KR102543291B1

KR102543291B1 - 도체 형성용 조성물, 도체와 그 제조 방법, 및, 칩 저항기

Info

Publication number: KR102543291B1
Application number: KR1020197035129A
Authority: KR
Inventors: 츠요시 가와시마; 신고 아와가쿠보
Original assignee: 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
Priority date: 2017-05-26
Filing date: 2018-05-11
Publication date: 2023-06-14
Anticipated expiration: 2038-05-11
Also published as: TW201901705A; JP6801586B2; CN110663088B; TWI783999B; JP2018200793A; CN110663088A; KR20200016847A; WO2018216509A1

Abstract

벨트로를 사용한 소성 공정에 있어서, 특히 지그를 사용하지 않고서도 건조막과 벨트 등의 다른 부재의 접합이 발생하지 않고, 또한, 도체 패턴의 파인 라인화를 가능하게 하는 도체 형성용 조성물 및 그 제조 방법의 제공. 도전성 분말과, 상기 도전성 분말 이외의 무기물 분말과, 유리 프릿과, 유기 비이클을 함유하는 도체 형성용 조성물로서, 무기물 분말은, SEM 측정에 기초하는 평균 입경이 0.3 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하이고, 도전성 분말보다 높은 소결 개시 온도를 갖고, 도전성 분말 100 질량부에 대해 10 질량부 이상 45 질량부 이하 함유되는, 도체 형성용 조성물 등에 의한 것이다.

Description

도체 형성용 조성물, 도체와 그 제조 방법, 및, 칩 저항기

본 발명은, 도체 형성용 조성물, 도체와 그 제조 방법, 및, 칩 저항기에 관한 것이다.

전자 부품 등의 전극이나 회로를 형성하기 위한 도체는, 예를 들어, 도전율이 높은 도전성 분말을, 유리 프릿 등과 함께, 유기 비이클 중에 분산시켜 형성되는 도체 형성용 조성물을 사용하여 형성된다. 도체는, 예를 들어, 도체 형성용 조성물을 알루미나 기판 등의 세라믹 기판 상에, 스크린 인쇄법 등에 의해 필요한 형상으로 도포하고, 120 ℃ ∼ 150 ℃ 에서 건조시킨 후, 600 ℃ ∼ 900 ℃ 에서 소성함으로써 형성된다.

종래, 적층 세라믹 콘덴서 (이하, 「MLCC」라고도 한다.) 등의 칩 부품의 외표면에 도체를 형성하는 경우, 칩 부품의 외표면에 도체 형성용 조성물을 도포하고, 건조시켜 건조막을 얻은 후, 칩 부품과 함께 소성하는 과정에서는, 인접하는 칩 부품끼리가 접합하거나, 칩 부품을 올려놓는 세라믹 등의 선반 널과 접합하거나 하는 문제가 있었다. 이들 접합을 방지하기 위해, 도체 형성용 조성물을 도포한 후공정에서, 알루미나 등의 분말을 바르는 등의 방법이 행해져 왔지만, 소성 후에 그 알루미나 등의 분말을 제거하는 공정이 필요하여, 시간이 걸렸다. 그래서, 적층 세라믹 콘덴서의 외부 전극과 다른 부재의 접합을 방지하기 위해, 몇 가지의 제안이 이루어져 있다.

예를 들어, 특허문헌 1 에서는, 도전성 페이스트에, 다종류의 입형을 갖는 금속 분말, 예를 들어, 크고 작은 2 종류의 구형상 분말과 인편 (鱗片) 상의 금속 분말 등을 사용하는 것이 기재되어 있다. 또, 특허문헌 2 에서는, 금속 분말과 유리 프릿을 함유하는 도전 페이스트로서, 금속 분말보다 고융점의 금속 첨가물을 1 ∼ 10 wt％ 함유하고 있는 도전성 페이스트가 기재되어 있다. 이들 도전성 페이스트는, 소성시에 금속 분말의 소결이 억제되어, 금속 성분이 조밀하게 수축되지 않고, 금속 성분 간에 간극을 형성함으로써, 접합의 원인이 되는 유리 성분이 도체층의 표면으로 배어나오는 것을 방지할 수 있는 것이 기재되어 있다.

또, 특허문헌 3 에서는, 평균 입경이 0.1 ㎜ 이하인 무기물 분말을 사용하는 것이 기재되어 있다. 무기물 분말은 도체층의 표면에 노출됨으로써, MLCC 의 소성 공정에서 MLCC 칩끼리, 또는 MLCC 칩을 설치하는 세라믹 갑발 (匣鉢) 과의 시이징을 방지하는 방법이 기재되어 있다. 또, 특허문헌 4 에서는, 유리의 유동성을 컨트롤하여 도체층의 표면으로 배어나오는 것을 방지하기 위해서, 유리 분말의 조성을 한정한 도전성 페이스트가 기재되어 있다.

상기와 같은 문제는, 칩 저항기를 제조할 때에도 발생하고 있다. 칩 저항기는, 기판의 표면 및 이면에 형성된 1 쌍의 도체 (표면 전극 및 이면 전극) 와, 1 쌍의 표면 전극 사이에 형성된 저항체와, 저항체를 덮는 절연성의 보호층과, 기판의 단면 (端面) 에 형성되고, 표면 전극과 이면 전극을 도통하는 1 쌍의 단면 전극을 구비한다. 또한, 칩 저항기에 형성되는 이면 전극은, 칩 저항기를 회로 기판에 실장했을 때에, 칩 저항기와 회로 기판을 전기적으로 접합시키기 위한 것이다.

칩 저항기는, 예를 들어, 이하의 방법에 의해 제조된다. 먼저, 미리 칩 사이즈에 따른 원하는 치수로 슬릿을 넣은 기판 (슬릿 기판) 을 준비하고, 이 기판 상에, 슬릿에 걸쳐지도록, 도체 형성용 조성물을 인쇄하고, 건조시킨 후, 소성함으로써, 기판의 표면과 이면에, 각각 복수 쌍의 도체 (표면 전극 및 이면 전극) 를 형성한다. 다음으로, 기판의 표면에 저항체를, 각 쌍의 표면 전극이 그 양단에 배치되도록 형성한 후, 저항체 상에 프리코트로 불리는 유리층을 형성하고, 추가로 그 위에 보호층으로서, 예를 들어, 수지층을 형성한다. 다음으로, 기판을 슬릿 을 따라 단책상 (短冊狀) 으로 분할하여, 단면 전극을 형성하고, 도금한 후, 다시 단책상의 기판을 분할하여, 칩상의 저항기를 얻는다.

