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KR102593358B1 - 발광소자 패키지 및 광원 장치 - Google Patents

발광소자 패키지 및 광원 장치 Download PDF

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KR102593358B1
KR102593358B1 KR1020180095184A KR20180095184A KR102593358B1 KR 102593358 B1 KR102593358 B1 KR 102593358B1 KR 1020180095184 A KR1020180095184 A KR 1020180095184A KR 20180095184 A KR20180095184 A KR 20180095184A KR 102593358 B1 KR102593358 B1 KR 102593358B1
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light emitting
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conductive
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김원중
김기석
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쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드
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Abstract

발명의 실시 예에 개시된 발광소자 패키지는, 상면과 하면을 포함하고, 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 관통홀 및 제2 관통홀을 포함하는 몸체; 상기 몸체 상에 배치되고 제1 본딩부 및 제2 본딩부를 포함하는 발광 소자; 상기 제1 및 제2관통홀에 배치된 제1 및 제2도전부를 포함하며, 상기 제1 본딩부는 상기 제1관통홀 상에 배치되고 상기 제1도전부와 전기적으로 연결되며, 상기 제2본딩부는 상기 제1관통홀 상에 배치되며 상기 제2도전부와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 및 제2도전부는 수지와 금속을 포함하며, 상기 제1 및 제2도전부는 상기 금속의 중량%가 상기 수지의 중량%보다 높을 수 있다.

Description

발광소자 패키지 및 광원 장치{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT SOURCE UNIT}
발명의 실시 예는 발광소자 패키지, 발광소자 패키지 제조방법, 및 이를 갖는 광원 장치에 관한 것이다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 패키지, 반도체 소자 패키지 제조방법, 및 이를 갖는 광원 장치에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다.
한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 또는 발광소자의 하부에 몸체의 관통 홀이 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체의 관통홀에 금속과 고분자가 결합된 도전부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공한다.
발명의 실시 예는 몸체의 관통홀에 금속과 수지가 결합된 도전부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공한다.
발명의 실시 예는 몸체의 관통홀에 금속과 열 경화성 또는 광 경화성 수지가 결합된 도전부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공한다.
발명의 실시 예는 몸체의 관통홀에 50wt% 이상의 금속 함량과 10wt% 이상의 고분자 수지를 포함하는 도전부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체의 관통홀에 70wt% 이상의 금속 함량과 10wt% 이상의 고분자 수지를 포함하는 도전부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체의 관통 홀들 주변에 몸체의 하면에서 상면 방향으로 오목한 하부 리세스를 포함하는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체의 각 관통홀과 하부 리세스를 연결해 주고, 상기 관통홀과 하부 리세스에 도전부를 배치한 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체의 관통홀의 표면에 금속부 및 상기 금속부 내에 도전부가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체의 하부 리세스의 표면에 금속부 및 상기 금속부에 배치된 도전부를 포함하는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체와 소자 사이에 제1수지가 배치되어, 소자 하부를 지지 및 고정시켜 줄 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 몸체 상부에 하나 또는 복수의 상부 리세스가 배치되며, 상기 상부 리세스에 제1수지가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예는 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상면과 하면을 포함하고, 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 관통홀 및 제2 관통홀을 포함하는 몸체; 상기 몸체 상에 배치되고 제1 본딩부 및 제2 본딩부를 포함하는 발광 소자; 상기 제1 및 제2관통홀에 각각 배치된 제1 및 제2도전부를 포함하며, 상기 제1 본딩부는 상기 제1관통홀 상에 배치되고 상기 제1도전부와 전기적으로 연결되며, 상기 제2본딩부는 상기 제1관통홀 상에 배치되며 상기 제2도전부와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 및 제2도전부는 수지와 금속을 포함하며, 상기 제1 및 제2도전부는 상기 금속의 중량%가 상기 수지의 중량%보다 높을 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2도전부에서 금속의 중량%는 70wt% 이상이며, 상기 수지의 중량%는 10wt% 이상이며, 상기 제1 및 제2도전부는 상기 제1 및 제2관통홀의 표면에서 상기 몸체와 접촉될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2관통홀 각각에 배치된 제1 및 제2 금속부; 를 포함하고, 상기 제1 및 제2도전부에서 금속의 중량%는 50wt% 이상이며, 상기 수지는 25wt% 이상이며, 상기 제1 및 제2도전부는 상기 제1 및 제2관통홀에서 상기 몸체와 비접촉될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체의 하면에서 상기 상면을 향하여 오목한 제1 및 제2 하부 리세스를 포함하며, 상기 제1,2관통홀은 상기 제1 및 제2 하부 리세스의 일부 영역에 각각 배치되며, 상기 제1 및 제2하부 리세스에는 상기 제1 및 제2도전부의 제1 및 제2연장부가 연장될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2관통홀 주변에 상기 하면에서 상기 상면을 향하여 오목한 제1 및 제2 하부 리세스를 포함하며, 상기 제1 및 제2 하부 리세스에 각각 배치되는 제1 및 제2 금속부; 를 포함하고, 상기 제1 및 제2 하부 리세스는 상기 제1 및 제2 관통홀 각각의 외측에 배치되고, 상기 제1 및 제2하부 리세스에는 상기 제1 및 제2도전부의 제1 및 제2연장부가 연장될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2도전부의 수지는 아민계 수지 접착제 또는 에폭시계 수지 접착제를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2금속부는 상기 제1 및 제2관통홀의 상면에 배치된 상기 제1 및 제2본딩부에 각각 접촉될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2관통홀의 표면에 상기 제1 및 제2관통홀의 중심을 기준으로 멀어지거나 가까운 방향으로 돌출된 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2금속부는 상기 제1 및 제2하부 리세스의 깊이보다 작은 두께를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광소자의 하면 및 둘레 중 적어도 하나에 수지 및 상부 리세스 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 광원 장치는, 상부에 제1 및 제2패드를 갖는 회로 기판; 및 상기 회로 기판에 하나 또는 복수의 발광소자 패키지가 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 또는 발광소자의 본딩부들과 대면하는 몸체의 관통홀을 제공하여, 본딩부와의 전기적인 연결을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 또는 발광소자의 본딩부들과 대면하는 몸체의 관통홀에 도전부를 제공하여, 본딩부와의 전기적인 연결을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 또는 발광소자의 본딩부들과 대면하는 몸체의 관통홀에 금속과 수지를 갖는 페이스트 재질의 도전부를 제공하여, 패키지의 전기적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 또는 발광소자의 본딩부들과 대면하는 몸체의 관통홀에 50wt% 이상의 금속과 10wt% 이상의 수지 함량을 갖는 도전부를 제공하여, 패키지의 전기적인 연결을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 또는 발광소자의 본딩부들과 대면하는 몸체의 관통홀 주변에 배치된 하부 리세스에 도전부가 채워지도록 함으로써, 도전부의 크랙을 억제하거나 방지할 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 관통홀 및 하부 리세스에 금속부 및 상기 금속부 상에 상기의 도전부를 배치하여, 관통홀을 통해 연결되는 도전부의 전기적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 관통홀을 통해 도전부와 소자의 본딩부를 연결시켜 주어, 플립 칩의 본딩부의 접착력 및 전기 전도성을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 소자 하부와 몸체 사이에 제1수지를 배치하여, 소자의 접착력 및 지지력을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 몸체의 상부에 리세스 및 소자 하부에 제1수지를 배치하여, 소자의 접착력 및 지지력을 개선시켜 줄 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지, 이를 갖는 광원 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 발명의 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 3은 도 1의 발광소자 패키지에서 도전부가 없는 구조의 부분 측 단면을 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이다.
도 5는 도 4의 발광소자 패키지의 제1관통홀 및 제1도전부를 나타낸 확대도이다.
도 6은 도 4의 발광소자 패키지의 도전부의 형성과정을 나타낸 도면이다.
도 7은 도 1의 발광소자 패키지의 다른 예이다.
도 8은 도 7의 발광소자 패키지의 B-B측 단면도이다.
도 9는 도 7의 발광소자 패키지의 C-C측 단면도이다.
도 10은 도 2의 발광소자 패키지의 관통홀 및 하부 리세스의 다른 예이다.
도 11은 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지의 측 단면도이다.
도 12는 제3실시 예에 따른 발광소자 패키지의 측 단면도이다.
도 13은 도 12의 발광소자 패키지의 다른 예이다.
도 14는 제4실시 예에 따른 발광소자 패키지의 측 단면도이다.
도 15는 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예이다.
도 16은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치의 예이다.
도 17은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 발광소자의 예이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다.
다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시 예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, “및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한 개 이상)”로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나이상을 포함 할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 확정되지 않는다. 그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속＇되는 경우도 포함할 수 있다. 또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다. 상기 소자 패키지의 반도체 소자는 자외선, 적외선 또는 가시광선의 광을 발광하는 발광소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 상기 발광소자가 적용된 패키지 또는 광원 장치에 비 발광소자 예컨대, 제너 다이오드와 같은 소자나 파장이나 열을 감시하는 센싱 소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 발광소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다.
<제1실시 예>
도 1은 발명의 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이며, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 저면도이고, 도 3은 도 1의 발광소자 패키지에서 도전부가 없는 구조의 부분 측 단면을 나타낸 사시도이며, 도 4는 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이고, 도 5는 도 4의 발광소자 패키지의 제1관통홀 및 제1도전부를 나타낸 확대도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 발광소자 패키지(100)는, 패키지 몸체(110) 및 발광소자(120)를 포함할 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(115)와 상부몸체(110A)를 포함할 수 있다. 상기 상부몸체(110A)는 몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상부몸체(110A)는 몸체(115)의 상부 둘레에 배치될 수 있다. 상부몸체(110A)는 몸체(115)의 상부 위에 캐비티(102)를 제공할 수 있다. 일 예로서, 몸체(115)와 상부몸체(110A)은 일체형으로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 몸체(115)와 상부몸체(110A)은 서로 별개로 형성된 후 부착되거나 결합될 수 있다. 상기 몸체(115)와 상부몸체(110A)는 걸림홈 또는/및 걸림턱과 같은 결합 구조를 가질 수 있다.
상기 몸체(115)는 발광소자(120)를 지지하는 하부 몸체 또는 지지부일 수 있고, 상기 상부몸체(110A)는 투과부, 반사부 또는 측벽부일 수 있다. 또한, 실시예에 의하면, 패키지 몸체(110)는 캐비티(102)를 제공하는 상부몸체(110A)를 포함하지 않고, 평탄한 상부면을 제공하는 몸체(115)만을 포함할 수도 있다. 상기 상부몸체(110A)는 발광소자(120)의 둘레에 배치되며, 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 상부 방향으로 반사시킬 수 있다. 상기 상부몸체(110A)는 몸체(115)의 상면에 대하여 경사지게 배치될 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(102)를 포함할 수 있다. 상기 캐비티(102)는 바닥면과, 바닥면에서 패키지 몸체(110)의 상면에 대해 경사진 측면(132)을 포함할 수 있다. 상기 측면(132)는 스텝 구조를 포함할 수 있다. 실시예에 의하면, 패키지 몸체(110)는 캐비티(102)를 갖는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(102) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다. 도 1과 같이, 상기 패키지 몸체(110)는 상부 몸체(110A)에 전극 식별을 위한 식별부(k1)이 배치될 수 있다.
예로서, 상기 패키지 몸체(110) 또는/및 몸체(115)는 수지 재질 또는 절연성 수지 재질일 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115)는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 그 내부에 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 재질의 필러를 포함할 수 있다. 상기 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115)는 열 가소성 수지로 형성될 수 있다. 상기 상부몸체(110A)는 상기 몸체(115)와 동일한 재질일 수 있다. 상기 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115)는 반사 재질이거나 투명한 재질일 수 있다. 상기 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115)는 투명한 실리콘 재질일 수 있다.
발광소자 패키지(100)는 제1방향(X)의 길이가 제2방향(Y)의 길이와 같거나 클 수 있다. 이하의 설명에서 제1방향은 X 방향이며, 제2방향은 X 방향과 직교하는 Y 방향이며, 제3방향은 X,Y 방향과 직교하는 Z 방향일 수 있다.
