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KR102415428B1 - 고해상도 oled 패턴 형성을 위한 도너기판의 제조방법, 도너기판 및 고해상도 oled 패턴 형성방법 - Google Patents

고해상도 oled 패턴 형성을 위한 도너기판의 제조방법, 도너기판 및 고해상도 oled 패턴 형성방법 Download PDF

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KR102415428B1
KR102415428B1 KR1020200126010A KR20200126010A KR102415428B1 KR 102415428 B1 KR102415428 B1 KR 102415428B1 KR 1020200126010 A KR1020200126010 A KR 1020200126010A KR 20200126010 A KR20200126010 A KR 20200126010A KR 102415428 B1 KR102415428 B1 KR 102415428B1
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South Korea
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substrate
pattern
forming
microchannel
donor substrate
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KR1020200126010A
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조관현
조한철
이호년
정용철
박영민
강경태
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한국생산기술연구원
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Abstract

본 발명은 상부에 광열변환층이 형성된 베이스기판을 제공하는 단계; 상기 광열변환층의 상부에 복수개의 뱅크 및 상기 광열변환층의 상부를 노출시키는 마이크로 채널을 포함하는 패턴층을 형성하는 단계; 상기 광열변환층 및 패턴층이 형성된 기판을 제 1 피라냐 용액에 침지하여 세정하는 단계; 상기 세정된 기판을 OTS를 포함하는 용액에 침지하여 상기 뱅크 표면 및 마이크로 채널에서 노출된 상기 광열변환층의 상부에 자기조립 단분자막을 형성하는 단계; 및 상기 자기조립 단분자막이 형성된 기판을 제 2 피라냐 용액에 침지하여 상기 마이크로 채널에서 노출된 상기 광열변환층의 상부에 형성된 자기조립 단분자막을 제거하는 단계;를 포함하는 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판의 제조방법을 제공한다.

Description

고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판의 제조방법, 도너기판 및 고해상도 OLED 패턴 형성방법 {Method of manufacturing donor substrate for high-resolution OLED pattern formation, donor substrate and forming method for high-resolution OLED pattern}
본 발명은 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판의 제조방법, 이에 의해 제조된 도너기판 및 상기 도너기판을 이용한 OLED 패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 마스크를 이용하지 않는 선택적 표면처리 공정을 이용하여 도너기판을 제조하고, 이를 이용하여 신뢰성이 향상된 고해상도 OLED 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 OLED(Organic Light Emitting Diode, 유기 발광 다이오드)의 패턴을 형성하는 방법에는 FMM(Fine Metal Mask)법, LITI(Laser Induced Thermal Image)법, Ink-jet법, White OLED+Color Filter법 등이 있다.
FMM법은 얇은 금속 마스크(mask)를 통해 유기물을 타겟기판(Glass)에 증착하는 방법이다(도 1 참조). FMM법은 진공 분위기에서 유기물을 증착하여 화소를 하나하나씩 형성하는 방법으로, 이미 많은 연구가 진행된 방법이다. 따라서 FMM법에 따르면, 일반적으로 품질이 우수한 OLED가 제조될 수 있다. 그러나 유기물이 증착을 위해 타겟기판(Glass)을 향해 이동할 때 타겟기판에 수직으로 이동하지 않으므로, Dead Space가 생길 수 있다(도 2(a) 참조). 또한, 금속 마스크가 대형인 경우, 그 대형 금속 마스크는 휘어지기 쉽다(도 2(b) 참조). 금속 마스크가 휘어지면, 원하는 위치에 화소를 형성하기 어려워 OLED 수율이 떨어지게 된다. 즉, FMM법으로는 대면적 OLED를 제조하기 어렵다.
LITI법은 레이저를 유기물이 포함된 필름에 조사하여, 유기물을 필름에서 타겟기판으로 전사하는 방법이다. 그러나 LITI법에 따르면, 전사된 유기물 패턴의 에지(edge) 부분이 균일하지 못해(Edge roughness), 고해상도 화소 형성이 어렵다(도 3(a) 참조). 또한, 유기물이 화소부 경계에서는 덜 전사된다(Edge open, 도 3(b) 참조).
Ink-jet법은 발광잉크를 타겟기판에 적하하는 프린팅 방법이다. Ink-jet법은 진공, 복잡한 공정, 또는 많은 설비를 요하지 않으므로 대면적 OLED 제조에 유리하다. 그러나 Ink-jet법에 따르면, 적하된 잉크가 퍼지는 것을 제어하기 어려워 미세한 화소를 형성하기 어렵다. 또한 적하된 잉크가 타겟기판의 표면 상태에 따라 퍼지는 정도가 달라, 균일한 화소를 형성하기 어렵다(도 4 참조). 따라서 Ink-jet법으로는 고해상도 화소 형성이 어렵다.
White OLED+Color Filter법은 백색광을 내는 OLED(White OLED)를 형성한 다음, White OLED 상부에 LCD의 경우처럼 Color Filter를 위치시키는 방법이다. 백생광은 Color Filter를 통과하여 특정 색상을 나타낸다. White OLED+Color Filter법은 유기물로 직접 화소를 형성하는 방법은 아니나, 대면적 OLED 제조와 고해상도 화소 형성이 가능하다. 그러나 White OLED를 형성하기 위해서는 상당히 복잡한 적층 구조를 형성하는 공정이 필요하고(도 5 참조), 많은 양의 유기물이 사용되어야 한다. 그리고 White OLED는 전력 효율이 낮다. 또한 백색광은 Color Filter 통과 후 휘도가 떨어지는 문제점이 있다.
상술한 종래 방법들의 문제점을 해결하기 위하여, 대면적 및 고해상도로 OLED 화소 패터닝이 가능하고, 패터닝된 OLED 박막의 신뢰성이 우수한 OLED 패턴 형성방법이 요구된다.
