[go: up one dir, main page]

KR102789332B1 - 일렉트로닉스 테스터 내의 디바이스들의 열 제어를 위한 방법 및 시스템 - Google Patents

일렉트로닉스 테스터 내의 디바이스들의 열 제어를 위한 방법 및 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR102789332B1
KR102789332B1 KR1020187022771A KR20187022771A KR102789332B1 KR 102789332 B1 KR102789332 B1 KR 102789332B1 KR 1020187022771 A KR1020187022771 A KR 1020187022771A KR 20187022771 A KR20187022771 A KR 20187022771A KR 102789332 B1 KR102789332 B1 KR 102789332B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
slot assembly
temperature
slot
closed loop
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020187022771A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180101476A (ko
Inventor
조반 조바노비치
케네스 더블유 데보
스티븐 씨 스텝스
Original Assignee
에어 테스트 시스템즈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에어 테스트 시스템즈 filed Critical 에어 테스트 시스템즈
Priority to KR1020257005434A priority Critical patent/KR102842851B1/ko
Priority to KR1020257005433A priority patent/KR102852850B1/ko
Publication of KR20180101476A publication Critical patent/KR20180101476A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102789332B1 publication Critical patent/KR102789332B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/003—Environmental or reliability tests
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
    • G01R31/2875—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature related to heating
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0491—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets for testing integrated circuits on wafers, e.g. wafer-level test cartridge

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)

Abstract

테스터 장치가 제공된다. 슬롯 어셈블리들은 프레임에 제거가능하게 장착된다. 각각의 슬롯 어셈블리는 슬롯 어셈블리 내로 삽입되는 각각의 카트리지의 개개의 가열 및 온도 제어를 허용한다. 폐쇄된 루프 에어 경로가 프레임에 의해 정의되고 가열기 및 냉각기가 에어로 카트리지를 냉각 또는 가열하기 위해 폐쇄된 루프 에어 경로 내에 위치된다. 개개의 카트리지들은 다른 카트리지들이 테스트되고 있는 여러 스테이지들에 또는 온도 램프들의 여러 스테이지들에 있는 동안 삽입되거나 제거될 수 있다.

