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KR102469612B1 - Thin film transistor array substrate, and display device including the same - Google Patents

Thin film transistor array substrate, and display device including the same Download PDF

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KR102469612B1
KR102469612B1 KR1020160161520A KR20160161520A KR102469612B1 KR 102469612 B1 KR102469612 B1 KR 102469612B1 KR 1020160161520 A KR1020160161520 A KR 1020160161520A KR 20160161520 A KR20160161520 A KR 20160161520A KR 102469612 B1 KR102469612 B1 KR 102469612B1
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South Korea
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substrate
wire
floating
thin film
film transistor
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Inventor
석현희
이효진
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터 어레이 기판과 이를 이용한 표시장치에 관한 것으로, 이 박막 트랜지스터 어레이 기판은 기판 상에 배치된 박막 트랜지스터 어레이, 상기 기판 상에서 상기 박막 트랜지스터 어레이에 연결된 제1 그라운드 배선, 및 상기 박막 트랜지스터 어레이와 상기 제1 그라운드 배선과 분리되도록 상기 기판 상에 배치된 플로팅 배선을 구비한다. The present invention relates to a thin film transistor array substrate and a display device using the same, which includes a thin film transistor array disposed on a substrate, a first ground wire connected to the thin film transistor array on the substrate, and the thin film transistor array and a floating wire disposed on the substrate to be separated from the first ground wire.

Description

박막 트랜지스터 어레이 기판과 이를 이용한 표시장치{THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}Thin film transistor array substrate and display device using the same

본 발명은 플로팅 배선(Floating ground line)을 가지는 박막 트랜지스터 기판과 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film transistor substrate having a floating ground line and a display device using the same.

평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP) 및 전계발광소자(Electroluminescence Device) 등이 있다. 전계발광소자(Electroluminescence Device)의 일 예로, 액티브 매트릭스 타입의 유기 발광 표시장치(이하, “OLED 표시장치”라 함)가 시판되고 있다. The flat panel display includes a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), and an electroluminescence device. As an example of an electroluminescence device, an active matrix type organic light emitting display device (hereinafter referred to as “OLED display device”) is commercially available.

액티브 매트릭스 타입의 표시장치는 픽셀마다 형성된 박막트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 “TFT”라 함)를 이용하여 픽셀들을 구동하고 있다. 이러한 표시장치의 표시패널에 정전기(Electrostatic Discharge, ESD)가 유입되면 픽셀들이나 표시패널의 구동 회로가 손상될 수 있다. 표시패널에는 픽셀들에 정전기가 인가되지 않도록 정전기를 방전시키는 다양한 설계가 적용되고 있다. 표시패널의 기판에는 정전기가 인가될 때 턴-온되어 정전기를 방전시키는 소자들의 형성되고 표시패널과 케이스 부재 사이에 정전기 방전 경로로 마련되고 있다. 그러나 이러한 정전기 차단 설계가 적용된 표시장치에서도 정전기로 인하여 표시패널의 회로가 손상될 수 있다.An active matrix type display device drives pixels using thin film transistors (hereinafter referred to as “TFTs”) formed for each pixel. When electrostatic discharge (ESD) flows into a display panel of such a display device, pixels or a driving circuit of the display panel may be damaged. Various designs for discharging static electricity are applied to display panels so that static electricity is not applied to pixels. Elements that turn on when static electricity is applied to discharge static electricity are formed on the substrate of the display panel, and are provided as an electrostatic discharge path between the display panel and the case member. However, a circuit of a display panel may be damaged due to static electricity even in a display device having such a design for blocking static electricity.

본 발명은 정전기 차단 구조를 보강한 TFT 어레이 기판과 이를 이용한 표시장치를 제공한다.The present invention provides a TFT array substrate reinforced with an electrostatic blocking structure and a display device using the same.

본 발명의 TFT 어레이 기판은 기판 상에 배치된 TFT 어레이, 상기 기판 상에서 상기 TFT 어레이에 연결된 제1 그라운드 배선, 및 상기 TFT 어레이와 상기 제1 그라운드 배선과 분리되도록 상기 기판 상에 배치된 플로팅 배선을 구비한다. 상기 플로팅 배선은 상기 제1 그라운드 배선을 사이에 두고 상기 TFT 어레이와 이격된다. The TFT array substrate of the present invention comprises a TFT array disposed on a substrate, a first ground wire connected to the TFT array on the substrate, and a floating wire disposed on the substrate to be separated from the TFT array and the first ground wire. provide The floating wire is spaced apart from the TFT array with the first ground wire interposed therebetween.

상기 제1 그라운드 배선과 상기 플로팅 배선 사이의 거리가 0.1mm 이상이다. A distance between the first ground wire and the floating wire is 0.1 mm or more.

상기 플로팅 배선이 상기 기판에서 최외곽에 배치된다. The floating wiring is disposed at the outermost part of the substrate.

상기 TFT 어레이 기판은 상기 제1 그라운드 배선과 상기 플로팅 배선 사이에 하나 이상 배치된 제2 그라운드 배선을 더 구비한다. The TFT array substrate further includes one or more second ground wires disposed between the first ground wire and the floating wire.

상기 TFT 어레이 기판은 상기 제1 그라운드 배선과 상기 제2 그라운드 배선을 연결하는 브릿지 패턴을 더 구비한다. The TFT array substrate further includes a bridge pattern connecting the first ground wire and the second ground wire.

본 발명의 표시장치는 TFT 어레이, 상기 TFT 어레이에 연결된 제1 그라운드 배선, 상기 TFT 어레이와 상기 제1 그라운드 배선과 분리된 플로팅 배선을 포함한 제1 기판; 및 실런트로 상기 제1 기판에 접합된 제2 기판을 구비한다. 상기 플로팅 배선은 상기 제1 그라운드 배선을 사이에 두고 상기 TFT 어레이와 이격된다. A display device of the present invention includes a first substrate including a TFT array, a first ground wire connected to the TFT array, and a floating wire separated from the TFT array and the first ground wire; and a second substrate bonded to the first substrate with a sealant. The floating wire is spaced apart from the TFT array with the first ground wire interposed therebetween.

상기 제2 기판은 상기 제2 기판의 바깥쪽 면에 배치된 투명 전도막을 더 구비한다. The second substrate further includes a transparent conductive film disposed on an outer surface of the second substrate.

상기 표시장치는 상기 제1 및 제2 기판을 포함한 표시패널의 가장자리를 덮는 플라스틱 케이스 탑을 더 구비한다. The display device further includes a plastic case top covering an edge of the display panel including the first and second substrates.

상기 제1 그라운드 배선과 상기 플로팅 배선 사이의 거리가 0.1mm 이상이고, 상기 상판 투명 전도막과 상기 제1 그라운드 배선 사이의 거리가 0.6mm 이상이다.A distance between the first ground wire and the floating wire is 0.1 mm or more, and a distance between the upper transparent conductive layer and the first ground wire is 0.6 mm or more.