도체 (표면 전극 및 이면 전극) 는, 예를 들어, 유기 비이클 중에 도전율이 높은 도전성 분말과 유리 프릿 등을 분산시킨 도체 형성용 조성물을, 기판 상에 스크린 인쇄법 등에 의해 필요한 형상으로 도포하고, 120 ℃ ∼ 150 ℃ 정도에서 건조시킨 후, 600 ℃ ∼ 900 ℃ 정도에서 소성하여 형성된다. 또, 기판 양면에 도체 (표면 전극 및 이면 전극) 를 형성시키는 경우, 종래에는, 기판의 일방의 면에 도체 형성용 조성물을 인쇄한 후, 건조, 소성을 실시하여 도체 (예를 들어, 이면 전극) 를 형성하고, 그 후, 기판의 타방의 면에도, 동일하게 인쇄, 건조 및 소성을 실시하여, 도체 (예를 들어, 표면 전극) 를 형성한다.

최근, 비용 삭감이나 에너지 절약화의 요청으로부터, 건조에서 소성까지의 공정을 간략화하는 것이 실시되고 있다. 예를 들어, 칩 저항기에 있어서는, 도체 (표면 전극 및 이면 전극) 의 형성 과정에 있어서, 기판의 일방의 면에 도체 형성용 조성물을 인쇄하고, 건조시켜 건조막 (예를 들어, 이면 건조막) 을 형성한 후, 소성하기 전에, 기판의 타방의 면에 도체 형성용 조성물을 인쇄하고, 건조시켜 건조막 (예를 들어, 표면 건조막) 을 형성한다. 그리고, 기판 양면의 건조막을 동시에 소성함으로써, 소성 공정을 1 회 생략할 수 있다. 그러나 이와 같은 제법에서는, 예를 들어, 건조막의 소성을 벨트로 (爐) 에서 실시하는 경우, 반드시 벨트와 대향하는 면에도 건조막이 존재하게 되어, 벨트와 대향하는 면에 형성된 건조막이 소성시에 벨트로의 벨트 부분에 닿아, 벨트와 도체가 접합하고, 도체의 패턴에 누락이 발생하거나, 벨트에 도체가 부착되어, 벨트로가 사용 불가능해지거나 하는 경우가 있었다. 이와 같은 벨트와 도체의 접합을 방지하기 위해, 기판의 양면에 형성된 건조막을 소성할 때에는, 건조막이 다른 부재에 닿지 않게 하는 지그를 필요로 한다.

그 한편으로, 최근, 전자 부품의 소형·대용량화 등의 요청으로부터, 전극 패턴의 미세화·고밀도화가 진행되고 있어, 보다 미세한 선폭을 갖는 전극 패턴을 형성 가능한 도체 형성용 조성물이 요구되고 있다.

일본 공개특허공보 평8-306580호 일본 공개특허공보 평10-12481호 일본 공개특허공보 평9-129480호 일본 공개특허공보 2001-297628호

그런데, 상기 특허문헌 1 ∼ 4 에 기재되는 기술에서는, 저항체의 도체 (표면 전극 및 이면 전극) 를 형성할 때에는, 이하와 같은 문제가 있었다. 즉, 특허문헌 1 및 특허문헌 2 에 기재된 도전성 페이스트에서는, 도체를 형성할 때에 금속 성분 간에 간극을 형성하기 때문에, 도전성 분말의 소결이 불충분해지고, 도체의 전기 저항률이 높아지기 쉬워, 저저항인 도체가 요구되는 저항기 등의 전자 부품의 전극에 적응할 수 없다. 또, 이들 도전성 페이스트에서는, 도체가 물러지기 쉬워, 도체를 개재한 부품 간의 접합 강도가 불충분해지기 쉽고, 또, 도체의 표면이 성기게 되기 쉽기 때문에, 도체 상에 전해 도금을 하는 경우에는 산성의 도금액이 내부에 침입하기 쉽고, 도금액에 유리 성분이 녹아 나와 강도의 저하 등을 일으키기 쉽다는 문제가 있었다.

또, 특허문헌 3 의 도전성 페이스트에서는, 실시예에 있어서, 평균 입경이 0.05 ㎜ ∼ 0.2 ㎜ 인 무기 입자를 사용하고 있어, 이와 같은 큰 입자를 함유하는 도전성 페이스트를, 칩 저항기를 제조하기 위한 슬릿 기판 상에 인쇄한 경우, 무기 입자가 슬릿 사이로 배어나오거나, 슬릿 기판을 분할할 때에, 무기 입자가 탈락되어, 전극에 구멍이 생기거나, 탈락된 무기 입자가 컨태미네이션되거나 하여, 제조 공정에 문제가 발생하는 경우가 있다. 또, 통상, 도전성을 갖지 않는 무기물 분말을 표면에 노출시키도록 전자 부품을 제조하면 회로 기판 상에 실장할 때에 접속 불량을 일으키는 원인이 되어, 불량률이 증가하는 원인이 되기 때문에 바람직하지 않은 것으로 생각된다.

또한, 특허문헌 4 에 기재된 도전성 페이스트에서는, 유리 분말에 알칼리 금속 산화물이 함유되어 있고, 예를 들어, 칩 저항기에 있어서 도체와 저항체 등의 다른 부재를 조합하는 경우, 알칼리 성분이 다른 부재에 들어가기 쉬워, 부재의 특성에 영향을 주는 경우가 있다. 또, 이 도전성 페이스트에 사용되는 유리 분말의 조성은, 세라믹 소체 (素體) 에 대해 젖기 어려운 것으로 기재되는 바와 같이, 도체층을 세라믹에 형성하는 경우, 모재에 대한 밀착 강도를 얻기 어렵다.