Description

일렉트로닉스 테스터 내의 디바이스들의 열 제어를 위한 방법 및 시스템
본 발명은 마이크로전자 회로들을 테스팅하기 위해 사용되는 테스터 장치에 관한 것이다.
마이크로전자 회로들은 보통 반도체 웨이퍼들 내에 및 위에 제조된다. 그러한 웨이퍼는 후속적으로 개개의 다이들로 “싱귤레이팅 (singulating)” 또는 “다이싱” 된다. 그러한 다이는 통상 그것에 강성을 제공할 목적으로 및 다이의 집적회로 또는 마이크로전자 회로와 전자통신할 목적으로 지지 기판에 탑재된다. 최종 패키징은 다이의 캡슐화를 포함할 수도 있고, 결과의 패키지는 그 후 고객에게 수송될 수 있다.
다이 또는 패키지는 고객에게 수송되기 전에 테스트되는 것이 요구된다. 이상적으로, 다이는 초기 단계 제조 동안 발생하는 결함들을 식별할 목적으로 초기 단계에서 테스트되어야 한다. 웨이퍼 레벨 테스팅은 핸들러 및 콘택터에 콘택들을 제공하고, 그 후 웨이퍼상의 콘택들이 콘택터상의 콘택들과 접촉하도록 웨이퍼를 이동시키기 위해 핸들러를 사용함으로써 달성될 수도 있다. 전력 및 전자 신호들은 그 후 웨이퍼에 형성된 마이크로전자 회로들로 및 그것들로부터 콘택터를 통해 제공될 수 있다.
여러 실시형태들에 따르면, 웨이퍼는 실리콘 기판 또는 인쇄 회로 보드와 같은 기판 및 기판에 제조되거나 기판에 탑재된 하나 이상의 디바이스들을 포함한다.
대안적으로, 웨이퍼는 전기 인터페이스 및 서멀 척 (thermal chuck) 을 갖는 휴대용 카트리지 내에 위치될 수 있다. 전력 및 신호들은 웨이퍼의 온도가 서멀 척을 가열하거나 냉각함으로써 열적으로 제어되는 동안 웨이퍼로 및 웨이퍼로부터 전기 인터페이스를 통해 제공될 수 있다.
본 발명은 프레임; 복수의 슬롯 어셈블리들로서, 각각의 슬롯 어셈블리는 프레임에 장착된 슬롯 어셈블리 바디 (body), 슬롯 어셈블리 바디에 장착되고 적어도 하나의 마이크로전자 디바이스를 갖는 각각의 웨이퍼의 배치를 위한 테스팅 스테이션을 형성하는 홀더, 복수의 전기 도체들, 및 각각의 웨이퍼의 온도를 검출하기 위해 각각의 웨이퍼에 근접한 온도 검출기를 포함하는, 상기 복수의 슬롯 어셈블리들; 동작될 때 웨이퍼들로 또는 웨이퍼들로부터 열의 이동를 야기하는 적어도 하나의 온도 변경 디바이스; 온도 검출기들에 의해 검출된 웨이퍼들의 온도들에 기초하여 열의 이동을 제어하는 적어도 하나의 열 제어기; 테스팅 스테이션들 내의 웨이퍼들에 전기 도체들을 통해 연결되고 각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하는 전원 공급 장치; 및 웨이퍼들에 전기 도체들을 통해 연결되고 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정하는 테스터를 포함하는 테스터 장치를 제공한다.
본 발명은 또한 프레임에 장착된 각각의 슬롯 어셈블리의 각각의 홀더에 의해 제공된 각각의 테스팅 스테이션에, 각각 적어도 하나의 마이크로전자 디바이스를 갖는, 복수의 웨이퍼들의 각각의 웨이퍼를 배치하는 단계; 각각의 웨이퍼에 근접한 각각의 온도 검출기로 각각의 웨이퍼의 각각의 온도를 검출하는 단계; 웨이퍼들로 또는 웨이퍼들로부터 열이 이동하는 단계; 온도 검출기들에 의해 검출된 웨이퍼들의 온도들에 기초하여 열의 이동을 제어하는 단계; 및 각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하고 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정함으로써 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 단계를 포함하는 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법을 제공한다.
본 발명은 또한 적어도 제 1 폐쇄 루프 에어 경로를 정의하는 프레임; 제 1 폐쇄 루프 에어 경로를 통해 에어를 재순환시키기 위해 제 1 폐쇄 루프 에어 경로에 위치된 적어도 제 1 팬; 복수의 슬롯 어셈블리들로서, 각각의 슬롯 어셈블리는 프레임에 장착된 슬롯 어셈블리 바디 (body), 슬롯 어셈블리 바디에 장착되고, 적어도 하나의 마이크로전자 디바이스를 갖고 제 1 폐쇄 루프 에어 경로에 유지되는 각각의 웨이퍼의 배치를 위한 테스팅 스테이션을 형성하는 홀더, 및 복수의 전기 도체들을 포함하는, 상기 복수의 슬롯 어셈블리들; 동작될 때 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 에어와 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 온도 변경 디바이스 사이에서 열의 이동을 야기하는, 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 프레임에 장착된 상기 온도 변경 디바이스; 온도를 검출하는 적어도 하나의 온도 검출기; 온도에 기초하여 열의 이동을 제어하는 열 제어기; 테스팅 스테이션들 내의 웨이퍼들에 전기 도체들을 통해 연결되고 각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하는 전원 공급 장치; 및 웨이퍼들에 전기 도체들을 통해 연결되고 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정하는 테스터를 포함하는 테스터 장치를 제공한다.
본 발명은 또한 프레임에 장착된 각각의 슬롯 어셈블리의 각각의 홀더에 의해 제공된 각각의 테스팅 스테이션에, 각각 적어도 하나의 마이크로전자 디바이스를 갖는, 복수의 웨이퍼들의 각각의 웨이퍼를 배치하는 단계로서, 상기 웨이퍼들은 프레임에 의해 정의된 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 내에 유지되는, 상기 각각의 웨이퍼를 배치하는 단계; 제 1 폐쇄 루프 에어 경로를 통해 에어를 재순환시키기 위해 제 1 폐쇄 루프 에어 경로에 위치된 적어도 제 1 팬을 동작시키는 단계; 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 에어와 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 프레임에 장착된 적어도 하나의 온도 변경 디바이스 사이에서 열을 이동시키는 단계; 온도를 검출하는 단계; 온도에 기초하여 열의 이동을 제어하는 단계; 및 각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하고 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정함으로써 마이크로전자 디바이스들을 테스트하는 단계를 포함하는 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법을 제공한다.
본 발명은 또한 프레임; 복수의 슬롯 어셈블리들로서, 각각의 슬롯 어셈블리는 프레임에 장착된 슬롯 어셈블리 바디 (body), 슬롯 어셈블리 바디에 장착되고 적어도 하나의 마이크로전자 디바이스를 갖는 각각의 웨이퍼의 배치를 위한 테스팅 스테이션을 형성하는 홀더, 복수의 전기 도체들, 및 각각의 웨이퍼의 온도를 검출하기 위해 각각의 웨이퍼에 근접한 온도 검출기를 포함하는, 상기 복수의 슬롯 어셈블리들; 동작될 때 웨이퍼들로 또는 웨이퍼들로부터 열의 이동를 야기하는 적어도 하나의 온도 변경 디바이스; 및 각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하고 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정함으로써 마이크로전자 디바이스들을 테스트하기 위해 테스팅 스테이션들 내의 웨이퍼들에 전기 도체들을 통해 연결된 테스터로서, 슬롯 어셈블리들 중 제 1 슬롯 어셈블리의 도체들 중 적어도 하나는 전력에 연결되는 웨이퍼들의 제 2 웨이퍼로 또는 제 2 웨이퍼로부터 열을 이동시키면서 웨이퍼들의 제 1 웨이퍼와 전력 사이에 연결가능한, 상기 테스터를 포함하는 테스터 장치를 제공한다.
본 발명은 또한 프레임에 장착된 각각의 슬롯 어셈블리의 각각의 홀더에 의해 제공된 각각의 테스팅 스테이션에, 각각 적어도 하나의 마이크로전자 디바이스를 갖는, 복수의 웨이퍼들의 각각의 웨이퍼를 배치하는 단계; 각각의 웨이퍼에 근접한 각각의 온도 검출기로 각각의 웨이퍼의 각각의 온도를 검출하는 단계; 웨이퍼들로 또는 웨이퍼들로부터 열을 전달하는 단계; 각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하고 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정함으로써 마이크로전자 디바이스들을 테스트하는 단계; 및 전력에 연결되는 웨이퍼들의 제 2 웨이퍼로 또는 제 2 웨이퍼로부터 열을 전달하면서 웨이퍼들의 제 1 웨이퍼와 전력 사이에 슬롯 어셈블리들 중 제 1 슬롯 어셈블리의 도체들 중 적어도 하나를 연결하는 단계를 포함하는 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법을 제공한다.
본 발명은 첨부하는 도면들을 참조하여 예시로써 더욱 기술된다.
도 1 은 본 발명의 하나의 실시형태에 따른 슬롯 어셈블리들을 갖는 테스터 장치의 측단면도이다.
도 2 는 도 1 의 2-2 상의 테스터 장치의 측단면도이다.
도 3 은 도 1 의 3-3 상의 테스터 장치의 측단면도이다.
도 4 는 도 2 및 도 3 의 4-4 상의 테스터 장치의 측단면도이다.
도 5a 는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 슬롯 어셈블리를 갖는 테스터 장치의 측단면도이다.
도 5b 및 도 5c 는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 슬롯 어셈블리를 갖는 테스터 장치의 측단면도들이다.
도 6a, 도 6b 및 도 6c 는 프레임에 의해 정의된 오븐 내로 또는 밖으로 휴대용 카트리지들의 삽입 또는 제거를 예시하는 테스터 장치의 사시도들이다.
도 7 은 하나의 카트리지가 웨이퍼들의 전자 디바이스들을 테스트하기 위해 삽입되고 사용될 수 있는 방법 및 다른 카트리지의 후속적인 삽을 보여주는 타임 챠트이다.
도 8 은 하나의 슬롯 어셈블리의 삽입 또는 제거를 예시하는 테스터 장치의 사시도이다.
도 1 은 테스터 (12), 프레임 (14), 전력 버스 (16), 제 1 및 제 2 슬롯 어셈블리들 (18A 및 18B), 제 1 및 제 2 테스터 인터페이스들 (20A 및 20B), 제 1 및 제 2 전력 인터페이스들 (22A 및 22B), 제 1 및 제 2 가압화된 에어 인터페이스들 (24A 및 24B), 제 1 및 제 2 진공 인터페이스들 (26A 및 26B), 제 1 및 제 2 카트리지들 (28A 및 28B), 및 제 1 및 제 2 웨이퍼들 (30A 및 30B) 을 포함하는, 본 발명의 하나의 실시형태에 따른, 테스터 장치 (10) 를 도시하는 첨부 도면이다.
슬롯 어셈블리 (18A) 는 슬롯 어셈블리 바디 (32), 서멀 척 (34), 온도 검출기 (36), 가열 엘리먼트 (38) 의 형태의 온도 변경 디바이스, 냉각 엘리먼트 (39), 제 1 슬롯 어셈블리 인터페이스(40), 및 제어 인터페이스 (44), 전력 인터페이스 (46) 및 진공 인터페이스 (48) 를 포함하는 복수의 제 2 슬롯 어셈블리 인터페이스들을 포함한다.
제 1 슬롯 어셈블리 인터페이스(40) 는 슬롯 어셈블리 바디 (32) 내에 위치되고 슬롯 어셈블리 바디 (32) 에 장착된다. 제어 인터페이스 (44), 전력 인터페이스 (46) 및 진공 인터페이스 (48) 의 형태의 제 2 인터페이스들은 프레임 (14) 에 장착된 슬롯 어셈블리 바디 (32) 의 좌측 벽에 장착된다.
슬롯 어셈블리 (18A) 는 프레임 (14) 내로 삽입가능하고 프레임 (14) 으로부터 제거가능하다. 슬롯 어셈블리 (18A) 가 프레임 (14) 내로 삽입될 때, 테스터 인터페이스 (20A), 전력 인터페이스 (22A) 및 제 1 진공 인터페이스 (26A) 는 각각 제어 인터페이스 (44), 전력 인터페이스 (46) 및 진공 인터페이스 (48) 에 연결된다. 슬롯 어셈블리 (18A) 가 프레임 (14) 으로부터 제거될 때, 테스터 인터페이스 (20A), 전력 인터페이스 (22A) 및 제 1 진공 인터페이스 (26A) 는 제어 인터페이스 (44), 전력 인터페이스 (46) 및 진공 인터페이스 (48) 로부터 연결 해제된다.
슬롯 어셈블리 (18A) 는 테스트 일렉트로닉스를 갖는 마더보드 (60), 테스트 일렉트로닉스를 갖는 복수의 채널 모듈 보드들 (62), 유연성 커넥터들 (64), 및 연결 보드 (66) 를 포함한다. 제어 인터페이스 (44) 및 전력 인터페이스 (46) 는 마더보드 (60) 에 연결되고, 열 제어기 (50) 는 마더보드 (60) 에 장착된다. 채널 모듈 보드들 (62) 은 마더보드 (60) 에 전기적으로 연결된다. 유연성 커넥터들 (64) 은 연결 보드 (66) 에 채널 모듈 보드들 (62) 을 연결한다. 제어 기능성이 마더보드 (60) 에 제어 인터페이스 (44) 를 연결하는 전기 도체들을 통해 제공된다. 전력은 마더보드 (60) 에 전력 인터페이스 (46) 를 통해 제공된다. 전력 및 제어 양자 모두가 마더보드 (60) 로부터 도체들을 통해 채널 모듈 보드들 (62) 로 제공된다. 유연성 커넥터들 (64) 은 연결 보드 (66) 에 채널 모듈 보드들 (62) 을 연결하는 도체들을 제공한다. 연결 보드 (66) 는 제 1 슬롯 어셈블리 인터페이스 (40) 로 유연성 커넥터들 (64) 을 연결하는 도체를 포함한다. 이러한 제 1 슬롯 어셈블리 인터페이스 (40) 는 따라서 전력 및 제어가 제 1 슬롯 어셈블리 인터페이스 (40) 로 제어 인터페이스 (44) 및 전력 인터페이스 (46) 를 통해 제공될 수 있도록 제어 인터페이스 (44) 및 전력 인터페이스 (46) 에 여러 도체들을 통해 연결된다.
제 2 슬롯 어셈블리 (18B) 는 제 1 슬롯 어셈블리 (18A) 와 유사한 컴포넌트들을 포함하고, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 나타낸다. 제 2 슬롯 어셈블리 (18B) 는 제 2 슬롯 어셈블리 (18B) 의 제어 인터페이스 (44), 전력 인터페이스 (46) 및 진공 인터페이스 (48) 가 각각 테스터 인터페이스 (20B), 전력 인터페이스 (22B) 및 제 2 진공 인터페이스 (26B) 에 연결되도록 프레임 (14) 내로 삽입된다.
카트리지 (28A) 는 얇은 척 (72) 및 백킹 보드 (74) 에 의해 형성된 카트리지 바디 (70) 를 포함한다. 온도 검출기 (36) 는 얇은 척 (72) 에 위치된다. 웨이퍼 (30A) 는 그 안에 형성된 복수의 마이크로전자 디바이스들을 갖는다. 웨이퍼 (30A) 는 얇은 척 (72) 과 백킹 보드 (74) 사이의 카트리지 바디 (70) 내로 삽입된다. 카트리지 콘택들 (76) 은 웨이퍼 (30A) 상의 각각의 콘택들 (미도시) 과 접촉한다. 카트리지 (28A) 는 백킹 보드 (74) 상의 카트리지 인터페이스 (78) 를 더 포함한다. 백킹 보드 (74) 내의 도체들은 카트리지 인터페이스 (78) 를 카트리지 콘택들 (76) 에 연결한다.
카트리지 (28A) 는 백킹 보드 (74) 와 얇은 척 (72) 사이에 연결된 시일 (77) 을 갖는다. 진공은 시일 (77), 백킹 보드 (74) 및 얇은 척 (72) 에 의해 정의된 영역에 적용된다. 진공은 카트리지 (28A) 를 함께 유지하고 카트리지 콘택들 (76) 과 웨이퍼 (30A) 상의 콘택들 사이의 적당한 접촉을 보장한다. 온도 검출기 (36) 는 웨이퍼 (30A) 에 근접하여 있고, 따라서 웨이퍼 (30A) 의 온도를 검출하기 위해 또는 웨이퍼 (30A) 의 섭씨 5 도 내, 바람직하게는 섭씨 1 도 또는 2 도 내를 검출하기 위해 웨이퍼 (30A) 에 충분히 가깝다.
슬롯 어셈블리 (18A) 는 힌지 (84) 에 의해 슬롯 어셈블리 바디 (32) 에 연결된 도어 (82) 를 더 갖는다. 도어 (82) 가 개방 위치로 회전될 때, 카트리지 (28A) 는 슬롯 어셈블리 바디 (32) 내로 도어 개구 (86) 를 통해 삽입될 수 있다. 카트리지 (28A) 는 그 후 서멀 척 (34) 상으로 하강되고 도어 (82) 가 폐쇄된다. 슬롯 어셈블리 (18A) 는 서멀 척 (34) 과 얇은 척 (72) 사이에 위치되는 시일 (88) 을 더 갖는다. 진공이 시일 (88), 서멀 척 (34) 및 얇은 척 (72) 에 의해 정의된 영역으로 진공 인터페이스 (48) 및 진공 라인 (90) 을 통해 적용된다. 서멀 척 (34) 은 그 후 본질적으로 웨이퍼를 위한 테스팅 스테이션을 갖는 홀더를 형성한다. 서멀 척 (34) 은 슬롯 어셈블리 바디 (32) 에 장착된다. 양호한 열적 연결이 이것에 의해 서멀 척 (34) 과 얇은 척 (72) 사이에 제공된다. 열이 가열 엘리먼트 (38) 에 의해 생성될 때, 그 열은 서멀 척 (34) 및 얇은 척 (72) 을 통해 전도되어 웨이퍼 (30A) 에 도달한다.
