KR102712176B1 - multi-pixel LED package for display module - Google Patents
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Abstract
행렬 배열로 PCB 상에 실장되는 멀티 픽셀 LED 패키지가 개시된다. 이 멀티 픽셀 LED 패키지는, 기판; 상기 기판의 상면에서 제1행 제1열에 위치하는 제1 픽셀; 상기 기판의 상면에서 제1행 제2열에 위치하는 제2 픽셀; 상기 기판의 상면에서 제2행 제1열에 위치하는 제3 픽셀;및 상기 기판의 상면에서 제2행 제2열에 위치하는 제4 픽을 포함한다. 제1 공통 단자는 상기 기판의 저면에 형성되며, 제1 공통 연결수단에 의해 상기 제1 픽셀 내 R LED칩, G LED칩 및 B LED칩의 제2 도전형 전극들과 상기 제2 픽셀 내 R LED칩, G LED칩 및 B LED칩의 제2 도전형 전극들에 공통적으로 연결되고, 상기 제2 공통 단자는 상기 기판의 저면에 형성되며, 제2 공통 연결수단에 의해 상기 제3 픽셀 내 R LED칩, G LED칩 및 B LED칩의 제2 도전형 전극들과 상기 제4 픽셀 내 R LED칩, G LED칩 및 B LED칩의 제2 도전형 전극들에 공통적으로 연결된다.A multi-pixel LED package mounted on a PCB in a matrix arrangement is disclosed. The multi-pixel LED package includes: a substrate; a first pixel positioned in a first row and a first column on an upper surface of the substrate; a second pixel positioned in a first row and a second column on an upper surface of the substrate; a third pixel positioned in a second row and a first column on an upper surface of the substrate; and a fourth pixel positioned in a second row and a second column on an upper surface of the substrate. The first common terminal is formed on the lower surface of the substrate and is commonly connected to the second conductive electrodes of the R LED chip, the G LED chip, and the B LED chip in the first pixel and the second conductive electrodes of the R LED chip, the G LED chip, and the B LED chip in the second pixel by a first common connecting means, and the second common terminal is formed on the lower surface of the substrate and is commonly connected to the second conductive electrodes of the R LED chip, the G LED chip, and the B LED chip in the third pixel and the second conductive electrodes of the R LED chip, the G LED chip, and the B LED chip in the fourth pixel by a second common connecting means.
Description
본 발명은 기판 상에 행렬 배열로 실장되어 디스플레이 모듈을 형성하는 디스플레이 모듈용 LED 패키지에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 개별 제어 가능한 복수의 픽셀을 포함하는 LED 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to an LED package for a display module, which is mounted in a matrix arrangement on a substrate to form a display module, and more specifically, to an LED package including a plurality of individually controllable pixels.
LED가 백라이트 광원으로 이용되었던 디스플레이 장치 대신에 서로 다른 파장을 발하는 LED들 각각이 그룹화되어 픽셀을 구성하는 풀-컬러 LED 디스플레이 장치가 제안된 바 있다. 이때, 각 픽셀은 적색 LED, 녹색 LED 및 청색 LED로 구성되거나, 적색 LED, 녹색 LED, 청색 LED 및 백색 LED로 구성된다. 이러한 LED 디스플레이 장치에 있어서, 적색 LED, 녹색 LED 및 청색 LED 각각이 패키지 구조로 제작되어 기판 상에 실장되는데, 이 경우, 각 픽셀을 구성하는 LED들 사이가 멀어져 고품질의 해상도를 얻기 어렵다. 그리고 패키지 구조의 LED들로 픽셀을 구성할 경우, 최근 주목받고 있는 마이크로 LED 디스플레이 장치에 적용이 어려웠다.Instead of a display device in which LEDs are used as backlight sources, a full-color LED display device has been proposed in which LEDs emitting different wavelengths are each grouped to form pixels. At this time, each pixel is composed of a red LED, a green LED, and a blue LED, or a red LED, a green LED, a blue LED, and a white LED. In such an LED display device, each of the red LED, the green LED, and the blue LED is manufactured in a package structure and mounted on a substrate. In this case, the LEDs forming each pixel are spaced apart, making it difficult to obtain a high-quality resolution. In addition, when forming pixels with LEDs in a package structure, it has been difficult to apply them to micro LED display devices, which have recently been attracting attention.
이에 대하여, 하나의 패키지 내에 하나의 픽셀을 구성하는 적색 LED칩, 녹색 LED칩 및 청색 LED칩을 실장한 단일 픽셀 LED 패키지가 제안된 바 있다. 이러한 단일 픽셀 LED 패키지는 적색 LED칩, 녹색 LED칩 및 청색 LED칩을 포함하는 LED칩들을 개별 구동하기 위해, 많은 수의 단자들을 구비해야 하였다. 이와 같이 많은 수의 단자들로 인해 단자간 피치 간격이 과도하게 작아지며, 이로 인해 쇼트 불량이 초래되고 LED 패키지가 실장되는 PCB의 회로 설계도 제약된다, 이에 대하여, 3개의 캐소드 단자들과 하나의 공통 애노드 단자를 포함하여 단자 개수가 4개로 감소된 단일 픽셀 LED 패키지가 종래에 제안되었다. 그리고, 이러한 단일 픽셀 LED 패키지들을 의도한 LED 피치와 해상도가 되도록 PCB 상에 어레이하여 디지털 싸이니지(digital signage)를 형성한다. 하지만, 스크린 면적 당 픽셀 밀도를 줄이고자 하는 요구가 증가하면서, 4개의 단자를 포함하는 단일 픽셀 LED 패키지의 적용에 있어서도, 단자간 피치 최소 간격으로 인해, PCB 설계상에 많은 한계가 뒤따르며, 이와 같은 PCB 설계상의 제약은 고난이도의 PCB를 요구하게 되며, 이는 공정비용 상승에 따른 원가 상승의 문제점을 낳는다. In this regard, a single-pixel LED package has been proposed in which a red LED chip, a green LED chip, and a blue LED chip constituting one pixel are mounted in one package. This single-pixel LED package must have a large number of terminals in order to individually drive the LED chips including the red LED chip, the green LED chip, and the blue LED chip. Due to this large number of terminals, the pitch interval between the terminals becomes excessively small, which causes short-circuit defects and also restricts the circuit design of the PCB on which the LED package is mounted. In this regard, a single-pixel LED package in which the number of terminals is reduced to four, including three cathode terminals and one common anode terminal, has been proposed in the past. Then, these single-pixel LED packages are arrayed on a PCB so as to have an intended LED pitch and resolution to form a digital signage. However, as the demand for reducing pixel density per screen area increases, even in the application of single-pixel LED packages including four terminals, there are many limitations in PCB design due to the minimum pitch spacing between terminals, and such limitations in PCB design require a PCB with high difficulty, which leads to the problem of increased cost due to increased process costs.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 복수의 행과 복수의 열을 포함하는 행렬 배열로 배열된 복수의 픽셀들을 포함하되, 기존에 비해 픽셀 당 단자수를 획기적으로 줄여 PCB 설계 자유도를 높인 멀티 픽셀 LED 패키지를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a multi-pixel LED package including a plurality of pixels arranged in a matrix array including a plurality of rows and a plurality of columns, while dramatically reducing the number of terminals per pixel compared to the conventional one, thereby increasing the freedom of PCB design.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 동일 행, 다른 픽셀들을 커버하도록 제공된 공통 애노드 단자와, 동일 열, 다른 픽셀들의 동일 파장 LED칩들을 커버하도록 제공된 캐소드 단자를 포함하여, 픽셀들 그리고 각 픽셀 내 서로 다른 파장의 LED칩들이 빠른 응답성과 제어 신뢰성으로 개별 제어될 수 있게 한 디스플레이 모듈용 멀티 픽셀 LED 패키지를 제공하는 것이다.In addition, another problem to be solved by the present invention is to provide a multi-pixel LED package for a display module, which includes a common anode terminal provided to cover different pixels in the same row, and a cathode terminal provided to cover LED chips of the same wavelength in different pixels in the same column, so that pixels and LED chips of different wavelengths within each pixel can be individually controlled with fast response and control reliability.