한편, 종래의 도체 형성용 조성물을 사용하여, 상기와 같이 저항기의 도체 (표면 전극 및 이면 전극) 를 형성하기 위한 소성을 벨트로에서 실시하는 경우, 건조막과 벨트 등의 다른 부재를 야구를 사용하여 닿지 않게 하는 공정이 필요하게 되어, 공정 간략화의 장해가 되고 있었다.

본 발명은 상기의 사정을 감안하여, 예를 들어, 벨트로를 사용한 소성 공정에 있어서, 특히 지그를 사용하지 않고서도 건조막과 벨트 등의 다른 부재의 접합이 발생하지 않고, 또한, 도체 패턴의 파인 라인화를 가능하게 하는 도체 형성용 조성물 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 제 1 양태에서는, 도전성 분말과, 상기 도전성 분말 이외의 무기물 분말과, 유리 프릿과, 유기 비이클을 함유하는 도체 형성용 조성물로서, 무기물 분말은, SEM 측정에 기초하는 평균 입경이 0.3 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하이고, 상기 도전성 분말보다 높은 소결 개시 온도를 갖고, 상기 도전성 분말 100 질량부에 대해 10 질량부 이상 45 질량부 이하 함유되는, 도체 형성용 조성물이 제공된다.

또, 무기물 분말은, 금속 분말, 금속 산화물 분말, 및, 산화 피막을 갖는 금속 분말 중 적어도 하나를 함유하는 것이 바람직하다. 또, 무기물 분말은, 구리 분말, 산화구리 분말, 및, 산화 피막을 갖는 구리 분말 중 적어도 하나를 함유하는 것이 바람직하다. 또, 유기 비이클은, 바인더 수지와 용제를 함유하고, 바인더 수지는, 도체 형성용 조성물에 대해 1 질량％ 이상 10 질량％ 이하 함유되는 것이 바람직하다. 또, 도전성 분말은, Au, Ag, Pd 및 Pt 중 적어도 1 종류를 함유하는 것이 바람직하다. 또, 벨트로를 사용하여 상기 도체 형성용 조성물을 벨트 상에 재치 (載置) 하여 소성한 경우에, 상기 무기물 분말이 상기 도체의 내부보다 표면에 많이 존재함으로써, 상기 도전성 분말의 벨트 부재에 대한 시이징을 방지할 수 있는 것이 바람직하다. 또, 칩 저항기의 표면 전극 및 이면 전극의 적어도 일방의 형성용으로 사용되는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 2 양태에서는, 상기 도체 형성용 조성물을 기판의 적어도 일방의 면에 도포하는 것과, 도체 형성용 조성물을 도포한 기판을 건조시켜, 도체 형성용 조성물에 함유되는 용제의 적어도 일부를 제거하여, 기판 상에 건조막을 형성하는 것과, 건조막을 형성한 기판을 소성하여, 상기 도체 형성용 조성물에 함유되는 도전성 분말을 소결시켜, 무기물 분말이 내부보다 기판과 접하는 면과는 반대측의 표면에 많이 존재하는 도체를 형성하는 것을 구비하는, 도체의 제조 방법이 제공된다.

또, 도체의 제조 방법에 있어서, 상기 도체 형성용 조성물은, 무기물 분말로서 금속 분말을 함유하고, 금속 분말은, 소성시, 대기 중의 산소와 반응하여 산화 금속 분말 또는 산화 피막을 갖는 금속 분말을 형성할 수 있다. 또, 금속 분말은, 구리 분말인 것이 바람직하다.

본 발명의 제 3 양태에서는, 상기 도체 형성용 조성물을 사용하여 기판 상에 형성되는 도체로서, 무기물 분말은, 도체 내에 있어서, 기판에 접하는 면과 반대측의 면으로 치우쳐서 배치되는 도체가 제공된다.

본 발명의 제 4 양태에서는, 상기 도체 형성용 조성물을 사용하여 형성된 도체를 갖는 전자 부품이 제공된다.

본 발명의 제 5 양태에서는, 기판, 도체, 및, 저항체를 적어도 구비하고, 도체는, 상기 도체 형성용 조성물을 사용하여 형성된, 칩 저항기가 제공된다.

본 발명의 도체 형성용 조성물은, 도체의 제조 공정에 있어서 얻어지는 건조막이, 소성 과정에서, 예를 들어, 벨트로의 벨트 등의 다른 부재와 접합되는 현상을 억제할 수 있다. 또, 본 발명의 도체 형성용 조성물을 사용하여 얻어지는 도체 패턴은, 파인 라인화가 가능하다. 또, 본 발명의 도체의 제조 방법은, 파인 라인화된 도체 패턴을 간편하게 효율적으로 제작할 수 있다. 또, 상기 도체 형성용 조성물을 사용하여 얻어진 도체는, 벨트로의 벨트 상에 재치하여 소성하여 얻어진 경우에도, 벨트에 대한 도체 성분의 접합이 억제되고, 또한, 낮은 저항값을 가질 수 있다.

도 1(A) 는, 기판부 상에 형성된 도체의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이고, 도 1(B) 는, 도체의 일부를 확대한 단면도이다.
도 2(A) 는, 도체를 형성한 기판부를 벨트로의 벨트 상에 재치한 상태의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이고, 도 2(B) 는, 도체의 일부를 확대한 단면도이고, 도 2(C) 는, 건조막 (또는 도체) 을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 3 은, 도체의 제조 방법의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 4 는, 칩 저항기의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 5 는, 실시예 1 의 도체의 벨트와의 접촉 부분을 나타내는 SEM 사진이다.
도 6 은, 비교예 1 의 도체의 벨트와의 접촉 부분을 나타내는 SEM 사진이다.

이하, 본 발명의 각 실시형태의 일례에 대해, 도 1 ∼ 4 를 참조하여, 상세하게 설명한다. 또한, 도면에 있어서는, 각 구성을 알기 쉽게 하기 위해서, 일부를 강조하거나, 혹은 일부를 간략화하여 나타내고 있고, 실제의 구조 또는 형상, 축척 등이 상이한 경우가 있다.

