KR102332423B1 - Shift Resistor and Display Device having the Same - Google Patents
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Abstract
본 발명에 의한 표시장치는 제1 내지 제n 픽셀라인 각각에 픽셀들이 배치되는 표시패널 및 픽셀들 각각에 연결되는 제1 및 제2 스캔라인에 스캔신호를 공급하는 시프트레지스터를 포함한다. 시프트레지스터는 서로 종속적으로 접속되는 제1 내지 제n(n은 자연수) 스캔 드라이버를 포함한다. 제i(i는 "n-2" 이하의 자연수) 스캔 드라이버는 제i 픽셀라인의 픽셀들과 연결되는 제1 스캔라인에 공급되는 제1 스캔신호 및 제i 픽셀라인의 픽셀들과 연결되는 제2 스캔라인에 공급되는 제2 스캔신호를 생성한다.A display device according to the present invention includes a display panel in which pixels are disposed on each of first to nth pixel lines, and a shift register that supplies scan signals to first and second scan lines connected to each of the pixels. The shift register includes first to n-th (n is a natural number) scan drivers that are cascadedly connected to each other. The i-th scan driver (i is a natural number less than or equal to “n-2”) includes a first scan signal supplied to a first scan line connected to the pixels of the i-th pixel line and a first scan signal connected to the pixels of the i-th pixel line. A second scan signal supplied to the second scan line is generated.
Description
본 발명은 시프트레지스터 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a shift register and a display device including the same.
평판 표시장치(FPD; Flat Panel Display)는 소형화 및 경량화에 유리한 장점으로 인해서 데스크탑 컴퓨터의 모니터뿐만 아니라, 노트북컴퓨터, 태블릿 등의 휴대용 컴퓨터나 휴대 전화 단말기 등에 폭넓게 이용되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정표시장치{Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel; PDP), 전계 방출표시장치{Field Emission Display; FED) 및 유기발광다이오드 표시장치(Organic Light Emitting diode Display; 이하, OLED) 등이 있다. Flat panel displays (FPDs) are widely used in portable computers such as notebook computers and tablets, mobile phone terminals, etc. as well as monitors of desktop computers due to their advantages in miniaturization and weight reduction. Such a flat panel display device is a liquid crystal display device; LCD), Plasma Display Panel (PDP), Field Emission Display; FED) and organic light emitting diode display (OLED).
이 중에서 유기발광다이오드 표시장치는 응답속도가 빠르고, 발광효율이 높은 휘도를 표현할 수 있으며 시야각이 큰 장점이 있다. 일반적으로 유기발광다이오드 표시장치는 스캔신호에 의해서 턴-온 되는 트랜지스터를 이용하여 데이터전압을 구동트랜지스터의 게이트 전극에 인가하고, 구동트랜지스터에 공급되는 데이터전압을 스토리지 커패시터에 충전한다. 그리고 발광제어신호를 이용하여 스토리지 커패시터에 충전된 데이터전압을 출력함으로써 유기발광다이오드를 발광시킨다. Among them, the organic light emitting diode display has advantages of fast response speed, high luminance efficiency, and a large viewing angle. In general, an organic light emitting diode display applies a data voltage to a gate electrode of a driving transistor using a transistor turned on by a scan signal, and charges the data voltage supplied to the driving transistor to a storage capacitor. Then, the organic light emitting diode emits light by outputting the data voltage charged in the storage capacitor using the light emission control signal.
모든 픽셀들에 배치되는 구동 트랜지스터들은 전기적 특성이 동일하여야 하지만, 공정 조건이나 구동 환경 등에 의해서 불균일하게 된다. 이러한 이유로 동일 데이터전압에 따른 구동 전류는 픽셀들마다 달라지고 그 결과, 픽셀들간 휘도 편차가 발생하게 된다. 이를 해결하기 위하여, 각 픽셀로부터 구동 트랜지스터의 특성 파라미터(문턱전압, 이동도)를 센싱하고, 센싱 결과에 따라 입력 데이터를 적절히 보정함으로써 휘도 불균일을 감소시키는 화질 보상기술이 알려져 있다.Although the driving transistors disposed in all pixels should have the same electrical characteristics, they become non-uniform due to process conditions or driving environments. For this reason, the driving current according to the same data voltage varies for each pixel, and as a result, a luminance deviation occurs between the pixels. In order to solve this problem, a picture quality compensation technique for reducing luminance non-uniformity by sensing characteristic parameters (threshold voltage, mobility) of a driving transistor from each pixel and correcting input data according to the sensing result is known.
화질 보상기술 중에서 내부 보상 방식은 유기발광다이오드가 발광하는 동안에 구동 트랜지스터의 전기적 특성을 배제시키도록 픽셀 구조 및 구동 타이밍을 제어한다. 내부 보상 방식은 기본적으로 구동 트랜지터의 게이트 전압을 소스 팔로워 방식으로 상승시켜서 일정 수준으로 포화(sturation)시키는 샘플링 동작을 수행한다Among the image quality compensation technologies, the internal compensation method controls the pixel structure and driving timing to exclude the electrical characteristics of the driving transistor while the organic light emitting diode emits light. The internal compensation method basically raises the gate voltage of the driving transistor in the source-follower method to perform a sampling operation to saturate it to a certain level.
내부 보상 방식은 다수의 트랜지스터들로 구성되는 픽셀 구조를 갖고, 각각의 픽셀들은 게이트신호들에 의해서 동작한다. 픽셀 구조에 따라 게이트신호들은 두 개 이상의 신호들을 포함할 수 있다. 일반적으로 게이트신호들은 픽셀의 주요 노드를 초기화시키는 트랜지스터와 픽셀에 데이터전압을 충전하는 동작을 제어하는 트랜지스터들에 인가되는 스캔신호와, 픽셀의 발광기간을 제어하는 에미션신호를 포함한다.The internal compensation method has a pixel structure composed of a plurality of transistors, and each pixel is operated by gate signals. Depending on the pixel structure, the gate signals may include two or more signals. In general, the gate signals include a transistor that initializes a main node of a pixel, a scan signal applied to the transistors that control an operation of charging a data voltage in the pixel, and an emission signal that controls an emission period of the pixel.
게이트신호들을 인가하는 게이트 구동부는 표시패널의 베젤 영역에 게이트-인-패널(Gate In Panel, 이하 GIP) 형태로 구현되기도 한다. GIP 형태의 게이트 구동부는 하나의 게이트신호를 생성하기 위해서 서로 종속적으로 연결되는 스테이지들로 이루어지는 시프트레지스터를 구비한다. 따라서, 시프트레지스터는 게이트신호들의 개수만큼 요구된다. 픽셀의 구조에 따라서 시프트레지스터가 필요하고, 이는 베젤 영역을 증가시키는 요인이 된다.The gate driver for applying the gate signals is sometimes implemented in the form of a gate-in-panel (GIP) in the bezel area of the display panel. The GIP type gate driver includes a shift register composed of stages that are connected to each other subordinately to generate one gate signal. Accordingly, shift registers are required as many as the number of gate signals. Depending on the pixel structure, a shift register is required, which increases the bezel area.
본 발명은 표시패널의 베젤 영역을 줄일 수 있는 시프트레지스터 및 이를 포함하는 표시장치를 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a shift register capable of reducing a bezel area of a display panel and a display device including the same.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 표시장치는 제1 내지 제n 픽셀라인 각각에 픽셀들이 배치되는 표시패널 및 픽셀들 각각에 연결되는 제1 및 제2 스캔라인에 스캔신호를 공급하는 시프트레지스터를 포함한다. 시프트레지스터는 서로 종속적으로 접속되는 제1 내지 제n(n은 자연수) 스캔 드라이버를 포함한다. 제i(i는 "n-2" 이하의 자연수) 스캔 드라이버는 제i 픽셀라인의 픽셀들과 연결되는 제1 스캔라인에 공급되는 제1 스캔신호 및 제i 픽셀라인의 픽셀들과 연결되는 제2 스캔라인에 공급되는 제2 스캔신호를 생성한다.In order to achieve the above object, a display device according to the present invention provides a shift supplying scan signal to a display panel in which pixels are disposed on each of the first to nth pixel lines, and to first and second scan lines connected to each of the pixels. Includes registers. The shift register includes first to n-th (n is a natural number) scan drivers that are cascadedly connected to each other. The i-th scan driver (i is a natural number less than or equal to “n-2”) includes a first scan signal supplied to a first scan line connected to the pixels of the i-th pixel line and a first scan signal connected to the pixels of the i-th pixel line. A second scan signal supplied to the second scan line is generated.
본 발명에 의한 표시장치는 서로 종속적으로 연결되는 스캔 드라이버들 각각이 서로 다른 출력 타이밍을 갖는 제1 및 제2 스캔신호를 생성한다. 즉, 제1 및 제2 스캔신호를 생성하는 시프트레지스터를 별도로 구비하지 않기 때문에 시프트레지스터의 개수를 줄일 수 있고, 그 결과 시프트레지스터가 배치되는 표시패널의 베젤 영역을 줄일 수 있다.The display device according to the present invention generates first and second scan signals having different output timings from scan drivers that are dependently connected to each other. That is, since the shift registers for generating the first and second scan signals are not separately provided, the number of shift registers can be reduced, and as a result, the bezel area of the display panel in which the shift registers are disposed can be reduced.
도 1은 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치의 구성을 나타내는 도면.
도 2는 본 발명에 의한 시프트레지스터의 구성을 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 의한 픽셀 구조를 나타내는 도면.
도 4는 도 3에 도시된 픽셀의 구동을 위한 게이트신호들의 타이밍을 나타내는 도면.
도 5는 본 발명에 의한 스캔 드라이버를 나타내는 도면.
도 6은 제1 실시 예에 의한 스캔클럭 타이밍을 나타내는 도면.
도 7은 도 6에 도시된 스캔클럭 타이밍에 따른 BST1, BST2의 전압변화를 나타내는 도면.
도 8은 제2 실시 예에 의한 픽셀 구조를 나타내는 도면.
도 9는 도 8에 도시된 픽셀의 구동을 위한 게이트신호들의 타이밍을 나타내는 도면.
도 10은 제2 실시 예에 의한 스캔클럭 타이밍을 나타내는 도면.1 is a view showing the configuration of an organic light emitting diode display according to the present invention.
Fig. 2 is a diagram showing the configuration of a shift register according to the present invention;
3 is a diagram illustrating a pixel structure according to a first embodiment of the present invention;
FIG. 4 is a diagram illustrating timing of gate signals for driving the pixel shown in FIG. 3;
5 is a diagram showing a scan driver according to the present invention;
6 is a diagram illustrating scan clock timing according to the first embodiment;
FIG. 7 is a diagram illustrating voltage changes of BST1 and BST2 according to the scan clock timing shown in FIG. 6;
8 is a diagram illustrating a pixel structure according to a second embodiment;
FIG. 9 is a diagram illustrating timing of gate signals for driving the pixel shown in FIG. 8;
10 is a diagram illustrating scan clock timing according to the second embodiment;
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다. 여러 실시예들을 설명함에 있어서, 실질적으로 동일한 구성요소에 대하여는 서두에서 대표적으로 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals refer to substantially identical elements throughout. In the following description, if it is determined that a detailed description of a known technology or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, component names used in the following description may be selected in consideration of the ease of writing the specification, and may be different from the component names of the actual product. In describing various embodiments, substantially the same components are representatively described in the introduction and may be omitted in other embodiments.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. Terms including an ordinal number, such as first, second, etc., may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.
본 발명의 게이트 구동부에서 스위치 소자들은 n 타입 또는 p 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 이하의 실시예에서 p 타입 트랜지스터를 예시하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다는 것에 주의하여야 한다. 트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. 트랜지스터 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 트랜지스터에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n 타입 MOSFET(NMOS)의 경우, 캐리어 가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 타입 MOSFET에서 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. p 타입 MOSFET(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 MOSFET에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. MOSFET의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, MOSFET의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 이하의 실시예에서 트랜지스터의 소스와 드레인으로 인하여 발명이 제한되어서는 안된다. In the gate driver of the present invention, the switch elements may be implemented as transistors of an n-type or p-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) structure. It should be noted that although the p-type transistor is exemplified in the following embodiments, the present invention is not limited thereto. A transistor is a three-electrode device including a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. In the transistor, carriers begin to flow from the source. The drain is an electrode through which carriers exit the transistor. That is, the flow of carriers in the MOSFET flows from the source to the drain. In the case of an n-type MOSFET (NMOS), the source voltage is lower than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain because carriers are electrons. In an n-type MOSFET, the direction of current flows from drain to source because electrons flow from source to drain. In the case of a p-type MOSFET (PMOS), since the carrier is a hole, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a p-type MOSFET, current flows from the source to the drain because holes flow from the source to the drain. It should be noted that the source and drain of the MOSFET are not fixed. For example, the source and drain of a MOSFET may be changed according to an applied voltage. The invention should not be limited by the source and drain of the transistor in the following embodiments.