본 발명의 일측면에 따른 디스플레이 모듈용 멀티 픽셀 LED 패키지는, 행렬 배열로 PCB 상에 실장되는 멀티 픽셀 LED 패키지로, 기판; 상기 기판의 상면에서 제1행 제1열에 위치하는 제1 픽셀; 상기 기판의 상면에서 제1행 제2열에 위치하는 제2 픽셀; 상기 기판의 상면에서 제2행 제1열에 위치하는 제3 픽셀; 상기 기판의 상면에서 제2행 제2열에 위치하는 제4 픽셀; 상기 기판의 저면에 형성되며, 제1 R 연결수단에 의해 상기 제1 픽셀 내 R LED칩의 제1 도전형 전극 및 상기 제3 픽셀 내 R LED칩의 제1 도전형 전극에 공통적으로 연결되는 제1 R 단자; 상기 기판의 저면에 형성되며, 제1 G 연결수단에 의해 상기 제1 픽셀 내 G LED칩의 제1 도전형 전극 및 상기 제3 픽셀 내 G LED칩의 제1 도전형 전극에 공통적으로 연결되는 제1 G 단자; 상기 기판의 저면에 형성되며, 제1 B 연결수단에 의해 제1 픽셀 내 B LED칩의 제1 도전형 전극 및 상기 제3 픽셀 내 B LED칩의 제1 도전형 전극에 공통적으로 연결되는 제1 B 단자; 상기 기판의 저면에 형성되며, 제2 R 연결수단에 의해 상기 제2 픽셀 내 R LED칩의 제1 도전형 전극 및 상기 제4 픽셀 내 R LED칩의 제1 도전형 전극에 공통적으로 연결되는 제2 R 단자; 상기 기판의 저면에 형성되며, 제2 G 연결수단에 의해 상기 제2 픽셀 내 G LED칩의 제1 도전형 전극 및 상기 제4 픽셀 내 G LED칩의 제1 도전형 전극에 공통적으로 연결되는 제2 G 단자; 상기 기판의 저면에 형성되며, 제2 B 연결수단에 의해 상기 제2 픽셀 내 B LED칩의 제1 도전형 전극 및 상기 제4 픽셀 내 B LED칩의 제1 도전형 전극에 공통적으로 연결되는 제2 B 단자; 상기 기판의 저면에 형성되며, 제1 공통 연결수단에 의해 상기 제1 픽셀 내 R LED칩, G LED칩 및 B LED칩의 제2 도전형 전극들과 상기 제2 픽셀 내 R LED칩, G LED칩 및 B LED칩의 제2 도전형 전극들에 공통적으로 연결되는 제1 공통 단자; 및 상기 기판의 저면에 형성되며, 제2 공통 연결수단에 의해 상기 제3 픽셀 내 R LED칩, G LED칩 및 B LED칩의 제2 도전형 전극들과 상기 제4 픽셀 내 R LED칩, G LED칩 및 B LED칩의 제2 도전형 전극들에 공통적으로 연결되는 제2 공통 단자를 포함한다.A multi-pixel LED package for a display module according to one aspect of the present invention is a multi-pixel LED package mounted on a PCB in a matrix arrangement, comprising: a substrate; a first pixel positioned in a first row and a first column on an upper surface of the substrate; a second pixel positioned in a first row and a second column on an upper surface of the substrate; a third pixel positioned in a second row and a first column on an upper surface of the substrate; a fourth pixel positioned in a second row and a second column on an upper surface of the substrate; a first R terminal formed on a lower surface of the substrate and commonly connected to a first conductive electrode of an R LED chip in the first pixel and a first conductive electrode of an R LED chip in the third pixel by a first R connecting means; a first G terminal formed on a lower surface of the substrate and commonly connected to a first conductive electrode of a G LED chip in the first pixel and a first conductive electrode of a G LED chip in the third pixel by a first G connecting means; A first B terminal formed on a lower surface of the substrate and commonly connected to a first conductive electrode of a B LED chip in a first pixel and a first conductive electrode of a B LED chip in a third pixel by a first B connecting means; A second R terminal formed on a lower surface of the substrate and commonly connected to a first conductive electrode of an R LED chip in a second pixel and a first conductive electrode of an R LED chip in a fourth pixel by a second R connecting means; A second G terminal formed on a lower surface of the substrate and commonly connected to a first conductive electrode of a G LED chip in a second pixel and a first conductive electrode of a G LED chip in a fourth pixel by a second G connecting means; A second B terminal formed on a lower surface of the substrate and commonly connected to a first conductive electrode of a B LED chip in a second pixel and a first conductive electrode of a B LED chip in a fourth pixel by a second B connecting means; A first common terminal formed on a lower surface of the substrate and commonly connected to the second conductive electrodes of the R LED chip, the G LED chip, and the B LED chip in the first pixel and the second conductive electrodes of the R LED chip, the G LED chip, and the B LED chip in the second pixel by a first common connecting means; and a second common terminal formed on a lower surface of the substrate and commonly connected to the second conductive electrodes of the R LED chip, the G LED chip, and the B LED chip in the third pixel and the second conductive electrodes of the R LED chip, the G LED chip, and the B LED chip in the fourth pixel by a second common connecting means.
일 실시예에 따라, 상기 제1 R 연결수단은, Ra 비아 및 Rb 비아와, 상기 Ra 비아 및 상기 Rb 비아에 의해 상기 제1 R 단자와 각각 연결된 채 상기 기판의 상면에 이격되어 형성된 Ra 전극패드 및 Rb 전극패드와, 상기 제1 픽셀 내 R LED칩의 제1 도전형 전극을 상기 Ra 전극패드에 연결하는 Ra 범프와, 상기 제3 픽셀 내 R LED칩의 제1 도전형 전극을 상기 Rb 전극패드에 연결하는 Rb 범프를 포함하고, 상기 제2 R 연결수단은, Rc 비아 및 Rd 비아와, 상기 Rc 비아 및 상기 Rd 비아에 의해 상기 제2 R 단자와 각각 연결된 채 상기 기판의 상면에 이격되어 형성된 Rc 전극패드 및 Rd 전극패드와, 상기 제2 픽셀 내 R LED칩의 제1 도전형 전극을 상기 Rc 전극패드에 연결하는 Rc 범프와, 상기 제4 픽셀 내 R LED칩의 제1 도전형 전극을 상기 Rd 전극패드에 연결하는 Rd 범프를 포함한다.According to one embodiment, the first R connection means includes a Ra via and an Rb via, a Ra electrode pad and an Rb electrode pad formed spaced apart from each other on an upper surface of the substrate and respectively connected to the first R terminal by the Ra via and the Rb via, a Ra bump connecting a first conductive electrode of the R LED chip in the first pixel to the Ra electrode pad, and an Rb bump connecting the first conductive electrode of the R LED chip in the third pixel to the Rb electrode pad, and the second R connection means includes a Rc via and an Rd via, a Rc electrode pad and an Rd electrode pad formed spaced apart from each other on an upper surface of the substrate and respectively connected to the second R terminal by the Rc via and the Rd via, an Rc bump connecting the first conductive electrode of the R LED chip in the second pixel to the Rc electrode pad, and an Rd bump connecting the first conductive electrode of the R LED chip in the fourth pixel to the Rd electrode pad.
일 실시예에 따라, 상기 제1 G 연결수단은, Ga 비아 및 Gb 비아와, 상기 Ga 비아 및 상기 Gb 비아에 의해 상기 제1 G 단자와 각각 연결된 채 상기 기판의 상면에 이격되어 형성된 Ga 전극패드 및 Gb 전극패드와, 상기 제1 픽셀 내 G LED칩의 제1 도전형 전극을 상기 Ga 전극패드에 연결하는 Ga 범프와, 상기 제3 픽셀 내 G LED칩의 제1 도전형 전극을 상기 Gb 전극패드에 연결하는 Gb 범프를 포함하고, 상기 제2 G 연결수단은, Gc 비아 및 Gd 비아와, 상기 Gc 비아 및 상기 Gd 비아에 의해 상기 제2 G 단자와 각각 연결된 채 상기 기판의 상면에 이격되어 형성된 Gc 전극패드 및 Gd 전극패드와, 상기 제2 픽셀 내 G LED칩의 제1 도전형 전극을 상기 Gc 전극패드에 연결하는 Gc 범프와, 상기 제4 픽셀 내 G LED칩의 제1 도전형 전극을 상기 Gd 전극패드에 연결하는 Gd 범프를 포함한다.According to one embodiment, the first G connection means includes a Ga via and a Gb via, a Ga electrode pad and a Gb electrode pad formed spaced apart from each other on an upper surface of the substrate and respectively connected to the first G terminal by the Ga via and the Gb via, a Ga bump connecting a first conductive electrode of the G LED chip in the first pixel to the Ga electrode pad, and a Gb bump connecting the first conductive electrode of the G LED chip in the third pixel to the Gb electrode pad, and the second G connection means includes a Gc via and a Gd via, a Gc electrode pad and a Gd electrode pad formed spaced apart from each other on an upper surface of the substrate and respectively connected to the second G terminal by the Gc via and the Gd via, a Gc bump connecting the first conductive electrode of the G LED chip in the second pixel to the Gc electrode pad, and a Gd bump connecting the first conductive electrode of the G LED chip in the fourth pixel to the Gd electrode pad.
일 실시예에 따라, 상기 제1 B 연결수단은, Ba 비아 및 Bb 비아와, 상기 Ba 비아 및 상기 Bb 비아에 의해 상기 제1 B 단자와 각각 연결된 채 상기 기판의 상면에 이격되어 형성된 Ba 전극패드 및 Bb 전극패드와, 상기 제1 픽셀 내 B LED칩의 제1 도전형 전극을 상기 Ba 전극패드에 연결하는 Ba 범프와, 상기 제3 픽셀 내 B LED칩의 제1 도전형 전극을 상기 Bb 전극패드에 연결하는 Bb 범프를 포함하고, 상기 제2 B 연결수단은, Bc 비아 및 Bd 비아와, 상기 Bc 비아 및 상기 Bd 비아에 의해 상기 제2 B 단자와 각각 연결된 채 상기 기판의 상면에 이격되어 형성된 Bc 전극패드 및 Bd 전극패드와, 상기 제2 픽셀 내 B LED칩의 제1 도전형 전극을 상기 Bc 전극패드에 연결하는 Bc 범프와, 상기 제4 픽셀 내 B LED칩의 제1 도전형 전극을 상기 Bd 전극패드에 연결하는 Bd 범프를 포함한다.According to one embodiment, the first B connecting means includes a Ba via and a Bb via, a Ba electrode pad and a Bb electrode pad formed spaced apart from each other on an upper surface of the substrate while being respectively connected to the first B terminal by the Ba via and the Bb via, a Ba bump connecting a first conductive electrode of the B LED chip in the first pixel to the Ba electrode pad, and a Bb bump connecting the first conductive electrode of the B LED chip in the third pixel to the Bb electrode pad, and the second B connecting means includes a Bc via and a Bd via, a Bc electrode pad and a Bd electrode pad formed spaced apart from each other on an upper surface of the substrate while being respectively connected to the second B terminal by the Bc via and the Bd via, a Bc bump connecting the first conductive electrode of the B LED chip in the second pixel to the Bc electrode pad, and a Bd bump connecting the first conductive electrode of the B LED chip in the fourth pixel to the Bd electrode pad.
