KR102772873B1

KR102772873B1 - Test socket for improved heat dissipation performance

Info

Publication number: KR102772873B1
Application number: KR1020220139983A
Authority: KR
Inventors: 전진국; 이찬호; 이동빈
Original assignee: 주식회사 오킨스전자
Priority date: 2022-10-27
Filing date: 2022-10-27
Publication date: 2025-02-24
Anticipated expiration: 2042-10-27
Also published as: KR20240059118A

Abstract

본 발명은 테스트 소켓에 관한 것으로, 반도체 패키지가 삽입되어 테스트되는 소켓부를 포함하는 테스트 소켓에 있어서, 상기 소켓부의 저면측에서 상기 반도체 패키지에 접촉되어 상기 반도체 패키지에서 발생한 열을 전도하며, 상기 소켓부의 상면 일부에서 외기와 열교환하여 방열하는 방열부를 더 포함할 수 있다.The present invention relates to a test socket, and a test socket including a socket portion in which a semiconductor package is inserted and tested, the test socket may further include a heat dissipation portion that contacts the semiconductor package on a lower surface of the socket portion to conduct heat generated from the semiconductor package, and dissipates heat by exchanging heat with the outside air on a portion of an upper surface of the socket portion.

Description

Test socket for improved heat dissipation performance {Test socket for improved heat dissipation performance}

본 발명은 방열 성능을 향상시킨 테스트 소켓에 관한 것으로, 더 상세하게는 반도체 패키지의 테스트를 위한 테스트 소켓에 관한 것이다.The present invention relates to a test socket with improved heat dissipation performance, and more specifically, to a test socket for testing a semiconductor package.

일반적으로, IC 장치나 IC 패키지 등과 같은 표면 실장형 반도체 장치(SMT)는 LGA(Land Grid Array), BGA(Ball Grid Array), CSP(Chip Sized Package) 타입 등으로 이루어져 있으며, 이들은 고객에게 출하되기 전에 신뢰성 확인을 위해 번인 테스트(burn-in test)를 거치게 된다.Typically, surface mount semiconductor devices (SMT), such as IC devices or IC packages, are made up of types such as LGA (Land Grid Array), BGA (Ball Grid Array), and CSP (Chip Sized Package), and they undergo burn-in tests to confirm reliability before being shipped to customers.

즉, 번인 테스트는 반도체 장치가 전자기기에 적용되기 전에 그 성능 등에 대해 수행되는 테스트로서, 평상시의 작동조건보다 높은 온도와 전압의 조건에서 수행될 수 있다. 이러한 번인 테스트는 해당 반도체 장치가 번인 테스트용 소켓(Burn-in test socket)(또는 “번인 소켓”이라 지칭함)에 장착된 상태에서 수행될 수 있다.In other words, a burn-in test is a test performed on the performance of a semiconductor device before it is applied to an electronic device, and can be performed under conditions of higher temperature and voltage than normal operating conditions. This burn-in test can be performed while the semiconductor device is mounted in a burn-in test socket (or referred to as a “burn-in socket”).

등록특허 10-2219529호(2021년 2월 18일 등록, 방열구조를 갖는 반도체 번인 테스트 장치)에는 반도체의 번인 테스트 과정에서 발생하는 열을 방열하기 위한 구조를 포함하고 있다.Patent No. 10-2219529 (registered on February 18, 2021, semiconductor burn-in test device having a heat dissipation structure) includes a structure for dissipating heat generated during a semiconductor burn-in test process.

좀 더 구체적으로, 위의 등록특허는 다수의 열전도바를 추가하고, 열전도바를 소켓과 보드에 접착하는 구조를 제안하여 방열을 수행한다.More specifically, the above registered patent proposes a structure for adding a number of heat-conducting bars and bonding the heat-conducting bars to a socket and a board to perform heat dissipation.