발광소자(120)가 다각형 형상인 경우, 상기 제1방향은 상기 발광소자(120)의 변들 중 길이가 더 긴 변의 방향이거나 본딩부들이 이격되는 방향일 수 있다. 예컨대, 제1방향은 발광소자(120)의 장변 방향이며, 제2방향은 단변 방향일 수 있다. 상기 발광소자(120)가 정사각형 형상인 경우, 상기 제1 방향과 상기 제2"?향?* 변의 길이는 서로 동일할 수 있다. 상기 제1방향에는 발광소자(120)의 양 단변이 서로 반대측에 배치되며, 제2방향에는 발광소자(120)의 양 장변이 서로 반대측에 배치될 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 제1방향에 배치된 제1 및 제2측면(S1,S2)과, 제2방향에 배치된 제3 및 제4측면(S3,S4)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2측면(S1,S2)은 패키지 몸체(110)의 제1방향에 대해 서로 대면할 수 있다. 상기 제3 및 제4측면(S3,S4)은 패키지 몸체(110)의 제2방향에 대해 서로 대면할 수 있다. 상기 제1 및 제2측면(S1,S2) 사이의 간격이 상기 제3 및 제4측면(S3,S4)의 제1방향 길이일 수 있다. 상기 제3 및 제4측면(S3,S4) 사이의 간격은 상기 제1 및 제2측면(S1,S2)의 제1방향의 길이일 수 있다. 도 2와 같이, 상기 몸체(115)의 하면(S5)에서 제1방향의 길이(x1)과 제2방향의 길이(y1)은 서로 동일하거나, 길이 x1≥y1의 관계를 가질 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)의 각 측면(S1,S2,S3,S4)은 수직한 면이거나 경사진 면일 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 절연성 재질로 형성될 수 있다. 이러한 패키지 몸체(110)는 상면 또는 캐비티(102)의 바닥에 금속 프레임이 제거된 구조이므로, 금속 프레임을 갖는 구조에 비해 몸체 재질의 선택의 폭이 넓을 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 금속 프레임 예컨대, 리드 프레임과 일체로 사출하지 않아, 금속부의 두께를 상기 리드 프레임의 두께보다 얇게 제공될 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 리드 프레임과 미리 사출하지 않게 되므로, 패키지 몸체(110)의 관통홀의 위치 변경, 캐비티(102)의 형상, 패키지 몸체(110)의 사이즈, 또는 패키지 사이즈에 대한 설계 변경이 용이할 수 있다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 상기 패키지 몸체(110)의 두께(t1)는 100 마이크로 미터 이상 예컨대, 100 내지 800 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 두께(t1)는 상기 몸체(115)의 하면에서 상기 상부몸체(110A)의 상면까지의 거리이거나 간격이다. 상기 패키지 몸체(110)의 두께(t1)는 몸체(115)의 두께(t2)과 상기 상부몸체(110A)의 두께의 합일 수 있다. 상기 상부몸체(110A)의 두께는 상기 발광소자(120)의 두께 이상일 수 있으며, 상기 캐비티(102)의 깊이(h1)와 동일할 수 있다. 이러한 상부몸체(110A)의 상면은 광의 지향각 분포를 위해 상기 발광소자(120)의 상면과 같거나 더 높은 위치에 배치될 수 있다. 다른 예는 상부몸체(110A)는 제거될 수 있으며, 이러한 발광소자 패키지는 130도 이상의 광 지향각 분포를 가질 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 관통홀(TH1,TH2)을 구비할 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 하나 또는 복수의 관통홀을 구비할 수 있다. 상기 관통홀(TH1,TH2)은 제1방향으로 이격될 수 있다. 상기 관통홀(TH1,TH2)은 서로 이격된 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 발광소자(120)의 아래에 배치된 상기 패키지 몸체(110)의 상면에서 하면을 관통할 수 있다. 상기 몸체(115)는 관통홀(TH1,TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 몸체(115)의 상면에서 하면(S5)을 관통할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 캐비티(102)의 바닥에서 상기 몸체(115)의 하면(S5)까지 관통될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115)의 상면에서 하면 방향으로 관통될 수 있다.
실시예에 의하면, 제1 관통홀(TH1)의 상부 영역의 폭 또는 면적은 제1 관통홀(TH1)의 하부 영역의 폭 또는 면적에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)의 상부 영역의 폭 또는 면적은 제2 관통홀(TH2)의 하부 영역의 폭 또는 면적에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)의 상면의 폭 또는 면적은 제1 관통홀(TH1)의 하면의 폭 또는 면적과 다를 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)의 상면의 폭 또는 면적은 제2 관통홀(TH2)의 하면의 폭 또는 면적과 다를 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)의 상면의 폭 또는 면적은 제1 관통홀(TH1)의 하면의 폭 또는 면적에 비해 작을 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)의 상면의 폭 또는 면적은 제2 관통홀(TH2)의 하면의 폭 또는 면적에 비해 작을 수 있다.
상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)의 내면은 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1, TH2)의 내면은 수직한 면이거나, 경사진 면 또는 곡면 중에서 적어도 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다. 도 4와 같이, 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)의 내면은 경사진 면을 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 제1관통홀(TH1)은 하면 중심과 상면 중심이 서로 다른 위치에 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)의 하면 중심과 상면 중심은 서로 다른 위치에 배치될 수 있다. 제1방향으로, 상기 제1관통홀(TH1)과 상기 제2관통홀(TH2)의 하면 중심 간의 간격은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상면 중심 간의 간격과 다를 수 있다. 제1방향으로, 상기 제1관통홀(TH1)과 상기 제2관통홀(TH2)의 하면 중심 간의 간격은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상면 중심 간의 간격보다 클 수 있다. 발명의 실시 예는 상기 제1관통홀(TH1)의 하면 중심이 상면 중심에 비해 제1측면(S1) 방향으로 이동되며, 상기 제2관통홀(TH2)의 하면 중심이 상면 중심에 비해 제2측면(S2) 방향으로 이동될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에서 서로 대향되는 두 내측면(Sa,Sb)의 경사 각도를 다르게 제공될 수 있다. 여기서, 내측면(Sa,Sb)는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 패키지 몸체(110)의 양측면에 가까운 측면은 제1내측면(Sa)로 설명하며, 상기 제1내측면(Sa)와 대응되거나 대향되는 면은 제2내측면(Sb)로 설명하기로 한다. 상기 경사 각도는 각 측면(Sa,Sb)의 상단 에지부터 하단 에지로 연장한 직선과 몸체의 하면 사이의 외부 각도이다. 상기 제1내측면(Sa)은 몸체(115)의 중심으로부터 제1측면(S1) 또는 제3측면(S2)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제2내측면(Sb)은 제1내측면(Sa)보다 상기 몸체(115)의 센터에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1) 및 제2관통홀(TH2) 각각은 제1 및 제2내측면(Sa, Sb)를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 제1관통홀(TH1)에서 제1관통홀(TH1)의 하면을 기준으로 제1내측면(Sa)의 경사 각도는 제2내측면(Sb)의 경사 각도보다 크게 제공할 수 있다. 예컨대, 제1관통홀(TH2)에서 제2관통홀(TH2)의 수평한 하면을 기준으로 제1내측면(Sa)의 경사 각도는 제2내측면(Sb)의 경사 각도보다 크게 제공할 수 있다. 상기 제1 및 제2내측면(Sa,Sb)의 경사 각도는 각 관통홀의 상단부터 하단으로 연장되는 직선의 각도일 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제1내측면(Sa)은 경사진 면, 또는 수직한 면과 경사진 면이 연결된 면이거나, 오목한 곡면을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제2내측면(Sb)은 경사진 면, 또는 수직한 면과 경사진 면이 연결된 면이거나, 오목한 곡면을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제2내측면(Sb)은 상부가 수직한 면이고 하부가 경사진 면인 경우, 관통홀(TH1,TH2)에서 경사진 면을 갖는 하부의 높이가 수직한 면을 갖는 상부의 높이보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제1내측면(Sa)의 상단과 상기 제2내측면(Sb)의 상단은 곡면이거나, 각진 면일 수 있다. 이러한 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제1내측면(Sa)이 제2내측면(Sb)보다 더 넓은 면적을 갖고 경사진 면으로 제공되므로, 도전부(171,173) 내에 포함된 수지 재질과의 접착력이 증가될 수 있다. 또한 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 하부를 통해 도전부(171,173)의 주입이 용이할 수 있고, 도전부(171,173)와의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 또한 주입 효율이 증가되므로, 도전부(171,173)와 본딩부(121,122) 사이의 영역에서의 보이드 발생을 억제할 수 있다. 상기 도전부(171,173)는 관통홀(TH1,TH2) 내에 배치될 수 있다.
상기 몸체(115)의 하면 영역에서 제1 관통홀(TH1)와 제2 관통홀(TH2) 사이의 간격은 100 마이크로 미터 내지 600 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 몸체(115)의 하면 영역에서 제1 관통홀(TH1)과 제2 관통홀(TH2) 사이의 간격은, 상기 발광소자 패키지(100)가 회로기판, 또는 서브 마운트에 실장되는 경우에, 전기적인 간섭을 방지하기 위하여 상기의 범위로 이격될 수 있다. 상기 제1 및 관통홀(TH1,TH2)의 최대 깊이는 몸체(115)의 두께(t2)와 동일할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 몸체(115)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)의 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 400 마이크로 미터 이하 예컨대, 80 내지 400 마이크로 미터의 범위 또는 100 내지 300 마이크로 미터의 범위로 제공될 수 있다. 여기서, 상기 몸체(115)의 두께(t2)는 400 마이크로 미터 이하 예컨대, 80 내지 400 마이크로 미터의 범위 또는 100 내지 300 마이크로 미터의 범위로 제공될 수 있다. 상기 몸체(115)의 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 깊이는 상기 몸체(115)의 두께와 같거나 두꺼울 수 있다. 상기 제 1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 발광소자(120)의 영역과 수직 방향으로 중첩된 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 탑뷰 형상이 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상, 또는 직선과 곡선을 갖는 비정형 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제 1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상부 길이는, 제1방향과 제2방향이 동일한 길이로 제공되거나, 어느 한 방향의 길이가 더 길게 제공될 수 있다. 상기 제 1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 하부 길이는, 제1방향과 제2방향이 동일한 길이로 제공되거나, 어느 한 방향의 길이가 더 길게 제공될 수 있다.
상기 제1관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121) 아래에서 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122)의 아래에서 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121)과 대면하며, 상기 제1본딩부(121)의 개수와 동일한 개수로 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122)와 대면하며, 상기 제2본딩부(122)의 개수와 동일한 개수로 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부 형상과 하부 형상이 동일하거나 다를 다를 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)는 상부 형상과 하부 형상이 대칭적일 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)는 상부 형상과 하부 형상이 비 대칭적일 수 있다. 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)는 제1방향과 제2방향 중 적어도 하나로 상부 형상의 중심과 하부 형상의 중심이 동일한 수직 직선 상에 배치되거나, 서로 다른 수직한 직선 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상부 형상과 하부 형상은 서로 다른 형상이거나, 제1방향으로 상부 및 하부 중심은 서로 다를 위치에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상부 형상과 하부 형상은 서로 다른 형상이거나, 제2방향으로 상부 및 하부 중심은 서로 다를 위치에 배치될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 도 1 및 도 4와 같이, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 및 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 기판(124)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 제1방향의 길이가 제2방향의 길이와 같거나 제1방향의 길이가 제2방향의 길이보다 더 길 수 있다.
상기 발광 구조물(123)은 기판(124)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 상기 기판(124)와 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이에 배치될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 기판(124)은 투광 층으로서, 절연성 재질 또는 반도체 재질로 형성될 수 있다. 상기 기판(124)은 예컨대, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(124)은 표면에 요철 패턴이 형성될 수 있다. 상기 기판(124)는 제거될 수 있다.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 예로서, 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(123)의 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다.
상기 활성층은 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 배치될 수 있다. 상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서, 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광소자(120)는 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(102) 내에 배치될 수 있다. 상기 캐비티(102)의 외측 둘레에 배치된 내측면(132)은 경사지거나 수직할 수 있으며, 예컨대 경사진 면은 1단 이상 또는 2단 이상으로 경사지게 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 상기 몸체(115)와 대면할 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 제1방향으로 이격될 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)과 동일한 방향으로 이격될 수 있다.