일 실시예에 따라, 상기 제1 공통 연결수단은, Aa 비아와, 상기 Aa 비아에 의해 상기 제1 공통 단자와 연결된 제1 공통 전극패드와, 상기 제1 픽셀 및 상기 제2 픽셀 내 R LED칩들, G LED칩들 및 B LED칩들의 제2 도전형 전극들을 상기 제1 공통 전극패드에 연결하는 Aa 범프들을 포함하며, 상기 제2 공통 연결수단은, Ab 비아와, 상기 Ab 비아에 의해 상기 제2 공통 단자와 연결된 제2 공통 전극패드와, 상기 제3 픽셀 및 상기 제4 픽셀 내 R LED칩들, G LED칩들 및 B LED칩들의 제1 도전형 전극들을 상기 제2 공통 전극패드에 연결하는 Ab 범프들을 포함한다.According to one embodiment, the first common connecting means includes an Aa via, a first common electrode pad connected to the first common terminal by the Aa via, and Aa bumps connecting second conductive electrodes of the R LED chips, G LED chips, and B LED chips in the first pixel and the second pixel to the first common electrode pad, and the second common connecting means includes an Ab via, a second common electrode pad connected to the second common terminal by the Ab via, and Ab bumps connecting first conductive electrodes of the R LED chips, G LED chips, and B LED chips in the third pixel and the fourth pixel to the second common electrode pad.
일 실시예에 따라, 상기 기판은 복수의 단위 기판층들이 적층된 구조를 포함하며, 상기 제1 R 연결수단, 상기 제1 G 연결수단, 상기 제1 B 연결수단, 상기 제2 R 연결수단, 상기 제2 G 연결수단, 상기 제2 B 연결수단 중 적어도 하나는, 상기 기판 저면으로부터 상기 기판 상면까지 이어진 비아를 포함하며, 상기 비아는 상기 복수의 단위 기판층들 중 적어도 하나의 단위 기판층을 수직으로 관통하는 수직부와 상기 복수의 단위 기판층들 중 적어도 하나의 단위 기판층 상에 형성된 수평부를 포함한다.According to one embodiment, the substrate includes a structure in which a plurality of unit substrate layers are laminated, and at least one of the first R connection means, the first G connection means, the first B connection means, the second R connection means, the second G connection means, and the second B connection means includes a via extending from a lower surface of the substrate to an upper surface of the substrate, and the via includes a vertical portion vertically penetrating at least one unit substrate layer among the plurality of unit substrate layers and a horizontal portion formed on at least one unit substrate layer among the plurality of unit substrate layers.
일 실시예에 따라, 상기 R LED칩, 상기 G LED칩 및 상기 B LED칩은 가각 적색 LED칩, 녹색 LED칩 및 청색 LED칩인 것이 바람직하다.In one embodiment, the R LED chip, the G LED chip and the B LED chip are preferably red LED chips, green LED chips and blue LED chips, respectively.
일 실시예에 따라, 상기 R LED칩, 상기 G LED칩 및 상기 B LED칩 중 적어도 하나는 자체 화합물 반도체의 성분에 의해 결정된 파장의 광을 방출한다.In one embodiment, at least one of the R LED chip, the G LED chip and the B LED chip emits light of a wavelength determined by the components of its compound semiconductor.
일 실시예에 따라, 상기 R LED칩, 상기 G LED칩 및 상기 B LED칩 중 적어도 하나는 퀀텀닷(quantum dot) 또는 형광체 의해 파장 변환된 광을 방출한다.In one embodiment, at least one of the R LED chip, the G LED chip and the B LED chip emits light whose wavelength is converted by a quantum dot or a phosphor.
일 실시예에 따라, 상기 제1 픽셀, 상기 제2 픽셀, 상기 제3 픽셀 및 상기 제4 픽셀 각각은 W LED칩을 더 포함하고, 상기 기판의 저면에는 제1 W 단자와 제2 W 단자가 더 형성되며, 상기 제1 W 단자는 상기 제1 픽셀 내 W LED칩의 제1 도전형 전극 및 상기 제3 픽셀 내 W LED칩의 제1 도전형 전극에 공통적으로 연결되고, 상기 제 2 W 단자는 상기 제2 픽셀 내 W LED칩의 제1 도전형 전극 및 상기 제4 픽셀 내 W LED칩의 제1 도전형 전극에 공통적으로 연결되며, 상기 제1 픽셀 내 W LED칩의 제2 도전형 전극 및 상기 제2 픽셀 내 W LED칩의 제2 도전형 전극은 상기 제1 공통 단자와 연결되고, 상기 제3 픽셀 내 W LED칩의 제2 도전형 전극 및 상기 제4 픽셀 내 W LED칩의 제2 도전형 전극은 제2 공통 단자와 연결된다.According to one embodiment, each of the first pixel, the second pixel, the third pixel, and the fourth pixel further includes a W LED chip, and a first W terminal and a second W terminal are further formed on a bottom surface of the substrate, the first W terminal being commonly connected to a first conductive electrode of the W LED chip in the first pixel and a first conductive electrode of the W LED chip in the third pixel, the second W terminal being commonly connected to a first conductive electrode of the W LED chip in the second pixel and a first conductive electrode of the W LED chip in the fourth pixel, the second conductive electrode of the W LED chip in the first pixel and the second conductive electrode of the W LED chip in the second pixel are connected to the first common terminal, and the second conductive electrode of the W LED chip in the third pixel and the second conductive electrode of the W LED chip in the fourth pixel are connected to a second common terminal.
본 발명에 따르면, 복수의 행과 복수의 열을 포함하는 행렬 배열로 배열된 복수의 픽셀들을 포함하되, 기존에 비해 픽셀 당 단자수를 획기적으로 줄여 PCB 설계 자유도를 높인 멀티 픽셀 LED 패키지가 구현된다. 또한, 본 발명에 따른 디스플레이 모듈용 멀티 픽셀 LED 패키지는 동일 행, 다른 픽셀들을 커버하도록 제공된 공통 애노드 단자와, 동일 열, 다른 픽셀들의 동일 파장 LED칩들을 커버하도록 제공된 캐소드 단자를 포함하여, 픽셀들 그리고 각 픽셀 내 서로 다른 파장의 LED칩들이 빠른 응답성과 제어 신뢰성으로 개별 제어될 수 있게 한다는 장점을 갖는다.According to the present invention, a multi-pixel LED package is implemented, which includes a plurality of pixels arranged in a matrix array including a plurality of rows and a plurality of columns, while dramatically reducing the number of terminals per pixel compared to the conventional one, thereby increasing the freedom of PCB design. In addition, the multi-pixel LED package for a display module according to the present invention has an advantage in that it includes a common anode terminal provided to cover different pixels in the same row, and a cathode terminal provided to cover same-wavelength LED chips in different pixels in the same column, thereby enabling pixels and LED chips of different wavelengths in each pixel to be individually controlled with fast response and control reliability.
본 발명의 다른 목적이나 이점은 이하 실시예의 설명으로부터 더 잘 이해될 수 있을 것이다.Other objects and advantages of the present invention will be better understood from the description of the following examples.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 픽셀 LED 패키지가 적용된 디스플레이 모듈을 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 픽셀 LED 패키지를 몰딩부가 제거된 상태로 도시한 평면로로서, 위에서 보이지 않는 단자들과 연결부 일부를 은선으로 나타낸 도면이다.
도 3a는 제1 및 제3 픽셀의 R LED칩, G LED칩 및 B LED칩의 제1 도전형 전극들과 개별 전극 패드들의 결합 관계를 보인 멀티 픽셀 LED 패키지의 단면도이다.
도 3b는 제2 및 제4 픽셀의 R LED칩, G LED칩 및 B LED칩의 제1 도전형 전극들과 개별 전극 패드들의 결합 관계를 보인 멀티 픽셀 LED 패키지의 단면도이다.
도 4a는 제1 및 제2 픽셀의 R LED칩, G LED칩 및 B LED칩의 제2 도전형 전극들과 제1 공통 전극 패드와의 결합 관계를 보인 멀티 픽셀 LED 패키지의 단면도이다.
도 4b는 제3 및 제4 픽셀의 R LED칩, G LED칩 및 B LED칩의 제2 도전형 전극들과 제2 공통 전극 패드와의 결합 관계를 보인 멀티 픽셀 LED 패키지의 단면도이다.
도 5는 LED칩의 구조를 설명하기 위한 단면도이다.FIG. 1 is a plan view illustrating a display module to which a multi-pixel LED package according to one embodiment of the present invention is applied.
FIG. 2 is a plan view showing a multi-pixel LED package according to one embodiment of the present invention with the molding portion removed, with some terminals and connections that are not visible from above shown as silver lines.
FIG. 3a is a cross-sectional view of a multi-pixel LED package showing the bonding relationship between the first conductive electrodes of the R LED chip, the G LED chip, and the B LED chip of the first and third pixels and the individual electrode pads.
FIG. 3b is a cross-sectional view of a multi-pixel LED package showing the bonding relationship between the first conductive electrodes of the R LED chip, the G LED chip, and the B LED chip of the second and fourth pixels and the individual electrode pads.
FIG. 4a is a cross-sectional view of a multi-pixel LED package showing the bonding relationship between the second conductive electrodes of the R LED chip, G LED chip, and B LED chip of the first and second pixels and the first common electrode pad.
FIG. 4b is a cross-sectional view of a multi-pixel LED package showing the bonding relationship between the second conductive electrodes of the R LED chip, G LED chip, and B LED chip of the third and fourth pixels and the second common electrode pad.
Figure 5 is a cross-sectional view explaining the structure of an LED chip.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the attached drawings.
도 1을 참조하면, 디스플레이 모듈은 PCB(2)와, 상기 PCB(2) 상에 행렬 배열로 실장되는 다수개의 멀티 픽셀 LED 패키지(1)를 포함한다. 상기 멀티 픽셀 LED 패키지(1)는 행렬로 배열된 4개의 픽셀들(10a, 10b, 10c, 10d)을 포함한다. 이하에서 자세히 설명되는 바와 같이, 상기 4개의 픽셀(10a, 10b, 10c, 10d)들 각각은 일정 간격을 이루며 열 방향으로 어레이된 R LED칩(100R), G LED 칩(100G) 및 B LED칩(100B)을 포함한다. R LED칩(100R), G LED 칩(100G) 및 B LED칩(100B)은, 각각에 대한 전력 인가시 서로 다른 파장의 광을 발하는 LED칩들이다. R LED칩(100R)은 적색 LED칩인 것이 바람직하고, G LED칩(100G)은 녹색 LED칩인 것이 바람직하며, B LED 칩(100B)은 청색 LED칩인 것이 바람직하다. R LED칩, G LED칩 또는 B LED칩에서 방출되는 광의 파장은 화합물 반도체 자체의 성분만으로 결정될 수도 있고, 형광체나 퀀텀닷에 의해 파장 변환된 것일 수 있음에 유의한다. 다시 말해, R LED칩, G LED칩 또는 B LED칩이 형광체나 퀀텀닷과 같은 파장변환재료를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a display module includes a PCB (2) and a plurality of multi-pixel LED packages (1) mounted in a matrix arrangement on the PCB (2). The multi-pixel LED package (1) includes four pixels (10a, 10b, 10c, 10d) arranged in a matrix. As described in detail below, each of the four pixels (10a, 10b, 10c, 10d) includes an R LED chip (100R), a G LED chip (100G), and a B LED chip (100B) arranged in a column direction at a constant interval. The R LED chip (100R), the G LED chip (100G), and the B LED chip (100B) are LED chips that emit light of different wavelengths when power is applied to each of them. It is preferable that the R LED chip (100R) is a red LED chip, the G LED chip (100G) is preferably a green LED chip, and the B LED chip (100B) is preferably a blue LED chip. It should be noted that the wavelength of light emitted from the R LED chip, the G LED chip, or the B LED chip may be determined solely by the components of the compound semiconductor itself, or may be wavelength-converted by a phosphor or a quantum dot. In other words, the R LED chip, the G LED chip, or the B LED chip may include a wavelength conversion material such as a phosphor or a quantum dot.
알파벳 "R", "G", "B" 가 칩의 특성이나 색을 직접 한정하는 것은 아님에 유의한다. 또한, 상기 멀티 픽셀 LED 패키지는 픽셀들(10a, 10b, 10c, 10d) 사이에 광이 섞이는 것을 방지하도록, 픽셀들(10a, 10b, 10c, 10d)들 사이를 격리시키도록 격자형 구조의 몰딩부(90)를 포함할 수 있다. 각 픽셀 내 LED칩들 사이를 격리하는 구조를 더 추가할 수도 있다.Note that the letters "R", "G", and "B" do not directly define the characteristics or colors of the chips. In addition, the multi-pixel LED package may include a molding portion (90) having a lattice structure to isolate the pixels (10a, 10b, 10c, 10d) to prevent light from mixing between the pixels (10a, 10b, 10c, 10d). A structure for isolating the LED chips within each pixel may be further added.
도 2, 도 3a, 도 3b, 도4a, 도 4b 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 픽셀 LED 패키지(1)는 서로 평행한 제1 측면(201) 및 제2 측면(202)과 이들과 수직을 이루면서 서로 평행한 제3 측면(203) 및 제4 측면(204)을 포함하는 대략 정사각형 또는 직사각형의 기판(200)을 포함한다.As illustrated in FIGS. 2, 3a, 3b, 4a, 4b and 5, a multi-pixel LED package (1) according to one embodiment of the present invention includes a substrate (200) having an approximately square or rectangular shape, including a first side (201) and a second side (202) that are parallel to each other, and a third side (203) and a fourth side (204) that are perpendicular to the first side (201) and the second side (202) that are parallel to each other.
또한, 상기 멀티 픽셀 LED 패키지(1)는 상기 기판(200)의 상면에 행렬 배열, 더 구체적으로는, 2행 2열로 배열되는 4개의 픽셀들(10a, 10b, 10c, 10d)을 포함한다. 본 명세서에서 행은 제1 측면(201) 및 제2 측면(202)과 평행한 방향이고, 열은 제3 측면(203) 및 제4 측면(204)과 평행한 방향이다. In addition, the multi-pixel LED package (1) includes four pixels (10a, 10b, 10c, 10d) arranged in a matrix arrangement, more specifically, in two rows and two columns, on the upper surface of the substrate (200). In the present specification, a row is a direction parallel to the first side (201) and the second side (202), and a column is a direction parallel to the third side (203) and the fourth side (204).
상기 4개의 픽셀(10a, 10b, 10c, 10d)은, 상기 기판(200)의 상면에서 제1행 제1열에 위치하는 제1 픽셀(10a)과, 상기 기판(200)의 상면에서 제1행 제2열에 위치하는 제2 픽셀(10b)과, 상기 기판(200)의 상면에서 제2행 제1열에 위치하는 제3 픽셀(10c)과, 상기 기판(200)의 상면에서 제2행 제2열에 위치하는 제4 픽셀(10d)을 포함한다. 또한, 위에서 언급한 바와 같이, 상기 제1 픽셀(10a), 상기 제2 픽셀(10b), 상기 제3 픽셀(10c) 및 상기 제4 픽셀(10d) 각각은 열 방향으로 R LED칩(100R), G LED칩(100G) 및 B LED칩(100B) 차례대로 포함한다. 이들 R,G,B LED칩들은 플립칩형 LED칩이며, 도 5에 플립칩형 본 발명에 적용될 수 있는 플립칩형 LED칩을 도시하였으며, 이러한 LED칩의 부재번호를 100으로 나타낸다.The above four pixels (10a, 10b, 10c, 10d) include a first pixel (10a) located in the first row and the first column on the upper surface of the substrate (200), a second pixel (10b) located in the first row and the second column on the upper surface of the substrate (200), a third pixel (10c) located in the second row and the first column on the upper surface of the substrate (200), and a fourth pixel (10d) located in the second row and the second column on the upper surface of the substrate (200). In addition, as mentioned above, each of the first pixel (10a), the second pixel (10b), the third pixel (10c), and the fourth pixel (10d) sequentially includes an R LED chip (100R), a G LED chip (100G), and a B LED chip (100B) in the column direction. These R, G, B LED chips are flip-chip type LED chips, and a flip-chip type LED chip applicable to the present invention is illustrated in FIG. 5, and the part number of this LED chip is indicated as 100.
상기 R LED칩(100R), 상기 G LED칩(100G) 및 B LED칩(100B) 각각은, 성장 기판(101)의 일면에서 아래를 향해 차례로 제1 도전형 반도체층(102), 활성층(103) 및 제2 도전형 반도체층(104)를 포함하는 구조로서, 활성층(103)을 사이에 두고 적층 구조로 형성된 제1 도전형 반도체층(102)과 제2 도전형 반도체층(104)이 단차를 이루면서 하측으로 노출된 플립칩 구조를 갖는다. 위 LED칩들 중 적어도 하나의 LED칩이 플립칩 구조 대신에 제1 및/또는 제2 도전형 전극이 와이어 본딩되는 구조일수도 있음에 유의한다.Each of the above R LED chip (100R), the G LED chip (100G), and the B LED chip (100B) has a structure including a first conductive semiconductor layer (102), an active layer (103), and a second conductive semiconductor layer (104) facing downwards in sequence on one surface of a growth substrate (101), and has a flip-chip structure in which the first conductive semiconductor layer (102) and the second conductive semiconductor layer (104) are formed in a laminated structure with the active layer (103) interposed therebetween and are exposed downward while forming a step. It should be noted that at least one of the above LED chips may have a structure in which the first and/or second conductive electrodes are wire-bonded instead of the flip-chip structure.
본 실시예에 있어서, 상기 R LED칩(100R), 상기 G LED칩(100G) 및 B LED칩(100B) 각각은 상기 제1 도전형 반도체층(102)의 하부 노출면에 형성된 제1 도전형 전극(105a)과 제2 도전형 반도체층(104)의 하부 노출면에 형성된 제2 도전형 전극(105b)을 하부에 구비한다.In the present embodiment, each of the R LED chip (100R), the G LED chip (100G), and the B LED chip (100B) has a first conductive electrode (105a) formed on a lower exposed surface of the first conductive semiconductor layer (102) and a second conductive electrode (105b) formed on a lower exposed surface of the second conductive semiconductor layer (104).
