KR102521002B1

KR102521002B1 - Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Info

Publication number: KR102521002B1
Application number: KR1020150138236A
Authority: KR
Inventors: 임종혁; 김은아
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2015-09-30
Filing date: 2015-09-30
Publication date: 2023-04-11
Anticipated expiration: 2035-09-30
Also published as: KR20170038599A

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판에 애노드 전극, 유기 발광층, 캐소드 전극, 보조 전극 및 뱅크가 구비되어 있고, 뱅크는 보조 전극의 일측 및 타측에 구비된 제1뱅크와 보조 전극의 상면으로부터 이격되도록 제1뱅크와 연결된 제2뱅크를 포함하여 이루어지고, 캐소드 전극은 제2뱅크와 보조 전극의 상면 사이의 이격된 공간을 통해서 보조 전극과 연결된다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes an anode electrode, an organic light emitting layer, a cathode electrode, an auxiliary electrode, and a bank provided on a substrate, and the banks include first banks and auxiliary electrodes provided on one side and the other side of the auxiliary electrode. and a second bank connected to the first bank so as to be spaced apart from the upper surface of the second bank, and the cathode electrode is connected to the auxiliary electrode through a spaced space between the upper surface of the second bank and the auxiliary electrode.

Description

Organic light emitting display device and manufacturing method thereof

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to a top emission type organic light emitting display device and a manufacturing method thereof.

유기 발광 표시 장치(OLED)는 자발광 소자로서, 소비전력이 낮고, 고속의 응답 속도, 높은 발광 효율, 높은 휘도 및 광시야각을 가지고 있다. An organic light emitting display (OLED) is a self-light emitting device and has low power consumption, high speed response speed, high luminous efficiency, high luminance, and wide viewing angle.

유기 발광 표시 장치(OLED)는 유기 발광 소자를 통해 발광된 광의 투과 방향에 따라 상부 발광 방식(top emission type)과 하부 발광 방식(bottom emission type)으로 나뉜다. 상기 하부 발광 방식은 발광층과 화상 표시면 사이에 회로 소자가 위치하기 때문에 상기 회로 소자로 인해서 개구율이 저하되는 단점이 있는 반면에, 상기 상부 발광 방식은 발광층과 화상 표시면 사이에 회로 소자가 위치하지 않기 때문에 개구율이 향상되는 장점이 있다. The organic light emitting display device (OLED) is divided into a top emission type and a bottom emission type according to a transmission direction of light emitted through the organic light emitting element. The bottom emission method has a disadvantage in that the aperture ratio is lowered due to the circuit element because the circuit element is located between the light emitting layer and the image display surface, whereas the top emission method has no circuit element located between the light emitting layer and the image display surface. Therefore, there is an advantage in that the aperture ratio is improved.

도 1은 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional top emission type organic light emitting display device.

도 1에서 알 수 있듯이, 기판(10) 상에는 액티브층(11), 게이트 절연막(12), 게이트 전극(13), 층간 절연막(14), 소스 전극(15) 및 드레인 전극(16)을 포함하는 박막 트랜지스터층(T)이 형성되어 있고, 상기 박막 트랜지스터층(T) 상에 패시베이션층(20), 평탄화층(30), 애노드 전극(40)과 보조 전극(50), 뱅크(60), 격벽(70), 유기 발광층(80) 및 캐소드 전극(80)이 차례로 형성되어 있다.As can be seen in FIG. 1, an active layer 11, a gate insulating film 12, a gate electrode 13, an interlayer insulating film 14, a source electrode 15, and a drain electrode 16 are formed on a substrate 10. A thin film transistor layer (T) is formed, and on the thin film transistor layer (T), a passivation layer 20, a planarization layer 30, an anode electrode 40 and an auxiliary electrode 50, a bank 60, a barrier rib 70, an organic light emitting layer 80 and a cathode electrode 80 are formed in this order.

상기 애노드 전극(40)과 보조 전극(50)은 상기 평탄화층(30) 상에 형성되어 있다. 상기 보조 전극(50)은 캐소드(Cathode) 전극(80)의 저항을 줄이는 역할을 한다.The anode electrode 40 and the auxiliary electrode 50 are formed on the planarization layer 30 . The auxiliary electrode 50 serves to reduce the resistance of the cathode electrode 80.

상기 뱅크(60)는 상기 애노드 전극(40)과 보조 전극(50) 상에 형성되어 화소 영역을 정의한다. 상기 뱅크(60)는 상기 애노드 전극(40)과 보조 전극(50)의 상면을 노출시키면서 상기 애노드 전극(40)과 보조 전극(50)의 일측 및 타측 상에 형성된다.The bank 60 is formed on the anode electrode 40 and the auxiliary electrode 50 to define a pixel area. The bank 60 is formed on one side and the other side of the anode electrode 40 and the auxiliary electrode 50 while exposing the upper surfaces of the anode electrode 40 and the auxiliary electrode 50 .

상기 격벽(70)은 상기 보조 전극(50) 상에 형성되어 있다. 상기 격벽(70)은 상기 뱅크(60)와 소정 거리를 두고 이격되어 있으며, 상기 격벽(70)과 뱅크(60) 사이의 이격된 공간을 통해서 상기 보조 전극(50)과 상기 캐소드 전극(80)이 연결되어 상기 캐소드 전극의 저항을 줄인다.The barrier rib 70 is formed on the auxiliary electrode 50 . The barrier rib 70 is spaced apart from the bank 60 by a predetermined distance, and the auxiliary electrode 50 and the cathode electrode 80 are formed through the space between the barrier rib 70 and the bank 60. This connection reduces the resistance of the cathode electrode.

상기 격벽(70)의 상면의 폭은 하면의 폭보다 크게 형성되어 상기 격벽(70)의 상면이 상기 격벽(70)과 상기 뱅크(60) 사이의 이격된 공간을 가리도록 구성됨으로써 상기 유기 발광층(80)이 상기 격벽(70)과 상기 뱅크(60) 사이의 이격된 공간으로 침투하지 않게 된다.The width of the upper surface of the barrier rib 70 is formed to be larger than the width of the lower surface so that the upper surface of the barrier rib 70 covers the space between the barrier rib 70 and the bank 60, so that the organic light emitting layer ( 80) does not penetrate into the space between the barrier rib 70 and the bank 60.

상기 유기 발광층(80)은 상기 뱅크(60)에 의해 정의된 화소 영역 내에 형성되어 있고, 상기 캐소드 전극(90)은 상기 유기 발광층(70) 상에 형성되어 있다. The organic light emitting layer 80 is formed in a pixel area defined by the bank 60 , and the cathode electrode 90 is formed on the organic light emitting layer 70 .

이와 같은 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치는 다음과 같은 문제가 있다. Such a conventional top emission type organic light emitting display device has the following problems.

도 2는 도 1의 격벽을 구체적으로 나타내는 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view showing the partition wall of FIG. 1 in detail.

도 3a 및 도 3b는 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치에서 발생하는 격벽의 필링(Peeling)을 나타내는 도면이다.3A and 3B are diagrams illustrating peeling of barrier ribs in a conventional top emission type organic light emitting display device.

도 2에 도시된 바와 같이, 상기 격벽(70)을 역 테이퍼(Taper) 형상으로 형성할 경우, 상기 격벽(70)의 상면의 폭(X)을 크게 해야 상기 격벽(70)과 상기 뱅크(60) 사이의 이격된 공간으로 상기 유기 발광층(80)이 침투하지 못한다.As shown in FIG. 2 , when the barrier rib 70 is formed in a reverse taper shape, the width X of the upper surface of the barrier rib 70 must be increased so that the barrier rib 70 and the bank 60 ), the organic light emitting layer 80 does not penetrate into the spaced space between them.

그러나, 상기 격벽(70)의 상면의 폭(X)을 크게 할 경우에는 상기 기판(10) 내에서의 에너지 불균형으로 인해 도 3a에 도시된 바와 같이 상기 격벽(70)의 모양이 불균일하게 되거나 상기 격벽(70)과 상기 보조 전극(50) 사이에 필링(Peeling)이 발생하게 된다. 그리고 도 3b에 도시된 바와 같이 격벽(70)과 보조 전극(50) 사이의 필링으로 인해 표시 패널에 불량 지점(P)이 발생하게 된다.However, when the width X of the upper surface of the barrier rib 70 is increased, the shape of the barrier rib 70 becomes non-uniform as shown in FIG. 3A due to energy imbalance within the substrate 10 or Peeling occurs between the barrier rib 70 and the auxiliary electrode 50 . And, as shown in FIG. 3B , a defective point P occurs in the display panel due to peeling between the barrier rib 70 and the auxiliary electrode 50 .

따라서, 종래에는 상기 격벽(70)과 보조 전극(50) 사이의 필링을 방지하기 위해서 상기 격벽(70)의 하면의 폭(Y)과 상면의 폭(X)의 비율(Y/X)이 0.5 이하가 되도록 설계하고 있었다.Therefore, conventionally, in order to prevent peeling between the barrier rib 70 and the auxiliary electrode 50, the ratio (Y/X) of the width Y of the lower surface of the barrier rib 70 to the width X of the upper surface of the barrier rib 70 is 0.5. It was designed to be as follows.

그러나, 유기 발광 표시 장치가 대면적화됨에 따라 상기 기판(10)에 상기 유기 발광층(80)을 증착하는 장비가 변화하고 있는데, 이러한 장비에서는 상기 격벽(70)과 상기 뱅크(60) 사이로 상기 유기 발광층(80)이 침투함으로써 상기 캐소드 전극(90)이 보조 전극(50)에 연결되지 못하는 문제가 발생하고 있었다.However, as organic light emitting display devices become larger, equipment for depositing the organic light emitting layer 80 on the substrate 10 is changing. 80 penetrates, causing a problem in that the cathode electrode 90 cannot be connected to the auxiliary electrode 50.

도 4a 및 도 4b는 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치에서 유기 발광층을 증착하는 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.4A and 4B are diagrams schematically illustrating a configuration of depositing an organic light emitting layer in a conventional top emission type organic light emitting display device.

도 4a 에 도시된 바와 같이, 종래에는 챔버의 코너에 상기 유기 발광층(80)이 증발되어 토출되는 소스(S)를 고정시키고, 상기 기판(10)을 회전시키면서 상기 기판(10) 상에 상기 유기 발광층(80)을 증착하였다.As shown in FIG. 4A, conventionally, a source S through which the organic light emitting layer 80 is evaporated and discharged is fixed to a corner of a chamber, and the substrate 10 is rotated while the organic light emitting layer 80 is deposited on the substrate 10. A light emitting layer 80 was deposited.

최근 들어, 유기 발광 표시 장치가 대면적화됨에 따라 고정된 소스(S)를 통해서는 상기 유기 발광층(80)을 골고루 증착하기 어려운 문제가 있어서, 도 4b에 도시된 바와 같이 상기 기판(10)을 고정시킨 상태에서 라인 형태로 형성된 소스(S)를 이동시키면서 상기 기판(10) 상에 상기 유기 발광층(80)을 증착하였다.Recently, as the organic light emitting display device has become larger, there is a problem in that it is difficult to evenly deposit the organic light emitting layer 80 through a fixed source S, so that the substrate 10 is fixed as shown in FIG. 4B. In this state, the organic light emitting layer 80 was deposited on the substrate 10 while moving the source S formed in a line shape.

이 경우 상기 격벽(70)과 상기 뱅크(60) 사이로 상기 유기 발광층(80)이 침투하고 그로 인해서 상기 캐소드 전극(90)이 상기 보조 전극(50)에 정상적으로 연결되지 못하는 문제가 발생하고 있었다. In this case, the organic emission layer 80 penetrates between the barrier rib 70 and the bank 60, and as a result, the cathode electrode 90 is not normally connected to the auxiliary electrode 50.

즉, 상기 격벽(70)과 보조 전극(50)의 필링을 방지하기 위해서는 상기 격벽(70)의 상면의 폭을 어느 정도 제한해야 하는데, 유기 발광 표시 장치가 대면적화 됨에 따라 상기 격벽(70)과 뱅크(60) 사이로 상기 유기 발광층(80)이 침투하여 상기 캐소드 전극(90)이 상기 보조 전극(50)과 연결되지 못하는 문제가 발생하고 있었다.That is, in order to prevent the barrier rib 70 and the auxiliary electrode 50 from peeling, the width of the upper surface of the barrier rib 70 must be limited to some extent. The organic light emitting layer 80 penetrates between the banks 60, and thus the cathode electrode 90 cannot be connected to the auxiliary electrode 50.

