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KR102845120B1 - Bake unit, substrate treating method - Google Patents

Bake unit, substrate treating method

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KR102845120B1
KR102845120B1 KR1020200053439A KR20200053439A KR102845120B1 KR 102845120 B1 KR102845120 B1 KR 102845120B1 KR 1020200053439 A KR1020200053439 A KR 1020200053439A KR 20200053439 A KR20200053439 A KR 20200053439A KR 102845120 B1 KR102845120 B1 KR 102845120B1
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KR
South Korea
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substrate
height
cooling
pin
lift pins
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KR1020200053439A
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Korean (ko)
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이태훈
서종석
방제오
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세메스 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은 베이크 유닛에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 베이크 유닛은 하우징; 상기 하우징 내에 위치하며 기판을 가열하는 히팅 플레이트; 상기 히팅 플레이트의 핀홀들 상에서 승강 동작하는 리프트핀들을 포함하되; 상기 리프트핀들은 상단이 항상 기판과 접촉하도록 탄성력을 제공하는 댐퍼를 포함할 수 있다. The present invention relates to a bake unit. According to one embodiment of the present invention, the bake unit comprises: a housing; a heating plate positioned within the housing and configured to heat a substrate; and lift pins that move up and down on pinholes of the heating plate; wherein the lift pins may include dampers that provide elasticity so that their upper ends always contact the substrate.

Description

베이크 유닛, 기판 처리 방법{BAKE UNIT, SUBSTRATE TREATING METHOD}BAKE UNIT, SUBSTRATE TREATING METHOD

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판을 가열하는 베이크 유닛, 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing device, and more specifically, to a baking unit for heating a substrate and a substrate processing method.

일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 포토 리소그래피, 에칭, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 패턴을 형성하기 위해 수행되는 포토 리소그래피 공정은 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.Typically, manufacturing semiconductor devices involves a variety of processes, including cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation. The photolithography process, used to form patterns, plays a crucial role in achieving high integration of semiconductor devices.

포토리소그래피 공정은 반도체 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위해 수행된다. 포토리소그래피 공정은 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하는 도포 공정, 포토레지스트 막으로부터 포토레지스트 패턴을 형성하는 노광 공정, 노광 공정에서 광이 조사된 영역 또는 그 반대 영역을 제거하는 현상 공정을 포함하고, 각각의 공정의 전후에는 기판을 가열 및 냉각하는 베이크 공정이 수행된다.The photolithography process is performed to form a photoresist pattern on a semiconductor substrate. The photolithography process includes a coating process to form a photoresist film on the substrate, an exposure process to form a photoresist pattern from the photoresist film, and a development process to remove the area irradiated with light during the exposure process or the opposite area. Before and after each process, a baking process is performed to heat and cool the substrate.

베이크 공정을 수행하는 베이크 유닛은 기판에 200℃ 이상의 고열을 제공하여 열처리하며, 이 과정에서 히팅 플레이트 내의 열원(도선)에 전류가 흐르면서 발생되는 전자기장에 의해 기판 표면에 전하가 쌓이게 된다. 일반적으로 히팅 플레이트는 하드-아노다이징 처리된 AIN으로 구성되어 있고 부대체 대역의 표면저항 값을 가지고 있다, 따라서, 베이크 공정 중에 기판 표면의 잔류전하를 제거하지 않으면 기판 기준 대전량 (50V/inch)를 초과할 수 있어 아킹(arcing)에 취약할 수 있다. The bake unit that performs the baking process provides the substrate with high heat of 200℃ or more to perform heat treatment, and during this process, electric charges are accumulated on the surface of the substrate due to the electromagnetic field generated when current flows through the heat source (conductor wire) inside the heating plate. Typically, the heating plate is made of hard-anodized AIN and has a surface resistance value of the sub-body band. Therefore, if the residual charge on the substrate surface is not removed during the baking process, it may exceed the substrate standard charge amount (50V/inch), making it vulnerable to arcing.

본 발명은 베이크 공정을 진행하는 동안 기판 표면의 잔류전하를 지속적으로 제거할 수 있는 베이크 유닛 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a method for processing a bake unit substrate capable of continuously removing residual charges on the substrate surface during a baking process.

또한, 본 발명은 베이크 공정을 진행하는 동안 리프트 핀이 항상 기판과 접촉된 상태를 유지할 수 있는 베이크 유닛, 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention provides a baking unit and a substrate processing method that can always maintain a lift pin in contact with a substrate during a baking process.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The purpose of the present invention is not limited thereto, and other purposes not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명의 일측면에 따르면, 하우징; 상기 하우징 내에 위치하며 기판을 가열하는 히팅 플레이트; 상기 히팅 플레이트의 핀홀들 상에서 승강 동작하는 리프트핀들을 포함하되; 상기 리프트핀들은 상단이 항상 기판과 접촉하도록 탄성력을 제공하는 댐퍼를 포함하는 베이크 유닛이 제공될 수 있다.According to one aspect of the present invention, a bake unit may be provided, comprising: a housing; a heating plate positioned within the housing and configured to heat a substrate; and lift pins configured to move up and down on pinholes of the heating plate; wherein the lift pins include a damper that provides elasticity so that the upper ends thereof always contact the substrate.

또한, 상기 리프트핀들 각각은 상부핀과 하부핀을 포함하고, 상기 댐퍼는 상기 상부핀과 상기 하부핀 사이에 제공될 수 있다.Additionally, each of the lift pins may include an upper pin and a lower pin, and the damper may be provided between the upper pin and the lower pin.

또한, 상기 베이크 유닛은 상기 히팅 플레이트 상부로 이동되어 상기 히팅 플레이트에서 가열된 기판을 냉각시키는 쿨링 플레이트를 더 포함할 수 있다.Additionally, the baking unit may further include a cooling plate that moves above the heating plate to cool the substrate heated on the heating plate.

또한, 상기 리프트핀들을 승강시키는 핀 구동부; 및 상기 핀 구동부를 제어하는 제어부를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 리프트핀들이 기판의 로딩 및 언로딩을 위한 제1높이; 기판의 베이크 처리를 위해 상기 히팅 플레이트에 기판이 놓여지는 제2높이; 그리고 기판의 냉각처리를 위해 상기 쿨링 플레이트에 기판이 놓여지는 제3높이로 승강되도록 상기 구동부를 제어하며, 상기 리프트핀들은 상기 제1높이, 상기 제2높이 그리고 상기 제3높이에서 상기 댐퍼의 탄성력에 의해 기판의 저면과 접촉된 상태를 유지할 수 있다.In addition, the apparatus further includes a pin driving unit for elevating the lift pins; and a control unit for controlling the pin driving unit, wherein the control unit controls the driving unit so that the lift pins are elevated to a first height for loading and unloading a substrate; a second height for placing a substrate on the heating plate for baking the substrate; and a third height for placing a substrate on the cooling plate for cooling the substrate, and the lift pins can be maintained in contact with the lower surface of the substrate by the elastic force of the damper at the first height, the second height, and the third height.