카트리지 인터페이스 (78) 는 제 1 슬롯 어셈블리 인터페이스 (40) 와 맞물린다. 전력 및 신호들이 제 1 슬롯 어셈블리 인터페이스 (40), 카트리지 인터페이스 (78) 및 카트리지 콘택들 (76) 을 통해 웨이퍼 (30A) 로 제공된다. 웨이퍼 (30A) 내의 디바이스들의 성능은 카트리지 콘택들 (76), 카트리지 인터페이스 (78) 및 제 1 슬롯 어셈블리 인터페이스 (40) 를 통해 측정된다.
슬롯 어셈블리 (18B) 의 도어 (82) 는 폐쇄된 위치에 도시된다. 전방 시일 (100) 은 슬롯 어셈블리 (18A) 의 상부 표면상에 장착되고 슬롯 어셈블리 (18B) 의 하부 표면과 함께 밀봉한다. 전방 시일 (102) 은 슬롯 어셈블리 (18B) 의 상부 표면에 장착되고 프레임 (14) 의 하부 표면과 함께 밀봉한다. 연속적인 밀봉된 전방 벽 (104) 은 슬롯 어셈블리들 (18A 및 18B) 의 도어들 (82) 및 전방 시일들 (100 및 102) 에 의해 제공된다.
슬롯 어셈블리 (18A) 는 열 제어기 (50) 를 더 포함한다. 온도 검출기 (36) 는 열 제어기 (50) 에 온도 피드백 라인 (52) 을 통해 연결된다. 전력은 가열 엘리먼트 (38) 가 뜨거워지도록 가열 엘리먼트 (38) 에 전력 인터페이스 (46) 및 전력 라인 (54) 을 통해 제공된다. 가열 엘리먼트 (38) 는 서멀 척 (34) 및 서멀 척 (34) 상의 웨이퍼 (30A) 를 가열한다. 냉각 엘리먼트 (39) 는 가열 엘리먼트 (38) 에 대해 위치되고, 예를 들어, 웨이퍼 및 서멀 척 (34) 으로부터 이동되는 열의 양을 제어하기 위해 제어가능한 레이트로 그것을 통해 흐르는 액체를 갖는 냉각 엘리먼트 바디일 수도 있다. 가열 엘리먼트 (38) 및 냉각 엘리먼트 (39) 는 온도 검출기 (36) 에 의해 검출된 온도에 기초하여 열 제어기 (50) 에 의해 제어된다.
슬롯 어셈블리 (18A) 는 슬롯 어셈블리 바디 (32) 의 상부 표면에 그것의 내부 벽 (106) 위에 장착된 세퍼레이터 시일 (108) 을 포함한다. 세퍼레이터 시일 (108) 은 슬롯 어셈블리 (18B) 의 하부 표면과 함께 밀봉한다. 슬롯 어셈블리 (18B) 는 그것의 슬롯 어셈블리 바디 (32) 의 상부 표면에 장착된 세퍼레이터 시일 (110) 을 갖는다. 세퍼레이터 시일 (108) 은 프레임 (14) 의 하부 표면과 함께 밀봉한다. 연속적인 밀봉된 세퍼레이터 벽 (112) 이 슬롯 어셈블리들 (18A 및 18B) 의 내부 벽들 (106) 및 세퍼레이터 시일들 (108 및 110) 에 의해 제공된다.
도 2 는 도 1 의 2-2 상의 테스터 장치 (10) 를 도시한다. 프레임 (14) 은 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 (120) 를 정의한다. 에어 입구 및 출구 개구들 (미도시) 은 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 (120) 를 개방된 에어 경로로 변경하기 위해 개방될 수 있으며, 여기서 실온에서의 에어가 재순환되지 않고 프레임 (14) 을 통과한다. 폐쇄된 루프 경로는 그것이 에어로 방출되는 더 적은 입자 물질을 야기하기 때문에 깨끗한 실내 환경에서 특히 유용하다.
테스터 장치 (10) 는 제 1 팬 (122), 제 1 팬 모터 (124), 수랭식 냉각기 (126) 의 형태의 온도 변경 디바이스, 전기 가열기 (128) 의 형태의 온도 변경 디바이스, 댐퍼 (130), 댐퍼 액츄에이터 (132) 및 열 제어기 (134) 를 더 포함한다.
제 1 팬 (122) 및 제 1 팬 모터 (124) 는 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 (120) 의 상부 부분에 장착된다. 댐퍼 (130) 는 업 위치 및 다운 위치 사이의 선회적 이동을 위해 프레임 (14) 에 장착된다. 수랭식 냉각기 (126) 및 전기 가열기 (128) 는 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 (120) 의 상부 부분 내에서 프레임 (14) 에 장착된다.
댐퍼 액츄에이터 (132) 는 업 위치와 다운 위치 사이에서 댐퍼를 회전시키기 위해 댐퍼 (130) 에 연결된다. 열 제어기 (134) 는 댐퍼 액츄에이터 (132) 의 동작 및 전기 가열기 (128) 에 제공되는 전류를 제어한다. 열 제어기 (134) 는 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 (120) 내에 위치된 에어 온도 측정 디바이스 (140) 로부터의 입력을 수신한다. 블록 (142) 에 의해 표시되는 바와 같이, 열 제어기 (134) 에 의해 설정되는 에어 온도 설정 포인트는 다음의 모두의 함수이다:
1) (사용자에 의해 프로그래밍되는) 수온 설정 포인트;
2) 도 1 의 온도 검출기들 (36) 에 의한 슬롯 온도 측정으로부터의 동적 피드백;
3) 주로 웨이퍼 전력 (wattage) 의 함수일 수 있는 교정가능한 열전쌍 변동들 및 온도 강하들인, 웨이퍼 온도로부터 감지된 웨이 온도까지의 고정된 오프셋들; 및
4) 웨이퍼 전력.
카트리지들 (28A 및 28B) 은 슬롯 어셈블리들 (18A 및 18B) 과 함께 위치되고 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 (120) 의 하부 절반 내에 존재한다.
사용 시, 전류가 제 1 팬 모터 (124) 로 제공된다. 제 1 팬 모터 (124) 는 제 1 팬 (122) 을 회전시킨다. 제 1 팬 (122) 은 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 (120) 를 통해 시계방향으로 에어를 재순환시킨다.
열 제어기 (134) 는 온도 측정 디바이스 (140) 로부터의 온도를 수신한다. 열 제어기 (134) 는 미리 결정된 세팅에서 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 (120) 내의 에어의 온도를 유지하도록 설정된다. 에어가 가열되어야 하는 경우, 열 제어기 (134) 는 업 위치로 댐퍼 (130) 를 회전시키기 위해 댐퍼 액츄에이터 (132) 를 활성화한다. 에어는 전기 가열기 (128) 를 향해 수랭식 냉각기 (126) 로부터 멀리 편향된다. 전기 가열기 (128) 는 그 후 에어를 가열한다.
제 1 폐쇄 루프 에어 경로 (120) 내의 에어가 냉각되어야 하는 경우, 열 제어기 (134) 는 전기 가열기 (128) 상의 전류를 감소시키고 다운 위치로 댐퍼 (130) 를 회전시키기 위해 댐퍼 액츄에이터 (132) 를 회전시킨다. 다운 위치에서, 댐퍼 (130) 는 대부분의 에어가 수랭식 냉각기 (126) 의 열 교환기를 통해 흐르도록 전기 가열기 (128) 로부터 멀리 에어를 편향시킨다. 수랭식 냉각기 (126) 는 그 후 에어를 냉각한다. 에어는 그 후 카트리지들 (28A 또는 28B) 상으로 슬롯 어셈블리들 (18A 및 18B) 을 통해 흐른다. 카트리지들 (28A 또는 28B) 은 그 후 대류를 통해 에어에 의해 가열되거나 냉각된다.
도 3 은 도 1 의 3-3 상의 테스터 장치 (10) 를 도시한다. 프레임 (14) 은 제 2 폐쇄 루프 에어 경로 (150) 를 정의한다. 테스터 장치 (10) 는 제 2 팬 (152), 제 2 팬 모터 (154), 및 수랭식 냉각기 (156) 의 형태의 온도 변경 디바이스를 더 포함한다. 전기 가열기 또는 댐퍼는 도 2 에서와 같이 제공되지 않는다. 에어 입구 및 출구 개구들 (미도시) 은 제 2 폐쇄 루프 에어 경로 (150) 를 개방된 에어 경로로 변경하기 위해 개방될 수 있으며, 여기서 실온에서의 에어가 재순환되지 않고 프레임 (14) 을 통과한다.
폐쇄된 루프 경로는 그것이 에어로 방출되는 더 적은 입자 물질을 야기하기 때문에 깨끗한 실내 환경에서 특히 유용하다. 제 2 팬 (152) 및 제 2 팬 모터 (154) 는 제 2 폐쇄 루프 에어 경로 (150) 의 상부 부분에 위치된다. 수랭식 냉각기 (156) 는 제 2 폐쇄 루프 에어 경로 (150) 내의 제 2 팬 (152) 으로부터 약간 하류에 위치된다. 슬롯 어셈블리들 (18A 및 18B) 의 부분을 형성하는 마더보드 (60) 및 채널 모듈 보드들 (62) 은 제 2 폐쇄 루프 에어 경로 (150) 의 하부 절반 내에 위치된다.
사용 시, 전류가 제 2 팬 모터 (154) 로 제공되며, 제 2 팬 모터 (154) 는 제 2 팬 (152) 을 회전시킨다. 제 2 팬 (152) 은 그 후 제 2 폐쇄 루프 에어 경로 (150) 를 통해 시계방향으로 에어를 재순환시킨다. 에어는 수랭식 냉각기 (156) 에 의해 냉각된다. 냉각된 에어는 그 후 열이 마더보드 (60) 및 채널 모듈 보드들 (62) 로부터 에어로 대류를 통해 이동하도록 마더보드 (60) 및 채널 모듈 보드들 (62) 을 통해 지나간다.
도 1 에서 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 (120) 를 통해 재순환하는 에어는 도 1 에 도시된 연속적인 밀봉된 세퍼레이터 벽 (112) 에 의해 도 3 에서의 제 2 폐쇄 루프 에어 경로 (150) 에서의 에어로부터 분리되어 유지된다. 도 1 에 도시된 연속적인 밀봉된 전방 벽 (104) 은 에어가 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 (120) 밖으로 달아나는 것을 방지한다.
도 4 에 도시된 바와 같이, 플리넘 (160) 은 연속적인 밀봉된 세퍼레이터 벽 (112) 에 의해 제공된 영역들을 제외하고 모든 영역들에서 제 2 폐쇄 루프 에어 경로 (150) 로부터 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 (120) 를 분리한다. 프레임 (14) 은 폐쇄 루프 에어 경로들 (120 및 150) 을 더욱 정의하는 좌측 및 우측 벽들 (162 및 164) 을 갖는다.
도 5a 는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 슬롯 어셈블리 (218) 를 갖는 테스터 장치 (210) 를 도시한다. 슬롯 어셈블리 (218) 는 도 1 에 도시된 가열 엘리먼트 (38) 와 유사한 방식으로 동작하는 가열 저항기 (220) 를 포함한다. 가열 저항기 (220) 는 서멀 척 (222) 내에 위치된다. 서멀 척 (222) 은 그 안에 형성된 열 유체 통로 (224) 를 갖는다. 열 유체 통로 (224) 는 열 유체를 유지한다. 열 유체는 바람직하게는 액체가 압축가능하지 않고 열이 액체로 또는 액체로부터 더 빠르게 대류하기 때문에 기체와는 대조적으로 액체이다. 상이한 열 유체들이 상이한 애플리케이션들에 대해 사용되며, 오일이 온도들이 가장 높은 애플리케이션들에 대해 사용된다.
열 유체 통로 (224) 의 대향하는 단부들은 제 1 및 제 2 실린더들 (226 및 228) 에 연결된다. 슬롯 어셈블리 (218) 는 에어 압력 인터페이스 (230) 및 기압식 스위치 (232) 를 포함한다. 에어 압력 인터페이스 (230) 는 테스터 장치 (10) 의 프레임 (14) 상의 가압화된 에어 인터페이스 (24A) 에 연결된다.
주위 압력 위에서의 에어 압력이 제 1 실린더 (226) 또는 제 2 실린더 (228) 로 기압식 스위치 (232) 를 통해 제공된다. 가압화된 에어가 제 1 실린더 (226) 로 제공될 때, 제 1 실린더 (226) 는 열 유체 통로 (224) 를 통해 하나의 방향으로 열 유체를 푸시하는 열 유체 액츄에이터로서 작용한다. 제 2 실린더 (228) 는 그 후 열 유체를 수용한다. 에어 압력이 제 2 실린더 (228) 로 기압식 스위치 (232) 를 통해 제공될 때, 제 2 실린더 (228) 는 열 유체 통로 (224) 를 통해 반대 방향으로 열 유체를 푸시하고 제 1 실린더 (226) 는 열 유체를 수용한다. 기압식 스위치 (232) 는 계속적으로 그것의 위치를 교대하여 열 유체가 계속적으로 열 유체 통로 (224) 를 통한 그것의 이동의 방향을 교대하도록 한다. 가열 저항기 (220) 는 열 유체를 가열하는 서멀 척 (222) 을 가열하는 위치에 장착되는 가열기로서 작용한다. 열 유체 통로 (224) 를 통해 열 유체를 재순환시킴으로써, 열의 더 균일한 분포가 서멀 척 (34) 에 및 궁극적으로 웨이퍼 (30A) 에 서멀 척 (222) 에 의해 제공된다.
도 5b 는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 슬롯 어셈블리 (242) 를 갖는 테스터 장치 (240) 를 도시한다. 슬롯 어셈블리 (242) 는 도 5a 의 실시형태에서와 같이 열 유체 통로 (224), 실린더들 (226 및 228), 기압식 스위치 (232) 및 에어 압력 인터페이스 (230) 를 갖는다. 도 5a 의 실시형태에서의 가열 저항기 (220) 는 제 1 실린더 (226) 를 열 유체 통로 (224) 에 연결하는 라인 (246) 에 근접하여 또는 라인 (246) 주위에 서멀 척 (222) 외부에 위치된 가열 저항기 (244) 와 함께 배치된다. 가열 저항기 (244) 는 라인 (246) 내의 열 유체를 계속적으로 가열하기 위해 사용된다. 열 유체의 더 직접적인 가열이 도 5a 의 실시형태에서보다 도 5b 의 실시형태에서 제공된다.
도 5c 는 냉각 엘리먼트 (320) 의 포함을 제외하고 도 5a 의 슬롯 어셈블리 (218) 와 유사한 슬롯 어셈블리 (318) 를 갖는 테스터 장치 (340) 를 도시한다. 냉각 엘리먼트는 열 유체 통로 (224) 와 일직선상에 있다. 사용 시, 열은 열 유체 통로 (224) 내의 열 유체로 이동한다. 가열된 열 유체는 그 후 냉각 엘리먼트 (320) 로 흐른다. 냉각 엘리먼트는 열이 냉각 엘리먼트 (320) 를 통해 전도하고 그 후 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 (120) 내의 에어로 대류하도록 도 2 에서 제 1 폐쇄 루프 에어 경로 (120) 내에 위치된다. 냉각된 열 유체는 그 후 제 1 및 제 2 실린더들 (226 및 228) 을 통해 열 유체 통로 (224) 로 흐른다.
도 6a, 도 6b 및 도 6c 는 모든 다른 카트리지들이 웨이퍼들의 디바이스들을 테스트하기 위해 사용되고 있고 온도 램프들의 여러 상태들에 있을 수도 있는 동안 카트리지들 (30C, 30D 및 30E) 이 임의의 사간에 삽입되거나 제거될 수 있는 방법을 도시한다. 도 7 은 그 개념을 더 상세하게 예시한다. 시간 (T1) 에서, 제 1 카트리지는 프레임 (14) 내로 삽입되는 반면, 제 2 카트리지는 프레임 (14) 외부에 있다. T1 에서, 제 1 카트리지의 가열이 개시된다. T1 과 T2 사이에서, 제 1 카트리지의 온도는 실온, 즉 약 22℃ 로부터, T2 에서 실온보다 높은 50℃ 내지 150℃ 인 테스팅 온도까지 증가한다. T2 에서, 전력이 제 1 카트리지에 인가되고 제 1 카트리지 내의 디바이스들이 테스트된다. T3 에서, 제 2 카트리지가 프레임 (14) 내로 삽입되고 제 2 카트리지의 가열이 개시된다. T4 에서, 제 1 카트리지의 테스팅이 종료된다. T4 에서, 제 1 카트리지의 냉각이 또한 개시된다. T5 에서, 제 2 카트리지는 테스팅 온도에 도달하고 전력이 제 2 카트리지로 제공되며, 제 2 카트리지 내의 웨이퍼가 테스트된다. T6 에서, 제 2 카트리지는 실온에 가까운 온도에 도달하고 프레임 (14) 으로부터 제거된다. 제 3 카트리지는 그 후 제 1 카트리지를 대신하여 삽입될 수 있다. T7 에서, 제 2 카트리지의 테스팅이 종료되고 그것의 냉각이 개시된다. T8 에서, 제 2 카트리지는 실온까지 또는 실온에 근접하여 냉각되었고 프레임 (14) 으로부터 제거된다.
상이한 테스트들이 상이한 온도들에서 행해질 수 있다. 예로써, 카트리지가 삽입될 수도 있고 테스트가 실온에서 실행될 수도 있다. 다른 테스트가 온도에서의 상향 램프 동안 행해질 수 있다. 다른 테스트가 상승된 온도에서 행해질 수 있다. 추가의 테스트가 온도에서의 하향 램프 동안 행해질 수 있다. 이들 테스트들 중 2 개 테스트는 하나의 온도 스테이지로부터 다음의 온도 스테이지까지 실행하는 단일의 테스트일 수 있다.
도 8 에 도시된 바와 같이, 하나의 슬롯 어셈블리 (18A) 가 제거되거나 프레임 (14) 내로 삽입될 수 있다. 슬롯 어셈블리 (18A) 는 프레임 (14) 내의 다른 슬롯 어셈블리들이 도 7 을 참조하여 기술된 바와 같이 웨이퍼들의 디바이스들을 테스팅하기 위해 사용되는 동안 삽입되거나 제거될 수 있다.
소정의 예시적인 실시형태들이 기술되고 첨부하는 도면들에서 도시되었지만, 그러한 실시형태들은 단지 예시적이고 본 발명을 제한하지 않는다는 것, 및 변경들이 본 기술분야에서 통상의 기술자들에게 발생할 수도 있기 때문에 본 발명은 도시되고 기술된 특정의 구성들 및 배열들에 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다.