상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 전극 또는 패드일 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치된 도전부(171,173)와 연결되고 전원을 공급받을 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 또는 상부몸체(110A)의 상부 방향으로 추출될 수 있게 된다. 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 몸체(115) 및 상부몸체(110A)의 재질이 반사재질인 경우, 반사될 수 있고, 투과재질인 경우 투과될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 패키지 몸체(110) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 패키지 몸체(110) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)과 상기 제2 본딩부(122)는 금속 재질 및 비금속 재질 중 적어도 하나 또는 모두를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)는 Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 발광소자(120)는 내부에 하나 또는 복수의 발광 셀을 포함할 수 있다. 상기 발광 셀은 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합, p-n-p 접합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 셀은 하나의 발광소자 내에서 서로 직렬로 연결될 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자(120)는 하나 또는 복수의 발광 셀을 가질 수 있으며, 하나의 발광소자에 n개의 발광 셀이 배치된 경우 n배의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 예컨대, 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 2개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 6V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 또는 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 3개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 9V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 상기 발광소자(120)에 배치된 발광 셀의 개수는 1개 또는 2개 내지 5개일 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115)와 상기 발광소자(120) 사이의 영역에는 소정의 갭(Gap)이 배치될 수 있다. 상기 갭의 높이는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 두께와 같거나 클 수 있다. 상기 갭에는 제1수지(160)가 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이의 영역과 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 패키지 몸체(110)의 상면 사이의 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이의 영역과 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(115)의 상면 또는 캐비티 바닥 사이의 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 부착시켜 줄 수 있다. 상기 제1수지(160)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 내부에 금속 산화물 또는 필러를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1수지(160)는 TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 금속 산화물 또는 불순물을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 도전부(171,173)가 형성되기 전에 상기 발광소자(120)의 하부에 디스펜싱되어, 상기 발광소자(120)를 상기 몸체(115) 상에 부착 및 고정시켜 줄 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자(120)의 유동이나 틸트를 방지할 수 있다. 또한 상기 제1수지(160)는 상기 도전부(171,173)가 리멜팅되더라도, 상기 몸체(115)에 상기 발광소자(120)를 고정시켜 줄 수 있다.
상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 사이에서 광을 확산하거나 반사할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1수지(160)는 광을 확산하거나 반사하게 됨으로써, 상기 발광소자 패키지의 광 추출 효율을 개선할 수 있다.
상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 패키지 몸체(110)에 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 몸체(115)의 상면에 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)에 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 접착시켜 주어, 상기 발광소자(120)의 지지력을 증가시켜 줄 수 있고 상기 발광소자(120)의 틸트를 방지할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 접촉되어, 도 16과 같은 회로 기판(201) 상에서 상기 발광소자(120)와 본딩되는 도전부(171,173)가 리멜팅될 경우, 상기 발광소자(120)의 유동을 방지하고 상기 발광소자(120)를 지지할 수 있다.
발명에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2)은 상기 패키지 몸체(110)의 상면과 하면을 Z 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 발광소자(120)와 수직 방향(Z)으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향으로 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 관통홀(TH1)은 상기 패키지 몸체(110)의 상면에서 하면으로 향하는 Z 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 이러한 제1 관통홀(TH1)을 통해 상기 제1 본딩부(121)를 노출시켜 줌으로써, 상기 제1 관통홀(TH1)에 채워지거나 배치되는 한 종류 또는 두 종류 이상의 도전성 물질을 통해 전기적인 경로 및 방열 경로로 제공할 수 있다.
상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향으로 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 관통홀(TH2)은 상기 패키지 몸체(110)의 상면에서 하면으로 향하는 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 이러한 제2 관통홀(TH2)을 통해 상기 제2 본딩부(122)를 노출시켜 줌으로써, 상기 제2 관통홀(TH2)에 채워지거나 배치되는 한 종류 또는 두 종류 이상의 도전성 물질을 통해 전기적인 경로 및 방열 경로로 제공할 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 제1 방향의 상부 폭(b)은 하부 폭(b1)보다 작을 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 제2 방향의 상부 길이(a)는 하부 길이(a1)보다 작을 수 있다. 상기 b1/b의 비율은 a1/a의 비율보다 클 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 제1방향에서 제2방향보다는 도전부(171,173)와의 접촉 효율이 증가될 수 있고, 제1방향으로의 도전부 확산을 유도하고 제2방향으로의 도전부 확산을 억제할 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1)의 상면 중심과 하면 중심은 같은 중심에 배치되거나, 서로 어긋나게 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)의 상면 중심과 하면 중심은 같은 중심에 배치되거나, 서로 어긋나게 배치될 수 있다.
상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 하부 중심 간의 간격은 상부 중심 간의 간격보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 하부 중심 간의 간격을 상부 중심 간의 간격보다 더 이격시켜 줌으로써, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 채워지는 도전부(171,173)가 몸체(115)의 하면에서 더 이격될 수 있다.
상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 제1 및 제2방향의 상부 폭(b,a) 및 상부 길이(b1,a1)는 제1 및 제2본딩부(121,122)의 제1 및 제2방향의 하면 폭 및 하면 길이보다는 작을 수 있다. 제1 방향으로 상기 제1 관통홀(TH1)의 상부 영역의 폭(b)은 상기 제1 본딩부(121)의 너비에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, X 방향으로 상기 제2 관통홀(TH2)의 상부 영역의 폭(b)이 상기 제2 본딩부(122)의 너비에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 X 방향의 폭은 서로 동일하거나 다를 수 있다. 제2 방향으로 상기 제1 관통홀(TH1)의 상부 영역의 길이(a1)가 상기 제1 본딩부(121)의 길이에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, Y 방향으로 상기 제2 관통홀(TH2)의 상부 영역의 길이(a1)가 상기 제2 본딩부(122)의 길이에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부에서 Y 방향의 길이(a1)는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 Y 방향의 길이는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 예컨대, 상기 제1본딩부(121)의 하면 면적은 상기 제1관통홀(TH1)의 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 제2본딩부(122)의 하면 면적은 상기 제2관통홀(TH2)의 상면 면적보다 클 수 있다.
발명의 실시 예는 상기 몸체(115)의 하면(S5)에 하부 리세스(R11,R12)를 포함할 수 있다. 상기 하부 리세스(R11,R12)는 상기 관통홀(TH1,TH2)의 주변에 배치될 수 있다. 상기 하부 리세스(R11,R12)는 서로 이격된 영역에 배치될 수 있다. 상기 하부 리세스(R11,R12)는 상기 몸체(115)의 하면에서 상기 몸체(110)의 상면 방향으로 오목하게 배치될 수 있다. 상기 하부 리세스(R11,R12)는 상기 제1관통홀(TH1)의 주변에 배치된 제1하부 리세스(R11)와, 상기 제2관통홀(TH2)의 주변에 배치된 제2하부 리세스(R12)를 포함할 수 있다. 상기 제1하부 리세스(R11)는 상기 제1관통홀(TH1)의 하부에 연결될 수 있으며 상기 제1관통홀(TH1)의 깊이보다 작은 깊이로 배치될 수 있다. 상기 제2하부 리세스(R12)는 상기 제2관통홀(TH2)의 하부에 연결될 수 있으며 상기 제2관통홀(TH2)의 깊이보다 작은 깊이로 배치될 수 있다. 상기 제1하부 리세스(R11)는 상기 제1관통홀(TH1)과 상기 몸체(115)의 제1측면(S1) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2하부 리세스(R12)는 상기 제2관통홀(TH2)과 상기 몸체(115)의 제2측면(S2) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1하부 리세스(R11)의 하면 면적은 상기 제1관통홀(TH1)의 하면 면적보다 크게 배치될 수 있다. 상기 제2하부 리세스(R12)의 하면 면적은 상기 제2관통홀(TH2)의 하면 면적보다 크게 배치될 수 있다. 이러한 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 주입되는 도전부(171,173)의 연장부(172,174)가 수용되는 공간을 제공할 수 있고, 상기 연장부(172,174)의 최소 두께 확보를 위한 공간으로 제공될 수 있다. 상기 제1하부 리세스(R11)와 상기 제2하부 리세스(R12)가 없는 경우, 상기 몸체 하면에 존재하는 도전부(171,173)의 두께가 얇아질 수 있고, 이로 인해 상기 도전부(171,173)의 크랙이 발생되거나 전기적인 전도 효율이 저하될 수 있다. 따라서, 발명의 실시 예는 몸체(115)에 관통홀(TH1,TH2) 각각에 연결되는 하부 리세스(R11,R12)를 배치하여, 도전부(171,173)의 충진 면적을 증가시키고 몸체 하면에서의 도전부 두께를 증가시켜 줄 수 있다. 이로 인해 관통홀(TH1,TH2) 내에서의 협소한 도전부(171,173)의 면적이 증가될 수 있어, 안정적으로 발광소자 패키지를 회로 기판 상에 탑재할 수 있다.
도 4와 같이, 상기 하부 리세스(R11,R12)의 깊이(t3)는 상기 몸체 하면(S5)에서 상기 하부 리세스(R11,R12)의 상면까지의 거리이며, 120 마이크로 미터 이하 예컨대, 80 내지 120 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 하부 리세스(R11,R12)의 깊이(t3)는 몸체 두께의 50% 미만일 수 있다. 상기 하부 리세스(R11,R12)의 깊이(t3)가 상기 범위보다 작은 경우 도전부(171,173)에 크랙이나 접착력 저하가 발생될 수 있고 상기 범위보다 큰 경우 상기 하부 리세스(R11,R12) 상에서의 상기 몸체(115)의 강성이 저하될 수 있다. 여기서, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이에 배치된 상기 몸체(115)의 두께(t2)는 상기 하부 리세스(R11,R12)의 상면에서 상기 몸체 상면까지의 두께(t4)보다 클 수 있다.
상기 하부 리세스(R11,R12)의 상면과 상기 몸체 상면 사이의 두께(t4)는 상기 몸체(115)의 두께(t2)의 1/2 이상일 수 있다. 상기 하부 리세스(R11,R12) 상에서의 상기 몸체(115)의 상부 두께(t4)는 130 마이크로 미터 이상 예컨대, 130 내지 200 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 몸체(115)의 상부 두께(t4)가 상기 범위보다 작은 경우 강성이 저하될 수 있고 상기 범위보다 큰 경우 패키지 두께가 증가되는 문제가 있다. 상기 하부 리세스(R11,R12)의 깊이(t3)는 상기 몸체(115)의 상부 두께(t4)와 같거나 작을 수 있다. 상기 하부 리세스(R11,R12)의 깊이(t3)는 상기 몸체(115)의 상부 두께(t4)의 20% 내지 50%의 범위일 수 있다.
도 2와 같이, 상기 제1하부 리세스(R11)는 상기 제1관통홀(TH1)로부터 상기 제1측면 방향으로 연장되거나 연결되는 제1연장 리세스(Re)를 포함할 수 있다. 상기 제2하부 리세스(R12)는 상기 제2관통홀(TH2)로부터 상기 제2측면 방향으로 연장되거나 연결되는 제2연장 리세스(Rf)를 포함할 있다. 상기 제1연장 리세스(Re)는 제1방향으로 상기 제1관통홀(TH1)의 하부 영역과 중첩될 수 있다. 상기 제2연장 리세스(Rf)는 제1방향으로 상기 제2관통홀(TH2)의 하부 영역과 중첩될 수 있다. 상기 제1연장 리세스(Re)는 상기 제1관통홀(TH1)의 하부 둘레에 하나 또는 복수의 영역에서 상기 제1관통홀(TH1)의 하부와 연결될 수 있다. 상기 제2연장 리세스(Rf)는 상기 제2관통홀(TH2)의 하부 둘레에서 하나 또는 복수의 영역에서 상기 제2관통홀(TH2)의 하부와 연결될 수 있다.
예컨대, 상기 제1 및 제2 관통홀(TH1,TH2) 각각의 수평 방향의 최대 폭(a1,b1)은 상기 제1 및 제2 하부 리세스(R11,R12)의 수평 방향의 최대 폭(c,c1)보다 작을 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)는 상기 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12) 사이에 배치될 수 있다.
제1방향으로 상기 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12)의 폭(c1)은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상부 폭(b)보다는 크고 하부 폭(b1)과 같거나 상기 하부 폭(b1)보다는 클 수 있다. 상기 제2방향으로 상기 제1하부 리세스(R11)의 길이(c)는 상기 제1관통홀(TH1)의 하부 길이(a1)와 같거나 길게 배치될 수 있다. 상기 제2방향으로 상기 제2하부 리세스(R12)의 길이(c)는 상기 제2관통홀(TH2)의 하부 길이와 같거나 길게 배치될 수 있다. 상기 제2방향으로 상기 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12)의 길이(c)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 길이(a1)보다 1배 이상 예컨대 1배 내지 4배 이하일 수 있다. 상기 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12)는 제1방향의 폭(c1)보다는 제2방향의 길이(c>c1)가 더 크게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12)의 제1 및 제2방향의 중심은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 하면 중심과 같은 직선 상에 배치될 수 있다.