한국등록특허 제10-1182442호
상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 본 발명은 상부에 광열변환층이 형성된 베이스기판을 제공하는 단계; 상기 광열변환층의 상부에 복수개의 뱅크 및 상기 광열변환층의 상부를 노출시키는 마이크로 채널을 포함하는 패턴층을 형성하는 단계; 상기 광열변환층 및 패턴층이 형성된 기판을 제 1 피라냐 용액에 침지하여 세정하는 단계; 상기 세정된 기판을 OTS를 포함하는 용액에 침지하여 상기 뱅크 표면 및 마이크로 채널에서 노출된 상기 광열변환층의 상부에 자기조립 단분자막을 형성하는 단계; 및 상기 자기조립 단분자막이 형성된 기판을 제 2 피라냐 용액에 침지하여 상기 마이크로 채널에서 노출된 상기 광열변환층의 상부에 형성된 자기조립 단분자막을 제거하는 단계; 를 포함하는 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 제조방법에 의하여 제조되는 도너기판 및 이를 이용한 고해상도 OLED 패턴 형성방법을 제공한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 양태는 상부에상부에 광열변환층이 형성된 베이스기판을 제공하는 단계; 상기 광열변환층의 상부에 복수개의 뱅크 및 상기 광열변환층의 상부를 노출시키는 마이크로 채널을 포함하는 패턴층을 형성하는 단계; 상기 광열변환층 및 패턴층이 형성된 기판을 제 1 피라냐 용액에 침지하여 세정하는 단계; 상기 세정된 기판을 OTS를 포함하는 용액에 침지하여 상기 뱅크 표면 및 마이크로 채널에서 노출된 상기 광열변환층의 상부에 자기조립 단분자막을 형성하는 단계; 및 상기 자기조립 단분자막이 형성된 기판을 제 2 피라냐 용액에 침지하여 상기 마이크로 채널에서 노출된 상기 광열변환층의 상부에 형성된 자기조립 단분자막을 제거하는 단계; 를 포함하는 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 복수개의 뱅크의 표면은 소수성이고, 상기 마이크로 채널에서 노출된 광열변환층의 상부는 친수성일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 패턴층을 형성하는 단계에서, 형성되는 뱅크는 산화 규소, 질화 규소, 산질화 규소, 산화 알루미늄, 산화 아연, 및 산화 인듐 주석으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 패턴층을 형성하는 단계에서, 형성되는 마이크로 채널의 높이는 0.1 μm 내지 10 μm일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 패턴층을 형성하는 단계에서, 형성되는 1 μm 내지 300 μm일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제 1 피라냐 용액 또는 제 2 피라냐 용액은, 황산 및 과산화수소가 혼합된 혼합용액일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 광열변환층은 400 nm 내지 1000 nm 범위의 광을 흡수하여, 열로 변환할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 광열변환층은, 제 1 금속층; 상기 제 1 금속층 상에 위치하는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 위치하는 제 2 금속층; 을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제 1 금속층 또는 제 2 금속층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 주석(Sn), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 코발트(Co), 니켈(Ni) 및 이들 중 하나 이상의 금속을 포함하는 합금 중 어느 하나로 구성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 버퍼층은 산화 규소, 질화 규소, 산질화 규소, 산화 알루미늄, 산화 아연, 및 산화 인듐 주석으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 양태는 상기 제조방법으로 제조된 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판을 제공한다.
본 발명의 일 양태는 상기 도너기판의 마이크로 채널 내에 발광잉크가 주입되도록 상기 도너기판의 상부에 발광잉크를 적하하는 단계; 상기 마이크로 채널 내에 발광잉크가 주입된 도너기판을 타겟기판으로 덮는 단계; 및 상기 도너기판의 타겟기판이 덮인 면의 반대면에 IPL을 조사하여 상기 마이크로 채널 내에 주입된 상기 발광잉크를 상기 타겟기판에 전사하는 단계;를 포함하는 고해상도 OLED 패턴 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 발광잉크를 적하하는 단계에서, 상기 도너기판의 복수개의 뱅크 표면에 적하된 발광잉크는 모세관력에 의해 상기 마이크로 채널로 이동되어 상기 마이크로 채널 내에 안착할 수 있다.
상기와 같은 구성에 따르는 본 발명의 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판의 제조방법은, 마스크가 필요 없는 간단한 용액공정만으로 소수성인 뱅크 및 친수성인 마이크로 채널을 포함하는 패턴층의 선택적 표면처리가 된 도너기판을 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 도너기판은 최적 두께의 금속층을 포함하는 광열변환층 및 선택적으로 표면처리된 패턴층을 포함함으로써, IPL 증착 공정을 이용하여 대면적 및 고해상도 OLED 패턴 형성이 가능하다.
또한, 본 발명의 고해상도 OLED 패턴 형성방법에 의하여 형성되는 OLED 패턴은 너비가 6 μm이고, 피치가 13.6 μm인 높은 균일도 및 패턴 밀도 수준을 실현할 수 있다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 종래의 FMM법을 나타낸 개념도이다.
도 2는 종래의 FMM법의 문제점을 나타낸 도면이다.
도 3은 종래의 LITI법의 문제점을 나타낸 도면이다.
도 4는 종래의 Ink-jet법을 나타낸 개념도이다.
도 5는 종래의 White OLED+Color Filter법에 사용된 복잡한 적층체를 나타낸 구조도이다.
도 6은 본 발명의 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판의 제조방법의 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에서 제조된 도너기판의 모식도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예의 광열변환층의 모식도이다.
도 9는 본 발명의 상기 선택적 표면처리 공정의 수행 시, 기판의 소재에 따른 젖음성을 측정한 실험결과이다.
