KR102867528B1 - Filter device and SAW filter - Google Patents
Filter device and SAW filterInfo
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Abstract
멀티플렉서와 같은 하나의 안테나를 공유하는 복수의 필터를 구비하는 필터 디바이스의 감쇠 특성을 개선한다.
압전 기판(100)과, 압전 기판(100) 상에 형성된 신호 단자(ST1, ST2)와, 공통 단자(CT)와, 신호 단자(ST1, ST2)와 공통 단자(CT) 사이에서 각각 구성되는 복수의 탄성 표면파 공진기(S1~S3, P1, P2)를 포함하는 래더형 필터로 이루어지는 필터 회로(20, 30)를 포함하는 SAW 필터(10)와, SAW 필터(10)의 외부에 설치된 안테나 포트(AP)와 공통 단자(CT)를 연결하는 배선에 접속되고, 필터 회로(20, 30)에 공통으로 적용되는 위상 정합용 매칭 회로(50)를 가지며, 매칭 회로(50)는 배선(WR)과 접지 전위 사이에서 직렬로 접속되는 인덕터(L)와 캐패시터(C)를 가진다.Improves the attenuation characteristics of a filter device having multiple filters sharing a single antenna, such as a multiplexer.
A SAW filter (10) including a filter circuit (20, 30) comprising a piezoelectric substrate (100), signal terminals (ST1, ST2) formed on the piezoelectric substrate (100), a common terminal (CT), and a ladder-type filter including a plurality of surface elastic wave resonators (S1 to S3, P1, P2) respectively configured between the signal terminals (ST1, ST2) and the common terminal (CT), and a matching circuit (50) for phase matching that is connected to a wiring connecting an antenna port (AP) installed on the outside of the SAW filter (10) and the common terminal (CT), and that is commonly applied to the filter circuits (20, 30), wherein the matching circuit (50) has an inductor (L) and a capacitor (C) that are connected in series between the wiring (WR) and a ground potential.
Description
본 발명은 모바일 통신에 이용되는 필터 장치 및 이에 적용되는 SAW 필터에 관한 것이다.The present invention relates to a filter device used in mobile communication and a SAW filter applied thereto.
근래, 모바일 통신에 있어서는, 대용량·고속 통신을 하기 위해, 듀플렉서(duplexer)나 쿼드플렉서(Quadplexer)를 포함하는 멀티플렉서와 같은 하나의 안테나를 공유하는 복수의 필터를 구비하는 필터 디바이스가 이용된다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).Recently, in mobile communications, in order to perform large-capacity, high-speed communications, a filter device having multiple filters sharing a single antenna, such as a multiplexer including a duplexer or quadplexer, is used (see, for example, Patent Document 1).
[특허문헌 1] JP2009-033733A[Patent Document 1] JP2009-033733A
상기와 같은 디바이스에서는, 사용되는 주파수 대역의 증가에 의해, 하나의 필터로 다수의 주파수 대역의 감쇠량의 확보가 필요하게 되었다.In devices such as the above, due to the increase in the frequency bands used, it has become necessary to secure attenuation amounts for multiple frequency bands with a single filter.
하나의 필터로 다수의 주파수 대역의 감쇠량을 확보하기 위해서, 필터 구성의 고안만으로는, 필터의 투과 특성 유지와 감쇠량 확보의 양립이 용이하지 않았다.In order to secure the attenuation of multiple frequency bands with a single filter, it was not easy to maintain the transmission characteristics of the filter and secure the attenuation by only designing the filter configuration.
본 발명의 목적의 하나는, 단일의 안테나를 복수의 필터로 공용하는 멀티플렉서를 포함하는 필터 장치로서, 복수의 필터의 감쇠 특성을 임의의 주파수 대역에서 개선 가능한 필터 장치 및 이에 적용되는 SAW 필터를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a filter device including a multiplexer that shares a single antenna with a plurality of filters, wherein the filter device can improve the attenuation characteristics of the plurality of filters in any frequency band, and a SAW filter applied thereto.
본 발명의 제1의 측면에 따른 필터 장치는 압전 기판과, 당해 압전 기판 상에 형성된 제1 및 제2의 신호 단자와, 공통 단자와, 당해 상기 제1 및 제2의 신호 단자와 당해 공통 단자 사이에서 각각 구성되는 복수의 탄성 표면파 공진기를 포함하는 래더형 필터로 이루어지는 일단이 서로 접속된 제1 및 제2의 필터 회로를 포함하는 SAW 필터와,A filter device according to a first aspect of the present invention comprises a SAW filter including first and second filter circuits, each of which is connected to a piezoelectric substrate, first and second signal terminals formed on the piezoelectric substrate, a common terminal, and a ladder-type filter including a plurality of surface acoustic wave resonators each configured between the first and second signal terminals and the common terminal,
상기 제1 및 제2의 필터 회로의 접속점과 상기 공통 단자를 통해 상기 SAW 필터의 외부에 설치된 안테나 포트를 연결하는 배선에 접속되고, 상기 제1 및 제2의 필터 회로에 공통으로 적용되는 위상 정합용 매칭 회로를 가지며,It is connected to a wiring that connects the connection point of the first and second filter circuits and the antenna port installed externally of the SAW filter through the common terminal, and has a matching circuit for phase matching that is commonly applied to the first and second filter circuits,
상기 매칭 회로는 상기 배선과 접지 전위 사이에서 직렬로 접속되는 인덕터와 캐패시터를 가진다.The above matching circuit has an inductor and a capacitor connected in series between the wiring and ground potential.
본 발명의 제2의 측면에 따른 필터 장치는 상기 매칭 회로가 상기 캐패시터 대신 탄성 표면파 공진기를 가진다.A filter device according to a second aspect of the present invention has a matching circuit having an elastic surface wave resonator instead of the capacitor.
바람직하게는, 상기 매칭 회로용 인덕터는 상기 SAW 필터의 외부에 형성되고,Preferably, the inductor for the matching circuit is formed outside the SAW filter,
상기 매칭 회로용 캐패시터 또는 탄성 표면파 공진기가, 상기 압전 기판 상에 형성되어 있다.A capacitor or elastic surface wave resonator for the above matching circuit is formed on the piezoelectric substrate.
이 경우, 더욱 바람직하게는, 상기 매칭 회로용 캐패시터 또는 탄성 표면파 공진기는 상기 선로에 접속되고, 상기 매칭 회로용 인덕터가 접지 전위에 접속되는 구성을 채용할 수 있다.In this case, more preferably, a configuration may be adopted in which the capacitor or elastic surface wave resonator for the matching circuit is connected to the line, and the inductor for the matching circuit is connected to ground potential.
대체적으로는, 상기 매칭 회로용 인덕터와, 상기 캐패시터 또는 상기 탄성 표면파 공진기가, 상기 SAW 필터의 외부에 설치되어 있는 구성을 채용할 수 있다.In general, a configuration in which the inductor for the matching circuit and the capacitor or the elastic surface wave resonator are installed outside the SAW filter can be adopted.
상기 매칭 회로는 복수의 상기 탄성 표면파 공진기를 가지며, 당해 복수의 탄성 표면파 공진기는 병렬로 접속되어 있는 구성을 채용할 수도 있다.The above matching circuit may have a plurality of elastic surface wave resonators, and a configuration in which the plurality of elastic surface wave resonators are connected in parallel may be adopted.
본 발명의 제3의 측면에 따른 필터 장치는 압전 기판과, 당해 압전 기판 상에 형성된 제1 및 제2의 신호 단자와, 공통 단자와, 당해 상기 제1 및 제2의 신호 단자와 당해 공통 단자 사이에서 각각 구성되는 복수의 탄성 표면파 공진기를 포함하는 래더형 필터로 이루어지는 일단이 서로 접속된 제1 및 제2의 필터 회로를 포함하는 SAW 필터와,A filter device according to a third aspect of the present invention comprises a SAW filter including first and second filter circuits, each of which is connected to a piezoelectric substrate, first and second signal terminals formed on the piezoelectric substrate, a common terminal, and a ladder-type filter including a plurality of surface acoustic wave resonators each configured between the first and second signal terminals and the common terminal,
상기 SAW 필터의 외부에 설치된 제1의 신호 포트와 상기 제1의 신호 단자를 연결하는 배선 또는 제2의 신호 포트와 상기 제2의 신호 단자를 연결하는 배선에 접속되는 위상 정합용 매칭 회로를 가지며,A phase matching circuit is provided that is connected to a wiring connecting a first signal port installed outside the SAW filter and the first signal terminal or a wiring connecting a second signal port and the second signal terminal,
상기 매칭 회로는 상기 배선과 접지 전위 사이에서 직렬로 접속되는 인덕터와 탄성 표면파 공진기를 가진다.The above matching circuit has an inductor and an elastic surface wave resonator connected in series between the wiring and the ground potential.
