KR20000057263A - 기판상에 균일한 밀도의 플라즈마를 형성하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 플라즈마로 기판을 처리하기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로서, 상기 장치는 저압으로 유지되는 영역을 둘러싸는 챔버와; 상기 영역에 배치되고 기판을 지지하기 위한 수평적인 기판 지지 표면을 가지는 기판 지지대와; 상기 챔버에 배치되어 상기 기판 지지 표면상에 이온화 플라즈마를 형성하기 위해 상기 챔버내에 무선 주파수 필드를 생성하기 위한 코일을 포함하며, 상기 코일은 상기 기판의 전체 상부면에 걸쳐 상기 기판의 상부면에 평행하게 연장하는 등전위 라인을 가지는 플라즈마를 유지하도록 배치된다.

Description

기판상에 균일한 밀도의 플라즈마를 형성하기 위한 방법 및 장치 {METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING A UNIFORM DENSITY PLASMA ABOVE A SUBSTRATE}

저밀도 플라즈마는 표면 처리, 증착 및 에칭 공정을 포함하여 다양한 반도체 소자 제조 공정에서 사용될 수 있는 에너지 이온 및 활성 원자의 편리한 소스가 되어왔다. 예를 들면, 스퍼터 증착법을 사용하여 반도체 웨이퍼상에 재료를 증착하기 위해, 플라즈마가 음적으로 바이어싱되는 스퍼터 타겟 재료의 근처에 생성된다. 타겟 근처에 형성된 이온들은 타겟으로부터 스퍼터 재료를 제거하기 위해 타겟의 표면에 충돌한다. 다음에 스퍼터링된 재료는 반도체 웨이퍼의 표면상에 이송되어 증착된다.

스퍼터링된 재료는 타겟으로부터 증착되어지는 기판으로 직선 경로로 이동하려는 경향을 가지는데, 이때의 각도는 기판 표면에 비스듬하다. 결론적으로, 깊이 대 폭 종횡비를 갖는 트렌치 또는 홀을 구비한 반도체 소자의 에칭된 트렌치와 홀내에 증착되는 재료는 브리징될 수 있고, 이것은 바람직하지 못하며; 이것을 방지하기 위하여, 스퍼터링된 재료가 플라즈마에 의해 충분히 이온화된다면 스퍼터링된 재료는 수직적으로 지향된 전계를 기판에 인접하게 배치하고 음적으로 기판을 대전시킴으로써 타겟과 기판 사이의 수직 경로로 다시 향할 수 있다. 그러나, 저밀도 플라즈마로 스퍼터링된 재료는 종종 10% 이하의 이온화 정도를 가지는데, 이는 통상적으로 과도한 수의 공동 형성을 방지하기에 불충분하다. 따라서, 증착층내의 원치않는 공동의 형성을 감소시키기 위해 스퍼터링된 재료의 이온화 속도를 증가시키기 위해 플라즈마 밀도를 증가시키는 것이 바람직하다. 여기에 사용된 바와 같이, 상기 용어 "조밀한 플라즈마"는 높은 전자 및/또는 이온 밀도를 가지는 것으로 참조된다.

용량성 결합, 유도성 결합 및 파동 가열을 포함하여 RF 필드로 플라즈마를 여기시키기 위한 수개의 공지된 기술들이 있다. 표준 유도성 결합 플라즈마(ICP) 발생기에서, 코일을 통과하는 RF 전류는 상기 코일에 의해 둘러싸인 영역에 전자기 전류로 이루어지는 플라즈마를 발생시킨다. 이런 전류는 오믹 가열에 의해 전도성 플라즈마를 가열하고, 그결과 플라즈마가 지속 상태로 유지된다. 예를 들면, 미국 특허 제4,362,632호에 개시된 바와 같이, 코일을 통과하는 전류는 임피던스 매칭 네트워크를 통해 코일에 연결된 RF 발생기에 의해 공급되며, 상기 코일은 트랜스포머의 제1 권선으로서 기능한다. 상기 플라즈마는 트랜스포머의 단일 턴(turn) 제2 권선으로서 기능한다.