도 1은 본 발명에 의한 표시장치의 구성을 나타내는 도면이다. 1 is a diagram showing the configuration of a display device according to the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 픽셀들(P)이 매트릭스 형태로 배열되는 표시패널(100), 데이터 구동부(120), 게이트 구동부(130,140) 및 타이밍 콘트롤러(110)를 구비한다. Referring to FIG. 1 , an organic light emitting diode display according to the present invention includes a
표시패널(100)은 픽셀(P)들이 배치되어 영상을 표시하는 표시부(100A) 및 시프트레지스터(140)가 배치되고 영상을 표시하지 않는 비표시부(100B)를 포함한다.The
표시부(100A)는 복수 개의 픽셀(P)를 포함하고, 각각의 픽셀(P)들이 표시하는 계조를 기반으로 영상을 표시한다. 픽셀(P)들은 제1 내지 제n 픽셀라인(HL1 내지 HL[n])들을 따라 배열된다. 각각의 픽셀(P)은 컬럼라인(Column Line)을 따라 배열되는 데이터라인(DL)과 연결되고, 픽셀라인(HL)을 따라 배열되는 게이트라인(GL)에 연결된다. 즉, 동일한 픽셀라인에 배치된 픽셀들은 동일한 게이트라인(GL)을 공유하여 동시에 구동된다. 그리고 제1 픽셀라인(HL1)에 배치된 픽셀들을 제1 픽셀(P1)들이라 정의하고, 제n 픽셀라인(HLn)에 배치된 픽셀들을 제n 픽셀(Pn)들이라고 정의할 때, 제1 픽셀(P1)들부터 제n 픽셀(Pn)들은 순차적으로 구동된다. 그리고, 하나의 스캔라인에 데이터를 기입하는 샘플링 기간을 1수평기간(1H)이라고 정의할 수 있다.The
게이트라인(GL)은 픽셀 구조에 따라 에미션라인과 복수의 스캔라인을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 의한 게이트라인(GL)은 도 2에 도시된 것과 같이, 제1 스캔라인(SL1), 제2 스캔라인(SL2) 및 에미션라인(EML)을 포함한다. The gate line GL may include an emission line and a plurality of scan lines according to a pixel structure. As shown in FIG. 2 , the gate line GL according to an embodiment of the present invention includes a first scan line SL1 , a second scan line SL2 , and an emission line EML.
타이밍 콘트롤러(110)는 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130,140)의 구동 타이밍을 제어하기 위한 것이다. 이를 위해서 타이밍 콘트롤러(110)는 외부로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시패널(100)의 해상도에 맞게 재정렬하여 데이터 구동부(120)에 공급한다. 또한, 타이밍 콘트롤러(110)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 구동부(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)와, 게이트 구동부(130,140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)를 발생한다. The
데이터 구동부(120)는 데이터라인부(DL)를 구동하기 위한 것이다. 이를 위해서 데이터 구동부(120)는 데이터 제어신호(DDC)를 기반으로 타이밍 콘트롤러(110)로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압으로 변환하여 데이터라인(DL)들에 공급한다. The
게이트 구동부(130,140)는 레벨 시프터(130) 및 쉬프트 레지스터(140)를 포함한다. 레벨 시프터(130)는 IC 형태로 표시패널(100)에 접속되는 인쇄회로기판(미도시)에 형성되고, 쉬프트 레지스터(140)는 표시패널(100)의 비표시영역(100B)에 형성되는 게이트-인-패널(Gate In Panel; 이하 GIP) 방식으로 형성된다. The
레벨 시프터(130)는 타이밍 콘트롤러(110)의 제어하에 클럭들 및 스타트신호(VST)를 레벨 쉬프팅한 후 쉬프트 레지스터(140)에 공급한다. 쉬프트 레지스터(140)는 GIP 방식에 의해 표시패널(100)의 비표시영역(100B)에서 다수의 박막 트랜지스터(이하 트랜지스터)조합으로 형성된다. The
도 2는 본 발명에 의한 쉬프트 레지스터를 나타내는 도면이다. 2 is a diagram showing a shift register according to the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명에 의한 쉬프트 레지스터는 에미션신호 생성부(141) 및 스캔신호 생성부(143)를 포함한다. Referring to FIG. 2 , the shift register according to the present invention includes an
에미션신호 생성부(141)는 제1 내지 제n 에미션 드라이버(EMD1~EMDn)를 포함한다. 제1 에미션 드라이버(EMD1)는 에미션신호(EM1)를 생성하여, 제1 픽셀라인(HL1)의 에미션 라인(EML(1))에 인가한다. 제2 에미션 드라이버(EMD2)는 에미션신호(EM2)를 생성하고, 제2 픽셀라인(HL2)의 에미션 라인(EML(2))에 인가한다. 제n 에미션 드라이버(EMDn)는 에미션신호(EMn)를 생성하고, 제n 픽셀라인(HLn)의 에미션 라인(EML(n))에 인가한다. The
스캔신호 생성부(143)는 제1 내지 제n 스캔 드라이버(SD1~SDn)를 포함한다. 제1 스캔 드라이버(SD1)는 제1 스캔신호(SCAN1(1))를 생성하여 제1 픽셀라인(HL1)의 제1 스캔라인(SL1(1))에 인가하고, 제2 스캔신호(SCAN2(1))를 생성하여 제1 픽셀라인(HL1)의 제2 스캔라인(SL2(1))에 인가한다. 제2 스캔 드라이버(SD2)는 제1 스캔신호(SCAN1(2))를 생성하여 제2 픽셀라인(HL2)의 제1 스캔라인(SL1(2))에 인가하고, 제2 스캔신호(SCAN2(2))를 생성하여 제2 픽셀라인(HL2)의 제2 스캔라인(SL2(2))에 인가한다. 제n 스캔 드라이버(SDn)는 제1 스캔신호(SCAN1(1))를 생성하여 제n 픽셀라인(HLn)의 제1 스캔라인(SL1(n))에 인가하고, 제2 스캔신호(SCAN2(1))를 생성하여 제n 픽셀라인(HLn)의 제2 스캔라인(SL2(n))에 인가한다.The
에미션신호 생성부(141)의 제1 내지 제n 에미션 드라이버(EMD1~EMDn)는 서로 종속적으로 연결되고, 마찬가지로 스캔신호 생성부(143)의 제1 내지 제n 스캔 드라이버(SD1~SDn)는 서로 종속적으로 연결된다. 특히, 도면에서와 같이 스캔 드라이버들(SD1~SDn) 각각은 제1 및 제2 스캔신호(SCAN1, SCAN2)를 생성한다. 이와 같이, 스캔 드라이버들(SD1~SDn) 각각은 제1 및 제2 스캔신호(SCAN1, SCAN2)를 출력하기 때문에, 스캔신호 생성부(143)의 전체적인 사이즈를 줄일 수 있다. 이에 따라, 스캔 드라이버들(SD1~SDn)이 배치되는 베젤을 줄일 수 있다. The first to n-th emission drivers EMD1 to EMDn of the emission
이하, 본 발명의 스캔신호 생성부가 적용되는 유기발광다이오드 표시장치의 실시 예를 살펴보면 다음과 같다. Hereinafter, an embodiment of the organic light emitting diode display to which the scan signal generator of the present invention is applied will be described.
도 3은 제1 실시 예에 의한 픽셀을 나타내는 도면이다. 도 3에 도시된 픽셀은 제1 픽셀라인(HL1)에 배치된 픽셀들을 도시하고 있다. 다른 픽셀라인들에 배치된 픽셀들 역시 도 3에 도시된 것과 동일한 구조로 이루어질 수 있다.3 is a diagram illustrating a pixel according to the first embodiment. The pixel illustrated in FIG. 3 illustrates pixels disposed on the first pixel line HL1. Pixels disposed on other pixel lines may also have the same structure as shown in FIG. 3 .
도 3을 참조하면, 실시 예에 의한 픽셀은 구동 트랜지스터(DT), 제1 내지 제6 트랜지스터들(T1~T6) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다.Referring to FIG. 3 , the pixel according to the embodiment includes a driving transistor DT, first to sixth transistors T1 to T6 , and a storage capacitor Cst.
구동 트랜지스터(DT)는 자신의 소스-게이트 간 전압(Vsg)에 따라 유기발광소자(OLED)에 인가되는 구동전류를 제어한다. 구동트랜지스터(DT)의 게이트전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 소스전극은 제3 노드(N3)에 접속되며, 드레인전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. 제1 트랜지스터(T1)는 제2 스캔신호(SCAN2(1))에 응답하여, 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)를 연결시킨다. 제2 트랜지스터(T2)는 제2 스캔신호(SCAN2(1))에 응답하여, 데이터라인(DL)과 제3 노드(N3)를 연결시킨다. 제3 트랜지스터(T3)는 에미션신호(EM(1))에 응답하여, 제3 노드(N3)와 고전위 구동전압(VDD)의 입력단을 연결시킨다. 제4 트랜지스터(T4)는 에미션신호(EM(1))에 응답하여, 제2 노드(N2)와 제4 노드(N4)를 연결시킨다. 제5 트랜지스터(T5)는 제1 스캔신호(SCAN1(1))에 응답하여, 제1 노드(N1)와 초기화전압(Vini)의 입력단을 연결시킨다. 제6 트랜지스터(T6)는 제2 스캔신호(SCAN2(1))에 응답하여, 초기화전압(Vini)의 입력단과 제4 노드(N4)를 연결시킨다. 그리고, 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 초기화전압(Vini)의 입력단 사이에 접속된다.The driving transistor DT controls a driving current applied to the organic light emitting diode OLED according to its source-gate voltage Vsg. The gate electrode of the driving transistor DT is connected to the first node N1 , the source electrode is connected to the third node N3 , and the drain electrode is connected to the second node N2 . The first transistor T1 connects the first node N1 and the second node N2 in response to the second scan signal SCAN2( 1 ). The second transistor T2 connects the data line DL and the third node N3 in response to the second scan signal SCAN2( 1 ). The third transistor T3 connects the third node N3 to the input terminal of the high potential driving voltage VDD in response to the emission signal EM( 1 ). The fourth transistor T4 connects the second node N2 and the fourth node N4 in response to the emission signal EM( 1 ). The fifth transistor T5 connects the first node N1 to the input terminal of the initialization voltage Vini in response to the first scan signal SCAN1(1). The sixth transistor T6 connects the input terminal of the initialization voltage Vini and the fourth node N4 in response to the second scan signal SCAN2( 1 ). In addition, the storage capacitor Cst is connected between the first node N1 and the input terminal of the initialization voltage Vini.
도 4는 도 3에 도시된 픽셀을 구동하기 위한 게이트신호들의 타이밍을 나타내는 도면이다. 특히, 제1 스캔 드라이버(SD1)가 출력하는 제1 스캔신호(SCAN1(1)) 및 제2 스캔신호(SCAN2(1))를 중심으로 제1 픽셀라인(HL1)의 픽셀들의 동작을 살펴보기로 한다.FIG. 4 is a diagram illustrating timing of gate signals for driving the pixel shown in FIG. 3 . In particular, the operation of the pixels of the first pixel line HL1 will be examined based on the first scan signal SCAN1( 1 ) and the second scan signal SCAN2( 1 ) output by the first scan driver SD1 . do it with
도 3 및 도 4를 참조하여, 픽셀의 구동을 살펴보면 다음과 같다.Referring to FIGS. 3 and 4 , driving of the pixel is as follows.
이니셜 기간(Ti)에서, 제5 트랜지스터(T5)는 제1 스캔신호(SCAN1(1)) 에 응답하여, 제1 노드(N1)와 초기화전압(Vini)의 입력단을 연결시킨다. 그 결과 제1 노드(N1)는 초기화전압(Vini)으로 초기화된다. 초기화전압(Vini)은 유기발광다이오드(OLED)의 동작전압보다 충분히 낮은 전압 범위 내에서 선택되고, 저전위 구동전압(VSS)과 같거나 저전위 구동전압(VSS)보다 낮게 설정될 수 있다. In the initial period Ti, the fifth transistor T5 connects the first node N1 to the input terminal of the initialization voltage Vini in response to the first scan signal SCAN1(1). As a result, the first node N1 is initialized to the initialization voltage Vini. The initialization voltage Vini is selected within a voltage range sufficiently lower than the operating voltage of the organic light emitting diode OLED, and may be set equal to or lower than the low potential driving voltage VSS.
