및 상기 센싱신호라인의 센싱신호에 의해 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극을 상기 센싱라인과 접속시키는 제2 트랜지스터를 포함한다. 상기 센싱 데이터 출력부는 제1 센싱모드에서 상기 제1 및 제2 트랜지스터들이 턴-온된 상태에서 상기 센싱라인으로 흐르는 상기 구동 트랜지스터의 전류를 센싱하여 센싱 데이터를 출력한다.An embodiment of the present invention relates to an organic light emitting diode display capable of compensating for a kickback voltage and a threshold voltage of a scan transistor as well as characteristics of a driving transistor such as a threshold voltage and electron mobility of a driving transistor. An organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention includes: a display panel including pixels connected to data lines, sensing lines, scan lines, and sensing signal lines; and a sensing data output unit configured to sense currents flowing from the pixels to the sensing lines and output sensing data. The pixel includes: a driving transistor for adjusting the amount of current flowing to the organic light emitting diode according to a voltage difference between a gate voltage and a source voltage; a first transistor turned on by the scan signal of the scan line to supply the data voltage of the data line to the gate electrode of the driving transistor; and a second transistor turned on by the sensing signal of the sensing signal line to connect the source electrode of the driving transistor to the sensing line. The sensing data output unit senses a current of the driving transistor flowing through the sensing line in a state in which the first and second transistors are turned on in a first sensing mode to output sensing data.
Description
본 발명의 실시예는 유기발광표시장치에 관한 것이다.
An embodiment of the present invention relates to an organic light emitting display device.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광 표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display)와 같은 여러가지 표시장치가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for a display device for displaying an image is increasing in various forms. Accordingly, in recent years, various display devices such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting display (OLED) have been used.
이들 중에서 유기발광 표시장치는 저전압 구동이 가능하고, 박형이며, 시야각이 우수하고, 응답속도가 빠른 특성이 있다. 유기발광 표시장치는 데이터라인들, 스캔라인들, 데이터라인들과 스캔라인들의 교차부에 형성된 다수의 화소들을 구비하는 표시패널, 스캔라인들에 스캔신호들을 공급하는 스캔 구동부, 및 데이터라인들에 데이터전압들을 공급하는 데이터 구동부를 포함한다. 화소들 각각은 유기발광다이오드(organic light emitting diode), 게이트 전극의 전압에 따라 유기발광다이오드에 공급되는 전류의 양을 조절하는 구동 트랜지스터(transistor), 스캔라인의 스캔신호에 응답하여 데이터라인의 데이터 전압을 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하는 공급하는 스캔 트랜지스터를 포함한다.Among them, the organic light emitting display device can be driven at a low voltage, is thin, has an excellent viewing angle, and has a fast response speed. An organic light emitting diode display includes a display panel including data lines, scan lines, a plurality of pixels formed at intersections of data lines and scan lines, a scan driver supplying scan signals to the scan lines, and data lines. and a data driver supplying data voltages. Each of the pixels includes an organic light emitting diode, a driving transistor that adjusts the amount of current supplied to the organic light emitting diode according to the voltage of the gate electrode, and data of the data line in response to the scan signal of the scan line. and a scan transistor supplying a voltage to the gate electrode of the driving transistor.
유기발광표시장치의 제조시의 공정 편차 또는 장기간 구동으로 인한 구동 트랜지스터의 문턱전압 쉬프트 등의 원인으로 인하여, 구동 트랜지스터의 문턱전압(threshold voltage)과 전자이동도(mobility)은 화소마다 달라질 수 있다. 따라서, 화소들에 동일한 데이터전압을 인가하는 경우 유기발광다이오드에 공급되는 전류는 동일하여야 하지만, 화소들에 동일한 데이터전압을 인가하더라도 화소들 사이의 구동 트랜지스터의 문턱전압과 전자이동도의 차이로 인하여 유기발광다이오드에 공급되는 전류가 화소마다 달라진다. 그 결과, 화소들에 동일한 데이터전압을 인가하더라도, 유기발광다이오드가 발광하는 휘도는 화소마다 달라지는 문제가 발생한다. 이를 해결하기 위해, 구동 트랜지스터의 문턱전압과 전자이동도를 보상하는 보상 방법이 제안되었다.The threshold voltage and electron mobility of the driving transistor may vary for each pixel due to a process deviation during manufacturing of the organic light emitting display device or a shift in threshold voltage of the driving transistor due to long-term driving. Accordingly, when the same data voltage is applied to the pixels, the current supplied to the organic light emitting diode should be the same. The current supplied to the organic light emitting diode varies for each pixel. As a result, even when the same data voltage is applied to the pixels, the luminance emitted by the organic light emitting diode varies for each pixel. In order to solve this problem, a compensation method for compensating for the threshold voltage and electron mobility of the driving transistor has been proposed.
또한, 구동 트랜지스터의 문턱전압과 전자이동도를 보상하더라도, 스캔신호의 킥백전압에 의해 구동 트랜지스터의 게이트 전극의 전압이 변동되는 경우 문제가 발생할 수 있다. 구체적으로, 스캔신호는 펄스 형태로 공급되므로 스캔신호가 하이레벨전압에서 로우레벨전압으로 낮아질 때, 구동 트랜지스터의 게이트 전극의 전압이 스캔신호의 영향을 받아 낮아지는 문제가 발생할 수 있다. 여기서, 킥백전압은 구동 트랜지스터의 게이트 전극에서 스캔신호의 영향을 받아 낮아지는 전압으로 정의될 수 있다. 구동 트랜지스터의 게이트 전극의 전압이 킥백전압에 의해 낮아지는 경우, 구동 트랜지스터의 소스 전극의 전압 역시 변동될 수 있으며, 이로 인해 구동 트랜지스터의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 변동될 수 있다. 결국, 킥백전압에 의해 구동 트랜지스터의 게이트 전극의 전압이 변동되는 경우, 구동 트랜지스터를 통해 유기발광다이오드로 흐르는 전류가 변동되는 문제가 발생할 수 있다.Also, even if the threshold voltage and electron mobility of the driving transistor are compensated, a problem may occur when the voltage of the gate electrode of the driving transistor is changed by the kickback voltage of the scan signal. Specifically, since the scan signal is supplied in the form of a pulse, when the scan signal is lowered from the high level voltage to the low level voltage, the voltage of the gate electrode of the driving transistor is lowered under the influence of the scan signal. Here, the kickback voltage may be defined as a voltage that is lowered under the influence of a scan signal at the gate electrode of the driving transistor. When the voltage of the gate electrode of the driving transistor is lowered by the kickback voltage, the voltage of the source electrode of the driving transistor may also be changed, and thus the gate-source voltage Vgs of the driving transistor may be changed. As a result, when the voltage of the gate electrode of the driving transistor is changed by the kickback voltage, a problem in that the current flowing to the organic light emitting diode through the driving transistor is changed may occur.
또한, 킥백전압은 스캔신호의 펄스가 하이레벨전압에서 로우레벨전압으로 얼마나 날카롭게(sharply) 떨어지느냐에 의존한다. 도 1a에는 표시패널의 중앙에서의 스캔신호(SCAN)가 나타나 있고, 도 1b에는 표시패널의 외곽에서의 스캔신호(SCAN)가 나타나 있다. 표시패널의 중앙에서의 RC 딜레이가 표시패널의 외곽에서의 RC 딜레이보다 크다. 이로 인해, 표시패널의 중앙에서의 스캔신호(SCAN)의 폴링 지연 폭(fw1)은 표시패널의 외곽에서의 폴링 지연 폭(fw2)보다 넓다. 스캔신호(SCAN)의 폴링 지연 폭은 스캔신호(SCAN)의 펄스가 게이트하이전압(VGH)에서 게이트로우전압(VGL)으로 떨어지는 기간의 폭을 의미한다. 즉, 스캔신호(SCAN)의 펄스는 표시패널의 중앙보다 외곽에서 날카롭게 떨어진다.Also, the kickback voltage depends on how sharply the pulse of the scan signal falls from the high-level voltage to the low-level voltage. FIG. 1A shows the scan signal SCAN at the center of the display panel, and FIG. 1B shows the scan signal SCAN at the outside of the display panel. The RC delay at the center of the display panel is greater than the RC delay at the outside of the display panel. Accordingly, the polling delay width fw1 of the scan signal SCAN at the center of the display panel is wider than the polling delay width fw2 at the outer side of the display panel. The falling delay width of the scan signal SCAN means the width of the period in which the pulse of the scan signal SCAN falls from the gate high voltage VGH to the gate low voltage VGL. That is, the pulse of the scan signal SCAN falls sharply outside the center of the display panel.
결국, 킥백전압은 표시패널의 위치에 따라 달라질 수 있으므로, 화소마다 달라질 수 있다. 따라서, 킥백전압을 보상하는 보상방법이 필요하다. 나아가, 스캔 트랜지스터의 문턱전압이 장기간 구동으로 인하여 쉬프트되는 경우, 킥백전압이 달라질 수 있으므로, 스캔 트랜지스터의 문턱전압을 보상하는 보상방법 역시 필요하다.
As a result, the kickback voltage may vary depending on the position of the display panel, and thus may vary for each pixel. Therefore, there is a need for a compensation method for compensating for the kickback voltage. Furthermore, when the threshold voltage of the scan transistor is shifted due to long-term driving, the kickback voltage may vary, so a compensation method for compensating for the threshold voltage of the scan transistor is also required.
본 발명의 실시예는 구동 트랜지스터의 문턱전압과 전자이동도와 같은 구동 트랜지스터의 특성 뿐만 아니라 킥백전압 및 스캔 트랜지스터의 문턱전압을 보상할 수 있는 유기발광표시장치를 제공한다.
An embodiment of the present invention provides an organic light emitting diode display capable of compensating for a kickback voltage and a threshold voltage of a scan transistor as well as characteristics of a driving transistor such as a threshold voltage and electron mobility of the driving transistor.
본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치는 데이터라인들, 센싱라인들, 스캔라인들 및 센싱신호라인들에 접속되는 화소들을 포함하는 표시패널; 및 상기 화소들로부터 상기 센싱라인들로 흐르는 전류들을 센싱하여 센싱 데이터를 출력하는 센싱 데이터 출력부를 구비하고, 상기 화소는, 게이트전압과 소스전압 간의 전압 차에 따라 유기발광다이오드로 흐르는 전류량을 조정하는 구동 트랜지스터; 상기 스캔라인의 스캔신호에 의해 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 상기 데이터라인의 데이터전압을 공급하는 제1 트랜지스터; 및 상기 센싱신호라인의 센싱신호에 의해 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극을 상기 센싱라인과 접속시키는 제2 트랜지스터를 포함하고, 상기 센싱 데이터 출력부는 제1 센싱모드에서 상기 제1 및 제2 트랜지스터들이 턴-온된 상태에서 상기 센싱라인으로 흐르는 상기 구동 트랜지스터의 전류를 센싱하여 센싱 데이터를 출력한다.
An organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention includes: a display panel including pixels connected to data lines, sensing lines, scan lines, and sensing signal lines; and a sensing data output unit configured to sense currents flowing from the pixels to the sensing lines and output sensing data, wherein the pixel adjusts the amount of current flowing to the organic light emitting diode according to a voltage difference between a gate voltage and a source voltage. driving transistor; a first transistor turned on by the scan signal of the scan line to supply the data voltage of the data line to the gate electrode of the driving transistor; and a second transistor turned on by a sensing signal of the sensing signal line to connect a source electrode of the driving transistor to the sensing line, wherein the sensing data output unit is the first and second transistors in the first sensing mode. In a state in which the transistors are turned on, a current of the driving transistor flowing through the sensing line is sensed to output sensed data.
본 발명의 실시예는 제1 센싱모드에서 킥백전압과 스캔 트랜지스터의 문턱전압에 영향을 받지 않은 구동 트랜지스터의 전류를 센싱하여 센싱 데이터로 출력할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예는 제2 센싱모드에서 킥백전압과 스캔 트랜지스터의 문턱전압에 영향을 받은 구동 트랜지스터의 전류를 센싱하여 센싱 데이터로 출력할 수 있다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 구동 트랜지스터의 문턱전압과 전자이동도와 같은 구동 트랜지스터의 특성뿐만 아니라 킥백전압과 스캔 트랜지스터의 문턱전압을 반영하고 있는 센싱 데이터에 기초하여 디지털 비디오 데이터를 보정 데이터로 보정할 수 있으므로, 구동 트랜지스터의 특성뿐만 아니라 킥백전압과 스캔 트랜지스터의 문턱전압을 보상할 수 있다.
In an embodiment of the present invention, the current of the driving transistor that is not affected by the kickback voltage and the threshold voltage of the scan transistor may be sensed and output as sensed data in the first sensing mode. In addition, in the embodiment of the present invention, the current of the driving transistor affected by the kickback voltage and the threshold voltage of the scan transistor may be sensed and output as sensed data in the second sensing mode. As a result, in the embodiment of the present invention, digital video data is corrected with correction data based on sensing data reflecting the kickback voltage and the threshold voltage of the scan transistor as well as characteristics of the driving transistor such as the threshold voltage and electron mobility of the driving transistor. Therefore, it is possible to compensate not only the characteristics of the driving transistor but also the kickback voltage and the threshold voltage of the scan transistor.
도 1a 및 도 1b는 표시패널의 중앙과 외곽에서 스캔신호를 보여주는 파형도들.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치를 보여주는 블록도.
도 3은 도 2의 데이터 구동부를 상세히 보여주는 블록도.
도 4는 도 2의 화소와 센싱부를 상세히 보여주는 회로도.
도 5는 표시모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 구동 트랜지스터의 게이트전압과 소스전압, 및 제2 내지 제4 스위치신호들을 보여주는 파형도.
도 6a 내지 도 6c는 표시모드의 제1 내지 제3 기간들 동안 화소와 센싱부를 보여주는 예시도면들.