Claims (78)

  1. 테스터 장치로서,
    복수의 카트리지들로서, 각각의 카트리지는,
    각각의 웨이퍼를 유지하는 카트리지 바디 (body),
    상기 웨이퍼상의 콘택들과 접촉하기 위한, 상기 카트리지 바디에 의해 유지된 복수의 카트리지 콘택들, 및
    상기 카트리지 콘택들에 연결된 카트리지 인터페이스
    를 포함하는, 상기 복수의 카드리지들;
    프레임;
    복수의 슬롯 어셈블리들로서, 각각의 슬롯 어셈블리는,
    상기 프레임에 장착된 슬롯 어셈블리 바디,
    상기 슬롯 어셈블리 바디에 장착되는 서멀 척,
    상기 슬롯 어셈블리 바디에 장착되는 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스로서, 각각의 카트리지는, 각각의 카트리지 바디가 상기 각각의 서멀 척과 접촉하면서 각각의 슬롯 어셈블리 바디 내로 각각의 웨이퍼와 함께 삽입가능하며, 각각의 카트리지 인터페이스는 상기 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스와 연결되는, 상기 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스, 및
    상기 서멀 척에 의해 유지된 적어도 하나의 온도 변경 디바이스로서, 상기 적어도 하나의 온도 변경 디바이스는, 동작될 때, 각각의 카트리지 바디를 통하여 상기 각각의 서멀 척과 각각의 웨이퍼 사이의 열의 이동을 야기하는, 상기 적어도 하나의 온도 변경 디바이스
    을 포함하는, 상기 복수의 슬롯 어셈블리들;
    복수의 전기 도체들;
    복수의 온도 검출기들로서, 각각의 온도 검출기는, 상기 각각의 웨이퍼의 온도를 나타내는 온도를 검출하기 위해 각각의 웨이퍼에 근접하게 장착된, 상기 복수의 온도 검출기들;
    상기 온도 검출기들에 의해 검출된 온도들에 기초하여 상기 온도 변경 디바이스에 의한 열의 상기 이동을 제어하는 적어도 하나의 열 제어기;
    상기 웨이퍼들에 상기 전기 도체들을 통해 연결되고 각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하는 전원 공급 장치; 및
    상기 웨이퍼들에 상기 전기 도체들을 통해 연결된 테스터를 포함하는, 테스터 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 온도 변경 디바이스는 가열 엘리먼트인, 테스터 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 온도 변경 디바이스는, 열 유체가 이동가능한, 상기 서멀 척 에서의 열 유체 통로를 포함하는, 테스터 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 열 유체 통로를 통해 상기 열 유체를 이동시키는 열 유체 액츄에이터를 더 포함하는, 테스터 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 열 유체를 가열하기 위해 소정 위치에 장착되는 가열기를 더 포함하는, 테스터 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 가열기는 상기 서멀 척에 위치되는, 테스터 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 가열기는 상기 서멀 척 외부에 위치되는, 테스터 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    복수의 카트리지들을 더 포함하고,
    각각의 카트리지는,
    각각의 웨이퍼를 유지하는 카트리지 바디;
    상기 웨이퍼상의 콘택들과 접촉하기 위한 상기 카트리지 바디에 유지된 복수의 카트리지 콘택들;
    상기 카트리지 콘택들에 연결된 카트리지 인터페이스; 및
    복수의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스들을 포함하며,
    각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스는 상기 슬롯 어셈블리들 중의 각각의 슬롯 어셈블리에 위치되고,
    각각의 카트리지는 상기 프레임 내로 각각의 웨이퍼와 함께 삽입가능하며,
    각각의 카트리지 인터페이스는 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스와 연결되는, 테스터 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    복수의 테스터 인터페이스들; 및
    복수의 제2 슬롯 어셈블리 인터페이스들을 더 포함하고,
    각각의 제2 슬롯 어셈블리 인터페이스는 상기 슬롯 어셈블리들 중의 각각의 슬롯 어셈블리에 위치되고,
    각각의 슬롯 어셈블리는 상기 프레임 내로 삽입가능하며,
    각각의 제2 슬롯 어셈블리 인터페이스는 각각의 테스터 인터페이스와 연결되는, 테스터 장치.
  10. 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법으로서,
    각각의 카트리지의 각각의 카트리지 바디에, 각각 적어도 하나의 마이크로전자 디바이스를 갖는, 복수의 웨이퍼들의 각각의 웨이퍼를 배치하는 단계;
    프레임에 장착된 각각의 슬롯 어셈블리의 각각의 서멀 척에 의해 제공되는 각각의 테스팅 스테이션에, 각각의 카트리지를 배치하는 단계;
    상기 각각의 웨이퍼에 근접한 각각의 온도 검출기로 상기 각각의 웨이퍼의 온도를 나타내는 각각의 온도를 검출하는 단계;
    각각의 서멀 척에 의해 유지된 각각의 온도 변경 디바이스의 온도를 변경함으로써, 각각의 카트리지 바디를 통하여 상기 각각의 상기 서멀 척과 상기 각각의 웨이퍼 사이의 열을 이동시키는 단계;
    상기 온도 검출기들에 의해 검출된 온도들에 기초하여 열의 상기 이동을 제어하는 단계; 및
    각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하고 상기 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정함으로써 상기 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 단계를 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 온도 변경 디바이스는 가열 엘리먼트인, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 온도 변경 디바이스는 상기 서멀 척에서의 열 유체 통로이고,
    상기 열 유체 통로를 통하여 열 유체를 흐르게 하는 단계; 및
    열 유체와 상기 서멀 척 사이에서 열을 이동시키기 위해 상기 서멀 척 내의 열 유체 통로를 통해 열 유체를 이동시키는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 열 유체를 이동시키기 위해 열 유체 액츄에이터를 동작시키는 단계를더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    가열기로 상기 열 유체를 가열하는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 가열기는 상기 서멀 척에 위치되는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 가열기는 상기 서멀 척 외부에 위치되는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  17. 제 10 항에 있어서,
    복수의 카트리지들의 각각의 카트리지에 복수의 웨이퍼들의 각각을 유지하는 단계;
    상기 각각의 카트리지의 카트리지 바디에 의해 유지된 복수의 카트리지 콘택들과 상기 각각의 웨이퍼상의 콘택들 사이에 접촉을 행하는 단계;
    상기 프레임 내로 각각의 웨이퍼를 갖는 각각의 카트리지를 삽입하는 단계; 및
    각각의 별개의 카트리지상의 각각의 카트리지 인터페이스를 상기 각각의 슬롯 어셈블리상의 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스와 연결하는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 프레임 내로 각각의 슬롯 어셈블리를 삽입하는 단계;
    각각의 별개의 슬롯 어셈블리상의 각각의 제2 슬롯 어셈블리 인터페이스를 각각의 테스터 인터페이스와 연결하는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  19. 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법으로서,
    프레임에 장착된 각각의 슬롯 어셈블리의 각각의 홀더에 의해 제공되는 각각의 테스팅 스테이션에, 각각 적어도 하나의 마이크로전자 디바이스를 갖는, 복수의 웨이퍼들의 각각의 웨이퍼를 배치하는 단계;
    상기 각각의 웨이퍼에 근접한 각각의 온도 검출기로 상기 각각의 웨이퍼의 온도를 나타내는 각각의 온도를 검출하는 단계;
    상기 웨이퍼들로 또는 상기 웨이퍼들로부터 열을 이동시키는 단계;
    상기 온도 검출기들에 의해 검출된 온도들에 기초하여 열의 상기 이동을 제어하는 단계; 및
    각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하고 상기 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정함으로써 상기 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 단계로서, 상기 웨이퍼들 중 하나의 온도가 올라가는 동안 상기 웨이퍼들 중 다른 하나의 온도는 내려가는, 상기 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 단계를 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  20. 테스터 장치로서,
    적어도 제1 폐쇄 루프 에어 경로를 정의하는 프레임;
    상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로를 통해 에어를 재순환시키기 위해 상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로에 위치된 적어도 제1 팬;
    복수의 슬롯 어셈블리들로서, 각각의 슬롯 어셈블리는,
    상기 프레임에 장착된 슬롯 어셈블리 바디 (body);
    상기 슬롯 어셈블리 바디에 장착되고, 적어도 하나의 마이크로전자 디바이스를 갖고 상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로에 유지되는 각각의 웨이퍼의 배치를 위한 테스팅 스테이션을 형성하는 홀더;
    상기 웨이퍼의 온도를 검출하는 적어도 하나의 온도 검출기;
    상기 각각의 슬롯 어셈블리의 상기 테스팅 스테이션에 배치된 상기 웨이퍼의 상기 온도에 기초하여 열의 이동을 제어하는 열 제어기; 및
    복수의 전기 도체들을 포함하는, 상기 복수의 슬롯 어셈블리들;
    상기 테스팅 스테이션들 내의 웨이퍼들에 상기 전기 도체들을 통해 연결되고 각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하는 전원 공급 장치; 및
    상기 웨이퍼들에 상기 전기 도체들을 통해 연결되고 상기 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정하는 테스터를 포함하는, 테스터 장치.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 온도 검출기는 상기 에어의 온도를 검출하는, 테스터 장치.
  22. 제 20 항에 있어서,
    각각의 슬롯 어셈블리는, 동작될 때, 상기 각각의 슬롯 어셈블리의 상기 각각의 온도 검출기에 의해 측정된 상기 온도에 기초하여 상기 웨이퍼 내의 상기 마이크로전자 디바이스의 온도를 변경하기 위해 상기 온도 변경 디바이스와 상기 웨이퍼 사이의 온도 차이 및 상기 온도 변경 디바이스와 상기 웨이퍼 사이의 열의 이동을 야기하기 위해 온도를 변경하는 각각의 온도 변경 디바이스를 포함하는, 테스터 장치.
  23. 제 20 항에 있어서,
    상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 온도 변경 디바이스는 가열기이고,
    상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 냉각기; 및
    상기 냉각기로부터 상기 가열기로 또는 상기 가열기로부터 상기 냉각기로 흐름을 지향시키기 위해 이동가능한 상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 댐퍼를 더 포함하는, 테스터 장치.
  24. 제 20 항에 있어서,
    상기 프레임은 적어도 제2 폐쇄 루프 에어 경로를 정의하고,
    상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로를 통해 공기를 재순환시키기 위해 상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로에 위치된 적어도 제2 팬을 더 포함하고,
    각각의 슬롯 어셈블리는,
    상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로에 위치되는, 테스트 일렉트로닉스를 갖는 적어도 하나의 보드;
    동작될 때, 상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로 내의 에어로부터 상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 온도 변경 디바이스로 열의 이동을 야기하는, 상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 프레임에 장착된 테스트 일렉트로닉스 온도 변경 디바이스를 포함하는, 테스터 장치.
  25. 제 20 항에 있어서,
    복수의 카트리지들로서, 각각의 카트리지는,
    각각의 웨이퍼를 유지하는 카트리지 바디;
    상기 웨이퍼상의 콘택들과 접촉하기 위한 상기 카트리지 바디에 의해 유지된 복수의 카트리지 콘택들;
    상기 카트리지 콘택들에 연결된 카트리지 인터페이스를 포함하는, 상기 복수의 카트리지들; 및
    복수의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스들로서, 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스는 상기 슬롯 어셈블리들의 각각의 슬롯 어셈블리상에 위치되고, 각각의 카트리지는 상기 프레임 내로 각각의 웨이퍼와 함께 삽입가능하고 각각의 카트리지 인터페이스는 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스와 연결되는, 상기 복수의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스들을 더 포함하는, 테스터 장치.
  26. 제 25 항에 있어서,
    복수의 테스터 인터페이스들; 및
    복수의 제2 슬롯 어셈블리 인터페이스들로서, 각각의 제2 슬롯 어셈블리 인터페이스는 상기 슬롯 어셈블리들의 각각의 슬롯 어셈블리상에 위치되고, 각각의 슬롯 어셈블리는 상기 프레임 내로 삽입가능하고 각각의 제2 슬롯 어셈블리 인터페이스는 각각의 테스터 인터페이스와 연결되는, 상기 복수의 제2 슬롯 어셈블리 인터페이스들을 더 포함하는, 테스터 장치.
  27. 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법으로서,
    프레임에 장착된 각각의 슬롯 어셈블리의 각각의 홀더에 의해 제공된 각각의 테스팅 스테이션에, 각각 적어도 하나의 마이크로전자 디바이스를 갖는, 복수의 웨이퍼들의 각각의 웨이퍼를 배치하는 단계로서, 상기 웨이퍼들은 상기 프레임에 의해 정의된 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내에 유지되는, 상기 각각의 웨이퍼를 배치하는 단계;
    상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로를 통해 에어를 재순환시키기 위해 상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로에 위치된 적어도 제1 팬을 동작시키는 단계;
    상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 에어와 상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 프레임에 장착된 적어도 하나의 온도 변경 디바이스 사이에서 열을 이동시키는 단계;
    상기 각각의 슬롯 어셈블리의 상기 테스팅 스테이션에 배치된 각각의 웨이퍼의 온도를 검출하는 단계;
    상기 각각의 슬롯 어셈블리의 상기 테스팅 스테이션에 배치된 상기 웨이퍼의 상기 온도에 기초하여 각각의 슬롯 어셈블리의 부분을 형성하는 각각의 열 제어기로 열의 상기 이동을 제어하는 단계; 및
    각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하고 상기 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정함으로써 상기 마이크로전자 디바이스들을 테스트하는 단계를 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  28. 제 27 항에 있어서,
    온도 검출기가 상기 에어의 온도를 검출하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  29. 제 27 항에 있어서,
    상기 각각의 슬롯 어셈블리의 상기 각각의 온도 검출기에 의해 측정된 상기 온도에 기초하여 상기 웨이퍼 내의 상기 마이크로전자 디바이스의 온도를 변경하기 위해 상기 온도 변경 디바이스와 상기 웨이퍼 사이의 온도 차이 및 상기 온도 변경 디바이스와 상기 웨이퍼 사이의 열의 이동을 야기하기 위해 상기 각각의 슬롯 어셈블리의 각각의 온도 변경 디바이스의 온도를 변경하는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  30. 제 27 항에 있어서,
    상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 온도 변경 디바이스는 상기 에어를 가열하는 가열기이고,
    상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 냉각기로 상기 에어를 냉각시키는 단계; 및
    상기 에어를 가열하기 위해 에어가 상기 냉각기로부터 상기 가열기로 흐르도록 지향되는 위치와 상기 에어를 냉각시키기 위해 상기 에어가 상기 가열기로부터 상기 냉각기로 흐르도록 지향되는 위치 사이에서 댐퍼를 이동시키는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  31. 제 27 항에 있어서,
    상기 프레임은 적어도 제2 폐쇄 루프 에어 경로를 정의하고,
    상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로를 통해 공기를 재순환시키기 위해 상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로에 위치된 적어도 제2 팬을 동작시키는 단계로서, 각각의 슬롯 어셈블리는,
    상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로에 위치되는, 테스트 일렉트로닉스를 갖는 적어도 하나의 보드를 포함하는, 상기 적어도 제2 팬을 동작시키는 단계; 및
    상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로 내의 에어로부터 상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 온도 변경 디바이스로 열의 이동을 야기하기 위해, 상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 프레임에 장착된 온도 변경 디바이스를 동작시키는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  32. 제 27 항에 있어서,
    복수의 카트리지들의 각각의 카트리지에 복수의 웨이퍼들의 각각을 유지하는 단계;
    상기 각각의 웨이퍼상의 콘택들과 상기 각각의 카트리지의 카트리지 바디에 의해 유지된 복수의 카트리지 콘택들 사이에서 접촉을 행하는 단계;
    각각의 카트리지를 상기 프레임 내로 각각의 웨이퍼와 함께 삽입하는 단계;
    각각의 별개의 카트리지상의 각각의 카트리지 인터페이스를 상기 각각의 슬롯 어셈블리상의 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스와 연결하는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  33. 제 32 항에 있어서,
    각각의 슬롯 어셈블리를 상기 프레임 내로 삽입하는 단계;
    각각의 별개의 슬롯 어셈블리상의 각각의 제2 슬롯 어셈블리 인터페이스를 각각의 테스터 인터페이스와 연결하는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  34. 테스터 장치로서,
    적어도 제1 폐쇄 루프 에어 경로를 정의하는 프레임;
    상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로를 통해 에어를 재순환시키기 위해 상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로에 위치된 적어도 제1 팬;
    복수의 슬롯 어셈블리들로서, 각각의 슬롯 어셈블리는,
    상기 프레임에 장착된 슬롯 어셈블리 바디 (body);
    상기 슬롯 어셈블리 바디에 장착되고, 적어도 하나의 마이크로전자 디바이스를 갖고 상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로에 유지되는 각각의 웨이퍼의 배치를 위한 테스팅 스테이션을 형성하는 홀더;
    상기 웨이퍼의 온도를 검출하는 적어도 하나의 온도 검출기;
    제1 온도 변경 디바이스로서, 상기 제1 온도 변경 디바이스는, 동작될 때, 상기 각각의 슬롯 어셈블리의 상기 각각의 온도 검출기에 의해 측정된 상기 온도에 기초하여 상기 웨이퍼 내의 상기 마이크로전자 디바이스의 온도를 변경하기 위해 상기 각각의 슬롯 어셈블리의 상기 제1 온도 변경 디바이스와 상기 웨이퍼 사이의 온도 차이 및 상기 각각의 슬롯 어셈블리의 상기 제1 온도 변경 디바이스와 상기 웨이퍼 사이의 열의 이동을 야기하기 위해 온도를 변경하는, 상기 제1 온도 변경 디바이스; 및
    복수의 전기 도체들을 포함하는, 상기 복수의 슬롯 어셈블리들;
    상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 프레임에 장착된 제2 온도 변경 디바이스로서, 상기 제2 온도 변경 디바이스는, 동작될 때, 상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 에어와 상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 제2 온도 변경 디바이스 사이에서 열의 이동을 야기하는, 상기 제2 온도 변경 디바이스;
    상기 온도에 기초하여 열의 이동을 제어하는 열 제어기;
    상기 테스팅 스테이션들 내의 웨이퍼들에 상기 전기 도체들을 통해 연결되고 각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하는 전원 공급 장치; 및
    상기 웨이퍼들에 상기 전기 도체들을 통해 연결되고 상기 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정하는 테스터를 포함하는, 테스터 장치.
  35. 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법으로서,
    프레임에 장착된 각각의 슬롯 어셈블리의 각각의 홀더에 의해 제공된 각각의 테스팅 스테이션에, 각각 적어도 하나의 마이크로전자 디바이스를 갖는, 복수의 웨이퍼들의 각각의 웨이퍼를 배치하는 단계로서, 상기 웨이퍼들은 상기 프레임에 의해 정의된 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내에 유지되는, 상기 각각의 웨이퍼를 배치하는 단계;
    상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로를 통해 에어를 재순환시키기 위해 상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로에 위치된 적어도 제1 팬을 동작시키는 단계;
    상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 프레임에 장착된 적어도 하나의 온도 변경 디바이스와 상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 에어 사이에서 열을 이동시키는 단계;
    상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 에어의 온도에 기초하여 열의 상기 이동을 제어하는 단계;
    상기 각각의 슬롯 어셈블리의 상기 테스팅 스테이션에 배치된 각각의 웨이퍼의 온도를 검출하는 단계;
    상기 각각의 슬롯 어셈블리의 각각의 온도 변경 디바이스의 온도를 변경하는 단계로서, 상기 온도를 변경하는 단계는, 상기 각각의 슬롯 어셈블리의 상기 각각의 온도 검출기에 의해 측정된 상기 온도에 기초하여 상기 웨이퍼 내의 상기 마이크로전자 디바이스의 온도를 변경하기 위해 상기 각각의 슬롯 어셈블리의 상기 온도 변경 디바이스와 상기 웨이퍼 사이의 온도 차이 및 상기 각각의 슬롯 어셈블리의 상기 온도 변경 디바이스와 상기 웨이퍼 사이의 열의 이동을 야기하기 위한 것인, 상기 온도를 변경하는 단계; 및
    각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하고 상기 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정함으로써 상기 마이크로전자 디바이스들을 테스트하는 단계를 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  36. 테스터 장치로서,
    적어도 제1 폐쇄 루프 에어 경로 및 적어도 제2 폐쇄 루프 에어 경로를 정의하는 프레임;
    상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로를 통해 에어를 재순환시키기 위해 상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로에 위치된 적어도 제1 팬;
