KR102399873B1 - Apparatus and method for measuring current of 3-phase pulse width modulation(PWM) inverter - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 측정 방법은, 단일 전류 센서를 포함하는 제1 상의 제1 전류값, 상기 제1 상에 위치하는 제1 스위치가 도통 상태일 때의 제1 전압 강하량 및 단일 전류 센서를 포함하지 않는 제2 상에 위치하는 제2 스위치가 도통 상태일 때의 제2 전압 강하량을 검출하는 과정; 상기 제1 전류값 및 상기 제1 전압 강하량을 이용하여 상기 제1 스위치가 도통 상태일 때의 제1 저항값(Rds(on))을 산출하는 과정; 상기 제1 저항값을 이용하여 온도에 따른 상기 제2 상의 제2 저항값을 산출하는 과정; 및 상기 제2 저항값 및 상기 제2 전압 강하량을 이용하여 상기 제2상의 제2 전류를 산출하는 과정을 포함한다.
본 발명에 따라 기존 3상 펄스 폭 변조 인버터를 기준으로 증가하는 회로부 없이 단일 전류 센서만을 적용하여 제어를 위해 필요한 3상 전류를 모두 얻을 수 있다. 더불어 기존의 단일 전류 센서 인버터 시스템과 달리 별도의 전류 검출 알고리즘을 필요로 하지 않으며 시스템이 축소됨에 따라 추가적으로 발생하는 소음이나 고조파 특성 저하 등의 현상을 가져오지 않는다.A method for measuring a current of a three-phase pulse width modulation inverter according to the present invention includes a first current value of a first phase including a single current sensor, and a first voltage drop amount when a first switch located in the first phase is in a conducting state and detecting a second voltage drop amount when a second switch located in a second phase that does not include a single current sensor is in a conduction state. calculating a first resistance value Rds(on) when the first switch is in a conductive state using the first current value and the first voltage drop amount; calculating a second resistance value of the second phase according to a temperature by using the first resistance value; and calculating a second current of the second phase using the second resistance value and the second voltage drop amount.
According to the present invention, it is possible to obtain all three-phase currents required for control by applying only a single current sensor without a circuit unit increasing based on the existing three-phase pulse width modulation inverter. In addition, unlike the existing single current sensor inverter system, a separate current detection algorithm is not required, and as the system is reduced, it does not cause additional noise or harmonic characteristics degradation.
Description
본 발명은 3상 펄스 폭 변조(pulse width modulation, PWM) 인버터의 전류 측정 장치 및 이의 방법에 관한 것으로, 상세하게, 단일 전류 센서를 포함하는 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 측정 장치 및 이의 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for measuring a current of a three-phase pulse width modulation (PWM) inverter and a method thereof, and more particularly, to an apparatus and method for measuring a current of a three-phase pulse width modulation inverter including a single current sensor it's about
3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류를 측정하기 위해 인버터에 추가적으로 부착되는 별도의 전류 센서를 포함하는 전류 측정 장치가 이용될 수 있다.In order to measure the current of the three-phase pulse width modulation inverter, a current measuring device including a separate current sensor additionally attached to the inverter may be used.
도 1은 종래 단일 전류 센서를 이용한 인버터의 시스템을 설명하기 위한 구성도이다. 도 1을 참조하면, 종래 단일 전류 센서를 이용한 인버터(10)의 전류 측정 장치는 인버터(10)의 직류 링크에 단일 전류 센서(20)를 이용하고 해당 센서가 감지한 신호는 A/D 컨버터로 연결되어 U, V, W상 전류를 측정할 수 있다.1 is a configuration diagram for explaining a system of an inverter using a conventional single current sensor. Referring to FIG. 1 , the conventional current measuring device of the
도 2는 공간벡터 펄스 폭 변조 인버터(SVPWM, Space Vector PWM) 방식에서 단일 전류 센서를 이용한 인버터의 전류 측정 가능 시점을 나타낸 그래프이다. 도 2를 참조하면, PWM 반주기 동안 직류-링크(DC-link) 전류를 통하여 전류를 측정할 수 있는 최대 2개의 스위칭 상태가 존재한다.FIG. 2 is a graph showing a current measurement time point of an inverter using a single current sensor in a space vector pulse width modulation inverter (SVPWM) method. Referring to FIG. 2 , there are a maximum of two switching states in which a current can be measured through a DC-link current during a half-cycle of the PWM.
도 2를 참조하면, V1(100)는 U상의 위쪽 스위치, V, W상의 아래쪽 스위치가 턴 온 되었다는 의미로서, 이 구간에서 측정가능한 전류는 U상 전류이다. V2(110)는 U, V상의 위쪽 스위치, W상의 아래쪽 스위치다 턴 온 되었다는 의미로서, 이 구간에서 측정 가능한 전류는 W상 전류이다. 또한 각 스위칭 상태에서는 서로 다른 전류를 측정할 수 있다. 두 개의 스위칭 상태에서 서로 다른 두 상의 전류 정보를 알아낼 수 있는 경우에는, Y-결선 부하(30)의 Iu + Iv + Iw = 0의 관계식으로부터 3상 전류 정보를 알 수 있다.Referring to FIG. 2 , V1 ( 100 ) denotes that the upper switch of the U phase and the lower switch of the V and W phases are turned on, and the current measurable in this section is the U phase current. V2 (110) means that the upper switch of U and V phases and the lower switch of W phase are turned on, and the current that can be measured in this section is the W phase current. In addition, different currents can be measured in each switching state. When current information of two different phases can be found in two switching states, three-phase current information can be obtained from the relational expression of Iu + Iv + Iw = 0 of the Y-connected
여기서, 서로 다른 두 상의 정확한 전류 값을 측정하기 위해서는 두 개의 스위칭 상태가 일정 시간 이상 동안 유지되어야 한다. 그러나 실제 SVPWM 구현에서는 일정 시간을 유지할 수 없는 경우가 발생하게 된다.Here, in order to measure an accurate current value of two different phases, two switching states must be maintained for a predetermined time or longer. However, in the actual implementation of SVPWM, it is not possible to maintain a certain time.
도 3은 일반적인 전압 벡터 평면에서 단일 전류 센서로 전류의 측정이 불가능한 영역을 도시한 것이다. 도 3에서 회색으로 나타낸 영역이 측정 불가 영역을 의미한다.3 is a diagram illustrating an area in which current cannot be measured by a single current sensor on a general voltage vector plane. An area indicated in gray in FIG. 3 means a non-measurable area.
이러한 단일 전류 센서로 측정이 불가능한 영역을 제거하기 위해 종래에는 펄스 폭 변조 인가 시간을 강제로 변경하여 측정 가능 상태의 PWM으로 변형시키는 기술을 적용하였다. 하지만 이와 같이 펄스 폭 변조 인가 시간을 변경하는 방법의 경우, 원하는 정확한 합성 벡터를 만들지 못하거나, 펄스 폭 변조 주기 내에서 비대칭 PWM을 만들어야 하는 등의 문제점이 발생한다. 또한, 이러한 문제점은 부하 제어 출력에 영향을 줄 수 있고, 펄스 폭 변조 인가 시간 조정에 따른 소프트웨어 연산량의 증가가 발생한다는 문제점이 있다.In order to remove an area that cannot be measured with such a single current sensor, conventionally, a technique of changing the pulse width modulation application time to a measurable PWM by forcibly changing it is applied. However, in the case of the method of changing the pulse width modulation application time as described above, there are problems such as not being able to create a desired accurate synthesis vector or creating an asymmetric PWM within the pulse width modulation period. In addition, this problem may affect the load control output, and there is a problem in that the amount of software operation increases according to the adjustment of the pulse width modulation application time.
