KR102514409B1 - Display device - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- -1 region Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-triene Chemical class C1=CC=C2OC2=C1 OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910004304 SiNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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Abstract
본 발명의 일 실시예는 기판, 상기 기판 상에 형성되는 게이트 배선, 상기 게이트 배선과 절연되도록 형성되는 데이터 배선 을 포함하고, 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선이 교차하는 교차 영역에서 상기 데이터 배선은, 상기 데이터 배선의 일부가 상기 게이트 배선의 상부에 위치하는 제1 영역 및 상기 데이터 배선의 전부가 게이트 배선의 상부에 위치하는 제2 영역을 포함하는 표시 장치를 개시한다.An embodiment of the present invention includes a substrate, a gate wire formed on the substrate, and a data wire formed to be insulated from the gate wire, and in an intersection area where the gate wire and the data wire intersect, the data wire, Disclosed is a display device including a first area in which a portion of the data lines are positioned above the gate line, and a second area in which all of the data lines are positioned in the upper portion of the gate line.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode Display: OLED), 전기영동표시장치(Electro Phoretic Display; EPD) 및 플라즈마 액정패널(Plasma Display Panel: PDP) 등과 같은 표시장치의 사용이 증가하고 있다.As information technology develops, the market for display devices, which are communication media between users and information, is growing. Accordingly, Liquid Crystal Display (LCD), Organic Light Emitting Diode Display (OLED), Electro Phoretic Display (EPD), and Plasma Display Panel (PDP) ), etc., the use of display devices is increasing.
앞서 설명된 표시장치 중 액정표시장치, 유기 전계 발광 표시 장치 및 전기영동표시장치는 유연한 표시장치로 구현하기 위한 연구가 진행되고 있고, 이들 중 일부는 입체영상표시장치로 구현되고 있다.Among the above-described display devices, liquid crystal display devices, organic light emitting display devices, and electrophoretic display devices are being researched to implement flexible display devices, and some of them are being implemented as 3D display devices.
최근, 표시 장치에 적용되고 있는 다양한 표시 패널 중에서도 급속하게 발전하고 있는 반도체 기술에 수반하여 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode Display: OLED)를 이용한 표시 패널이 주목 받고 있다.Recently, among various display panels applied to display devices, a display panel using an organic light emitting diode display (OLED) is attracting attention in accordance with rapidly developing semiconductor technology.
유기 전계 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode Display: OLED)는 기판 위에 화상 표현의 기본 단위인 화소(pixel)를 매트릭스 방식으로 배열하고, 각 화소마다 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 배치하여 독립적으로 화소를 제어한다. An organic light emitting diode display (OLED) arranges pixels, the basic unit of image expression, in a matrix on a substrate and arranges a thin film transistor (TFT) for each pixel to independently Control the pixel with
이러한 유기 전계 발광 표시 장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면 발광형 및 배면 발광형 표시 장치로 구분할 수 있다. Such an organic light emitting display device may be classified into a top emission type and a bottom emission type display device according to a direction in which light is emitted.
본 발명의 목적은, 표시 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a display device.
본 발명의 일 실시예는 기판, 상기 기판 상에 형성되는 게이트 배선, 상기 게이트 배선과 절연되도록 형성되는 데이터 배선 을 포함하고, 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선이 교차하는 교차 영역에서 상기 데이터 배선은, 상기 데이터 배선의 일부가 상기 게이트 배선의 상부에 위치하는 제1 영역 및 상기 데이터 배선의 전부가 게이트 배선의 상부에 위치하는 제2 영역을 포함하는 표시 장치를 개시한다.An embodiment of the present invention includes a substrate, a gate wire formed on the substrate, and a data wire formed to be insulated from the gate wire, and in an intersection area where the gate wire and the data wire intersect, the data wire, Disclosed is a display device including a first area in which a portion of the data lines are positioned above the gate line, and a second area in which all of the data lines are positioned in the upper portion of the gate line.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 영역은 상기 데이터 배선이 상기 게이트 배선과 교차하는 교차 영역의 네 개의 모서리 중 적어도 하나의 모서리에 형성되며, 상기 데이터 배선이 상기 게이트 배선과 교차하지 않는 부분에서의 데이터 배선의 바깥 영역에 형성될 수 있다. In this embodiment, the first area is formed at at least one corner among four corners of an intersection area where the data line crosses the gate line, and the data line does not intersect the gate line. It may be formed outside the data line.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 영역은 상기 데이터 배선이 상기 게이트 배선과 교차하지 않는 부분에서의 데이터 배선의 너비보다 좁은 너비를 갖도록 형성될 수 있다.In this embodiment, the second area may be formed to have a width smaller than that of the data line at a portion where the data line does not intersect the gate line.
