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KR102528122B1 - Chemical Delivery Method and Apparatus for Brush Conditioning - Google Patents

Chemical Delivery Method and Apparatus for Brush Conditioning Download PDF

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KR102528122B1
KR102528122B1 KR1020197036641A KR20197036641A KR102528122B1 KR 102528122 B1 KR102528122 B1 KR 102528122B1 KR 1020197036641 A KR1020197036641 A KR 1020197036641A KR 20197036641 A KR20197036641 A KR 20197036641A KR 102528122 B1 KR102528122 B1 KR 102528122B1
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brush
conditioning
chemical
conditioning system
fluid
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브래들리 스콧 위더스
코리 앨런 휴스
에릭 스콧 넬슨
스티븐 케네스 크리스티
브렌트 앨런 베스트
Original Assignee
일리노이즈 툴 워크스 인코포레이티드
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Abstract

본 개시는 오프라인으로 브러시를 컨디셔닝하기 위해 화학물의 이송을 제공하는 실시예로서, 브러시가, 물체의 표면을 세정하기 위해 브러시를 사용하는 기계에 커플링되지 않은 실시예를 제공한다.The present disclosure provides embodiments that provide delivery of chemicals to condition brushes offline, where the brush is not coupled to a machine that uses the brush to clean the surface of an object.

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Figure 112019127989392-pct00001

Description

브러시 컨디셔닝을 위한 화학물 이송 방법 및 장치Chemical Delivery Method and Apparatus for Brush Conditioning

관련출원related application

이 국제출원은 2017년 5월 19일자로 출원되고, 발명의 명칭이 “브러시 컨디셔닝을 위한 화학물 이송 방법 및 장치”인 미국 특허 출원 제15/599,980호에 대한 우선권을 주장한다. 미국 특허 출원 제15/599,980호의 전체 내용은 참조에 의해 여기에 포함된다.This international application claims priority to US patent application Ser. No. 15/599,980, filed May 19, 2017, entitled "Method and Apparatus for Delivering Chemicals for Brush Conditioning." The entire contents of US patent application Ser. No. 15/599,980 are incorporated herein by reference.

기술분야technology field

본 개시는 화학물 이송, 보다 구체적으로는 브러시 컨디셔닝을 위한 화학물 이송 방법 및 장치에 관한 것이다. The present disclosure relates to chemical delivery methods and apparatus for chemical delivery, and more specifically brush conditioning.

반도체 제조 산업 및 다른 산업에서, 브러시는 반도체 웨이퍼와 같은 표면으로부터 오염물을 제거하는 데 사용된다. 종래의 브러시는 즉시 사용될 수 있는 상태로 제조업자로부터 공급되지 않는다. 대신에, 브러시는 통상적으로 의도된 제품에 대해 사용되기 전에 컨디셔닝된다(또는 “조절된다”). In the semiconductor manufacturing industry and other industries, brushes are used to remove contaminants from surfaces such as semiconductor wafers. Conventional brushes are not supplied from manufacturers in a ready-to-use condition. Instead, brushes are typically conditioned (or “conditioned”) before being used for the intended product.

브러시 컨디셔닝에 대한 종래의 접근법의 한계 및 단점은, 도면을 참고로 하는 본 개시의 나머지 부분에 기술된 본 발명의 방법 및 시스템에 관한 몇몇 양태와 상기한 접근법의 비교를 통해 당업자에게 명백해질 것이다.The limitations and disadvantages of conventional approaches to brush conditioning will become apparent to those skilled in the art through a comparison of the foregoing approaches with some aspects of the methods and systems of the present invention described in the remainder of this disclosure, with reference to the drawings.

청구범위에 보다 완벽하게 기술된 바와 같은, 실질적으로 도면들 중 적어도 하나와 연계되어 예시되고 설명되는 브러시 컨디셔닝을 위한 화학물 이송 방법 및 장치가 제공된다.A chemical delivery method and apparatus for brush conditioning substantially as exemplified and described in connection with at least one of the drawings, as more fully set forth in the claims, is provided.

이들 및/또는 다른 양태는 첨부도면과 함께 취해지는 예시적인 실시예에 관한 아래의 설명으로부터 명백해질 것이고 보다 용이하게 이해될 것이다.
도 1a는 본 개시의 양태에 따른 예시적인 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템을 보여준다.
도 1b는 본 개시의 양태에 따른 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템의 예시적인 블럭 다이어그램을 보여준다.
도 2는 결함과 컨디셔닝 시간 간의 예시적인 관계를 설명하는 그래프이다.
도 3은 본 개시의 양태에 따른, 브러시 컨디셔닝을 위한 브러시와 컨디셔닝 플레이트의 예시적인 구성을 보여준다.
도 4a는 본 개시의 양태에 따른, 브러시로 화학물을 이송하는 예시적인 방법을 보여준다.
도 4b는 본 개시의 양태에 따른, 브러시로 화학물을 이송하는 다른 예시적인 방법을 보여준다.
도 5는 본 개시의 양태에 따른 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템으로 화학물을 이송하는 예시적인 방법의 흐름도이다.
도면들이 반드시 실축척에 맞는 것은 아니다. 적절하다면, 유사하거나 동일한 구성요소를 인용하기 위해 유사하거나 동일한 참조부호가 사용된다.
These and/or other aspects will be apparent and more readily understood from the following description of exemplary embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings.
1A shows an exemplary offline brush conditioning system in accordance with aspects of the present disclosure.
1B shows an exemplary block diagram of an offline brush conditioning system in accordance with aspects of the present disclosure.
2 is a graph illustrating an exemplary relationship between defects and conditioning time.
3 shows an exemplary configuration of a brush and conditioning plate for brush conditioning, in accordance with aspects of the present disclosure.
4A shows an exemplary method of transferring chemical to a brush, in accordance with aspects of the present disclosure.
4B shows another exemplary method of transferring chemical to a brush, in accordance with aspects of the present disclosure.
5 is a flow diagram of an exemplary method for delivering chemicals to an offline brush conditioning system in accordance with aspects of the present disclosure.
The drawings are not necessarily to scale. Where appropriate, like or identical reference numbers are used to refer to like or identical elements.

다양한 어플리케이션과 프로세스가 표면의 물리적 세정으로부터 이익을 얻을 수 있다. 예컨대, 반도체 제조에 있어서 반도체 웨이퍼는 웨이퍼 상에 전자 회로를 제작하는 하나 이상의 단계 동안에 잠재적으로 해로운 오염물을 제거하기 위해 세정될 수 있다. 세정은, 예컨대 세정되는 표면과 접촉하게 되는 브러시에 의해 이루어질 수 있다. 종래의 브러시는 즉시 사용될 수 있는 상태로 제조업자로부터 공급되지 않는다. 예컨대, 브러시는 물체의 세정을 방해하는 오염물을 포함할 수 있다. 따라서, 의도되는 브러시의 사용에 대해서 허용 가능한 수준으로 오염물을 제거하기 위해 브러시를 컨디셔닝(시즈닝, 조절)하고자 하는 바람이 있을 수 있다. 추가로 또는 대안으로서, 하나의 이상의 물질이 특별한 세정 어플리케이션을 위한 브러시를 컨디셔닝하는 데 적용될 수 있다. A variety of applications and processes can benefit from physical cleaning of surfaces. For example, in semiconductor manufacturing, semiconductor wafers may be cleaned to remove potentially harmful contaminants during one or more stages of fabricating electronic circuitry on the wafer. Cleaning can be done, for example, by means of a brush brought into contact with the surface being cleaned. Conventional brushes are not supplied from manufacturers in a ready-to-use condition. For example, a brush may contain contaminants that prevent the object from being cleaned. Accordingly, there may be a desire to condition (season, condition) a brush to remove contaminants to an acceptable level for the intended use of the brush. Additionally or alternatively, one or more substances may be applied to condition the brush for a particular cleaning application.

본 개시의 다양한 실시예가 상이한 어플리케이션을 위해 사용될 수 있다는 점을 이해해야만 하며, 본 개시에서는 예시적으로 반도체 웨이퍼의 표면을 컨디셔닝하는 것을 참고할 것이다. It should be understood that various embodiments of the present disclosure may be used for different applications, and reference will be made to conditioning the surface of a semiconductor wafer as an example in this disclosure.

반도체 웨이퍼를 위한 제조 프로세스 동안, 다수의 오염물이, 예컨대 유기 및/또는 무기 입자 형태로 반도체 웨이퍼 표면 상에서 확인될 수 있다. 이들 오염물은 통상적으로 디바이스 손상 및 불량한 웨이퍼 수율을 초래할 것이다. 더욱이, 각각의 신규한 반도체 기술 노드에 있어서, 반도체 웨이퍼 상의 결함의 임계적인 크기와 반도체 웨이퍼 상의 허용 가능한 결함의 개수는 더 적어진다. During the manufacturing process for semiconductor wafers, a number of contaminants can be found on the semiconductor wafer surface, such as in the form of organic and/or inorganic particles. These contaminants will typically result in device damage and poor wafer yield. Moreover, for each new semiconductor technology node, the critical size of defects on a semiconductor wafer and the number of allowable defects on a semiconductor wafer become smaller.

반도체 산업은 반도체 디바이스 제조에서 사후-화학 기계적 평탄화(pCMP) 세정을 이용할 수 있고, 이 경우 예컨대 폴리비닐 아세테이트(PVAc) 브러시와 같은 브러시가 어플리케이션 특정 세정제 및/또는 반도체 웨이퍼 표면으로부터 입자를 제거하기 위한 화학물과 함께 사용될 수 있다. The semiconductor industry may use post-chemical mechanical planarization (pCMP) cleaning in semiconductor device manufacturing, in which case brushes, such as polyvinyl acetate (PVAc) brushes, are used with application specific cleaning agents and/or to remove particles from semiconductor wafer surfaces. Can be used with chemicals.