전술한 바와 같이 3상 펄스 폭 변조 인버터의 시스템에서 전류 센서를 적용하기 위해 요구되는 가격과 부피, 면적, 기구적 배치 등의 문제를 축소하기 위한 방안을 제시하기 위하여, 본 발명에서는 단일 전류 센서를 사용하고, 스위치 도통 시 양단의 전압 강하량 및 스위치 도통 시의 저항값(Rds(on))을 이용하여 실시간으로 3상의 각각의 전류를 검출 및 산출함으로써 높은 정밀도를 가지면서도 기존 대비 축소된 전류 검출 시스템을 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 측정 장치 및 이의 방법을 제공하는 것에 목적이 있다.As described above, in order to suggest a method for reducing problems such as price, volume, area, and mechanical arrangement required to apply a current sensor in a system of a three-phase pulse width modulation inverter, in the present invention, a single current sensor is provided. A current detection system with high precision and reduced compared to the existing one by detecting and calculating each current of three phases in real time using the amount of voltage drop at both ends when the switch is turned on and the resistance value (Rds(on)) when the switch is turned on. An object of the present invention is to provide an apparatus for measuring a current of a three-phase pulse width modulation inverter and a method thereof.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 측정 방법은, 단일 전류 센서를 포함하는 제1 상의 제1 전류값, 상기 제1 상에 위치하는 제1 스위치가 도통 상태일 때의 제1 전압 강하량 및 단일 전류 센서를 포함하지 않는 제2 상에 위치하는 제2 스위치가 도통 상태일 때의 제2 전압 강하량을 검출하는 과정; 상기 제1 전류값 및 상기 제1 전압 강하량을 이용하여 상기 제1 스위치가 도통 상태일 때의 제1 저항값(Rds(on))을 산출하는 과정; 상기 제1 저항값을 이용하여 온도에 따른 상기 제2 상의 제2 저항값을 산출하는 과정; 및 상기 제2 저항값 및 상기 제2 전압 강하량을 이용하여 상기 제2상의 제2 전류를 산출하는 과정을 포함할 수 있다.In order to achieve the above object, in the method for measuring a current of a three-phase pulse width modulation inverter according to the present invention, the first current value of the first phase including a single current sensor, the first switch located in the first phase is in a conducting state detecting a first voltage drop amount when the first voltage drop amount and a second voltage drop amount when a second switch positioned in a second phase that does not include a single current sensor is in a conduction state; calculating a first resistance value Rds(on) when the first switch is in a conductive state using the first current value and the first voltage drop amount; calculating a second resistance value of the second phase according to a temperature by using the first resistance value; and calculating a second current of the second phase using the second resistance value and the second voltage drop amount.
실시예에 따라, 상기 제1 전류값 및 상기 제2 전류값을 이용하여 제3 상의 전류를 산출하는 과정을 더 포함할 수 있다.In some embodiments, the method may further include calculating a current of a third phase using the first current value and the second current value.
실시예에 따라, 상기 제1 전류값 및 상기 제2 전류값을 이용하여 상기 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 제어를 수행하는 과정을 더 포함할 수 있다.In some embodiments, the method may further include performing current control of the three-phase pulse width modulation inverter using the first current value and the second current value.
실시예에 따라, 상기 제1 저항값을 이용하여 온도에 따른 상기 제2 상의 제2 저항값을 산출하는 과정은, 상기 제2 상의 접합 온도 변화에 따른 변동분을 고려하여 상기 제2 저항값을 산출하는 과정을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the process of calculating the second resistance value of the second phase according to the temperature using the first resistance value calculates the second resistance value in consideration of a change due to a change in the junction temperature of the second phase. process may include.
실시예에 따라, 상기 제1 전압 강하량은 상기 제1 스위치의 드레인(drain)과 소스(source) 양단의 전압 강하량으로 산출되며, 상기 제2 전압 강하량은 상기 제2 스위치의 드레인(drain)과 소스(source) 양단의 전압 강하량으로 산출될 수 있다.According to an embodiment, the first voltage drop amount is calculated as a voltage drop amount across a drain and a source of the first switch, and the second voltage drop amount is a drain and a source of the second switch. (source) It can be calculated as the amount of voltage drop across both ends.
또한, 본 발명의 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 측정 장치는, 단일 전류 센서를 포함하는 제1 상의 제1 전류값을 산출하는 전류 검출부; 상기 제1 상에 위치하는 제1 스위치가 도통 상태일 때의 제1 전압 강하량 및 단일 전류 센서를 포함하지 않는 제2 상에 위치하는 제2 스위치가 도통 상태일 때의 제2 전압 강하량을 검출하는 전압 강하량 측정부; 상기 제1 전류값 및 상기 제1 전압 강하량을 이용하여 상기 제1 스위치가 도통 상태일 때의 제1 저항값(Rds(on)) 및 상기 제1 저항값을 이용하여 온도에 따른 상기 제2 상의 제2 저항값을 산출하는 저항 산출부; 및 상기 제2 저항값 및 상기 제2 전압 강하량을 이용하여 상기 제2상의 제2 전류를 산출하는 전류 산출부을 포함할 수 있다.In addition, the apparatus for measuring a current of a three-phase pulse width modulation inverter according to the present invention includes: a current detection unit for calculating a first current value of a first phase including a single current sensor; Detecting a first voltage drop amount when the first switch located in the first phase is in a conducting state and a second voltage drop amount when a second switch located in a second phase that does not include a single current sensor is in a conducting state voltage drop measuring unit; A first resistance value Rds(on) when the first switch is in a conduction state using the first current value and the first voltage drop amount and the second phase according to temperature using the first resistance value a resistance calculator for calculating a second resistance value; and a current calculator configured to calculate a second current of the second phase by using the second resistance value and the second voltage drop amount.
실시예에 따라, 상기 전류 산출부는, 상기 제1 전류값 및 상기 제2 전류값을 이용하여 제3 상의 전류를 산출할 수 있다.According to an embodiment, the current calculator may calculate the current of the third phase using the first current value and the second current value.
실시예에 따라, 상기 제1 전류값 및 상기 제2 전류값을 이용하여 상기 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 제어를 수행하는 PWM 제어부 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the control unit may further include a PWM controller configured to control the current of the three-phase pulse width modulation inverter using the first current value and the second current value.
실시예에 따라, 상기 저항 보정부는, 상기 제2 상의 접합 온도 변화에 따른 변동분을 고려하여 상기 제2 저항값을 산출할 수 있다.In some embodiments, the resistance compensator may calculate the second resistance value in consideration of a variation due to a change in the junction temperature of the second phase.
실시예에 따라, 상기 제1 전압 강하량은 상기 제1 스위치의 드레인(drain)과 소스(source) 양단의 전압 강하량으로 산출되며, 상기 제2 전압 강하량은 상기 제2 스위치의 드레인(drain)과 소스(source) 양단의 전압 강하량으로 산출될 수 있다.According to an embodiment, the first voltage drop amount is calculated as a voltage drop amount across a drain and a source of the first switch, and the second voltage drop amount is a drain and a source of the second switch. (source) It can be calculated as the amount of voltage drop across both ends.