샘플링 기간(Ts)에서, 제2 스캔신호(SCAN2(1))에 응답하여, 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2) 및 제6 트랜지스터(T6)는 턴-온 된다. 그 결과, 제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)를 다이오드 연결(diode connection)시킨다. 제2 트랜지스터(T2)는 데이터라인(DL)으로부터 공급받는 데이터전압(Vdata)을 제3 노드(N3)에 충전시킨다. 제6 트랜지스터(T6)는 초기화전압(Vini)을 제4 노드(N4)에 충전시킨다.In the sampling period Ts, in response to the second scan signal SCAN2( 1 ), the first transistor T1 , the second transistor T2 , and the sixth transistor T6 are turned on. As a result, the first transistor T1 diode-connects the first node N1 and the second node N2. The second transistor T2 charges the data voltage Vdata supplied from the data line DL to the third node N3. The sixth transistor T6 charges the initialization voltage Vini to the fourth node N4.
샘플링 기간(Ts)에서, 구동트랜지스터(DT)의 소스-드레인 사이에는 전류(Ids)가 흐르며, 이에 따라 제3 노드(N3)의 전압은 데이터전압(Vdata)에서 구동트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)의 절대값을 뺀 값(Vdata(n)-|Vth|)이 된다. 제1 노드(N1)는 제2 노드(N2)와 동일한 전압이 된다. In the sampling period Ts, a current Ids flows between the source and the drain of the driving transistor DT, and accordingly, the voltage of the third node N3 is changed from the data voltage Vdata to the threshold voltage of the driving transistor DT. It becomes a value (Vdata(n)-|Vth|) obtained by subtracting the absolute value of (Vth). The first node N1 has the same voltage as the second node N2.
에미션 기간(Te)에서, 제3 트랜지스터(T3)는 에미션신호(EM(1))에 응답하여, 고전위 구동전압(VDD)을 제3 노드(N3)에 공급한다. 그리고, 제4 트랜지스터(T4)가 턴 온 되어서, 제2 노드(N2) 및 제4 노드(N4)가 연결된다. 에미션 기간(Te)에서, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트-소스 간에 세팅된 전압에 따라 제3 노드(N3)에서 제2 노드(N2)를 경유하는 전류가 발생한다.In the emission period Te, the third transistor T3 supplies the high potential driving voltage VDD to the third node N3 in response to the emission signal EM( 1 ). Then, the fourth transistor T4 is turned on, so that the second node N2 and the fourth node N4 are connected. In the emission period Te, a current passing through the second node N2 from the third node N3 is generated according to the voltage set between the gate and the source of the driving transistor DT.
에미션 기간(Te)에서 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류(Ioled)에 대한 관계식은 하기 수학식 1과 같이 된다.The relational expression for the driving current Ioled flowing through the organic light emitting diode OLED in the emission period Te is expressed as
[수학식 1][Equation 1]
IOLED=k/2(Vsg-|Vth|)2 = k/2(Vs-Vg-Vth)2 = k/2{VDD-(Vdata-|Vth|) -Vth)} I OLED =k/2(Vsg-|Vth|) 2 = k/2(Vs-Vg-Vth) 2 = k/2{VDD-(Vdata-|Vth|) -Vth)}
[수학식1]은 결국 "k/2(VDD-Vdata)2 "로 정리된다.[Equation 1] is eventually summarized as "k/2(VDD-Vdata) 2 ".
수학식 1에서, k/2는 구동트랜지스터(DT)의 전자 이동도, 기생 커패시턴스 및 채널 용량 등에 의해 결정되는 비례 상수를 나타낸다. 결국 발광 기간(Te) 동안, 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)의 영향을 받지 않는다.In
도 5는 도 2에 도시된 제1 스캔 드라이버의 구성을 나타내는 도면이다. FIG. 5 is a diagram illustrating the configuration of the first scan driver shown in FIG. 2 .
도 5 를 참조하면, 제1 스캔 드라이버(SD1)는 제1 및 제2 풀업 트랜지스터(Tpu1, Tpu2), 제1 및 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd1, Tpd2), 제1 내지 제5 트랜지스터(T1~T5), 제1 및 제2 노드제어 트랜지스터(Ta, Tb)를 포함한다. Referring to FIG. 5 , the first scan driver SD1 includes first and second pull-up transistors Tpu1 and Tpu2, first and second pull-down transistors Tpd1 and Tpd2, and first to fifth transistors T1 to T5. ), and first and second node control transistors Ta and Tb.
제1 풀업 트랜지스터(Tpu1)는 BST1 노드에 연결되는 게이트전극, 제1 출력단(Nout1)에 연결되는 드레인전극 및 제1 클럭 입력단(CLKP1)에 연결되는 소스전극으로 이루어진다. 제1 풀업 트랜지스터(Tpu1)는 BST1 노드 전압에 응답하여, 제1 클럭 입력단(CLKP1)에 인가되는 스캔클럭에 따라 제1 스캔신호(SCAN1(1))를 출력한다. The first pull-up transistor Tpu1 includes a gate electrode connected to the node BST1 , a drain electrode connected to the first output terminal Nout1 , and a source electrode connected to the first clock input terminal CLKP1 . The first pull-up transistor Tpu1 outputs a first scan signal SCAN1( 1 ) according to the scan clock applied to the first clock input terminal CLKP1 in response to the BST1 node voltage.
제2 풀업 트랜지스터(Tpu2)는 BST2 노드에 연결되는 게이트전극, 제2 출력단(Nout2)에 연결되는 드레인전극 및 제1 클럭 입력단(CLKP1)에 연결되는 소스전극으로 이루어진다. 제2 풀업 트랜지스터(Tpu2)는 BST2 노드 전압에 응답하여, 제2 클럭 입력단(CLKP2)에 인가되는 스캔클럭에 따라 제2 스캔신호(SCAN2(1))를 출력한다. The second pull-up transistor Tpu2 includes a gate electrode connected to the node BST2 , a drain electrode connected to the second output terminal Nout2 , and a source electrode connected to the first clock input terminal CLKP1 . The second pull-up transistor Tpu2 outputs the second scan signal SCAN2( 1 ) according to the scan clock applied to the second clock input terminal CLKP2 in response to the BST2 node voltage.
제1 풀다운 트랜지스터(Tpd1)는 QB 노드에 연결되는 게이트전극, 고전위전압(VGH)의 입력단에 연결되는 드레인전극, 제1 출력단(Nout1)에 연결되는 소스전극으로 이루어진다. 제1 풀다운 트랜지스터(Tpd1)는 QB 노드 전압에 응답하여, 제1 출력단(Nout1)을 턴-오프 전압으로 충전한다. The first pull-down transistor Tpd1 includes a gate electrode connected to the QB node, a drain electrode connected to the input terminal of the high potential voltage VGH, and a source electrode connected to the first output terminal Nout1 . The first pull-down transistor Tpd1 charges the first output terminal Nout1 to a turn-off voltage in response to the QB node voltage.
제2 풀다운 트랜지스터(Tpd2)는 QB 노드에 연결되는 게이트전극, 고전위전압(VGH)의 입력단에 연결되는 드레인전극, 제2 출력단(Nout2)에 연결되는 소스전극으로 이루어진다. 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd2)는 QB 노드 전압에 응답하여, 제2 출력단(Nout2)을 턴-오프 전압으로 충전한다. The second pull-down transistor Tpd2 includes a gate electrode connected to the QB node, a drain electrode connected to the input terminal of the high potential voltage VGH, and a source electrode connected to the second output terminal Nout2 . The second pull-down transistor Tpd2 charges the second output terminal Nout2 to a turn-off voltage in response to the QB node voltage.
제1 트랜지스터(T1)는 스타트신호 입력단(VP)에 연결되는 게이트 전극, Q 노드에 연결되는 드레인전극 및 저전위전압(VGL)의 입력단에 연결되는 소스전극을 포함한다. 스타트신호 입력단(VP)은 스타트펄스(VST) 또는 캐리신호를 입력받는다. 캐리신호는 n-1 번째의 제1 스캔신호(SCAN1(n-1)) 을 이용할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 스타트신호 입력단(VP)의 전압에 대응하여 Q 노드를 프리챠지한다. The first transistor T1 includes a gate electrode connected to the start signal input terminal VP, a drain electrode connected to the Q node, and a source electrode connected to the input terminal of the low potential voltage VGL. The start signal input terminal VP receives a start pulse VST or a carry signal. As the carry signal, the n−1 th first scan signal SCAN1(n−1) may be used. The first transistor T1 precharges the Q node in response to the voltage of the start signal input terminal VP.
제2 트랜지스터(T2)는 리셋클럭 입력단(RP)에 연결되는 게이트전극, QB 노드에 연결되는 드레인전극 및 저전위전압(VGL)의 입력단에 연결되는 소스전극을 포함한다. 제2 트랜지스터(T2)는 리셋클럭(RCLK)에 응답하여, QB 노드를 저전위전압(VSS)으로 방전시킨다. The second transistor T2 includes a gate electrode connected to the reset clock input terminal RP, a drain electrode connected to the QB node, and a source electrode connected to the input terminal of the low potential voltage VGL. The second transistor T2 discharges the QB node to the low potential voltage VSS in response to the reset clock RCLK.
제3 트랜지스터(T3)는 QB 노드에 연결되는 게이트전극, Q 노드에 연결되는 소스전극, 고전위전압(VGH)의 입력단에 연결되는 드레인전극을 포함한다. 제3 트랜지스터(T3)는 QB 노드 전압에 응답하여, Q 노드를 고전위전압(VGH)으로 충전시킨다. The third transistor T3 includes a gate electrode connected to the QB node, a source electrode connected to the Q node, and a drain electrode connected to the input terminal of the high potential voltage VGH. The third transistor T3 charges the Q node to the high potential voltage VGH in response to the QB node voltage.
제4 트랜지스터(T4)는 스타트신호 입력단(VP)에 연결되는 게이트전극. QB 노드에 연결되는 소스전극 및 고전위전압(VGH)의 입력단에 연결되는 드레인전극을 포함한다. 제5 트랜지스터(T5)는 스타트신호에 응답하여 QB 노드를 고전위전압(VGH)으로 충전시킨다.The fourth transistor T4 is a gate electrode connected to the start signal input terminal VP. It includes a source electrode connected to the QB node and a drain electrode connected to an input terminal of the high potential voltage VGH. The fifth transistor T5 charges the QB node to the high potential voltage VGH in response to the start signal.
제5 트랜지스터(T5)는 Q 노드에 연결되는 게이트전극. QB 노드에 연결되는 소스전극 및 고전위전압(VGH)의 입력단에 연결되는 드레인전극을 포함한다. 제6 트랜지스터(T6)는 Q 노드 전압에 응답하여 QB 노드를 고전위전압(VGH)으로 충전시킨다.The fifth transistor T5 is a gate electrode connected to the Q node. It includes a source electrode connected to the QB node and a drain electrode connected to an input terminal of the high potential voltage VGH. The sixth transistor T6 charges the QB node to the high potential voltage VGH in response to the Q node voltage.
제1 노드제어 트랜지스터(Ta)는 저전위전압(VGL)의 입력단에 연결되는 게이트전극, Q 노드에 연결되는 드레인전극, 및 BST1 노드에 연결되는 소스전극을 포함한다.The first node control transistor Ta includes a gate electrode connected to the input terminal of the low potential voltage VGL, a drain electrode connected to the Q node, and a source electrode connected to the BST1 node.
제2 노드제어 트랜지스터(Tb)는 저전위전압(VGL)의 입력단에 연결되는 게이트전극, Q 노드에 연결되는 드레인전극, 및 BST2 노드에 연결되는 소스전극을 포함한다.The second node control transistor Tb includes a gate electrode connected to the input terminal of the low potential voltage VGL, a drain electrode connected to the Q node, and a source electrode connected to the BST2 node.