본 발명은 정전기 경로 상에서 플로팅 배선을 배치하여 기판의 절연 파괴 전압 이하로 정전기 전압을 낮추어 정전기로부터 TFT 어레이를 보할 수 있다. The present invention can protect the TFT array from static electricity by lowering the electrostatic voltage below the dielectric breakdown voltage of the substrate by arranging the floating wiring on the electrostatic path.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 구조를 보여 주는 도면이다.
도 2는 표시패널 구동회로와 ESD 소자를 보여 주는 도면이다.
도 3은 정전기가 표시패널의 TFT 어레이에 인가되는 경로를 보여 주는 도면이다.
도 4는 도 2에서 선 A-A'을 따라 절취한 표시패널의 단면에서 정전기가 유입되는 경로를 보여 주는 도면이다.
도 5는 TFT 어레이와 플로팅 배선을 보여 주는 평면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 표시패널의 가장자리 구조를 보여 주는 단면도이다.
도 7은 플로팅 배선으로 인한 정전기 레벨 감소를 보여 회로도이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시패널의 구조를 보여 주는 도면들이다.
도 10은 플로팅 배선이 실런트에 의해 덮여진 예를 보여 주는 단면도이다.
도 11 내지 도 14는 플로팅 배선이 적용된 표시패널의 다양한 단면 구조를 보여 주는 단면도들이다.
1 is a diagram showing the structure of a display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram showing a display panel driving circuit and an ESD element.
3 is a diagram showing a path through which static electricity is applied to a TFT array of a display panel.
FIG. 4 is a view showing a path through which static electricity flows in a cross-section of the display panel taken along the line A-A' in FIG. 2 .
5 is a plan view showing a TFT array and floating wiring.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing an edge structure of the display panel shown in FIG. 5 .
7 is a circuit diagram showing a decrease in static electricity level due to a floating wire.
8 and 9 are diagrams showing the structure of a display panel according to another embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view showing an example in which a floating wire is covered with a sealant.
11 to 14 are cross-sectional views showing various cross-sectional structures of display panels to which floating wires are applied.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and methods of achieving them, will become clear with reference to the detailed description of the following embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings. The present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, only the embodiments will make the disclosure of the present invention complete, and those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs It is provided to fully inform the scope of the invention, the invention is defined only by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명은 도면에 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 실질적으로 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. Since the shape, size, ratio, angle, number, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are exemplary, the present invention is not limited to those shown in the drawings. Like reference numbers designate substantially like elements throughout the specification. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted.

본 명세서 상에서 언급된 "구비한다", "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수로 해석될 수 있다. When "comprises", "includes", "has", "consists of", etc. mentioned in this specification is used, other parts may be added unless '~ only' is used. When a component is expressed in the singular, it may be interpreted in the plural unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, even if there is no separate explicit description, it is interpreted as including the error range.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, ' ~ 상에', ' ~ 상부에', ' ~ 하부에', ' ~ 옆에' 등으로 두 구성요소들 간에 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 그 구성요소들 사이에 하나 이상의 다른 구성 요소가 개재될 수 있다. In the case of a description of a positional relationship, for example, when a positional relationship between two components is described as 'on ~', 'on top of ~', 'on the bottom of ~', 'next to', etc., ' One or more other components may be interposed between those components where 'immediately' or 'directly' is not used.

구성 요소들을 구분하기 위하여 제1, 제2 등이 사용될 수 있으나, 이 구성 요소들은 구성 요소 앞에 붙은 서수나 구성 요소 명칭으로 그 기능이나 구조가 제한되지 않는다. Although first, second, etc. may be used to distinguish the components, the function or structure of these components is not limited to the ordinal number or component name attached to the front of the component.

이하의 실시예들은 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하다. 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.The following embodiments may be partially or wholly combined or combined with each other, and technically various interlocking and driving operations are possible. Each of the embodiments may be implemented independently of each other or together in an association relationship.

이하의 실시예에서 본 발명의 표시장치가 액정표시장치 중심으로 설명되지만 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 본 발명의 TFT 어레이 기판에 적용되는 정전기 차단 보강 구조는 액정표시장치뿐 아니라 OLED 표시장치의 TFT 어레이 기판에 적용될 수 있을 것이다. In the following embodiments, the display device of the present invention will be described mainly as a liquid crystal display device, but is not limited thereto. For example, the electrostatic blocking reinforcing structure applied to the TFT array substrate of the present invention may be applied to a TFT array substrate of an OLED display device as well as a liquid crystal display device.

본 발명의 표시장치는 표시패널과 백라이트 유닛(Backlight Unit : BLU)에 가이드 패널(Guide panel), 커버 보텀(Cover bottom), 케이스 탑(Case top) 등의 커버 또는 케이스 부재를 구비한다. 백라이트 유닛(BLU)은 OLED 표시장치와 같은 자발광 소자에서 생략될 수 있다. The display device of the present invention includes a cover or case member such as a guide panel, a cover bottom, and a case top on a display panel and a backlight unit (BLU). The backlight unit (BLU) may be omitted in a self-light emitting device such as an OLED display device.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 표시장치는 표시패널(100), 표시패널(100)에 빛을 조사하는 백라이트 유닛(Backlight Unit : BLU), 표시패널(100)에 연결되는 표시패널 구동회로 등을 구비한다. 1 and 2 , the display device of the present invention includes a display panel 100, a backlight unit (BLU) that radiates light to the display panel 100, and a display panel connected to the display panel 100. A driving circuit and the like are provided.

표시패널 구동회로는 데이터 구동부(200), 게이트 구동부(300), 타이밍 콘트롤러(500), Vcom 발생부(400) 등을 구비한다. 표시패널 구동회로는 도시하지 않은 터치 센서 구동부를 더 구비할 수 있다. 터치 센서 구동부는 터치 센서들을 구동하여 터치 입력 각각을 감지한다. The display panel driving circuit includes a data driver 200, a gate driver 300, a timing controller 500, a Vcom generator 400, and the like. The display panel driving circuit may further include a touch sensor driving unit (not shown). The touch sensor driver senses each touch input by driving the touch sensors.

백라이트 유닛은 직하형(direct type) 백라이트 유닛 또는, 에지형(edge type) 백라이트 유닛으로 구현될 수 있다. 자발광 소자 예를 들어, OLED 표시장치의 경우, 백라이트 유닛이 필요 없다. 도 1에 도시된 백라이트 유닛은 에지형 백라이트 유닛의 일 예이다. The backlight unit may be implemented as a direct type backlight unit or an edge type backlight unit. In the case of a self-luminous device, for example, an OLED display device, a backlight unit is not required. The backlight unit shown in FIG. 1 is an example of an edge type backlight unit.

