KR102751402B1 - Semiconductor test apparatus including device power supply - Google Patents
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Abstract
발열량과 소모 전력을 감소시키기 위해 반도체 테스트 장치에 적용되는 전원 공급 장치가 제공된다. 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치는, 반도체 디바이스에 테스트 신호를 인가하고, 상기 테스트 신호에 대한 응답 신호를 분석하여 상기 반도체 디바이스를 테스트하는 반도체 테스트 장치에 있어서, 구동 전압에 기초하여, 상기 반도체 디바이스에 전원을 공급하는 전원 공급 장치, 상기 전원 공급 장치의 출력 전압과 오프셋 전압을 가산하여, 기준 전압을 출력하는 가산 증폭기 및 상기 가산 증폭기의 기준 전압을 추종하도록 상기 구동 전압을 출력하는 스위칭 레귤레이터를 포함할 수 있다.A power supply device applied to a semiconductor test device is provided to reduce heat generation and power consumption. A semiconductor test device according to some embodiments of the present disclosure may include a power supply device for supplying power to the semiconductor device based on a driving voltage, an adding amplifier for adding an output voltage of the power supply device and an offset voltage to output a reference voltage, and a switching regulator for outputting the driving voltage to follow the reference voltage of the adding amplifier.
Description
본 개시는 발열량과 소모 전력을 감소시키기 위해 반도체 테스트 장치에 적용되는 전원 공급 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a power supply device applied to a semiconductor test device to reduce heat generation and power consumption.
반도체 테스트 장치는 자동 테스트 장치(Automatic Test Equipment, ATE)로도 지칭되며, 반도체 디바이스에 전기적 테스트 신호를 인가하고 그에 대한 응답을 분석하여 반도체 디바이스의 양품 여부를 테스트하는 장치이다.Semiconductor test equipment, also called Automatic Test Equipment (ATE), is a device that applies electrical test signals to semiconductor devices and analyzes the response to test whether the semiconductor devices are good or not.
반도체 테스트 장치는 내부 하드웨어 구성 요소로써, 전원 공급 장치, 계측기, 알고리즘 패턴 발생기(Algorithmic Pattern Generator, ALPG), 타이밍 생성기(Timing Generator, TG), 드라이버 및 비교기가 내장된 핀 일렉트로닉스(Pin Electronics, PE) 및 이들을 제어하기 위한 중앙 처리 장치인 CPU 등을 포함한다.Semiconductor test equipment includes internal hardware components such as a power supply, measuring equipment, an algorithmic pattern generator (ALPG), a timing generator (TG), pin electronics (PE) with built-in drivers and comparators, and a central processing unit (CPU) to control them.
그 중 전원 공급 장치는 반도체 디바이스에 전원을 공급하는 장치이다. 종래의 전원 공급 장치(e.g., 도 4에 도시된 전원 공급 장치)는 반도체 디바이스의 테스트 시 발생되는 과다한 발열로 인하여, 반도체 테스트 장치의 안정성을 저하시키고, 방열을 위한 과다한 비용을 발생시켰다.Among them, a power supply unit is a device that supplies power to a semiconductor device. Conventional power supply units (e.g., the power supply unit illustrated in Fig. 4) lower the stability of semiconductor test equipment and incur excessive costs for heat dissipation due to excessive heat generation during testing of semiconductor devices.
따라서, 전원 공급 장치의 발열량 및 소모 전력을 감소시키기 위한 기술이 요구된다.Therefore, a technology is required to reduce the heat generation and power consumption of the power supply.
본 개시의 몇몇 실시예를 통해 해결하고자 하는 기술적 과제는, 반도체 테스트 장치에 적용되는 전원 공급 장치의 발열량 및 소모 전력을 감소시키기 위한 장치를 제공하는 것이다.A technical problem to be solved by some embodiments of the present disclosure is to provide a device for reducing the heat generation and power consumption of a power supply device applied to a semiconductor test device.
본 개시의 몇몇 실시예를 통해 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 반도체 테스트 장치의 안정성을 향상시키기 위한 장치를 제공하는 것이다.Another technical problem to be solved by some embodiments of the present disclosure is to provide a device for improving the stability of a semiconductor test device.
본 개시의 몇몇 실시예를 통해 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 반도체 테스트 장치의 방열을 위해 소모되는 비용을 감소시키기 위한 장치를 제공하는 것이다.Another technical challenge to be solved by some embodiments of the present disclosure is to provide a device for reducing the cost consumed for heat dissipation of a semiconductor test device.
본 개시의 몇몇 실시예를 통해 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 전원 공급 장치의 집적도를 높이기 위한 장치를 제공하는 것이다.Another technical challenge to be solved by some embodiments of the present disclosure is to provide a device for increasing the integration of a power supply device.
