[go: up one dir, main page]

KR20030024862A - Method to descramble the data mapping in memory circuits - Google Patents

Method to descramble the data mapping in memory circuits Download PDF

Info

Publication number
KR20030024862A
KR20030024862A KR10-2003-7002110A KR20037002110A KR20030024862A KR 20030024862 A KR20030024862 A KR 20030024862A KR 20037002110 A KR20037002110 A KR 20037002110A KR 20030024862 A KR20030024862 A KR 20030024862A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
data
memory
circuit
physical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR10-2003-7002110A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
레만귄터
프란코브스키게르트
수루이스
라이트아르민
Original Assignee
인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
인피니언 테크놀로지스 노쓰 아메리카 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US09/675,953 external-priority patent/US6601205B1/en
Application filed by 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션, 인피니언 테크놀로지스 노쓰 아메리카 코포레이션 filed Critical 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Publication of KR20030024862A publication Critical patent/KR20030024862A/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/10Test algorithms, e.g. memory scan [MScan] algorithms; Test patterns, e.g. checkerboard patterns 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/3183Generation of test inputs, e.g. test vectors, patterns or sequences
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/319Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/31917Stimuli generation or application of test patterns to the device under test [DUT]
    • G01R31/31926Routing signals to or from the device under test [DUT], e.g. switch matrix, pin multiplexing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)

Abstract

메모리 회로에서 논리 하드웨어 테스트 패턴을 자동 생성하는 방법은 주어진 물리 패턴에 기초한다. 본 발명의 방법은 논리 데이터 패턴의 주어진 집합으로부터의 역방향 변환을 포함한다. 본 발명의 방법은 자동적으로 수행되기 때문에 메모리 회로 내부의 데이터 스크램블링(scrambling)에 대한 정보가 필요하지 않다.The method for automatically generating a logical hardware test pattern in a memory circuit is based on a given physical pattern. The method of the present invention includes inverse transformation from a given set of logical data patterns. Since the method of the present invention is performed automatically, no information on data scrambling inside the memory circuit is required.

Description

메모리 회로에서 데이터 매핑을 디스크램블링하는 방법{METHOD TO DESCRAMBLE THE DATA MAPPING IN MEMORY CIRCUITS}METHOD TO DESCRAMBLE THE DATA MAPPING IN MEMORY CIRCUITS}

메모리 회로(예를 들어, 정적 랜덤 엑세스 메모리(SRAM), 동적 랜덤 엑세스 메모리(DRAM) 등)에서, 데이터는 일반적으로 메모리 소자의 행렬에 저장된다. 메모리 소자의 데이터 값은 메모리 회로의 인터페이스를 이용하여 배타적으로 수정(쓰기 동작) 또는 엑세스(읽기 동작)될 수 있다. 읽기 명령어 동안에, 주소는 이 인터페이스에 제공된다. 그리고 나서, 이 주소는 메모리 회로에 의해 처리되고, 이 주소에 위치한 데이터는 데이터 출력에 전달된다. 반대로, 쓰기 명령어는 외부에서 제공된 데이터를 그 데이터와 함께 제공된 주소에 저장한다.In memory circuits (eg, static random access memory (SRAM), dynamic random access memory (DRAM, etc.), data is generally stored in a matrix of memory elements. The data values of the memory device may be exclusively modified (write operation) or accessed (read operation) using the interface of the memory circuit. During the read command, an address is provided to this interface. This address is then processed by the memory circuit, and the data located at this address is passed to the data output. In contrast, the write command stores externally provided data at the address provided with the data.

그러므로, 메모리 회로는 두 가지 종류의 메모리 어드레싱(addressing)을 수행한다. 하나의 주소는 저장 소자의 물리적 위치("물리 주소"라고 칭함)를 기술한다. 다른 주소는 특정 저장 소자를 엑세스하기 위해 메모리 회로의 인터페이스에 제공되어야 하는 주소("논리 주소"라고 칭함)이다. 이전 세대의 메모리에서, 물리 및 논리 주소 사이의 관계는 단순했는데, 이것은 논리 주소의 두 부분(전형적으로 행(row)과 열(column)이라고 불림)이 저장 소자의 x 및 y 좌표(즉, 물리 주소)에 대해 투명한 관계를 갖기 때문이다.Therefore, the memory circuit performs two kinds of memory addressing. One address describes the physical location (called "physical address") of the storage element. Another address is an address (called a "logical address") that must be provided to the interface of the memory circuit to access a particular storage element. In previous generations of memory, the relationship between physical and logical addresses was simple, meaning that two parts of the logical address (typically called rows and columns) are the x and y coordinates of the storage element (i.e. physical Because it has a transparent relationship to the address).

그러나, 메모리 회로의 최근 구조는 점차적으로 논리 및 물리 주소 사이의 투명한 매핑 관계의 추출을 방해하고 있다. 단순하지 않은(non-trivial) 매핑은 "데이터 스크램블링(data scrambling)"이라는 용어로 요약된다. 일반적으로 데이터 스크램블링은 몇가지 원인에 의해 발생할 수 있는데, 그 요인에는 다음의 것들이 포함된다:However, recent structures of memory circuits have gradually hampered the extraction of transparent mapping relationships between logical and physical addresses. Non-trivial mapping is summarized under the term "data scrambling". In general, data scrambling can occur for several reasons, including the following:

- 비트 라인 꼬임.-Twisted bit line.

- 워드 라인 어드레싱과 세그멘트화(segmentation).Word line addressing and segmentation.

- 레이아웃(layout) 미러링(mirroring).Layout mirroring.

- 버스트 모드(burst mode)에서 데이터 패키지(package)의 멀티플렉싱(multiplexing)과 디멀티플렉싱(de-multiplexing).Multiplexing and de-multiplexing of the data package in burst mode.

- 랩 타입(wrap type) 의존성(인터리빙(interleaving) 대 시퀀셜(sequential)).Wrap type dependency (interleaving vs. sequential).

이들 데이터 스크램블링의 조합은 주어진 물리 주소에 대한 논리 주소를 추출하는 것을 거의 불가능하게 한다. 그러나, 이것은 하드웨어 테스트를 위한 전제조건이 되는데, 이것은 메모리 행렬의 저장 소자가 메모리 회로의 인터페이스를 통해서만 엑세스되기 때문이다. 특히, 스트라이프(stripe), 체커 보드(checker board), 블랭킷(blanket) 등과 같은 몇몇 특징적인 물리 데이터 패턴이 메모리 행렬에 대해 수행되어 커플링 및 기판 잡음에 의해 발생되는 문제를 식별하게 된다. 게다가, 하드웨어 테스트는 논리 인터페이스의 데이터가 잘못되었을 때 결함의 물리적 위치를 추출할 수 있어야 한다.The combination of these data scrambling makes it nearly impossible to extract the logical address for a given physical address. However, this is a prerequisite for hardware testing because the storage elements of the memory matrix are only accessed through the interface of the memory circuits. In particular, some characteristic physical data patterns, such as stripes, checker boards, blankets, etc., are performed on memory matrices to identify problems caused by coupling and substrate noise. In addition, the hardware test must be able to extract the physical location of the fault when the data on the logical interface is wrong.

현재의 메모리 회로의 크기를 고려하면, 테스트 패턴의 생성 및 분석은 자동적으로 수행되어야 함이 명백하다. 그러나, 기초가 되는 생성 알고리즘의 개발이 데이터 스크램블링에 의해 방해되기 때문에, 현재 사용되는 (절차적 프로그래밍(procedural programming)에 기초한) 패턴 생성 기술은 불충분하다.Given the size of current memory circuits, it is clear that the generation and analysis of test patterns should be performed automatically. However, because the development of underlying generation algorithms is hindered by data scrambling, the pattern generation techniques currently used (based on procedural programming) are insufficient.

본 발명은 일반적으로 메모리 회로에서 어드레싱하는 방법에 관한 것으로, 특히, 물리 및 논리 데이터 패턴 사이의 매핑 문제(즉, 데이터 스크램블링(scrambling))를 극복함으로써 메모리 회로의 테스트를 단순화하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates generally to a method of addressing in a memory circuit, and more particularly, to a method of simplifying the testing of a memory circuit by overcoming the mapping problem between physical and logical data patterns (ie, data scrambling).

앞서 기술된 목적 및 다른 목적, 관점 및 잇점은 이하 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예의 상세한 기술로부터 잘 이해될 수 있다.The above described and other objects, aspects and advantages can be well understood from the detailed description of the preferred embodiment of the present invention with reference to the following drawings.

도 1은 본 발명에 따른 MOS 메모리 배열의 테스트 및 분석을 위해서 물리 배열 데이터 패턴을 생성하고 이것을 논리 데이터 패턴으로 변환하는 데이터 흐름을 도시한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating a data flow for generating a physical array data pattern and converting it to a logical data pattern for testing and analyzing a MOS memory array in accordance with the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 데이터 매핑 기술을 통하여 배열의 레이아웃에 알려진 물리 데이터 패턴을 입력하는 방법을 도시한다.2 illustrates a method of inputting a known physical data pattern into the layout of an array through a data mapping technique in accordance with the present invention.

도 3은 알려진 물리 데이터 패턴으로부터 논리 데이터 패턴을 생성하는 논리를 도시한 흐름도이다.3 is a flow diagram illustrating logic for generating a logical data pattern from a known physical data pattern.

본 발명의 목적은 메모리 회로의 하드웨어 테스트를 수행하는 자동 패턴 생성 및 분석 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide an automatic pattern generation and analysis method for performing a hardware test of a memory circuit.

본 발명에 따르면, 주어진 물리 패턴에 기초하여 논리 하드웨어 테스트 패턴의 자동 생성이 제공된다. 본 발명의 방법은 논리 데이터 패턴의 주어진 집합으로부터의 역방향 변환을 포함한다. 그 방법은 자동적으로 수행되기 때문에, 메모리 회로 내부의 데이터 스크램블링에 대한 정보를 요구하지 않는다.According to the present invention, automatic generation of logical hardware test patterns is provided based on a given physical pattern. The method of the present invention includes inverse transformation from a given set of logical data patterns. Since the method is performed automatically, it does not require information about data scrambling inside the memory circuit.

본 발명의 구현은 다음의 요소를 필요로 한다:Implementations of the invention require the following elements:

- 그래픽 사용자 인터페이스(GUI)를 나타내는 패턴 뷰어(viewer)와 생성기.이 인터페이스는 메모리 소자에 저장된 값의 그래픽 정의를 가능하게 한다. 또한, 라이브러리(library)에 체커 보드와 같은 사전결정된 표준 패턴을 제공한다. 패턴의 정의 외에, 이 모듈은 또한 메모리 회로에 저장된 패턴을 볼 수 있게 한다.A pattern viewer and generator representing a graphical user interface (GUI), which enables the graphical definition of values stored in memory elements. It also provides a library with a predetermined standard pattern, such as a checker board. In addition to the definition of the pattern, the module also allows you to view the patterns stored in the memory circuit.

- 메모리 행렬(또는 배열)의 레이아웃(layout). 이 부분은 메모리 설계로부터 추출된다. 기본적으로, 이것은 각 저장 소자의 기하학적 위치(즉, x 및 y 좌표)를 제공한다.Layout of the memory matrix (or array). This part is extracted from the memory design. Basically, this gives the geometric location (ie x and y coordinates) of each storage element.

- (전형적으로 레이아웃 대 배선약도 도구(layout versus schematic tool)에 의해 생성되는) 평탄화된 배열 네트리스트(netlist)는 각 저장 소자의 계층적 명칭과 그것의 기하학적 위치 사이의 링크(link)를 전달한다.A flattened array netlist (typically created by the layout versus schematic tool) carries a link between the hierarchical name of each storage element and its geometric location. .

- 논리 시뮬레이터에 의해 수행되는 메모리 회로의 계층적 표현(netlist).A hierarchical netlist of memory circuits performed by the logic simulator.

- 논리 시뮬레이터는 네트리스트 상에 읽기 및 쓰기 명령어를 수행하여 메모리 회로의 작동을 모델링하게 한다. 또한, 이것은 시뮬레이션이 시작되기 전에 (저장 소자의 전압과 같은) 회로 노드 상의 초기 조건을 설정하는 기능을 제공한다. 마찬가지로, 시뮬레이션이 종료될 때의 회로 노드의 최종 조건을 판독하는 기능이 지원된다.The logic simulator performs read and write commands on the netlist to model the operation of the memory circuit. It also provides the ability to set initial conditions on a circuit node (such as the voltage of a storage element) before the simulation begins. Similarly, the ability to read the final condition of the circuit node at the end of the simulation is supported.

- 패턴 서버(및/또는 테스터 RAM)는 하드웨어 테스터 및 논리 시뮬레이터 사이의 중간 저장소로서의 역할을 한다. 데이터는 주소와 데이터의 쌍으로 교환되어, 단순히 특정 논리 주소에 저장된 데이터 값을 기술한다.The pattern server (and / or tester RAM) serves as an intermediate store between the hardware tester and the logic simulator. Data is exchanged in address and data pairs, simply describing the data values stored at a particular logical address.

- 하드웨어 테스터는 메모리 장치의 핀에서의 전기 신호를 생성 및 측정한다.The hardware tester generates and measures electrical signals at the pins of the memory device.

- 비트맵 분석기는 물리 데이터 패턴을 비교할 수 있다. 입력 패턴과 추출된 패턴 사이의 불일치(mismatch)가 분석될 수 있다.The bitmap analyzer can compare physical data patterns. Mismatch between the input pattern and the extracted pattern can be analyzed.

도면, 특히 도 1을 참조하면, 본 발명의 패턴 생성 및 패턴 분석의 데이터 흐름이 블록도로 도시되어 있다. 패턴 뷰어 및 생성기(10)는 그래픽 사용자 인터페이스(GUI)를 제공하며, 이것은 사용자(3)가 데이터 패턴의 입력하고 저장된 데이터 패턴을 볼 수 있게 한다. 이 인터페이스는 사용자가 메모리 배열에 저장된 값의 그래픽 정의를 통하여 데이터를 입력하고 볼 수 있게 한다. 또한, 이것은 체커 보드패턴, 스트라이프 패턴, 랜덤(random) 패턴, 블랭킷 패턴 등과 같은 사전결정된 표준 패턴을 갖는 라이브러리를 저장한다. 데이터 패턴은 테스트될 메모리 배별의 것과 같은 행과 열을 갖는 테이블 형태로 될 수 있다.Referring to the drawings, in particular with reference to FIG. 1, a data flow of pattern generation and pattern analysis of the present invention is shown in a block diagram. The pattern viewer and generator 10 provides a graphical user interface (GUI), which allows the user 3 to view the input and stored data patterns of the data patterns. This interface allows the user to enter and view data through a graphical definition of the values stored in the memory array. It also stores a library with predetermined standard patterns such as checker board patterns, stripe patterns, random patterns, blanket patterns, and the like. The data pattern can be in the form of a table with rows and columns such as those of the memory allocation to be tested.

메모리 배열의 레이아웃(11)은 단계(100)에서 소프트웨어 또는 운영자에 의해 이루어지며, 종래의 레이아웃 도구를 사용하여 메모리 배열의 물리 설계를 생성한다. 생성된 메모리 배열 물리 레이아웃은 일반적으로 메모리 배열 제조를 위한 마스크를 생성하는데 사용되는 많은 레벨과 형태를 포함한다.The layout 11 of the memory array is made by software or an operator in step 100, and creates a physical design of the memory array using conventional layout tools. The resulting memory array physical layout generally includes many levels and shapes used to create a mask for fabricating the memory array.

메모리 배열 물리 레이아웃(11)의 각 셀은 패턴 생성기 모듈(10)에 저장된 테이블로부터의 사전결정된 데이터을 이용하여 매핑된다. 매핑 기술은 단계(101)을 통하여 배열의 각 셀에 데이터 "1" 또는 "0"을 자동적으로 기록하는 소프트웨어를 통하여 이루어진다.Each cell of the memory array physical layout 11 is mapped using predetermined data from a table stored in the pattern generator module 10. The mapping technique is via software that automatically writes data "1" or "0" to each cell in the array through step 101.

패턴 생성기(10)로부터 물리 레이아웃(11)으로의 데이터 매핑은 도 2에 상세히 도시된다. 예를 들어, 라이브러리로부터의 체커 보드 패턴이 패턴 생성기에 로딩된다. 소프트웨어 프로그램이 사용되어 패턴 뷰어로부터 물리 레이아웃으로의 일대일 데이터 매핑이 수행된다. 데이터 매핑이 완료되면, 물리 레이아웃 모듈은 모든 셀이 체커 보드 데이터 패턴을 갖도록 할 것이다.Data mapping from the pattern generator 10 to the physical layout 11 is shown in detail in FIG. 2. For example, checker board patterns from a library are loaded into the pattern generator. A software program is used to perform one-to-one data mapping from the pattern viewer to the physical layout. When data mapping is complete, the physical layout module will ensure that all cells have a checker board data pattern.

레이아웃(11)에 저장된 데이터 패턴은 단계(102)에서 입력 데크(deck)(12A)로 전송되어 배열의 각 셀의 초기 조건을 정의한다. 각 초기 조건은 그 값과 셀의 논리 위치를 나타내는 전체 셀 주소 경로를 포함한다. 데이터 흐름 프로세스(102)는 당업자에게 알려진 LVS(Layout Versus Schematic) 도구를 사용하여 이루어진다.The data pattern stored in the layout 11 is sent to the input deck 12A in step 102 to define the initial condition of each cell of the array. Each initial condition includes an entire cell address path indicating its value and the logical location of the cell. The data flow process 102 is accomplished using a Layout Versus Schematic (LVS) tool known to those skilled in the art.

현존하는 LVS 소프트웨어는 회로 레이아웃의 그 배선 약도에 대한 상호참조(cross-reference) 검사를 수행할 수 있다. LVS 검사의 목적은 레이아웃의 그 배선 약도에 대한 일치 정도를 평가하기 위한 것이다. 이 도구는 레이아웃의 배열에 저장되며 셀의 초기조건으로 나열되는 데이터 패턴을 입력 데크에 전송하도록 수정될 수 있다. 예를 들어, 물리 레이아웃의 배열에 저장된 데이터는 각 셀의 모든 계층적 경로를 갖는 평탄화된 형태로 변환될 수 있으며, 그 계층적 경로는 셀이 어떤 경로, 어떤 하위 배열, 어떤 행과 열 주소에 위치하는지를 나타낸다. 소프트웨어에 의해 매핑이 이루어진 후, 알려진 데이터 패턴을 갖는 모든 셀의 모든 초기 조건은 입력 데크(12A)로 전달된다. 좀 더 상세하게는, 모든 물리 데이터 패턴이 이제 데크의 초기 조건으로 기록되어 시뮬레이션을 위해 준비된다. 이들 초기 조건은 단계(103)에서 시뮬레이터(13)에 입력된다.Existing LVS software can perform cross-reference checks on the wiring schematics of the circuit layout. The purpose of the LVS check is to assess the degree of agreement with the wiring schematics of the layout. This tool is stored in an array of layouts and can be modified to send a data pattern to the input deck that lists the cell's initial conditions. For example, data stored in an array of physical layouts can be converted into a flattened form with all the hierarchical paths of each cell, where the hierarchical paths can be found at any path, any subarray, at any row and column address. Indicates if it is located. After mapping is done by software, all initial conditions of all cells with known data patterns are passed to input deck 12A. More specifically, all physical data patterns are now recorded with the deck's initial conditions and ready for simulation. These initial conditions are entered into the simulator 13 in step 103.

시뮬레이션을 수행하기 위해서, 네트리스트(5)가 단계(97)에서 메모리 회로 배선 약도(4)로부터 생성되며, 이 작업은 그 목적을 위한 현존하는 소프트웨어를 이용하여 이루어진다. 예를 들어, 카덴스(Cadence) 도구가 사용되어 배선 약도로부터 네트리스트를 생성할 수 있다. 간단한 회로에 대해 카덴스 도구에 의해 생성된 네트리스트와 입력 데크의 예가 이하에서 기술된다.In order to perform the simulation, a netlist 5 is generated from the memory circuit wiring diagram 4 in step 97, which is done using existing software for that purpose. For example, a Cadence tool can be used to generate a netlist from the wiring schematic. Examples of netlists and input decks generated by the cadence tool for a simple circuit are described below.

입력 데크Input deck

Stimulus:Stimulus:

vvintvint!gnd! DC vintvvintvint! gnd! DC vint

Vclockclockgnd! Pulse 0 vint 0n 1n 1n 5n 10nVclockclockgnd! Pulse 0 vint 0n 1n 1n 5n 10n

VRASRASgnd! Pwl 0 vint 10n vint 11n 0V 20n 0V 21n vintVRASRASgnd! Pwl 0 vint 10n vint 11n 0V 20n 0V 21n vint

VCASCASgnd! Pwl 0 vint 30n vint 31n 0V 40n 0V 41n vintVCASCASgnd! Pwl 0 vint 30n vint 31n 0V 40n 0V 41n vint

VWEWEgnd! Pwl 0 vint 30n vint 31n 0V 40n 0V 41n vintVWEWEgnd! Pwl 0 vint 30n vint 31n 0V 40n 0V 41n vint

.............................

Initial Condition:Initial Condition:

.ic v(xBank<1>.xBlock<1>.xCell<0000>.vCell)=0.ic v (xBank <1> .xBlock <1> .xCell <0000> .vCell) = 0

.ic v(xBank<1>.xBlock<1>.xCell<0001>.vCell)=vint.ic v (xBank <1> .xBlock <1> .xCell <0001> .vCell) = vint

.ic v(xBank<1>.xBlock<1>.xCell<0002>.vCell)=0.ic v (xBank <1> .xBlock <1> .xCell <0002> .vCell) = 0

.ic v(xBank<1>.xBlock<1>.xCell<0003>.vCell)=vint.ic v (xBank <1> .xBlock <1> .xCell <0003> .vCell) = vint

.............................

Run Control ParametersRun Control Parameters

.TRAN 0.1n 1u.TRAN 0.1n 1u

네트리스트Netlist

******************************************************

*GLOBAL Net Declarations* GLOBAL Net Declarations

******************************************************

.global GND!.global GND!

******************************************************

*Main Circuit Netlist:* Main Circuit Netlist:

**

*Block: LP_SRAM - schematicBlock: LP_SRAM-schematic

*Library: hsu_sonic* Library: hsu_sonic

*Last Time Saved: Sep 12 10:53:53 2000* Last Time Saved: Sep 12 10:53:53 2000

********************************************************

mT6VsupplySWnet025 GND! HVTNFET w='1.000u' |='120.000n'mT6VsupplySWnet025 GND! HVTNFET w = '1.000u' | = '120.000n'

res_0net025net027r-'.1'res_0net025net027r-'. 1'

vfanout_0net027 net037 DC=0*Fanoutvfanout_0net027 net037 DC = 0 * Fanout

fanout_0net027 gnd! vfanout_0' 25.000K-1'*Fanoutfanout_0net027 gnd! vfanout_0 '25.000K-1' * Fanout

cap_0VsupplyGND! c='1.000p'cap_0VsupplyGND! c = '1.000p'

mT3highlow net037 net037 PFET w='170.000n' |='140.000n'mT3 highlow net037 net037 PFET w = '170.000n' | = '140.000n'

mT2lowhigh net037 net037 PFET w='170.000n' |='140.000n'mT2lowhigh net037 net037 PFET w = '170.000n' | = '140.000n'

mT1highlow GND! GND!NFET w='230.000n' |='120.000n'mT1highlow GND! GND! NFET w = '230.000n' | = '120.000n'

mT0lowhigh GND! GND!NFET w='230.000n' |='120.000n'mT0lowhigh GND! GND! NFET w = '230.000n' | = '120.000n'

.probe tran v(SW).probe tran v (SW)

.probe tran v(Vsupply).probe tran v (Vsupply)

.probe tran v(net037).probe tran v (net037)

.probe tran v(net025).probe tran v (net025)

.probe tran v(high).probe tran v (high)

.probe tran v(net027).probe tran v (net027)

.probe tran v(low).probe tran v (low)

따라서, 네트리스트는 단계(96)에서 시뮬레이터(13)가 인식할 수 있는 문자 형태로 컴파일되어 시뮬레이터(13)에 제공되는 회로 배선 약도이다.Thus, the netlist is a circuit wiring schematic compiled into a character form that the simulator 13 can recognize in step 96 and provided to the simulator 13.

그러나, 메모리 배열 내에 저장된 데이터를 읽기 위해서, 메모리 배열은 알려진 데이터 패턴으로 미리 로딩되어야 한다. 입력에 저장된 초기 조건은 시뮬레이터(13)가 데이터를 배열로 로딩하게 할 것이다. 이것은 배열에 미리 로딩될 초기조건을 제공함으로써 이루어진다. 배열이 알려진 데이터 패턴으로 미리 로딩되면, 시뮬레이터(13)은 배열 읽기 시뮬레이션을 수행할 수 있다. 현존하는 논리 시뮬레이터(13), 예를 들어, 스타심(Starsim), 파워밀(Powermill), VHDL 또는 베릴로그(Verilog)는 배열 읽기 시뮬레이션에 사용될 수 있다.However, in order to read the data stored in the memory array, the memory array must be preloaded with a known data pattern. The initial condition stored in the input will cause the simulator 13 to load the data into an array. This is done by providing an initial condition to be preloaded into the array. If the array is preloaded with a known data pattern, the simulator 13 may perform an array read simulation. Existing logic simulators 13, for example Starsim, Powermill, VHDL or Verilog, can be used for array read simulation.