상기 제1하부 리세스(R11)는 상기 몸체(115)의 제1측면(S1), 제3 및 제4측면(S3,S4)으로부터 이격될 수 있다. 상기 제1하부 리세스(R11)와 상기 몸체(115)의 제1측면(S1) 사이의 거리(d2)는 상기 제1하부 리세스(R11)와 상기 제3측면(S3) 또는 제4측면(S4) 사이의 거리(d1)보다 작을 수 있다. 상기 제2하부 리세스(R12)는 상기 몸체(115)의 제2측면(S2), 제3 및 제4측면(S3,S4)으로부터 이격될 수 있다. 상기 제2하부 리세스(R12)와 상기 몸체(115)의 제2측면(S2) 사이의 거리(d2)는 상기 제2하부 리세스(R12)와 상기 제3측면(S3) 또는 제4측면(S4) 사이의 거리(d1)보다 작을 수 있다.
상기 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12)의 하면 면적 각각은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 각각의 하면 면적보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12)의 하면 면적의 합은 상기 몸체(115)의 하면 면적의 45% 이하 예컨대, 20% 내지 80%범위로 배치될 수 있다. 이에 따라 몸체(115)의 하부에 대한 강성 저하를 방지할 수 있고 상기 도전부의 두께 확보를 제공할 수 있다.
상기 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12)는 수직 방향으로 상기 발광 소자(120)와 중첩될 수 있다. 상기 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12)는 상기 몸체(115)의 캐비티(102)의 측면(132)과 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12)가 상기 몸체(115)의 캐비티 측면(132)과 수직 방향으로 중첩되므로, 상기 캐비티 측면과 중첩된 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12)의 영역에서의 몸체(115)의 강성 저하를 방지할 수 있다. 이에 따라 상기 캐비티(102)의 바닥과 수직 방향으로 중첩되는 상기 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12)의 깊이(t3)와 상기 캐비티 측면(132)과 수직 방향으로 중첩되는 상기 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12)의 깊이는 서로 동일하거나, 상기 캐비티 측면과 중첩되는 제1 및 제2 하부리세스(R11,R12)의 깊이가 더 깊게 배치될 수 있다.
도 1, 도 2 및 도 4를 참조하면, 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 또는 광원 장치는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에 도전부(171,173)를 포함할 수 있다. 상기 도전부(171,173)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에 배치될 수 있다. 상기 도전부(171,173)는 고분자 페이스트 재질을 포함할 수 있다. 상기 도전부(171,173)는 상기 몸체(115)의 표면과 접착되는 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 도전부(171,173)의 수지 재질은 에폭시계 열 경화성 수지 또는/및 광 경화성 수지 재질을 포함할 수 있다. 도 5와 같이, 상기 제1 및 제2도전부(171,172)는 관통홀(TH1,TH2) 내에서 금속 파티클 또는 금속 링커들이 밀집된 상태로 서로 연결되어 있어서, 수지계 접착제(Ma1)와 금속 파티클 또는 금속링커(Mb1)들이 서로 혼합되어 있다.
상기 도전부(171,173)는 수지와 금속의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 혼합물은 총 중량을 기준으로 금속이 중량%가 수지의 중량%보다 더 높을 수 있다. 상기 도전부(171,173)는 금속의 중량%가 수지의 중량%보다 높을 수 있으며, 예컨대 2배 이상이거나 2.3배 이상일 수 있다. 상기 도전부(171,173)는 금속의 중량%는 총 중량을 기준으로 70wt% 이상일 수 있다. 상기 도전부(171,173)는 금속의 중량%는 총 중량을 기준으로 70wt% 내지 90wt% 범위일 수 있다. 상기 도전부(171,173) 내에서 상기 금속의 중량%가 상기 범위보다 작은 경우, 경화가 저하될 수 있고, 상기 범위보다 큰 경우 몸체(115)와의 접착력이 저하될 수 있다. 이러한 도전부(171,173)는 상기의 금속의 중량%를 갖는 금속 페이스트로 제공될 수 있다.
상기 도전부(171,173)에서 에폭시계 수지의 중량%는 총 중량을 기준으로 10중량% 이상이거나, 10wt% 내지 30wt% 범위일 수 있다. 상기 에폭시계 수지의 중량%가 상기 범위보다 작은 경우 몸체와의 접착력이 저하될 수 있고 상기 범위보다 큰 경우 상기 도전부의 전기 전도성이 저하될 수 있다.
상기 도전부(171,173)는 수지의 중량%가 금속의 중량%보다 작을 수 있으며, 예컨대 0.5배 이하이거나 0.4배 이하일 수 있다. 발명의 실시 예는 상기 도전부(171,173)는 총 중량을 기준으로 10wt% 이상의 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 도전부(171,173)에서 에폭시계 수지는 10wt% 내지 30wt% 범위일 수 있다. 이러한 수지는 수지 재질의 몸체(115)와의 접착될 수 있다. 상기 도전부(171,173)에서 수지의 중량%이 상기 범위보다 작은 경우 몸체와의 접촉 면적이 줄어들어, 도전부가 유동되거나 이탈되어 전기적인 신뢰성이 저하될 수 있다. 상기 도전부(171,173)에서 수지의 중량%이 상기 범위보다 큰 경우 금속의 중량%가 증가되어, 전기적 특성이나 방열 특성이 저하될 수 있다. 상기 도전부(171,173)에서의 수지는 금속 페이스트를 프린트한 다음 열 경화를 수행하면 금속 파티클이나 금속 링크를 압착시켜 지지할 수 있다. 이때의 금속 파티클이나 금속 링크는 서로 연결되어 있으며, 상기 서로 연결된 금속 파티클이나 금속 링크(link)들 사이의 영역이나 외부에 상기 수지가 채워질 수 있다. 상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 또는 구리(Cu)들이 단일 또는 이중 구조로 제공될 수 있다. 상기 이중 구조인 경우 제1금속과 상기 제1금속을 감싸는 제2금속의 구조일 수 있다. 상기 제1 및 제2금속은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 중 어느 하나이며, 서로 다른 금속을 포함할 수 있다. 상기 제1금속/제2금속은 예컨대 Ag/Cu의 구조, Cu/Ag 구조, Au/Cu 구조, Cu/Au 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제2금속은 상기 제1금속을 감싸는 형태로 제공되므로, 산화 방지용 금속일 수 있다.
도 4, 도 8 및 도 11의 패키지 구조는, 몸체(115)의 표면에 금속부가 형성되지 않는 구조이며 상기 도전부(171,173)가 몸체(115)의 표면에 직접 접촉될 수 있다. 이러한 구조에서 상기 도전부(171,173)의 재질은 상기 몸체의 접착력이 좋은 페이스트 재료를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 도전부(171,173)는 금속의 중량%가 총 중량을 기준으로 70wt% 이상이거나, 70wt% 내지 90wt% 범위일 수 있다. 상기 도전부(171,173) 내에서 상기 금속의 중량%가 상기 범위보다 작은 경우, 경화가 저하될 수 있고, 상기 범위보다 큰 경우 몸체(115)와의 접착력이 저하될 수 있다. 이러한 도전부(171,173)는 상기의 금속의 중량%를 갖는 금속 페이스트로 제공될 수 있다. 상기 도전부(171,173)에서 수지의 중량%는 상기 금속의 중량%보다 작을 수 있으며, 예컨대 0.5배 이하이거나 0.4배 이하일 수 있다. 발명의 실시 예는 상기 도전부(171,173)는 총 중량을 기준으로 10wt% 이상의 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 도전부(171,173)에서 에폭시계 수지는 10wt% 내지 30wt% 범위일 수 있다. 이러한 수지는 수지 재질의 몸체(115)와의 접착력을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 도전부(171,173)에서 수지의 중량%가 상기 범위보다 작은 경우 몸체(115)와의 접촉 면적이 줄어들어, 도전부(171,173)가 유동되거나 이탈되어 전기적인 신뢰성이 저하될 수 있다. 발명의 실시 예는 도전부(171,173)의 금속 재질이 주석(Sn)이나 플럭스와 같은 재료를 이용하지 않고, 수지계열의 접착제와 금속을 혼합한 금속 페이스트를 제공할 수 있다. 이러한 수지계열의 접착제는 상기 관통홀 내에서 상기 금속을 지지하거나 고정시켜 줄 수 있다. 상기 도전부(171,173) 내에서 수지계열의 접착제는 에폭시계열이거나, 합성에폭시계 재질이거나, 열 경화성 또는 광경화성 수지 재질을 포함할 수 있다.
상기 도전부(171,173)이 에폭시계 수지 재질을 포함하게 되므로, Ag 페이스트나 Cu 페이스트와 같은 재질에 플럭스나 솔더를 첨가할 때, 수지와 비 접촉되는 문제를 해결할 수 있다. 솔더 페이스트와 같은 재질은 몸체의 재질과의 비 접촉되는 특성이 있어, 전기적인 연결이나 방열이 어려운 문제가 있다. 상기 도전부(171,173)이 에폭시계 수지 재질은 도전부(171,173) 내에서 금속들의 바인더 역할을 수행하게 된다. 상기 도전부(171,173)는 바인더 페이스트를 포함할 수 있다. 이러한 도전부(171,173)은 에폭시계 수지 접착제가 첨가되므로, 금속이나 몸체 재질과 같은 레진과 접착될 수 있다.
상기 제1도전부(171)는 제1관통홀(TH1)에 배치되며, 상기 제1도전부(171)의 제1연장부(172)는 상기 제1하부 리세스(R11) 내에 배치될 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1) 내에 배치된 상기 제1도전부(171)의 상면 면적은 하면 면적보다 작을 수 있다. 상기 제1도전부(171)의 하면은 상기 몸체(115)의 하면 또는 패키지 몸체(110)의 하면과 같은 수평 면이거나, 상기 몸체(115)의 하면 또는 패키지 몸체(110)의 하면과 단차진 구조로 배치될 수 있다.
상기 제2도전부(173)는 제2관통홀(TH2)에 배치되며, 상기 제2도전부(173)의 제2연장부(174)는 상기 제2하부 리세스(R12) 내에 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2) 내에 배치된 상기 제2도전부(173)의 상면 면적은 하면 면적보다 작을 수 있다. 상기 제2도전부(173)의 하면은 상기 몸체(115)의 하면 또는 패키지 몸체(110)의 하면과 같은 수평 면이거나, 상기 몸체(115)의 하면 또는 패키지 몸체(110)의 하면과 단차진 구조로 배치될 수 있다.
상기 제1 및 제2도전부(171,173) 및 제1 및 제2연장부(172,174)의 하면이 상기 몸체(115)의 하면보다 몸체 상면 방향으로 단차질 수 있다. 이는 수지계열의 접착제가 열 경화 시 상기 금속 페이스트를 압착하면서 경화되므로, 금속 파티클 또는 금속 및 그 링크들 간을 지지할 수 있다.
상기 제1 및 제2도전부(171,173)는 서로 이격될 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1)에 배치된 제1도전부(171)의 두께는 상기 제1하부 리세스(R11)에 배치된 제1도전부(171)의 두께보다 두껍게 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)에 배치된 제2도전부(173)의 두께는 상기 제2하부 리세스(R12)에 배치된 제2도전부(173)의 두께보다 두껍게 배치될 수 있다. 이러한 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12)에 연장되어 배치되는 제1 및 제2도전부(171,173)의 제1 및 제2연장부(172,174)의 면적은 증가될 수 있고, 상기 몸체 하부에서의 상기 제1 및 제2도전부(171,173)가 팽창되는 것을 억제할 수 있어, 하부 리세스(R11,R12)내에서의 제1 및 제2도전부(171,173)의 연장부(172,174)의 두께를 확보할 수 있다.
상기 도전부(171,173)는 본딩부(121,122) 각각에 연결될 수 있다. 상기 도전부(171,173)는 본딩부(121,122)의 하면과 접촉될 수 있다. 상기 도전부(171,173)는 본딩부(121,122)의 하면과 접촉될 수 있다. 상기 도전부(171,173)의 금속과 상기 본딩부(121,122)의 하면 면적과의 접촉 면적은 상기 각 관통홀(TH1,TH2)의 상면 면적보다 작을 수 있다. 이는 상기 도전부(171,172)의 금속 및 수지가 상기 본딩부(121,122)의 하면에 접촉될 수 있다. 또한 상기 제1 및 제2도전부(171,173)의 금속과 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 각각의 접촉 면적은 상기 제1 및 제2도전부(171,173)의 수지와 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 각각의 접촉 면적보다 클 수 있으며, 예컨대 2배 이상일 수 있다. 이러한 상기 제1 및 제2도전부(171,173)의 금속과 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 각각의 접촉 면적에 의해 상기 제1 및 제2도전부(171,173)는 제1 및 제2본딩부(121,122)와 회로 기판의 패드와의 전기적인 연결 경로를 제공할 수 있고 방열 경로를 제공할 수 있다.