본 개시의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 개시의 기술분야에서의 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems of the present disclosure are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치는, 반도체 디바이스에 테스트 신호를 인가하고, 상기 테스트 신호에 대한 응답 신호를 분석하여 상기 반도체 디바이스를 테스트하는 반도체 테스트 장치에 있어서, 구동 전압에 기초하여, 상기 반도체 디바이스에 전원을 공급하는 전원 공급 장치, 상기 전원 공급 장치의 출력 전압과 오프셋 전압을 가산하여, 기준 전압을 출력하는 가산 증폭기 및 상기 가산 증폭기의 기준 전압을 추종하도록 상기 구동 전압을 출력하는 스위칭 레귤레이터를 포함할 수 있다.In order to solve the above technical problem, according to some embodiments of the present disclosure, a semiconductor test device for applying a test signal to a semiconductor device and analyzing a response signal to the test signal to test the semiconductor device may include a power supply device for supplying power to the semiconductor device based on a driving voltage, an adding amplifier for adding an output voltage of the power supply device and an offset voltage to output a reference voltage, and a switching regulator for outputting the driving voltage so as to follow the reference voltage of the adding amplifier.
몇몇 실시예에서, 상기 오프셋 전압은, 상기 전원 공급 장치의 구동에 요구되는 최소 전압일 수 있다.In some embodiments, the offset voltage may be a minimum voltage required to drive the power supply.
몇몇 실시예에서, 상기 스위칭 레귤레이터가 출력하는 상기 구동 전압을 필터링하는 로우 패스 필터를 더 포함하되, 상기 전원 공급 장치는, 상기 로우 패스 필터가 필터링한 구동 전압에 기초하여, 상기 반도체 디바이스에 전원을 공급할 수 있다.In some embodiments, the switching regulator further comprises a low pass filter for filtering the driving voltage outputted by the switching regulator, wherein the power supply device can supply power to the semiconductor device based on the driving voltage filtered by the low pass filter.
본 개시의 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치는, 구동 전압에 기초하여, 반도체 디바이스에 전원을 공급하는 전원 공급 장치 및 상기 반도체 디바이스의 전기적 테스트를 위한 테스트 신호를 생성하고, 상기 테스트 신호를 상기 반도체 디바이스에 인가하는 핀 일렉트로닉스를 포함하는 반도체 테스트 장치에 있어서, 상기 전원 공급 장치의 출력 전압과 오프셋 전압을 가산하여, 기준 전압을 출력하는 가산 증폭기 및 상기 가산 증폭기의 기준 전압을 추종하도록 상기 구동 전압을 출력하는 스위칭 레귤레이터를 포함할 수 있다.A semiconductor test apparatus according to some embodiments of the present disclosure includes a power supply for supplying power to a semiconductor device based on a driving voltage, and pin electronics for generating a test signal for electrical testing of the semiconductor device and applying the test signal to the semiconductor device, wherein the semiconductor test apparatus may include an adding amplifier for adding an output voltage of the power supply and an offset voltage to output a reference voltage, and a switching regulator for outputting the driving voltage so as to follow the reference voltage of the adding amplifier.
몇몇 실시예에서, 상기 오프셋 전압은, 상기 전원 공급 장치의 구동에 요구되는 최소 전압일 수 있다.In some embodiments, the offset voltage may be a minimum voltage required to drive the power supply.
몇몇 실시예에서, 상기 스위칭 레귤레이터가 출력하는 상기 구동 전압을 필터링하는 로우 패스 필터를 더 포함하되, 상기 전원 공급 장치는, 상기 로우 패스 필터가 필터링한 구동 전압에 기초하여, 상기 반도체 디바이스에 전원을 공급할 수 있다.In some embodiments, the switching regulator further comprises a low pass filter for filtering the driving voltage outputted by the switching regulator, wherein the power supply device can supply power to the semiconductor device based on the driving voltage filtered by the low pass filter.
도 1은 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치가 적용될 수 있는 예시적인 환경을 도시한다.
도 2 및 도 3은 도 1을 참조하여 설명된 전원 공급 모듈을 보다 구체적으로 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 4는 도 1 내지 3을 참조하여 설명된 전원 공급 모듈과 비교 설명하기 위한 도면으로써, 종래의 전원 공급 모듈을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.FIG. 1 illustrates an exemplary environment in which a semiconductor test device according to some embodiments of the present disclosure may be applied.
FIGS. 2 and 3 are exemplary drawings to explain the power supply module described with reference to FIG. 1 in more detail.