본 발명의 일 실시 예로서 제공되는 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 측정 장치 및 이의 방법은 3상 중 한 상에서의 단일 전류 센서를 이용하고, 스위치 도통 시 양단의 전압 강하량를 이용하여 3상 펄스 폭 변조 인버터의 3상 각각의 전류를 측정할 수 있어, 기존 3상 펄스 폭 변조 인버터에서 전류 센서의 개수를 줄일 수 있고, 3상 펄스 폭 변조 인버터의 시스템을 효율적으로 축소 시키면서 정밀도를 확보한 전류 산출이 가능해진다.A current measuring apparatus and method for a three-phase pulse width modulation inverter provided as an embodiment of the present invention use a single current sensor in one of three phases and use a voltage drop at both ends when the switch is turned on for three-phase pulse width modulation Since it is possible to measure the current of each of the three phases of the inverter, the number of current sensors in the existing three-phase pulse width modulation inverter can be reduced, and the current calculation with precision while efficiently reducing the system of the three-phase pulse width modulation inverter it becomes possible
도 1은 종래 단일 전류 센서를 이용한 인버터의 시스템을 설명하기 위한 구성도이다.
도 2는 공간벡터 펄스 폭 변조 인버터(SVPWM, Space Vector PWM) 방식에서 단일 전류 센서를 이용한 인버터의 전류 측정 가능 시점을 나타낸 그래프이다.
도 3은 일반적인 전압 벡터 평면에서 단일 전류 센서로 전류의 측정이 불가능한 영역을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 측정 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5은 스위치 도통 시 스위치 양단에 존재하는 저항값(Rds(on))의 온도에 따른 특성 곡선 예시이다.
도 6는 본 발명의 실시 예에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터와 전류 측정 장치의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 7는 본 발명의 실시 예에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 측정 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 전류 센서의 출력 전압 신호로부터 전류를 검출하기 위해 구성된 전류 검출부의 개략도를 나타낸 것이다.
도 9은 전류 센서를 적용한 상의 스위치 도통 시 양단의 전압 강하량을 검출하는 전압 강하량 측정부를 나타낸 개략도이다.
도 10은 Rds(on)의 의미를 설명하기 위한 도면으로, 도 10의 (a)는 일반적인 스위치 기호를 나타내고 (b)는 (a)의 스위치를 등가화한 기호를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터의 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 측정 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 1 is a configuration diagram for explaining a system of an inverter using a conventional single current sensor.
FIG. 2 is a graph showing a point in time when a current can be measured in an inverter using a single current sensor in a space vector pulse width modulation inverter (SVPWM) method.
3 is a diagram illustrating an area in which current cannot be measured by a single current sensor on a general voltage vector plane.
4 is a flowchart illustrating a method of measuring a current of a three-phase pulse width modulation inverter according to an embodiment of the present invention.
5 is an example of a characteristic curve according to the temperature of the resistance value Rds(on) present at both ends of the switch when the switch is turned on.
6 is a diagram for explaining a relationship between a three-phase pulse width modulation inverter and a current measuring device according to an embodiment of the present invention.
7 is a view for explaining an apparatus for measuring a current of a three-phase pulse width modulation inverter according to an embodiment of the present invention.
8 shows a schematic diagram of a current detection unit configured to detect a current from an output voltage signal of a current sensor.
9 is a schematic diagram illustrating a voltage drop measurement unit that detects an amount of voltage drop at both ends when a switch of a phase to which a current sensor is applied is conducted.
FIG. 10 is a diagram for explaining the meaning of Rds(on). FIG. 10 (a) shows a general switch symbol, and (b) is a diagram for explaining a symbol equivalent to the switch of (a).
11 is a view for explaining a system of a three-phase pulse width modulation inverter according to an embodiment of the present invention.
12 is a flowchart illustrating a method of measuring a current of a three-phase pulse width modulation inverter according to an embodiment of the present invention.
이하, 본 명세서에서 사용되는 용어에 대해 간략히 설명하고, 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용으로서 본 발명의 바람직한 실시 예의 구성과 작용에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, the terms used in this specification will be briefly described, and the configuration and operation of a preferred embodiment of the present invention will be described in detail as specific content for carrying out the present invention.
본 명세서에서 사용되는 용어는 본 발명에서의 기능을 고려하면서 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어들을 선택하였으나, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 판례, 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 발명의 설명 부분에서 상세히 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 본 발명에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌, 그 용어가 가지는 의미와 본 발명의 전반에 걸친 내용을 토대로 정의되어야 한다. The terms used in this specification have been selected as currently widely used general terms as possible while considering the functions in the present invention, but these may vary depending on the intention or precedent of a person skilled in the art, the emergence of new technology, and the like. In addition, in a specific case, there is a term arbitrarily selected by the applicant, and in this case, the meaning will be described in detail in the description of the corresponding invention. Therefore, the term used in the present invention should be defined based on the meaning of the term and the overall content of the present invention, rather than the name of a simple term.
명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 "...부", "모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어 또는 소프트웨어로 구현되거나 하드웨어와 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다. 또한, 명세서 전체에서 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, "그 중간에 다른 구성을 사이에 두고" 연결되어 있는 경우도 포함한다.In the entire specification, when a part "includes" a certain element, this means that other elements may be further included, rather than excluding other elements, unless otherwise stated. In addition, terms such as "...unit" and "module" described in the specification mean a unit that processes at least one function or operation, which may be implemented as hardware or software, or a combination of hardware and software. . In addition, when a certain part is said to be "connected" with another part throughout the specification, this includes not only a case in which it is "directly connected" but also a case in which it is connected "with another configuration in the middle".
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art can easily carry out the present invention. However, the present invention may be implemented in several different forms and is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly explain the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.
이하, 도면을 참고하여 본 발명의 구체적인 실시 예들에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1 내지 도 3에서의 종래 3상 펄스 폭 변조(pulse width modulation, 이하, “PWM”으로 지칭될 수 있다) 인버터와 직류 링크된 단일 전류 센서를 이용하는 방법에 따라 발생하는 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 측정 장치 및 이의 방법을 도 4 내지 도 11에서 설명한다.In order to solve the problem that occurs according to the method of using the conventional three-phase pulse width modulation (hereinafter, may be referred to as “PWM”) inverter in FIGS. 1 to 3 and a single current sensor that is DC-linked, An apparatus for measuring a current of a three-phase pulse width modulation inverter and a method thereof according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 11 .
본 발명의 일 실시예에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 측정 장치에 포함되는 전류 센서는 전류 검출 방식에 따라 홀 타입(Hall type)과 션트 타입(Shunt Type), 전류 변압 타입(Current Transformer(C/T) type) 등으로 나뉠 수 있다. 홀 타입 과 C/T 타입의 경우 비접촉식으로 높은 정밀도를 가지고 있으나 상대적으로 가격이 높고 인버터에 들어가는 소자들에 견주었을 때 부피가 크기 때문에 배치 및 인버터 기구 설계 측면에서 효율성이 떨어진다는 단점이 있다. 본 발명의 일 실시예데 따라, 이러한 단점을 극복하기 위한 대안으로 션트 타입을 적용하여 전류 검출부를 구성하는 것이 바람직할 수 있다. 션트 타입의 경우 부피가 작고 가격이 낮기 때문에 경제성 측면에서 이점을 가진다. 하지만 전류 측정 장치의 회로를 구성할 때, 전원을 분리하기 어려운 단점이 있어 션트 타입은 고전압 시스템보다 저전압 시스템에 주로 적용될 수 있다. The current sensor included in the current measuring device of the three-phase pulse width modulation inverter according to an embodiment of the present invention includes a Hall type, a shunt type, and a current transformer according to a current detection method. C/T) type), etc. Hall type and C/T type have high precision as a non-contact type, but they have disadvantages in terms of arrangement and design of the inverter because of their relatively high price and large volume compared to the elements used in the inverter. According to an embodiment of the present invention, it may be preferable to configure the current detection unit by applying a shunt type as an alternative to overcome this disadvantage. The shunt type has advantages in terms of economy because of its small volume and low price. However, when composing the circuit of the current measuring device, it is difficult to separate the power source, so the shunt type can be mainly applied to a low voltage system rather than a high voltage system.
