KR102357431B1 - Apparatus For Analyzing Substrate Contamination And Method Thereof - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 233
- 238000011109 contamination Methods 0.000 title claims abstract description 119
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 109
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 claims abstract description 213
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 171
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 161
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 203
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 claims description 114
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 77
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 77
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 77
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 54
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 23
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 claims description 20
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 17
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 17
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 58
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 80
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 71
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 64
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 49
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 36
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 35
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 24
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 10
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 5
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- 238000010200 validation analysis Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 4
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 238000004457 water analysis Methods 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N Butyl carbitol 6-propylpiperonyl ether Chemical compound C1=C(CCC)C(COCCOCCOCCCC)=CC2=C1OCO2 FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
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Abstract
본 발명에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 분석 대상 기판에서 스캔 노즐을 이용하여 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하는 기판 오염물 분석 장치로서, 상기 샘플 용액이 로딩될 공간을 가진 샘플 튜브; 상기 샘플 튜브와 결합되며 상기 샘플 용액이 상기 샘플 튜브에 로딩되는 로드 포지션과 상기 로딩된 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 인젝션 포지션을 적어도 가지는 스위칭 밸브;를 포함하되, 상기 샘플 용액이 상기 샘플 튜브에 로딩됨에 있어서 상기 샘플 용액의 전·후에는 기체 구간을 포함하며, 상기 샘플 튜브에 설치되어 상기 기체 구간과 상기 샘플 용액을 구별하여 감지하는 감지 센서;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 샘플 용액이 샘플 튜브에 도착하는 것에 맞추어서 감지하여 로딩할 수 있으므로, 샘플 용액의 정확한 로딩이 가능하고 샘플 용액의 손실을 방지하며, 보다 적은 샘플 용액을 사용해도 되고 스캔 노즐로부터 샘플 튜브까지 고속으로 이동해도 되는 효과가 있다.A substrate contamination analysis apparatus according to the present invention is a substrate contamination analysis apparatus that transfers a sample solution scanned from a substrate to be analyzed using a scan nozzle through a flow path from the scan nozzle to the analyzer, and has a space in which the sample solution is to be loaded. sample tube; a switching valve coupled to the sample tube and having at least a rod position at which the sample solution is loaded into the sample tube and an injection position for injecting the loaded sample solution toward the analyzer; It is characterized in that it further comprises; a detection sensor that includes a gas section before and after the sample solution and is installed in the sample tube to distinguish and detect the gas section and the sample solution when loaded in the sample solution.
According to the present invention, since the sample solution can be detected and loaded according to the arrival of the sample tube, accurate loading of the sample solution is possible and loss of the sample solution is prevented, and less sample solution can be used and the sample tube from the scan nozzle It has the effect of being able to move at high speed.
Description
본 발명은 In-Line으로 금속원자등의 오염물을 분석할 수 있는 기판 오염물 분석 장치 및 기판 오염물 분석 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate contaminant analysis apparatus and a substrate contaminant analysis method capable of analyzing contaminants such as metal atoms in-line.
종래 반도체 웨이퍼에 대한 오염물 분석 장치로서, 대한민국 등록 특허 제3833264호(2003. 5. 9. 공고)가 공지되어 있으며, 상기 오염물 분석 장치에서는 웨이퍼 표면에 흡착된 금속성 오염원을 분석하기 위해 웨이퍼 표면을 자동으로 스캐닝하여 오염물을 포집하는 장치 구조 등이 개시되어 있다.As a conventional contaminant analysis apparatus for semiconductor wafers, Korean Patent No. 3833264 (notice on May 9, 2003) is known, and the contaminant analysis apparatus automatically analyzes the surface of the wafer in order to analyze the metallic contamination source adsorbed on the wafer surface. A device structure for collecting contaminants by scanning with a
그런데, 상기한 기판 오염물 분석 장치에서는 스캔한 샘플을 샘플링컵에 담아서 작업자가 이를 분석기로 가져가 분석해야 하므로, 작업자의 수시 확인 및 작업 시간이 필요하고 이동 과정에서의 오염 및 안전성 문제가 있으며 실시간 또는 신속한 분석에 장애 요인이 된다.However, in the above-described substrate contaminant analysis device, the operator puts the scanned sample in a sampling cup and takes it to the analyzer for analysis. impediments to rapid analysis.
또한, 종래의 오염물 분석 장치 및 방법에서는 스캔 및 에칭 등에 필요한 약액 제조상의 불편 및 오염물 제어 문제, 분석기의 캘리브레이션 문제 및 사용중 감도 저하 문제 등이 있으며, 분석을 위해 사용한 모니터 웨이퍼를 폐기해야 하는 문제 등이 있다. In addition, in the conventional apparatus and method for analyzing contaminants, there are inconveniences in manufacturing chemical solutions necessary for scanning and etching, contaminant control problems, calibration problems of the analyzer, and a decrease in sensitivity during use, and the problem of having to discard the monitor wafer used for analysis. have.
상기한 종래 기술의 문제점 및 과제에 대한 인식은 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이 아니므로 이러한 인식을 기반으로 선행기술들과 대비한 본 발명의 진보성을 판단하여서는 아니됨을 밝혀둔다.The recognition of the problems and problems of the prior art is not obvious to those of ordinary skill in the technical field of the present invention, so the inventive step of the present invention in comparison with the prior art should not be judged based on this recognition. make it clear
본 발명의 목적은 상기한 종래 기술의 문제점을 적어도 하나 이상 해결하는 기판 오염물 분석 장치 및 분석 방법을 제공하기 위한 것으로서,It is an object of the present invention to provide an apparatus and method for analyzing substrate contaminants that solve at least one or more of the problems of the prior art,
본 발명의 목적은 작업자의 수작업이 필요 없고 이동 과정에서의 오염 및 안전성 문제를 해결하며 실시간 또는 신속한 분석이 가능한 기판 오염물 분석 장치 및 분석 방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method for analyzing substrate contaminants that do not require manual work by workers, solve contamination and safety problems in the moving process, and enable real-time or rapid analysis.
또한, 본 발명의 목적은 약액 제조상의 불편 및 오염물 제어 문제, 분석기의 캘리브레이션 문제 및 사용중 감도 저하 문제 등을 해결한 기판 오염물 분석 장치 및 분석 방법을 제공하기 위한 것이다. Another object of the present invention is to provide an apparatus and method for analyzing substrate contamination, which solves the inconvenience of manufacturing a chemical solution, contamination control problem, analyzer calibration problem, and sensitivity degradation problem during use.
또한, 본 발명의 목적은 분석을 위해 사용한 모니터 웨이퍼를 재활용할 수 있는 기판 오염물 분석 장치 및 분석 방법을 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate contaminant analysis apparatus and an analysis method capable of recycling a monitor wafer used for analysis.
또한, 본 발명의 목적은 In-Line으로 자동 분석할 수 있는 기판 오염물 분석 장치 및 분석 방법을 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method for analyzing substrate contaminants that can be automatically analyzed in-line.
본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems to be achieved in the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the description below. will be able
본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 분석 대상 기판에서 스캔 노즐을 이용하여 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하는 기판 오염물 분석 장치로서,A substrate contamination analysis apparatus according to an aspect of the present invention is a substrate contamination analysis apparatus for transferring a sample solution scanned from a substrate to be analyzed using a scan nozzle through a flow path from the scan nozzle to the analyzer,
상기 샘플 용액이 로딩될 공간을 가진 샘플 튜브; 상기 샘플 튜브와 결합되며 상기 샘플 용액이 상기 샘플 튜브에 로딩되는 로드 포지션과 상기 로딩된 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 인젝션 포지션을 적어도 가지는 스위칭 밸브;를 포함하되, 상기 샘플 용액이 상기 샘플 튜브에 로딩됨에 있어서 상기 샘플 용액의 전·후에는 기체 구간을 포함하며, 상기 샘플 튜브에 설치되어 상기 기체 구간과 상기 샘플 용액을 구별하여 감지하는 감지 센서;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.a sample tube having a space into which the sample solution is to be loaded; a switching valve coupled to the sample tube and having at least a rod position at which the sample solution is loaded into the sample tube and an injection position for injecting the loaded sample solution toward the analyzer; It is characterized in that it further comprises; a detection sensor that includes a gas section before and after the sample solution and is installed in the sample tube to distinguish and detect the gas section and the sample solution when loaded in the sample solution.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 감지 센서는 액체 감지 센서인 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contaminant analysis apparatus, the detection sensor is a liquid detection sensor.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 액체 감지 센서는 광센서 또는 근접센서인 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contaminant analysis apparatus, the liquid detection sensor is an optical sensor or a proximity sensor.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 로드 포지션에서 상기 감지 센서가 기체 및 액체의 순서로 감지하면 상기 샘플 용액이 상기 스캔 노즐로부터 상기 샘플 튜브에 도착하는 것으로 판단하는 것을 특징으로 한다.In the above-described apparatus for analyzing substrate contaminants, when the detection sensor senses gas and liquid in the order of the load position, it is determined that the sample solution arrives at the sample tube from the scan nozzle.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 인젝션 포지션에서 상기 감지 센서가 액체 및 기체의 순서로 감지하면 상기 샘플 용액이 상기 분석기쪽으로 이동하는 것으로 판단하는 것을 특징으로 한다.In the above-described apparatus for analyzing substrate contaminants, when the detection sensor detects a liquid and a gas in the order of the injection position, it is determined that the sample solution moves toward the analyzer.
본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 분석 대상 기판에서 스캔 노즐을 이용하여 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하는 기판 오염물 분석 장치로서,A substrate contamination analysis apparatus according to an aspect of the present invention is a substrate contamination analysis apparatus for transferring a sample solution scanned from a substrate to be analyzed using a scan nozzle through a flow path from the scan nozzle to the analyzer,
상기 샘플 용액이 로딩될 공간을 가진 샘플 튜브; 상기 샘플 튜브와 결합되며 상기 샘플 용액이 상기 샘플 튜브에 로딩되는 로드 포지션과 상기 로딩된 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 인젝션 포지션을 적어도 가지는 스위칭 밸브;를 포함하되, 상기 인젝션 포지션에서 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 것과 병행하여, 적어도 상기 스캔 노즐부터 상기 스위칭 밸브까지의 유로를 세정하는 것을 특징으로 한다.a sample tube having a space into which the sample solution is to be loaded; a switching valve coupled to the sample tube and having at least a rod position at which the sample solution is loaded into the sample tube and an injection position for injecting the loaded sample solution toward the analyzer; In parallel with injecting into the analyzer, at least the flow path from the scan nozzle to the switching valve is cleaned.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 샘플 용액을 상기 샘플 튜브에 로딩하기 위하여 사용되는 제 1 정량 펌프와 상기 세정을 위하여 사용되는 제 1 펌프를 포함하되, 상기 제 1 정량 펌프와 상기 제 1 펌프는 상기 스위칭 밸브의 동일 포트에 연결되며, 상기 제 1 펌프는 상기 제 1 정량 펌프보다 용량이 큰 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contaminant analysis apparatus, comprising: a first metering pump used to load the sample solution into the sample tube and a first pump used for cleaning, the first metering pump and the first pump is connected to the same port of the switching valve, and the first pump has a larger capacity than the first metering pump.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 인젝션 포지션일 때 상기 로딩된 샘플 용액을 초순수로써 상기 분석기쪽으로 밀어주는 제 2 정량 펌프;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contaminant analysis apparatus, a second metering pump that pushes the loaded sample solution toward the analyzer as ultrapure water when it is in the injection position; characterized in that it further comprises.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 샘플 튜브은 샘플 루프인 것을 특징으로 한다.In the above-described apparatus for analyzing substrate contamination, the sample tube is a sample loop.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 스위칭 밸브는 6 포트 인젝션 밸브인 것을 특징으로 한다.In the above-described apparatus for analyzing substrate contamination, the switching valve is a 6-port injection valve.
본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 방법은, 분석 대상 기판에서 스캔 노즐을 이용하여 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하는 기판 오염물 분석 장치에서 실행되는 기판 오염물 분석 방법으로서,A substrate contamination analysis method according to an aspect of the present invention is a substrate contamination analysis method executed in a substrate contamination analysis apparatus that transfers a sample solution scanned from a substrate to be analyzed using a scan nozzle through a flow path from the scan nozzle to the analyzer. ,
상기 스캔한 샘플 용액을 상기 유로의 중간에 위치하는 샘플 튜브에 로딩하는 제 1 단계; 및 상기 샘플 튜브에 로딩된 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 제 2 단계;를 포함하되, 상기 샘플 용액의 전·후에는 기체 구간을 포함하며, 상기 제 1 단계 또는 상기 제 2 단계에 있어서, 상기 샘플 튜브에 설치되고 상기 기체 구간과 상기 샘플 용액을 구별하여 감지하는 감지 센서를 이용하여 상기 샘플 용액의 도착 또는 이동을 감지하는 것을 특징으로 한다.a first step of loading the scanned sample solution into a sample tube located in the middle of the flow path; and a second step of injecting the sample solution loaded into the sample tube towards the analyzer, including, but not limited to, a gas section before and after the sample solution, and in the first step or the second step, the It is characterized in that the arrival or movement of the sample solution is sensed using a detection sensor installed in the sample tube and detecting the gas section and the sample solution by distinguishing them.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 감지 센서는 액체 감지 센서인 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contaminant analysis method, the detection sensor is a liquid detection sensor.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 액체 감지 센서는 광센서 또는 근접센서인 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contaminant analysis method, the liquid detection sensor is an optical sensor or a proximity sensor.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 1 단계에서 상기 감지 센서가 기체 및 액체의 순서로 감지하면 상기 샘플 용액이 상기 스캔 노즐로부터 상기 샘플 튜브에 도착하는 것으로 판단하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contaminant analysis method, in the first step, when the detection sensor detects a gas and a liquid in order, it is determined that the sample solution arrives at the sample tube from the scan nozzle.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 1 단계에서 상기 감지 센서가 액체를 감지하지 못하면 상기 샘플 용액의 손실이 있는 것으로 판단하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contaminant analysis method, when the detection sensor does not detect the liquid in the first step, it is determined that the sample solution is lost.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 2 단계에서 상기 감지 센서가 액체 및 기체의 순서로 감지하면 상기 샘플 용액이 상기 분석기쪽으로 이동하는 것으로 판단하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contaminant analysis method, in the second step, when the detection sensor detects a liquid and a gas in the order, it is determined that the sample solution moves toward the analyzer.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 2 단계에서 상기 감지 센서가 액체로부터 기체로 바뀌는 것을 감지하지 못하면 이상이 있는 것으로 판단하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contaminant analysis method, when the detection sensor does not detect a change from liquid to gas in the second step, it is determined that there is an abnormality.
본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 방법은, 분석 대상 기판에서 스캔 노즐을 이용하여 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하는 기판 오염물 분석 장치에서 실행되는 기판 오염물 분석 방법으로서,A substrate contamination analysis method according to an aspect of the present invention is a substrate contamination analysis method executed in a substrate contamination analysis apparatus that transfers a sample solution scanned from a substrate to be analyzed using a scan nozzle through a flow path from the scan nozzle to the analyzer. ,
상기 스캔한 샘플 용액을 상기 유로의 중간에 위치하는 샘플 튜브에 로딩하는 제 1 단계; 및 상기 샘플 튜브에 로딩된 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 제 2 단계;를 포함하되, 상기 제 2 단계와 병행하여, 적어도 상기 스캔 노즐부터 상기 샘플 튜브의 앞까지의 구간을 포함하여 세정하는 것을 특징으로 한다.a first step of loading the scanned sample solution into a sample tube located in the middle of the flow path; and a second step of injecting the sample solution loaded into the sample tube toward the analyzer. In parallel with the second step, cleaning including at least a section from the scan nozzle to the front of the sample tube characterized.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 세정은 세정 용액 용기에 상기 스캔 노즐을 넣은 후 펌프를 이용하여 흡입함으로써 수행되는 것을 특징으로 한다.In the above-described method for analyzing substrate contamination, the cleaning is performed by inserting the scan nozzle into a cleaning solution container and then sucking it using a pump.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 세정후 상기 제 1 단계가 다시 수행되기 전, 적어도 상기 스캔 노즐부터 상기 샘플 튜브의 앞까지의 구간을 포함하는 유로에 공기 또는 가스를 채우는 것을 특징으로 한다.In the above-described method for analyzing substrate contamination, after the cleaning, before the first step is performed again, air or gas is filled in a flow path including at least a section from the scan nozzle to the front of the sample tube.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 1 단계에서의 로딩과 상기 세정에서는 서로 다른 펌프가 사용되며 상기 세정에서 흡입 속도가 더 큰 펌프가 이용되는 것을 특징으로 한다.In the above-described method for analyzing substrate contamination, different pumps are used in the loading and cleaning in the first step, and a pump having a larger suction speed is used in the cleaning.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 2 단계에서 상기 로딩된 샘플 용액을 초순수로써 상기 분석기쪽으로 밀어주는 제 2 정량 펌프가 이용되는 것을 특징으로 한다.In the above-described method for analyzing substrate contamination, a second metering pump that pushes the loaded sample solution toward the analyzer as ultrapure water in the second step is used.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 샘플 튜브은 샘플 루프인 것을 특징으로 한다.In the above-described method for analyzing substrate contamination, the sample tube is a sample loop.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 샘플 튜브와 결합되며 상기 샘플 용액이 상기 샘플 튜브에 로딩되는 로드 포지션과 상기 로딩된 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 인젝션 포지션을 적어도 가지는 스위칭 밸브가 이용되는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analysis method, a switching valve coupled to the sample tube and having at least a rod position at which the sample solution is loaded into the sample tube and an injection position for injecting the loaded sample solution toward the analyzer is used. characterized in that
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 스위칭 밸브는 6 포트 인젝션 밸브인 것을 특징으로 한다.In the above-described method for analyzing substrate contamination, the switching valve is a 6-port injection valve.