도 6은 도 5에 도시된 스캔 드라이버에 인가되는 클럭들의 타이밍과 이에 따른 스캔 드라이버의 주요 노드 전압 변화 및 스캔 드라이버의 출력을 나타내는 도면이다. 도 7은 도 5에 도시된 BST1 노드 및 BST2 노드의 전압변화를 나타내는 도면이다. 도 6에서 이니셜 기간(Ti), 샘플링 기간(Ts) 및 발광 기간(Te)은 제1 픽셀라인(HL1)의 구동을 위한 제1 스캔 드라이버(SD1)의 동작 타이밍을 명시하고 있다. 또한, 도 6에서 제1 내지 제4 스캔클럭들(SCLK1~SCLK4)의 고전위전압은 게이트하이전압(VGH)이고, 저전위전압은 게이트로우전압(VGL)을 이용할 수 있다.도 5 내지 도 7을 참조하여, 본 발명에 의한 스캔 드라이버의 동작을 살펴보면 다음과 같다. 특히, 제1 및 제2 스캔신호(SCAN1(1), SCAN2(1))를 생성하는 제1 스캔 드라이버(SD1)의 동작을 중심으로 실시 예를 살펴보면 다음과 같다.FIG. 6 is a diagram illustrating timings of clocks applied to the scan driver shown in FIG. 5, changes in main node voltage of the scan driver, and output of the scan driver according to the timing of the clocks shown in FIG. FIG. 7 is a diagram illustrating voltage changes of the BST1 node and the BST2 node shown in FIG. 5 . In FIG. 6 , the initial period Ti, the sampling period Ts, and the light emission period Te indicate the operation timing of the first scan driver SD1 for driving the first pixel line HL1 . Also, in FIG. 6 , the high potential voltage of the first to fourth scan clocks SCLK1 to SCLK4 may be the gate high voltage VGH, and the low potential voltage may be the gate low voltage VGL. FIGS. 5 to FIG. Referring to 7, the operation of the scan driver according to the present invention is as follows. In particular, an embodiment will be described focusing on the operation of the first scan driver SD1 that generates the first and second scan signals SCAN1 ( 1 ) and SCAN2 ( 1 ).
이니셜 기간(Ti) 이전에, 스타트신호 입력단(VP)은 스타트신호(VST)를 입력받는다. 제1 트랜지스터(T1)는 스타트신호(VST)에 응답하여, Q 노드를 저전위전압(VGL)인 제1 전압레벨(VL1)로 프리챠지한다. 그리고 제1 노드제어 트랜지스터(Ta)는 BST1 노드를 Q 노드전압으로 프리챠지한다. Q 노드가 턴-온 전압인 동안, 제5 트랜지스터(T5)는 QB 노드에 고전위전압(VGH)을 공급하여, 제1 및 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd1, Tpd2)가 안정적으로 턴-오프 상태를 유지한다. Before the initial period Ti, the start signal input terminal VP receives the start signal VST. The first transistor T1 precharges the Q node to the first voltage level VL1 that is the low potential voltage VGL in response to the start signal VST. And the first node control transistor Ta precharges the BST1 node to the Q node voltage. While the Q node is the turn-on voltage, the fifth transistor T5 supplies the high potential voltage VGH to the QB node so that the first and second pull-down transistors Tpd1 and Tpd2 are stably turned off. keep
스타트신호(VST)가 인가되는 동안, 제4 트랜지스터(T4)는 턴-온되어서, QB 노드는 턴-오프전압이 고전위전압(VGH) 상태를 유지한다. 그 결과, 제1 및 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd1, Tpd2)가 안정적으로 턴-오프 상태를 유지한다. 이처럼 제5 트랜지스터(T5)와 마찬가지로 제4 트랜지스터(T4)는 제1 및 제2 풀다운 트랜지스터들(Tpd1, Tpd2)의 동작을 억제하여, 제1 및 제2 풀업 트랜지스터들(Tpu1, Tpu2)이 턴-온되는 동안 제1 및 제2 출력단(Nout1,Nout2)이 안정적으로 스캔신호들을 출력할 수 있도록 한다. While the start signal VST is applied, the fourth transistor T4 is turned on, and thus the QB node maintains the turn-off voltage of the high potential voltage VGH. As a result, the first and second pull-down transistors Tpd1 and Tpd2 stably maintain a turn-off state. Like the fifth transistor T5 , the fourth transistor T4 suppresses the operations of the first and second pull-down transistors Tpd1 and Tpd2 so that the first and second pull-up transistors Tpu1 and Tpu2 are turned on. - While being turned on, the first and second output terminals Nout1 and Nout2 can stably output scan signals.
이니셜 기간(Ti)에서, 스타트신호 입력단(VP)은 하이레벨전압이 되어서 제1 트랜지스터(T1)는 턴-오프되고, 그 결과 Q 노드 및 BST1 노드는 플로팅 상태가 된다. In the initial period Ti, the start signal input terminal VP becomes a high level voltage so that the first transistor T1 is turned off, and as a result, the Q node and the BST1 node are in a floating state.
이니셜 기간(Ti) 동안, 제1 클럭 입력단(CLKP1)에는 저전위전압(VGL)의 제1 스캔클럭(SCLK1)이 입력된다. 즉, 제1 풀업 트랜지스터(Tpu1)의 소스전극은 고전위전압(VGH)에서 저전위전압(VGL)으로 전압레벨이 낮아진다. BST1 노드가 플로팅 상태에서, 제1 풀업 트랜지스터(Tpu1)의 소스전극의 전압 변화에 따라 BST1 노드의 전압은 제1 전압레벨(VL1)에서 제2 전압레벨(VL2)로 부트스트래핑(Bootstrapping) 되고, 제1 출력단(Nout1)은 턴-온 전압레벨의 제1 스캔신호(SCAN1(1))를 출력한다. BST1 노드가 부트스트래핑되는 제2 전압레벨(VL2)은 제1 풀업 트랜지스터(Tpu1)의 소스전극의 전압 변화량이 반영되기 때문에 “VGL-(VGH-VGL)”이 된다.During the initial period Ti, the first scan clock SCLK1 of the low potential voltage VGL is input to the first clock input terminal CLKP1. That is, the voltage level of the source electrode of the first pull-up transistor Tpu1 is lowered from the high potential voltage VGH to the low potential voltage VGL. In the floating state of the BST1 node, the voltage of the BST1 node is bootstrapped from the first voltage level VL1 to the second voltage level VL2 according to the voltage change of the source electrode of the first pull-up transistor Tpu1. The first output terminal Nout1 outputs the first scan signal SCAN1(1) having a turn-on voltage level. The second voltage level VL2 at which the BST1 node is bootstrapped is “VGL-(VGH-VGL)” because the voltage change amount of the source electrode of the first pull-up transistor Tpu1 is reflected.
제1 스캔신호(SCAN1(1))가 출력되는 동안 제1 노드제어 트랜지스터(Ta)는 턴-오프 상태를 유지하기 때문에, BST1 노드와 Q 노드는 전기적으로 연결되지 않는다. 그 결과, 제1 스캔신호(SCAN1(1))가 출력되는 동안에 BST1 노드가 부트스트래핑 된다고 할지라도, Q 노드의 전압이 BST1 노드에 따라 부트스트래핑되는 것이 방지된다. 만약 제1 스캔신호(SCAN1(1))가 출력되는 동안에 Q 노드의 전압이 부트스트래핑되어서 낮아지면, 제2 노드제어 트랜지스터(Tb)를 통해서 BST2 노드의 전압이 낮아질 수 있다. 그 결과, 제2 풀업 트랜지스터(Tpu2)가 턴-온되어 제2 출력단(Nout2)을 통해서 제2 스캔신호(SCAN2(1))가 원치않는 타이밍에 출력될 수 있다.Since the first node control transistor Ta maintains the turned-off state while the first scan signal SCAN1(1) is output, the BST1 node and the Q node are not electrically connected. As a result, even if the BST1 node is bootstrapped while the first scan signal SCAN1(1) is output, the voltage of the Q node is prevented from being bootstrapped according to the BST1 node. If the voltage of the Q node is bootstrapped and lowered while the first scan signal SCAN1( 1 ) is output, the voltage of the BST2 node may be lowered through the second node control transistor Tb. As a result, the second pull-up transistor Tpu2 is turned on so that the second scan signal SCAN2( 1 ) may be output at an undesired timing through the second output terminal Nout2 .
샘플링 기간(Ts)이 시작할 때에, 제1 스캔클럭(SCLK1)은 고전위전압(VGH)이 되고, 그 결과 제1 출력단(Nout1)의 전압 또한 고전위전압(VGH)이 된다. When the sampling period Ts starts, the first scan clock SCLK1 becomes the high potential voltage VGH, and as a result, the voltage of the first output terminal Nout1 also becomes the high potential voltage VGH.
샘플링 기간(Ts) 동안, 제2 클럭 입력단(CLKP2)에는 제2 스캔클럭(SCLK2)이 입력된다. BST1 노드가 부트스트래핑되는 원리와 마찬가지로 BST2 노드는 부트스트래핑되면서 제2 풀업 트랜지스터(Tpu2)는 턴-온 전압을 유지한다. 그 결과, 제2 출력단(Nout2)은 턴-온 전압레벨의 제2 스캔신호(SCAN2(1))를 출력한다. BST2 노드는 BST1 노드가 부트스트래핑되는 제2 전압레벨(VL2) 과 유사한 수준으로 부트스트래핑된다. 한편, 제2 노드제어 트랜지스터(Tb)는 턴-오프 상태를 유지하고, 그 결과 Q 노드가 부트스트래핑되는 것이 방지된다. During the sampling period Ts, the second scan clock SCLK2 is input to the second clock input terminal CLKP2. Similarly to the principle in which the BST1 node is bootstrapped, the BST2 node is bootstrapped while the second pull-up transistor Tpu2 maintains a turn-on voltage. As a result, the second output terminal Nout2 outputs the second scan signal SCAN2(1) having the turn-on voltage level. The BST2 node is bootstrapped to a level similar to the second voltage level VL2 to which the BST1 node is bootstrapped. Meanwhile, the second node control transistor Tb maintains a turned-off state, and as a result, the Q node is prevented from being bootstrapped.
발광기간(Te)이 시작할 때, 제2 스캔클럭(SCLK2)은 고전위전압(VGH)이 되고, 그 결과 제2 출력단(Nout2)의 전압 또한 고전위전압(VGH)이 된다. 결과적으로 발광기간(Te) 동안에는, 샘플링 기간(Ts)이 시작할 때에 고전위전압(VGH)이 되는 제1 출력단(Nout1)과 함께 제2 출력단(Nout2) 또한 고전위전압(VGH)이 된다. When the light emission period Te starts, the second scan clock SCLK2 becomes the high potential voltage VGH, and as a result, the voltage of the second output terminal Nout2 also becomes the high potential voltage VGH. As a result, during the light emission period Te, the second output terminal Nout2 also becomes the high potential voltage VGH together with the first output terminal Nout1 which becomes the high potential voltage VGH when the sampling period Ts starts.
그리고 발광기간(Te)이 시작할 때, 리셋클럭 입력단(RP)에는 제3 스캔클럭(SCLK3)이 인가된다. 제3 스캔클럭(SCLK3)에 응답하여, 제2 트랜지스터(T2)는 저전위전압(VGL)을 QB 노드에 공급한다. 그 결과, 제3 트랜지스터(T3)는 턴-온되어 Q 노드를 고전위전압(VGH)으로 충전시킨다. 그리고 제1 및 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd1, Tpd2)는 턴-온되고, 제1 및 제2 출력단(Nout1, Nout2)은 안정적으로 고전위전압(VGH)을 유지한다. 즉, 리셋클럭 입력단(RCLK)에 인가되는 제3 스캔클럭(SCLK3)에 의해서 제1 및 제2 출력단(Nout1, Nout2)은 턴-오프 전압을 안정적으로 유지할 수 있다. And when the light emission period Te starts, the third scan clock SCLK3 is applied to the reset clock input terminal RP. In response to the third scan clock SCLK3 , the second transistor T2 supplies the low potential voltage VGL to the QB node. As a result, the third transistor T3 is turned on to charge the Q node to the high potential voltage VGH. In addition, the first and second pull-down transistors Tpd1 and Tpd2 are turned on, and the first and second output terminals Nout1 and Nout2 stably maintain the high potential voltage VGH. That is, the turn-off voltages of the first and second output terminals Nout1 and Nout2 may be stably maintained by the third scan clock SCLK3 applied to the reset clock input terminal RCLK.
이와 같이, 본 발명에 의한 제1 스캔드라이버(SD1)는 제1 스캔신호(SCAN1(1)) 및 제2 스캔신호(SCAN2(1))를 생성한다. As described above, the first scan driver SD1 according to the present invention generates a first scan signal SCAN1(1) and a second scan signal SCAN2(1).