본 발명의 제4의 측면에 따른 SAW 필터는 압전 기판과, 당해 압전 기판 상에 형성된 제1 및 제2의 신호 단자와, 공통 단자와, 당해 상기 제1 및 제2의 신호 단자와 당해 공통 단자 사이에서 각각 구성되는 복수의 탄성 표면파 공진기를 포함하는 래더형 필터로 이루어지는 일단이 서로 접속된 제1 및 제2의 필터 회로를 포함하는 SAW 필터로서,A SAW filter according to a fourth aspect of the present invention is a SAW filter comprising first and second filter circuits, each of which is connected to a piezoelectric substrate, first and second signal terminals formed on the piezoelectric substrate, a common terminal, and a ladder-type filter including a plurality of surface acoustic wave resonators each configured between the first and second signal terminals and the common terminal,
상기 압전 기판 상에, 상기 제1 및 제2의 필터 회로에 적용되는 위상 정합용 매칭 회로에 사용되는 캐패시터 또는 탄성 표면파 공진기가 추가적으로 형성되어 있다.On the piezoelectric substrate, a capacitor or surface elastic wave resonator used in a matching circuit for phase matching applied to the first and second filter circuits is additionally formed.
본 발명의 제5의 측면에 따른 SAW 필터는 압전 기판과, 당해 압전 기판 상에 형성된 제1 및 제2의 신호 단자와, 공통 단자와, 당해 상기 제1 및 제2의 신호 단자와 당해 공통 단자 사이에서 각각 구성되는 복수의 탄성 표면파 공진기를 포함하는 래더형 필터로 이루어지는 일단이 서로 접속된 제1 및 제2의 필터 회로를 포함하는 SAW 필터로서, 상기 압전 기판 상에, 상기 제1 또는 제2의 필터 회로에 적용되는 위상 정합용 매칭 회로에 사용되는 탄성 표면파 공진기가 추가적으로 형성되어 있다.A SAW filter according to a fifth aspect of the present invention is a SAW filter comprising first and second filter circuits each having one end connected to the other, each of the first and second signal terminals formed on the piezoelectric substrate, a common terminal, and a ladder-type filter including a plurality of surface acoustic wave resonators each configured between the first and second signal terminals and the common terminal, wherein a surface acoustic wave resonator used in a phase matching matching circuit applied to the first or second filter circuit is additionally formed on the piezoelectric substrate.
본 발명에 의하면, 매칭 회로의 위상 정합 기능에 더하여, 필터에 감쇠극을 형성할 수 있어, 임의의 주파수로 필터의 감쇠 특성을 개선할 수 있다. 특히, 안테나 포트와 공통 단자를 연결하는 배선에 캐패시터 또는 탄성 표면파 공진기를 포함하는 매칭 회로를 설치함으로써, 제1 및 제2의 필터에 동일한 주파수의 감쇠극을 부여할 수 있고, 2개의 필터의 감쇠 특성을 동시에 개선할 수 있다. 또한, 매칭 회로의 캐패시턴스로서 탄성 표면파 공진기를 이용함으로써, 필터에 복수의 감쇠극을 동시에 형성할 수 있고, 필터의 감쇠 특성을 효율적으로 개선할 수 있다.According to the present invention, in addition to the phase matching function of the matching circuit, an attenuation pole can be formed in the filter, thereby improving the attenuation characteristics of the filter at any frequency. In particular, by installing a matching circuit including a capacitor or a surface acoustic wave resonator in the wiring connecting the antenna port and the common terminal, an attenuation pole of the same frequency can be provided to the first and second filters, thereby improving the attenuation characteristics of the two filters simultaneously. Furthermore, by utilizing a surface acoustic wave resonator as the capacitance of the matching circuit, a plurality of attenuation poles can be formed in the filter simultaneously, thereby efficiently improving the attenuation characteristics of the filter.
도 1은 본 발명의 제1의 실시 형태에 따른 필터 장치의 회로 구성을 모식적으로 나타내는 회로도이다.
도 2는 SAW 필터가 형성된 칩 구조의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1의 실시 형태에 따른 매칭 회로의 회로도이다.
도 4는 도 3의 매칭 회로의 통과 특성의 일 예를 나타내는 그래프이다.
도 5는 종래의 매칭 회로의 회로도이다.
도 6은 도 5의 매칭 회로의 통과 특성의 일 예를 나타내는 그래프이다.
도 7A는 필터 장치의 송신 필터의 통과 특성의 일 예를 나타내는 그래프이다.
도 7B는 필터 장치의 수신 필터의 통과 특성의 일 예를 나타내는 그래프이다.
도 8은 도 1의 필터 장치의 변형예를 나타내는 회로도이다.
도 9는 본 발명의 제2의 실시 형태에 따른 필터 장치의 회로 구성을 모식적으로 나타내는 회로도이다.
도 10A는 탄성 표면파 공진기의 등가 회로도이다.
도 10B는 탄성 표면파 공진기를 적용한 매칭 회로의 회로도이다.
도 11은 도 10B의 매칭 회로의 통과 특성의 일 예를 나타내는 그래프이다.
도 12A는 도 9의 필터 장치의 송신 필터의 통과 특성의 일 예를 나타내는 그래프이다.
도 12B는 도 12A의 그래프의 표시 대역을 확대한 그래프이다.
도 13A는 도 9의 필터 장치의 수신 필터의 통과 특성의 일 예를 나타내는 그래프이다.
도 13B는 도 13A의 그래프의 표시 대역을 확대한 그래프이다.
도 14A는 도 9의 필터 장치의 일 변형예를 나타내는 회로도이다.
도 14B는 도 9의 필터 장치의 다른 변형예를 나타내는 회로도이다.
도 14C는 도 9의 필터 장치의 다른 변형예를 나타내는 회로도이다.
도 15A는 본 발명의 제3의 실시 형태에 따른 필터 장치의 회로 구성을 모식적으로 나타내는 회로도이다.
도 15B는 본 발명의 제3의 실시 형태에 따른 필터 장치의 변형예를 모식적으로 나타내는 회로도이다.Fig. 1 is a circuit diagram schematically showing the circuit configuration of a filter device according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a cross-sectional view showing an example of a chip structure in which a SAW filter is formed.
Figure 3 is a circuit diagram of a matching circuit according to a first embodiment of the present invention.
Fig. 4 is a graph showing an example of the pass characteristics of the matching circuit of Fig. 3.
Fig. 5 is a circuit diagram of a conventional matching circuit.
Fig. 6 is a graph showing an example of the pass characteristics of the matching circuit of Fig. 5.
Figure 7A is a graph showing an example of the pass characteristics of a transmission filter of a filter device.
Figure 7B is a graph showing an example of the pass characteristics of a receiving filter of a filter device.
Fig. 8 is a circuit diagram showing a modified example of the filter device of Fig. 1.
Fig. 9 is a circuit diagram schematically showing the circuit configuration of a filter device according to a second embodiment of the present invention.
Figure 10A is an equivalent circuit diagram of an elastic surface wave resonator.
Figure 10B is a circuit diagram of a matching circuit using an elastic surface wave resonator.
Fig. 11 is a graph showing an example of the pass characteristics of the matching circuit of Fig. 10B.
Fig. 12A is a graph showing an example of the pass characteristics of the transmission filter of the filter device of Fig. 9.
Figure 12B is a graph that enlarges the display band of the graph of Figure 12A.
Fig. 13A is a graph showing an example of the pass characteristics of the receiving filter of the filter device of Fig. 9.
Figure 13B is a graph that enlarges the display band of the graph of Figure 13A.
Fig. 14A is a circuit diagram showing a modified example of the filter device of Fig. 9.
Fig. 14B is a circuit diagram showing another modified example of the filter device of Fig. 9.
Fig. 14C is a circuit diagram showing another modified example of the filter device of Fig. 9.
Figure 15A is a circuit diagram schematically showing the circuit configuration of a filter device according to a third embodiment of the present invention.
Figure 15B is a circuit diagram schematically showing a modified example of a filter device according to a third embodiment of the present invention.
제1의 실시 형태First embodiment
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 제1의 실시 형태에 따른 필터 장치의 회로 구성을 모식적으로 나타내는 회로도이다.Fig. 1 is a circuit diagram schematically showing the circuit configuration of a filter device according to the first embodiment of the present invention.