본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 분석 대상 기판에서 노즐을 이용하여 흡입한 샘플 용액을 상기 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하는 기판 오염물 분석 장치로서,A substrate contamination analysis device according to an aspect of the present invention is a substrate contamination analysis device for transferring a sample solution sucked from a substrate to be analyzed using a nozzle through a flow path from the nozzle to the analyzer,
상기 샘플 용액이 이송되는 상기 유로의 중간에 T자관을 이용하여 결합되어 상기 유로에 캘리브레이션을 위한 표준 용액을 도입할 수 있는 표준 용액 도입부;를 포함하되, 상기 표준 용액 도입부는, 상기 표준 용액이 로딩될 공간을 가진 샘플 튜브; 및 상기 샘플 튜브와 결합되며 상기 표준 용액이 상기 샘플 튜브에 로딩되는 로드 포지션과 상기 로딩된 상기 표준 용액을 상기 T자관 쪽으로 인젝션하는 인젝션 포지션을 적어도 가지는 스위칭 밸브;를 포함하는 것을 특징으로 한다.A standard solution introduction part that is coupled using a T-tube in the middle of the flow path to which the sample solution is transferred and can introduce a standard solution for calibration into the flow path; including, wherein the standard solution introduction part is loaded with the standard solution sample tube with space to be; and a switching valve coupled to the sample tube and having at least a rod position at which the standard solution is loaded into the sample tube and an injection position for injecting the loaded standard solution toward the T-tube.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 로드 포지션에서는 정해진 시간마다 또는 캘리브레이션을 하기 전 상기 표준 용액을 흘려서 버리는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contaminant analysis apparatus, in the load position, the standard solution is drained every predetermined time or before calibration.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 인젝션 포지션에서 정량 펌프를 이용하여 상기 로딩된 표준 용액을 초순수로써 밀어주는 것을 특징으로 한다.In the above-described apparatus for analyzing substrate contaminants, it is characterized in that the loaded standard solution is pushed as ultrapure water using a metering pump at the injection position.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 적어도 상기 샘플 용액이 상기 T자관을 통과하여 이송될 때, 적어도 상기 T자관부터 상기 스위칭 밸브 사이의 유로에는 상기 초순수로 채워져 있는 것을 특징으로 한다.In the above-described apparatus for analyzing substrate contamination, at least when the sample solution is transferred through the T-tube, at least a flow path between the T-tube and the switching valve is filled with the ultrapure water.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 샘플 튜브은 샘플 루프인 것을 특징으로 한다.In the above-described apparatus for analyzing substrate contamination, the sample tube is a sample loop.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 스위칭 밸브는 6 포트 인젝션 밸브인 것을 특징으로 한다.In the above-described apparatus for analyzing substrate contamination, the switching valve is a 6-port injection valve.
본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 분석 대상 기판에서 노즐을 이용하여 흡입한 샘플 용액을 상기 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하는 기판 오염물 분석 장치로서,A substrate contamination analysis device according to an aspect of the present invention is a substrate contamination analysis device for transferring a sample solution sucked from a substrate to be analyzed using a nozzle through a flow path from the nozzle to the analyzer,
상기 샘플 용액을 로딩한 다음 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 샘플 용액 도입부; 및 상기 샘플 용액 도입부와 상기 분석기 사이의 유로에 T자관을 이용하여 결합되어 캘리브레이션을 위한 표준 용액을 도입할 수 있는 표준 용액 도입부;를 포함하며, 상기 샘플 용액 도입부는 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션할 때 초순수로써 상기 샘플 용액을 밀어주는 초순수 캐리어부를 포함하되, 캘리브레이션을 위하여 상기 표준 용액을 희석할 때에도 상기 초순수 캐리어부를 공통 이용하는 것을 특징으로 한다.a sample solution introduction unit for loading the sample solution and then injecting the sample solution toward the analyzer; and a standard solution introduction unit coupled to the flow path between the sample solution introduction unit and the analyzer using a T-tube to introduce a standard solution for calibration, wherein the sample solution introduction unit injects the sample solution toward the analyzer It includes an ultrapure water carrier that pushes the sample solution with ultrapure water when doing, and it is characterized in that the ultrapure water carrier portion is commonly used even when diluting the standard solution for calibration.
본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 분석 대상 기판에서 노즐을 이용하여 흡입한 샘플 용액을 상기 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하는 기판 오염물 분석 장치로서, 상기 샘플 용액을 로딩한 다음 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 샘플 용액 도입부; 및 상기 샘플 용액 도입부와 상기 분석기 사이의 유로에 T자관을 이용하여 결합되어 캘리브레이션을 위한 표준 용액을 도입할 수 있는 표준 용액 도입부;를 포함하며, 상기 표준 용액으로써 상기 분석기에 대한 캘리브레이션을 수행할 때 상기 샘플 용액 도입부는 상기 샘플 용액 대신 스캔 용액을 도입하여 상기 표준 용액을 희석하는 것을 특징으로 한다.A substrate contamination analysis device according to an aspect of the present invention is a substrate contamination analysis device that transfers a sample solution sucked from a substrate to be analyzed using a nozzle through a flow path from the nozzle to the analyzer, and after loading the sample solution, the a sample solution inlet for injecting the sample solution toward the analyzer; and a standard solution introduction unit coupled to the flow path between the sample solution introduction unit and the analyzer using a T-tube to introduce a standard solution for calibration; The sample solution introduction unit is characterized in that the standard solution is diluted by introducing a scan solution instead of the sample solution.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 표준 용액 도입부는, 상기 표준 용액이 로딩될 공간을 가진 샘플 튜브; 상기 샘플 튜브와 결합되는 제 1 포트 및 제 4 포트, 상기 표준용액이 공급되는 유로에 결합되는 제 3 포트, 상기 표준 용액을 흡입하는 흡입 펌프에 결합되는 제 2 포트, 상기 T자관에 연결되는 제 5 포트, 상기 표준 용액을 밀어주는 초순수가 공급되는 제 6 포트를 포함하는 스위칭 밸브;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the above-described apparatus for analyzing substrate contamination, the standard solution introduction unit includes: a sample tube having a space in which the standard solution is to be loaded; A first port and a fourth port coupled to the sample tube, a third port coupled to a flow path to which the standard solution is supplied, a second port coupled to a suction pump for sucking the standard solution, a second port coupled to the T-tube 5 port, a switching valve including a sixth port to which ultrapure water for pushing the standard solution is supplied; characterized in that it comprises a.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 표준 용액을 로딩할 때에는 상기 제 1 포트 및 상기 제 2 포트 사이, 상기 제 3 포트 및 상기 제 4 포트 사이, 및 상기 제 5 포트 및 제 6 포트 사이가 연결되며, 상기 표준 용액을 인젝션할 때에는 상기 제 6 포트 및 상기 제 1 포트 사이, 상기 제 2 포트 및 상기 제 3 포트 사이, 및 상기 제 4 포트 및 제 5 포트 사이가 연결되는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contaminant analysis apparatus, when the standard solution is loaded, connections are made between the first port and the second port, between the third port and the fourth port, and between the fifth port and the sixth port. and, when injecting the standard solution, between the sixth port and the first port, between the second port and the third port, and between the fourth port and the fifth port are connected.
본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 방법은, 분석 대상 기판에서 스캔 용액을 사용하여 스캔한 샘플 용액을 분석기로 이송하여 분석하는 기판 오염물 분석 장치에서 실행되는 기판 오염물 분석 방법으로서,A substrate contamination analysis method according to an aspect of the present invention is a substrate contamination analysis method executed in a substrate contamination analysis apparatus that transfers a sample solution scanned using a scanning solution on a substrate to be analyzed to an analyzer, and analyzes,
상기 분석기를 캘리브레이션하는 과정은, 적어도 한가지 이상의 표준 용액에 대하여 상기 초순수로써 상기 표준 용액을 실시간 희석하면서 상기 분석기로 이송하여 분석하는 제 1 단계; 상기 스캔을 위하여 사용되는 스캔 용액을 상기 분석기로 이송하여 분석하는 제 2 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The process of calibrating the analyzer includes: a first step of transferring and analyzing at least one standard solution to the analyzer while diluting the standard solution with the ultrapure water in real time; and a second step of transferring the scan solution used for the scan to the analyzer for analysis.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 2 단계에서 스캔 용액에 대한 분석 결과, 극미량 농도 설정값보다 낮으면, 상기 제 1 단계의 분석 결과를 그대로 상기 샘플 용액을 분석하데 이용하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analysis method, if the analysis result of the scan solution in the second step is lower than the trace concentration set value, the analysis result of the first step is used to analyze the sample solution as it is.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 1 단계의 분석 결과는 상기 제 2 단계의 분석 결과에 의해서 보정되어 상기 샘플 용액을 분석하데 이용되는 것을 특징으로 한다.In the above-described method for analyzing substrate contaminants, the analysis result of the first step is corrected by the analysis result of the second step and is used to analyze the sample solution.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 1 단계는 복수의 서로 다른 희석 농도에서 실행되어 캘리브레이션 커브를 획득하는 데 이용되는 것을 특징으로 한다.In the above method for analyzing substrate contamination, the first step is performed at a plurality of different dilution concentrations and is used to obtain a calibration curve.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 2 단계의 분석 결과에 의해서 상기 캘리브레이션 커브를 보정하는 것을 특징으로 한다.In the above-described method for analyzing substrate contamination, the calibration curve is corrected according to the analysis result of the second step.
상기 샘플 용액을 분석함에 있어서, 상기 샘플 용액의 농도에서 상기 제 2 단계의 분석 결과에 따른 스캔 용액의 농도를 빼주는 것을 특징으로 한다.In analyzing the sample solution, the concentration of the scan solution according to the analysis result of the second step is subtracted from the concentration of the sample solution.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 1 단계에서의 실시간 희석을 위하여 상기 초순수 및 상기 표준 용액은 각각 서로 다른 샘플 튜브에 로딩된 후 서로 다른 2개의 정량 펌프에 의해서 동시에 인젝션되어 T자관에서 혼합되는 것을 특징으로 한다.In the above-described method for analyzing substrate contamination, for real-time dilution in the first step, the ultrapure water and the standard solution are loaded into different sample tubes, respectively, and are simultaneously injected by two different metering pumps and mixed in a T-tube. characterized by being
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 초순수 및 상기 표준 용액의 희석비는 상기 서로 다른 2개의 정량 펌프의 토출 유량에 의해서 결정되는 것을 특징으로 한다.In the above-described method for analyzing substrate contamination, the dilution ratio of the ultrapure water and the standard solution is determined by the discharge flow rates of the two different metering pumps.
본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 방법은, 분석 대상 기판에서 스캔 용액을 사용하여 스캔한 샘플 용액을 분석기로 이송하여 분석하는 기판 오염물 분석 장치에서 실행되는 기판 오염물 분석 방법으로서,A substrate contamination analysis method according to an aspect of the present invention is a substrate contamination analysis method executed in a substrate contamination analysis apparatus that transfers a sample solution scanned using a scanning solution on a substrate to be analyzed to an analyzer, and analyzes,
표준 용액에 대하여 복수의 서로 다른 희석 농도에서 상기 분석기로 분석하여 캘리브레이션 커브를 획득하고 상기 획득된 캘리브레이션 커브를 이용하여 일련의 상기 샘플 용액을 분석하되, 상기 표준 용액을 상기 분석기로 측정하여 측정된 농도값이 설정 범위 이내인지를 판단하여 감도를 체크하는 감도 체크 단계를 설정된 주기 또는 설정된 시간에 자동으로 실행하는 것을 특징으로 한다.A calibration curve is obtained by analysis with the analyzer at a plurality of different dilution concentrations for a standard solution, and a series of the sample solutions are analyzed using the obtained calibration curve, wherein the concentration measured by measuring the standard solution with the analyzer It is characterized in that the sensitivity check step of checking the sensitivity by determining whether the value is within the set range is automatically executed at a set period or at a set time.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 감도 체크 단계에서 특정된 농도값이 설정 범위를 벗어나는 경우, 상기한 캘리브레이션 커브를 획득하는 과정을 다시 수행하는 것을 특징으로 한다.In the above-described method for analyzing substrate contaminants, when the concentration value specified in the sensitivity check step is out of a set range, the process of acquiring the calibration curve is performed again.
본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 방법은, 분석 대상 기판에서 스캔 노즐을 이용하여 스캔한 샘플 용액을 분석기로 이송하여 분석하는 기판 오염물 분석 장치에서 실행되는 기판 오염물 분석 방법으로서,A substrate contamination analysis method according to an aspect of the present invention is a substrate contamination analysis method executed in a substrate contamination analysis apparatus for transferring a sample solution scanned using a scan nozzle on a substrate to be analyzed to an analyzer, and analyzing it,
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 샘플 용액을 분석하고 나서 상기 스캔 노즐부터 상기 분석기까지의 유로를 세정한 후, 초순수를 상기 분석기로 이송하여 측정하고 측정된 농도값이 설정 범위 이내인지를 판단함으로써, 상기 샘플 용액의 이송에 따른 오염 여부를 검증하는 자기 검증 단계를 자동 실행하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analysis method, after analyzing the sample solution, the flow path from the scan nozzle to the analyzer is cleaned, then ultrapure water is transferred to the analyzer for measurement, and it is determined whether the measured concentration value is within a set range By doing so, it is characterized in that the self-verification step of verifying the contamination according to the transfer of the sample solution is automatically executed.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 자기 검증 단계는, 상기 이송된 샘플 용액이 설정된 농도값 이상의 고농도이었던 경우에 실행되는 것을 특징으로 한다.In the above-described method for analyzing substrate contamination, the self-verification step is performed when the transferred sample solution has a high concentration greater than or equal to a set concentration value.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 자기 검증 단계의 실행 결과, 설정된 범위를 정해진 횟수만큼 벗어나는 경우 알람을 발생시키는 것을 특징으로 한다.In the above-described method for analyzing substrate contamination, an alarm is generated when, as a result of the execution of the self-verification step, a set range is deviated by a predetermined number of times.
본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 반도체 제조 공정 중에 있는 모니터 웨이퍼를 도입받아 기상분해한 후 스캔 노즐을 이용하여 상기 모니터 웨이퍼를 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하여 상기 분석기로써 분석하는 기판 오염물 분석 장치로서,A substrate contaminant analysis apparatus according to an aspect of the present invention receives a monitor wafer in a semiconductor manufacturing process, decomposes it in gas phase, and then uses a scan nozzle to scan the monitor wafer through a flow path from the scan nozzle to the analyzer. As a substrate contaminant analysis device that transports and analyzes with the analyzer,
상기 스캔이 종료된 상기 모니터 웨이퍼를 재활용하기 위하여, 적어도 산 계열 또는 염기 계열의 케미컬을 포함하는 용액으로 처리하는 리사이클링 유닛;를 포함하는 것을 특징으로 한다.and a recycling unit that processes the monitor wafer with a solution containing at least an acid-based or base-based chemical in order to recycle the monitor wafer on which the scan has been completed.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 산 계열의 케미컬은 불산 및 과산화수소를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contaminant analysis apparatus, the acid-based chemical is characterized in that it includes hydrofluoric acid and hydrogen peroxide.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 염기 계열의 케미컬은 수산화암노늄 및 과산화수소를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contaminant analysis apparatus, the base-based chemical is characterized in that it includes ammonium hydroxide and hydrogen peroxide.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 리사이클링 유닛은, 상기 용액을 상기 더미 웨이퍼의 상부면로 분사하는 상부 노즐; 및 상기 용액을 상기 더미 웨이퍼의 하부면으로 분사하는 하부 노즐;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the above-described apparatus for analyzing substrate contamination, the recycling unit may include: an upper nozzle for spraying the solution onto an upper surface of the dummy wafer; and a lower nozzle for spraying the solution onto a lower surface of the dummy wafer.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 리사이클링 유닛은 챔버를 포함하며, 상기 챔버의 내측 바닥은 일측으로 경사진 구조인 것을 특징으로 한다.In the above-described apparatus for analyzing substrate contamination, the recycling unit includes a chamber, and an inner bottom of the chamber is characterized in that it has a structure inclined to one side.
본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 방법은, 반도체 제조 공정 중에 있는 모니터 웨이퍼를 도입받아 기상분해한 후 스캔 노즐을 이용하여 상기 모니터 웨이퍼를 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하여 상기 분석기로써 분석하는 기판 오염물 분석 장치에서 실행되는 기판 오염물 분석 방법으로서,In the method for analyzing substrate contaminants according to an aspect of the present invention, a monitor wafer in a semiconductor manufacturing process is introduced and vapor phase decomposed, and then a sample solution from which the monitor wafer is scanned using a scan nozzle is passed through a flow path from the scan nozzle to the analyzer. As a substrate contamination analysis method carried out in a substrate contamination analysis device that transports and analyzes with the analyzer,
상기 스캔이 종료된 상기 모니터 웨이퍼를 재활용하기 위하여, 챔버에서 적어도 산 계열 또는 염기 계열의 케미컬을 포함하는 용액으로 처리하는 리사이클링 처리 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.and a recycling treatment step of treating the monitor wafer with a solution containing at least an acid-based or base-based chemical in a chamber in order to recycle the monitor wafer after the scan has been completed.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 리사이클링 처리 단계는,In the above-described substrate contaminant analysis method, the recycling treatment step,
상기 모니터 웨이퍼의 양면에 대하여 상기 용액을 분사하여 실행되는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that it is carried out by spraying the solution on both sides of the monitor wafer.