본 실시예에 있어서, 상기 게이트 배선과 직교하는 제2 방향으로의 상기 제1 영역의 길이는 3㎛일 수 있다. In this embodiment, the length of the first region in the second direction orthogonal to the gate line may be 3 μm.
본 실시예에 있어서, 상기 데이터 배선의 폭은 8㎛일 수 있다. In this embodiment, the width of the data line may be 8 μm.
본 실시예에 있어서, 상기 데이터 배선과 직교하는 제1 방향으로의 상기 제2 영역의 너비는 6.5㎛일 수 있다. In this embodiment, a width of the second region in a first direction orthogonal to the data line may be 6.5 μm.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 영역의 형상은 사각형일 수 있다. In this embodiment, the shape of the first region may be a rectangle.
본 실시예에 있어서, 상기 사각형은 상기 게이트 배선과 직교하는 제2 방향의 변의 길이가 상기 데이터 배선과 직교하는 제1 방향의 변의 길이보다 길 수 있다. In this embodiment, the length of the side of the quadrangle in the second direction orthogonal to the gate line may be longer than the length of the side of the first direction orthogonal to the data line.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 영역의 형상은 삼각형일 수 있다. In this embodiment, the shape of the first region may be a triangle.
본 실시예에 있어서, 상기 삼각형은 상기 게이트 배선과 직교하는 제2 방향의 변의 길이가 상기 데이터 배선과 직교하는 제1 방향의 변의 길이보다 길 수 있다.In this embodiment, the length of the side of the triangle in the second direction orthogonal to the gate line may be longer than the length of the side of the first direction orthogonal to the data line.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 게이트 배선과 데이터 배선이 교차하는 영역에서 배선이 단선되는 것을 방지할 수 있는 유리한 효과가 있다.According to one embodiment of the present invention, there is an advantageous effect of preventing wire disconnection in a region where a gate wire and a data wire cross each other.
본 발명의 효과는 상술한 내용 이외에도, 도면을 참조하여 이하에서 설명할 내용으로부터도 도출될 수 있음은 물론이다.Of course, the effect of the present invention can be derived from the contents to be described below with reference to the drawings in addition to the above-described contents.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 배선을 상부에서 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 배선 및 데이터 배선을 확대하여 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 배선 및 데이터 배선을 확대하여 개략적으로 도시한 확대도이다.1 is a plan view schematically illustrating wires of a display device according to an exemplary embodiment from the top.
2 is a cross-sectional view schematically illustrating a cross-section of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is an enlarged and schematic diagram illustrating a gate line and a data line of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is an enlarged and schematic diagram illustrating a gate line and a data line of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can apply various transformations and have various embodiments, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and methods for achieving them will become clear with reference to the embodiments described later in detail together with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when describing with reference to the drawings, the same or corresponding components are assigned the same reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted. .
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용된다. In the following embodiments, terms such as first and second are used for the purpose of distinguishing one component from another component without limiting meaning.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, expressions in the singular number include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as include or have mean that features or components described in the specification exist, and do not preclude the possibility that one or more other features or components may be added.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위"에 또는 "상"에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In the following examples, when a part such as a film, region, component, etc. is said to be “on” or “on” another part, it is not only directly on top of the other part, but also another film, region, component in the middle thereof. The case where an element etc. are interposed is also included.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, the size of components may be exaggerated or reduced for convenience of description. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 수행될 수도 있다.When an embodiment is otherwise implementable, a specific process sequence may be performed differently from the described sequence. For example, two processes described in succession may be performed substantially simultaneously, or may be performed in an order reverse to the order described.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 배선을 상부에서 개략적으로 도시한 평면도이다. 1 is a plan view schematically illustrating wires of a display device according to an exemplary embodiment from the top.
본 실시예에 따른 표시 장치는 게이트 배선(10) 및 데이터 배선(30)을 포함할 수 있으며 상기 게이트 배선(10)과 상기 데이터 배선(30)이 서로 직교하는 방향으로 형성될 수 있다.The display device according to this embodiment may include a
선택적 실시예로서 게이트 배선(10)의 상부에 데이터 배선(30)이 게이트 배선(10)과 절연되도록 형성되며 특정한 영역에서는 게이트 배선(10) 및 데이터 배선(30)의 교차 영역(A)이 형성될 수 있다.As an optional embodiment, the
게이트 배선(10)은 후술할 게이트 전극(G, 도 2 참조)와 함께 형성되며 후술할 박막 트랜지스터(TFT) 각각에 신호를 전달하는 역할을 할 수 있다.The
데이터 배선(30)은 후술할 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)과 함께 형성되며 각 화소에 관한 데이터를 저장하고 전달하는 역할을 할 수 있다.The
도 1에는 게이트 배선(10) 및 데이터 배선(30)의 교차 영역(A)이 6군데로 도시되어 있으나 이는 설명의 편의를 위해 개략적으로 도시한 배선의 평면도에 불과한 것이며 교차 영역(A)의 개수는 이에 한정되지 않음은 물론이다.In FIG. 1 , six crossing areas A of the
본 실시예에 따른 표시 장치는 도 1에 도시된 바와 같이 교차 영역(A)에서 데이터 배선(30)의 형상이 변형되어 형성될 수 있다. As shown in FIG. 1 , the display device according to the present exemplary embodiment may be formed by changing the shape of the
즉, 게이트 배선(10)과 데이터 배선(30)의 교차 영역(A)에서 상기 데이터 배선(30)은 제1 영역(31a) 및 제2 영역(33)을 갖도록 변형되어 형성될 수 있으며 데이터 배선(30)의 변형에 대하여는 도 3 및 도 4을 참조하여 상세히 후술하도록 한다.That is, the
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating a cross-section of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
본 발명에 따른 표시 장치는 다양한 소자를 구비할 수 있고, 예를 들면 유기 발광 소자 또는 액정 표시 소자 등을 포함할 수 있다. 다만, 설명의 편의를 위하여 표시 장치가 유기 발광 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치인 실시예에 한하여 설명하도록 한다. The display device according to the present invention may include various elements, and may include, for example, an organic light emitting element or a liquid crystal display element. However, for convenience of description, description will be given only to an embodiment in which the display device is an organic light emitting display device including an organic light emitting element.
기판(100)은 다양한 재질을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 기판(100)은 유리 재질 또는 기타 절연 물질을 이용하거나 금속 박막을 이용하여 형성할 수 있다.The
선택적 실시예로서 기판(100)은 실리콘계 폴리머(silicone-based polymer), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리우레탄 아크릴레이트(polyurethane acrylate), 아크릴레이트 폴리머(acrylate polymer) 및 아크릴레이트 터폴리머(acrylate terpolymer) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서 실리콘계 폴리머는, 예컨대, 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 헥사메틸디옥실란(hexamethyldisiloxane, HMDSO) 등을 포함할 수 있다.As an optional embodiment, the
기판(100)의 상부에 버퍼층(110)이 형성될 수 있다. 버퍼층(110)은 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하기 위한 베리어층, 및/또는 블록킹층으로 역할을 할 수 있다.A
버퍼층(110)의 상부에는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)의 활성층(A)은 폴리 실리콘으로 이루어질 수 있으며, 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 채널 영역의 양 옆으로 불순물이 도핑되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 여기서, 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라지며, N형 불순물 또는 P형 불순물이 가능하다.A thin film transistor (TFT) may be formed on the
활성층(A)이 형성된 후 활성층(A)의 상부에는 게이트 절연막(210)이 기판(100) 전면(全面)에 형성될 수 있다. 게이트 절연막(210)은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(210)은 활성층(A)과 상부에 위치하는 게이트 전극(G)을 절연하는 역할을 한다. After the active layer (A) is formed, a
상기 게이트 절연막(210)을 형성한 후 게이트 절연막(210)의 상부에 게이트 전극(G)이 형성될 수 있다. 선택적 실시예로서, 상기 게이트 전극(G)과 함께 도 1에 도시된 게이트 배선(10)이 형성될 수 있다. 상기 게이트 전극(G) 및 상기 게이트 배선(10)은 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 통하여 형성될 수 있다. After forming the
선택적 실시예로서 게이트 전극(G)의 물질은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.As an optional embodiment, the material of the gate electrode G is molybdenum (Mo), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), nickel (Ni ), neodymium (Nd), iridium (Ir), chromium (Cr), nickel (Li), calcium (Ca), titanium (Ti), tungsten (W), and copper (Cu). there is.