또한, 상기 제1높이, 상기 제2높이 그리고 상기 제3높이는 실제 기판이 공정 진행시 위치되는 기판 설정 높이보다 소정거리 높게 설정되고, 공정 진행시 기판의 하중에 의해 상기 댐퍼가 압축되면서 상기 리프트핀들이 상기 설정된 높이에서 기판과 접촉될 수 있다.In addition, the first height, the second height, and the third height are set to be a predetermined distance higher than the substrate setting height at which the actual substrate is positioned during the process, and when the damper is compressed by the load of the substrate during the process, the lift pins can come into contact with the substrate at the set height.

또한, 상기 댐퍼는 스프링을 포함할 수 있다. Additionally, the damper may include a spring.

또한, 상기 스프링의 탄성력은 상기 기판의 하중보다 작게 제공될 수 있다.Additionally, the elastic force of the spring can be provided to be smaller than the load of the substrate.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 베이크 유닛의 하우징 내부로 기판이 반입되는 로딩 단계; 기판이 히팅 플레이트 안착된 상태에서 기판을 가열하는 베이킹 단계; 상기 히팅 플레이트에 가열 처리된 기판을 쿨링 플레이트 안착시켜 기판을 냉각하는 쿨링 단계; 및 상기 쿨링 플레이트에서 냉각 처리된 기판을 상기 하우징 외부로 반출하는 언로딩 단계를 포함하되; 상기 로딩 단계부터 상기 언로딩 단계까지 상기 기판의 잔류전하가 지속적으로 제거되도록 상기 기판은 리프트 핀들과 접촉된 상태를 유지하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, a substrate processing method may be provided, comprising: a loading step of bringing a substrate into a housing of a bake unit; a baking step of heating a substrate while the substrate is seated on a heating plate; a cooling step of cooling the substrate by seating the substrate heated on the heating plate on a cooling plate; and an unloading step of taking the substrate cooled on the cooling plate out of the housing; wherein the substrate is maintained in contact with lift pins from the loading step to the unloading step so that residual charges on the substrate are continuously removed.

또한, 상기 리프트 핀들은 상기 로딩 단계에서 핀-업 높이로 이동되고, 상기 베이킹 단계에서 핀-다운 높이로 이동되며, 상기 쿨링 단계에서 미들-업 높이로 이동될 수 있다.Additionally, the lift pins may be moved to a pin-up height in the loading step, to a pin-down height in the baking step, and to a middle-up height in the cooling step.

또한, 상기 미들업 높이는 상기 핀-업 단계보다 낮고 상기 핀-다운 높이보다 높은 높이일 수 있다.Additionally, the middle-up height may be lower than the pin-up step and higher than the pin-down height.

또한, 상기 리프트 핀들은 댐퍼의 탄성력에 의해 상기 기판과 접촉될 수 있다.Additionally, the lift pins can be brought into contact with the substrate by the elastic force of the damper.

또한, 상기 핀-업 높이, 상기 핀-다운 높이 그리고 상기 미들-업 높이는 기판의 공정 처리시 설정된 기판 설정 높이보다 소정거리 높게 설정되고, 공정 진행시 기판의 하중에 의해 상기 댐퍼가 압축되면서 상기 설정된 높이에서 상기 리프트핀들이 기판과 접촉될 수 있다.In addition, the pin-up height, the pin-down height, and the middle-up height are set to a predetermined distance higher than the substrate setting height set during the substrate process, and when the damper is compressed by the load of the substrate during the process, the lift pins can come into contact with the substrate at the set height.

또한, 상기 댐퍼의 탄성력은 상기 기판의 하중보다 작게 제공될 수 있다.Additionally, the elastic force of the damper can be provided to be less than the load of the substrate.

또한, 상기 쿨링 단계는 상기 히팅 플레이트 상부에 상기 쿨링 플레이트가 위치한 상태에서 상기 리프트 핀들이 기판에 접촉된 상태로 진행될 수 있다.Additionally, the cooling step may be performed while the cooling plate is positioned on top of the heating plate and the lift pins are in contact with the substrate.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 베이크 공정을 진행하는 동안 기판 표면의 잔류전하를 지속적으로 제거할 수 있어 기판 손상을 방지할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, residual charges on the substrate surface can be continuously removed during a baking process, thereby preventing damage to the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above, and effects not mentioned can be clearly understood by a person having ordinary skill in the art to which the present invention pertains from this specification and the attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 베이크 유닛의 사시도이다.
도 5는 도 4의 베이크 유닛의 평면도이다.
도 6은 도 4의 베이크 유닛의 단면도이다.
도 7은 베이크 유닛에 설치된 리프트 핀 어셈블리를 보여주는 도면이다.
도 8은 리프트 핀의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 베이크 유닛에서 기판을 처리하는 방법을 순차적으로 보여주는 플로우 차트이다.
도 10은 기판 로딩 상태를 보여주는 도면이다.
도 11은 기판 가열 상태를 보여주는 도면이다.
도 12는 기판 쿨링 상태를 보여주는 도면이다.
도 13은 리프트 핀들의 높이들을 비교하기 위한 도면이다.
FIG. 1 is a schematic drawing showing a substrate processing device according to one embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a drawing of the substrate processing device (1) of Fig. 1 viewed from the AA direction.
Fig. 3 is a drawing of the substrate processing device (1) of Fig. 1 viewed from the BB direction.
Figure 4 is a perspective view of a bake unit according to one embodiment of the present invention.
Figure 5 is a plan view of the bake unit of Figure 4.
Fig. 6 is a cross-sectional view of the bake unit of Fig. 4.
Figure 7 is a drawing showing a lift pin assembly installed in a bake unit.
Figure 8 is a cross-sectional view of a lift pin.
FIG. 9 is a flow chart sequentially showing a method of processing a substrate in a bake unit according to one embodiment of the present invention.
Figure 10 is a drawing showing the substrate loading state.
Figure 11 is a drawing showing the substrate heating state.
Figure 12 is a drawing showing the substrate cooling status.
Figure 13 is a drawing for comparing the heights of lift pins.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장 및 축소된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the attached drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various ways, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. These embodiments are provided to more fully explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated and reduced to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment can be connected to an exposure device and used to perform a coating process and a development process on the substrate. The following description will be given as an example where a wafer is used as the substrate.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1은 기판 처리 장치(1)를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.Figures 1 to 3 are schematic drawings showing a substrate processing device (1) according to one embodiment of the present invention. Figure 1 is a drawing of the substrate processing device (1) as viewed from above, Figure 2 is a drawing of the substrate processing device (1) of Figure 1 as viewed from the A-A direction, and Figure 3 is a drawing of the substrate processing device (1) of Figure 1 as viewed from the B-B direction.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 인터페이스 모듈(700), 그리고 퍼지 모듈(800)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 제공될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 3, the substrate processing device (1) includes a load port (100), an index module (200), a buffer module (300), a coating and developing module (400), an interface module (700), and a purge module (800). The load port (100), the index module (200), the buffer module (300), the coating and developing module (400), and the interface module (700) are sequentially arranged in a row in one direction. The purge module (800) may be provided within the interface module (700). Alternatively, the purge module (800) may be provided at various locations, such as a location where an exposure device is connected at the rear end of the interface module (700) or a side of the interface module (700).