제1 스캔신호(SCAN1(1))는 제1 클럭 입력단(CLKP1)에 인가되는 클럭에 의해서 결정되고, 제2 스캔신호(SCAN2(1))는 제2 클럭 입력단(CLKP2)에 인가되는 클럭에 의해서 결정된다. 제1 스캔신호(SCAN1(1)) 및 제2 스캔신호(SCAN2(1))는 각각 펄스폭이 1 수평기간(1H)으로 동일하며 위상만 차이난다. 이와 마찬가지로, 제2 스캔드라이버(SD2) 내지 제n 스캔드라이버(SDn)들이 출력하는 제1 스캔신호(SCAN1(i)) 내지 제2 스캔신호(SCAN2(i))들은 각각 펄스폭이 1 수평기간(1H)으로 동일하며 위상 차이를 갖는다.The first scan signal SCAN1(1) is determined by the clock applied to the first clock input terminal CLKP1, and the second scan signal SCAN2(1) is determined by the clock applied to the second clock input terminal CLKP2. is determined by The first scan signal SCAN1 ( 1 ) and the second scan signal SCAN2 ( 1 ) have the same pulse width for one horizontal period ( 1H ), respectively, and differ only in phase. Similarly, the first scan signals SCAN1(i) to the second scan signals SCAN2(i) output by the second scan drivers SD2 to the nth scan drivers SDn each have a pulse width of one horizontal period. (1H) is the same and has a phase difference.
따라서, 각각의 스캔드라이버들(SD1~SDn)은 동일한 스캔클럭들을 이용하되 제1 클럭 입력단(CLKP1)과 제2 클럭 입력단(CLKP2)에 인가되는 클럭들의 연결관계를 다르게 하여 제1 스캔신호(SCAN1(1)) 및 제2 스캔신호(SCAN2(1))를 출력할 수 있다. 아래의 [표 1]은 각각의 스캔드라이버의 스타트신호 입력단(VP), 제1 클럭 입력단(CLKP1), 제2 클럭 입력단(CLKP2) 및 리셋클럭 입력단(RP)에 연결되는 클럭들을 나타내는 도면이다. Accordingly, each of the scan drivers SD1 to SDn uses the same scan clocks, but varies the connection relationship between the clocks applied to the first clock input terminal CLKP1 and the second clock input terminal CLKP2 to make the first scan signal SCAN1 (1)) and the second scan signal SCAN2(1) may be output. [Table 1] below is a diagram showing clocks connected to the start signal input terminal VP, the first clock input terminal CLKP1, the second clock input terminal CLKP2, and the reset clock input terminal RP of each scan driver.
도 6 및 [표 1]을 참조하면, 스캔드라이버들(SD1~SDn) 각각에 인가되는 클럭들은 제1 스캔클럭(SCLK1) 내지 제4 스캔클럭(SCLK4)을 포함한다. [표 1]에서와 같이, 각각의 스캔드라이버들의 제1 클럭 입력단(CLKP1)에 연결되는 스캔클럭과 제2 클럭 입력단(CLKP2)에 연결되는 스캔클럭은 서로 1 수평기간의 위상차를 갖는다. 즉, 각각의 스캔드라이버들의 제1 클럭 입력단(CLKP1)에 연결되는 스캔클럭과 제2 클럭 입력단(CLKP2)에 연결되는 스캔클럭들은 1 수평기간의 위상 차이를 갖는다. 6 and [Table 1], clocks applied to each of the scan drivers SD1 to SDn include first scan clocks SCLK1 to fourth scan clocks SCLK4. As shown in [Table 1], the scan clock connected to the first clock input terminal CLKP1 and the scan clock connected to the second clock input terminal CLKP2 of each scan driver have a phase difference of one horizontal period from each other. That is, the scan clocks connected to the first clock input terminal CLKP1 of each of the scan drivers and the scan clocks connected to the second clock input terminal CLKP2 have a phase difference of one horizontal period.
그리고 i(i는 “n-2”보다 작은 자연수) 번째 스캔드라이버(SDi)에 인가되는 리셋클럭은, (i+2) 번째 스캔드라이버(SD(i+2))의 제1 클럭 입력단(CLKP1)에 인가되는 스캔클럭과 동일하다.And the reset clock applied to the i-th scan driver SDi (i is a natural number less than “n-2”) is the first clock input terminal CLKP1 of the (i+2)-th scan driver SD(i+2). ) is the same as the scan clock applied to
도 8은 제2 실시 예에 의한 픽셀 구조를 나타내는 도면으로써, n번째 픽셀라인에 배치된 픽셀을 도시하고 있다. 도 9는 도 8에 도시된 픽셀을 구동하는 게이트신호들의 타이밍을 나타내는 도면이다. 8 is a diagram illustrating a pixel structure according to the second embodiment, and shows a pixel disposed on an n-th pixel line. FIG. 9 is a diagram illustrating timings of gate signals driving the pixel shown in FIG. 8 .
도 8을 참조하면, 제2 실시 예에 의한 픽셀은 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DT), 제1 내지 제5 트랜지스터들(T1~T5) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다.Referring to FIG. 8 , the pixel according to the second exemplary embodiment includes an organic light emitting diode (OLED), a driving transistor (DT), first to fifth transistors (T1 to T5), and a storage capacitor (Cst).
유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)로부터 공급되는 구동 전류에 의해 발광한다. 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극은 제5 노드(N5)에 접속되고, 캐소드전극은 저전위 구동전압(VSS)의 입력단에 접속된다.The organic light emitting diode OLED emits light by a driving current supplied from the driving transistor DT. The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the fifth node N5 , and the cathode electrode is connected to the input terminal of the low potential driving voltage VSS.
구동 트랜지스터(DT)는 자신의 소스-게이트 간 전압(Vsg)에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 인가되는 구동전류를 제어한다. 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 소스전극은 제3 노드(N3)에 접속되며, 드레인전극은 제2 노드(N2)에 접속된다.The driving transistor DT controls a driving current applied to the organic light emitting diode OLED according to its source-gate voltage Vsg. The gate electrode of the driving transistor DT is connected to the first node N1 , the source electrode is connected to the third node N3 , and the drain electrode is connected to the second node N2 .
제1 트랜지스터(T1)는 데이터라인(DL)과 제4 노드(N4) 사이에 접속되고, 제1 스캔신호(SCAN1(1)) 에 따라 온/오프된다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트전극은 제1 스캔신호(SCAN1(1))가 인가되는 제1 스캔라인(SL1(1))에 접속되고, 그의 소스전극은 데이터라인(DL)에 접속되며, 그의 드레인전극은 제4 노드(N4)에 접속된다.The first transistor T1 is connected between the data line DL and the fourth node N4 , and is turned on/off according to the first scan signal SCAN1( 1 ). The gate electrode of the first transistor T1 is connected to the first scan line SL1(1) to which the first scan signal SCAN1(1) is applied, and its source electrode is connected to the data line DL, Its drain electrode is connected to the fourth node N4.
제2 트랜지스터(T2)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속되고, 제2 스캔신호(SCAN2(1))에 따라 온/오프 된다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트전극은 제2 스캔신호(SCAN2(1))가 인가되는 제2 스캔라인(SL2(1))에 접속되고, 그의 소스전극은 제2 노드(N2)에 접속되며, 그의 드레인전극은 제1 노드(N1)에 접속된다.The second transistor T2 is connected between the first node N1 and the second node N2 , and is turned on/off according to the second scan signal SCAN2( 1 ). The gate electrode of the second transistor T2 is connected to the second scan line SL2( 1 ) to which the second scan signal SCAN2( 1 ) is applied, and its source electrode is connected to the second node N2 , and , its drain electrode is connected to the first node N1.
제3 트랜지스터(T3)는 제4 노드(N4)와 초기전압(Vinit)의 입력단 사이에 접속되고, 에미션신호(EM(1))에 따라 온/오프 된다. 제3 트랜지스터(T3)의 게이트전극은 에미션신호(EM(1))가 인가되는 에미션라인(EML(1))에 접속되고, 그의 소스전극은 제4 노드(N4)에 접속되며, 그의 드레인전극은 초기전압(Vinit)의 입력단에 접속된다.The third transistor T3 is connected between the fourth node N4 and the input terminal of the initial voltage Vinit, and is turned on/off according to the emission signal EM( 1 ). The gate electrode of the third transistor T3 is connected to the emission line EML( 1 ) to which the emission signal EM( 1 ) is applied, and its source electrode is connected to the fourth node N4 , and its The drain electrode is connected to the input terminal of the initial voltage Vinit.
제4 트랜지스터(T4)는 제2 노드(N2)와 제5 노드(N5) 사이에 접속되고, 에미션신호(EM(1))에 따라 온/오프 된다. 제4 트랜지스터(T4)의 게이트전극은 에미션신호(EM(1))가 인가되는 에미션라인(EML(1))에 접속되고, 그의 소스전극은 제2 노드(N2)에 접속되며, 그의 드레인전극은 제5 노드(N5)에 접속된다.The fourth transistor T4 is connected between the second node N2 and the fifth node N5 , and is turned on/off according to the emission signal EM( 1 ). The gate electrode of the fourth transistor T4 is connected to the emission line EML( 1 ) to which the emission signal EM( 1 ) is applied, and its source electrode is connected to the second node N2 , and its The drain electrode is connected to the fifth node N5.
제5 트랜지스터(T5)는 제5 노드(N5)와 초기전압(Vinit)의 입력단 사이에 접속되고, 제2 스캔신호(SCAN2(1))에 따라 온/오프 된다. 제5 트랜지스터(T5)의 게이트전극은 제2 스캔신호(SCAN2(1))가 인가되는 제2 스캔라인(SL2(1))에 접속되고, 그의 소스전극은 제5 노드(N5)에 접속되며, 그의 드레인전극은 초기전압(Vinit)의 입력단에 접속된다.The fifth transistor T5 is connected between the fifth node N5 and the input terminal of the initial voltage Vinit, and is turned on/off according to the second scan signal SCAN2( 1 ). The gate electrode of the fifth transistor T5 is connected to the second scan line SL2( 1 ) to which the second scan signal SCAN2( 1 ) is applied, and its source electrode is connected to the fifth node N5 , and , its drain electrode is connected to the input terminal of the initial voltage Vinit.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 제4 노드(N4) 사이에 접속된다. 보조 커패시터(Cgv)는 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3) 사이에 접속된다. 보조 커패시터(Cgv)의 제3 노드(N3)는 정전압원인 고전위 구동전압(VDD)의 입력단과 연결되어서, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극의 전압이 원치않는 커플링 현상에 의해서 변화되는 것을 방지한다. The storage capacitor Cst is connected between the first node N1 and the fourth node N4 . The auxiliary capacitor Cgv is connected between the first node N1 and the third node N3. The third node N3 of the auxiliary capacitor Cgv is connected to the input terminal of the high potential driving voltage VDD, which is a constant voltage source, to prevent the voltage of the gate electrode of the driving transistor DT from being changed due to an unwanted coupling phenomenon. do.
도 8 및 도 9를 참조하여, 제2 실시 예에 의한 픽셀의 구동을 살펴보면 다음과 같다. 특히, 제1 스캔 드라이버(SD1)가 출력하는 제1 스캔신호(SCAN1(1)) 및 제2 스캔신호(SCAN2(1))를 중심으로 제1 픽셀라인(HL1)의 픽셀들의 동작을 살펴보기로 한다. Referring to FIGS. 8 and 9 , driving of a pixel according to the second embodiment is as follows. In particular, the operation of the pixels of the first pixel line HL1 will be examined based on the first scan signal SCAN1( 1 ) and the second scan signal SCAN2( 1 ) output by the first scan driver SD1 . do it with
이니셜 기간(Ti)에서, 제2 스캔신호(SCAN2(1)) 및 에미션신호(EM(1))는 온 레벨로 인가되고, 제1 스캔신호(SCAN2(1)) 는 오프 레벨로 인가된다. 그 결과, 제3 트랜지스터(T3)는 에미션신호(EM(1))에 응답하여, 초기화전압을 제4 노드(N4)에 충전한다. 제4 트랜지스터(T4)는 에미션신호(EM(1))에 응답하여 제2 노드(N2) 및 제5 노드(N5)를 연결시킨다. 제5 트랜지스터(T5)는 제2 스캔신호(SCAN2(1))에 응답하여, 제5 노드(N5)를 초기화전압(Vinit)으로 초기화한다. 제4 트랜지스터(T4)가 턴-온됨으로써 제2 노드(N2)의 전압은 초기화 전압(Vini)이 된다. 제2 트랜지스터(T2)는 제2 스캔신호(SCAN2(1))에 응답하여, 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)를 연결시킨다. 이에 따라 구동트랜지스터의 게이트전극과 드레인전극은 다이오드 커넥션(diode connection) 상태가 되고, 제1 노드(N1)의 전압 또한 초기화 전압(Vini)이 된다.In the initial period Ti, the second scan signal SCAN2(1) and the emission signal EM(1) are applied at an on level, and the first scan signal SCAN2(1) is applied at an off level. . As a result, the third transistor T3 charges the initialization voltage to the fourth node N4 in response to the emission signal EM( 1 ). The fourth transistor T4 connects the second node N2 and the fifth node N5 in response to the emission signal EM( 1 ). The fifth transistor T5 initializes the fifth node N5 to the initialization voltage Vinit in response to the second scan signal SCAN2( 1 ). As the fourth transistor T4 is turned on, the voltage of the second node N2 becomes the initialization voltage Vini. The second transistor T2 connects the first node N1 and the second node N2 in response to the second scan signal SCAN2( 1 ). Accordingly, the gate electrode and the drain electrode of the driving transistor are in a diode connection state, and the voltage of the first node N1 also becomes the initialization voltage Vini.