FIG. 4 is a drawing for comparison with the power supply module described with reference to FIGS. 1 to 3, and is an exemplary drawing for describing a conventional power supply module.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 본 개시의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 개시의 기술적 사상은 이하의 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 이하의 실시예들은 본 개시의 기술적 사상을 완전하도록 하고, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 개시의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 개시의 기술적 사상은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The advantages and features of the present disclosure and the methods for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below together with the accompanying drawings. However, the technical idea of the present disclosure is not limited to the following embodiments but may be implemented in various different forms, and the following embodiments are provided only to complete the technical idea of the present disclosure and to fully inform a person having ordinary skill in the art to which the present disclosure belongs of the scope of the present disclosure, and the technical idea of the present disclosure is defined only by the scope of the claims.
각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 개시를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.When adding reference signs to components of each drawing, it should be noted that identical components are given the same signs as much as possible even if they are shown on different drawings. In addition, when describing the present disclosure, if it is determined that a specific description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present disclosure, the detailed description is omitted.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. 본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 개시를 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in this specification can be used in the meaning that can be commonly understood by a person of ordinary skill in the art to which this disclosure belongs. In addition, terms defined in commonly used dictionaries are not to be ideally or excessively interpreted unless explicitly specifically defined. The terminology used in this specification is for the purpose of describing embodiments and is not intended to limit this disclosure. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated in the phrase.
또한, 본 개시의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.Also, in describing components of the present disclosure, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only intended to distinguish the components from other components, and the nature, order, or sequence of the components are not limited by the terms. When it is described that a component is "connected," "coupled," or "connected" to another component, it should be understood that the component may be directly connected or connected to the other component, but another component may also be "connected," "coupled," or "connected" between each component.
명세서에서 사용되는 "포함한다 (comprises)" 및/또는 "포함하는 (comprising)"은 언급된 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terms “comprises” and/or “comprising,” as used in the specification, do not exclude the presence or addition of one or more other components, steps, operations and/or elements.
이하, 본 개시의 다양한 실시예들에 대하여 첨부된 도면에 따라 상세하게 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the attached drawings.
도 1은 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치(10)가 적용될 수 있는 예시적인 환경을 도시한다. 도 1에 도시된 반도체 테스트 장치(10)는 반도체 디바이스(20, Device Under Test)에 테스트 신호를 인가하고, 테스트 신호에 대한 응답 신호를 분석하여 반도체 디바이스의 양품 여부를 테스트할 수 있다. FIG. 1 illustrates an exemplary environment to which a semiconductor test device (10) according to some embodiments of the present disclosure may be applied. The semiconductor test device (10) illustrated in FIG. 1 applies a test signal to a semiconductor device (20, Device Under Test) and analyzes a response signal to the test signal to test whether the semiconductor device is good or not.
한편, 도 1은 본 개시의 목적을 달성하기 위한 바람직한 실시예를 도시하고 있을 뿐이며, 필요에 따라 일부 구성 요소가 추가되거나 삭제될 수 있다. 예를 들어, 반도체 테스트 장치(10)는 도 1에 도시된 각 구성 요소들을 제어하기 위한 중앙 처리 장치인 CPU를 더 포함할 수 있다. 전술한 예시 외에도 다양한 구성 요소들이 도 1에 도시된 반도체 테스트 장치(10)에 더 포함될 수 있으며, 반도체 테스트 장치(10)가 속한 기술 분야의 공지된 모든 기술이 본 개시에 적용될 수 있음을 유의해야 한다.Meanwhile, FIG. 1 only illustrates a preferred embodiment for achieving the purpose of the present disclosure, and some components may be added or deleted as needed. For example, the semiconductor test device (10) may further include a CPU, which is a central processing unit, for controlling each component illustrated in FIG. 1. In addition to the examples described above, various components may be further included in the semiconductor test device (10) illustrated in FIG. 1, and it should be noted that all known technologies in the technical field to which the semiconductor test device (10) belongs may be applied to the present disclosure.
이하, 도 1의 반도체 테스트 장치(10)를 구성하는 구성 요소에 대해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, the components constituting the semiconductor test device (10) of Fig. 1 will be described in more detail.
도 1을 참조하면, 반도체 테스트 장치(10)는 전원 공급 모듈(100), 타이밍 생성기(200, Timing Generator), 핀 일렉트로닉스(300, Pin Electronics), 테스트 분석 모듈(400), 및 ALPG(500, Algorithmic Pattern Generator)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a semiconductor test device (10) may include a power supply module (100), a timing generator (200), pin electronics (300), a test analysis module (400), and an algorithmic pattern generator (ALPG) (500).