도 6과 같이, 발광소자(120)를 상기 제1수지(160)를 통해 캐비티 바닥에 부착한 다음, 스퀴지(Squeeze) 장비(270)를 이용하여 금속 페이스트(170)를 스크린 프린팅하게 된다. 이에 따라 도 4와 같이, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 및 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12)에는 금속 페이스트(170)가 채워질 수 있다. 이때 상기 금속 페이스트(170)는 액상의 수지계 접착제와 금속이 혼합된 혼합물로 제공되므로, 관통홀(TH1,TH2)의 표면에 배치된 몸체 표면과의 접착될 수 있다. 이후, 열경화 공정을 통해 상기 금속 페이스트(170)를 경화시켜 주게 된다. 이러한 열 경화 공정을 통해 상기 금속 페이스트의 수지와 금속의 결합력을 강화시켜 줄 수 있다. 이러한 금속 페이스트가 경화되면 도전부로 제공될 수 있다.
상기 발광소자(120)에 몰딩부를 형성하는 과정은, 상기 금속 페이스트(170)를 형성한 다음에 진행되거나, 상기 금속 페이스트(170)의 프린팅 과정 전에 진행될 수 있다. 다른 예로서, 상기 금속 페이스트는 스프레이 방식으로 상기 각 관통홀 및 하부 리세스에 뿌려지고 경화될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 발광소자(120)의 본딩부(121,122)는 상기 도전부(171,173)를 구성하는 물질과 상기 도전부(171,173)를 형성되는 과정 또는 상기 도전부(171,173)가 제공된 후 열처리 과정에서, 상기 도전부(171,173)과 상기 본딩부(121,122) 사이 또는 상기 도전부(171,173)과 상기 회로기판의 패드 사이, 또는 도전부(171,173) 사이에 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)층이 형성될 수 있다.
예로서, 상기 도전부(171,173)를 이루는 물질과 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213)의 금속 간의 결합에 의해 합금층이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 도전부(171,173)과 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213)가 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 도전부(171,173) 및 합금층이 물리적 및 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 합금층이 금속간 화합물층을 포함할 수 있다. 상기 금속간 화합물층은 제1 물질과 제2 물질의 결합으로 형성될 수 있으며, 제1 물질은 도전부(171,173)으로부터 제공될 수 있고, 제2 물질은 상기 본딩부(121,122) 또는 패드(211,213)로부터 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 상부 몸체를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(115)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 몰딩부(190)를 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 상부몸체(110A)에 의하여 제공된 캐비티(102)에 배치될 수 있다.
상기 몰딩부(190)는 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 투명한 절연물질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(190)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 청색, 녹색, 적색, 백색, 적외선 또는 자외선의 광을 발광할 수 있다. 상기 형광체, 또는 양자점은 청색, 녹색, 적색의 광을 발광할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 형성하지 않을 수 있다.
상기 몰딩부(190) 내부 또는 하부에 배치되는 형광체는, 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 서로 다른 피크 파장을 발광할 수 있으며, 상기 발광소자로부터 방출된 광을 서로 다른 황색과 적색 또는 서로 다른 적색 피크 파장으로 발광할 수 있다. 상기 형광체 중 한 종류는 적색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 적색 형광체는 610 nm에서 650 nm까지의 파장범위를 가질 수 있으며, 상기 파장은 10 nm 미만의 반치폭을 가질 수 있다. 상기 적색 형광체는 플루오라이트(fluoride)계 형광체를 포함할 수 있다. 상기 플루오라이트계 형광체는, KSF계 적색 K2SiF6:Mn4 +, K2TiF6:Mn4 +, NaYF4:Mn4 +, NaGdF4:Mn4 +, K3SiF7:Mn4+ 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 KSF계 형광체 예컨대, KaSi1-cFb:Mn4+ c의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 a는 1 ≤ a ≤ 2.5, 상기 b는 5 ≤ b ≤ 6.5, 상기 c는 0.001 ≤ c ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 또한 상기 플루오라이트계 적색 형광체는 고온/고습에서의 신뢰성 향상을 위하여 각각 Mn을 함유하지 않는 불화물로 코팅되거나 형광체 표면 또는 Mn을 함유하지 않는 불화물 코팅 표면에 유기물 코팅을 더 포함할 수 있다. 상기와 같은 플루어라이트계 적색 형광체의 경우 기타 형광체와 달리 10nm 이하의 협반치폭을 구현할 수 있기 때문에, 고해상도 장치에 활용될 수 있다.
실시 예에 따른 형광체 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어 Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y는 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다. 또한, 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제 등이 추가로 적용될 수 있다.
상기 양자점 형광체는, II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 적색 광을 발광할 수 있다. 상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다.
상기 몰딩부(190) 위에 파장 변환층(미도시)가 배치될 수 있다. 상기 파장 변환층는 형광체를 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 형광체가 없는 수지 층일 수 있다. 상기 파장 변환층은 상기 패키지 몸체(110)의 상면에 연장될 수 있다. 상기 파장 변환층의 측면은 상기 몸체(115)의 측면 또는 패키지 몸체(110)의 측면과 같은 수직 평면에 배치될 수 있다. 상기 파장 변환층의 상면 면적은 상기 몸체(115)의 하면 면적과 동일할 수 있다. 상기 파장 변환층에 첨가된 형광체는, 청색, 녹색, 적색 또는 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이러한 구조는 몰딩부나 파장 변환층의 형성 후 단위 패키지 단위로 커팅하게 되므로, 상기 몸체(115)의 측면과 상기 파장 변환층의 측면이 같은 평면 상에 배치될 수 있다. 또한 단위 패키지 크기를 선택적으로 조절할 수 있으며, 도 15와 같이 2개 이상의 발광소자 패키지를 직렬로 연결한 구조이거나, 직-병렬, 또는 병렬로 연결할 수 있는 패키지 크기로 커팅될 수 있다.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 발광소자 패키지(100)의 패키지 몸체(110)의 상부에는 오목한 상부 리세스(Recess)가 배치될 수 있다. 상기 상부 리세스는 하나 또는 복수로 배치될 수 있으며, 상기 상부 리세스 각각은 패키지 몸체(110)의 상면 중에서 상기 발광소자(120)과 적어도 일부 또는 모두가 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 상부 리세스가 복수인 경우, 적어도 하나의 상부 리세스는 상기 발광소자(120)과 적어도 일부 또는 모두가 중첩될 수 있다. 상기 복수의 상부 리세스는 발광소자(120)의 영역 아래에서 제2방향으로 배열될 수 있다.
상기 상부 리세스는 서로 이격된 제1 및 제2상부 리세스(R1,R2)를 포함할 수 있다. 제1상부 리세스(R1)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이의 영역에서 제3측면(S3) 방향으로 배치되며, 상기 제2상부 리세스(R2)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이의 영역에서 제4측면(S4) 방향으로 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2상부 리세스(R1,R2)는 상기 몸체(115)의 상부에서 하면 방향으로 오목하게 배치될 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이의 영역에 오목한 제3상부 리세스(R3)를 포함할 수 있다. 상기 제3상부 리세스(R3)는 상기 몸체(115)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 배치될 수 있다. 상기 제3상부 리세스(R3)는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 사이에 배치될 수 있다. 상기 상부 리세스(R1,R2,R3) 각각은 상기 캐비티 바닥 또는 몸체(115)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 함몰될 수 있다. 상기 상부 리세스(R1,R2,R3)의 개수는 하나 또는 복수로 배치될 수 있으나, 이하 설명의 편의를 위해 3개가 배치된 예로 설명하기로 한다.
상기 상부 리세스(R1,R2,R3)에는 제1수지(160)의 일부가 배치될 수 있다. 상기 상부 리세스(R1,R2,R3)에 배치된 상기 제1수지(160)는 발광소자(120)의 하면과 접착되어, 상기 발광소자(120)가 틸트되거나 유동하는 것을 방지할 수 있다. 상기 상부 리세스(R1,R2,R3)는 상기 제1수지(160)의 지지력을 강화시켜 줄 수 있다. 상기 상부 리세스(R1,R2,R3)는 몸체(115) 상에 하나 또는 복수로 배치되어, 상기 제1수지(160)의 일부와 결합될 수 있다. 상기 제1 및 제2상부 리세스(R1,R2)는 적어도 일부가 발광소자(120)과 수직 방향으로 중첩되는 내측부와, 적어도 일부가 발광소자(120)의 측면 외측으로 돌출된 외측부를 포함할 수 있다. 이러한 제1 및 제2상부 리세스(R1,R2)은 일부가 발광소자(120)의 내측에서 외측으로 돌출되므로, 발광소자(120)의 가압에 따라 확산되는 제1수지(160)를 담을 수 있다. 상기 몸체(115)와 발광소자(120) 사이에는 제1수지(160)가 접착될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 측면에 접촉될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 제1 및 제2본딩부(121,122)에 접촉될 수 있고 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)를 통해 상기 관통홀(TH1,TH2)내에 배치된 도전부(171,173)의 외측면에 접촉될 수 있다.
상기 제3리세스(R3)는 상기 발광소자(120)과 수직 방향으로 중첩되며, 상기 제1 및 제2본딩부(121,122) 사이의 영역 아래에 배치될 수 있다. 이러한 제3리세스(R3)는 상기 제1수지(160)를 지지할 수 있다. 상기 제1 및 제2리세스(R1,R2)는 상기 발광소자(120)의 하부 둘레에 배치된 제2수지(162)와 연결되거나 제2수지(162)를 지지할 수 있다.
상기 상부 리세스(R1,R2,R3)의 깊이는 상기 패키지 몸체(110)의 상면으로부터 소정 깊이로 형성될 수 있으며, 예컨대 20 마이크로 미터 이상 또는 20 내지 60 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 상부 리세스(R1,R2,R3)의 깊이가 상기 범위보다 크면 몸체(115)의 강성이 저하될 수 있고 상기 범위보다 작으면 지지력이 미미할 수 있다. 이러한 상부 리세스(R1,R2,R3)의 깊이는 상기 몸체(115)의 두께보다 작을 수 있다.
상기 제3상부 리세스(R3)는 제1 및 제2상부 리세스(R1,R2)와 동일한 형상이거나 다른 형상일 수 있다. 상기 제3상부 리세스(R3)는 제1 및 제2상부 리세스(R1,R2) 사이에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3상부 리세스(R1,R2,R3)에는 상기에 개시된 제1수지가 배치되고 발광소자(120)의 하면과 접착될 수 있다.
발명의 다른 예로서 상기 발광소자(120)의 하부 둘레를 따라 다른 리세스가 하나 이상이 배치될 수 있으며, 이러한 다른 리세스에는 상기 제1 및 제2수지(160,162) 중 어느 하나가 배치될 수 있다.
상기 제2수지(162)는 반사성 수지재질을 포함할 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)의 하부 둘레를 따라 배치될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)를 상기 몸체(115)에 부착시켜 줄 수 있다. 상기 제2수지(162)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 제2수지(162)는 내부에 금속 산화물 또는 필러를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2수지(162)는 TiO2, SiO2, Al2O3와 같은 금속 산화물 또는 불순물을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 제1수지(160)과 동일한 재질이거나 다른 재질일 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 제1수지(160)에 첨가된 불순물 함량보다 더 높은 불순물 함량을 가질 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 캐비티(102)의 측면(132)에 접촉되거나 이격될 수 있다.
도 10과 같이, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 중 적어도 하나 또는 모두의 표면에는 홈 또는 트렌치 구조를 갖는 돌출부(Pa,Pb,Pc)를 포함할 수 있다. 상기 돌출부(Pa,Pb,Pc)는 상기 관통홀(TH1,TH2)의 표면을 러프하게 제공할 수 있다. 상기 돌출부(Pa,Pb,Pc)는 상기 관통홀(TH1,TH2)의 중심으로부터 외측 방향으로 돌출될 수 있다. 상기 돌출부(Pa,Pb,Pc)는 상기 각 관통홀(TH1,TH2)에 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 복수의 돌출부(Pa,Pb,Pc)는 상기 관통홀(TH1,TH2)의 중심에서 적어도 2방향 이상으로 돌출될 수 있다. 상기 돌출부(Pa,Pb,Pc)는 상기 관통홀(TH1,TH2)의 상면 에지에서 하면 에지까지 연장될 수 있다. 상기 돌출부(Pa,Pb,Pc)는 상기 관통홀(TH1,TH2)의 상단 에지에서 하단 에지까지 연장되는 홈 형상이거나 돌기 형상일 수 있다. 상기 홈 또는 돌기 형상은 인접한 관통홀의 표면보다 중심으로부터 더 멀어지는 구조이거나, 홀 중심 방향으로 돌출된 구조일 수 있다. 상기 돌출부(Pa,Pb,Pc)는 상기 관통홀(TH1,TH2)의 내면(Sb) 또는/및 외면(Sa)을 따라 배치될 수 있다. 상기 돌출부(Pa,Pb,Pc)는 상기 관통홀(TH1,TH2)에 채워지는 도 4와 같은 도전부(171,173)과의 접착 면적이 증가될 수 있다. 상기 돌출부(Pa,Pb,Pc)는 상기 관통홀(TH1,TH2)에 도금되는 도 12 내지 도14와 같은 금속부(M1,M2)와의 접착 면적을 증가시켜 줄 수 있다. 다른 예로서, 상기 관통홀(TH1,TH2)의 표면에는 요철 구조가 배치되거나, 수평 방향 또는 수직 방향으로 배치될 수 있다.