백라이트 유닛은 광학층을 이용하여 표시패널(100)에서 표시패널(100)에 빛을 조사한다. 광학층은 LED 어셈블리 (Light Emitting Diode Assembly)(15), 도광판(16), 광학 시트(14), 반사 시트(18) 등을 포함한다. The backlight unit radiates light from the display panel 100 to the display panel 100 using an optical layer. The optical layer includes a light emitting diode assembly (LED assembly) 15, a light guide plate 16, an optical sheet 14, a reflective sheet 18, and the like.

백라이트 유닛은 LED 어셈블리(Assembly)(15), 도광판(16), 및 다수의 광학시트(14)를 포함하여 LED 어셈블리(15)로부터의 빛을 도광판(16)과 광학시트들(14)을 통해 균일한 면광원으로 변환하여 표시패널(100)에 빛을 조사한다. LED 어셈블리(15)는 다수의 LED(light-emitting diode)들이 실장된 기판을 포함한다. LED는 백라이트 유닛의 광원으로 이용된다. 광학 시트들(14)은 프리즘 시트와 확산시트를 포함하여 도광판(16)의 전면을 통해 입사되는 빛을 확산하고 표시패널(100)의 광입사면에 대하여 수직인 각도로 빛의 진행경로를 굴절시킨다. 도광판(16)의 배면에 빛을 반사하는 반사 시트(18)가 배치된다. 도광판(16)의 아래에는 커버 보텀(17)이 배치된다. 커버 보텀(17)은 금속판으로 제작될 수 있다. The backlight unit includes an LED assembly 15, a light guide plate 16, and a plurality of optical sheets 14, and transmits light from the LED assembly 15 through the light guide plate 16 and the optical sheets 14. It is converted into a uniform surface light source and irradiates light to the display panel 100 . The LED assembly 15 includes a substrate on which a plurality of light-emitting diodes (LEDs) are mounted. The LED is used as a light source of the backlight unit. The optical sheets 14 include a prism sheet and a diffusion sheet to diffuse light incident through the front surface of the light guide plate 16 and refract the light propagation path at an angle perpendicular to the light incident surface of the display panel 100. let it A reflective sheet 18 for reflecting light is disposed on the rear surface of the light guide plate 16 . A cover bottom 17 is disposed below the light guide plate 16 . The cover bottom 17 may be made of a metal plate.

표시패널(100)의 가장자리에는 가이드 패널(13)과 케이스 탑(11)이 조립된다. 가이드 패널(13)은 표시패널(100)의 아래에서 표시패널(100)을 지지하고, 백라이트 유닛의 측면을 덮는다. 케이스 탑(11)은 표시패널(100)의 전면 가장자리와 가이드 패널(13)의 외측면을 덮는 구조의 사각 프레임이다. 케이스 탑(11)은 가이드 패널(13)과 커버 보텀(17) 중 적어도 어느 하나에 후크(hook)나 스크류(screw, 19)로 고정될 수 있다. 케이스 탑(11)과 가이드 패널(13)은 디스플레이 모듈(10)의 전면 가장자리와 측면을 덮는다. A guide panel 13 and a case top 11 are assembled to the edge of the display panel 100 . The guide panel 13 supports the display panel 100 under the display panel 100 and covers the side surface of the backlight unit. The case top 11 is a rectangular frame structured to cover the front edge of the display panel 100 and the outer surface of the guide panel 13 . The case top 11 may be fixed to at least one of the guide panel 13 and the cover bottom 17 with a hook or a screw 19 . The case top 11 and the guide panel 13 cover the front edge and side of the display module 10 .

표시패널(100)은 액정층을 사이에 두고 대향하는 제1 기판과 제2 기판을 포함한다. 표시패널(100)의 액티브 영역(active area)에는 입력 영상이 표시되는 픽셀 어레이가 형성된다. 픽셀 어레이는 데이터라인들(DL1~DLn)과 게이트라인들(GL1~GLm)의 교차 구조에 의해 매트릭스 형태로 배열되는 픽셀들을 포함한다. 픽셀들 각각은 컬러 구현을 위하여 적색(R) 서브 픽셀, 녹색(G) 서브 픽셀 및 청색(B) 서브 픽셀로 나뉘어질 수 있다. 또한, 픽셀들 각각은 백색(W) 서브 픽셀을 더 포함할 수 있다. 펜타일(Pen Tile) 픽셀 어레이에 렌더링 알고리즘(Rendering algorithm)을 적용하면 2 개의 서브 픽셀들로 하나의 픽셀을 구현할 수 있다. 픽셀들은 TFT를 통해 데이터전압을 충전하는 픽셀전극(1)과, 공통전압(Vcom)이 인가되는 공통전극(2)의 전압차에 의해 구동되는 액정 분자들을 이용하여 빛의 투과양을 조정한다. The display panel 100 includes a first substrate and a second substrate facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. A pixel array displaying an input image is formed in an active area of the display panel 100 . The pixel array includes pixels arranged in a matrix form by crossing data lines DL1 to DLn and gate lines GL1 to GLm. Each of the pixels may be divided into a red (R) sub-pixel, a green (G) sub-pixel, and a blue (B) sub-pixel for color implementation. Also, each of the pixels may further include a white (W) sub-pixel. If a rendering algorithm is applied to a pen tile pixel array, one pixel can be implemented with two sub-pixels. The pixels adjust the transmission amount of light using liquid crystal molecules driven by a voltage difference between the pixel electrode 1 charging the data voltage through the TFT and the common electrode 2 to which the common voltage Vcom is applied.

표시패널(100)의 제1 기판(101)은 TFT 어레이 기판이다. 제1 기판(101)에는 데이터라인들(DL1~DLn), 게이트라인들(GL1~GLm), 픽셀들 각각에 배치된 TFT들, TFT에 접속된 픽셀전극(1), 및 픽셀전극(1)에 접속된 스토리지 커패시터(Storage Capacitor, Cst) 등의 TFT 어레이(105)를 포함한다.The first substrate 101 of the display panel 100 is a TFT array substrate. The first substrate 101 includes data lines DL1 to DLn, gate lines GL1 to GLm, TFTs disposed on each of the pixels, a pixel electrode 1 connected to the TFT, and a pixel electrode 1. and a TFT array 105 such as a Storage Capacitor (Cst) connected to

표시패널(100)의 제1 기판(101)에 형성된 TFT들은 비정질 실리콘(amorphose Si, a-Si) TFT, LTPS(Low Temperature Poly Silicon) TFT, 산화물 TFT(Oxide TFT) 등으로 구현될 수 있다. TFT들은 데이터라인들(DL1~DLn)과 게이트라인들(GL1~GLm)의 교차부에 형성된다. TFT들은 게이트 펄스에 응답하여 데이터 라인으로부터의 데이터 전압을 픽셀전극(1)에 공급한다. The TFTs formed on the first substrate 101 of the display panel 100 may be implemented as an amorphose Si (a-Si) TFT, a Low Temperature Poly Silicon (LTPS) TFT, an oxide TFT (TFT), or the like. The TFTs are formed at intersections of the data lines DL1 to DLn and the gate lines GL1 to GLm. The TFTs supply data voltages from the data lines to the pixel electrodes 1 in response to gate pulses.

표시패널(100)은 블랙 매트릭스(Black matrix, BM)와 컬러 필터(Color filter)를 포함한 컬러 필터 어레이를 포함한다. 컬러 필터 어레이는 TFT 어레이(105)와 함께 표시패널의 제1 기판(101)에 형성되거나, 액정층을 사이에 두고 제1 기판(101)과 대항하는 제2 기판(102) 상에 형성될 수 있다. 사용자에게 노출된 제2 기판(102)의 바깥쪽 면에 정전기(ESD)를 방전하기 위한 상판 투명 전도막(103)이 형성될 수 있다. 상판 투명 전도막(103), 픽셀전극(1), 및 공통전극(2)은 ITO(Indium-Tin Oxide)와 같은 투명 전극 재료로 형성된다.The display panel 100 includes a color filter array including a black matrix (BM) and color filters. The color filter array may be formed on the first substrate 101 of the display panel together with the TFT array 105 or may be formed on the second substrate 102 opposing the first substrate 101 with a liquid crystal layer interposed therebetween. have. An upper transparent conductive film 103 for discharging static electricity (ESD) may be formed on an outer surface of the second substrate 102 exposed to a user. The upper transparent conductive film 103, the pixel electrode 1, and the common electrode 2 are formed of a transparent electrode material such as indium-tin oxide (ITO).

공통전극(2)은 TN(Twisted Nematic) 모드와 VA(Vertical Alignment) 모드와 같은 수직 전계 구동방식의 경우에 제2 기판 상에 형성되며, IPS(In-Plane Switching) 모드와 FFS(Fringe Field Switching) 모드와 같은 수평 전계 구동방식의 경우에 픽셀전극(1)과 함께 제1 기판(101) 상에 형성될 수 있다. 표시패널(100)의 제1 및 제2 기판들(101, 102) 각각에서 바깥쪽 면에 편광판이 접착되고, 액정층과 접하는 면에 액정 분자의 프리틸트각(pre-tilt angle)을 설정하기 위한 배향막이 형성된다. 도 11 내지 도 14에서, 도면 부호 “108”과 “109”는 편광판을 나타낸다. The common electrode 2 is formed on the second substrate in the case of vertical electric field driving methods such as TN (Twisted Nematic) mode and VA (Vertical Alignment) mode, and IPS (In-Plane Switching) mode and FFS (Fringe Field Switching) ) mode, it may be formed on the first substrate 101 together with the pixel electrode 1. Setting the pre-tilt angle of the liquid crystal molecules on the surface in contact with the liquid crystal layer with the polarizer attached to the outer surfaces of the first and second substrates 101 and 102 of the display panel 100, respectively. An alignment film is formed for 11 to 14, reference numerals “108” and “109” denote polarizing plates.

표시패널(100)의 액티브 영역 상에 터치 센서들이 배치될 수 있다. 터치 센서들은 온-셀(On-cell type) 또는 애드 온 타입(Add on type)으로 표시패널(100)에 배치될 수도 있다. 터치 센서 구동부는 터치 센서의 출력 신호를 입력 받아 터치 입력들 각각의 좌표를 생성하여 호스트 시스템(Host system)으로 전송한다.Touch sensors may be disposed on the active area of the display panel 100 . The touch sensors may be disposed on the display panel 100 in an on-cell type or an add-on type. The touch sensor driver receives the output signal of the touch sensor, generates coordinates of each of the touch inputs, and transmits them to a host system.

데이터 구동부(200)와 게이트 구동부(300)는 타이밍 콘트롤러(500)의 제어 하에 입력 영상의 데이터를 픽셀들에 기입한다. 데이터 구동부(200)는 도 5에 도시된 바와 같이 하나 이상의 소스 드라이브 IC(SIC)를 포함한다. 데이터 구동부(200)는 타이밍 콘트롤러(500)로부터 입력 영상의 디지털 비디오 데이터를 수신한다. 데이터 구동부(200)는 타이밍 콘트롤러(500)의 제어 하에 입력 영상의 디지털 비디오 데이터를 감마 보상 전압으로 변환하여 데이터전압을 출력한다. The data driver 200 and the gate driver 300 write data of an input image into pixels under the control of the timing controller 500 . As shown in FIG. 5 , the data driver 200 includes one or more source drive ICs (SICs). The data driver 200 receives digital video data of an input image from the timing controller 500 . The data driver 200 converts digital video data of an input image into a gamma compensation voltage under the control of the timing controller 500 and outputs a data voltage.

게이트 구동부(300)는 타이밍 콘트롤러(500)의 제어 하에 게이트 라인들(GL1~GLm)에 게이트 펄스를 공급한다. 게이트 펄스는 데이터 라인들(DL1~DLn)에 공급되는 데이터 전압에 동기된다. 게이트 구동부(300)는 TFT 어레이와 함께 하부 기판 상에 직접 형성될 수 있다. 게이트 구동부(300)는 픽셀들와 함께 표시패널(100)의 제1 기판(101) 상에 직접 실장될 수 있다. 게이트 구동부(300)는 시프트 레지스터(shift register)를 이용하여 게이트 라인들(GL1~GLm)에 인가되는 게이트 펄스를 순차적으로 시프트(shift)한다. 게이트 펄스는 입력 영상의 데이터 전압 즉, 픽셀 전압에 동기되어 데이터 전압이 충전될 픽셀들을 1 라인씩 순차적으로 선택한다. The gate driver 300 supplies gate pulses to the gate lines GL1 to GLm under the control of the timing controller 500 . The gate pulse is synchronized with the data voltage supplied to the data lines DL1 to DLn. The gate driver 300 may be directly formed on the lower substrate together with the TFT array. The gate driver 300 may be directly mounted on the first substrate 101 of the display panel 100 together with the pixels. The gate driver 300 sequentially shifts gate pulses applied to the gate lines GL1 to GLm using a shift register. The gate pulse is synchronized with the data voltage of the input image, that is, the pixel voltage, and sequentially selects pixels line by line to be charged with the data voltage.

Vcom 발생부(400)는 공통전압(Vcom)을 발생하고, 표시패널(100)에 인가되는 공통 전압과 기준 공통 전압을 비교하여 그 차 전압으로 공통전압(Vcom)을 보상한다. The Vcom generator 400 generates a common voltage Vcom, compares the common voltage applied to the display panel 100 with a reference common voltage, and compensates for the common voltage Vcom with the difference voltage.

타이밍 콘트롤러(500)는 호스트 시스템으로부터 수신된 입력 영상의 데이터를 데이터 구동부(200)로 전송한다. 타이밍 콘트롤러(500)는 입력 영상 데이터와 동기되는 타이밍 신호들을 호스트 시스템(110)으로부터 수신한다. 타이밍 신호들은 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(DE), 메인 클럭(DCLK) 등을 포함한다. 타이밍 콘트롤러(500)는 타이밍 신호들(Vsync, Hsync, DE, DCLK)을 바탕으로 데이터 구동부(200), 게이트 구동부(300) 등의 동작 타이밍을 제어한다. 타이밍 콘트롤러(500)와 Vcom 발생부(400)는 도 5에 도시된 바와 같이 PCB(Printed Circuit Board) 상에 실장된다. The timing controller 500 transmits data of the input image received from the host system to the data driver 200 . The timing controller 500 receives timing signals synchronized with input image data from the host system 110 . The timing signals include a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a data enable signal DE, and a main clock DCLK. The timing controller 500 controls operation timings of the data driver 200 and the gate driver 300 based on the timing signals Vsync, Hsync, DE, and DCLK. The timing controller 500 and the Vcom generator 400 are mounted on a printed circuit board (PCB) as shown in FIG. 5 .

호스트 시스템은 텔레비젼 시스템, 홈 시어터 시스템, 셋톱박스, 네비게이션 시스템, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 폰 시스템(Phone system) 중 어느 하나로 구현될 수 있다. 또한, 호스트 시스템은 모바일 기기나 웨어러블 기기를 제어하는 시스템일 수 있다. 호스트 시스템은 입력 영상의 디지털 비디오 데이터를 표시패널(100)의 해상도에 맞게 스케일링한다. 호스트 시스템은 입력 영상의 디지털 비디오 데이터)와 함께 타이밍 신호들(Vsync, Hsync, DE, CLK)을 타이밍 콘트롤러(500)로 전송한다. 호스트 시스템은 터치 센서 구동부로부터 입력되는 터치 입력의 좌표 정보와 연계된 응용 프로그램을 실행한다.The host system may be implemented as any one of a television system, a home theater system, a set-top box, a navigation system, a DVD player, a Blu-ray player, a personal computer (PC), and a phone system. Also, the host system may be a system that controls a mobile device or a wearable device. The host system scales the digital video data of the input image according to the resolution of the display panel 100 . The host system transmits timing signals (Vsync, Hsync, DE, CLK) together with digital video data of an input image to the timing controller 500. The host system executes an application associated with coordinate information of a touch input from the touch sensor driver.

표시패널(100)에는 도 2에 도시된 바와 같이 공통전극(2)에 연결된 공통 전압 배선(110), 공통전극(2)에 연결되어 표시패널(100)에 인가되는 공통전압(Vcom)을 Vcom 발생부(400)에 입력하는 공통전압 피드백 배선(111), TFT 어레이(105)에 연결된 제1 GND 배선(130), 다수의 ESD 소자(112), 플로팅 배선(Floating ground line)(150) 등을 더 포함한다. 이 금속 배선들(110, 120, 130, 140)과 ESD 소자들(112)는 표시패널(100)에서 액티브 영역 밖의 비표시영역에 형성된다. 제1 GND 배선(130)에 GND그라운드 전압(GND)이 공급된다. As shown in FIG. 2 , the display panel 100 includes a common voltage line 110 connected to the common electrode 2, and a common voltage Vcom connected to the common electrode 2 and applied to the display panel 100, Vcom A common voltage feedback wire 111 input to the generator 400, a first GND wire 130 connected to the TFT array 105, a plurality of ESD elements 112, a floating ground line 150, etc. more includes The metal wires 110 , 120 , 130 , and 140 and the ESD elements 112 are formed in a non-display area outside the active area of the display panel 100 . A GND ground voltage (GND) is supplied to the first GND wire 130 .

ESD 소자들(112)은 하나 이상의 다이오드를 포함하여 정전기(ESD)가 발생될 때 턴-온(turn-on)되어 데이터 라인들(DL1~DLn)과 게이트 라인들(GL1~GLm)을 통해 유입되는 과전압을 제1 GND 배선(130)으로 방전시켜 정전기로부터 픽셀들과 표시패널 구동회로를 보호한다. The ESD elements 112 include one or more diodes, which are turned on when static electricity (ESD) is generated and flows in through data lines DL1 to DLn and gate lines GL1 to GLm. The overvoltage is discharged through the first GND wire 130 to protect the pixels and the display panel driving circuit from static electricity.

플로팅 배선(150)은 제1 GND 배선(130)을 사이에 두고 TFT 어레이(105)와 이격된다. 플로팅 배선(150)은 TFT 어레이(105), 표시패널 구동회로(200, 300, 400), 다른 외곽 배선들(110, 111, 130), ESD 소자(112) 등 다른 구성 요소와 연결되지 않는다. 플로팅 배선(150)은 정전기가 발생될 때 TFT 어레이(105) 쪽으로 인가되는 정전기의 전압을 낮춘다. 플로팅 배선(150)은 TFT 어레이(105)가 배치된 제1 기판(101) 상에서 최외곽에 배치될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The floating wire 150 is spaced apart from the TFT array 105 with the first GND wire 130 interposed therebetween. The floating wiring 150 is not connected to other components such as the TFT array 105, the display panel driving circuits 200, 300, and 400, other outer wirings 110, 111, and 130, and the ESD device 112. The floating wire 150 lowers the voltage of static electricity applied to the TFT array 105 when static electricity is generated. The floating wiring 150 may be disposed on the outermost side of the first substrate 101 on which the TFT array 105 is disposed, but is not limited thereto.

도 3은 정전기가 표시패널의 TFT 어레이에 인가되는 경로를 보여 주는 도면이다. 도 4는 도 2에서 선 A-A'을 따라 절취한 표시패널의 단면에서 정전기가 유입되는 경로를 보여 주는 도면이다. 3 is a diagram showing a path through which static electricity is applied to a TFT array of a display panel. FIG. 4 is a view showing a path through which static electricity flows in a cross-section of the display panel taken along the line A-A' in FIG. 2 .

도 3 및 도 4를 참조하면, 표시패널(100)의 제1 및 제2 기판들(101, 102)은 액정층(Clc)을 사이에 두고 실런트(Sealant)(104)로 접합된다. Referring to FIGS. 3 and 4 , the first and second substrates 101 and 102 of the display panel 100 are bonded with a sealant 104 with the liquid crystal layer Clc interposed therebetween.

정전기(ESD)는 표시패널(100)의 제2 기판(102)을 통해 제1 기판(101) 상의 TFT 어레이(105)에 인가될 수 있다. 케이스 탑(11)은 전도성이 없는 플라스틱으로 제작될 수 있다. 이 경우, 기판들(101, 102)의 절연 파괴 전압 이상의 정전기(ESD)가 상판 투명 전도막(103)에 인가되면 케이스 탑(11)을 통해 외부로 방전되지 않고, 정전기(ESD)가 기판들(101, 102)을 통해 픽셀 어레이(105)로 인가될 수 있다. 도 4에서 “106”은 TFT 어레이에 형성된 절연막이다. Static electricity (ESD) may be applied to the TFT array 105 on the first substrate 101 through the second substrate 102 of the display panel 100 . The case top 11 may be made of non-conductive plastic. In this case, when static electricity (ESD) equal to or higher than the dielectric breakdown voltage of the substrates 101 and 102 is applied to the top transparent conductive film 103, it is not discharged to the outside through the case top 11, and the static electricity (ESD) is applied to the substrates. It may be applied to the pixel array 105 through (101, 102). In Fig. 4, "106" is an insulating film formed on the TFT array.

플로팅 배선(150)은 TFT 어레이(105)에 연결된 제1 GND 배선(130)과 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이 제1 기판(101) 상에서 최외곽에 배치되어 정전기(ESD)의 전압을 기판의 절연 파괴 전압 이하로 낮춤으로써 TFT 어레이(105)를 정전기(ESD)로부터 보호한다. The floating wiring 150 is disposed on the outermost side of the first substrate 101 as shown in FIGS. 5 to 7 and the first GND wiring 130 connected to the TFT array 105 to reduce the voltage of ESD. The TFT array 105 is protected from static electricity (ESD) by lowering it below the dielectric breakdown voltage of the substrate.

도 5는 TFT 어레이와 플로팅 배선을 보여 주는 평면도이다. 도 6은 도 5에 도시된 표시패널의 가장자리 구조를 보여 주는 단면도이다. 도 7은 플로팅 배선으로 인한 정전기 레벨 감소를 보여 회로도이다. 5 is a plan view showing a TFT array and floating wiring. FIG. 6 is a cross-sectional view showing an edge structure of the display panel shown in FIG. 5 . 7 is a circuit diagram showing a decrease in static electricity level due to a floating wire.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 플로팅 배선(150)은 제1 기판(101) 상에서 TFT 어레이(105)에 연결된 제1 GND 배선(130)으로부터 소정 간격을 두고 이격되어 있다. 5 to 7 , the floating wire 150 is spaced apart from the first GND wire 130 connected to the TFT array 105 on the first substrate 101 at a predetermined interval.

기판(101, 102)의 절연 파괴 전압 이상의 정전기(ESD)가 제2 기판(102)에 인가되면 상판 투명 전도막(103)을 통해 제1 기판(101) 쪽으로 인가된다. 제2 기판(102)과 플로팅 배선(150) 사이의 임피던스(impedence, R1)로 인하여 정전기(ESD)의 전압이 낮아지고, 플로팅 배선(150)과 제1 GND 배선(130) 사이의 임피던스(R2)로 인하여 정전기(ESD)의 전압이 더욱 낮아진다. When ESD equal to or higher than the dielectric breakdown voltage of the substrates 101 and 102 is applied to the second substrate 102 , it is applied toward the first substrate 101 through the upper transparent conductive film 103 . Due to the impedance (R1) between the second substrate 102 and the floating wire 150, the voltage of static electricity (ESD) is lowered, and the impedance (R2) between the floating wire 150 and the first GND wire 130 ), the voltage of static electricity (ESD) is further lowered.

15kV 이상의 정전기(ESD)에서 TFT 어레이(105)를 보호할 수 있는 상판 투명 전도막(103)과 GND 배선 사이의 거리는 아래의 계산 결과에서 알 수 있듯이 0.6mm 이상이어야 한다. The distance between the upper transparent conductive film 103 and the GND wiring, which can protect the TFT array 105 from ESD of 15 kV or more, must be 0.6 mm or more, as can be seen from the calculation results below.

액정층(Clc)의 셀갭(Cell gap, ΔG)은 대략 3μm로 매우 작다. 셀갭(ΔG)을 무시하고 계산한다. The cell gap (ΔG) of the liquid crystal layer Clc is very small, approximately 3 μm. Calculate ignoring the cell gap (ΔG).

유리(GLS)의 절연파괴 전압 : 25~40kV/1mmDielectric breakdown voltage of glass (GLS): 25~40kV/1mm

0.5mm 두께의 유리기판 적용시 표시패널(100)의 상판과 하판의 절연파괴 전압 : 12.5~20kVDielectric breakdown voltage of the upper and lower plates of the display panel 100 when a 0.5 mm thick glass substrate is applied: 12.5 to 20 kV

정전기 전압 : ±15kV Electrostatic Voltage: ±15kV

제1 GND 배선(130)과 플로팅 배선(150) 사이의 거리를 x라 하고, 15kV에서 절연 파괴가 되지 않는 조건의 x는 아래와 같이 계산된다. Let x be the distance between the first GND wire 130 and the floating wire 150, and x under the condition that dielectric breakdown does not occur at 15 kV is calculated as follows.

0.5mm:12.5kV(Min) = x : 15kV, x=0.1mm0.5mm:12.5kV(Min) = x : 15kV, x=0.1mm

따라서, 제2 기판(102)의 두께가 0.5mm이면, 상판 투명 전도막(103)과 플로팅 배선(150) 사이의 거리는 대략 0.5mm이고, 플로팅 배선(150)과 제1 GND 배선(130) 사이의 거리(x)는 0.1mm이다. 따라서, 15kV 이상의 정전기(ESD)에서 절연 파괴가 되지 않는 상판 투명 전도막(103)과 제1 GND 배선(130) 사이의 최소 거리는 0.6mm 이다. 물론, 이 거리는 기판 두께, 기판 재질에 따라 달라진다. Therefore, if the thickness of the second substrate 102 is 0.5 mm, the distance between the upper transparent conductive film 103 and the floating wiring 150 is approximately 0.5 mm, and the distance between the floating wiring 150 and the first GND wiring 130 is approximately 0.5 mm. The distance (x) of is 0.1 mm. Accordingly, the minimum distance between the upper transparent conductive film 103 and the first GND wire 130, which is not subject to dielectric breakdown at ESD of 15 kV or higher, is 0.6 mm. Of course, this distance depends on the substrate thickness and substrate material.