도 10은 본 발명의 고해상도 OLED 패턴 형성 방법의 흐름도이고, 도 11은 고해상도 OLED 패턴 형성 방법의 모식도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에서 제조된 도너기판의 SEM 이미지이다.
도 13은 상기 도너기판에 발광잉크를 주입한 결과의 TEM 이미지이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에서 형성된 OLED 패턴의 TEM 이미지이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에서 제조한 OLED 장치의 모식도(a 및 c), EL(electroluminescene) 스펙트럼(b 및 d) 및 EL 사진(e 및 f)이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 6은 본 발명의 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판의 제조방법의 흐름도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에서 제조된 도너기판의 모식도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판(1)의 제조방법은 상부에 광열변환층(200)이 형성된 베이스기판(100)을 제공하는 단계(S110); 상기 광열변환층(200)의 상부에 복수개의 뱅크(310) 및 상기 광열변환층(200)의 상부를 노출시키는 마이크로 채널(320)을 포함하는 패턴층(300)을 형성하는 단계(S120); 상기 광열변환층(200) 및 패턴층(300)이 형성된 기판을 제 1 피라냐 용액에 침지하여 세정하는 단계(S130); 상기 세정된 기판을 OTS를 포함하는 용액에 침지하여 상기 뱅크(310) 표면 및 마이크로 채널(320) 에서 노출된 상기 광열변환층(200)의 상부에 자기조립 단분자막을 형성하는 단계(S140); 및 상기 자기조립 단분자막이 형성된 기판을 제 2 피라냐 용액에 침지하여 상기 마이크로 채널(320)에서 노출된 상기 광열변환층(200)의 상부에 형성된 자기조립 단분자막을 제거하는 단계(S150);를 포함한다.
먼저, 본 발명의 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판(1)의 제조방법은 상부에 광열변환층(200)이 형성된 베이스기판(100)을 제공하는 단계(S110)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 베이스기판(100)은 상부에 광열변환층(200) 및 패턴층(300)을 차례로 적층시키기 위한 지지기판의 역할을 하는 것으로, 후술하는 IPL 증착 공정에서, IPL 광 조사를 직접 받는 면에 해당될 수 있다. 따라서, 상기 베이스기판(100)은 광 투과성을 가질 수 있고, 상기 베이스기판(100)의 재질을 광을 투과시킬 수 있는 재질, 예를 들면, 유리기판 또는 석영기판일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 베이스기판(100)을 제공하는 단계(S110)에서의 상기 베이스기판(100)는 상부에 광열변환층(200)이 형성된 것일 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예의 광열변환층(200)의 모식도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 광열변환층(200)은 제 1 금속층(210); 상기 제 1 금속층(210) 상에 위치하는 버퍼층(220); 및 상기 버퍼층(220) 상에 위치하는 제 2 금속층(230); 을 포함할 수 있다.
본 명세서에서, 광열변환층(LTHC; light to heat conversion)이란, 제 1 금속층(210); 상기 제 1 금속층(210) 상에 위치하는 버퍼층(220); 및 상기 버퍼층(220) 상에 위치하는 제 2 금속층(230)의 구조로 이루어져, 400 nm 내지 1000 nm 범위의 광을 흡수하여, 열로 변환 시킬 수 있다.
상기 광열변환층(200)의 특성으로 인하여, 후술하는 IPL 증착 공정에서, IPL 광을 조사 받아, 열로 변환시켜 마이크로채널(320)에 위치하는 인광 잉크를 타겟기판(2)의 표면에 증착시킬 수 있게 된다. IPL 증착 공정과 관련한 자세한 설명은 하기의 양태에서 설명하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제 1 금속층(210) 또는 제 2 금속층(230)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 주석(Sn), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 코발트(Co), 니켈(Ni) 및 이들 중 하나 이상의 금속을 포함하는 합금 중 어느 하나, 예를 들면, 크롬(Cr)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 광열변환층(200)은 상기 제 1 금속층(210) 및 제 2 금속층(230)의 사이에 위치하는 버퍼층(220)을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(220)은 상기 제 1 금속층(210)이 광을 흡수하여 열을 발생할 경우, 열이 너무 빠르게 전도되는 것을 방지 할 수 있고, 투명한 산화물, 예를 들면, 산화 규소, 질화 규소, 산질화 규소, 산화 알루미늄, 산화 아연, 및 산화 인듐 주석으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질, 예를 들면 산화 규소(SiO2)로 구성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제 1 금속층(210), 버퍼층(220) 및 제 2 금속층(230)은 광을 조사받아 열로 변환시키는 효율이 최적화 되도록, 예를 들면, IPL 강도의 스펙트럼과 일치되도록 두께가 조절될 수 있다.
예를 들면, 상기 제 1 금속층(210)의 두께는 상기 제 2 금속층(220)의 두께보다 얇을 수 있고, 상기 제 1 금속층(210)의 두께는 1 nm 내지 20 nm, 예를 들면, 4 nm일 수 있고, 상기 제 2 금속층(220)의 두께는 100 nm 내지 400 nm, 예를 들면, 300 nm일 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(220)의 두께는 50 nm 내지 200 nm, 예를 들면, 90 nm일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제 1 금속층(210), 버퍼층(220) 및 제 2 금속층(230)은 상기 베이스기판(100)의 상부에 차례대로 적층될 수 있고, 예를 들면, 화학적 증착방법(CVD; chemical vapor deposition) 또는 물리적 증착방법(PVD; physics vapor deposition), 예를 들면, 전자빔(E-beam)증발법 또는 PECVD(plasma enhanced CVD)를 이용하여 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
다음으로, 본 발명의 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판(1)의 제조방법은 상기 광열변환층(200)의 상부에 복수개의 뱅크(310) 및 인접하는 뱅크(310)를 구획하고, 하부에서 상기 광열변환층(200)의 상부를 노출시키는 마이크로 채널(320)을 포함하는 패턴층(300)을 형성하는 단계(S120)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 패턴층(300)을 형성하는 단계(S120)는 먼저, 상술한 상부에 광열변환층(200)이 형성된 베이스기판(100)을 제공하는 단계(S110)에서 제공되는 기판의 상기 광열변환층(200)의 상부, 즉, 제 2 금속층(230)의 상부에 뱅크(310)를 구성할 물질을 적층하여 수행될 수 있다.