샘플링 기간(Ts)에서, 제1 스캔신호(SCAN1(1)) 및 제2 스캔신호(SCAN2(1))는 온 레벨로 인가되고, 에미션신호(EM(1))는 오프 레벨로 인가된다. 샘플링 기간(Ts)에서, 제3 트랜지스터(T3)가 턴-오프되고, 제1 스캔신호(SCAN1(1))에 응답하여 제1 트랜지스터(T1)가 턴 온 됨으로써, 제4 노드(N4)에는 데이터전압이 충전된다. 그리고, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극과 드레인전극은 다이오드 커넥션 상태를 유지한다. 샘플링 기간(Ts)에서, 제4 트랜지스터(T4)가 턴-오프되어서 제2 노드(N2)는 플로팅 상태가 된다. 그리고 제3 노드(N3)에서 제2 노드(N2)로 흐르는 전류에 의해서 제2 노드(N2)의 전압은 상승하고, 이에 따라 제1 노드(N1)의 전압도 상승한다. 제1 노드(N1)의 전압이 상승함에 따라, 구동 트랜지스터(DT)의 Vgs 값이 작아진다. 샘플링 기간에서 제3 노드(N3)에서 제2 노드(N2)로 흐르는 전류는 구동 트랜지스터(DT)의 Vgs가 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압과 동일해질 때까지 흐른다. 즉, 샘플링 기간(Ts)에서 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)의 전압은 고전위구동전압(VDD)에서 문턱전압(Vth)의 절대값을 뺀 값(VDD-|Vth|)으로 포화된다.In the sampling period Ts, the first scan signal SCAN1 ( 1 ) and the second scan signal SCAN2 ( 1 ) are applied at an on level, and the emission signal EM( 1 ) is applied at an off level . In the sampling period Ts, the third transistor T3 is turned off, and the first transistor T1 is turned on in response to the first scan signal SCAN1(1), so that the fourth node N4 is The data voltage is charged. In addition, the gate electrode and the drain electrode of the driving transistor DT maintain a diode connection state. In the sampling period Ts, the fourth transistor T4 is turned off so that the second node N2 is in a floating state. In addition, the voltage of the second node N2 increases due to the current flowing from the third node N3 to the second node N2 , and accordingly, the voltage of the first node N1 also increases. As the voltage of the first node N1 increases, the Vgs value of the driving transistor DT decreases. In the sampling period, the current flowing from the third node N3 to the second node N2 flows until Vgs of the driving transistor DT becomes equal to the threshold voltage of the driving transistor DT. That is, in the sampling period Ts, the voltages of the first node N1 and the second node N2 are obtained by subtracting the absolute value of the threshold voltage Vth from the high potential driving voltage VDD-|Vth| saturated with
에미션 기간(Te)에서, 에미션신호(EM(1))는 온 레벨로 인가되고, 제1 스캔신호(SCAN1(1)) 및 제2 스캔신호(SCAN2(1))는 오프 레벨로 인가된다. 제3 트랜지스터(T3)는 에미션신호(EM(1))에 응답하여, 초기전압(Vini)을 제4 노드(N4)에 인가한다. 그 결과 제4 노드(N4)의 전압은 데이터전압(Vdata)에서 초기전압(Vini)를 뺀 값만큼 변한다. In the emission period Te, the emission signal EM(1) is applied at an on level, and the first scan signal SCAN1(1) and the second scan signal SCAN2(1) are applied at an off level. do. The third transistor T3 applies the initial voltage Vini to the fourth node N4 in response to the emission signal EM( 1 ). As a result, the voltage of the fourth node N4 changes by a value obtained by subtracting the initial voltage Vini from the data voltage Vdata.
커플링 효과에 의해서, 제4 노드(N4)의 전위 변화분(Vdata-Vinit)에 해당하는 전압이 제1 노드(N1)에 반영된다. 즉, 제1 노드(N1)의 전압은 샘플링 기간(Ts)에서의 전압레벨(VDD-|Vth|)에서 제4 노드(N4)의 전위 변화분(Vdata-Vinit)을 뺀 값에 해당하는 "VDD-|Vth| -(Vdata-Vinit)"이 된다. Due to the coupling effect, a voltage corresponding to the potential change Vdata-Vinit of the fourth node N4 is reflected to the first node N1 . That is, the voltage of the first node N1 corresponds to a value obtained by subtracting the potential change Vdata-Vinit of the fourth node N4 from the voltage level VDD-|Vth| in the sampling period Ts. VDD-|Vth| -(Vdata-Vinit)".
제4 트랜지스터(T4)는 에미션신호(EM(1))에 응답하여, 제2 노드(N2) 및 제5 노드(N5)를 연결시킨다. 이때, 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류(Ioled)에 대한 관계식은 하기 수학식 2과 같이 된다. The fourth transistor T4 connects the second node N2 and the fifth node N5 in response to the emission signal EM( 1 ). At this time, the relational expression for the driving current Ioled flowing through the organic light emitting diode OLED is expressed as
[수학식 2][Equation 2]
IOLED=k/2(Vsg-|Vth|)^2 = k/2((Vs-Vg)- |Vth|)^2 = k/2[(VDD-{VDD-|Vth| -(Vdata-Vinit)}-|Vth|]^2 = k/2(Vdata - Vinit)^2 IOLED=k/2(Vsg-|Vth|)^2 = k/2((Vs-Vg)- |Vth|)^2 = k/2[(VDD-{VDD-|Vth| -(Vdata-Vinit) )}-|Vth|]^2 = k/2(Vdata - Vinit)^2
수학식 2에서, k/2는 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도, 기생 커패시턴스 및 채널 용량 등에 의해 결정되는 비례 상수를 지시한다. 수학식 2에서 알 수 있는 바와 같이, 구동전류(Ioled) 관계식에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth) 성분은 소거된다. 이를 통해, 문턱전압(Vth) 변화가 구동전류(Ioled)에 미치는 영향이 제거된다.In
제2 실시 예에 의한 픽셀 구조를 구동하기 위한 제1 스캔신호(SCAN1(1)) 및 제2 스캔신호(SCAN2(1))는 도 5에 도시된 스캔 드라이버를 이용하여 생성할 수 있다. 다만, 제2 실시 예에 의한 제1 스캔신호(SCAN1(1)) 및 제2 스캔신호(SCAN2(1))들은 펄스폭이 다르기 때문에, 제1 클럭 입력단(CLKP1)과 제2 클럭 입력단(CLKP2)에 인가되는 클럭들은 서로 다르다. 즉, 제1 클럭 입력단(CLKP1)에 인가되는 제1 스캔1클럭(CLK1_SCAN1) 내지 제4 스캔1클럭(CLK4_SCAN1)들 각각의 펄스폭은 1 수평기간(1H)이고, 제2 클럭 입력단(CLKP2)에 인가되는 제1 스캔2클럭(CLK1_SCAN2) 내지 제4 스캔2클럭(CLK4_SCAN2)들 각각의 펄스폭은 2 수평기간(2H)이다.The first scan signal SCAN1 ( 1 ) and the second scan signal SCAN2 ( 1 ) for driving the pixel structure according to the second embodiment may be generated using the scan driver illustrated in FIG. 5 . However, since the pulse widths of the first scan signals SCAN1 ( 1 ) and the second scan signals SCAN2 ( 1 ) according to the second embodiment are different, the first clock input terminal CLKP1 and the second clock input terminal CLKP2 are different. ), the clocks applied to each other are different. That is, the pulse width of each of the
도 10은 제2 실시 예에 의한 스캔신호들을 생성하기 위한 클럭들 및 중요 노드의 전압 변화를 나타내는 도면이고, [표 2]는 각각의 스캔드라이버에 인가되는 클럭들을 나타내는 표이다.10 is a diagram illustrating clocks for generating scan signals and voltage changes of important nodes according to the second embodiment, and [Table 2] is a table showing clocks applied to each scan driver.
도 10에서 이니셜 기간(Ti), 샘플링 기간(Ts) 및 발광 기간(Te)은 제1 픽셀라인(HL1)의 구동을 위한 제1 스캔 드라이버(SD1)의 동작 타이밍을 명시하고 있다. 또한, 도 10에서 제1 스캔1클럭(CLK1_SCAN1) 내지 제4 스캔1클럭(CLK4_SCAN1)들과 제1 스캔2클럭(CLK1_SCAN2) 내지 제4 스캔2클럭(CLK4_SCAN2)들의 고전위전압은 게이트하이전압(VGH)이고, 저전위전압은 게이트로우전압(VGL)을 이용할 수 있다. 도 5 및 도 10을 참조하여, 제2 실시 예에 의한 스캔신호들을 출력하는 스캔 드라이버의 동작을 살펴보면 다음과 같다. 특히, 제1 및 제2 스캔신호(SCAN1(1), SCAN2(1))를 생성하는 제1 스캔 드라이버(SD1)의 동작을 중심으로 실시 예를 살펴보면 다음과 같다.In FIG. 10 , the initial period Ti, the sampling period Ts, and the emission period Te indicate the operation timing of the first scan driver SD1 for driving the first pixel line HL1 . Also, in FIG. 10 , the high potential voltage of the
프리챠지 기간(Tpre) 동안, , 스타트신호 입력단(VP)은 스타트신호(VST)를 입력받는다. 프리챠지 기간(Tpre)은 스타트신호(VST)가 인가되기 시작하는 시점부터 1수평기간(1H) 이후까지의 기간으로 정의될 수 있고, 발광기간(Te)의 마지막 수평기간에 해당한다. 프리챠지 기간(Tpre) 동안, 제1 트랜지스터(T1)는 스타트신호(VST)에 응답하여, Q 노드를 저전위전압(VGL)인 제1 전압레벨(VL1)로 프리챠지한다. 그리고 제1 노드제어 트랜지스터(Ta)는 BST1 노드를 Q 노드전압으로 프리챠지한다. Q 노드가 턴-온 전압인 동안, 제5 트랜지스터(T5)는 QB 노드에 고전위전압(VGH)을 공급하여, 제1 및 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd1, Tpd2)가 안정적으로 턴-오프 상태를 유지한다.During the precharge period Tpre, the start signal input terminal VP receives the start signal VST. The precharge period Tpre may be defined as a period from when the start signal VST is applied to after one horizontal period 1H, and corresponds to the last horizontal period of the light emission period Te. During the precharge period Tpre, the first transistor T1 precharges the Q node to the first voltage level VL1 that is the low potential voltage VGL in response to the start signal VST. And the first node control transistor Ta precharges the BST1 node to the Q node voltage. While the Q node is the turn-on voltage, the fifth transistor T5 supplies the high potential voltage VGH to the QB node so that the first and second pull-down transistors Tpd1 and Tpd2 are stably turned off. keep
프리챠지 기간(Tpre) 동안, Q 노드가 저전위전압(VGL)으로 프리챠지되고, 제1 및 제2 노드제어 트랜지스터(Ta,Tb)의 게이트전압은 저전위전압(VGL)이기 때문에, 제1 및 제2 노드제어 트랜지스터(Ta,Tb)는 턴-오프 상태 수준이 된다. 그 결과 Q 노드와 BST1 노드 및 BST2 노드는 플로팅 상태가 된다.프리챠지 기간(Tpre) 내에서 BST1 노드 및 BST2 노드의 전압은 저전위전압(VGL)이 되고, 제1 및 제2 클럭 입력단들(CLKP1,CLKP2)의 전압은 고전위전압(VGH)이다. 즉, 제1 및 제2 풀업 트랜지스터들(Tpu1, Tpu2)의 Vgs는 턴-온전압 이상이 된다. 다만, 제1 및 제2 풀업 트랜지스터들(Tpu1, Tpu2)의 드레인전극과 접속되는 제1 및 제2 출력단들(Nout1,Nout2)의 전압이 소스전극의 전압과 동일한 수준의 고전위전압(VGH)이기 때문에, 제1 및 제2 풀업 트랜지스터들(Tpu1, Tpu2)의 소스전극과 드레인전극 간에는 전류가 흐르지 않는다.During the precharge period Tpre, since the Q node is precharged to the low potential voltage VGL and the gate voltages of the first and second node control transistors Ta and Tb are the low potential voltage VGL, the first and the second node control transistors Ta and Tb are at the turn-off state level. As a result, the Q node, the BST1 node, and the BST2 node are in a floating state. During the precharge period Tpre, the voltages of the BST1 node and the BST2 node become the low potential voltage VGL, and the first and second clock input terminals ( The voltages of CLKP1 and CLKP2 are high potential voltages (VGH). That is, Vgs of the first and second pull-up transistors Tpu1 and Tpu2 is equal to or greater than the turn-on voltage. However, the voltage of the first and second output terminals Nout1 and Nout2 connected to the drain electrodes of the first and second pull-up transistors Tpu1 and Tpu2 is the high potential voltage VGH at the same level as the voltage of the source electrode. Therefore, no current flows between the source electrode and the drain electrode of the first and second pull-up transistors Tpu1 and Tpu2 .