본 실시 형태의 필터 장치(1)는 본 발명의 SAW 필터로서의 듀플렉서(10)와, 안테나 포트(AP)와 듀플렉서(10)의 공통 단자 사이에 접속된 위상 정합용 매칭 회로(50)와, 송신 포트(Tx)와 신호 단자(ST1) 사이에 접속된 위상 정합용 매칭 회로(150)와, 수신 포트(Rx)와 신호 단자(ST2) 사이에 접속된 위상 정합용 매칭 회로(160)를 가진다.The filter device (1) of the present embodiment has a duplexer (10) as a SAW filter of the present invention, a phase matching matching circuit (50) connected between an antenna port (AP) and a common terminal of the duplexer (10), a phase matching matching circuit (150) connected between a transmission port (Tx) and a signal terminal (ST1), and a phase matching matching circuit (160) connected between a reception port (Rx) and a signal terminal (ST2).
듀플렉서(10)는 송신 필터를 구성하기 위한 필터 회로(20)와, 수신 필터를 구성하기 위한 필터 회로(30)를 가진다. 송신 필터는 송신 포트(Tx)에서 입력된 고주파 신호 중 송신 대역의 신호를 송신 신호로서 안테나(ANT)에 통과시키고, 다른 주파수의 신호를 억압한다. 수신 필터는 안테나(ANT)에서 입력된 고주파 신호 중 송신 대역과는 다른 수신 대역의 신호를 수신 신호로서 수신 포트(Rx)에 통과시키고, 다른 주파수의 신호를 억압한다.The duplexer (10) has a filter circuit (20) for forming a transmission filter and a filter circuit (30) for forming a reception filter. The transmission filter passes a signal in a transmission band among high-frequency signals input from a transmission port (Tx) as a transmission signal to an antenna (ANT) and suppresses signals of other frequencies. The reception filter passes a signal in a reception band different from the transmission band among high-frequency signals input from an antenna (ANT) as a reception signal to a reception port (Rx) and suppresses signals of other frequencies.
필터 회로(20, 30)는 후술되는 압전 기판(100) 상에 형성되고, 복수의 탄성 표면파 공진기를 포함하는 래더형 필터 회로로 이루어지고, 일단부가 서로 접속되어 있다.The filter circuit (20, 30) is formed on a piezoelectric substrate (100) described later and is composed of a ladder-type filter circuit including a plurality of elastic surface wave resonators, and one end of which is connected to each other.
필터 회로(20)는 안테나 포트(AP) 측의 공통 단자(CT)와 송신 포트(Tx) 측의 신호 단자(ST1) 사이에 접속되어 있다. 필터 회로(30)는 안테나 포트(AP) 측의 공통 단자(CT)와 수신 포트(Rx) 측의 신호 단자(ST2) 사이에 접속되어 있다.The filter circuit (20) is connected between the common terminal (CT) on the antenna port (AP) side and the signal terminal (ST1) on the transmission port (Tx) side. The filter circuit (30) is connected between the common terminal (CT) on the antenna port (AP) side and the signal terminal (ST2) on the reception port (Rx) side.
필터 회로(20)는 탄성 표면파 공진기로서의 직렬 공진기(S1~S3) 및 병렬 공진기(P1, P2)를 포함한다. 복수의 직렬 공진기(S1~S3)는 신호 단자(ST1)와 공통 단자(CT) 사이에서 직렬로 접속되어 있고, 병렬 공진기(P1, P2)는 일단이 직렬 공진기(S1~S3) 사이를 접속하는 배선에 접속되고, 타단이 접지 전위에 접속되는 그라운드 단자(GT)에 접속되어 있다.The filter circuit (20) includes series resonators (S1 to S3) and parallel resonators (P1, P2) as elastic surface wave resonators. A plurality of series resonators (S1 to S3) are connected in series between a signal terminal (ST1) and a common terminal (CT), and one end of the parallel resonators (P1, P2) is connected to a wiring connecting the series resonators (S1 to S3), and the other end is connected to a ground terminal (GT) connected to a ground potential.
필터 회로(30)는 탄성 표면파 공진기로서의 직렬 공진기(S1~S3) 및 병렬 공진기(P1, P2)를 포함한다. 복수의 직렬 공진기(S1~S3)는 신호 단자(ST2)와 공통 단자(CT) 사이에서 직렬로 접속되어 있고, 병렬 공진기(P1, P2)는 일단이 직렬 공진기(S1~S3) 사이를 접속하는 배선에 접속되고, 타단이 접지 전위에 접속되는 그라운드 단자(GT)에 접속되어 있다.The filter circuit (30) includes series resonators (S1 to S3) and parallel resonators (P1, P2) as elastic surface wave resonators. A plurality of series resonators (S1 to S3) are connected in series between a signal terminal (ST2) and a common terminal (CT), and one end of the parallel resonators (P1, P2) is connected to a wiring connecting the series resonators (S1 to S3), and the other end is connected to a ground terminal (GT) connected to a ground potential.
또한, 필터 회로(20, 30)의 구성은 한정되는 것은 아니며, 필터 회로(20)와 필터 회로(30)의 구성이 다를 수 있고, 탄성 표면파 공진기의 수도 제한되지 않는다. 또한, 공통 단자(CT) 측의 직렬 공진기(S1)와 직렬 공진기(S2) 사이에 병렬 공진기(P1)를 설치하는 구성을 채용하고 있지만, 병렬 공진기(P1)를 직렬 공진기(S1)보다 공통 단자(CT) 측에 설치하는 것도 가능하다.In addition, the configuration of the filter circuit (20, 30) is not limited, and the configurations of the filter circuit (20) and the filter circuit (30) may be different, and the number of surface elastic wave resonators is not limited. In addition, although a configuration is adopted in which a parallel resonator (P1) is installed between the series resonator (S1) and the series resonator (S2) on the common terminal (CT) side, it is also possible to install the parallel resonator (P1) on the common terminal (CT) side rather than the series resonator (S1).
압전 기판(100) 상에 형성되는 탄성 표면파 공진기는 도시를 생략하였지만, IDT(Inter Digital Transducer) 및 그 양측에 배치되는 반사기를 가진다. IDT 및 반사기는 도 2에 나타내는 압전 기판(100) 상에 직접적으로 형성되는 금속막인 1차 전극(110)에 의해 패터닝된다. 1차 전극(110)은, 예를 들어 Cu로 이루어지는 박막으로 형성된다. 또한, 탄성 표면파 공진기는 절연막(130)으로 피복되어 있다.The surface acoustic wave resonator formed on the piezoelectric substrate (100) has an Inter Digital Transducer (IDT) and reflectors positioned on both sides thereof, although not shown. The IDT and the reflector are patterned by a primary electrode (110), which is a metal film formed directly on the piezoelectric substrate (100) as shown in Fig. 2. The primary electrode (110) is formed of a thin film made of, for example, Cu. In addition, the surface acoustic wave resonator is covered with an insulating film (130).
신호 단자(ST1, ST2), 공통 단자(CT), 그라운드 단자(GT) 및 배선은, 예를 들어 Al로 이루어지는 두꺼운 2차 전극(120)으로 형성되어 있다.The signal terminals (ST1, ST2), common terminal (CT), ground terminal (GT) and wiring are formed of a thick secondary electrode (120) made of, for example, Al.
또한, 듀플렉서(10)는 도 2에 나타내는 SAW 필터 칩일 수도 있고, 도 2에 나타내는 SAW 필터 칩을 지지 기판에 실장하여 패키징한 것일 수도 있다.Additionally, the duplexer (10) may be a SAW filter chip as shown in Fig. 2, or may be a SAW filter chip as shown in Fig. 2 mounted on a support substrate and packaged.
도 1로 돌아가서, 매칭 회로(150)는 필터 회로(20)와 송신 포트(Tx)에 접속되는 회로 사이의 위상 조정(임피던스 조정)을 하여 신호 반사를 억제하기 위한 회로이고, 송신 포트(Tx)와 신호 단자(ST1)를 연결하는 배선에 일단이 접속되고, 타단이 접지 전위에 접속되는 인덕터(L)로 이루어진다. 인덕터(L)는 듀플렉서(10)의 패키지에 형성할 수도 있고, 듀플렉서(10)의 외부에 설치할 수도 있다.Returning to Fig. 1, the matching circuit (150) is a circuit for suppressing signal reflection by adjusting the phase (impedance adjustment) between the filter circuit (20) and the circuit connected to the transmission port (Tx), and is composed of an inductor (L) whose one end is connected to the wiring connecting the transmission port (Tx) and the signal terminal (ST1), and whose other end is connected to ground potential. The inductor (L) may be formed in the package of the duplexer (10) or may be installed outside the duplexer (10).