본 실시형태의 도체 형성용 조성물은, 도전성 분말과, 상기 도전성 분말 이외의 무기물 분말과, 유리 프릿과, 유기 비이클을 함유한다. 도체 형성용 조성물은, 무기물 분말을 함유함으로써, 얻어지는 도체의 다른 부재에 대한 접합을 억제할 수 있다. 이하, 도 1 ∼ 도 2 를 참조하여, 본 실시형태의 도체 형성용 조성물을 사용하여 얻어지는 건조막 및 형성된 도체에 대해 설명한다.

도 1(A) 는, 기판부 상에 형성된 본 실시형태의 도체의 일례를 나타내는 모식도이다. 도체 (10) 는, 기판부 (20) 의 일방 또는 양방의 표면 상에 층상으로 형성된다. 도체 (10) 는, 도체 형성용 조성물을 기판부 (20) 에 도포하고, 건조시킨 후, 소성하여 형성된다. 기판부 (20) 는, 예를 들어, 슬릿 기판 중, 1 개의 칩 부품을 형성하는 기판 부분 (영역) 이다. 기판부 (20) 는 특별히 한정되지 않고, 공지된 기판을 사용할 수 있고, 예를 들어, 알루미나를 주성분으로 하는 알루미나 기판을 사용할 수 있다. 또한, 도체 (10) 는, 기판부 (20) 의 일방의 표면 (표면 또는 이면) 상에 형성되어도 되고, 양방의 표면 (표면 및 이면) 상에 형성되어도 된다.

도 1(B) 는, 도 1(A) 의 파선으로 둘러싼 도체 (10) 부분을 확대하여 나타내는 도면이다. 도 1(B) 에 나타내는 바와 같이, 도체 (10) 는, 무기물 분말 (1) 과, 도전성 분말이 소결되어 형성된 도체부 (2) 를 포함한다. 도체부 (2) 는, 도전성 분말에서 유래하는 금속, 및, 유리 프릿에서 유래하는 유리를 함유한다. 또한, 도체 형성용 조성물에 함유되는 유기 비이클에서 유래하는 성분은, 건조, 소성의 공정에서 제거된다.

무기물 분말 (1) 은, 도체 (10) 의 표면, 적어도, 도체 (10) 와 기판부 (20) 가 접하는 면과는 반대측의 표면에 그 내부보다 많이 존재하도록 배치된다. 무기물 분말 (1) 이 도체 (10) 의 표면으로 치우치도록, 많이 배치되기 때문에, 도체 (10) 에 함유되는 금속 성분과, 도체 (10) 와 접하는 다른 부재 (예를 들어, 벨트로의 벨트 부재) 의 접촉 면적을 줄일 수 있어, 다른 부재와 금속 성분의 접합을 억제할 수 있다. 도체 (10) 는, 저항체의 도체 (표면 전극 및 이면 전극의 적어도 일방) 로서 사용되는 경우, 도체 (10) 의 두께는, 2 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하로 할 수 있고, 3 ㎛ 이상 8 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 도체의 두께는, 촉침식 표면 조도계에 의해 측정할 수 있다.

도 2(A) ∼ 도 2(C) 는, 건조막 또는 도체를 모식적으로 나타낸 도면이다. 건조막 (11) 은, 본 실시형태의 도체 형성용 조성물을 기판부 (20) 상에 도포하고, 건조시켜 얻을 수 있다. 얻어진 건조막 (11) 은, 도 2(A) 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어, 벨트로의 벨트 부재 (25) 상에 재치된다. 벨트 부재 (25) 는, 기판부 (20) 상에 형성된 건조막 (11) 의 적어도 일부의 표면과 접촉한다. 도 2(B) 는, 건조막 (11) 과 벨트 부재 (25) 의 접촉 부분을 확대하여 나타낸 모식도이다. 무기물 분말 (1) 은, 도 2(B) 에 나타내는 바와 같이, 건조막 (11) 중에, 거의 균일하게 분산된다.

도 2(C) 는, 건조막 (11) 을 소성하여, 도체 (10) 를 형성하는 공정에 있어서의, 건조막 (11) 또는 층상의 도체 (10) 를 나타내는 모식도이다. 도 2(C) 에 나타내는 바와 같이, 소성 공정에 있어서, 무기물 분말 (1) 은, 건조막 (11) 또는 도체부 (2) (도체 (10)) 의 표면을 향해 이동하여, 점차로, 내부보다 표면에 많이 존재하게 된다. 이 이유로는 특별히 한정되지 않지만, 무기물 분말 (1) 의 소결 개시 온도가, 도전성 분말의 소결 개시 온도보다 높기 때문에, 소성 공정에 있어서, 도전성 분말이 소결될 때에, 무기물 분말 (1) 이, 건조막 (11) 의 외측 (표면) 으로 압출되도록 이동하는 것이 생각된다. 그리고, 소성 후에 얻어진 도체 (10) 에서는, 도체 (10) 의 표면에, 무기물 분말 (1) 이 내부보다 많이 존재하게 된다.

또한, 무기물 분말 (1) 은, 적어도 기판부 (20) 와 접하는 면과는 반대측의 표면에, 도체 (10) 의 내부보다 많이 존재하면 되고, 예를 들어, 기판부 (20) 와 접하는 면에도 존재해도 된다. 또, 무기물 분말 (1) 은, 예를 들어, 기판부 (20) 와 접하는 면에서 기판과 반응하여 합금화됨으로써, 얻어지는 도체에 있어서는, 기판부 (20) 와 접하는 면과는 반대측의 표면으로 치우쳐서 배치되어도 된다. 이하, 무기물 분말 (1) 에 대해, 상세하게 설명한다.

[무기물 분말]

도체 형성용 조성물에 있어서, 무기물 분말 (1) 은, 주사형 전자 현미경 (SEM) 측정에 기초하는 평균 입경 (SEM 평균 입경) 이 0.3 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하이다. SEM 평균 입경이, 상기 범위인 경우, 얻어지는 도체의 저항값이 낮아, 우수한 도전성을 가질 수 있고, 또한, 도체의 다른 부재에 대한 접합을 억제할 수 있다. 또, SEM 평균 입경이 상기 범위인 경우, 특히, 파인 라인화된 전자 부품에 바람직하게 사용할 수 있다.