PVAc 브러시를 포함하는 다양한 브러시 타입은 재료 자체의 속성 및/또는 브러시 제조/운송 프로세스에 의해, 예컨대 탈이온수(DIW) 및/또는 세정제/화학물과 같은 유체로 씻어내고/씻어내거나 이 유체에 노출될 때에 자연스럽게 입자(유기 및/또는 무기)를 방출할 것이다. 방출되는 입자량은, 브러시가 노출되는 유체(DIW, 세정제 등)의 속성뿐 아니라, 브러시가 사용되는 프로세스 조건(예컨대, 유체 유량, 브러시 회전 속도 등)에 관련될 수 있다. The various brush types, including PVAc brushes, are washed out and/or exposed to fluids such as deionized water (DIW) and/or detergents/chemicals, either by the nature of the material itself and/or by the brush manufacturing/transport process. will naturally emit particles (organic and/or inorganic) when The amount of particles released may be related to the nature of the fluid the brush is exposed to (DIW, detergent, etc.), as well as the process conditions under which the brush is used (eg, fluid flow rate, brush rotational speed, etc.).

브러시가 최종 사용자에게 전달되기에 앞서 방출 가능한 오염 수준을 줄이기 위해 브러시 제조업자에 의해 세정될 수 있고, 최종 사용자는 브러시에 있는 입자 오염의 기준 수준에 대해서 상이한 문턱값을 선호할 수 있다. The brush may be cleaned by the brush manufacturer to reduce the level of releaseable contamination prior to delivery to the end user, and the end user may prefer different thresholds for the reference level of particulate contamination in the brush.

그 이유는 몇몇 브러시는 통상적으로 박테리아 성장 및 제품 손상을 방지하기 위해 방부제에 의해 수화 상태로 패키징되고, 운반되며, 저장되기 때문이다. 보존, 패키징, 이송 및 보관 프로세스(예컨대, 보관 수명) 모두는 브러시의 의도된 원래 속성에 악역향을 줄 수 있고, 브러시로부터 방출될 수 있는 입자의 개수에 기여할 수 있다. This is because some brushes are typically packaged, transported, and stored hydrated with preservatives to prevent bacterial growth and product spoilage. Preservation, packaging, transport and storage processes (eg, shelf life) can all adversely affect the original intended properties of the brush and can contribute to the number of particles that can be released from the brush.

브러시 제조 프로세스의 속성뿐 아니라, 보존, 패키징, 이송 및/또는 보관 수명 문제 모두가, 최종 사용자가 반도체 제조 시설의 생산 툴에서 브러시를 사용하기에 앞서 입자 일부를 제거하기 위해 브러시를 컨디셔닝(또는 시즈닝이나 조절)할 것을 요구하는 복합적인 요인일 수 있다. The nature of the brush manufacturing process, as well as preservation, packaging, shipping and/or shelf life issues, all require that the brush be condition (or seasoned) to remove some of the particles prior to use by the end user in a production tool in a semiconductor manufacturing facility. or adjustment) may be a complex factor that requires adjustment.

처리 대상 실제 반도체층이 브러시로부터 방출되는 허용 가능한 입자의 수준(및 크기), 그리고 이에 따라 브러시를 컨디셔닝하는 데 요구되는 시간을 좌우할 수 있다. 브러시를 컨디셔닝하는 데 요구되는 시간은 10분 내지 24시간 이상의 범위일 수 있다. 브러시를 컨디셔닝하는 종래의 방법은 최종 제품의 세정을 수행하는 시스템에서 브러시를 세정하기 위해 더미 웨이퍼를 사용하는 컨디셔닝 프로세스를 수행하는 단계를 포함한다. 결과적인 생산성 손실과 궁극적으로 높은 운영비는 최종 사용자에게 불리하다. The actual semiconductor layer being processed can dictate the acceptable level (and size) of particles emitted from the brush, and therefore the time required to condition the brush. The time required to condition the brush can range from 10 minutes to 24 hours or more. A conventional method of conditioning a brush involves performing a conditioning process using a dummy wafer to clean the brush in a system that performs final product cleaning. The resulting productivity loss and ultimately high operating costs are detrimental to the end user.

오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템에 의해 브러시를 컨디셔닝하는 개시된 예시적인 시스템은 컨디셔닝 플레이트, 브러시를 유지하도록 구성된 브러시 유지 디바이스, 및 브러시와 컨디셔닝 플레이트 중 어느 하나 또는 양자 모두로 화학물을 이송하기 위해 소스로부터 화학물을 받아들이도록 구성된 도관을 포함한다. 브러시는, 예컨대 반도체 웨이퍼와 같은 물체의 표면을 세정하도록 구성되고, 컨디셔닝 플레이트와 브러시는 브러시를 컨디셔닝하기 위해 서로 접촉하도록 구성된다. The disclosed exemplary system for conditioning a brush with an offline brush conditioning system removes chemicals from a source to deliver the chemicals to a conditioning plate, a brush holding device configured to hold the brush, and either or both the brush and the conditioning plate. It includes a conduit configured to receive it. The brush is configured to clean a surface of an object, for example a semiconductor wafer, and the conditioning plate and the brush are configured to contact each other to condition the brush.

오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템에 의해 브러시를 컨디셔닝하는 개시된 예시적인 방법은, 화학물 흐름을 받아들이는 단계, 브러시 유지 디바이스로 브러시 - 이 브러시는, 예컨대 반도체 웨이퍼와 같은 물체의 표면을 세정하도록 구성됨 - 를 유지/고정하는 단계, 브러시와 컨디셔닝 표면이 서로 접촉하게 하는 단계, 및 컨디셔닝을 위한 화학물을 브러시와 컨디셔닝 표면 중 어느 하나 또는 양자 모두로 이송하는 단계를 포함한다. 또한, 브러시와 컨디셔닝 표면 중 어느 하나 또는 양자 모두로 이송된 화학물의 적어도 일부를 하나 이상의 저장조에 수집하는 단계 및 하나 이상의 저장조를 위한 대응하는 체적 모니터를 사용하여 하나 이상의 저장조에 의해 수집되는 화학물의 체적을 모니터링하는 단계를 더 포함한다.The disclosed exemplary method of conditioning a brush with an off-line brush conditioning system includes receiving a chemical flow, holding/holding a brush with a brush holding device, the brush configured to clean the surface of an object, such as a semiconductor wafer, for example. holding, bringing the brush and conditioning surface into contact with each other, and transferring a chemical for conditioning to either or both of the brush and conditioning surface. Also, collecting at least a portion of the chemical transferred to either or both of the brush and the conditioning surface into the one or more reservoirs and using a corresponding volume monitor for the one or more reservoirs to measure the volume of the chemical collected by the one or more reservoirs. It further includes the step of monitoring.

도 1a는 본 개시의 양태에 따른 예시적인 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템을 보여준다. 도 1a를 참고하면, 하나 이상의 브러시 스테이션(110), 사용자 인터페이스(120) 및 상태 표시등(130)을 포함할 수 있는 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)이 도시되어 있다. 1A shows an exemplary offline brush conditioning system in accordance with aspects of the present disclosure. Referring to FIG. 1A , an offline brush conditioning system 100 is shown which may include one or more brush stations 110 , a user interface 120 and a status indicator light 130 .

다수의 브러시를 동시에 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있는 임의의 개수의 개별 브러시 스테이션(110)이 존재할 수 있다. 각각의 브러시 스테이션(110)은 컨디셔닝을 위한 하나의 브러시를 수용할 수 있고, 이 경우에 컨디셔닝은 다단계 프로세싱 능력(예컨대, 브러시 압박, 브러시 회전 속도, DIW 수세 및/또는 헹굼 등)을 포함할 수 있다. 다수의 브러시 스테이션(110)이 동일한 프로세스를 이용하여 브러시를 컨디셔닝하도록 셋업될 수 있고/있거나 상이한 프로세스를 이용하여 브러시를 컨디셔닝하도록 독립적으로 셋업될 수 있다. 또한, 브러시 스테이션(110)이 하나의 브러시를 컨디셔닝하는 것으로 설명하였지만, 다른 예에서는 다수의 브러시가 하나의 브러시 스테이션(110)에 의해 컨디셔닝될 수 있다. There may be any number of individual brush stations 110 that may be used to condition multiple brushes simultaneously. Each brush station 110 may accommodate one brush for conditioning, in which case conditioning may include multi-step processing capabilities (e.g., brush pressing, brush rotation speed, DIW flushing and/or rinsing, etc.). there is. Multiple brush stations 110 can be set up to condition brushes using the same process and/or can be set up independently to condition brushes using different processes. Also, while brush station 110 has been described as conditioning a single brush, in other examples multiple brushes may be conditioned by a single brush station 110.

브러시 스테이션(110)이 하나의 브러시를 컨디셔닝할 때, 해당 브러시는 다른 소비재에 의한 교차 오염으로부터 격리될 수 있다. 브러시 스테이션(110)이 다수의 브러시를 취급하도록 구성될 때, 교차 오염을 감소시키기 위해 브러시들을 서로 격리하는 배리어가 마련될 수 있다. 브러시(들)에서의 오염량이 모니터링될 수 있다. When the brush station 110 is conditioning a brush, that brush can be isolated from cross-contamination by other consumables. When the brush station 110 is configured to handle multiple brushes, a barrier may be provided to isolate the brushes from each other to reduce cross-contamination. The amount of contamination on the brush(s) may be monitored.

사용자 인터페이스(120)(예컨대, 터치스크린, 디스플레이 패널, 버튼, 키보드 및 마우스 등)는 브러시 스테이션(110)에서 브러시(들)를 컨디셔닝하기 위해 명력을 입력하고 또한 브러시들의 컨디셔닝 상태를 관찰하는 데 사용될 수 있다. 예컨대, 사용자 인터페이스(120)는 브러시가 컨디셔닝되고 있을 때에 브러시를 회전시키는 데 사용되는 토크/속도를 모니터링하고 제어하는 데 사용될 수 있다. User interface 120 (eg, touch screen, display panel, buttons, keyboard and mouse, etc.) may be used to input commands to condition the brush(s) on brush station 110 and also to observe the conditioning status of the brushes. can For example, user interface 120 can be used to monitor and control the torque/speed used to rotate a brush when it is being conditioned.