이때, 상기 뱅크(310)를 구성할 물질은 본 발명의 일 실시예에서 제조되는 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판(1)의 패턴층(300)에서 뱅크(310)를 구성하고, 표면에 자기조립 단분자막을 형성하여 소수성 특성을 가지게 될 물질로서, 산화 규소, 질화 규소, 산질화 규소, 산화 알루미늄, 산화 아연, 및 산화 인듐 주석으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질, 예를 들면, 산화 규소(SiO2)로 구성될 수 있다.
예를 들면, 상기 패턴층(300)을 형성하는 단계(S120)는 상기 산화 규소(SiO2)를 상기 제 2 금속층(230) 상에 적층하여 수행될 수 있고, 예를 들면, 화학적 증착방법(CVD; chemical vapor deposition) 또는 물리적 증착방법(PVD; physics vapor deposition), 예를 들면, 전자빔(E-beam)증발법 또는 PECVD(plasma enhanced CVD)를 이용하여 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
다음으로, 상기 패턴층(300)을 형성하는 단계(S120)는 상기 제 2 금속층(230)상에 적층된 상기 뱅크(310)를 구성할 물질을 포토리소그래피를 이용하여 패턴을 형성하여 수행될 수 있고, 상기 패턴을 형성하는 공정은 본 발명의 기술분야에서 자명한 방법이면 이를 제한하지 않는다.
상기 포토리소그래피를 이용하여 패턴을 형성함으로써 상기 패턴층(300)은 복수개의 뱅크(310) 및 인접하는 뱅크(310)를 구획하고, 하부에서 상기 광열변환층(200)의 상부를 노출시키는 마이크로 채널(320)을 포함할 수 있게 되고, 상기 마이크로 채널(320)은 상기 포토리소그래피를 이용하여 식각되어 형성되어, 상기 마이크로 채널(320)에서 상기 광열변환층(200)의 상부, 즉, 상기 제 2 금속층(230)이 외부로 노출될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 형성되는 마이크로 채널(320)의 높이는 0.1 μm 내지 10 μm, 예를 들면, 1.5 μm일 수 있고, 상기 마이크로 채널(320)의 폭은 1 μm 내지 300 μm, 예를 들면, 4 μm 내지 10 μm일 수 있고, 상기 마이크로 채널(320)은 상부 및 하부의 폭이 상이할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판(1)의 제조방법은 상기 광열변환층(200) 및 패턴층(300)이 형성된 기판을 제 1 피라냐 용액에 침지하여 세정하는 단계(S130); 상기 세정된 기판을 OTS를 포함하는 용액에 침지하여 상기 뱅크(310) 표면 및 마이크로 채널(320)에서 노출된 상기 광열변환층(200)의 상부에 자기조립 단분자막을 형성하는 단계(S140); 및 상기 자기조립 단분자막이 형성된 기판을 제 2 피라냐 용액에 침지하여 상기 마이크로 채널(320)에서 노출된 상기 광열변환층(200)의 상부에 형성된 자기조립 단분자막을 제거하는 단계(S150)를 포함한다.
본 발명의 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판(1)은 하기의 양태의 OLED 패턴 형성 공정에서, “스탬프(stamp)”와 같은 역할을 하게 된다. 예를 들면, 상기 도너기판(1)의 뱅크(310)는 상기 스탬프의 양각 부분이 될 수 있고, 상기 마이크로 채널(320)은 상기 스탬프의 음각 부분이 될 수 있다.
상술한 바와 같이 스탬프와 같은 역할을 하는 도너기판(1)을 이용하여 OLED 장치에 포함되는 미세한 패턴의 발광층(EML)을 형성하기 위해서는, 상기 마이크로 채널(320)에만 발광잉크가 주입되도록 해야 하고, 상기 뱅크(310)의 표면에는 발광잉크가 위치하지 않아야 한다. 이를 위하여 본 발명의 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판(1)의 제조방법은 상기 패턴층(300)을 선택적으로 표면처리 하여, 상기 뱅크(310) 및 상기 마이크로 채널(320)의 젖음성(wettability)을 제어하는 공정(이하, 선택적 표면처리 공정)을 수행할 수 있다.
상기 뱅크(310)의 표면에 발광잉크가 위치되는 것을 방지 하기 위하여, 상기 뱅크(310)의 표면 에너지가 충분히 감소 되어야 하고, 상기 뱅크(310)의 표면에만 자기조립 단분자막(SAM; self-assembled monolayer)을 형성하여, 상기 뱅크(310)의 표면 에너지를 감소 시킬 수 있다.
상기 뱅크(310)의 표면 에너지를 감소 시키기 위한 선택적 표면처리 공정은 먼저, 광열변환층(200) 및 패턴층(300)이 형성된 기판을 제 1 피라냐 용액에 침지하여 세정하는 단계(S130)를 수행할 수 있다.