도 7은 제1 센싱모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 구동 트랜지스터의 게이트전압과 소스전압, 센싱 노드의 전압, 및 제2 내지 제4 스위치신호들을 보여주는 파형도.
도 8a 내지 도 8c는 제1 센싱모드의 제1 내지 제3 기간들 동안 화소와 센싱부를 보여주는 예시도면들.
도 9는 제2 센싱모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 구동 트랜지스터의 게이트전압과 소스전압, 센싱 노드의 전압, 및 제2 내지 제4 스위치신호들을 보여주는 파형도.
도 10a 내지 도 10c는 제2 센싱모드의 제1 내지 제3 기간들 동안 화소와 센싱부를 보여주는 예시도면들.1A and 1B are waveform diagrams showing a scan signal at the center and the outside of a display panel;
2 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
3 is a block diagram illustrating the data driver of FIG. 2 in detail;
FIG. 4 is a circuit diagram showing the pixel and the sensing unit of FIG. 2 in detail;
5 is a waveform diagram illustrating a scan signal and a sensing signal supplied to a pixel in a display mode, a gate voltage and a source voltage of a driving transistor, and second to fourth switch signals;
6A to 6C are exemplary views showing a pixel and a sensing unit during first to third periods of a display mode;
7 is a waveform diagram illustrating a scan signal and a sensing signal supplied to a pixel in a first sensing mode, a gate voltage and a source voltage of a driving transistor, a voltage of a sensing node, and second to fourth switch signals;
8A to 8C are exemplary views illustrating a pixel and a sensing unit during first to third periods of a first sensing mode;
9 is a waveform diagram illustrating a scan signal and a sensing signal supplied to a pixel in a second sensing mode, a gate voltage and a source voltage of a driving transistor, a voltage of a sensing node, and second to fourth switch signals;
10A to 10C are exemplary views illustrating a pixel and a sensing unit during first to third periods of a second sensing mode;
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소들의 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것으로, 실제 제품의 명칭과는 상이할 수 있다.
Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals refer to substantially identical elements throughout. In the following description, if it is determined that a detailed description of a known function or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. The names of the components used in the following description are selected in consideration of the ease of writing the specification, and may be different from the names of the actual products.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치를 보여주는 블록도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동부(20), 스캔 구동부(30), 센싱 구동부(40), 타이밍 제어부(50), 및 디지털 데이터 보정부(60)를 포함한다.2 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2 , an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a
표시패널(10)은 표시영역(AA)과 표시영역(AA)의 주변에 마련된 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시영역(AA)은 화소(P)들이 마련되어 화상을 표시하는 영역이다. 표시패널(10)에는 데이터라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 양의 정수), 센싱라인들(SE1~SEm), 스캔라인들(S1~Sn, n은 2 이상의 양의 정수), 및 센싱신호라인들(SS1~SSn)이 마련된다. 데이터라인들(D1~Dm) 및 센싱라인들(SE1~SEm)은 스캔라인들(S1~Sn) 및 센싱신호라인들(SS1~SSn)과 교차될 수 있다. 데이터라인들(D1~Dm)과 센싱라인들(SE1~SEm)은 서로 나란할 수 있다. 스캔라인들(S1~Sn)과 센싱신호라인들(SS1~SSn)은 서로 나란할 수 있다.The
화소(P)들 각각은 데이터라인들(D1~Dm) 중 어느 하나, 센싱라인들(SE1~SEm) 중 어느 하나, 스캔라인들(S1~Sn) 중 어느 하나, 및 센싱신호라인들(SS1~SSn) 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 표시패널(10)의 화소(P)들 각각은 도 4와 같이 유기발광다이오드(organic light emitting diode, OLED)와 유기발광다이오드(OLED)에 전류를 공급하는 화소 구동부(PD)를 포함한다. 화소 구동부(PD)는 도 4와 같이 구동 트랜지스터(transistor)(DT), 스캔라인의 스캔신호에 의해 제어되는 제1 트랜지스터(T1), 센싱신호라인의 센싱신호에 의해 제어되는 제2 트랜지스터(T2), 및 커패시터(capacitor, C)를 포함할 수 있다. 화소(P)에 대한 자세한 설명은 도 4를 결부하여 후술한다.Each of the pixels P is any one of the data lines D1 to Dm, any one of the sensing lines SE1 to SEm, any one of the scan lines S1 to Sn, and the sensing signal lines SS1 ~SSn) can be connected to any one of. Each of the pixels P of the
화소 구동부(PD)는 표시모드에서 화소(P)에 접속된 스캔라인으로부터 스캔신호가 공급될 때 화소(P)에 접속된 데이터라인의 발광 데이터전압을 공급받고, 발광 데이터전압에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 전류를 공급한다. 화소 구동부(PD)는 제1 센싱모드에서 화소(P)에 접속된 스캔라인으로부터 스캔신호가 공급될 때 화소(P)에 접속된 데이터라인의 제1 센싱 데이터전압을 공급받고 킥백전압과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 영향을 받지 않은 상태에서 화소(P)에 접속된 센싱라인으로 전류를 흘린다. 화소 구동부(PD)는 제2 센싱모드에서 화소(P)에 접속된 스캔라인으로부터 스캔신호가 공급될 때 화소(P)에 접속된 데이터라인의 제1 센싱 데이터전압을 공급받고 킥백전압과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 영향을 받은 상태에서 화소(P)에 접속된 센싱라인으로 전류를 흘린다. 표시모드에서 화소(P)의 동작에 대한 자세한 설명은 도 5 및 도 6a 내지 도 6c를 결부하여 후술하고, 제1 센싱모드에서 화소(P)의 동작에 대한 자세한 설명은 도 7 및 도 8a 내지 도 8c를 결부하여 후술하며, 제2 센싱모드에서 화소(P)의 동작에 대한 자세한 설명은 도 9 및 도 10a 내지 도 10c를 결부하여 후술한다.When a scan signal is supplied from the scan line connected to the pixel P in the display mode, the pixel driver PD receives the light emitting data voltage of the data line connected to the pixel P, and according to the light emitting data voltage, the organic light emitting diode (OLED) supplies current. When a scan signal is supplied from the scan line connected to the pixel P in the first sensing mode, the pixel driver PD receives the first sensing data voltage of the data line connected to the pixel P, and receives the kickback voltage and the first A current flows through the sensing line connected to the pixel P in a state that is not affected by the threshold voltage of the transistor T1. When the scan signal is supplied from the scan line connected to the pixel P in the second sensing mode, the pixel driver PD receives the first sensing data voltage of the data line connected to the pixel P, and receives the kickback voltage and the first A current flows through the sensing line connected to the pixel P while being affected by the threshold voltage of the transistor T1. A detailed description of the operation of the pixel P in the display mode will be described later with reference to FIGS. 5 and 6A to 6C , and detailed description of the operation of the pixel P in the first sensing mode will be provided in FIGS. 7 and 8A to FIG. 8A to FIG. It will be described later with reference to FIG. 8C , and detailed description of the operation of the pixel P in the second sensing mode will be described later with reference to FIGS. 9 and 10A to 10C .
데이터 구동부(20)는 도 3과 같이 데이터전압 공급부(21), 초기화전압 공급부(22), 및 센싱 데이터 출력부(23)를 포함한다.The
데이터전압 공급부(21)는 데이터라인들(D1~Dm)에 접속되어 데이터전압들을 공급한다. 데이터전압 공급부(21)는 타이밍 제어부(50)로부터 보정 데이터(CDATA), 제1 센싱 데이터(SDATA1), 또는 제2 센싱 데이터(SDATA2)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 입력 받는다.The data
데이터전압 공급부(21)는 표시모드에서 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 보정 데이터(CDATA)를 발광 데이터전압들로 변환하여 데이터라인들(D1~Dm)에 공급한다. 발광 데이터전압은 화소(P)의 유기발광다이오드(OLED)를 소정의 휘도로 발광하기 위한 전압이다. 데이터 구동부(20)에 공급되는 보정 데이터(CDATA)가 8 비트인 경우, 발광 데이터전압은 256 개의 전압들 중 어느 하나로 공급될 수 있다.The data
데이터전압 공급부(21)는 제1 센싱 모드에서 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 제1 센싱 데이터(SDATA1)를 제1 센싱 데이터전압으로 변환하여 데이터라인들(D1~Dm)에 공급한다. 제1 센싱 데이터전압은 킥백전압과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 영향을 받지 않은 화소(P)의 구동 트랜지스터(DT)의 전류를 센싱하기 위한 전압이다.The data
데이터전압 공급부(21)는 제2 센싱 모드에서 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 제2 센싱 데이터(SDATA2)를 제2 센싱 데이터전압으로 변환하여 데이터라인들(D1~Dm)에 공급한다. 제2 센싱 데이터전압은 킥백전압과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 영향을 받은 화소(P)의 구동 트랜지스터(DT)의 전류를 센싱하기 위한 전압이다.The data
초기화전압 공급부(22)는 센싱라인들(SE1~SEm)에 접속되어 제1 초기화전압(VREF1)을 공급한다. 초기화전압 공급부(22)는 타이밍 제어부(50)로부터 제1 스위치신호(SCS1)를 입력받고, 전원 공급원(미도시)으로부터 제1 초기화전압(VREF1)을 입력받는다. 초기화전압 공급부(22)는 도 3과 같이 센싱라인들(SE1~SEm)에 접속된 제1 스위치들(SW11~SW1m)을 포함할 수 있다. 제1 스위치들(SW11~SW1m)이 턴-온되는 경우 센싱라인들(SE1~SEm)에는 제1 초기화전압(VREF1)이 공급된다.The initialization
제1 스위치들(SW11~SW1m)은 제1 스위치신호(SCS1)에 의해 스위칭된다. 예를 들어, 제1 스위치들(SW11~SW1m)은 제1 로직 레벨 전압의 제1 스위치신호(SCS1)가 입력되는 경우 턴-온되고, 제2 로직 레벨 전압의 제1 스위치신호(SCS1)가 입력되는 경우 턴-오프될 수 있다.The first switches SW11 to SW1m are switched by the first switch signal SCS1. For example, the first switches SW11 to SW1m are turned on when the first switch signal SCS1 of the first logic level voltage is input, and the first switch signal SCS1 of the second logic level voltage is turned on. When input, it may be turned off.