이니셜 기간(Ti) 동안, 제2 클럭 입력단(CLKP2)에는 저전위전압(VGL)의 제1 스캔2클럭(CLK1_SCAN2)이 입력된다. 즉, 제2 풀업 트랜지스터(Tpu2)의 소스전극은 고전위전압(VGH)에서 저전위전압(VGL)으로 전압레벨이 낮아진다. BST2 노드가 플로팅 상태에서, 제2 풀업 트랜지스터(Tpu2)의 소스전극의 전압 변화에 따라 BST2 노드의 전압은 제1 전압레벨(VL1)에서 제2 전압레벨(VL2)로 부트스트래핑(Bootstrapping) 되고, 제2 출력단(Nout2)은 턴-온 전압레벨의 제2 스캔신호(SCAN2(1))를 출력한다. BST2 노드가 부트스트래핑되는 제2 전압레벨(VL2)은 제2 풀업 트랜지스터(Tpu2)의 소스전극의 전압 변화량이 반영되기 때문에 “VGL-(VGH-VGL)”이 된다. 이와 같이, 저전위전압(VGL)의 제1 스캔2클럭(CLK1_SCAN2)이 인가되는 동안 제2 풀업 트랜지스터(Tpu2)의 게이트전극의 전압도 부트스트래핑되기 때문에, 제2 풀업 트랜지스터(Tpu2)의 Vgs는 턴-온 전압을 유지한다. During the initial period Ti, the first scan second clock CLK1_SCAN2 of the low potential voltage VGL is input to the second clock input terminal CLKP2. That is, the voltage level of the source electrode of the second pull-up transistor Tpu2 is lowered from the high potential voltage VGH to the low potential voltage VGL. In the floating state of the BST2 node, the voltage of the BST2 node is bootstrapping from the first voltage level VL1 to the second voltage level VL2 according to the voltage change of the source electrode of the second pull-up transistor Tpu2, The second output terminal Nout2 outputs a second scan signal SCAN2(1) having a turn-on voltage level. The second voltage level VL2 at which the BST2 node is bootstrapped is “VGL-(VGH-VGL)” because the voltage change amount of the source electrode of the second pull-up transistor Tpu2 is reflected. As such, since the voltage of the gate electrode of the second pull-up transistor Tpu2 is also bootstrapped while the first scan second clock CLK1_SCAN2 of the low potential voltage VGL is applied, Vgs of the second pull-up transistor Tpu2 is Maintain turn-on voltage.
제2 스캔신호(SCAN2(1))가 출력되는 동안 제2 노드제어 트랜지스터(Tb)는 턴-오프 상태를 유지하기 때문에, BST2 노드와 Q 노드는 전기적으로 연결되지 않는다. 그 결과, 제2 스캔신호(SCAN2(1))가 출력되는 동안에 BST2 노드가 부트스트래핑 된다고 할지라도, Q 노드의 전압이 BST2 노드에 따라 부트스트래핑되는 것이 방지된다. 따라서, Q 노드가 제2 전압레벨로 낮아짐으로써 Q 노드와 연결되는 트랜지스터들의 동작 신뢰성이 저하되는 것이 방지된다. Since the second node control transistor Tb maintains the turned-off state while the second scan signal SCAN2(1) is output, the BST2 node and the Q node are not electrically connected. As a result, even if the BST2 node is bootstrapped while the second scan signal SCAN2(1) is output, the voltage of the Q node is prevented from being bootstrapped according to the BST2 node. Accordingly, when the Q node is lowered to the second voltage level, the operational reliability of the transistors connected to the Q node is prevented from being deteriorated.
한편, 스타트신호(VST)가 인가되는 동안, 제4 트랜지스터(T4)는 턴-온되어서, QB 노드는 턴-오프전압인 고전위전압(VGH) 상태가 된다. 그 결과, 제1 및 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd1, Tpd2)가 안정적으로 턴-오프 상태를 유지한다. 이처럼 제4 및 제5 트랜지스터(T4,T5)는 제1 및 제2 풀다운 트랜지스터들(Tpd1, Tpd2)의 동작을 억제하여, 제1 및 제2 풀업 트랜지스터들(Tpu1, Tpu2)이 턴-온되는 동안에 제1 및 제2 출력단(Nout1,Nout2)이 안정적으로 스캔신호들(SCAN1(1), SCAN2(1))을 출력할 수 있도록 한다.Meanwhile, while the start signal VST is applied, the fourth transistor T4 is turned on, so that the QB node is in a high potential voltage VGH state, which is a turn-off voltage. As a result, the first and second pull-down transistors Tpd1 and Tpd2 stably maintain a turn-off state. As such, the fourth and fifth transistors T4 and T5 suppress the operations of the first and second pull-down transistors Tpd1 and Tpd2 so that the first and second pull-up transistors Tpu1 and Tpu2 are turned on. During the operation, the first and second output terminals Nout1 and Nout2 can stably output the scan signals SCAN1 ( 1 ) and SCAN2 ( 1 ).
샘플링 기간(Ts) 동안, 제1 클럭 입력단(CLKP1)에는 제1 스캔1클럭(CLK1_SCAN1)이 입력된다. BST2 노드가 부트스트래핑되는 원리와 마찬가지로 BST1 노드는 부트스트래핑되면서 제1 풀업 트랜지스터(Tpu1)는 턴-온 전압을 유지한다. 그리고 제1 클럭 입력단(CLKP1)에 인가되는 저전위전압(VGL)의 제1 스캔1클럭(CLK1_SCAN1)에 의해서 제1 출력단(Nout1)은 저전위전압(VGL)이 되어 턴-온 전압레벨의 제1 스캔신호(SCAN1(1))를 출력한다. 제1 스캔신호(SCAN1(1))가 출력되는 동안, 제1 노드제어 트랜지스터(Ta)는 턴-오프 상태를 유지하고, 그 결과 Q 노드가 부트스트래핑되는 것이 방지된다. During the sampling period Ts, the
발광기간(Te)이 시작할 때, 제1 스캔1클럭(CLK1_SCAN1) 및 제1 스캔2클럭(CLK1_SCAN2)은 고전위전압(VGH)이 되고, 그 결과 제1 및 제2 출력단(Nout1, Nout2)의 전압은 고전위전압(VGH)이 된다. 결과적으로 발광기간(Te) 동안에는, 샘플링 기간(Ts)이 시작할 때에 고전위전압(VGH)이 되는 제1 출력단(Nout1)과 함께 제2 출력단(Nout2) 또한 고전위전압(VGH)이 된다. When the light emission period Te starts, the first scan first clock CLK1_SCAN1 and the first scan second clock CLK1_SCAN2 become the high potential voltage VGH, and as a result, the first and second output terminals Nout1 and Nout2 The voltage becomes a high potential voltage (VGH). As a result, during the light emission period Te, the second output terminal Nout2 also becomes the high potential voltage VGH together with the first output terminal Nout1 which becomes the high potential voltage VGH when the sampling period Ts starts.
그리고 발광기간(Te)이 시작할 때, 리셋클럭 입력단(RP)에는 제3 스캔2클럭(CLK3_SCAN2)이 인가된다. 제3 스캔2클럭(CLK3_SCAN2)에 응답하여, 제2 트랜지스터(T2)는 저전위전압(VGL)을 QB 노드에 공급한다. 그 결과, 제3 트랜지스터(T3)는 턴-온되어 Q 노드를 고전위전압(VGH)으로 충전시킨다. 그리고 제1 및 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd1, Tpd2)는 턴-온되고, 제1 및 제2 출력단(Nout1, Nout2)은 안정적으로 고전위전압(VGH)을 유지한다. 또한, Q 노드가 고전위전압(VGH)이 되면서, BST1 노드 및 BST2 노드는 고전위전압(VGH)이 되고, 그 결과, 제1 및 제2 풀업 트랜지스터들(Tpu1,Tpu2)은 턴-오프 된다.And when the light emission period Te starts, the
이와 같이, 리셋클럭 입력단(RCLK)에 인가되는 제3 스캔2클럭(CLK3_SCAN2)에 의해서 제1 및 제2 출력단(Nout1, Nout2)은 턴-오프 전압을 안정적으로 유지할 수 있다. As described above, the turn-off voltages of the first and second output terminals Nout1 and Nout2 may be stably maintained by the third scan second clock CLK3_SCAN2 applied to the reset clock input terminal RCLK.
살펴본 바와 같이, 제1 스캔드라이버(SD1)는 제1 스캔신호(SCAN1(1)) 및 제2 스캔신호(SCAN2(1))를 생성한다. 그리고 제2 내지 제n 스캔 드라이버들(SD2~SDn)은 상술한 제1 스캔 드라이버(SD1)와 동일하게 동작하되, 동작 타이밍을 제어하는 클럭신호들이 달라진다. As described above, the first scan driver SD1 generates a first scan signal SCAN1(1) and a second scan signal SCAN2(1). In addition, the second to nth scan drivers SD2 to SDn operate in the same manner as the above-described first scan driver SD1 , but clock signals for controlling the operation timing are different.
각각의 스캔 드라이버들(SD1~SDn)에 인가되는 클럭들은 [표 2]와 같다. 즉, 제1 스캔신호(SCAN1(1))를 생성하기 위한 제1 스캔1클럭(CLK1_SCAN1) 내지 제4 스캔1클럭(CLK4_SCAN1)들은 제1 클럭 입력단(CLKP1)에 인가된다. 그리고 제2 스캔신호(SCAN2(1))를 생성하기 위한 제1 스캔2클럭(CLK1_SCAN2) 내지 제4 스캔2클럭(CLK4_SCAN2)들은 제2 클럭 입력단(CLKP2)에 인가된다.Clocks applied to each of the scan drivers SD1 to SDn are shown in [Table 2]. That is, the first scan1 clock CLK1_SCAN1 to the fourth scan1 clock CLK4_SCAN1 for generating the first scan signal SCAN1( 1 ) are applied to the first clock input terminal CLKP1 . In addition, the first scan second clock CLK1_SCAN2 to fourth scan second clock CLK4_SCAN2 for generating the second scan signal SCAN2( 1 ) are applied to the second clock input terminal CLKP2 .