션트 타입을 주로 사용하는 저전압 시스템의 경우 3상 펄스 폭 변조 인버터 시스템 요구 사항에 따라 3상 하단 스위치의 후단 모두에 션트 타입의 전류 센서를 적용하는 트리 션트(Three Shunt), 3상 중 2상에만 션트 타입의 전류 센서를 적용하는 투 션트(Two-Shunt), 그리고 DC 직류단에만 션트 타입의 전류 센서를 적용하는 원 션트(One Shunt) 시스템으로 나뉠 수 있다. 3상 펄스 폭 변조 인터버에 사용되는 션트 타입의 전류 센서의 개수가 감소함에 따라 가격과 전류 측정 장치의 크기가 축소된다는 장점이 있으나 제어적인 측면으로 접근했을 때에는 전압 이용률이 감소할 수 있으며, 특히 원 션트 시스템의 경우 전류 검출을 위해 별도의 전류 검출 알고리즘이 요구된다는 단점이 있다. 또한 별도의 전류 검출 알고리즘을 적용하더라도 소프트웨어가 복잡하며 소음이 발생하고 전류에 고조파가 많아진다는 한계가 있다.For low-voltage systems that mainly use shunt type, three-phase pulse width modulation inverter Three Shunt, which applies a shunt-type current sensor to both ends of the three-phase lower switch according to the system requirements, and only two out of three phases. It can be divided into a two-shunt system that applies a shunt-type current sensor, and a one-shunt system that applies a shunt-type current sensor only to the DC DC link. As the number of shunt-type current sensors used in the 3-phase pulse width modulation inverter decreases, the price and size of the current measuring device are reduced. The one-shunt system has a disadvantage in that a separate current detection algorithm is required for current detection. In addition, even if a separate current detection algorithm is applied, there are limitations in that the software is complicated, noise is generated, and there are many harmonics in the current.
본 발명의 일 실시예에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 측정 장치는 단일 전류 센서를 적용하지만, 복잡한 별도의 전류 검출 알고리즘을 적용하지 않고, 전류 센서가 적용되지 않은 2상 중 한 상에 전압 강하량을 측정하는 구성을 이용함으로써, 전류 센서가 적용되지 않은 2상의 전류까지도 측정할 수 할 수 있다. The current measuring device of a three-phase pulse width modulation inverter according to an embodiment of the present invention applies a single current sensor, but does not apply a complex separate current detection algorithm, and voltage on one of the two phases to which the current sensor is not applied. By using the configuration for measuring the amount of drop, it is possible to measure even two-phase current to which a current sensor is not applied.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터에서 인버터의 입력 측의 각 상의 도선 또는 각 상을 R, S, T으로, 인버터의 출력 측을 U, V, W으로 지칭할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. On the other hand, in the three-phase pulse width modulation inverter according to an embodiment of the present invention, the conductor or each phase of the input side of the inverter may be referred to as R, S, T, and the output side of the inverter may be referred to as U, V, W. However, the present invention is not limited thereto.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터에서 적용된 3상은 Y 결선(star 결선) 방식 또는 델타 결선 방식으로 구성될 있으나, 결선 방식에 한정되지 않는다.In addition, the three-phase applied in the three-phase pulse width modulation inverter according to an embodiment of the present invention is configured in a Y connection (star connection) method or a delta connection method, but is not limited to the wiring method.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터에 포함되는 스위치는 전력용 반도체로서, 다이오드(Diode), 사이리스터(Thyristor), 트랜지스터(Transistor), 절연 게이트 양극성 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT), 게이트 턴 오프 사이리스터(Gate Turn-Off thyristor, GTO), 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(Matel-oxidesemiconductor field-effect transistor, MOSFET)는 등에 한정되지 않고, 일반적인 인버터에서 사용되는 스위치의 기능을 수행하는 구성이면 족하다.In addition, the switch included in the three-phase pulse width modulation inverter according to the embodiment of the present invention is a power semiconductor, a diode, a thyristor, a transistor, an insulated gate bipolar transistor (Insulated Gate Bipolar Transistor) , IGBT), gate turn-off thyristor (GTO), and metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) It is sufficient for the configuration to perform.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 측정 방법을 설명하기 위한 순서도이며, 도 5은 스위치 도통 시 스위치 양단에 존재하는 저항값(Rds(on))의 온도에 따른 특성 곡선 예시이며, 도 6는 본 발명의 실시 예에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터와 전류 측정 장치의 관계를 설명하기 위한 도면이며, 도 7는 본 발명의 실시 예에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 측정 장치를 설명하기 위한 도면이다.4 is a flowchart for explaining a method for measuring a current of a three-phase pulse width modulation inverter according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a temperature-dependent resistance value (Rds(on)) present at both ends of the switch when the switch is turned on. It is an example of a characteristic curve, and FIG. 6 is a diagram for explaining the relationship between a three-phase pulse width modulation inverter and a current measuring device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a three-phase pulse width modulation inverter according to an embodiment of the present invention. It is a diagram for explaining the current measuring device of the.
도 4의 순서도에 포함된 제2 저항값(Rds(on)) 산출에 관련된 도 5를 도 4와 함께 설명하며, 도 4에서 설명되는 전류 측정 방법을 수행하는 전류 측정 장치를 설명하는 도 6 및 도 7을 도 4와 함께 설명한다. FIG. 5 related to the calculation of the second resistance value Rds(on) included in the flowchart of FIG. 4 will be described together with FIG. 4, and FIG. 6 and FIG. FIG. 7 will be described together with FIG. 4 .
도 6를 참조하면, 3상 펄스 폭 변조 인터버는 3상 중 한 상에 위치하는 단일 전류 센서를 포함하며, 단일 전류 센서가 위치한 상의 전압 강하량 및 단일 전류 센서가 위치하지 않는 남은 2상 중 어느 한 상에 전압 강하량을 검출하는 회로를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6 , the three-phase pulse width modulation inverter includes a single current sensor positioned in one of three phases, and any one of the voltage drop amount of the phase in which the single current sensor is positioned and the remaining two phases in which the single current sensor is not positioned. It may include a circuit for detecting the amount of voltage drop on the phase.
실시예에 따른 전류 측정 장치(600)는 3상 중 한 상에 위치하는 단일 전류 센서로 검출한 전류값과, 함께 검출한 해당 상 스위치의 전압 강하량을 이용하여 스위치 도통 시 존재하는 저항값(Rds(on))을 산출할 수 있고, 실시간으로 검출한 저항값(Rds(on)) 및 다른 상의 전압 강하량을 이용하여 온도에 따른 저항값(Rds(on))의 변동분(또는 보상분)를 보정함으로써 인버터의 전류를 측정할 수 있다. The
도 4를 참조하면, 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 측정 방법을 수행하는 전류 측정 장치(600)는 단일 전류 센서를 포함하는 전류 검출부(610)와 인버터에 포함되는 스위치의 도통 상태에서 스위치의 전압 강하량을 검출하는 전압 강하량 측정부(620)를 이용하여 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류를 측정할 수 있다. Referring to FIG. 4 , a
일 실시예에 따른 도통 상태는 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터 따위의 반도체 스위칭 소자가 켜져 전류가 흐르는 상태를 지칭할 수 있고, 전기회로의 모든 성분이 연속적으로 양호한 접촉을 유지하고 있는 상태를 지칭할 수 있다.The conduction state according to an embodiment may refer to a state in which a semiconductor switching element such as a diode, a transistor, or a thyristor is turned on and a current flows, and may refer to a state in which all components of an electric circuit continuously maintain good contact. .