고밀도 플라즈마는 전형적으로 상당히 고압에서 동작될 수 있는 챔버를 요구한다. 결과적으로, 플라즈마 이온과 증착 재료 원자 사이의 충돌 주파수가 증가되고 증착 원자의 스캐터링이 마찬가지로 증가된다. 증착 원자의 스캐터링은 전형적으로 기판상의 증착 층이 타겟 중심과 정렬된 기판 부분보다 더 두껍게 하고 외부 영역에서 더 얇아지도록 한다. 이런 증착 불균일성은 종종 반도체 소자의 제조에 바람직하지 못하다.

기판 표면에 걸친 에칭 또는 증착과 관련한 균일성은 기판 표면에 걸친 이온화된 플라즈마 밀도의 변화에 의해 불리하게 영향을 받는다고 인식된다. 결국, 기판 표면에 걸친 플라즈마 밀도의 균일성이 개선될 수 있다면, 얻어지는 에칭 또는 증착 균일성이 마찬가지로 개선될 수 있다고 믿어진다.

플라즈마 발생용 코일을 위한 다수의 설계 및 장치가 발생된 플라즈마의 균일성을 개선할 목적으로 제안되어 왔다. 전형적으로, 하나 이상의 코일이 웨이퍼 표면상의 위치에 배치되고, 많은 이런 제안에 따르면 코일은 플라즈마 자체가 구속되는 챔버의 외부에 배치된다. 많은 연구는 이런 종래 코일 장치들이 웨이퍼 표면에 걸쳐 실질적인 플라즈마 밀도 불균일성을 가지는 플라즈마 필드를 생성하려는 경향이 있다는 것을 보여준다.

본 발명은 플라즈마 발생기에 관한 것으로서, 특히 반도체 소자의 제조에서 재료층을 스퍼터 증착하기 위한 플라즈마 발생 방법 및 장치에 관한 것이다.

도 1은 본 발명에 따른 장치의 일실시예를 도시하는 단면도.

도 2는 본 발명에 따른 제2 실시예에 따른 장치의 도 1과 유사한 도면.

도 3은 본 발명에 따른 제3 실시예에 따른 장치의 도 1과 유사한 도면.

도 4는 본 발명에 따른 제4 실시예에 따른 장치의 도 1과 유사한 도면.

도 5는 제4 실시예에서 얻어질 것이라고 믿어지는 등전위 라인 패턴의 컴퓨터 시뮬레이션을 포함한, 본 발명의 제4 실시예에 대응하는 장치의 단면도.

본 발명의 목적은 여러가지 처리를 받게되는 웨이퍼 표면에 걸친 플라즈마 전위 또는 밀도의 균일성을 개선시키는 것이다.

상기 목적은 본 발명의 일시예에 따른 플라즈마 존재하에서 기판을 처리하기 위한 장치에 의해 달성되는데, RF 코일이 기판 지지대를 포함한 평면에 근접한 높이에 배치된다. 이런 장치는 코일에 의해 유지되는 플라즈마가 기판 지지대에 평행하고 균일한 전위와 밀도를 가지도록 한다는 것을 알 수 있다. 예시된 실시예에서, 상기 장치는 저압으로 유지되는 영역을 둘러싸는 챔버, 상기 영역에 배치되고 기판을 지지하기 위한 수평적 기판 지지표면을 가지는 기판 지지대, 및 기판 지지 표면상에 플라즈마를 유지하기 위해 챔버내에 무선 주파수 필드를 생성하는 챔버내에 배치된 RF 코일을 포함한다. 코일은 기판 지지 표면을 포함하는 수직 영역을 둘러싸고, 플라즈마가 기판의 전체 표면에 걸쳐 더욱 균일한 밀도와 전위를 가지도록 기판 지지 표면의 평면 근처에 배치된다.

이하의 상세한 설명에서 잘 드러나는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 또는 다른 기판 표면상의 플라즈마 밀도 균일성은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 발생 코일이 웨이퍼를 둘러싸는 영역에 배치되거나, 또는 적어도 코일의 가장 하부 턴이 웨이퍼에 인접하게 또는 웨이퍼 아래에 배치된다면 실질적으로 개선될 수 있다는 것을 알수 있다. 이런 코일 배열로, 코일에 의해 발생된 플럭스의 주요부는 코일의 수평적 중간 평면상에 배치될 것이고 균등한 플라즈마 밀도의 라인이 웨이퍼 표면 전체에 걸쳐 웨이퍼 표면에 평행하게 배치될 것이며, 이것은 플라즈마의 전체 수직 범위에 걸쳐 실현될 수 있다.