그러나 방열구조가 다층의 구조로 이루어지며, 소켓과 테스트 보드의 사이에 배치됨에 따라 구조가 복잡해지며, 방열구조를 적용하기 위한 테스트 장치를 다시 설계해야 하는 단점이 있다.However, the heat dissipation structure has a multi-layer structure and is placed between the socket and the test board, making the structure complex, and there is a disadvantage in that the test device must be redesigned to apply the heat dissipation structure.

즉, 기존의 테스트 장치를 그대로 사용할 수는 없는 것이며, 방열구조 적용을 위하여 방열유도공, 공냉공기유도홈 등의 새로운 구조를 가지는 장치를 새롭게 제작해야 한다.In other words, the existing test device cannot be used as is, and a new device with a new structure, such as a heat dissipation induction hole and an air-cooling air induction groove, must be manufactured to apply the heat dissipation structure.

또한, 위의 등록특허는 소켓 단위의 열방출이 불가능한 구조이며, 이는 테스트 과정에서 반도체 패키지에서 발생되는 열을 직접 방출하지 못하는 구조이며, 따라서 열방출 효율이 상대적으로 낮은 구조라는 문제점이 있었다.In addition, the above registered patent has a structure in which heat dissipation of the socket unit is impossible, which means that it is a structure that cannot directly dissipate the heat generated from the semiconductor package during the testing process, and therefore, there was a problem in that the heat dissipation efficiency was relatively low.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 테스트 과정에서 열이 발생하는 반도체 패키지의 열을 직접 방출할 수 있는 테스트 소켓을 제공함에 있다.Considering the above problems, the technical problem that the present invention seeks to solve is to provide a test socket capable of directly dissipating the heat of a semiconductor package that generates heat during a test process.

또한, 본 발명 반도체 패키지는 기존의 소켓에 쉽게 적용할 수 있는 방열구조를 제안하여, 소켓의 교체 없이 기존 테스트 소켓을 그대로 활용하면서 방열성능을 향상시킬 수 있는 테스트 소켓을 제공함에 목적이 있다.In addition, the semiconductor package of the present invention proposes a heat dissipation structure that can be easily applied to an existing socket, thereby providing a test socket that can improve heat dissipation performance while utilizing an existing test socket as is without replacing the socket.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명 방열 성능을 향상시킨 테스트 소켓은, 반도체 패키지가 삽입되어 테스트되는 소켓부를 포함하는 테스트 소켓에 있어서, 상기 소켓부의 저면측에서 상기 반도체 패키지에 접촉되어 상기 반도체 패키지에서 발생한 열을 전도하며, 상기 소켓부의 상면 일부에서 외기와 열교환하여 방열하는 방열부를 더 포함할 수 있다.In order to solve the above-described problem, the present invention provides a test socket with improved heat dissipation performance, which comprises a socket portion in which a semiconductor package is inserted and tested, and may further include a heat dissipation portion that contacts the semiconductor package on the lower surface of the socket portion to conduct heat generated from the semiconductor package, and dissipates heat by exchanging heat with the outside air on a portion of the upper surface of the socket portion.

본 발명의 실시 예에서, 상기 방열부는, 상기 소켓부의 저면 둘레에 배치되어, 일부가 상기 소켓부에 삽입된 반도체 패키지의 저면에 접촉되는 열전달부와, 상기 소켓부의 상면 일부에 배치되고, 상기 열전달부를 통해 전달된 상기 반도체 패키지의 열을 외기와 열교환하는 열교환부를 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the heat dissipation unit may include a heat transfer unit arranged around a bottom surface of the socket unit, a portion of which contacts a bottom surface of a semiconductor package inserted into the socket unit, and a heat exchange unit arranged on a portion of an upper surface of the socket unit, which exchanges heat of the semiconductor package transferred through the heat transfer unit with the outside air.

본 발명의 실시 예에서, 상기 열전달부는, 반도체 패키지의 저면 일부에 접촉되는 접촉부와, 상기 접촉부의 양단과 상기 열교환부를 연결하는 연결부를 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the heat transfer unit may include a contact unit that comes into contact with a portion of the bottom surface of the semiconductor package, and a connecting unit that connects both ends of the contact unit and the heat exchange unit.