도 1에 도시된 전원 공급 모듈(100)은, 구동 전압에 기초하여 반도체 디바이스(20)에 전원을 공급할 수 있다. 여기서, 구동 전압과 반도체 디바이스(20)에 공급되는 전압(i.e., 출력 전압)의 차이로 인하여, 전원 공급 모듈(100)은 전력을 소모하게 되며, 소모되는 전력으로 인하여 발열이 발생하게 된다. 이처럼 전원 공급 모듈(100)에서 발생되는 발열량 및 소모 전력을 감소시키기 위한 본 개시의 몇몇 실시예들에 대해서는 추후 구체적으로 설명하기로 하며, 중복된 설명을 배제하기 위해 자세한 설명은 생략하기로 한다.The power supply module (100) illustrated in FIG. 1 can supply power to the semiconductor device (20) based on the driving voltage. Here, due to the difference between the driving voltage and the voltage supplied to the semiconductor device (20) (i.e., output voltage), the power supply module (100) consumes power, and heat is generated due to the power consumed. Some embodiments of the present disclosure for reducing the amount of heat generated and the power consumed by the power supply module (100) will be described in detail later, and a detailed description will be omitted to avoid redundant explanation.
다음으로, 타이밍 생성기(200)는 복수의 채널을 통해 입력되는 펄스 데이터를 기초로 타이밍 신호를 생성할 수 있다. 이렇게 생성된 타이밍 신호는 핀 일렉트로닉스(300)에 전달될 수 있다.Next, the timing generator (200) can generate a timing signal based on pulse data input through multiple channels. The timing signal thus generated can be transmitted to pin electronics (300).
다음으로, 핀 일렉트로닉스(300)는 타이밍 신호를 이용하여 반도체 디바이스(20)의 전기적 테스트를 위한 테스트 신호를 생성할 수 있다. 또한, 핀 일렉트로닉스(300)는 이렇게 생성된 테스트 신호를 반도체 디바이스(20)에 인가할 수 있다. Next, the pin electronics (300) can generate a test signal for electrical testing of the semiconductor device (20) using the timing signal. In addition, the pin electronics (300) can apply the test signal generated in this way to the semiconductor device (20).
몇몇 실시예에서, 핀 일렉트로닉스(300)는 타이밍 신호와 패턴 신호를 입력 받아, 타이밍 신호를 기초로 패턴 신호를 변조하여 테스트 신호를 생성하는 DCL(Driver Comparator Logic, 미도시)을 포함할 수 있다.In some embodiments, the pin electronics (300) may include a DCL (Driver Comparator Logic, not shown) that receives a timing signal and a pattern signal, modulates the pattern signal based on the timing signal, and generates a test signal.
다음으로, 테스트 분석 모듈(400)은 테스트 신호의 인가에 따른 반도체 디바이스(20)의 전기적 상태 변화 또는 리스폰스를 테스트 결과(i.e., 도 1의 응답 신호)로서 수신할 수 있다. 또한, 테스트 분석 모듈(400)은 테스트 결과를 분석하여 반도체 디바이스(20)의 양품 여부를 판단할 수 있다. 이러한 상기 양품 여부 판단 결과에 따라, 페일(fail)로 판단된 반도체 디바이스(20)에 대해서는 리페어(repair) 작업이 수행될 수 있다.Next, the test analysis module (400) can receive the electrical state change or response of the semiconductor device (20) according to the application of the test signal as a test result (i.e., the response signal of FIG. 1). In addition, the test analysis module (400) can analyze the test result to determine whether the semiconductor device (20) is good or not. Depending on the result of the determination of whether the semiconductor device (20) is good or not, a repair operation can be performed on the semiconductor device (20) determined to be failed.
다음으로, ALPG(500)는 메모리에 저장된 데이터를 이용하여 순차적으로 로직 데이터를 생성할 수 있다. 이러한 로직 데이터는 반도체 디바이스(20)에 인가될 어드레스, 데이터, 제어 신호 등을 포함할 수 있다. 구체적으로, 로직 데이터들은 "0", "1" 로 표현되는 펄스 데이터의 형태로 클럭 신호와 함께 타이밍 생성기(100)에 제공될 수 있다.Next, ALPG (500) can sequentially generate logic data using data stored in the memory. This logic data can include addresses, data, control signals, etc. to be applied to the semiconductor device (20). Specifically, the logic data can be provided to the timing generator (100) together with a clock signal in the form of pulse data expressed as "0" and "1".
도 1을 참조하여 설명된 전원 공급 모듈(100), 타이밍 생성기(200), 핀 일렉트로닉스(300), 테스트 분석 모듈(400), ALPG(500)의 일반적인 구성 및 기능은 당해 기술 분야에 널리 알려져 있으므로, 본 개시의 논지를 흐리지 않기 위해 각 구성 및 기능에 대한 추가적인 설명을 생략하기로 한다.The general configuration and functions of the power supply module (100), timing generator (200), pin electronics (300), test analysis module (400), and ALPG (500) described with reference to FIG. 1 are widely known in the art, and therefore, in order not to obscure the logic of the present disclosure, additional descriptions of each configuration and function will be omitted.
지금까지 도 1을 참조하여 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치의 구성에 대해 설명하였다. 이하에서는, 도 2 내지 도 4를 참조하여, 본 개시의 몇몇 실시예에서 참조될 수 있는 전원 공급 모듈(100)에 대해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.So far, the configuration of a semiconductor test device according to some embodiments of the present disclosure has been described with reference to FIG. 1. Hereinafter, a power supply module (100) that may be referenced in some embodiments of the present disclosure will be described in more detail with reference to FIGS. 2 to 4.
도 2는 도 1을 참조하여 설명된 전원 공급 모듈(100)을 보다 구체적으로 설명하기 위한 예시적인 도면이다. 도 2는 본 개시의 목적을 달성하기 위한 바람직한 실시예를 도시하고 있을 뿐이며, 필요에 따라 일부 구성 요소가 추가되거나 삭제될 수 있음을 유의해야 한다.FIG. 2 is an exemplary drawing for more specifically explaining the power supply module (100) described with reference to FIG. 1. It should be noted that FIG. 2 only illustrates a preferred embodiment for achieving the purpose of the present disclosure, and some components may be added or deleted as needed.
도 2를 참조하면, 전원 공급 장치(110)는 구동 전압(VR)에 기초하여 반도체 디바이스(20)에 전원을 공급할 수 있다. 여기서, 구동 전압(VR)은 전원 공급 장치(110)의 구동을 위해 인가되는 전압을 의미할 수 있다.Referring to FIG. 2, the power supply device (110) can supply power to the semiconductor device (20) based on the driving voltage (VR). Here, the driving voltage (VR) can mean a voltage applied to drive the power supply device (110).
이러한 전원 공급 장치(110)는 입력 전압(Vin)을 참조하여, 출력 전압(Vout) 출력하기 위한 다양한 소자로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 전원 공급 장치(110)는 노이즈 특성이 좋은 Linear IC(Integrated Circuit)으로 구현될 수 있다. 구체적인 예로써, Linear IC는 OPA548과 같은 다양한 OP-AMP로 구현될 수 있다.This power supply device (110) can be implemented with various elements for outputting an output voltage (Vout) by referring to an input voltage (Vin), and for example, the power supply device (110) can be implemented with a Linear IC (Integrated Circuit) having good noise characteristics. As a specific example, the Linear IC can be implemented with various OP-AMPs such as OPA548.
다음으로, 가산 증폭기(120)는 전원 공급 장치(110)의 출력 전압(Vout)과 오프셋 전압(Voffset)을 가산하여, 기준 전압(VRef)을 출력할 수 있다. 여기서, 오프셋 전압(Voffset)은 전원 공급 장치(110)의 구동에 요구되는 최소 전압으로 설정될 수 있다. 추후 설명되겠지만, 전원 공급 장치(110)의 출력 전압(Vout)을 피드백으로 이용하여 전원 공급 장치(110)의 구동에 요구되는 최소 전압인 오프셋 전압(Voffset)과 가산하여 기준 전압(VRef)을 출력하고, 기준 전압(VRef)이 전원 공급 장치(110)의 구동 전압(VR)의 기준이 됨으로써, 전원 공급 장치(110)에서 발생되는 발열량과 소모 전력이 감소될 수 있다.Next, the adder amplifier (120) can output a reference voltage (VRef) by adding the output voltage (Vout) of the power supply (110) and the offset voltage (Voffset). Here, the offset voltage (Voffset) can be set to a minimum voltage required for driving the power supply (110). As will be described later, the output voltage (Vout) of the power supply (110) is used as feedback, and the offset voltage (Voffset), which is the minimum voltage required for driving the power supply (110), is added to output a reference voltage (VRef), and the reference voltage (VRef) becomes a reference for the driving voltage (VR) of the power supply (110), so that the amount of heat generated and power consumed by the power supply (110) can be reduced.
다음으로, 스위칭 레귤레이터(130, Switching Regulator)는 가산 증폭기(120)의 기준 전압(VRef)을 추종하도록 구동 전압(VR)을 출력할 수 있다. 여기서, 스위칭 레귤레이터(130)를 구동시키기 위한 별도의 전압(Vcc)이 연결될 수 있다.Next, the switching regulator (130) can output a driving voltage (VR) to follow the reference voltage (VRef) of the summation amplifier (120). Here, a separate voltage (Vcc) for driving the switching regulator (130) can be connected.
이러한 스위칭 레귤레이터(130)는 요구되는 전압(e.g., 기준 전압(VRef))이 될 때까지 스위치 소자(e.g., MOSFET)을 활성화 또는 비활성화를 고속으로 반복할 수 있으며, 스위칭 레귤레이터(130)를 구현하기 위한 공지된 모든 기술이 본 개시에 적용될 수 있음을 유의해야 한다.It should be noted that such a switching regulator (130) can repeatedly activate or deactivate a switching element (e.g., MOSFET) at high speed until a required voltage (e.g., reference voltage (VRef)) is reached, and that any known technology for implementing a switching regulator (130) can be applied to the present disclosure.