그리고, i(i는 “n-2”보다 작은 자연수) 번째 스캔드라이버(SDi)에 인가되는 리셋클럭(RCLK)은, (i+2) 번째 스캔드라이버(SD(i+2))의 제2 클럭입력단에 인가되는 스캔2클럭과 동일하다.And, the reset clock RCLK applied to the i-th scan driver SDi (i is a natural number less than “n-2”) is the second of the (i+2)-th scan driver SD(i+2). It is the same as the
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양하게 변경 및 수정할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.Those skilled in the art through the above description will be able to make various changes and modifications without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
100: 표시패널 110: 타이밍 콘트롤러
120: 데이터 구동회로 130,140: 게이트 구동회로
EMD1~EMDn: 에미션 드라이버 SD1~SDn: 스캔 드라이버100: display panel 110: timing controller
120:
EMD1 to EMDn: Emission driver SD1 to SDn: Scan driver
Claims (11)
상기 픽셀들 각각에 연결되는 제1 및 제2 스캔라인에 스캔신호를 공급하는 시프트레지스터를 포함하고,
상기 시프트레지스터는 서로 종속적으로 접속되는 제1 내지 제n(n은 자연수) 스캔 드라이버를 포함하되,
제i(i는 "n-2" 이하의 자연수) 스캔 드라이버는
제i 픽셀라인의 픽셀들과 연결되는 상기 제1 스캔라인에 공급되는 제1 스캔신호; 및
상기 제i 픽셀라인의 픽셀들과 연결되는 상기 제2 스캔라인에 공급되는 제2 스캔신호를 생성하고,
스타트신호에 응답하여 Q 노드를 프리챠지하는 제1 트랜지스터;
상기 Q 노드가 프리챠지된 상태에서, 제1 클럭입력단으로부터 제공받는 클럭신호를 이용하여 제1 출력단을 통해서 상기 제1 스캔신호를 출력하는 제1 풀업 트랜지스터; 및
상기 Q 노드가 프리챠지된 상태에서, 제2 클럭입력단으로부터 제공받는 클럭신호를 이용하여 제2 출력단을 통해서 상기 제2 스캔신호를 출력하는 제2 풀업 트랜지스터를 포함하는 표시장치.
a display panel in which pixels are disposed on each of the first to nth pixel lines; and
a shift register for supplying scan signals to first and second scan lines connected to each of the pixels;
The shift register includes first to nth (n is a natural number) scan drivers that are dependently connected to each other,
The i-th (i is a natural number less than or equal to "n-2") scan driver
a first scan signal supplied to the first scan line connected to the pixels of the i-th pixel line; and
generating a second scan signal supplied to the second scan line connected to the pixels of the i-th pixel line;
a first transistor precharging the Q node in response to the start signal;
a first pull-up transistor configured to output the first scan signal through a first output terminal using a clock signal received from a first clock input terminal in a state in which the Q node is precharged; and
and a second pull-up transistor configured to output the second scan signal through a second output terminal using a clock signal provided from a second clock input terminal in a state in which the Q node is precharged.
상기 제1 풀업 트랜지스터의 게이트전극은 BST1 노드에 연결되고, 상기 제2 풀업 트랜지스터의 게이트전극은 BST2 노드에 연결되며,
상기 제i 스캔 드라이버는
저전위전압의 입력단에 연결되는 게이트전극, 상기 Q 노드에 연결되는 드레인전극, 및 상기 BST1 노드에 연결되는 소스전극으로 이루어지는 제1 노드제어 트랜지스터; 및
저전위전압의 입력단에 연결되는 게이트전극, 상기 Q 노드에 연결되는 드레인전극, 및 상기 BST2 노드에 연결되는 소스전극으로 이루어지는 제2 노드제어 트랜지스터를 더 포함하는 표시장치.
The method of claim 1,
a gate electrode of the first pull-up transistor is connected to a node BST1, a gate electrode of the second pull-up transistor is connected to a node BST2;
The i-th scan driver is
a first node control transistor comprising a gate electrode connected to an input terminal of a low potential voltage, a drain electrode connected to the Q node, and a source electrode connected to the BST1 node; and
The display device further comprising a second node control transistor comprising a gate electrode connected to an input terminal of a low potential voltage, a drain electrode connected to the Q node, and a source electrode connected to the BST2 node.
상기 BST1 노드는 상기 제1 트랜지스터가 턴-오프 됨에 따라 플로팅 상태가 되고, 상기 제1 클럭 입력단에 클럭신호가 인가될 때 부트스트래핑되며,
상기 BST2 노드는 상기 제1 트랜지스터가 턴-오프 됨에 따라 플로팅 상태가 되고, 상기 제2 클럭 입력단에 클럭신호가 인가될 때 부트스트래핑되는 표시장치.
4. The method of claim 3,
The BST1 node is in a floating state as the first transistor is turned off, and bootstrapped when a clock signal is applied to the first clock input terminal,
The BST2 node is in a floating state as the first transistor is turned off, and is bootstrapped when a clock signal is applied to the second clock input terminal.
상기 제1 클럭 입력단은 제1 내지 제4 스캔클럭 중에서 어느 하나의 스캔클럭을 입력받고,
상기 제2 클럭 입력단은 상기 제1 내지 제4 스캔클럭 중에서 어느 하나의 스캔클럭을 입력받되,
상기 제1 클럭 입력단이 입력받는 상기 스캔클럭과 상기 제2 클럭 입력단이 인가받는 상기 스캔클럭은 서로 1 수평기간의 위상차이를 갖는 표시장치.
5. The method of claim 4,
The first clock input terminal receives any one scan clock from among the first to fourth scan clocks,
The second clock input terminal receives any one scan clock from among the first to fourth scan clocks,
A display device having a phase difference between the scan clock input to the first clock input terminal and the scan clock clock input to the second clock input terminal by one horizontal period.
상기 Q 노드와 반대전위를 갖는 QB 노드에 연결되는 게이트전극, 고전위전압의 입력단에 연결되는 드레인전극, 및 상기 제1 출력단에 연결되는 소스전극을 포함하는 제1 풀다운 트랜지스터; 및
상기 QB 노드에 연결되는 게이트전극, 고전위전압의 입력단에 연결되는 드레인전극, 및 상기 제2 출력단에 연결되는 소스전극을 포함하는 제2 풀다운 트랜지스터;
리셋클럭 입력단에 연결되는 게이트전극, 상기 QB 노드에 연결되는 드레인전극, 및 상기 저전위전압 입력단에 연결되는 소스전극을 포함하는 제2 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 제i 스캔 드라이버에 인가되는 리셋클럭은, 제(i+2) 스캔 드라이버의 상기 제1 클럭입력단에 인가되는 상기 스캔클럭과 동일한 표시장치.
6. The method of claim 5,
a first pull-down transistor including a gate electrode connected to a QB node having a potential opposite to the Q node, a drain electrode connected to an input terminal of a high potential voltage, and a source electrode connected to the first output terminal; and
a second pull-down transistor including a gate electrode connected to the QB node, a drain electrode connected to an input terminal of a high potential voltage, and a source electrode connected to the second output terminal;
A second transistor comprising a gate electrode connected to a reset clock input terminal, a drain electrode connected to the QB node, and a source electrode connected to the low potential voltage input terminal;
The reset clock applied to the i-th scan driver is the same as the scan clock applied to the first clock input terminal of the (i+2)-th scan driver.
상기 제1 클럭입력단은 제1 내지 제4 스캔1클럭들 중에서 어느 하나의 스캔클럭을 입력받고,
상기 제2 클럭입력단은 제1 내지 제4 스캔2클럭들 중에서 어느 하나의 스캔클럭을 입력받되,
상기 제1 내지 제4 스캔1클럭들 각각의 펄스폭은 1수평기간이고,
상기 제1 내지 제4 스캔2클럭들 각각의 펄스폭은 2수평기간이되, 상기 제i 스캔 드라이버의 제2 클럭입력단에 인가되는 스캔2클럭은 상기 제i 스캔 드라이버의 제1 클럭입력단에 인가되는 스캔1클럭과 1수평기간 중첩되는 표시장치.
5. The method of claim 4,
The first clock input terminal receives any one scan clock from among the first to fourth scan 1 clocks,
The second clock input terminal receives any one scan clock from among the first to fourth scan 2 clocks,
A pulse width of each of the first to fourth scan 1 clocks is one horizontal period,
The pulse width of each of the first to fourth scan 2 clocks is 2 horizontal periods, and the scan 2 clock applied to the second clock input terminal of the i-th scan driver is applied to the first clock input terminal of the i-th scan driver. A display device that overlaps one scan clock and one horizontal period.
QB 노드에 연결되는 게이트전극, 고전위전압의 입력단에 연결되는 드레인전극, 및 상기 제1 출력단에 연결되는 소스전극을 포함하는 제1 풀다운 트랜지스터; 및
상기 QB 노드에 연결되는 게이트전극, 고전위전압의 입력단에 연결되는 드레인전극, 및 상기 제2 출력단에 연결되는 소스전극을 포함하는 제2 풀다운 트랜지스터;
리셋클럭 입력단에 연결되는 게이트전극, 상기 QB 노드에 연결되는 드레인전극, 및 상기 저전위전압 입력단에 연결되는 소스전극을 포함하는 제2 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 제i 스캔 드라이버에 인가되는 리셋클럭은, 제(i+2) 스캔 드라이버의 상기 제2 클럭입력단에 인가되는 상기 스캔2클럭과 동일한 표시장치.
8. The method of claim 7,
a first pull-down transistor including a gate electrode connected to the QB node, a drain electrode connected to an input terminal of a high potential voltage, and a source electrode connected to the first output terminal; and
a second pull-down transistor including a gate electrode connected to the QB node, a drain electrode connected to an input terminal of a high potential voltage, and a source electrode connected to the second output terminal;
A second transistor comprising a gate electrode connected to a reset clock input terminal, a drain electrode connected to the QB node, and a source electrode connected to the low potential voltage input terminal;
The reset clock applied to the i-th scan driver is the same as the scan-2 clock applied to the second clock input terminal of the (i+2)-th scan driver.
상기 스캔 드라이버들 각각은
스타트 신호에 응답하여, Q 노드를 프리챠지하는 제1 트랜지스터;
상기 Q 노드가 프리챠지될 때에 턴-온되어 BST1 노드 및 BST2 노드를 각각 프리챠지시키고, 소정 기간 경과 후에 턴-오프되어 상기 BST1 노드 및 BST2 노드를 각각 플로팅시키는 제1 및 제2 노드제어 트랜지스터;
제1 클럭 입력단에 인가되는 스캔클럭에 따라 상기 BST1 노드를 부트스트래핑 시키면서 상기 제1 스캔신호를 출력하는 제1 풀업 트랜지스터; 및
제2 클럭 입력단에 인가되는 스캔클럭에 따라 상기 BST2 노드를 부트스트래핑 시키면서 상기 제2 스캔신호를 출력하는 제2 풀업 트랜지스터를 포함하는 시프트레지스터.
A shift register comprising: a plurality of scan drivers for supplying a first scan signal and a second scan signal to first and second scan lines connected to each of the pixels, the plurality of scan drivers cascadingly connected to each other, the shift register comprising:
Each of the scan drivers
a first transistor to precharge the Q node in response to the start signal;
first and second node control transistors that are turned on when the Q node is precharged to precharge the BST1 node and the BST2 node, respectively, and are turned off after a predetermined period of time to float the BST1 node and the BST2 node, respectively;
a first pull-up transistor configured to output the first scan signal while bootstrapping the BST1 node according to a scan clock applied to a first clock input terminal; and
and a second pull-up transistor configured to output the second scan signal while bootstrapping the BST2 node according to a scan clock applied to a second clock input terminal.
상기 제1 트랜지스터가 턴-오프된 이후에 상기 Q 노드 및 상기 BST1 노드 및 BST2 노드들은 플로팅 상태가 되고,
상기 BST1 노드는 상기 제1 트랜지스터가 턴-오프 된 이후에 입력되는 스캔클럭에 따라 부트스트래핑되는 시프트레지스터.
10. The method of claim 9,
After the first transistor is turned off, the Q node and the BST1 node and the BST2 node are in a floating state,
The BST1 node is a shift register that is bootstrapped according to a scan clock input after the first transistor is turned off.
상기 제1 노드제어 트랜지스터는 상기 BST1 노드 및 상기 Q 노드 사이에 접속되고, 저전위전압의 입력단에 게이트전극이 연결되며,
상기 제2 노드제어 트랜지스터는 상기 BST2 노드 및 상기 Q 노드 사이에 접속되고, 저전위전압의 입력단에 게이트전극이 연결되며,
상기 제1 및 제2 노드제어 트랜지스터는 상기 Q 노드가 프리챠지되었을 때 턴-오프 되는 시프트레지스터.10. The method of claim 9,
the first node control transistor is connected between the BST1 node and the Q node, and a gate electrode is connected to an input terminal of a low potential voltage;
the second node control transistor is connected between the BST2 node and the Q node, and a gate electrode is connected to an input terminal of a low potential voltage;
The first and second node control transistors are shift registers that are turned off when the Q node is precharged.
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