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 한다. Hereinafter, the direction in which the load port (100), index module (200), buffer module (300), application and development module (400), and interface module (700) are arranged is referred to as the first direction (12). When viewed from above, the direction perpendicular to the first direction (12) is referred to as the second direction (14), and the directions perpendicular to the first direction (12) and the second direction (14) are referred to as the third direction (16).

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 일 예로 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate (W) is moved while stored in a cassette (20). The cassette (20) has a structure that can be sealed from the outside. For example, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used as the cassette (20).

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 인터페이스 모듈(700), 그리고 퍼지 모듈(800)에 대해 설명한다.Below, the load port (100), index module (200), buffer module (300), application and development module (400), interface module (700), and fuzzy module (800) are described.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공된다. The load port (100) has a mounting plate (120) on which a cassette (20) containing substrates (W) is placed. A plurality of mounting plates (120) are provided, and the mounting plates (120) are arranged in a row along the second direction (14). In Fig. 1, four mounting plates (120) are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공된다. 프레임(210)은 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조이다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module (200) transfers a substrate (W) between a cassette (20) placed on a mounting plate (120) of a load port (100) and a buffer module (300). The index module (200) includes a frame (210), an index robot (220), and a guide rail (230). The frame (210) is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an interior that is generally hollow. The frame (210) is arranged between the load port (100) and the buffer module (300). The frame (210) of the index module (200) may be provided at a lower height than the frame (310) of the buffer module (300) described below. The index robot (220) and the guide rail (230) are arranged within the frame (210). The index robot (220) has a structure capable of four-axis driving so that a hand (221) for directly handling a substrate (W) can move and rotate in a first direction (12), a second direction (14), and a third direction (16). The index robot (220) includes a hand (221), an arm (222), a support (223), and a pedestal (224). The hand (221) is fixedly installed to the arm (222). The arm (222) is provided with an elastic structure and a rotatable structure. The support (223) is arranged such that its longitudinal direction is along the third direction (16). The arm (222) is coupled to the support (223) so as to be movable along the support (223). The support (223) is fixedly coupled to the pedestal (224). A guide rail (230) is provided such that its longitudinal direction is arranged along the second direction (14). The pedestal (224) is coupled to the guide rail (230) so as to be able to move linearly along the guide rail (230). In addition, although not shown, the frame (210) is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette (20).

버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 제공된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The buffer module (300) includes a frame (310), a first buffer (320), a second buffer (330), a cooling chamber (350), and a first buffer robot (360). The frame (310) is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an interior that is hollow, and is placed between the index module (200) and the application and development module (400). The first buffer (320), the second buffer (330), the cooling chamber (350), and the first buffer robot (360) are positioned within the frame (310). The cooling chamber (350), the second buffer (330), and the first buffer (320) are sequentially placed from below in a third direction (16). The first buffer (320) is positioned at a height corresponding to the application module (401) of the application and development module (400) described later, and the second buffer (330) and the cooling chamber (350) are provided at a height corresponding to the development module (402) of the application and development module (400) described later. The first buffer robot (360) is positioned at a predetermined distance from the second buffer (330), the cooling chamber (350), and the first buffer (320) in the second direction (14).

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220)과 제 1 버퍼 로봇(360)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향과 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. A first buffer (320) and a second buffer (330) each temporarily store a plurality of substrates (W). The second buffer (330) has a housing (331) and a plurality of supports (332). The supports (332) are arranged in the housing (331) and are provided spaced apart from each other along a third direction (16). One substrate (W) is placed on each support (332). The housing (331) has openings (not shown) in a direction in which the index robot (220) is provided and in a direction in which the first buffer robot (360) is provided so that the index robot (220) and the first buffer robot (360) can load or unload the substrate (W) onto the supports (332) within the housing (331). The first buffer (320) has a structure generally similar to that of the second buffer (330). However, the housing (321) of the first buffer (320) has an opening in the direction in which the first buffer robot (360) is provided and in the direction in which the application robot (432) positioned in the application module (401) is provided. The number of supports (322) provided in the first buffer (320) and the number of supports (332) provided in the second buffer (330) may be the same or different. In one example, the number of supports (332) provided in the second buffer (330) may be greater than the number of supports (322) provided in the first buffer (320).

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. A first buffer robot (360) transfers a substrate (W) between a first buffer (320) and a second buffer (330). The first buffer robot (360) includes a hand (361), an arm (362), and a support (363). The hand (361) is fixedly installed on the arm (362). The arm (362) is provided with an elastic structure so that the hand (361) can move along a second direction (14). The arm (362) is coupled to the support (363) so as to be able to move linearly along the support (363) in a third direction (16). The support (363) has a length extending from a position corresponding to the second buffer (330) to a position corresponding to the first buffer (320). The support (363) may be provided to be longer in an upper or lower direction. The first buffer robot (360) may be provided so that the hand (361) can only be driven in two axes along the second direction (14) and the third direction (16).

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 포함한다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들이 제공될 수 있다. The cooling chamber (350) cools each substrate (W). The cooling chamber (350) includes a housing (351) and a cooling plate (352). The cooling plate (352) has an upper surface on which the substrate (W) is placed and a cooling means (353) for cooling the substrate (W). Various methods, such as cooling using coolant or cooling using a thermoelectric element, may be used as the cooling means (353). In addition, the cooling chamber (350) may be provided with a lift pin assembly for positioning the substrate (W) on the cooling plate (352). The housing (351) has openings in the direction in which the index robot (220) is provided and in the direction in which the developing robot is provided so that the developing robot provided in the index robot (220) and the developing module (402) can load or unload the substrate (W) onto or from the cooling plate (352). In addition, the cooling chamber (350) may be provided with doors for opening and closing the above-described openings.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 액처리 챔버(410), 베이크 유닛(500), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 액처리 챔버(410), 베이크 유닛(500), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 액처리 챔버(410)는 기판(W)DP 레지스트 도포 공정을 수행하는 레지스트 도포 챔버(410)로 제공될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 유닛(500)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. The coating module (401) includes a process of coating a photosensitive liquid such as photoresist on a substrate (W) and a heat treatment process such as heating and cooling on the substrate (W) before and after the resist coating process. The coating module (401) has a liquid treatment chamber (410), a bake unit (500), and a return chamber (430). The liquid treatment chamber (410), the bake unit (500), and the return chamber (430) are sequentially arranged along the second direction (14). The liquid treatment chamber (410) may be provided as a resist coating chamber (410) that performs a substrate (W) DP resist coating process. A plurality of resist coating chambers (410) are provided, each provided in a first direction (12) and a third direction (16). A plurality of bake units (500) are provided in the first direction (12) and the third direction (16).