또한, 상기 멀티 픽셀 LED 패키지(1)는. 서로 이격된 상태로 상기 기판(200)의 저면에 형성된 채 PCB(2)의 저면에 형성된, 제1 R 단자(R1), 제1 G 단자(G1), 제1 B 단자(B1), 제2 R 단자(R2), 제2 G 단자(G2), 제2 B 단자(B2), 제1 공통 단자(A1) 및 제2 공통 단자(A2)를 포함한다. 이때, 상기 제1 R 단자(R1), 상기 제1 G 단자(G1), 상기 제1 B 단자(B1), 상기 제2 R 단자(R2), 상기 제2 G 단자(G2) 및 상기 제2 B 단자(B2)는 캐소드 단자인 것이 바람직하고, 제1 공통 단자(A1) 및 제2 공통 단자(A2)는 애노드 단자인 것이 바람직하다.In addition, the multi-pixel LED package (1) includes a first R terminal (R1), a first G terminal (G1), a first B terminal (B1), a second R terminal (R2), a second G terminal (G2), a second B terminal (B2), a first common terminal (A1) and a second common terminal (A2), which are formed on a lower surface of the PCB (2) while being spaced apart from each other. At this time, the first R terminal (R1), the first G terminal (G1), the first B terminal (B1), the second R terminal (R2), the second G terminal (G2) and the second B terminal (B2) are preferably cathode terminals, and the first common terminal (A1) and the second common terminal (A2) are preferably anode terminals.
상기 제1 R 단자(R1)는, 이하 자세히 설명되는 제1 R 연결 수단(310)에 의해, 상기 제1 픽셀(10a) 내 R LED칩(100R)의 제1 도전형 전극(105a) 및 상기 제3 픽셀(10c) 내 R LED칩(100R)의 제1 도전형 전극(105a)에 공통적으로 연결된다. 또한, 상기 제1 G 단자(G1)는, 이하 자세히 설명되는 제1 G 연결 수단(320)에 의해, 제1 픽셀(10a) 내 G LED칩(100G)의 제1 도전형 전극(105a) 및 상기 제3 픽셀(10c) 내 G LED칩(100G)의 제1 도전형 전극(105a)에 공통적으로 연결된다. 상기 제1 B 단자(B1)는, 이하 자세히 설명되는 제1 B 연결 수단(330)에 의해, 상기 제1 픽셀(10a) 내 B LED칩(100B)의 제1 도전형 전극(105a) 및 상기 제3 픽셀(10c) 내 B LED칩(100b)칩의 제1 도전형 전극(105b)에 공통적으로 연결된다.The first R terminal (R1) is commonly connected to the first conductive electrode (105a) of the R LED chip (100R) in the first pixel (10a) and the first conductive electrode (105a) of the R LED chip (100R) in the third pixel (10c) by a first R connection means (310) which will be described in detail below. In addition, the first G terminal (G1) is commonly connected to the first conductive electrode (105a) of the G LED chip (100G) in the first pixel (10a) and the first conductive electrode (105a) of the G LED chip (100G) in the third pixel (10c) by a first G connection means (320) which will be described in detail below. The above first B terminal (B1) is commonly connected to the first conductive electrode (105a) of the B LED chip (100B) in the first pixel (10a) and the first conductive electrode (105b) of the B LED chip (100b) in the third pixel (10c) by the first B connection means (330) which will be described in detail below.
또한, 상기 제2 R 단자(R2)는, 이하 자세히 설명되는 제2 R 연결 수단(410)에 의해, 상기 제2 픽셀(10b) 내 R LED칩(100R)의 제1 도전형 전극(105a) 및 상기 제4 픽셀(10d) 내 R LED칩(100R)의 제1 도전형 전극(105a)에 공통적으로 연결된다. 또한, 상기 제2 G 단자(G2)는, 이하 자세히 설명되는 제2 G 연결 수단(420)에 의해, 상기 제2 픽셀(10b) 내 G LED칩(100G)의 제1 도전형 전극(105a) 및 상기 제4 픽셀(10d) 내 G LED칩(100G)의 제1 도전형 전극(105a)에 공통적으로 연결된다. 또한, 상기 제2 B 단자(B2)는, 이하 자세히 설명되는 제2 B 연결 수단(420)에 의해, 상기 제2 픽셀(10b) 내 B LED칩(100B)의 제1 도전형 전극(105a) 및 상기 제4 픽셀(10d) 내 B LED칩(100R)의 제1 도전형 전극(105a)에 공통적으로 연결된다.In addition, the second R terminal (R2) is commonly connected to the first conductive electrode (105a) of the R LED chip (100R) in the second pixel (10b) and the first conductive electrode (105a) of the R LED chip (100R) in the fourth pixel (10d) by a second R connection means (410) which will be described in detail below. In addition, the second G terminal (G2) is commonly connected to the first conductive electrode (105a) of the G LED chip (100G) in the second pixel (10b) and the first conductive electrode (105a) of the G LED chip (100G) in the fourth pixel (10d) by a second G connection means (420) which will be described in detail below. In addition, the second B terminal (B2) is commonly connected to the first conductive electrode (105a) of the B LED chip (100B) in the second pixel (10b) and the first conductive electrode (105a) of the B LED chip (100R) in the fourth pixel (10d) by the second B connection means (420) described in detail below.
또한, 상기 제1 공통 단자(A1)는, 애노드 단자로서, 제1 공통 연결 수단(510)에 의해, 상기 제1 픽셀(10a) 내 R LED칩(100R), G LED칩(100G) 및 B LED칩(100B)의 제2 도전형 전극(105b)들과 상기 제2 픽셀(10b) 내 R LED칩(100R), G LED칩(100G) 및 B LED칩(100B)의 제2 도전형 전극(105b)들에 공통적으로 연결된다.In addition, the first common terminal (A1) is, as an anode terminal, commonly connected to the second conductive electrodes (105b) of the R LED chip (100R), the G LED chip (100G), and the B LED chip (100B) in the first pixel (10a) and the second conductive electrodes (105b) of the R LED chip (100R), the G LED chip (100G), and the B LED chip (100B) in the second pixel (10b) by the first common connecting means (510).
상기 제2 공통 단자(A2)는, 애노드 단자로서, 제2 공통 연결 수단(520)에 의해, 상기 제3 픽셀(10c) 내 R LED칩(100R), G LED칩(100G) 및 B LED칩(100B)의 제2 도전형 전극(105b)들과 상기 제4 픽셀(10d) 내 R LED칩(100R), G LED칩(100G) 및 B LED칩(100B)의 제2 도전형 전극(105b)들에 공통적으로 연결된다.The above second common terminal (A2) is, as an anode terminal, commonly connected to the second conductive electrodes (105b) of the R LED chip (100R), the G LED chip (100G), and the B LED chip (100B) in the third pixel (10c) and the second conductive electrodes (105b) of the R LED chip (100R), the G LED chip (100G), and the B LED chip (100B) in the fourth pixel (10d) by the second common connecting means (520).
전술한 픽셀(10a, 10b, 10c, 10d)들 및 각 픽셀 내 R, G, B LED 칩들(100R, 100G, 100B)의 배열과, 전술한 8개의 단자들(R1, G1, B1, R2, G2, B2, A1 및 A2)과 전술한 LED칩(100R, 100G, 100B)의 전극들(105a, 1005b)간 결합 관계에 의해 아래의 [표 1]과 같은 방식으로 각 픽셀들의 R, G, B LED칩들의 개별적인 제어가 가능하다. The arrangement of the aforementioned pixels (10a, 10b, 10c, 10d) and the R, G, B LED chips (100R, 100G, 100B) within each pixel, and the coupling relationship between the aforementioned eight terminals (R1, G1, B1, R2, G2, B2, A1, and A2) and the electrodes (105a, 1005b) of the aforementioned LED chips (100R, 100G, 100B), enable individual control of the R, G, B LED chips of each pixel in a manner as shown in [Table 1] below.
제1행
1st row
G LED칩(A1,G1)
B LED칩(A1,B1)R LED chip (A1, R1)
G LED chip (A1, G1)
B LED chip (A1, B1)
G LED칩(A1,G2)
B LED칩(A1,B2)R LED chip (A1, R2)
G LED chip (A1, G2)
B LED chip (A1, B2)
제2행
2nd row
G LED칩(A2,G1)
B LED칩(A2,B1)R LED chip (A2, R1)
G LED chip (A2, G1)
B LED chip (A2, B1)
G LED칩(A2,G2)
B LED칩(A2,B2)R LED chip (A2, R2)
G LED chip (A2, G2)
B LED chip (A2, B2)
보다 구체적으로 설명하면, 제1행에 있는 제1 및 제2 픽셀(10a, 10b)의 LED칩들, 즉, 제1행 제1열 픽셀(10a)에 속한 R, G, B LED칩들과 제1행 제2열 픽셀(10b)에 속한 R, G, B LED칩들은 모두 제1 공통단자(A1)를 통하는 전류의 공급에 의해 선택적으로 제어되고, 제2행에 있는 제3 및 제4 픽셀의 LED칩(10c, 10d)들, 즉, 제2행 제1 열 픽셀(10c)에 속한 R, G, B LED칩들과 제2행 제2열 픽셀(10d)에 속한 R, G, B LED칩들은 모두 제2 공통단자(A2)를 통하는 전류의 공급에 의해 제어된다. 다시 말해, 제1행에 있는 픽셀들(10a, 10b)의 R, G, B LED칩들과 제2행에 있는 픽셀들(10c, 10d)의 R, G, B LED칩들은 애노드 단자일 수 있는 제1 공통단자(A1)와 제2 공통단자(A2)에 상호 독립되게 제어될 수 있다. 또한, 제1열에 속한 R LED칩과 제2열에 속한 R LED칩은 다른 두 캐소드 단자인 제1 R 단자(R1)와 제2 R 단자(R2)에 각각 연결되어 상호 독립되게 제어될 수 있다. 또한, 제1열에 속한 G LED칩과 제2열에 속한 G LED칩은 다른 두 캐소드 단자인 제1 G 단자(G1)와 제2 G 단자(G2)에 각각 연결되어 상호 독립되게 제어될 수 있다. 또한, 제1열에 속한 B LED칩과 제2열에 속한 B LED칩은 다른 두 캐소드 단자인 제1 B 단자(B1)와 제2 B 단자(B2)에 각각 연결되어 상호 독립되게 제어될 수 있다.To be more specific, the LED chips of the first and second pixels (10a, 10b) in the first row, i.e., the R, G, B LED chips belonging to the first row, first column pixel (10a) and the R, G, B LED chips belonging to the first row, second column pixel (10b), are all selectively controlled by the supply of current through the first common terminal (A1), and the LED chips (10c, 10d) of the third and fourth pixels in the second row, i.e., the R, G, B LED chips belonging to the second row, first column pixel (10c) and the R, G, B LED chips belonging to the second row, second column pixel (10d), are all controlled by the supply of current through the second common terminal (A2). In other words, the R, G, B LED chips of the pixels (10a, 10b) in the first row and the R, G, B LED chips of the pixels (10c, 10d) in the second row can be independently controlled by the first common terminal (A1) and the second common terminal (A2), which can be anode terminals. In addition, the R LED chip in the first column and the R LED chip in the second column can be independently controlled by being connected to two other cathode terminals, the first R terminal (R1) and the second R terminal (R2), respectively. In addition, the G LED chip in the first column and the G LED chip in the second column can be independently controlled by being connected to two other cathode terminals, the first G terminal (G1) and the second G terminal (G2), respectively. In addition, the B LED chips belonging to the first row and the B LED chips belonging to the second row can be independently controlled by being connected to the other two cathode terminals, the first B terminal (B1) and the second B terminal (B2).