본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 유기 발광층의 침투로 인한 영향 없이 캐소드 전극과 보조 전극을 정상적으로 연결할 수 있는 상부 발광 방식의 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been devised to solve the above-mentioned conventional problems, and the present invention provides a top emission type organic light emitting display device capable of normally connecting a cathode electrode and an auxiliary electrode without being affected by penetration of an organic light emitting layer, and a method for manufacturing the same. aims to do

또한, 본 발명은 격벽을 형성하지 않고 뱅크를 통해 캐소드 전극과 보조 전극이 연결되는 영역으로 유기 발광층이 침투하는 것을 막을 수 있는 상부 발광 방식의 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다In addition, an object of the present invention is to provide a top emission type organic light emitting display device capable of preventing an organic light emitting layer from penetrating into a region where a cathode electrode and an auxiliary electrode are connected through a bank without forming a barrier rib, and a method for manufacturing the same. do

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판에 애노드 전극, 유기 발광층, 캐소드 전극, 보조 전극 및 뱅크가 구비되어 있고, 뱅크는 보조 전극의 일측 및 타측에 구비된 제1뱅크와 보조 전극의 상면으로부터 이격되도록 제1뱅크와 연결된 제2뱅크를 포함하여 이루어지고, 캐소드 전극은 제2뱅크와 보조 전극의 상면 사이의 이격된 공간을 통해서 보조 전극과 연결된다.In order to achieve the above object, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes an anode electrode, an organic light emitting layer, a cathode electrode, an auxiliary electrode, and a bank provided on one side and the other side of the auxiliary electrode. and a second bank connected to the first bank so as to be spaced apart from the upper surface of the auxiliary electrode, and the cathode electrode is connected to the auxiliary electrode through a spaced space between the second bank and the upper surface of the auxiliary electrode.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 상에 제1애노드 전극 및 제1보조 전극을 형성하고, 제1애노드 전극과 제1보조 전극 상에 평탄화층을 형성하고, 평탄화층의 소정 영역을 제거하여 제1애노드 전극과 제1보조 전극을 외부로 노출시키는 콘택홀을 형성하고, 평탄화층 상에 제1애노드 전극과 연결되는 제2애노드 전극 및 제1보조 전극과 연결되는 제2보조 전극을 형성하고, 제2보조 전극의 일측 및 타측에 제1뱅크를 형성하고, 제2보조 전극의 상면으로부터 이격되도록 제1뱅크와 연결되는 제2뱅크를 형성하는 공정을 통해 제조된다.In addition, the organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention may include forming a first anode electrode and a first auxiliary electrode on a substrate, forming a planarization layer on the first anode electrode and the first auxiliary electrode, and forming the planarization layer on the first anode electrode and the first auxiliary electrode. A contact hole exposing the first anode electrode and the first auxiliary electrode to the outside is formed by removing a predetermined region of the surface, and a second anode electrode connected to the first anode electrode and a first auxiliary electrode connected to the first anode electrode are formed on the planarization layer. It is manufactured through a process of forming two auxiliary electrodes, forming a first bank on one side and the other side of the second auxiliary electrode, and forming a second bank connected to the first bank to be spaced apart from the upper surface of the second auxiliary electrode.

이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. According to the present invention as described above, there are the following effects.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 보조 전극의 상면에 뱅크를 패턴 형성함으로써, 유기 발광층이 보조 전극의 상면에 형성되는 것을 방지하여 캐소드 전극과 보조 전극을 전기적으로 연결시킬 수 있다.According to one embodiment of the present invention, by forming a bank pattern on the upper surface of the auxiliary electrode, the formation of the organic emission layer on the upper surface of the auxiliary electrode can be prevented and the cathode electrode and the auxiliary electrode can be electrically connected.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 격벽을 형성하는 공정을 제거함으로써, 공정에 소요되는 시간 및 비용을 줄일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, by eliminating the process of forming the barrier rib, it is possible to reduce the time and cost required for the process.

도 1은 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 격벽을 구체적으로 나타내는 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치에서 발생하는 격벽의 필링(Peeling)을 나타내는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치에서 유기 발광층을 증착하는 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 “A-A” 라인을 따라 절취한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 도 5에 도시된 “B-B” 라인을 따라 절취한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 8a 내지 도 8h는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 보여주는 공정 단면도이다.
도 9a 내지 도 9d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 뱅크를 형성하는 제조방법을 보여주는 공정 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional top emission type organic light emitting display device.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the partition wall of FIG. 1 in detail.
3A and 3B are diagrams illustrating peeling of barrier ribs in a conventional top emission type organic light emitting display device.
4A and 4B are diagrams schematically illustrating a configuration of depositing an organic light emitting layer in a conventional top emission type organic light emitting display device.
5 is a plan view of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment taken along line “AA” shown in FIG. 5 .
7 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment taken along line “BB” shown in FIG. 5 .
8A to 8H are process cross-sectional views illustrating a manufacturing method of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
9A to 9D are cross-sectional views illustrating a manufacturing method of forming a bank of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and methods of achieving them, will become clear with reference to the detailed description of the following embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, and only the present embodiments make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the holder of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are illustrative, so the present invention is not limited to the details shown. Like reference numbers designate like elements throughout the specification. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in this specification is used, other parts may be added unless 'only' is used. In the case where a component is expressed in the singular, the case including the plural is included unless otherwise explicitly stated.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, even if there is no separate explicit description, it is interpreted as including the error range.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of a positional relationship, for example, 'on top of', 'on top of', 'at the bottom of', 'next to', etc. Or, unless 'directly' is used, one or more other parts may be located between the two parts.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, 'immediately' or 'directly' when a temporal precedence relationship is described in terms of 'after', 'following', 'next to', 'before', etc. It can also include non-continuous cases unless is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다. Each feature of the various embodiments of the present invention can be partially or entirely combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each embodiment can be implemented independently of each other or can be implemented together in a related relationship. may be

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.5 is a plan view of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5에서는 하나의 서브 화소와 보조 전극만을 나타내었지만, 각 화소는 네 개의 서브 화소로 구비된 발광 영역(Emissive Area; EA) 및 투과 영역(Transmissive Area; TA)을 포함하여 이루어질 수 있다.Although only one sub-pixel and an auxiliary electrode are shown in FIG. 5 , each pixel may include an emissive area (EA) and a transmissive area (TA) provided with four sub-pixels.

또한, 네 개의 서브 화소는 각각 적색(R), 백색(W), 청색(B), 및 녹색(G)을 발광하는 화소로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 이하 각각의 구성에 대해서 상세히 설명하기로 한다.In addition, each of the four sub-pixels may include pixels emitting red (R), white (W), blue (B), and green (G), but are not necessarily limited thereto. Hereinafter, each configuration will be described in detail.

상기 화소의 액티브 영역에는 박막 트랜지스터(T), 제1애노드 전극(180), 제1보조 전극(190), 제2애노드 전극(200), 제2보조 전극(210) 및 캐소드 전극(240)이 형성되어 있다.A thin film transistor T, a first anode electrode 180, a first auxiliary electrode 190, a second anode electrode 200, a second auxiliary electrode 210, and a cathode electrode 240 are formed in the active region of the pixel. is formed

상기 박막 트랜지스터(T)는 게이트 라인(미도시)으로부터의 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인(미도시)으로부터의 데이터 신호를 상기 제1애노드 전극(180)에 공급한다.The thin film transistor T supplies a data signal from a data line (not shown) to the first anode electrode 180 in response to a gate signal from a gate line (not shown).

상기 제1애노드 전극(180)은 액티브 영역의 발광 영역 내에 형성된다. 상기 제1애노드 전극(180)은 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터(T)의 소스 전극(미도시)과 연결되어, 상기 박막 트랜지스터(T)로부터 데이터 신호를 공급받는다.The first anode electrode 180 is formed in the light emitting area of the active area. The first anode electrode 180 is connected to a source electrode (not shown) of the thin film transistor T through a contact hole, and receives a data signal from the thin film transistor T.

상기 제1보조 전극(190)은 상기 제1애노드 전극(180)과 이격되도록 형성된다. 상기 제1보조 전극(190)은 후술하는 제2보조 전극(210)과 함께 캐소드 전극(240)에 연결되어 상기 캐소드 전극(240)의 저항을 낮춘다. 상기 제1보조 전극(190)은 상기 제1애노드 전극(180)과 동일한 층에 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이 경우 상기 제1보조 전극(190)과 제1애노드 전극(180)을 동일한 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 장점이 있다.The first auxiliary electrode 190 is formed to be spaced apart from the first anode electrode 180 . The first auxiliary electrode 190 is connected to the cathode electrode 240 together with the second auxiliary electrode 210 to be described later to lower the resistance of the cathode electrode 240 . The first auxiliary electrode 190 may be formed of the same material and the same thickness as the first anode electrode 180 on the same layer. In this case, the first auxiliary electrode 190 and the first anode electrode 180 There is an advantage that can be formed simultaneously through the same process.

상기 제2애노드 전극(200)은 각 서브 화소의 발광 영역 내에 형성된다. 상기 제2애노드 전극(200)은 콘택홀을 통해 상기 제1애노드 전극(180)과 연결되어, 상기 제1애노드 전극(180)으로부터 데이터 신호를 공급받는다.The second anode electrode 200 is formed in the light emitting area of each sub-pixel. The second anode electrode 200 is connected to the first anode electrode 180 through a contact hole and receives a data signal from the first anode electrode 180 .

상기 제2보조 전극(210)은 상기 제2애노드 전극(200)과 이격되도록 상기 제1보조 전극(190) 상에 형성된다. 상기 제2보조 전극(210)은 콘택홀을 통해서 상기 제1보조 전극(190)에 연결되고, 상기 제1보조 전극(190)과 함께 상기 캐소드 전극(240)에 연결되어 상기 캐소드 전극(240)의 저항을 낮춘다. 상기 제2보조 전극(210)은 상기 제2애노드 전극(200)과 동일한 층에 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이 경우 상기 제2보조 전극(210)을 상기 제2애노드 전극(200)과 동일한 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 장점이 있다.The second auxiliary electrode 210 is formed on the first auxiliary electrode 190 to be spaced apart from the second anode electrode 200 . The second auxiliary electrode 210 is connected to the first auxiliary electrode 190 through a contact hole, and is connected to the cathode electrode 240 together with the first auxiliary electrode 190 to form the cathode electrode 240. lower the resistance of The second auxiliary electrode 210 may be formed of the same material and the same thickness on the same layer as the second anode electrode 200. In this case, the second auxiliary electrode 210 may be formed of the second anode electrode 200. ) and has the advantage of being able to be formed simultaneously through the same process.

전술한 바와 같이 투명 유기 발광 표시는 발광 영역과 투과 영역을 포함하는데, 투과 영역의 개구율에 영향을 미치지 않도록 상기 제2보조 전극(210)은 게이트 라인(미도시)과 센싱 라인(미도시)과 같은 배선의 상부에 위치할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예에서 상기 제2보조 전극(210)은 화소 영역들 사이에 형성될 수 있으나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니므로 개구율에 영향을 미치지 않는 영역이라면 어디든지 형성될 수 있다.As described above, the transparent organic light emitting display includes an emission area and a transmissive area. The second auxiliary electrode 210 includes a gate line (not shown) and a sensing line (not shown) so as not to affect the aperture ratio of the transmissive area. It can be located on top of the same wire. That is, in the embodiment of the present invention, the second auxiliary electrode 210 may be formed between pixel areas, but the present invention is not limited thereto and may be formed anywhere as long as it does not affect the aperture ratio.

상기 캐소드 전극(240)은 발광 영역 및 투과 영역을 포함하는 화소 영역 및 화소 영역들 사이를 포함하는 전 영역에 형성된다. 상기 캐소드 전극(240)은 구동 전원 공급부(미도시)에 접속되어 구동 전원을 공급받는다.The cathode electrode 240 is formed in a pixel area including an emission area and a transmission area and an entire area including between pixel areas. The cathode electrode 240 is connected to a driving power supply unit (not shown) to receive driving power.

도 6은 도 5에 도시된 “A-A” 라인을 따라 절취한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 구체적으로 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 제2보조 전극(210)이 형성된 길이 방향에 평행하게 절취한 단면을 포함한다. 이 때, 길이 방향이란 제2보조 전극(210)의 장축 방향을 의미한다.FIG. 6 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment taken along line “A-A” shown in FIG. 5 . Specifically, FIG. 6 includes a cross-section of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment cut parallel to a longitudinal direction in which the second auxiliary electrode 210 is formed. In this case, the longitudinal direction means the direction of the major axis of the second auxiliary electrode 210 .

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(100) 상에 구비된 액티브 영역(Active Area, AA) 및 패드 영역(미도시)을 포함하여 이루어진다.As shown in FIG. 6 , the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment includes an active area (AA) and a pad area (not shown) provided on a substrate 100 .

상기 기판(100) 상의 액티브 영역(AA)에는 박막 트랜지스터층(T), 패시베이션층(165), 제1평탄화층(171), 제1애노드 전극(180)과 제1보조 전극(190), 제2평탄화층(172), 제2애노드 전극(200)과 제2보조 전극(210), 뱅크(220), 유기 발광층(230), 및 캐소드 전극(240)이 형성되어 있다.In the active area AA on the substrate 100, the thin film transistor layer T, the passivation layer 165, the first planarization layer 171, the first anode electrode 180 and the first auxiliary electrode 190, the first A second planarization layer 172, a second anode electrode 200, a second auxiliary electrode 210, a bank 220, an organic emission layer 230, and a cathode electrode 240 are formed.