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 유닛들(420), 레지스트 도포 챔버들(410), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The return chamber (430) is positioned parallel to the first buffer (320) of the first buffer module (300) in the first direction (12). An application robot (432) and a guide rail (433) are positioned within the return chamber (430). The return chamber (430) has a generally rectangular shape. The application robot (432) transfers a substrate (W) between the bake units (420), the resist application chambers (410), and the first buffer (320) of the first buffer module (300). The guide rail (433) is positioned so that its length direction is parallel to the first direction (12). The guide rail (433) guides the application robot (432) to move in a straight line in the first direction (12). The application robot (432) has a hand (434), an arm (435), a support (436), and a pedestal (437). The hand (434) is fixedly installed on the arm (435). The arm (435) is provided with an elastic structure so that the hand (434) can move horizontally. The support (436) is provided so that its length direction is arranged along the third direction (16). The arm (435) is coupled to the support (436) so as to be linearly movable in the third direction (16) along the support (436). The support (436) is fixedly coupled to the pedestal (437), and the pedestal (437) is coupled to the guide rail (433) so as to be movable along the guide rail (433).

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. All resist coating chambers (410) have the same structure. However, the type of photoresist used in each resist coating chamber (410) may be different. For example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber (410) coats the photoresist on a substrate (W). The resist coating chamber (410) has a housing (411), a support plate (412), and a nozzle (413). The housing (411) has a cup shape with an open top. The support plate (412) is positioned within the housing (411) and supports the substrate (W). The support plate (412) is provided to be rotatable. The nozzle (413) supplies the photoresist onto the substrate (W) placed on the support plate (412). The nozzle (413) has a circular tubular shape and can supply photoresist to the center of the substrate (W). Optionally, the nozzle (413) has a length corresponding to the diameter of the substrate (W), and the discharge port of the nozzle (413) can be provided as a slit. In addition, the resist coating chamber (410) can further be provided with a nozzle (414) that supplies a cleaning solution, such as deionized water, to clean the surface of the substrate (W) on which the photoresist is coated.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 액처리 챔버(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 액처리 챔버(460), 베이크 유닛(500), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 액처리 챔버(460)는 현상 챔버로 제공될 수 있다. 현상 챔버(460)와 베이크 유닛(500)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. Referring to FIGS. 1 to 3, the developing module (402) includes a developing process for removing a portion of a photoresist by supplying a developing solution to obtain a pattern on a substrate (W), and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate (W) before and after the developing process. The developing module (402) has a liquid treatment chamber (460), a bake unit (470), and a return chamber (480). The liquid treatment chamber (460), the bake unit (500), and the return chamber (480) are sequentially arranged along the second direction (14). The liquid treatment chamber (460) may be provided as a developing chamber. The developing chamber (460) and the bake unit (500) are positioned spaced apart from each other in the second direction (14) with the return chamber (480) interposed therebetween. A plurality of developing chambers (460) are provided, and a plurality of them are provided in each of the first direction (12) and the third direction (16).

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 유닛들(470), 현상 챔버들(460), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350) 간에 기판(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The return chamber (480) is positioned parallel to the second buffer (330) of the first buffer module (300) in the first direction (12). A developing robot (482) and a guide rail (483) are positioned within the return chamber (480). The return chamber (480) has a generally rectangular shape. The developing robot (482) transfers the substrate (W) between the bake units (470), the developing chambers (460), and the second buffer (330) and cooling chamber (350) of the first buffer module (300). The guide rail (483) is positioned so that its length direction is parallel to the first direction (12). The guide rail (483) guides the developing robot (482) to move in a straight line in the first direction (12). The development robot (482) has a hand (484), an arm (485), a support (486), and a pedestal (487). The hand (484) is fixedly installed on the arm (485). The arm (485) is provided with an elastic structure so that the hand (484) can move horizontally. The support (486) is provided so that its length direction is arranged along a third direction (16). The arm (485) is coupled to the support (486) so as to be linearly movable in the third direction (16) along the support (486). The support (486) is fixedly coupled to the pedestal (487). The pedestal (487) is coupled to the guide rail (483) so as to be movable along the guide rail (483).

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The developing chambers (460) all have the same structure. However, the type of developer used in each developing chamber (460) may be different. The developing chamber (460) removes the photoresist on the substrate (W) in the area that has been irradiated with light. At this time, the area of the protective film that has been irradiated with light is also removed. Depending on the type of photoresist used, only the areas of the photoresist and the protective film that have not been irradiated with light may be removed.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The developing chamber (460) has a housing (461), a support plate (462), and a nozzle (463). The housing (461) has a cup shape with an open top. The support plate (462) is positioned within the housing (461) and supports a substrate (W). The support plate (462) is provided to be rotatable. The nozzle (463) supplies a developing solution onto the substrate (W) placed on the support plate (462). The nozzle (463) has a circular tubular shape and can supply the developing solution to the center of the substrate (W). Optionally, the nozzle (463) has a length corresponding to the diameter of the substrate (W), and the discharge port of the nozzle (463) may be provided as a slit. In addition, the developing chamber (460) may further be provided with a nozzle (464) that supplies a cleaning solution, such as deionized water, to clean the surface of the substrate (W) to which the developing solution has been additionally supplied.

현상 모듈(402)에 제공되는 베이크 유닛(500)은 전술한 베이크 유닛(500)과 대체로 동일하게 제공된다. The bake unit (500) provided in the development module (402) is provided substantially the same as the bake unit (500) described above.

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module (400), the application module (401) and the development module (402) are provided to be separated from each other. In addition, when viewed from above, the application module (401) and the development module (402) may have the same chamber arrangement.

인터페이스 모듈(700)은 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 포함한다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. An interface module (700) transports a substrate (W). The interface module (700) includes a frame (710), a first buffer (720), a second buffer (730), and an interface robot (740). The first buffer (720), the second buffer (730), and the interface robot (740) are positioned within the frame (710). The first buffer (720) and the second buffer (730) are spaced apart from each other by a certain distance and are arranged to be stacked on top of each other. The first buffer (720) is arranged higher than the second buffer (730).

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. The interface robot (740) is positioned apart from the first buffer (720) and the second buffer (730) in the second direction (14). The interface robot (740) transports the substrate (W) between the first buffer (720), the second buffer (730), and the exposure device (900).