도 3은 도 1을 참조하여 설명된 전원 공급 모듈(100)을 보다 구체적으로 설명하기 위한 예시적인 도면이다. 도 3에 도시된 전원 공급 모듈(100)은 도 2에 도시된 전원 공급 모듈(100)과 달리, 로우 패스 필터(140)를 더 포함할 수 있다.FIG. 3 is an exemplary drawing for more specifically explaining the power supply module (100) described with reference to FIG. 1. Unlike the power supply module (100) described with reference to FIG. 2, the power supply module (100) depicted in FIG. 3 may further include a low pass filter (140).
도 3에 도시된 로우 패스 필터(140, Low Pass Filter)는 스위칭 레귤레이터(130)가 출력하는 구동 전압을 필터링할 수 있으며, 구체적으로 고주파 대역을 필터링할 수 있다. 이렇게 로우 패스 필터(140)에 의해 필터링된 구동 전압이 전원 공급 장치(110)에 인가됨으로써, 전원 공급 장치(110)가 구동될 수 있다. 여기서, 로우 패스 필터(140)를 구현하기 위한 공지된 모든 기술이 본 개시에 적용될 수 있음을 유의해야 한다.The low pass filter (140) illustrated in FIG. 3 can filter the driving voltage output by the switching regulator (130), and specifically, can filter a high frequency band. By applying the driving voltage filtered by the low pass filter (140) to the power supply device (110), the power supply device (110) can be driven. Here, it should be noted that all known technologies for implementing the low pass filter (140) can be applied to the present disclosure.
도 3을 참조하여 설명된 실시예에 따르면, 스위칭 레귤레이터(130)에서 발생될 수 있는 고주파 대역의 노이즈가 필터링될 수 있으며, 반도체 테스트 장치(10)의 안정성이 향상될 수 있다.According to the embodiment described with reference to FIG. 3, noise in a high-frequency band that may be generated in a switching regulator (130) can be filtered, and the stability of a semiconductor test device (10) can be improved.
이하, 도 4와 도 2 내지 도 3에 도시된 전원 공급 모듈(100)의 비교를 통해, 발생되는 소모 전력을 보다 구체적으로 비교하기로 한다.Below, the power consumption generated will be compared more specifically through a comparison of the power supply modules (100) illustrated in FIG. 4 and FIGS. 2 to 3.
도 4는 도 1 내지 3을 참조하여 설명된 전원 공급 모듈과 비교 설명하기 위한 도면으로써, 종래의 전원 공급 모듈을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.FIG. 4 is a drawing for comparison with the power supply module described with reference to FIGS. 1 to 3, and is an exemplary drawing for describing a conventional power supply module.
도 4를 참조하면, Vcc가 전원 공급 장치(110)에 직접 연결되어 있으며, 이때, 전원 공급 장치(110)에서 소모되는 소모 전력(W)은 아래와 같은 수학식에 의해 산출될 수 있다.Referring to FIG. 4, Vcc is directly connected to the power supply (110), and at this time, the power consumption (W) consumed by the power supply (110) can be calculated by the following mathematical formula.
수학식 1을 참조하여 도 4와 관련된 구체적인 예를 들어 설명하면, Vcc가 9[V]이고, Vout이 0.1[V]이고, Iout이 1.2[A]이고, Iambient가 0.02[A]이면, 전원 공급 장치(110)에서 소모되는 소모 전력은 10.86[W]이다. 만약, 전원 공급 장치(110)가 96개 집적되어 있는 환경이면, 소모 전력은 1042.56[W]이고, 이러한 소모 전력은 열의 형태로 외부로 방출될 수 있다.Referring to mathematical expression 1 and explaining a specific example related to FIG. 4, if Vcc is 9 [V], Vout is 0.1 [V], Iout is 1.2 [A], and Iambient is 0.02 [A], the power consumption consumed by the power supply device (110) is 10.86 [W]. If there are 96 power supply devices (110) integrated in an environment, the power consumption is 1042.56 [W], and this power consumption can be released to the outside in the form of heat.
반면에 도 3의 전원 공급 장치(110) 및 스위칭 레귤레이터(130)에서 소모되는 소모 전력(W)은 아래와 같은 수학식에 의해 산출될 수 있다.On the other hand, the power consumption (W) consumed by the power supply unit (110) and switching regulator (130) of Fig. 3 can be calculated by the following mathematical formula.