매칭 회로(160)는 필터 회로(30)와 수신 포트(Rx)에 접속되는 회로 사이의 위상 조정(임피던스 조정)을 하여 신호 반사를 억제하기 위한 회로이고, 수신 포트(Rx)와 신호 단자(ST2)를 연결하는 배선에 일단이 접속되고, 타단이 접지 전위에 접속되는 인덕터(L)로 이루어진다. 인덕터(L)는 듀플렉서(10)의 패키지에 형성할 수도 있고, 듀플렉서(10)의 외부에 설치할 수도 있다.The matching circuit (160) is a circuit for suppressing signal reflection by adjusting the phase (impedance adjustment) between the filter circuit (30) and the circuit connected to the receiving port (Rx), and is composed of an inductor (L) whose one end is connected to the wiring connecting the receiving port (Rx) and the signal terminal (ST2), and whose other end is connected to ground potential. The inductor (L) may be formed in the package of the duplexer (10) or may be installed outside the duplexer (10).
매칭 회로(50)는 압전 기판(100) 상의 공통 단자(CT)와, 압전 기판(100)의 외부에 설치된 안테나 포트(AP)를 연결하는 배선(WR)에 접속되어 있고, 배선(WR)과 접지 전위 사이에서 직렬로 접속되는 인덕터(L)와 캐패시터(C)를 가지며, 필터 회로(20, 30)에 공통으로 적용되는 위상 정합용 회로이다.The matching circuit (50) is connected to a common terminal (CT) on a piezoelectric substrate (100) and a wiring (WR) connecting an antenna port (AP) installed on the outside of the piezoelectric substrate (100), and has an inductor (L) and a capacitor (C) connected in series between the wiring (WR) and the ground potential, and is a phase matching circuit commonly applied to filter circuits (20, 30).
도 3에 매칭 회로(50)의 등가 회로를 나타내고, 도 4에 도 3의 매칭 회로의 통과 특성의 일 예를 나타낸다.Fig. 3 shows an equivalent circuit of a matching circuit (50), and Fig. 4 shows an example of the pass characteristics of the matching circuit of Fig. 3.
매칭 회로(50)는 인덕터(L) 및 캐패시터(C)에 의한 노치 필터(Notch Filter) 회로이며, 매칭 회로(50)에 인덕터(L)에 더하여 캐패시터(C)를 직렬로 부가하고, 인덕터(L)와 캐패시터(C)의 값을 조정함으로써, 도 4에 나타낸 바와 같이, 원하는 주파수(이 예에서는, 1500MHz 부근)에 감쇠극(AP0)을 형성하여, 큰 감쇠량을 얻을 수 있다.The matching circuit (50) is a notch filter circuit using an inductor (L) and a capacitor (C). By adding a capacitor (C) in series to the matching circuit (50) in addition to the inductor (L) and adjusting the values of the inductor (L) and the capacitor (C), as shown in Fig. 4, an attenuation pole (AP0) is formed at a desired frequency (in this example, around 1500 MHz), and a large attenuation amount can be obtained.
상기한 바와 같이, 매칭 회로(50)은 필터 회로(20, 30)에 공통으로 적용되므로, 필터 회로(20)를 포함하는 송신 필터와 필터 회로(30)를 포함하는 수신 필터의 양측에 동일한 주파수의 감쇠극(AP0)을 형성할 수 있다.As described above, since the matching circuit (50) is commonly applied to the filter circuits (20, 30), an attenuation pole (AP0) of the same frequency can be formed on both sides of the transmission filter including the filter circuit (20) and the reception filter including the filter circuit (30).
일반적으로, 회로 간의 위상 조정을 위해서는, 예를 들어, 도 5에 나타내는 것과 같은 인덕터(L)만으로 구성되는 매칭 회로(300)가 사용된다. 그러나, 인덕터(L)만으로 구성되는 매칭 회로(300)에서는, 도 6에 나타낸 바와 같이, 1500MHz 부근에 감쇠극을 형성하지 못하고, 1500MHz 부근의 감쇠량을 크게 잡을 수가 없다.In general, for phase adjustment between circuits, a matching circuit (300) composed only of an inductor (L) such as that shown in Fig. 5 is used. However, in a matching circuit (300) composed only of an inductor (L), as shown in Fig. 6, an attenuation pole cannot be formed around 1500 MHz, and the attenuation amount around 1500 MHz cannot be significantly controlled.
캐패시터(C)가 존재하지 않는 매칭 회로(300)는 위상 조정만을 위한 회로이다. 한편, 도 3에 나타내는 매칭 회로(50)는 위상 조정 기능에 더하여, 필터 회로(20)를 포함하는 송신 필터와 필터 회로(30)를 포함하는 수신 필터의 양측에 동일한 주파수의 감쇠극(AP0)을 부여하는 기능을 겸비하고 있다. 이 점이 본 발명의 중요한 점이다.The matching circuit (300) without a capacitor (C) is a circuit for phase adjustment only. Meanwhile, the matching circuit (50) shown in Fig. 3, in addition to the phase adjustment function, also has the function of providing an attenuation pole (AP0) of the same frequency to both sides of the transmission filter including the filter circuit (20) and the reception filter including the filter circuit (30). This is an important point of the present invention.
도 7A와 도 7B에 송신 필터와 수신 필터의 통과 특성의 일 예를 나타낸다. 도 7A 및 도 7B에서, 양측의 필터의 1575.42MHz에 매칭 회로(50)에 의한 감쇠극이 형성됨을 알 수 있다.Figures 7A and 7B illustrate examples of the pass characteristics of a transmitting filter and a receiving filter. From Figures 7A and 7B, it can be seen that an attenuation pole is formed at 1575.42 MHz by a matching circuit (50) in both filters.
본 실시 형태에 의하면, 송신 필터와 수신 필터의 통과 대역 이외의 임의이면서 동일한 주파수 대역의 감쇠량을 크게 할 수 있다.According to this embodiment, the attenuation of an arbitrary but identical frequency band other than the passband of the transmission filter and the reception filter can be increased.
도 8은 도 1에 나타낸 필터 장치(1)의 변형예이며, 도 8에 나타내는 필터 장치(1')에 있어서의 매칭 회로(50B)의 구성이, 도 1에 나타낸 필터 장치(1)의 매칭 회로(50)와 다르며, 다른 구성은 동일하다.Fig. 8 is a modified example of the filter device (1) shown in Fig. 1, and the configuration of the matching circuit (50B) in the filter device (1') shown in Fig. 8 is different from the matching circuit (50) of the filter device (1) shown in Fig. 1, and the other configurations are the same.
매칭 회로(50B)의 캐패시터(C)는 압전 기판(100)의 외부에 설치된 인덕터(L)와 직렬로 접속되지만, 매칭 회로(50B)의 캐패시터(C)는 압전 기판(100) 상에 상기한 1차 전극으로 형성되고, 일단이 압전 기판(100) 상에 형성되고, 또한 인덕터(L)와 접속되는 신호 단자(ST)와 접속되고, 타단이 압전 기판(100) 상에 형성되고, 접지 전위에 접속되는 그라운드 단자(GT)에 접속된다.The capacitor (C) of the matching circuit (50B) is connected in series with the inductor (L) installed on the outside of the piezoelectric substrate (100), but the capacitor (C) of the matching circuit (50B) is formed as the above-mentioned primary electrode on the piezoelectric substrate (100), one end is formed on the piezoelectric substrate (100) and is connected to a signal terminal (ST) that is also connected to the inductor (L), and the other end is formed on the piezoelectric substrate (100) and is connected to a ground terminal (GT) that is connected to a ground potential.
매칭 회로(50B)를 이러한 구성으로 함으로써, 캐패시터(C)를 듀플렉서(10)의 외부에 설치하지 않고도, 듀플렉서(10)의 외부에서, 혹은, 듀플렉서(10)의 패키지에, 인덕터(L)만을 추가함으로써 매칭 회로(50)를 구성할 수 있으므로, 디바이스를 소형화할 수 있다.By configuring the matching circuit (50B) in this manner, the matching circuit (50) can be configured by adding only an inductor (L) to the outside of the duplexer (10) or to the package of the duplexer (10) without installing a capacitor (C) outside of the duplexer (10), thereby miniaturizing the device.