본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 분석 대상 기판을 도입받아 기상분해한 후 스캔 용액을 이용하여 상기 분석 대상 기판을 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통해 이송하여 상기 분석기로써 분석하는 기판 오염물 분석 장치로서,In an apparatus for analyzing substrate contaminants according to an aspect of the present invention, after receiving a substrate to be analyzed and decomposing it in a gas phase, a sample solution obtained by scanning the substrate to be analyzed using a scan solution is transferred from the scan nozzle to the analyzer through a flow path. A substrate contaminant analysis device for analysis with an analyzer, comprising:
초순수 및 중앙 공급 케미컬을 자동 혼합하여 상기 스캔 용액을 제조하는 스캔 용액 자동 제조부;를 포함하며, 유로를 통해 상기 제조된 스캔 용액을 상기 분석기로 이송하여 적어도 상기 제조된 스캔 용액의 오염 여부를 검증하는 것을 특징으로 한다.It includes; an automatic scan solution manufacturing unit that prepares the scan solution by automatically mixing ultrapure water and chemicals supplied from the center, and transfers the prepared scan solution to the analyzer through a flow path to verify at least whether the prepared scan solution is contaminated characterized in that
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 스캔 용액 자동 제조부는, 제조된 스캔 용액이 임시 저장되는 스캔 용액 베슬; 상기 초순수 및 중앙 공급 케미컬을 공급하는 라인들과 상기 스캔 용액 베슬 사이에 각각 위치하는 밸브 및 유량조절계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the apparatus for analyzing the substrate contamination, the automatic scan solution preparation unit includes: a scan solution vessel in which the prepared scan solution is temporarily stored; and a valve and a flow controller respectively positioned between the lines supplying the ultrapure water and the central supply chemical and the scan solution vessel.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 중앙 공급 케미컬을 공급하는 라인들과 드레인 사이에서 위치하여 상기 중앙 공급 케미컬을 상시 배출하거나 주기적으로 배출하여 정체에 따른 오염을 방지하는 밸브;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analysis apparatus, a valve positioned between the lines supplying the centrally supplied chemical and the drain to discharge the centrally supplied chemical at all times or periodically to prevent contamination due to stagnation; further comprising characterized.
본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 방법은, 분석 대상 기판을 도입받아 기상분해한 후 스캔 용액을 이용하여 상기 분석 대상 기판을 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통해 이송하여 상기 분석기로써 분석하는 기판 오염물 분석 장치에서 실행되는 기판 오염물 분석 방법으로서,In the method for analyzing substrate contaminants according to an aspect of the present invention, a sample solution for scanning the analysis target substrate using a scan solution is transferred through a flow path from the scan nozzle to the analyzer after a substrate to be analyzed is introduced and subjected to vapor phase decomposition. A method for analyzing substrate contamination performed in a substrate contamination analysis device for analysis with an analyzer, comprising:
초순수 및 중앙 공급 케미컬을 자동 혼합하여 상기 스캔 용액을 제조하고 베슬에 저장하는 제 1 단계; 유로를 통해 상기 제조된 스캔 용액을 상기 베슬로부터 상기 분석기로 이송하여 적어도 상기 제조된 스캔 용액의 오염 여부를 검증하는 제 2 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.A first step of automatically mixing ultrapure water and a centrally supplied chemical to prepare the scan solution and storing it in a vessel; and transferring the prepared scan solution from the vessel to the analyzer through a flow path and at least a second step of verifying whether the prepared scan solution is contaminated.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 1 단계를 수행하기 전, 상기 스캔 용액을 제조하기 위한 초순수 및 중앙 공급 케미컬을 동일하게 이용하여 상기 베슬을 세정한 후 드레인으로 배출하는 제 3 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analysis method, before performing the first step, a third step of washing the vessel using the same ultrapure water and centrally supplied chemicals for preparing the scan solution and discharging it to the drain; It is characterized in that it further comprises.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 적어도 상기 중앙 공급 케미컬을 드레인으로 상시 배출하거나 주기적으로 배출하여 상기 중앙 공급 케미컬의 정체에 따른 오염을 방지하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analysis method, it is characterized in that at least the centrally supplied chemical is constantly discharged or periodically discharged to the drain to prevent contamination due to the stagnation of the centrally supplied chemical.
본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 반도체 기판에서 노즐을 이용해 오염물을 포함하는 샘플 용액을 흡입하여 상기 노즐로부터 분석기까지 유로를 통해 상기 샘플 용액을 이송하여 상기 분석기로써 분석하는 기판 오염물 분석 장치로서,A substrate contamination analysis apparatus according to an aspect of the present invention sucks a sample solution containing contaminants from a semiconductor substrate using a nozzle, transfers the sample solution through a flow path from the nozzle to the analyzer, and analyzes the substrate contamination by the analyzer As a device,
상기 반도체 기판의 벌크를 글로벌 에칭하거나 포인트 에칭하기 위한 에칭 용액을 자동 제조하는 에칭 용액 제조부;를 포함하며, 상기 에칭 용액 제조부는,An etching solution manufacturing unit for automatically preparing an etching solution for global etching or point etching the bulk of the semiconductor substrate; includes, wherein the etching solution manufacturing unit includes:
제조된 에칭 용액을 저장하는 에칭 용액 베슬; 상기 에칭 용액을 제조하기 위한 2이상의 케미컬 및 초순수를 순차 흡입한 후 상기 에칭 용액 베슬로 배출하는 정량 펌프;를 포함하며, 상기 에칭 용액 베슬로부터 상기 글로벌 에칭을 위한 챔버나 상기 포인트 에칭을 위한 노즐로 유로를 통해 공급되는 것을 특징으로 한다.an etching solution vessel for storing the prepared etching solution; a metering pump for sequentially sucking in two or more chemicals and ultrapure water for preparing the etching solution and then discharging it to the etching solution vessel; from the etching solution vessel to the chamber for the global etching or the nozzle for the point etching It is characterized in that it is supplied through a flow path.
상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 2 이상의 케미컬은 불산 및 질산을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the above-described apparatus for analyzing substrate contamination, the two or more chemicals are characterized in that they include hydrofluoric acid and nitric acid.
본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 방법은, 반도체 기판에서 노즐을 이용해 오염물을 포함하는 샘플 용액을 흡입하여 상기 노즐로부터 분석기까지 유로를 통해 상기 샘플 용액을 이송하여 상기 분석기로써 분석하는 기판 오염물 분석 장치에서 실행되는 기판 오염물 분석 방법으로서,In a substrate contamination analysis method according to an aspect of the present invention, a sample solution containing contaminants is sucked from a semiconductor substrate using a nozzle, the sample solution is transferred from the nozzle to the analyzer through a flow path, and the substrate contamination analysis is performed by the analyzer. A method for analyzing substrate contamination performed in an apparatus comprising:
상기 반도체 기판의 벌크를 글로벌 에칭하거나 포인트 에칭하기 위한 에칭 용액을 자동 제조하는 에칭 용액 자동 제조 과정을 포함하며, 상기 에칭 용액 자동 제조 과정은, 상기 에칭 용액을 제조하기 위한 2이상의 케미컬 및 초순수를 순차 흡입한 후 에칭 용액 베슬로 배출하는 과정을 반복 수행하며, 상기 제조된 애칭 용액은 상기 에칭 용액 베슬로부터 상기 글로벌 에칭을 위한 챔버나 상기 포인트 에칭을 위한 노즐로 유로를 통해 공급되는 것을 특징으로 한다.and an etching solution automatic production process for automatically preparing an etching solution for global etching or point etching of the bulk of the semiconductor substrate, wherein the etching solution automatic production process sequentially includes two or more chemicals and ultrapure water for producing the etching solution After suction, the process of discharging to the etching solution vessel is repeatedly performed, and the prepared etching solution is supplied from the etching solution vessel to the chamber for the global etching or the nozzle for the point etching through a flow path.
상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기한 흡입 및 배출의 반복 사이에 상기한 흡입 및 배출에 사용된 유로의 부분 또는 전체를 비반응성 가스로 퍼지하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contaminant analysis method, part or all of the flow path used for the suction and discharge is purged with a non-reactive gas between repetitions of the suction and discharge.
본 발명의 일 양상에 따르면 샘플 용액이 샘플 튜브에 도착하는 것에 맞추어서 감지하여 로딩할 수 있으므로, 샘플 용액의 정확한 로딩이 가능하고 샘플 용액의 손실을 방지하며, 보다 적은 샘플 용액을 사용해도 되고 스캔 노즐로부터 샘플 튜브까지 고속으로 이동해도 되는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, since the sample solution can be detected and loaded according to the arrival of the sample tube, accurate loading of the sample solution is possible and loss of the sample solution is prevented, and less sample solution can be used and the scan nozzle There is an effect that it may move at high speed from the to the sample tube.
본 발명의 일 양상에 따르면 샘플 용액이 분석기로 도입이 안 되는 경우가 있어도 액체 감지 센서의 감지를 이용하여 샘플 용액의 이동을 체크할 수 있는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, there is an effect that the movement of the sample solution can be checked using the detection of the liquid detection sensor even if the sample solution is not introduced into the analyzer.
본 발명의 일 양상에 따르면 샘플 튜브 상에 간단히 센서를 추가함으로써, 샘플 튜브를 중심으로 시료의 손실 과정을 확인할 수 있는 효과가 있으며, 사람의 수시 확인 없이 시료 손실을 체크하여 분석 결과의 신뢰성 향상 및 안전성을 개선할 수 있는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, by simply adding a sensor to the sample tube, there is an effect of confirming the loss process of the sample centering on the sample tube, and improving the reliability of the analysis result by checking the sample loss without frequent confirmation by a person and It has the effect of improving safety.
본 발명의 일 양상에 따르면 샘플 용액의 이송시 액체 감지 센서를 이용함으로써 스캔 노즐의 샘플 용액을 샘플 튜브에 고속으로 로딩할 수 있으므로 이송 시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, since the sample solution of the scan nozzle can be loaded into the sample tube at high speed by using the liquid detection sensor when the sample solution is transported, the transport time can be shortened.
본 발명의 양상에 따르면 스캔 용액에서 오염물의 농도가 흔들리더라도 그 만큼을 일괄 보정할 수 있게 되므로 캘리브레이션에 있어서 스캔 용액의 흔들림을 배제하기 쉬운 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, even if the concentration of contaminants in the scan solution fluctuates, it is possible to collectively correct the amount, so it is easy to exclude the shaking of the scan solution in calibration.
본 발명의 일 양상에 따르면 간단한 절차로 수행될 수 있는 감도 체크 과정을 도입함으로써, 시간이 많이 소요되는 캘리브레이션 과정을 자주 실행하지 않아도 되는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, by introducing a sensitivity check process that can be performed with a simple procedure, there is an effect that it is not necessary to frequently perform a time-consuming calibration process.
본 발명의 일 양상에 따르면 자기 검증(self validation) 기능을 자동으로 수행함으로써, 기판 오염물 분석 장치 및 방법에서 메모리 효과(memory effect)를 손쉽게 배제하며 기판 오염물 분석 결과의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, by automatically performing a self-validation function, there is an effect of easily excluding the memory effect from the substrate contamination analysis apparatus and method and improving the reliability of the substrate contamination analysis result. have.
본 발명의 일 양상에 따르면 종래 폐기되었던 모니터 웨이퍼를 재사용할 수 있으므로 모니터 웨이퍼의 비용을 대폭 절감할 수 있는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, since the monitor wafer that has been conventionally discarded can be reused, the cost of the monitor wafer can be significantly reduced.
본 발명의 일 양상에 따르면 기판 오염물 분석 장치 및 방법에서 안전 사고 및 약액 오염을 방지하고 제조된 스캔 용액의 품질을 보장할 수 있는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, there is an effect of preventing safety accidents and chemical contamination in an apparatus and method for analyzing substrate contamination and guaranteeing the quality of a prepared scan solution.
본 발명의 일 양상에 따르면 기판 제조 공정에서 In-Line 모니터링이 가능하게 되고, Closed Sampling System으로 운영되어 케미컬 취급 상의 안전 문제 및 Cross Contamination 문제가 없으며, 실시간 또는 신속한 대응이 가능하게 되는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, in-line monitoring is possible in the substrate manufacturing process, and there is no safety problem and cross contamination problem in chemical handling because it is operated as a Closed Sampling System, and there is an effect that real-time or rapid response is possible.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 오염물 분석 장치의 전체 구성을 도시한 평명도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 오염물 분석 장치에서 스캔 용액, 샘플 용액, 표준 용액 및 에칭액 등을 공급 및 이송하기 위한 유로 및 밸브 등을 모식적으로 표시한 도면이다.
도 3은 샘플 튜브 및 액체 감지 센서가 설치되는 예를 도시한 도면으로서, 도 3(A)는 막대 모양의 샘플 튜브에 액체 감지 센서가 설치된 예이며, 도 3(B)는 루프 모양의 샘플 튜브에 액체 감지 센서가 설치된 예이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 감도 체크 과정을 도시한 플로우차트이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 자기 검증 과정을 설명하기 위한 플로우차트이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 리사이클 유닛의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 스캔 용액 제조부를 도시한 모식도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭 용액 제조부를 도시한 모식도이다.1 is a plan view showing the overall configuration of a substrate contamination analysis apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram schematically showing flow paths and valves for supplying and transferring a scan solution, a sample solution, a standard solution, and an etchant, etc. in the substrate contamination analysis apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing an example in which a sample tube and a liquid detection sensor are installed, FIG. 3(A) is an example in which a liquid detection sensor is installed in a bar-shaped sample tube, and FIG. 3(B) is a loop-shaped sample tube This is an example where a liquid detection sensor is installed in the
4 is a flowchart illustrating a sensitivity check process according to an embodiment of the present invention.
5 is a flowchart illustrating a self-verification process according to an embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of a recycling unit according to an embodiment of the present invention.
7 is a schematic diagram illustrating a scan solution manufacturing unit according to an embodiment of the present invention.
8 is a schematic diagram illustrating an etching solution manufacturing unit according to an embodiment of the present invention.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 명칭 및 도면 부호를 사용한다.
With reference to the accompanying drawings, the embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. However, the present invention may be embodied in several different forms and is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly explain the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar names and reference numerals are used for similar parts throughout the specification.
용어의 의미meaning of terms
본 명세서에서 '기판'은 반도체 웨이퍼, LCD 기판, OLED 기판 등을 포함하며, 특별히 한정하지 않은 이상 '기판'은 제조 공정 중의 스타트 상태만을 의미하는 것이 아니라, 산화막, 폴리실리콘층, 금속층, 층간막 또는 소자 등이 하나 이상 형성된 상태일 수도 있다.In this specification, 'substrate' includes semiconductor wafers, LCD substrates, OLED substrates, and the like, and unless otherwise specified, 'substrate' does not mean only the start state during the manufacturing process, but oxide film, polysilicon layer, metal layer, interlayer film Alternatively, one or more elements and the like may be formed.
본 명세서에서 '스캔'은 기판의 전체 또는 일부 영역에 대한 스캔과 함께, 경우에 따라 기판의 특정 포인트에서 포인트 깊이 프로파일(Point Depth Profile)을 얻기 위하여 깊이 방향으로 스캔하는 것을 포함한다.In the present specification, 'scan' includes scanning in the depth direction to obtain a Point Depth Profile at a specific point of the substrate, in some cases, along with scanning of all or part of a region of the substrate.
본 명세서에서 다른 기재와 상충되지 않는 한 '스캔 용액'은 기판을 스캔하기 위하여 노즐에 공급되거나 공급되기 위한 용액을 말하며, '샘플 용액'은 스캔 용액으로 또는 스캔 용액 및 포인트 에칭 용액 등으로 기판을 스캔한 한 후 오염물 등이 포집된 용액을 말한다.
In this specification, unless conflicting with other descriptions, 'scan solution' refers to a solution supplied or supplied to a nozzle to scan a substrate, and 'sample solution' refers to a substrate with a scan solution or a scan solution and point etching solution, etc. It refers to a solution in which contaminants, etc. are collected after scanning.
기판 오염물 분석 장치의 전체 구성 및 동작Overall configuration and operation of the substrate contaminant analysis device
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 오염물 분석 장치의 전체 구성을 도시한 평명도이다.1 is a plan view showing the overall configuration of a substrate contamination analysis apparatus according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 기판 오염물 분석 장치는 로드 포트(10), 로봇(20), 얼라이너 유닛(30), VPD 유닛(40), 스캔 유닛(50), 리사이클링 유닛(60) 및 분석기(70)를 포함하여 구성된다.The substrate contaminant analysis apparatus of the present invention includes a
로드 포트(10)는 기판 오염물 분석 장치의 일측에 위치하고 기판이 수납된 카셋트를 개방하여 기판을 기판 오염물 분석 장치의 내부로 도입하는 통로를 제공한다. 로봇(20)은 기판을 파지하여 기판 오염물 분석 장치의 각 구성요소 사이에서 기판을 자동 이송하며, 구체적으로 로드 포트(10)의 카셋트, 얼라인 유닛(30), VPD 유닛(40), 스캔 유닛(50) 및 리사이클링 유닛(60) 사이에서 기판을 이송한다. 얼라이너 유닛(30)은 기판을 정렬시켜주는 기능을 수행하며, 특히 스캔 스테이지(51)에 기판을 재치하기 전 기판의 중심을 정렬시키기 위하여 사용된다.The
VPD 유닛(40)은 기판에 대하여 기상 분해(VPD : Vapor Phase Decomposition)가 수행되는 유닛으로서, 기판 도입을 위한 도입구 및 도어, 공정 챔버, 공정 챔버 내부에 구비되는 로드 플레이트, 진공척 및 식각 가스 분사구 등을 포함하며, 가스 상태의 에천트에 의해 기판의 표면 또는 벌크까지를 식각한다.The
스캔 유닛(50)은 스캔 스테이지(51) 및 스캔 모듈(52)을 포함하며, 스캔 스테이지(51)은 VPD 유닛(40)에서 기상분해가 수행된 기판 등이 안착되며, 기판이 안착된 상태에서 스캔모듈(52)을 사용하여 기판을 스캔하는 과정에서 기판을 회전시키는 기능을 수행한다. 스캔 모듈(52)은 스캔 스테이지(51)의 일측에 구비되며, 기판에 근접하여 스캔 용액을 머금은 상태에서 기판을 스캔하는 스캔 노즐(53 : 도 2 참조)과 일단에 스캔 노즐을 탑재한 상태로 스캔 노즐의 위치를 예를 들면 3축 방향으로 이동시킬 수 있는 스캔 모듈 암을 포함한다. 스캔 노즐 및 스캔 모듈은 하나 또는 복수개 구비될 수 있다. 스캔 유닛(50)의 스캔 노즐에는 유로를 통하여 스캔 용액이 공급되며 공급된 스캔 용액으로 기판을 스캔한 샘플 용액은 유로를 통하여 분석기(70)로 이송된다.The
리사이클링 유닛(60)은 스캔이 종료된 기판을 재활용하기 위하여, 기판을 산 계열 또는 염기 계열의 케미컬을 포함하는 용액으로 처리하며, 기판 도입을 위한 도입구 및 도어, 공정 챔버, 공정 챔버 내부에 구비되는 로드 플레이트, 진공척 및 에칭액을 분사하는 노즐 등을 포함하며, 구체적인 사항은 후술한다.The
분석기(70)는 스캔 유닛(50)의 스캔 노즐로부터 유로를 통하여 샘플 용액을 이송받아 분석하며, 샘플 용액속에 포함된 오염물의 존재유무, 오염물의 함량 또는 오염물의 농도 등을 분석한다. 분석기(70)로서는 유도결합 플라즈마 질량분석기(ICP-MS : Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry)가 선호된다.The
아울러, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 스캔 용액 및 에칭 용액의 자동 제조, 샘플 용액의 이송, 분석기의 오토 캘리브레이션, 센서티버티 체크(Sensitivity Check), 셀프 밸리데이션(Self Validation) 등을 위한 부분을 포함하며 이러한 부분은 주로 기판 오염물 분석 장치의 측면 또는 내부에 구성될 수 있으며, 이에 대해서는 후술한다.In addition, the apparatus for analyzing substrate contamination according to an embodiment of the present invention includes automatic preparation of a scan solution and an etching solution, transfer of a sample solution, auto-calibration of an analyzer, sensitivity check, and self-validation. It includes a part for and the like, and this part may be mainly configured on the side or inside the substrate contamination analysis apparatus, which will be described later.