한편, SEM 평균 입경이 0.3 ㎛ 미만인 경우, 무기물 분말 (1) 이 도체 중에 매립되어, 접합의 방지 효과가 불충분해지는 경우가 있다. 또, SEM 평균 입경이 5.0 ㎛ 초과인 경우, 얻어지는 도체의 저항률이 높아지는 경우가 있다. 또한, 무기물 분말 (1) 의 SEM 평균 입경은, 주사형 전자 현미경 (SEM) 을 사용하여, 사진 중에 입자 형상의 전용 (全容) 이 보이는 입자를 300 개 이상 확인할 수 있는 배율로 촬영하고, 관찰된 각 입자의 최장 직경과 최단 직경의 평균값으로부터 각 입자의 직경을 산출하고, 얻어진 무기물 분말의 직경의 평균값 (산출된 각 입자의 직경의 총합/측정된 입자의 수, 개수 평균) 에 의해 정하였다. 또, 본 명세서에 있어서 다른 부분에서도 SEM 평균 입경은 동일한 의미를 갖고 있다. SEM 으로 관찰할 때의 배율은, 상기 서술한 바와 같이 300 개 이상 확인할 수 있으면 임의로 설정할 수 있지만, 본 발명에 사용하는 무기물 분말의 경우, 1,000 배 ∼ 20,000 배의 범위에서 관찰하는 것이 바람직하다.

무기물 분말 (1) 은, 도체 형성용 조성물을, 도전성 분말을 소결할 수 있는 온도에서 소성했을 때에, 소결되지 않는 입자로 이루어지는 분말을 사용할 수 있다. 즉, 무기물 분말 (1) 은, 도전성 분말보다 소결 개시 온도가 높아, 예를 들어, 대기 분위기 중, 120 ℃ 이상 900 ℃ 이하에서 소성 (열 처리) 했을 경우에 소결되지 않는 입자를 사용할 수 있다. 이와 같은 입자를 사용한 경우, 상기 서술한 바와 같이, 도체 형성용 조성물로 형성된 건조막을 소성했을 때, 무기물 분말 (1) 이, 도체의 표면으로 치우쳐 분포할 수 있다.

무기물 분말 (1) 은, 상기의 특성을 갖는 분말이면 특별히 한정되지 않고, 도체 형성용 조성물에 사용되는 공지된 분말 재료를 사용할 수 있다. 무기물 분말 (1) 은, 예를 들어, 세라믹 분말 등을 사용할 수 있지만, 바람직하게는, 금속 분말, 금속 산화물 분말, 및, 산화 피막을 갖는 금속 분말 중 적어도 하나를 사용할 수 있고, 보다 바람직하게는, 구리 분말, 산화구리 분말, 및, 산화 피막을 갖는 구리 분말 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 무기물 분말 (1) 로서, 구리를 함유하는 분말을 사용한 경우, 그 분말의 대부분은 기판에 접하는 면과 반대측으로 치우치지만, 기판측에 남은 그 분말이 기판과의 밀착성을 향상시키는 효과도 가지므로 바람직하다.

또, 무기물 분말 (1) 은, 절연성의 입자를 사용할 수 있고, 예를 들어, 기판 (11) 과 동일한 재료로 이루어지는 분말 (예를 들어, 알루미나 분말) 을 사용할 수 있다.

무기물 분말 (1) 은, 도전성 분말 100 질량부에 대해, 10 질량부 이상 45 질량부 이하 함유되는 것이 바람직하고, 15 질량부 이상 45 질량부 이하 함유되는 것이 보다 바람직하다. 무기물 분말 (1) 의 함유량이 10 질량부 미만인 경우, 접합의 방지 효과가 불충분해지는 경우가 있다. 무기물 분말 (1) 의 함유량이 45 질량부 초과인 경우, 인접하는 다른 부재에 분말이 전사되기 쉬워지거나, 얻어지는 도체의 저항률이 높아지거나 하는 경우가 있다.

본 실시형태의 도체 형성용 조성물은, 상기 무기물 분말 (1) 이외에, 도전성 분말과, 유리 프릿과, 유기 비이클을 함유한다. 이들 성분은 특별히 한정되지 않고, 도체 형성용 조성물에 사용되는 공지된 분말 재료를 사용할 수 있다. 이하, 도체 형성용 조성물을 구성하는 각 성분의 일례에 대해 설명한다.

[도전성 분말]

도전성 분말은 특별히 한정되지 않고, 도체 형성용 조성물에 사용되는 공지된 도전성 분말을 사용할 수 있다. 도전성 분말은, 예를 들어, Au, Ag, Pd 및 Pt 중의 적어도 1 종류를 함유할 수 있다. 또, 도전성 분말은, 도체 형성용 조성물 전체에 대해, 30 질량％ 이상 60 질량％ 이하 함유될 수 있다.

[유리 프릿]

유리 프릿은 특별히 제한되지 않고, 도체 형성용 조성물에 사용되는 공지된 유리 프릿을 사용할 수 있다. 유리 프릿은, 예를 들어, 평균 입경이 0.5 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하이고, 연화점이 500 ℃ 이상 700 ℃ 이하인 유리 프릿을 사용할 수 있다. 유리 프릿은, 무납 유리 프릿을 사용하는 것이 바람직하고, 구체적으로는, 붕규산 유리 (SiO₂-B₂O₃ 계) 등의 실질적으로 알칼리 금속을 함유하지 않는 유리 프릿을 사용할 수 있다. 유리 프릿에는, 유리와 기판의 젖음성이나, 기판과 도체의 밀착성의 향상, 또한 도체의 내산화성을 향상시킬 목적에서, CaO, BaO, ZnO, TiO₂, V₂O₅ 등을 유리 성분으로서 함유해도 된다. 또, 유리 프릿은, 도체 형성용 조성물 전체에 대해, 0.1 질량％ 이상 5 질량％ 이하의 범위에서 함유될 수 있다.

