KR102393740B1 - 편광 타겟 및 편광 조명을 사용한 회절 차수의 진폭 및 위상의 제어 - Google Patents
편광 타겟 및 편광 조명을 사용한 회절 차수의 진폭 및 위상의 제어 Download PDFInfo
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Abstract
Description
첨부 도면에서,
도 1a는 본 발명의 일부 실시예에 따른, 0 차 회절 신호를 상쇄하기 위한 편광 위상 제어를 구현하는 계측 시스템(105)의 하이 레벨 개략도이다.
도 1b, 1c, 2a 및 2c는 본 발명의 일부 실시예에 따른, 스캐터로메트리 타겟의 하이 레벨 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일부 실시예에 따른, 광학 시스템의 하이 레벨 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일부 실시예에 따른, 방법을 나타내는 하이 레벨 흐름도이다.
Claims (24)
- 방법에 있어서,
스캐터로메트리 타겟(scatterometry target)을 설계하는 것 및 계측 툴의 광학 시스템을 구성하는 것 중 적어도 하나에 의해, 상기 스캐터로메트리 타겟의 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에서 180°의 위상 시프트를 생성하도록, 조악한(coarse) 피치를 갖는 상기 스캐터로메트리 타겟으로부터의 상기 0 차 회절 신호에 대해 1 차 회절 신호를 향상시키는 단계; 및
2 개의 수직 편광된 조명 성분에 의해 상기 스캐터로메트리 타겟을 조명하도록 상기 계측 툴의 광학 시스템을 구성하고, 상기 2 개의 수직 편광된 조명 성분을 보완하는 2 개의 수직 편광 방향으로 상기 회절 신호를 분해(analyze)하여, 상기 0 차 회절 신호를 상쇄하는 단계
를 포함하는 방법 - 제1항에 있어서, 상기 180°의 위상 시프트를 생성하기 위해 상기 조악한 피치의 절반에서 편광기를 갖도록 상기 스캐터로메트리 타겟을 설계하는 단계를 더 포함하고,
상기 편광기는 수직으로 편광되도록 구성되는 것인 방법. - 제1항에 있어서, 타겟 설계에 의한 제1 위상 시프트와 광학 시스템 구성에 의한 제2 위상 시프트를 결합하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 위상 시프트와 상기 제2 위상 시프트의 합이 180°인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 180°의 위상 시프트를 생성하도록 구성된 적어도 하나의 편광 구조물을 갖는 적어도 하나의 추가 타겟 층을 가지도록, 비편광 구조물을 갖는 상기 스캐터로메트리 타겟을 설계하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 적어도 하나의 추가 타겟 층은 상기 비편광 구조물 위에 있는 것인 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 적어도 하나의 추가 타겟 층은 상기 비편광 구조물 아래에 있는 것인 방법.
- 조악한 피치를 가지며, 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에서 180°의 위상 시프트를 생성하도록 구성되는 스캐터로메트리 계측 타겟으로서,
상기 조악한 피치를 갖는 영역의 제1 부분은 한 방향으로 분할되고, 상기 조악한 피치를 갖는 영역의 제2 부분은 제1 영역의 방향에 대해 수직 방향으로 분할되고, 상기 타겟은 초기 비편광 구조물, 및 180°의 위상 시프트를 생성하도록 구성된 적어도 하나의 편광 구조물을 갖는 적어도 하나의 추가 타겟 층을 가지는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟. - 제7항에 있어서, 상기 180°의 위상 시프트를 생성하기 위해 상기 조악한 피치의 절반에서 편광기를 갖도록 설계되고, 상기 편광기는 수직으로 편광되도록 구성되는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟.
- 제8항에 있어서, 상기 편광기는 미세 피치로 분할되는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟.
- 제7항에 있어서, 상기 적어도 하나의 편광 구조물은 미세한 미분해된(unresolved) 피치로 분할되는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟.
- 제10항에 있어서, 상기 적어도 하나의 편광 구조물은 상기 초기 비편광 구조물의 분할 방향에 수직인 방향을 따라 분할되는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟.
- 제7항에 있어서, 상기 추가 타겟 층은 상기 비편광 구조물 위에 있는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟.
- 제7항에 있어서, 상기 추가 타겟 층은 상기 비편광 구조물 아래에 있는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟.