여기서, W1은 스위칭 레귤레이터(130)가 소모하는 소모 전력(W1)이고, W2는 전원 공급 장치(110)가 소모하는 소모 전력(W2)을 의미할 수 있다. 이때, 스위칭 레귤레이터(130)의 소모 전력인 W1은, 구동 전압(VR)의 최대치와 스위칭 효율에 따라 결정되는 eff로 산출될 수 있다. 예를 들어, 스위칭 효율이 90%인 스위칭 레귤레이터(130)의 eff는 0.1로 결정될 수 있다.Here, W1 may mean power consumption (W1) consumed by the switching regulator (130), and W2 may mean power consumption (W2) consumed by the power supply device (110). At this time, W1, which is the power consumption of the switching regulator (130), may be calculated as eff, which is determined according to the maximum value of the driving voltage (VR) and the switching efficiency. For example, eff of the switching regulator (130) having a switching efficiency of 90% may be determined as 0.1.
수학식 2를 참조하여 도 3과 관련된 구체적인 예를 들어 설명하면, Vcc가 9[V]이고, Vout이 0.1[V]이고, Voffset이 1.25[V]이고, Iout이 1.2[A]이고, Iambient가 0.02[A]이고, 스위칭 효율이 90%이면, 스위칭 레귤레이터(130)에서 소모되는 소모 전력(W1)은 1.08[W](=9*1.2*0.1)이다. 또한, 전원 공급 장치(110)에서 소모되는 소모 전력(W2)은 1.68[W](=(1.26-0.1)*1.2+(0.02*9))이다. 만약, 전원 공급 장치(110)가 96개 집적되어 있는 환경이라면, 총 소모 전력은 264.96[W](=(1.08+1.68)*96)이다.Referring to Mathematical Formula 2 and explaining a specific example related to FIG. 3, if Vcc is 9 [V], Vout is 0.1 [V], Voffset is 1.25 [V], Iout is 1.2 [A], Iambient is 0.02 [A], and switching efficiency is 90%, the power consumption (W1) consumed in the switching regulator (130) is 1.08 [W] (=9*1.2*0.1). In addition, the power consumption (W2) consumed in the power supply unit (110) is 1.68 [W] (=(1.26-0.1)*1.2+(0.02*9)). If there are 96 power supply units (110) integrated in an environment, the total power consumption is 264.96 [W] (=(1.08+1.68)*96).
도 3에 도시된 전원 공급 모듈(100)에서 소모되는 소모 전력은 2.76[W]인데 반해, 도 4에 도시된 종래의 전원 공급 모듈(100)에서 소모되는 소모 전력은 10.86[W]임을 확인할 수 있다. 다시 말하면, 도 3에 도시된 전원 공급 모듈(100)은 종래의 전원 공급 모듈(e.g., 도 4에 도시된 전원 공급 모듈(100)) 대비 약 74%(=(10.86-2.76)/10.86*100)의 소모 전력이 감소될 수 있다.It can be confirmed that the power consumption of the power supply module (100) illustrated in FIG. 3 is 2.76 [W], whereas the power consumption of the conventional power supply module (100) illustrated in FIG. 4 is 10.86 [W]. In other words, the power consumption of the power supply module (100) illustrated in FIG. 3 can be reduced by about 74% (= (10.86-2.76)/10.86*100) compared to the power consumption of the conventional power supply module (e.g., the power supply module (100) illustrated in FIG. 4).
지금까지 도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 개시의 몇몇 실시예에 따른 반도체 테스트 장치를 설명하였다. 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명된 실시예들에 따르면, 전원 공급 장치의 구동에 요구되는 최소 전압이 구동 전압으로 전원 공급 장치에 인가됨으로써, 전원 공급 장치의 소모 전력이 효과적으로 감소될 수 있다. 이러한 소모 전력의 감소에 따라 발열량 또한 효과적으로 감소될 수 있다. 특히, 반도체 디바이스의 테스트를 위해 고집적된 전원 공급 장치가 요구되는 환경에서 소모 전력 및 발열량이 효과적으로 감소됨에 따라, 반도체 테스트 장치의 안정성이 향상될 수 있고, 반도체 테스트 장치의 방열을 위해 소모되는 비용이 감소될 수 있다.Hereinafter, a semiconductor test device according to some embodiments of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 1 to 4. According to the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 4, since the minimum voltage required to drive the power supply device is applied to the power supply device as the driving voltage, the power consumption of the power supply device can be effectively reduced. As the power consumption is reduced, the amount of heat generated can also be effectively reduced. In particular, in an environment where a highly integrated power supply device is required for testing a semiconductor device, since the power consumption and the amount of heat generated are effectively reduced, the stability of the semiconductor test device can be improved, and the cost consumed for heat dissipation of the semiconductor test device can be reduced.
지금까지 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 개시의 다양한 실시예들 및 그 실시예들에 따른 효과들을 언급하였다. 본 개시의 기술적 사상에 따른 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 명세서의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Various embodiments of the present disclosure and effects according to the embodiments have been described with reference to FIGS. 1 to 4 so far. The effects according to the technical idea of the present disclosure are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the specification.