[유기 비이클]

유기 비이클은, 바인더 수지를 용제에 용해한 것이다. 바인더 수지로는 특별히 한정되지 않고, 종래와 동일한 수지를 사용할 수 있고, 예를 들어, 에틸셀룰로오스, 메타크릴레이트 등을 사용할 수 있다. 바인더 수지는, 도체 형성용 조성물에 대해 1 질량％ 이상 10 질량％ 이하의 범위에서 함유되는 것이 바람직하다. 바인더 수지의 함유량이 1 질량％ 미만인 경우, 도체 형성용 조성물의 핸들링성이 나쁘고, 도체를 형성할 때에 필요한 페이스트로서의 점도 특성이 얻어지지 않는 경우가 있다. 한편, 바인더 수지의 함유량이 10 질량％ 를 초과하는 경우, 얻어지는 건조막의 표면으로 바인더 수지가 흘러넘치기 쉽고, 흘러넘친 바인더 수지가 무기물 분말 (1) 을 덮어, 인접하는 다른 부재에 부착됨으로써, 얻어지는 도체와 다른 부재가 접합하는 경우가 있다.

용제로는 특별히 한정되지 않고, 공지된 용제를 사용할 수 있고, 예를 들어, 테르피네올, 부틸카르비톨 등의 유기 용제를 사용할 수 있다.

[점도 조정용의 용제]

본 실시형태의 도체 형성용 조성물은, 페이스트를 제작했을 때의 점도를 조정하기 위한 용제를 추가로 함유해도 된다. 점도 조정용의 용제는 특별히 한정되지 않고, 공지된 용제를 사용할 수 있고, 예를 들어, 테르피네올, 부틸카르비톨 등의 유기 용제를 사용할 수 있다. 또, 점도 조정용의 용제는, 상기의 유기 비이클에 함유되는 용제와 동일해도 되고, 상이해도 된다. 또, 도체 형성용 조성물 전체에 있어서의 용제의 함유량은 적절히 조정할 수 있고, 예를 들어, 도체 형성용 조성물 전체에 대해, 20 질량％ 이상 60 질량％ 이하의 범위로 할 수 있다.

본 실시형태의 도체 형성용 조성물의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 제조 방법을 사용할 수 있고, 예를 들어, 상기의 도전성 분말과, 무기물 분말 (1) 과, 유리 프릿과, 유기 비이클을 함유하는 재료를, 3본 롤 밀 등으로 혼합함으로써 제조할 수 있다.

도 3 은, 상기 도체 형성용 조성물을 사용하여 제조되는 본 실시형태의 도체의 제조 방법의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 이하, 도 3 을 참조하여, 본 실시형태의 도체의 제조 방법에 대해 설명한다.

먼저, 상기 도체 형성용 조성물을 기판의 적어도 일방의 면에 도포한다 (스텝 S1). 도포는, 예를 들어, 스크린 인쇄 등을 사용할 수 있다. 기판은, 예를 들어, 슬릿을 갖는 슬릿 기판을 사용할 수 있다. 슬릿 기판은, 이후의 공정에서, 슬릿을 따라 분할되어, 각각의 칩 부품이 형성된다. 또한, 슬릿 기판을 사용하는 경우, 도 1 ∼ 도 2 에 나타내는 기판부 (20) 는, 칩 부품 (예를 들어, 칩 저항체) 에 있어서의 하나의 칩분에 대응하는 기판 부분이다.

이어서, 도체 형성용 조성물을 도포한 기판을 건조시켜, 기판 상에 건조막을 형성한다 (스텝 S2). 건조 조건은 특별히 한정되지 않고, 도체 형성용 조성물에 함유되는 용제의 적어도 일부를 제거할 수 있으면 된다. 건조 온도는, 예를 들어, 80 ℃ 이상 150 ℃ 이하이다. 건조 시간은, 예를 들어, 1 분 이상 15 분 이하이다.

기판의 양면 (표면 및 이면) 에 상기 도체 형성용 조성물을 도포하는 경우, 기판의 일방의 면에 스크린 인쇄 등으로부터 도포하여 건조시킨 후, 기판의 타방의 면에, 동일하게, 상기 도체 형성용 조성물을 도포하여 건조시킨다. 이 공정에 의해, 예를 들어, 도 2(A) 에 나타내는 바와 같이, 기판부 (20) 의 이면 및 표면의 양면에 소정 간격을 갖고, 대향하는 1 쌍의 건조막 (11) 을 얻을 수 있다.

이어서, 건조막을 형성한 기판을 소성한다 (스텝 S3). 소성 공정 (스텝 S3) 에 있어서, 상기 도체 형성용 조성물에 함유되는 도전성 분말이 소결되어, 도 1(B) 에 나타내는 바와 같은 도체부 (2) 가 형성된다. 또, 소성이 진행됨에 따라, 무기물 분말 (1) 이 기판과 접하는 면과는 반대측의 내부보다 표면에 많이 존재한다. 소성 조건은 특별히 한정되지 않고, 도전성 분말이 소결되는 조건을 사용할 수 있지만, 대기 분위기 중에서 실시하는 것이 바람직하다. 소성 온도는, 예를 들어, 600 ℃ 이상 900 ℃ 이하이다. 벨트로를 사용하여 소성하는 경우, 반송 속도를 고려하여, 600 ℃ 이상 900 ℃ 이하에서 설정한 피크 온도에서 소정 시간, 예를 들어 1 분 이상 15 분 이하 유지되도록 설정한다.

도체 형성용 조성물이, 무기물 분말 (1) 로서 금속 분말을 함유하는 경우, 금속 분말은, 소성시, 대기 중의 산소와 반응하여 산화 금속 분말 또는 산화 피막을 갖는 금속 분말을 형성할 수 있다. 무기물 분말 (1) 이 구리 분말인 경우, 구리 분말은, 소성시, 대기 중의 산소와 반응하여 산화구리 분말 또는 산화 피막을 갖는 구리 분말을 형성한다. 무기물 분말 (1) 로서 구리 분말을 사용하면, 기판과의 밀착성도 우수하므로 바람직하다. 또한, 도체 형성용 조성물에 사용되는 무기물 분말 (1) 로는, 산화구리 분말 또는 산화 피막을 갖는 구리 분말을 직접 사용해도 된다.