상태 표시등(130)은, 예컨대 최종 사용자에게 브러시에 대한 프로세싱 상태를 알리기 위해 깜빡거리고 및/또는 상이한 색상을 표시할 수 있다. 상태 표시등(130)이 나타내는 상태는 설계에 좌우될 수 있다. The status light 130 may blink and/or display different colors, for example, to inform the end user of the processing status for the brush. The state indicated by the status light 130 may depend on design.

작동 시, 하나 이상의 브러시가 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)에 배치되어, 컨디셔닝 프로세스가 시작될 수 있다. 상이한 브러시 스테이션(110)이 상이한 시간을 취할 수 있는 상이한 컨디셔닝 프로세스를 위해 셋업되는 경우, 사용자 인터페이스(120)는 각각의 스테이션(110)을 위한 추가의 상태 표시를 제공할 수 있다. 상이한 브러시 스테이션(110)이 상이한 시간을 취할 수 있는 상이한 컨디셔닝 프로세스를 위해 셋업되는 경우, 사용자 인터페이스(120)는 각각의 브러시 스테이션(110)을 위한 추가의 상태 표시를 제공할 수 있다. In operation, one or more brushes may be placed in the offline brush conditioning system 100 and the conditioning process may begin. If different brush stations 110 are set up for different conditioning processes, which may take different times, the user interface 120 may provide additional status indications for each station 110. If different brush stations 110 are set up for different conditioning processes, which may take different times, the user interface 120 may provide additional status indications for each brush station 110.

오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)은 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)에 의해 사용하기 위한 유체(들)를 받아들이기 위해 유체 이송 시스템(101)에 커플링될 수 있다. 유체 이송 시스템(101)은, 예컨대 최종 사용자에게 속할 수 있다. Offline brush conditioning system 100 may be coupled to fluid delivery system 101 to receive fluid(s) for use by offline brush conditioning system 100 . The fluid delivery system 101 may belong to an end user, for example.

도 1b는 본 개시의 양태에 따른 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템의 예시적인 블럭 다이어그램을 보여준다. 도 1b를 참고하면, 브러시 스테이션(110), 유체 유입 시스템(140), 유체 유출 시스템(150), 제어 시스템(160), 입력/출력 인터페이스(170) 및 모터 시스템(180)을 포함하는 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)이 도시되어 있다. 1B shows an exemplary block diagram of an offline brush conditioning system in accordance with aspects of the present disclosure. Referring to FIG. 1B , an offline brush comprising a brush station 110, a fluid inlet system 140, a fluid outlet system 150, a control system 160, an input/output interface 170 and a motor system 180. A conditioning system 100 is shown.

브러시 스테이션(110)은, 예컨대 원통형 롤러와 같은 형상을 갖는 브러시를 수용할 수 있다. 본 개시의 다양한 실시예는 브러시를 수용하기 위한 고정축을 가질 수 있고, 다른 실시예는 상이한 각도로 브러시를 수용하는 것 및/또는 브러시가 수용된 후에 각도를 조정하는 것을 허용할 수 있는 고정축을 가질 수 있다. 이것은 브러시를 컨디셔닝하고/컨디셔닝하거나, 상이한 형상의 브러시를 수용하는 데 있어서 더 많은 유연성을 허용할 수 있다. The brush station 110 may receive a brush having a shape such as, for example, a cylindrical roller. Various embodiments of the present disclosure may have a fixed axis for receiving a brush, and other embodiments may have a fixed axis that may allow for receiving a brush at a different angle and/or adjusting the angle after the brush is received. there is. This may allow more flexibility in conditioning the brush and/or accommodating different shaped brushes.

유체 유입 시스템(140)은 브러시를 컨디셔닝하는 데 및/또는 다른 목적을 위해 사용되는 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)에 유체를 유입시키기 위해 다양한 고정구를 포함할 수 있다. 예컨대, 컨디셔닝을 위한 화학물과 같은 유체를 위한 유체 이송 시스템(101)에 커플링되는 고정구가 마련될 수 있다. 본 개시의 다양한 실시예는, 예컨대 유체 이송 시스템(101)에 의해 제공되는 복수 개의 유체 도관에 대한 커플링을 허용할 수 있다. 이에 따라, 이것은 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)의 사용 중에 유체의 급속한 변화를 허용할 수 있다. 유체 유입 시스템(140)은 브러시(들)를 컨디셔닝하기 위해 수용된 유체를 브러시(들)로 분배하는 분배 시스템도 또한 포함할 수 있다. 몇몇 실시예는 또한 유체 유입 시스템(140)의 일부로서, 유체를 보관하는 데 사용될 수 있는 컨테이너도 또한 가질 수 있다. 이것은, 예컨대 유체 유입을 위한 압력 강하의 경우에 버퍼를 제공하는 데 사용될 수 있다. 이것은, 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)이, 예컨대 최종 사용자 유체 공급 라인에 연결되지 않은 경우에 사용되게 하기 위해 사용될 수 있다. Fluid intake system 140 may include various fixtures to introduce fluid into offline brush conditioning system 100 used to condition brushes and/or for other purposes. A fixture may be provided that is coupled to the fluid delivery system 101 for a fluid such as, for example, a chemical for conditioning. Various embodiments of the present disclosure may allow for coupling to a plurality of fluid conduits provided by, for example, fluid delivery system 101 . As such, it may allow rapid changes of fluid during use of the off-line brush conditioning system 100. Fluid intake system 140 may also include a distribution system that dispenses fluid received to the brush(s) to condition the brush(s). Some embodiments may also have containers as part of the fluid inlet system 140 that may be used to store fluid. This can be used, for example, to provide a buffer in case of a pressure drop for fluid inlet. This may be used to allow the offline brush conditioning system 100 to be used when not connected to an end user fluid supply line, for example.

유체 유출 시스템(150)은 다양한 고정구와 브러시를 컨디셔닝하는 프로세스에서 사용된 유체(즉, 유출물)를 제거하기 위한 디바이스를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 유체 유출 시스템(150)은 브러시 스테이션(110)의 특정 섹션에 대응하는 전용 유출 도관을 가질 수 있다. 이것은, 예컨대 브러시의 특정 부분의 특징에 대해서 유출물을 모니터링하는 것을 허용할 수 있다. 유체 유출 시스템(150)은 이에 따라 유출물에 있어서의 특별한 특징을 결정할 수 있는 모니터링 디바이스를 포함할 수 있다. The fluid outflow system 150 may include devices for removing fluid (ie, outflow) used in the process of conditioning the various fixtures and brushes. In some embodiments, fluid outlet system 150 may have dedicated outlet conduits corresponding to specific sections of brush station 110 . This may allow, for example, to monitor runoff for characteristics of specific parts of the brush. Fluid effluent system 150 may thus include a monitoring device capable of determining particular characteristics in the effluent.

제어 시스템(160)은 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)의 작동을 제어하는 다양한 모듈을 포함할 수 있다. 예컨대, 메모리에 저장된 코드와, 외부 디바이스로부터 또는 I/O 인터페이스(170)를 통해 수신된 프로세스 데이터를 실행하는 하나 이상의 프로세서(마이크로프로세서, 마이크로컨트롤러 등)가 마련될 수 있다. 이때, 프로세서(들)는 브러시의 회전 속도와 컨디셔닝 플레이트에 대한 브러시의 압박을 포함하여 브러시 컨디셔닝 프로세스의 동작을 제어할 수 있다. 이것은, 예컨대 브러시에 가해지는 컨디셔닝(예컨대, 압력, 강도, 기간, 화학 반응 등)의 수준을 제어하는 것을 허용할 수 있다. Control system 160 may include various modules that control the operation of offline brush conditioning system 100 . For example, one or more processors (microprocessors, microcontrollers, etc.) may be provided that execute code stored in memory and process data received from an external device or via the I/O interface 170. At this point, the processor(s) may control the operation of the brush conditioning process, including rotational speed of the brush and compression of the brush against the conditioning plate. This may allow, for example, to control the level of conditioning applied to the brush (eg, pressure, intensity, duration, chemical reaction, etc.).

프로세서(들)는 또한, 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)이 최종 사용자로부터 또는 가능하다면 컨테이너가 이용 가능한 경우에는 컨테이너를 사용하여 상이한 타입의 유체를 수용하도록 커플링되는 경우에, 복수의 유체들 간의 스위칭을 제어할 수 있다. The processor(s) may also switch between a plurality of fluids when the offline brush conditioning system 100 is coupled to receive different types of fluids from an end user or possibly using a container if a container is available. can control.

제어 시스템(160)은 또한, 예컨대 화학물 및/또는 초순수(Ultra-Pure Water; UPW)와 같은 유체의 유량을 제어할 수 있다. UPW의 특징은 어플리케이션마다 상이할 수 있기 때문에 설명하지 않겠다. 따라서, UPW는 해당 어플리케이션을 위한 적절한 “UPW” 특징을 갖는 것으로 고려되는 물을 일컫는 것임을 이해해야만 한다. 제어 시스템(160)은 또한, 예컨대 컨테이너가 이용 가능한 경우에는 컨테이너로부터 또는 다른 최종 사용자 도관으로부터 나온 유체를 사용하여 화학물을 희석하는 것을 제어할 수도 있다. The control system 160 may also control flow rates of fluids, such as chemicals and/or ultra-pure water (UPW). Since the characteristics of UPW may be different for each application, they will not be described. Accordingly, it should be understood that UPW refers to water that is considered to have appropriate "UPW" characteristics for the application in question. The control system 160 may also control the dilution of chemicals using fluid from a container or from another end user conduit, for example if a container is available.