이하, 기판 오염물 분석 장치의 전체 구성이 동작하는 방법과 관련하여 기판 표면의 오염물을 스캔하여 분석하는 경우를 기준으로 개괄하여 설명한다.Hereinafter, in relation to the operation of the overall configuration of the substrate contaminant analysis apparatus, a case of scanning and analyzing contaminants on the surface of the substrate will be briefly described.
로봇(20)은 로드 포트(10)로부터 분석하고자 하는 기판을 VPD 유닛(40)의 공정 챔버로 인입하며, VPD 유닛(40)에서는 식각 가스를 이용하여 기판의 표면을 기상분해한다. 이에 따라 기판 표면의 산화막은 식각 가스와 결합하여 가스 상태로 배출되며, 표면 및 산화막 등에 포함되어 있던 금속 원자 등의 불순물은 기판의 표면에서 포집 가능한 상태로 남는다.The
이어서 로봇(20)을 이용하여 기판을 VPD 유닛(40)으로부터 인출한 다음 스캔 스테이지(51)상에 안착시킨다. 유로를 통하여 스캔 용액 베슬(Vessel)(121 : 도 2 참조)로부터 스캔 노즐의 선단까지 스캔 용액을 이송하여, 스캔 용액의 선단과 기판 표면 사이에 스캔 용액의 액적을 머금은 상태로 한다.Then, the substrate is taken out from the
그리고 이 상태에서 스캔 스테이지(51)의 회전과 스캔 모듈 암의 위치 컨트롤을 병행하여 기판을 스캔하되, 스캔 노즐이 기판상에서 나선형의 궤적으로 이동토록 하거나, 기판이 1회전을 완료할 때마다 스캔 노즐의 위치를 이동하도록 하여 스캔 노즐이 복수의 동심원 궤적으로 이동토록 하여 기판을 스캔할 수도 있다. 스캔 노즐을 이용하여 기판을 스캔하면 스캔 용액은 금속 원자등의 오염 물질을 흡수한 샘플 용액이 되며, 스캔을 마친 후 스캔 노즐은 샘플 용액을 흡입하고 샘플 용액은 스캔 노즐로부터 분석기(70)까지 유로를 통하여 이송되며, ICP-MS등의 분석기(70)에서는 이송받은 샘플 용액을 분석한다. 스캔 용액은 예를 들면 불산(HF), 과산화수소(H2O2) 및 초순수를 포함하는 용액이다.And in this state, the substrate is scanned while the rotation of the
스캔을 마친 기판은 로봇(20)에 의해 스캔 스테이지(51)로부터 리사이클링 유닛(60)의 공정 챔버내로 인입되며, 리사이클링 유닛(60)에 의해서 기판을 산 계열 또는 염기 계열의 케미컬을 포함하는 용액으로 처리함으로써, 기판을 재사용할 수 있도록 하며, 이어서 로봇(20)은 리사이클링 유닛(60)의 공정 챔버로부터 기판을 인출하여 다시 로드 포트(10)의 카셋트에 탑재한다.The scanned substrate is introduced into the process chamber of the
한편, VPD 유닛(40)에 인입하기전, VPD 유닛(40)에서 인출된 후 스캔 스테이지(51)로 이송하기 전, 또는 스캔 스테이지(51)에서 인출된 후 리사이클링 유닛(60)으로 이송하기 전, 얼라이너 유닛(30)을 사용하여 기판을 얼라인 할 수 있다.On the other hand, before being drawn into the
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 오염물 분석 장치 및 기판 오염물 분석 방법을 구성하는 세부 특징을 중심으로 상세히 살펴본다.
Hereinafter, detailed features constituting the apparatus for analyzing substrate contamination and the method for analyzing substrate contamination according to an embodiment of the present invention will be described in detail.
유로를 통한 스캔 용액 및 샘플 용액의 이송과 센서 감지Transfer of scan solution and sample solution through flow path and sensor detection
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 오염물 분석 장치에서 스캔 용액, 샘플 용액, 표준 용액 및 에칭액 등을 공급 및 이송하기 위한 유로 및 밸브 등을 모식적으로 표시한 도면이다.2 is a diagram schematically showing flow paths and valves for supplying and transferring a scan solution, a sample solution, a standard solution, and an etchant, etc. in the substrate contamination analysis apparatus according to an embodiment of the present invention.
샘플 튜브(82,92, 112)는 미량의 용액이 로딩될 공간을 가지는 튜브로서, 샘플 튜브는 막대 모양, 나선형 모양 또는 루프 모양 등 다양한 형상일 수 있으며, 샘플 튜브는 예를 들면 샘플 루프일 수 있다.The
정량 펌프(85,86, 95)는 주사기펌프, 다이아프램 펌프, 기어 펌프, 피스톤 펌프 등일 수 있고 정밀도가 높은 형태의 펌프가 선호될 수 있으며, 펌프(87, 96, 116)는 정량 펌프이거나 다른 형태의 펌프일수도 있고 용량이 큰 형태의 펌프가 선호될 수 있다.The metering pumps 85, 86, 95 may be syringe pumps, diaphragm pumps, gear pumps, piston pumps, etc., and a high-precision pump may be preferred, and the
스캔 용액 베슬(121)의 스캔 용액이나 포인트 에칭액 베슬(131)의 에칭 용액은 후술할 자동 제조 장치를 통해 제조되어 저장된 것이다. 각 용액은 제 3 펌프(116)와 제 3 밸브(113), 제 4 밸브(114) 및 제 5 밸브(115)를 포함하는 밸브 시스템을 통해 스캔 노즐(53)로 전달된다.The scan solution of the
스캔 노들(53)로 스캔 용액을 이송하는 과정을 살펴보면, 스캔 용액 베슬(121)과 제 3 펌프(116) 사이의 밸브를 열고 제 3 펌프(116)를 이용하여 정해진 부피를 뽑아낸다. 스캔 용액이 제 3 펌프(116)의 앞단에 있는 제 3 샘플 튜브(112)에 도착하는 것은 제 3 액체 감지 센서(111)에 의해서 감지된다.Looking at the process of transferring the scan solution to the
그리고, 상기한 밸브를 닫고 제 3 밸브(113)을 연 다음, 제 3 펌프(116)를 이용하여 스캔 용액을 정해진 양만큼 스캔 노즐(53)로 공급한다. 한편, 포인트 벌크 에칭을 위해서는 에칭 용액이 스캔 용액과 함께 사용될 수 있으며, 에칭 용액과 스캔 용액이 교대로 또는 일정한 순서대로 스캔 노즐(53)로 제공될 수 있다.Then, after closing the valve and opening the
정량적 용액 전달을 완료하기 위해 공기 또는 가스 등을 이용해 펌프 배출 중 또는 배출 이후 추가로 밀어줄 수 있다. 시료 이동거리는 통상 2~4m 범위에서 주로 사용하나 그 이외도 가능하다.Additional pushes can be made during or after pump evacuation, such as with air or gas, to complete quantitative solution delivery. The sample moving distance is usually used in the range of 2~4m, but other things are possible.
한편, 시료 도입부(100)은 분석기(70)로 샘플 용액, 표준 용액, 스캔 용액 또는 초순수 등을 시료로서 도입하기 위한 장치로서, 샘플 용액 도입부(80) 및 표준 용액 도입부(90)를 포함하여 구성된다.Meanwhile, the
스위칭 밸브(81,91)는 2개의 포트에 샘플 튜브(82,92)가 결합되며 용액이 샘플 튜브에 로딩되는 로드 포지션과 로딩된 용액을 인젝션하는 인젝션 포지션을 가지며, 제어에 의해서 로드 포지션 및 인젝션 포지션 사이에서 전환될 수 있다. 스위칭 밸브(81,91)는 인젝션 밸브(Injection Valve)이거나 여러개의 밸브와 유로를 조합하여 형성되는 것일 수도 있다. 선호되기로 스위칭 밸브(81,91)는 6 포트 인젝션 밸브이다.The switching
액체 감지 센서(83,93,111)는 액체를 감지하는 감지 센서로서, 액체 감지 센서는 액체의 존재 유무를 파악할 수 있는 광센서 또는 커플링되는 커패시턴스의 변화를 감지하는 근접 센서 등일 수 있다. 특히 액체 감지 센서(83,93,111)는 샘플 튜브(82,92,112)에 근접하거나 부착하여 설치되어 샘플 튜브내의 액체를 감지한다.The
도 3은 샘플 튜브 및 액체 감지 센서가 설치되는 예를 도시한 도면으로서, 도 3(A)는 막대 모양의 샘플 튜브에 액체 감지 센서가 설치된 예이며, 도 3(B)는 루프 모양의 샘플 튜브에 액체 감지 센서가 설치된 예이다.3 is a view showing an example in which a sample tube and a liquid detection sensor are installed, FIG. 3(A) is an example in which a liquid detection sensor is installed in a bar-shaped sample tube, and FIG. 3(B) is a loop-shaped sample tube This is an example where a liquid detection sensor is installed in the
액체 감지 센서(83, 93, 111)는 샘플 튜브(82, 92, 112)의 중앙 또는 일측에 설치될 수 있으며, 또한 2개 이상의 액체 감지 센서를 설치할 수도 있다.The
샘플 용액 도입부(80)는 샘플 용액 또는 스캔 용액 등을 선택적으로 도입하며, 제 1 스위칭 밸브(81), 제 1 샘플 튜브(82), 제 1 액체 감지 센서(83), 제 1 정량 펌프(85), 제 2 정량 펌프(86), 제 1 밸브(88) 및 제 2 밸브(89) 등을 포함하여 구성된다.The sample
제 1 샘플 튜브(82)는 스캔 노즐에 의해서 스캔한 샘플 용액이 로딩될 공간을 가지는 튜브이며, 제 1 액체 감지 센서(83)가 설치된다.The
제 1 스위칭 밸브(81)는 1번 포트 및 4번 포트가 제 1 샘플 튜브(82)와 결합되며, 샘플 용액 또는 스캔 용액 중에서 주로 샘플 용액이 제 1 샘플 튜브(82)에 로딩되는 로드 포지션과 로딩된 샘플 용액을 분석기(70) 쪽으로 인젝션하는 인젝션 포지션을 적어도 가진다.In the
샘플 용액이 제 1 샘플 튜브(82)에 로딩됨에 있어서 샘플 용액의 전·후에는 기체 구간을 포함하도록 하고 기체는 공기이거나 불활성 가스 일 수 있으며, 제 1 감지 센서(83)는 제 1 샘플 튜브(82)에 설치되어 기체 구간과 샘플 용액을 구별하여 감지한다.When the sample solution is loaded into the
샘플 용액 도입부(80)와 표준 용액 도입부(90)는 샘플 튜브(82,92)에 설치되고 기체 구간과 샘플 용액을 구별하여 감지하는 액체 감지 센서(83,93)를 이용하여 샘플 용액 또는 표준 용액 등의 도착 또는 이동을 감지한다.The sample
로드 포지션에서 제 1 액체 감지 센서(83)가 기체 및 액체의 순서로 감지하면 샘플 용액이 스캔 노즐로부터 샘플 튜브(82)에 도착하는 것으로 판단하며, 인젝션 포지션에서 액체 감지 센서(83)가 액체 및 기체의 순서로 감지하면 샘플 용액이 분석기(70)쪽으로 이동하는 것으로 판단한다.When the first
제 1 정량 펌프(85)는 주로 스위칭 밸브(81)가 로드 포지션일 때 샘플 용액을 샘플 튜브(81)에 로딩할 때 사용하며, 제 2 정량 펌프(86)는 주로 스위칭 밸브(81)가 인젝션 포지션일 때 로딩된 샘플 용액을 초순수로써 분석기(70)쪽으로 밀어줄 때 사용한다.
The
이하, 샘플 용액 도입부(80)의 동작에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the operation of the sample
기본 상태에서 제 1 스위칭 밸브(81)는 인젝션 포지션에 있으며 제 1 샘플 튜브(82)를 통해 항상 분석기(70)로 초순수를 공급하도록 하여, 제 1 샘플 튜브(82) 및 유로의 세정 효과를 가지게 한다. 또한 스캔 노즐(53)로부터 제 1 스위칭 밸브(81) 사이의 튜브는 액체가 아닌 공기 또는 가스로 채워진 상태로 한다.In a basic state, the
스캔 노즐(53)이 스캔을 마친 후, 제 1 밸브(88)를 열고 제 1 스위칭 밸브(81)가 로드 포지션에서 제 1 정량 펌프(85)에 의해 시료를 빨아들임으로써, 스캔한 샘플 용액을 스캔 노즐(53)과 분석기(70) 사이 유로의 중간에 위치하는 제 1 샘플 튜브(82)에 로딩한다. 샘플 용액의 이동거리는 예를 들면 2 ~ 4m 범위일 수 있다. After the
샘플 용액이 샘플 튜브에 도달하면 제 1 액체 감지 센서(83)를 이용 감지하여 제 1 스위칭 밸브(81)를 인젝션 포지션으로 스위칭한다. 제 1 액제 감지 센서(83)가 기체 및 액체의 순서로 감지하면 샘플 용액이 스캔 노즐로부터 제 1 샘플 튜브(82)에 도착하는 것으로 판단한다.When the sample solution reaches the sample tube, it is sensed using the first
스캔 노즐(53)과 샘플 튜브(82) 사이의 유로는 공기나 가스가 채우도록 한 상태로서, 샘플 용액이 펌프 작동에 의해 이동될 때 샘플 용액의 전후는 공기나 가스로 채워진다. 이는 샘플 용액의 구간만 확인할 수 있는 장점을 제공한다. 예를 들면, 샘플 용액이 제 1 샘플 튜브(82)에 도입되기 전, 기체 영역이 존재하고 제 1 샘플 튜브(82)의 액체 감지 센서는 off 상태를 나타낸다. 이때 액체인 샘플 용액이 제 1 액체 감지 센서(83)에 도달하면 액체 감지 센서의 출력 상태가 on 상태를 나타내며, 이 때 제 1 스위칭 밸브(81)를 인젝션 포지션으로 스위칭하여 샘플 용액을 제 1 샘플 튜브(82) 내부에 보관할 수 있으며, 흡입을 위한 제 1 정량 펌프(85)를 스톱한다. 샘플 용액의 양 끝은 기체가 존재하며, 정확한 측정을 위해 센서가 추가되어 복수개 설치될 수도 있다.The flow path between the
만약 제 1 액체 감지 센서(83)가 액체를 감지하지 못하면 샘플 용액의 흡입 과정을 정해진 횟수만큼 반복할 수 있다. 만약 그 과정에 의해서도 액체가 감지되지 않으면 기판의 샘플 용액이 손실된 것으로 판단하고 알람처리한다.If the first
본 발명의 일 실시예에 따르면 샘플 용액이 샘플 튜브에 도착하는 것에 맞추어서 감지하여 로딩할 수 있으므로, 샘플 용액의 정확한 로딩이 가능하고 샘플 용액의 손실을 방지하며, 보다 적은 샘플 용액을 사용해도 되고 스캔 노즐로부터 샘플 튜브까지 고속으로 이동해도 되는 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, since the sample solution can be detected and loaded according to the arrival of the sample tube, accurate loading of the sample solution is possible and loss of the sample solution is prevented, and less sample solution can be used and scanning There is an effect that it may move from the nozzle to the sample tube at high speed.
이어서 제 1 스위칭 밸브(80)를 로드 포지션에서 인젝션 포지션으로 전환하고 제 1 샘플 튜브(82)에 로딩된 샘플 용액을 분석기쪽으로 인젝션한다. 이 때 제 1 스위칭 밸브(81)에 연결된 제 2 정량 펌프(86)를 이용해 샘플 용액을 분석기(70)로 공급하되 일정한 유량으로 공급한다. 인젝션할 때 로딩된 샘플 용액을 초순수로써 분석기(70)쪽으로 밀어줄 때 제 2 정량 펌프(86)가 이용된다.Then, the
제 1 액체 감지 센서(83)가 액체 및 기체의 순서로 감지하면 샘플 용액이 분석기(70)쪽으로 이동하는 것으로 판단한다. 그리고 제 1 액체 감지 센서(83)가 액체로부터 기체로 바뀌는 것을 감지하지 못하면 이상이 있는 것으로 판단하고 알람할 수 있다.When the first
샘플 용액 도입 시 샘플 용액의 양단은 기체로 되어 있어 샘플 용액이 이동하면 제 1 액체 감지 센서(83)가 off 상태 - on 상태 - off 상태로 바뀌거나 on 상태 - off 상태로 바뀌는 것을 감지할 수 있다. 샘플 용액의 이동은 초순수를 제 2 정량 펌프(86)로 밀면서 전체가 같이 이동하는 것으로 샘플 용액 - 기체 - 초순수 순으로 분석기에 도입된다.When the sample solution is introduced, both ends of the sample solution are gaseous, so that when the sample solution moves, it is possible to detect that the first
본 발명의 일 실시예에 따르면 샘플 용액이 분석기(70)로 도입이 안 되는 경우가 있어도 제 1 액체 감지 센서(83)의 감지를 이용하여 샘플 용액의 이동을 체크할 수 있는 효과가 있다. 그리고 분석기(70)에 분석 명령을 내리고 분석 결과를 확인한다.According to an embodiment of the present invention, even if there is a case where the sample solution cannot be introduced into the
웨이퍼의 시료가 분석기까지 전달되는 과정에서 다양한 시료 손실의 과정이 존재할 수 있다. 스캔 과정에서 시료 손실(시료는 웨이퍼의 특징에 의해 노즐을 벗어나 웨이퍼 표면으로 샐 수 있으며, 시료가 샘플 튜브로 이동하는 과정에서 펌프 등의 이상에 의해 시료 손실이 있을 수 있고, 샘플 튜브에서 분석기로 이동하는 과정에서 펌프 또는 시료 도입 장치 이상 등에 의해서도 손실될 수 있다.Various processes of sample loss may exist in the process of transferring the sample from the wafer to the analyzer. Sample loss in the scanning process (the sample may leak out of the nozzle and onto the wafer surface due to the characteristics of the wafer, and there may be sample loss due to an abnormality such as a pump while the sample moves to the sample tube, and from the sample tube to the analyzer It may also be lost due to an abnormality in the pump or sample introduction device in the course of movement.
이에 반해서 본 발명의 일 실시예에 따르면 샘플 튜브 상에 간단히 센서를 추가함으로써, 샘플 튜브를 중심으로 시료의 손실 과정을 확인할 수 있는 효과가 있다. 자동화된 장비에서 사람이 수시 확인 없이 시료 손실을 체크하여 분석 결과의 신뢰성 향상 및 안전성을 개선할 수 있는 효과가 있다.
On the other hand, according to an embodiment of the present invention, by simply adding a sensor to the sample tube, there is an effect of confirming the loss process of the sample centering on the sample tube. It has the effect of improving the reliability and safety of the analysis result by checking the sample loss without a human check at any time in the automated equipment.
샘플 용액의 인젝션 및 세정의 병행Parallel injection and cleaning of sample solution
제 1 스위칭 밸브(81)의 인젝션 포지션에서 샘플 용액을 분석기(70)쪽으로 인젝션하는 것과 병행하여, 적어도 스캔 노즐(53)부터 제 1 스위칭 밸브(81)까지의 유로를 세정한다. In parallel with injecting the sample solution toward the
본 발명의 일 실시예에 따르면, 스캔한 샘플 용액을 유로의 중간에 위치하는 제 1 샘플 튜브(82)에 로딩하는 제 1 단계; 및 제 1 샘플 튜브(82)에 로딩된 샘플 용액을 분석기(70)쪽으로 인젝션하는 제 2 단계;를 포함하되, 제 2 단계와 병행하여, 적어도 스캔 노즐(53)부터 제 1 샘플 튜브(82)의 앞까지의 구간을 포함하여 세정한다.According to an embodiment of the present invention, a first step of loading the scanned sample solution into the
또한, 샘플 용액의 인젝션이 완료되면 밀어주던 초순수에 의해서 제 1 스위칭 밸브(81)로부터 분석기(70)까지의 유로도 자연스레 세정된다. 세정되는 경로는 스캔 노즐(53)로부터 분석기(70) 까지 시료 이동 경로 및 스캔 노즐(53) 자체를 포함한다.In addition, when the injection of the sample solution is completed, the flow path from the
세정은 노즐 세정 베슬(54)에 스캔 노즐(53)을 넣은 후 펌프를 이용하여 흡입함으로써 수행된다. 구체적으로 살펴 보면, 상시 overflow하여 clean 상태를 유지하는 노즐 세정 베슬(54)에 스캔 노즐(53)을 넣은 후 제 1 스위칭 밸브(81)와 제 1 펌프(87)를 이용하여 정해진 시간 또는 반복하여 초순수 또는 세정 용액을 연속적으로 흡입하여 세정을 진행한다.Cleaning is performed by inserting the
이때는 세정 효율을 증가시키고 세정시간을 단축하기 위해 세정 용액으로 약액(HF, HF+H2O2, HNO3, HCl 등)을 도입할 수 있고 펌프 용량이 큰 제 1 펌프(87)를 사용하는 것이 좋다.At this time, in order to increase the cleaning efficiency and shorten the cleaning time, a chemical solution (HF, HF+H 2 O 2 , HNO 3 , HCl, etc.) can be introduced as a cleaning solution, and the
샘플 용액을 제 1 샘플 튜브(82)에 로딩하기 위하여 사용되는 제 1 정량 펌프(85)와 세정을 위하여 사용되는 제 1 펌프(87)를 구비하되, 제 1 정량 펌프(85)와 제 1 펌프(87)는 제 1 스위칭 밸브(81)의 동일 포트(6번 포트)에 연결되며, 제 1 펌프(87)는 제 1 정량 펌프(85)보다 용량이 크다. 샘플 용액의 로딩과 세정에서는 서로 다른 펌프가 사용되며, 세정에서 흡입 속도가 더 큰 펌프가 이용된다.A first metering pump (85) used for loading a sample solution into the first sample tube (82) and a first pump (87) used for cleaning, the first metering pump (85) and the first
스캔 노즐(530의 세정은 초순수만으로 가능하며 약액도 도입할 수 있다. 이는 하나의 베슬에서 연속 진행할 수도 있고 초순수용과 약액용을 나누어 진행할 수도 있다.Cleaning of the scan nozzle 530 is possible only with ultrapure water, and a chemical solution may also be introduced.
전체 공정 시간 단축을 위해 세정은 인젝션 과정 중에 병행해서 진행할 수 있다. 통상 ICP-MS와 같은 분석기(70)는 느린 속도로 시료를 도입해야 하고 빠른 속도로 시료를 도입하게 되면 시료의 낭비가 심하게 되는 바, 예를 들면 분석기(70)는 0.1ml/분 정도의 속도로 시료를 도입한다. 그렇다면, 제 1 샘플 튜브(82)의 샘플 용액을 분석기(70)까지 인젝션하기 위한 시간이 상당하며, 본 발명의 일 실 시예는 이러한 점을 이용하여 인젝션 시간 동안 스캔 노즐(53)부터 제 1 스위칭 밸브(81)까지의 유로를 세정한다.In order to shorten the overall process time, cleaning can be performed in parallel during the injection process. In general, the
가정하여 동시 세정이 불가한 경우에 대비하여, 본 발명의 일 실시예에 따르면 수분 내지 수십초의 시간을 단축할 수 있으며, 액체 감지 센서를 이용함으로써 스캔 노즐(53)의 샘플 용액을 샘플 튜브에 고속으로 로딩할 수 있으므로 역시 이송 시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.Assuming that simultaneous cleaning is impossible, according to an embodiment of the present invention, it is possible to shorten the time from several minutes to several tens of seconds, and by using a liquid detection sensor, the sample solution of the
이어서, 세정 후 스캔 노즐(53)은 노즐 세정 베슬(54)의 상부로 올라가며 이 상태에서 펌핑을 계속한다. 이렇게 하여 스캔 노즐(53)부터 제 1 스위칭 밸브(81) 및 제 1 펌프(87)까지의 튜브는 액체가 아닌 기체를 채운 상태로 존재한다.Then, after cleaning, the
세정후 다시 샘플 용액을 제 1 샘플 튜브(82)에 로딩하는 등의 과정을 수행하기 전, 적어도 스캔 노즐(53)부터 제 1 샘플 튜브(82)의 앞까지의 구간을 포함하는 유로에 공기 또는 가스를 채운다. 이 후 스캔 노즐(53)은 다시 노즐 세정 베슬(54)로 들어가 대기 상태를 유지한다.
After cleaning, before performing a process such as loading the sample solution into the
오토 캘리브레이션Auto Calibration
본 발명의 일 실시예는, 분석 대상 기판에서 스캔 노즐(53)을 이용하여 흡입한 샘플 용액을 스캔 노즐(53)로부터 분석기(70)까지 유로를 통하여 이송하는 기판 오염물 분석 장치로서, 샘플 용액 도입부(8)외에 표준 용액 도입부(90)를 더 포함할 수 있으며, 표준 용액 도입부(90)는 샘플 용액이 이송되는 유로의 중간에 T자관(94)을 이용하여 결합되어 유로에 캘리브레이션을 위한 표준 용액을 도입할 수 있다.An embodiment of the present invention is a substrate contaminant analysis apparatus that transfers a sample solution sucked from a substrate to be analyzed using a
본 발명의 일 실시예에 따른 시료 도입부(100)는 샘플 용액을 로딩한 다음 샘플 용액을 분석기(70)쪽으로 인젝션하는 샘플 용액 도입부(80)와, 샘플 용액 도입부(80)와 분석기(70) 사이의 유로에 T자관(94)을 이용하여 결합되어 캘리브레이션을 위한 표준 용액을 도입할 수 있는 표준 용액 도입부(90)를 포함한다.The
표준 용액 도입부(90)는 제 2 스위칭 밸브(91), 제 2 샘플 튜브(92), 제 2 액체 감지 센서(93), 제 3 정량 펌프(95) 및 제 2 펌프(96)를 포함하여 구성되며, 제 2 샘플 루프(92)는 표준 용액이 로딩될 공간을 가지며, 제 2 스위칭 밸브(91)는 제 2 샘플 튜브(92)와 결합되며 표준 용액이 제 2 샘플 튜브(92)에 로딩되는 로드 포지션과 로딩된 표준 용액을 T자관(94) 쪽으로 인젝션하는 인젝션 포지션을 적어도 가지는 밸브이다. 제 2 스위칭 밸브(91)는 6 포트 인젝션 밸브일 수 있다.The
제 2 스위칭 밸브(91)는 제 2 샘플 튜브(92)와 결합되는 제 1 포트 및 제 4 포트, 표준용액이 공급되는 유로에 결합되는 제 3 포트, 표준 용액을 흡입하는 흡입 펌프인 제 2 펌프(96)에 결합되는 제 2 포트, T자관(94)에 연결되는 제 5 포트, 표준 용액을 밀어주는 초순수가 공급되는 제 6 포트를 포함한다.The
그리고 제 2 스위칭 밸스(91)가 표준 용액을 로딩할 때에는 제 1 포트 및 제 2 포트 사이, 제 3 포트 및 제 4 포트 사이, 및 제 5 포트 및 제 6 포트 사이가 연결되며, 표준 용액을 인젝션할 때에는 제 6 포트 및 제 1 포트 사이, 제 2 포트 및 제 3 포트 사이, 및 제 4 포트 및 제 5 포트 사이가 연결된다.And when the
본 발명의 일 실시예에 따르면, 시료 도입부(100)를 이용하여 샘플 용액과 표준 용액의 희석비를 정해진 비에 의해 다양하게 조절하여 분석기(70)로 도입하면서 캘리브레이션을 자동 진행할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the calibration can be performed automatically while introducing the sample solution into the
평상시 제 1 스위칭 밸브(81)는 인젝션 포지션에 위치하여 상시 초순수가 제 1 샘플 루프(81)를 통해 분석기(70)로 도입되며, 이는 상시 세정의 의미를 갖는다.Normally, the
한편, 캘리브레이션을 할 때 제 3 정량 펌프(93)는 로딩된 표준 용액을 초순수로써 밀어주고 이후 T자관(94)부터 제 3 정량 펌프(95)의 유로는 초순수로 채워지게 되며, 캘리브레이션의 완료 후 로드 포지션으로 복귀하는 데 이때에도 그 상태를 유지하게 된다. 제 2 스위칭 밸브(91)는 평상시 로드 포지션(도 2의 상태)에 존재하고 T자관(94)부터 제 3 정량 펌프(95)의 유로는 초순수로 채워져 있게 되므로, 샘플 용액 도입부(80) 등에 의해 샘플 용액의 분석을 진행할 때 표준 용액이 T자관(94)을 타고 샘플 용액에 혼입되어 분석기(70)로 들어가 분석 결과에 영향을 주지 않도록 한다.Meanwhile, during calibration, the
적어도 샘플 용액이 T자관(94)을 통과하여 이송될 때에는, 적어도 T자관(94)부터 제 2 스위칭 밸브(91) 사이의 유로에는 초순수로 채워져 있도록 하게 되므로, T자관(94)에 의해서 샘플 용액이 표준 용액으로 부터 영향받는 것을 배제할 수 있다. At least when the sample solution is transferred through the T-
제 2 스위칭 펌프(91)의 로드 포지션에서는 정해진 시간마다 또는 캘리브레이션을 하기 전, 표준 용액을 흘려서 버릴 수 있으며, 인젝션 포지션에서는 제 3 정량 펌프(95)를 이용하여 로딩된 표준 용액을 초순수로써 밀어준다.In the load position of the
본 발명의 일 실 시예에 따르면, 샘플 용액 도입부(90)는 샘플 용액을 분석기(70)쪽으로 인젝션할 때 초순수로써 샘플 용액을 밀어주는 초순수 캐리어부(88)를 포함하되, 캘리브레이션을 위하여 표준 용액을 희석할 때에도 초순수 캐리어부(88)를 공통 이용한다.According to an embodiment of the present invention, the sample
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 오염물 분석장치에서 시료 도입부(100)를 이용하여 분석기(70)를 오토 캘리브레이션하는 과정에 대하여 설명한다.Hereinafter, a process of auto-calibrating the
분석기로써 분석해야할 대상은 스캔 용액에서 유래하는 샘플 용액이므로 캘리브레이션에 있어서도 표준 용액을 스캔 용액으로 희석하여 캘리브레이션을 진행하는 것이 바람직할 수 있다.Since the target to be analyzed by the analyzer is a sample solution derived from the scan solution, it may be preferable to dilute the standard solution with the scan solution in calibration to proceed with the calibration.
본 발명의 일 실시예에 따르면 표준 용액을 스캔 용액으로 희석하면서 분석한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 시료 도입부(100)는 원래 샘플 용액의 도입을 위한 샘플 용액 도입부(80)를 포함하는 바, 표준 용액으로써 분석기에 대한 캘리브레이션을 수행할 때 샘플 용액 도입부(80)는 샘플 용액 대신 스캔 용액을 도입하여 표준 용액을 희석한다. 표준 용액을 스캔 용액으로 희석할 때 제 1 밸브(88)를 닫고 제 2 밸브(89)를 열어서 샘플 용액 도입부(80)의 구성을 그대로 이용하면서 스캔 용액 베슬(121)로부터 희석을 위한 스캔 용액을 직접 도입한다.According to an embodiment of the present invention, a standard solution is analyzed while being diluted with a scan solution. The
한편, 스캔 용액은 제조 또는 취급 과정중, 포함되는 극미량 오염물의 농도가 흔들릴 수 있으며, 이러한 문제점을 해결하기 위한 방법으로서, 본 발명의 다른 실시예에서는 표준 용액을 스캔 용액으로 희석하는 대신 초순수로써 희석하고 스캔 용액의 측정 결과를 이용하여 보정하는 방법을 사용한다.On the other hand, the concentration of trace contaminants included in the scan solution may fluctuate during the manufacturing or handling process, and as a method to solve this problem, in another embodiment of the present invention, the standard solution is diluted with ultrapure water instead of diluted with the scan solution. and a method of correction using the measurement results of the scan solution is used.
본 발명의 일 양상에 따르면, 적어도 한가지 이상의 표준 용액에 대하여 초순수로써 표준 용액을 실시간 희석하면서 분석기(70)로 이송하여 분석하며, 또한 스캔을 위하여 사용되는 스캔 용액을 분석기(70)로 이송하여 분석한다.According to an aspect of the present invention, at least one standard solution is transferred to the
본 발명의 일 실시예에 따르면, 초순수 분석 → 표준 용액 농도 1 분석 → 표준 용액 농도 2 분석 → . . → 표준 용액 농도 N 분석 → 스캔 용액 분석 등의 순서로 진행될 수 있으며, 표준 용액을 분석할 때에는 낮은 농도에서 고농도 순으로 측정하여 분석함으로써 유로에 금속 원자등이 침전되어 생길 수 있는 메모리 효과를 저감할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, ultrapure water analysis →
먼저 제 1 스위칭 밸브(81)을 인젝션 포지션에 두고 초순수를 분석기(70)로 도입하는 바, 초순수는 제 2 정량펌프(86)를 이용해 정해진 유량으로 분석기(70)에 공급되며, 분석기(70)가 초순수를 분석하여 초순수의 분석 결과를 도출한다.First, the
이어서, 제 2 스위칭 밸브(91)를 로드 포지션으로 하고 제 2 펌프(96)를 이용해 표준 용액을 제 2 샘플 튜브(92)에 채운다. 필요시 제 2 샘플 루프(92)를 통해 표준 용액을 정해진 시간 이상 펌핑함으로써 제 2 샘플 루프(92)에 대한 세정을 수행한 후 제 2 샘플 튜브(92)에 채울 수도 있다.Then, the
그리고 제 2 액체 감지 센서(93)을 이용하여 표준 용액의 도달을 감지하고서 또는 제 2 액체 감지 센서(93)을 이용하지 않고 일정 시간 후, 제 2 스위칭 밸브(91)를 인젝션 포지션으로 스위칭한다. 여기서 로드 포지션은 표준 용액을 도입할 수 있는 연결 상태이며, 인젝션 포지션은 표준 용액을 분석기로 도입할 수 있는 연결 상태이다.Then, the
이어서, 제 1 인젝션 밸브(81)에 연결된 제 2 정량 펌프(86)를 이용해 제 1 샘플 루프(82)의 초순수를 분석기(70)로 도입하면서 동시에 제 2 스위칭 밸브(91)에 연결된 제 3 정량 펌프(95)를 이용해 제 2 샘플 루프(92)의 표준용액을 분석기(70)로 도입한다. 각 용액은 중간의 T자관(94)에서 만나 믹싱되면서 섞인다. 혼합 또는 희석비는 각 펌프의 토출 유량에 의해 결정된다.Subsequently, the ultrapure water of the
본 발명의 일 실시에 따르면, 실시간 희석을 위하여 초순수 및 표준 용액은 각각 서로 다른 샘플 튜브에 로딩된 후 서로 다른 2개의 정량 펌프에 의해서 동시에 인젝션되어 T자관(94)에서 혼합되며, 초순수 및 표준 용액의 희석비는 서로 다른 2개의 정량 펌프의 토출 유량에 의해서 결정된다.According to one embodiment of the present invention, for real-time dilution, ultrapure water and standard solution are loaded into different sample tubes, respectively, and then injected simultaneously by two different metering pumps and mixed in a T-
그리고 분석기(70)는 분석을 진행하여 표준 용액 농도 1에 대한 결과값을 저장하며, 아울러 여러 가지의 표준 용액 농도에 대하여 순차적으로 측정 분석한다. 이 때 상기한 바와 같이 토출 유량을 달리해 희석비를 조정한다.And the
표준 용액에 대한 분석은 복수의 서로 다른 희석 농도에서 실행되어 캘리브레이션 커브를 획득하는 데 이용된다. 여러 농도에 대하여 표준 용액의 분석이 완료되면 캘리브레이션 커브가 생성되며, 캘리브레이션 커브는 분석기의 입력과 출력 사이, 또는 도입되는 시료의 농도와 분석기의 출력값 사이의 관계를 나타낸다. 여기서 '캘리브레이션 커브'는 반드시 수학적 커브를 의미하는 것이 아니라, 분석기의 입력과 출력 사이, 또는 도입되는 시료의 농도와 분석기의 출력값 사이의 대응 관계를 알 수 있는 맵핑 테이블이나 매핑 함수와 같은 것을 포함할 수 있다.Analyzes on standard solutions are run at a plurality of different dilution concentrations and used to obtain calibration curves. When the analysis of the standard solution for various concentrations is completed, a calibration curve is generated, and the calibration curve represents the relationship between the input and output of the analyzer, or the concentration of the sample introduced and the output value of the analyzer. Here, the 'calibration curve' does not necessarily mean a mathematical curve, but may include a mapping table or mapping function that can determine the correspondence between the input and output of the analyzer, or between the concentration of the introduced sample and the output value of the analyzer. can
그리고 각 시료 속 원소별로 작성된 캘리브레이션 커브는 통상 직선성이 뛰어나야 신뢰성이 있다. 직선성 판단 기준치를 설정하여 미달이면 전체 또는 일부의 캘리브레이션을 다시 진행하여 설정값이 충족될 때만 정상 처리할 수 있다.In addition, the calibration curve prepared for each element in each sample is usually reliable only when it has excellent linearity. If the linearity judgment standard is set and the standard is not met, all or part of the calibration is performed again, and only when the set value is satisfied, normal processing can be performed.
그리고 기판 오염물 분석 장치는 분석기(70)로써 스캔 용액을 분석한다. 스캔 용액을 제 1 스위칭 밸브(81)의 제 1 샘플 튜브(82)에 채우는 바, 스캔 노즐(53)을 통하지 않고 제 1 스위칭 밸브(81)의 로드 포지션에서 제 1 펌프(87)를 이용해 제 1 샘플 루프(82)에 채우며, 이때 제 1 밸브(88)는 닫고 제 2 밸브(89)는 열어 둔다.In addition, the substrate contaminant analysis apparatus analyzes the scan solution using the
그리고 제 1 정량펌프(85)를 이용해 정해진 유량으로 초순수로써 스캔 용액을 분석기로 밀어서, 분석기(70)에서는 분석을 진행하여 스캔 용액의 분석 결과를 도출한다.Then, the scan solution is pushed to the analyzer with ultrapure water at a predetermined flow rate using the
스캔 용액에 대한 분석 결과, 금속 원자등의 오염물이 극미량 농도 설정값보다 낮으면, 표준 용액에 대한 분석 결과를 그대로 적용하여 추후 샘플 용액을 분석하는 데 이용할 수 있다.As a result of the analysis of the scan solution, if the contaminants such as metal atoms are lower than the trace concentration set value, the analysis result for the standard solution can be applied as it is and can be used to analyze the sample solution later.
또한, 다른 방법으로서, 스캔 용액의 분석 결과 극미량 농도 설정값보다 낮으면 정상으로 처리하며, 표준 용액에 대한 분석 결과는 스캔 용액에 대한 분석 결과에 의해서 보정되어 샘플 용액을 분석하데 이용되게 할 수 있다. 스캔 용액에 대한 분석 결과에 의해서 캘리브레이션 커브를 보정하거나, 샘플 용액을 분석함에 있어서 샘플 용액의 농도에서 스캔 용액의 분석 결과에 따른 스캔 용액의 농도를 빼줄 수 있다. 그리고 스캔 용액의 분석 결과 극미량 농도 설정값보다 높게 발생시에는 재측정하고 그래도 이상 상태이면 스캔 용액을 다시 제조하는 등의 조치를 취하도록 할 수도 있다.In addition, as another method, if the analysis result of the scan solution is lower than the trace concentration set value, it is treated as normal, and the analysis result for the standard solution is corrected by the analysis result for the scan solution so that it can be used to analyze the sample solution . The calibration curve may be corrected according to the analysis result of the scan solution, or the concentration of the scan solution according to the analysis result of the scan solution may be subtracted from the concentration of the sample solution when the sample solution is analyzed. In addition, if the analysis result of the scan solution is higher than the trace concentration set value, it is measured again.
스캔 용액은 제조 또는 취급 과정중, 포함되는 극미량 오염물의 농도가 흔들릴 수 있으며 이에 따라 스캔 용액으로 희석하면 표준 용액의 분석 결과에서 스캔 용액으로 인한 오차분을 구별해 낼 수 없으나, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 이러한 문제점을 해결하여 스캔 용액에서 오염물의 농도가 흔들리더라도 그 만큼을 일괄 보정할 수 있게 되므로 캘리브레이션에 있어서 스캔 용액의 흔들림을 배제하기 쉬운 효과가 있다.
The concentration of trace contaminants contained in the scan solution may fluctuate during the manufacturing or handling process, and accordingly, when diluted with the scan solution, it is not possible to distinguish the error due to the scan solution from the analysis result of the standard solution. According to an example, by solving this problem, even if the concentration of contaminants in the scan solution fluctuates, it is possible to collectively correct the amount, so it is easy to exclude the shaking of the scan solution in calibration.
Sensitivity Check Sensitivity Check
상기한 바와 같이 기판 오염물 분석 장치는 오토 캘리브레이션을 통하여 표준 용액에 대하여 복수의 서로 다른 희석 농도에서 분석기(70)로써 분석하여 캘리브레이션 커브를 획득하고 획득된 캘리브레이션 커브를 이용하여 일련의 샘플 용액을 분석한다.As described above, the substrate contamination analyzer analyzes the standard solution at a plurality of different dilution concentrations through auto-calibration to obtain a calibration curve and analyzes a series of sample solutions using the obtained calibration curve. .
본 발명의 일 실시예에 따르면, 설정된 주기 또는 설정된 시간에 자동으로 표준 용액을 분석기(70)로 측정하여 측정된 농도값이 설정 범위 이내인지를 판단하여 감도를 체크하는 감도 체크 단계를 실행한다.According to an embodiment of the present invention, a sensitivity check step of automatically measuring a standard solution with the
감도 체크 단계는 오토 캘리브레이션의 실행 빈도에 비하여 적은 빈도로 간단히 실행할 수 있다. 그리고, 감도 체크 단계에서 특정된 농도값이 설정 범위를 벗어나는 경우, 캘리브레이션 커브를 획득하는 과정을 다시 수행한다.The sensitivity check step can be simply performed with a small frequency compared to the frequency of auto-calibration. And, if the concentration value specified in the sensitivity check step is out of the set range, the process of acquiring the calibration curve is performed again.
분석기(70)는 시간에 따라 분석 감도가 조금씩 변한다. 이에 따라 감도 상태를 체크하여 이상 유무를 체크한다. 감도가 달라지면 측정 결과가 달라져 분석 결과의 신뢰성이 떨어지기 때문이다.The
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 감도 체크 과정을 도시한 플로우차트이다.4 is a flowchart illustrating a sensitivity check process according to an embodiment of the present invention.
먼저, 표준 용액을 특정 비율로 희석하여 또는 그대로 분석기(70)로 측정하되(S10), 분석기(70)의 출력값 또는 예상되는 농도값은 미리 알고 있다. 그리고, 측정된 농도값이 설정 범위 이내인지를 판단한다(S12). 판단 결과 농도값이 설정 범위를 벗어나면 다시 오토 캘리브레이션 과정을 수행하도록 하여(S14) 캘리브레이션 커브를 다시 획득하도록 하며, 농도값이 설정 범위를 벗어나지 않으면 다음 샘플 용액 등 샘플 용액에 대한 분석을 계속한다(S16). 측정한 농도값이 설정된 편차 이내에서 존재하면 정상 처리되어 다음 샘플을 측정할 수 있는 반면 설정된 편차를 벗어나 오차가 커지면 감도의 변화로 인식하여 캘리브레이션 과정을 다시 수행토록 한다.First, the standard solution is diluted in a specific ratio or measured with the
그리고 설정된 범위를 벗어나는 경우, 바로 분석기(70)의 캘리브레이션을 다시 수행하지 않고 표준 용액에 대한 측정을 정해진 숫자 만큼 반복한 이후에도 설정 범위를 벗어나면 그 때 캘리브레이션을 수행토록 할 수도 있다.In addition, when out of the set range, the calibration of the
본 발명의 일 실시예에 따르면, 간단한 절차로 수행될 수 있는 감도 체크 과정을 도입함으로써, 시간이 많이 소요되는 캘리브레이션 과정을 자주 실행하지 않아도 되는 효과가 있다.
According to an embodiment of the present invention, by introducing a sensitivity check process that can be performed with a simple procedure, there is an effect that it is not necessary to frequently perform a time-consuming calibration process.
Self ValidationSelf Validation
고농도로 오염된 시료를 분석하면 시료와 접촉되는 노즐, 유로 및 분석기 등에 오염물이 일부 잔류할 수 있다. 통상적으로 각 샘플의 분석 후 관련 부분의 세정 작업이 진행되지만, 고농도 오염시료의 경우는 1회 또는 정해진 숫자의 세정 등으로 오염이 제거되지 않을 수 있다.If a sample contaminated with a high concentration is analyzed, some of the contaminants may remain in nozzles, flow paths, and analyzers that come into contact with the sample. In general, after analysis of each sample, cleaning of the relevant part is carried out, but in the case of a high concentration contaminated sample, the contamination may not be removed by washing once or a predetermined number of times.
이렇게 오염이 남게 되면 다음 샘플의 측정 시 깨끗한 샘플이라 해도 오염 성분이 있는 것으로 측정될 수 있다. 이렇게 이전에 측정한 샘플에서 남은 물질이 새로 측정하는 샘플의 결과에 영향을 미치는 메모리 효과(memory effect)를 가진다. 이와 같이, 메모리 효과는 시료 측정 결과의 신뢰성에 문제를 야기시킬 수 있다. 이에 따라 본 발명의 일 실시예에 따르면, 메모리 효과(memory effect)가 완전히 제거 되었는지 확인하는 자기 검증(self validation) 기능을 자동으로 수행하도록 한다.If contamination remains in this way, when the next sample is measured, even if it is a clean sample, it may be determined that there is a contamination component. In this way, the material remaining in the previously measured sample has a memory effect that affects the result of the newly measured sample. As such, the memory effect may cause a problem in the reliability of the sample measurement result. Accordingly, according to an embodiment of the present invention, a self-validation function for checking whether a memory effect is completely removed is automatically performed.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 자기 검증 과정을 설명하기 위한 플로우차트이다.5 is a flowchart illustrating a self-verification process according to an embodiment of the present invention.
통상적인 절차에 따라 샘플 용액을 분석기로 이송하여 분석하며(S20) 분석이 있을 때마다 분석후 스캔 노즐부터 분석기까지의 유로를 세정하며(S22), 이때에는 초순수를 이용한 자동 세정일 수 있다.The sample solution is transferred to the analyzer for analysis according to a conventional procedure (S20), and the flow path from the scan nozzle to the analyzer is cleaned after analysis whenever there is an analysis (S22), and in this case, automatic cleaning using ultrapure water may be performed.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 자기 검증 과정(S40)이 추가되는 바, 이송된 샘플 용액이 설정된 농도값 이상의 고농도이었는지를 판단하며(S24), 고농도 샘플이 아니었던 경우에는 다음 샘플 용액에 대한 분석으로 진행한다.According to an embodiment of the present invention, as the self-verification process (S40) is added, it is determined whether the transferred sample solution has a high concentration above a set concentration value (S24), and if it is not a high concentration sample, the analysis of the next sample solution proceed to
그러나, 만약 고농도 샘플인 경우에는 시료 전달 파트를 케미컬로 세정하며(S26), 초순수를 이용한 세정과 함께 초순수를 분석기로 이송 분석하며(S28), 초순수의 측정된 농도값이 설정 범위 이내인지를 판단한다(S30). 만약 설정된 범위이내이면 다음 샘플에 대한 분석으로 넘어가지만, 설정 범위를 벗어나는 경우에는 케미컬 세정 및 초순수 분석 과정을 반복하며, 정해진 횟수를 반복하여도 설정 범위를 벗어나는 경우에는 알람을 발생시킬 수 있다. 자기 검증 단계의 실행 결과, 설정된 범위를 정해진 횟수만큼 벗어나는 경우 알람을 발생시킨다.However, in the case of a high concentration sample, the sample delivery part is chemically cleaned (S26), the ultrapure water is transferred to the analyzer along with cleaning using ultrapure water and analyzed (S28), and it is determined whether the measured concentration value of the ultrapure water is within the set range do (S30). If it is within the set range, it moves on to the analysis of the next sample, but if it is out of the set range, chemical cleaning and ultrapure water analysis are repeated. As a result of executing the self-verification step, an alarm is generated when the set range is out of the set number of times.
상기에서 자기 검증 단계는 고농도 샘플인지를 판단하는 것으로 하였으나, 고농도 샘플 여부에 상관없이 초순수 분석등으로 구성되는 자기 검증을 실행하 수도 있다.Although the self-verification step is to determine whether a high-concentration sample is in the above, self-verification consisting of ultrapure water analysis, etc. may be performed regardless of whether the high-concentration sample is present.
본 발명의 일 실시예에 따르면 자기 검증(self validation) 기능을 자동으로 수행함으로써, 기판 오염물 분석 장치 및 방법에서 메모리 효과(memory effect)를 손쉽게 배제하며 기판 오염물 분석 결과의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
According to an embodiment of the present invention, by automatically performing a self-validation function, it is possible to easily exclude a memory effect from the substrate contamination analysis apparatus and method and to improve the reliability of the substrate contamination analysis result there is
모니터 웨이퍼에 대한 리사이클링Recycling for monitor wafers
기판 오염물 분석 장치는 주로 반도체 제조 공정 중에 있는 모니터 웨이퍼를 도입받아 기상분해한 후 스캔 노즐을 이용하여 모니터 웨이퍼를 분석기로써 분석한다. 종래 ICP-MS 등에 의한 웨이퍼의 오염물 분석은 VPD 등을 수반하므로 파괴 분석으로 분류되며 분석이 끝난 웨이퍼는 폐기하였다.A substrate contaminant analysis device mainly receives a monitor wafer in the semiconductor manufacturing process, decomposes it in gas phase, and then analyzes the monitor wafer with an analyzer using a scan nozzle. Conventional analysis of contaminants on wafers by ICP-MS or the like involves VPD and the like, so it is classified as destructive analysis, and the wafers that have been analyzed are discarded.
그러나, 본 발명의 일 실시예에 따르면 스캔이 종료된 모니터 웨이퍼를 재활용하기 위하여, 적어도 리사이틀링 유닛(60)을 이용하여 산 계열 또는 염기 계열의 케미컬을 포함하는 용액으로 처리한다. 산 계열의 케미컬은 불산 및 과산화수소를 포함하며, 염기 계열의 케미컬은 수산화암노늄 및 과산화수소를 포함한다.
However, according to an embodiment of the present invention, in order to recycle the scanned monitor wafer, it is treated with a solution containing an acid-based or base-based chemical using at least the reciting
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 리사이클 유닛의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a recycling unit according to an embodiment of the present invention.
리사이클링 유닛(60)은 상부 노즐(69 : 분리 상태로 도시됨), 상부 노즐 장착부(63), 하부 노즐(64), 웨이퍼 로드 플레이트(61), 웨이퍼 진공척(62), 상부 노즐 회전 구동부(66), 진공척 구동부(67) 및 경사부(65) 등을 포함한다.The
상부 노즐(69 : 분리 상태로 도시됨)은 상부 노즐 장착부(63)에 장착되고 상기한 용액을 모니터 웨이퍼의 상부면으로 분사하며, 상부 노즐 회전 구동부(66)는 상부 노즐을 회전 구동한다. 하부 노즐(64)은 상기한 용액을 모니터 웨이퍼의 하부면으로 분사하며, 하부 노즐 회전 구동부(68)에 의해서 회전 구동될 수 있다. 리사이클링 유닛(60)은 상부 및 하부에 구비된 노즐을 통하여 모니터 웨이퍼의 양면을 처리할 수 있다.The upper nozzle 69 (shown in a detached state) is mounted on the upper
그리고 리사이클링 유닛(60)은 챔버를 포함하되, 챔버의 내측 바닥은 일측으로 경사진 구조인 경사부(65)를 포함하여 처리 후 상기한 용액의 배수를 돕는다.And the
본 발명의 일 실시예에 따르면, 스캔이 종료된 모니터 웨이퍼를 재활용하기 위하여, 챔버에서 적어도 산 계열 또는 염기 계열의 케미컬을 포함하는 용액으로 처리하는 리사이클링 처리 단계를 포함하며, 리사이클링 처리 단계는 모니터 웨이퍼의 양면에 대하여 상기한 용액의 분사에 의해서 실행된다.According to an embodiment of the present invention, in order to recycle the scanned monitor wafer, a recycling process step of treating the monitor wafer with a solution containing at least an acid-based or base-based chemical in a chamber, the recycling process step is the monitor wafer is carried out by spraying the above solution on both sides of the
리사이클링 유닛에서의 처리 과정을 상세히 살펴보면, 모니터 웨이퍼를 공정 챔버로 인입하여 상승된 웨이퍼 로드 플레이트(61)에 안착시킨 후, 웨이퍼 로드 플레이트(61)는 하강하고 도어는 닫는다. 그리고, 상부 노즐이 웨이퍼 센터로 이동하고 약액을 분사하는 바, 저속으로 웨이퍼는 회전되고 상부 노즐도 제한된 각도로 회전된다. 상부 노즐에 의한 약액의 고른 분사후 웨이퍼 하부에 대해서도 유사하게 약액 분사가 이루어진다.Looking at the processing process in the recycling unit in detail, after the monitor wafer is introduced into the process chamber and seated on the raised
그리고 웨이퍼 상부 및 하부에 대하여 초순수를 이용하여 린스(Rinse)가 진행되고 웨이퍼를 고속 회전시고 질소 가스를 분사하여 건조시키며, 건조 완료후 웨이퍼 로드 플레이트가 상승하고 도어가 오픈된 다음 웨이퍼를 인출한다.The upper and lower portions of the wafer are rinsed using ultrapure water, the wafer is rotated at high speed, and nitrogen gas is sprayed to dry the wafer. After drying, the wafer load plate rises, the door is opened, and then the wafer is taken out.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 종래 폐기되었던 모니터 웨이퍼를 재사용할 수 있으므로 모니터 웨이퍼의 비용을 대폭 절감할 수 있는 효과가 있다.
According to an embodiment of the present invention, since the conventionally discarded monitor wafer can be reused, the cost of the monitor wafer can be greatly reduced.
스캔용액 등에 대한 자동 약액 제조Automatic chemical solution manufacturing for scanning solution, etc.
종래 기판 오염물 분석 장치의 경우 각 공정에 사용되는 약액을 작업자가 직접 제조하거나 제조된 제품을 구매하여 사용하였다. 이에 따라 작업자가 약액을 주기적으로 보충 또는 교체해야 하는 불편이 있다.In the case of the conventional substrate contaminant analysis apparatus, the chemical solution used in each process was directly prepared by the operator or the manufactured product was purchased and used. Accordingly, there is an inconvenience in that the operator has to periodically replenish or replace the chemical solution.
그리고 이렇게 약액을 제조 및 교체하는 등의 과정에서 안전 사고를 야기시킬 수 있는 문제가 있으며, 작업 과정에서 일부 시료의 오염이 발생하여 측정 결과의 신뢰성을 크게 떨어뜨리는 문제도 있다. 본 발명에 관한 장치는 극미량의 오염을 분석하는 장치이므로 허용되는 오염 정도의 수준이 매우 낮으며 사소한 부주의나 작업 환경상의 오염원에 의해서도 이러한 허용 오염 수준을 만족하지 못하거나 기준 농도 제조가 안될 가능성이 매우 높다.
In addition, there is a problem that may cause a safety accident in the process of manufacturing and replacing the chemical solution, and there is a problem that contamination of some samples occurs during the work process, thereby greatly reducing the reliability of the measurement result. Since the device according to the present invention is a device that analyzes trace levels of contamination, the allowable level of contamination is very low, and there is a very high possibility that the allowable contamination level cannot be satisfied or that the standard concentration cannot be manufactured even by minor carelessness or pollution sources in the working environment. high.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 스캔 용액 제조부를 도시한 모식도이다.7 is a schematic diagram illustrating a scan solution manufacturing unit according to an embodiment of the present invention.
스캔 용액 제조부는 초순수 및 중앙 공급 케미컬을 자동 혼합하여 스캔 용액을 제조하며,The scan solution manufacturing unit automatically mixes ultrapure water and centrally supplied chemicals to prepare a scan solution,
스캔 용액 제조부는 스캔 용액 베슬(121), 복수의 밸브(125a~125i), 복수의 유량조절계(122~124) 및 펌프(127)를 포함하여 구성된다. 스캔 용액 베슬(121: 도 2의 121과 동일)은 제조된 스캔 용액이 임시 저장되는 용기이다.The scan solution manufacturing unit is configured to include a
밸브 및 유량조절계는 초순수(DIW) 및 중앙 공급 케미컬(Chem1, Chem2)을 공급하는 라인들과 스캔 용액 베슬(121)과의 사이, 그리고 초순수(DIW) 및 중앙 공급 케미컬(Chem1, Chem2)을 공급하는 라인들과 드레인(128)과의 사이, 스캔 용액 베슬(121)과 드레인(128) 사이 등에 위치한다. 특히, 밸브(125f, 125g, 125g)는 중앙 공급 케미컬을 공급하는 라인들과 드레인 사이에서 위치하여 중앙 공급 케미컬을 배출하거나 주기적으로 배출하여 중앙 공급 케미컬의 정체에 따른 오염을 방지한다.The valve and flow controller are between the lines supplying ultrapure water (DIW) and centrally supplied chemicals (Chem1, Chem2) and the
또한, 본 발명의 일 실시예에는 스캔 용액 베슬(121)에 저장된 스캔 용액을 유로를 통해 분석기로 이송하여 적어도 제조된 스캔 용액의 오염 여부를 검증하는 데 일 특징이 있다.In addition, an embodiment of the present invention has a feature in that the scan solution stored in the
이하 이러한 점을 포함하여 스캔 용액의 자동 제조 및 검증 과정에 대하여 설명한다.Hereinafter, the automatic manufacturing and verification process of the scan solution including these points will be described.
약액은 펌프 또는 중앙공급 시스템에 의해 공급될 수 있으며, 약액의 부피는 유량조절계(122,123,124) 또는 정량 펌프(미도시) 등을 사용하여 정의하여 정해진 부피를 스캔 용액 베슬(121)에 공급한다. 약액 공급은 혼합하고자 하는 약액을 순서대로 또는 동시에 진행할 수 있으며 관련 밸브를 열어서 도입할 수 있다.The chemical solution may be supplied by a pump or a central supply system, and the volume of the chemical solution is defined using a flow controller (122, 123, 124) or a metering pump (not shown), and a predetermined volume is supplied to the scan solution vessel (121). The chemical liquid supply may proceed sequentially or simultaneously with the chemical liquid to be mixed, and may be introduced by opening a related valve.
먼저 스캔 용액을 제조하기 위한 초순수 및 중앙 공급 케미컬을 동일하게 이용하여 스캔 용액 베슬(121)을 세정한 후 드레인으로 배출한다. 구체적으로 살펴보면, 밸브(125f)를 닫고 밸브(125c)를 연 상태에서, 유량조절계(124)를 이용해 유량을 조절하여 초순수를 스캔 용액 베슬(121)에 도입하며, 마찬가지로 제 1 중앙공급 케미컬(HF) 및 제 2 중앙 공급 케미컬(H2O2)을 정해진 시간 후에 동일한 방법으로 도입하되 최종 부피를 맞추기 위해 유량과 밸브 열림 시간을 조절한다.First, the
챔버 세정을 위해 일정 시간을 대기한 후 밸브(125i)를 열고 펌프(127) 또는 가스 가압을 이용해 스캔 용액 베슬(121)의 용액을 드레인(128)로 배출하며 이러한 과정은 생략될 수도 있고 반복될 수도 있다.After waiting a certain time for chamber cleaning, the
그리고 초순수 및 중앙 공급 케미컬을 자동 혼합하여 스캔 용액을 제조하고 베슬에 저장한다. 스캔 용액의 제조 과정은 상기한 베슬 세정을 위해서 초순수 및 중앙 공급 케미컬을 채우는 과정과 동일하며, 다만 농도 등의 조절은 달리할 수 있다.The scan solution is then automatically mixed with ultrapure water and centrally supplied chemicals and stored in a vessel. The manufacturing process of the scan solution is the same as the process of filling the ultrapure water and the centrally supplied chemical for cleaning the vessel described above, however, the concentration and the like may be different.
그리고, 유로를 통해 제조된 스캔 용액을 스캔 용액 베슬(121)로부터 분석기(70)로 이송하여 적어도 제조된 스캔 용액의 오염 여부를 검증한다. 이때 밸브(89: 도 2), 스위칭 밸브(81) 및 샘플 튜브(82) 등을 이용하여 분석기(70)로 이송하여 분석하며, 이러한 과정은 캘리브레이션 과정에서 스캔 용액을 분석하는 과정과 동일할 수 있다. 그리고 측정된 결과가 극미량 설정값 이상이면 오염된 것으로 판단하여 재제조 및 분석 등을 설정 횟수만큼 반복하며 만일 반복 이후에도 설정값 이상이면 알람을 띄운다.Then, the scan solution prepared through the flow path is transferred from the
본 발명의 일 실시예에 따르면 기판 오염물 분석 장치 및 방법에서 안전 사고 및 약액 오염을 방지하고 제조된 스캔 용액의 품질을 보장할 수 있는 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, there is an effect of preventing safety accidents and chemical contamination in an apparatus and method for analyzing substrate contamination and guaranteeing the quality of a prepared scan solution.
그리고 스캔 용액 제조부는 중앙 공급 케미컬을 드레인으로 주기적으로 배출하여 중앙 공급 케미컬의 정체에 따른 오염을 방지한다. 약액은 정체가 되면 자발적으로 오염이 유발되며, 특히 오염은 박테리아 등 생물체 등에 의해서도 유발될 수 있으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 스캔 용액 제조부는 약액의 정체에 따른 오염을 미연에 방지한다.In addition, the scan solution manufacturing unit periodically discharges the centrally supplied chemical to the drain to prevent contamination due to the stagnation of the centrally supplied chemical. When the chemical solution is stagnant, contamination is spontaneously induced. In particular, the contamination may be caused by living organisms such as bacteria, but the scan solution manufacturing unit according to an embodiment of the present invention prevents contamination due to the stagnation of the chemical solution in advance.
약액 공급을 원활히 하기 위해 스캔 용액 베슬(121)에는 배기가 연결될 수 있으며, 스캔 용액 베슬(121)에 존재하는 약액은 펌프(127)나 가스 가압을 사용하여 드레인(128)으로 제거할 수 있고 초순수를 이용하여 세정할 수 있다. 또한 스캔 용액 베슬(121)에는 약액 레벨 감지 센서(126a, 126b)를 설치하여 약액이 부족하면 자동으로 새로 제조할 수 있거나 과량 제조되는 경우 안전을 위해 작업이 중단될 수 있도록 한다.
Exhaust may be connected to the
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭 용액 제조부를 도시한 모식도이다.8 is a schematic diagram illustrating an etching solution manufacturing unit according to an embodiment of the present invention.
에칭 용액 제조부는 반도체 기판의 벌크를 글로벌 에칭하거나 포인트 에칭하기 위한 에칭 용액을 자동 제조하며, 에칭 용액 제조부는 케미컬을 공급하는 케미컬 공급 용기(133, 134), 포인트 에칭액 베슬(131), 벌크 에칭액 베슬(132), 복수의 밸브(136a~136g) 및 정량 펌프(135)를 포함하여 구성된다.The etching solution manufacturing unit automatically prepares an etching solution for global or point etching the bulk of the semiconductor substrate, and the etching solution manufacturing unit supplies
포인트 에칭액 베슬(131)은 기판의 포인트 뎁스 프로파일(Point Depth Profile)을 분석하기 위하여 기판을 포인트 에칭하는 에칭액을 저장하며, 스캔 노즐(53)로 에칭액을 공급하기 위한 에칭 용액 베슬이다. 벌크 에칭액 베슬(132)은 VPD 유닛에서 기판의 벌크까지 에칭하고 벌크를 스캔하여 분석하기 위한 에칭액을 저장하는 에칭 용액 베슬이다.The
정량 펌프(135)는 에칭 용액을 제조하기 위한 2이상의 케미컬 및 초순수를 순차 흡입한 후 포인트 에칭액 베슬(131) 또는 벌크 에칭액 베슬(132)의 에칭 용액 베슬로 배출한다. 그리고 에칭 용액 베슬(131, 132)로부터 글로벌 에칭을 위한 챔버나 포인트 에칭을 위한 노즐로 유로를 통해 에칭액을 가스상태로 변환하여 또는 액체상태로 공급하며, 사용되는 케미컬은 바람직하게 불산(HF) 및 질산(HNO3)을 포함한다.The
이하 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭 용액 제조부에서 에칭 용액을 제조하는 에칭 용액 자동 제조 과정을 설명한다.Hereinafter, an automatic etching solution manufacturing process for preparing an etching solution in the etching solution manufacturing unit according to an embodiment of the present invention will be described.
제조 과정은 반도체 기판의 벌크를 글로벌 에칭하거나 포인트 에칭하기 위한 에칭 용액을 자동 제조하는 과정으로서, 에칭 용액을 제조하기 위한 2이상의 케미컬 및 초순수를 순차 흡입한 후 에칭 용액 베슬로 배출하는 과정을 반복 수행하며, 제조된 애칭 용액은 에칭 용액 베슬로부터 글로벌 에칭을 위한 챔버나 포인트 에칭을 위한 노즐로 유로를 통해 공급된다.The manufacturing process is a process of automatically preparing an etching solution for global etching or point etching of the bulk of a semiconductor substrate. The process of sequentially sucking in two or more chemicals and ultrapure water to prepare an etching solution and then discharging it to the etching solution vessel is repeated. The prepared etching solution is supplied from the etching solution vessel to a chamber for global etching or a nozzle for point etching through a flow path.
제 1 케미컬(HNO3)과 관련한 밸브(136c)를 열고 정량 펌프(135)로 제 1 케미컬을 정해진 부피만큼 흡입하며 밸브(136c)를 닫고 벌크 에칭액 베슬(132)과 연결된 밸브(136e)를 열고서 정량 펌프(135)를 이용하여 흡입한 제 1 케미컬을 배출한다. 이때 벌크 에칭액 베슬(132)의 밸브(136e)만 열려 있기 때문에 약액은 벌크 에칭액 베슬(132)로 공급된다.Open the
제 2 케미컬 및 초순수 등 다른 약액도 정해진 희석비율에 맞게 같은 방법으로 공급하여 제조하며, 포인트 에칭을 위한 약액도 동일한 방법으로 제조할 수 있다.The second chemical and other chemical solutions such as ultrapure water are also supplied and prepared in the same way according to the predetermined dilution ratio, and the chemical solution for point etching can also be prepared in the same way.
그리고 정량 펌프(135)를 이용하여 흡입 및 배출을 반복하는 과정 사이에 흡입 및 배출에 사용된 유로의 부분 또는 전체를 비반응성 가스로 퍼지한다. 정량 펌프(135)로 정량 공급을 완전하게 하기 위해 N2 등 비반응성 가스를 이용하여 튜브등에 남아 있을 수 있는 약액을 완전히 제거하거나 공급할 수 있다.Then, part or all of the flow path used for suction and discharge is purged with non-reactive gas between the process of repeating suction and discharge using the
그리고 에칭액 베슬로의 약액 공급 시 압력이 걸릴 경우 배기 장치를 두어 공급을 원활히 할 수 있으며, 에칭액 베슬에 존재하는 약액은 펌프나 가스 가압을 하여 드레인으로 제거할 수 있으며 초순수를 이용하여 세정할 수 있다. 에칭액 베슬에는 약액 레벨 감지 센서(137a, 137b, 138a, 138b)를 설치하여 약액이 부족하면 자동으로 새로 제조할 수 있거나 과량 제조되는 경우 안전을 위해 작업이 중단될 수 있도록 하며, 케미컬을 공급하는 케미컬 공급 용기(133, 134)에도 케미컬 레벨 감지 센서(139a, 139b)를 두어 케미컬의 레벨이 일정 이하가 되는 경우 알람할 수 있도록 한다.
In addition, if pressure is applied when supplying the chemical to the etching liquid vessel, an exhaust device can be installed to facilitate the supply, and the chemical liquid present in the etching liquid vessel can be removed through the drain by pressurizing the pump or gas, and can be cleaned using ultrapure water. . Chemical level detection sensors (137a, 137b, 138a, 138b) are installed in the etchant vessel so that when the chemical solution is insufficient, it can be automatically manufactured or the operation can be stopped for safety in case of excessive manufacturing. Chemical
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 오염물 분석 장치 및 방법은 분석에 소요되는 스캔 용액 및 에칭액 등의 케미컬 제조, 스캔 노즐로의 공급, 스캔 후 샘플 용액의 이송 등이 완전 자동으로 수행될 수 있으며, 케미컬의 품질 유지 및 보충, 분석기의 캘리브레이션, 감도 유지, 성능 유지, 유로의 세정, 모니터 웨이퍼의 재활용 등이 완전 자동으로 단일 장치내에서 실행될 수 있다.In the substrate contaminant analysis apparatus and method according to an embodiment of the present invention, chemical preparation, such as a scan solution and an etchant required for analysis, supply to a scan nozzle, transfer of a sample solution after scanning, etc. can be performed completely automatically, Maintaining and replenishing chemical quality, calibrating the analyzer, maintaining sensitivity, maintaining performance, cleaning flow paths, recycling monitor wafers, etc. can be performed completely automatically in a single device.
종래 기판 오염물 분석 장치에서는 작업자의 수작업에 따른 대응 지연, 케미컬 취급 상의 안전 문제, Cross Contamination 문제 등이 있었으나, 본 발명의 일 실시예에 따르면 기판 제조 공정에서 In-Line 모니터링이 가능하게 되고, Closed Sampling System으로 운영되어 케미컬 취급 상의 안전 문제 및 Cross Contamination 문제가 없으며, 실시간 또는 신속한 대응이 가능하게 되는 효과가 있다.In the conventional substrate contaminant analysis apparatus, there were a response delay due to the manual operation of the operator, a safety problem in chemical handling, a cross contamination problem, etc., but according to an embodiment of the present invention, in-line monitoring is possible in the substrate manufacturing process, and Closed Sampling As it is operated as a system, there are no safety problems and cross contamination problems in handling chemicals, and it has the effect of enabling real-time or rapid response.
10 : 로드 포트 20 : 로봇
30 : 얼라이너 유닛 40 : VPD 유닛
50 : 스캔 유닛 51 : 스캔 스테이지
52 : 스캔 모듈 53 : 스캔 노즐
60 : 리사이클링 유닛 70 : 분석기
80 : 샘플 용액 도입부 81 : 제 1 스위칭 밸브
82 : 제 1 샘플 튜브 83 : 제 1 액체 감지 센서
90 : 표준 용액 도입부 91 : 제 2 스위칭 밸브
92 : 제 2 샘플 튜브 93 : 제 2 액체 감지 센서
94 :T자관 100 : 시료 도입부
121 : 스캔 용액 베슬 131 : 포인트 에칭액 베슬10: load port 20: robot
30: aligner unit 40: VPD unit
50: scan unit 51: scan stage
52: scan module 53: scan nozzle
60: recycling unit 70: analyzer
80: sample solution introduction part 81: first switching valve
82: first sample tube 83: first liquid detection sensor
90: standard solution introduction part 91: second switching valve
92: second sample tube 93: second liquid detection sensor
94: T tube 100: sample introduction part
121: scan solution vessel 131: point etchant vessel
Claims (46)
상기 샘플 용액이 이송되는 상기 유로의 중간에 T자관을 이용하여 결합되어 상기 유로에 캘리브레이션을 위한 표준 용액을 도입할 수 있는 표준 용액 도입부;를 포함하되,
상기 표준 용액 도입부는,
상기 표준 용액이 로딩될 공간을 가진 샘플 튜브; 및
상기 샘플 튜브와 결합되며 상기 표준 용액이 상기 샘플 튜브에 로딩되는 로드 포지션과 상기 로딩된 상기 표준 용액을 상기 T자관 쪽으로 인젝션하는 인젝션 포지션을 적어도 가지는 스위칭 밸브;를 포함하는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 장치.A substrate contaminant analysis device for transferring a sample solution sucked from a substrate to be analyzed using a nozzle through a flow path from the nozzle to the analyzer,
A standard solution introduction part that is coupled using a T-tube in the middle of the flow path to which the sample solution is transferred and can introduce a standard solution for calibration into the flow path; including,
The standard solution introduction part,
a sample tube having a space to be loaded with the standard solution; and
A switching valve coupled to the sample tube and having at least a rod position at which the standard solution is loaded into the sample tube and an injection position for injecting the loaded standard solution toward the T-tube; including;
A substrate contaminant analysis device, characterized in that.
상기 로드 포지션에서는 정해진 시간마다 또는 캘리브레이션을 하기 전 상기 표준 용액을 흘려서 버리는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 장치.The method according to claim 1,
In the rod position, the standard solution is spilled at a predetermined time or before calibration,
A substrate contaminant analysis device, characterized in that.
상기 인젝션 포지션에서 정량 펌프를 이용하여 상기 로딩된 표준 용액을 초순수로써 밀어주는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 장치.The method according to claim 1,
Pushing the loaded standard solution as ultrapure water using a metering pump in the injection position,
A substrate contaminant analysis device, characterized in that.
적어도 상기 샘플 용액이 상기 T자관을 통과하여 이송될 때, 적어도 상기 T자관부터 상기 스위칭 밸브 사이의 유로에는 상기 초순수로 채워져 있는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 장치.4. The method according to claim 3,
At least when the sample solution is transferred through the T-tube, at least the flow path between the T-tube and the switching valve is filled with the ultrapure water,
A substrate contaminant analysis device, characterized in that.
상기 샘플 튜브은 샘플 루프인,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 장치.The method according to claim 1,
wherein the sample tube is a sample loop;
A substrate contaminant analysis device, characterized in that.
상기 스위칭 밸브는 6 포트 인젝션 밸브인,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 장치.The method according to claim 1,
wherein the switching valve is a 6 port injection valve;
A substrate contaminant analysis device, characterized in that.
상기 샘플 용액을 로딩한 다음 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 샘플 용액 도입부; 및
상기 샘플 용액 도입부와 상기 분석기 사이의 유로에 T자관을 이용하여 결합되어 캘리브레이션을 위한 표준 용액을 도입할 수 있는 표준 용액 도입부;를 포함하며,
상기 샘플 용액 도입부는 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션할 때 초순수로써 상기 샘플 용액을 밀어주는 초순수 캐리어부를 포함하되,
캘리브레이션을 위하여 상기 표준 용액을 희석할 때에도 상기 초순수 캐리어부를 공통 이용하는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 장치.A substrate contaminant analysis device for transferring a sample solution sucked from a substrate to be analyzed using a nozzle through a flow path from the nozzle to the analyzer,
a sample solution introduction unit for loading the sample solution and then injecting the sample solution toward the analyzer; and
a standard solution introduction unit coupled to the flow path between the sample solution introduction unit and the analyzer using a T-tube to introduce a standard solution for calibration;
The sample solution introduction unit includes an ultrapure water carrier unit that pushes the sample solution with ultrapure water when the sample solution is injected toward the analyzer,
Even when diluting the standard solution for calibration, the ultrapure water carrier part is commonly used,
A substrate contaminant analysis device, characterized in that.
상기 샘플 용액을 로딩한 다음 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 샘플 용액 도입부; 및
상기 샘플 용액 도입부와 상기 분석기 사이의 유로에 T자관을 이용하여 결합되어 캘리브레이션을 위한 표준 용액을 도입할 수 있는 표준 용액 도입부;를 포함하며,
상기 표준 용액으로써 상기 분석기에 대한 캘리브레이션을 수행할 때 상기 샘플 용액 도입부는 상기 샘플 용액 대신 스캔 용액을 도입하여 상기 표준 용액을 희석하는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 장치.A substrate contaminant analysis device for transferring a sample solution sucked from a substrate to be analyzed using a nozzle through a flow path from the nozzle to the analyzer,
a sample solution introduction unit for loading the sample solution and then injecting the sample solution toward the analyzer; and
a standard solution introduction unit coupled to the flow path between the sample solution introduction unit and the analyzer using a T-tube to introduce a standard solution for calibration;
When performing calibration of the analyzer with the standard solution, the sample solution introduction unit introduces a scan solution instead of the sample solution to dilute the standard solution,
A substrate contaminant analysis device, characterized in that.
상기 표준 용액 도입부는,
상기 표준 용액이 로딩될 공간을 가진 샘플 튜브;
상기 샘플 튜브와 결합되는 제 1 포트 및 제 4 포트, 상기 표준 용액이 공급되는 유로에 결합되는 제 3 포트, 상기 표준 용액을 흡입하는 흡입 펌프에 결합되는 제 2 포트, 상기 T자관에 연결되는 제 5 포트, 상기 표준 용액을 밀어주는 초순수가 공급되는 제 6 포트를 포함하는 스위칭 밸브;를 포함하는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 장치.9. The method according to claim 7 or 8,
The standard solution introduction part,
a sample tube having a space to be loaded with the standard solution;
A first port and a fourth port coupled to the sample tube, a third port coupled to a flow path to which the standard solution is supplied, a second port coupled to a suction pump for sucking the standard solution, a second port coupled to the T-tube 5 port, a switching valve including a sixth port to which ultrapure water is supplied to push the standard solution; including,
A substrate contaminant analysis device, characterized in that.
상기 표준 용액을 로딩할 때에는 상기 제 1 포트 및 상기 제 2 포트 사이, 상기 제 3 포트 및 상기 제 4 포트 사이, 및 상기 제 5 포트 및 제 6 포트 사이가 연결되며, 상기 표준 용액을 인젝션할 때에는 상기 제 6 포트 및 상기 제 1 포트 사이, 상기 제 2 포트 및 상기 제 3 포트 사이, 및 상기 제 4 포트 및 제 5 포트 사이가 연결되는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 장치.10. The method of claim 9,
When loading the standard solution, a connection is made between the first port and the second port, between the third port and the fourth port, and between the fifth port and the sixth port, and when injecting the standard solution a connection between the sixth port and the first port, between the second port and the third port, and between the fourth port and the fifth port,
A substrate contaminant analysis device, characterized in that.
상기 분석기를 캘리브레이션하는 과정은,
적어도 한가지 이상의 표준 용액에 대하여 초순수로써 상기 표준 용액을 실시간 희석하면서 상기 분석기로 이송하여 분석하는 제 1 단계;
상기 스캔을 위하여 사용되는 스캔 용액을 상기 분석기로 이송하여 분석하는 제 2 단계;를 포함하는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 방법.A method for analyzing substrate contamination performed in a substrate contamination analysis apparatus for transferring a scanned sample solution to an analyzer using a scanning solution on a substrate to be analyzed, comprising:
The process of calibrating the analyzer is
a first step of transferring the standard solution to the analyzer while diluting the standard solution in real time with ultrapure water with respect to at least one standard solution for analysis;
A second step of transferring the scan solution used for the scan to the analyzer and analyzing it; including,
Substrate contamination analysis method, characterized in that.
상기 제 2 단계에서 스캔 용액에 대한 분석 결과, 소정의 농도 설정값보다 낮으면, 상기 제 1 단계의 분석 결과를 그대로 상기 샘플 용액을 분석하는 데 이용하는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 방법.12. The method of claim 11,
If the analysis result of the scan solution in the second step is lower than the predetermined concentration set value, the analysis result of the first step is used to analyze the sample solution as it is,
Substrate contamination analysis method, characterized in that.
상기 제 1 단계의 분석 결과는 상기 제 2 단계의 분석 결과에 의해서 보정되어 상기 샘플 용액을 분석하는 데 이용되는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 방법.12. The method of claim 11,
The analysis result of the first step is corrected by the analysis result of the second step and is used to analyze the sample solution,
Substrate contamination analysis method, characterized in that.
상기 제 1 단계는 복수의 서로 다른 희석 농도에서 실행되어 캘리브레이션 커브를 획득하는 데 이용되는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 방법.14. The method of claim 13,
wherein the first step is performed at a plurality of different dilution concentrations and used to obtain a calibration curve;
Substrate contamination analysis method, characterized in that.
상기 제 2 단계의 분석 결과에 의해서 상기 캘리브레이션 커브를 보정하는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 방법.15. The method of claim 14,
Correcting the calibration curve according to the analysis result of the second step,
Substrate contamination analysis method, characterized in that.
상기 샘플 용액을 분석함에 있어서, 상기 샘플 용액의 농도에서 상기 제 2 단계의 분석 결과에 따른 스캔 용액의 농도를 빼주는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 방법.15. The method of claim 14,
In analyzing the sample solution, subtracting the concentration of the scan solution according to the analysis result of the second step from the concentration of the sample solution,
Substrate contamination analysis method, characterized in that.
상기 제 1 단계에서의 실시간 희석을 위하여,
상기 초순수 및 상기 표준 용액은 각각 서로 다른 샘플 튜브에 로딩된 후 서로 다른 2개의 정량 펌프에 의해서 동시에 인젝션되어 T자관에서 혼합되는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 방법.12. The method of claim 11,
For the real-time dilution in the first step,
The ultrapure water and the standard solution are respectively loaded into different sample tubes and then injected simultaneously by two different metering pumps and mixed in a T-tube,
Substrate contamination analysis method, characterized in that.
상기 초순수 및 상기 표준 용액의 희석비는 상기 서로 다른 2개의 정량 펌프의 토출 유량에 의해서 결정되는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 방법.18. The method of claim 17,
The dilution ratio of the ultrapure water and the standard solution is determined by the discharge flow rates of the two different metering pumps,
Substrate contamination analysis method, characterized in that.
표준 용액에 대하여 복수의 서로 다른 희석 농도에서 상기 분석기로 분석하여 캘리브레이션 커브를 획득하고 상기 획득된 캘리브레이션 커브를 이용하여 일련의 상기 샘플 용액을 분석하되,
상기 표준 용액을 상기 분석기로 측정하여 측정된 농도값이 설정 범위 이내인지를 판단하여 감도를 체크하는 감도 체크 단계를 설정된 주기 또는 설정된 시간에 자동으로 실행하는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 방법.A method for analyzing substrate contamination performed in a substrate contamination analysis apparatus for transferring a scanned sample solution to an analyzer using a scanning solution on a substrate to be analyzed, comprising:
A calibration curve is obtained by analyzing with the analyzer at a plurality of different dilution concentrations for a standard solution, and a series of the sample solutions are analyzed using the obtained calibration curve,
Measuring the standard solution with the analyzer to determine whether the measured concentration value is within a set range and automatically performing a sensitivity check step of checking the sensitivity at a set period or at a set time,
Substrate contamination analysis method, characterized in that.
상기 감도 체크 단계에서 특정된 농도값이 설정 범위를 벗어나는 경우, 상기한 캘리브레이션 커브를 획득하는 과정을 다시 수행하는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 방법.20. The method of claim 19,
If the concentration value specified in the sensitivity check step is out of the set range, performing the process of obtaining the calibration curve again,
Substrate contamination analysis method, characterized in that.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150085305A KR102357431B1 (en) | 2015-03-12 | 2015-06-16 | Apparatus For Analyzing Substrate Contamination And Method Thereof |
| CN201680015283.4A CN107567652A (en) | 2015-03-12 | 2016-03-10 | Substrate contamination analysis device and substrate contamination analysis method |
| PCT/KR2016/002376 WO2016144107A1 (en) | 2015-03-12 | 2016-03-10 | Substrate contaminant analysis device and substrate contaminant analysis method |
| CN202210114028.2A CN114464546A (en) | 2015-03-12 | 2016-03-10 | Substrate pollutant analysis device and substrate pollutant analysis method |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150034647A KR101581303B1 (en) | 2015-03-12 | 2015-03-12 | Apparatus For Analyzing Substrate Contamination And Method Thereof |
| KR1020150085305A KR102357431B1 (en) | 2015-03-12 | 2015-06-16 | Apparatus For Analyzing Substrate Contamination And Method Thereof |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150034647A Division KR101581303B1 (en) | 2015-03-12 | 2015-03-12 | Apparatus For Analyzing Substrate Contamination And Method Thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160109993A KR20160109993A (en) | 2016-09-21 |
| KR102357431B1 true KR102357431B1 (en) | 2022-01-28 |
Family
ID=80051152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150085305A Active KR102357431B1 (en) | 2015-03-12 | 2015-06-16 | Apparatus For Analyzing Substrate Contamination And Method Thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102357431B1 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102267278B1 (en) * | 2020-10-08 | 2021-06-21 | 주식회사 위드텍 | Internal pollution sampling device for Front Open Unified Pod and wafer and sampling method of the same |
| KR102353581B1 (en) * | 2021-08-02 | 2022-01-21 | 주식회사 위드텍 | Sample transfer system using gas pocket and sample transfer method using the same |
| KR102542740B1 (en) * | 2022-04-01 | 2023-06-14 | 주식회사 위드텍 | Wafer surface contaminant sampling device with multi-sample loop and wafer sampling method using same |
| KR102587910B1 (en) * | 2022-12-19 | 2023-10-11 | 엔비스아나(주) | System for Analyzing Contamination, Method for Analyzing Contamination, and Apparatus for Introducing Fluid |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100860269B1 (en) | 2008-02-29 | 2008-09-25 | 주식회사 위드텍 | A method for on-line monitoring of wafer cleaning liquid in a single wafer process, an on-line monitoring apparatus for wafer cleaning liquid, and a reagent vessel |
| KR101210295B1 (en) | 2012-08-31 | 2013-01-14 | 글로벌게이트 주식회사 | Apparatus for analyzing substrate contamination and method for analyzing wafer contamination using the same |
| KR101368485B1 (en) | 2012-09-28 | 2014-03-03 | 주식회사 위드텍 | On-line monitoring system for ultrapure water |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100383264B1 (en) | 2001-03-21 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | Collection apparatus and method of metal impurities on the semiconductor wafer |
-
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- 2015-06-16 KR KR1020150085305A patent/KR102357431B1/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100860269B1 (en) | 2008-02-29 | 2008-09-25 | 주식회사 위드텍 | A method for on-line monitoring of wafer cleaning liquid in a single wafer process, an on-line monitoring apparatus for wafer cleaning liquid, and a reagent vessel |
| KR101210295B1 (en) | 2012-08-31 | 2013-01-14 | 글로벌게이트 주식회사 | Apparatus for analyzing substrate contamination and method for analyzing wafer contamination using the same |
| KR101368485B1 (en) | 2012-09-28 | 2014-03-03 | 주식회사 위드텍 | On-line monitoring system for ultrapure water |
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|---|---|
| KR20160109993A (en) | 2016-09-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| PA0107 | Divisional application |
Comment text: Divisional Application of Patent Patent event date: 20150616 Patent event code: PA01071R01D Filing date: 20150312 Application number text: 1020150034647 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 20180424 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20200304 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R04I Patent event date: 20150616 Comment text: Divisional Application of Patent |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20211030 Patent event code: PE09021S01D |
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20220106 |
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| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20220125 Patent event code: PR07011E01D |
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| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20220125 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
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| PG1601 | Publication of registration |