제 1 버퍼(720)는 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 유사한 구조를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer (720) temporarily stores substrates (W) on which a process has been performed before they are moved to the exposure device (900). And the second buffer (730) temporarily stores substrates (W) on which a process has been completed before they are moved from the exposure device (900). The first buffer (720) has a housing (721) and a plurality of supports (722). The supports (722) are arranged in the housing (721) and are provided spaced apart from each other along a third direction (16). One substrate (W) is placed on each support (722). The housing (721) has an opening in a direction in which the interface robot (740) is provided and a direction in which the preprocessing robot (632) is provided so that the interface robot (740) and the preprocessing robot (632) can load or unload the substrate (W) onto the support (722) into or out of the housing (721). The second buffer (730) has a similar structure to the first buffer (720). The interface module may be provided with only the buffers and the robot as described above, without providing a chamber for performing a predetermined process on the wafer.

도 4 내지 도 6은 베이크 유닛을 보여주는 도면이다. Figures 4 to 6 are drawings showing a bake unit.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 베이크 유닛(500)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 유닛들(500)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등과 같은 가열 공정을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행할 수 있다. Referring to FIGS. 4 to 6, the bake unit (500) heat-treats the substrate (W). For example, the bake units (500) may perform a heating process, such as a prebake process that heats the substrate (W) to a predetermined temperature to remove organic substances or moisture from the surface of the substrate (W) before applying photoresist, or a soft bake process that is performed after applying photoresist on the substrate (W), and may perform a cooling process that cools the substrate (W) after each heating process.

베이크 유닛(500)은 하우징(510), 냉각 유닛(530), 가열 유닛(550) 그리고 이들을 제어하는 제어기(590)를 포함할 수 있다.The baking unit (500) may include a housing (510), a cooling unit (530), a heating unit (550), and a controller (590) that controls them.

하우징(510)은 내부에 베이크 공정이 이루어지는 공간을 제공한다. 하우징(510)은 직육면체 형상으로 제공된다. 하우징(510)은 제1측벽(511), 제2측벽(513) 그리고 출입구(512)를 포함한다. The housing (510) provides a space within which a baking process takes place. The housing (510) is provided in a rectangular parallelepiped shape. The housing (510) includes a first side wall (511), a second side wall (513), and an entrance (512).

제1측벽(511)은 하우징(510)의 일측면에 제공된다. 제2측벽(512)은 제1측벽(511)과 맞은편에 제공된다. 하우징(510)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 출입구(512)가 형성된다. 일 예로 출입구(512)는 제1측벽(511)에 형성될 수 있다. 출입구(512)는 기판(W)이 이동하는 통로를 제공한다. A first side wall (511) is provided on one side of the housing (510). A second side wall (512) is provided opposite the first side wall (511). An entrance (512) through which a substrate (W) enters and exits is formed on the side wall of the housing (510). For example, the entrance (512) may be formed on the first side wall (511). The entrance (512) provides a passage through which the substrate (W) moves.

냉각 유닛(530)은 가열 플레이트(551) 또는 처리가 끝난 기판(W)을 냉각시킨다. 냉각 유닛(530)은 쿨링 플레이트(531)와 쿨링 플레이트(531)를 이동시키는 반송부(540)를 포함할 수 있다. 일 예로 쿨링 플레이트(531)는 내부에 냉각 유로가 제공될 수 있다. 냉각 유로에는 냉각수가 공급되어 기판(W) 및 쿨링 플레이트(531)를 냉각할 수 있다. 반송부(540)는 하우징(510) 내에서 쿨링 플레이트(531)를 반송한다. 쿨링 플레이트(531)는 반송부(540)에 의해 대기 위치와 쿨링 위치로 이동될 수 있다. 대기 위치는 출입구와 인접한 위치(도 4에 도시된 위치)일 수 있고, 쿨링 위치는 가열 플레이트 상부에 해당되는 위치일 수 있다. The cooling unit (530) cools the heating plate (551) or the processed substrate (W). The cooling unit (530) may include a cooling plate (531) and a return unit (540) that moves the cooling plate (531). For example, the cooling plate (531) may have a cooling path provided therein. Cooling water may be supplied to the cooling path to cool the substrate (W) and the cooling plate (531). The return unit (540) returns the cooling plate (531) within the housing (510). The cooling plate (531) may be moved to a standby position and a cooling position by the return unit (540). The standby position may be a position adjacent to the entrance (the position shown in FIG. 4), and the cooling position may be a position corresponding to the upper portion of the heating plate.

쿨링 플레이트(531)에는 기판(W)이 놓인다. 쿨링 플레이트(531)는 원형의 형상으로 제공된다. 쿨링 플레이트(531)는 기판(W)과 동일한 크기로 제공된다. 쿨링 플레이트(531)는 열전도도가 좋은 금속의 재질로 제공된다. 쿨링 플레이트(531)에는 가이드 홀(535)이 형성되어 있다. 가이드 홀(535)은 쿨링 플레이트(531)의 외측면으로부터 그 내측으로 연장되어 제공된다. 가이드 홀(535)은 쿨링 플레이트(531)의 이동 시 리프트 핀(553)과 간섭 또는 충돌이 일어나지 않도록 한다. 쿨링 플레이트(531) 내에는 쿨링 냉매가 흐르는 유로가 제공될 수 있다.A substrate (W) is placed on a cooling plate (531). The cooling plate (531) is provided in a circular shape. The cooling plate (531) is provided in the same size as the substrate (W). The cooling plate (531) is provided with a metal material having good thermal conductivity. A guide hole (535) is formed in the cooling plate (531). The guide hole (535) is provided to extend from the outer surface of the cooling plate (531) to the inner side thereof. The guide hole (535) prevents interference or collision with the lift pin (553) when the cooling plate (531) moves. A flow path through which a cooling refrigerant flows may be provided within the cooling plate (531).

아암(532)은 쿨링 플레이트(531)와 고정결합된다. 아암(532)은 쿨링 플레이트(531)와 반송부(540) 사이에 제공된다. The arm (532) is fixedly connected to the cooling plate (531). The arm (532) is provided between the cooling plate (531) and the return part (540).

반송부(540)는 쿨링 플레이트(531)를 구동시킨다. 반송부(540)는 쿨링 플레이트(531)를 수평 운동 또는 상하 이동시킨다. 반송부(540)는 쿨링 플레이트(531)를 제1위치와 제2위치로 이동시킬 수 있다. 제1위치는 쿨링 플레이트(531)가 제1측벽(511)에 인접한 위치이다. 제2위치는 제2측벽(513)에 근접하며 가열 플레이트(551)의 상부 위치이다. The return unit (540) drives the cooling plate (531). The return unit (540) moves the cooling plate (531) horizontally or up and down. The return unit (540) can move the cooling plate (531) to a first position and a second position. The first position is a position where the cooling plate (531) is adjacent to the first side wall (511). The second position is a position close to the second side wall (513) and above the heating plate (551).