일 실시예에 따른 전류 측정 장치(600)에 포함되는 전류 검출부(610)는 인버터(500)의 3상 중 제1 상에 위치하는 단일 전류 센서(511 또는 512 중 하나)로부터 감지 및 발생된 신호를 검출하여, 제1 상의 제1 전류값을 산출할 수 있다(S410). The
실시예에 따라, 전류 측정 장치(600)는 인버터의 3상 중 한 상에만 전류 센서를 적용하여 전류를 검출할 수 있다.According to an embodiment, the
실시예에 따라, 단일 전류 센서(511 또는 512 중 하나)는 상 출력단(상단 스위치)에 직렬로 연결되는 전류 센서(512) 또는 하 출력단(하단 스위치)에 직렬로 연결되는 전류 센서(511) 중 어느 하나일 수 있고, 전류 측정 장치(600)는 단일 전류 센서(511 또는 512 중 하나)로부터 발생된 신호를 이용하여 전류를 검출할 수 있다.Depending on the embodiment, the single current sensor (one of 511 or 512) is one of the
실시예에 따라, 전류 센서는 전류 검출 방식에 따라 홀 타입(Hall type)과 션트 타입(Shunt Type), 전류 변압 타입(Current Transformer(C/T) type) 등으로 구분될 수 있으나, 본 실시예는 이에 한정되지 않는다. According to an embodiment, the current sensor may be divided into a Hall type, a shunt type, a Current Transformer (C/T) type, etc. according to a current detection method, but in this embodiment is not limited thereto.
또한, 본 실시예에 따른 전류 검출부(610)가 전류 센서를 이용하여 전류를 검출하는 방법은 일반적인 인버터의 전류 검출 방법으로서, 그 밖의 전류 검출 방법에 한정되지 않는다. Also, the method in which the
실시예에 따라, 전류 센서는 하단 스위치의 소스(Source) 단 이후에 위치할 수 있고, 이때 전류 센서는 션트 타입일 수 있다. According to an embodiment, the current sensor may be located after the source terminal of the lower switch, and in this case, the current sensor may be a shunt type.
일 실시예에 따른 전류 측정 장치(600)에 포함되는 전압 강하량 측정부(620)는 인버터(500)의 3상 중 단일 전류 센서(511 또는 512 중 하나)가 위치하는 제1 상의 제1 전압 강하량을 산출할 수 있다(S410). The voltage
일 실시예에 따른 전류 측정 장치(600)는 단일 전류 센서가 위치하는 제1 상 및 단일 전류 센서가 위치하지 않는 3상 중 한 상을 포함하여 총 3상 중 2개의 상에 스위치가 도통 상태에 있을 때, 스위치 양단에 발생하는 전압 강하량을 검출하기 위한 전압 강하량 산출부(620)를 포함할 수 있고, 전압 강하 산출부(620)를 이용하여 3상 중 2개의 상 각각의 스위칭 주기마다 스위치의 도통 시 발생하는 전압 강하량을 검출할 수 있다. In the
일 실시예에 따른 전압 강하량 측정부(620)가 도통 상태에 있는 스위치의 전압 강하량을 산출하는 방법에 대해서는 도 9에서 상세하게 설명한다.A method of calculating the voltage drop amount of the switch in the conduction state by the voltage drop
일 실시예에 따른 전류 측정 장치(600)에 포함되는 저항 산출부(630)는 제1 전류값 및 제1 전압 강하량을 이용하여 제1 상의 스위치가 도통 상태일 때의 제1 저항값(Rds(on))을 산출할 수 있다(S420).The
일 실시예에 따른 저항 산출부(630)가 도통 상태일 때의 제1 저항값을 산출하는 방법에 대해서는 도 10에서 상세하게 설명한다.A method of calculating the first resistance value when the
일 실시예에 따른 전류 측정 장치(600)에 포함되는 저항 산출부(630)는 제1 저항값 및 온도 변화에 따른 변동분을 고려한 보상값을 고려하여 단일 전류 센서가 위치하지 않는 제2 상 또는 제3 상 중 하나의 상에서의 제2 저항값을 산출할 수 있다(S430). The
도 5를 참조하면, 스위치 도통 시의 저항값(Rds(on))은 온도에 따라 변동하는 특성을 가지므로, 전류 측정 장치(600)는 저항 산출부(630)를 통해 기 산출한 전류값에 발생한 오차를 해소하기 위해 온도에 따른 저항값(Rds(on)) 변동분을 보상할 수 있고, 전류 센서를 적용한 상을 기준으로 단일 전류 센서로 검출한 전류와 스위치 양단의 전압 강하량의 관계식을 적용하여 현재 온도 조건에서의 저항값(Rds(on))을 산출할 수 있다.Referring to FIG. 5 , since the resistance value Rds(on) when the switch is turned on has a characteristic that varies according to the temperature, the
일 실시예에 따른 저항 산출부(630)는 도 5의 스위치 도통 시 스위치 양단에 존재하는 저항값(Rds(on))의 온도에 따른 특성 곡선을 이용하여 제2 저항값을 산출할 수 있다.The
도 5를 참조하면, 게이트 임계치 전압(VGS) 및 드레인 전류(ID)가 고정된 변수일 때, 접합부 온도(Junction Temperature)가 증가하면, 하단 스위치의 도통 상태의 저항값(Rds(on))이 증가하는 것으로 해석될 수 있다. Referring to FIG. 5 , when the gate threshold voltage (V GS ) and the drain current (I D ) are fixed variables, when the junction temperature increases, the resistance value of the conduction state of the lower switch (Rds(on)) ) can be interpreted as increasing.