도 4 는, 본 실시형태의 저항기의 일례를 나타내는 모식도이다. 저항기 (100) 는, 기판 (20), 도체 (10), 및, 저항체 (30) 를 적어도 구비한다. 또, 저항기 (100) 는, 저항체 (30) 상에 유리층이나 수지층 등의 보호층 (40) 을 갖는다.

저항기 (100) 를 구성하는 도체 (10) 는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 표면 전극 (10a) 및 이면 전극 (10b) 을 포함한다. 표면 전극 (10a) 및/또는 이면 전극 (10b) 은, 상기 도체 형성용 조성물을 사용하여 형성된다. 또, 도체 (10) 는, 단면 전극 (10c) 을 포함한다. 상기 도체 형성용 조성물을 사용하여 얻어진 도체 (10) 는, 저항값이 낮고, 우수한 도전성을 가지므로, 파인 라인화된 전자 부품에 바람직하게 사용할 수 있다.

실시예

이하, 본 발명에 대해 실시예에 의해 추가로 설명을 실시하지만, 본 발명의 범위는, 실시예에 의해 제한되지 않는다. 이하, 각 실시예 및 비교예의 상세한 것에 대하여 설명한다.

(실시예 1)

[도체 형성용 조성물 (도전성 페이스트) 의 제작]

미리, 바인더 수지로서 에틸셀룰로오스를 유기 비이클 중 15 질량％, 용제로서 테르피네올을 유기 비이클 중 85 질량％ 함유하는 유기 비이클을 제작하였다.

다음으로, 도전성 분말로서 Ag 분말을 도전성 페이스트 전체에 대해 50 질량％, SEM 평균 입경 1.0 ㎛ 의 Cu 분말을 도전성 분말 100 질량부에 대해 20 질량부, 유리 프릿을 도전성 페이스트 전체에 대해 3.0 질량％, 유기 비이클을, 에틸셀룰로오스가 도전성 페이스트 전체에 대해 3.0 질량％ 가 되는 양으로 첨가하고, 3본 롤 밀 (뷰러 (주) 제조, SDY-300) 을 사용하여 혼합하고, 마지막으로 점도 조정용의 용제를 첨가하여 페이스트상의 도체 형성용 조성물 (도전성 페이스트) 을 제작하였다.

[건조막, 도체의 제작]

얻어진 도전성 페이스트를, 96 ％ 알루미나 기판 상에 스크린 인쇄기를 사용하여 소정의 패턴 (폭 20 ㎜ × 길이 20 ㎜) 으로 인쇄하고, 벨트식 건조로를 사용하여 150 ℃ 에서 5 분간 건조시켜 건조막 (막 두께 15 ㎛) 을 형성하였다. 다음으로, 건조막이 벨트로의 벨트에 접촉하도록 설치하고, 피크 온도 850 ℃ 에서 9분간, 토탈 50 분으로 소성하여, 도체를 형성하였다.

[벨트와의 접합의 평가]

형성된 도체는, 벨트와의 접점 부분을 육안 또는 광학 현미경으로 관찰하여, 접합의 유무 및 벨트에 대한 전사 (무기물 분말의 부착) 의 유무를 육안에 의해 관찰하여 평가하였다. 평가 결과를 표 1 에 나타낸다. 또, 도체 (도전막) 의 광학 현미경에 의한 관찰 결과를 도 5 에 나타낸다. 화살표로 나타내는 부분이, 벨트와의 접촉 부분 (접합 부분) 에 해당한다.

[도체의 두께, 및, 저항값의 측정]

얻어진 도체의 두께는, 촉침식 표면 조도계 ((주) 도쿄 정밀 제조, SURFCOM 480A) 를 사용하여 측정하였다. 다음으로, 디지털 멀티미터 ((주) ADVANTEST 제조, R6871E) 를 사용하여, 폭 0.5 ㎜, 길이 50 ㎜ 의 도체 패턴의 저항값을 측정하고, 앞서 측정한 막의 두께로부터, 막 두께 5 ㎛ 로서 환산했을 때의 저항값을 산출하였다. 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.

(실시예 2)

Cu 분말의 SEM 평균 입경을 4.0 ㎛ 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건에서 도전성 페이스트를 제작하였다. 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.

(실시예 3)

Cu 분말의 함유율을 도전성 분말 100 질량부에 대해 40 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 페이스트를 제작하였다. 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.

(실시예 4)

Cu 분말 (무기물 분말) 을 CuO 분말로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건에서 도전성 페이스트를 제작하였다. 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.

(실시예 5)

Cu 분말 (무기물 분말) 을 알루미나 분말로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조건에서 도전성 페이스트를 제작하였다. 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.

(비교예 1)

Cu 분말의 SEM 평균 입경을 0.1 ㎛ 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 페이스트를 제작하였다. 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.

(비교예 2)

Cu 분말의 SEM 평균 입경을 10.0 ㎛ 로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 페이스트를 제작하였다. 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.

(비교예 3)

Cu 분말의 함유율을 도전성 분말 100 질량부에 대해 2.0 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 페이스트를 제작하였다. 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.

(비교예 4)

Cu 분말의 함유율을 도전성 분말 100 질량부에 대해 50 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 페이스트를 제작하였다.

(평가 결과)

실시예에서 얻어진 도체는, 막 두께가 약 7 ㎛ ∼ 9 ㎛ 이고, 5 ㎛ 환산의 저항값은 20 mΩ 이상 40 mΩ 이하였다. 또, 5 ㎛ 환산의 저항값은, 조건에 따라, 25 mΩ 이하로 할 수 있었다. 또, 이들 도체의 표면을 육안 및 SEM 관찰을 한 결과 벨트와의 접합 및 벨트에 대한 전사는 확인되지 않았다. 도 5 에, 실시예 1 의 조성물을 사용하여 형성한 도체를 재치한 벨트의 부분을 SEM 관찰한 사진을 나타낸다. 도체가 재치된 벨트의 부분을 확인했지만, 도체의 구성 성분 및 Cu 분말의 부착은 확인되지 않았다.