도 11은 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지이며, 제1실시 예와 동일한 부분의 중복 설명은 생략하며 제1실시 예의 구성을 선택적으로 적용할 수 있다.
도 11을 참조하면, 발광소자 패키지는 몸체(115)의 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)과, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 상기에 개시된 도전부(171,173) 및 상기 도전부(171,173) 하부에 하부 금속부(181,183)를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)는 하면 중심과 상면 중심이 서로 다른 위치에 배치될 수 있다. 제1방향으로, 상기 제1관통홀(TH1)과 상기 제2관통홀(TH2)의 하면 중심 간의 간격은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상면 중심 간의 간격과 다를 수 있다. 제1방향으로, 상기 제1관통홀(TH1)과 상기 제2관통홀(TH2)의 하면 중심 간의 간격은 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상면 중심 간의 간격보다 클 수 있다. 발명의 실시 예는 상기 제1관통홀(TH1)의 하면 중심이 상면 중심에 비해 제1측면(S1) 방향으로 이동되며, 상기 제2관통홀(TH2)의 하면 중심이 상면 중심에 비해 제2측면(S2) 방향으로 이동될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 내에서 서로 대향되는 두 내측면(Sa,Sb)의 경사 각도를 다르게 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 제1관통홀(TH1)에서 제1관통홀(TH1)의 하면을 기준으로 제1내측면(Sa)의 경사 각도는 제2내측면(Sb)의 경사 각도보다 크게 제공할 수 있다. 예컨대, 제1관통홀(TH2)에서 제2관통홀(TH2)의 수평한 하면을 기준으로 제1내측면(Sa)의 경사 각도는 제2내측면(Sb)의 경사 각도보다 크게 제공할 수 있다. 상기 제1 및 제2내측면(Sa,Sb)의 경사 각도는 각 관통홀의 상단부터 하단으로 연장되는 직선의 각도일 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제1내측면(Sa)은 경사진 면, 또는 수직한 면과 경사진 면이 연결된 면이거나, 오목한 곡면을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제2내측면(Sb)은 경사진 면, 또는 수직한 면과 경사진 면이 연결된 면이거나, 오목한 곡면을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제2내측면(Sb)은 상부가 수직한 면이고 하부가 경사진 면인 경우, 관통홀(TH1,TH2)에서 경사진 면을 갖는 하부의 높이가 수직한 면을 갖는 상부의 높이보다 클 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제1내측면(Sa)의 상단과 상기 제2내측면(Sb)의 상단은 곡면이거나, 각진 면일 수 있다. 이러한 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에서 제1내측면(Sa)이 제2내측면(Sb)보다 더 넓은 면적을 갖고 경사진 면으로 제공되므로, 도전부(171,173) 내에 포함된 수지 재질과의 접착력이 증가될 수 있다. 또한 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 하부를 통해 도전부(171,173)의 주입이 용이할 수 있고, 도전부(171,173)와의 접촉 면적이 증가될 수 있다. 또한 주입 효율이 증가되므로, 도전부(171,173)와 본딩부(121,122) 사이의 영역에서의 보이드 발생을 억제할 수 있다. 상기 도전부(171,173)는 관통홀(TH1,TH2) 내에 배치될 수 있다.
상기 제 1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상기 발광소자(120)의 영역과 수직 방향으로 중첩된 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 탑뷰 형상이 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상, 또는 직선과 곡선을 갖는 비정형 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제 1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상부 길이는, 제1방향과 제2방향이 동일한 길이로 제공되거나, 어느 한 방향의 길이가 더 길게 제공될 수 있다. 상기 제 1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 하부 길이는, 제1방향과 제2방향이 동일한 길이로 제공되거나, 어느 한 방향의 길이가 더 길게 제공될 수 있다.
상기 제1관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121) 아래에서 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122)의 아래에서 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1)은 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121)과 대면하며, 상기 제1본딩부(121)의 개수와 동일한 개수로 배치될 수 있다. 상기 제2관통홀(TH2)은 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122)와 대면하며, 상기 제2본딩부(122)의 개수와 동일한 개수로 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 상부 형상과 하부 형상이 동일하거나 다를 다를 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)는 상부 형상과 하부 형상이 대칭적일 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)는 상부 형상과 하부 형상이 비 대칭적일 수 있다. 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)는 제1방향과 제2방향 중 적어도 하나로 상부 형상의 중심과 하부 형상의 중심이 동일한 수직 직선 상에 배치되거나, 서로 다른 수직한 직선 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상부 형상과 하부 형상은 서로 다른 형상이거나, 제1방향으로 상부 및 하부 중심은 서로 다를 위치에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 상부 형상과 하부 형상은 서로 다른 형상이거나, 제2방향으로 상부 및 하부 중심은 서로 다를 위치에 배치될 수 있다.
상기 제1 및 제2도전부(171,173)는 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2도전부(171,173)는 제1실시 예의 설명을 참조하기로 한다.
상기 하부 금속부(181,183)는 상기 제1 및 제2도전부(171,173)의 하부에 배치되고 상기 제1 및 제2도전부(171,173)과 다른 금속일 수 있다. 상기 하부 금속부(181,183)은 금속으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조일 수 있다. 상기 하부 금속부(181,183)은 예컨대, Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다.
상기 하부 금속부(181,183)는 상기 몸체(115)의 하면과 접촉될 수 있다. 상기 하부 금속부(181,183)는 제1도전부(171)의 하부에 제1하부 금속부(181) 및 제2도전부(173) 아래에 제2하부 금속부(183)를 포함할 수 있다. 상기 제1하부 금속부(181)는 상기 몸체(115)의 하면과 상기 제1도전부(171)의 하면에 배치되며, 제2하부 금속부(183)로부터 이격될 수 있다. 상기 제2하부 금속부(183)는 상기 몸체(115)의 하면과 상기 제2도전부(173)의 하면에 배치되며, 제1하부 금속부(181)로부터 이격될 수 있다.
상기 제1 및 제2하부 금속부(181,183)의 하면 면적은 상기 몸체(115)의 하면 면적의 30% 이상 또는 50%으로 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2하부 금속부(181,183)는 회로기판의 패드와 상기 제1 및 제2도전부와의 전기적인 본딩을 수행할 수 있다. 상기 제1 및 제2하부 금속부(181,183)는 상기의 면적으로 제공되므로, 전기적인 경로나 방열 면적을 증가시켜 줄 수 있다.
도 12는 제3실시 예에 따른 발광소자 패키지의 측 단면도의 예이다. 제3실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분의 중복 설명은 생략하며 제1실시 예의 구성을 선택적으로 적용할 수 있다.
도 12를 참조하면, 발광소자 패키지는 몸체(115)의 관통홀(TH1,TH2), 상기 관통홀(TH1,TH2)의 표면에 금속부(M1,M2), 상기 금속부(M1,M2)의 표면에 도전부(171A,173A)를 포함할 수 있다.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 금속부(M1,M2)를 포함할 수 있다. 상기 금속부(M1,M2)는 서로 이격된 제1 및 제2금속부(M1,M2)를 포함할 수 있다. 상기 제1금속부(M1)와 상기 제2금속부(M2)는 물리적으로 분리될 수 있다. 상기 제1금속부(M1)와 상기 제2금속부(M2)는 수직 방향 또는 Z 방향으로 중첩되지 않게 배치될 수 있다.
상기 제1금속부(M1)는 상기 제1관통홀(TH1)의 표면과 상기 제1하부 리세스(R11)의 표면 중 적어도 하나 또는 모두에 배치될 수 있다. 상기 제2금속부(M2)는 상기 제2관통홀(TH2)의 표면과 상기 제2하부 리세스(R12)의 표면 중 적어도 하나 또는 모두에 배치될 수 있다. 상기 제1금속부(M1)는 상기 제1관통홀(TH1)의 표면 전체에 배치될 수 있으며 상기 제1하부 리세스(R11)의 상면으로 연장될 수 있다. 상기 제2금속부(M2)는 상기 제2관통홀(TH2)의 표면 전체에 배치될 수 있고 상기 제2하부 리세스(R12)의 상면으로 연장될 수 있다.
여기서, 상기 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)은 도 14와 같은 패키지에서, 하부 리세스 없이 제공될 수 있다.
상기 제1금속부(M1)는 상기 제1관통홀(TH1)의 상면에 부분적으로 노출될 수 있다. 상기 제2금속부(M2)는 상기 제2관통홀(TH2)의 상면에 부분적으로 노출될 수 있다. 상기 제1금속부(M1)의 상면은 상기 제1관통홀(TH1)의 상면에서 상기 발광소자(120)의 하부에 배치된 패키지 몸체(110)의 상면과 같은 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제2금속부(M2)의 상면은 상기 제2관통홀(TH2)의 상면에서 상기 발광소자(120)의 하부에 배치된 패키지 몸체(110)의 상면과 같은 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(M1,M2)는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(M1,M2)의 내부 홀은 수직 방향으로 관통되는 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2)의 센터 홀 또는 내부 홀일 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(M1,M2)의 두께는 상기 하부 리세스(R11,R12)의 깊이보다 작을 수 있다. 이러한 상기 제1 및 제2금속부(M1,M2)의 하면은 상기 몸체(115)의 하면보다 위에 배치될 수 있다.
상기 제1금속부(M1)의 두께가 상기 제1관통홀(TH1)의 상부 폭 또는 제1 및 제2방향의 폭 중 작은 폭의 1/5 미만으로 배치될 수 있으며, 이 경우 제1금속부(M1)의 내부에는 제1관통홀(TH1)의 센터에 홀이 배치된 구조로 제공될 수 있다. 상기 제2금속부(M2)의 두께가 상기 제2관통홀(TH2)의 상부 폭 또는 제1 및 제2방향의 폭 중 작은 폭의 1/5 미만으로 배치될 수 있으며, 이 경우 제2금속부(M2)의 내부에는 제2관통홀(TH2)의 센터에 홀이 배치된 구조로 제공될 수 있다. 상기 제1금속부(M1)와 상기 제2금속부(M2)의 합 두께는 상기 제 1 또는 제2관통홀(TH1)의 제1 및 제2방향의 상부 폭보다 작을 수 있다. 이 경우, 제1 및 제2금속부(M1,M2)이 동일한 두께인 경우이다.
상기 제1금속부(M1) 및 상기 제2금속부(M2)는 금속으로 제공될 수도 있다. 상기 제1 및 제2금속부(M1,M2)은 예컨대, 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 중에서 선택될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1금속부(M1) 및 상기 제2금속부(M2)는 다층으로서, 상기 패키지 몸체(110)에 접촉된 제1층 및 상기 제1층 아래의 제2층을 포함할 수 있으며, 상기 제1층은 Ti, Cr, Ta, Pt 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 제2층은 Au, Ag, Cu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(M1,M2)의 두께는 1 마이크로 미터 이하일 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(M1,M2)는 상기 도전부(321,323)가 접착되는 씨드 층으로 기능할 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(M1,M2)는 상기 패키지 몸체(110)의 표면에 증착 공정, 또는 도금 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2금속부(M1,M2)는 상기 몸체(115)의 하면(S5)로부터 이격되거나 하면(S5)에 형성되지 않을 수 있다. 상기 하부 리세스(R11,R12)에 배치된 상기 제1 및 제2금속부(M1,M2)는 상기 하부 리세스(R11,R12)의 상면과 상기 도전부(171A,173A) 사이에 배치될 수 있다. 상기 관통홀(TH1,TH2)에 배치된 상기 제1 및 제2금속부(M1,M2)는 상기 관통홀(TH1,TH2)의 표면과 상기 도전부(171A,173A) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2금속부(M1,M2)는 상기 도전부(171A,173A)가 수지 재질의 몸체(115)에 직접 접촉되는 면적을 줄이거나 방지할 수 있어, 상기 도전부(171A,173A)의 확산을 억제할 수 있고 균일한 분포의 두께로 지지할 수 있다.