    상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로를 통해 에어를 재순환시키기 위해 상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로에 위치된 적어도 제2 팬;
    복수의 슬롯 어셈블리들로서, 각각의 슬롯 어셈블리는,
    상기 프레임에 장착된 슬롯 어셈블리 바디 (body);
    상기 슬롯 어셈블리 바디에 장착되고, 적어도 하나의 마이크로전자 디바이스를 갖고 상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로에 유지되는 각각의 웨이퍼의 배치를 위한 테스팅 스테이션을 형성하는 홀더;
    상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로에 위치되는, 테스트 일렉트로닉스를 갖는 적어도 하나의 보드; 및
    복수의 전기 도체들을 포함하는, 상기 복수의 슬롯 어셈블리들;
    상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 프레임에 장착된 제1 온도 변경 디바이스로서, 상기 제1 온도 변경 디바이스는, 동작될 때 상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 에어와 상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 제1 온도 변경 디바이스 사이에서 열의 이동을 야기하는, 상기 제1 온도 변경 디바이스;
    상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 프레임에 장착된 제2 온도 변경 디바이스로서, 상기 제2 온도 변경 디바이스는, 동작될 때, 상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로 내의 에어로부터 상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 제2 온도 변경 디바이스로 열의 이동을 야기하는, 상기 제2 온도 변경 디바이스;
    온도를 검출하는 적어도 하나의 온도 검출기;
    상기 온도에 기초하여 열의 이동을 제어하는 열 제어기;
    상기 테스팅 스테이션들 내의 웨이퍼들에 상기 전기 도체들을 통해 연결되고 각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하는 전원 공급 장치; 및
    상기 웨이퍼들에 상기 전기 도체들을 통해 연결되고 상기 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정하는 테스터를 포함하는, 테스터 장치.
  37. 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법으로서,
    프레임에 장착된 각각의 슬롯 어셈블리의 각각의 홀더에 의해 제공된 각각의 테스팅 스테이션에, 각각 적어도 하나의 마이크로전자 디바이스를 갖는, 복수의 웨이퍼들의 각각의 웨이퍼를 배치하는 단계로서, 상기 웨이퍼들은 상기 프레임에 의해 정의된 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내에 유지되고, 상기 프레임은 또한 제2 폐쇄 루프 에어 경로를 정의하는, 상기 각각의 웨이퍼를 배치하는 단계;
    상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로를 통해 에어를 재순환시키기 위해 상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로에 위치된 적어도 제1 팬을 동작시키는 단계;
    상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로를 통해 에어를 재순환시키기 위해 상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로에 위치된 적어도 제2 팬을 동작시키는 단계로서, 각각의 슬롯 어셈블리는 테스트 일렉트로닉스를 갖는 적어도 하나의 보드를 포함하고, 상기 적어도 하나의 보드는 상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로에 위치되는, 상기 적어도 제2 팬을 동작시키는 단계;
    상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 프레임에 장착된 적어도 하나의 온도 변경 디바이스와 상기 제1 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 에어 사이에서 열을 이동시키는 단계;
    상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로 내의 에어로부터 상기 제2 폐쇄 루프 에어 경로 내의 상기 프레임에 장착된 적어도 하나의 온도 변경 디바이스로 열을 이동시키는 단계;
    온도를 검출하는 단계;
    상기 온도에 기초하여 열의 상기 이동을 제어하는 단계; 및
    각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하고 상기 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정함으로써 상기 마이크로전자 디바이스들을 테스트하는 단계를 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  38. 테스터 장치로서,
    프레임;
    복수의 슬롯 어셈블리들로서, 각각의 슬롯 어셈블리는,
    상기 프레임에 장착된 슬롯 어셈블리 바디 (body);
    상기 슬롯 어셈블리 바디에 장착되고 적어도 하나의 마이크로전자 디바이스를 갖는 각각의 웨이퍼의 배치를 위한 테스팅 스테이션을 형성하는 홀더;
    복수의 전기 도체들; 및
    상기 각각의 웨이퍼의 온도를 검출하기 위해 상기 각각의 웨이퍼에 근접한 온도 검출기를 포함하는, 상기 복수의 슬롯 어셈블리들;
    동작될 때 웨이퍼들로 또는 웨이퍼들로부터 열의 이동를 야기하는 적어도 하나의 온도 변경 디바이스; 및
    각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하고 상기 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정함으로써 마이크로전자 디바이스들을 테스트하기 위해 상기 테스팅 스테이션들 내의 상기 웨이퍼들에 상기 전기 도체들을 통해 연결된 테스터로서, 상기 슬롯 어셈블리들 중 제1 슬롯 어셈블리의 상기 도체들 중 적어도 하나는 상기 전력에 연결되는 상기 웨이퍼들의 제2 웨이퍼로 또는 제2 웨이퍼로부터 열을 이동시키면서 동시에 상기 웨이퍼들의 제1 웨이퍼와 상기 전력 사이에 해제 가능하게 연결가능한, 상기 테스터를 포함하는, 테스터 장치.
  39. 제 38 항에 있어서,
    각각의 슬롯 어셈블리는 각각의 슬롯 어셈블리의 상기 테스팅 스테이션에 배치된 상기 웨이퍼의 상기 온도에 기초하여 열의 상기 이동을 제어하는 각각의 열 제어기를 포함하는, 테스터 장치.
  40. 제 38 항에 있어서,
    복수의 카트리지들을 더 포함하고,
    각각의 카트리지는,
    각각의 웨이퍼를 유지하는 카트리지 바디;
    상기 웨이퍼상의 콘택들과 접촉하기 위한 상기 카트리지 바디에 의해 유지된 복수의 카트리지 콘택들;
    상기 카트리지 콘택들에 연결된 카트리지 인터페이스; 및
    복수의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스들로서, 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스는 상기 슬롯 어셈블리들 중의 각각의 슬롯 어셈블리에 위치되고, 각각의 카트리지는 상기 프레임 내로 각각의 웨이퍼와 함께 삽입가능하며, 각각의 카트리지 인터페이스는 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스와 연결되는, 상기 복수의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스들을 포함하는, 테스터 장치.
  41. 제 40 항에 있어서,
    복수의 테스터 인터페이스들; 및
    복수의 제2 슬롯 어셈블리 인터페이스들로서, 각각의 제2 슬롯 어셈블리 인터페이스는 상기 슬롯 어셈블리들 중의 각각의 슬롯 어셈블리에 위치되고, 각각의 슬롯 어셈블리는 상기 프레임 내로 삽입가능하며, 각각의 제2 슬롯 어셈블리 인터페이스는 각각의 테스터 인터페이스와 연결되는, 상기 복수의 제2 슬롯 어셈블리 인터페이스들을 더 포함하는, 테스터 장치.
  42. 제 41 항에 있어서,
    진공 에어 압력을 제공하기 위한 상기 프레임상의 복수의 진공 인터페이스들을 더 포함하고,
    각각의 슬롯 어셈블리는,
    슬롯 어셈블리 바디; 및
    상기 슬롯 어셈블리가 상기 프레임 내로 삽입될 때 상기 프레임상의 상기 진공 인터페이스와 맞물리는, 상기 슬롯 어셈블리 바디상의 진공 인터페이스를 포함하는, 테스터 장치.
  43. 제 42 항에 있어서,
    각각의 슬롯 어셈블리는, 동작될 때, 상기 각각의 슬롯 어셈블리의 상기 각각의 온도 검출기에 의해 측정된 상기 온도에 기초하여 상기 웨이퍼 내의 상기 마이크로전자 디바이스의 온도를 변경하기 위해 상기 온도 변경 디바이스와 상기 웨이퍼 사이의 온도 차이 및 상기 온도 변경 디바이스와 상기 웨이퍼 사이의 열의 이동을 야기하기 위해 온도를 변경하는 각각의 온도 변경 디바이스를 포함하고,
    상기 진공 에어 압력은 상기 온도 변경 디바이스와 상기 카트리지 사이의 공간에 적용되는, 테스터 장치.
  44. 제 40 항에 있어서,
    진공 에어 압력은 상기 카트리지 콘택들과 상기 웨이퍼상의 상기 콘택들 사이의 접촉을 보장하기 위해 상기 카트리지 내의 공간에 적용되는, 테스터 장치.
  45. 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법으로서,
    프레임에 장착된 각각의 슬롯 어셈블리의 각각의 홀더에 의해 제공된 각각의 테스팅 스테이션에, 각각 적어도 하나의 마이크로전자 디바이스를 갖는, 복수의 웨이퍼들의 각각의 웨이퍼를 배치하는 단계;
    상기 각각의 웨이퍼에 근접한 각각의 온도 검출기로 상기 각각의 웨이퍼의 각각의 온도를 검출하는 단계;
    상기 웨이퍼들로 또는 상기 웨이퍼들로부터 열을 전달하는 단계;
    각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하고 상기 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정함으로써 상기 마이크로전자 디바이스들을 테스트하는 단계; 및
    상기 전력에 연결되는 상기 웨이퍼들의 제2 웨이퍼로 또는 제2 웨이퍼로부터 열을 전달하면서 상기 웨이퍼들의 제1 웨이퍼와 상기 전력 사이에 상기 슬롯 어셈블리들 중 제1 슬롯 어셈블리의 도체들 중 적어도 하나를 연결하는 단계를 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  46. 제 45 항에 있어서,
    상기 각각의 슬롯 어셈블리의 상기 테스팅 스테이션에 배치된 상기 웨이퍼의 온도에 기초하여 각각의 슬롯 어셈블리의 부분을 형성하는 각각의 열 제어기로 열의 이동을 제어하는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  47. 제 45 항에 있어서,
    상기 각각의 슬롯 어셈블리의 각각의 온도 변경 디바이스의 온도를 변경하는 단계를 더 포함하고, 상기 온도를 변경하는 단계는, 상기 각각의 슬롯 어셈블리의 상기 각각의 온도 검출기에 의해 측정된 상기 온도에 기초하여 상기 각각의 웨이퍼 내의 상기 각각의 마이크로전자 디바이스의 온도를 변경하기 위해 상기 각각의 온도 변경 디바이스와 상기 각각의 웨이퍼 사이의 온도 차이 및 상기 각각의 온도 변경 디바이스와 상기 각각의 웨이퍼 사이의 열의 이동을 야기하기 위한 것인, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  48. 제 45 항에 있어서,
    복수의 카트리지들의 각각의 카트리지에 복수의 웨이퍼들의 각각을 유지하는 단계;
    상기 각각의 카트리지의 카트리지 바디에 의해 유지된 복수의 카트리지 콘택들과 상기 각각의 웨이퍼상의 콘택들 사이에 접촉을 행하는 단계;
    상기 프레임 내로 각각의 웨이퍼를 갖는 각각의 카트리지를 삽입하는 단계; 및
    각각의 별개의 카트리지상의 각각의 카트리지 인터페이스를 상기 각각의 슬롯 어셈블리상의 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스와 연결하는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  49. 제 48 항에 있어서,
    상기 프레임 내로 각각의 슬롯 어셈블리를 삽입하는 단계; 및
    각각의 별개의 슬롯 어셈블리상의 각각의 제2 슬롯 어셈블리 인터페이스를 각각의 테스터 인터페이스와 연결하는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  50. 제 49 항에 있어서,
    진공 에어 압력을 제공하기 위한 상기 프레임상의 복수의 진공 인터페이스들을 더 포함하고,
    각각의 슬롯 어셈블리는,
    슬롯 어셈블리 바디; 및
    상기 슬롯 어셈블리가 상기 프레임 내로 삽입될 때 상기 프레임상의 상기 진공 인터페이스와 맞물리는, 상기 슬롯 어셈블리 바디상의 진공 인터페이스를 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  51. 제 50 항에 있어서,
    각각의 슬롯 어셈블리는 각각의 온도 변경 디바이스를 포함하고, 상기 각각의 온도 변경 디바이스는, 동작될 때, 상기 각각의 슬롯 어셈블리의 상기 각각의 온도 검출기에 의해 측정된 상기 온도에 기초하여 상기 각각의 웨이퍼 내의 상기 각각의 마이크로전자 디바이스의 온도를 변경하기 위해 상기 각각의 온도 변경 디바이스와 상기 각각의 웨이퍼 사이의 온도 차이 및 상기 각각의 온도 변경 디바이스와 상기 각각의 웨이퍼 사이의 열의 이동을 야기하기 위해 온도를 변경하고,
    상기 진공 에어 압력은 상기 온도 변경 디바이스와 상기 카트리지 사이의 공간에 적용되는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  52. 제 48 항에 있어서,
    진공 에어 압력은 상기 카트리지 콘택들과 상기 웨이퍼상의 상기 콘택들 사이의 접촉을 보장하기 위해 상기 카트리지 내의 공간에 적용되는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  53. 테스터 장치로서,
    프레임;
    상기 프레임에 삽입된 복수의 슬롯 어셈블리들로서, 각각의 슬롯 어셈블리는,
    슬롯 어셈블리 바디; 및
    상기 슬롯 어셈블리 바디 상에 위치되는 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스
    를 포함하는, 상기 복수의 슬롯 어셈블리들;
    복수의 웨이퍼 팩 (pack) 들로서, 각각의 웨이퍼 팩은,
    각각의 웨이퍼를 유지하는 웨이퍼 팩 바디;
    상기 웨이퍼상의 콘택들과 접촉하기 위한, 상기 웨이퍼 팩 바디에 유지된 복수의 웨이퍼 팩 콘택들; 및
    상기 웨이퍼 팩 콘택들에 연결된 웨이퍼 팩 인터페이스로서, 각각의 웨이퍼 팩은 상기 프레임 내로 각각의 웨이퍼와 함께 삽입가능하며, 각각의 웨이퍼 팩 인터페이스는 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스와 연결된, 상기 웨이퍼 팩 인터페이스
    를 포함하는, 상기 복수의 웨이퍼 팩들; 및
    각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하고 상기 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정함으로써 마이크로전자 디바이스들을 테스트 하기 위해, 상기 웨이퍼들상의 상기 웨이퍼 팩 콘택들에, 상기 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스들, 상기 웨이퍼 팩 인터페이스들 및 상기 웨이퍼 팩 콘택들을 통해 연결된 테스터를 포함하는, 테스터 장치.
  54. 제 53 항에 있어서,
    각각의 웨이퍼 팩은 상기 프레임 내로 각각의 웨이퍼와 함께 수평으로 삽입가능하며, 각각의 웨이퍼 팩 인터페이스는 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스에 수직으로 연결되는, 테스터 장치.
  55. 제 54 항에 있어서,
    상기 각각의 웨이퍼 팩 인터페이스는, 상기 각각의 웨이퍼 팩이 수직으로 하방으로 이동할 때, 상기 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스에 연결되는, 테스터 장치.
  56. 제 54 항에 있어서,
    각각의 웨이퍼 팩은 각각의 백킹 보드 (backing board) 및 각각의 얇은 척을 포함하고, 상기 각각의 웨이퍼는 상기 각각의 얇은 척과 상기 각각의 백킹 보드 사이에 있고, 상기 각각의 웨이퍼 팩 인터페이스는 상기 각각의 백킹 보드상에 있는, 테스터 장치.
  57. 제 56 항에 있어서,
    상기 각각의 백킹 보드는 상기 각각의 웨이퍼 위에 있는, 테스터 장치.
  58. 제 55 항에 있어서,
    상기 각각의 슬롯 어셈블리는,
    상기 슬롯 어셈블리 바디에 부착된 힌지; 및
    상기 힌지에 의해 상기 슬롯 어셈블리 바디에 부착된 도어를 포함하고,
    상기 도어는, 상기 각각의 웨이퍼 팩이 상기 슬롯 어셈블리로 삽입가능한 개방 위치와 상기 도어가 밀봉된 벽의 부분을 형성하는 폐쇄 위치 사이에서 이동 가능한, 테스터 장치.
  59. 제 53 항에 있어서,
    진공 에어 압력을 제공하기 위한, 상기 프레임상의 복수의 진공 인터페이스들을 더 포함하고,
    각각의 슬롯 어셈블리는,
    상기 슬롯 어셈블리가 상기 프레임 내로 삽입될 때 상기 프레임상의 각각의 진공 인터페이스와 맞물리는, 각각의 슬롯 어셈블리 바디상의 진공 인터페이스를 포함하는, 테스터 장치.
  60. 제 59 항에 있어서,
    상기 진공 에어 압력은, 상기 각각의 웨이퍼 팩 콘택들과 상기 웨이퍼상의 상기 각각의 콘택들 사이의 접촉을 보장하기 위해 각각의 웨이퍼 팩 내의 각각의 공간에 적용되는, 테스터 장치.
  61. 제 59 항에 있어서,
    각각의 슬롯 어셈블리는 각각의 서멀 척을 포함하고, 각각의 웨이퍼 팩은 각각의 백킹 보드 및 각각의 얇은 척을 포함하고, 상기 각각의 웨이퍼는 상기 각각의 얇은 척과 상기 각각의 백킹 보드 사이에 있고, 상기 각각의 웨이퍼 팩 인터페이스는 상기 각각의 백킹 보드 상에 있고, 상기 진공 에어 압력은 상기 각각의 서멀 척과 각각의 얇은 척 사이의 각각의 공간에 적용되는, 테스터 장치.
  62. 제 53 항에 있어서,
    상기 슬롯 어셈블리들은, 상기 각각의 슬롯 어셈블리들을 서로 따로 상기 프레임으로 밀어 넣음으로써 상기 프레임으로 삽입되는, 테스터 장치.
  63. 제 53 항에 있어서,
    상기 슬롯 어셈블리들 중 제1 슬롯 어셈블리와 상기 슬롯 어셈블리들 중 제2 슬롯 어셈블리 사이에 전면 밀봉을 더 포함하는, 테스터 장치.
  64. 제 63 항에 있어서,
    상기 슬롯 어셈블리들 중 제1 슬롯 어셈블리와 상기 프레임 사이에 전면 밀봉을 더 포함하는, 테스터 장치.
  65. 제 63 항에 있어서,
    상기 각각의 슬롯 어셈블리는,
    상기 슬롯 어셈블리 바디에 부착된 힌지; 및
    상기 힌지에 의해 상기 슬롯 어셈블리 바디에 부착된 도어를 포함하고,
    상기 도어는, 상기 각각의 웨이퍼 팩이 상기 슬롯 어셈블리로 삽입가능한 개방 위치와, 상기 도어가, 상기 도어와 상기 제1 슬롯 어셈블리와 상기 제2 슬롯 어셈블리 사이의 상기 전면 밀봉에 의해 공동으로 형성된 밀봉된 벽의 일부를 형성하는 폐쇄 위치 사이에서 이동 가능한, 테스터 장치.
  66. 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법으로서,
    복수의 슬롯 어셈블리들을 프레임으로 삼입하는 단계;
    복수의 각각의 웨이퍼 팩 (pack) 들의 웨이퍼 팩 바디에 의해 유지된 복수의 웨이퍼 팩 콘택들과 복수의 각각의 웨이퍼들 각각상의 콘택들 사이에 접촉을 행하는 단계;
    각각의 웨이퍼 팩을 각각의 웨이퍼와 함께, 상기 프레임으로 삽입된 각각의 슬롯 어셈블리로 삼입하는 단계;
    상기 각각의 웨이퍼 팩상의 각각의 웨이퍼 팩 인터페이스들을, 상기 각각의 슬롯 어셈블리들의 각각의 슬롯 어셈블리 바디들상의 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스들과 연결하는 단계; 및
    각각의 마이크로전자 디바이스로 적어도 전력을 제공하고 상기 마이크로전자 디바이스의 성능을 측정함으로써, 상기 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스들, 상기 웨이퍼 팩 인터페이스들 및 상기 웨이퍼 팩 콘택들을 통해 상기 웨이퍼들의 상기 콘택들에 연결된 테스터로 상기 웨이퍼들상의 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 단계를 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  67. 제 66 항에 있어서,
    각각의 웨이퍼 팩은 상기 프레임 내로 각각의 웨이퍼와 함께 수평으로 삽입되고, 각각의 웨이퍼 팩 인터페이스는 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스에 수직으로 연결되는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  68. 제 67 항에 있어서,
    상기 각각의 웨이퍼 팩 인터페이스는, 상기 각각의 웨이퍼 팩이 수직으로 하방으로 이동할 때, 상기 각각의 제1 슬롯 어셈블리 인터페이스에 연결되는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  69. 제 67 항에 있어서,
    각각의 웨이퍼 팩은 각각의 백킹 보드 (backing board) 및 각각의 얇은 척을 포함하고, 상기 각각의 웨이퍼는 상기 각각의 얇은 척과 상기 각각의 백킹 보드 사이에 있고, 상기 각각의 카트리지 인터페이스는 상기 각각의 백킹 보드상에 있는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  70. 제 69 항에 있어서,
    상기 각각의 백킹 보드는 상기 각각의 웨이퍼 위에 있는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  71. 제 66 항에 있어서,
    힌지에 의해 상기 슬롯 어셈블리 바디에 부착된 도어를, 상기 각각의 웨이퍼 팩이 상기 슬롯 어셈블리로 삽입가능한 개방 위치 및 상기 도어가 밀봉된 벽의 부분을 형성하는 폐쇄 위치로 이동시키는 단계; 및
    상기 도어를, 상기 도어가 밀봉된 벽의 부분을 형성하는 폐쇄 위치로 이동시키는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  72. 제 66 항에 있어서,
    상기 슬롯 어셈블리가 상기 프레임 내로 삽입될 때, 각각의 슬롯 어셈블리 바디상의 진공 인터페이스를 상기 프레임상의 각각의 진공 인터페이스와 맞물리는 단계; 및
    진공 에어 압력을 상기 각각의 진공 인터페이스들을 통하여 상기 슬롯 어셈블리들에 제공하는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  73. 제 72 항에 있어서,
    상기 진공 에어 압력은, 상기 각각의 웨이퍼 팩 콘택들과 상기 웨이퍼상의 상기 각각의 콘택들 사이의 접촉을 보장하기 위해, 각각의 웨이퍼 팩 내의 각각의 공간에 적용되는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  74. 제 72 항에 있어서,
    각각의 슬롯 어셈블리는 각각의 서멀 척을 포함하고, 각각의 웨이퍼 팩은 각각의 백킹 보드 및 각각의 얇은 척을 포함하고, 상기 각각의 웨이퍼는 상기 각각의 얇은 척과 상기 각각의 백킹 보드 사이에 있고, 상기 각각의 웨이퍼 팩 인터페이스는 상기 각각의 백킹 보드 상에 있고, 상기 진공 에어 압력은 상기 각각의 서멀 척과 각각의 얇은 척 사이의 각각의 공간에 적용되는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  75. 제 66 항에 있어서,
    상기 각각의 슬롯 어셈블리들을 서로 따로 상기 프레임으로 밀어 넣음으로써 상기 슬롯 어셈블리들을 상기 프레임으로 삽입하는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  76. 제 66 항에 있어서,
    상기 슬롯 어셈블리들 중 제1 슬롯 어셈블리와 상기 슬롯 어셈블리들 중 제2 슬롯 어셈블리 사이에 전면 밀봉을 위치시키는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  77. 제 76 항에 있어서,
    상기 슬롯 어셈블리들 중 제1 슬롯 어셈블리와 상기 프레임 사이에 전면 밀봉을 위치시키는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
  78. 제 76 항에 있어서,
    힌지에 의해 상기 슬롯 어셈블리 바디에 부착된 도어를, 상기 각각의 웨이퍼 팩이 상기 슬롯 어셈블리로 삽입가능한 개방 위치 및 상기 도어가 밀봉된 벽의 부분을 형성하는 폐쇄 위치로 이동시키는 단계; 및
    상기 도어를, 상기 도어가, 상기 도어와 상기 제1 슬롯 어셈블리와 상기 제2 슬롯 어셈블리 사이의 상기 전면 밀봉에 의해 공동으로 형성된 밀봉된 벽의 일부를 형성하는 폐쇄 위치로 이동시키는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 디바이스들을 테스팅하는 방법.
KR1020187022771A 2016-01-08 2017-01-06 일렉트로닉스 테스터 내의 디바이스들의 열 제어를 위한 방법 및 시스템 Active KR102789332B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020257005434A KR102842851B1 (ko) 2016-01-08 2017-01-06 일렉트로닉스 테스터 내의 디바이스들의 열 제어를 위한 방법 및 시스템
KR1020257005433A KR102852850B1 (ko) 2016-01-08 2017-01-06 일렉트로닉스 테스터 내의 디바이스들의 열 제어를 위한 방법 및 시스템