선택적 실시예로서 상기 게이트 배선(10)의 물질 또한 상기 게이트 전극(G)과 마찬가지로 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.As an optional embodiment, the material of the
상기 게이트 전극(G)이 형성된 후 제1 층간 절연막(230)이 기판 전면(全面)에 형성될 수 있다. After the gate electrode G is formed, a first
제1 층간 절연막(230)은 무기물로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 제1 층간 절연막(230)은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다. The first
제1 층간 절연막(230)은 실리콘산화물(SiOx) 및/또는 실리콘질화물(SiNx) 등의 무기물로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 층간 절연막(230)은 SiOx/SiNy 또는 SiNx/SiOy의 이중 구조로 이루어질 수 있다. The first
제1 층간 절연막(230)의 상부에는 박막 트랜지스터의 소스 전극(S), 드레인 전극(D)이 배치될 수 있다. A source electrode S and a drain electrode D of the thin film transistor may be disposed on the first
선택적 실시예로서 소스 전극(S), 드레인 전극(D)과 함께 데이터 배선(30)이 제1 층간 절연막(230)의 상부에 형성될 수 있다. 즉, 데이터 배선(30)은 제1 층간 절연막(230)에 의해 게이트 배선(10)과 절연되도록 형성될 수 있다. As an optional embodiment, the
선택적 실시예로서, 상기 소스 전극(S), 드레인 전극(D)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.As an optional embodiment, the source electrode (S) and the drain electrode (D) are aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), nickel ( One selected from among Ni), neodymium (Nd), iridium (Ir), chromium (Cr), nickel (Li), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W), and copper (Cu) It may contain more than one metal.
선택적 실시예로서, 데이터 배선(30) 또한 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)과 마찬가지로 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.As an optional embodiment, the
소스 전극(S)과 드레인 전극(D)을 덮도록 기판(100) 전면(全面)에 비아층(250)이 형성된다. 비아층(250)의 상부에는 화소 전극(281)이 형성될 수 있다. 도 2에 도시된 일 실시예에 따르면, 화소 전극(281)은 비아홀을 통해 드레인 전극(D)과 연결된다.A via
비아층(250)은 절연물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 비아층(250)은 무기물, 유기물, 또는 유/무기 복합물로 단층 또는 복수층의 구조로 형성될 수 있으며, 다양한 증착방법에 의해서 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 평탄화막(PL)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다. The via
상기 비아층(250)의 상부에는 유기 발광 소자(OLED)가 구비된다. 유기 발광 소자(OLED)는 화소 전극(281), 유기 발광층을 포함하는 중간층(283), 및 대향 전극(285)을 포함한다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 화소 정의막(270)을 더 포함할 수 있다. An organic light emitting diode (OLED) is provided on the via
화소 전극(281) 및/또는 대향 전극(285)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다. 투명 전극으로 구비될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 구비될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 투명막을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 화소 전극(281) 또는 대향 전극(285)은 ITO/Ag/ITO 구조를 가질 수 있다.The
화소 정의막(270)은 화소 영역과 비화소 영역을 정의하는 역할을 할 수 있다. 화소 정의막(270)은 화소 전극(281)을 노출하는 개구(270a)를 포함하며 기판(100)을 전면적으로 덮도록 형성될 수 있다. The
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 게이트 배선(10) 및 데이터 배선(30)을 확대하여 개략적으로 도시한 확대도이다.3 is an enlarged and schematic view of a
선택적 실시예로서 게이트 배선(10)이 제1 방향으로 연장되어 형성될 수 있으며 데이터 배선(30)은 상기 제1 방향과 직교하는 제 2방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 즉, 게이트 배선(10)과 데이터 배선(30)이 서로 수직한 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. As an alternative embodiment, the
선택적 실시예로서 게이트 배선(10)과 데이터 배선(30)의 교차 영역(A)에서 상기 데이터 배선(30)은 제1 영역(31a) 및 제2 영역(33)을 갖도록 변형되어 형성될 수 있다. As an alternative embodiment, the
선택적 실시예로서 제1 영역(31a)은 데이터 배선(30)의 일부가 게이트 배선(10)의 상부에 위치하는 부분이며 제2 영역(33)은 데이터 배선(30)의 전부가 게이트 배선(10)의 상부에 위치하는 부분일 수 있다. As an optional embodiment, the
도 3에 도시된 바와 같이 게이트 배선(10) 및 데이터 배선(30)의 교차 영역(A)은 네 개의 모서리를 갖는 사각형 형상일 수 있다. As shown in FIG. 3 , the crossing area A of the
선택적 실시예로서 제1 영역(31a)은 상기 교차 영역(A)의 네 개의 모서리 가운데 적어도 하나의 모서리에 형성될 수 있다. As an optional embodiment, the
제1 영역(31a)은 게이트 배선(10) 및 데이터 배선(30)이 교차하지 않는 부분에서의 데이터 배선(30)을 벗어난 바깥 부분에 형성될 수 있다. The
즉, 제1 영역(31a)은 교차 영역(A) 이외 영역에서의 데이터 배선(30)의 폭(W1)보다 게이트 배선(10)이 연장되어 형성되는 방향인 제1 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다.That is, the
이 때, 제1 영역(31a)은 상술한 바와 같이 교차 영역(A)의 모서리에 형성되며 일부는 게이트 배선(10)과 교차하는 영역에 일부는 게이트 배선(10)과 교차하지 않는 영역에 형성될 수 있다. At this time, as described above, the
제1 영역(31a)이 교차 영역(A)의 모서리에서 제1 방향으로 연장되어 형성됨에 따라 배선이 단선되는 것을 방지할 수 있는 유리한 효과가 있다. As the
제1 영역(31a)이 형성되지 않는 경우 교차 영역(A)의 모서리에서는 게이트 배선(10)과 상부에 형성되는 데이터 배선(30)의 급격한 단차에 의해 배선이 단선되는 문제가 발생할 수 있다. When the
반면 본 실시예에 따른 표시 장치는 교차 영역(A)의 모서리에 연장되어 형성되는 제1 영역(31a)이 구비됨에 따라 단차가 감소하고 배선이 단선되는 문제를 해소할 수 있는 유리한 효과가 있다. On the other hand, since the display device according to the present exemplary embodiment has the
제1 영역(31a)의 크기는 게이트 배선(10)의 공정능력치를 감안하여 형성될 수 있다.The size of the
즉, 게이트 배선(10)을 형성할 때 노광 공정 후에 행해지는 식각 공정을 수행함에 따라 배선의 폭에 오차 범위가 발생할 수 있는데 이를 skew라 하고, 선택적 실시예로서 게이트 배선(10)의 skew는 약 1.0㎛일 수 있다.That is, when forming the
또한, 노광 공정 수행시 배선을 정렬함에 있어서 편차가 발생할 수 있는데 이를 overlay 혹은 align margin이라 하며, 선택적 실시예로서 게이트 배선(10)의 overlay는 약 ±1.0㎛일 수 있다.In addition, deviations may occur in aligning the wiring during the exposure process, which is referred to as overlay or align margin. As an optional embodiment, the overlay of the
따라서, 제1 영역(31a)의 크기는 게이트 배선(10)의 공정능력치 즉, skew 및 overlay를 감안하여 형성될 수 있으며 선택적 실시예로서 제1 방향의 제1 영역(31a)의 변의 길이(l1)는 3㎛로 형성될 수 있다.Accordingly, the size of the