한편, 비교예 1 의 조성을 사용하여 형성한 도체는, SEM 평균 입경 0.1 ㎛ 의 무기물 분말을 사용하고 있고, 벨트에 재치한 부분의 표면이 변형되어 있는 것이 육안으로 확인되었다. 도 6 에, 비교예 1 의 조성을 사용하여 형성한 도체부를 재치한 벨트의 부분을 SEM 관찰한 사진을 나타낸다. 도 6 에 나타내는 바와 같이, 비교예 1 의 조성을 사용하여 형성한 도체는, 도체 (막) 의 표면이 박리되어 벨트와 접합하고, 전사되어 있는 것이 확인되었다.

비교예 2 의 조성을 사용하여 형성한 도체는, SEM 평균 입경 10 ㎛ 의 무기물 분말을 사용하고 있고, 5 ㎛ 환산의 저항값이 51.2 mΩ 으로 높은 값을 나타내었다. 또, 도체의 표면에는, 벨트와 접합한 흔적은 확인되지 않고, 벨트에 있어서도, 도체와 접촉한 부분에 도체의 구성 성분 및 Cu 분말의 부착은 확인되지 않았다.

비교예 3 의 조성을 사용하여 형성한 도체는, 무기물 분말의 함유량이 10 질량부 미만이고, 벨트에 재치한 부분의 표면이 변형되어 있는 것이 육안으로 확인되었다. SEM 관찰의 결과, 도체의 표면이 박리되어 벨트와 접합하고, 전사되어 있는 것이 확인되었다.

비교예 4 의 조성을 사용하여 형성한 도체는, 무기물 분말의 함유량이 45 질량부 초과이고, 5 ㎛ 환산의 저항값이 65.7 mΩ 으로 높은 값을 나타내었다. 도체의 표면을 육안 및 SEM 관찰을 한 결과 벨트와의 접합은 확인되지 않았다. 한편으로, 벨트의 도체막과 접촉한 부분을 확인한 결과, Cu 분말의 일부가 전사되어 있는 모습이 확인되었다.

또한, 본 발명의 기술 범위는, 상기의 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기의 실시형태에서 설명한 요건의 하나 이상은, 생략되는 경우가 있다. 또, 상기의 실시형태에서 설명한 요건은 적절히 조합할 수 있다. 또, 법령으로 허용되는 한에 있어서, 일본 특허출원인 특허출원 2017-104658, 및 상기 서술한 실시형태 등에서 인용한 모든 문헌의 내용을 원용하여 본문의 기재의 일부로 한다.

1 : 무기물 분말
2 : 도체부
10 : 도체
10a : 표면 전극
10b : 이면 전극
10c : 단면 전극
11 : 건조막
20 : 기판부
25 : 벨트 부재
30 : 저항체
40 : 보호층
100 : 저항기

Claims

도전성 분말과, 상기 도전성 분말 이외의 무기물 분말과, 유리 프릿과, 유기 비이클을 함유하는 도체 형성용 조성물로서,
상기 무기물 분말은, SEM 측정에 기초하는 평균 입경이 0.3 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하이고, 상기 도전성 분말보다 높은 소결 개시 온도를 갖고, 상기 도전성 분말 100 질량부에 대해 10 질량부 이상 45 질량부 이하 함유되고,
칩 저항기의 표면 전극 및 이면 전극의 적어도 일방의 형성에 사용되는 도체 형성용 조성물.
제 1 항에 있어서,
상기 무기물 분말은, 금속 분말, 금속 산화물 분말, 및, 산화 피막을 갖는 금속 분말 중 적어도 하나를 함유하는, 도체 형성용 조성물.
제 2 항에 있어서,
상기 무기물 분말은, 구리 분말, 산화구리 분말, 및, 산화 피막을 갖는 구리 분말 중 적어도 하나를 함유하는, 도체 형성용 조성물.
제 1 항에 있어서,
상기 유기 비이클은, 바인더 수지와 용제를 함유하고, 상기 바인더 수지는, 도체 형성용 조성물에 대해 1 질량％ 이상 10 질량％ 이하 함유되는, 도체 형성용 조성물.
제 1 항에 있어서,
상기 도전성 분말은, Au, Ag, Pd 및 Pt 중 적어도 1 종류를 함유하는, 도체 형성용 조성물.
제 1 항에 있어서,
벨트로를 사용하여 상기 도체 형성용 조성물을 벨트 부재와 접촉시켜 소성했을 경우에, 상기 무기물 분말이 상기 도체의 내부보다 표면에 많이 존재함으로써, 상기 도전성 분말의 벨트 부재에 대한 시이징을 방지할 수 있는, 도체 형성용 조성물.
삭제
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 도체 형성용 조성물을 기판의 적어도 일방의 면에 도포하는 것과,
상기 도체 형성용 조성물을 도포한 기판을 건조시켜, 상기 도체 형성용 조성물에 함유되는 용제의 적어도 일부를 제거하여, 상기 기판 상에 건조막을 형성하는 것과,
상기 건조막을 형성한 기판을 소성하여, 상기 도체 형성용 조성물에 함유되는 도전성 분말을 소결시켜, 상기 무기물 분말이, 내부보다 상기 기판과 접하는 면과는 반대측의 표면에 많이 존재하는 도체를 형성하는 것을 구비하는, 도체의 제조 방법.
제 8 항에 있어서,
상기 도체 형성용 조성물은, 상기 무기물 분말로서 금속 분말을 함유하고, 상기 금속 분말은, 소성시, 대기 중의 산소와 반응하여 산화 금속 분말 또는 산화 피막을 갖는 금속 분말을 형성하는, 도체의 제조 방법.
제 9 항에 있어서,
상기 무기물 분말이 구리 분말인, 도체의 제조 방법.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 도체 형성용 조성물을 사용하여 기판 상에 형성되는 도체로서, 상기 무기물 분말은, 상기 도체 내에 있어서, 상기 기판에 접하는 면과 반대측의 면으로 치우쳐서 배치되는, 도체.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 도체 형성용 조성물을 사용하여 형성된 도체를 갖는 전자 부품.
기판, 도체, 및, 저항체를 적어도 구비하고, 상기 도체는, 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 도체 형성용 조성물을 사용하여 형성된, 칩 저항기.