센싱 데이터 출력부(23)는 센싱라인들(SE1~SEm)에 접속되어 화소(P)들로부터 센싱라인들(SE1~SEm)로 흐르는 전류들을 전압들로 변환하고, 변환된 전압들을 디지털 데이터인 센싱 데이터(SD)로 변환한다. 센싱 데이터 출력부(23)는 센싱 데이터(SD)를 디지털 데이터 보정부(60)로 출력한다.The sensing
구체적으로, 센싱 데이터 출력부(23)는 센싱부들(SU1~SUm)을 포함할 수 있다. 센싱부들(SU1~SUm) 각각은 센싱라인들(SE1~SEm) 각각에 접속된다. 센싱부들(SU1~SUm) 각각은 도 4와 같이 센싱라인에 접속되어 화소(P)로부터 센싱라인으로 흐르는 전류를 전압으로 변환하는 전류-전압 변환부(CVC)와 전류-전압 변환부(CVC)의 출력전압을 디지털 데이터인 센싱 데이터(SD)로 변환하는 아날로그 디지털 변환부(ADC)를 포함할 수 있다.Specifically, the sensing
센싱부들(SU1~SUm) 각각의 전류-전압 변환부(CVC)는 타이밍 제어부(50)로부터 제2 내지 제4 스위치신호들(SCS2, SCS3, SCS4)을 입력받고, 전원 공급원(미도시)으로부터 제2 초기화전압(VREF2)을 입력받는다. 제2 초기화전압(VREF2)은 제1 초기화전압(VREF1)과 동일한 직류전압일 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 제1 초기화전압(VREF1)과 다른 직류전압일 수 있다. 전류-전압 변환부(CVC)의 제2 내지 제4 스위치들(SW2, SW3, SW4)은 제2 내지 제4 스위치신호들(SCS2, SCS3, SCS4)에 따라 스위칭된다. 제2 초기화전압(VREF2)은 전류-전압 변환부(CVC)의 연산 증폭기(OA)의 비반전 단자(+)에 공급될 수 있다. 센싱부들(SU1~SUm) 각각에 대한 자세한 설명은 도 4를 결부하여 후술한다.The current-voltage converter CVC of each of the sensing units SU1 to SUm receives the second to fourth switch signals SCS2 , SCS3 and SCS4 from the
스캔 구동부(30)는 스캔라인들(S1~Sn)에 접속되어 스캔신호들을 공급한다. 스캔 구동부(30)는 타이밍 제어부(50)로부터 입력되는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)에 따라 스캔라인들(S1~Sn)에 스캔신호들을 공급한다. 스캔 구동부(30)는 스캔라인들(S1~Sn)에 스캔신호들을 순차적으로 공급할 수 있으며, 이 경우 쉬프트 레지스터를 포함할 수 있다.The
표시모드에서 스캔 구동부(30)의 스캔신호 파형, 제1 센싱모드에서 스캔 구동부(30)의 스캔신호 파형, 및 제2 센싱모드에서 스캔 구동부의 스캔신호 파형은 서로 다를 수 있다. 이 경우, 표시모드의 스캔 타이밍 제어신호(SCS), 제1 센싱모드의 스캔 타이밍 제어신호(SCS), 및 제2 센싱모드의 스캔 타이밍 제어신호(SCS)는 서로 다름에 주의하여야 한다. 스캔 구동부(30)의 스캔신호 파형에 대한 자세한 설명은 도 5, 도 7 및 도 9를 결부하여 후술한다.The scan signal waveform of the
센싱 구동부(40)는 센싱신호라인들(SE1~SEn)에 접속되어 센싱신호들을 공급한다. 센싱 구동부(40)는 타이밍 제어부(50)로부터 입력되는 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)에 따라 센싱신호라인들(SS1~SSn)에 센싱신호들을 공급한다. 센싱 구동부(40)는 센싱라인들(SE1~SEn)에 센싱신호들을 순차적으로 공급할 수 있으며, 이 경우 쉬프트 레지스터를 포함할 수 있다.The
표시모드에서 센싱 구동부(40)의 센싱신호 파형, 제1 센싱모드에서 스캔 구동부(30)의 스캔신호 파형, 및 제2 센싱모드에서 스캔 구동부의 스캔신호 파형은 서로 다를 수 있다. 이 경우, 표시모드의 센싱 타이밍 제어신호(SENCS), 제1 센싱모드의 센싱 타이밍 제어신호(SENCS), 및 제2 센싱모드의 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)는 서로 다름에 주의하여야 한다. 센싱 구동부(40)의 센싱신호 파형에 대한 자세한 설명은 도 5, 도 7 및 도 9를 결부하여 후술한다.The sensing signal waveform of the
스캔 구동부(30)와 센싱 구동부(40)는 구동 칩(chip) 형태로 형성되어 표시패널(10)에 접속되는 연성필름상에 실장되거나, 다수의 트랜지스터들을 포함하여 GIP(Gate driver In Panel) 방식으로 표시패널(10)의 비표시영역에 직접 형성될 수 있다. 또한, 스캔 구동부(30)와 센싱 구동부(40) 각각은 표시패널(10)의 일측에 마련되거나, 양측에 마련될 수 있다. 표시패널(10)이 40 인치 이상의 대화면 표시패널인 경우, 스캔 구동부(30)와 센싱 구동부(40) 각각은 표시패널(10)의 양측 가장자리에 마련되는 것이 바람직하다. 이 경우, 양측에 마련된 스캔 구동부(30)는 스캔라인들(S1~Sn)에 스캔신호들을 동시에 공급하고, 양측에 마련된 센싱 구동부(40)는 센싱라인들(SS1~SSn)에 센싱신호들을 동시에 공급함으로써, RC 딜레이로 인한 스캔신호와 센싱신호의 지연을 줄일 수 있다.The
타이밍 제어부(50)는 디지털 데이터 보정부(60)로부터 보정 데이터(CDATA), 제1 센싱 데이터(SDATA1) 또는 제2 센싱 데이터(SDATA2)와 타이밍 신호를 입력받는다. 타이밍 신호는 수직동기신호(vertical sync signal), 수평동기신호(horizontal sync signal), 데이터 인에이블 신호(data enable signal), 및 도트 클럭(dot clock)을 포함할 수 있다.The
타이밍 제어부(50)는 데이트 구동부(20), 스캔 구동부(30), 및 센싱 구동부(40)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 생성한다. 타이밍 제어신호들은 데이터 구동부(20)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DCS, 스캔 구동부(30)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 타이밍 제어신호(SCS), 및 센싱 구동부(40)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 포함한다.The
타이밍 제어부(50)는 모드 신호(MODE)에 따라 표시모드, 제1 센싱모드 및 제2 센싱모드 중 어느 하나의 모드로 데이트 구동부(20), 스캔 구동부(30), 및 센싱 구동부(40)를 동작시킨다. 표시모드는 표시패널(10)의 화소(P)들이 화상을 표시하는 모드이고, 제1 및 제2 센싱모드들은 표시패널(10)의 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터(DT)의 전류를 센싱하는 모드이다. 특히, 제1 센싱모드는 킥백전압과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 영향을 받지 않은 구동 트랜지스터(DT)의 전류를 센싱하는 모드이고, 제2 센싱모드는 킥백전압과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 영향을 받은 구동 트랜지스터(DT)의 전류를 센싱하는 모드이다.The
표시모드, 제1 센싱모드 및 제2 센싱모드 각각에서 화소(P)들 각각에 공급되는 스캔신호의 파형과 센싱신호의 파형이 변경되는 경우, 표시모드, 제1 센싱모드 및 제2 센싱모드 각각에서 타이밍 제어신호(DCS), 스캔 타이밍 제어신호(SCS), 및 센싱 타이밍 제어신호(SENCS) 역시 변경될 수 있다. 따라서, 타이밍 제어부(50)는 표시모드, 제1 센싱모드 및 제2 센싱모드 중 어느 모드인지에 따라 데이터 타이밍 제어신호(DCS), 스캔 타이밍 제어신호(SCS), 및 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 생성한다.When the waveform of the scan signal supplied to each of the pixels P and the waveform of the sensing signal are changed in each of the display mode, the first sensing mode, and the second sensing mode, the display mode, the first sensing mode, and the second sensing mode, respectively In , the timing control signal DCS, the scan timing control signal SCS, and the sensing timing control signal SENCS may also be changed. Accordingly, the
타이밍 제어부(50)는 보정 데이터(CDATA), 제1 센싱 데이터(SDATA1) 또는 제2 센싱 데이터(SDATA2)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터 구동부(20)로 출력한다. 타이밍 제어부(50)는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔 구동부(30)로 출력한다. 타이밍 제어부(50)는 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱 구동부(40)로 출력한다.The
또한, 타이밍 제어부(50)는 데이트 구동부(20)의 초기화전압 공급부(22)의 제1 스위치들(SW11~SW1m)을 제어하기 위한 제1 스위칭 제어신호(SCS1), 센싱 데이터 출력부(23)의 센싱부들(SU1~SUm) 각각의 제2 내지 제4 스위치들(SW2, SW3, SW4)을 제어하기 위한 제2 내지 제4 스위칭 제어신호들(SCS2, SCS3, SCS4)을 생성하여 출력한다.In addition, the
또한, 타이밍 제어부(50)는 데이터 구동부(20), 스캔 구동부(30), 센싱 구동부(40), 및 디지털 데이터 보정부(60)를 표시모드, 제1 센싱모드, 및 제2 센싱모드 중에 어느 모드로 구동할지에 따라 모드신호(MODE)를 생성한다. 타이밍 제어부(50)는 내부적으로 모드신호(MODE)에 따라 모드 신호(MODE)에 따라 표시모드, 제1 센싱모드 및 제2 센싱모드 중 어느 하나의 모드로 데이트 구동부(20), 스캔 구동부(30), 및 센싱 구동부(40)를 동작시킨다. 타이밍 제어부(50)는 모드신호(MODE)를 디지털 데이터 보정부(60)로 출력한다.In addition, the
디지털 데이터 보정부(60)는 데이터 구동부(20)로부터 센싱 데이터(SD)를 입력받는다. 디지털 데이터 보정부(60)는 센싱 데이터(SD)를 메모리(미도시)에 저장할 수 있다. 센싱 데이터(SD)는 화소(P)들 각각의 특성, 예를 들어 킥백전압과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 의해 영향을 받은 구동 트랜지스터(DT)의 전류와 킥백전압과 제1 트랜지스터(T1)에 의해 영향을 받지 않은 구동 트랜지스터(DT)의 전류를 센싱한 값이다.The
또한, 디지털 데이터 보정부(60)는 외부로부터 디지털 비디오 데이터(DATA)를 입력 받고, 타이밍 제어부(50)로부터 모드신호(MODE)를 입력받는다. 디지털 데이터 보정부(60)는 모드신호(MODE)에 따라 디지털 데이터를 타이밍 제어부(50)로 출력한다.In addition, the
디지털 데이터 보정부(60)는 표시모드에서 센싱 데이터(SD)에 기초하여 디지털 비디오 데이터(DATA)를 보정 데이터(CDATA)로 보정함으로써, 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압과 전자이동도, 킥백전압, 및 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압을 외부 보상할 수 있다. 구체적으로, 디지털 데이터 보정부(60)는 소정의 알고리즘을 이용하여 센싱 데이터(SD)로부터 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압과 전자이동도, 킥백전압, 및 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압을 보상하기 위한 데이터를 산출할 수 있으며, 산출된 데이터를 디지털 비디오 데이터(DATA)에 적용하여 보상 데이터(CDATA)를 산출할 수 있다. 보정 데이터(CDATA)는 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압과 전자이동도, 킥백전압, 및 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압을 보상한 데이터이다. 디지털 데이터 보정부(60)는 표시모드에서 보정 데이터(CDATA)를 타이밍 제어부(50)에 공급한다.The digital data compensator 60 corrects the digital video data DATA with the correction data CDATA based on the sensed data SD in the display mode, so that the threshold voltage, electron mobility, and kickback voltage of the driving transistor DT are performed. , and the threshold voltage of the first transistor T1 may be externally compensated. Specifically, the digital
디지털 데이터 보정부(60)는 제1 센싱모드에서 메모리(미도시)에 저장된 제1 센싱 데이터(SDATA1)를 타이밍 제어부(50)에 공급한다. 제1 센싱 데이터(SDATA1)는 화소(P)들 각각에서 킥백전압과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 영향을 받지 않은 구동 트랜지스터(DT)의 전류를 센싱하기 위한 데이터이다.The
디지털 데이터 보정부(60)는 제2 센싱모드에서 메모리(미도시)에 저장된 제2 센싱 데이터(SDATA2)를 타이밍 제어부(50)에 공급한다. 제2 센싱 데이터(SDATA2)는 화소(P)들 각각에서 킥백전압과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 영향을 받은 구동 트랜지스터(DT)의 전류를 센싱하기 위한 데이터이다. 제2 센싱 데이터(SDATA2)는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압과 전자이동도를 보상한 데이터이다. 디지털 데이터 보정부(60)는 제1 센싱모드에서 센싱된 센싱 데이터(SD)와 제1 센싱 데이터(SDATA1)를 이용하여 또 다른 알고리즘을 수행함으로써, 제2 센싱 데이터(SDATA2)를 산출할 수 있다. 디지털 데이터 보정부(60)는 제2 센싱 데이터(SDATA2)를 메모리(미도시)에 저장한다.The
디지털 데이터 보정부(60)는 타이밍 제어부(50)에 내장될 수 있다.
The
도 4는 도 2의 화소와 센싱부를 상세히 보여주는 회로도이다. 도 4에서는 설명의 편의를 위해 제j(j는 1≤j≤m을 만족하는 양의 정수) 데이터라인(Dj), 제j 센싱라인(SEj), 제k(k는 1≤k≤n을 만족하는 양의 정수) 스캔라인(Sk), 및 제k 센싱신호라인(SSk)에 접속된 화소(P), 제j 센싱라인(SEj)에 접속된 제j 센싱부(SUj)만을 도시하였다.FIG. 4 is a circuit diagram illustrating in detail the pixel and the sensing unit of FIG. 2 . In FIG. 4 , for convenience of explanation, the jth (j is a positive integer satisfying 1≤j≤m) data line Dj, the jth sensing line SEj, and the kth (k is 1≤k≤n) Only the pixel P connected to the scan line Sk, the k-th sensing signal line SSk, and the j-th sensing unit SUj connected to the j-th sensing line SEj are shown.
도 4를 참조하면, 표시패널(10)의 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED)와 유기발광다이오드(OLED)와 제j 센싱라인(SEj)으로 전류를 공급하는 화소 구동부(PD)를 포함한다. 화소 구동부(PD)는 도 4와 같이 구동 트랜지스터(DT), 제1 및 제2 트랜지스터들(ST1, ST2), 및 커패시터(C)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the pixel P of the
유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)를 통해 공급되는 전류에 따라 발광한다. 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속되고, 캐소드 전극은 고전위전압보다 낮은 저전위전압이 공급되는 저전위전압라인(VSSL)에 접속될 수 있다.The organic light emitting diode OLED emits light according to a current supplied through the driving transistor DT. The anode electrode of the organic light emitting diode OLED may be connected to the source electrode of the driving transistor DT, and the cathode electrode may be connected to the low potential voltage line VSSL to which a low potential voltage lower than the high potential voltage is supplied.
유기발광다이오드(OLED)는 애노드 전극(anode electrode), 정공 수송층(hole transporting layer), 유기발광층(organic light emitting layer), 전자 수송층(electron transporting layer), 및 캐소드 전극(cathode electrode)을 포함할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 애노드전극과 캐소드전극에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기발광층으로 이동되며, 유기발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다. 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속되고, 캐소드 전극은 제2 전원전압이 공급되는 제2 전원전압라인(ELVSSL)에 접속될 수 있다.An organic light emitting diode (OLED) may include an anode electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer, and a cathode electrode. have. In an organic light emitting diode (OLED), when a voltage is applied to an anode electrode and a cathode electrode, holes and electrons move to the organic light emitting layer through the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and combine with each other in the organic light emitting layer to emit light. An anode electrode of the organic light emitting diode OLED may be connected to a source electrode of the driving transistor DT, and a cathode electrode may be connected to a second power voltage line ELVSSL to which a second power voltage is supplied.
구동 트랜지스터(DT)는 제1 전원전압라인(VDDL)과 유기발광다이오드(OLED) 사이에 마련된다. 구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극과 소스 전극의 전압 차에 따라 제1 전원전압라인(VDDL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 전류를 조정한다. 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극은 제1 트랜지스터(ST1)의 제1 전극에 접속되고, 소스 전극은 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 접속되며, 드레인 전극은 제1 전원전압이 공급되는 제1 전원전압라인(ELVDDL)에 접속될 수 있다.The driving transistor DT is provided between the first power voltage line VDDL and the organic light emitting diode OLED. The driving transistor DT adjusts a current flowing from the first power voltage line VDDL to the organic light emitting diode OLED according to a voltage difference between the gate electrode and the source electrode. The gate electrode of the driving transistor DT is connected to the first electrode of the first transistor ST1 , the source electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED, and the drain electrode is the first electrode to which the first power voltage is supplied. 1 may be connected to the power voltage line ELVDDL.
제1 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)의 제k 스캔신호에 의해 턴-온되어 제j 데이터라인(Dj)의 전압을 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 공급한다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제k 스캔라인(Sk)에 접속되고, 제1 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 접속되며, 제2 전극은 제j 데이터라인(Dj)에 접속될 수 있다. 제1 트랜지스터(ST1)는 스캔 트랜지스터로 통칭될 수 있다.The first transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal of the k-th scan line Sk to supply the voltage of the j-th data line Dj to the gate electrode of the driving transistor DT. The gate electrode of the first transistor T1 is connected to the k-th scan line Sk, the first electrode is connected to the gate electrode of the driving transistor DT, and the second electrode is connected to the j-th data line Dj. can be The first transistor ST1 may be collectively referred to as a scan transistor.
제2 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호라인(SSk)의 제k 센싱신호에 의해 턴-온되어 제j 센싱라인(SEj)을 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속시킨다. 제2 트랜지스터(ST2)의 게이트 전극은 제k 초기화라인(SENk)에 접속되고, 제1 전극은 제j 센싱라인(SEj)에 접속되며, 제2 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속될 수 있다.The second transistor ST2 is turned on by the k-th sensing signal of the k-th sensing signal line SSk to connect the j-th sensing line SEj to the source electrode of the driving transistor DT. The gate electrode of the second transistor ST2 is connected to the k-th initialization line SENk, the first electrode is connected to the j-th sensing line SEj, and the second electrode is connected to the source electrode of the driving transistor DT. can be
제1 및 제2 트랜지스터들(ST1, ST2) 각각의 제1 전극은 소스 전극이고, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 제1 및 제2 트랜지스터들(ST1, ST2) 각각의 제1 전극은 드레인 전극이고, 제2 전극은 소스 전극일 수 있다.A first electrode of each of the first and second transistors ST1 and ST2 may be a source electrode, and the second electrode may be a drain electrode, but it should be noted that the present invention is not limited thereto. That is, the first electrode of each of the first and second transistors ST1 and ST2 may be a drain electrode, and the second electrode may be a source electrode.
제1 커패시터(C1)는 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 마련된다. 제1 커패시터(C1)는 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트전압과 소스전압 간의 차전압을 저장한다.The first capacitor C1 is provided between the gate electrode and the source electrode of the first driving transistor DT1 . The first capacitor C1 stores a difference voltage between the gate voltage and the source voltage of the first driving transistor DT1 .
도 4에서는 구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 트랜지스터들(ST1, ST2)이 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다. 구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 트랜지스터들(ST1, ST2)은 P 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있으며, 이 경우 도 5, 도 7 및 도 9의 타이밍도는 P 타입 MOSFET의 특성에 맞게 적절하게 수정될 수 있다.In FIG. 4 , the driving transistor DT and the first and second transistors ST1 and ST2 have been mainly described as being formed of an N-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), but it should be noted that the present invention is not limited thereto. The driving transistor DT and the first and second transistors ST1 and ST2 may be formed of a P-type MOSFET. In this case, the timing diagrams of FIGS. 5, 7 and 9 are appropriate for the characteristics of the P-type MOSFET. can be modified to
제j 센싱부(SUj)는 전류-전압 변환부(CVC)와 아날로그 디지털 변환부(ADC)를 포함한다. 전류-전압 변환부(CVC)는 화소(P)로부터 제j 센싱라인(SEj)으로 흐르는 전류를 전압으로 변환한다. 전류-전압 변환부(CVC)는 연산 증폭기(OA), 피드백 커패시터(Cf), 제2 내지 제4 스위치들(SW2, SW3, SW4)을 포함할 수 있다.The j-th sensing unit SUj includes a current-voltage converter CVC and an analog-to-digital converter ADC. The current-voltage converter CVC converts a current flowing from the pixel P to the j-th sensing line SEj into a voltage. The current-voltage converter CVC may include an operational amplifier OA, a feedback capacitor Cf, and second to fourth switches SW2 , SW3 , and SW4 .
연산 증폭기(OA)는 반전 단자(-), 비반전 단자(+), 및 출력 단자(o)를 포함한다. 반전 단자(-)는 제4 스위치(SW4)에 접속되며, 비반전 단자(+)는 제2 초기화전압(VREF2)이 공급되는 제2 초기화전압라인(VREFL2)에 접속된다. 출력 단자(o)는 제3 스위치(SW3)에 접속된다. 제2 초기화전압(VREF2)은 제1 초기화전압(VREF1)과 동일한 직류전압일 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 제1 초기화전압(VREF1)과 다른 직류전압일 수 있다.The operational amplifier OA includes an inverting terminal (-), a non-inverting terminal (+), and an output terminal (o). The inverting terminal (-) is connected to the fourth switch SW4, and the non-inverting terminal (+) is connected to the second initialization voltage line VREFL2 to which the second initialization voltage VREF2 is supplied. The output terminal o is connected to the third switch SW3. The second initialization voltage VREF2 may be the same DC voltage as the first initialization voltage VREF1 , but is not limited thereto, and may be a DC voltage different from the first initialization voltage VREF1 .
제2 스위치(SW2)는 제2 스위치신호(SCS2)에 따라 스위칭된다. 제2 스위치(SW2)는 제2 스위치신호(SCS2)에 의해 턴-온되어 연산 증폭기(OA)의 반전 단자(-)와 출력 단자(o)를 접속시킨다.The second switch SW2 is switched according to the second switch signal SCS2. The second switch SW2 is turned on by the second switch signal SCS2 to connect the inverting terminal (-) and the output terminal (o) of the operational amplifier OA.
제3 스위치(SW3)는 제3 스위치신호(SCS3)에 따라 스위칭된다. 제3 스위치(SW3)는 제3 스위치신호(SCS3)에 의해 턴-온되어 연산 증폭기(OA)의 출력 단자(o)와 아날로그 디지털 변환부(ADC)를 접속시킨다.The third switch SW3 is switched according to the third switch signal SCS3. The third switch SW3 is turned on by the third switch signal SCS3 to connect the output terminal o of the operational amplifier OA and the analog-to-digital converter ADC.
제4 스위치(SW4)는 제4 스위치신호(SCS4)에 따라 스위칭된다. 제4 스위치(SW4)는 제4 스위치신호(SCS4)에 의해 턴-온되어 연산 증폭기(OA)의 반전 단자(-)와 제j 센싱라인(SEj)를 접속시킨다.The fourth switch SW4 is switched according to the fourth switch signal SCS4. The fourth switch SW4 is turned on by the fourth switch signal SCS4 to connect the inverting terminal (-) of the operational amplifier OA and the j-th sensing line SEj.
피드백 커패시터(Cf)는 연산 증폭기(OA)의 반전 단자(-)와 출력 단자(o) 간에 접속된다. 피드백 커패시터(Cf)는 제2 스위치(SW2)가 턴-온되는 경우, 연산 증폭기(OA)의 반전 단자(-)와 출력 단자(o)가 단락(short)되므로, OV(zero voltage)로 초기화될 수 있다. 또한, 피드백 커패시터(Cf)는 제2 스위치(SW2)가 턴-오프되고 제3 및 제4 스위치들(SW3, SW4)이 턴-온되는 경우, 화소(P)로부터 제j 센싱라인(SEj)으로 흐르는 전류를 충전함으로써 연산 증폭기(OA)의 출력 단자(o)로 출력되는 전압을 변화시킨다. 이에 대한 자세한 설명은 도 7 및 도 9를 결부하여 후술한다.The feedback capacitor Cf is connected between the inverting terminal (-) and the output terminal o of the operational amplifier OA. When the second switch SW2 is turned on, the feedback capacitor Cf is initialized to zero voltage (OV) because the inverting terminal (-) and the output terminal (o) of the operational amplifier OA are shorted. can be Also, when the second switch SW2 is turned off and the third and fourth switches SW3 and SW4 are turned on, the feedback capacitor Cf is connected from the pixel P to the j-th sensing line SEj. The voltage output to the output terminal o of the operational amplifier OA is changed by charging the current flowing through the . A detailed description thereof will be described later with reference to FIGS. 7 and 9 .
저장 커패시터(Cs)는 센싱 노드(Nsen)와 그라운드 전압원(GND) 사이에 접속된다. 저장 커패시터(Cs)는 제2 스위치(SW2)가 턴-오프되고 제3 및 제4 스위치들(SW3, SW4)이 턴-온되는 경우, 연산 증폭기(OA)로부터 출력되는 전압, 즉 센싱 노드(Nsen)의 전압(Vsen)을 저장한다.The storage capacitor Cs is connected between the sensing node Nsen and the ground voltage source GND. The storage capacitor Cs is a voltage output from the operational amplifier OA when the second switch SW2 is turned off and the third and fourth switches SW3 and SW4 are turned on, that is, the sensing node ( Nsen) of the voltage (Vsen) is stored.
아날로그 디지털 변환부(ADC)는 센싱 노드(Nsen)의 전압(Vsen)을 디지털 데이터로 변환하여 센싱 데이터(SD)를 생성한다. 아날로그 디지털 변환부(ADC)는 센싱 데이터(SD)를 디지털 데이터 보정부(60)로 출력한다.The analog-to-digital converter ADC converts the voltage Vsen of the sensing node Nsen into digital data to generate the sensing data SD. The analog-to-digital converter ADC outputs the sensed data SD to the
본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치는 표시모드, 제1 센싱모드, 및 제2 센싱모드로 구동되며, 표시모드, 제1 센싱모드, 및 제2 센싱모드 중 어느 모드인지에 따라 화소(P)에 공급되는 스캔신호와 센싱신호의 파형들이 달라진다. 이로 인해, 화소(P)의 동작이 달라진다. 이하에서는, 도 5 및 도 6a 내지 도 6c를 결부하여 표시모드에서 화소(P)의 동작을 살펴보고, 도 7 및 도 8a 내지 도 8c를 결부하여 제1 센싱모드에서 화소(P)의 동작을 살펴보면, 도 9 및 도 10a 내지 도 10c를 결부하여 제2 센싱모드에서 화소(P)의 동작을 살펴본다.
The organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is driven in a display mode, a first sensing mode, and a second sensing mode, and the pixel ( Waveforms of the scan signal and the sensing signal supplied to P) are different. Due to this, the operation of the pixel P is different. Hereinafter, the operation of the pixel P in the display mode will be examined in conjunction with FIGS. 5 and 6A to 6C, and the operation of the pixel P in the first sensing mode will be described in conjunction with FIGS. 7 and 8A to 8C. Looking at it, the operation of the pixel P in the second sensing mode will be described in conjunction with FIGS. 9 and 10A to 10C .
도 5는 표시모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 구동 트랜지스터의 게이트전압과 소스전압, 및 제2 내지 제4 스위치신호들을 보여주는 파형도이다. 도 5에서는 설명의 편의를 위해 도 4의 화소(P)에 접속된 제k 스캔라인(Sk)에 공급되는 제k 스캔신호(SCANk), 제k 센싱신호라인(SSk)에 공급되는 제k 센싱신호(SENSk), 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전압(Vg)과 소스전압(Vs), 제j 센싱라인(SEj)에 접속된 전류-전압 변환부(CVC)의 제2 내지 제4 스위치들(SW2, SW3, SW4)에 공급되는 제2 내지 제4 스위치신호들(SCS2, SCS3, SCS4)만을 예시하였다.5 is a waveform diagram illustrating a scan signal and a sensing signal supplied to a pixel in a display mode, a gate voltage and a source voltage of a driving transistor, and second to fourth switch signals. In FIG. 5 , for convenience of explanation, the kth scan signal SCANk supplied to the kth scan line Sk connected to the pixel P of FIG. 4 and the kth sensing signal supplied to the kth sensing signal line SSk of FIG. The signal SENSk, the gate voltage Vg and the source voltage Vs of the driving transistor DT, and the second to fourth switches of the current-voltage converter CVC connected to the j-th sensing line SEj ( Only the second to fourth switch signals SCS2, SCS3, and SCS4 supplied to SW2, SW3, and SW4 are exemplified.
도 5를 참조하면, 표시모드에서 1 프레임 기간은 제1 내지 제3 기간들(t1~t3)로 구분될 수 있다. 제1 기간(t1)은 구동 트랜지스터(DT)의 소스전극을 제1 초기화전압(VREF1)으로 초기화하는 기간이다. 제2 기간(t2)은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극에 발광 데이터전압(Vdata)을 공급하는 기간이다. 제2 기간(t2)은 1 수평기간일 수 있다. 1 수평기간은 1 수평라인의 화소(P)들에 데이터전압들이 공급되는 기간을 지시하고, 1 수평라인의 화소(P)들은 동일한 스캔라인에 접속될 수 있다. 제3 기간(t3)은 구동 트랜지스터(DT)의 전류에 따라 유기발광다이오드(OLED)를 발광하는 기간이다.Referring to FIG. 5 , in the display mode, one frame period may be divided into first to third periods t1 to t3 . The first period t1 is a period in which the source electrode of the driving transistor DT is initialized to the first initialization voltage VREF1. The second period t2 is a period in which the light emitting data voltage Vdata is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT. The second period t2 may be one horizontal period. One horizontal period indicates a period in which data voltages are supplied to pixels P of one horizontal line, and the pixels P of one horizontal line may be connected to the same scan line. The third period t3 is a period in which the organic light emitting diode OLED emits light according to the current of the driving transistor DT.
스캔 구동부(30)는 제k 스캔라인(Sk)에 제1 및 제3 기간들(t1, t3) 동안 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔신호(SCANk)를 공급하고, 제2 기간(t2) 동안 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)를 공급할 수 있다. 센싱 구동부(40)는 제k 센싱신호라인(SSk)에 제1 및 제2 기간들(t1, t2) 동안 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)를 공급하고, 제3 기간(t3) 동안 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 센싱신호(SENSk)를 공급할 수 있다. 화소(P)들 각각의 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)이 도 4와 같이 N 타입 MOSFET으로 형성되는 경우, 게이트 온 전압(Von)은 화소(P)들 각각의 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)을 턴-온시킬 수 있는 게이트하이전압이고, 게이트 오프 전압(Voff)은 화소(P)들 각각의 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)을 턴-오프시킬 수 있는 게이트로우전압일 수 있다.The
데이터전압 공급부(21)는 제k 스캔라인(Sk)에 접속된 화소(P)에 데이터전압을 공급하기 위해, 제2 기간(t2) 동안 제j 데이터라인(Dj)에 발광 데이터전압(Vdata)을 공급할 수 있다.The data
타이밍 제어부(50)는 표시모드에서 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치신호(SCS2)를 제j 센싱라인(SEj)에 접속된 전류-전압 변환부(CVC)의 제2 스위치(SW2)에 공급하며, 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제3 스위치신호(SCS3)를 제j 센싱라인(SEj)에 접속된 전류-전압 변환부(CVC)의 제3 스위치(SW3)에 공급하고, 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제4 스위치신호(SCS4)를 제4 스위치(SW4)에 공급한다.The
이하에서는, 도 6a 내지 도 6c를 결부하여, 표시모드에서 화소(P)의 동작을 상세히 살펴본다.
Hereinafter, the operation of the pixel P in the display mode will be described in detail with reference to FIGS. 6A to 6C .
도 6a 내지 도 6c는 표시모드의 제1 내지 제3 기간들 동안 화소와 센싱부를 보여주는 예시도면들이다. 도 6a 내지 도 6c에서는 설명의 편의를 위해 턴-오프된 트랜지스터를 점선으로 도시하였다. 이하에서는 도 4, 도 5 및 도 6a 내지 도 6c를 결부하여 본 발명의 실시예에 따른 표시모드에서 화소의 구동방법을 상세히 살펴본다.6A to 6C are exemplary views illustrating a pixel and a sensing unit during first to third periods of a display mode. 6A to 6C, the turned-off transistor is illustrated with a dotted line for convenience of description. Hereinafter, a method of driving a pixel in a display mode according to an embodiment of the present invention will be described in detail in conjunction with FIGS. 4, 5, and 6A to 6C.
표시모드에서 제2 및 제3 스위치들(SW2, SW3)은 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 및 제3 스위치신호들(SCS2, SCS3)은 턴-오프되고, 제4 스위치(SW4)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제4 스위치신호(SCS4)에 의해 턴-온된다. 제4 스위치(SW4)의 턴-온으로 인해 제j 센싱라인(SEj)은 연산 증폭기(OA)의 반전 단자(-)에 접속된다. 한편, 연산 증폭기(OA)의 비반전 단자(+)에는 제2 초기화전압(VREF2)이 공급되기 때문에 비반전 단자(+)와 가상 접지로 연결되어 있는 반전 단자(-)에도 제2 초기화전압(VREF2)이 공급된다. 따라서, 제j 센싱라인(SEj)에는 제2 초기화전압(VREF2)이 공급된다.In the display mode, in the second and third switches SW2 and SW3, the second and third switch signals SCS2 and SCS3 of the second logic level voltage V2 are turned off, and the fourth switch SW4 is turned off. is turned on by the fourth switch signal SCS4 of the first logic level voltage V1. Due to the turn-on of the fourth switch SW4, the j-th sensing line SEj is connected to the inverting terminal (-) of the operational amplifier OA. On the other hand, since the second initialization voltage VREF2 is supplied to the non-inverting terminal (+) of the operational amplifier OA, the second initialization voltage ( VREF2) is supplied. Accordingly, the second initialization voltage VREF2 is supplied to the j-th sensing line SEj.
도 6a를 참조하면, 제1 기간(t1) 동안 제1 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-오프된다.Referring to FIG. 6A , during the first period t1 , the first transistor ST1 is turned off by the k-th scan signal SCANk of the gate-off voltage Voff supplied to the k-th scan line Sk. .
제1 기간(t1) 동안 제2 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호라인(SSk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1) 동안 제2 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제j 센싱라인(SEj)의 제2 초기화전압(VREF2)이 공급된다. 즉, 제1 기간(t1) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 제2 초기화전압(VREF2)으로 초기화된다.During the first period t1 , the second transistor ST2 is turned on by the k-th sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th sensing signal line SSk. Due to the turn-on of the second transistor ST2 during the first period t1 , the second initialization voltage VREF2 of the j-th sensing line SEj is supplied to the source electrode of the driving transistor DT. That is, during the first period t1 , the source electrode of the driving transistor DT is initialized to the second initialization voltage VREF2 .
도 6b를 참조하면, 제2 기간(t2) 동안 제1 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온된다. 제2 기간(t2) 동안 제1 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제j 데이터라인(Dj)의 발광 데이터전압(Vdata)이 공급된다. 발광 데이터전압(Vdata)은 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압 및 전자이동도와 킥백전압 및 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압이 보상된 전압이다.Referring to FIG. 6B , during the second period t2 , the first transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th scan line Sk. . Due to the turn-on of the first transistor ST1 during the second period t2 , the light emission data voltage Vdata of the j-th data line Dj is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT. The emission data voltage Vdata is a voltage in which the threshold voltage and electron mobility of the driving transistor DT, the kickback voltage, and the threshold voltage of the first transistor T1 are compensated.
제2 기간(t2) 동안 제2 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호라인(SSk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제2 기간(t2) 동안 제2 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제j 센싱라인(SEj)의 제2 초기화전압(VREF2)이 공급된다.During the second period t2, the second transistor ST2 is turned on by the k-th sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th sensing signal line SSk. Due to the turn-on of the second transistor ST2 during the second period t2 , the second initialization voltage VREF2 of the j-th sensing line SEj is supplied to the source electrode of the driving transistor DT.
도 6c를 참조하면, 제3 기간(t3) 동안 제1 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-오프된다. 제3 기간(t3) 동안 제2 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호라인(SSk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-오프된다.Referring to FIG. 6C , during the third period t3 , the first transistor ST1 is turned off by the k-th scan signal SCANk of the gate-off voltage Voff supplied to the k-th scan line Sk. . During the third period t3, the second transistor ST2 is turned off by the k-th sensing signal SENSk of the gate-off voltage Voff supplied to the k-th sensing signal line SSk.
제3 기간(t3) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전압(Vg)과 소스전압(Vs) 간의 전압 차에 따른 전류(Ids)는 유기발광다이오드(OLED)로 흐른다. 이로 인해, 유기발광다이오드(OLED)는 발광한다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 "구동 트랜지스터(DT)의 게이트전압(Vg)과 소스전압(Vs) 간의 전압 차에 따라 구동 트랜지스터(DT)를 통해 흐르는 전류"를 "구동 트랜지스터의 전류"로 정의한다.A current Ids according to a voltage difference between the gate voltage Vg and the source voltage Vs of the driving transistor DT flows to the organic light emitting diode OLED during the third period t3. Accordingly, the organic light emitting diode (OLED) emits light. Hereinafter, for convenience of explanation, “current flowing through the driving transistor DT according to the voltage difference between the gate voltage Vg and the source voltage Vs of the driving transistor DT” is defined as “the current of the driving transistor”. do.
이때, 발광 데이터전압(Vdata)은 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압 및 전자이동도와 킥백전압 및 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압이 보상된 전압이기 때문에, 제3 기간(t3) 동안 유기발광다이오드(OLED)로 흐르는 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Ids)는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압 및 전자이동도와 킥백전압 및 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 의존하지 않는다.At this time, since the emission data voltage Vdata is a voltage in which the threshold voltage and electron mobility of the driving transistor DT, the kickback voltage, and the threshold voltage of the first transistor T1 are compensated, the organic light emitting diode during the third period t3 The current Ids of the driving transistor DT flowing through the OLED does not depend on the threshold voltage and electron mobility of the driving transistor DT, the kickback voltage, and the threshold voltage of the first transistor T1 .
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 표시모드에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압 및 전자이동도와 킥백전압 및 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압이 보상된 발광 데이터전압을 화소(P)에 공급한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 화소(P)의 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압 및 전자이동도와 킥백전압 및 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 의존하지 않는 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Ids)에 따라 발광할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 화소(P)들의 휘도 균일도를 높일 수 있다.
As described above, in the embodiment of the present invention, in the display mode, the light emitting data voltage in which the threshold voltage and electron mobility of the driving transistor DT, the kickback voltage, and the threshold voltage of the first transistor T1 are compensated for are converted to the pixel (P). supply to As a result, in the embodiment of the present invention, the organic light emitting diode (OLED) of the pixel (P) is driven not depending on the threshold voltage and electron mobility of the driving transistor (DT), the kickback voltage, and the threshold voltage of the first transistor (T1). Light may be emitted according to the current Ids of the transistor DT. Accordingly, according to the exemplary embodiment of the present invention, the luminance uniformity of the pixels P may be increased.
도 7은 제1 센싱모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 구동 트랜지스터의 게이트전압과 소스전압, 센싱 노드의 전압, 및 제2 내지 제4 스위치신호들을 보여주는 파형도이다. 도 7에서는 설명의 편의를 위해 도 4의 화소(P)에 접속된 제k 스캔라인(Sk)에 공급되는 제k 스캔신호(SCANk), 제k 센싱신호라인(SSk)에 공급되는 제k 센싱신호(SENSk), 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전압(Vg)과 소스전압(Vs), 센싱 노드(Nsen)의 전압(Vsen), 제j 센싱라인(SEj)에 접속된 전류-전압 변환부(CVC)의 제2 내지 제4 스위치들(SW2, SW3, SW4)에 공급되는 제2 내지 제4 스위치신호들(SCS2, SCS3, SCS4)만을 예시하였다.7 is a waveform diagram illustrating a scan signal and a sensing signal supplied to a pixel in a first sensing mode, a gate voltage and a source voltage of a driving transistor, a voltage of a sensing node, and second to fourth switch signals. In FIG. 7 , for convenience of explanation, the k-th scan signal SCANk supplied to the k-th scan line Sk connected to the pixel P of FIG. 4 and the k-th sensing signal supplied to the k-th sensing signal line SSk are shown in FIG. The signal SENSk, the gate voltage Vg and the source voltage Vs of the driving transistor DT, the voltage Vsen of the sensing node Nsen, and the current-voltage converter connected to the j-th sensing line SEj ( Only the second to fourth switch signals SCS2, SCS3, and SCS4 supplied to the second to fourth switches SW2, SW3, and SW4 of the CVC are exemplified.
도 7을 참조하면, 제1 센싱모드에서 1 프레임 기간은 제1 내지 제3 기간들(t1'~t3')로 구분될 수 있다. 제1 기간(t1')은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 제1 센싱 데이터전압(Vdata_S1)을 공급하고, 소스 전극을 제2 초기화전압(VREF2)으로 초기화하는 기간이다. 제2 기간(t2')은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전압과 소스전압 간의 전압 차에 따라 화소(P)로부터 제j 센싱라인(SEj)으로 흐르는 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Isen1)를 전압으로 변환하는 기간이다. 제3 기간(t3')은 센싱 노드(Nsen)의 전압(Vsen)을 디지털 데이터로 변환하는 기간이다.Referring to FIG. 7 , in the first sensing mode, one frame period may be divided into first to third periods t1' to t3'. The first period t1' is a period in which the first sensing data voltage Vdata_S1 is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT and the source electrode is initialized to the second initialization voltage VREF2. In the second period t2', the current Isen1 of the driving transistor DT flowing from the pixel P to the j-th sensing line SEj is applied to a voltage according to a voltage difference between the gate voltage and the source voltage of the driving transistor DT. is the period of conversion to The third period t3' is a period in which the voltage Vsen of the sensing node Nsen is converted into digital data.
스캔 구동부(30)는 제k 스캔라인(Sk)에 제1 및 제2 기간들(t1', t2') 동안 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)를 공급하고, 제3 기간(t3') 동안 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔신호(SCANk)를 공급할 수 있다. 센싱 구동부(40)는 제k 센싱신호라인(SSk)에 제1 및 제2 기간들(t1', t2') 동안 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)를 공급하고, 제3 기간(t3') 동안 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 센싱신호(SENSk)를 공급할 수 있다. 화소(P)들 각각의 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)이 도 4와 같이 N 타입 MOSFET으로 형성되는 경우, 게이트 온 전압(Von)은 화소(P)들 각각의 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)을 턴-온시킬 수 있는 게이트하이전압이고, 게이트 오프 전압(Voff)은 화소(P)들 각각의 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)을 턴-오프시킬 수 있는 게이트로우전압일 수 있다.The
데이터전압 공급부(21)는 제k 스캔라인(Sk)에 접속된 화소(P)에 데이터전압을 공급하기 위해, 제1 및 제2 기간들(t1', t2') 동안 제j 데이터라인(Dj)에 제1 센싱 데이터전압(Vdata_S1)을 공급할 수 있다.The data
타이밍 제어부(50)는 전류-전압 변환부(CVC)의 제2 스위치(SW2)에 제1 센싱모드의 제1 기간(t1') 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제2 스위치신호(SCS2)를 공급하고, 제2 및 제3 기간들(t2', t3') 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치신호(SCS2)를 공급한다. 타이밍 제어부(50)는 전류-전압 변환부(CVC)의 제3 스위치(SW3)에 제1 센싱모드의 제1 및 제2 기간들(t1', t2') 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제3 스위치신호(SCS3)를 공급하고, 제3 기간(t3') 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제3 스위치신호(SCS3)를 공급한다. 타이밍 제어부(50)는 전류-전압 변환부(CVC)의 제4 스위치(SW4)에 제1 센싱모드의 제1 내지 제3 기간들(t1'~t3') 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제4 스위치신호(SCS4)를 제4 스위치(SW4)에 공급한다.The
이하에서는, 도 8a 내지 도 8c를 결부하여, 제1 센싱모드에서 화소(P)의 동작을 상세히 살펴본다.
Hereinafter, the operation of the pixel P in the first sensing mode will be described in detail with reference to FIGS. 8A to 8C .
도 8a 내지 도 8c는 제1 센싱모드의 제1 내지 제3 기간들 동안 화소와 센싱부를 보여주는 예시도면들이다. 도 8a 내지 도 8c에서는 설명의 편의를 위해 턴-오프된 트랜지스터를 점선으로 도시하였다. 이하에서는 도 4, 도 7 및 도 8a 내지 도 8c를 결부하여 본 발명의 실시예에 따른 제1 센싱모드에서 화소의 구동방법을 상세히 살펴본다.8A to 8C are exemplary views illustrating a pixel and a sensing unit during first to third periods of the first sensing mode. 8A to 8C, the turned-off transistor is illustrated with a dotted line for convenience of description. Hereinafter, a method of driving a pixel in the first sensing mode according to an embodiment of the present invention will be described in detail in conjunction with FIGS. 4, 7, and 8A to 8C.
제1 센싱모드의 제1 내지 제3 기간들(t1'~t3') 동안 제4 스위치(SW4)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제4 스위치신호(SCS4)에 의해 턴-온된다. 제1 센싱모드의 제1 내지 제3 기간들(t1'~t3') 동안 제4 스위치(SW4)의 턴-온으로 인해 제j 센싱라인(SEj)은 연산 증폭기(OA)의 반전 단자(-)에 접속된다.During the first to third periods t1' to t3' of the first sensing mode, the fourth switch SW4 is turned on by the fourth switch signal SCS4 of the first logic level voltage V1. Due to the turn-on of the fourth switch SW4 during the first to third periods t1' to t3' of the first sensing mode, the j-th sensing line SEj is connected to the inverting terminal (−) of the operational amplifier OA. ) is connected to
도 8a를 참조하면, 제1 기간(t1') 동안 제1 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1') 동안 제1 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제1 센싱 데이터전압(Vdata_S1)이 공급된다. 제1 센싱 데이터전압(Vdata_S1)은 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압과 전자이동도와 같은 구동 트랜지스터(DT)의 특성을 센싱하기 위한 전압이다.Referring to FIG. 8A , during a first period t1', the first transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th scan line Sk. do. Due to the turn-on of the first transistor ST1 during the first period t1 ′, the first sensing data voltage Vdata_S1 is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT. The first sensing data voltage Vdata_S1 is a voltage for sensing characteristics of the driving transistor DT, such as the threshold voltage and electron mobility of the driving transistor DT.
제1 기간(t1') 동안 제2 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호라인(SSk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1') 동안 제2 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제j 센싱라인(SEj)의 제2 초기화전압(VREF2)이 공급된다. 즉, 제1 기간(t1') 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 제2 초기화전압(VREF2)으로 초기화된다.During the first period t1', the second transistor ST2 is turned on by the k-th sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th sensing signal line SSk. Due to the turn-on of the second transistor ST2 during the first period t1 ′, the second initialization voltage VREF2 of the j-th sensing line SEj is supplied to the source electrode of the driving transistor DT. That is, during the first period t1 ′, the source electrode of the driving transistor DT is initialized to the second initialization voltage VREF2 .
한편, 제1 기간(t1') 동안 제j 센싱라인(SEj)의 전압이 제2 초기화전압(VREF2)인 이유를 설명하면 아래와 같다.Meanwhile, the reason why the voltage of the j-th sensing line SEj is the second initialization voltage VREF2 during the first period t1' will be described below.
제1 기간(t1') 동안 전류-전압 변환부(CVC)의 제2 스위치(SW2)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제2 스위치신호(SCS2)에 의해 턴-온되고, 제3 스위치(SW3)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제3 스위치신호(SCS3)에 의해 턴-온된다. 또한, 제1 기간(t1') 동안 제2 및 제3 스위치들(SW2, SW3)의 턴-온으로 인해, 전류-전압 변환부(CVC)의 연산 증폭기(OA)의 반전 단자(-)와 출력 단자(o)가 단락(short)된다. 그러므로, 전류-전압 변환부(CVC)의 피드백 커패시터(Cf)는 OV(zero voltage)로 초기화된다. 특히, 연산 증폭기(OA)의 비반전 단자(+)에는 제2 초기화전압(VREF2)이 공급되기 때문에 비반전 단자(+)와 가상 접지로 연결되어 있는 반전 단자(-)에도 제2 초기화전압(VREF2)이 공급된다. 따라서, 연산 증폭기(OA)의 출력 단자(o), 센싱 노드(Nsen), 및 제j 센싱라인(SEj)에는 제2 초기화전압(VREF2)이 공급된다.During the first period t1', the second switch SW2 of the current-voltage converter CVC is turned on by the second switch signal SCS2 of the first logic level voltage V1, and the third switch SW3 is turned on by the third switch signal SCS3 of the first logic level voltage V1. In addition, due to the turn-on of the second and third switches SW2 and SW3 during the first period t1', the inverting terminal (-) of the operational amplifier OA of the current-voltage converter CVC and The output terminal o is shorted. Therefore, the feedback capacitor Cf of the current-voltage converter CVC is initialized to zero voltage (OV). In particular, since the second initialization voltage VREF2 is supplied to the non-inverting terminal (+) of the operational amplifier OA, the second initialization voltage ( VREF2) is supplied. Accordingly, the second initialization voltage VREF2 is supplied to the output terminal o of the operational amplifier OA, the sensing node Nsen, and the j-th sensing line SEj.
도 8b를 참조하면, 제2 기간(t2') 동안 제1 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온된다. 제2 기간(t2') 동안 제1 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극은 제1 센싱 데이터전압(Vdata_S1)을 유지한다.Referring to FIG. 8B , during the second period t2', the first transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th scan line Sk. do. Due to the turn-on of the first transistor ST1 during the second period t2', the gate electrode of the driving transistor DT maintains the first sensing data voltage Vdata_S1.
제2 기간(t2') 동안 제2 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호라인(SSk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제2 기간(t2') 동안 제2 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 제2 초기화전압(VREF2)을 유지한다.During the second period t2', the second transistor ST2 is turned on by the k-th sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th sensing signal line SSk. Due to the turn-on of the second transistor ST2 during the second period t2 ′, the source electrode of the driving transistor DT maintains the second initialization voltage VREF2 .
제2 기간(t2') 동안 전류-전압 변환부(CVC)의 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치신호(SCS2)에 의해 턴-오프되고, 제3 스위치(SW3)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제3 스위치신호(SCS3)에 의해 턴-온된다. 제2 스위치(SW2)의 턴-오프로 인해, 전류-전압 변환부(CVC)의 연산 증폭기(OA)의 반전 단자(-)와 출력 단자(o)는 더이상 접속되지 않으므로, 연산 증폭기(OA)는 적분기로 동작한다. 따라서, 연산 증폭기(OA)는 제j 센싱라인(SEj)로 흐르는 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Isen1)를 전압으로 변환한다. 이때, 제j 센싱라인(SEj)은 제1 기간(t1')부터 제2 초기화전압(VREF2)을 유지하고 있으므로, 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Isen1)는 변동없이 전류-전압 변환부(CVC)의 피드백 커패시터(Cf)에 빠르게 충전될 수 있다. 따라서, 연산 증폭기(OA)의 출력 단자(o)로부터 센싱 노드(Nsen)로 출력되는 전압(Vsen)은 제2 초기화전압(VREF2)에서 선형적으로 감소한다.During the second period t2', the second switch SW2 of the current-voltage converter CVC is turned off by the second switch signal SCS2 of the second logic level voltage V2, and the third switch SW3 is turned on by the third switch signal SCS3 of the first logic level voltage V1. Due to the turn-off of the second switch SW2, the inverting terminal (-) and the output terminal (o) of the operational amplifier OA of the current-voltage converter CVC are no longer connected, so that the operational amplifier OA works as an integrator. Accordingly, the operational amplifier OA converts the current Isen1 of the driving transistor DT flowing through the j-th sensing line SEj into a voltage. At this time, since the j-th sensing line SEj maintains the second initialization voltage VREF2 from the first period t1 ′, the current Isen1 of the driving transistor DT does not change and the current-voltage converter CVC does not change. ) can be quickly charged to the feedback capacitor (Cf). Accordingly, the voltage Vsen output from the output terminal o of the operational amplifier OA to the sensing node Nsen decreases linearly at the second initialization voltage VREF2.
도 8c를 참조하면, 제3 기간(t3') 동안 전류-전압 변환부(CVC)의 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치신호(SCS2)에 의해 턴-오프되고, 제3 스위치(SW3)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제3 스위치신호(SCS3)에 의해 턴-오프된다.Referring to FIG. 8C , during the third period t3 ′, the second switch SW2 of the current-voltage converter CVC is turned by the second switch signal SCS2 of the second logic level voltage V2 - is turned off, and the third switch SW3 is turned off by the third switch signal SCS3 of the second logic level voltage V2.
아날로그 디지털 변환부(ADC)는 제3 기간(t3') 동안 저장 커패시터(Cs)에 저장된 센싱 노드(Nsen)의 전압(Vsen)을 디지털 데이터인 센싱 데이터(SD)로 변환한다. 아날로그 디지털 변환부(ADC)는 센싱 데이터(SD)를 디지털 데이터 보정부(60)로 출력한다.The analog-to-digital converter ADC converts the voltage Vsen of the sensing node Nsen stored in the storage capacitor Cs into the sensing data SD, which is digital data, during the third period t3'. The analog-to-digital converter ADC outputs the sensed data SD to the
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 제1 센싱모드에서 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)이 턴-온된 상태에서 제j 센싱라인(SEj)으로 흐르는 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Isen1)를 센싱하여 센싱 데이터(SD)를 출력한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 제1 센싱모드에서 킥백전압(ΔVp)과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 영향을 받지 않은 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Isen1)를 센싱하여 센싱 데이터(SD)로 출력할 수 있다.
As described above, in the embodiment of the present invention, in the first sensing mode, in a state in which the first and second transistors T1 and T2 are turned on, the driving transistor DT flowing to the j-th sensing line SEj is The current Isen1 is sensed and sensed data SD is output. As a result, in the embodiment of the present invention, in the first sensing mode, sensing data ( SD) can be printed.
도 9는 제1 센싱모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 구동 트랜지스터의 게이트전압과 소스전압, 센싱 노드의 전압, 및 제2 내지 제4 스위치신호들을 보여주는 파형도이다. 도 9에서는 설명의 편의를 위해 도 4의 화소(P)에 접속된 제k 스캔라인(Sk)에 공급되는 제k 스캔신호(SCANk), 제k 센싱신호라인(SSk)에 공급되는 제k 센싱신호(SENSk), 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전압(Vg)과 소스전압(Vs), 센싱 노드(Nsen)의 전압(Vsen), 제j 센싱라인(SEj)에 접속된 전류-전압 변환부(CVC)의 제2 내지 제4 스위치들(SW2, SW3, SW4)에 공급되는 제2 내지 제4 스위치신호들(SCS2, SCS3, SCS4)만을 예시하였다.9 is a waveform diagram illustrating a scan signal and a sensing signal supplied to a pixel in a first sensing mode, a gate voltage and a source voltage of a driving transistor, a voltage of a sensing node, and second to fourth switch signals. In FIG. 9 , for convenience of explanation, the k-th scan signal SCANk supplied to the k-th scan line Sk connected to the pixel P of FIG. 4 and the k-th sensing signal supplied to the k-th sensing signal line SSk are shown in FIG. The signal SENSk, the gate voltage Vg and the source voltage Vs of the driving transistor DT, the voltage Vsen of the sensing node Nsen, and the current-voltage converter connected to the j-th sensing line SEj ( Only the second to fourth switch signals SCS2, SCS3, and SCS4 supplied to the second to fourth switches SW2, SW3, and SW4 of the CVC are exemplified.
도 9를 참조하면, 제2 센싱모드에서 1 프레임 기간은 제1 내지 제3 기간들(t1"~t3")로 구분될 수 있다. 제1 기간(t1")은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 제1 센싱 데이터전압(Vdata_S1)을 공급하고, 소스 전극을 제2 초기화전압(VREF2)으로 초기화하는 기간이다. 제2 기간(t2")은 킥백전압과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 영향을 받은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전압과 소스전압 간의 전압 차에 따라 화소(P)로부터 제j 센싱라인(SEj)으로 흐르는 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Isen2)를 전압으로 변환하는 기간이다. 제3 기간(t3")은 센싱 노드(Nsen)의 전압(Vsen)을 디지털 데이터로 변환하는 기간이다.Referring to FIG. 9 , in the second sensing mode, one frame period may be divided into first to third periods t1″ to t3″. The first period t1″ is a period in which the first sensing data voltage Vdata_S1 is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT and the source electrode is initialized to the second initialization voltage VREF2. The second period t2 ") is the driving that flows from the pixel P to the j-th sensing line SEj according to the voltage difference between the gate voltage and the source voltage of the driving transistor DT affected by the kickback voltage and the threshold voltage of the first transistor T1. It is a period in which the current Isen2 of the transistor DT is converted into a voltage. The third period t3 ″ is a period in which the voltage Vsen of the sensing node Nsen is converted into digital data.
스캔 구동부(30)는 제k 스캔라인(Sk)에 제1 기간(t1") 동안 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)를 공급하고, 제2 및 제3 기간들(t2", t3") 동안 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔신호(SCANk)를 공급할 수 있다. 센싱 구동부(40)는 제k 센싱신호라인(SSk)에 제1 및 제2 기간들(t1", t2") 동안 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)를 공급하고, 제3 기간(t3") 동안 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 센싱신호(SENSk)를 공급할 수 있다. 화소(P)들 각각의 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)이 도 4와 같이 N 타입 MOSFET으로 형성되는 경우, 게이트 온 전압(Von)은 화소(P)들 각각의 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)을 턴-온시킬 수 있는 게이트하이전압이고, 게이트 오프 전압(Voff)은 화소(P)들 각각의 제1 및 제2 트랜지스터들(T1, T2)을 턴-오프시킬 수 있는 게이트로우전압일 수 있다.The
데이터전압 공급부(21)는 제k 스캔라인(Sk)에 접속된 화소(P)에 데이터전압을 공급하기 위해, 제1 기간(t1') 동안 제j 데이터라인(Dj)에 제2 센싱 데이터전압(Vdata_S2)을 공급할 수 있다.The data
타이밍 제어부(50)는 전류-전압 변환부(CVC)의 제2 스위치(SW2)에 제2 센싱모드의 제1 기간(t1") 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제2 스위치신호(SCS2)를 공급하고, 제2 및 제3 기간들(t2", t3") 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치신호(SCS2)를 공급한다. 타이밍 제어부(50)는 전류-전압 변환부(CVC)의 제3 스위치(SW3)에 제2 센싱모드의 제1 및 제2 기간들(t1", t2") 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제3 스위치신호(SCS3)를 공급하고, 제3 기간(t3") 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제3 스위치신호(SCS3)를 공급한다. 타이밍 제어부(50)는 전류-전압 변환부(CVC)의 제4 스위치(SW4)에 제2 센싱모드의 제1 내지 제3 기간들(t1"~t3") 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제4 스위치신호(SCS4)를 공급한다.The
이하에서는, 도 10a 내지 도 10c를 결부하여, 제2 센싱모드에서 화소(P)의 동작을 상세히 살펴본다.
Hereinafter, the operation of the pixel P in the second sensing mode will be described in detail with reference to FIGS. 10A to 10C .
도 10a 내지 도 10c는 제2 센싱모드의 제1 내지 제3 기간들 동안 화소와 센싱부를 보여주는 예시도면들이다. 도 10a 내지 도 10c에서는 설명의 편의를 위해 턴-오프된 트랜지스터를 점선으로 도시하였다. 이하에서는 도 4, 도 9 및 도 10a 내지 도 10c를 결부하여 본 발명의 실시예에 따른 제2 센싱모드에서 화소의 구동방법을 상세히 살펴본다.10A to 10C are exemplary views illustrating a pixel and a sensing unit during first to third periods of the second sensing mode. In FIGS. 10A to 10C , the turned-off transistor is illustrated with a dotted line for convenience of description. Hereinafter, a method of driving a pixel in the second sensing mode according to an embodiment of the present invention will be described in detail in conjunction with FIGS. 4, 9 and 10A to 10C.
제2 센싱모드의 제1 내지 제3 기간들(t1"~t3") 동안 제4 스위치(SW4)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제4 스위치신호(SCS4)에 의해 턴-온된다. 제2 센싱모드의 제1 내지 제3 기간들(t1"~t3") 동안 제4 스위치(SW4)의 턴-온으로 인해 제j 센싱라인(SEj)은 연산 증폭기(OA)의 반전 단자(-)에 접속된다.During the first to third periods t1" to t3" of the second sensing mode, the fourth switch SW4 is turned on by the fourth switch signal SCS4 of the first logic level voltage V1. Due to the turn-on of the fourth switch SW4 during the first to third periods t1″ to t3″ of the second sensing mode, the jth sensing line SEj is connected to the inverting terminal (−) of the operational amplifier OA. ) is connected to
도 10a를 참조하면, 제1 기간(t1") 동안 제1 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1") 동안 제1 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제2 센싱 데이터전압(Vdata_S2)이 공급된다. 제2 센싱 데이터전압(Vdata_S1)은 킥백전압(ΔVp)과 제1 트랜지스터(ST1)의 문턱전압을 센싱하기 위한 전압이다.Referring to FIG. 10A , during a first period t1 ″, the first transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th scan line Sk. The second sensing data voltage Vdata_S2 is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT due to the turn-on of the first transistor ST1 during the first period t1″. The second sensing data voltage Vdata_S1 is a voltage for sensing the kickback voltage ΔVp and the threshold voltage of the first transistor ST1 .
제1 기간(t1") 동안 제2 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호라인(SSk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1") 동안 제2 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제j 센싱라인(SEj)의 제2 초기화전압(VREF2)이 공급된다. 즉, 제1 기간(t1') 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 제2 초기화전압(VREF2)으로 초기화된다.During the first period t1", the second transistor ST2 is turned on by the k-th sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th sensing signal line SSk. Due to the turn-on of the second transistor ST2 during (t1″), the second initialization voltage VREF2 of the j-th sensing line SEj is supplied to the source electrode of the driving transistor DT. That is, during the first period t1 ′, the source electrode of the driving transistor DT is initialized to the second initialization voltage VREF2 .
한편, 제1 기간(t1") 동안 제j 센싱라인(SEj)의 전압이 제2 초기화전압(VREF2)인 이유를 설명하면 아래와 같다.Meanwhile, the reason why the voltage of the j-th sensing line SEj is the second initialization voltage VREF2 during the first period t1 ″ will be described below.
제1 기간(t1") 동안 전류-전압 변환부(CVC)의 제2 스위치(SW2)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제2 스위치신호(SCS2)에 의해 턴-온되고, 제3 스위치(SW3)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제3 스위치신호(SCS3)에 의해 턴-온된다. 또한, 제1 기간(t1") 동안 제2 및 제3 스위치들(SW2, SW3)의 턴-온으로 인해, 전류-전압 변환부(CVC)의 연산 증폭기(OA)의 반전 단자(-)와 출력 단자(o)가 단락(short)된다. 그러므로, 전류-전압 변환부(CVC)의 피드백 커패시터(Cf)는 OV(zero voltage)로 초기화된다. 특히, 연산 증폭기(OA)의 비반전 단자(+)에는 제2 초기화전압(VREF2)이 공급되기 때문에 비반전 단자(+)와 가상 접지로 연결되어 있는 반전 단자(-)에도 제2 초기화전압(VREF2)이 공급된다. 따라서, 연산 증폭기(OA)의 출력 단자(o), 센싱 노드(Nsen), 및 제j 센싱라인(SEj)에는 제2 초기화전압(VREF2)이 공급된다.During the first period t1", the second switch SW2 of the current-voltage converter CVC is turned on by the second switch signal SCS2 of the first logic level voltage V1, and the third switch SW3 is turned on by the third switch signal SCS3 of the first logic level voltage V1. Also, during the first period t1 ″, the second and third switches SW2 and SW3 are turned on. Due to the turn-on, the inverting terminal (-) and the output terminal (o) of the operational amplifier OA of the current-voltage converter CVC are short-circuited. Therefore, the feedback capacitor Cf of the current-voltage converter CVC is initialized to zero voltage (OV). In particular, since the second initialization voltage VREF2 is supplied to the non-inverting terminal (+) of the operational amplifier OA, the second initialization voltage ( VREF2) is supplied. Accordingly, the second initialization voltage VREF2 is supplied to the output terminal o of the operational amplifier OA, the sensing node Nsen, and the j-th sensing line SEj.
도 10b를 참조하면, 제2 기간(t2") 동안 제1 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-오프된다. 제2 기간(t2")의 초기에 제k 스캔신호(SCANk)는 게이트 온 전압(Von)으로부터 게이트 오프 전압(Voff)으로 하강하며, 이로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전압(Vg)은 킥백전압(ΔVp)에 의해 영향을 받는다. 여기서, 킥백전압(ΔVp)은 구동 트랜지스터의 게이트 전극에서 폴링되는 스캔신호의 펄스에 영향을 받아 낮아지는 전압으로 정의될 수 있다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전압(Vg)은 "Vdata_S2-ΔVp"로 하강한다. 킥백전압(ΔVp)은 제k 스캔신호(SCANk)가 게이트 온 전압(Von)으로부터 게이트 오프 전압(Voff)으로 날카롭게 떨어질수록 크게 발생한다. 발명의 배경이 되는 기술에서 살펴본 바와 같이, RC 딜레이로 인하여 킥백전압(ΔVp)은 표시패널의 위치에 따라 달라질 수 있으므로, 이를 보상할 필요가 있다.Referring to FIG. 10B , during the second period t2″, the first transistor ST1 is turned off by the k-th scan signal SCANk of the gate-off voltage Voff supplied to the k-th scan line Sk. At the beginning of the second period t2", the k-th scan signal SCANk falls from the gate-on voltage Von to the gate-off voltage Voff, thereby causing the gate voltage Vg of the driving transistor DT. is affected by the kickback voltage (ΔVp). Here, the kickback voltage ΔVp may be defined as a voltage lowered by a pulse of a scan signal polled from the gate electrode of the driving transistor. That is, the gate voltage Vg of the driving transistor DT drops to “Vdata_S2-ΔVp”. The kickback voltage ΔVp increases as the k-th scan signal SCANk sharply drops from the gate-on voltage Von to the gate-off voltage Voff. As described in the background of the invention, the kickback voltage ΔVp may vary depending on the position of the display panel due to the RC delay, and thus it is necessary to compensate for this.
또한, 제2 기간(t2") 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전압(Vg)은 킥백전압(ΔVp)은 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압과 같은 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 따라 달라질 수 있으므로, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에도 영향을 받는다고 할 수 있다. 따라서, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압을 보상할 필요가 있다.In addition, during the second period t2″, the gate voltage Vg of the driving transistor DT is changed according to the threshold voltage of the first transistor T1 such that the kickback voltage ΔVp is the same as the threshold voltage of the first transistor T1. Since it can be different, it can be said that it is also affected by the threshold voltage of the first transistor T1, so it is necessary to compensate for the threshold voltage of the first transistor T1.
제2 기간(t2") 동안 제2 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호라인(SSk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제2 기간(t2') 동안 제2 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 제2 초기화전압(VREF2)을 유지한다.During the second period t2", the second transistor ST2 is turned on by the k-th sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th sensing signal line SSk. Due to the turn-on of the second transistor ST2 during (t2'), the source electrode of the driving transistor DT maintains the second initialization voltage VREF2.
제2 기간(t2") 동안 전류-전압 변환부(CVC)의 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치신호(SCS2)에 의해 턴-오프되고, 제3 스위치(SW3)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제3 스위치신호(SCS3)에 의해 턴-온된다. 제2 스위치(SW2)의 턴-오프로 인해, 전류-전압 변환부(CVC)의 연산 증폭기(OA)의 반전 단자(-)와 출력 단자(o)는 더이상 접속되지 않으므로, 연산 증폭기(OA)는 적분기로 동작한다. 따라서, 연산 증폭기(OA)는 제j 센싱라인(SEj)에 흐르는 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Isen2)를 전압으로 변환한다. 이때, 제j 센싱라인(SEj)은 제1 기간(t1')부터 제2 초기화전압(VREF2)을 유지하고 있으므로, 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Isen2)는 변동없이 전류-전압 변환부(CVC)의 피드백 커패시터(Cf)에 빠르게 충전될 수 있다. 따라서, 연산 증폭기(OA)의 출력 단자(o)로부터 센싱 노드(Nsen)로 출력되는 전압(Vsen)은 제2 초기화전압(VREF2)에서 선형적으로 감소한다.During the second period t2", the second switch SW2 of the current-voltage converter CVC is turned off by the second switch signal SCS2 of the second logic level voltage V2, and the third switch SW3 is turned on by the third switch signal SCS3 of the first logic level voltage V1 Due to the turn-off of the second switch SW2, the operation of the current-voltage converter CVC Since the inverting terminal (-) and the output terminal (o) of the amplifier OA are no longer connected, the operational amplifier OA operates as an integrator. Converts the current Isen2 of the driving transistor DT into a voltage, in this case, since the j-th sensing line SEj maintains the second initialization voltage VREF2 from the first period t1', the driving transistor DT ) of the current Isen2 can be quickly charged in the feedback capacitor Cf of the current-voltage converter CVC without fluctuation, from the output terminal o of the operational amplifier OA to the sensing node Nsen. The output voltage Vsen linearly decreases from the second initialization voltage VREF2.
도 10c를 참조하면, 제3 기간(t3") 동안 전류-전압 변환부(CVC)의 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치신호(SCS2)에 의해 턴-오프되고, 제3 스위치(SW3)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제3 스위치신호(SCS3)에 의해 턴-오프된다.Referring to FIG. 10C , during the third period t3″, the second switch SW2 of the current-voltage converter CVC is turned by the second switch signal SCS2 of the second logic level voltage V2. is turned off, and the third switch SW3 is turned off by the third switch signal SCS3 of the second logic level voltage V2.
아날로그 디지털 변환부(ADC)는 제3 기간(t3") 동안 저장 커패시터(Cs)에 저장된 센싱 노드(Nsen)의 전압(Vsen)을 디지털 데이터인 센싱 데이터(SD)로 변환한다. 아날로그 디지털 변환부(ADC)는 센싱 데이터(SD)를 디지털 데이터 보정부(60)로 출력한다.The analog-to-digital converter ADC converts the voltage Vsen of the sensing node Nsen stored in the storage capacitor Cs during the third period t3″ into sensing data SD, which is digital data. Analog-to-digital converter The ADC outputs the sensed data SD to the digital
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 제2 센싱모드에서 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프되고 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온된 상태에서 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Isen2)를 센싱하여 센싱 데이터(SD)를 출력한다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 제1 트랜지스터(T1)를 턴-오프시키기 위해 스캔라인의 스캔신호가 폴링되면서 발생하는 킥백전압과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 의해 영향을 받은 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Isen2)를 센싱하여 센싱 데이터(SD)를 출력할 수 있다.As described above, in the embodiment of the present invention, the current Isen2 of the driving transistor DT is in a state in which the first transistor T1 is turned off and the second transistor T2 is turned on in the second sensing mode. is sensed and the sensed data SD is output. As a result, in the embodiment of the present invention, the driving transistor is affected by the kickback voltage generated while the scan signal of the scan line is polled to turn off the first transistor T1 and the threshold voltage of the first transistor T1. The sensed data SD may be output by sensing the current Isen2 of (DT).
한편, 본 발명의 실시예에 따른 센싱 데이터 출력부(23)는 초기화전압원으로부터 제1 스위치(SW1)를 통해 공급되는 기준전류를 전류-전압 변환부(CVC)로 공급하여 얻은 기준 데이터와 제j 센싱라인(SEj)로 흐르는 구동 트랜지스터(Isen)의 전류(Isen2)를 전류-전압 변환부(CVC)로 공급하여 얻은 센싱 데이터(SD)를 비교하여, 킥백전압과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 영향을 받은 구동 트랜지스터(DT)의 특성을 반영하고 있는 제2 센싱 데이터전압(Vdata_S2)을 센싱할 수도 있다. 구체적으로, 화소(P)에 공급되는 제2 센싱 데이터전압(Vdata_S2)를 변경하면서 기준 데이터와 동일한 센싱 데이터가 출력되는지를 비교한다. 이를 통해, 본 발명의 실시예는 기준 데이터와 동일한 센싱 데이터를 출력하는 제2 센싱 데이터전압(Vdata_S2)을 산출할 수 있다. 이 경우, 제2 센싱 데이터전압(Vdata_S2)은 킥백전압과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 영향을 받은 구동 트랜지스터(DT)의 특성을 반영하고 있다고 할 수 있으므로, 제1 센싱모드에서 센싱된 센싱 데이터(SD)와 제2 센싱모드에서 산출된 제2 센싱 데이터전압(Vdata_S2)을 이용하여 구동 트랜지스터(DT) 특성 뿐만 아니라, 킥백전압(ΔVp)과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압을 보상할 수 있다.On the other hand, the sensing
결국, 본 발명의 실시예는 제1 센싱모드에서 킥백전압(ΔVp)과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 영향을 받지 않은 구동 트랜지스터(DT)의 전류를 센싱 데이터(SD)로 센싱할 수 있고, 제2 센싱모드에서 킥백전압(ΔVp)과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 영향을 받은 구동 트랜지스터(DT)의 전류를 센싱 데이터(SD)로 센싱할 수 있다. 그 결과, 본 발명의 실시예는 센싱 데이터(SD)에 기초하여 디지털 비디오 데이터(DATA)를 보정 데이터(CDATA)로 보정함으로써, 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압과 전자이동도와 같은 구동 트랜지스터(DT)의 특성뿐만 아니라 킥백전압(ΔVp)과 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압을 보상할 수 있다.As a result, in the embodiment of the present invention, the current of the driving transistor DT that is not affected by the kickback voltage ΔVp and the threshold voltage of the first transistor T1 can be sensed as the sensing data SD in the first sensing mode. In the second sensing mode, the current of the driving transistor DT affected by the kickback voltage ΔVp and the threshold voltage of the first transistor T1 may be sensed as the sensing data SD. As a result, the embodiment of the present invention corrects the digital video data DATA with the correction data CDATA based on the sensed data SD, so that the driving transistor DT has the same threshold voltage and electron mobility as the driving transistor DT. ) as well as the kickback voltage ΔVp and the threshold voltage of the first transistor T1 may be compensated.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
Those skilled in the art from the above description will be able to see that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
10: 표시패널 20: 데이터 구동부
21: 데이터전압 공급부 22: 초기화전압 공급부
23: 센싱 데이터 출력부 30: 스캔 구동부
40: 센싱 구동부 50: 타이밍 제어부
60: 디지털 데이터 보정부10: display panel 20: data driver
21: data voltage supply unit 22: initialization voltage supply unit
23: sensing data output unit 30: scan driving unit
40: sensing driving unit 50: timing control unit
60: digital data correction unit
Claims (10)
상기 스캔라인들에 스캔신호들을 공급하는 스캔 구동부;
상기 센싱신호라인들에 센싱신호들을 공급하는 센싱신호 구동부;
상기 데이터라인들에 데이터전압들을 공급하는 데이터전압 공급부; 및
상기 화소들로부터 상기 센싱라인들로 흐르는 전류들을 센싱하여 센싱 데이터를 출력하는 센싱 데이터 출력부를 구비하고,
상기 화소는,
유기발광다이오드;
게이트전압과 소스전압 간의 전압 차에 따라 상기 유기발광다이오드로 흐르는 전류량을 조정하는 구동 트랜지스터;
상기 스캔라인의 스캔신호에 의해 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 상기 데이터라인의 데이터전압을 공급하는 제1 트랜지스터; 및
상기 센싱신호라인의 센싱신호에 의해 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극을 상기 센싱라인과 접속시키는 제2 트랜지스터를 포함하고,
제1 센싱모드의 제1 및 제2 기간들 동안 게이트 온 전압의 스캔신호가 상기 스캔라인으로 공급되고 게이트 온 전압의 센싱신호가 상기 센싱라인으로 공급되며, 상기 제1 센싱모드의 제3 기간 동안 게이트 오프 전압의 스캔신호가 상기 스캔라인으로 공급되고 게이트 오프 전압의 센싱신호가 상기 센싱라인으로 공급되며,
상기 센싱 데이터 출력부는 제1 센싱모드의 제2 기간 동안 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터들이 턴-온된 상태에서, 상기 센싱라인으로 흐르는 상기 구동 트랜지스터의 전류를 전압으로 변환하고, 상기 제3 기간 동안 변환된 전압을 상기 센싱 데이터로 출력하는, 유기발광표시장치.a display panel including pixels connected to data lines, sensing lines, scan lines, and sensing signal lines;
a scan driver supplying scan signals to the scan lines;
a sensing signal driver supplying sensing signals to the sensing signal lines;
a data voltage supply unit supplying data voltages to the data lines; and
a sensing data output unit configured to sense currents flowing from the pixels to the sensing lines and output sensing data;
The pixel is
organic light emitting diode;
a driving transistor for adjusting an amount of current flowing through the organic light emitting diode according to a voltage difference between a gate voltage and a source voltage;
a first transistor turned on by the scan signal of the scan line to supply the data voltage of the data line to the gate electrode of the driving transistor; and
a second transistor turned on by a sensing signal of the sensing signal line to connect a source electrode of the driving transistor to the sensing line;
During the first and second periods of the first sensing mode, the scan signal of the gate-on voltage is supplied to the scan line and the sensing signal of the gate-on voltage is supplied to the sensing line, and during the third period of the first sensing mode A scan signal of a gate-off voltage is supplied to the scan line and a sensing signal of a gate-off voltage is supplied to the sensing line,
The sensing data output unit converts the current of the driving transistor flowing through the sensing line into a voltage while the first and second transistors are turned on during the second period of the first sensing mode, and converts it during the third period An organic light emitting display device that outputs the sensed voltage as the sensed data.
상기 센싱 데이터 출력부는 제2 센싱모드에서 상기 제1 트랜지스터가 턴-오프되고 상기 제2 트랜지스터가 턴-온된 상태에서 상기 센싱라인으로 흐르는 상기 구동 트랜지스터의 전류를 센싱하여 센싱 데이터를 출력하는, 유기발광표시장치.The method of claim 1,
The sensing data output unit senses the current of the driving transistor flowing through the sensing line in a state in which the first transistor is turned off and the second transistor is turned on in a second sensing mode to output sensed data; display device.
상기 제2 센싱모드의 제1 기간 동안 상기 게이트 온 전압의 스캔신호가 상기 스캔라인으로 공급되고 상기 게이트 온 전압의 센싱신호가 상기 센싱라인으로 공급되며, 상기 제2 센싱모드의 제2 기간 동안 상기 게이트 오프 전압의 스캔신호가 상기 스캔라인으로 공급되고 상기 게이트 온 전압의 센싱신호가 상기 센싱라인으로 공급되며, 상기 제2 센싱모드의 제3 기간 동안 상기 게이트 오프 전압의 스캔신호가 상기 스캔라인으로 공급되고 게이트 오프 전압의 센싱신호가 상기 센싱라인으로 공급되며,
상기 센싱 데이터 출력부는 상기 제2 센싱모드의 제2 기간 동안 상기 구동 트랜지스터의 전류를 전압으로 변환하는, 유기발광표시장치.4. The method of claim 3,
During the first period of the second sensing mode, the scan signal of the gate-on voltage is supplied to the scan line and the sensing signal of the gate-on voltage is supplied to the sensing line, and during the second period of the second sensing mode, the A scan signal of a gate-off voltage is supplied to the scan line and a sensing signal of the gate-on voltage is supplied to the sensing line, and a scan signal of the gate-off voltage is supplied to the scan line during a third period of the second sensing mode. is supplied and the sensing signal of the gate-off voltage is supplied to the sensing line,
The sensing data output unit converts the current of the driving transistor into a voltage during a second period of the second sensing mode.
표시모드에서 상기 구동 트랜지스터의 전류는 상기 유기발광다이오드로 흐르는, 유기발광표시장치.The method of claim 1,
and a current of the driving transistor flows to the organic light emitting diode in a display mode.
상기 표시모드의 제1 기간 동안 상기 게이트 오프 전압의 스캔신호가 상기 스캔라인에 공급되고 상기 게이트 온 전압의 센싱신호가 상기 센싱라인에 공급되며, 상기 표시모드의 제2 기간 동안 상기 게이트 온 전압의 스캔신호가 상기 스캔라인에 공급되고 상기 게이트 온 전압의 센싱신호가 상기 센싱라인에 공급되며, 상기 표시모드의 제3 기간 동안 상기 게이트 오프 전압의 스캔신호가 상기 스캔라인에 공급되고 상기 게이트 오프 전압의 센싱신호가 상기 센싱라인에 공급되는, 유기발광표시장치.6. The method of claim 5,
During the first period of the display mode, the scan signal of the gate-off voltage is supplied to the scan line, and the sensing signal of the gate-on voltage is supplied to the sensing line, and the gate-on voltage is lowered during the second period of the display mode. A scan signal is supplied to the scan line and a sensing signal of the gate-on voltage is supplied to the sensing line, and a scan signal of the gate-off voltage is supplied to the scan line and the gate-off voltage is supplied to the scan line during a third period of the display mode of the sensing signal is supplied to the sensing line.
상기 센싱 데이터 출력부는 센싱라인들에 접속된 다수의 센싱부들을 포함하고,
상기 센싱부는,
상기 화소로부터 상기 센싱라인으로 흐르는 전류를 전압으로 변환하여 출력하는 전류-전압 변환부; 및
상기 전류-전압 변환부로부터 출력된 전압을 디지털 데이터인 센싱 데이터로 변환하는 아날로그 디지털 변환부를 포함하는, 유기발광표시장치.The method of claim 1,
The sensing data output unit includes a plurality of sensing units connected to sensing lines,
The sensing unit,
a current-voltage converter for converting a current flowing from the pixel to the sensing line into a voltage and outputting it; and
and an analog-to-digital converter converting the voltage output from the current-voltage converter into sensing data that is digital data.
상기 전류-전압 변환부는,
반전 단자, 제2 초기화전압이 공급되는 비반전 단자, 및 상기 아날로그 디지털 변환부에 접속된 출력 단자를 갖는 연산 증폭기;
상기 연산 증폭기의 반전 단자와 상기 출력 단자 간에 접속된 피드백 커패시터;
제2 스위치신호에 따라 스위칭되어 상기 연산 증폭기의 반전 단자와 상기 출력 단자를 접속시키는 제2 스위치;
제3 스위치신호에 따라 스위칭되어 상기 연산 증폭기의 출력 단자를 상기 아날로그 디지털 변환부에 접속시키는 제3 스위치; 및
제4 스위치신호에 따라 스위칭되어 상기 연산 증폭기의 반전 단자를 상기 센싱라인에 접속시키는 제4 스위치를 포함하는, 유기발광표시장치.8. The method of claim 7,
The current-voltage converter,
an operational amplifier having an inverting terminal, a non-inverting terminal to which a second initialization voltage is supplied, and an output terminal connected to the analog-to-digital converter;
a feedback capacitor connected between the inverting terminal of the operational amplifier and the output terminal;
a second switch switched according to a second switch signal to connect the inverting terminal of the operational amplifier and the output terminal;
a third switch switched according to a third switch signal to connect an output terminal of the operational amplifier to the analog-to-digital converter; and
and a fourth switch switched according to a fourth switch signal to connect an inverting terminal of the operational amplifier to the sensing line.
상기 제1 및 제2 센싱모드들 각각의 제1 기간 동안 상기 제2 및 제3 스위치들은 턴-온되고, 제2 기간 동안 상기 제2 스위치는 턴-오프되고 상기 제3 스위치는 턴-온되며, 제3 기간 동안 상기 제2 및 제3 스위치들은 턴-오프되고,
상기 제1 내지 제3 기간들 동안 상기 제4 스위치는 턴-온되는, 유기발광표시장치.9. The method of claim 8,
During a first period of each of the first and second sensing modes, the second and third switches are turned on, and during a second period, the second switch is turned off and the third switch is turned on. , the second and third switches are turned off during a third period,
and the fourth switch is turned on during the first to third periods.
표시모드에서 상기 센싱 데이터에 기초하여 디지털 비디오 데이터를 보정 데이터로 보정하고 상기 보정 데이터를 출력하며, 상기 제1 센싱모드에서 메모리에 저장된 제1 센싱 데이터를 출력하며, 제2 센싱모드에서 상기 메모리에 저장된 제2 센싱 데이터를 출력하는 디지털 데이터 보정부를 더 구비하고,
상기 데이터전압 공급부는 상기 표시모드에서 상기 보정 데이터를 발광 데이터전압들로 변환하여 상기 데이터라인들에 공급하고, 상기 제1 센싱모드에서 상기 제1 센싱 데이터를 제1 센싱 데이터전압으로 변환하여 상기 데이터라인들에 공급하며, 상기 제2 센싱모드에서 상기 제2 센싱 데이터를 제2 센싱 데이터전압으로 변환하여 상기 데이터라인들에 공급하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치.The method of claim 1,
In the display mode, the digital video data is corrected with correction data based on the sensed data and the correction data is output, the first sensing data stored in the memory is output in the first sensing mode, and the memory is stored in the memory in the second sensing mode. Further comprising a digital data correction unit for outputting the stored second sensed data,
The data voltage supply unit converts the correction data into light emitting data voltages in the display mode and supplies the data lines to the data lines, and converts the first sensed data into a first sensed data voltage in the first sensing mode to convert the data The organic light emitting display device according to claim 1, wherein the second sensing data is converted into a second sensing data voltage in the second sensing mode and supplied to the data lines.
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