본 발명의 실시 예에서, 상기 접촉부가 상기 연결부의 높이보다 더 높게 배치되도록, 상기 접촉부와 상기 연결부의 사이에는 절곡부가 형성된 것일 수 있다.In an embodiment of the present invention, a folded portion may be formed between the contact portion and the connecting portion so that the contact portion is positioned higher than the height of the connecting portion.

본 발명의 실시 예에서, 상기 연결부의 끝단에서 상향으로 절곡된 결합부를 더 포함하고, 상기 결합부는 상기 열교환부의 저면에 형성된 결합공에 삽입될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the connecting portion further includes a connecting portion bent upward at an end thereof, and the connecting portion can be inserted into a connecting hole formed on a lower surface of the heat exchange portion.

본 발명의 실시 예에서, 상기 결합부의 일부에는 통공이 형성되고, 상기 열교환부의 몸체부를 관통하는 조정축부가 상기 통공을 관통하여, 상기 열전달부와 상기 열교환부를 결합할 수 있다.In an embodiment of the present invention, a hole is formed in a part of the coupling portion, and an adjusting shaft portion penetrating the body portion of the heat exchange portion may pass through the hole to couple the heat transfer portion and the heat exchange portion.

본 발명의 실시 예에서, 상기 조정축부는 스크류이며, 일부가 상기 소켓부의 일부에 결합되어 상기 방열부를 고정하며, 회전정도를 조정하여 상기 방열부의 위치를 조정할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the adjusting shaft portion is a screw, a part of which is coupled to a part of the socket portion to fix the heat dissipation portion, and the position of the heat dissipation portion can be adjusted by adjusting the degree of rotation.

본 발명은 개별 테스트 소켓마다 반도체 패키지에 직접 접촉되어 반도체 패키지에서 발생하는 열을 방출하는 기술적 수단을 제공하여, 열의 주요 발생원인 반도체 패키지를 직접 방열함으로써, 방열 효과를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The present invention provides a technical means for each individual test socket to directly contact a semiconductor package and release heat generated from the semiconductor package, thereby directly dissipating heat from the semiconductor package, which is the main source of heat generation, thereby improving the heat dissipation effect.

또한, 본 발명은 다양한 형상의 테스트 소켓에 쉽게 적용 가능한 방열 수단을 제공하여, 기존의 테스트 소켓에 방열성을 부여할 수 있어, 비용의 증가를 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention provides a heat dissipation means that can be easily applied to test sockets of various shapes, thereby providing heat dissipation properties to existing test sockets, thereby having the effect of preventing an increase in cost.

도 1는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 방열 성능을 향상시킨 테스트 소켓의 사시도이다.
도 2는 본 발명에 적용되는 방열부의 사시도이다.
도 3은 방열부가 결합된 소켓부의 사시도이다.
도 4는 도 3의 평면도이다.
도 5는 도 3의 저면도이다.
도 6은 열전달부와 열교환부의 결합을 보인 구성도이다.
도 7은 본 발명 테스트 소켓의 일부 확대 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view of a test socket with improved heat dissipation performance according to a preferred embodiment of the present invention.
Figure 2 is a perspective view of a heat dissipation unit applied to the present invention.
Figure 3 is a perspective view of the socket part to which the heat dissipation part is combined.
Figure 4 is a plan view of Figure 3.
Figure 5 is a bottom view of Figure 3.
Figure 6 is a configuration diagram showing the combination of a heat transfer section and a heat exchange section.
Fig. 7 is an enlarged cross-sectional view of a portion of the test socket of the present invention.