선택적 실시예로서, 도 3에 도시된 바와 같이 제1 영역(31a)은 사각형 형상을 갖도록 형성될 수 있다.As an optional embodiment, as shown in FIG. 3 , the
선택적 실시예로서, 제2 방향의 제1 영역(31a)의 변의 길이(s1)가 제1 방향의 제1 영역(31a)의 변의 길이(l1)보다 길게 형성될 수 있다.As an optional embodiment, the length s1 of the side of the
제2 영역(33)은 데이터 배선(30)이 게이트 배선(10)과 교차하는 영역(A)에서 데이터 배선(30)의 전부가 게이트 배선(10)의 상부에 위치하도록 형성될 수 있다.The
선택적 실시예로서 제2 영역(33)은 데이터 배선(30)이 게이트 배선(10)과 교차하지 않는 부분에서의 데이터 배선(30)의 너비(W1)보다 좁은 너비(W2)를 갖도록 형성될 수 있다.As an optional embodiment, the
데이터 배선(30)과 게이트 배선(10)이 교차하는 영역에서는 기생 용량(캐패시터)이 증가되고 load가 증가됨에 따라 신호 전달의 지연이 발생하는 (RC delay) 문제가 발생할 수 있다. In an area where the
따라서, 본 실시에에 따른 유기 발광 표시 장치는 교차 영역(A)에서 제2 영역(33)의 너비(W2)를 데이터 배선(30)의 너비(W1)보다 좁게 형성하여 데이터 배선(30)과 게이트 배선(10)이 교차하는 영역이 감소함에 따라 RC delay 문제를 저감시킬 수 있는 유리한 효과가 있다.Therefore, in the organic light emitting diode display according to the present embodiment, the width W2 of the
다만, 데이터 배선(30)과 게이트 배선(10)이 교차하는 영역이 감소할수록 RC delay는 저감되지만 제2 영역(33)의 너비(W2)는 데이터 배선(30)의 공정능력치를 감안하여 형성될 수 있다.However, as the area where the
상술한 바와 같이 데이터 배선(30)을 형성함에 있어서 노광 공정 후에 행해지는 식각 공정을 수행함에 따라 데이터 배선의 폭에 오차 범위가 발생할 수 있는데 이를 skew라 하고, 선택적 실시예로서 데이터 배선(30)의 skew는 약 2.5㎛일 수 있다.As described above, in forming the
선택적 실시예로서 데이터 배선(30)의 너비(W1)는 약 8㎛로 형성될 수 있다. As an optional embodiment, the width W1 of the
만약 제2 영역(33)이 형성되지 않고 교차 영역(A)에서도 동일한 너비를 갖도록 데이터 배선(30)이 형성된다면, 교차 영역(A)에서도 데이터 배선(30)의 너비가 8㎛로 설계될 수 있고 데이터 배선(30)의 skew를 감안할 때 최종적으로 형성되는 교차 영역(A)에서 데이터 배선(30)의 너비는 8㎛-2.5㎛x2= 3㎛일 수 있다.If the
다만, 본 실시예에 따른 표시 장치에서는 교차 영역(A)에서 데이터 배선(30)의 너비(W1)보다 좁은 너비(W2)를 갖는 제2 영역(33)을 형성할 수 있으며 선택적 실시예로서 제2 영역(33)의 너비(W2)는 데이터 배선(30)의 너비(W1)인 8㎛보다 좁은 약 6.5㎛로 형성될 수 있다. However, in the display device according to the present embodiment, the
제2 영역(33)의 너비(W2)가 약 6.5㎛로 설계되는 경우 데이터 배선(30)의 공정능력치(skew)를 감안하면 최종적으로 형성되는 제2 영역(33)의 폭은 6.5㎛-2.5㎛x2= 1.5㎛일 수 있다. When the width W2 of the
따라서 본 실시예에 따라 제2 영역(33)의 너비(W2)를 약 6.5㎛로 설계하는 경우에는 최종적으로 게이트 배선(10)과 데이터 배선(30)이 교차되는 부분이 반으로 줄어들어 배선 load가 50% 감소됨에 따라 RC delay가 저감되는 유리한 효과가 있다. Accordingly, when the width W2 of the
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 배선을 확대하여 도시한 평면도이다. 도 4에서, 도 1 내지 도 3과 동일한 참조 부호는 동일 부재를 나타내며, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이들의 중복 설명은 생략한다. 4 is an enlarged plan view illustrating wiring of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention. In FIG. 4, the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 3 denote the same members, and overlapping descriptions thereof are omitted here for simplicity of description .