제2의 실시 형태Second embodiment
도 9는 본 발명의 제2의 실시 형태에 따른 필터 장치(1B)의 회로 구성을 모식적으로 나타내는 회로도이다. 또한, 도 9에서, 제1의 실시 형태에 따른 필터 장치(1)와 동일한 구성 부분에 대해서는 설명을 생략한다.Fig. 9 is a circuit diagram schematically showing the circuit configuration of a filter device (1B) according to a second embodiment of the present invention. Furthermore, in Fig. 9, descriptions of the same components as those of the filter device (1) according to the first embodiment are omitted.
제2의 실시 형태에 따른 필터 장치(1B)의 매칭 회로(50C)는 안테나 포트(AP)와 듀플렉서(10)의 공통 단자(CT) 사이에 접속된 위상 정합용 회로이며, 직렬로 접속되는 인덕터(L)와 탄성 표면파 공진기(Re)를 포함한다. 구체적으로는, 인덕터(L)는 압전 기판(100)에 형성된 공통 단자(CT)와 안테나 포트(AP)를 연결하는 배선에 일단이 접속되고, 타단이 압전 기판(100)에 형성된 신호 단자(ST)에 접속되어 있다. 탄성 표면파 공진기(Re)는 상기한 도시하지 않는 IDT(Inter Digital Transducer) 및 그 양측에 배치되는 반사기를 가진다. 탄성 표면파 공진기(Re)는 직렬 공진기(S1~S3) 및 병렬 공진기(P1, P2)와 마찬가지로, 압전 기판(100) 상의 1차 전극에 의해 형성된다. 탄성 표면파 공진기(Re)는 일단이 압전 기판(100) 상에 형성된 신호 단자(ST)에 접속되고, 타단이 압전 기판(100) 상에 형성된 접지 전위에 접속되는 그라운드 단자(GT)에 접속되어 있다.The matching circuit (50C) of the filter device (1B) according to the second embodiment is a phase matching circuit connected between the antenna port (AP) and the common terminal (CT) of the duplexer (10), and includes an inductor (L) and a surface acoustic wave resonator (Re) that are connected in series. Specifically, one end of the inductor (L) is connected to a wiring connecting the common terminal (CT) formed on the piezoelectric substrate (100) and the antenna port (AP), and the other end is connected to a signal terminal (ST) formed on the piezoelectric substrate (100). The surface acoustic wave resonator (Re) has an IDT (Inter Digital Transducer) (not shown) and reflectors arranged on both sides thereof. The surface acoustic wave resonator (Re), like the series resonators (S1 to S3) and the parallel resonators (P1, P2), is formed by a primary electrode on the piezoelectric substrate (100). The elastic surface wave resonator (Re) has one end connected to a signal terminal (ST) formed on a piezoelectric substrate (100), and the other end connected to a ground terminal (GT) connected to a ground potential formed on the piezoelectric substrate (100).
매칭 회로(50C)에, 캐패시터(C)를 대신하여, 탄성 표면파 공진기(Re)를 이용함으로써, 후술하는 바와 같이, 주파수가 다른 복수(2개)의 감쇠극(AP1, AP2)을 형성할 수 있다. 즉, 매칭 회로(50C)는 필터 회로(20, 30)에 공통으로 적용되므로, 필터 회로(20)를 포함하는 송신 필터와 필터 회로(30)를 포함하는 수신 필터의 양측에 복수의 주파수의 감쇠극(AP1, AP2)을 형성할 수 있다.By using a surface elastic wave resonator (Re) instead of a capacitor (C) in the matching circuit (50C), as described later, multiple (two) attenuation poles (AP1, AP2) with different frequencies can be formed. That is, since the matching circuit (50C) is commonly applied to the filter circuits (20, 30), multiple attenuation poles (AP1, AP2) with different frequencies can be formed on both sides of the transmission filter including the filter circuit (20) and the reception filter including the filter circuit (30).
도 10A에 탄성 표면파 공진기(Re)의 등가 회로도를 나타내고, 도 10B에 탄성 표면파 공진기(Re)가 적용된 매칭 회로(50C)의 회로도를 나타낸다.Fig. 10A shows an equivalent circuit diagram of a surface elastic wave resonator (Re), and Fig. 10B shows a circuit diagram of a matching circuit (50C) to which the surface elastic wave resonator (Re) is applied.
도 10A에 나타낸 바와 같이, 탄성 표면파 공진기(Re)의 등가 회로(ReC)는 입력 포트(IN)와 출력 포트(OUT) 사이에서 인덕터(L1), 캐패시터(C1) 및 저항(R1)이 직렬로 접속되고, 인덕터(L1), 캐패시터(C1) 및 저항(R1)에 대하여 캐패시터(C0)가 병렬로 접속되어 있다. 이 탄성 표면파 공진기(Re)를 매칭 회로(50C)에 적용하였을 때, 매칭 회로(50C)는 도 10B에 나타낸 바와 같이, 입력 포트(IN)와 출력 포트(OUT) 사이의 선로와 접지 전위 사이에서 직렬로 접속되는 인덕터(L)와 캐패시터(C0)로 이루어지는 필터 요소(ATP1)와, 입력 포트(IN)와 출력 포트(OUT) 사이의 선로와 접지 전위 사이에서 직렬로 접속되는 인덕터(L), 인덕터(L1) 및 캐패시터(C1)로 이루어지는 필터 요소(ATP2)로 나누어진다.As shown in Fig. 10A, the equivalent circuit (ReC) of the elastic surface wave resonator (Re) includes an inductor (L1), a capacitor (C1), and a resistor (R1) connected in series between the input port (IN) and the output port (OUT), and a capacitor (C0) connected in parallel with the inductor (L1), the capacitor (C1), and the resistor (R1). When this elastic surface wave resonator (Re) is applied to a matching circuit (50C), the matching circuit (50C) is divided into a filter element (ATP1) composed of an inductor (L) and a capacitor (C0) connected in series between a line between an input port (IN) and an output port (OUT) and a ground potential, as shown in FIG. 10B, and a filter element (ATP2) composed of an inductor (L), an inductor (L1), and a capacitor (C1) connected in series between a line between an input port (IN) and an output port (OUT) and a ground potential.
도 11에 매칭 회로(50C)의 단체(單體)의 통과 특성의 일 예를 나타낸다.Fig. 11 shows an example of the pass characteristics of a single matching circuit (50C).
도 11에서 알 수 있는 바와 같이, 매칭 회로(50C)에 탄성 표면파 공진기(Re)를 적용함으로써, 2개의 다른 주파수로 감쇠극(AP1, AP2)을 형성할 수 있다. 감쇠극(AP1)은 필터 요소(ATP1)에 의해 형성되고, 감쇠극(AP2)은 필터 요소(ATP2)에 의해 형성된다.As can be seen in Fig. 11, by applying a surface elastic wave resonator (Re) to a matching circuit (50C), attenuation poles (AP1, AP2) can be formed at two different frequencies. The attenuation pole (AP1) is formed by a filter element (ATP1), and the attenuation pole (AP2) is formed by a filter element (ATP2).
이와 같이, 단일의 캐패시터(C)를 대신하여 단일의 탄성 표면파 공진기(Re)를 매칭 회로(50C)에 적용함으로써, 2개의 다른 감쇠극(AP1, AP2)을 형성할 수 있다.In this way, by applying a single elastic surface wave resonator (Re) to the matching circuit (50C) instead of a single capacitor (C), two different attenuation poles (AP1, AP2) can be formed.
도 12A 및 도 12B에 매칭 회로(50C)가 적용된 필터 장치(1B)의 송신 필터의 통과 특성을 나타내고, 도 13A 및 도 13B에 매칭 회로(50C)가 적용된 필터 장치(1B)의 수신 필터의 통과 특성을 나타낸다.The pass characteristics of the transmission filter of the filter device (1B) to which the matching circuit (50C) is applied are shown in Figs. 12A and 12B, and the pass characteristics of the reception filter of the filter device (1B) to which the matching circuit (50C) is applied are shown in Figs. 13A and 13B.
도 12A, 도 12B 및 도 13A, 도 13B에서, 점선은 필터 장치(1B)의 통과 특성을 나타내고 있으며, 실선으로 나타내는 비교예는, 도시하지 않지만, 안테나 포트 측의 매칭 회로에 캐패시턴스도 탄성 표면파 공진기도 구비되어 있지 않고, 인덕터(L)만을 구비하는 필터 장치의 통과 특성을 나타내고 있다.In FIGS. 12A, 12B and 13A, 13B, the dotted lines represent the pass characteristics of the filter device (1B), and the comparative example represented by the solid lines, although not shown, represents the pass characteristics of a filter device that is not equipped with a capacitance or a surface elastic wave resonator in the matching circuit on the antenna port side, and is equipped only with an inductor (L).
도 12A, 도 12B 및 도 13A, 도 13B에서, 881.5MHz 및 1176.45MHz의 주파수의 복수의 감쇠극에 의해 큰 감쇠량을 얻을 수 있음을 알 수 있다.In Figs. 12A, 12B and 13A, 13B, it can be seen that a large attenuation amount can be obtained by multiple attenuation poles at frequencies of 881.5 MHz and 1176.45 MHz.
본 실시 형태에 의하면, 단일의 캐패시터(C)를 대신하여 단일의 탄성 표면파 공진기(Re)를 이용함으로써, 송신 필터와 수신 필터의 통과 대역 이외의 복수(2개)의 다른 주파수에 있어서의 감쇠량을 크게 확보할 수 있다.According to this embodiment, by using a single elastic surface wave resonator (Re) instead of a single capacitor (C), it is possible to secure a large amount of attenuation at multiple (two) different frequencies outside the passbands of the transmission filter and the reception filter.
도 14A에 도 9의 필터 장치(1B)의 변형예를 나타낸다. 또한, 도 14A에서, 제1의 실시 형태에 따른 필터 장치(1) 및 제2의 실시 형태에 따른 필터 장치(1B)와 동일한 구성 부분에 대해서는 설명을 생략한다.Fig. 14A shows a modified example of the filter device (1B) of Fig. 9. In addition, in Fig. 14A, descriptions of the same components as the filter device (1) according to the first embodiment and the filter device (1B) according to the second embodiment are omitted.
도 14A에 나타내는 필터 장치(1B')는 안테나 포트(AP) 측에 설치된 매칭 회로(50D)의 탄성 표면파 공진기(Re)의 일단이 필터 회로(20)와 필터 회로(30)의 접속점(CP)과 공통 단자(CT)를 연결하는 배선에 접속되고, 이 탄성 표면파 공진기(Re)의 타단과 인덕터(L)의 일단이 압전 기판(100)에 형성된 신호 단자(ST)를 통해 접속되고, 인덕터(L)의 타단이 접지 전위에 접속되어 있다. 즉, 직렬로 접속되는 인덕터(L)와 탄성 표면파 공진기(Re)의 순서가, 상기한 필터 장치(1B)의 매칭 회로(50C)와는 역관계로 되어 있다.In the filter device (1B') shown in Fig. 14A, one end of a surface elastic wave resonator (Re) of a matching circuit (50D) installed on the antenna port (AP) side is connected to a wiring connecting a connection point (CP) of the filter circuit (20) and the filter circuit (30) and a common terminal (CT), and the other end of the surface elastic wave resonator (Re) and one end of an inductor (L) are connected via a signal terminal (ST) formed on a piezoelectric substrate (100), and the other end of the inductor (L) is connected to ground potential. That is, the order of the inductor (L) and the surface elastic wave resonator (Re) connected in series is inverse to that of the matching circuit (50C) of the filter device (1B) described above.
이 구성에 의하면, 외부 부품으로서의 인덕터(L)를 듀플렉서(10)의 신호 단자(ST)에 접속하는 것 만으로, 매칭 회로(50D)를 형성할 수 있다.According to this configuration, a matching circuit (50D) can be formed simply by connecting an inductor (L) as an external component to the signal terminal (ST) of the duplexer (10).
또한, 상기한 제1의 실시 형태에 있어서 매칭 회로(50)에 사용되는 인덕터(L)와 캐패시터(C)의 접속 관계를 반대로 하는 것도 가능하다.Additionally, in the first embodiment described above, it is also possible to reverse the connection relationship between the inductor (L) and capacitor (C) used in the matching circuit (50).
도 14B에 도 9의 필터 장치(1B)의 다른 변형예를 나타낸다. 또한, 도 14B에서, 제1의 실시 형태에 따른 필터 장치(1) 및 제2의 실시 형태에 따른 필터 장치(1B)과 동일한 구성 부분에 대해서는 설명을 생략한다.Fig. 14B shows another modified example of the filter device (1B) of Fig. 9. In addition, in Fig. 14B, descriptions of the same components as the filter device (1) according to the first embodiment and the filter device (1B) according to the second embodiment are omitted.
도 14B에 나타내는 필터 장치(1B'')의 매칭 회로(50E)에 적용되는 탄성 표면파 공진기(Re)는 듀플렉서(10)의 압전 기판(100) 상에는 형성되어 있지 않고, 다른 SAW 필터(500)에 형성된 것을 사용하고 있다.The elastic surface wave resonator (Re) applied to the matching circuit (50E) of the filter device (1B'') shown in Fig. 14B is not formed on the piezoelectric substrate (100) of the duplexer (10), but is formed on another SAW filter (500).
또한, SAW 필터(500)에 한정되지 않고, 다른 듀플렉서, 멀티플렉서 등, 다른 SAW 디바이스에 부가적으로 형성한 탄성 표면파 공진기(Re)를 사용할 수 있다.In addition, it is not limited to the SAW filter (500), and an elastic surface wave resonator (Re) additionally formed in another SAW device, such as another duplexer or multiplexer, can be used.
또한, 제1의 실시 형태의 매칭 회로(50)에 적용되는 캐패시터(C)도 다른 듀플렉서, 멀티플렉서 등, 다른 SAW 디바이스에 부가적으로 형성한 캐패시터(C)를 이용하는 것도 가능하다.In addition, it is also possible to use a capacitor (C) additionally formed in another SAW device, such as another duplexer or multiplexer, as the capacitor (C) applied to the matching circuit (50) of the first embodiment.
도 14C에 도 9의 필터 장치(1B)의 또 다른 변형예를 나타낸다. 또한, 도 14C에서, 제1의 실시 형태에 따른 필터 장치(1) 및 제2의 실시 형태에 따른 필터 장치(1B, 1B', 1B'')와 동일한 구성 부분에 대해서는 설명을 생략한다.Fig. 14C shows another modified example of the filter device (1B) of Fig. 9. In addition, in Fig. 14C, descriptions of the same components as the filter device (1) according to the first embodiment and the filter devices (1B, 1B', 1B'') according to the second embodiment are omitted.
도 14C에 나타내는 필터 장치(1B''')의 안테나 포트(AP) 측에 설치된 매칭 회로(50F)는 2개의 탄성 표면파 공진기(Re1, Re2)를 구비하고 있고, 탄성 표면파(Re1, Re2)는 압전 기판(100) 상에 형성되고, 또한, 병렬로 접속되어 있다. 탄성 표면파 공진기(Re1, Re2)는 상기한 탄성 표면파 공진기(Re)와 같은 구성이지만, 인덕터나 캐패시터의 값은 형성하는 감쇠극의 주파수에 맞추어 각각 다르다.The matching circuit (50F) installed on the antenna port (AP) side of the filter device (1B''') shown in Fig. 14C is equipped with two surface elastic wave resonators (Re1, Re2), and the surface elastic wave resonators (Re1, Re2) are formed on a piezoelectric substrate (100) and are connected in parallel. The surface elastic wave resonators (Re1, Re2) have the same configuration as the above-described surface elastic wave resonator (Re), but the values of the inductor and capacitor are each different according to the frequency of the attenuation pole to be formed.
이러한 구성을 채용함으로써, 필터 회로(20)와 필터 회로(30)에서 각각 구성되는 수신 필터와 송신 필터에 추가로 다수의 임의의 주파수의 감쇠극을 부여할 수 있고, 그 결과, 폭넓은 주파수 대역에서 큰 감쇠량을 확보하는 것이 가능해진다.By adopting this configuration, it is possible to additionally provide a plurality of attenuation poles of arbitrary frequencies to the receiving filter and the transmitting filter configured in the filter circuit (20) and the filter circuit (30), respectively, and as a result, it becomes possible to secure a large attenuation amount in a wide frequency band.
또한, 본 예에서는, 복수의 탄성 표면파 공진기(Re1, Re2)를 병렬로 접속하여 이용하는 경우를 예시하였지만, 복수의 캐패시터를 병렬로 접속하여 이용하는 것도 가능하다. 또한, 탄성 표면파 공진기(Re1, Re2)를 배선(WR) 측에 접속하고, 인덕터(L)를 접지 전위 측에 접속하였지만, 역관계하는 것도 가능하다.In addition, although this example exemplifies a case in which multiple surface elastic wave resonators (Re1, Re2) are connected in parallel and used, it is also possible to connect multiple capacitors in parallel and use them. Furthermore, although the surface elastic wave resonators (Re1, Re2) are connected to the wiring (WR) side and the inductor (L) is connected to the ground potential side, the inverse relationship is also possible.