가열 유닛(550)은 기판(W)을 설정 온도로 가열한다. 가열 유닛(550)은 가열 플레이트(551), 리프트 핀(573), 커버(555) 그리고 구동기(557)를 포함한다. The heating unit (550) heats the substrate (W) to a set temperature. The heating unit (550) includes a heating plate (551), a lift pin (573), a cover (555), and a driver (557).

가열 플레이트(551)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 가열 수단이 제공된다. 예컨대, 가열 수단은 히팅 코일로 제공될 수 있다. 이와는 달리 가열 플레이트(551)에는 발열 패턴들이 제공될 수 있다. 가열 플레이트(551)는 원통형의 형상으로 제공된다. 가열 플레이트(551)의 내에는 리프트 핀(573)을 수용하는 핀 홀(554;도10 참조)이 형성된다.A heating means for heating the substrate (W) is provided inside the heating plate (551). For example, the heating means may be provided as a heating coil. Alternatively, heating patterns may be provided on the heating plate (551). The heating plate (551) is provided in a cylindrical shape. A pin hole (554; see FIG. 10) for accommodating a lift pin (573) is formed inside the heating plate (551).

핀 홀(554)은 리프트 핀(573)이 기판(W)을 상하로 이동시킬 때 리프트 핀(573)의 이동하는 경로를 위해 제공된다. 핀 홀(554;도10 참조)은 가열 플레이트(551)를 상하방향으로 관통하도록 제공되며, 복수개가 제공될 수 있다. A pin hole (554) is provided for a moving path of the lift pin (573) when the lift pin (573) moves the substrate (W) up and down. The pin hole (554; see Fig. 10) is provided to penetrate the heating plate (551) in the up and down direction, and a plurality of pin holes may be provided.

리프트 핀(573)은 핀구동부(571)에 의해 상하로 이동된다. 리프트 핀(573)은 기판(W)을 가열 플레이트(551) 상에 안착시킬 수 있다. 리프트 핀(573)은 기판(W)을 가열 플레이트(551)로부터 일정거리 이격된 위치로 기판(W)을 승강시킬 수 있다. The lift pin (573) is moved up and down by the pin driver (571). The lift pin (573) can place the substrate (W) on the heating plate (551). The lift pin (573) can elevate the substrate (W) to a position spaced a certain distance from the heating plate (551).

커버(555)는 가열 플레이트(551)의 상부에 위치한다. 커버(555)는 원통형의 형상으로 제공된다. 커버(555)는 내부에 가열 공간을 제공한다. 커버(555)는 기판(W)이 가열 플레이트(551)로 이동시 구동기(557)에 의해 가열 플레이트(551)의 상부로 이동한다. 커버(555)는 기판(W)이 가열 플레이트(551)에 의해 가열 시 구동기(557)에 의해 하부로 이동하여 기판(W)이 가열되는 가열 공간을 형성한다. The cover (555) is positioned on top of the heating plate (551). The cover (555) is provided in a cylindrical shape. The cover (555) provides a heating space inside. The cover (555) is moved to the top of the heating plate (551) by the driver (557) when the substrate (W) moves to the heating plate (551). The cover (555) is moved downward by the driver (557) when the substrate (W) is heated by the heating plate (551), thereby forming a heating space in which the substrate (W) is heated.

구동기(557)는 지지부(558)에 의해 커버(555)와 고정 결합된다. 구동기(557)는 기판(W)이 가열 플레이트(551)로 이송 또는 반송되는 경우 커버(555)를 상하로 승하강시킨다. 일 예로 구동기(557)는 실린더로 제공될 수 있다. The actuator (557) is fixedly connected to the cover (555) by the support member (558). The actuator (557) moves the cover (555) up and down when the substrate (W) is transferred or returned to the heating plate (551). For example, the actuator (557) may be provided as a cylinder.

제어기(590)는 냉각 유닛(530), 가열 유닛(550)을 제어한다. The controller (590) controls the cooling unit (530) and the heating unit (550).

도 7은 베이크 유닛에 설치된 리프트 핀 어셈블리를 보여주는 도면이고, 도 8은 리프트 핀의 단면도이다.Fig. 7 is a drawing showing a lift pin assembly installed in a bake unit, and Fig. 8 is a cross-sectional view of the lift pin.

도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 리프트 핀(573)들은 이동아암(572) 일단에 수직한 방향으로 설치된다. 이동아암(572)은 핀구동부(571)에 의해 승강된다. 핀구동부(671)는 제어부(590)에 의해 제어된다. As illustrated in FIGS. 7 and 8, the lift pins (573) are installed in a vertical direction on one end of the moving arm (572). The moving arm (572) is raised and lowered by the pin driving unit (571). The pin driving unit (671) is controlled by the control unit (590).

리프트 핀(573)은 상부핀(574)과 하부핀(575) 그리고 그 사이에 제공되는 댐퍼(576)를 포함할 수 있다. 일 예로, 댐퍼(576)는 스프링으로 제공될 수 있다. 스프링의 탄성력은 기판의 하중보다 작게 제공되는 것이 바람직하다. 도 8에서와 같이, 리프트 핀(573)들이 기판(W)을 지지하게 되면, 리프트 핀(573)의 댐퍼(576)가 기판(W)의 하중에 의해 압축되면서 상부핀(574)이 소정높이(T1) 만큼 하강이동된다. 따라서, 리프트 핀(573)들의 승강 높이는 기판의 공정 처리시 설정된 기판 설정 높이보다 소정거리 높게 설정되고, 공정 진행시 기판의 하중에 의해 댐퍼(576)가 압축되면서 설정된 높이에서 기판과 접촉된다. The lift pin (573) may include an upper pin (574), a lower pin (575), and a damper (576) provided therebetween. For example, the damper (576) may be provided as a spring. It is preferable that the elastic force of the spring be less than the load of the substrate. As shown in FIG. 8, when the lift pins (573) support the substrate (W), the damper (576) of the lift pin (573) is compressed by the load of the substrate (W), and the upper pin (574) moves downward by a predetermined height (T1). Therefore, the elevation height of the lift pins (573) is set to be a predetermined distance higher than the substrate setting height set during the substrate process, and the damper (576) is compressed by the load of the substrate during the process, and comes into contact with the substrate at the set height.

도 13은 리프트 핀들의 높이들을 비교하기 위한 도면이다. Figure 13 is a drawing for comparing the heights of lift pins.