도 3a에 잘 도시된 바와 같이, 상기 제1 R 연결수단(310)은, Ra 비아(311a)와 Rb 비아(311b)에 의해 상기 제1 R 단자(R1)와 각각 연결된 채 상기 기판(200)의 상면에 이격되어 형성된 Ra 전극패드(312a) 및 Rb 전극패드(312b)와, 상기 제1 픽셀(10a) 내 R LED칩(100R)의 제1 도전형 전극(105a)을 상기 Ra 전극패드(312a)에 연결하는 Ra 범프(313a)와, 상기 제3 픽셀(10c) 내 R LED칩(100R)의 제1 도전형 전극(105a)을 상기 Rb 전극패드(312b)에 연결하는 Rb 범프(313b)를 포함한다.As well illustrated in FIG. 3a, the first R connecting means (310) includes a Ra electrode pad (312a) and an Rb electrode pad (312b) formed spaced apart from each other on the upper surface of the substrate (200) and connected to the first R terminal (R1) by a Ra via (311a) and an Rb via (311b), an Ra bump (313a) connecting the first conductive electrode (105a) of the R LED chip (100R) in the first pixel (10a) to the Ra electrode pad (312a), and an Rb bump (313b) connecting the first conductive electrode (105a) of the R LED chip (100R) in the third pixel (10c) to the Rb electrode pad (312b).
상기 기판(200)은 복수개의 단위 기판층을 포함하는 적층 구조로 이루어지며, 상기 Ra 비아(311a)와 상기 Rb 비아(311b) 중 적어도 하나는, 상기 기판(200) 저면에 위치한 제1 R 단자(R1)로부터 상기 기판(200) 상면에 위치한 Ra 전극패드(311a) 및 Rb 전극패드(312b) 각각에까지 의도한 경로로 이어질 수 있도록, 적어도 하나의 단위 기판층을 관통하는 수직부와 적어도 하나의 단위 기판층 상에 형성된 수평부를 포함하는 굴곡 구조로 형성될 수 있다.The above substrate (200) is formed as a laminated structure including a plurality of unit substrate layers, and at least one of the Ra via (311a) and the Rb via (311b) can be formed as a curved structure including a vertical portion penetrating at least one unit substrate layer and a horizontal portion formed on at least one unit substrate layer so as to be connected by an intended path from a first R terminal (R1) located on a lower surface of the substrate (200) to each of the Ra electrode pad (311a) and the Rb electrode pad (312b) located on an upper surface of the substrate (200).
또한, 상기 제1 G 연결수단(320)은, Ga 비아(321a)와 Gb 비아(321b)에 의해 상기 제1 G 단자(G1)와 각각 연결된 채 상기 기판(200)의 상면에 이격되어 형성된 Ga 전극패드(322a) 및 Gb 전극패드(322b)와, 상기 제1 픽셀(10a) 내 G LED칩(100G)의 제1 도전형 전극(105a)을 상기 Ga 전극패드(322a)에 연결하는 Ga 범프(323a)와, 상기 제3 픽셀(10c) 내 G LED칩(100G)의 제1 도전형 전극(105a)을 상기 Gb 전극패드(322b)에 연결하는 Gb 범프(323b)를 포함한다. 상기 Ga 비아(321a)와 상기 Gb 비아(321b) 중 적어도 하나는, 상기 기판(200) 저면에 위치한 제1 G 단자(G1)로부터 상기 기판(200) 상면에 위치한 Ga 전극패드(322a) 및 Gb 전극패드(322b) 각각에까지 의도한 경로로 이어질 수 있도록, 적어도 하나의 단위 기판층을 관통하는 수직부와 단위 기판층 상에 형성된 수평부를 포함하는 굴곡 구조로 형성될 수 있다.In addition, the first G connecting means (320) includes a Ga electrode pad (322a) and a Gb electrode pad (322b) formed spaced apart from each other on the upper surface of the substrate (200) and connected to the first G terminal (G1) by a Ga via (321a) and a Gb via (321b), a Ga bump (323a) connecting the first conductive electrode (105a) of the G LED chip (100G) in the first pixel (10a) to the Ga electrode pad (322a), and a Gb bump (323b) connecting the first conductive electrode (105a) of the G LED chip (100G) in the third pixel (10c) to the Gb electrode pad (322b). At least one of the above Ga vias (321a) and the above Gb vias (321b) may be formed in a curved structure including a vertical portion penetrating at least one unit substrate layer and a horizontal portion formed on the unit substrate layer so as to be connected along an intended path from a first G terminal (G1) located on a lower surface of the substrate (200) to each of the Ga electrode pads (322a) and Gb electrode pads (322b) located on an upper surface of the substrate (200).
또한, 상기 제1 B 연결수단(330)은, Ba 비아(331a)와 Bb 비아(331b)에 의해 상기 제1 B 단자(B1)와 각각 연결된 채 상기 기판(200)의 상면에 이격되어 형성된 Ba 전극패드(332a) 및 Bb 전극패드(332b)와, 상기 제1 픽셀(10a) 내 B LED칩(100B)의 제1 도전형 전극(105a)을 상기 Ba 전극패드(332a)에 연결하는 Ba 범프(333a)와, 상기 제3 픽셀(10c) 내 B LED칩(100B)의 제1 도전형 전극(105a)을 상기 Bb 전극패드(332b)에 연결하는 Bb 범프(333b)를 포함한다. 상기 Ba 비아(331a)와 상기 Bb 비아(331b) 중 적어도 하나는, 상기 기판(200) 저면에 위치한 제1 B 단자(B1)로부터 상기 기판(200) 상면에 위치한 Ba 전극패드(332a) 및 Bb 전극패드(332b) 각각에까지 의도한 경로로 이어질 수 있도록, 적어도 하나의 단위 기판층을 관통하는 수직부와 단위 기판층 상에 형성된 수평부를 포함하는 굴곡 구조로 형성될 수 있다.In addition, the first B connecting means (330) includes a Ba electrode pad (332a) and a Bb electrode pad (332b) formed spaced apart from each other on the upper surface of the substrate (200) and connected to the first B terminal (B1) by a Ba via (331a) and a Bb via (331b), a Ba bump (333a) connecting the first conductive electrode (105a) of the B LED chip (100B) in the first pixel (10a) to the Ba electrode pad (332a), and a Bb bump (333b) connecting the first conductive electrode (105a) of the B LED chip (100B) in the third pixel (10c) to the Bb electrode pad (332b). At least one of the Ba via (331a) and the Bb via (331b) may be formed in a curved structure including a vertical portion penetrating at least one unit substrate layer and a horizontal portion formed on the unit substrate layer so as to be connected along an intended path from the first B terminal (B1) located on the bottom surface of the substrate (200) to each of the Ba electrode pad (332a) and the Bb electrode pad (332b) located on the top surface of the substrate (200).
도 3b에 잘 도시된 바와 같이, 상기 제2 R 연결수단(410)은, Rc 비아(411c)와 Rd 비아(411d)에 의해 상기 제2 R 단자(R2)와 각각 연결된 채 상기 기판(200)의 상면에 이격되어 형성된 Rc 전극패드(412c) 및 Rd 전극패드(412d)와, 상기 제2 픽셀(10b) 내 R LED칩(100R)의 제1 도전형 전극(105a)을 상기 Rc 전극패드(412c)에 연결하는 Rc 범프(413c)와, 상기 제4 픽셀(10d) 내 R LED칩(100R)의 제1 도전형 전극(105a)을 상기 Rd 전극패드(412d)에 연결하는 Rd 범프(413d)를 포함한다. 상기 Rc 비아(411c)와 상기 Rd 비아(411d) 중 적어도 하나는, 상기 기판(200) 저면에 위치한 제2 R 단자(R2)로부터 상기 기판(200) 상면에 위치한 Rc 전극패드(412c) 및 Rd 전극패드(412d) 각각에까지 의도한 경로로 이어질 수 있도록, 적어도 하나의 단위 기판층을 관통하는 수직부와 단위 기판층 상에 형성된 수평부를 포함하는 굴곡 구조로 형성될 수 있다.As well illustrated in FIG. 3b, the second R connecting means (410) includes an Rc electrode pad (412c) and an Rd electrode pad (412d) formed spaced apart from each other on the upper surface of the substrate (200) and connected to the second R terminal (R2) by an Rc via (411c) and an Rd via (411d), an Rc bump (413c) connecting the first conductive electrode (105a) of the R LED chip (100R) in the second pixel (10b) to the Rc electrode pad (412c), and an Rd bump (413d) connecting the first conductive electrode (105a) of the R LED chip (100R) in the fourth pixel (10d) to the Rd electrode pad (412d). At least one of the Rc via (411c) and the Rd via (411d) may be formed in a curved structure including a vertical portion penetrating at least one unit substrate layer and a horizontal portion formed on the unit substrate layer so as to be connected along an intended path from the second R terminal (R2) located on the lower surface of the substrate (200) to each of the Rc electrode pad (412c) and the Rd electrode pad (412d) located on the upper surface of the substrate (200).
또한, 상기 제2 G 연결수단(B2)은, Gc 비아(421c)와 Gd 비아(421d)에 의해 상기 제2 G 단자(G2)와 각각 연결된 채 상기 기판(200)의 상면에 이격되어 형성된 Gc 전극패드(422c) 및 Gd 전극패드(422d)와, 상기 제2 픽셀(10b) 내 G LED칩(100G)의 제1 도전형 전극(105a)을 상기 Gc 전극패드(422c)에 연결하는 Gc 범프(423c)와, 상기 제4 픽셀(10d) 내 G LED칩(100G)의 제1 도전형 전극(105a)을 상기 Gd 전극패드(422d)에 연결하는 Gd 범프(423d)를 포함한다. 상기 Gc 비아(421c)와 상기 Gd 비아(421d) 중 적어도 하나는, 상기 기판(200) 저면에 위치한 제2 G 단자(G1)로부터 상기 기판(200) 상면에 위치한 Gc 전극패드(422c) 및 Gd 전극패드(422d) 각각에까지 의도한 경로로 이어질 수 있도록, 적어도 하나의 단위 기판층을 관통하는 수직부와 단위 기판층 상에 형성된 수평부를 포함하는 굴곡 구조로 형성될 수 있다.In addition, the second G connecting means (B2) includes a Gc electrode pad (422c) and a Gd electrode pad (422d) formed spaced apart from each other on the upper surface of the substrate (200) and connected to the second G terminal (G2) by a Gc via (421c) and a Gd via (421d), a Gc bump (423c) connecting the first conductive electrode (105a) of the G LED chip (100G) in the second pixel (10b) to the Gc electrode pad (422c), and a Gd bump (423d) connecting the first conductive electrode (105a) of the G LED chip (100G) in the fourth pixel (10d) to the Gd electrode pad (422d). At least one of the above Gc via (421c) and the above Gd via (421d) may be formed in a curved structure including a vertical portion penetrating at least one unit substrate layer and a horizontal portion formed on the unit substrate layer so as to be connected along an intended path from the second G terminal (G1) located on the bottom surface of the substrate (200) to each of the Gc electrode pad (422c) and the Gd electrode pad (422d) located on the top surface of the substrate (200).
또한, 상기 제2 B 연결수단(430)은, Bc 비아(431c)와 Bd 비아(431d)에 의해 상기 제2 B 단자(B2)와 각각 연결된 채 상기 기판(200)의 상면에 이격되어 형성된 Bc 전극패드(432c) 및 Bd 전극패드(432d)와, 상기 제2 픽셀(10b) 내 B LED칩(100B)의 제1 도전형 전극(105a)을 상기 Bc 전극패드(432c)에 연결하는 Bc 범프(433c)와, 상기 제4 픽셀(10d) 내 B LED칩(100B)의 제1 도전형 전극(105a)을 상기 Bd 전극패드(432d)에 연결하는 Bd 범프(433d)를 포함한다. 상기 Bc 비아(431c)와 상기 Bd 비아(431d) 중 적어도 하나는, 상기 기판(200) 저면에 위치한 제2 B 단자(B2)로부터 상기 기판(200) 상면에 위치한 Bc 전극패드(432c) 및 Bd 전극패드(432d) 각각에까지 의도한 경로로 이어질 수 있도록, 적어도 하나의 단위 기판층을 관통하는 수직부와 단위 기판층상에 형성된 수평부를 포함하는 굴곡 구조로 형성될 수 있다.In addition, the second B connecting means (430) includes a Bc electrode pad (432c) and a Bd electrode pad (432d) formed spaced apart from each other on the upper surface of the substrate (200) and connected to the second B terminal (B2) by a Bc via (431c) and a Bd via (431d), a Bc bump (433c) connecting the first conductive electrode (105a) of the B LED chip (100B) in the second pixel (10b) to the Bc electrode pad (432c), and a Bd bump (433d) connecting the first conductive electrode (105a) of the B LED chip (100B) in the fourth pixel (10d) to the Bd electrode pad (432d). At least one of the above Bc via (431c) and the above Bd via (431d) may be formed in a curved structure including a vertical portion penetrating at least one unit substrate layer and a horizontal portion formed on the unit substrate layer so as to be connected along an intended path from the second B terminal (B2) located on the bottom surface of the substrate (200) to each of the Bc electrode pad (432c) and the Bd electrode pad (432d) located on the top surface of the substrate (200).
도 4a 및 도 4b에 잘 도시된 바와 같이, 상기 제1 공통 연결수단(510)은, Aa 비아(511)와, 상기 Aa 비아(511)에 의해 상기 제1 공통 단자(A1)와 연결된 제1 공통 전극패드(512)와, 상기 제1 픽셀(10a) 및 상기 제2 픽셀(10b) 내 R LED칩들(100R, 100R), G LED칩들(100G, 100G) 및 B LED칩들(100B, 100B)의 제2 도전형 전극(105b, 105b)들을 상기 제1 공통 전극패드(512)에 연결하는 6개의 Aa 범프(513)들을 포함한다. 상기 Aa 비아(511)은 상기 기판(200) 저면에 위치한 제1 공통 단자(A1)로부터 상기 기판(200) 상면에 위치한 제1 공통 전극패드(512)에까지 의도한 경로로 이어질 수 있도록, 단위 기판층을 관통하는 수직부와 단위 기판층 상에 형성된 수평부를 포함하는 굴곡 구조로 형성될 수 있다.As well illustrated in FIGS. 4a and 4b, the first common connecting means (510) includes an Aa via (511), a first common electrode pad (512) connected to the first common terminal (A1) by the Aa via (511), and six Aa bumps (513) connecting the second conductive electrodes (105b, 105b) of the R LED chips (100R, 100R), G LED chips (100G, 100G), and B LED chips (100B, 100B) in the first pixel (10a) and the second pixel (10b) to the first common electrode pad (512). The above Aa via (511) can be formed as a curved structure including a vertical portion penetrating the unit substrate layer and a horizontal portion formed on the unit substrate layer so as to be connected along an intended path from the first common terminal (A1) located on the bottom surface of the substrate (200) to the first common electrode pad (512) located on the top surface of the substrate (200).
또한, 상기 제2 공통 연결수단(A2)은, Ab 비아(521)과, 상기 Ab 비아(521)에 의해 상기 제2 공통 단자(A2)와 연결된 제2 공통 전극패드(522)와, 상기 제3 픽셀(10c) 및 상기 제4 픽셀(10d) 내 R LED칩들(100R, 100R), G LED칩들(100G, 100G) 및 B LED칩들(100B, 100B)의 제1 도전형 전극(105a)들을 상기 제2 공통 전극패드(522)에 연결하는 6개의 Ab 범프(523)들을 포함한다. 상기 Ab 범프(523)들은 상기 기판(200) 저면에 위치한 제2 공통 단자(A2)로부터 상기 기판(200) 상면에 위치한 제2 공통 전극패드(522)에까지 의도한 경로로 이어질 수 있도록, 단위 기판층을 관통하는 수직부와 단위 기판층 상에 형성된 수평부를 포함하는 굴곡 구조로 형성될 수 있다.In addition, the second common connecting means (A2) includes an Ab via (521), a second common electrode pad (522) connected to the second common terminal (A2) by the Ab via (521), and six Ab bumps (523) connecting the first conductive electrodes (105a) of the R LED chips (100R, 100R), G LED chips (100G, 100G), and B LED chips (100B, 100B) in the third pixel (10c) and the fourth pixel (10d) to the second common electrode pad (522). The above Ab bumps (523) can be formed in a curved structure including a vertical portion penetrating the unit substrate layer and a horizontal portion formed on the unit substrate layer so that they can be connected along an intended path from the second common terminal (A2) located on the lower surface of the substrate (200) to the second common electrode pad (522) located on the upper surface of the substrate (200).
도면에 도시하지 않았지만, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 멀티 픽셀 LED 패키지가 앞선 실시예와 같이 행렬로 배열된 4개의 픽셀들을 포함하되, 상기 4개의 픽셀(10a, 10b, 10c, 10d)들 각각이 전술한 R LED칩(100R), G LED 칩(100G), B LED칩(100B)에 더하여, W LED칩(미도시)을 포함할 수 있다. W LED칩은 형광체나 퀀텀닷의 도움을 받아 백색광을 발하는 LED칩일 수 있다. Although not shown in the drawing, according to another embodiment of the present invention, a multi-pixel LED package includes four pixels arranged in a matrix as in the preceding embodiment, but each of the four pixels (10a, 10b, 10c, 10d) may include a W LED chip (not shown) in addition to the R LED chip (100R), G LED chip (100G), and B LED chip (100B) described above. The W LED chip may be an LED chip that emits white light with the help of a phosphor or a quantum dot.