제3의 실시 형태Third embodiment
도 15A는 본 발명의 제3의 실시 형태에 따른 필터 장치(2)의 회로 구성을 모식적으로 나타내는 회로도이다. 또한, 도 15A에서, 제1의 실시 형태 및 제2의 실시 형태와 동일한 구성 부분에 대해서는 설명을 생략한다.Fig. 15A is a circuit diagram schematically showing the circuit configuration of a filter device (2) according to a third embodiment of the present invention. Furthermore, in Fig. 15A, descriptions of the same components as those in the first and second embodiments are omitted.
필터 장치(2)는 본 발명의 SAW 필터로서의 듀플렉서(10B)와, 안테나 포트(AP)와 듀플렉서(10B)의 공통 단자(CT) 사이에 접속된 위상 정합용 매칭 회로(60)와, 송신 포트(Tx)와 신호 단자(ST1) 사이에 접속된 위상 정합용 매칭 회로(200)와, 수신 포트(Rx)와 신호 단자(ST2) 사이에 접속된 위상 정합용 매칭 회로(160)를 가진다.The filter device (2) has a duplexer (10B) as a SAW filter of the present invention, a phase matching matching circuit (60) connected between an antenna port (AP) and a common terminal (CT) of the duplexer (10B), a phase matching matching circuit (200) connected between a transmission port (Tx) and a signal terminal (ST1), and a phase matching matching circuit (160) connected between a reception port (Rx) and a signal terminal (ST2).
매칭 회로(60 및 160)는 인덕터(L)만으로 구성되어 있고, 상세 설명은 생략한다.The matching circuit (60 and 160) consists only of an inductor (L), and a detailed description is omitted.
본 실시 형태에 따른 필터 장치(2)의 특징은 압전 기판(100) 상에 형성된 신호 단자(ST1)와 송신 포트(Tx)를 연결하는 배선(WR1)에 매칭 회로(200)가 접속되고, 이 매칭 회로(200)는 배선(WR1)과 접지 전위 사이에서 직렬로 접속되는 인덕터(L)와 탄성 표면파 공진기(Re)를 가진다.A feature of the filter device (2) according to the present embodiment is that a matching circuit (200) is connected to a wiring (WR1) connecting a signal terminal (ST1) formed on a piezoelectric substrate (100) and a transmission port (Tx), and this matching circuit (200) has an inductor (L) and a surface elastic wave resonator (Re) connected in series between the wiring (WR1) and a ground potential.
탄성 표면파 공진기(Re)는 압전 기판(100) 상에 형성되고, 압전 기판(100) 상에 형성된 신호 단자(ST3)에 일단이 접속되고, 압전 기판(100) 상에 형성된 그라운드 단자(GT)에 타단이 접속되어 있다.The elastic surface wave resonator (Re) is formed on a piezoelectric substrate (100), has one end connected to a signal terminal (ST3) formed on the piezoelectric substrate (100), and has the other end connected to a ground terminal (GT) formed on the piezoelectric substrate (100).
매칭 회로(200)는 필터 회로(20)와 송신 포트(Tx)에 접속되는 회로 사이의 위상 조정 기능에 더하여, 제2의 실시 형태에 있어서 설명한 것과 동일한 원리로, 필터 회로(20)를 포함하는 송신 필터에 복수의 감쇠극을 줄 수 있다. 그 결과, 필터 회로(20)를 포함하는 송신 필터의 폭넓은 대역에서 큰 감쇠량을 확보할 수 있다.In addition to the phase adjustment function between the filter circuit (20) and the circuit connected to the transmission port (Tx), the matching circuit (200) can provide a plurality of attenuation poles to the transmission filter including the filter circuit (20) according to the same principle as described in the second embodiment. As a result, a large attenuation amount can be secured in a wide band of the transmission filter including the filter circuit (20).
또한, 본 실시 형태에서는, 탄성 표면파 공진기(Re)를 압전 기판(100) 상에 형성하였지만, 상기 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 압전 기판(100)의 외부에 형성할 수도 있다. 또한, 탄성 표면파 공진기(Re)를 복수 이용하는 것도 가능하며, 또한, 인덕터(L)와 탄성 표면파 공진기(Re)의 접속 순서를 반대로 하는 것도 가능하다.In addition, in this embodiment, the surface elastic wave resonator (Re) is formed on the piezoelectric substrate (100), but as described in the above embodiment, it may be formed on the outside of the piezoelectric substrate (100). In addition, it is also possible to use multiple surface elastic wave resonators (Re), and it is also possible to reverse the connection order of the inductor (L) and the surface elastic wave resonator (Re).
도 15B에 본 발명의 제3의 실시 형태에 따른 필터 장치(2)의 변형예를 나타낸다. 또한, 도 15B에서, 제1의 실시 형태~제3의 실시 형태와 동일한 구성 부분에 대해서는 설명을 생략한다.Fig. 15B illustrates a modified example of a filter device (2) according to a third embodiment of the present invention. Furthermore, in Fig. 15B, descriptions of the same components as those in the first to third embodiments are omitted.
본 실시 형태에 따른 필터 장치(2B)의 특징은 압전 기판(100) 상에 형성된 신호 단자(ST2)와 수신 포트(Rx)를 연결하는 배선(WR2)에 매칭 회로(210)가 접속되고, 이 매칭 회로(210)는 배선(WR2)과 접지 전위 사이에서 직렬로 접속되는 인덕터(L)와 탄성 표면파 공진기(Re)를 가진다.A feature of the filter device (2B) according to the present embodiment is that a matching circuit (210) is connected to a wiring (WR2) connecting a signal terminal (ST2) formed on a piezoelectric substrate (100) and a receiving port (Rx), and this matching circuit (210) has an inductor (L) and a surface elastic wave resonator (Re) connected in series between the wiring (WR2) and a ground potential.
탄성 표면파 공진기(Re)는 압전 기판(100) 상에 형성되고, 압전 기판(100) 상에 형성된 신호 단자(ST4)에 일단이 접속되고, 압전 기판(100) 상에 형성된 그라운드 단자(GT)에 타단이 접속되어 있다.The elastic surface wave resonator (Re) is formed on a piezoelectric substrate (100), has one end connected to a signal terminal (ST4) formed on the piezoelectric substrate (100), and has the other end connected to a ground terminal (GT) formed on the piezoelectric substrate (100).
매칭 회로(210)는 필터 회로(30)와 송신 포트(Tx)에 접속되는 회로 사이의 위상 조정 기능에 더하여, 제2의 실시 형태에 있어서 설명한 것과 동일한 원리로, 필터 회로(30)를 포함하는 송신 필터에 복수의 감쇠극을 줄 수 있다. 그 결과, 필터 회로(30)를 포함하는 송신 필터의 폭넓은 대역에서 큰 감쇠량을 확보할 수 있다.In addition to the phase adjustment function between the filter circuit (30) and the circuit connected to the transmission port (Tx), the matching circuit (210) can provide a plurality of attenuation poles to the transmission filter including the filter circuit (30) according to the same principle as described in the second embodiment. As a result, a large attenuation amount can be secured in a wide band of the transmission filter including the filter circuit (30).
탄성 표면파 공진기(Re)를 압전 기판(100) 상에 형성하였지만, 상기 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 압전 기판(100)의 외부에 형성할 수도 있다. 또한, 탄성 표면파 공진기(Re)를 복수 이용하는 것도 가능하며, 또한, 인덕터(L)와 탄성 표면파 공진기(Re)의 접속 순서를 반대로 하는 것도 가능하다.Although the surface elastic wave resonator (Re) is formed on the piezoelectric substrate (100), as described in the above embodiment, it may be formed on the outside of the piezoelectric substrate (100). In addition, it is also possible to use multiple surface elastic wave resonators (Re), and it is also possible to reverse the connection order of the inductor (L) and the surface elastic wave resonator (Re).
또한, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 본 발명의 범위 내에서, 다양한 추가나 변경 등을 수행할 수 있다.Furthermore, the present invention is not limited to the embodiments described above. Those skilled in the art can make various additions and modifications within the scope of the present invention.