도 13을 참조하면, 제어부(590)는 리프트 핀(573)들이 기판의 로딩 및 언로딩을 위한 제1높이(L1), 기판의 베이크 처리를 위해 히팅 플레이트(551)에 기판이 놓여지는 제2높이(L2) 그리고 기판의 냉각 처리를 위해 쿨링 플레이트(531)에 기판이 놓여지는 제3높이(L3)로 승강되도록 핀구동부(571)를 제어하며, 리프트 핀(573)들은 제1높이, 제2높이 그리고 제3높이에서 댐퍼(576)의 탄성력에 의해 기판의 저면과 접촉된 상태를 유지하게 된다. 제3높이는 제1높이인 핀-업 보다 낮고 제2높이인 핀-다운보다 높은 높이이다. Referring to FIG. 13, the control unit (590) controls the pin driving unit (571) so that the lift pins (573) are raised to a first height (L1) for loading and unloading the substrate, a second height (L2) for placing the substrate on the heating plate (551) for baking the substrate, and a third height (L3) for placing the substrate on the cooling plate (531) for cooling the substrate, and the lift pins (573) are maintained in contact with the bottom surface of the substrate by the elastic force of the damper (576) at the first, second, and third heights. The third height is lower than the first height (pin-up) and higher than the second height (pin-down).

도 9는 본 발명의 일 실시예에 베이크 유닛에서 기판을 처리하는 방법을 순차적으로 보여주는 플로우 차트이고, 도 10은 기판 로딩 상태를 보여주는 도면, 도 11은 기판 가열 상태를 보여주는 도면, 도 12는 기판 쿨링 상태를 보여주는 도면이다.FIG. 9 is a flow chart sequentially showing a method of processing a substrate in a bake unit according to one embodiment of the present invention, FIG. 10 is a drawing showing a substrate loading state, FIG. 11 is a drawing showing a substrate heating state, and FIG. 12 is a drawing showing a substrate cooling state.

이하 도 9 내지 도 12를 참조하면, 기판을 처리하는 방법은 기판 로딩 단계(S110), 기판 가열 단계(S120), 기판 냉각 단계(S130) 그리고 기판 언로딩 단계(S140)를 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 9 to 12 below, a method for processing a substrate may include a substrate loading step (S110), a substrate heating step (S120), a substrate cooling step (S130), and a substrate unloading step (S140).

로딩 단계(S110)에서 기판은 베이크 유닛의 하우징 내부로 반입되어 리프트 핀(573)들에 의해 지지된다. 로딩 단계에서 기판은 쿨링 플레이트(531)에 의해 반송되어 리프트 핀(573) 상에 놓여질 수 있으며, 기판 반송을 마친 쿨링 플레이트(531)는 대기 위치로 원위치될 수 있다. 이때 리트프핀(573)들은 핀-업 상태이다.In the loading step (S110), the substrate is brought into the housing of the bake unit and supported by the lift pins (573). In the loading step, the substrate can be returned by the cooling plate (531) and placed on the lift pins (573), and the cooling plate (531) after completing the return of the substrate can be returned to the standby position. At this time, the lift pins (573) are in a pin-up state.

기판 가열 단계(베이킹 단계)(S120)에서 기판은 히팅 플레이트(551) 안착된 상태에서 열처리된다. 기판은 히팅 플레이트(551) 상면에 위치한 갭핀(돌기)들에 의해 지지된다. 이때, 리프트핀(573)들은 핀-다운 높이에서 기판 저면과 접촉된 상태를 유지한다. In the substrate heating step (baking step) (S120), the substrate is heat-treated while mounted on the heating plate (551). The substrate is supported by gap pins (protrusions) located on the upper surface of the heating plate (551). At this time, the lift pins (573) maintain contact with the lower surface of the substrate at the pin-down height.

기판 냉각 단계(쿨링 단계)(S130)에서 히팅 플레이트(551)에 가열 처리된 기판은 쿨링 플레이트(531)에 안착된 상태에서 냉각처리된다. 이때, 리프트 핀(573)들은 미들-업 높이에서 기판 저면과 접촉된 상태를 유지한다. In the substrate cooling step (cooling step) (S130), the substrate heated on the heating plate (551) is cooled while seated on the cooling plate (531). At this time, the lift pins (573) remain in contact with the bottom surface of the substrate at the middle-up height.

기판 언로딩 단계(S140)에서 쿨링 플레이트(531)에서 냉각 처리된 기판은 하우징 외부로 반출된다. 이때 리프트 핀(573)들은 핀-다운 상태이다. In the substrate unloading step (S140), the substrate cooled on the cooling plate (531) is taken out of the housing. At this time, the lift pins (573) are in a pin-down state.

본 실시에에 따른 기판 처리 방법은 로딩 단계부터 언로딩 단계까지 기판의 잔류전하가 지속적으로 제거되도록 기판이 리프트 핀들과 접촉된 상태를 유지한다는데 그 특징이 있다. 이를 위해 리프트핀들은 상단이 항상 기판과 접촉하도록 댐퍼가 탄성력을 제공한다. The substrate processing method according to this embodiment is characterized by maintaining the substrate in contact with the lift pins from the loading stage to the unloading stage so that residual charges on the substrate are continuously removed. To this end, dampers provide elasticity to the lift pins so that their upper ends always remain in contact with the substrate.

일 예로, 핀-업, 핀-다운 그리고 미들-업 높이는 실제 기판이 공정 진행시 설정된 높이보다 소정거리 높게 설정되고, 공정 진행시 기판의 하중에 의해 댐퍼가 압축되면서 설정된 높이에서 기판과 접촉된다. For example, the pin-up, pin-down, and middle-up heights are set to a predetermined distance higher than the height set when the actual substrate is processed, and the damper is compressed by the load of the substrate during the process and comes into contact with the substrate at the predetermined height.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. Furthermore, the foregoing description illustrates preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. In other words, changes or modifications may be made within the scope of the inventive concepts disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or the scope of technology or knowledge in the art. The written embodiments illustrate the best possible state for implementing the technical idea of the present invention, and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Therefore, the detailed description of the invention above is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Furthermore, the appended claims should be construed to include other embodiments.

100 : 로드 포트 200 : 인덱스 모듈
300 : 버퍼 모듈 400 : 도포 및 현상 모듈
500 : 베이크 유닛 510 : 하우징
530 : 냉각 유닛 531 : 쿨링 플레이트
550 : 가열 유닛 551 : 가열 플레이트
573 : 리프트 핀
100: Load port 200: Index module
300: Buffer module 400: Application and development module
500: Bake unit 510: Housing
530: Cooling unit 531: Cooling plate
550: Heating unit 551: Heating plate
573: Lift pin

Claims (14)