- 2 개의 수직 편광된 조명 성분에 의해 비편광 스캐터로메트리 타겟을 조명하고, 2 개의 수직 편광된 조명 성분을 보완하는 2 개의 수직 편광 방향으로 결과적인 회절 신호를 분해(analyze)하여, 상기 스캐터로메트리 타겟으로부터의 동일 0 차 회절 신호들 사이에서 180°의 위상 시프트를 생성하도록 상기 조명 및 상기 분해를 구성함으로써, 0 차 회절 신호를 상쇄하도록 구성된 광학 시스템을 갖는 계측 툴.
- 제14항에 있어서, 상기 광학 시스템은, 상기 조명 및 상기 회절 신호의 편광을 제어하기 위해, 편광기 및 분석기, 적어도 하나의 파장 판, 적어도 하나의 편광 빔 스플리터, 및 적어도 하나의 ND(neutral density) 필터, 중 적어도 하나를 포함하는 것인 계측 툴.
- 계측 시스템에 있어서,
조악한 피치를 가지며, 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에서 제1 위상 시프트를 생성하도록 구성된 스캐터로메트리 계측 타겟과,
2 개의 수직 편광된 조명 성분에 의해 상기 타겟을 조명하고, 상기 2 개의 수직 편광된 조명 성분을 보완하는 2 개의 수직 편광 방향으로 결과적인 회절 신호를 분해(analyze)하여, 상기 타겟의 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에 제2 위상 시프트를 생성하도록 구성된 광학 시스템을 갖는 계측 툴
을 포함하며,
상기 제1 위상 시프트와 상기 제2 위상 시프트의 합은, 상기 0 차 회절 신호들을 상쇄시키기 위해 180°인 것인 계측 시스템. - 제16항에 있어서, 상기 광학 시스템은 상기 조명 및 상기 회절 신호의 편광을 제어하기 위해, 편광기 및 분석기, 적어도 하나의 파장 판, 적어도 하나의 편광 빔 스플리터, 및 적어도 하나의 ND 필터, 중 적어도 하나를 포함하는 것인 계측 시스템.
- 제16항에 있어서, 상기 제1 위상 시프트는 180°이고, 상기 제2 위상 시프트는 0인 것인 계측 시스템.
- 제18항에 있어서, 상기 스캐터로메트리 계측 타겟은 상기 타겟의 조명시에 0 차 회절 신호들 사이에 180°의 위상 시프트를 생성하도록 구성되는 것인 계측 시스템.
- 제19항에 있어서, 상기 180°의 위상 시프트를 생성하기 위해 상기 타겟의 조악한 피치의 절반에서 편광기를 가지도록 설계되며, 상기 편광기는 수직 편광되도록 구성되는 것인 계측 시스템.
- 제16항에 있어서, 상기 타겟은 초기 비편광 구조물, 및 상기 제1 위상 시프트를 생성하도록 구성된 적어도 하나의 편광 구조물을 가지는 적어도 하나의 추가 타겟 층을 포함하는 것인 계측 시스템.
- 조악한 피치를 가지며, 조명시에 0 차 회절 신호 사이에서 180°의 위상 시프트를 생성하도록 구성된 스캐터로메트리 계측 타겟으로서,
상기 조악한 피치를 갖는 영역의 제1 부분은 한 방향으로 분할되고, 상기 조악한 피치를 갖는 영역의 제2 부분은 제1 영역의 방향에 대해 수직 방향으로 분할되고, 상기 스캐터로메트리 계측 타겟은 상기 180°의 위상 시프트를 생성하기 위해 상기 조악한 피치의 절반에서 편광기를 갖도록 설계되며, 상기 편광기는 수직으로 편광되도록 구성되는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟. - 제22항에 있어서, 상기 편광기는 미세 피치로 분할되는 것인 스캐터로메트리 계측 타겟.