상기 각 실시 형태에서는, 본 발명의 SAW 필터를, 듀플렉서에 적용한 예에 대하여 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 3 이상의 다른 필터 회로를 가지는 멀티플렉서에 적용할 수도 있다.In each of the above embodiments, the SAW filter of the present invention has been described as an example of applying it to a duplexer, but it is not limited thereto and may be applied to a multiplexer having three or more different filter circuits.
상기 각 실시 형태에서는, 2개의 필터 회로(20, 30)를 수신 회로용과 송신 회로용에 이용하였지만, 필터 회로(20, 30)를 수신 회로용만, 혹은, 송신 회로용만으로 하여 이용하는 것도 가능하다.In each of the above embodiments, two filter circuits (20, 30) are used for the receiving circuit and the transmitting circuit, but it is also possible to use the filter circuits (20, 30) only for the receiving circuit or only for the transmitting circuit.
상기 실시 형태에서는, 공통 단자(CT)와 접속점(CP)의 배치가 달랐지만, 동일한 위치로 하는 것도 가능하다.In the above embodiment, the arrangement of the common terminal (CT) and the connection point (CP) is different, but it is also possible to make them the same position.
1, 1', 1B, 1B', 1B'', 1B''', 2, 2B : 필터 장치
10, 10B : 듀플렉서(SAW 필터)
20 : 필터 회로(제1의 필터 회로)
30 : 필터 회로(제2의 필터 회로)
50, 50B, 50C, 50D, 50E, 50F : 매칭 회로
60 : 매칭 회로
100 : 압전 기판
110 : 1차 전극
120 : 2차 전극
130 : 절연막
150 : 매칭 회로
160 : 매칭 회로
200 : 매칭 회로
210 : 매칭 회로
300 : 매칭 회로
500 : SAW 필터
ANT : 안테나
AP0, AP1, AP2 : 감쇠극
AP : 안테나 포트
ATP1 : 필터 요소
ATP2 : 필터 요소
C, C0, C1 : 캐패시터
CP : 접속점
CT : 공통 단자
GT : 그라운드 단자
IN : 입력 포트
L : 인덕터
L1 : 인덕터
IN : 입력 포트
OUT : 출력 포트
P1, P2 : 병렬 공진기
Re, Re1, Re2 : 탄성 표면파 공진기
ReC : 등가 회로
R1 : 저항
Tx : 송신 포트
Rx : 수신 포트
S1~S3 : 직렬 공진기(탄성 표면파 공진기)
ST, ST1, ST2, ST3, ST4 : 신호 단자
WR, WR1, WR2 : 배선1, 1', 1B, 1B', 1B'', 1B''', 2, 2B: Filter device
10, 10B: Duplexer (SAW filter)
20: Filter circuit (first filter circuit)
30: Filter circuit (second filter circuit)
50, 50B, 50C, 50D, 50E, 50F: Matching circuit
60: Matching circuit
100: Piezoelectric substrate
110: Primary electrode
120: Secondary electrode
130: Insulating film
150: Matching circuit
160: Matching circuit
200: Matching circuit
210: Matching circuit
300: Matching circuit
500: SAW filter
ANT: Antenna
AP0, AP1, AP2: Attenuation poles
AP: Antenna port
ATP1: filter element
ATP2: filter element
C, C0, C1: Capacitors
CP: Junction Point
CT: Common terminal
GT: Ground terminal
IN: Input port
L: Inductor
L1: Inductor
IN: Input port
OUT: Output port
P1, P2: Parallel resonators
Re, Re1, Re2: surface elastic wave resonators
ReC: Equivalent circuit
R1: Resistance
Tx: Transmitting port
Rx: receiving port
S1~S3: Series resonators (surface elastic wave resonators)
ST, ST1, ST2, ST3, ST4: signal terminals
WR, WR1, WR2: Wiring
Claims (12)
상기 제1 및 제2의 필터 회로의 접속점과 상기 공통 단자를 통해 상기 SAW 필터의 외부에 설치된 안테나 포트를 연결하는 배선에 접속되고, 상기 제1 및 제2의 필터 회로에 공통으로 적용되는 위상 정합용 매칭 회로를 가지며,
상기 매칭 회로는 상기 배선과 접지 전위 사이에서 직렬로 접속되는 인덕터와 탄성 표면파 공진기를 가지는, 필터 장치.A SAW filter comprising first and second filter circuits each having one end connected to the other, the first and second signal terminals formed on the piezoelectric substrate, a common terminal, and a ladder-type filter including a plurality of surface elastic wave resonators each configured between the first and second signal terminals and the common terminal,
It is connected to a wiring that connects the connection point of the first and second filter circuits and the antenna port installed externally of the SAW filter through the common terminal, and has a matching circuit for phase matching that is commonly applied to the first and second filter circuits,
The above matching circuit is a filter device having an inductor and an elastic surface wave resonator connected in series between the wiring and the ground potential.
상기 매칭 회로의 상기 인덕터는 상기 SAW 필터의 외부에 형성되고,
상기 매칭 회로의 상기 탄성 표면파 공진기가, 상기 압전 기판 상에 형성되어 있는, 필터 장치.In the first paragraph,
The inductor of the above matching circuit is formed outside the SAW filter,
A filter device, wherein the elastic surface wave resonator of the above matching circuit is formed on the piezoelectric substrate.
상기 매칭 회로의 상기 탄성 표면파 공진기는 상기 접속점과 상기 공통 단자를 연결하는 배선에 접속되고, 상기 매칭 회로의 상기 인덕터가 접지 전위에 접속되는, 필터 장치.In the third paragraph,
A filter device in which the elastic surface wave resonator of the above matching circuit is connected to a wiring connecting the connection point and the common terminal, and the inductor of the above matching circuit is connected to ground potential.
상기 매칭 회로의 상기 인덕터와, 상기 탄성 표면파 공진기가, 상기 SAW 필터의 외부에 설치되어 있는, 필터 장치.In the first paragraph,
A filter device in which the inductor of the above matching circuit and the surface elastic wave resonator are installed outside the SAW filter.
상기 매칭 회로는 복수의 상기 탄성 표면파 공진기를 가지며, 당해 복수의 탄성 표면파 공진기는 병렬로 접속되어 있는, 필터 장치.In the first paragraph,
A filter device in which the above matching circuit has a plurality of the above surface elastic wave resonators, and the plurality of the above surface elastic wave resonators are connected in parallel.
상기 제1의 필터 회로는 송신용 필터에 이용되고,
상기 제2의 필터 회로는 수신용 필터에 이용되는, 필터 장치.In any one of the first and third to sixth clauses,
The above first filter circuit is used for a transmission filter,
The above second filter circuit is a filter device used in a receiving filter.
상기 SAW 필터의 외부에 설치된 제1의 신호 포트와 상기 제1의 신호 단자를 연결하는 배선 또는 제2의 신호 포트와 상기 제2의 신호 단자를 연결하는 배선에 접속되는 위상 정합용 매칭 회로를 가지며,
상기 매칭 회로는 상기 배선과 접지 전위 사이에서 직렬로 접속되는 인덕터와 탄성 표면파 공진기를 가지는, 필터 장치.A SAW filter comprising first and second filter circuits each having one end connected to the other, the first and second signal terminals formed on the piezoelectric substrate, a common terminal, and a ladder-type filter including a plurality of surface elastic wave resonators each configured between the first and second signal terminals and the common terminal,
A phase matching circuit is provided that is connected to a wiring connecting a first signal port installed outside the SAW filter and the first signal terminal or a wiring connecting a second signal port and the second signal terminal,
The above matching circuit is a filter device having an inductor and an elastic surface wave resonator connected in series between the wiring and the ground potential.
상기 매칭 회로용 인덕터는 상기 SAW 필터의 외부에 형성되고,
상기 매칭 회로용 탄성 표면파 공진기가, 상기 압전 기판 상에 형성되어 있는, 필터 장치.In paragraph 9,
The inductor for the above matching circuit is formed outside the SAW filter,
A filter device in which an elastic surface wave resonator for the above matching circuit is formed on the piezoelectric substrate.
상기 제1의 필터 회로는 송신용 필터에 이용되고,
상기 제2의 필터 회로는 수신용 필터에 이용되는, 필터 장치.In claim 9 or 10,
The above first filter circuit is used for a transmission filter,
The above second filter circuit is a filter device used in a receiving filter.
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| JP2009033733A (en) * | 2007-06-29 | 2009-02-12 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Antenna duplexer |
| JP2011114826A (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | Filter, branching filter, and communication module |
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| JP2009033733A (en) * | 2007-06-29 | 2009-02-12 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Antenna duplexer |
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