표시패널(100)의 상용 기판과 네로우 베젤(narrow bezel) 설계를 고려하여 플로팅 배선(150)과 제1 GND 배선(130) 사이의 거리(x)는 0.1mm ~ 0.5mm 정도가 바람직하다. 따라서, 네로우 베젤을 구현하고 15kV 이상의 정전기(ESD)로부터 TFT 어레이(105)를 보호할 수 있는 상판 투명 전도막(103)과 제1 GND 배선(130) 사이의 거리는 대략 0.6mm ~ 1mm 이다. Considering the commercial substrate of the display panel 100 and the narrow bezel design, the distance (x) between the floating wire 150 and the first GND wire 130 is preferably about 0.1 mm to 0.5 mm. Therefore, the distance between the upper transparent conductive film 103 and the first GND wire 130, which can implement a narrow bezel and protect the TFT array 105 from ESD of 15 kV or higher, is approximately 0.6 mm to 1 mm.

도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시패널의 구조를 보여 주는 도면들이다. 도 9는 도 8에서 선 “A-A'”을 따라 절취한 표시패널(100)의 단면 구조이다. 8 and 9 are diagrams showing the structure of a display panel according to another embodiment of the present invention. FIG. 9 is a cross-sectional structure of the display panel 100 taken along the line “A-A'” in FIG. 8 .

도 8 및 도 9를 참조하면, 표시패널(100)의 제1 기판(101)은 하나 이상의 제2 GND 배선(131)을 더 구비한다. Referring to FIGS. 8 and 9 , the first substrate 101 of the display panel 100 further includes one or more second GND wires 131 .

제2 GND 배선(131)은 제1 GND 배선(130)과 플로팅 배선(150) 사이에 배치된다. 제2 GND 배선(131)은 플로팅 배선(150)과 연결되지 않는다. 제2 GND 배선(131)은 소정 거리만큼 제1 GND 배선(130)으로부터 이격되고, 하나 이상의 브릿지 패턴(bridge pattern)(132)을 통해 제1 GND 배선(130)에 연결된다. GND 배선들(130, 131)은 그라운드 전압(GND)을 공급 받는다.The second GND wire 131 is disposed between the first GND wire 130 and the floating wire 150 . The second GND wire 131 is not connected to the floating wire 150 . The second GND wire 131 is spaced apart from the first GND wire 130 by a predetermined distance and connected to the first GND wire 130 through one or more bridge patterns 132 . The GND wires 130 and 131 receive the ground voltage GND.

제2 GND 배선(131)은 작은 브릿지 패턴(132)을 통해 제1 GND 배선(131)에 연결되고, 제2 GND 배선(131)의 대부분은 기판을 사이에 두고 제1 GND 배선(130)으로부터 이격된다. 따라서, 제1 GND 배선(131)과 제2 GND 배선(131) 사이에 전기적으로 큰 저항이 존재한다. The second GND wire 131 is connected to the first GND wire 131 through the small bridge pattern 132, and most of the second GND wire 131 is connected to the first GND wire 130 with the substrate therebetween. are spaced apart Therefore, an electrically large resistance exists between the first GND wire 131 and the second GND wire 131 .

플로팅 배선(150)을 통해 낮아진 정전기 전압은 제1 GND 배선(130) 사이의 제2 GND 배선(131) 사이의 저항으로 인하여 더 낮아진다. 전술한 실시예에서 설명된 상판 투명 전도막(103)과 GND 배선(130) 사이의 최적 거리(0.6mm ~ 1mm) 내에서 제2 배선(131)이 추가될 수 있다. 제1 GND 배선(130) 사이의 제2 GND 배선(131) 사이의 거리만큼 상판 투명 전도막(103)과 GND 배선(130) 사이의 거리가 더 길어질 수 있다. The static electricity voltage lowered through the floating wire 150 becomes lower due to the resistance between the second GND wire 131 between the first GND wire 130 . The second wiring 131 may be added within an optimal distance (0.6 mm to 1 mm) between the upper transparent conductive film 103 and the GND wiring 130 described in the above-described embodiment. The distance between the upper transparent conductive film 103 and the GND wire 130 may be longer by the distance between the first GND wire 130 and the second GND wire 131 .

플로팅 배선(150)과 제2 GND 배선(131) 중 하나 이상이 도 10에 도시된 바와 같이 실런트(104)와 중첩되어 실런트(104) 아래에 배치될 수 있다. 이 경우, 베젤(bezel)이 더 작아질 수 있다. At least one of the floating wire 150 and the second GND wire 131 may be overlapped with the sealant 104 and disposed under the sealant 104 as shown in FIG. 10 . In this case, a bezel may be smaller.

도 11 내지 도 14는 플로팅 배선(150)이 적용된 표시패널의 다양한 단면 구조를 보여 주는 단면도들이다. 도 11 및 도 12는 제1 기판(101) 상에서 컬러 필터(124)가 TFT 어레이(105) 상에 배치되고, 블랙 매트릭스(Black matrix)(125)가 제2 기판(102) 상에 배치된 예이다. 도 13 및 도 14는 제2 기판(101) 상에 컬러 필터(124)와 블랙 매트릭스(125)가 형성된 예이다. 11 to 14 are cross-sectional views showing various cross-sectional structures of a display panel to which the floating wire 150 is applied. 11 and 12 are examples in which the color filter 124 is disposed on the TFT array 105 on the first substrate 101 and the black matrix 125 is disposed on the second substrate 102. to be. 13 and 14 are examples in which the color filter 124 and the black matrix 125 are formed on the second substrate 101 .

도 11 내지 도 14를 참조하면, 플로팅 배선(150)과 제2 GND 배선(131)는 도 11 및 도 12와 같이 TFT의 게이트와 같은 제1 금속층으로 패터닝되거나, 도시하지 않았지만 TFT의 소스 및 드레인과 같은 제2 금속층으로 패터닝될 수 있다. 게이트 절연막(121)은 제1 금속층의 패턴들과 제2 금속층의 패턴들을 절연한다. TFT의 반도체 패턴은 제2 금속층 아래에 배치된다. 제1 및 제2 보호막(122, 123)은 TFT 어레이(105)를 덮는다. 제1 금속층의 패턴들을 덮으며, 제1 보호막(122)은 제2 금속층의 패턴들을 덮는다. 제1 보호막(122) 상에 컬러 필터(124)가 배치될 수 있다. 게이트 절연막(121)과 제1 보호막(122)은 SiNx, SiO2 등의 무기 절연물질로 형성될 수 있다. 제2 보호막(123)은 컬러 필터(124)를 덮도록 제1 보호막(122) 상에 형성된다. 제2 보호막(123)은 포토 아크릴(Photo-acryl)과 같은 유기 절연물질로 형성될 수 있다. 제2 기판(102) 상에 평탄화막(126)이 형성될 수 있다. 평탄화말(126)은 블랙 매트릭스(125)를 덮는다. 11 to 14, the floating wire 150 and the second GND wire 131 are patterned with a first metal layer, such as a gate of a TFT, as shown in FIGS. 11 and 12, or, although not shown, the source and drain of a TFT. It can be patterned with a second metal layer such as. The gate insulating layer 121 insulates patterns of the first metal layer and patterns of the second metal layer. The semiconductor pattern of the TFT is disposed under the second metal layer. The first and second protective films 122 and 123 cover the TFT array 105 . The patterns of the first metal layer are covered, and the first passivation layer 122 covers the patterns of the second metal layer. A color filter 124 may be disposed on the first passivation layer 122 . The gate insulating layer 121 and the first protective layer 122 may be formed of an inorganic insulating material such as SiNx or SiO2. The second passivation layer 123 is formed on the first passivation layer 122 to cover the color filter 124 . The second passivation layer 123 may be formed of an organic insulating material such as photo-acryl. A planarization layer 126 may be formed on the second substrate 102 . The flattening end 126 covers the black matrix 125 .