선택적 실시예로서 게이트 배선(10)이 제1 방향으로 연장되어 형성될 수 있으며 데이터 배선(30)은 상기 제1 방향과 직교하는 제 2방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 즉, 게이트 배선(10)과 데이터 배선(30)이 서로 수직한 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. As an alternative embodiment, the
선택적 실시예로서 상기 게이트 배선(10)과 상기 데이터 배선(30)의 교차 영역(A)에서 상기 데이터 배선(30)은 제1 영역(31b) 및 제2 영역(33)을 갖도록 변형되어 형성될 수 있다. As an optional embodiment, the
선택적 실시예로서 제1 영역(31b)은 데이터 배선(30)의 일부가 게이트 배선(10)의 상부에 위치하는 부분이며 제2 영역(33)은 데이터 배선(30)의 전부가 게이트 배선(10)의 상부에 위치하는 부분일 수 있다. As an optional embodiment, the
도 4에 도시된 바와 같이 게이트 배선(10) 및 데이터 배선(30)의 교차 영역(A)은 네 개의 모서리를 갖는 사각형 형상일 수 있다. As shown in FIG. 4 , the crossing area A of the
선택적 실시예로서 제1 영역(31b)은 교차 영역(A)의 네 개의 모서리 가운데 적어도 하나의 모서리에 형성될 수 있다. As an optional embodiment, the
제1 영역(31b)은 게이트 배선(10) 및 데이터 배선(30)이 교차하지 않는 부분에서의 데이터 배선(30)을 벗어난 바깥 부분에 형성될 수 있다. The
즉, 제1 영역(31b)은 교차 영역(A) 이외 영역에서의 데이터 배선(30)의 폭(W1)보다 게이트 배선(10)이 연장되어 형성되는 방향인 제1 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다.That is, the
이 때, 제1 영역(31b)은 상술한 바와 같이 교차 영역(A)의 모서리에 형성되며 일부는 게이트 배선(10)과 교차하는 영역에 일부는 게이트 배선(10)과 교차하지 않는 영역에 형성될 수 있다. At this time, as described above, the
제1 영역(31b)이 교차 영역(A)의 모서리에서 제1 방향으로 연장되어 형성됨에 따라 배선이 단선되는 것을 방지할 수 있는 유리한 효과가 있다. 제1 영역(31b)이 형성되지 않는 경우 교차 영역(A)의 모서리에서는 게이트 배선(10)과 상부에 형성되는 데이터 배선(30)의 급격한 단차에 의해 배선이 단선되는 문제가 발생할 수 있다. As the
반면 본 실시예에 따른 표시 장치는 교차 영역(A)의 모서리에 연장되어 형성되는 제1 영역(31b)이 구비됨에 따라 단차가 감소하고 배선이 단선되는 문제를 해소할 수 있는 유리한 효과가 있다. On the other hand, since the display device according to the present exemplary embodiment includes the
제1 영역(31b)의 크기는 게이트 배선(10)의 공정능력치를 감안하여 형성될 수 있다.The size of the
즉, 게이트 배선(10)을 형성할 때 노광 공정 후에 행해지는 식각 공정을 수행함에 따라 배선의 폭에 오차 범위가 발생할 수 있는데 이를 skew라 하고, 선택적 실시예로서 게이트 배선(10)의 skew는 약 1.0㎛일 수 있다.That is, when forming the
또한, 노광 공정 수행시 배선을 정렬함에 있어서 편차가 발생할 수 있는데 이를 overlay 혹은 align margin이라 하며, 선택적 실시예로서 게이트 배선(10)의 overlay는 약 ±1.0㎛일 수 있다.In addition, deviations may occur in aligning the wiring during the exposure process, which is referred to as overlay or align margin. As an optional embodiment, the overlay of the
따라서, 제1 영역(31b)의 크기는 게이트 배선(10)의 공정능력치 즉, skew 및 overlay를 감안하여 형성될 수 있다.Accordingly, the size of the
선택적 실시예로서, 도 4에 도시된 바와 같이 제1 영역(31b)은 삼각형 형상을 갖도록 형성될 수 있다.As an optional embodiment, as shown in FIG. 4 , the
선택적 실시예로서, 제1 영역(31b)의 제2 방향의 변의 길이(s2)가 제1 영역(31b)의 제1 방향의 변의 길이(l2)보다 길게 형성될 수 있다.As an optional embodiment, the length s2 of the side of the
선택적 실시예로서 게이트 배선(10)의 공정능력치 즉, skew 및 overlay를 감안하여 제1 방향의 제1 영역(31b)의 변의 길이(l2)는 3㎛로 형성될 수 있다. As an alternative embodiment, the length l2 of the side of the
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.
Although the preferred embodiments of the present invention have been shown and described above, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and is common in the art to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Of course, various modifications and implementations are possible by those with knowledge of, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or perspective of the present invention.