여기서, 상기 제1관통홀(TH1)에는 제1도전부(171A)가 배치될 수 있고, 상기 제2관통홀(TH2)에는 제2도전부(173A)가 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2도전부(171A,173A)와 상기 몸체(115) 사이에는 상기 제1 및 제2금속부(M1,M2)가 배치될 수 있다. 이는 상기 제1 및 제2도전부(171A,173A)가 수지 재질의 몸체(115)에 직접 접촉되지 않을 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2도전부(171A,173A)의 재질은 보다 다양한 종류를 사용할 수 있다.
상기 제1 및 제2도전부(171A,173A)의 재질은 제1실시 예에 개시된 에폭시계 접착제와 금속을 이용할 수 있다. 상기 제1 및 제2도전부(171A,173)의 재질은 아민계 수지 접착제 또는 에폭시계 수지 접착제와 금속을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2도전부(171A,173A)에서 인접한 금속들은 마이크레이션 공정을 통해 서로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2도전부(171A,173A)에서 인접한 금속들은 마이크레이션 공정을 통해 서로 연결될 수 있다. 상기 제1 및 제2도전부(171A,173A)에서 인접한 금속들은 서로 연결되어 있고 접착제와 혼합될 수 있다. 상기 제1 및 제2도전부(171A,173A)의 재질은 신터(sinter) 페이스트를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2도전부(171A,173A)의 재질은 실리콘에 비 접착되므로, 아민계 수지 접착제를 이용하여 금속과의 접합되며 레진에 선택적으로 접착될 수 있다. 이러한 도전부(171A,173A)은 금속 링크들 사이의 공간에 아민계 수지 접착제가 채워질 수 있다.
상기 제1 및 제2도전부(171A,173A)는 중량을 기준으로 금속이 중량%가 수지의 중량%보다 더 높을 수 있다. 상기 도전부(171A,173A)는 금속의 중량%가 수지의 중량%보다 높을 수 있으며, 예컨대 1배 이상이거나 2배 이상일 수 있다. 상기 도전부(171A,173A)는 금속의 중량%는 총 중량을 기준으로 50wt% 이상일 수 있다. 상기 도전부(171A,173A)는 금속의 중량%는 총 중량을 기준으로 50wt% 내지 75wt% 범위일 수 있다. 상기 도전부(171A,173A) 내에서 상기 금속의 중량%가 상기 범위보다 작은 경우, 경화가 저하될 수 있고, 상기 범위보다 큰 경우 금속부(M1,M2)와의 접착력이 저하될 수 있다. 이러한 도전부(171A,173A)는 상기의 금속의 중량%를 갖는 금속 페이스트로 제공될 수 있다.
상기 도전부(171A,173A)는 수지의 중량%가 금속의 중량%보다 작을 수 있으며, 예컨대 0.5배 이하이거나 0.4배 이하일 수 있다. 발명의 실시 예는 상기 도전부(171A,173A)는 총 중량을 기준으로 25wt% 이상의 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 아민계열의 수지 접착제는 상기 도전부(171A,173A)의 총 중량%을 기준으로 20wt% 내지 50wt% 범위일 수 있다. 즉, 상기 아민(amine)계열의 수지 접착제는 몸체(115)가 수지 재질인 경우, 몸체(115)와의 접착력이 떨어지는 문제가 있다. 이를 위해, 상기 도전부(171A,173A)와 몸체(115) 사이에 금속부(M1,M2)를 얇은 두께로 형성해 줄 수 있다.
상기 도전부(171A,173A)의 수지는 몸체(115)와 비 접촉되고 금속부(M1,M2)와 접촉될 수 있다. 상기 도전부(171A,173A)에서 수지의 중량%이 상기 범위보다 작은 경우 금속부(M1,M2)와의 접촉 면적이 줄어들어, 도전부가 유동되거나 이탈되어 전기적인 신뢰성이 저하될 수 있다. 상기 도전부(171A,173A)에서 수지의 중량%이 상기 범위보다 큰 경우 금속의 중량%가 증가되어, 전기적 특성이나 방열 특성이 저하될 수 있다. 상기 도전부(171A,173A)에서의 수지는 금속 페이스트를 프린트한 다음 열 경화를 수행하면 금속 파티클이나 금속 링크들을 압착 또는 수축시켜 지지할 수 있다. 이때의 금속 파티클이나 금속 링크는 서로 연결되어 있으며, 외부 표면에 노출될 수 있다. 이때의 금속 파티클이나 금속 링크는 서로 연결된 금속 파티클이나 금속 링크(link)들 사이의 영역이나 외부에 상기 수지가 채워질 수 있다. 상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 또는 구리(Cu)들이 단일 또는 이중 구조로 제공될 수 있다. 상기 이중 구조인 경우 제1금속과 상기 제1금속을 감싸는 제2금속의 구조일 수 있다. 상기 제1 및 제2금속은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 중 어느 하나이며, 서로 다른 금속을 포함할 수 있다. 상기 제1금속/제2금속은 예컨대 Ag/Cu의 구조, Cu/Ag 구조, Au/Cu 구조, Cu/Au 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제2금속은 상기 제1금속을 감싸는 형태로 제공되므로, 산화 방지용 금속일 수 있다.
도 12 내지 도 14의 패키지 구조는, 몸체(115)의 관통홀(TH1,TH2)의 표면에 금속부가 형성되는 구조이며 상기 도전부(171A,173A)가 몸체(115)의 표면에 비 접촉될 수 있다. 이러한 구조에서 상기 도전부(171A,173A)의 재질은 상기 금속부(M1,M2)와의 접착력이 좋은 페이스트 재료를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 도전부(171,173)는 금속의 중량%가 총 중량을 기준으로 50wt% 이상이거나, 50wt% 내지 75wt% 범위일 수 있다. 상기 도전부(171A,173A) 내에서 상기 금속의 중량%가 상기 범위보다 작은 경우, 경화가 저하될 수 있고, 상기 범위보다 큰 경우 금속부(M1,M2와의 접착력이 저하될 수 있다. 이러한 도전부(171A,173A)는 상기의 금속의 중량%를 갖는 금속 페이스트로 제공될 수 있다. 상기 도전부(171A,173A)에서 수지의 중량%는 상기 금속의 중량%보다 작을 수 있으며, 예컨대 1배 이하이거나 0.5배 이하일 수 있다. 발명의 실시 예는 상기 도전부(171A,173A)는 총 중량을 기준으로 25wt% 이상의 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 아민계열의 수지는 상기 도전부(171A,173A)의 총 중량을 기준으로 20wt% 내지 50wt% 범위일 수 있다. 이러한 금속과 수지는 금속부(M1,M2)와의 접착력이 개선될 수 있다. 발명의 실시 예는 도전부(171A,173A)의 금속 재질이 주석(Sn)이나 플럭스와 같은 재료를 이용하지 않고, 수지 재질의 접착제와 금속을 혼합한 금속 페이스트를 제공할 수 있다. 이러한 수지 재질의 접착제는 상기 관통홀(TH1,TH2) 내에서 상기 금속을 지지하거나 고정시켜 줄 수 있다. 상기 도전부(171A,173A) 내에서 수지 재질의 접착제는 에폭시계열이거나, 열 경화성 또는 광경화성 수지 재질을 포함할 수 있다.
도 12와 같이, 상기 도전부(171A,173A)는 하부 리세스(R11,R12)에 배치된 금속부(M1,M2) 아래에 배치될 수 있다. 상기 금속부(M1,M2)는 상기 관통홀(TH1,TH2) 및 하부 리세스(R11,R12) 내에서 상기 도전부(171A,173A)를 감싸게 될 수 있다. 상기 금속부(M1,M2)의 하단은 몸체 하면에 노출될 수 있다. 상기 금속부(M1,M2)의 상단은 관통홀(TH1,TH2)의 둘레에 배치될 수 있고, 관통홀(TH1,TH2)의 상면 중심으로부터 이격될 수 있다.
도 13과 같이, 상기 금속부(M1,M2)는 상기 관통홀(TH1,TH2)의 상면으로 연장될 수 있다. 상기 금속부(M1,M2)는 상기 관통홀(TH1,TH2)의 상면을 커버할 수 있고, 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)와 접촉되고 연결될 수 있다. 즉, 상기 제1금속부(M1)는 제1금속 연장부(Ma)를 포함하며, 제1금속 연장부(Ma)는 상기 제1본딩부(121)과 대면하는 상기 제1관통홀(TH1)의 상면에 배치될 수 있다. 제1금속 연장부(Ma)는 상기 제1도전부(171A)와 상기 제1본딩부(121) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2금속부(M2)는 제2금속 연장부(Mb)를 포함하며, 제2금속 연장부(Mb)는 상기 제2본딩부(122)과 대면하는 상기 제2관통홀(TH2)의 상면에 배치될 수 있다. 제2금속 연장부(Mb)는 상기 제2도전부(173A)와 상기 제2본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2금속부(M1,M2)는 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)에 본딩되고, 상기 제1 및 제2도전부(171A,173A)의 금속과 접합될 수 있다.
도 14는 제4실시 예에 따른 발광소자 패키지로서, 도 13의 다른 예이다. 제4실시 예를 설명함에 있어서, 제1 내지 제3실시 예와 동일한 부분의 중복 설명은 생략하며 상기에 개시된 실시 예의 구성을 선택적으로 적용할 수 있다.
도 14를 참조하면, 발광소자 패키지는 몸체(115)의 관통홀(TH1,TH2), 상기 관통홀(TH1,TH2)의 표면에 금속부(M1,M2), 상기 금속부(M1,M2)의 표면에 도전부(171A,173A)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(115)는 하부에 하부 리세스 없이 관통홀(TH1,TH2)로 제공되며, 상기 몸체(115)의 하부에 제1 및 제2하부 금속부(181,183)이 배치될 수 있다. 상기 하부 금속부(181,183)의 구성은 도 11의 설명을 전용할 수 있다.
발명의 실시 예에 발광소자(120)의 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122)는 제1 및 제2금속부(M1,M2) 및 도전부(171A,173A)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 도전부(171A,173A)의 용융점이 다른 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다.
발명의 실시 예들에 개시된 발광소자 패키지는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다. 그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 도전부와 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 회로 기판이나 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다. 또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 상기 패키지 몸체를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다. 예를 들어, 상기 패키지 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
도 15를 참조하면, 발광소자 패키지는 복수의 캐비티(102,102A)를 갖는 패키지 몸체(110)를 포함할 수 있다. 상기 각 캐비티(102,102A) 내에 배치된 발광 소자(120,120A)는 서로 직렬로 연결되거나 병렬로 연결될 수 있다. 상기 각 발광소자(120,120A)의 하부에는 관통홀(TH1,TH2)에 배치될 수 있다. 이러한 구조는 제1내지 제4실시 예에 적용될 수 있다.
몸체(115)의 하면에는 복수의 하부 리세스(R11,R12,R13)를 포함하며, 제1하부 리세스(R11)는 제1발광소자(120)의 제1본딩부(121)과 대면되는 제1관통홀(TH1)의 주변에 배치되고, 제2하부 리세스(R12)는 제2발광소자(120A)의 제2본딩부(122)와 대면하는 제2관통홀(TH2)의 주변에 배치될 수 있다. 제3하부 리세스(R13)는 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12) 사이에 배치될 수 있으며, 제1캐비티(102)에 배치된 제2관통홀(TH2)와 제2캐비티(102A)에 배치된 제1관통홀(TH1)을 서로 연결시켜 줄 수 있다. 상기 제3하부 리세스(R13)는 상기 제1 및 제2캐비티(102,102A) 사이에 배치된 중간 몸체(113)의 하부에 배치될 수 있다.
상기 각 하부 리세스(R11,R12,R13)에는 상기에 개시된 금속부(M1,M2,M3)가 각각 배치될 수 있다. 상기 각 금속부(M1,M2,M3) 중에서 제3금속부(M3)는 제3하부 리세스(R12)의 표면과 제1캐비티(102)에 배치된 제2관통홀(TH2)와 제2캐비티(102A)에 배치된 제1관통홀(TH1)의 표면에 각각 배치될 수 있다. 이러한 구조를 통해, 복수의 발광소자를 서로 다른 캐비티에 배치하고, 각 캐비티 바닥의 관통홀에 채워지는 도전부를 통해 서로 연결시켜 줄 수 있다.