실시예에 따라, 저항 산출부(630)는 반도체를 구성으로 하는 스위치의 접합부 온도를 이용하여 제2 저항값을 산출할 수 있다.In some embodiments, the
일 실시예에 따른 전류 측정 장치(600)에 포함되는 전압 강하량 측정부(620)는 인버터(500)의 3상 중 단일 전류 센서(511 또는 512 중 하나)가 위치하지 않는 제2 상 또는 제3 상 중 어느 하나의 제2 전압 강하량을 산출할 수 있다(S440). The voltage
일 실시예에 따른 전류 측정 장치(600)는 단일 전류 센서가 위치하는 제1 상 및 단일 전류 센서가 위치하지 않는 3상 중 한 상을 포함하여 총 3상 중 2개의 상에 스위치가 도통 상태에 있을 때, 스위치 양단에 발생하는 전압 강하량을 검출하기 위한 전압 강하량 산출부(620)를 포함할 수 있고, 전압 강하 산출부(620)를 이용하여 3상 중 2개의 상 각각의 스위칭 주기마다 스위치의 도통 시 발생하는 전압 강하량을 검출할 수 있다. In the
일 실시예에 따른 전압 강하량 측정부(620)가 도통 상태에 있는 스위치의 전압 강하량을 산출하는 방법에 대해서는 도 9에서 설명한다.A method of calculating the voltage drop amount of the switch in the conduction state by the voltage drop
일 실시예에 따른 전류 측정 장치(600)에 포함되는 전류 산출부(640)는 제2 저항값 및 제2 전하량을 이용하여 제2 전류값을 산출할 수 있다(S450). 실시예에 따라, 전류 산출부(640)는 옴의 법칙(Ohm's law)을 이용하여 제2 전류값을 산출할 수 있다.The
일 실시예에 따른 전류 측정 장치(600)에 포함되는 전류 산출부(640)는 단일 전류 센서가 위치하는 제1 상의 제1 전류값 및 단일 전류 센서가 위치하지 않는 제2상 또는 제3 상 중 어느 하나의 제2 전류값을 이용하여 남은 상의 제3 전류값을 산출할 수 있다(S460). The
일 실시예에 따른 전류 측정 장치(600)에 포함되는 전류 산출부(640)는 단일 전류 센서가 위치하지 않는 2상 중 한 상에서 검출하는 스위치의 전압 강하량과 온도 변동에 대하여 보정된 저항값(Rds(on))의 관계로부터 전류를 산출할 수 있다.The
저항 산출부(630)으로부터 산출된 저항값(Rds(on))은 단일 전류 센서가 없는 상의 전류를 측정하는 전류 산출부(640)로 입력되어 전류 산출 식의 저항값(Rds(on))을 보정함으로써 스위치의 온도 변동에 대응하여 정확한 전류를 산출할 수 있다.The resistance value Rds(on) calculated from the
일 실시예에 따른 전류 측정 장치(600)에 포함되는 전류 산출부(640)는 전압 강하량과 스위치 도통 시 존재하는 저항값(Rds(on))의 관계식을 이용하여 전류를 산출할 수 있다. 일 실시예에 따라, 전류 산출부(640)는 키르히호프의 전류법칙(KCL : Kirchhoff's Current Law)에 따라 직류-링크(DC-link) 전류값, 제1 전류값 및 제2 전류값을 이용하여 제3 전류값을 산출할 수 있다.The
일 실시예에 따른 전류 측정 장치(600)는 제1 상 내지 제3 상 각각의 전류값을 측정할 수 있고, 측정한 전류값을 PWM 제어 장치(700)으로 전송할 수 있다. The
실시예에 따라, PWM 제어 장치(700)는 3상 펄스 폭 변조 인버터의 제어를 위한 피드백 신호를 생성할 수 있고, 피드백 신호를 이용하여 인버터를 제어할 수 있다. 실시예에 따라, PWM 제어 장치(700)는 임의의 주파수와 전압의 교류로 변환시키기 위해 스위치의 스위칭 속도 등을 제어할 수 있다. 실시예에 따라, PWM 제어 장치(700)는 인버터의 전류를 제어할 수 있다.According to an embodiment, the
도 4의 S410 및 S440은 시간순서에 따른 선후 관계를 갖지 않으며, 동시에 수행될 수 있다.S410 and S440 of FIG. 4 do not have a precedence relationship according to a time sequence, and may be performed simultaneously.
도 8은 전류 센서의 출력 전압 신호로부터 전류를 검출하기 위해 구성된 전류 검출부의 개략도를 나타낸 것이다. 8 shows a schematic diagram of a current detection unit configured to detect a current from an output voltage signal of a current sensor.
도 8을 참조하면, 인버터에 위치하는 단일 전류 센서로부터 출력 신호를 수신한 전류 검출부는 출력 신호의 감지 잡음을 줄이기 위한 로우패스필터(lowpassfilter, 611)를 통과시키고, MCU(Micro Controller Unit)의 아날로그 핀에 입력되어 A/D 변환부(A/D Converter, 613)를 통해 디지털신호로 변환한 후, 출력 신호를 역산 및 환산하는 환산부(615)를 통해 전류값으로 출력할 수 있다.Referring to FIG. 8 , the current detector that receives the output signal from a single current sensor located in the inverter passes a
도 9은 전류 센서를 적용한 상의 스위치 도통 시 양단의 전압 강하량을 검출하는 전압 강하량 측정부를 나타낸 개략도이다. 9 is a schematic diagram illustrating a voltage drop measurement unit that detects an amount of voltage drop at both ends when a switch of a phase to which a current sensor is applied is conducted.
도 9를 참조하면, 전압 강하량 측정부(620)는 상단 스위치 또는 하단 스위치 모두에 적용 될 수 있다. Referring to FIG. 9 , the voltage
실시예에 따라, 전압 강하량 측정부(620)는 전압 신호를 증폭하는 Op-Amp(621), A/D 변환을 수행하는 ADC(623) 및 전압 신호를 환산하는 환산부(625)를 포함하여 출력되는 전압 신호를 A/D 변환을 통해 디지털 신호로 변환하여 환산하는 과정을 수행할 수 있다. According to an embodiment, the voltage
양단의 전압을 측정하는 과정은 스위치의 양단을 증폭부(621)의 입력단으로 하여 도통 시에 발생하는 전압 강하량을 증폭기에서 사용하는 그라운드 기준의 전위차 값으로 출력하고, 이를 아날로그 신호로서 MCU의 아날로그 핀에 입력하여 A/D 변환부(A/D Converter, 623)를 통해 디지털신호로 변환한 후, 역산 및 환산하는 환산부(625)를 통해 전압 강하량을 저항 산출부(50)로 출력한다.The process of measuring the voltage at both ends uses the both ends of the switch as the input end of the
실시예에 따라, 션트 타입인 전류 센서가 하단 스위치 아래에 위치한 경우, 검류 검출 시점을 하단 스위치의 턴-온 시점으로만 가져갈 수 있으므로, 전압 강하량 측정부(620)를 하단 스위치에 적용함으로써 전류 검출 시점과 전압 강하량 측정 시점을 일치시키는 것이 시스템 설계에 있어 용이할 수 있다. According to an embodiment, when the shunt-type current sensor is located under the lower switch, the current detection time can be taken only to the turn-on time of the lower switch, so the voltage
도 10은 Rds(on)의 의미를 설명하기 위한 도면으로, 도 10의 (a)는 일반적인 스위치 기호를 나타내고 (b)는 (a)의 스위치를 등가화한 기호를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 10 is a diagram for explaining the meaning of Rds(on). FIG. 10 (a) shows a general switch symbol, and (b) is a diagram for explaining a symbol equivalent to the switch of (a).
도 10을 참조하면, 실제 스위치에는 직렬 저항인 Rds가 존재한다. (b)에서 스위치가 턴 온 하여 전류가 흐른다면, Rds 저항값에 의하여 스위치의 드레인(drain, D)단, 소스(source, S) 단에는 Vds = I * Rds의 식과 같이 스위치 양단에 Vds 전압이 걸리게 된다. 이때의 저항값을 Rds(on)이라 하며 Vds전압을 이용하면 스위치에 흐르는 전류를 측정할 수 있다.Referring to FIG. 10 , in an actual switch, Rds, which is a series resistance, exists. In (b), if the switch is turned on and current flows, the voltage of Vds across the switch as shown in the formula of Vds = I * Rds at the drain (D) and source (S) terminals of the switch according to the Rds resistance value. this will take The resistance value at this time is called Rds(on), and the current flowing through the switch can be measured by using the Vds voltage.
이상적인 스위치라면 턴 온 시 Rds(on)(스위치의 Turn On시 Drain과 Source 양단 사이의 저항값)이 0이나, 실제 스위치에는 직렬 저항 성분이 존재한다. 이와 같은 본 발명은 Rds(on)을 이용하여 각각의 스위치 턴 온 시 흐르는 전류을 Rds(on)에 의하여 발생하는 전압을 측정하여 전류를 측정할 수 있다. 또한, 종래 단일 전류 센서의 측정 불가 영역(도3 참조)에서도 별도의 PWM 변동 없이도 전류 측정을 지속적으로 할 수 있다.In an ideal switch, Rds(on) (resistance value between both ends of Drain and Source when the switch is turned on) is 0 when turned on, but a series resistance component exists in an actual switch. As described above, in the present invention, the current flowing when each switch is turned on by using Rds(on) can be measured by measuring the voltage generated by Rds(on). In addition, even in a non-measurable area of the conventional single current sensor (see FIG. 3 ), current measurement can be continuously performed without a separate PWM change.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터의 시스템을 설명하기 위한 도면이며, 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 측정 방법을 설명하기 위한 순서도이다.11 is a diagram for explaining a system of a three-phase pulse width modulation inverter according to an embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a flowchart for explaining a current measuring method of a three-phase pulse width modulation inverter according to an embodiment of the present invention am.