이하, 본 발명 방열 성능을 향상시킨 테스트 소켓에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a test socket having improved heat dissipation performance according to the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

본 발명의 실시 예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이며, 아래에 설명되는 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시 예는 본 발명을 더욱 충실하고 완전하게 하며 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.The embodiments of the present invention are provided so that those skilled in the art will more fully understand the present invention, and the embodiments described below may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Rather, these embodiments are provided so that the present invention may be more faithfully and completely understood and so that the spirit of the present invention may be fully conveyed to those skilled in the art.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시 예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는"포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.　The terminology used herein is used to describe particular embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. As used herein, the singular forms "a" and "an" include plural forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, when used herein, the words "comprise" and/or "comprising" specify the presence of stated features, numbers, steps, operations, elements, elements and/or groups thereof, but do not preclude the presence or addition of one or more other features, numbers, operations, elements, elements and/or groups thereof. As used herein, the term "and/or" includes any and all combinations of one or more of the listed items.

본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 영역 및/또는 부위들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부위들은 이들 용어에 의해 한정되지 않음은 자명하다. 이들 용어는 특정 순서나 상하, 또는 우열을 의미하지 않으며, 하나의 부재, 영역 또는 부위를 다른 부재, 영역 또는 부위와 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1 부재, 영역 또는 부위는 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2 부재, 영역 또는 부위를 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, regions, and/or portions, it is to be understood that these elements, components, regions, layers, and/or portions are not limited by these terms. These terms do not imply a specific order, hierarchy, or order, and are only used to distinguish one element, region, or portion from another element, region, or portion. Accordingly, a first element, region, or portion described below may also refer to a second element, region, or portion without departing from the teachings of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예들은 본 발명의 실시 예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to drawings schematically illustrating embodiments of the present invention. In the drawings, for example, variations in the shapes depicted may be expected depending on manufacturing techniques and/or tolerances. Accordingly, embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shapes of the regions depicted in this specification, but should include, for example, changes in shapes resulting from manufacturing.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 방열 성능을 향상시킨 테스트 소켓의 사시도이고, 도 2는 방열부의 사시도이고, 도 3은 방열부가 결합된 소켓부의 사시도이며, 도 4와 도 5는 각각 도 3의 평면도와 저면도이다.FIG. 1 is a perspective view of a test socket with improved heat dissipation performance according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of a heat dissipation portion, FIG. 3 is a perspective view of a socket portion to which a heat dissipation portion is combined, and FIGS. 4 and 5 are a plan view and a bottom view, respectively, of FIG. 3.

도 1 내지 도 5를 각각 참조하면 본 발명 테스트 소켓은, 테스트 대상인 반도체 패키지(도면 미도시)가 삽입 고정되는 소켓부(10)와, 상기 소켓부(10)의 하부측에 배치되며 다수의 테스트핀(21)을 상기 소켓부(10)의 내측 저면측에 제공하는 핀플레이트(20)와, 상기 핀플레이트(20)와 소켓부(10)를 지지함과 아울러 테스트핀(21)의 타측을 하향 노출시키는 베이스(30)와, 상기 소켓부(10)의 둘레에 배치되는 커버부(50)와, 상기 소켓부(10)의 저면에 배치되어 상기 반도체 패키지의 저면 일부와 접촉되어 열을 전도하며, 소켓부(10)의 상면 일부에서 외기와 열교을 통해 반도체 패키지의 열을 방출하는 방열부(40)를 포함하여 구성된다.Referring to FIGS. 1 to 5, the test socket of the present invention comprises a socket portion (10) into which a semiconductor package (not shown in the drawing) as a test target is inserted and fixed, a pin plate (20) disposed on the lower side of the socket portion (10) and providing a plurality of test pins (21) on the inner bottom surface side of the socket portion (10), a base (30) that supports the pin plate (20) and the socket portion (10) and exposes the other side of the test pins (21) downward, a cover portion (50) disposed on the periphery of the socket portion (10), and a heat dissipation portion (40) disposed on the lower surface of the socket portion (10) and contacts a portion of the bottom surface of the semiconductor package to conduct heat and release the heat of the semiconductor package through a thermal bridge with the outside air on a portion of the upper surface of the socket portion (10).