I/O 인터페이스(170)는 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)에 정보 및 명령이 입력되게 할뿐만 아니라, 디스플레이 및/또는 외부 디바이스와 통신할 수 있는 다양한 디바이스를 포함할 수 있다. 예컨대, 사용자 인터페이스(120)는 I/O 인터페이스(170)의 일부일 수 있다. I/O 인터페이스(170)는, 예컨대 입력값을 입력할뿐만 아니라 출력을 디스플레이하기 위한 다양한 버튼, 스위치, LED/표시등, 키보드, 마우스, 트랙볼 등 중 하나 이상도 또한 포함할 수 있다. I/O 인터페이스(170)는 USB 포트, 이더넷 포트 등과 같은 유선 통신을 위한 다양한 포트도 또한 포함할 수 있다. I/O 인터페이스(170)는, 예컨대 셀룰러 통신, 블루투스 통신, 근거리 무선 통신, Wi-Fi 통신, RFID 통신 등과 같은 무선 통신 기술 및 프로토콜도 또한 지원할 수 있다. The I/O interface 170 allows information and commands to be entered into the offline brush conditioning system 100, as well as may include a display and/or various devices capable of communicating with external devices. For example, user interface 120 may be part of I/O interface 170 . I/O interface 170 may also include one or more of various buttons, switches, LEDs/indicators, keyboards, mice, trackballs, etc., for example, for inputting input values as well as displaying outputs. The I/O interface 170 may also include various ports for wired communication, such as a USB port, an Ethernet port, and the like. I/O interface 170 may also support wireless communication technologies and protocols, such as, for example, cellular communication, Bluetooth communication, short range wireless communication, Wi-Fi communication, RFID communication, and the like.

I/O 인터페이스(170)는 원격 스테이션 또는 디바이스에 상태를 디스플레이하기 위해 및/또는 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)의 원격 제어를 가능하게 하기 위해 사용될 수 있다. I/O 인터페이스(170)는 또한 유선 또는 무선 접속을 통해 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)에 있는 다양한 소프트웨어/펌웨어 및 어플리케이션의 업데이트를 가능하게 할 수도 있다. 추가로, I/O 인터페이스(170)는 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)의 원격 제어를 가능하게 할 수 있다. I/O interface 170 may be used to display status to a remote station or device and/or to enable remote control of offline brush conditioning system 100. I/O interface 170 may also allow updates of various software/firmware and applications on offline brush conditioning system 100 via a wired or wireless connection. Additionally, I/O interface 170 may enable remote control of offline brush conditioning system 100.

모터 시스템(180)은 컨디셔닝을 위해 하나 이상의 브러시를 회전시키는 데 사용되는 하나 이상의 모터를 포함할 수 있다. 모터 시스템(180)에 있는 모터(들)는 브러시(들)가 컨디셔닝될 때에 브러시(들)를 회전시키기 위해 적절한 모터를 포함할 수 있다. 모터 시스템(180)에 있는 모터는 가변 속도 및/또는 토크를 갖도록 제어될 수 있다. 다양한 실시예들은 현재 토크에 관한 정보를 제공할 수 있는 모터 시스템도 또한 포함할 수 있다. 이러한 정보는, 예컨대 컨디셔닝이 예상대로 진행되고 있는지의 여부를 결정하는 데 사용될 수 있다. 다양한 실시예들은 하나의 브러시를 구동하기 위한 하나의 모터를 제공할 수 있고, 다른 실시예들은 다수의 브러시를 구동하기 위한 하나의 모터를 제공할 수 있다. 또 다른 실시예들은 하나의 모터가 하나의 브러시 또는 다수의 브러시를 구동하는 것을 가능하게 할 수 있다. Motor system 180 may include one or more motors used to rotate one or more brushes for conditioning. The motor(s) in motor system 180 may include any suitable motor to rotate the brush(s) as they are being conditioned. Motors in motor system 180 may be controlled to have variable speed and/or torque. Various embodiments may also include a motor system capable of providing information regarding current torque. This information can be used, for example, to determine whether conditioning is proceeding as expected. Various embodiments may provide one motor to drive one brush, and other embodiments may provide one motor to drive multiple brushes. Still other embodiments may enable one motor to drive one brush or multiple brushes.

도 2는 결함과 컨디셔닝 시간 간의 예시적인 관계를 설명하는 그래프이다. 도 2를 참고하면, Y축에는 결함을, X축에는 시간을 나타낸 그래프(200)가 도시되어 있다. 브러시 컨디셔닝이 최초로 시작되는 시간 T0에는, 허용 불가능한 수준의 “결함” UL이 존재할 수 있고, 이 경우에 결함은 방출된 입자량 및/또는 브러시에 의해 방출되는 입자 크기를 일컫는다. 결함은, 예컨대 유출물을 검사하는 것에 의해 모니터링될 수 있다. 시간 경과에 따라 컨디셔닝이 계속될수록, 결함 수준은 시간 T1에서 허용 가능한 수준 AL로 감소될 수 있다. 시간 T1은 요구되는 결함 수준에 따라 변할 수 있다. 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)에 의해 브러시(들)를 컨디셔닝하는 데 사용되는 임의의 시간량은, 생산 시스템이 반도체 웨이퍼를 생산하도록 계속해서 작동할 수 있고, 이에 따라 최종 사용자의 귀중한 생산 시간 및 돈을 절약할 수 있는 시간량이다. 몇몇 경우, 특정 타입의 브러시는, 결함을 모니터링할 필요 없이 컨디셔닝이 일정 기간 동안 설정될 수 있도록 하는 특징을 가질 수 있다. 2 is a graph illustrating an exemplary relationship between defects and conditioning time. Referring to FIG. 2 , a graph 200 showing defects on the Y-axis and time on the X-axis is shown. At the time T0 when brush conditioning first begins, there may be an unacceptable level of “defective” UL, in which case the defect refers to the amount of particles released and/or the particle size emitted by the brush. Defects can be monitored, for example, by inspecting the effluent. As conditioning continues over time, the defect level may be reduced to an acceptable level AL at time T1. Time T1 can vary depending on the level of defects required. Any amount of time used to condition the brush(s) by the off-line brush conditioning system 100 will allow the production system to continue to operate to produce semiconductor wafers, thus invaluable production time and money for the end user. is the amount of time that can be saved. In some cases, certain types of brushes may have features that allow conditioning to be set for a period of time without the need to monitor for defects.

도 3은 본 개시의 양태에 따른, 브러시 컨디셔닝을 위한 브러시와 컨디셔닝 플레이트의 예시적인 구성을 보여준다. 도 3을 참고하면, 브러시 스테이션(110)에 있는 컨디셔닝 플레이트(컨디셔닝면)(310)을 예시하는 다이어그램(300)이 도시되어 있다. 브러시(320)는 축방향 개구(322)를 포함한다. 축방향 개구(322)의 일단부는, 브러시(320)가, 예컨대 반도체 웨이퍼의 표면을 세정하는 데 사용될 때에 브러시(320)를 유지하는 데 사용될 수 있다. 브러시(320)가 컨디셔닝되고 있을 때, 브러시 지지부(330)를 사용하여 브러시(320)를 유지할 수 있다. 예시적인 브러시 지지부(330)는 브라켓, 포스트, 및/또는 임의의 다른 타입의 지지부를 포함할 수 있다. 브러시 지지부(330)는 모터 시스템(180)에 연결될 수 있다. 브러시를 컨디셔닝하는 데 사용되는 유체는 브러시 지지부(330)에 커플링되지 않은 축방향 개구의 단부를 통해 브러시(320)에 유입될 수 있다. 브러시 지지부(330)는, 상이한 브러시가 가질 수 있는 상이한 크기의 축방향 개구를 허용하도록 상이한 크기로 조정될 수 있다. 다양한 다른 부분들을 사용하여 브러시(320)를 커플링부(322)에 확실하게 체결할 수 있지만, 브러시(320)와 같은 구조를 브러시 지지부(330)에 체결하는 방법은 잘 알려져 있기 때문에 본 명세서에서는 이들 부분을 설명하지 않겠다. 3 shows an exemplary configuration of a brush and conditioning plate for brush conditioning, in accordance with aspects of the present disclosure. Referring to FIG. 3 , a diagram 300 illustrating a conditioning plate (conditioning surface) 310 in brush station 110 is shown. Brush 320 includes an axial opening 322 . One end of the axial opening 322 may be used to hold the brush 320 when it is used, for example, to clean the surface of a semiconductor wafer. When the brush 320 is being conditioned, the brush support 330 can be used to hold the brush 320. Exemplary brush supports 330 may include brackets, posts, and/or any other type of support. Brush support 330 may be coupled to motor system 180 . Fluid used to condition the brush may enter the brush 320 through the end of the axial opening not coupled to the brush support 330 . The brush support 330 can be sized differently to allow different sized axial openings that different brushes may have. Various other parts can be used to securely fasten the brush 320 to the coupling part 322, but since the method of fastening a structure such as the brush 320 to the brush support part 330 is well known, these will be discussed herein. I won't explain that part.

컨디셔닝 플레이트(310)는 편평할 수도 있고, 예컨대 곡면과 같은 다른 형상을 가질 수도 있다. 표면은 브러시(320)의 컨디셔닝 특징을 변경하기 위해, 예컨대 편평하거나, 오목하거나, 볼록하거나, 관형이거나, 망상이거나 및/또는 바이어싱(예컨대, 좌에서 우로)될 수 있다. 컨디셔닝 플레이트(310)는, 컨디셔닝된 브러시에 의해 세정될 표면의 속성(예컨대, Si, SiO2, SiC, SiOC, SiN, W, TiW, TiN, TaN, Cu, Ru, GaAs, GaP, InP, 사파이어, 이들 재료의 임의의 조합 등)에 따라, 예컨대 유리, 석영, 이산화규소, 폴리실리콘, 질화규소, 탄화규소, 텅스텐, 티탄, 질화티탄, 알루미늄, 산화알루미늄, 탄탈, 질화탄탈, 구리, 루테늄, 코발트 등과 같은 적절한 재료로 형성될 수 있다. The conditioning plate 310 may be flat or may have other shapes, such as a curved surface. The surface can be flat, concave, convex, tubular, reticulated, and/or biased (eg, left to right) to alter the conditioning characteristics of the brush 320 . The conditioning plate 310 determines the properties of the surface to be cleaned by the conditioned brush (eg, Si, SiO 2 , SiC, SiOC, SiN, W, TiW, TiN, TaN, Cu, Ru, GaAs, GaP, InP, sapphire). , any combination of these materials, etc.), for example glass, quartz, silicon dioxide, polysilicon, silicon nitride, silicon carbide, tungsten, titanium, titanium nitride, aluminum, aluminum oxide, tantalum, tantalum nitride, copper, ruthenium, cobalt It may be formed of a suitable material such as the like.