- 삭제
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Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102269514B1 (ko) * | 2014-11-25 | 2021-06-25 | 케이엘에이 코포레이션 | 랜드스케이프의 분석 및 활용 |
| WO2018147938A1 (en) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | Kla-Tencor Corporation | Mitigation of inaccuracies related to grating asymmetries in scatterometry measurements |
| EP3454123A1 (en) * | 2017-09-06 | 2019-03-13 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus |
| CN111610586B (zh) * | 2020-06-24 | 2022-04-29 | 中国科学院微电子研究所 | 一种衍射光栅的设计方法及系统 |
| US20240077711A1 (en) * | 2021-12-22 | 2024-03-07 | Christopher B. Raub | Apparatus, Optical system, and Method for digital holographic and polarization microscopy |
| DE102022110476B4 (de) | 2022-04-29 | 2024-08-08 | Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh | Beleuchtungsmodul und Koordinatenmessgerät |
| US12253805B2 (en) | 2022-08-11 | 2025-03-18 | Kla Corporation | Scatterometry overlay metrology with orthogonal fine-pitch segmentation |
| US12411420B2 (en) | 2023-09-29 | 2025-09-09 | Kla Corporation | Small in-die target design for overlay measurement |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0257470A1 (en) | 1986-08-26 | 1988-03-02 | General Electric Company | Deflection system for light valve projectors of the Schlieren dark field type |
| JP2002311564A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-10-23 | Tanbaa Technologies Inc | 散乱測定を用いてマスクルールを求めるための方法および装置 |
| JP2008532010A (ja) * | 2005-02-24 | 2008-08-14 | ザイゴ コーポレイション | 非球面および波面のための走査干渉計 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5274420A (en) * | 1992-04-20 | 1993-12-28 | International Business Machines Corporation | Beamsplitter type lens elements with pupil-plane stops for lithographic systems |
| US5486923A (en) | 1992-05-05 | 1996-01-23 | Microe | Apparatus for detecting relative movement wherein a detecting means is positioned in the region of natural interference |
| IL112395A (en) | 1995-01-19 | 1998-09-24 | Rotlex 1994 Ltd | Optical device and a method of utilizing such device for optically examining objects |
| JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
| WO2001084236A2 (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-08 | Petersen Advanced Lithography, Inc. | Method for phase shift mask design, fabrication, and use |
| US6992764B1 (en) * | 2002-09-30 | 2006-01-31 | Nanometrics Incorporated | Measuring an alignment target with a single polarization state |
| EP1588196A1 (en) * | 2003-01-06 | 2005-10-26 | Polychromix Corporation | Diffraction grating having high throughput effiency |
| US7608468B1 (en) * | 2003-07-02 | 2009-10-27 | Kla-Tencor Technologies, Corp. | Apparatus and methods for determining overlay and uses of same |
| KR20080018203A (ko) * | 2005-06-24 | 2008-02-27 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 조명 시스템의 편광의 특성을 기술하기 위한 방법 및디바이스 |
| US20070002336A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Metrology apparatus, lithographic apparatus, process apparatus, metrology method and device manufacturing method |
| US8116002B2 (en) | 2007-08-27 | 2012-02-14 | Lumella Inc. | Grating device with adjusting layer |
| WO2009072319A1 (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | 照明装置、表示装置、及びテレビ受信装置 |
| NL1036245A1 (nl) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
| CN102067040B (zh) * | 2008-06-26 | 2013-05-08 | Asml荷兰有限公司 | 重叠测量设备、光刻设备和使用这种重叠测量设备的器件制造方法 |
| US8913237B2 (en) * | 2012-06-26 | 2014-12-16 | Kla-Tencor Corporation | Device-like scatterometry overlay targets |
| KR102252341B1 (ko) * | 2013-06-27 | 2021-05-18 | 케이엘에이 코포레이션 | 계측 타겟의 편광 측정 및 대응 타겟 설계 |
| KR102269514B1 (ko) | 2014-11-25 | 2021-06-25 | 케이엘에이 코포레이션 | 랜드스케이프의 분석 및 활용 |
| KR102334168B1 (ko) * | 2015-05-19 | 2021-12-06 | 케이엘에이 코포레이션 | 오버레이 측정을 위한 지형 위상 제어 |
-
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0257470A1 (en) | 1986-08-26 | 1988-03-02 | General Electric Company | Deflection system for light valve projectors of the Schlieren dark field type |
| JP2002311564A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-10-23 | Tanbaa Technologies Inc | 散乱測定を用いてマスクルールを求めるための方法および装置 |
| JP2008532010A (ja) * | 2005-02-24 | 2008-08-14 | ザイゴ コーポレイション | 非球面および波面のための走査干渉計 |
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