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명 테스트 소켓의 구성과 작용에 대하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the test socket of the present invention configured as described above will be described in more detail.

먼저, 본 발명은 반도체 패키지를 전기적으로 테스트하기 위한 테스트 소켓에 관한 것으로, 테스트 대상인 반도체 패키지의 종류와는 무관한 것으로 한다.First, the present invention relates to a test socket for electrically testing a semiconductor package, and is independent of the type of semiconductor package to be tested.

아래의 본 발명의 설명에서 테스트 소켓이 소켓부(10), 핀플레이트(20), 베이스(30) 및 커버부(50)를 포함하는 구성으로 도시하고 설명하지만, 적어도 소켓부(10)를 포함하고 테스트핀(21)을 이용하여 반도체 패키지의 전기적인 테스트가 가능한 모든 테스트 소켓에 본 발명이 적용될 수 있다.In the description of the present invention below, the test socket is illustrated and described as having a configuration including a socket portion (10), a pin plate (20), a base (30), and a cover portion (50), but the present invention can be applied to all test sockets that include at least a socket portion (10) and enable electrical testing of a semiconductor package using test pins (21).

소켓부(10)의 형상은 상면이 개방된 육면체 구조이며, 내측에 반도체 패키지가 삽입될 수 있는 공간이 제공된다.The shape of the socket part (10) is a hexahedral structure with an open upper surface, and a space into which a semiconductor package can be inserted is provided on the inside.

소켓부(10)의 바닥면에는 상기 핀플레이트(20)의 테스트핀(21)이 삽입되어 상향으로 돌출될 수 있도록하는 통공들이 형성될 수 있다.The bottom surface of the socket portion (10) may have holes formed through which the test pins (21) of the pin plate (20) can be inserted and protrude upward.

다른 예로서, 소켓부(10)는 바닥면이 개방된 것일 수 있으며, 다수의 테스트핀(21)이 상하 방향으로 배치되는 핀플레이트(20)의 일부 또는 전부가 개방된 바닥면에 결합되는 구성일 수 있다.As another example, the socket portion (10) may have an open bottom surface, and may be configured such that part or all of a pin plate (20) on which a plurality of test pins (21) are arranged in an up-down direction are coupled to the open bottom surface.

이처럼 소켓부(10)의 형상은 다양하게 변경하여 실시될 수 있으나, 다만 측면의 적어도 마주하는 두 면의 상부 중앙이 주변보다 더 낮은 단차부(11)를 포함하는 것으로 한다.In this way, the shape of the socket part (10) can be implemented by changing it in various ways, but it is only required to include a step part (11) in which the upper center of at least two facing sides of the side is lower than the periphery.

단차부(11)는 소켓부(10)의 측면 중 서로 마주하는 두 측면에 배치되며, 소켓부(10)의 바닥면과 동일한 높이로 형성되는 것이 바람직하다.The step portion (11) is arranged on two sides facing each other among the sides of the socket portion (10), and is preferably formed at the same height as the bottom surface of the socket portion (10).

만약 소켓부(10)가 바닥면이 개방된 구조인 경우라면, 결합된 핀플레이트(20)의 상면과 동일한 높이로 형성될 수 있다.If the socket part (10) has an open bottom structure, it can be formed at the same height as the upper surface of the combined pin plate (20).

이와 같은 단차부(11)의 높이는 이후에 설명할 방열부(40)의 구조적 특징에 부합하도록 하기 위한 것으로 이해될 수 있다.It can be understood that the height of the step portion (11) is intended to conform to the structural characteristics of the heat dissipation portion (40) to be described later.