10: 게이트 배선
30: 데이터 배선
A: 교차 영역
31a, 31b: 제1 영역
33: 제2 영역
100: 기판
200: 표시부10: gate wiring
30: data wiring
A: intersection area
31a, 31b: first area
33: second area
100: substrate
200: display unit
Claims (12)
상기 기판 상에 형성되며 제1방향으로 연장된 게이트 배선; 및
상기 게이트 배선과 절연되도록 상기 게이트 배선 상에 형성되며, 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 연장되며 상기 게이트 배선과 교차하는 데이터 배선;을 포함하고,
상기 데이터 배선은,
평면도에서 상기 데이터 배선의 일부가 상기 게이트 배선과 중첩하는 제1영역;
평면도에서 상기 데이터 배선의 전부가 상기 게이트 배선과 중첩하는 제2영역; 및
평면도에서 상기 데이터 배선이 상기 게이트 배선과 중첩하지 않는 제3영역;을 포함하며,
상기 제1영역은 상기 제2영역과 상기 제3영역 사이에 위치하고,
상기 제1방향에 나란한 방향으로, 상기 제3영역의 데이터 배선의 너비는 상기 제2영역의 데이터 배선의 너비보다 넓고 상기 제1영역의 데이터 배선의 너비보다 좁으며,
상기 제2영역의 데이터 배선의 일 측에서 상기 제1영역의 데이터 배선의 최단부까지의 상기 제1방향의 제1길이는, 상기 제3영역의 데이터 배선의 일 측에서 상기 제1영역의 데이터 배선의 최단부까지의 상기 제1방향의 제2길이보다 크고,
상기 제1길이와 상기 제2길이 사이의 상기 제2방향에 나란한 상기 제1영역의 데이터 배선의 제3길이는 상기 제2길이보다 작은, 표시 장치.Board;
a gate line formed on the substrate and extending in a first direction; and
A data wire formed on the gate wire to be insulated from the gate wire, extending in a second direction crossing the first direction, and crossing the gate wire;
The data wire is
a first region in which a portion of the data wire overlaps the gate wire in a plan view;
a second region in which all of the data wires overlap the gate wires in a plan view; and
In a plan view, a third region in which the data wiring does not overlap the gate wiring;
The first region is located between the second region and the third region,
In a direction parallel to the first direction, a width of a data wire in the third area is wider than a width of a data wire in the second area and narrower than a width of a data wire in the first area;
The first length in the first direction from one side of the data wire of the second area to the end of the data wire of the first area is the data line of the first area from one side of the data wire of the third area. greater than a second length in the first direction to the end of the wire;
and a third length of the data wire in the first area parallel to the second direction between the first length and the second length is smaller than the second length.
상기 제3길이는 3㎛인 표시 장치. According to claim 1,
The third length is 3 μm.
상기 제3영역의 데이터 배선의 폭은 8㎛인 표시 장치. According to claim 1,
A width of the data wire in the third region is 8 μm.
상기 제2영역의 데이터 배선의 너비는 6.5㎛인 표시 장치.According to claim 5,
A width of the data line in the second area is 6.5 μm.
상기 제1영역의 데이터 배선의 최단부는 상기 제2방향에 나란한 직선인 표시 장치. According to claim 1,
The display device of claim 1 , wherein an end of the data wire in the first area is a straight line parallel to the second direction.
상기 제1영역의 데이터 배선은 상기 최단부에 가까울수록 상기 제2방향에 나란한 배선의 폭이 감소하는 표시 장치. According to claim 1,
The display device of claim 1 , wherein a width of a data line parallel to the second direction decreases as the data line of the first area is closer to the end.
상기 제1영역의 데이터 배선의 최단부는 상기 제2영역을 중심으로 상기 제2영역의 외곽에 대칭적으로 배치되는 표시 장치. According to claim 1,
The display device of claim 1 , wherein the shortest ends of the data lines of the first area are symmetrically disposed outside the second area with the second area as a center.
상기 제1영역의 데이터 배선은 상기 게이트 배선의 경계를 기준으로 상기 게이트 배선과 중첩하는 영역과 상기 게이트 배선과 중첩하지 않는 영역으로 양분되는 표시 장치. According to claim 1,
The display device of claim 1 , wherein the data line of the first area is divided into an area overlapping the gate line and an area not overlapping the gate line based on a boundary of the gate line.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150130599A KR102514409B1 (en) | 2015-09-15 | 2015-09-15 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150130599A KR102514409B1 (en) | 2015-09-15 | 2015-09-15 | Display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170032957A KR20170032957A (en) | 2017-03-24 |
| KR102514409B1 true KR102514409B1 (en) | 2023-03-28 |
Family
ID=58500506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150130599A Active KR102514409B1 (en) | 2015-09-15 | 2015-09-15 | Display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102514409B1 (en) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005164854A (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Nec Lcd Technologies Ltd | Liquid crystal display |
| KR101298278B1 (en) * | 2006-05-30 | 2013-08-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | Signal wire and display substrate having the signal wire |
-
2015
- 2015-09-15 KR KR1020150130599A patent/KR102514409B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170032957A (en) | 2017-03-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20150915 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20200915 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20150915 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20220407 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Final Notice of Reason for Refusal Patent event date: 20221012 Patent event code: PE09021S02D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20221228 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20230322 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20230323 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |