KR20010003747A - method for fabricating organic electroluminescent display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 포토리소그라피 공정을 이용한 유기 EL 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 유기 EL 소자의 제조방법은 기판상에 스트라이프 형태의 양극을 형성하는 공정과; 상기 양극과 교차하도록 스트라이프형태의 절연격벽을 기판상에 형성하는 공정과; 기판전면에 걸쳐 유기 박막층, 음극전극, 흡습층 및 방습층을 순차 형성하는 공정과; 상기 방습층 및 흡습층을 식각하는 공정과; 상기 유기박막층 및 음극전극을 순차 식각하여 상기 절연격벽을 노출시키는 공정과; 상기 노출된 절연격벽을 포함한 기판상에 보호막을 형성하는 공정으로 이루어진다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic EL device using a photolithography process, and a method of manufacturing an organic EL device of the present invention includes the steps of forming a striped anode on a substrate; Forming a stripe-shaped insulating partition wall on the substrate so as to intersect the anode; A step of sequentially forming an organic thin film layer, a cathode electrode, a moisture absorption layer and a moisture-proof layer over the entire surface of the substrate; Etching the moisture-proof layer and the moisture-absorbing layer; Exposing the insulating partition wall by sequentially etching the organic thin film layer and the cathode electrode; And forming a protective film on the substrate including the exposed insulating barriers.
Description
본 발명은 평판 디스플레이장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 포토리소그라피공정을 이용한 고정세의 유기 전계발광 표시소자(OELD, Organic Electroluminescent Display)의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display device, and more particularly, to a method of manufacturing an organic electroluminescent display device (OELD) using a photolithography process.
전계발광(Electroluminescent) 소자는 액정표시소자(LCD)와 같은 수광형태의 소자에 비하여 응답속도가 빠르고, 자체발광형태이므로 휘도가 우수하며, 구조가 간단하여 생산시 제조가 용이하고, 경량박형의 장점을 가지고 있어 차세대 평판 디스플레이소자로 주목받고 있다. EL 소자는 LCD 백라이트, 휴대용 단말기, 자동차 항법 시스템(CNS, Car Navigation System), 노트북 컴퓨터 및 벽걸이용 TV 까지 그 용도가 다양하다.An electroluminescent device has a faster response speed than a light receiving device such as a liquid crystal display device (LCD), has a self-luminous shape, has excellent brightness, is simple in structure, is easy to manufacture, Has attracted attention as a next generation flat panel display device. EL devices are used for LCD backlight, portable terminal, car navigation system (CNS), notebook computer and wall-mounted TV.
도 1은 종래의 유기 EL소자의 단면도를 도시한 것이다. 도 1의 유기 EL 소자는 절연기판(11)상에 ITO 로 된 양극(12), 유기박막층(13) 및 금속으로 된 음극(14)이 순차 적층된 구조를 갖는다.1 is a cross-sectional view of a conventional organic EL device. The organic EL device of Fig. 1 has a structure in which an anode 12 made of ITO, an organic thin film layer 13, and a cathode 14 made of metal are sequentially laminated on an insulating substrate 11.
또한, 종래의 유기 EL 소자는 소자내의 수분을 흡수하기 위한 무기박막 흡습층(15)과, 외부로부터의 수분을 차단하기 위한 유기후막 방습층(16)이 형성되고, 보호층으로서 패시베이션층(17)이 형성된 구조를 갖는다.In the conventional organic EL device, the inorganic thin film moisture absorbing layer 15 for absorbing moisture in the device and the organic thick film moisture barrier layer 16 for blocking moisture from the outside are formed, and the passivation layer 17 is formed as a protective layer. .
이때, 기판(11)은 양극(12)과 음극(14)사이에 가해진 전압에 의하여 유기층에서 발광하는 빛을 투과하여 볼수 있도록 투명하여야 한다. 유기박막층(13)은 발광층을 포함하며, 발광층과 양극사이에 정공주입층 및 정공수송층을 구비하고, 발광층과 음극(14)사이에 전자수송층 및 전자주입층을 구비할 수도 있다. 전자를 공급하여 주는 음극(14)은 전자를 원할하게 공급하기 위하여 일함수가 낮은 전극물질을 사용하여야 한다.At this time, the substrate 11 should be transparent so as to transmit light emitted from the organic layer by the voltage applied between the anode 12 and the cathode 14 to be visible. The organic thin film layer 13 includes a light emitting layer, and a hole injecting layer and a hole transporting layer may be provided between the light emitting layer and the anode, and an electron transporting layer and an electron injecting layer may be provided between the light emitting layer and the cathode. The cathode 14 for supplying electrons should use an electrode material having a low work function in order to smoothly supply electrons.
상기한 바와같은 구조를 갖는 유기 EL소자는 양극(12)에 (+) 전압이 인가되고, 음극(14)에 (-)전압이 인가되면 양극(12)으로부터 유기박막층(13)으로 정공이 주입되고, 음극(14)으로는 전자가 주입된다. 이와같이 유기 박막층(13)으로 주입된 전자와 정공은 재결합하여 빛을 발하여 디스플레이하게 된다.When the positive (+) voltage is applied to the anode 12 and the negative (-) voltage is applied to the cathode 14, holes are injected from the anode 12 to the organic thin film layer 13 in the organic EL device having the above- And electrons are injected into the cathode 14. The electrons and holes injected into the organic thin film layer 13 are recombined to emit light for display.
일반적으로, 유기 EL 소자는 수분과 습기에 취약하여 양극(12), 유기 박막층(13) 및 음극(14)을 형성하는 공정은 진공 시스템내에서 수행되어야 한다.Generally, the organic EL device is susceptible to moisture and moisture, so that the process of forming the anode 12, the organic thin film layer 13, and the cathode 14 must be performed in a vacuum system.
도 2A 및 도 2B는 종래의 유기 EL 소자의 음극(14)의 형성방법을 설명하기 위한 도면이다.2A and 2B are views for explaining a method of forming a cathode 14 of a conventional organic EL device.
음극(14)을 형성하는 방법으로는, 도 2A에 도시된 바와같이 양극(12)이 형성된 기판(11)에 유기 박막층(13)을 위한 유기물질과 음극(14)형성을 위한 음극물질을 증착한 다음 새도우 마스크(19)를 이용하여 이베포레이션(evaporation) 시켜 형성하거나 또는 도 2B에 도시된 바와같이 양극(12)이 형성된 기판상에 리프트 오프공정을 수행하여 절연격벽(20)을 형성한 다음 발광층을 포함하는 유기박막층(13)과 음극(14)을 형성하였다.As a method of forming the cathode 14, an organic material for the organic thin film layer 13 and a cathode material for forming the cathode 14 are deposited on the substrate 11 on which the anode 12 is formed, And then evaporated by using the shadow mask 19 or a lift-off process is performed on the substrate on which the anode 12 is formed as shown in FIG. 2B to form the insulating partition 20 The organic thin film layer 13 including the light emitting layer and the cathode 14 were formed.
상기한 바와같은 방법으로 유기 박막층(13)과 음극(14)을 형성한 다음에, 도 1에 도시된 바와같이 흡습층(15)과 방습층(16)을 형성하고, 이어서 보호막(17)을 형성하였다.After forming the organic thin film layer 13 and the cathode 14 in the same manner as described above, the moisture absorption layer 15 and the moisture-proof layer 16 are formed as shown in FIG. 1, and then the protective film 17 is formed Respectively.
상기한 바와같은 종래의 음극을 형성하는 방법중 새도우 마스크를 이용하는 방법은 마스크의 얼라인 및 기판과 새도우 마스크와의 정확한 콘택이 요구되며, 화소의 크기가 작아지고 패널이 중대형화될수록 마스크의 미스 얼라인 및 기판과 새도우 마스크간의 부정확한 콘택이 발생으로 사용상 한계가 있었다.In the conventional method of forming a negative electrode as described above, a method of using a shadow mask requires precise contact between the alignment of the mask and the substrate and the shadow mask. As the size of the pixel becomes smaller and the size of the panel becomes larger, There has been a limit in use due to an inaccurate contact between the substrate and the shadow mask.
또한, 절연격벽을 이용하는 방법은 격벽이 역삼각형 구조로 형성되어 새도우 마스크로서의 역할을 수행하므로, 유기 박막층 및 음극을 형성하기 위한 별도의 금속 새도우 마스크가 요구되지 않는 장점이 있다. 그러나, 이 방법은 기본적으로 유기 박막층 및 금속의 음극을 직접 패터닝하지 않고 형성하기 때문에 고정세 고품위 화상을 구현하기 위한 유기 EL 소자 또는 TFT 를 사용한 복잡한 구조의 패턴을 형성하는 데에는 적합하지 못한 문제점이 있었다.In addition, since the barrier rib is formed in an inverted triangular structure to serve as a shadow mask, the method using the insulating barrier does not require a separate metal shadow mask for forming the organic thin film layer and the cathode. However, since this method basically forms the organic thin film layer and the cathode of the metal without directly patterning, there is a problem that it is not suitable for forming a complicated structure pattern using an organic EL element or a TFT for realizing a fixed three high quality image .
이를 해결하기 위한 방법으로서, 상기한 유기박막층 및 음극을 형성하기 위해서는 노광공정을 이용한 직접 패터닝 기술이 요구되었다. 그러나, 노광공정을 이용하여 유기 박막층 및 음극을 형성하는 방법은 감광막 현상액 또는 감광막 제거제와 같은 유기용제에 의해 음극 및 유기층이 손상되어 소자에 치명적인 영향을 주는 문제점이 있었다.As a method for solving this problem, a direct patterning technique using an exposure process has been required to form the organic thin film layer and the cathode. However, the method of forming an organic thin film layer and a cathode using an exposure process has a problem that a cathode and an organic layer are damaged by an organic solvent such as a photoresist developing solution or a photoresist removing agent, thereby lethally affecting the device.
따라서, 본 발명은 상기한 바와같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 유기용제에 의한 손상을 방지하고 미세패턴을 형성할 수 있는 포토리소그라피공정을 이용한 유기 EL 소자의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an organic EL device using a photolithography process capable of preventing damage caused by organic solvents and forming a fine pattern, There is a purpose.
도 1은 종래의 유기 EL 소자의 단면 구조도,1 is a cross-sectional structural view of a conventional organic EL device,
도 2A 내지 도 2B는 종래의 유기 EL 소자에 있어서, 음극을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면,2A and 2B are diagrams for explaining a method of forming a cathode in a conventional organic EL device,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 소자의 단면 구조도,3 is a cross-sectional structural view of an organic EL device according to an embodiment of the present invention,
도 4A 내지 도 4F는 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 소자의 제조공정 단면도,4A to 4F are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic EL device according to an embodiment of the present invention,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 소자의 평면도,5 is a plan view of an organic EL device according to an embodiment of the present invention,
도 6은 본 발명의 유기 EL 소자에 있어서, 방습층으로 사용되는 폴리스틸렌의 종류를 도시한 도면,6 is a view showing the kind of polystyrene used as a moisture-proof layer in the organic EL device of the present invention,
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 소자의 제조방법에 있어서, 방습층의 형성과정을 설명하기 위한 도면,7 is a view for explaining a process of forming a moisture-proof layer in a method of manufacturing an organic EL device according to an embodiment of the present invention,
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS (S)
31 : 기판 32 : 양극31: substrate 32: anode
33 : 절연격벽 34 : 유기 박막층33: insulating barrier rib 34: organic thin film layer
35 : 음극 36 : 무기박막 흡습층35: cathode 36: inorganic thin film moisture absorption layer
37 : 유기후막 방습층 38 : 감광막37: organic thick film moisture barrier layer 38: photosensitive film
40 : 보호막40: Shield
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판상에 스트라이프 형태의 양극을 형성하는 공정과; 상기 양극과 교차하도록 스트라이프형태의 절연격벽을 기판상에 형성하는 공정과; 기판전면에 걸쳐 유기 박막층, 음극전극, 흡습층 및 방습층을 순차 형성하는 공정과; 상기 방습층 및 흡습층을 식각하는 공정과; 상기 유기박막층 및 음극전극을 순차 식각하여 상기 절연격벽을 노출시키는 공정과; 상기 노출된 절연격벽을 포함한 기판상에 보호막을 형성하는 공정으로 이루어지는 유기 EL 소자의 제조방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, including: forming a stripe-shaped anode on a substrate; Forming a stripe-shaped insulating partition wall on the substrate so as to intersect the anode; A step of sequentially forming an organic thin film layer, a cathode electrode, a moisture absorption layer and a moisture-proof layer over the entire surface of the substrate; Etching the moisture-proof layer and the moisture-absorbing layer; Exposing the insulating partition wall by sequentially etching the organic thin film layer and the cathode electrode; And forming a protective film on the substrate including the exposed insulating barrier ribs.
상기 흡습층으로서 옥사이드계열의 무기박막, 예를 들면 Y2O3, BaO, Ta2O5중 하나가 사용되고, 상기 방습층으로 저온공정이 가능한 파릴렌계의 후막의 유기폴리머가 사용되는 것을 특징으로 한다.A parylene-based thick film organic polymer capable of being subjected to a low-temperature process using an oxide-based inorganic thin film such as Y 2 O 3 , BaO, or Ta 2 O 5 is used as the moisture-absorbing layer .
상기 절연격벽은 양극전극과 음극전극사이의 쇼트를 방지하는 역할을 하는 것을 특징으로 한다.And the insulating partition wall serves to prevent a short circuit between the anode electrode and the cathode electrode.
상기 흡습층과 방습층은 건식식각공정으로 식각하고, 상기 유기박막층과 음극은 습식식각공정으로 식각하는 것을 특징으로 한다.The moisture absorption layer and the moisture-proof layer are etched by a dry etching process, and the organic thin film layer and the cathode are etched by a wet etching process.
상기 유기박막층과 음극의 식각공정시 그 하부의 절연격벽은 에치 스톱퍼로 작용하고, 상기 유기 EL 소자의 화소영역은 절연격벽사이와 양극전극의 폭에 따라 결정되는 것을 특징으로 한다.In the etching process of the organic thin film layer and the cathode, the insulating barrier ribs at the lower part thereof act as an etch stopper, and the pixel region of the organic EL device is determined according to the width of the insulating barriers and the width of the anode electrode.
상기 방습층, 흡습층, 유기박막층 및 음극전극의 식각공정은 감광막을 이용한 사진식각공정을 통해 수행되고, 상기 사진식각공정을 수행한 후 상기 감광막을 제거한 다음 보호막을 형성하거나 또는 감광막을 남겨둔 상태에서 보호막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 상기 보호층은 SiO2, SiON 중 하나인 것을 특징으로 한다.The etching process of the moisture-proof layer, the moisture-absorbing layer, the organic thin film layer, and the cathode electrode is performed through a photolithography process using a photoresist layer. After the photolithography process, the photoresist layer is removed and then a protective layer is formed. Is formed. Wherein the protective layer is one of SiO 2 and SiON.
이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 소자의 단면 구조를 도시한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 EL 소자는 절연기판(31)상에 복수의 스트라이트형태의 양극전극(32)이 형성되고, 양극전극(32)을 포함한 기판(31)상에는 양극과 음극간의 쇼트를 방지하기 위한 절연격벽(33)이 상기 양극전극(32)과 교차하도록 형성되고, 절연격벽(33)사이의 기판(31)상에는 정공수송층, 발광층 및 전자수송층으로 이루어진 유기 박막층(34)이 형성된다.3 illustrates a cross-sectional structure of an organic EL device according to an embodiment of the present invention. The EL element according to the embodiment of the present invention has a plurality of stripe-shaped anode electrodes 32 formed on an insulating substrate 31 and a short circuit between the anode and the cathode on the substrate 31 including the anode electrode 32 And an organic thin film layer 34 composed of a hole transporting layer, a light emitting layer and an electron transporting layer is formed on the substrate 31 between the insulating partition walls 33 .
또한, 유기 박막층(34)상에는 음극전극(35)이 형성되고, 음극전극(34)상에는 무기박막 흡습층(36) 및 유기후막 방습층(37)이 형성되며, 노출된 절연격벽(33)상부을 포함한 기판상에는 상기 유기박막층(34) 및 음극전극(35)을 보호하기 위한 보호막(40)이 형성된 구조를 갖는다.The inorganic thin film moisture absorbing layer 36 and the organic thick film moisture barrier layer 37 are formed on the organic thin film layer 34 and on the cathode electrode 34. The organic thin film moisture absorbing layer 36 and the organic thick film moisture barrier layer 37 are formed on the organic thin film layer 34, And a protective film 40 for protecting the organic thin film layer 34 and the cathode electrode 35 is formed on the substrate.
상기 흡습층(36)으로는 Y2O3, BaO, Ta2O5등의 옥사이드계열의 무기박막이 사용되고, 방습층(37)으로는 저온공정이 가능한 파릴렌계의 후막의 유기폴리머가 사용된다.As the moisture absorption layer 36, an oxide-based inorganic thin film such as Y 2 O 3 , BaO, or Ta 2 O 5 is used, and as the moisture-proof layer 37, a parylene-based thick organic polymer of a parylene type is used.
상기한 바와같은 구조를 갖는 유기 EL 소자는 음극전극(35)에 (-)의 전압을 양극전극(32)에 (+)의 전압을 인가하면, 절연격벽(33)사이의 화소의 발광영역(LR)을 통해 발광하게 된다.In the organic EL device having the above structure, when a voltage of (-) is applied to the cathode electrode 35 and a voltage of (+) is applied to the anode electrode 32, LR).
상기한 바와같은 구성을 갖는 본 발명의 유기 EL 소자의 제조방법을 도 4를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A manufacturing method of the organic EL device of the present invention having the above-described structure will be described with reference to FIG.
도 4A 에 도시된 바와같이, 유리기판과 같은 투명한 절연기판(31)상에 투명 ITO 막으로된 복수개의 스트라이프형태의 양극전극(32)을 형성하고, 양극전극(32)상에 양극전극에 교차하도록 스트라이프형태의 절연격벽(33)을 형성한다.4A, a plurality of stripe-shaped anode electrodes 32 made of a transparent ITO film are formed on a transparent insulating substrate 31 such as a glass substrate, and on the anode electrode 32, A stripe-shaped insulating partition 33 is formed.
이때, 화소의 발광영역(LR)은 절연격벽(33)의 에지부분사이와 양극전극의 폭에 의해 결정된다. 또한, 절연격벽(33)은 후속되는 음극전극을 위한 패터닝공정후 양극전극과 음극전극이 쇼트되는 것을 방지하는 역할, 화소의 발광영역(LR)을 한정하는(define) 역할, 그리고 후속의 유기박막층과 음극을 패터닝하기 위한 사진식각공정시 그 하부의 양극(32)이 손상을 방지하는 역할을 한다.At this time, the light emitting region LR of the pixel is determined by the width between the edge portions of the insulating partition 33 and the width of the anode electrode. In addition, the insulating partition 33 serves to prevent shorting of the anode electrode and the cathode electrode after the patterning process for the subsequent cathode electrode, to define the light emitting region LR of the pixel, And the anode 32 at the lower part thereof during the photolithography process for patterning the cathode serves to prevent damage.
절연격벽(33)을 형성한 다음 절연격벽(33)을 포함한 기판(31)상에 활성층을 포함하는 유기박막층(34)을 위한 유기막을 증착하고, 도 4B와 같이 유기 박막층(34)상에 음극전극(35)을 위한 물질을 증착한다.An organic layer for the organic thin film layer 34 including the active layer is deposited on the substrate 31 including the insulating partition 33 after the insulating partition 33 is formed. Thereby depositing a material for the electrode 35.
도 4C에 도시된 바와같이, 음극전극(35)상에 흡습층(36)과 방습층(37)을 순차 형성하고, 그위에 감광막(38)을 도포한다. 이어서, 도 4D에 도시된 바와같이 상기 절연격벽상부의 방습층(37)이 노출되도록 감광막(38)을 패터닝하고, 이를 마스크로 하여 노출된 방습층(37) 및 그하부의 흡습층(36)을 순차 식각한다. 이때, 흡습층(36) 및 방습층(37)은 드라이 에칭한다.A moisture-absorbing layer 36 and a moisture-proof layer 37 are sequentially formed on the cathode electrode 35 and the photosensitive film 38 is coated thereon as shown in Fig. 4C. 4D, the photoresist layer 38 is patterned so that the moisture-proof layer 37 on the upper part of the insulating partition is exposed, and the exposed moisture-proof layer 37 and the moisture- Etch. At this time, the moisture absorption layer 36 and the moisture-proof layer 37 are dry-etched.
다음, 도 4E에 도시된 바와같이, 연속적으로 습식식각공정을 통해 음극전극(35) 및 유기박막층(34)을 위한 물질을 패터닝하여 음극(35)사이의 절연격벽이 노출되도록 한다. 이때, 감광막을 패터닝하기 위한 포토레지스트 현상공정 및 식각공정후 감광막 제거공정시 음극전극(35)상에 흡습층(36)과 방습층(37)이 형성된 상태에서 수행하게 되므로 하부의 음극전극(35)와 유기박막층(34)이 유기용제에 의해 손상되는 것이 방지된다.Next, as shown in FIG. 4E, the material for the cathode electrode 35 and the organic thin film layer 34 is patterned through a wet etching process so that the insulating barrier between the cathodes 35 is exposed. At this time, since the moisture-absorbing layer 36 and the moisture-proof layer 37 are formed on the cathode electrode 35 in the photoresist development process for patterning the photosensitive film and the photoresist film removing process after the etching process, And the organic thin film layer 34 are prevented from being damaged by the organic solvent.
상기 유기박막층(34)과 음극(35)을 형성하기 위한 패터닝공정시, 그 하부의 절연격벽(33)은 에치스톱퍼로 작용하여 그 하부의 양극(32)을 보호하는 역할을 한다.In the patterning process for forming the organic thin film layer 34 and the cathode 35, the lower insulating barrier 33 acts as an etch stopper to protect the lower anode 32.
단색의 유기박막층을 갖는 단색발광 유기 EL 소자를 제조하는 경우에는 유기 박막층(34)과 음극전극(35) 및 흡습층(36)과 방습층(37)을 순차적으로 전면 증착한 다음 패터닝하지만, R, G, B 의 유기박막층을 갖는 풀칼라(full color) 유기 EL 소자를 제조하는 경우에는 R, G, B 각각의 유기 박막층을 새도우 마스크를 사용하여 형성한 다음, 음극전극(35)과 흡습층(36) 및 방습층(37)을 전면 증착한 다음 패터닝할 수도 있다.The organic thin film layer 34, the cathode electrode 35, the moisture absorption layer 36, and the moisture-proof layer 37 are sequentially deposited on the entire surface and then patterned. However, in the case of forming a single color organic EL element having a monochromatic organic thin film layer, G, and B organic thin film layers, organic thin film layers of R, G, and B are formed using a shadow mask, and then a cathode electrode 35 and a moisture absorption layer 36 and the moisture-proof layer 37 may be entirely deposited and then patterned.
이어서, 도 4F에 도시된 바와같이 절연격벽(33)을 포함한 기판상에 보호막(40)을 형성하여 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 소자를 제조한다.Next, as shown in FIG. 4F, a protective film 40 is formed on a substrate including the insulating barrier 33 to produce an organic EL device according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 실시예에서는 유기 박막층과 음극전극을 형성하기 위한 패터닝공정후 남아있는 감광막을 제거하지 않은 상태에서 상기 보호막(40)을 형성하는 것이 가능하므로, 노광공정후의 감광막 제거를 위한 유기용제에 상기 유기박막층과 음극전극이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 복잡한 구조를 갖는 화소공정에 유리하게 적용가능하므로, 향후 TFT를 사용한 액티브 매트릭스 유기 EL 소자의 개발에 응용가능하다.In the embodiment of the present invention, since the protective film 40 can be formed without removing the remaining photoresist film after the patterning process for forming the organic thin film layer and the cathode electrode, the organic solvent for removing the photoresist film after the exposure process It is possible to prevent the organic thin film layer and the cathode electrode from being damaged. Therefore, the present invention can be applied to a pixel process having a complicated structure, and can be applied to the development of active matrix organic EL devices using TFTs in the future.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 흡습층을 이용하여 제조된 유기 EL 소자의 평면도를 도시한 것이다. 도 5를 참조하면, 스트라이프 형태의 음극전극(35)과 스트라이프 형태의 양극전극(32)간의 쇼트를 방지하기 위하여 절연격벽(33)이 형성됨을 알 수 있다. 이 절연격벽(33)은 상기 음극전극(35)사이의 기판상에 상기 음극전극(35)과는 나란하게 배열되고 상기 양극전극(32)과는 교차하도록 스트라이프 형태로 형성된다.5 is a plan view of an organic EL device manufactured using a moisture absorption layer according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, it can be seen that the insulating partition 33 is formed to prevent a short between the stripe-shaped cathode electrode 35 and the stripe-shaped anode electrode 32. The insulating partition 33 is formed in a stripe shape on the substrate between the cathode electrodes 35 so as to be aligned with the cathode electrode 35 and to intersect the anode electrode 32.
본 발명의 실시예에서는 흡습층(36)으로 Y2O3, BaO, Ta2O5등의 옥사이드계열의 무기박막이 사용되고, 방습층(37)으로는 저온공정이 가능한 파릴렌계의 후막의 유기폴리머가 사용된다. 도 6은 폴리머형태로 증착되는 파릴렌의 종류를 도시한 것으로서, 파릴렌 N, 파릴렌 C 및 파릴렌 D 등이 있는데, 대표적인 방습층으로는 파릴렌 N이 주로 사용된다.In the embodiment of the present invention, oxide-based inorganic thin films such as Y 2 O 3 , BaO, and Ta 2 O 5 are used as the moisture absorption layer 36 and parylene-based thick organic polymers such as parylene- Is used. FIG. 6 shows the kind of parylene deposited in the form of polymer, and includes parylene N, parylene C and parylene D, and parylene N is mainly used as a typical moisture barrier layer.
방습층(37)으로 사용되는 파릴렌은 도 7에 도시된 바와같은 방법을 형성되는데, 파릴렌은 150℃의 온도에서 1.0torr 의 압력에서 2량체(dimer)를 유지하고, 이어서 680℃ 의 온도 및 0.5torr 압력조건을 만들어주면 모노머(monomer)상태를 유지하고, 25℃의 온도에서 0.1torr 의 압력하에서 폴리머(polymer)상태로 증착되어 흡습층(36)상에 방습층(37)으로 형성된다.The parylene used as the moisture-proof layer 37 is formed as shown in FIG. 7, wherein the parylene maintains a dimer at a temperature of 150 ° C. and a pressure of 1.0 torr, followed by a temperature of 680 ° C. When a pressure of 0.5 torr is applied, a monomer state is maintained, and the polymer is deposited in a polymer state at a temperature of 25 ° C under a pressure of 0.1 torr to form a moisture-proof layer 37 on the moisture-absorbing layer 36.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명에 의하면, 유기박막층 및 음극전극을 형성한 다음 패터닝하고 보호막을 형성하는 것이 아니라 유기 박막층 및 음극전극을 형성한 후 그위에 흡습제 및 방습제를 형성한 다음 패터닝함으로써, 감광막 현상 및 제거를 위한 유기용제에 의한 유기 박막층 및 음극전극의 손상을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 사진식각공정을 통해 패터닝함으로써 미세패턴화가 가능한 이점이 있다.As described in detail above, according to the present invention, the organic thin film layer and the cathode electrode are formed, and then the organic thin film layer and the cathode electrode are formed instead of patterning and forming the protective film. Then, The damage of the organic thin film layer and the cathode electrode by the organic solvent for the development and removal of the photoresist can be prevented and the patterning through the photolithography process is advantageous in fine patterning.
기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.In addition, the present invention can be variously modified without departing from the gist of the present invention.
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