베이크 유닛에 있어서,
하우징;
상기 하우징 내에 위치하며 기판을 가열하는 히팅 플레이트; 및
상기 히팅 플레이트의 핀홀들 상에서 승강 동작하는 리프트핀들을 포함하되;
상기 리프트핀들은
기판이 상기 하우징 내부로 기판이 반입되어 상기 히팅 플레이트에 안착된 후 가열되는 베이킹 단계까지 기판과 접촉된 상태를 유지하도록 탄성력을 제공하는 댐퍼를 포함하는 베이크 유닛.
In the bake unit,
housing;
A heating plate positioned within the housing and heating the substrate; and
Including lift pins that move up and down on the pinholes of the above heating plate;
The above lift pins
A baking unit including a damper that provides elasticity to maintain the substrate in contact with the substrate until the baking step in which the substrate is brought into the housing and placed on the heating plate and heated.
제 1 항에 있어서,
상기 리프트핀들 각각은
상부핀과 하부핀을 포함하고,
상기 댐퍼는 상기 상부핀과 상기 하부핀 사이에 제공되는 베이크 유닛.
In the first paragraph,
Each of the above lift pins
Includes upper and lower pins,
The above damper is a bake unit provided between the upper pin and the lower pin.
제 1 항에 있어서,
상기 베이크 유닛은
상기 히팅 플레이트 상부로 이동되어 상기 히팅 플레이트에서 가열된 기판을 냉각시키는 쿨링 플레이트를 더 포함하는 베이크 유닛.
In the first paragraph,
The above bake unit
A baking unit further comprising a cooling plate that is moved above the heating plate and cools the substrate heated by the heating plate.
제3항에 있어서,
상기 리프트핀들을 승강시키는 핀 구동부; 및
상기 핀 구동부를 제어하는 제어부를 더 포함하고,
상기 제어부는
상기 리프트핀들이 기판의 로딩 및 언로딩을 위한 제1높이; 기판의 베이크 처리를 위해 상기 히팅 플레이트에 기판이 놓여지는 제2높이; 그리고 기판의 냉각처리를 위해 상기 쿨링 플레이트에 기판이 놓여지는 제3높이로 승강되도록 상기 구동부를 제어하며,
상기 리프트핀들은 상기 제1높이, 상기 제2높이 그리고 상기 제3높이에서 상기 댐퍼의 탄성력에 의해 기판의 저면과 접촉된 상태를 유지하는 베이크 유닛.
In the third paragraph,
A pin driving unit that elevates the above lift pins; and
Further comprising a control unit for controlling the above pin driving unit,
The above control unit
The driving unit is controlled so that the above lift pins are raised to a first height for loading and unloading the substrate; a second height for placing the substrate on the heating plate for baking the substrate; and a third height for placing the substrate on the cooling plate for cooling the substrate.
A bake unit in which the above lift pins are maintained in contact with the lower surface of the substrate by the elastic force of the damper at the first height, the second height, and the third height.
제4항에 있어서,
상기 제1높이, 상기 제2높이 그리고 상기 제3높이는
실제 기판이 공정 진행시 위치되는 기판 설정 높이보다 소정거리 높게 설정되고, 공정 진행시 기판의 하중에 의해 상기 댐퍼가 압축되면서 상기 리프트핀들이 상기 설정된 높이에서 기판과 접촉되는 베이크 유닛.
In paragraph 4,
The above first height, the above second height and the above third height
A bake unit in which the actual substrate is set a predetermined distance higher than the substrate setting height at which the process is performed, and the lift pins come into contact with the substrate at the set height as the damper is compressed by the load of the substrate during the process.
제1항 내지는 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 댐퍼는
스프링을 포함하는 베이크 유닛.
In any one of the first to fifth clauses,
The above damper
A baking unit containing a spring.
제6항에 있어서,
상기 스프링의 탄성력은
상기 기판의 하중보다 작게 제공되는 베이크 유닛.
In paragraph 6,
The elasticity of the above spring is
A bake unit provided with a load less than that of the above substrate.
베이크 유닛의 하우징 내부로 기판이 반입되는 로딩 단계;
기판이 히팅 플레이트 안착된 상태에서 기판을 가열하는 베이킹 단계;
상기 히팅 플레이트에 가열 처리된 기판을 쿨링 플레이트 안착시켜 기판을 냉각하는 쿨링 단계; 및
상기 쿨링 플레이트에서 냉각 처리된 기판을 상기 하우징 외부로 반출하는 언로딩 단계를 포함하되;
상기 로딩 단계부터 상기 언로딩 단계까지 상기 기판의 잔류전하가 지속적으로 제거되도록 상기 기판은 리프트 핀들과 접촉된 상태를 유지하되;
상기 리프트 핀들은
상기 로딩 단계에서 핀-업 높이로 이동되고,
상기 베이킹 단계에서 핀-다운 높이로 이동되며,
상기 쿨링 단계에서 미들-업 높이로 이동되는 기판 처리 방법.
A loading step in which the substrate is brought into the housing of the bake unit;
A baking step of heating the substrate while the substrate is placed on a heating plate;
A cooling step of cooling the substrate by placing the substrate heated on the heating plate on a cooling plate; and
Including an unloading step of transporting the substrate cooled on the cooling plate out of the housing;
From the loading step to the unloading step, the substrate is maintained in contact with the lift pins so that residual charges on the substrate are continuously removed;
The above lift pins
In the above loading step, it moves to the pin-up height,
In the above baking step, it is moved to the pin-down height,
A method for processing a substrate moved to a middle-up height in the above cooling step.
삭제delete 제8항에 있어서,
상기 미들업 높이는
상기 핀-업 단계보다 낮고 상기 핀-다운 높이보다 높은 높이인 기판 처리 방법.
In paragraph 8,
The above middle-up height
A substrate processing method having a height lower than the above pin-up step and higher than the above pin-down height.
제8항에 있어서,
상기 리프트 핀들은
댐퍼의 탄성력에 의해 상기 기판과 접촉되는 기판 처리 방법.
In paragraph 8,
The above lift pins
A method for processing a substrate that comes into contact with the substrate by the elastic force of a damper.
제11항에 있어서,
상기 핀-업 높이, 상기 핀-다운 높이 그리고 상기 미들-업 높이는
기판의 공정 처리시 설정된 기판 설정 높이보다 소정거리 높게 설정되고, 공정 진행시 기판의 하중에 의해 상기 댐퍼가 압축되면서 상기 설정된 높이에서 상기 리프트핀들이 기판과 접촉되는 기판 처리 방법.
In Article 11,
The above pin-up height, the above pin-down height and the above middle-up height
A substrate processing method in which the substrate setting height is set to a predetermined distance higher than the set substrate setting height during the substrate processing process, and the lift pins come into contact with the substrate at the set height as the damper is compressed by the load of the substrate during the processing.
제12항에 있어서,
상기 댐퍼의 탄성력은
상기 기판의 하중보다 작게 제공되는 기판 처리 방법.
In Article 12,
The elasticity of the above damper is
A method for processing a substrate provided with a load less than that of the above substrate.
제12항에 있어서,
상기 쿨링 단계는
상기 히팅 플레이트 상부에 상기 쿨링 플레이트가 위치한 상태에서 상기 리프트 핀들이 기판에 접촉된 상태로 진행되는 기판 처리 방법.
In Article 12,
The above cooling step
A substrate processing method in which the cooling plate is positioned on top of the heating plate and the lift pins are in contact with the substrate.
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