컨디셔닝 플레이트(310)의 표면(312)은 브러시(320)를 컨디셔닝하기 위해 필요한 상이한 특징을 가질 수 있다. 예컨대, 컨디셔닝 플레이트(310)는 매끄럽거나, 거친 표면(312)을 가질 수도 있고, 예컨대 SiO2, SiC, Al2O3, CeO2 등과 같은 마모재를 포함할 수도 있다. 따라서, 표면(312)을 위한 상이한 특징(들)을 제공하기 위해, 표면(312)은 적절하다면 교체될 수도 있고, 컨디셔닝 플레이트(310)가 교체될 수도 있다. 브러시(320)를 컨디셔닝하는 데 사용되는 표면(312)은 브러시 전체 또는 단지 브러시(320)의 일부와 접촉할 수 있다. Surface 312 of conditioning plate 310 may have different characteristics required for conditioning brush 320 . For example, the conditioning plate 310 may have a smooth or rough surface 312 and may include an abrasive material such as SiO 2 , SiC, Al 2 O 3 , CeO 2 , and the like. Accordingly, to provide different feature(s) for surface 312, surface 312 may be replaced, if appropriate, and conditioning plate 310 may be replaced. The surface 312 used to condition the brush 320 may contact the entire brush or only a portion of the brush 320 .

상이한 브러시(320)는 길이, 축방향 개구(322)의 직경 및/또는 외경에 있어서 상이한 크기를 가질 수 있다. 브러시 지지부(330)와 컨디셔닝 플레이트(310)는 상이한 크기 및/또는 컨디셔닝 요건을 수용하기 위해 조정 및/또는 교체될 수 있다. 제어 시스템(160)은 또한, 브러시(320)를 컨디셔닝하기 위해 모터 속도/토크 및/또는 유체의 유입을 제어할 때에 상이한 크기를 고려할 수 있다. Different brushes 320 may have different sizes in length, diameter of axial opening 322 and/or outer diameter. The brush support 330 and conditioning plate 310 may be adjusted and/or interchanged to accommodate different sizing and/or conditioning requirements. Control system 160 may also account for the different magnitudes when controlling motor speed/torque and/or flow of fluid to condition brush 320 .

컨디셔닝 플레이트(310)는, 예컨대 하나 이상의 레그(314)에 연결된 모터(도시하지 않음)에 의해 이동될 수 있다. 모터는, 예컨대 컨디셔닝 플레이트(310)를 브러시(320)와 접촉하도록 전방으로 이동시킬 수 있는 스테퍼 모터일 수 있고, 이 경우에 브러시(320)는 고정되거나 회전할 수 있다. 컨디셔닝 플레이트(310)와 브러시(320)의 접촉 정도가 모니터링될 수 있고, 거리(예컨대, 0 내지 5 mm의 압박) 및/또는 브러시 모터 토크 출력에 의해 제어될 수 있다. 모니터링 및 제어는, 예컨대 제어 시스템(160)에 의해 수행될 수 있다. Conditioning plate 310 may be moved, for example, by a motor (not shown) connected to one or more legs 314 . The motor can be, for example, a stepper motor that can move the conditioning plate 310 forward into contact with the brush 320, in which case the brush 320 can be stationary or rotated. The degree of contact between the conditioning plate 310 and the brushes 320 can be monitored and controlled by distance (eg, 0-5 mm compression) and/or brush motor torque output. Monitoring and control may be performed, for example, by control system 160 .

다양한 실시예는, 예컨대 컨디셔닝 플레이트(310)에 있는 내장형이나 접착형 촉압 센서(tactile pressure)를 통해, 브러시(320)에 의해 컨디셔닝 플레이트(310)에 인가되는 압력을 특성화(맵핑)할 수 있다. Various embodiments may characterize (map) the pressure applied to the conditioning plate 310 by the brush 320, such as through built-in or adhesive tactile pressure sensors in the conditioning plate 310.

토크 데이터를 사용하여 브러시(320)의 품질(예컨대, 동심도, 브러시 균일도 등)을 직접 또는 간접적으로 확인할 수 있다. 다양한 실시예는, 다양한 압력 감지 디바이스에 의해 수집될 수 있는, 예컨대 접촉 면적, 압력, 힘 등과 같은 다양한 피드백 데이터에 기초하여 컨디셔닝 프로세스도 또한 조정할 수 있다. The quality of the brush 320 (eg, concentricity, brush uniformity, etc.) can be directly or indirectly confirmed using the torque data. Various embodiments may also adjust the conditioning process based on various feedback data, such as contact area, pressure, force, etc., that may be collected by various pressure sensing devices.

도 3에 일례로 도시한 바와 같이, 브러시(320)가 좌측에서 브러시 지지부(330)에 커플링되어, 브러시(320)가 컨디셔닝될 때에 모터가 다양한 속도(예컨대, 최대 1000 RPM)로 브러시(320)가 회전하게 하고, 모터의 토크 출력을 모니터링할 수 있다. 브러시(320)의 우측은 브러시(320)의 내부로의 유체(화학물, UPW 등) 이송을 허용할 수 있다. 이것은 도 4a에 보다 상세히 도시되어 있다. 유체(화학물 및/또는 UPW)의 이송은 브러시(320)의 외면을 향할 수 있다. 이것은 도 4b에 보다 상세히 도시되어 있다. 다양한 실시예는 브러시(320)의 내측부와 브러시(320)의 외면 모두로 유체를 이송할 수 있다. 브러시(320)로의 유체 흐름은, 예컨대 조작자에 의해 수동으로 제어 가능하거나 제어 시스템(160)에 의해 자동 제어 가능한 하나 이상의 밸브에 의해 제어될 수 있다. 흐름은, 예컨대 0 내지 5 GPM의 예시적인 범위와 같은 상이한 범위로 변경될 수 있다. 3, brush 320 is coupled to brush support 330 on the left side so that when brush 320 is conditioned, the motor moves brush 320 at various speeds (e.g., up to 1000 RPM). ) to rotate, and the torque output of the motor can be monitored. The right side of the brush 320 may allow fluid (chemical, UPW, etc.) transfer into the interior of the brush 320 . This is shown in more detail in Figure 4a. The transfer of fluid (chemical and/or UPW) may be directed to the outer surface of the brush 320 . This is shown in more detail in FIG. 4b. Various embodiments may deliver fluid to both the inner surface of the brush 320 and the outer surface of the brush 320 . Fluid flow to brush 320 may be controlled by, for example, one or more valves manually controllable by an operator or automatically controllable by control system 160 . The flow can be varied to different ranges, such as an exemplary range of 0 to 5 GPM.

더욱이, 유체는 또한 컨디셔닝 플레이트(310)로도 이송될 수 있다. 컨디셔닝 플레이트(310)로의 유체의 이송은 브러시(320)를 컨디셔닝하기 위해 적절한 시기에 이루어질 수 있다. 추가로, 몇몇 실시예는 상이한 유체가 브러시(320)와 컨디셔닝 플레이트(310)로 이송되게 할 수 있다. Furthermore, fluid may also be delivered to the conditioning plate 310 . Transfer of fluid to the conditioning plate 310 may occur at the appropriate time to condition the brush 320 . Additionally, some embodiments may allow different fluids to be delivered to brush 320 and conditioning plate 310 .

도 4a는 본 개시의 양태에 따른, 브러시로 화학물을 이송하는 예시적인 방법을 보여준다. 도 4a를 참고하면, 브러시(320)를 지닌 브러시 스테이션(110)이 도시되어 있다. 도 3에 대하여 앞서 설명한 바와 같이, 브러시 지지부(330)는 브러시(320)를 유지하기 위해 사용될 수 있다. 슬리브(332)는, 예컨대 브러시(320)를 브러시 지지부(330)에 커플링하는 것을 돕기 위해 사용될 수 있고/있거나 브러시(320)의 축방향 개구(322)로 이송되는 유체(410)의 누설을 방지하기 위한 시일 역할을 하거나, 시일을 포함할 수 있다. 따라서, 이송되는 유체(410)는 브러시(320)를 위한 컨디셔닝 프로세스 동안에 브러시(320)의 내부로부터 브러시(320)의 표면으로 흐를 수 있다. 4A shows an exemplary method of transferring chemical to a brush, in accordance with aspects of the present disclosure. Referring to FIG. 4A , a brush station 110 with a brush 320 is shown. As described above with respect to FIG. 3 , brush support 330 may be used to hold brush 320 . The sleeve 332 may be used, for example, to assist in coupling the brush 320 to the brush support 330 and/or to prevent leakage of the fluid 410 conveyed into the axial opening 322 of the brush 320. It may serve as a seal to prevent or include a seal. Thus, the fluid 410 being conveyed can flow from the interior of the brush 320 to the surface of the brush 320 during the conditioning process for the brush 320 .

도관(420)은 유체(410)를 최종 사용자의 유체 이송 시스템(101)으로부터 각각의 브러시 스테이션(11)으로 이송하는 데 사용될 수 있다. 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)은 또한, 다양한 타입의 유체를 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)으로 이송할 수 있도록 최종 사용자의 유체 이송 시스템(101)에 있는 다수의 도관에 연결되도록 구성될 수도 있다. 따라서, 최종 사용자는 특정 유체(들)를 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)으로 이송하는 능력을 가질 수 있다. Conduit 420 may be used to transport fluid 410 from the end user's fluid delivery system 101 to each brush station 11 . The offline brush conditioning system 100 may also be configured to connect to a number of conduits in the end user's fluid delivery system 101 to allow delivery of various types of fluid to the offline brush conditioning system 100 . Thus, an end user may have the ability to transfer specific fluid(s) to the offline brush conditioning system 100.

도관(420)은 또한, 브러시(320)로 이송되는 유체의 유량 및 압력을 조정하는 데 사용될 수 있는 밸브(430)를 포함할 수 있다. 수동 밸브(430)가 도시되어 있지만, 본 발명의 다양한 실시예들이 이것으로 제한되지는 않는다. 밸브(430)는 수동으로 및/또는 제어 시스템(160)을 통해 원격으로 작동될 수 있다. 밸브(430)는, 예컨대 입력부에 압력 센서(도시하지 않음)를 및/또는 출력부에 압력 센서(도시하지 않음)도 또한 포함할 수 있고, 이 경우에 압력(들)은 밸브(430), 사용자 인터페이스(120)와 같은 디스플레이 및/또는 원격 디바이스에 표시될 수 있다. 밸브(430)는 또한 유체 유량을 나타내는 표시 마크 또는 다른 디스플레이도 또한 보여줄 수 있다. 유체 유량은 사용자 인터페이스(120) 및/또는 원격 디바이스와 같은 디스플레이에 표시될 수도 있다. Conduit 420 may also include a valve 430 that may be used to adjust the flow rate and pressure of fluid delivered to brush 320 . A manual valve 430 is shown, although various embodiments of the present invention are not limited thereto. Valve 430 may be operated manually and/or remotely via control system 160 . Valve 430 may also include, for example, a pressure sensor (not shown) on the input and/or a pressure sensor (not shown) on the output, in which case the pressure(s) may be determined by valve 430, It may be presented on a display such as user interface 120 and/or on a remote device. Valve 430 may also show an indicator mark or other display indicating fluid flow rate. The fluid flow rate may be displayed on a display such as user interface 120 and/or a remote device.

도시하지는 않았지만, 본 개시의 다양한 실시예는 유체가 이송되는 압력을 증가시키거나 이송된 유체의 압력을 감소시키기 위해 다른 기구(펌프 포함)도 또한 포함할 수 있다. Although not shown, various embodiments of the present disclosure may also include other mechanisms (including pumps) to increase the pressure at which the fluid is transported or decrease the pressure of the transported fluid.

도관(420)은 (도 4b에 도시한) 브러시 스테이션(110)에 있는 다수의 노즐로 유체를 이송할 수 있는 다양한 기구도 또한 포함할 수 있다. 예컨대, 매니폴드는 유사한 압력과 유량을 노즐들에 허용하는 데 사용될 수 있다. 매니폴드는 또한 유체를 복수 개의 브러시(320) 및/또는 브러시 스테이션(110)으로 이송하기 위해 사용될 수 있다. 매니폴드는 유체를, 예컨대 브러시(320)의 축방향 개구(322)로 이송하기 위해 사용될 수 있다. Conduit 420 may also include various mechanisms that may deliver fluid to multiple nozzles in brush station 110 (shown in FIG. 4B). For example, a manifold can be used to allow similar pressures and flow rates to the nozzles. A manifold may also be used to deliver fluid to a plurality of brushes 320 and/or brush stations 110 . A manifold may be used to deliver fluid to, for example, an axial opening 322 of a brush 320 .

따라서, 다양한 실시예가 하나의 도관(420) 또는 복수 개의 도관(420)을 통해 거의 1 내지 13의 pH 범위로 농축되거나 희석된 다수의 개별적인 유체를 받아들 일 수 있다는 점을 알 수 있다. 예컨대, 불화수소(HF) 또는 희석 HF와 같은 매우 부식성의 화학물이 전용 도관에 제공될 수 있다. Thus, it can be seen that various embodiments can receive multiple individual fluids either concentrated or diluted to a pH range of approximately 1 to 13 via a single conduit 420 or multiple conduits 420 . For example, highly corrosive chemicals such as hydrogen fluoride (HF) or dilute HF may be provided in dedicated conduits.

오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)에 의해 수용될 수 있는 유체는, 제한하는 것은 아니지만 DIW, 유기산(시트르산, 옥살산, 프로피올산, 말산, 포름산, 탄산, 술폰산 등), 계면활성제, 산화제 (H202, 03, CO2, 무기 과산화물 등), 용매(IPA, 에탄올, 에틸렌 아세테이트, DMSO 등), 알칼리성 화학 물질 (NH40H, KOH, NaOH, TMAH, 에탄올 아민 등) 및 그러한 유체의 모든 가능한 유도체를 포함할 수 있다. Fluids that can be accommodated by the offline brush conditioning system 100 include, but are not limited to, DIW, organic acids (citric acid, oxalic acid, propiolic acid, malic acid, formic acid, carbonic acid, sulfonic acid, etc.), surfactants, oxidizing agents (H 2 0 2 , 0 3 , CO 2 , inorganic peroxides, etc.), solvents (IPA, ethanol, ethylene acetate, DMSO, etc.), alkaline chemicals (NH 4 0H, KOH, NaOH, TMAH, ethanolamine, etc.) and all possible derivatives of such fluids can include

커플링 디바이스(422, 424)가 다양한 도관들을 서로 커플링하기 위해 사용될 수 있고, 또한 유체 누설을 방지하기 위해 시일을 제공하거나 시일로서 작용할 수 있다. Coupling devices 422 and 424 can be used to couple the various conduits to each other, and can also provide or act as a seal to prevent fluid leakage.

도 4b는 본 개시의 양태에 따른, 브러시로 화학물을 이송하는 다른 예시적인 방법을 보여준다. 도 4b의 이송 시스템은, 유체가 브러시(320)의 표면으로 이송된다는 점에서 도 4a에 대해서 설명된 것과 상이하다. 따라서, 유체는 브러시(320)의 축방향 개구(322)로 이송된다기 보다는, 매니폴드(424)의 노즐(426)을 통해 브러시(320) 상에 적하되거나 분사된다. 유체는 압축될 수도 있고, 비압축될 수도 있다. 본 개시의 다양한 실시예는, 노즐(426)의 분사 패턴이 조정될 수 있게 하고, 노즐(426)은 또한 노즐(426)을 통한 상이한 유량을 허용하도록 조정될 수 있다. 4B shows another exemplary method of transferring chemical to a brush, in accordance with aspects of the present disclosure. The transport system of FIG. 4B differs from that described with respect to FIG. 4A in that fluid is transported to the surface of the brush 320 . Thus, the fluid is dripped or sprayed onto the brush 320 through the nozzle 426 of the manifold 424 rather than being delivered to the axial opening 322 of the brush 320 . Fluids can be compressed or incompressible. Various embodiments of the present disclosure allow the spray pattern of nozzle 426 to be adjusted, and nozzle 426 can also be adjusted to allow for different flow rates through nozzle 426 .

노즐을 수동으로나 제어 시스템(160)의 제어 하에서 조정하기 위해 잘 알려진 다양한 기술들이 이용될 수 있다. 추가로, 특별한 구성에 있어서, 매니폴드(424)의 각 부분은 개별적으로 교체될 수도 있고, 매니폴드(424)는 브러시(320)에 더 적합한 다른 매니폴드(424)로 교체될 수도 있다. A variety of well known techniques may be used to adjust the nozzles either manually or under the control of control system 160 . Additionally, in a particular configuration, each part of manifold 424 may be replaced individually, and manifold 424 may be replaced with another manifold 424 more suitable for brush 320 .

따라서, 도 4a 및 도 4b에 대하여 도시한 바와 같이, 유체(들)는 브러시(320)를 통과하도록 또는 브러시(320)의 표면으로 이송될 수 있다. 본 개시의 다양한 실시예는 또한 유체가 브러시(320)의 표면으로 그리고 브러시(320)를 통과하도록 이송되게 할 수 있다. 본 개시의 다양한 실시예는 또한 브러시의 컨디셔닝 프로세스 동안에, 이용 가능한 경우에 매니폴드를 통한 및/또는 도관을 통한 컨디셔닝 플레이트(310)의 표면으로의 유체 이송을 허용할 수 있다. Thus, as shown with respect to FIGS. 4A and 4B , the fluid(s) may be conveyed through the brush 320 or onto the surface of the brush 320 . Various embodiments of the present disclosure may also allow fluid to be transported to the surface of and through brush 320 . Various embodiments of the present disclosure may also allow for fluid transfer to the surface of the conditioning plate 310 through a manifold and/or through a conduit, if available, during the conditioning process of the brush.

도 5는 본 개시의 양태에 따른, 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템으로 화학물을 이송하는 예시적인 방법의 흐름도이다. 흐름도(500)의 502에서, 컨디셔닝 대상 브러시(320)의 타입이 결정된다. 5 is a flow diagram of an exemplary method of delivering chemicals to an offline brush conditioning system, in accordance with aspects of the present disclosure. At 502 of the flowchart 500, the type of brush 320 to be conditioned is determined.

504에서, 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)이 브러시(320)를 수용하도록 셋업된다. 이는, 예컨대 브러시(320)의 크기, 브러시(320)의 조성, 브러시(320)가 컨디셔닝된 후에 브러시(320)에 의해 세정되는 재료의 표면 등에 기인할 수 있다. 따라서, 최종 사용자가 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템(100)으로 1종이 넘는 유체를 공급할 수 있는 경우, 브러시(320)로의 유체(들)의 이송이 선택될 수 있는데, 즉 유체가 도 4a에 도시한 바와 같이 브러시(320)를 통과하여 이송될지, 또는 도 4b에 도시한 바와 같이 브러시(320)의 표면으로 이송될지, 또는 브러시를 통과하여 그리고 브러시(320)의 표면으로 이송될지, 유체가 컨디셔닝 플레이트(310)로 이송되어야만 하는지의 여부, 사용되는 컨디셔닝 플레이트(310)의 타입 및 컨디셔닝이 완료되는 시기의 결정이 이루어진다. At 504 , the offline brush conditioning system 100 is set up to receive the brush 320 . This may be due to, for example, the size of the brush 320, the composition of the brush 320, the surface of the material cleaned by the brush 320 after the brush 320 has been conditioned, and the like. Thus, if the end user is able to supply more than one fluid to the offline brush conditioning system 100, the delivery of the fluid(s) to the brush 320 may be selected, i.e. the fluid is as shown in FIG. 4A. Whether transferred through the brush 320, or to the surface of the brush 320 as shown in FIG. 4B, or through the brush and to the surface of the brush 320, the fluid is ), the type of conditioning plate 310 used and when conditioning is complete is made.

단계 506에서, 브러시의 컨디셔닝에 착수할 수 있다. 예컨대, 본 개시의 실시예에서 컨디셔닝 플레이트(310)는 제어 시스템(160)의 제어 하에서 브러시(320)에 대해 적절한 거리로 이동될 수 있다. 브러시(320)는 컨디셔닝 플레이트(310)에 대해 회전하는 함으로써 컨디셔닝될 수 있다. At step 506, conditioning of the brush may be undertaken. For example, in embodiments of the present disclosure, conditioning plate 310 may be moved a suitable distance relative to brush 320 under the control of control system 160 . Brush 320 may be conditioned by rotating relative to conditioning plate 310 .

508에서, 컨디셔닝이 완료되었는지의 여부가 결정될 수 있다. 상기 결정은 구성 및/또는 구현에 좌우될 수 있다. 예컨대, 컨디셔닝은 설정된 시간 동안 이루어질 수 있거나, 컨디셔닝 시간은 컨디셔닝 동안의 결함 측정에 좌우될 수 있다. 컨디셔닝이 완료된 것으로 결정된 경우, 브러시(320)는 510에서 제거될 수 있고, 프로세스는 502에서 다시 시작될 수 있다. 컨디셔닝이 완료되지 않은 것으로 결정된 경우, 브러시(320)는 506에서 계속해서 컨디셔닝될 수 있다. 결정은 508에서 연속적으로 또는 주기적으로 일어날 수 있다. At 508, it may be determined whether conditioning is complete. This decision may depend on configuration and/or implementation. For example, conditioning can be for a set amount of time, or the conditioning time can depend on measuring defects during conditioning. When it is determined that conditioning is complete, the brush 320 may be removed at 510 and the process may begin again at 502 . If it is determined that conditioning is not complete, the brush 320 may continue to be conditioned at 506 . Determination may occur continuously or periodically at 508 .

본 발명의 방법 및 시스템은 하드웨어, 소프트웨어, 및/또는 하드웨어와 소프트웨어의 조합으로 실현될 수 있다. 본 발명의 방법 및/또는 시스템은 제어 시스템(160)을, 예컨대 적어도 하나의 컴퓨팅 시스템에서 중앙 집중 방식으로 또는 상이한 요소들이 다수의 상호 접속된 컴퓨팅 시스템에 걸쳐 분산되어 있는 분배 방식으로 실현할 수 있다. 임의의 유형의 컴퓨팅 시스템 또는 여기에서 설명한 방법을 실행하도록 되어 있는 다른 장치가 적합하다. 통상적인 하드웨어와 소프트웨어의 조합은, 로딩되거나 실행될 때에 컴퓨팅 시스템을 여기에서 설명한 방법을 실행하도록 제어하는, 프로그램 또는 코드를 지닌 다목적 컴퓨팅 시스템을 포함할 수 있다. 다른 통상적인 구현예는 하나 이상의 어플리케이션 특정 집적 회로 또는 칩을 포함할 수 있다. 몇몇 구현예는 기계에 의해 실행 가능한 하나 이상의 코드 라인이 저장된 비일시적인 기계 판독 가능(예컨대, 컴퓨터 판독 가능) 매체(예컨대, 플래시 메모리, 광디스크, 자기 저장 디스크 등)를 포함할 수 있고, 이에 의해 기계가 여기에서 설명한 바와 같은 프로세스를 실행하게 할 수 있다. 여기에서 사용되는 “비일시적인 기계 판독 가능 매체”라는 용어는 모든 타입의 기계 판독 가능 저장 매체를 포함하고 전파 신호를 배제하는 것으로 정의된다. The method and system of the present invention may be realized in hardware, software, and/or a combination of hardware and software. The methods and/or systems of the present invention may realize control system 160 in a centralized fashion, eg, in at least one computing system, or in a distributed fashion, where different elements are distributed across a number of interconnected computing systems. Any type of computing system or other device adapted to practice the methods described herein is suitable. A typical combination of hardware and software may comprise a general purpose computing system having programs or codes that, when loaded or executed, control the computing system to carry out the methods described herein. Other typical implementations may include one or more application specific integrated circuits or chips. Some implementations may include a non-transitory machine-readable (eg, computer-readable) medium (eg, flash memory, optical disk, magnetic storage disk, etc.) having one or more lines of code executable by a machine stored thereon, whereby a machine can run the process as described here. As used herein, the term “non-transitory machine-readable medium” is defined to include any type of machine-readable storage medium and exclude propagated signals.

여기에서 활용되는 “회로” 및 “회로망”이라는 용어는, 물리적인 전자부품(예컨대, 하드웨어)과, 하드웨어를 구성할 수 있고, 하드웨어에 의해 실행될 수 있으며/있거나, 이와 달리 하드웨어와 관련될 수 있는 임의의 소프트웨어 및/또는 펌웨어(“코드”)를 일컫는다. 여기에서 사용되는 바와 같이, 예컨대 특정 프로세서와 메모리는, 코드의 첫번째 이상의 라인을 실행할 때에 제1 “회로”를 포함할 수 있고, 코드의 두번째 이상의 라인을 실행할 때에 제2 “회로”를 포함할 수 있다. 여기에서 활용되는 “및/또는”이라는 용어는 “및/또는”으로 결합된 목록의 아이템들 중 하나 이상의 임의의 아이템을 의미한다. 일례로서, “x 및/또는 y”는 3개 요소 세트 {(x), (y), (x, y)} 중 임의의 요소를 의미한다. 즉, “x 및/또는 y”은 “x와 y 중 하나 이상”을 의미한다. 다른 예로서, “x, y 및/또는 z”는 7개 요소 세트 {(x), (y), (z), (x, y), (x, z), (y, z), (x, y, z)} 중 임의의 요소를 의미한다. 즉, “x, y 및/또는 z”는 “x, y 및 z 중 하나 이상”을 의미한다. 여기에서 활용되는 바와 같은 “예시적인”이라는 용어는 비제한적인 예, 경우 또는 예시로서의 역할을 한다는 것을 의미한다. 여기에서 활용되는 바와 같은 “예를 들어” 및 “예컨대”라는 용어는 하나 이상의 비제한적인 예, 경우 또는 예시의 목록을 제시한다. 여기에서 활용되는 바와 같은 회로망은, 기능의 수행이 (예컨대, 사용자 구성 가능 세팅, 설비 트림 등에 의해 ) 비활성화되거나 불가능한지의 여부와는 무관하게 기능을 수행하는 데 필요한 하드웨어와 코드(필요한 경우)를 포함하기만 하면 기능을 수행하도록 “작동 가능하다”. As used herein, the terms “circuit” and “network” refer to physical electronic components (e.g., hardware) and components that may constitute, be executed by, and/or otherwise related to hardware. means any software and/or firmware ("Code"). As used herein, for example, certain processors and memories may include a first "circuit" when executing one or more lines of code, and may include a second "circuit" when executing second or more lines of code. there is. As used herein, the term “and/or” means any one or more of the items in the list joined by “and/or”. As an example, “x and/or y” means any element of the set of three elements {(x), (y), (x, y)}. That is, "x and/or y" means "at least one of x and y". As another example, "x, y and/or z" is a set of seven elements {(x), (y), (z), (x, y), (x, z), (y, z), ( x, y, z)} means any element. That is, “x, y and/or z” means “at least one of x, y and z”. The term "exemplary" as utilized herein is meant to serve as a non-limiting example, instance, or illustration. The terms “for example” and “such as” as used herein refer to one or more non-limiting examples, instances or lists of examples. Circuitry, as utilized herein, provides the hardware and code (if necessary) necessary to perform a function, regardless of whether or not performance of the function is disabled or disabled (eg, by user configurable settings, equipment trim, etc.). It is “enabled” to perform a function simply by including it.

특정 실시예를 참고로 하여 본 발명의 방법 및/또는 시스템을 설명하였지만, 당업자라면, 본 발명의 방법 및/또는 시스템의 범위로부터 벗어나지 않으면서 다양한 변경이 이루어질 수 있고, 등가물로 대체될 수 있다는 점을 이해할 것이다. 추가로, 특정 조건 또는 재료를 본 개시의 교시에 맞추기 위해, 본 개시의 범위로부터 벗어나는 일 없이 많은 수정이 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명의 방법 및/또는 시스템은 개시된 특정 구현예로 제한되지 않는다. 대신에, 본 발명의 방법 및/또는 시스템은 실질적으로 그리고 균등론 하에서 첨부된 청구범위의 범위 내에 속하는 모든 구현예를 포함할 것이다.While the method and/or system of the present invention has been described with reference to specific embodiments, it is to be understood that various changes may be made and equivalents may be substituted by those skilled in the art without departing from the scope of the method and/or system of the present invention. will understand Additionally, many modifications may be made to adapt a particular condition or material to the teachings of this disclosure without departing from the scope of this disclosure. Accordingly, the methods and/or systems of the present invention are not limited to the specific embodiments disclosed. Instead, the method and/or system of the present invention will include substantially all implementations falling within the scope of the appended claims under the doctrine of equivalents.

Claims (20)

오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템에 의해 브러시를 컨디셔닝하는 브러시 컨디셔닝 시스템으로서,
컨디셔닝 표면;
브러시를 유지하도록 구성된 브러시 유지 디바이스;
브러시와 컨디셔닝 표면 중 어느 하나 또는 양자 모두로 화학물을 이송하기 위해 소스로부터 화학물을 받아들이도록 구성되는 도관;
도관으로부터 화학물을 받아들이도록 구성된 매니폴드; 및
매니폴드에 부착되어, 브러시와 컨디셔닝 표면 중 어느 하나 또는 양자 모두로 화학물을 이송하는 노즐
을 포함하고,
브러시는 반도체 웨이퍼의 표면을 세정하도록 구성되고,
컨디셔닝 표면과 브러시는 브러시를 컨디셔닝하기 위해 서로 접촉하도록 구성되는 것인 브러시 컨디셔닝 시스템.
A brush conditioning system for conditioning a brush by an offline brush conditioning system, comprising:
conditioning surface;
a brush holding device configured to hold a brush;
a conduit configured to receive chemical from a source to deliver the chemical to either or both of the brush and the conditioning surface;
a manifold configured to accept chemicals from the conduit; and
A nozzle that attaches to the manifold and delivers the chemical to either or both of the brush and conditioning surface.
including,
The brush is configured to clean the surface of the semiconductor wafer;
A brush conditioning system wherein the conditioning surface and the brush are configured to contact each other to condition the brush.
제1항에 있어서, 화학물은 거의 1 내지 13 범위의 pH를 갖는 것인 브러시 컨디셔닝 시스템.2. The brush conditioning system of claim 1, wherein the chemical has a pH approximately in the range of 1 to 13. 제1항에 있어서, 화학물은 불화수소와 희석된 불화수소 중 어느 하나를 포함하는 것인 브러시 컨디셔닝 시스템. 2. The brush conditioning system of claim 1, wherein the chemical comprises either hydrogen fluoride or diluted hydrogen fluoride. 제1항에 있어서, 화학물은 탈이온수, 유기산, 계면활성제, 산화제, 용매 및 알칼리성 화학물 중 하나 이상을 포함하는 것인 브러시 컨디셔닝 시스템. 2. The brush conditioning system of claim 1, wherein the chemicals include one or more of deionized water, organic acids, surfactants, oxidizers, solvents, and alkaline chemicals. 제1항에 있어서, 화학물은 압력을 받아 노즐로부터 이송되는 것인 브러시 컨디셔닝 시스템.2. The brush conditioning system of claim 1, wherein the chemical is delivered from the nozzle under pressure. 제1항에 있어서, 화학물은 적하 또는 분사 중 어느 하나를 통해 노즐로부터 직접 이송되는 것인 브러시 컨디셔닝 시스템. 2. The brush conditioning system of claim 1 wherein the chemical is delivered directly from the nozzle either via drip or spray. 제1항에 있어서, 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템은 복수 개의 브러시를 컨디셔닝하기 위해 다수의 브러시 유지 디바이스를 포함하고, 도관은 화학물을 복수 개의 브러시로 이송하는 것인 브러시 컨디셔닝 시스템. 2. The brush conditioning system of claim 1, wherein the offline brush conditioning system includes multiple brush holding devices for conditioning the plurality of brushes, and wherein the conduit delivers the chemical to the plurality of brushes. 제1항에 있어서, 도관에 의한 화학물의 이송을 제1 유량으로 제어하도록 구성된 밸브를 더 포함하는 브러시 컨디셔닝 시스템. 2. The brush conditioning system of claim 1, further comprising a valve configured to control delivery of the chemical by the conduit to a first flow rate. 제8항에 있어서, 상기 밸브는 제1 유량과 상이한 제2 유량으로 화학물을 이송하기 위해 수동으로 또는 자동 제어를 통해 제어되는 것인 브러시 컨디셔닝 시스템. 9. The brush conditioning system of claim 8, wherein the valve is controlled manually or through an automatic control to deliver the chemical at a second flow rate different from the first flow rate. 오프라인 브러시 컨디셔닝 시스템에 의해 브러시를 컨디셔닝하는 브러시 컨디셔닝 방법으로서,
화학물 흐름을 받아들이는 단계;
브러시 - 이 브러시는 반도체 웨이퍼의 표면을 세정하도록 구성됨 - 를 브러시 유지 디바이스로 유지하는 단계;
브러시와 컨디셔닝 표면이 서로 접촉하게 하는 단계; 및
매니폴드에 부착된 노즐로부터 화학물을 컨디셔닝을 위해 브러시와 컨디셔닝 표면 중 어느 하나 또는 양자 모두로 이송하는 단계
를 포함하는 브러시 컨디셔닝 방법.
A brush conditioning method of conditioning a brush by an offline brush conditioning system, comprising:
accepting the chemical flow;
holding a brush, the brush configured to clean a surface of a semiconductor wafer, with a brush holding device;
bringing the brush and conditioning surface into contact with each other; and
delivering chemicals from nozzles attached to the manifold to either or both of the brushes and conditioning surfaces for conditioning;
Brush conditioning method comprising a.
제10항에 있어서, 화학물은 탈이온수, 불화수소, 유기산, 계면활성제, 산화제, 용매 및 알칼리성 화학물 중 어느 하나를 포함하는 것인 브러시 컨디셔닝 방법. 11. The method of claim 10, wherein the chemicals include any one of deionized water, hydrogen fluoride, organic acids, surfactants, oxidizing agents, solvents and alkaline chemicals. 제10항에 있어서, 화학물은 브러시와 컨디셔닝 표면 중 어느 하나 또는 양자 모두로 직접 이송되는 것인 브러시 컨디셔닝 방법. 11. The method of claim 10, wherein the chemical is delivered directly to one or both of the brush and the conditioning surface. 제10항에 있어서, 화학물의 유량은 밸브에 의해 조정되는 것인 브러시 컨디셔닝 방법. 11. The method of claim 10, wherein the flow rate of the chemical is regulated by a valve. 제10항에 있어서, 화학물은 브러시 상으로 적하되거나 브러시 상에 분사되는 것인 브러시 컨디셔닝 방법. 11. The method of claim 10, wherein the chemical is dripped onto or sprayed onto the brush. 제10항에 있어서,
브러시와 컨디셔닝 표면 중 어느 하나 또는 양자 모두로 이송된 화학물의 적어도 일부를 하나 이상의 저장조에 수집하는 단계; 및
하나 이상의 저장조를 위한 대응하는 체적 모니터를 사용하여 하나 이상의 저장조에 의해 수집되는 화학물의 체적을 모니터링하는 단계
를 더 포함하는 브러시 컨디셔닝 방법.
According to claim 10,
collecting at least a portion of the chemical delivered to either or both of the brush and the conditioning surface in one or more reservoirs; and
monitoring the volume of the chemical collected by the one or more reservoirs using a corresponding volume monitor for the one or more reservoirs;
Brush conditioning method further comprising.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7353042B2 (en) 2019-02-25 2023-09-29 株式会社東京精密 brush cleaning device
JP2023004002A (en) * 2021-06-25 2023-01-17 株式会社荏原製作所 Cleaning member processing device, break-in method, and cleaning member cleaning method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002529910A (en) * 1998-10-30 2002-09-10 ラム リサーチ コーポレーション Method and apparatus for HF-HF cleaning
JP2009279536A (en) * 2008-05-23 2009-12-03 Hitachi High-Technologies Corp Apparatus for and method of cleaning substrate
JP2010074191A (en) * 2004-09-28 2010-04-02 Ebara Corp Substrate cleaning apparatus and method for determining timing of replacement of cleaning member
JP2013508969A (en) * 2009-10-22 2013-03-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Apparatus and method for brush conditioning and pad conditioning

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5551165A (en) * 1995-04-13 1996-09-03 Texas Instruments Incorporated Enhanced cleansing process for wafer handling implements
US5743784A (en) * 1995-12-19 1998-04-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and method to determine the coefficient of friction of a chemical mechanical polishing pad during a pad conditioning process and to use it to control the process
US5911785A (en) * 1997-12-17 1999-06-15 Sony Corporation Test fixture and method of testing a spin rinse dryer and components thereof
JP3770752B2 (en) * 1998-08-11 2006-04-26 株式会社日立製作所 Semiconductor device manufacturing method and processing apparatus
US6711775B2 (en) 1999-06-10 2004-03-30 Lam Research Corporation System for cleaning a semiconductor wafer
US6405399B1 (en) 1999-06-25 2002-06-18 Lam Research Corporation Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing
US6306008B1 (en) * 1999-08-31 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization
US6579797B1 (en) * 2000-01-25 2003-06-17 Agere Systems Inc. Cleaning brush conditioning apparatus
US6986185B2 (en) * 2001-10-30 2006-01-17 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for determining scrubber brush pressure
US7568490B2 (en) 2003-12-23 2009-08-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids
CN1910011B (en) * 2004-01-26 2010-12-15 Tbw工业有限公司 Chemical mechanical planarization process control using in-situ trim process
JP2005259930A (en) * 2004-03-11 2005-09-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processor and processing method
US8234739B2 (en) 2006-10-03 2012-08-07 Xyratex Technology Limited Spiral brush for cleaning and conveying a substrate
US8083862B2 (en) 2007-03-09 2011-12-27 Tokyo Electron Limited Method and system for monitoring contamination on a substrate
WO2013049207A2 (en) * 2011-09-26 2013-04-04 Entegris, Inc. Post-cmp cleaning apparatus and method
SG11201604465VA (en) * 2013-12-11 2016-07-28 Fairchild Semiconductor Integrated wire bonder and 3d measurement system with defect rejection

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002529910A (en) * 1998-10-30 2002-09-10 ラム リサーチ コーポレーション Method and apparatus for HF-HF cleaning
JP2010074191A (en) * 2004-09-28 2010-04-02 Ebara Corp Substrate cleaning apparatus and method for determining timing of replacement of cleaning member
JP2009279536A (en) * 2008-05-23 2009-12-03 Hitachi High-Technologies Corp Apparatus for and method of cleaning substrate
JP2013508969A (en) * 2009-10-22 2013-03-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Apparatus and method for brush conditioning and pad conditioning

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