도 12의 전류 측정 방법은 도 11의 전류 측정 장치에 의해 수행되기에 도 11 및 도 12는 함께 설명한다.Since the current measuring method of FIG. 12 is performed by the current measuring device of FIG. 11 , FIGS. 11 and 12 will be described together.
도 11 및 도 12을 참조하면 본 발명 실시 예에 따른 3상 펄스 폭 변조 인버터의 시스템은 인버터(1110), 전류 측정 장치(1120) 및 PWM 제어 장치(1130)을 포함할 수 있다.11 and 12 , a system of a three-phase pulse width modulation inverter according to an embodiment of the present invention may include an
일 실시예에 따른 전류 측정 장치(1120)는 전류 센서(1111 또는 1112 중 어느 하나)를 사용하여 제1 전류를 검출하는 전류 검출부(1121), 전류 검출부(1121)와 연동 관계가 있는 제1 상의 제1 스위치(상단 스위치 또는 하단 스위치 중 하나) 도통 시 드레인(Drain)과 소스(Source) 양단의 제1 전압 및 전류 검출부(1121)와 연동 관계가 없는 제2 상의 제2 스위치 도통 시 드레인(Drain)과 소스(Source) 양단의 제2 전압을 측정하는 전압 강하량 측정부(1122), 전류 검출부(1121)와 전압 강하량 측정부(1122)로부터 출력 값을 받아 제1 스위치 양단에 존재하는 제1 저항값을 산출하는 저항 산출부(1123), 전류 검출부(1121)와 연동 관계가 없는 제2 상의 제2 전압 강하량 및 제1 저항값을 이용하여 제2 전류를 산출하는 전류 산출부(1125), 그리고 전류 산출부(1125)에서 제2 전류를 산출하기 위해 고려하는 제2 상의 제2 저항값을 산출하는 저항 보정부(1124)를 포함할 수 있다.A
실시예에 따라, 인버터는(1110)는 3상 펄스 폭 변조 인버터일 수 있으며, 직류 링크단의 정류된 전압을 시스템에서 요구하는 교류 전원으로 변환할 수 있다.According to an embodiment, the
실시예에 따라, 전류 검출부(1121)는 3상 중 임의의 한 상에 전류 센서를 선택적으로 적용하여 구성할 수 있고, 제1 상의 제1 전류를 검출할 수 있다(S1210). 이때 전류 센서(1111 또는 1112)는 상 출력단에 적용할 경우 홀 타입, C/T 타입, 션트 타입 모두 적용될 수 있으며, 하단 스위치 아랫단에 적용할 경우 션트 타입만 적용될 수 있다. According to an embodiment, the current detection unit 1121 may be configured by selectively applying a current sensor to any one of three phases, and may detect a first current of the first phase ( S1210 ). In this case, when the
실시예에 따라, 전류 검출부(1121)는 수동필터(예를 들어, RC 필터(RC filter))를 포함하는 단순한 입력 회로로 구성될 수 있고, 일반적으로 인버터에서 많이 사용하는 전류 검출부 회로를 가질 수 있다. According to an embodiment, the current detection unit 1121 may be configured as a simple input circuit including a passive filter (eg, an RC filter), and may have a current detection unit circuit commonly used in inverters. there is.
실시예에 따라, 전류 검출부(1121)로부터 출력된 제1 전류는 인버터(1110)의 전류 제어를 위한 피드백 신호로서 PWM 제어 장치(1130)로 궤환(feed-back)될 수 있으며 동시에 저항 산출부(1123)로 입력될 수 있다.According to an embodiment, the first current output from the current detection unit 1121 may be fed-back to the
전압 강하량 측정부(1120)은 전류 검출부(1121)가 적용된 제1 상에 있는 제1 스위치가 도통 상태에 있을 때 해당 스위치의 드레인(Drain)과 소스(Source) 양단의 제1 전압을 측정할 수 있다(S1210).The voltage
저항 산출부(1123)는 전류 검출부(1121)로부터 입력 받은 제1상의 제1 전류 및 제1 전압을 이용하여 제1 상에 위치하는 스위치 도통 시의 제1 저항값을 산출할 수 있다(S1220).The resistance calculator 1123 may calculate a first resistance value when the switch positioned in the first phase is turned on by using the first current and the first voltage of the first phase received from the current detector 1121 ( S1220 ). .
저항 보정부(1124)는 이전 루프에서 산출된 제1 저항값을 입력 받아 저장한 뒤 다음 루프에서 전류 산출부(1125)로 출력하여 제2 저항값으로 치환하거나 제2 저항값을 산출할 수 있다(S1230).The resistance compensator 1124 may receive the first resistance value calculated in the previous loop, store it, and then output it to the
저항 보정부(1124)는 별도의 연산 과정 없이 산출한 저항값으로 이전의 저항값이 새로 치환할 수 있다.The resistance compensator 1124 may replace the previous resistance value with the calculated resistance value without a separate calculation process.
전류 산출부(1125) 는 전압 강하량 측정부(1120)에서 출력된 제1 및 제2 전압 강하량과 스위치 양단에 존재하는 저항값의 관계식을 이용하여 제1상의 제1 전류 및 제2 상의 제2 전류를 산출할 수 있다(S1240). 이때 온도에 따른 저항값의 변동분을 보정하기 위해 저항 보정부(1124)는 저항 산출부(1123)로부터 산출된 제1 저항값을 궤환하여 계속적으로 치환할 수 있다.The
전류 산출부(1125)는 전류 검출부(1121)로부터 입력 받은 제1 상의 제1 전류 및 제2 상의 제2 전류를 이용하여 3상 중 남은 상의 제3 전류도 산출할 수 있다.The
실시예에 따라, 전류 산출부(1125)는 제1 전류 내지 제3 전류를 PWM 제어 장치(1130)로 출력할 수 있고, PWM 제어 장치(1130)는 제1 전류 내지 제3 전류를 이용하여 인버터의 전류 제어를 수행할 수 있다.According to an embodiment, the
한편, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 전술한 방법을 컴퓨터에서 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체를 제공할 수 있다. 다시 말해서, 전술한 방법은 컴퓨터에서 실행될 수 있는 프로그램으로 작성 가능하고, 컴퓨터 판독 가능 매체를 이용하여 상기 프로그램을 동작시키는 범용 디지털 컴퓨터에서 구현될 수 있다. 또한, 상술한 방법에서 사용된 데이터의 구조는 컴퓨터 판독 가능 매체에 여러 수단을 통하여 기록될 수 있다. 본 발명의 다양한 방법들을 수행하기 위한 실행 가능한 컴퓨터 프로그램이나 코드를 기록하는 기록 매체는, 반송파(carrier waves)나 신호들과 같이 일시적인 대상들은 포함하는 것으로 이해되지는 않아야 한다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 마그네틱 저장매체(예를 들면, 롬, 플로피 디스크, 하드 디스크 등), 광학적 판독 매체(예를 들면, 시디롬, DVD 등)와 같은 저장 매체를 포함할 수 있다.Meanwhile, according to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a computer-readable recording medium in which a program for executing the above-described method in a computer is recorded. In other words, the above-described method can be written as a program that can be executed on a computer, and can be implemented in a general-purpose digital computer that operates the program using a computer-readable medium. In addition, the structure of data used in the above-described method may be recorded in a computer-readable medium through various means. A recording medium for recording an executable computer program or code for performing various methods of the present invention should not be construed as including temporary objects such as carrier waves or signals. The computer-readable medium may include a storage medium such as a magnetic storage medium (eg, a ROM, a floppy disk, a hard disk, etc.) and an optically readable medium (eg, a CD-ROM, a DVD, etc.).
이상에서 대표적인 실시 예를 통하여 본 발명을 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시 예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 권리 범위는 설명한 실시 예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태에 의하여 정해져야 한다.Although the present invention has been described in detail through representative embodiments above, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will understand that various modifications are possible within the limits without departing from the scope of the present invention with respect to the above-described embodiments. will be. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined by all changes or modifications derived from the claims and equivalent concepts as well as the claims to be described later.
Claims (10)
단일 전류 센서를 포함하는 제1 상의 제1 전류값, 상기 제1 상에 위치하는 제1 스위치가 도통 상태일 때의 제1 전압 강하량 및 단일 전류 센서를 포함하지 않는 제2 상에 위치하는 제2 스위치가 도통 상태일 때의 제2 전압 강하량을 상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치 각각의 스위칭 주기마다 검출하는 과정;
상기 제1 전류값 및 상기 제1 전압 강하량을 이용하여 상기 제1 스위치가 도통 상태일 때의 제1 저항값(Rds(on))을 산출하는 과정;
상기 제1 저항값을 이용하여 온도에 따른 상기 제2 상의 제2 저항값을 산출하는 과정;
제1 스위칭 주기를 통해 산출된 제1-1 저항값을 입력받아 저장하는 과정;
상기 저장된 제1-1 저항값을 상기 제2 저항값으로 치환하거나, 온도에 따른 저항값의 변동분이 보정된 제1-2 저항값을 상기 제2 저항값으로 새롭게 산출하는 과정; 및
상기 제2 저항값 및 상기 제2 전압 강하량을 이용하여 상기 제2상의 제2 전류값을 산출하는 과정을 포함하는, 전류 측정 방법,
A method for measuring a current of a three-phase pulse width modulation inverter, the method comprising:
A first current value of a first phase including a single current sensor, a first voltage drop amount when the first switch located in the first phase is in a conducting state, and a second value in a second phase not including a single current sensor detecting a second voltage drop amount when the switch is in a conductive state at each switching period of the first switch and the second switch;
calculating a first resistance value Rds(on) when the first switch is in a conductive state using the first current value and the first voltage drop amount;
calculating a second resistance value of the second phase according to a temperature by using the first resistance value;
receiving and storing the 1-1 resistance value calculated through the first switching period;
a process of replacing the stored 1-1 resistance value with the second resistance value or newly calculating a 1-2 resistance value corrected for a change in resistance according to temperature as the second resistance value; and
and calculating a second current value of the second phase using the second resistance value and the second voltage drop amount;
상기 제1 전류값 및 상기 제2 전류값을 이용하여 제3 상의 전류를 산출하는 과정을 더 포함하는, 전류 측정 방법,
The method of claim 1,
Using the first current value and the second current value, the method further comprising the step of calculating the current of the third phase, the current measuring method,
상기 제1 전류값 및 상기 제2 전류값을 이용하여 상기 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 제어를 수행하는 과정을 더 포함하는, 전류 측정 방법,
The method of claim 1,
The method further comprising the step of performing current control of the three-phase pulse width modulation inverter using the first current value and the second current value,
상기 제1 전압 강하량은 상기 제1 스위치의 드레인(drain)과 소스(source) 양단의 전압 강하량으로 산출되며,
상기 제2 전압 강하량은 상기 제2 스위치의 드레인(drain)과 소스(source) 양단의 전압 강하량으로 산출되는, 전류 측정 방법.
The method of claim 1,
The first voltage drop amount is calculated as a voltage drop amount across a drain and a source of the first switch,
The second voltage drop amount is calculated as a voltage drop amount across a drain and a source of the second switch.
단일 전류 센서를 포함하는 제1 상의 제1 전류값을 산출하는 전류 검출부;
상기 제1 상에 위치하는 제1 스위치가 도통 상태일 때의 제1 전압 강하량 및 단일 전류 센서를 포함하지 않는 제2 상에 위치하는 제2 스위치가 도통 상태일 때의 제2 전압 강하량을 상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치 각각의 스위칭 주기마다 검출하는 전압 강하량 측정부;
상기 제1 전류값 및 상기 제1 전압 강하량을 이용하여 상기 제1 스위치가 도통 상태일 때의 제1 저항값(Rds(on)), 및
상기 제1 저항값을 이용하여 온도에 따른 상기 제2 상의 제2 저항값을 산출하는 저항 산출부;
제1 스위칭 주기를 통해 산출된 제1-1 저항값을 입력받아 저장하고, 상기 저장된 제1-1 저항값을 상기 제2 저항값으로 치환하거나, 온도에 따른 저항값의 변동분이 보정된 제1-2 저항값을 상기 제2 저항값으로 새롭게 산출하는 저항 보정부; 및
상기 제2 저항값 및 상기 제2 전압 강하량을 이용하여 상기 제2상의 제2 전류값을 산출하는 전류 산출부을 포함하는, 전류 측정 장치,
A current measuring device for a three-phase pulse width modulation inverter, comprising:
a current detector for calculating a first current value of a first phase including a single current sensor;
A first voltage drop amount when the first switch located in the first phase is in a conductive state and a second voltage drop amount when a second switch located in a second phase that does not include a single current sensor is in a conductive state a voltage drop measuring unit detecting each switching period of the first switch and the second switch;
A first resistance value (Rds(on)) when the first switch is in a conductive state using the first current value and the first voltage drop amount, and
a resistance calculator configured to calculate a second resistance value of the second phase according to a temperature by using the first resistance value;
The first 1-1 resistance value calculated through the first switching period is received and stored, and the stored 1-1 resistance value is replaced with the second resistance value, or a change in the resistance value according to temperature is corrected. a resistance correction unit that newly calculates the -2 resistance value as the second resistance value; and
a current calculator configured to calculate a second current value of the second phase using the second resistance value and the second voltage drop amount;
상기 전류 산출부는,
상기 제1 전류값 및 상기 제2 전류값을 이용하여 제3 상의 전류를 산출하는, 전류 측정 장치,
7. The method of claim 6,
The current calculator,
A current measuring device for calculating a current of a third phase using the first current value and the second current value;
상기 제1 전류값 및 상기 제2 전류값을 이용하여 상기 3상 펄스 폭 변조 인버터의 전류 제어를 수행하는 PWM 제어부 더 포함하는, 전류 측정 장치,
7. The method of claim 6,
Using the first current value and the second current value further comprising a PWM control unit for controlling the current of the three-phase pulse width modulation inverter, a current measuring device,
상기 제1 전압 강하량은 상기 제1 스위치의 드레인(drain)과 소스(source) 양단의 전압 강하량으로 산출되며,
상기 제2 전압 강하량은 상기 제2 스위치의 드레인(drain)과 소스(source) 양단의 전압 강하량으로 산출되는, 전류 측정 장치.7. The method of claim 6,
The first voltage drop amount is calculated as a voltage drop amount across a drain and a source of the first switch,
The second voltage drop amount is calculated as a voltage drop amount across a drain and a source of the second switch.
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