상기 박막 트랜지스터층(T)은 액티브층(110), 게이트 절연막(120), 게이트 전극(130), 층간 절연막(140), 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)을 포함하여 이루어진다.The thin film transistor layer T includes an active layer 110 , a gate insulating layer 120 , a gate electrode 130 , an interlayer insulating layer 140 , a source electrode 150 and a drain electrode 160 .

상기 액티브층(110)은 상기 게이트 전극(130)과 중첩되도록 상기 기판(100) 상에 형성된다. 상기 액티브층(110)은 실리콘계 반도체 물질로 이루어질 수도 있고 산화물계 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 도시하지는 않았지만, 상기 기판(100)과 상기 액티브층(110) 사이에 차광막이 추가로 형성될 수 있으며, 이 경우 상기 기판(100)의 하면을 통해서 입사되는 외부광이 상기 차광막에 의해서 차단됨으로써 상기 액티브층(110)이 외부광에 의해서 손상되는 문제가 방지될 수 있다.The active layer 110 is formed on the substrate 100 to overlap the gate electrode 130 . The active layer 110 may be made of a silicon-based semiconductor material or an oxide-based semiconductor material. Although not shown, a light blocking film may be additionally formed between the substrate 100 and the active layer 110. In this case, external light incident through the lower surface of the substrate 100 is blocked by the light blocking film, A problem that the active layer 110 is damaged by external light can be prevented.

상기 게이트 절연막(120)은 상기 액티브층(110) 상에 형성된다. 상기 게이트 절연막(120)은 상기 액티브층(110)과 게이트 전극(130)을 절연시키는 기능을 수행한다. 상기 게이트 절연막(120)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중막으로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 게이트 절연막(120)은 투과 영역을 포함하는 화소 영역 전체까지 연장될 수 있다.The gate insulating layer 120 is formed on the active layer 110 . The gate insulating layer 120 serves to insulate the active layer 110 from the gate electrode 130 . The gate insulating layer 120 may be formed of an inorganic insulating material, such as silicon oxide (SiOX), silicon nitride (SiNX), or a multilayer thereof, but is not necessarily limited thereto. The gate insulating layer 120 may extend to the entire pixel area including the transmissive area.

상기 게이트 전극(130)은 상기 게이트 절연막(120) 상에 형성된다. 상기 게이트 전극(130)은 상기 게이트 절연막(120)을 사이에 두고 상기 액티브층(110)과 중첩되도록 형성된다. 상기 게이트 전극(130)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.The gate electrode 130 is formed on the gate insulating layer 120 . The gate electrode 130 is formed to overlap the active layer 110 with the gate insulating layer 120 interposed therebetween. The gate electrode 130 is any one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu) or It may be a single layer or multi-layer made of these alloys, but is not necessarily limited thereto.

상기 층간 절연막(140)은 상기 게이트 전극(130) 상에 형성된다. 상기 층간 절연막(140)은 상기 게이트 절연막(120)과 동일한 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 층간 절연막(140)은 상기 투과 영역을 포함하는 화소 영역 전체까지 연장될 수 있다.The interlayer insulating layer 140 is formed on the gate electrode 130 . The interlayer insulating film 140 may be formed of the same inorganic insulating material as the gate insulating film 120, for example, silicon oxide (SiOX), silicon nitride (SiNX), or a multilayer thereof, but is not necessarily limited thereto. no. The interlayer insulating layer 140 may extend to the entire pixel area including the transmission area.

상기 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)은 상기 층간 절연막(140) 상에서 서로 마주하도록 형성된다. 전술한 게이트 절연막(120)과 층간 절연막(140)에는 상기 액티브층(110)의 일단 영역을 노출시키는 제1콘택홀(CH1) 및 상기 액티브층(110)의 타단 영역을 노출시키는 제2콘택홀(CH2)이 구비되어 있고, 상기 소스 전극(150)은 상기 제2콘택홀(CH2)을 통해서 상기 액티브층(110)의 타단 영역과 연결되고, 상기 드레인 전극(160)은 상기 제1콘택홀(CH1)을 통해서 상기 액티브층(110)의 일단 영역과 연결된다.The source electrode 150 and the drain electrode 160 are formed to face each other on the interlayer insulating layer 140 . In the aforementioned gate insulating layer 120 and interlayer insulating layer 140, a first contact hole CH1 exposing one end region of the active layer 110 and a second contact hole exposing the other end region of the active layer 110 (CH2) is provided, the source electrode 150 is connected to the other end region of the active layer 110 through the second contact hole (CH2), and the drain electrode 160 is connected to the first contact hole (CH2). It is connected to one end of the active layer 110 through (CH1).

상기 소스 전극(150)은 하부 소스 전극(151) 및 상부 소스 전극(152)을 포함하여 이루어질 수 있다. The source electrode 150 may include a lower source electrode 151 and an upper source electrode 152 .

상기 하부 소스 전극(151)은 상기 층간 절연막(140)과 상기 상부 소스 전극(152) 사이에 형성되어 상기 층간 절연막(140)과 상기 상부 소스 전극(152) 사이의 접착력을 증진시키는 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 하부 소스 전극(151)은 상기 상부 소스 전극(152)의 하면을 보호함으로써 상기 상부 소스 전극(152)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 하부 소스 전극(151)의 산화도는 상기 상부 소스 전극(152)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 하부 소스 전극(151)을 이루는 물질이 상기 상부 소스 전극(152)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 상기 하부 소스 전극(151)은 접착력 증진층 또는 부식 방지층의 역할을 수행하는 것으로서, 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The lower source electrode 151 may be formed between the interlayer insulating film 140 and the upper source electrode 152 to increase adhesion between the interlayer insulating film 140 and the upper source electrode 152. there is. In addition, the lower source electrode 151 may prevent the lower surface of the upper source electrode 152 from being corroded by protecting the lower surface of the upper source electrode 152 . Accordingly, the oxidation degree of the lower source electrode 151 may be smaller than that of the upper source electrode 152 . That is, a material constituting the lower source electrode 151 may be made of a material having stronger corrosion resistance than a material constituting the upper source electrode 152 . As such, the lower source electrode 151 serves as an adhesion promoting layer or an anti-corrosion layer, and may be made of an alloy of molybdenum and titanium (MoTi), but is not necessarily limited thereto.

상기 상부 소스 전극(152)은 상기 하부 소스 전극(151)의 상면에 형성된다. 상기 상부 소스 전극(152)은 저항이 낮은 금속인 구리(Cu)로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 상부 소스 전극(152)은 상기 하부 소스 전극(151)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 상기 소스 전극(150)의 전체 저항을 줄이기 위해서 상기 상부 소스 전극(152)의 두께는 상기 하부 소스 전극(151)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직할 수 있다. The upper source electrode 152 is formed on the upper surface of the lower source electrode 151 . The upper source electrode 152 may be made of copper (Cu), a metal having low resistance, but is not necessarily limited thereto. The upper source electrode 152 may be made of a metal having relatively lower resistance than the lower source electrode 151 . In order to reduce the total resistance of the source electrode 150, the thickness of the upper source electrode 152 may be formed thicker than the thickness of the lower source electrode 151.

상기 드레인 전극(160)은 전술한 소스 전극(150)과 유사하게 하부 드레인 전극(161) 및 상부 드레인 전극(162)을 포함하여 이루어질 수 있다. The drain electrode 160 may include a lower drain electrode 161 and an upper drain electrode 162 similarly to the aforementioned source electrode 150 .

상기 하부 드레인 전극(161)은 상기 층간 절연막(140)과 상기 상부 드레인 전극(162) 사이에 형성되어 상기 층간 절연막(140)과 상기 상부 드레인 전극(162) 사이의 접착력을 증진시키는 역할을 수행하며 또한 상기 상부 드레인 전극(162)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 하부 드레인 전극(161)의 산화도는 상기 상부 드레인 전극(162)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 하부 드레인 전극(161)을 이루는 물질이 상기 상부 드레인 전극(162)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 상기 하부 드레인 전극(161)은 전술한 하부 소스 전극(151)과 동일한 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The lower drain electrode 161 is formed between the interlayer insulating film 140 and the upper drain electrode 162 to enhance adhesion between the interlayer insulating film 140 and the upper drain electrode 162, In addition, corrosion of the lower surface of the upper drain electrode 162 can be prevented. Accordingly, the oxidation degree of the lower drain electrode 161 may be smaller than that of the upper drain electrode 162 . That is, the material forming the lower drain electrode 161 may be made of a material having stronger corrosion resistance than the material forming the upper drain electrode 162 . In this way, the lower drain electrode 161 may be formed of the same alloy of molybdenum and titanium (MoTi) as the aforementioned lower source electrode 151, but is not necessarily limited thereto.

상기 상부 드레인 전극(162)은 상기 하부 드레인 전극(161)의 상면에 형성되며, 전술한 상부 소스 전극(152)과 동일한 구리(Cu)로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 상부 드레인 전극(162)의 두께는 상기 하부 드레인 전극(161)의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 상기 드레인 전극(160)의 전체 저항을 줄이는데 바람직할 수 있다. The upper drain electrode 162 is formed on the upper surface of the lower drain electrode 161 and may be made of the same copper (Cu) as the upper source electrode 152 described above, but is not necessarily limited thereto. It may be preferable to reduce the total resistance of the drain electrode 160 when the thickness of the upper drain electrode 162 is thicker than that of the lower drain electrode 161 .

상기 상부 드레인 전극(162)은 상기 상부 소스 전극(152)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있고, 상기 하부 드레인 전극(161)은 상기 하부 소스 전극(151)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이 경우 드레인 전극(160)과 소스 전극(150)을 동일한 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 장점이 있다. The upper drain electrode 162 may be formed of the same material and thickness as the upper source electrode 152, and the lower drain electrode 161 may be formed of the same material and thickness as the lower source electrode 151. In this case, there is an advantage in that the drain electrode 160 and the source electrode 150 can be simultaneously formed through the same process.

이상과 같은 박막 트랜지스터층(T)의 구성은 도시된 구조로 한정되지 않고, 당업자에게 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다. 예로서, 도면에는 게이트 전극(130)이 액티브층(110)의 위에 형성되는 탑 게이트 구조(Top Gate) 구조를 도시하였지만, 게이트 전극(130)이 액티브층(110)의 아래에 형성되는 바텀 게이트 구조(Bottom Gate) 구조로 이루어질 수도 있다.The configuration of the thin film transistor layer T as described above is not limited to the illustrated structure, and may be variously modified with configurations known to those skilled in the art. As an example, although the figure shows a top gate structure in which the gate electrode 130 is formed on the active layer 110, the bottom gate structure in which the gate electrode 130 is formed under the active layer 110 is shown. It may also consist of a bottom gate structure.

상기 패시베이션층(165)은 상기 박막 트랜지스터층(T) 상에, 보다 구체적으로는, 상기 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)의 상면 상에 형성되어 있다. 상기 패시베이션층(165)은 상기 박막 트랜지스터층(T)을 보호하는 기능을 하며, 이와 같은 패시베이션층(165)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX) 또는 실리콘 질화막(SiNX)으로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 패시베이션층(165)은 투과 영역을 포함하는 화소 영역 전체까지 연장될 수 있다.The passivation layer 165 is formed on the thin film transistor layer T, more specifically, on the upper surfaces of the source electrode 150 and the drain electrode 160. The passivation layer 165 serves to protect the thin film transistor layer T, and the passivation layer 165 may be made of an inorganic insulating material, such as silicon oxide (SiOX) or silicon nitride (SiNX). However, it is not necessarily limited thereto. The passivation layer 165 may extend to the entire pixel area including the transmission area.

상기 제1평탄화층(171)은 상기 패시베이션층(165) 상에 형성된다. 상기 제1평탄화층(171)은 상기 박막 트랜지스터(T)가 구비되어 있는 상기 기판(100) 상부를 평탄하게 해주는 기능을 수행한다. 상기 제1평탄화층(171)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 절연물로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1평탄화층(171)은 상기 투과 영역을 포함하는 화소 영역 전체까지 연장될 수 있다.The first planarization layer 171 is formed on the passivation layer 165 . The first planarization layer 171 performs a function of flattening the upper portion of the substrate 100 on which the thin film transistor T is provided. The first flattening layer 171 is made of an organic insulating material such as acrylic resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamide resin, or polyimide resin. It may be made, but is not necessarily limited thereto. The first flattening layer 171 may extend to the entire pixel area including the transmission area.

상기 제1애노드 전극(180)과 상기 제1보조 전극(190)은 상기 제1평탄화층(171) 상에 형성되어 있다. 즉, 상기 제1애노드 전극(180)과 상기 제1보조 전극(190)은 동일한 층에 형성된다. 전술한 패시베이션층(165)과 제1평탄화층(171)에는 상기 소스 전극(150)을 노출시키는 제3콘택홀(CH3)이 구비되어 있으며, 상기 제3콘택홀(CH3)을 통하여 상기 소스 전극(150)과 상기 제1애노드 전극(180)이 연결된다.The first anode electrode 180 and the first auxiliary electrode 190 are formed on the first planarization layer 171 . That is, the first anode electrode 180 and the first auxiliary electrode 190 are formed on the same layer. The aforementioned passivation layer 165 and the first planarization layer 171 are provided with a third contact hole CH3 exposing the source electrode 150, and the source electrode through the third contact hole CH3. 150 and the first anode electrode 180 are connected.

상기 제1애노드 전극(180)은 제1하부 애노드 전극(181), 제1상부 애노드 전극(182), 및 제1커버 애노드 전극(183)을 포함하여 이루어질 수 있다.The first anode electrode 180 may include a first lower anode electrode 181 , a first upper anode electrode 182 , and a first cover anode electrode 183 .

상기 제1하부 애노드 전극(181)은 상기 제1평탄화층(171)과 상기 제1상부 애노드 전극(182) 사이에 형성되어 상기 제1평탄화층(171)과 상기 제1상부 애노드 전극(182) 사이의 접착력을 증진시키는 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 제1하부 애노드 전극(181)은 상기 제1상부 애노드 전극(182)의 하면을 보호함으로써 상기 제1상부 애노드 전극(182)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 제1하부 애노드 전극(181)의 산화도는 상기 제1상부 애노드 전극(182)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 제1하부 애노드 전극(181)을 이루는 물질이 상기 제1상부 애노드 전극(182)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. The first lower anode electrode 181 is formed between the first planarization layer 171 and the first upper anode electrode 182 to form the first planarization layer 171 and the first upper anode electrode 182. It can play a role in enhancing the adhesion between them. In addition, the first lower anode electrode 181 can prevent the lower surface of the first upper anode electrode 182 from being corroded by protecting the lower surface of the first upper anode electrode 182 . Accordingly, the oxidation degree of the first lower anode electrode 181 may be smaller than that of the first upper anode electrode 182 . That is, the material forming the first lower anode electrode 181 may be made of a material having stronger corrosion resistance than the material forming the first upper anode electrode 182 .

또한, 상기 제1하부 애노드 전극(181)은 상기 소스 전극(150)의 상면을 보호함으로써 상기 소스 전극(150)의 상면이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 제1하부 애노드 전극(181)의 산화도는 상기 소스 전극(150)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 제1하부 애노드 전극(181)을 이루는 물질이 상기 소스 전극(150)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 상기 제1하부 애노드 전극(181)이 상기 소스 전극(150)의 상면 부식을 방지할 수 있기 때문에, 상기 소스 전극(150)을 2층 구조로 형성하는 것이 가능하다. 상기 제1하부 애노드 전극(181)은 접착력 증진층 또는 부식 방지층의 역할을 수행하는 것으로서, 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.In addition, the first lower anode electrode 181 protects the upper surface of the source electrode 150 to prevent the upper surface of the source electrode 150 from being corroded. Accordingly, the oxidation degree of the first lower anode electrode 181 may be smaller than that of the source electrode 150 . That is, the material constituting the first lower anode electrode 181 may be made of a material having stronger corrosion resistance than the material constituting the source electrode 150 . In this way, since the first lower anode electrode 181 can prevent top surface corrosion of the source electrode 150, it is possible to form the source electrode 150 in a two-layer structure. The first lower anode electrode 181 serves as an adhesion promoting layer or an anti-corrosion layer, and may be made of an alloy of molybdenum and titanium (MoTi), but is not necessarily limited thereto.

상기 제1상부 애노드 전극(182)은 상기 제1하부 애노드 전극(181)과 상기 제1커버 애노드 전극(183) 사이에 형성된다. 상기 제1상부 애노드 전극(182)은 저항이 낮은 금속인 구리(Cu)로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1상부 애노드 전극(182)은 상기 제1하부 애노드 전극(181) 및 상기 제1커버 애노드 전극(183)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 상기 제1애노드 전극(180)의 전체 저항을 줄이기 위해서 상기 제1상부 애노드 전극(182)의 두께는 상기 제1하부 애노드 전극(181) 및 상기 제1커버 애노드 전극(183) 각각의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 바람직할 수 있다.The first upper anode electrode 182 is formed between the first lower anode electrode 181 and the first cover anode electrode 183 . The first upper anode electrode 182 may be made of copper (Cu), a metal having low resistance, but is not necessarily limited thereto. The first upper anode electrode 182 may be made of a metal having relatively low resistance compared to the first lower anode electrode 181 and the first cover anode electrode 183 . In order to reduce the total resistance of the first anode electrode 180, the thickness of the first upper anode electrode 182 is thicker than that of each of the first lower anode electrode 181 and the first cover anode electrode 183. It may be desirable to form

상기 제1커버 애노드 전극(183)은 상기 제1상부 애노드 전극(182) 상에 형성되어 있다. 상기 제1커버 애노드 전극(183)은 상기 제1상부 애노드 전극(182)의 상면 및 측면을 덮도록 형성됨으로써 상기 제1상부 애노드 전극(182)이 부식되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 제1커버 애노드 전극(183)의 산화도는 상기 제1상부 애노드 전극(182)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 제1커버 애노드 전극(183)을 이루는 물질이 상기 제1상부 애노드 전극(182)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다.The first cover anode electrode 183 is formed on the first upper anode electrode 182 . The first cover anode electrode 183 is formed to cover the upper and side surfaces of the first upper anode electrode 182, thereby preventing the first upper anode electrode 182 from being corroded. Accordingly, the oxidation degree of the first cover anode electrode 183 may be smaller than that of the first upper anode electrode 182 . That is, the material constituting the first cover anode electrode 183 may be made of a material having stronger corrosion resistance than the material constituting the first upper anode electrode 182 .

또한, 상기 제1커버 애노드 전극(183)은 상기 제1하부 애노드 전극(181)의 측면까지 덮도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 제1커버 애노드 전극(183)의 산화도는 상기 제1하부 애노드 전극(181)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 제1커버 애노드 전극(183)을 이루는 물질이 상기 제1하부 애노드 전극(181)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같은 제1커버 애노드 전극(183)은 ITO와 같은 투명 도전물로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.In addition, the first cover anode electrode 183 may be formed to cover even the side surface of the first lower anode electrode 181 . In this case, the degree of oxidation of the first cover anode electrode 183 may be smaller than that of the first lower anode electrode 181 . That is, the material constituting the first cover anode electrode 183 may be made of a material having stronger corrosion resistance than the material constituting the first lower anode electrode 181 . The first cover anode electrode 183 may be made of a transparent conductive material such as ITO, but is not necessarily limited thereto.

상기 제1보조 전극(190)은 전술한 제1애노드 전극(180)과 유사하게 제1하부 보조 전극(191), 제1상부 보조 전극(192), 및 제1커버 보조 전극(193)을 포함하여 이루어질 수 있다.Similar to the first anode electrode 180 described above, the first auxiliary electrode 190 includes a first lower auxiliary electrode 191, a first upper auxiliary electrode 192, and a first cover auxiliary electrode 193. It can be done by

상기 제1하부 보조 전극(191)은 상기 제1평탄화층(171)과 상기 제1상부 보조 전극(192) 사이에 형성되어 상기 제1평탄화층(171)과 상기 제1상부 보조 전극(192) 사이의 접착력을 증진시키는 역할을 수행하며 또한 상기 제1상부 보조 전극(192)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 제1하부 보조 전극(191)의 산화도는 상기 제1상부 보조 전극(192)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 제1하부 보조 전극(191)을 이루는 물질이 상기 제1상부 보조 전극(192)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같이, 상기 제1하부 보조 전극(191)은 전술한 제1하부 애노드 전극(181)과 동일한 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.The first lower auxiliary electrode 191 is formed between the first flattening layer 171 and the first upper auxiliary electrode 192 so that the first flattening layer 171 and the first upper auxiliary electrode 192 It serves to increase adhesion between the electrodes and prevents corrosion of the lower surface of the first upper auxiliary electrode 192 . Accordingly, the oxidation degree of the first lower auxiliary electrode 191 may be smaller than that of the first upper auxiliary electrode 192 . That is, the material forming the first lower auxiliary electrode 191 may be made of a material having stronger corrosion resistance than the material forming the first upper auxiliary electrode 192 . In this way, the first lower auxiliary electrode 191 may be made of the same alloy of molybdenum and titanium (MoTi) as the first lower anode electrode 181 described above, but is not necessarily limited thereto.

상기 제1상부 보조 전극(192)은 상기 제1하부 보조 전극(191)과 제1커버 보조 전극(193) 사이에 형성되며, 전술한 제1상부 애노드 전극(182)과 동일한 구리(Cu)로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상대적으로 저항이 낮은 제1상부 보조 전극(192)의 두께는 상대적으로 저항이 높은 제1하부 보조 전극(191) 및 제1커버 보조 전극(193) 각각의 두께보다 두껍게 형성되는 것이 제1보조 전극(190)의 전체 저항을 줄일 수 있어 바람직하다.The first upper auxiliary electrode 192 is formed between the first lower auxiliary electrode 191 and the first cover auxiliary electrode 193 and is made of the same copper (Cu) as the first upper anode electrode 182 described above. It can be made, but is not necessarily limited thereto. The thickness of the first upper auxiliary electrode 192 having a relatively low resistance is thicker than each of the first lower auxiliary electrode 191 and the first cover auxiliary electrode 193 having a relatively high resistance. It is preferable because the total resistance of (190) can be reduced.

상기 제1커버 보조 전극(193)은 상기 제1상부 보조 전극(192) 상에 형성되어 있다. 상기 제1커버 보조 전극(193)은 상기 제1상부 보조 전극(192)의 상면 및 측면을 덮도록 형성됨으로써 상기 제1상부 보조 전극(192)이 부식되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 제1커버 보조 전극(193)의 산화도는 상기 제1상부 보조 전극(192)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 제1커버 보조 전극(193)을 이루는 물질이 상기 제1상부 보조 전극(192)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다.The first cover auxiliary electrode 193 is formed on the first upper auxiliary electrode 192 . The first cover auxiliary electrode 193 is formed to cover the upper and side surfaces of the first upper auxiliary electrode 192, thereby preventing the first upper auxiliary electrode 192 from being corroded. Accordingly, the oxidation degree of the first cover auxiliary electrode 193 may be smaller than that of the first upper auxiliary electrode 192 . That is, the material forming the first cover auxiliary electrode 193 may be made of a material having stronger corrosion resistance than the material forming the first upper auxiliary electrode 192 .

또한, 상기 제1커버 보조 전극(193)은 상기 제1하부 보조 전극(191)의 측면까지 덮도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 제1커버 보조 전극(193)의 산화도는 상기 제1하부 보조 전극(191)의 산화도보다 작을 수 있다. 즉, 상기 제1커버 보조 전극(193)을 이루는 물질이 상기 제1하부 보조 전극(191)을 이루는 물질보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다. 이와 같은 제1커버 보조 전극(193)은 ITO와 같은 투명 도전물로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.Also, the first cover auxiliary electrode 193 may be formed to cover even the side surface of the first lower auxiliary electrode 191 . In this case, the oxidation degree of the first cover auxiliary electrode 193 may be smaller than the oxidation degree of the first lower auxiliary electrode 191 . That is, the material forming the first cover auxiliary electrode 193 may be made of a material having stronger corrosion resistance than the material forming the first lower auxiliary electrode 191 . The first cover auxiliary electrode 193 may be made of a transparent conductive material such as ITO, but is not necessarily limited thereto.

상기 제1커버 보조 전극(193)은 상기 제1커버 애노드 전극(183)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있고, 상기 제1상부 보조 전극(192)은 상기 제1상부 애노드 전극(182)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있고, 상기 제1하부 보조 전극(191)은 상기 제1하부 애노드 전극(181)과 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이 경우 제1보조 전극(190)과 제1애노드 전극(180)을 동일한 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 장점이 있다.The first cover auxiliary electrode 193 may be formed of the same material and the same thickness as the first cover anode electrode 183, and the first upper auxiliary electrode 192 may be formed of the first upper anode electrode 182 The first lower auxiliary electrode 191 may be formed of the same material and the same thickness as the first lower anode electrode 181, and in this case, the first auxiliary electrode ( 190) and the first anode electrode 180 can be formed simultaneously through the same process.

상기 제2평탄화층(172)은 상기 제1애노드 전극(180)과 제1보조 전극(190) 상에 형성된다. 상기 제2평탄화층(172)은 전술한 제1평탄화층(171)과 함께 기판(100) 상부를 평탄하게 해주는 기능을 수행한다. 상기 제2평탄화층(172)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 절연물로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2평탄화층(172)은 상기 투과 영역을 포함하는 화소 영역 전체까지 연장될 수 있다.The second planarization layer 172 is formed on the first anode electrode 180 and the first auxiliary electrode 190 . The second planarization layer 172 serves to flatten the top of the substrate 100 together with the first planarization layer 171 described above. The second flattening layer 172 is made of an organic insulating material such as acrylic resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamide resin, or polyimide resin. It may be made, but is not necessarily limited thereto. The second flattening layer 172 may extend to the entire pixel area including the transmission area.

상기 제2평탄화층(172)에는 제4콘택홀(CH4)과 제5 콘택홀(CH5)이 구비되어 있다. 상기 제4콘택홀(CH4)에 의해서 상기 제1애노드 전극(180)이 노출되고, 상기 제5 콘택홀(CH5)에 의해서 제1보조 전극(190)이 노출된다.The second planarization layer 172 includes a fourth contact hole CH4 and a fifth contact hole CH5. The first anode electrode 180 is exposed through the fourth contact hole CH4 , and the first auxiliary electrode 190 is exposed through the fifth contact hole CH5 .

상기 제2애노드 전극(200)은 상기 제2평탄화층(172) 상에 형성된다. 상기 제2애노드 전극(200)은 상기 제4콘택홀(CH4)을 통해서 상기 제1애노드 전극(180)과 연결된다. 상기 제2애노드 전극(200)은 상기 유기 발광층(230)에서 발광된 광을 상부 방향으로 반사시키는 역할을 하며, 따라서, 반사도가 우수한 물질을 포함하여 이루어진다. The second anode electrode 200 is formed on the second planarization layer 172 . The second anode electrode 200 is connected to the first anode electrode 180 through the fourth contact hole CH4. The second anode electrode 200 serves to reflect the light emitted from the organic light emitting layer 230 upward, and thus includes a material having excellent reflectivity.

본 발명의 일 실시예에서는 상기 제2애노드 전극(200)을 단일층으로 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니므로 상기 제2애노드 전극(200)은 상부 전극 및 하부 전극을 포함하는 이중층 또는 상부 전극, 중앙 전극 및 하부 전극을 포함하는 삼중층으로 형성될 수도 있을 것이다.In one embodiment of the present invention, the second anode electrode 200 is shown as a single layer, but the present invention is not limited thereto, so the second anode electrode 200 is a double layer including an upper electrode and a lower electrode, or It may be formed as a triple layer including an upper electrode, a central electrode, and a lower electrode.

상기 제2보조 전극(210)은 상기 제2애노드 전극(200)과 동일하게 상기 제2평탄화층(172) 상에 형성된다. 상기 제2보조 전극(210)은 상기 제5콘택홀(CH5)을 통해서 상기 제1보조 전극(190)과 연결된다. 상기 제2보조 전극(210)은 상기 제1보조 전극(190)과 함께 상기 캐소드 전극(240)의 저항을 낮추는 역할을 한다.The second auxiliary electrode 210 is formed on the second planarization layer 172 in the same manner as the second anode electrode 200 . The second auxiliary electrode 210 is connected to the first auxiliary electrode 190 through the fifth contact hole CH5. The second auxiliary electrode 210 serves to lower the resistance of the cathode electrode 240 together with the first auxiliary electrode 190 .

본 발명의 일 실시예에서는 상기 제2보조 전극(210)을 단일층으로 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니므로 상기 제2보조 전극(210)은 상부 전극 및 하부 전극을 포함하는 이중층 또는 상부 전극, 중앙 전극 및 하부 전극을 포함하는 삼중층으로 형성될 수도 있을 것이다.In one embodiment of the present invention, the second auxiliary electrode 210 is shown as a single layer, but the present invention is not limited thereto, so the second auxiliary electrode 210 may be a double layer including an upper electrode and a lower electrode, or a double layer including an upper electrode and a lower electrode. It may be formed as a triple layer including an upper electrode, a central electrode, and a lower electrode.

상기 제2애노드 전극(200)과 제2보조 전극(210)은 동일한 물질 및 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이 경우 상기 제2애노드 전극(200)과 제2보조 전극(210)을 동일한 공정을 통해 동시에 형성할 수 있는 장점이 있다.The second anode electrode 200 and the second auxiliary electrode 210 may be formed of the same material and the same thickness. In this case, the second anode electrode 200 and the second auxiliary electrode 210 may be formed by the same process. There is an advantage that can be formed simultaneously through.

본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 캐소드 전극(240)의 저항을 낮추기 위해서 서로 연결되는 제1보조 전극(190)과 제2보조 전극(210)의 2개의 보조 전극을 형성함으로써, 요구되는 보조 전극의 저항 특성을 보다 용이하게 조절할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, in order to lower the resistance of the cathode electrode 240, two auxiliary electrodes, the first auxiliary electrode 190 and the second auxiliary electrode 210 connected to each other are formed, thereby requiring auxiliary electrodes. resistance characteristics can be more easily adjusted.

보다 구체적으로 설명하면, 상기 제2보조 전극(210)은 상기 제2애노드 전극(200)과 동일한 층에 형성되기 때문에 제2보조 전극(210)의 폭을 증가시키면 상기 제2애노드 전극(200)의 폭을 줄여야 하고 그 경우 표시장치의 화소 영역이 줄어드는 단점이 있기 때문에, 상기 제2보조 전극(210)의 폭을 증가시키는 데는 한계가 있다. 이에, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2보조 전극(210) 아래에 상기 제2보조 전극(210)과 연결되는 제1보조 전극(190)을 추가로 형성함으로써 화소 영역이 줄어들지 않으면서도 상기 캐소드 전극(240)의 저항을 효과적으로 낮출 수 있다. More specifically, since the second auxiliary electrode 210 is formed on the same layer as the second anode electrode 200, when the width of the second auxiliary electrode 210 is increased, the second anode electrode 200 There is a limit to increasing the width of the second auxiliary electrode 210 because the width of the second auxiliary electrode 210 has to be reduced, and in this case, the pixel area of the display device is reduced. Therefore, according to an embodiment of the present invention, the first auxiliary electrode 190 connected to the second auxiliary electrode 210 is additionally formed under the second auxiliary electrode 210, so that the pixel area is not reduced. Resistance of the cathode electrode 240 can be effectively lowered.

상기 제1보조 전극(190)은 제1애노드 전극(180)과 동일한 층에 형성되는데, 상기 제1애노드 전극(180)은 상기 소스 전극(150) 및 상기 제2애노드 전극(200) 사이를 연결하는 역할을 하는 것이기 때문에, 상기 제1애노드 전극(180)의 폭을 줄일 수 있고, 그에 따라, 상기 제1보조 전극(190)의 폭을 증가시킬 수 있다. 즉, 상기 제1보조 전극(190)의 폭을 상기 제1애노드 전극(180)의 폭보다 크게 형성할 수 있고, 더 나아가 상기 제1보조 전극(190)이 상기 제2애노드 전극(200)과 오버랩되도록 상기 제1보조 전극(190)의 폭을 증가시킬 수 있으며, 그에 따라 상기 캐소드 전극(240)의 저항을 보다 효과적으로 낮출 수 있다.The first auxiliary electrode 190 is formed on the same layer as the first anode electrode 180, and the first anode electrode 180 connects between the source electrode 150 and the second anode electrode 200. Since it serves to do so, the width of the first anode electrode 180 can be reduced, and accordingly, the width of the first auxiliary electrode 190 can be increased. That is, the width of the first auxiliary electrode 190 may be formed larger than the width of the first anode electrode 180, and furthermore, the first auxiliary electrode 190 may be formed with the second anode electrode 200 The width of the first auxiliary electrode 190 may be increased so as to overlap, and accordingly, the resistance of the cathode electrode 240 may be more effectively lowered.

상기 뱅크(220)는 상기 제2애노드 전극(200) 및 상기 제2보조 전극(210) 상에 형성된다.The bank 220 is formed on the second anode electrode 200 and the second auxiliary electrode 210 .

상기 뱅크(220)는 상기 제2애노드 전극(200)의 상면을 노출시키면서 상기 제2애노드 전극(200)의 일측 및 타측 상에 형성된다. 상기 뱅크(220)가 상기 제2애노드 전극(200)의 상면을 노출시키도록 형성됨으로써 화상이 디스플레이되는 영역을 확보할 수 있다. 또한, 상기 뱅크(220)가 상기 제2애노드 전극(200)의 일측 및 타측 상에 형성됨으로써, 부식에 취약한 상기 제2애노드 전극(200)의 측면이 외부로 노출되는 것이 방지되어 상기 제2애노드 전극(200)의 측면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.The bank 220 is formed on one side and the other side of the second anode electrode 200 while exposing the upper surface of the second anode electrode 200 . Since the bank 220 is formed to expose the upper surface of the second anode electrode 200, an area where an image is displayed can be secured. In addition, since the bank 220 is formed on one side and the other side of the second anode electrode 200, the side surface of the second anode electrode 200, which is vulnerable to corrosion, is prevented from being exposed to the outside, so that the second anode It is possible to prevent the side surface of the electrode 200 from being corroded.

또한, 상기 뱅크(220)는 상기 제2애노드 전극(200)과 상기 제2보조 전극(210) 사이에 형성되어 상기 제2애노드 전극(200)과 상기 제2보조 전극(210)을 서로 절연시킨다.In addition, the bank 220 is formed between the second anode electrode 200 and the second auxiliary electrode 210 to insulate the second anode electrode 200 and the second auxiliary electrode 210 from each other. .

특히, 본 발명의 실시예에 따른 뱅크(220)는 상기 제2보조 전극(210)의 일측 및 타측에 구비된 제1뱅크(220a)와, 상기 제2보조 전극(210)의 상면으로부터 이격되도록 상기 제1뱅크(220b)와 연결된 제2뱅크(220b)를 포함하여 이루어진다. 구체적으로, 상기 제1뱅크(220a)와 상기 제2뱅크(220b)는 상기 제2보조 전극(210)이 형성된 길이 방향의 일측 및 타측에서 서로 연결되고, 상기 제2보조 전극(210)이 형성된 폭 방향의 일측 및 타측에서 서로 이격되어 연결되지 않은 채로 구비된다. 따라서, 상기 제2보조 전극(210)이 형성된 길이 방향에 평행하게 절취한 경우에는 도 6에 도시된 바와 같이 상기 제2뱅크(220b)가 상기 제2보조 전극(210)의 일측 및 타측에서 각각 상기 제1뱅크(220a)와 연결되어 있음을 확인할 수 있다.In particular, the bank 220 according to the embodiment of the present invention is spaced apart from the first bank 220a provided on one side and the other side of the second auxiliary electrode 210 and the upper surface of the second auxiliary electrode 210. It includes a second bank 220b connected to the first bank 220b. Specifically, the first bank 220a and the second bank 220b are connected to each other at one side and the other side in the longitudinal direction where the second auxiliary electrode 210 is formed, and the second auxiliary electrode 210 is formed. They are spaced apart from each other on one side and the other side in the width direction and are provided without being connected. Therefore, when the second auxiliary electrode 210 is cut parallel to the longitudinal direction, as shown in FIG. 6, the second bank 220b is formed on one side and the other side of the second auxiliary electrode 210, respectively. It can be confirmed that it is connected to the first bank 220a.

이 때, 상기 제2보조 전극(210)이 형성된 폭 방향의 일측 및 타측에서 상기 제1뱅크(220a)와 제2뱅크(220b)를 연결한다면, 상기 캐소드 전극(240)은 상기 제2보조 전극(210)의 길이 방향의 일측 및 타측의 좁은 영역을 통해서만 상기 제2보조 전극(210)에 증착될 수 있기 때문에 상기 캐소드 전극(240)과 상기 제2보조 전극(210)이 정상적으로 연결되지 않을 수 있다.At this time, if the first bank 220a and the second bank 220b are connected at one side and the other side in the width direction where the second auxiliary electrode 210 is formed, the cathode electrode 240 is the second auxiliary electrode. Since deposits can be made on the second auxiliary electrode 210 only through narrow areas on one side and the other side of the lengthwise direction of 210, the cathode electrode 240 and the second auxiliary electrode 210 may not be normally connected. there is.

따라서, 본 발명의 실시예에서는 상기 제2보조 전극(210)이 형성된 길이 방향의 일측 및 타측에서 상기 제1뱅크(220a)와 제2뱅크(220b)를 연결하고, 상기 제2보조 전극(210)이 형성된 폭 방향의 일측 및 타측에서 상기 제1뱅크(220a)와 제2뱅크(220b)를 연결하지 않음으로써, 상기 제2보조 전극(210)이 형성된 길이 방향의 넓은 측면을 통해서 상기 캐소드 전극(240)이 상기 제2보조 전극(210)과 연결될 수 있도록 한다. 즉, 상기 캐소드 전극(240)이 상기 제2보조 전극(210)과 연결될 수 있는 영역을 상대적으로 넓게 형성함으로써 상기 캐소드 전극(240)과 상기 제2보조 전극(210)의 정상적인 연결을 구현할 수 있다.Therefore, in the embodiment of the present invention, the first bank 220a and the second bank 220b are connected at one side and the other side in the longitudinal direction where the second auxiliary electrode 210 is formed, and the second auxiliary electrode 210 ) is formed on one side and the other side in the width direction, by not connecting the first bank 220a and the second bank 220b, the cathode electrode is formed through the wide side surface in the longitudinal direction on which the second auxiliary electrode 210 is formed. 240 is connected to the second auxiliary electrode 210. That is, by forming a relatively wide area where the cathode electrode 240 can be connected to the second auxiliary electrode 210, a normal connection between the cathode electrode 240 and the second auxiliary electrode 210 can be implemented. .