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Through the above description, those skilled in the art will understand that various changes and modifications are possible without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be determined by the claims.

11 : 케이스 탑 12 : 표시패널
13 : 패널 가이드 14 : 광학 시트
15 : LED 어셈블리 16 : 도광판
17 : 커버 보텀 18 : 반사 시트
101 : 표시패널의 제1 기판 102 : 표시패널의 제2 기판
103 : 상판 투명 전도막 104 : 실런트
130, 131 : GND 배선 150 : 플로팅 배선
200 : 데이터 구동부 300 : 게이트 구동부
400 : Vcom 발생부 500 : 타이밍 콘트롤러
11: case top 12: display panel
13: panel guide 14: optical sheet
15: LED assembly 16: light guide plate
17: cover bottom 18: reflective sheet
101: first substrate of display panel 102: second substrate of display panel
103: upper transparent conductive film 104: sealant
130, 131: GND wiring 150: floating wiring
200: data driver 300: gate driver
400: Vcom generator 500: timing controller

Claims (15)

기판 상에 배치된 박막 트랜지스터 어레이;
상기 기판 상에서 상기 박막 트랜지스터 어레이에 연결된 제1 그라운드 배선; 및
상기 박막 트랜지스터 어레이와 상기 제1 그라운드 배선과 분리되도록 상기 기판 상에 배치된 플로팅 배선을 구비하고,
상기 플로팅 배선은 상기 제1 그라운드 배선을 사이에 두고 상기 박막 트랜지스터 어레이와 이격된 박막 트랜지스터 어레이 기판.
a thin film transistor array disposed on the substrate;
a first ground wire connected to the thin film transistor array on the substrate; and
A floating wiring disposed on the substrate to be separated from the thin film transistor array and the first ground wiring;
The floating wiring is spaced apart from the thin film transistor array with the first ground wiring interposed therebetween.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제1 그라운드 배선과 상기 플로팅 배선 사이의 거리가 0.1mm ~ 0.5mm 사이의 거리인 박막 트랜지스터 어레이 기판.
According to claim 1,
The thin film transistor array substrate of claim 1 , wherein a distance between the first ground wire and the floating wire is between 0.1 mm and 0.5 mm.
제 1 항에 있어서,
상기 플로팅 배선이 상기 기판에서 최외곽에 배치되는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
According to claim 1,
The thin film transistor array substrate wherein the floating wiring is disposed at an outermost part of the substrate.
제 1 항, 제 3 항, 및 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 그라운드 배선과 상기 플로팅 배선 사이에 하나 이상 배치된 제2 그라운드 배선을 더 구비하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
The method of any one of claims 1, 3, and 4,
The thin film transistor array substrate further comprising one or more second ground wires disposed between the first ground wires and the floating wires.
제 5 항에 있어서,
상기 제1 그라운드 배선과 상기 제2 그라운드 배선을 연결하는 브릿지 패턴을 더 구비하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
According to claim 5,
The thin film transistor array substrate further comprising a bridge pattern connecting the first ground wire and the second ground wire.
박막 트랜지스터 어레이, 상기 박막 트랜지스터 어레이에 연결된 제1 그라운드 배선, 상기 박막 트랜지스터 어레이와 상기 제1 그라운드 배선과 분리된 플로팅 배선을 포함한 제1 기판; 및
실런트로 상기 제1 기판에 접합된 제2 기판을 구비하고,
상기 플로팅 배선은 상기 제1 그라운드 배선을 사이에 두고 상기 박막 트랜지스터 어레이와 이격된 표시장치.
a first substrate including a thin film transistor array, a first ground wire connected to the thin film transistor array, and a floating wire separated from the thin film transistor array and the first ground wire; and
a second substrate bonded to the first substrate with a sealant;
The floating wire is spaced apart from the thin film transistor array with the first ground wire interposed therebetween.
제 7 항에 있어서,
상기 제2 기판은
상기 제2 기판의 바깥쪽 면에 배치된 투명 전도막을 더 구비하는 표시장치.
According to claim 7,
The second substrate is
The display device further comprising a transparent conductive film disposed on an outer surface of the second substrate.
제 8 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 기판을 포함한 표시패널의 가장자리를 덮는 플라스틱 케이스 탑을 더 구비하는 표시장치.
According to claim 8,
and a plastic case top covering an edge of the display panel including the first and second substrates.
제 8 항에 있어서,
상기 제1 그라운드 배선과 상기 플로팅 배선 사이의 거리가 0.1mm ~ 0.5mm 이고,
상기 상판 투명 전도막과 상기 제1 그라운드 배선 사이의 거리가 0.6mm ~ 1mm 인 표시장치.
According to claim 8,
The distance between the first ground wire and the floating wire is 0.1 mm to 0.5 mm,
A display device in which a distance between the upper transparent conductive film and the first ground wire is 0.6 mm to 1 mm.
제 7 항에 있어서,
상기 플로팅 배선이 상기 기판에서 최외곽에 배치되는 표시장치.
According to claim 7,
A display device in which the floating wire is disposed at an outermost part of the substrate.
제 7 항에 있어서,
상기 제1 기판은,
상기 제1 그라운드 배선과 상기 플로팅 배선 사이에 하나 이상 배치된 제2 그라운드 배선을 더 구비하는 표시장치.
According to claim 7,
The first substrate,
and at least one second ground wire disposed between the first ground wire and the floating wire.
제 12 항에 있어서,
상기 제1 그라운드 배선과 상기 제2 그라운드 배선을 연결하는 브릿지 패턴을 더 구비하는 표시장치.
According to claim 12,
and a bridge pattern connecting the first ground wire and the second ground wire.
제 7 항에 있어서,
상기 플로팅 배선이 상기 실런트 아래에 배치되는 표시장치.
According to claim 7,
A display device in which the floating wire is disposed under the sealant.
제 12 항에 있어서,
상기 플로팅 배선과 상기 제2 그라운드 배선이 상기 실런트 아래에 배치되는 표시장치.
According to claim 12,
The display device wherein the floating wire and the second ground wire are disposed under the sealant.
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