상기 피라냐 용액(piranha)은 황산(H2SO4) 및 과산화수소(H2O2)를 적정비율로 혼합한 용액을 의미하며, 기판에서 유기 잔류물등을 세척하는데 주로 사용된다. 상기 피라냐 용액은 강력한 산화제로, 대부분의 유기물을 제거하고, 대부분의 표면을 하이드록실화 하여 친수성화 하는 특성이 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제 1 피라냐 용액은 황산 및 과산화수소가 10: 1 내지 1: 10, 예를 들면 2: 1로 혼합된 혼합용액 일 수 있다.
도 9는 본 발명의 상기 선택적 표면처리 공정의 수행 시, 기판의 소재에 따른 젖음성을 측정한 실험결과이다.
도 9를 참조하면, 상기 제 1 피라냐 용액에 침지하여 세정하는 단계(S130)를 통하여, 상기 패턴층(300)에 포함되는 뱅크(310) 및 마이크로채널(320)은 친수성(hydrophilic)의 특성을 가지게 될 수 있다.
상기 “마이크로채널(320)”에서 친수성 특성을 가지게 되는 부분은 구체적으로, 상기 마이크로 채널(320)의 하부에서 노출되는 광열변환층(200)의 상부, 즉, 제 2 금속층(230)의 상부를 의미하나, 이하 마이크로 채널(320)로 표현될 수 있다.
다음으로, 상기 뱅크(310)의 표면 에너지를 감소 시키기 위한 선택적 표면처리 공정은 상기 세정된 기판을 OTS를 포함하는 용액에 침지하여 상기 뱅크(310) 표면 및 마이크로 채널(320)에서 노출된 상기 광열변환층(200)의 상부에 자기조립 단분자막을 형성하는 단계(S140)를 수행할 수 있다. 이때, 단분자막 형성에 활용되는 OTS일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 명세서에서, 자기조립 단분자막(SAM; Self assembled monolayer)은 고체표면에 자발적으로 형성되는 유기 단분자막을 의미한다. 상기 자기조립 단분자막에서 사용되는 분자는 기판 표면에 화학적으로 흡착되어 단분자막을 형성하는 반응기(head group), 반데르발스 상호작용으로 분자막이 정렬되도록 돕는 탄화수소 사슬(hydrocarbon chain) 및 여러 종류의 작용기를 도입할 수 있는 기능기(therminal group)로 구별할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 자기조립 단분자막은 OTS(octadecyltrichlorosilane) 및 용매가 혼합된 OTS 용액에 침지시켜 형성될 수 있다. 이때, 상기 용매는 톨루엔, 에틸렌글라이콜 또는 클로로벤젠, 예를 들면, 톨루엔일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 기판을 OTS를 포함하는 용액에 침지 시키면, 상기 OTS의 반응기는 가수분해에 의해 Si-Cl 결합이 끊어지고, Si-OH 결합이 형성될 수 있고, 상기 Si-OH 결합은 SiO-2기판의 OH기와 반응에 의해 S-i-O-Si 결합이 형성될 수 있다. 그 결과, 상기 SiO2기판과 상기 OTS는 서로 결합되어, 상기 기판상에 자기조립 단분자막이 형성될 수 있다.
상기 자기조립 단분자가 포함하는 탄화수소 사슬은 상기 뱅크(310) 표면 및 마이크로 채널(320)에서 노출된 상기 광열변환층(200)의 상부와 자기조립 단분자 사이 또는 자기조립 단분자들 사이에 반데르발스(van der Waals)인력을 발생시켜 상기 자기조립 단분자들이 막을 형성하도록 할 수 있다. 또한, 상기 자기조립 단분자막이 포함하는 작용기는 CH3 를 구비하여 소수성을 나타낼 수 있게 된다.
도 9를 참조하면, 결과적으로, 상기 패턴층(300)에 포함되는 뱅크(310) 및 마이크로채널(320)의 표면은 소수성(hydrophobic)의 특성을 가지게 될 수 있다.
다음으로, 상기 뱅크(310)의 표면 에너지를 감소 시키기 위한 선택적 표면처리 공정은 상기 자기조립 단분자막이 형성된 기판을 제 2 피라냐 용액에 침지하여 상기 마이크로 채널(320)에서 노출된 상기 광열변환층(200)의 상부에 형성된 자기조립 단분자막을 제거하는 단계(S150)를 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 피라냐 용액은 상술한 제 1 피라냐 용액과 동일할 수 있으며, 황산 및 과산화수소가 10: 1 내지 1: 10, 예를 들면 2: 1로 혼합된 혼합용액일 수 있다.
상기 자기조립 단분자막을 제거하는 단계(S150)는 상기 자기조립 단분자막을 형성하는 단계(S140)에서, 상기 마이크로 채널(320)에서 노출된 광열변환층(200)의 상부에 형성된 자기조립 단분자막만을 선택적으로 제거할 수 있다.
결과적으로, 상기 뱅크(310) 표면에는 소수성인 자기조립 단분자막이 형성되어 있고, 상기 마이크로 채널(320)은 자기조립 단분자막이 제거되어 친수성을 형성할 수 있게 되고, 상기 뱅크(310)의 표면 에너지만을 낮게 만들 수 있게 된다.
도 9를 참조하면, 상기 마이크로 채널(320)은 친수성, 상기 뱅크(310)의 표면은 소수성을 가지게 될 수 있고, 이로 인해, 후술하는 OLED 패턴 형성 공정에서, 발광잉크는 친수성인 마이크로 채널(320) 내부에만 안착할 수 있게 된다.
본 발명의 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판(1)의 제조방법은, 마스크가 필요 없는 간단한 용액공정만으로 소수성인 뱅크(310) 및 친수성인 마이크로 채널(320)을 포함하는 패턴층(300)의 선택적 표면처리가 된 도너기판(1)을 제조할 수 있다.