플라즈마의 주요부가 코일상에 배치되도록 플라즈마 발생 코일을 웨이퍼 표면의 레벨 또는 그 아래에 배치하는 것은 관련 발표된 문헌에 개시된 개념 및 상업적으로 입수가능한 시스템이 제공된 장치에서 전혀 찾아볼 수 없다.

본 발명에 따른 제1 실시예가 도 1에 도시되어 있다. 이런 장치는 전도성 재료로 제조된 차폐부(2)에 의해 부분적으로 둘러싸이고 실린더형 진공 챔버(4)에 배치되는 플라즈마 챔버(1)를 포함한다. 진공 챔버(4)의 하부에 있는 개구부를 통해 연장하고 상단부에 기판 지지부(7)를 갖는 페데스탈(6)이 제공된다. 기판 지지부(7)의 상부면은 처리될 기판(8)을 지지하는 기판 지지 표면(7a)을 한정한다. 페데스탈(6)의 하단부는 지지 표면(도시안됨)상에 장착되고 기판 지지 표면이 차폐부(2)내에서 수직적으로 이동가능하도록 하는 엘리베이터 메카니즘을 포함할 수 있다. 진공 챔버(4)의 내부는 진공 챔버(4)의 하부와 기판 지지부의 하부 사이에 연결되는 벨로우즈(12)에 의해 밀봉된다. 대안적으로, 페데스탈 및 연관된 엘리베이터 메카니즘은 벨로우즈(12)의 필요성을 배제하기 위해 진공 챔버(14)내에 전체적으로 밀봉될 수 있다.

본 발명의 도면에 예시된 실시예들은 스퍼터링에 의해 기판(8)의 상부면에 층을 증착하기 위한 것이다. 이런 목적을 위해, 타겟(14)이 차폐부(2)에 의해 형성된 밀봉체내에 장착되고, 진공 챔버(4)의 상부에 장착된 소스 어댑터(15)가 타겟(14)을 지지한다. 상기 타겟(14)은 바이어싱 전압의 적당한 소스에 결합된다. 전형적으로, 네거티브 dc 전압이 타겟(14)에 인가될 것이고 절연체 링(17)에 의해 소스 어댑터로부터 절연된다.

스퍼터링에 의한 층 증착을 위한 실시예는 단지 비제한적 보기로 선택되어진다. 본 발명은 플라즈마가 형성되고 기판 표면에 걸쳐 균일한 플라즈마 밀도가 유리한 에칭 장치를 포함하는 어떤 다른 장치에 적용될 수 있다.

더욱이, 타겟(14)이 디스크 형태로 도시되었더라도 특별한 증착 요구에 사용되는 어떤 적당한 타겟 구성이 사용될 수 있다고 이해될 것이다.

또한, 보기에 의해 여기에 예시된 장치는 타겟(14)으로부터의 재료의 부식이 회전하는 자석 어셈블리, 또는 마그네트론(16)에 의해 생성되는 것 중 하나이다. 또한, 어떤 적당한 공지된 장치가 타겟(14) 위에 충돌하는 이온의 발생을 제어하는데 사용될 수 있다.

기판(8)은 일반적 클램프 링(18)에 의해 기판 지지 표면상에 유지된다. 또한 AC와 RF 소스를 포함하는 적당한 바이어스 소스에 의해 클램프 링(18)을 통해 기판(8)에 인가될 수 있다.

이런 실시예에서, 플라즈마는 무선 주파수(RF) 전류의 소스(22)에 전기적으로 연결되는 코일(20)을 통해 차폐부(2)에 의해 둘러싸인 영역에 발생되어 유지된다. 소스(22)는 진공 챔버(4)와 차폐부(2)내의 개구부에 장착되는 절연체(24, 25)를 통과하여 컨덕터(23)를 통해 코일(20)의 반대쪽 단부에 결합된다.