상기 도전부(171A,173A,175,176)는 상기 하부 리세스(R11,R12,R13)과 각 관통홀(TH1,TH2)에 배치된 금속부(M1,M2,M3) 상에 배치될 수 있다. 여기서, 제1 및 제2실시 예의 패키지에서는 상기 금속부 없이 제공될 수 있다.
도 16은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치의 예이다
도 16을 참조하면, 발광소자 패키지(101)의 제1 및 제2관통홀(TH1,TH2) 및 상기 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12)에는 도전부(171,173)가 배치될 수 있다. 상기 제1관통홀(TH1) 및 제1하부 리세스(R11)에는 제1도전부(171)가 배치되고, 상기 제2관통홀(TH2) 및 제2하부 리세스(R12)에는 제2도전부(173)가 배치될 수 있다. 상기 제1도전부(171)는 발광소자(120)의 제1본딩부(121)과 회로기판(201)의 제1패드(211)를 연결시켜 줄 수 있다. 상기 제2도전부(173)는 발광소자(120)의 제2본딩부(122)와 회로기판(201)의 제2패드(213)를 연결시켜 줄 수 있다.
상기 제1도전부(171)는 상기 제1하부 리세스부(R11)의 표면과 상기 제1관통홀(TH1)의 표면에 접촉될 수 있다. 상기 제2도전부(173)는 상기 제2하부 리세스(R12)의 표면과 상기 제2관통홀(TH2)의 표면에 접촉될 수 있다.
상기 제1도전부(171)는 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2도전부(173)는 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122)와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2도전부(171,173)에 의한 전기적인 및 열적인 경로를 최소화할 수 있다.
상기 회로 기판(201)은 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 상기 회로 기판(201)은 수지 재질의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB), 리지드 PCB(rigid PCB) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다. 상기 회로 기판(201)은 수지 또는 금속 재질의 베이스층 상에 절연층 또는 보호층이 배치되며, 상기 절연층 또는 보호층으로부터 노출된 패드(211,213)가 배치된다. 상기 패드(211,213)는 하나 또는 복수의 발광소자 패키지를 전기적으로 연결시켜 줄 수 있다. 상기 절연층 또는 보호층은 솔더 레지스트 재질이거나, 수지 재질일 수 있다.
상기 회로 기판(201)의 각 패드(211,213)는 예컨대, Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다.
여기서, 도전부(171A,173A)의 접합 공정을 보면, 상기 제1 및 제2도전부(171A,173A)는 액상의 재질로 스크린 프린트 방식으로 제공되고 경화되며, 이후 리플로우 공정을 진행하게 된다. 이때 발광소자 패키지를 회로기판(201)의 제1 및 제2패드(211,213) 상에 위치시킨 후, 회로 기판(201) 상에서 본딩하게 된다. 이때 상기 제1패드(211) 상에 배치된 제1도전부(171A)는 제1관통홀(TH1)을 통해 제1본딩부(121)과 제1패드(211)에 주입되고, 상기 제2패드(213) 상에 배치된 제2도전부(173A)는 제2본딩부(122)외 제2패드(213)에 연결될 수 있다. 이때 금속 페이스트의 수지계열의 접착제가 도전부(171A,173A)의 금속을 지지하게 되므로, 상기 제1 및 제2도전부(171A,173A)가 퍼지거나 확산되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2도전부(171A,173A) 사이에 배치된 몸체(115)는 액상의 금속 페이스트가 확산되는 것을 방지할 수 있고 상기 제1 및 제2도전부(171A,173A) 간의 전기적인 간섭을 차단할 수 있다.
발명의 실시 예는 제1 및 제2하부 리세스(R11,R12)는 도전부(171A,173A)의 유동 또는 확산을 가이드하고, 몸체 하면이 턱이나 홈으로 제공될 수 있어, 도전부(171A,173A)의 접합성을 개선시켜 줄 수 있다. 이러한 도전부(171A,173A)가 프린팅 방법으로 제공되므로, 도전부(171A,173A)의 불균일한 분포로 인한 전기적 오픈 문제나 열 전달 효율의 저하 문제를 방지할 수 있다. 상기 각 관통홀(TH1,TH2)의 일부 표면에 수지가 노출되고 다른 표면에 금속부(M1,M2)가 배치되므로, 도전부(171A,173A)가 배치되는 관통홀(TH1,TH2) 내에 보이드(void)가 형성되는 것을 억제하거나 보이드 양을 줄여줄 수 있다.
상기에 개시된 발광소자 패키지는 회로 기판(201) 상에 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 발광소자 패키지는 회로 기판(201)의 패드(211,213) 상에 배치된 도전부(171A,173A)을 통해 발광소자(120)와 전기적으로 연결될 수 있다.
도 17은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 단면도이다.
도 17을 참조하면, 발광소자는 제1 전극(627)과 제2 전극(628)의 상대적인 배치 관계 만을 개념적으로 도시하였다. 상기 제1 전극(627)은 제1 본딩부(621)와 제1 가지전극(625)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 제2 본딩부(622)와 제2 가지전극(626)을 포함할 수 있다.
발광소자는 기판(624) 위에 배치된 발광 구조물(623)을 포함할 수 있다. 상기 기판(624)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(624)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(623)은 제1 도전형 반도체층(623a), 활성층(623b), 제2 도전형 반도체층(623c)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(623b)은 상기 제1 도전형 반도체층(623a)과 상기 제2 도전형 반도체층(623c) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(623a) 위에 상기 활성층(623b)이 배치되고, 상기 활성층(623b) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(623c)이 배치될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(623a)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(623c)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(623a)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(623c)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다.
발광소자는 제1 전극(627)과 제2 전극(628)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(627)은 제1 본딩부(621)와 제1 가지전극(625)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(627)은 상기 제2 도전형 반도체층(623c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)은 상기 제1 본딩부(621)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)은 상기 제1 본딩부(621)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 제2 본딩부(622)와 제2 가지전극(626)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 상기 제1 도전형 반도체층(623a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 가지전극(626)은 상기 제2 본딩부(622)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제2 가지전극(626)은 상기 제2 본딩부(622)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 가지전극(625)와 상기 제2 가지전극(626)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)과 상기 제2 가지전극(626)에 의하여 상기 제1 본딩부(621)와 상기 제2 본딩부(622)를 통하여 공급되는 전원이 상기 발광 구조물(623) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.
상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.
한편, 상기 발광 구조물(623)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 발광 구조물(623)의 상면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 발광 구조물(623)의 측면에 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 제1 본딩부(621)와 상기 제2 본딩부(622)가 노출되도록 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 기판(624)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.
예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 상기 활성층(623b)에서 생성된 빛이 발광소자의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 상기 활성층(623b)에서 생성된 빛이 발광소자의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.
발광소자의 다른 예로서, 제1전극과 제2전극 중 적어도 하나는 패턴 형태로 구현될 수 있고, 상기 패턴 형태의 전극에 관통홀에 삽입될 수 있는 도전 돌기가 배치될 수 있다. 상기 패턴은 하나 또는 복수의 암 형상 또는 가지 형상을 갖는 패턴을 포함할 수 있다. 또는 상기 발광소자의 각 본딩부에는 도전 돌기가 배치될 수 있다. 상기 발광소자는 하나의 발광 셀을 갖는 구조로 설명되었다. 이는 발광 셀이 상기의 발광 구조물을 포함하는 경우, 발광소자의 구동 전압은 하나의 발광 셀에 걸리는 전압일 수 있다. 실시 예에 개시된 발광소자의 예로서, 2개의 발광 셀을 갖는 발광소자가 개시될 수 있다.
이상에서 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 본딩부는 관통홀에 배치된 금속부 및 도전부를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 관통홀에 배치된 도전부의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 몸체를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
또한 프레임의 관통 홀의 하부 형상을 대칭적 또는 비 대칭적으로 형성하여, 도전부과 도전돌기의 결합 면적을 증가시켜 주어, 크랙 발생을 억제하고, 패키지의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다. 또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다.
광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 또는 조명 모듈로 구현될 수 있으며, 상기 발광 모듈 또는 조명 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.
광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110: 몸체 110A: 상부몸체
M1,M2: 금속부 115: 몸체
120: 발광소자 123: 발광 구조물
121,122: 본딩부 TH1,TH2: 관통홀
160: 제1수지 162: 제2수지
201: 회로 기판 211,213: 패드
171,173: 도전부 R11,R12: 하부 리세스

Claims (11)

  1. 상면과 하면을 포함하고, 상기 상면과 상기 하면을 관통하는 제1 관통홀 및 제2 관통홀을 포함하는 몸체;
    상기 몸체 상에 배치되고 제1 본딩부 및 제2 본딩부를 포함하는 발광 소자;
    상기 제1 및 제2관통홀에 각각 배치된 제1 및 제2도전부를 포함하며,
    상기 제1 본딩부는 상기 제1관통홀 상에 배치되고 상기 제1도전부와 전기적으로 연결되며,
    상기 제2본딩부는 상기 제2관통홀 상에 배치되며 상기 제2도전부와 전기적으로 연결되며,
    상기 제1 및 제2도전부는 수지와 금속을 포함하며,
    상기 제1 및 제2도전부는 상기 금속의 중량%가 상기 수지의 중량%보다 높으며,
    상기 제1 관통홀 및 상기 제2 관통홀 각각은 상기 몸체의 측면에 인접한 제1 내측면과 상기 제1 내측면과 대향하는 면을 가지는 제2 내측면을 포함하며,
    상기 제1 내측면과 상기 제2 내측면은 상기 상면으로부터 상기 하면의 방향으로 경사진 면을 가지고,
    상기 제1 내측면은 상기 제2 내측면 보다 큰 경사 각도를 가지는 발광소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2도전부에서 금속의 중량%는 70wt% 이상이며, 상기 수지의 중량%는 10wt% 이상이며,
    상기 제1 및 제2도전부는 상기 제1 및 제2관통홀의 표면에서 상기 몸체와 접촉되는 발광 소자 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2관통홀 각각에 배치된 제1 및 제2 금속부; 를 포함하고,
    상기 제1 및 제2도전부에서 금속의 중량%는 50wt% 이상이며, 상기 수지의 중량%는 25wt% 이상이며,
    상기 제1 및 제2도전부는 상기 제1 및 제2관통홀에서 상기 몸체와 비접촉되는 발광소자 패키지.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몸체의 하면에서 상기 상면을 향하여 오목한 제1 및 제2 하부 리세스를 포함하며,
    상기 제1 및 제2관통홀은 상기 제1 및 제2하부 리세스의 일부 영역에 각각 배치되며,
    상기 제1 및 제2하부 리세스에는 상기 제1 및 제2도전부의 제1 및 제2연장부가 연장되는 발광소자 패키지.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 몸체의 하면에서 상면을 향하여 오목한 제1 및 제2 하부 리세스를 포함하며,
    상기 제1 및 제2 하부 리세스에 각각 배치되는 제1 및 제2 금속부; 를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 하부 리세스는 상기 제1 및 제2 관통홀 각각의 외측에 배치되고,
    상기 제1 및 제2하부 리세스에는 상기 제1 및 제2도전부의 제1 및 제2연장부가 연장되는 발광소자 패키지.
  6. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1 및 제2도전부의 수지는 아민계 수지 접착제 또는 에폭시계 수지 접착제를 포함하는 발광소자 패키지.
  7. 제3항 또는 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2금속부는 상기 제1 및 제2관통홀의 상면에 배치된 상기 제1 및 제2본딩부에 각각 접촉되는 발광소자 패키지.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2관통홀의 표면에 상기 제1 및 제2관통홀의 중심을 기준으로 멀어지거나 가까운 방향으로 돌출된 적어도 하나의 돌출부를 포함하는 발광소자 패키지.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2금속부는 상기 제1 및 제2하부 리세스의 깊이보다 작은 두께를 갖는 발광소자 패키지.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    제1 상부 리세스 및 제2 상부 리세스를 더 포함하며,
    상기 제1 상부 리세스 및 상기 제2 상부 리세스는 상기 제1 관통홀과 상기 제2 관통홀 사이의 영역에 배치되고,
    상기 제1 상부 리세스 및 상기 제2 상부 리세스는 상기 몸체의 상면에서 상기 몸체의 하면으로 오목하게 형성되고,
    상기 제1 상부 리세스 및 상기 제2 상부 리세스에 제1 수지가 배치되는 발광소자 패키지.
  11. 상부에 제1 및 제2패드를 갖는 회로 기판; 및
    상기 회로 기판에 하나 또는 복수의 발광소자 패키지가 배치되며,
    상기 발광소자 패키지는, 청구항 1 내지 3 중 어느 하나의 발광소자 패키지인 광원 장치.
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