본 발명의 일 양태는 상기 제조방법으로 제조된 도너기판(1)을 제공한다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 도너기판(1)은 베이스기판(100); 상기 베이스기판(100) 상부에 위치하는 광열변환층(200); 및 상기 광열변환층(200) 상부에 위치하는 패턴층(300)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 광열변환층(200)은 제 1 금속층(210); 상기 제 1 금속층(210) 상부에 위치하는 버퍼층(220); 및 상기 버퍼층 상부에 위치하는 제 2 금속층(230)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 패턴층(300)은 표면이 소수성 특성을 가지는 뱅크(310) 및 상기 광열변환층(200)의 상부를 노출시키는 마이크로채널(320)을 포함할 수 있다.
상기 베이스기판(100), 광열변환층(200), 패턴층(300), 제 1 금속층(210), 버퍼층(220), 제 2 금속층(230), 뱅크(310) 및 마이크로채널(320)에 대한 설명은 상기 양태에서 설명한 것으로 갈음한다.
본 발명의 일 실시예에서, 본 발명의 도너기판(1)은 최적 두께의 제 1 금속층(210), 버퍼층(220) 및 제 2 금속층(230)을 포함하는 광열변환층(200); 및 선택적으로 표면처리된 패턴층(300)을 포함함으로써, 후술하는 IPL 증착 공정을 이용하여 대면적 및 고해상도 OLED 패턴 형성이 가능하다.
본 발명의 일 양태는 고해상도 OLED 패턴 형성 방법을 제공한다.
도 10은 본 발명의 고해상도 OLED 패턴 형성 방법의 흐름도이고, 도 11은 고해상도 OLED 패턴 형성 방법의 모식도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 고해상도 OLED 패턴 형성 방법은 상기 양태에서 제공하는 도너기판(1)의 마이크로 채널(320) 내에 발광잉크가 주입되도록 상기 도너기판(1) 상부에 발광잉크를 적하하는 단계(S210); 상기 마이크로 채널(320)내에 발광잉크가 주입된 도너기판(1)을 타겟기판(2)으로 덮는 단계(S220); 및 상기 도너기판(1)의 타겟기판(2)이 덮인 면의 반대면에 IPL을 조사하여 상기 마이크로 채널(320) 내에 주입된 상기 발광잉크를 상기 타겟기판(2)에 전사하는 단계(S230); 를 포함하는 고해상도 OLED 패턴 형성 방법을 제공한다.
먼저, 본 발명의 고해상도 OLED 패턴 형성 방법은 상기 양태에서 제공하는 도너기판(1)의 마이크로 채널(320) 내에 발광잉크가 주입되도록 상기 도너기판(1) 상부에 발광잉크를 적하하는 단계(S210)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 발광잉크는 OLED 장치에서 발광층을 형성할 수 있는 물질로, 본 발명의 기술분야에서 자명한 것이면 이를 제한하지 않는다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 발광잉크를 적하하는 단계(S210)는 상기 발광잉크를 상기 마이크로 채널(320) 각각에 직접 주입되도록 적하될 수 있다. 또는, 상기 발광잉크를 상기 도너기판(1) 상부 표면에 전체적으로 적하될 수 있다.
상기 발광잉크를 상기 도너기판(1) 상부 표면에 전체적으로 적하되는 경우, 상기 도너기판(1) 상부 표면에 전체적으로 묻은 발광잉크는 마이크로 채널(320) 내부로 흘러 들어가 마이크로 채널(320) 내부에 안착할 수 있다.
이는 상기 도너기판(1)의 상부에 위치하는 뱅크(310) 및 마이크로 채널(320)의 젖음성의 차이, 즉 표면에너지의 차이에 기인한 것으로, 상기 뱅크(310)의 표면은 소수성일 수 있고, 상기 마이크로 채널(320)은 친수성일 수 있어, 상기 발광잉크는 상기 소수성인 뱅크(310)의 표면에 위치하지 못하고, 마이크로 채널(320) 내부로 흘러 들어갈 수 있게 된다.
이때, 상기 발광잉크는 모세관력(capillary force)에 의해 상기 마이크로 채널(320)을 따라 이동 될 수 있고, 결국, 발광잉크는 마이크로 채널(320)에 안착될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 마이크로 채널(320) 내에 안착한 발광잉크는 상기 마이크로 채널(320) 내에서 확장될 수 있는데, 상기 발광잉크를 적하하는 단계(S210)에서 상기 도너기판(1)의 일측에 적하될 수 있고, 발광잉크는 모세관력에 의해 상기 마이크로 채널의 일측 내부에 안착할 수 있고, 상기 발광잉크는 모세관력에 의해 상기 마이크로 채널을 따라 상기 마이크로 채널의 타측으로 확장될 수 있다.
따라서, 발광잉크를 마이크로 채널 일측에서 타측으로 확장하기 위한 추가 장비가 불필요하다.
다음으로, 본 발명의 고해상도 OLED 패턴 형성 방법은 상기 마이크로 채널(320)내에 발광잉크가 주입된 도너기판(1)을 타겟기판(2)으로 덮는 단계(S220); 및 상기 도너기판(1)의 타겟기판(2)이 덮인 면의 반대면에 IPL을 조사하여 상기 마이크로 채널(320) 내에 주입된 상기 발광잉크를 상기 타겟기판(2)에 전사하는 단계(S230);를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 타겟기판(2)은 발광층이 형성된 OLED 장치를 구성하는 것으로, 본 발명의 기술분야에서 자명한 것이면 이를 제한하지 않고 사용할 수 있다.
상기 타겟기판(2)으로 덮는 단계(S220)에서 상기 도너기판(1) 및 상기 타겟기판(2)은 밀착될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 발광잉크를 상기 타겟기판(2)에 전사하는 단계(S230)는 IPL 광을 이용한 IPL 증착공정을 통하여 수행될 수 있다.