또한, 상기 멀티 픽셀 LED 패키지는 앞선 실시예의 패키지가 포함하는 단자들에 더하여 제1 W 단자(미도시)와 제2 W 단자(미도시)를 더 포함한다. 상기 제1 W 단자는 상기 제1 픽셀 내 W LED칩의 제1 도전형 전극 및 상기 제3 픽셀 내 W LED칩의 제1 도전형 전극에 공통적으로 연결된다. 또한, 상기 제 2 W 단자는 상기 제2 픽셀 내 W LED칩의 제1 도전형 전극 및 상기 제4 픽셀 내 W LED칩의 제1 도전형 전극에 공통적으로 연결된다. 또한, 상기 제1 픽셀 내 W LED칩의 제2 도전형 전극 및 상기 제2 픽셀 내 W LED칩의 제2 도전형 전극은 제1 공통 단자와 전기적으로 연결되고, 상기 제3 픽셀 내 W LED칩의 제2 도전형 전극 및 상기 제4 픽셀 내 W LED칩의 제2 도전형 전극은 제2 공통 단자와 전기적으로 연결된다. 이와 같이 구성할 경우, 아래의 [표 2]와 같은 제어가 가능하다.In addition, the multi-pixel LED package further includes a first W terminal (not shown) and a second W terminal (not shown) in addition to the terminals included in the package of the preceding embodiment. The first W terminal is commonly connected to the first conductive electrode of the W LED chip in the first pixel and the first conductive electrode of the W LED chip in the third pixel. In addition, the second W terminal is commonly connected to the first conductive electrode of the W LED chip in the second pixel and the first conductive electrode of the W LED chip in the fourth pixel. In addition, the second conductive electrode of the W LED chip in the first pixel and the second conductive electrode of the W LED chip in the second pixel are electrically connected to the first common terminal, and the second conductive electrode of the W LED chip in the third pixel and the second conductive electrode of the W LED chip in the fourth pixel are electrically connected to the second common terminal. When configured in this manner, control as shown in [Table 2] below is possible.
제1행
1st row
G LED칩(A1,G1)
B LED칩(A1,B1)
W LED칩(A1,W1)R LED chip (A1, R1)
G LED chip (A1, G1)
B LED chip (A1, B1)
W LED chip (A1, W1)
G LED칩(A1,G2)
B LED칩(A1,B2)
W LED칩(A1, W2)R LED chip (A1, R2)
G LED chip (A1, G2)
B LED chip (A1, B2)
W LED chip (A1, W2)
제2행
2nd row
G LED칩(A2,G1)
B LED칩(A2,B1)
W LED칩(A2,W1)R LED chip (A2, R1)
G LED chip (A2, G1)
B LED chip (A2, B1)
W LED chip (A2, W1)
G LED칩(A2,G2)
B LED칩(A2,B2)
W LED칩(A2,W1)R LED chip (A2, R2)
G LED chip (A2, G2)
B LED chip (A2, B2)
W LED chip (A2, W1)
10a...........................................제1 픽셀
10b...........................................제2 픽셀
10c...........................................제3 픽셀
10d...........................................제4픽셀
100R..........................................R LED칩
100G..........................................G LED칩
100B..........................................B LED칩
R1............................................제1 R 단자
R2............................................제2 R 단자
G1............................................제1 G 단자
G2............................................제2 G 단자
B1............................................제1 B 단자
B2............................................제2 B 단자
A1............................................제1 공통 단자
A2............................................제2 공통 단자10a.................................................1st pixel
10b.................................................2nd pixel
10c..................................................3rd pixel
10d.................................................4th pixel
100R..........................................R LED chip
100G..........................................G LED chip
100B................................................B LED chip
R1............................................1st R terminal
R2............................................Second R terminal
G1................................................1st G terminal
G2................................................Second G terminal
B1................................................1st B terminal
B2................................................Second B terminal
A1................................................1st common terminal
A2................................................Second common terminal
Claims (16)
기판;
상기 기판의 상면에서 제1행 제1열에 위치하는 제1 픽셀;
상기 기판의 상면에서 제1행 제2열에 위치하는 제2 픽셀;
상기 기판의 상면에서 제2행 제1열에 위치하는 제3 픽셀;
상기 기판의 상면에서 제2행 제2열에 위치하는 제4 픽셀;
상기 기판의 저면에 형성되며, 제1 R 연결수단에 의해 상기 제1 픽셀 내 R LED칩의 제1 도전형 전극 및 상기 제3 픽셀 내 R LED칩의 제1 도전형 전극에 공통적으로 연결되는 제1 R 단자;
상기 기판의 저면에 형성되며, 제1 G 연결수단에 의해 상기 제1 픽셀 내 G LED칩의 제1 도전형 전극 및 상기 제3 픽셀 내 G LED칩의 제1 도전형 전극에 공통적으로 연결되는 제1 G 단자;
상기 기판의 저면에 형성되며, 제1 B 연결수단에 의해 제1 픽셀 내 B LED칩의 제1 도전형 전극 및 상기 제3 픽셀 내 B LED칩의 제1 도전형 전극에 공통적으로 연결되는 제1 B 단자;
상기 기판의 저면에 형성되며, 제2 R 연결수단에 의해 상기 제2 픽셀 내 R LED칩의 제1 도전형 전극 및 상기 제4 픽셀 내 R LED칩의 제1 도전형 전극에 공통적으로 연결되는 제2 R 단자;
상기 기판의 저면에 형성되며, 제2 G 연결수단에 의해 상기 제2 픽셀 내 G LED칩의 제1 도전형 전극 및 상기 제4 픽셀 내 G LED칩의 제1 도전형 전극에 공통적으로 연결되는 제2 G 단자;
상기 기판의 저면에 형성되며, 제2 B 연결수단에 의해 상기 제2 픽셀 내 B LED칩의 제1 도전형 전극 및 상기 제4 픽셀 내 B LED칩의 제1 도전형 전극에 공통적으로 연결되는 제2 B 단자;
상기 기판의 저면에 형성되며, 제1 공통 연결수단에 의해 상기 제1 픽셀 내 R LED칩, G LED칩 및 B LED칩의 제2 도전형 전극들과 상기 제2 픽셀 내 R LED칩, G LED칩 및 B LED칩의 제2 도전형 전극들에 공통적으로 연결되는 제1 공통 단자; 및
상기 기판의 저면에 형성되며, 제2 공통 연결수단에 의해 상기 제3 픽셀 내 R LED칩, G LED칩 및 B LED칩의 제2 도전형 전극들과 상기 제4 픽셀 내 R LED칩, G LED칩 및 B LED칩의 제2 도전형 전극들에 공통적으로 연결되는 제2 공통 단자를 포함하는 것을 특징으로 하며,
상기 제1 공통 연결수단은, Aa 비아와, 상기 Aa 비아에 의해 상기 제1 공통 단자와 연결된 제1 공통 전극패드와, 상기 제1 픽셀 및 상기 제2 픽셀 내 R LED칩들, G LED칩들 및 B LED칩들의 제2 도전형 전극들을 상기 제1 공통 전극패드에 연결하는 Aa 범프들을 포함 하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 모듈용 멀티 픽셀 LED 패키지.A multi-pixel LED package mounted on a PCB in a matrix array,
substrate;
A first pixel located in the first row and first column on the upper surface of the above substrate;
A second pixel located in the first row and second column on the upper surface of the above substrate;
A third pixel located in the second row, first column on the upper surface of the above substrate;
A fourth pixel located in the second row and second column on the upper surface of the above substrate;
A first R terminal formed on a lower surface of the substrate and commonly connected to a first conductive electrode of the R LED chip in the first pixel and a first conductive electrode of the R LED chip in the third pixel by a first R connecting means;
A first G terminal formed on a lower surface of the substrate and commonly connected to a first conductive electrode of a G LED chip in the first pixel and a first conductive electrode of a G LED chip in the third pixel by a first G connecting means;
A first B terminal formed on a lower surface of the substrate and commonly connected to a first conductive electrode of a B LED chip in the first pixel and a first conductive electrode of a B LED chip in the third pixel by a first B connecting means;
A second R terminal formed on a lower surface of the substrate and commonly connected to the first conductive electrode of the R LED chip in the second pixel and the first conductive electrode of the R LED chip in the fourth pixel by a second R connecting means;
A second G terminal formed on a lower surface of the substrate and commonly connected to the first conductive electrode of the G LED chip in the second pixel and the first conductive electrode of the G LED chip in the fourth pixel by a second G connecting means;
A second B terminal formed on a lower surface of the substrate and commonly connected to the first conductive electrode of the B LED chip in the second pixel and the first conductive electrode of the B LED chip in the fourth pixel by a second B connecting means;
A first common terminal formed on the lower surface of the substrate and commonly connected to the second conductive electrodes of the R LED chip, the G LED chip, and the B LED chip in the first pixel and the second conductive electrodes of the R LED chip, the G LED chip, and the B LED chip in the second pixel by a first common connecting means; and
It is characterized by including a second common terminal formed on the lower surface of the substrate and commonly connected to the second conductive electrodes of the R LED chip, the G LED chip and the B LED chip in the third pixel and the second conductive electrodes of the R LED chip, the G LED chip and the B LED chip in the fourth pixel by a second common connecting means,
A multi-pixel LED package for a display module, characterized in that the first common connecting means includes an Aa via, a first common electrode pad connected to the first common terminal by the Aa via, and Aa bumps connecting the second conductive electrodes of the R LED chips, G LED chips, and B LED chips in the first pixel and the second pixel to the first common electrode pad.
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