요약하면, 도 3에 도시된 바와 같이, 수정된 LVS 도구는 배열 레이아웃(31)으로부터 초기 데이터 값을 추출한다. 그리고 나서, 네트리스트와 초기조건(32)를 병합함으로써, 논리 시뮬레이터(33) 도구는 메모리 배열(34)의 전체 배열 읽기 시뮬레이션을 수행할 수 있다. 배열로부터의 논리 주소를 갖는 각 읽기 셀 데이터는 패턴 서버(14)에 저장된다.In summary, as shown in FIG. 3, the modified LVS tool extracts initial data values from the arrangement layout 31. Then, by merging the netlist and the initial condition 32, the logic simulator 33 tool can perform a full array read simulation of the memory array 34. Each read cell data having a logical address from the array is stored in the pattern server 14.

패턴 서버(14)는 하드웨어 테스터(15)와 시뮬레이터(13) 사이의 중간 저장소로서의 역할을 한다. 패턴 서버(14)에 저장된 데이터는 주소와 데이터 값의 두 개의 필드를 포함하며, 이것은 특정 논리 주소에 저장된 데이터 값을 기술한다. 이것으로 알려진 물리 배열 데이터 패턴을 대응하는 논리 데이터 패턴으로 변환하는 본 발명의 제 1 실시예가 완성된다. 논리 데이터 패턴은 비트맵 형태 또는 테이블 형태가 될 수 있다.The pattern server 14 serves as an intermediate reservoir between the hardware tester 15 and the simulator 13. The data stored in the pattern server 14 includes two fields: address and data value, which describe the data value stored at a particular logical address. A first embodiment of the present invention for converting a known physical array data pattern into a corresponding logical data pattern is completed. The logical data pattern may be in the form of a bitmap or a table.

알려진 물리 데이터 패턴을 이용하여 메모리 배열을 테스트하는 과정The process of testing a memory array using known physical data patterns

단계(106)에서, 패턴 서버(14)에 저장된 정보는 테스터에 입력되며, 테스터는 논리 주소를 포함하는 정보를 이용하여 웨이퍼 하드웨어(16) 상의 DRAM 배열(예를 들어, 웨이퍼 상의 메모리 칩)을 프로그래밍하고 각 셀에 데이터 값을 기록한다. 배열이 프로그래밍되고 일정한 기간의 시간이 지난 후, 단계(206)에서 데이터가 테스터에 의해 읽힌다. 하드웨어 테스터(15)로부터의 결과는 읽기 주소를 생성하며, 그들 주소에 위치한 셀의 전기 신호를 측정한다. 그리고 나서, 그 주소는 단계(205)에서 논리 비트맵 형태로 패턴 서버(14)에 저장된다. 테스터로부터의 이 논리 비트맵은 단계(105)에서 생성된 논리 비트맵과 비교되어 결함을 감지하기 위해 하드웨어(16)로 데이터를 프로그래밍하는데 사용될 수 있다. 그러나, 이것은 물리 위치 결함 비트의 정보를 주지는 않을 것이다. 따라서, 하드웨어로부터 측정된 이 논리 비트맵은 계속적으로 물리 비트맵으로 변환되어, 배열에서의 결함 위치가 결정될 수 있도록 해야 한다.In step 106, the information stored in the pattern server 14 is input to the tester, which uses the information including the logical address to process the DRAM array on the wafer hardware 16 (e.g., memory chips on the wafer). Program and write data values to each cell. After the array has been programmed and a period of time has passed, the data is read by the tester at step 206. The result from the hardware tester 15 generates a read address and measures the electrical signal of the cell located at those addresses. The address is then stored in pattern server 14 in the form of a logical bitmap at step 205. This logical bitmap from the tester can be compared to the logical bitmap generated in step 105 and used to program the data into hardware 16 to detect defects. However, this will not give information of the physical location fault bit. Therefore, this logical bitmap measured from hardware must be continuously converted to a physical bitmap so that the defect location in the array can be determined.

단계(205)에서 논리 비트맵은 하드웨어 테스터(15)로부터 패턴 서버(14)로 출력되며, 단계(204)에서 쓰기 시뮬레이션을 위한 스티뮬러스(stimulus)(17) 형태로 변환되고, 스티뮬러스(17)는 단계(207)에서 시뮬레이터(13)로 출력된다. 동일한 시뮬레이터(13)와 네트리스트(5)가 사용되어 논리 데이터 패턴을 메모리 배열에 기록하며, 단계(203)에서 출력 데크(12B)를 생성할 수 있다. 출력 데크에 저장된 데이터는 앞서 기술한 입력 데크(12A)의 것과 유사한 물리 주소를 갖는다. 출력 데크(12B)에 저장된 데이터는, 단계(202)에서, 동일한 수정된 LVS 도구를 사용하여, 그러나 역방향으로 레이아웃(11)으로 전달된다.In step 205 the logical bitmap is output from the hardware tester 15 to the pattern server 14, in step 204 it is converted into a stimulus 17 form for write simulation, and the stimulus 17 is output to the simulator 13 in step 207. The same simulator 13 and netlist 5 may be used to write the logical data pattern to the memory array and generate an output deck 12B at step 203. The data stored in the output deck has a physical address similar to that of the input deck 12A described above. The data stored in output deck 12B is transferred to layout 11 at step 202 using the same modified LVS tool, but in the reverse direction.

단계(201)에서는, 단계(101)에서 앞서 기술된 것과 비슷한 간단한 소프트웨어 프로그램이 사용되어 패턴 뷰어 및 생성기(10)에서 물리 비트맵 또는 테이블 형태로 매핑한다. 하드웨어로부터의 읽기 데이터는 이제 사용자(3)에게 보여진다.In step 201, a simple software program similar to that described above in step 101 is used to map the pattern viewer and generator 10 into a physical bitmap or table form. Read data from the hardware is now shown to the user 3.

단계(99)에서 비트맵 분석기(9)는 패턴 뷰어 및 생성기(10)와 상호작용하며, 단계(98)에서, 매칭 기능(8)을 이용하여 원래의 입력 패턴과 하드웨어로부터 읽혀진 패턴 사이의 물리 데이터 패턴을 비교할 수 있다. 입력 패턴과 테스트된 패턴 사이의 불일치는 표시되며 분석될 수 있다.In step 99 the bitmap analyzer 9 interacts with the pattern viewer and generator 10, and in step 98, the physics between the original input pattern and the pattern read from the hardware using the matching function 8. You can compare data patterns. Inconsistencies between the input pattern and the tested pattern can be displayed and analyzed.

이 구조에 기초하여, 어떤 데이터 스크램블링이 사용되는지와 상관없이 제조된 메모리 회로의 특성이 용이하게 검사될 수 있다. 먼저, 본 발명의 방법의 사용자는 패턴 뷰어 및 생성기(10)의 GUI를 이용하여 메모리 칩에 적용되어야 하는 물리 데이터 패턴을 선택한다. 그리고 나서, 데이터의 물리 맵은 평탄화된 네트리스트(5)와 회로 레이아웃 모듈(11)을 사용하여 네트리스트 내부의 대응되는 저장 소자에 대한 논리 시뮬레이터(13)로의 초기조건으로 변환된다. 초기조건을 할당한 후, 시뮬레이션이 수행되어 메모리 모델에 대해 모든 가능한 주소를 적용하여 메모리를 판독한다. 그 결과, 초기 물리 데이터 패턴에 대응하는 논리 데이터 패턴을 나타내는 (주소, 데이터) 쌍의 집합이 얻어진다. 이 룩업(look-up) 테이블의 내용은 하드웨어 테스터(15)를 이용하여 실제 메모리 하드웨어에 기록된다. 메모리 하드웨어에 대한 기록이 완료되고 일정한 대기 시간이 지난 후, 테스터는 모든 가능한 주소를 적용하여 메모리를 판독한다. 이들 결과는 패턴 서버(14) 내의 (주소, 데이터) 쌍으로 저장된다. 대기 시간은 일반적으로 메모리 셀의 유지 시간(retention time) 보다 작다. 이 대기 시간 동안, 일부 셀은 특정 유형의 결함으로 인해 오동작을 일으킬 수 있다. 대기 시간이 설계된 셀 유지 시간 보다 크다면, 셀의 대부분은 결함을 갖게 될 것이다. 대기 시간은 0 ms에서 100 ms까지 변할 수 있다. 이 테스트는 일반적으로 셀 유지 시간을 결정하는데 사용된다.Based on this structure, the characteristics of the manufactured memory circuit can be easily checked regardless of which data scrambling is used. First, the user of the method of the present invention selects the physical data pattern to be applied to the memory chip using the GUI of the pattern viewer and generator 10. Then, the physical map of the data is converted into an initial condition to the logic simulator 13 for the corresponding storage element in the netlist using the flattened netlist 5 and the circuit layout module 11. After assigning the initial conditions, a simulation is performed to read the memory applying all possible addresses for the memory model. As a result, a set of (address, data) pairs representing a logical data pattern corresponding to the initial physical data pattern is obtained. The contents of this look-up table are written to the actual memory hardware using the hardware tester 15. After writing to the memory hardware is complete and a certain wait time has elapsed, the tester reads the memory by applying all possible addresses. These results are stored as (address, data) pairs in the pattern server 14. The latency is generally less than the retention time of the memory cell. During this wait time, some cells may malfunction due to certain types of defects. If the wait time is greater than the designed cell hold time, most of the cells will be defective. The latency can vary from 0 ms to 100 ms. This test is commonly used to determine cell retention time.

이 시점에서는 쓰기 및 읽기 동작의 (주소, 데이터) 쌍을 비교함으로써 결함의 논리 주소를 식별하는 것이 가능하다. 그러나, 결함의 물리 위치를 결정하기 위해서, 데이터 스크램블링이 다시 역으로 이루어져야 한다. 따라서, 실제 하드웨어로부터의 읽기 동작 동안에 추출된 (주소, 데이터) 쌍이 시뮬레이션 모델을 이용하여 배열에 기록된다.At this point it is possible to identify the logical address of the fault by comparing (address, data) pairs of write and read operations. However, to determine the physical location of the defect, data scrambling must be reversed again. Thus, the extracted (address, data) pairs during the read operation from the actual hardware are written to the array using the simulation model.

시뮬레이션의 마지막 단계에서, 모든 저장 소자의 내용은 계층적 단면 네트리스트(5)로부터 직접 추출된다. 이들 값은 평탄화된 네트리스트와 메모리 레이아웃 모듈(11)을 이용하여 그것의 물리 위치로 매핑된다. 마지막으로, 결과적인 물리 데이터 패턴이 패턴 뷰어 및 생성기(10)에 의해 표시된다. 또한, 비트맵 분석기(9)가 사용되어 초기 물리 패턴와 추출된 패턴을 비교하여 비트 결함이 있는 영역을표시할 수 있다.At the end of the simulation, the contents of all storage elements are extracted directly from the hierarchical cross-section netlist 5. These values are mapped to their physical locations using the flattened netlist and memory layout module 11. Finally, the resulting physical data pattern is displayed by the pattern viewer and generator 10. In addition, a bitmap analyzer 9 can be used to compare the initial physical pattern and the extracted pattern to display areas with bit defects.

본 발명의 방법은 메모리 회로가 복잡한 데이터 스크램블링을 사용할 때 유용하다. 특히, 하드웨어 결함이 레이아웃에 위치되어야 하는 회로 테스트에 도움이 된다. 본 발명의 방법은 모든 수동 분석의 필요성을 없애기 때문에, 하드웨어 테스트 패턴의 개발의 속도를 상당히 증가시킬 것이다. 이것은 사용자에 대한 유일한 인터페이스가 그래픽 패턴 생성기 및 뷰어인 테스트 환경에서 블랙박스(black box) 도구로서 사용될 수 있다. 이 인터페이스 내부에서, 테스트 기술자는 사용되는 데이터 스크램블링에 상관없이 테스트 패턴을 시각적으로 설정하고 분석할 수 있다. 설계자의 관점에서 보면, 이 방법은 물리 데이터 패턴을 논리 데이터 패턴에 관련시키는데 도움이 되기 때문에 데이터 스크램블링의 평가를 지원한다.The method of the present invention is useful when the memory circuit uses complex data scrambling. In particular, it helps in circuit testing where hardware defects must be placed in the layout. Since the method of the present invention eliminates the need for any manual analysis, it will significantly speed up the development of hardware test patterns. This can be used as a black box tool in a test environment where the only interface to the user is a graphical pattern generator and viewer. Inside this interface, test technicians can visually set up and analyze test patterns regardless of the data scrambling used. From the designer's point of view, this method assists in associating physical data patterns with logical data patterns, thus supporting the evaluation of data scrambling.

본 발명은 하나의 바람직한 실시예에 의해 기술되었지만, 본 발명이 속하는 기술 분야의 기술자는 본 발명이 첨부된 청구범위의 취지와 범위 내에서 변경될 수 있음을 알 수 있을 것이다.While the invention has been described by one preferred embodiment, those skilled in the art will recognize that the invention may be modified within the spirit and scope of the appended claims.

Claims (12)

메모리 배열 회로에서 논리 하드웨어 테스트 패턴을 생성하는 방법에 있어서,A method of generating a logical hardware test pattern in a memory array circuit, 메모리 회로의 메모리 소자에 저장된 값의 시각적 정의를 가능하게 하며 상기 메모리 회로에 저장된 패턴을 표시하는 그래픽 사용자 인터페이스(GUI)를 생성하는 단계,Generating a graphical user interface (GUI) that enables a visual definition of values stored in a memory element of a memory circuit and displays a pattern stored in the memory circuit, 상기 메모리 회로의 각 저장 소자의 기하학적 위치를 제공하는 단계,Providing a geometric location of each storage element of said memory circuit, 각 저장 소자의 계층적 명칭과 그것의 기하학적 위치 사이의 링크를 제공하는 단계,Providing a link between the hierarchical name of each storage element and its geometric location, 논리 시뮬레이터에 의해 수행될 수 있는 네트리스트의 형태를 갖는 상기 메모리 배열 회로의 계층적 표현을 제공하는 단계,Providing a hierarchical representation of said memory arrangement circuitry in the form of a netlist that can be performed by a logic simulator, 상기 네트리스트 상의 읽기 및 쓰기 명령어를 수행함으로써 상기 메모리 회로의 동작을 논리 시뮬레이터에서 모델링하는 단계,Modeling the operation of the memory circuit in a logic simulator by performing read and write commands on the netlist, 하드웨어 테스터와 상기 논리 시뮬레이터 사이의 중간 저장소를 제공하는 단계 - 여기서, 데이터는 특정 논리 주소에 저장된 상기 데이터 값을 기술하는 주소와 데이터의 쌍으로 교환됨 -,Providing intermediate storage between a hardware tester and the logic simulator, where data is exchanged with a pair of address and data describing the data value stored at a particular logical address; 상기 하드웨어 테스터에 의해 상기 메모리 회로의 핀에서 전기 신호를 생성 및 측정하는 단계를 포함하는Generating and measuring an electrical signal at a pin of the memory circuit by the hardware tester. 방법.Way. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 그래픽 사용자 인터페이스를 생성하는 단계는 데이터 패턴의 수동 입력을 허용하는Generating the graphical user interface may include manual input of data patterns. 방법.Way. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 그래픽 사용자 인터페이스를 생성하는 단계는 사전결정된 데이터 패턴의 선택을 허용하는Generating the graphical user interface may include selecting a predetermined data pattern. 방법.Way. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 사전결정된 데이터 패턴은 체커 보드(checker board) 패턴, 스트라이프(stripe) 패턴, 랜덤(random) 패턴 및 블랭킷(blanket) 패턴으로 구성된 그룹으로부터 선택되는The predetermined data pattern is selected from the group consisting of a checker board pattern, a stripe pattern, a random pattern and a blanket pattern. 방법.Way. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 메모리 회로의 각 저장 소자의 기하학적 위치를 제공하는 단계는 상기 배열의 각 셀에 데이터 "1" 또는 "0"를 자동적으로 기록하는 매핑 기술에 의해 수행되는Providing the geometric location of each storage element of the memory circuit is performed by a mapping technique that automatically writes data "1" or "0" in each cell of the array. 방법.Way. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 각 저장 소자의 계층적 명칭과 그것의 기하학적 위치 사이의 링크를 제공하는 단계는 LVS(layout versus schematic) 도구를 사용하여 수행되는Providing a link between the hierarchical name of each storage element and its geometric location is performed using a layout versus schematic (LVS) tool. 방법.Way. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 네트리스트의 형태로 상기 메모리 배열 회로의 계층적 표현을 제공하는 단계는 상기 시뮬레이터가 식별할 수 있는 테스트 형태로 회로 배선 약도를 컴파일링함으로써 수행되는Providing a hierarchical representation of the memory array circuitry in the form of a netlist is performed by compiling circuit wiring schematics into a test form that the simulator can identify. 방법.Way. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 측정된 전기 신호로부터 생성된 논리 비트맵을 출력하는 단계,Outputting a logical bitmap generated from the measured electrical signal, 상기 논리 비트맵을 상기 논리 시뮬레이터를 위한 스티뮬러스(stimulus)로 변환하고 상기 논리 비트맵에 대응하는 물리 주소를 생성하는 단계,Converting the logical bitmap into a stimulus for the logic simulator and generating a physical address corresponding to the logical bitmap; 상기 그래픽 사용자 인터페이스에 표시하기 위한 물리 비트맵을 매핑하고, 사용자가 입력 물리 패턴과 상기 테스트된 물리 패턴 사이의 불일치를 보면서 분석할 수 있도록 하는 단계를 더 포함하는Mapping a physical bitmap for display in the graphical user interface, and allowing a user to view and analyze inconsistencies between an input physical pattern and the tested physical pattern. 방법.Way. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 입력 논리 패턴과 상기 테스트된 논리 패턴 사이의 차이를 자동적으로 분석하는 단계를 더 포함하는Automatically analyzing a difference between the input logic pattern and the tested logic pattern; 방법.Way. 메모리 배열 회로를 테스트하는데 사용되는 자동 패턴 생성과 분석을 위한 시스템에 있어서,In a system for automatic pattern generation and analysis used to test memory array circuits, 메모리 배열 회로의 메모리 소자에 저장된 값의 시각적 정의를 가능하게 하고 메모리 배열 회로에 저장된 패턴을 표시하는 그래픽 사용자 인터페이스(GUI)를 나타내는 패턴 뷰어 및 생성기,A pattern viewer and generator that displays a graphical user interface (GUI) that enables visual definition of values stored in memory elements of the memory array circuitry and displays patterns stored in the memory array circuitry, 각 저장 소자의 기하학적 위치를 제공하는 메모리 배열 회로의 설계로부터 추출된 상기 메모리 배열의 레이아웃,A layout of the memory array extracted from the design of the memory array circuit providing the geometric location of each storage element, LVS(layout versus schematic) 도구에 의해 생성되며, 각 저장 소자의 계층적 명칭과 그것의 기하학적 위치를 제공하는 평탄화된 배열 네트리스트,Flattened array netlist, created by layout versus schematic (LVS) tools, providing a hierarchical name for each storage element and its geometric location, 논리 시뮬레이터에 의해 수행가능한 네트리스트의 형태를 갖는 메모리 배열 회로의 계층적 표현,Hierarchical representation of a memory array circuit in the form of a netlist executable by a logic simulator, 상기 네트리스트 상에 읽기 및 쓰기 명령어를 실행하고 회로 노드 상의 초기조건을 설정하며 시뮬레이션의 마지막에 회로 노드의 최종 조건을 판독하여 상기 메모리 배열 회로의 동작을 모델링하는 논리 시뮬레이터,A logic simulator executing read and write instructions on the netlist, setting initial conditions on a circuit node, and reading the final condition of the circuit node at the end of the simulation to model the operation of the memory array circuit, 하드웨어 테스터와 상기 논리 시뮬레이터의 사이의 중간 저장소 역할을 하는 패턴 서버 - 여기서, 데이터는 특정 논리 주소에 저장된 데이터 값을 기술하는 주소와 데이터의 쌍으로 교환됨 -,A pattern server acting as an intermediate repository between the hardware tester and the logic simulator, where data is exchanged with address and data pairs describing data values stored at a particular logical address, 상기 배열에서 알려진 데이터가 프로그래밍된 후 사전결정된 시간 후에 메모리 배열 회로의 핀에서 전기적 신호를 생성 및 측정하는 하드웨어 테스터,A hardware tester for generating and measuring an electrical signal at a pin of a memory array circuit after a predetermined time after the known data in the array is programmed, 물리 데이터 패턴을 비교하여 입력 패턴과 추출된 패턴 사이의 불일치를 분석하는 비트맵 분석기를 포함하는A bitmap analyzer that compares physical data patterns to analyze discrepancies between input patterns and extracted patterns 시스템.system. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 사전결정된 시간은 설계된 셀 유지 시간 보다 작은The predetermined time is less than the designed cell hold time 시스템.system. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 셀 유지 시간을 결정하기 위해 상기 사전결정된 시간은 0 ms에서 100 ms까지 변화하는The predetermined time varies from 0 ms to 100 ms to determine the cell hold time. 시스템.system.
KR10-2003-7002110A 2000-08-15 2001-07-23 Method to descramble the data mapping in memory circuits Ceased KR20030024862A (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US22542500P 2000-08-15 2000-08-15
US60/225,425 2000-08-15
US09/675,953 US6601205B1 (en) 2000-09-29 2000-09-29 Method to descramble the data mapping in memory circuits
US09/675,953 2000-09-29
PCT/US2001/023168 WO2002014886A2 (en) 2000-08-15 2001-07-23 Method to descramble the data mapping in memory circuits

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030024862A true KR20030024862A (en) 2003-03-26

Family

ID=26919582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-7002110A Ceased KR20030024862A (en) 2000-08-15 2001-07-23 Method to descramble the data mapping in memory circuits

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP1309877A2 (en)
KR (1) KR20030024862A (en)
TW (1) TW556202B (en)
WO (1) WO2002014886A2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100836739B1 (en) * 2006-12-02 2008-06-10 한국전자통신연구원 Apparatus and method for mapping logical-physical connection of robot device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0935496A (en) * 1995-07-12 1997-02-07 Advantest Corp Memory tester
US5720031A (en) * 1995-12-04 1998-02-17 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for testing memory devices and displaying results of such tests
US6389525B1 (en) * 1999-01-08 2002-05-14 Teradyne, Inc. Pattern generator for a packet-based memory tester

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100836739B1 (en) * 2006-12-02 2008-06-10 한국전자통신연구원 Apparatus and method for mapping logical-physical connection of robot device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2002014886A3 (en) 2002-07-11
TW556202B (en) 2003-10-01
WO2002014886A2 (en) 2002-02-21
EP1309877A2 (en) 2003-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Huang et al. A programmable BIST core for embedded DRAM
DE102004023407B4 (en) Test device and method for testing an embedded memory core and associated semiconductor chip
KR100599348B1 (en) Distributed interface for parallel testing of multiple devices using a single tester channel
Murray et al. Testing ICs: Getting to the core of the problem
KR20010104362A (en) Parallel testing of integrated circuit devices using cross-dut and within-dut comparisons
EP0568132A2 (en) Test generation by environment emulation
US7870519B2 (en) Method for determining features associated with fails of integrated circuits
US6601205B1 (en) Method to descramble the data mapping in memory circuits
Dekker et al. Realistic built-in self-test for static RAMs
US20240087668A1 (en) Systems and methods to detect cell-internal defects
US8010934B2 (en) Method and system for testing bit failures in array elements of an electronic circuit
US6012157A (en) System for verifying the effectiveness of a RAM BIST controller&#39;s ability to detect faults in a RAM memory using states indicating by fault severity information
Kruthika et al. SRAM memory built in self-test using march algorithm
CN106546910A (en) FPGA test platforms based on bit stream retaking of a year or grade
KR20030024862A (en) Method to descramble the data mapping in memory circuits
US5758063A (en) Testing mapped signal sources
US5522038A (en) Testing mapped signal sources
US5483544A (en) Vector-specific testability circuitry
EP1480227A1 (en) Testing integrated circuits with fault dictionary
JP2837703B2 (en) Fault diagnosis device
KR100630716B1 (en) Semiconductor memory device that can write various pattern data and its electrical test method
JP2943521B2 (en) Test vector generation method and test vector generation device
Nagaraj et al. Defect analysis and a new fault model for multi-port SRAMs
Al-Ars et al. Test generation and optimization for DRAM cell defects using electrical simulation
Jee Defect-oriented analysis of memory BIST tests

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20030213

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20030221

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20050530

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20050920

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20050530

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I