그리고, 상기 제2보조 전극(210)의 상면과 상기 제2뱅크(220b) 사이의 이격된 공간을 통해서 상기 제2보조 전극(210)과 상기 캐소드 전극(240)이 서로 전기적으로 연결된다. 이와 같이, 본 발명의 실시예에서는 상기 제2뱅크(220b)가 상기 제2보조 전극(210)으로부터 이격되어 처마(eaves)와 같은 역할을 하도록 형성함으로써, 별도의 격벽을 형성할 필요가 없고 해당 공간을 통해 상기 캐소드 전극(240)이 상기 제2보조 전극(210)과 연결되기 때문에 상기 캐소드 전극(240)의 저항을 낮출 수 있다. 상기 뱅크(220)를 형성하는 구체적인 공정에 대해서는 후술하기로 한다.Also, the second auxiliary electrode 210 and the cathode electrode 240 are electrically connected to each other through a spaced space between the upper surface of the second auxiliary electrode 210 and the second bank 220b. As described above, in the embodiment of the present invention, the second bank 220b is formed to be spaced apart from the second auxiliary electrode 210 to serve as an eaves, so that there is no need to form a separate barrier rib and the corresponding Since the cathode electrode 240 is connected to the second auxiliary electrode 210 through a space, resistance of the cathode electrode 240 may be reduced. A specific process of forming the bank 220 will be described later.

상기 유기 발광층(230)은 상기 제2애노드 전극(200) 상에 형성된다. 상기 유기 발광층(230)은 정공 주입층(Hole Injecting Layer), 정공 수송층(Hole Transporting Layer), 발광층(Emitting Layer), 전자 수송층(Electron Transporting Layer), 및 전자 주입층(Electron Injecting Layer)을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 유기 발광층(230)의 구조는 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다.The organic emission layer 230 is formed on the second anode electrode 200 . The organic light emitting layer 230 includes a hole injecting layer, a hole transporting layer, an emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer, It can be done. The structure of the organic light emitting layer 230 may be changed into various forms known in the art.

상기 유기 발광층(230)은 상기 뱅크(220)의 상면까지 연장될 수 있다. 다만, 상기 유기 발광층(230)은 상기 제2보조 전극(210)의 상면을 가리면서 상기 제2보조 전극(210)의 상면까지 연장되지는 않는다. 상기 유기 발광층(230)이 상기 제2보조 전극(210)의 상면을 가리게 되면 상기 제2보조 전극(210)과 상기 캐소드 전극(240) 사이의 전기적 연결이 어려워지기 때문이다. 전술한 바와 같이, 상기 제2뱅크(220b)가 처마와 같은 역할을 하도록 형성되므로 상기 유기 발광층(230)은 상기 제2보조 전극(210)의 상면을 가리는 마스크 없이 증착 공정을 통해 형성할 수 있다.The organic emission layer 230 may extend to an upper surface of the bank 220 . However, the organic emission layer 230 does not extend to the upper surface of the second auxiliary electrode 210 while covering the upper surface of the second auxiliary electrode 210 . This is because when the organic emission layer 230 covers the upper surface of the second auxiliary electrode 210, electrical connection between the second auxiliary electrode 210 and the cathode electrode 240 becomes difficult. As described above, since the second bank 220b is formed to serve as an eaves, the organic emission layer 230 can be formed through a deposition process without a mask covering the upper surface of the second auxiliary electrode 210. .

상기 캐소드 전극(240)은 상기 유기 발광층(230) 상에 형성되어 있다. 상기 캐소드 전극(240)은 광이 방출되는 면에 형성되기 때문에 투명한 도전물질로 이루어진다. 상기 캐소드 전극(240)은 투명한 도전물질로 이루어지기 때문에 저항이 높게 되고, 따라서 상기 캐소드 전극(240)의 저항을 줄이기 위해서 상기 캐소드 전극(240)은 상기 제2보조 전극(210)과 연결된다. 즉, 상기 캐소드 전극(240)은 상기 제2보조 전극(210)과 상기 제2뱅크(220b) 사이의 이격된 공간을 통해서 상기 제2보조 전극(210)과 연결되어 있다. 상기 캐소드 전극(240)은 스퍼터링(Sputtering)과 같은 증착 물질의 직진성이 좋지 않은 증착 공정을 통해 형성할 수 있기 때문에, 상기 캐소드 전극(240)의 증착 공정시 상기 제2보조 전극(210)과 상기 제2뱅크(220b) 사이의 이격된 공간으로 상기 캐소드 전극(240)이 증착될 수 있다.The cathode electrode 240 is formed on the organic emission layer 230 . Since the cathode electrode 240 is formed on a surface from which light is emitted, it is made of a transparent conductive material. Since the cathode electrode 240 is made of a transparent conductive material, the resistance is high, and thus the cathode electrode 240 is connected to the second auxiliary electrode 210 to reduce the resistance of the cathode electrode 240. That is, the cathode electrode 240 is connected to the second auxiliary electrode 210 through a spaced space between the second auxiliary electrode 210 and the second bank 220b. Since the cathode electrode 240 can be formed through a deposition process in which the straightness of the deposition material is poor, such as sputtering, during the deposition process of the cathode electrode 240, the second auxiliary electrode 210 and the The cathode electrode 240 may be deposited in a spaced apart space between the second banks 220b.

도면에 도시되지는 않았으나, 상기 캐소드 전극(240) 상에는 밀봉층(encapsulation layer)이 추가로 형성되어 수분의 침투를 방지할 수 있다. 상기 밀봉층은 당업계에 공지된 다양한 재료가 이용될 수 있다. 또한, 도시하지는 않았지만, 상기 캐소드 전극(240) 상에 각 화소별로 컬러 필터가 추가로 형성될 수도 있으며, 이 경우에는 상기 유기 발광층(230)에서 화이트(white) 광이 발광될 수 있다.Although not shown in the drawings, an encapsulation layer may be additionally formed on the cathode electrode 240 to prevent penetration of moisture. The sealing layer may use various materials known in the art. Also, although not shown, a color filter may be additionally formed for each pixel on the cathode electrode 240 , and in this case, white light may be emitted from the organic light emitting layer 230 .

도 7은 도 5에 도시된 “B-B” 라인을 따라 절취한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 구체적으로 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 제2보조 전극(210)이 형성된 길이 방향에 수직하게 절취한 단면을 포함한다. 이 때, 길이 방향에 수직한 방향은 제2보조 전극(210)의 단축 방향을 의미한다.FIG. 7 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment taken along line “BB” shown in FIG. 5 . Specifically, FIG. 7 includes a cross-section of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, which is cut perpendicularly to a longitudinal direction in which the second auxiliary electrode 210 is formed. In this case, a direction perpendicular to the longitudinal direction means a direction of a short axis of the second auxiliary electrode 210 .

도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 기판(100) 상에는 게이트 절연막(120), 층간 절연막(140), 패시베이션층(165), 제1평탄화층(171), 제1보조 전극(190), 제2평탄화층(172), 제2보조 전극(210), 뱅크(220), 유기 발광층(230), 및 캐소드 전극(240)이 형성되어 있다. 도면에 도시되지는 않았지만, 상기 제1보조 전극(210) 및 제2보조 전극(210)의 하면 상에는 게이트 라인(미도시) 및 센싱 라인(미도시)과 같은 배선이 구비될 수 있으며, 따라서 상기 제1보조 전극(210) 및 제2보조 전극(210)은 투과 영역의 개구율에 영향을 미치지 않는다.As shown in FIG. 7 , a gate insulating layer 120, an interlayer insulating layer 140, a passivation layer 165, and a first planarization layer 171 are formed on the substrate 100 of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention. ), a first auxiliary electrode 190, a second flattening layer 172, a second auxiliary electrode 210, a bank 220, an organic emission layer 230, and a cathode electrode 240 are formed. Although not shown in the drawing, wiring such as a gate line (not shown) and a sensing line (not shown) may be provided on the lower surfaces of the first auxiliary electrode 210 and the second auxiliary electrode 210, and thus the The first auxiliary electrode 210 and the second auxiliary electrode 210 do not affect the aperture ratio of the transmission region.

상기 게이트 절연막(120), 층간 절연막(140), 패시베이션층(165), 제1평탄화층(171), 제1보조 전극(190), 제2평탄화층(172), 제2보조 전극(210)은 도 6에 따른 유기 발광 표시 장치와 동일하게 적층된 것이므로, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고 이하에서는 상이한 구조로 적층된 구성에 대해서만 설명하기로 한다.The gate insulating film 120, the interlayer insulating film 140, the passivation layer 165, the first planarization layer 171, the first auxiliary electrode 190, the second planarization layer 172, and the second auxiliary electrode 210 Since are stacked in the same manner as the organic light emitting diode display of FIG. 6 , the same reference numerals are assigned to the same components, and only components stacked in different structures will be described below.

상기 뱅크(220)는 상기 제2보조 전극(210)의 일측 및 타측에 구비된 제1뱅크(220a)와, 상기 제2보조 전극(210)의 상면으로부터 이격되도록 상기 제1뱅크(220a)와 연결된 제2뱅크(220b)를 포함하여 이루어진다.The bank 220 includes the first bank 220a provided on one side and the other side of the second auxiliary electrode 210 and the first bank 220a so as to be spaced apart from the upper surface of the second auxiliary electrode 210. It includes a connected second bank 220b.

특히, 전술한 바와 같이, 상기 제1뱅크(220a)와 상기 제2뱅크(220b)는 상기 제2보조 전극(210)이 형성된 길이 방향의 일측 및 타측에서 서로 연결되고, 상기 제2보조 전극(210)이 형성된 폭 방향의 일측 및 타측에서 서로 연결되지 않도록 구비되기 때문에, 상기 제2보조 전극(210)이 형성된 길이 방향에 수직하게 절취한 경우에는 도 7에 도시된 바와 같이 상기 제2뱅크(220b)가 상기 제1뱅크(220a)와 연결되지 않고 떨어져서 나타남을 확인할 수 있다.In particular, as described above, the first bank 220a and the second bank 220b are connected to each other at one side and the other side in the longitudinal direction where the second auxiliary electrode 210 is formed, and the second auxiliary electrode ( 210) are provided so as not to be connected to each other at one side and the other side in the width direction, when the second auxiliary electrode 210 is cut perpendicularly to the longitudinal direction, as shown in FIG. 7, the second bank ( 220b) is not connected to the first bank 220a and appears apart.

또한, 상기 제2뱅크(220b)는 처마와 같은 역할을 함으로써 처마 아래 영역에는 상기 유기 발광층(230)이 증착되지 않을 수 있는 폭으로 형성된다. 상기 유기 발광층(230)의 증착을 방지할 수 있는 상기 제2뱅크(220b)의 폭은 제2보조 전극(210)이 형성된 폭에 따른 실험치로 결정될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로, 상기 제2보조 전극(210)이 콘택홀을 통해 제1보조 전극(190)와 연결됨을 감안하여, 상기 제2뱅크(220b)이 콘택홀의 폭보다 더 넓은 폭을 갖도록 형성함으로써 상기 유기 발광층(230)이 콘택홀 영역으로 침투하는 것을 방지할 수 있을 것이다.In addition, the second bank 220b functions like an eaves, so that the organic light emitting layer 230 is not deposited in a region under the eaves. The width of the second bank 220b capable of preventing deposition of the organic emission layer 230 may be determined by an experimental value according to the width at which the second auxiliary electrode 210 is formed, but is not limited thereto. For example, considering that the second auxiliary electrode 210 is connected to the first auxiliary electrode 190 through a contact hole, the second bank 220b is formed to have a width wider than that of the contact hole, thereby forming the organic layer. Penetration of the light emitting layer 230 into the contact hole region may be prevented.

이와 같이, 본 발명의 실시예에서는 별도의 격벽을 형성하지 않고, 뱅크(220)를 패턴 형성하는 공정에서 처마 역할을 하는 제2뱅크(220b)를 형성함으로써 상기 유기 발광층(230)이 상기 제2보조 전극(210)의 상면에 증착되는 것을 방지할 수 있다.As described above, in the embodiment of the present invention, the organic light emitting layer 230 is formed by forming the second bank 220b serving as an eaves in the process of patterning the bank 220 without forming a separate barrier rib. Deposition on the upper surface of the auxiliary electrode 210 may be prevented.

특히, 격벽을 통해 유기 발광층(230)이 증착되지 못하도록 할 경우에는 격벽의 필링(Peeling)을 방지해야 하므로 격벽의 상면의 폭을 자유롭게 조절할 수 없었으나, 본 발명의 실시예에서는 제2뱅크(220b)가 처마 역할을 하므로 상기 유기 발광층(230)이 침투하는 거리에 따라 상기 제2뱅크(220b)의 폭을 자유롭게 조절할 수 있으므로, 보다 효과적으로 상기 유기 발광층(230)의 침투를 방지할 수 있다.In particular, when the organic light emitting layer 230 is prevented from being deposited through the barrier rib, peeling of the barrier rib must be prevented, so the width of the upper surface of the barrier rib cannot be freely adjusted. However, in the embodiment of the present invention, the second bank 220b Since ) serves as an eaves, the width of the second bank 220b can be freely adjusted according to the penetration distance of the organic light emitting layer 230, so that penetration of the organic light emitting layer 230 can be more effectively prevented.

상기 유기 발광층(230)은 상기 제2애노드 전극(200) 상에서 상기 제1뱅크(220a) 및 제2뱅크(220b)의 상면까지 연장되어 형성된다. 다만, 본 발명의 실시예에서는 상기 제2뱅크(220b)가 상기 제2보조 전극(210)의 상면으로부터 이격되도록 형성되어 있기 때문에, 상기 유기 발광층(230)은 상기 제2보조 전극(210)의 상면을 가리면서 상기 제2보조 전극(210)의 상면까지 연장되지는 않는다.The organic emission layer 230 is formed extending from the second anode electrode 200 to upper surfaces of the first bank 220a and the second bank 220b. However, in the embodiment of the present invention, since the second bank 220b is formed to be spaced apart from the upper surface of the second auxiliary electrode 210, the organic light emitting layer 230 is formed of the second auxiliary electrode 210. It does not extend to the upper surface of the second auxiliary electrode 210 while covering the upper surface.

상기 캐소드 전극(240)은 상기 유기 발광층(230) 상에 형성되어 있다. 상기 캐소드 전극(240)은 투명한 도전물질로 이루어지기 때문에 저항이 높게 되고, 따라서 상기 캐소드 전극(240)의 저항을 줄이기 위해서 상기 캐소드 전극(240)은 상기 제2보조 전극(210)과 연결된다. 특히, 본 발명의 실시예에 따른 상기 캐소드 전극(240)은 상기 제2보조 전극(210)과 상기 제2뱅크(220b) 사이의 이격된 공간을 통해서 상기 제2보조 전극(210)과 연결되어 있다.The cathode electrode 240 is formed on the organic emission layer 230 . Since the cathode electrode 240 is made of a transparent conductive material, the resistance is high, and thus the cathode electrode 240 is connected to the second auxiliary electrode 210 to reduce the resistance of the cathode electrode 240. In particular, the cathode electrode 240 according to the embodiment of the present invention is connected to the second auxiliary electrode 210 through a spaced space between the second auxiliary electrode 210 and the second bank 220b. there is.

도 8a 내지 도 8h는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 보여주는 공정 단면도로서, 이는 전술한 도 6에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.8A to 8H are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, which relates to the method of manufacturing the organic light emitting display device according to FIG. 6 described above.

우선, 도 8a에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에 액티브층(110), 게이트 절연막(120), 게이트 전극(130), 층간 절연막(140), 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)을 차례로 형성한다. First, as can be seen in FIG. 8A, an active layer 110, a gate insulating film 120, a gate electrode 130, an interlayer insulating film 140, a source electrode 150, and a drain electrode 160 are formed on a substrate 100. form in turn.

보다 구체적으로 설명하면, 상기 기판(100) 상에 상기 액티브층(110)을 형성하고, 상기 액티브층(110) 상에 상기 게이트 절연막(120)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(120) 상에 상기 게이트 전극(130)을 형성하고, 상기 게이트 전극(130) 상에 상기 층간 절연막(140)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(120) 및 상기 층간 절연막(140)에 제1콘택홀(CH1)과 제2콘택홀(CH2)을 형성하고, 그 후 상기 제1콘택홀(CH1)을 통해서 상기 액티브층(110)의 일단 영역과 연결되는 상기 드레인 전극(160), 상기 제2콘택홀(CH2)을 통해 상기 액티브층(110)의 타단 영역과 연결되는 상기 소스 전극(150)을 형성한다. More specifically, the active layer 110 is formed on the substrate 100, the gate insulating film 120 is formed on the active layer 110, and the gate insulating film 120 is formed on the active layer 110. A gate electrode 130 is formed, the interlayer insulating layer 140 is formed on the gate electrode 130, and a first contact hole (CH1) and a second contact hole (CH1) are formed in the gate insulating layer 120 and the interlayer insulating layer 140. After forming two contact holes CH2, the drain electrode 160 connected to one end of the active layer 110 through the first contact hole CH1 and the second contact hole CH2. The source electrode 150 connected to the other end region of the active layer 110 is formed through

상기 소스 전극(150)은 하부 소스 전극(151)과 상부 소스 전극(152)으로 이루어지고, 상기 드레인 전극(160)은 하부 드레인 전극(161)과 상부 드레인 전극(162)으로 이루어진다. 이와 같은 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)은 동일한 물질로 동일한 패터닝 공정에 의해서 동시에 형성할 수 있다. The source electrode 150 includes a lower source electrode 151 and an upper source electrode 152 , and the drain electrode 160 includes a lower drain electrode 161 and an upper drain electrode 162 . The source electrode 150 and the drain electrode 160 may be simultaneously formed using the same material through the same patterning process.

다음, 도 8b에서 알 수 있듯이, 상기 소스 전극(150) 및 상기 드레인 전극(160) 상에 패시베이션층(165)을 형성하고, 상기 패시베이션층(165) 상에 제1평탄화층(171)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 8B, a passivation layer 165 is formed on the source electrode 150 and the drain electrode 160, and a first planarization layer 171 is formed on the passivation layer 165. do.

상기 패시베이션층(165)과 상기 제1평탄화층(171)은 제3콘택홀(CH3)을 구비하도록 형성되어, 상기 제3콘택홀(CH3)을 통해 상기 소스 전극(150)이 외부로 노출된다. The passivation layer 165 and the first planarization layer 171 are formed to have a third contact hole CH3, and the source electrode 150 is exposed to the outside through the third contact hole CH3. .

다음, 도 8c에서 알 수 있듯이, 상기 제1평탄화층(171) 상에 서로 이격되도록 제1애노드 전극(180)과 제1보조 전극(190)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 8C , a first anode electrode 180 and a first auxiliary electrode 190 are formed on the first planarization layer 171 to be spaced apart from each other.

상기 제1애노드 전극(180)은 상기 제3콘택홀(CH3)을 통해서 상기 소스 전극(150)과 연결되도록 형성한다.The first anode electrode 180 is formed to be connected to the source electrode 150 through the third contact hole CH3.

상기 제1애노드 전극(180)은 제1하부 애노드 전극(181), 제1상부 애노드 전극(182), 및 제1커버 애노드 전극(183)으로 이루어지고, 상기 제1보조 전극(190)은 제1하부 보조 전극(191), 제1상부 보조 전극(192), 및 제1커버 보조 전극(193)으로 이루어진다. The first anode electrode 180 is composed of a first lower anode electrode 181, a first upper anode electrode 182, and a first cover anode electrode 183, and the first auxiliary electrode 190 is It consists of a first lower auxiliary electrode 191, a first upper auxiliary electrode 192, and a first cover auxiliary electrode 193.

상기 제1애노드 전극(180) 및 상기 제1보조 전극(190)은 서로 동일한 물질을 동일한 패터닝 공정을 통해서 동시에 형성할 수 있다. The first anode electrode 180 and the first auxiliary electrode 190 may be simultaneously formed of the same material through the same patterning process.

다음, 도 8d에서 알 수 있듯이, 상기 제1애노드 전극(180)과 제1보조 전극(190) 상에 제2 평탄화층(172)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 8D , a second planarization layer 172 is formed on the first anode electrode 180 and the first auxiliary electrode 190 .

상기 제2평탄화층(173)은 제4콘택홀(CH4) 및 제5 콘택홀(CH5)을 구비하도록 형성되어, 상기 제4콘택홀(CH4)을 통해 상기 제1애노드 전극(180)이 외부로 노출되고, 상기 제5 콘택홀(CH5)을 통해 상기 제1보조 전극(190)이 외부로 노출된다. The second planarization layer 173 is formed to have a fourth contact hole CH4 and a fifth contact hole CH5, and the first anode electrode 180 is externally connected through the fourth contact hole CH4. , and the first auxiliary electrode 190 is exposed to the outside through the fifth contact hole CH5.

다음, 도 8e에서 알 수 있듯이, 상기 제2평탄화층(172) 상에 서로 이격되도록 제2애노드 전극(200) 및 제2보조 전극(210)을 형성한다. 상기 제2애노드 전극(200)은 상기 제4콘택홀(CH4)을 통해 상기 제1애노드 전극(180)에 연결되고, 상기 제2보조 전극(210)은 상기 제5콘택홀(CH5)을 통해 상기 제1보조 전극(190)에 연결된다. 상기 제2애노드 전극(200)과 제2보조 전극(210)은 서로 동일한 물질을 동일한 패터닝 공정을 통해서 동시에 형성할 수 있다. Next, as shown in FIG. 8E, the second anode electrode 200 and the second auxiliary electrode 210 are formed on the second planarization layer 172 to be spaced apart from each other. The second anode electrode 200 is connected to the first anode electrode 180 through the fourth contact hole CH4, and the second auxiliary electrode 210 is connected to the fifth contact hole CH5. It is connected to the first auxiliary electrode 190 . The second anode electrode 200 and the second auxiliary electrode 210 may be simultaneously formed of the same material through the same patterning process.

다음, 도 8f에서 알 수 있듯이, 상기 제2애노드 전극(200)과 제2보조 전극(210) 상에 뱅크(220)를 형성한다. 구체적으로 상기 제2애노드 전극(200)의 상면을 노출시키면서 상기 제2애노드 전극(200)의 일측 및 타측 상에 제1뱅크(220a)를 형성함과 더불어 제2보조 전극(210)의 상면을 노출시키면서 상기 제2보조 전극(210)의 일측 및 타측 상에 제1뱅크(220a)를 형성하고, 상기 제2보조 전극(210)의 상면으로부터 이격되도록 상기 제1뱅크(220a)와 연결된 제2뱅크(220b)를 형성한다. 따라서, 본 발명의 실시예에서는 별도의 격벽을 형성할 필요가 없고 상기 제2보조 전극(210)과 제2뱅크(220b) 사이의 이격된 공간을 통해 상기 캐소드 전극(240)이 상기 제2보조 전극(210)과 연결되기 때문에 상기 캐소드 전극(240)의 저항을 낮출 수 있다.Next, as shown in FIG. 8F, a bank 220 is formed on the second anode electrode 200 and the second auxiliary electrode 210. Specifically, while exposing the upper surface of the second anode electrode 200, the first bank 220a is formed on one side and the other side of the second anode electrode 200, and the upper surface of the second auxiliary electrode 210 is exposed. A first bank 220a is formed on one side and the other side of the second auxiliary electrode 210 while being exposed, and a second bank 220a connected to the first bank 220a is spaced apart from the upper surface of the second auxiliary electrode 210. A bank 220b is formed. Therefore, in the embodiment of the present invention, there is no need to form a separate barrier rib, and the cathode electrode 240 is connected to the second auxiliary electrode 240 through the spaced space between the second auxiliary electrode 210 and the second bank 220b. Since it is connected to the electrode 210, the resistance of the cathode electrode 240 can be lowered.

상기 제1뱅크(220a)와 제2뱅크(220b)는 하프톤 마스크를 이용하여 동시에 형성될 수 있다. 이하에서, 하프톤 마스크를 이용하여 상기 제1뱅크(220a)와 제2뱅크(220b)를 동시에 형성하는 과정을 구체적으로 살펴보기로 한다.The first bank 220a and the second bank 220b may be simultaneously formed using a halftone mask. Hereinafter, a process of simultaneously forming the first bank 220a and the second bank 220b using a halftone mask will be described in detail.

도 9a 내지 도 9d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 뱅크를 형성하는 제조방법을 보여주는 공정 단면도이다.9A to 9D are cross-sectional views illustrating a manufacturing method of forming a bank of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

우선, 도 9a에서 알 수 있듯이, 상기 제2애노드 전극(200) 및 제2보조 전극(210) 상에 뱅크층(220)을 형성한다. 보다 구체적으로 상기 제2애노드 전극(200) 및 제2보조 전극(210)을 포함하는 액티브 영역 전면에 상기 뱅크층(220)을 형성한다. 특히, 본 발명의 실시예에 따른 상기 뱅크층(220)은 네거티브 타입의 감광성 물질로 이루어질 수 있다.First, as shown in FIG. 9A , a bank layer 220 is formed on the second anode electrode 200 and the second auxiliary electrode 210 . More specifically, the bank layer 220 is formed on the entire surface of the active region including the second anode electrode 200 and the second auxiliary electrode 210 . In particular, the bank layer 220 according to an embodiment of the present invention may be made of a negative type photosensitive material.

즉, 상기 뱅크층(220)은 네거티브 타입의 감광성 물질로 이루어지기 때문에, 노광 시 광이 조사된 영역은 현상 공정 후 남아 있게 되고, 노광 시 광이 차단된 영역은 현상 공정 후 제거되는 특성을 갖는다.That is, since the bank layer 220 is made of a negative-type photosensitive material, the area irradiated with light during exposure remains after the development process, and the area where light is blocked during exposure is removed after the development process. .

다음, 도 9b에서 알 수 있듯이, 상기 뱅크층(220) 상에 포토 레지스트 패턴(M)을 형성하여 정렬시킨다. 특히 상기 포토 레지스트 패턴(M)은 하프톤 마스크 형태로 구성될 수 있고, 구체적으로 상기 포토 레지스트 패턴(M)은 노광 시 광을 모두 차단하는 차광 패턴(M1), 노광 시 광이 절반만 투과되는 반투과 패턴(M2) 및 노광 시 광이 모두 투과되는 투과 패턴(M3)을 포함할 수 있다.Next, as shown in FIG. 9B , photoresist patterns M are formed and aligned on the bank layer 220 . In particular, the photoresist pattern M may be configured in the form of a half-tone mask, and specifically, the photoresist pattern M may include a light-blocking pattern M1 that blocks all light during exposure and only half of light is transmitted during exposure. It may include a transflective pattern M2 and a transmissive pattern M3 through which all light is transmitted during exposure.

다음, 도 9c에서 알 수 있듯이, 상기 포토 레지스트 패턴(M)을 마스크로 하여 상기 뱅크층(220)에 대해 노광 및 현상 공정을 수행한다.Next, as shown in FIG. 9C, exposure and development processes are performed on the bank layer 220 using the photoresist pattern M as a mask.

도 9b에서 살펴본 바와 같이, 상기 포토 레지스트 패턴(M)은 상기 차광 패턴(M1), 반투과 패턴(M2) 및 투과 패턴(M3)을 포함하기 때문에, 상기 차광 패턴(M1)에 대응되는 상기 뱅크층(220)으로는 광이 조사되지 않고, 상기 반투과 패턴(M2)에 대응되는 상기 뱅크층(220)으로는 광이 절반만 조사되고, 상기 투과 패턴(M3)에 대응되는 상기 뱅크층(220)으로는 광이 모두 조사된다.9B, since the photoresist pattern M includes the light-shielding pattern M1, the transflective pattern M2, and the transmissive pattern M3, the bank corresponding to the light-shielding pattern M1 Light is not irradiated to the layer 220, and only half of the light is irradiated to the bank layer 220 corresponding to the transflective pattern M2, and the bank layer corresponding to the transmissive pattern M3 ( 220), all light is irradiated.

다음, 도 9d에서 알 수 있듯이, 상기 포토 레지스트 패턴(M)을 스트립(strip) 공정을 통해 제거하여 상기 제1뱅크(220a)와 제2뱅크(220b)가 외부로 노출된 기판(100)을 획득한다. 보다 구체적으로 상기 제2애노드 전극(200)의 일측 및 타측과, 상기 제2보조 전극(210)의 일측 및 타측에 제1뱅크(220a)가 형성되고, 상기 제2보조 전극(210)의 상면으로부터 이격되도록 상기 제1뱅크(220a)와 연결된 제2뱅크(220b)가 형성된다.Next, as can be seen in FIG. 9D, the substrate 100 where the first bank 220a and the second bank 220b are exposed to the outside by removing the photoresist pattern M through a strip process Acquire More specifically, a first bank 220a is formed on one side and the other side of the second anode electrode 200 and one side and the other side of the second auxiliary electrode 210, and the upper surface of the second auxiliary electrode 210 A second bank 220b connected to the first bank 220a is formed to be spaced apart from the bank.

즉, 전술한 바와 같이, 상기 뱅크층(220)이 네가티브 타입의 감광성 물질로 이루어지므로, 상기 차광 패턴(M1)에 대응되어 광이 조사되지 않은 상기 뱅크층(220)은 모두 제거되고, 상기 반투과 패턴(M2)에 대응되어 광이 절반만 조사된 상기 뱅크층(220)은 상부로만 광이 조사되었으므로 하부가 제거되어 제2뱅크(220b)를 형성하고, 상기 투과 패턴(M3)에 대응되어 광이 모두 조사된 상기 뱅크층(220)은 모두 남아 있게 되어 제1뱅크(220a)를 형성한다. 이와 같이 서로 다른 두께로 서로 다른 위치에 형성되는 제1뱅크(220a)와 제2뱅크(220b)를 하나의 하프톤 마스크를 통해서 형성할 수 있다.That is, as described above, since the bank layer 220 is made of a negative-type photosensitive material, all of the bank layer 220 to which light is not irradiated corresponding to the light-blocking pattern M1 is removed, and the half Since only the upper part of the bank layer 220, to which only half of the bank layer 220 was irradiated with light corresponding to the transmission pattern M2, was irradiated with light, the lower part was removed to form the second bank 220b, corresponding to the transmission pattern M3. All of the bank layer 220 irradiated with light remains to form the first bank 220a. In this way, the first bank 220a and the second bank 220b formed at different positions with different thicknesses may be formed through one halftone mask.

전술한 도 9a 내지 도 9d와 같이, 본 발명의 실시예에서 상기 제1뱅크(220a)와 제2뱅크(220b)는 서로 동일한 물질의 동일한 패터닝 공정을 통해 동시에 형성된다.As shown in FIGS. 9A to 9D , in the exemplary embodiment of the present invention, the first bank 220a and the second bank 220b are simultaneously formed of the same material through the same patterning process.

다음, 도 8g에서 알 수 있듯이, 상기 제2애노드 전극(200) 상에 유기 발광층(230)을 형성한다. 상기 유기 발광층(230)은 증발법(Evaporation)과 같은 증착 물질의 직진성이 우수한 증착 공정을 통해 형성하며, 그에 따라, 상기 유기 발광층(230)은 상기 뱅크(220)의 상면에는 증착될 수 있지만 상기 제2뱅크(220b)와 상기 제2보조 전극(210) 사이의 이격된 공간에는 증착되지 않게 된다. 즉, 상기 유기 발광층(230)의 증착시 상기 제2뱅크(220b)가 처마(eaves)와 같은 역할을 하기 때문에, 상기 제2보조 전극(210)의 상면을 가리는 마스크 패턴 없이 상기 유기 발광층(230)을 증착하여도 상기 제2뱅크(220b)와 상기 제2보조 전극(210) 사이의 이격된 공간으로 상기 유기 발광층(230)이 증착되는 것이 방지될 수 있다. Next, as shown in FIG. 8G , an organic emission layer 230 is formed on the second anode electrode 200 . The organic light emitting layer 230 is formed through a deposition process such as evaporation having excellent linearity of deposition materials. Accordingly, the organic light emitting layer 230 may be deposited on the top surface of the bank 220, but the above It is not deposited in the spaced space between the second bank 220b and the second auxiliary electrode 210 . That is, since the second bank 220b serves as an eaves during deposition of the organic light emitting layer 230, the organic light emitting layer 230 does not have a mask pattern covering the upper surface of the second auxiliary electrode 210. ) can prevent the organic light emitting layer 230 from being deposited into the space between the second bank 220b and the second auxiliary electrode 210 .

다음, 도 8h에서 알 수 있듯이, 상기 유기 발광층(230) 상에 캐소드 전극(240)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 8H , a cathode electrode 240 is formed on the organic light emitting layer 230 .

상기 캐소드 전극(240)은 상기 제2뱅크(220b)와 상기 제2보조 전극(210) 사이의 이격된 공간을 통해서 상기 제2보조 전극(210)과 연결되도록 형성한다. 상기 캐소드 전극(240)은 스퍼터링(Sputtering)과 같은 증착 물질의 직진성이 좋지 않은 증착 공정을 통해 형성할 수 있으며, 그에 따라 상기 캐소드 전극(240)의 증착 공정시 상기 제2뱅크(220b)와 상기 제2보조 전극(210) 사이의 이격된 공간으로 상기 캐소드 전극(240)이 증착될 수 있다. The cathode electrode 240 is formed to be connected to the second auxiliary electrode 210 through a spaced space between the second bank 220b and the second auxiliary electrode 210 . The cathode electrode 240 may be formed through a deposition process in which the straightness of the deposition material is poor, such as sputtering. Accordingly, during the deposition process of the cathode electrode 240, the second bank 220b and the second bank 220b are formed. The cathode electrode 240 may be deposited in a space spaced between the second auxiliary electrodes 210 .

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and may be variously modified and implemented without departing from the technical spirit of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not limiting. The protection scope of the present invention should be construed according to the scope of the claims, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 기판 T: 박막 트랜지스터층
165: 패시베이션층 171, 172: 제1, 제2 평탄화층
180: 제1애노드 전극 190: 제1보조 전극
200: 제2애노드 전극 210: 제2보조 전극
220: 뱅크 230: 유기 발광층
240: 캐소드 전극100: substrate T: thin film transistor layer
165: passivation layer 171, 172: first and second planarization layers
180: first anode electrode 190: first auxiliary electrode
200: second anode electrode 210: second auxiliary electrode
220: bank 230: organic light emitting layer
240: cathode electrode

Claims

An anode electrode provided on the substrate;
an organic light emitting layer provided on the anode electrode;
a cathode electrode provided on the organic light emitting layer;
an auxiliary electrode connected to the cathode electrode; and
Including a bank provided on the auxiliary electrode,
The bank includes a first bank provided on one side and the other side of the auxiliary electrode, and a second bank connected to the first bank so as to be spaced apart from the upper surface of the auxiliary electrode,
The cathode electrode is connected to the auxiliary electrode through a spaced space between the second bank and the upper surface of the auxiliary electrode,
The first bank and the second bank are connected to each other at one side and the other side in a longitudinal direction where the auxiliary electrode is formed, and are spaced apart from each other at one side and the other side in a width direction where the auxiliary electrode is formed.

delete

According to claim 1,
The anode electrode includes a first anode electrode and a second anode electrode connected to the first anode electrode through a contact hole,
The auxiliary electrode includes a first auxiliary electrode and a second auxiliary electrode connected to the first auxiliary electrode through a contact hole;
A width of the first auxiliary electrode is greater than a width of the first anode electrode.

According to claim 3,
The first auxiliary electrode is provided to overlap the second anode electrode.

According to claim 3,
The first anode electrode and the first auxiliary electrode are provided on the same layer,
The first anode electrode includes a first lower anode electrode, a first upper anode electrode and a first cover anode electrode,
The first auxiliary electrode includes a first lower auxiliary electrode, a first upper auxiliary electrode, and a first cover auxiliary electrode.

According to claim 5,
The oxidation degree of the first lower anode electrode and the first cover anode electrode is smaller than the oxidation degree of the first upper anode electrode,
The resistance of the first upper anode electrode is lower than that of the first lower anode electrode and the first cover anode electrode,
oxidation degrees of the first lower auxiliary electrode and the first cover auxiliary electrode are smaller than oxidation degrees of the first upper auxiliary electrode;
Resistance of the first upper auxiliary electrode is lower than resistances of the first lower auxiliary electrode and the first cover auxiliary electrode.

forming a first anode electrode and a first auxiliary electrode spaced apart from the first anode electrode on a substrate;
Forming a planarization layer on the first anode electrode and the first auxiliary electrode, and removing a predetermined region of the planarization layer to form a contact hole exposing the first anode electrode and the first auxiliary electrode to the outside, respectively. process;
forming a second anode electrode connected to the first anode electrode and a second auxiliary electrode connected to the first auxiliary electrode on the planarization layer; and
forming a first bank on one side and the other side of the second auxiliary electrode, and forming a second bank connected to the first bank to be spaced apart from an upper surface of the second auxiliary electrode;
The process of forming the first bank and the second bank,
The first bank and the second bank are connected to each other at one side and the other side in the longitudinal direction where the second auxiliary electrode is formed, and formed to be spaced apart from each other at one side and the other side in the width direction where the second auxiliary electrode is formed. A method of manufacturing an organic light emitting display device.

According to claim 7,
The process of forming the first bank and the second bank,
forming a bank layer made of a negative type photosensitive material on the second anode electrode and the second auxiliary electrode;
forming a photoresist pattern on the bank layer;
forming the first bank and the second bank by the remaining bank layer after exposing and developing the bank layer using the photoresist pattern as a mask; and
A method of manufacturing an organic light emitting display device comprising a step of removing the photoresist pattern.

According to claim 8,
wherein the first bank and the second bank are simultaneously formed using a halftone mask.

According to claim 7,
forming an organic light emitting layer on the second anode electrode; and
Further comprising a step of forming a cathode electrode connected to the second auxiliary electrode on the organic light emitting layer;
The organic light emitting layer is deposited in a space spaced apart between the second bank and the second auxiliary electrode.