본 발명에 적용되는 방열부(40)는 소켓부(10)에 장착되는 반도체 패키지의 저면 일부가 접촉되도록 상기 소켓부(10)의 저면 둘레에 배치되어, 반도체 패키지에서 발생하는 열을 전도하는 열전달부(41)와, 상기 단차부(11)의 상부에 위치하며, 열전달부(41)를 통해 전도된 열을 외기와 열교환하여 방출하는 열교환부(42)를 포함하여 구성된다.The heat dissipation unit (40) applied to the present invention is configured to include a heat transfer unit (41) that is arranged around the bottom surface of the socket unit (10) so that a portion of the bottom surface of the semiconductor package mounted on the socket unit (10) comes into contact with the semiconductor package, and conducts heat generated from the semiconductor package, and a heat exchange unit (42) that is positioned above the step unit (11) and conducts heat exchange with the outside air and releases the heat conducted through the heat transfer unit (41).

상기 열전달부(41)는 판상의 금속재를 사용할 수 있으며, 소켓부(10)의 저면에 배치되는 연결부(41a)와, 상기 연결부(41a)보다 더 높은 위치에 위치하며 상기 소켓부(10)의 내측에서 노출되어 반도체 패키지의 저면 일부에 접촉되는 접촉부(41b)를 포함한다.The above heat transfer part (41) can use a plate-shaped metal material, and includes a connection part (41a) arranged on the lower surface of the socket part (10), and a contact part (41b) positioned higher than the connection part (41a) and exposed on the inner side of the socket part (10) to come into contact with a part of the lower surface of the semiconductor package.

상기 연결부(41a)는 상기 열교환부(42)와 결합을 위한 결합부를 포함하며, 결합부의 구성에 대해서는 이후에 다른 도면을 참조하여 상세히 설명한다.The above connecting portion (41a) includes a connecting portion for connection with the heat exchange portion (42), and the configuration of the connecting portion will be described in detail later with reference to other drawings.

상기 열교환부(42)는 상기 열전달부(41)에 연결되는 몸체부(42a)와, 상기 몸체부(42a)의 상면에 다수로 마련된 방열핀(42b)을 포함하여 구성된다.The above heat exchange part (42) is configured to include a body part (42a) connected to the heat transfer part (41) and a number of heat dissipation fins (42b) provided on the upper surface of the body part (42a).

열교환부(42)는 소켓부(10)의 단차부(11) 상에 고정되며, 외기와 접촉되어 반도체 패키지에서 발생한 열을 방출한다.The heat exchanger (42) is fixed on the step (11) of the socket (10) and comes into contact with the outside air to release heat generated in the semiconductor package.

상기 소켓부(10)의 하부에는 상기 핀플레이트(20)가 배치됨과 아울러 베이스(30)가 결합되어 소켓부(10)와 상기 핀플레이트(20)를 고정한다. 이때 베이스(30)의 저면에는 상기 핀플레이트(20)의 테스트핀(21)의 하부측이 노출되는 것으로 한다.The pin plate (20) is placed at the bottom of the socket part (10) and the base (30) is combined to fix the socket part (10) and the pin plate (20). At this time, the lower side of the test pin (21) of the pin plate (20) is exposed on the bottom surface of the base (30).

상기 베이스(30)는 인쇄회로기판 등에 고정되는 것일 수 있으며, 하부측으로 노출된 테스트핀(21)들도 인쇄회로기판에 전기적으로 연결될 수 있다.The above base (30) may be fixed to a printed circuit board, etc., and the test pins (21) exposed on the lower side may also be electrically connected to the printed circuit board.

위에서는 베이스(30)의 하부로 노출되는 테스트핀(21)이 핀플레이트(20)에 고정된 테스트핀(21)의 하부측인 것으로 설명하였으나, 테스트핀(21)과 전기적으로 연결되는 다른 핀일 수 있다.In the above, the test pin (21) exposed to the lower part of the base (30) is described as the lower side of the test pin (21) fixed to the pin plate (20), but it may be another pin that is electrically connected to the test pin (21).

테스트 소켓의 구조에 따라 베이스(30)와 핀플레이트(20)의 사이에는 탄성체를 이용하여 핀플레이트(20) 및 테스트핀(21)에 상하 방향으로 탄성을 부여할 수 있다. Depending on the structure of the test socket, an elastic body can be used between the base (30) and the pin plate (20) to provide elasticity to the pin plate (20) and the test pin (21) in the vertical direction.

이와 같은 구조에서 커버부(50)는 소켓부(10)의 둘레를 감싸도록 배치된다. 커버부(50)는 베이스(30)에 결합되어 고정될 수 있다.In this structure, the cover part (50) is arranged to surround the perimeter of the socket part (10). The cover part (50) can be fixed by being joined to the base (30).

커버부(50)는 기구적인 고정 수단을 제공하여 소켓부(10) 내에 반도체 패키지가 삽입된 상태에서, 반도체 패키지을 이탈을 방지하기 위한 것일 수 있다.The cover part (50) may provide a mechanical fixing means to prevent the semiconductor package from being removed while the semiconductor package is inserted into the socket part (10).

상기 커버부(50)는 상부와 하부가 개방된 중공형의 육면체일 수 있다. 즉, 평면상 윈도우 프레임의 형상일 수 있다.The above cover part (50) may be a hollow hexahedron with the upper and lower parts open. That is, it may have the shape of a window frame on a plane.

앞서 설명한 열전달부(41)의 연결부(41a)는 상기 소켓부(10)의 저면 둘레를 따라 배치되며, 이때 소켓부(10)의 저면 둘레에는 연결부(41a)가 삽입되는 가이드홈이 형성된 것일 수 있다.The connection part (41a) of the heat transfer part (41) described above is arranged along the bottom perimeter of the socket part (10), and at this time, a guide groove into which the connection part (41a) is inserted may be formed on the bottom perimeter of the socket part (10).

상기 연결부(41a)는 소켓부(10)의 단차부(11)의 중앙을 중심으로 대칭되는 두 개의 선형 구조물일 수 있으며, 각 선형 구조물의 중앙부에는 접촉부(41b)가 배치된다. 연결부(41a)와 접촉부(41b)는 기능상 부여한 명칭이며 실질적으로 단일한 연속구조인 것으로 한다.The above connecting portion (41a) may be two linear structures symmetrical about the center of the step portion (11) of the socket portion (10), and a contact portion (41b) is arranged in the center of each linear structure. The connecting portion (41a) and the contact portion (41b) are names given for functional reasons and are essentially a single continuous structure.

접촉부(41b)는 연결부(41a)의 높이에 비하여 더 높은 위치에 있도록 접촉부(41b)와 연결부(41a) 사이에는 절곡부가 위치한다. 따라서 접촉부(41b)는 소켓부(10)의 내측에서 노출되어 소켓부(10)에 장착된 반도체 패키지의 저면 일부가 접촉된다.A folded portion is positioned between the contact portion (41b) and the connection portion (41a) so that the contact portion (41b) is positioned higher than the height of the connection portion (41a). Accordingly, the contact portion (41b) is exposed on the inside of the socket portion (10) and comes into contact with a part of the bottom surface of the semiconductor package mounted on the socket portion (10).

도 6은 열전달부(41)와 열교환부(42)의 결합관계를 보인 구성도이다.Figure 6 is a configuration diagram showing the connection relationship between the heat transfer unit (41) and the heat exchange unit (42).

상기 연결부(41a)의 두 선형 구조물의 양단은 상향으로 90도 절곡된 것으로 할 수 있다.The two ends of the linear structures of the above connecting portion (41a) may be bent upward at a 90-degree angle.

이 절곡된 부분을 결합부(41c)로 명명한다. 결합부(41c)는 몸체부(42a)의 저면에서 상향으로 형성된 결합공에 삽입된다.This bent portion is named a joint portion (41c). The joint portion (41c) is inserted into a joint hole formed upward from the bottom surface of the body portion (42a).

결합부(41c)의 일부에는 통공이 형성되어 있으며, 통공에 조정축부(42c)가 삽입되어 열전달부(41)와 열교환부(42)가 결합될 수 있다.A hole is formed in a part of the joint part (41c), and an adjustment shaft part (42c) is inserted into the hole so that the heat transfer part (41) and the heat exchange part (42) can be connected.

도 7은 본 발명의 일부 확대 단면도로서, 도 7을 참조하면, 상기 조정축부(42c)는 몸체부(42a)에 관통 삽입되어 있다. 조정축부(42c)는 스크류이며, 일단이 소켓부(10)의 일부에 결합되어 방열부(40)를 고정할 수 있다.Fig. 7 is an enlarged cross-sectional view of a part of the present invention. Referring to Fig. 7, the adjusting shaft part (42c) is inserted through the body part (42a). The adjusting shaft part (42c) is a screw, and one end is connected to a part of the socket part (10) to fix the heat dissipation part (40).

또한, 조정축부(42c)의 회전 정도에 따라 방열부(40)의 위치를 조정할 수 있다.Additionally, the position of the heat dissipation unit (40) can be adjusted depending on the degree of rotation of the adjustment shaft unit (42c).

조정축부(42c)의 작용에 의해 몸체부(42a) 및 방열핀(42b)는 소켓부(10)의 중앙과 멀어지는 방향 또는 가까워지는 방향으로 위치가 조정될 수 있다. 이는 유동량 제어를 위한 것으로 이해될 수 있다.By the action of the adjusting shaft (42c), the body part (42a) and the heat dissipation fin (42b) can be positioned in a direction away from or closer to the center of the socket part (10). This can be understood as being for controlling the amount of flow.

이와 같이 본 발명은 기존의 테스트 소켓 구조에 방열부(40)를 부가하여, 테스트시 반도체 패키지에서 발생한 열을 원활하게 방열할 수 있으며, 반도체 패키지에 직접 접촉되는 방열부(40)의 적용에 의해 방열 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.In this way, the present invention can smoothly dissipate heat generated from a semiconductor package during testing by adding a heat dissipation part (40) to the existing test socket structure, and can further improve heat dissipation efficiency by applying a heat dissipation part (40) that is in direct contact with the semiconductor package.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정, 변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that the present invention is not limited to the above-described embodiments and that various modifications and variations can be made without departing from the technical spirit of the present invention.

10:소켓부 20:핀플레이트
30:베이스 40:방열부
41:열전달부 42:열교환부
50:커버부10:Socket part 20:Pin plate
30:base 40:radiator
41: Heat transfer section 42: Heat exchange section
50: Cover part

Claims

In a test socket including a socket portion into which a semiconductor package is inserted and tested,
A heat dissipation unit further includes a heat transfer unit arranged around the lower surface of the socket portion, a portion of which contacts the lower surface of the semiconductor package inserted into the socket portion, and a heat exchange unit arranged on a portion of the upper surface of the socket portion, which exchanges heat of the semiconductor package transferred through the heat transfer unit with the outside air.
The above heat transfer part,
It includes a contact portion that comes into contact with a part of the bottom surface of the semiconductor package, a connection portion that connects both ends of the contact portion and the heat exchange portion, and a joining portion that is bent upward at the end of the connection portion.
A test socket, characterized in that the above-mentioned joint is inserted into a joint hole formed on the lower surface of the above-mentioned heat exchanger.

delete

In the first paragraph,
So that the above contact portion is positioned higher than the height of the above connecting portion,
A test socket characterized in that a bending portion is formed between the contact portion and the connecting portion.

delete

In the first paragraph,
A hole is formed in a part of the above joint,
The adjusting shaft portion penetrating the body of the above heat exchanger passes through the above hole,
A test socket characterized by combining the above heat transfer unit and the above heat exchange unit.

In Article 6,
The above adjustment shaft is a screw,
A part of the above is joined to a part of the above socket part to secure the above heat dissipation part,
A test socket characterized in that the position of the heat dissipation part can be adjusted by adjusting the degree of rotation.