도 1에 도시된 실시예에서, 코일(20)은 페데스탈(6)의 중심축, 기판(8)의 중심축, 및 바람직하게 타겟(14)의 중심축과 동축인 수직축에 대해 나선형으로 수평적인 평면으로 감겨지는 3개 턴으로 구성된다. 코일(20)은 기판 지지부(6)를 둘러싸고, 예시된 실시예에서 기판 지지부(6)의 상부면(7a) 아래 및 기판(8)의 상부면 아래에 배치된다.

코일(20)은 그것에 RF 전류를 제공하는 수직 컨덕터(28)를 포함한다. 상기 컨덕터(28)는 최적의 플라즈마 필드 패턴을 생성하는 높이가 야기될 수 있도록 코일(20)이 수직적으로 배치되도록 하는 매커니즘에 의해 지지된다. 예시된 실시예에서, 이런 매커니즘은 2개 이상의 유압 잭, 또는 전도성 커버 부재(32)와 절연 베이스를 포함하는 피스톤-실린더 어셈블리(30)로 구성될 수 있다. 상기 커버 부재(32)는 바람직하게 코일(20)을 차폐부(2)에 단락시키면서 증착 재료의 전도성 경로 형성을 방지하기 위한 미로와 같은 통로를 형성하도록 차폐부(2)와 베이스(34)로부터 일정 간격 배치된다.

상기 코일 컨덕터(28)는 전도성 부재(32)와 절연성 베이스(34) 내부의 전도성 코어(도시안됨)를 통해 컨덕터(23)에 결합된다.

바람직하게, 코일(20)은 기판(8) 상부면의 다소 아래에 있는 하한과 기판(8) 상부면의 다소 위에 있는 상한 사이로 연장하는 범위에 걸쳐 이동가능하다.

코일(20)이 그것의 평면이 기판 평면 아래에 있는 높이 위치에 있을 때, 코일이 생성하는 플라즈마는 상당한 정도의 균일성을 가지고 연장하는, 기판(8) 상부면에 평행한 균등한 전자 밀도(전자/cc)의 라인에 의해 특징지워질 수 있고, 이런 균일성은 플라즈마 필드의 전체 수직 치수에 걸쳐 존재할 것이라고 믿어진다. 대조적으로, 많은 종래의 코일 배열에서는, 플라즈마 필드 중심에서의 이런 균등한 전자 밀도의 라인은 연관된 기판 표면의 일부에 대해서만 같은 넓이로 퍼진다고 믿어진다.

더욱이, 종래 코일 배치로 존재한다고 믿어지는 상태와 대조적으로, 도 1에 도시된 실시예에서는, 사실상 전체 플라즈마 필드가 코일(20) 상에 배치될 것이다.

본 발명의 특징에 따라 코일(20)에 의해 발생된 플라즈마가 기판 표면의 전체에 걸쳐 기판 표면에 평행하게 연장하는 균등한 전자 밀도의 라인을 포함하기 때문에, 타겟(14)으로부터 제품(8)으로 전달되는 증착 재료의 균일성은 플라즈마에 의해 분열될 수 없을 것이다. 결국, 균일한 소스로부터의 증착 재료는 이온화 플라즈마에 의해 초래되는 감소된 양의 불균일성으로 이온화되어 증착된다.

더욱이, 본 발명에 따른 코일의 배치때문에 기판(8)과 타겟(14) 사이의 최적 수직 공간 형성이 용이해진다.

도 1에 도시된 실시예에서, 코일(20)의 수직 위치는 클램프 링(18)이 코일(20)에 의해 방사된 열에 의한 불균일한 가열에 대비하여 기판(8)을 보호하는 열 차폐부로서 작용하도록 한다. 대조적으로, 처리될 기판의 상부면위에 배치되는 종래 코일의 경우에는 코일로부터의 방사에 의한 불균일한 가열이 종종 문제가 된다.

도 1이 3개의 턴을 가지는 코일을 도시하더라도, 특별한 장치의 요구에 의존하여 다른 수의 코일 턴이 사용될 수 있다는 것이 예측될 것이다. 일부 실시예에서, 단일 턴 코일이 사용될 수 있다.

잭(30)의 동작에 의한 코일(20)의 높이 조절은 재조합 속도의 차이에 기인한 플라즈마 밀도 분포의 변화가 있을 수 있기 때문에 예를 들어 Ti 타겟 및 Ar또는 N₂과 같은 서로다른 플라즈마 가스를 사용한 반응성 금속 이온 증착과 같은 처리를 위해 유리하다. 이런 이유때문에, 플라즈마 필드의 구성을 최적화하기 위하여 코일(20)의 높이를 조절할 수 있는 것이 바람직하다.

도 2는 본 발명의 제2 실시예를 도시하는데, 동일한 부품들은 동일한 참조부호로 설명되고, 이런 부품들은 다시 설명되지않는다. 간략화를 위해, 도 2는 예를 들어 진공 챔버(4), 타겟(14), 전류 소스(22), 절연체(24), 잭(30)과 같은 부품들을 포함하지않고 도시되어 있다. 이런 부품들중 일부 또는 전부는 도 1에 도시된 것과 동일한 배열로 도 2의 실시예에 제공될 수 있다. 그러나, 특정 부품들이 일부 응용에서 제거될 수 있다고 예상된다. 예를 들면, 코일의 높이는 특별한 공정을 위해 최적의 높이에 고정될 수 있다. 이와 같이, 상기 잭(30)은 이런 응용에서 제거될 수 있다.

도 2에 도시된 실시예는 도 1의 코일(20)이 코일(40)에 의해 대체된다는 점에서 도 1의 그것과 다른데, 코일(40)은 바로 아래의 턴보다 더 큰 직경을 가지는 턴으로 절두 원뿔형 경로를 따라가도록 나선 형태로 감겨진다. 이런 배열은 차폐부(2)가 상대적으로 작은 직경을 가질때 바람직하다. 이런 경우에, 코일(40)에 의해 생성된 열방사로부터 기판(8)의 적당한 열 차폐를 보장하도록 아래에 개시될 도 3에 도시된 방식으로 클램프 링(18)을 변형시키는 것이 바람직하다.

도 3은 도 1의 실시예의 변형예를 도시하는데, 코일(20)이 기판(8) 상부면 평면의 약간 위에 배치된다. 이전에 언급된 바와 같이, 이런 코일(8)의 위치 설정은 기판 표면에 증착될 재료의 특성과 차폐부(2)내의 이온화된 가스의 성분에 의존하여 최적의 플라즈마 필드 구성을 생성한다는 것을 알수 있다. 코일(20)이 도 3에 도시된 위치에 배치되어야 할때, 코일(20)과 기판(8) 사이의 열 차폐부를 구성하는 상향 돌출부(50)를 가지는 변형된 클램프 링(48)을 사용하는 것이 바람직하다.

도 4는 도 1의 실시예의 다른 변형된 실시예를 도시하는데, 코일(20)이 실질적으로 균등한 직경의 2개 턴을 가지는 실린더형 코일(60)에 의해 대체된다. 그러므로, 상기 턴들은 서로의 위에 배치되는데, 하부 턴이 대략 기판(8) 레벨에 배치되고 상부 턴이 기판(8) 레벨 위에 약간 거리를 두고 배치된다. 코일(60)에 의해 생성된 플라즈마 밀도의 분포를 최적화하기 위하여, 하부 턴은 기판(8) 레벨의 약간 아래 또는 약간 위에 배치될 수 있다. 코일(60)의 상부 턴이 기판(8)의 약간 위에 배치되기 때문에, 이런 실시예는 도 3의 실시예에 사용된 것과 같이 일부 변형된 클램핑 링(48)을 포함한다.

도 5는 제4 실시예에 따른 장치를 도시하고, 추가로 제4 실시예에 따른 코일(60)이 플라즈마를 생성하는데 사용될 때 차폐부(2)에 의해 둘러싸인 내부 공간에 형성되리라고 믿어지는 플라즈마의 등전위 라인의 컴퓨터 시뮬레이션을 도시한다. 플라즈마 필드의 등전위 라인의 패턴은 일반적으로 상기 필드내의 균등한 플라즈마 밀도 라인의 패턴과 상응한다고 믿어진다. 도 5로부터 등전위 라인이 기판 전체 폭 또는 직경에 걸쳐 기판(8)의 상부면에 평행하게 연장한다는 것을 쉽게 알수 있다.

도 5에 도시된 차폐부(2)의 일부에 중첩된 것은 기판 중심축이 되는 횡좌표 및 기판(8)의 상부면 아래의 마음대로 선택된 포인트가 되는 세로좌표를 가지는 원점으로부터의 거리를 표현하는 좌표계이다. 이런 좌표계의 횡좌표 눈금은 R로 지정되고 세로좌표 눈금은 Z로 지정된다. 기판(8)의 상부면이의 세로 좌표값을 가진다는 것을 볼수 있을 것이다. 도 5에 도시된 RF 필드의 선택된 포인트에서 계산된 플라즈마 전위 전압에 대한 실험값들은 하기 표에 도시되어 있다.

포인트에 대한 좌표값	플라즈마 전위 전압
Z(㎝)		R(㎝)
5	0.5	6.87
5	5	6.98
5	10	6.92
7	0.5	7.46
7	5	7.53
7	10	7.48
9	0.5	7.57
9	5	7.60
9	10	7.49

코일(60) 턴의 정확한 위치는 도 5의 좌표 눈금으로부터 결정될 수 있다. 도 5가 차폐부(2)와 기판(8)의 절반을 도시하더라도, 플라즈마의 다른 절반이 도시되어진 절반에 거울-대칭을 이룬다는 것이 이해될 것이다. 예를 들면, 플라즈마의 등전위 라인과 균등한 플럭스 밀도 라인은 좌표계의 원점을 지나는 좌표계의 수직축 또는 Z축에 대해 대칭이다.

본 발명에 따른 플라즈마 필드에 주어질 수 있는 높은 정도의 균일성의 관점에서, 특히 금속 코팅 증착을 위해 300㎜에 달하는 큰 직경의 기판을 성공적으로 처리할 가능성은 제공된다.

본 발명의 실시예는 단일 턴 코일 및 서로 수직하게 일정간격 배치되는, 예를 들어 실린더형 코일을 포함할 수 있음에 유의하여야 한다.

비록 본 발명이 바람직한 실시예를 참조하여 기술되었지만, 당업자는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 변형이 이루어진다는 것을 인식할 것이다.

Claims (32)

1. 무선 주파수 전류의 소스와 연결하여 사용하기 위한, 플라즈마의 존재하에서 기판을 처리하기 위한 장치에 있어서,

   저압으로 유지되는 영역을 둘러싸는 챔버와;

   상기 영역에 배치되고 기판을 지지하기 위한 수평적 기판 지지 표면을 가지는 기판 지지대와;

   상기 챔버내에 배치되고, 무선 주파수 전류에 응답하여 상기 기판 지지 표면상에 플라즈마를 유지하기 위해 상기 챔버내에 무선 주파수 필드를 생성하는 코일을 포함하며, 상기 코일은 상기 기판 지지 표면을 포함하는 수직 영역을 둘러싸며, 상기 플라즈마가 상기 기판의 전체 상부면에 걸쳐 상기 기판 지지 표면에 평행하게 연장하는 등전위 라인을 가지도록 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
2. 제 1항에 있어서, 상기 코일은 상기 플라즈마가 상기 기판의 상부면에 평행하게 균일한 밀도를 가지도록 상기 기판 지지 표면을 포함하는 평면에 근접한 높이로 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
3. 제 1항에 있어서, 상기 코일은 상기 코일의 적어도 일부가 상기 기판 지지 표면상에 지지된 기판 아래에 있도록 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
4. 제 1항에 있어서, 상기 코일은 상기 기판 지지 표면상에 지지된 기판 위치의 아래에 전체적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
5. 제 2항에 있어서, 상기 코일의 일부는 적어도 상기 기판 지지 표면과 수평적으로 정렬되어 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
6. 제 2항에 있어서, 상기 코일은 공통 수평 평면으로 배치되는 다수의 턴을 가지는 평면 코일인 것을 특징으로 하는 장치.
7. 제 2항에 있어서, 상기 코일은 서로 수직적으로 일정간격 배치되는 다수의 턴을 가지는 나선형 코일이며, 각각의 턴은 바로 아래에 놓이는 턴의 직경보다 더 큰 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
8. 제 2항에 있어서, 상기 코일과 기판 지지 표면 사이에 삽입되는 열 차폐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
9. 제 8항에 있어서, 상기 열 차폐부는 상기 기판 지지 표면상의 적당한 위치에서 기판을 클램핑하기 위해 배치된 클램핑 링에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
10. 제 2항에 있어서, 상기 챔버내에서의 수직 배치를 위해 상기 코일을 지지하는 엘리베이터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
11. 제 10항에 있어서, 상기 엘리베이터는 상기 기판 지지 표면과 관련하여 선택된 수직 위치에 상기 코일을 배치시키기 위한 메카니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
12. 무선 주파수 전류의 소스와 연결하여 사용하기 위한, 플라즈마의 존재하에서 기판을 처리하기 위한 장치에 있어서,

    저압으로 유지되는 영역을 둘러싸는 챔버와;

    상기 영역에 배치되고 상부면을 가지는 기판을 지지하기 위한 수평적 기판 지지 표면을 가지는 기판 지지대와;

    상기 챔버내에 배치되고, 무선 주파수 전류에 응답하여 상기 기판 지지 표면상에 플라즈마를 유지하기 위해 상기 챔버내에 무선 주파수 필드를 생성하는 코일을 포함하며, 상기 코일의 적어도 일부는 상기 기판 지지 표면과 수평 정렬 관계로 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
13. 제 12항에 있어서, 상기 플라즈마는 상기 기판 지지 표면에 평행한 균일한 밀도를 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
14. 제 12항에 있어서, 상기 코일은 상기 코일의 적어도 일부가 상기 기판 지지 표면의 아래에 있도록 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
15. 제 12항에 있어서, 상기 코일은 공통 수평 평면으로 배치되는 다수의 턴을 가지는 평면 코일인 것을 특징으로 하는 장치.
16. 제 12항에 있어서, 상기 코일은 서로 수직적으로 일정간격 배치되는 다수의 턴을 가지는 나선형 코일이며, 각각의 턴은 바로 아래에 놓이는 턴의 직경보다 더 큰 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
17. 무선 주파수 전류의 소스와 연결하여 사용하기 위한, 플라즈마의 존재하에서 기판을 처리하기 위한 장치에 있어서,

    저압으로 유지되는 영역을 둘러싸는 챔버와;

    플라즈마 발생 영역을 둘러싸는 차폐부와;

    상기 플라즈마 발생 영역에 배치되고 상부면을 가지는 기판을 지지하기 위한 수평적 기판 지지 표면을 가지는 기판 지지대와;

    상기 플라즈마 발생 영역내에 배치되며, 상기 기판 지지 표면상에 플라즈마를 유지하기 위해 상기 챔버내에 무선 주파수 필드를 생성하는 코일과;

    상기 코일과 기판 지지 표면 사이에 삽입되는 수직벽을 가지는 열 차폐부를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
18. 제 17항에 있어서, 상기 열 차폐부는 상기 기판 지지 표면상의 적당한 위치에서 상기 기판을 클램핑하기 위해 배치된 클램핑 링에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 장치
19. 무선 주파수 전류의 소스와 연결하여 사용하기 위한, 플라즈마의 존재하에서 기판을 처리하기 위한 장치에 있어서,

    저압으로 유지되는 영역을 둘러싸는 챔버와;

    상기 영역에 배치되고 상부면을 가지는 기판을 지지하기 위한 수평적 기판 지지 표면을 가지는 기판 지지대와;

    상기 플라즈마 발생 영역내에 배치되고, 무선 주파수 전류에 응답하여 상기 기판 지지 표면상에 플라즈마를 유지하기 위해 상기 챔버내에 무선 주파수 필드를 생성하는 코일과;

    상기 챔버에서의 수직 배치를 위해 상기 코일을 지지하는 엘리베이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
20. 제 19항에 있어서, 상기 엘리베이터는 상기 기판 지지 표면에 관련하여 선택된 수지 위치에 상기 코일을 배치시키기 위한 메카니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
21. 무선 주파수 전류의 소스와 연결하여 사용하기 위한, 플라즈마의 존재하에서 기판을 처리하기 위한 장치에 있어서,

    저압으로 유지되는 영역을 둘러싸는 챔버와;

    상기 영역에 배치되고 상부면을 가지는 기판을 지지하기 위한 수평적 기판 지지 표면을 가지는 기판 지지대와;

    상기 플라즈마 발생 영역내에 배치되고, 무선 주파수 전류에 응답하여 상기 기판 지지 표면상에 플라즈마를 유지하기 위해 상기 챔버내에 무선 주파수 필드를 생성하는 코일 수단을 포함하며, 상기 플라즈마는 상기 기판의 전체 상부면에 걸쳐 상기 기판 지지 표면에 평행하게 연장하는 등전위 라인을 가지는 것을 특징으로 하는 장치.
22. 저압으로 유지되는 영역을 둘러싸고 기판 지지 표면을 가지는 기판 지지대를 구비한 챔버에서 플라즈마를 발생시키기 위한 방법에 있어서,

    상기 기판 지지 표면상에 상부면을 가지는 기판을 배치하는 단계와;

    상기 기판 지지 표면에 평행하게 연장하는 등전위 라인을 가지는 플라즈마를 유지하기 위해 상기 기판 지지 표면의 둘레에 배치되는 플라즈마 발생 코일을 통해 무선 주파수 전류를 도통시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
23. 제 22항에 있어서, 상기 코일의 적어도 일부는 상기 기판 지지 표면을 포함하는 평면 아래의 높이에 배치되는 것을 특징으로 하는 방법.
24. 제 23항에 있어서, 상기 코일은 상기 기판 지지 표면에 근접한 높이에 있는 것을 특징으로 하는 방법.
25. 제 24항에 있어서, 상기 코일은 상기 기판 지지 표면보다 더 높지않은 위치에 있는 것을 특징으로 하는 방법.
26. 제 23항에 있어서, 상기 코일은 상기 기판 지지 표면에 평행한 플라즈마 밀도의 균일성을 최대화시키는 높이에 배치되는 것을 특징으로 하는방법.
27. 제 23항에 있어서, 상기 코일의 적어도 일부는 상기 기판 지지 표면과 수평 정렬 관계로 배치되는 것을 특징으로 하는 방법.
28. 제 27항에 있어서, 상기 코일과 기판 사이에 배치된 열 차폐부를 사용하여 상기 기판을 차폐하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
29. 제 23항에 있어서, 상기 코일과 기판 사이에 배치된 열 차폐부를 사용하여 상기 기판을 차폐하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
30. 제 23항에 있어서, 상기 코일에 결합된 엘리베이터를 사용하여 상기 기판 지지 표면과 관련한 상기 코일의 위치를 변경하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
31. 저압으로 유지되는 영역을 둘러싸고 기판 지지 표면을 가지는 기판 지지대를 구비한 챔버에서 플라즈마를 발생시키기 위한 방법에 있어서,

    상기 기판 지지 표면과 관련하여 상기 챔버의 영역에 배치된 코일의 위치를 상기 코일에 결합된 엘리베이터를 사용하여 변경하는 단계와;

    상기 기판 지지 표면상에 상부면을 가지는 기판을 배치하는 단계와;

    상기 챔버에 플라즈마를 유지하기 위해 상기 코일을 통해 무선 주파수 전류를 도통시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
32. 저압으로 유지되는 영역을 둘러싸고 기판 지지 표면을 가지는 기판 지지대를 구비한 챔버에서 플라즈마를 발생시키기 위한 방법에 있어서,

    상기 기판 지지 표면상에 상부면을 가지는 기판을 배치하는 단계와;

    상기 챔버에 플라즈마를 유지하기 위해 코일을 통해 무선 주파수 전류를 도통시키는 단계와;

    상기 코일과 기판 사이에 배치된 열 차폐부의 수직벽을 사용하여 상기 기판을 차폐하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.