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662276746P 2016-01-08 2016-01-08
US62/276,746 2016-01-08
PCT/US2017/012597 WO2017120514A1 (en) 2016-01-08 2017-01-06 Method and system for thermal control of devices in an electronics tester

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020257005433A Division KR102852850B1 (ko) 2016-01-08 2017-01-06 일렉트로닉스 테스터 내의 디바이스들의 열 제어를 위한 방법 및 시스템
KR1020257005434A Division KR102842851B1 (ko) 2016-01-08 2017-01-06 일렉트로닉스 테스터 내의 디바이스들의 열 제어를 위한 방법 및 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180101476A KR20180101476A (ko) 2018-09-12
KR102789332B1 true KR102789332B1 (ko) 2025-03-31

Family

ID=59274465

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187022771A Active KR102789332B1 (ko) 2016-01-08 2017-01-06 일렉트로닉스 테스터 내의 디바이스들의 열 제어를 위한 방법 및 시스템
KR1020257005433A Active KR102852850B1 (ko) 2016-01-08 2017-01-06 일렉트로닉스 테스터 내의 디바이스들의 열 제어를 위한 방법 및 시스템
KR1020257005434A Active KR102842851B1 (ko) 2016-01-08 2017-01-06 일렉트로닉스 테스터 내의 디바이스들의 열 제어를 위한 방법 및 시스템
KR1020257025667A Pending KR20250123227A (ko) 2016-01-08 2017-01-06 일렉트로닉스 테스터 내의 디바이스들의 열 제어를 위한 방법 및 시스템

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020257005433A Active KR102852850B1 (ko) 2016-01-08 2017-01-06 일렉트로닉스 테스터 내의 디바이스들의 열 제어를 위한 방법 및 시스템
KR1020257005434A Active KR102842851B1 (ko) 2016-01-08 2017-01-06 일렉트로닉스 테스터 내의 디바이스들의 열 제어를 위한 방법 및 시스템
KR1020257025667A Pending KR20250123227A (ko) 2016-01-08 2017-01-06 일렉트로닉스 테스터 내의 디바이스들의 열 제어를 위한 방법 및 시스템

Country Status (6)

Country Link
US (6) US10466292B2 (ko)
JP (7) JP7045995B2 (ko)
KR (4) KR102789332B1 (ko)
CN (1) CN108780114B (ko)
TW (3) TWI836645B (ko)
WO (1) WO2017120514A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102461321B1 (ko) * 2017-08-18 2022-11-02 (주)테크윙 전자부품 테스트용 핸들러
KR20230082672A (ko) * 2020-10-07 2023-06-08 에어 테스트 시스템즈 일렉트로닉스 테스터
JP7548670B2 (ja) * 2021-01-19 2024-09-10 東京エレクトロン株式会社 検査装置、制御方法及び制御プログラム
JP2023177687A (ja) * 2022-06-02 2023-12-14 株式会社アドバンテスト ヒータ駆動制御装置、電子部品ハンドリング装置、電子部品試験装置、及び、ヒータ駆動制御方法
US20240194281A1 (en) * 2022-12-13 2024-06-13 Micron Technology, Inc. Thermal conduction based batch testing system

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020048826A1 (en) * 1999-07-14 2002-04-25 Richmond Donald Paul Wafer level burn-in and electrical test system and method
US20050125712A1 (en) * 2003-05-12 2005-06-09 Kingston Technology Corp. Manifold-Distributed Air Flow Over Removable Test Boards in a Memory-Module Burn-In System With Heat Chamber Isolated by Backplane
JP2015103552A (ja) * 2013-11-21 2015-06-04 株式会社東京精密 プローバ