구체적으로 상기 IPL 증착공정은 상기 도너기판(1)의 베이스기판(100)이 위치하는 측으로 IPL이 조사되어 시작된다. 상기 조사된 광이 상기 베이스기판(100)을 투과하여 광열변환층(200)에 도달될 수 있고, 상기 광열변환층(200)은 상기 광을 열로 변환할 수 있고, 상기 변환된 열은 마이크로 채널(320) 내부에 안착된 발광잉크를 증발시킬 수 있다.
이에 따라, 상기 타겟기판(2)의 표면에 상기 발광잉크가 전사되어, OLED 패턴이 형성될 수 있다.
결론적으로, 상기 도너기판(1)의 패턴층(300)의 마이크로 채널(320)의 형상에 대응하는 형상으로 타겟기판(2)의 OLED 패턴이 형성될 수 있게 된다.
본 발명의 OLED 패턴 형성 방법은 마이크로 채널(320) 형상에 정확히 대응하는 형상으로 발광잉크가 타겟기판에 전사되므로, OLED 패턴 형성을 위한 마스크가 별도로 필요하지 않으며, 발광잉크 전사로 형성되는 OLED 패턴의 정밀도가 높다. 따라서, 고해상도 및 대면적 OLED 패턴 형성이 가능하다.
실시예
실시예 1. 도너기판의 제조
유리 기판 상에 4 nm 두께의 Cr, 90 nm 두께의 SiO2 및 300 nm 두께의 Cr을 차례로 증착하여 광열변환층을 형성하고, 상기 광열변환층 상부에 1.5 μm 두께의 SiO2를 증착한 후, 포토 리소그래피 공정을 수행하여 뱅크 및 마이크로 채널을 패터닝 하여 광열변환층 및 패턴층이 형성된 기판을 제조하였다.
이때, 상기 Cr층의 증착은 E-beam evaporator(KVET-C500200, Korea Vacuum, 한국)를 이용하여 수행되었고, 상기 SiO2층의 증착은 PECVD(SLP-730, Unaxis, 스위스)를 이용하여 수행되었고, 상기 패턴층의 형성은 유도 결합 플라즈마(ICP)-based reactive ion etcher(ICP380, Oxford, 영국)를 이용하여 수행되었다.
상기 광열변환층 및 패턴층이 형성된 기판을 제 1 피라냐 용액(황산: 과산화수소=2: 1)에 3 분 동안 침지하여, 유기 오염물을 제거하여 사전 세정하고, 뱅크 표면(SiO2 표면) 및 마이크로 채널의 광열변환층의 노출된 상부 표면(Cr 층)에 OTS SAM을 형성하기 위해, 1.4 vol%의 OTS를 함유하는 톨루엔 용액에 2 분 동안 침지시킨 후, 신선한 톨루엔으로 세정하여 물리적으로 흡수된 OTS SAM을 제거하고 건조시켰다. 다음으로, 상기 기판을 다시 피라냐 용액에 침지시켜 Cr 표면의 OTS SAM을 제거하여, 복수개의 뱅크의 표면은 소수성이고, 상기 마이크로 채널 하부에서 노출된 광열변환층의 상부는 친수성인 도너 기판을 제조하였다.
이때, 상술한 표면처리 공정을 위하여 톨루엔(99.8%, 삼천, 한국), 황산(95.0%, 삼천, 한국), 과산화수소(34.5%, 삼천, 한국) 및 OTS(octadecyltrichlorosilane) 용액(Sigma-Aldrich,미국)을 사용하였다.
실시예 2. OLED 장치의 제조
OLED 재료 및 EML 잉크의 제조
OLED 패턴을 형성하기 위해, NPB(OSM, 한국), TCTA(OSM, 한국), CBP(OSM, 한국), TPBi(OSM, 한국) Ir(mppy)3(OSM, 한국), Ir(MDQ)2acac(OSM, 한국), LiF(OSM, 한국) PEDOT:PSS(CleviosTM, Heraeus, 독일), Al(iTASCO, 한국) 및 클로로 벤젠(99.8% anhydrous, Sigma-Aldrich, 미국)을 준비하였다.
10 %의 Ir(mppy)3, 녹색 발광층을 위한 CBP, 10%의 Ir(MDQ)2acac 및 적색 발광층을 위한 CBP를 클로로 벤젠(7.5 mg/ml)과 혼합하고 5시간 동안 교반하였다.
OLED 장치의 제조
너비가 6 μm이고, 피치가 13.6 μm인 라인 패턴의 OLED 발광층을 포함하는 OLED 장치를 제조하기 위하여, ITO가 패터닝된 기판을 아세톤 및 IPA 용액으로 세정하고, 35 nm의 NPB, 15 nm의 TCTA를 증착하고, CBP:Ir(mppy)3 또는 CBP:Ir(MDQ)2acac 발광잉크를 상기 실시예 1에서 제조한 도너기판의 마이크로 채널에 안착시킨 후, IPL 증착공정을 통하여 상기 TCTA 층 상부에 패터닝한 후, 25 nm의 TPBi, 1 nm의 LiF 및 100 nm의 Al을 차례대로 증착하였다.
상기 NPB, TCTA, TPBi, LiF, and Al은 3x10-7 Torr 의 진공분위기에서, 1 Å/sec속도로, 열 증발(thermal evaporator)을 이용하여 증착되었고, 상기 IPL 증착공정은 제논 플래시 램프 시스템(XF 15200LCW, Unilam Co., Ltd., Korea)을 이용하여, 10-6 torr 분위기 하에서 5X의 고 진공에서, 4.5 J/cm2의 펄스에너지로 수행되었다.
실험예 1. 발광잉크의 주입
상기 실시예 1 에서 제조한 도너기판의 SEM 이미지를 도 12에 도시하고, 상기 도너기판에 발광잉크를 주입하고, 주입한 결과의 TEM 이미지를 도 13에 도시하였다.
구체적으로, 도 13의 a)는 UV 노출이 없는 녹색 발광잉크를 포함하는 도너기판이고, b)는 UV에 노출된 녹색 발광잉크를 포함하는 도너기판이고, c)는 UV 노출이 없는 적색 발광잉크를 포함하는 도너기판이고, d)는 UV에 노출된 적색 발광잉크를 포함하는 도너기판이다.
도 12를 참조하면, 도너기판의 표면에 뱅크 및 마이크로 채널이 형성된 것을 확인할 수 있었고, 도 13을 참조하면, 마이크로 채널의 내부에만 발광잉크 안착되어 있는 것을 확인할 수 있었다.
실험예 2. 라인패턴 OLED 패턴의 형성
상기 실험예 1에서 발광잉크가 주입된 도너기판을 전사기판에 IPL 증착공정을 통하여 증착시켜 라인패턴의 발광층을 형성하고, TEM 이미지를 도 14에 도시하였다.
구체적으로, 도 14의 a)는 UV 노출이 없는 녹색 OLED 패턴이고, b)는 UV에 노출된 녹색 OLED 패턴이고, c)는 UV 노출이 없는 적색 OLED 패턴이고, d)는 UV에 노출된 적색 OLED 패턴이다.
도 14를 참조하면, 상기 도너기판의 마이크로 채널의 형상과 동일한 형상으로 타겟기판에 OLED 패턴이 형성된 것을 확인할 수 있었다.
실험예 3. OLED 장치의 EL 스펙트럼
상기 실시예 2에서 제조한 OLED 장치의 모식도(a 및 c), EL(electroluminescene) 스펙트럼(b 및 d) 및 EL 사진(e 및 f)을 도 15에 도시하였다.
도 15를 참조하면, 고해상도 OLED 패턴의 발광층을 포함하는 OLED 장치를 제조할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
1: 도너기판
2: 타겟기판
100: 베이스기판
200: 광열변환층(LHTC)
210: 제 1 금속층
220: 버퍼층
230: 제 2 금속층
300: 패턴층
310: 뱅크
320: 마이크로 채널

Claims (13)

  1. 상부에 광열변환층이 형성된 베이스기판을 제공하는 단계;
    상기 광열변환층의 상부에 복수개의 뱅크 및 상기 광열변환층의 상부를 노출시키는 마이크로 채널을 포함하는 패턴층을 형성하는 단계;
    상기 광열변환층 및 패턴층이 형성된 기판을 제 1 피라냐 용액에 침지하여 세정하는 단계;
    상기 세정된 기판을 OTS를 포함하는 용액에 침지하여 상기 뱅크 표면 및 마이크로 채널에서 노출된 상기 광열변환층의 상부에 자기조립 단분자막을 형성하는 단계; 및
    상기 자기조립 단분자막이 형성된 기판을 제 2 피라냐 용액에 침지하여 상기 마이크로 채널에서 노출된 상기 광열변환층의 상부에 형성된 자기조립 단분자막을 제거하는 단계;를 포함하고,상기 복수개의 뱅크의 표면은 소수성이고, 상기 마이크로 채널에서 노출되는 상기 광열변환층의 상부는 친수성인 것을 특징으로 하는 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 패턴층을 형성하는 단계에서, 형성되는 뱅크는 산화 규소, 질화 규소, 산질화 규소, 산화 알루미늄, 산화 아연, 및 산화 인듐 주석으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 패턴층을 형성하는 단계에서, 형성되는 마이크로 채널의 높이는 0.1 μm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 패턴층을 형성하는 단계에서, 형성되는 마이크로 채널의 폭은 1 μm 내지 300 μm인 것을 특징으로 하는 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 피라냐 용액 또는 제 2 피라냐 용액은,
    황산 및 과산화수소가 혼합된 혼합용액인 것을 특징으로 하는 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 광열변환층은 400 nm 내지 1000 nm 범위의 광을 흡수하여, 열로 변환하는 것을 특징으로 하는 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 광열변환층은, 제 1 금속층; 상기 제 1 금속층 상에 위치하는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 위치하는 제 2 금속층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너 기판의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 금속층 또는 제 2 금속층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 주석(Sn), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 코발트(Co), 니켈(Ni) 및 이들 중 하나 이상의 금속을 포함하는 합금 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너 기판의 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 산화 규소, 질화 규소, 산질화 규소, 산화 알루미늄, 산화 아연, 및 산화 인듐 주석으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너 기판의 제조방법.
  11. 제 1 항의 제조방법으로 제조된 고해상도 OLED 패턴 형성을 위한 도너기판.
  12. 제 11 항의 도너기판의 마이크로 채널 내에 발광잉크가 주입되도록 상기 도너기판의 상부에 발광잉크를 적하하는 단계;
    상기 마이크로 채널 내에 발광잉크가 주입된 도너기판을 타겟기판으로 덮는 단계; 및
    상기 도너기판의 타겟기판이 덮인 면의 반대면에 IPL을 조사하여 상기 마이크로 채널 내에 주입된 상기 발광잉크를 상기 타겟기판에 전사하는 단계;
    를 포함하는 고해상도 OLED 패턴 형성 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 발광잉크를 적하하는 단계에서,
    상기 도너기판의 복수개의 뱅크 표면에 적하된 발광잉크는 모세관력에 의해 상기 마이크로 채널로 이동되어 상기 마이크로 채널 내에 안착하는 것을 특징으로 하는 고해상도 OLED 패턴 형성방법.
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