이상에서, 본 개시의 실시예를 구성하는 모든 구성 요소들이 하나로 결합되거나 결합되어 동작하는 것으로 설명되었다고 해서, 본 개시의 기술적 사상이 반드시 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 개시의 목적 범위 안에서라면, 그 모든 구성 요소들이 하나 이상으로 선택적으로 결합하여 동작할 수도 있다.In the above, even though all the components constituting the embodiments of the present disclosure have been described as being combined as one or operating in combination, the technical idea of the present disclosure is not necessarily limited to these embodiments. That is, within the scope of the purpose of the present disclosure, all of the components may be selectively combined as one or more to operate.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 개시의 실시예들을 설명하였지만, 본 개시가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 본 개시가 다른 구체적인 형태로도 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 개시의 보호 범위는 아래의 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 개시에 의해 정의되는 기술적 사상의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present disclosure have been described with reference to the attached drawings, those skilled in the art to which the present disclosure pertains will understand that the present disclosure can be implemented in other specific forms without changing the technical ideas or essential features thereof. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary and not restrictive in all respects. The protection scope of the present disclosure should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within a scope equivalent thereto should be interpreted as being included in the scope of rights of the technical ideas defined by the present disclosure.
Claims (6)
구동 전압에 기초하여, 상기 반도체 디바이스에 전원을 공급하는 전원 공급 장치;
상기 전원 공급 장치의 출력 전압과 오프셋 전압을 가산하여, 기준 전압을 출력하는 가산 증폭기; 및
상기 가산 증폭기로부터 공급된 상기 기준 전압을 추종하도록 상기 구동 전압을 출력하는 스위칭 레귤레이터를 포함하고,
상기 오프셋 전압은,
상기 전원 공급 장치의 구동에 요구되는 최소 전압인,
반도체 테스트 장치.In a semiconductor test device that applies a test signal to a semiconductor device and analyzes a response signal to the test signal to test the semiconductor device,
A power supply device that supplies power to the semiconductor device based on a driving voltage;
An adding amplifier that adds the output voltage and offset voltage of the power supply device to output a reference voltage; and
A switching regulator is included that outputs the driving voltage to follow the reference voltage supplied from the above-mentioned adding amplifier,
The above offset voltage is,
The minimum voltage required to operate the above power supply device is:
Semiconductor test equipment.
상기 스위칭 레귤레이터가 출력하는 상기 구동 전압을 필터링하는 로우 패스 필터를 더 포함하되,
상기 전원 공급 장치는,
상기 로우 패스 필터가 필터링한 구동 전압에 기초하여, 상기 반도체 디바이스에 전원을 공급하는,
반도체 테스트 장치.In the first paragraph,
Further comprising a low pass filter for filtering the driving voltage output by the switching regulator,
The above power supply unit,
Supplying power to the semiconductor device based on the driving voltage filtered by the above low pass filter,
Semiconductor test equipment.
상기 반도체 디바이스의 전기적 테스트를 위한 테스트 신호를 생성하고, 상기 테스트 신호를 상기 반도체 디바이스에 인가하는 핀 일렉트로닉스를 포함하는 반도체 테스트 장치에 있어서,
상기 전원 공급 장치의 출력 전압과 오프셋 전압을 가산하여, 기준 전압을 출력하는 가산 증폭기; 및
상기 가산 증폭기로부터 공급된 상기 기준 전압을 추종하도록 상기 구동 전압을 출력하는 스위칭 레귤레이터를 포함하고,
상기 오프셋 전압은,
상기 전원 공급 장치의 구동에 요구되는 최소 전압인,
반도체 테스트 장치.A power supply unit for supplying power to a semiconductor device based on a driving voltage; and
A semiconductor test device comprising pin electronics for generating a test signal for electrical testing of the semiconductor device and applying the test signal to the semiconductor device,
An adding amplifier that adds the output voltage and offset voltage of the power supply device to output a reference voltage; and
A switching regulator is included that outputs the driving voltage to follow the reference voltage supplied from the above-mentioned adding amplifier,
The above offset voltage is,
The minimum voltage required to operate the above power supply device is:
Semiconductor test equipment.
상기 스위칭 레귤레이터가 출력하는 상기 구동 전압을 필터링하는 로우 패스 필터를 더 포함하되,
상기 전원 공급 장치는,
상기 로우 패스 필터가 필터링한 구동 전압에 기초하여, 상기 반도체 디바이스에 전원을 공급하는,
반도체 테스트 장치.In paragraph 4,
Further comprising a low pass filter for filtering the driving voltage output by the switching regulator,
The above power supply unit,
Supplying power to the semiconductor device based on the driving voltage filtered by the above low pass filter,
Semiconductor test equipment.
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