Family Cites Families (262)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3149897A (en) 1961-08-29 1964-09-22 Hans G Martineck Printed cable connector
US3413613A (en) 1966-06-17 1968-11-26 Gen Electric Reconfigurable data processing system
US3482201A (en) 1967-08-29 1969-12-02 Thomas & Betts Corp Controlled impedance connector
US3757219A (en) 1971-12-15 1973-09-04 A Aksu Circuit board testing equipment
US3970934A (en) 1974-08-12 1976-07-20 Akin Aksu Printed circuit board testing means
US4240021A (en) 1977-05-20 1980-12-16 Citizen Watch Co., Ltd. Solar cell battery charging control system
US4298237A (en) 1979-12-20 1981-11-03 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Printed wiring board interconnection apparatus
US4400049A (en) 1981-08-12 1983-08-23 Ncr Corporation Connector for interconnecting circuit boards
US4419626A (en) 1981-08-25 1983-12-06 Daymarc Corporation Broad band contactor assembly for testing integrated circuit devices
JPS5863927A (ja) 1981-10-13 1983-04-16 Canon Inc 閃光撮影装置
US4517512A (en) 1982-05-24 1985-05-14 Micro Component Technology, Inc. Integrated circuit test apparatus test head
US4591217A (en) 1983-08-29 1986-05-27 Gte Communication Systems Corporation Low insertion force connection arrangement
US4608679A (en) 1984-07-11 1986-08-26 Filenet Corporation Optical storage and retrieval device
JPH06105417B2 (ja) 1984-09-06 1994-12-21 日本電気株式会社 多重化電源装置における障害検出方式
US4582386A (en) 1984-11-01 1986-04-15 Elfab Corp. Connector with enlarged power contact
SU1247600A1 (ru) 1985-01-14 1986-07-30 Всесоюзный научно-исследовательский и конструкторско-технологический институт компрессорного машиностроения Установка дл испытани уплотнений
US4719411A (en) 1985-05-13 1988-01-12 California Institute Of Technology Addressable test matrix for measuring analog transfer characteristics of test elements used for integrated process control and device evaluation
US4814573A (en) 1986-04-07 1989-03-21 Ex-Cell-O Corporation Electrical discharge machining apparatus with exchangeable electrode refeed cartridge
US5247521A (en) 1986-04-23 1993-09-21 Hitachi, Ltd. Data processor
US4816754A (en) 1986-04-29 1989-03-28 International Business Machines Corporation Contactor and probe assembly for electrical test apparatus
US4746861A (en) 1986-08-21 1988-05-24 Tti Testron, Inc. Test fixture for printed circuit board assembly
US4899208A (en) 1987-12-17 1990-02-06 International Business Machines Corporation Power distribution for full wafer package
FR2631165B1 (fr) 1988-05-05 1992-02-21 Moulene Daniel Support conditionneur de temperature pour petits objets tels que des composants semi-conducteurs et procede de regulation thermique utilisant ce support
JPH0238808A (ja) 1988-07-27 1990-02-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd 光センサ
DE3914669C2 (de) 1989-05-03 1999-07-15 Max Liebich Vorrichtung und Verfahren zur Selbstverfertigung von Zigaretten durch den Verbraucher
US4968931A (en) 1989-11-03 1990-11-06 Motorola, Inc. Apparatus and method for burning in integrated circuit wafers
US5008615A (en) 1989-11-03 1991-04-16 Motorola, Inc. Means and method for testing integrated circuits attached to a leadframe
US4995814A (en) 1989-12-15 1991-02-26 Amp Incorporated Connector for mating blade-shaped members
US4981449A (en) 1990-04-27 1991-01-01 Amp Incorporated Connector for mating multi-layer blade-shaped members
US5086269A (en) 1991-03-08 1992-02-04 Hewlett-Packard Company Burn-in process and apparatus
US5108302A (en) 1991-06-17 1992-04-28 Pfaff Wayne Test socket
JP3203817B2 (ja) 1992-10-20 2001-08-27 富士通株式会社 キャリア及びこれを用いた半導体チップの試験方法
JPH06186283A (ja) 1992-11-30 1994-07-08 Ando Electric Co Ltd テストヘッドの冷却制御装置
US5461326A (en) 1993-02-25 1995-10-24 Hughes Aircraft Company Self leveling and self tensioning membrane test probe
JPH0792479B2 (ja) 1993-03-18 1995-10-09 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置の平行度調整方法
JP3308346B2 (ja) 1993-06-08 2002-07-29 日置電機株式会社 基板検査装置用のエアプローブピンボード
US5517125A (en) 1993-07-09 1996-05-14 Aehr Test Systems, Inc. Reusable die carrier for burn-in and burn-in process
US5559446A (en) 1993-07-19 1996-09-24 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Probing method and device
JPH0763788A (ja) 1993-08-21 1995-03-10 Hewlett Packard Co <Hp> プローブおよび電気部品／回路検査装置ならびに電気部品／回路検査方法
US5467024A (en) 1993-11-01 1995-11-14 Motorola, Inc. Integrated circuit test with programmable source for both AC and DC modes of operation
JP3395304B2 (ja) * 1993-12-16 2003-04-14 松下電器産業株式会社 半導体集積回路の検査方法
KR0140034B1 (ko) 1993-12-16 1998-07-15 모리시다 요이치 반도체 웨이퍼 수납기, 반도체 웨이퍼의 검사용 집적회로 단자와 프로브 단자와의 접속방법 및 그 장치, 반도체 집적회로의 검사방법, 프로브카드 및 그 제조방법
JP2544084B2 (ja) 1993-12-28 1996-10-16 山一電機株式会社 電気部品の接続器
JP2925964B2 (ja) * 1994-04-21 1999-07-28 松下電器産業株式会社 半導体ウェハ収納器及び半導体集積回路の検査方法
US5515126A (en) 1994-09-28 1996-05-07 Eastman Kodak Company Convertible flash camera and method
US5550466A (en) 1994-09-30 1996-08-27 Hewlett-Packard Company Hinged conduit for routing cables in an electronic circuit tester
US6421754B1 (en) 1994-12-22 2002-07-16 Texas Instruments Incorporated System management mode circuits, systems and methods
US5773986A (en) 1995-04-03 1998-06-30 Motorola, Inc Semiconductor wafer contact system and method for contacting a semiconductor wafer
JPH08340030A (ja) 1995-04-13 1996-12-24 Tokyo Electron Ltd バーンイン装置およびバーンイン用ウエハトレイ
US5666288A (en) 1995-04-21 1997-09-09 Motorola, Inc. Method and apparatus for designing an integrated circuit
JP3106102B2 (ja) 1995-05-19 2000-11-06 松下電器産業株式会社 半導体装置の検査方法
US5600257A (en) 1995-08-09 1997-02-04 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer test and burn-in
DE19581894C2 (de) 1995-11-06 1999-12-23 Advantest Corp Vorrichtung zum Ändern der Ausrichtung von ICs
US5851143A (en) * 1996-05-10 1998-12-22 Thermal Industries Disk drive test chamber
US5808896A (en) 1996-06-10 1998-09-15 Micron Technology, Inc. Method and system for creating a netlist allowing current measurement through a sub-circuit
DE19781822T1 (de) 1996-07-08 1999-06-17 Speedfam Corp Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen, Spülen und Trocknen von Wafern
US6203582B1 (en) 1996-07-15 2001-03-20 Semitool, Inc. Modular semiconductor workpiece processing tool
JPH10116867A (ja) 1996-10-11 1998-05-06 Orion Mach Co Ltd 半導体ウェーハの試験方法及び試験装置用温度調節器
US5894225A (en) 1996-10-31 1999-04-13 Coffin; Harry S. Test fixture
US5966022A (en) 1996-11-08 1999-10-12 W. L. Gore & Associates, Inc. Wafer level burn-in system
US5886535A (en) 1996-11-08 1999-03-23 W. L. Gore & Associates, Inc. Wafer level burn-in base unit substrate and assembly
US5949246A (en) 1997-01-28 1999-09-07 International Business Machines Test head for applying signals in a burn-in test of an integrated circuit
TW480645B (en) 1997-02-24 2002-03-21 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for inspecting semiconductor integrated circuits, and contactor incorporated in the apparatus
JPH10256325A (ja) 1997-03-07 1998-09-25 Orion Mach Co Ltd 半導体ウェーハの試験装置用温度調節プレート
US6023173A (en) 1997-04-30 2000-02-08 Credence Systems Corporation Manipulator with expanded range of motion
US5821440A (en) 1997-04-30 1998-10-13 Credence Systems Corporation Cable tray assembly for testing device
US6040700A (en) 1997-09-15 2000-03-21 Credence Systems Corporation Semiconductor tester system including test head supported by wafer prober frame
MY128129A (en) 1997-09-16 2007-01-31 Tan Yin Leong Electrical contactor for testing integrated circuit devices
CN1274425A (zh) 1997-10-07 2000-11-22 可靠公司 具有可改变的热沉装置的老化板
JP3249078B2 (ja) 1997-10-20 2002-01-21 松下電器産業株式会社 半導体ウェハの取出し装置
JP3364134B2 (ja) 1997-10-20 2003-01-08 松下電器産業株式会社 ウェハカセット
JPH11121569A (ja) 1997-10-21 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd バーンイン装置
US5928036A (en) 1997-10-30 1999-07-27 The Whitaker Corporation Dual row memory card connector
JP3294174B2 (ja) 1997-11-05 2002-06-24 東京エレクトロン株式会社 ウエハ保持体の温度測定装置及びウエハ収納室
JP3400692B2 (ja) 1997-11-05 2003-04-28 東京エレクトロン株式会社 ウエハ温度制御装置及びウエハ収納室
US6084215A (en) 1997-11-05 2000-07-04 Tokyo Electron Limited Semiconductor wafer holder with spring-mounted temperature measurement apparatus disposed therein
JPH11145216A (ja) 1997-11-12 1999-05-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウェハバーンイン装置、検査用基板及びポゴピン
US5973285A (en) 1997-11-26 1999-10-26 Computer Service Technology, Inc. Connector alignment assembly for an electronic memory module tester
JPH11163066A (ja) * 1997-11-29 1999-06-18 Tokyo Electron Ltd ウエハ試験装置
US6091060A (en) * 1997-12-31 2000-07-18 Temptronic Corporation Power and control system for a workpiece chuck
TW455978B (en) 1998-02-16 2001-09-21 Amic Technology Taiwan Inc Method for testing wafers
US6057696A (en) 1998-03-24 2000-05-02 Cypress Semiconductor Corp. Apparatus, method and kit for aligning an integrated circuit to a test socket
JP3611174B2 (ja) * 1998-03-30 2005-01-19 オリオン機械株式会社 半導体ウェーハの温度試験装置
JP3430015B2 (ja) 1998-05-20 2003-07-28 東京エレクトロン株式会社 信頼性試験システム
TW432221B (en) 1998-05-29 2001-05-01 Advantest Corp Tray for electronic device, the transporting apparatus of tray for electronic device and testing apparatus for electronic device
US6625557B1 (en) 1998-07-10 2003-09-23 Ltx Corporation Mixed signal device under test board interface
US6381283B1 (en) 1998-10-07 2002-04-30 Controlnet, Inc. Integrated socket with chip carrier
US6627483B2 (en) 1998-12-04 2003-09-30 Formfactor, Inc. Method for mounting an electronic component
WO2000036410A1 (en) 1998-12-11 2000-06-22 Symyx Technologies, Inc. Sensor array-based system and method for rapid materials characterization
US6137303A (en) 1998-12-14 2000-10-24 Sony Corporation Integrated testing method and apparatus for semiconductor test operations processing
US6888343B1 (en) 1999-01-13 2005-05-03 Intest Ip Corporation Test head manipulator
US6329603B1 (en) 1999-04-07 2001-12-11 International Business Machines Corporation Low CTE power and ground planes
US6917525B2 (en) 2001-11-27 2005-07-12 Nanonexus, Inc. Construction structures and manufacturing processes for probe card assemblies and packages having wafer level springs
US7382142B2 (en) 2000-05-23 2008-06-03 Nanonexus, Inc. High density interconnect system having rapid fabrication cycle
US6799976B1 (en) 1999-07-28 2004-10-05 Nanonexus, Inc. Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies
US7349223B2 (en) 2000-05-23 2008-03-25 Nanonexus, Inc. Enhanced compliant probe card systems having improved planarity
AU7329200A (en) 1999-07-14 2001-01-30 Aehr Test Systems Inc. Wafer level burn-in and electrical test system and method
US6340895B1 (en) 1999-07-14 2002-01-22 Aehr Test Systems, Inc. Wafer-level burn-in and test cartridge
US6318243B1 (en) 1999-08-31 2001-11-20 D. Kent Jones Two-piece piston assembly
US20010012726A1 (en) 1999-10-14 2001-08-09 O'neal Sean P. Stacked module connector
US6255834B1 (en) 1999-10-21 2001-07-03 Dell Usa, L.P. Test fixture having a floating self-centering connector
US6358061B1 (en) 1999-11-09 2002-03-19 Molex Incorporated High-speed connector with shorting capability
JP2001166006A (ja) 1999-12-09 2001-06-22 Nec Corp フィクスチャおよびその実装基板接続方法
US6657455B2 (en) 2000-01-18 2003-12-02 Formfactor, Inc. Predictive, adaptive power supply for an integrated circuit under test
JP2001203244A (ja) 2000-01-19 2001-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路の検査方法、半導体集積回路の検査装置及びアライメント装置
AU2001238675A1 (en) 2000-02-23 2001-09-03 Sri International Electroactive polymer thermal electric generators
US6509751B1 (en) 2000-03-17 2003-01-21 Formfactor, Inc. Planarizer for a semiconductor contactor
US7262611B2 (en) 2000-03-17 2007-08-28 Formfactor, Inc. Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor
JP2001281293A (ja) * 2000-03-31 2001-10-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd バーンイン装置
AU2001271904A1 (en) 2000-07-10 2002-02-05 Temptronic Corporation Wafer chuck having with interleaved heating and cooling elements
JP2002043381A (ja) 2000-07-19 2002-02-08 Tokyo Electron Ltd ウエハ温度制御装置
US6822469B1 (en) 2000-07-31 2004-11-23 Eaglestone Partners I, Llc Method for testing multiple semiconductor wafers
JP4743944B2 (ja) 2000-08-25 2011-08-10 鎮男 角田 シミュレーションモデル作成方法及びそのシステムと記憶媒体
DE10042224C2 (de) 2000-08-28 2003-09-25 Infineon Technologies Ag Modultestsockel für Prüfadapter
JP2002151558A (ja) 2000-08-31 2002-05-24 Seiko Epson Corp 半導体検査装置の製造方法および半導体検査装置、ならびに半導体装置の検査方法
US20090143923A1 (en) 2000-09-08 2009-06-04 Breed David S Arrangement and Method for Monitoring Shipping Containers
JP2002090426A (ja) 2000-09-14 2002-03-27 Advantest Corp 半導体試験装置
JP3998169B2 (ja) 2000-09-14 2007-10-24 株式会社ルネサステクノロジ 回路の設計方法および回路の設計支援プログラム並びに回路設計装置
JP2002111267A (ja) 2000-09-26 2002-04-12 Ando Electric Co Ltd 基板冷却装置
US6828810B2 (en) 2000-10-03 2004-12-07 Renesas Technology Corp. Semiconductor device testing apparatus and method for manufacturing the same
US6551122B2 (en) 2000-10-04 2003-04-22 Teradyne, Inc. Low profile pneumatically actuated docking module with power fault release
US6472895B2 (en) 2000-12-06 2002-10-29 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for adapting burn-in boards to multiple burn-in systems
US6885205B2 (en) 2000-12-13 2005-04-26 Seagate Technology Llc Test fixture assembly for printed circuit boards
US6553542B2 (en) 2000-12-29 2003-04-22 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device extractor for electrostatic discharge and latch-up applications
US6552560B2 (en) 2001-03-20 2003-04-22 Despatch Industries, L.L.P. Wafer-level burn-in oven
US6640610B2 (en) 2001-03-30 2003-11-04 Analog Devices, Inc. Automatic integrated mechanical and electrical angular motion detector test system
US6617844B2 (en) 2001-06-01 2003-09-09 Texas Instruments Incorporated Compare path bandwith control for high performance automatic test systems
JP4152316B2 (ja) 2001-07-12 2008-09-17 株式会社アドバンテスト 電子部品ハンドリング装置および電子部品の温度制御方法
JP4119104B2 (ja) 2001-07-12 2008-07-16 株式会社アドバンテスト ヒータ付プッシャ、電子部品ハンドリング装置および電子部品の温度制御方法
US6512387B1 (en) 2001-07-31 2003-01-28 Agilent Technologies, Inc. Pressure-sensitive system and method of testing electronic device interconnections
US6817823B2 (en) 2001-09-11 2004-11-16 Marian Corporation Method, device and system for semiconductor wafer transfer
US20030077932A1 (en) 2001-10-22 2003-04-24 Lewinnek David W. Floating blind mate interface for automatic test system
US6861859B1 (en) 2001-10-22 2005-03-01 Electroglas, Inc. Testing circuits on substrates
JP3543089B2 (ja) 2001-10-31 2004-07-14 株式会社コガネイ コンタクトユニット
JP4173306B2 (ja) 2001-11-30 2008-10-29 東京エレクトロン株式会社 信頼性評価試験装置、信頼性評価試験システム及び信頼性評価試験方法
KR100448913B1 (ko) 2002-01-07 2004-09-16 삼성전자주식회사 반도체 디바이스 테스트 시스템
US6628520B2 (en) 2002-02-06 2003-09-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method, apparatus, and system for cooling electronic components
JP2003243490A (ja) * 2002-02-18 2003-08-29 Hitachi High-Technologies Corp ウエハ処理装置とウエハステージ及びウエハ処理方法
US7694246B2 (en) 2002-06-19 2010-04-06 Formfactor, Inc. Test method for yielding a known good die
KR20050024395A (ko) 2002-06-27 2005-03-10 에어 테스트 시스템즈 전자 장치의 번인 검사를 위한 시스템
US6815966B1 (en) 2002-06-27 2004-11-09 Aehr Test Systems System for burn-in testing of electronic devices
US6853209B1 (en) 2002-07-16 2005-02-08 Aehr Test Systems Contactor assembly for testing electrical circuits
US6867608B2 (en) 2002-07-16 2005-03-15 Aehr Test Systems Assembly for electrically connecting a test component to a testing machine for testing electrical circuits on the test component
KR20050029215A (ko) 2002-07-16 2005-03-24 에어 테스트 시스템즈 시험 장치를 피시험체에 연결하기 위한 조립체
JP3657250B2 (ja) 2002-09-03 2005-06-08 ホシデン株式会社 コネクタ
CN1224090C (zh) 2002-09-09 2005-10-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 测试加烧机系统
TWI236723B (en) 2002-10-02 2005-07-21 Renesas Tech Corp Probe sheet, probe card, semiconductor inspection device, and manufacturing method for semiconductor device
JP4659328B2 (ja) 2002-10-21 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 被検査体を温度制御するプローブ装置
US7084650B2 (en) 2002-12-16 2006-08-01 Formfactor, Inc. Apparatus and method for limiting over travel in a probe card assembly
US6897666B2 (en) 2002-12-31 2005-05-24 Intel Corporation Embedded voltage regulator and active transient control device in probe head for improved power delivery and method
JP3820226B2 (ja) 2003-01-22 2006-09-13 オリオン機械株式会社 半導体ウェーハ用検査装置
CN1745310B (zh) 2003-01-28 2010-10-13 因泰斯特Ip公司 用于定位测试头的肘节接头
US7235964B2 (en) 2003-03-31 2007-06-26 Intest Corporation Test head positioning system and method
JP2004327561A (ja) 2003-04-22 2004-11-18 Ebara Corp 基板処理方法及び基板処理装置
US6998862B2 (en) 2003-04-28 2006-02-14 Micron Technology, Inc. Test socket for semiconductor components having serviceable nest
US6891132B2 (en) * 2003-10-09 2005-05-10 Micro Control Company Shutters for burn-in-board connector openings
US7317324B2 (en) 2003-11-04 2008-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor integrated circuit testing device and method
US7296430B2 (en) 2003-11-14 2007-11-20 Micro Control Company Cooling air flow control valve for burn-in system
US20050111944A1 (en) 2003-11-25 2005-05-26 Marc Aho Compact wafer handling system with single axis robotic arm and prealigner-cassette elevator
US6994563B2 (en) 2003-12-19 2006-02-07 Lenovo (Singapore) Pte. Ltd. Signal channel configuration providing increased capacitance at a card edge connection
US7260303B2 (en) 2004-01-02 2007-08-21 Finisar Corporation Systems, devices and methods for thermal testing of an optoelectronic module
US7071715B2 (en) 2004-01-16 2006-07-04 Formfactor, Inc. Probe card configuration for low mechanical flexural strength electrical routing substrates
US6876321B1 (en) 2004-02-06 2005-04-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Pulse descriptor word collector
JP2005265786A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Seiko Epson Corp 押圧方法、押圧装置、ｉｃハンドラ及びｉｃ検査装置
US7697260B2 (en) 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
US7230437B2 (en) 2004-06-15 2007-06-12 Formfactor, Inc. Mechanically reconfigurable vertical tester interface for IC probing
JP2006032593A (ja) 2004-07-15 2006-02-02 Renesas Technology Corp プローブカセット、半導体検査装置および半導体装置の製造方法
US7108517B2 (en) 2004-09-27 2006-09-19 Wells-Cti, Llc Multi-site chip carrier and method
JP2006098064A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Elpida Memory Inc プローブカード
JPWO2006038257A1 (ja) 2004-09-30 2008-05-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US20060091212A1 (en) 2004-10-28 2006-05-04 International Currency Technologies Corporation Chip card acceptor
JP2006145396A (ja) 2004-11-19 2006-06-08 Sharp Corp バーンイン装置
JP3945527B2 (ja) 2004-11-30 2007-07-18 住友電気工業株式会社 ウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ
US7053644B1 (en) 2004-12-15 2006-05-30 Aehr Test Systems System for testing and burning in of integrated circuits
JP4719460B2 (ja) 2004-12-27 2011-07-06 株式会社シキノハイテック バーンイン装置
JP4145293B2 (ja) 2004-12-28 2008-09-03 株式会社ルネサステクノロジ 半導体検査装置および半導体装置の製造方法
US7245134B2 (en) 2005-01-31 2007-07-17 Formfactor, Inc. Probe card assembly including a programmable device to selectively route signals from channels of a test system controller to probes
DE102005005101A1 (de) 2005-02-04 2006-08-17 Infineon Technologies Ag Testsystem zum Testen von integrierten Schaltungen sowie ein Verfahren zum Konfigurieren eines Testsystems
CN101137947A (zh) * 2005-03-04 2008-03-05 天普桑尼克公司 卡盘系统中用于控制温度的装置和方法
DE602006004018D1 (de) 2005-03-04 2009-01-15 Temptronic Corp Vorrichtung und verfahren zum regeln der temperatur in einem einspannsystem
JP2006250579A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Denso Corp 湿度センサの検査装置及び特性調整方法
US7285968B2 (en) * 2005-04-19 2007-10-23 Formfactor, Inc. Apparatus and method for managing thermally induced motion of a probe card assembly
WO2006116767A1 (en) 2005-04-27 2006-11-02 Aehr Test Systems Apparatus for testing electronic devices
US7279911B2 (en) 2005-05-03 2007-10-09 Sv Probe Pte Ltd. Probe card assembly with dielectric structure
US20060263925A1 (en) 2005-05-10 2006-11-23 Chandler David L Ethernet-powered particle counting system
US7498825B2 (en) 2005-07-08 2009-03-03 Formfactor, Inc. Probe card assembly with an interchangeable probe insert
US7323898B2 (en) 2005-07-18 2008-01-29 Teradyne, Inc. Pin electronics driver
JP4602181B2 (ja) 2005-07-19 2010-12-22 株式会社シスウェーブ 半導体検査用ソケット
JPWO2007010610A1 (ja) 2005-07-21 2009-01-29 株式会社アドバンテスト プッシャ、プッシャユニットおよび半導体試験装置
JP2007042911A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Sumitomo Electric Ind Ltd ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ
US7851945B2 (en) 2005-08-08 2010-12-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method of providing power
TW200721244A (en) 2005-11-17 2007-06-01 Beam Corp E Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
KR20080079670A (ko) 2005-12-22 2008-09-01 제이에스알 가부시끼가이샤 웨이퍼 검사용 회로 기판 장치, 프로브 카드 및 웨이퍼검사 장치
US20070273216A1 (en) 2006-05-24 2007-11-29 Farbarik John M Systems and Methods for Reducing Power Losses in a Medical Device
US7557592B2 (en) 2006-06-06 2009-07-07 Formfactor, Inc. Method of expanding tester drive and measurement capability
US20080022695A1 (en) 2006-07-26 2008-01-31 Welle Richard P Input Power Control for Thermoelectric-Based Refrigerator Apparatuses
US7611358B2 (en) 2006-09-08 2009-11-03 Siemens Energy & Automation, Inc. Method of coupling circuit board connectors
US7826995B2 (en) 2006-09-14 2010-11-02 Aehr Test Systems Apparatus for testing electronic devices
US7646093B2 (en) 2006-12-20 2010-01-12 Intel Corporation Thermal management of dies on a secondary side of a package
JP2008166306A (ja) * 2006-12-26 2008-07-17 Stk Technology Co Ltd 半導体デバイスの検査装置
TWI490513B (zh) 2006-12-29 2015-07-01 Intest Corp 用於使負載沿平移軸線平移之負載定位系統以及使負載達到平衡之方法
JP2008185403A (ja) 2007-01-29 2008-08-14 Advantest Corp 試験装置
KR100843273B1 (ko) 2007-02-05 2008-07-03 삼성전자주식회사 반도체 패키지를 테스트하기 위한 테스트 소켓 및 이를구비하는 테스트 장치, 반도체 패키지를 테스트하는 방법
MY152599A (en) 2007-02-14 2014-10-31 Eles Semiconductor Equipment S P A Test of electronic devices at package level using test boards without sockets
EP1959265A1 (en) 2007-02-16 2008-08-20 Eles Semiconductor Equipment S.P.A. Testing integrated circuits on a wafer with a cartridge leaving exposed a surface thereof
JP2008227148A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Micronics Japan Co Ltd 半導体ウエハの試験方法およびその装置
JP2008232667A (ja) 2007-03-16 2008-10-02 Nec Electronics Corp 半導体試験装置および試験方法
JP5400031B2 (ja) 2007-04-05 2014-01-29 エイアー テスト システムズ 熱膨張係数の異なる信号分配ボード及びウェハチャックをもつエレクトロニックテスター
US8367471B2 (en) * 2007-06-15 2013-02-05 Micron Technology, Inc. Semiconductor assemblies, stacked semiconductor devices, and methods of manufacturing semiconductor assemblies and stacked semiconductor devices
US8462471B2 (en) 2007-09-30 2013-06-11 Huadao Huang Circuit interrupting device with high voltage surge protection
WO2009048618A1 (en) 2007-10-11 2009-04-16 Veraconnex, Llc Probe card test apparatus and method
US8083855B2 (en) * 2007-10-31 2011-12-27 Lam Research Corporation Temperature control module using gas pressure to control thermal conductance between liquid coolant and component body
JP2009115971A (ja) 2007-11-05 2009-05-28 Bridgestone Corp 表示媒体用粒子およびそれを用いた情報表示用パネル
US7800382B2 (en) 2007-12-19 2010-09-21 AEHR Test Ststems System for testing an integrated circuit of a device and its method of use
JP5088167B2 (ja) 2008-02-22 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置、プロービング方法及び記憶媒体
US7675307B2 (en) 2008-03-18 2010-03-09 Star Technologies Inc. Heating apparatus for semiconductor devices
WO2009124223A1 (en) 2008-04-02 2009-10-08 Twilio Inc. System and method for processing telephony sessions
JP5538697B2 (ja) 2008-09-10 2014-07-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置のテスト方法
JP4792546B2 (ja) 2008-10-29 2011-10-12 株式会社アドバンテスト 電子部品の温度制御装置
JP2010151794A (ja) 2008-11-27 2010-07-08 Panasonic Corp 電子部品試験装置
US8030957B2 (en) 2009-03-25 2011-10-04 Aehr Test Systems System for testing an integrated circuit of a device and its method of use
JP5391776B2 (ja) 2009-03-27 2014-01-15 富士通株式会社 ヒートシンク
US7969175B2 (en) 2009-05-07 2011-06-28 Aehr Test Systems Separate test electronics and blower modules in an apparatus for testing an integrated circuit
JP4482616B1 (ja) * 2009-08-07 2010-06-16 株式会社アドバンテスト 試験装置および試験方法
US8465327B2 (en) 2009-11-02 2013-06-18 Apple Inc. High-speed memory connector
US9804223B2 (en) 2009-11-30 2017-10-31 Essai, Inc. Systems and methods for conforming test tooling to integrated circuit device with heater socket
US8872532B2 (en) 2009-12-31 2014-10-28 Formfactor, Inc. Wafer test cassette system
JP2011220924A (ja) 2010-04-13 2011-11-04 Advantest Corp 試験装置および接続装置
KR101641108B1 (ko) 2010-04-30 2016-07-20 삼성전자주식회사 디버깅 기능을 지원하는 타겟 장치 및 그것을 포함하는 테스트 시스템
US8279606B2 (en) 2010-05-07 2012-10-02 Dell Products L.P. Processor loading system including a heat dissipater
US8057263B1 (en) 2010-07-12 2011-11-15 Tyco Electronics Corporation Edge connectors having stamped signal contacts
US8456185B2 (en) 2010-08-17 2013-06-04 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Test adapter and method for achieving optical alignment and thermal coupling thereof with a device under test
US8472190B2 (en) 2010-09-24 2013-06-25 Ati Technologies Ulc Stacked semiconductor chip device with thermal management
TWI440114B (zh) 2010-11-30 2014-06-01 King Yuan Electronics Co Ltd 晶圓檢測系統
US8465312B2 (en) 2010-12-07 2013-06-18 Centipede Systems, Inc. Socket cartridge and socket cartridge assembly
KR101228207B1 (ko) 2010-12-08 2013-01-30 세크론 주식회사 반도체 소자 테스트용 푸싱 기구 및 이를 포함하는 테스트 핸들러
KR20120102451A (ko) 2011-03-08 2012-09-18 삼성전자주식회사 테스트 인터페이스 보드 및 이를 포함하는 테스트 시스템
US8713498B2 (en) 2011-08-24 2014-04-29 Freescale Semiconductor, Inc. Method and system for physical verification using network segment current
KR101283387B1 (ko) * 2011-10-05 2013-07-08 파워테크 테크놀로지 인코포레이티드 멀티칩 적층 패키지들의 테스트 방법
JP5615852B2 (ja) * 2012-01-27 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 電子デバイス試験システム
JP5851878B2 (ja) 2012-02-21 2016-02-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体モジュールの製造方法
KR20140000855A (ko) 2012-06-26 2014-01-06 삼성전자주식회사 테스트 인터페이스 보드 및 테스트 시스템
US9766285B2 (en) 2012-06-29 2017-09-19 Eles Semiconductor Equipment S.P.A. Test board with local thermal conditioning elements
ITMI20121157A1 (it) 2012-06-29 2013-12-30 Eles Semiconductor Equipment S P A Test di dispositivi elettronici con riscaldatori disposti tra scheda di test e dispositivi elettronici da testare
US20140125371A1 (en) 2012-11-05 2014-05-08 Hermes Testing Solutions Inc. Stand alone multi-cell probe card for at-speed functional testing
US10566080B2 (en) 2013-03-14 2020-02-18 Cerner Innovation, Inc. Expression of clinical logic with positive and negative explainability
JP5528617B1 (ja) 2013-11-29 2014-06-25 株式会社ウイング プロービングユニット、及びプロービングユニットを用いたバーンインスクリーニングシステム及びバーンインスクリーニング方法
US10297339B2 (en) 2014-02-19 2019-05-21 Advantest Corporation Integrated cooling system for electronics testing apparatus
US9594113B2 (en) 2014-02-21 2017-03-14 Sensata Technologies, Inc. Package on package thermal forcing device
TWM480762U (zh) 2014-03-12 2014-06-21 Chroma Ate Inc 具散熱模組之堆疊封裝構造測試裝置
JP6392010B2 (ja) 2014-07-03 2018-09-19 株式会社アドバンテスト 試験用キャリア
US9905400B2 (en) 2014-10-17 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with non-power-absorbing dielectric gas shower plate assembly
KR102433967B1 (ko) 2014-11-28 2022-08-22 (주)테크윙 전자부품 테스트용 핸들러
JP6447553B2 (ja) 2016-03-18 2019-01-09 株式会社東京精密 プローバ
EP3465238A4 (en) 2016-06-02 2020-01-22 KES Systems, Inc. SEMICONDUCTOR AGING TEST SYSTEM AND METHODS
US9911678B2 (en) 2016-06-13 2018-03-06 Qorvo Us, Inc. Substrate with integrated heat spreader
WO2018160557A1 (en) 2017-03-03 2018-09-07 Aehr Test Systems Electronics tester
JP6895772B2 (ja) 2017-03-07 2021-06-30 東京エレクトロン株式会社 検査装置およびコンタクト方法
US10269678B1 (en) 2017-12-05 2019-04-23 Nxp Usa, Inc. Microelectronic components having integrated heat dissipation posts, systems including the same, and methods for the fabrication thereof
JP6740301B2 (ja) 2018-08-31 2020-08-12 シスメックス株式会社 搬送システム、検体分析装置、検体ラック、および搬送規制方法
US11646244B2 (en) 2019-06-27 2023-05-09 Intel Corporation Socket loading mechanism for passive or active socket and package cooling
KR20230082672A (ko) 2020-10-07 2023-06-08 에어 테스트 시스템즈 일렉트로닉스 테스터

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020048826A1 (en) * 1999-07-14 2002-04-25 Richmond Donald Paul Wafer level burn-in and electrical test system and method
US20050125712A1 (en) * 2003-05-12 2005-06-09 Kingston Technology Corp. Manifold-Distributed Air Flow Over Removable Test Boards in a Memory-Module Burn-In System With Heat Chamber Isolated by Backplane
JP2015103552A (ja) * 2013-11-21 2015-06-04 株式会社東京精密 プローバ

Also Published As

Publication number Publication date
KR102852850B1 (ko) 2025-08-29
JP2025039623A (ja) 2025-03-21
TWI836645B (zh) 2024-03-21
US20240426938A1 (en) 2024-12-26
US12292484B2 (en) 2025-05-06
US12265136B2 (en) 2025-04-01
US20170200660A1 (en) 2017-07-13
TW201800759A (zh) 2018-01-01
JP2023178335A (ja) 2023-12-14
TWI782508B (zh) 2022-11-01
JP2019507333A (ja) 2019-03-14
KR20180101476A (ko) 2018-09-12
US11209497B2 (en) 2021-12-28
KR20250123227A (ko) 2025-08-14
US10466292B2 (en) 2019-11-05
JP2025119616A (ja) 2025-08-14
WO2017120514A1 (en) 2017-07-13
US20220082636A1 (en) 2022-03-17
KR102842851B1 (ko) 2025-08-05
JP2024155956A (ja) 2024-10-31
CN108780114B (zh) 2021-11-16
JP7045995B2 (ja) 2022-04-01
JP2022082613A (ja) 2022-06-02
TW202307446A (zh) 2023-02-16
US20200027799A1 (en) 2020-01-23
US20240426939A1 (en) 2024-12-26
KR20250029280A (ko) 2025-03-04
TW202132795A (zh) 2021-09-01
US12007451B2 (en) 2024-06-11
TWI729056B (zh) 2021-06-01
JP2025107187A (ja) 2025-07-17
CN108780114A (zh) 2018-11-09
JP7362817B2 (ja) 2023-10-17
KR20250028520A (ko) 2025-02-28
US20240302451A1 (en) 2024-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US12007451B2 (en) Method and system for thermal control of devices in an electronics tester
KR102495427B1 (ko) 일렉트로닉스 테스터
JP2025107187A5 (ko)
US20130008628A1 (en) Thermal chamber for ic chip testing
WO2008032397A1 (fr) Appareil de test de composant électronique
KR20140104907A (ko) 전자소자 테스트를 위한 장치 및 방법
JP4514787B2 (ja) 電子部品試験装置および電子部品試験装置における温度制御方法
KR100938363B1 (ko) 메모리 모듈의 신뢰성 검사용 온도조절장치

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20180807

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20211230

Comment text: Request for Examination of Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20240421

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20241229

A107 Divisional application of patent
PA0104 Divisional application for international application

Comment text: Divisional Application for International Patent

Patent event code: PA01041R01D

Patent event date: 20250219

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20250327

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20250327

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration