KR20050018976A - 연마제 - Google Patents
연마제Info
- Publication number
- KR20050018976A KR20050018976A KR10-2005-7000457A KR20057000457A KR20050018976A KR 20050018976 A KR20050018976 A KR 20050018976A KR 20057000457 A KR20057000457 A KR 20057000457A KR 20050018976 A KR20050018976 A KR 20050018976A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cerium oxide
- abrasive
- polishing
- oxide particles
- abrasive according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 250
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 152
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 152
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 111
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 17
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 5
- 238000003991 Rietveld refinement Methods 0.000 claims description 4
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 31
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 20
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 14
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- KHSBAWXKALEJFR-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);tricarbonate;hydrate Chemical compound O.[Ce+3].[Ce+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O KHSBAWXKALEJFR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 6
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 5
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 5
- -1 polyoxyethylene lauryl ether ammonium sulfate Polymers 0.000 description 5
- WPKYZIPODULRBM-UHFFFAOYSA-N azane;prop-2-enoic acid Chemical class N.OC(=O)C=C WPKYZIPODULRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000011802 pulverized particle Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001785 cerium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFVNOJDQRGSOEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCO RFVNOJDQRGSOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000403354 Microplus Species 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N ammonium lauryl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHLITDDQOMIBFS-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);tricarbonate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O GHLITDDQOMIBFS-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000009837 dry grinding Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical group Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
본 발명에서는 SiO2 절연막 등의 피연마면을 흠 없이 고속으로 연마하기 위하여 2개 이상의 결정자로 구성되어 결정 입계를 갖거나, 부피 밀도가 6.5 g/㎤ 이하인 산화세륨 입자와 기공을 갖는 지립 중 적어도 하나를 매체에 분산시킨 슬러리를 포함하는 연마제, 상기 연마제를 사용하는 기판의 연마 방법 및 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
Description
본 발명은 연마제, 기판의 연마법 및 반도체 장치의 제조법에 관한 것이다.
종래부터 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 플라즈마-CVD(화학 증착), 저압-CVD 등의 방법으로 형성되는 SiO2 절연막 등의 무기 절연막층을 평탄화하기 위한 화학 기계 연마제로서 콜로이드성 실리카계의 연마제가 일반적으로 검토되고 있다. 콜로이드성 실리카계의 연마제는, 사염화규산을 열분해하는 등의 방법으로 실리카 입자를 입자 성장시키고, 암모니아 등의 알칼리 금속을 포함하지 않는 알칼리 용액으로 pH 조정을 행하여 제조하고 있다. 그러나, 이러한 연마제는 무기 절연막의 연마 속도가 충분한 속도를 갖지 않아 실용화에는 저연마 속도라는 기술 과제가 있었다.
한편, 포토마스크용 유리 표면 연마로서 산화세륨 연마제가 사용되고 있다. 산화세륨 입자는 실리카 입자나 알루미나 입자와 비교하여 경도가 낮아 연마 표면에 흠이 생기지 않기 때문에 마무리 경면 연마에 유용하다. 또한, 산화세륨은 강산화제로서 알려져 있는 바와 같이, 화학적 활성인 성질을 갖고 있다. 이 잇점을 살려 절연막용 화학 기계 연마제로의 적용이 유용하다. 그러나, 포토마스크용 유리 표면 연마용 산화세륨 연마제를 그대로 무기 절연막 연마에 적용하면, 1차 입자경이 커서 절연막 표면에 육안으로 관찰할 수 있는 연마 흠이 생기게 된다.
본 발명은 SiO2 절연막 등의 피연마면을 흠 없이 고속으로 연마할 수 있는 연마제, 기판의 연마법 및 반도체 장치의 제조법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의해 2개 이상의 결정자로 구성되어 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자를 매체에 분산시킨 슬러리를 포함하는 연마제가 제공된다.
결정 입계를 갖는 산화세륨 입자경의 중앙값은 60 내지 1500 nm가 바람직하고, 100 내지 1200 nm가 보다 바람직하며, 300 내지 1000 nm가 가장 바람직하다. 결정자 직경의 중앙값은 5 내지 250 nm가 바람직하고, 5 내지 150 nm가 보다 바람직하다. 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자경의 중앙값은 300 내지 1000 nm이고, 결정자 직경의 중앙값이 10 내지 50 nm인 입자가 바람직하게 사용된다. 또한, 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자경의 중앙값이 300 내지 1000 nm이고, 결정자 직경의 중앙값이 50 내지 200 nm인 입자가 바람직하게 사용된다. 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자의 최대 직경은 3000 nm 이하가 바람직하고, 결정자의 최대 직경은 600 nm 이하가 바람직하다. 결정자 직경이 10 내지 600 nm인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 의해 기공을 갖는 지립을 매체에 분산시킨 슬러리를 포함하는 연마제가 제공된다. 지립으로서는 산화세륨 입자가 바람직하게 사용된다.
기공은 피크노미터를 사용하여 측정한 진밀도와 X선 리트벨트 해석으로 구한 이론 밀도의 비로부터 구한 기공율이 10 내지 30 %인 것이 바람직하다. 또한, B.J.H.(Barret, Joyner, Halende)법에 의해 측정한 세공 용적이 0.02 내지 0.05 ㎤/g인 기공이 바람직하다.
또한, 본 발명에 의해 부피 밀도가 6.5 g/㎤ 이하인 산화세륨 입자를 매체에 분산시킨 슬러리를 포함하는 연마제가 제공된다. 부피 밀도가 5.0 g/㎤ 이상 5.9 g/㎤ 이하인 것이 바람직하다.
매체로서는 물이 바람직하게 사용된다. 슬러리에는 분산제를 포함할 수 있으며, 분산제로서는 수용성 유기 고분자, 수용성 음이온계 계면활성제, 수용성 비이온계 계면활성제 및 수용성 아민에서 선택되는 1종 이상이 바람직하고, 폴리아크릴산 암모늄염을 바람직하게 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 의해 2개 이상의 결정자로 구성되어 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자를 포함하고, 입경 1 ㎛ 이상의 산화세륨 입자가 산화세륨 입자 전체량의 0.1 중량% 이상을 차지하며, 상기 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자는 연마시에 붕괴되면서 소정의 기판을 연마하는 것을 특징으로 하는 연마제가 제공된다.
또한, 본 발명에 의해 2개 이상의 결정자로 구성되어 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자를 포함하고, 상기 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자는 연마시에 매체와 접촉하지 않은 새로운 면을 생성하면서, 소정의 기판을 연마하는 것을 특징으로 하는 연마제가 제공된다.
또한, 본 발명에 의해 2개 이상의 결정자로 구성되어 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자를 포함하는 연마제로서,
(1) 소정의 기판을 연마한 후, 원심 침강법에 의해 측정한 연마 전의 입경 0.5 ㎛ 이상의 산화세륨 입자 함유량에 대한 동일하게 원심 침강법에 의해 측정한 연마 후의 입경 0.5 ㎛ 이상의 산화세륨 입자 함유량의 비율이 0.8 이하가 되는 것을 특징으로 하는 연마제,
(2) 소정의 기판을 연마한 후, 레이저 회절법에 의해 측정한 연마 전의 D 99 %의 산화세륨 입자경에 대한 동일하게 레이저 회절법에 의해 측정한 연마 후의 D 99 체적%의 산화세륨 입자경의 비율이 0.4 이상 0.9 이하가 되는 것을 특징으로 하는 연마제, 및
(3) 소정의 기판을 연마한 후, 레이저 회절법에 의해 측정한 연마 전의 D 90 %의 산화세륨 입자경에 대한 동일하게 레이저 회절법에 의해 측정한 연마 후의 D 90 체적%의 산화세륨 입자경의 비율이 0.7 이상 0.95 이하가 되는 것을 특징으로 하는 연마제가 제공된다.
본 발명의 기판 연마법은 상술한 연마제를 사용하여 소정의 기판을 연마하는 것으로, 이 소정의 기판 강도가 산화세륨 입자의 입계 파괴 강도보다 큰 것이 바람직하다. 소정의 기판은 실리카막이 형성된 반도체 칩일 수 있다.
본 발명의 반도체 장치의 제조법은 실리카막이 형성된 반도체 칩을 상기한 연마제로 연마하는 공정을 포함한다.
일반적으로 산화세륨은 탄산염, 황산염, 옥살산염 등의 세륨 화합물을 소성함으로써 얻을 수 있다. TEOS(테트라에톡시실란)-CVD법 등으로 형성되는 SiO2 절연막은 입자경이 크고, 또한 결정 비틀림이 적을 수록, 즉 결정성이 좋을 수록 고속 연마가 가능한데, 연마 흠이 생기기 쉬운 경향이 있다. 따라서, 본 발명에서 사용하는 산화세륨 입자는 너무 결정성을 증가시키지 않고 제조된다. 또한, 반도체 칩 연마에 사용하기 때문에, 알칼리 금속 및 할로겐류의 함유율은 1 ppm 이하로 억제하는 것이 바람직하다.
본 발명의 연마제는 고순도의 것으로, Na, K, Si, Mg, Ca, Zr, Ti, Ni, Cr, Fe는 각각 1 ppm 이하, Al은 10 ppm 이하이다.
본 발명에 있어서, 산화세륨 입자를 제조하는 방법으로서 소성법을 사용할 수 있다. 단, 연마 흠이 생기지 않는 입자를 제조하기 위하여, 가능한 한 결정성을 증가시키지 않는 저온 소성이 바람직하다. 세륨 화합물의 산화 온도가 300 ℃이므로 소성 온도는 400 ℃ 이상 900 ℃ 이하가 바람직하다. 탄산세륨을 400 ℃ 이상 900 ℃ 이하에서 5 내지 300분, 산소 가스 등의 산화 분위기에서 소성하는 것이 바람직하다.
소성된 산화세륨은 제트 밀, 볼 밀 등의 건식 분쇄, 비드 밀, 볼 밀 등의 습식 분쇄로 분쇄할 수 있다. 소성 산화세륨을 분쇄한 산화세륨 입자에는, 결정자 크기가 작은 단결정 입자와 결정자 크기로 분쇄되지 않은 분쇄 입자가 포함되며, 이 분쇄 입자는 단결정 입자가 재응집한 응집체와는 달리 2개 이상의 결정자로 구성되어 결정 입계를 갖고 있다. 이 결정 입계를 갖는 분쇄 입자를 포함하는 연마제로 연마를 행하면, 연마시의 응력에 의해 파괴되어 활성면을 발생시키는 것으로 추정되며, Si02 절연막 등의 피연마면을 흠 없이 고속으로 연마하는데 기여하는 것으로 생각된다.
본 발명에 있어서 산화세륨 슬러리는, 상기한 방법에 의해 제조된 산화세륨입자를 함유하는 수용액 또는 이 수용액으로부터 회수한 산화세륨 입자, 물 및 필요에 따라 분산제를 포함하는 조성물을 분산시킴으로써 얻을 수 있다. 필요에 따라 산화세륨 입자는 필터 등으로 분급할 수 있다. 여기에서, 산화세륨 입자의 농도에 제한은 없지만, 현탁액(연마제)의 취급이 용이하다는 점에서 0.5 내지 10 중량%의 범위가 바람직하다.
분산제로서는 금속 이온류를 포함하지 않는 것으로서 아크릴산계 중합체, 폴리비닐알코올 등의 수용성 유기 고분자류, 라우릴 황산암모늄 및 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르 황산암모늄 등의 수용성 음이온성 계면활성제, 폴리옥시에틸렌라우릴 에테르 및 폴리에틸렌 글리콜 모노스테아레이트 등의 수용성 비이온성 계면활성제, 및 모노에탄올아민 및 디에탄올아민 등의 수용성 아민류 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴산계 중합체에는 예를 들면 아크릴산 중합체 및 그의 암모늄염, 메타크릴산 중합체 및 그의 암모늄염, 및 아크릴산 암모늄염과 아크릴산 알킬(메틸, 에틸 또는 프로필)과의 공중합체 등을 들 수 있다.
이들 중, 폴리아크릴산 암모늄염, 또는 아크릴산 암모늄염과 아크릴산 메틸과의 공중합체가 바람직하다. 후자를 사용하는 경우, 아크릴산 암모늄염과 아크릴산 메틸의 몰 비는 아크릴산 암모늄염/아크릴산 메틸이 10/90 내지 90/10인 것이 바람직하다.
또한, 아크릴산계 중합체의 중량 평균 분자량은 1000 내지 20000인 것이 바람직하다. 중량 평균 분자량이 20000를 넘으면, 재응집에 의한 입도 분포의 시간 경과에 따른 변화가 생기기 쉽다. 중량 평균 분자량이 1000 미만에서는 분산성 및 침강 방지의 효과가 충분하지 않은 경우가 있다.
이들 분산제의 첨가량은 슬러리 중의 입자의 분산성 및 침강 방지성 등으로부터, 산화세륨 입자 100 중량부에 대하여 O.01 중량부 내지 5 중량부의 범위가 바람직하며, 그 분산 효과를 높이기 위해서는 분산 처리시에 분산기 중에 입자와 동시에 넣는 것이 바람직하다. 산화세륨 입자 100 중량부에 대하여 O.01 중량부 미만에서는 침강하기 쉽고, 5 중량부를 넘으면 재응집에 의한 입도 분포의 시간 경과에 따른 변화가 발생하기 쉽다.
이들 산화세륨 입자를 수중에 분산시키는 방법으로서는, 통상의 교반기에 의한 분산 처리 외에 호모게나이저, 초음파 분산기, 볼 밀 등을 사용할 수 있다. 마이크로미터 이하 차수의 산화세륨 입자를 분산시키기 위해서는, 볼 밀, 진동 볼 밀, 유성 볼 밀, 매체 교반식 밀 등의 습식 분산기를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 슬러리의 알칼리성을 높이고 싶은 경우에는, 분산 처리시 또는 처리 후에 암모니아수 등의 금속 이온을 포함하지 않는 알칼리성 물질을 첨가할 수 있다.
본 발명의 산화세륨 연마제는 상기 슬러리를 그대로 사용할 수도 있지만, N,N-디에틸에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, 아미노에틸에탄올아민, 음이온성 계면활성제, 폴리비닐알코올, 또는 상술한 분산제와 같은 첨가제를 사용 형태에 따라 적절하게 첨가하여 연마제로 할 수 있다.
본 발명의 슬러리에 분산되는 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자경의 중앙값은 60 내지 1500 nm가 바람직하고, 결정자 직경의 중앙값은 5 내지 250 nm가 바람직하다.
결정 입계를 갖는 산화세륨 입자경의 중앙값이 60 nm 미만이거나 또는 결정자 직경의 중앙값이 5 nm 미만이면, SiO2 절연막 등의 피연마면을 고속으로 연마하는 것이 어려워지는 경향이 있고, 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자경의 중앙값이 1500 nm을 넘거나 또는 결정자의 중앙값이 250 nm를 넘으면, SiO2 절연막 등의 피연마면에 흠이 발생하기 쉽다. 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자경의 최대값이 3000 nm를 넘으면, SiO2 절연막 등의 피연마면에 흠이 발생하기 쉽다. 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자는 전체 산화세륨 입자의 5 내지 100 체적%인 것이 바람직하고, 5 체적% 미만인 경우에는 Si02 절연막 등의 피연마면에 흠이 발생하기 쉽다.
상기한 산화세륨 입자에서는 결정자의 최대 직경은 600 nm 이하가 바람직하고, 결정자 직경은 10 내지 600 nm인 것이 바람직하다. 결정자가 600 nm를 넘으면 흠이 발생하기 쉽고, 10 nm 미만이면 연마 속도가 작아지는 경향이 있다.
본 발명에서 결정자 직경 및 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자경은 주사형 전자 현미경(예를 들면, (주)히따찌 세이사꾸쇼 제조 S-900형)에 의한 관찰로 측정한다. 또한, 입자의 입자경은 그 입자의 긴 직경과 짧은 직경으로부터 구한다. 즉, 그 입자의 긴 직경과 짧은 직경을 측정하여 긴 직경과 짧은 직경의 곱의 평방근을 입자경으로 한다. 또한, 이렇게 해서 정해진 입자경으로부터 구해지는 구의 체적을 그 입자의 체적으로 한다.
또한, 중앙값은 체적 입자경 분포의 중앙값으로서, 입자경이 미세한 것으로부터 그 입자의 체적 비율을 적산하여 50 %가 되었을 때의 입자경을 의미한다. 즉, 어느 한 구간 △의 입자경 범위에 체적 비율 Vi % 양의 입자가 존재할 때, 구간 △의 평균 입자경을 di라 하면 입자경 di의 입자가 Vi 체적% 존재한다고 한다. 입자경 di가 작은 쪽으로부터 입자의 존재 비율 Vi(체적 %)를 적산하여 Vi=50 %가 되었을 때의 di를 중앙값으로 한다.
본 발명의 슬러리에 분산되는 기공을 갖는 산화세륨 입자의 기공율은 10 내지 30 %인 것이 바람직하다. 이 기공율의 산출 방법은, 피크노미터를 사용하여 측정(정제수, 20 ℃)한 진밀도와 X선 리트벨트 해석으로 구한 이론 밀도비로부터 산출하였다. 기공을 갖는 산화세륨 입자의 세공 용적이 0.02 내지 0.O5 ㎤/g인 것이 바람직하다.
기공율이 1O % 미만이거나 또는 세공 용적이 O.O2 ㎤/g 미만이면, SiO2 절연막 등의 피연마면을 고속으로 연마할 수 있지만, 연마 흠이 발생하기 쉽다. 또한, 기공율이 30 %를 넘거나 또는 세공 용적이 O.O5 ㎤/g를 넘으면, SiO2 절연막 등의 피연마면에 연마 흠은 생기지 않지만, 연마 속도가 늦어지는 경향이 있다.
또한, 본 발명에서는 부피 밀도가 6.5 g/㎤ 이하인 산화세륨 입자가 분산되어 있는 슬러리가 제공된다. 산화세륨의 부피 밀도가 6.5 g/㎤를 넘으면, SiO2 절연막의 피연마면에 흠이 발생한다. 산화세륨의 부피 밀도는 5.0 내지 5.9 g/㎤가 바람직하고, 이 하한치 미만이면 연마 속도가 작아지고, 상한치를 넘으면 흠이 발생하기 쉽다. 또한, 본 명세서에서 사용한 부피 밀도는 피크노미터로 측정한 분체의 밀도이다. 측정에 있어서 피크노미터에 주입하는 액체로는 정제수를 사용하고, 20 ℃에서 측정하였다.
본 발명의 슬러리에 분산된 산화세륨 입자를 구성하는 1차 입자의 가로세로비(aspect ratio)는 1 내지 2이고, 중앙값은 1.3이 바람직하다. 가로세로비는 주사형 전자 현미경(예를 들면, (주)히따찌 세이사꾸쇼 제조 S-900형)에 의한 관찰로 측정한다.
본 발명의 슬러리의 pH는 7 이상 10 이하가 바람직하고, 8 이상 9 이하가 보다 바람직하다.
또한, 슬러리는 pH를 조정한 후, 폴리에틸렌 등의 용기에 넣어 5 내지 55 ℃에서 7일 이상, 보다 바람직하게는 30일 이상 방치하고 나서 사용하면 흠의 발생이 적어진다. 본 발명의 슬러리는 분산성이 우수하고, 침강 속도가 느리며, 직경 1O cm, 높이 1 m의 원주 용기 내 어느 높이에서도 2시간 방치 농도 변화율이 10 % 미만이었다.
또한, 본 발명에서는 2개 이상의 결정자로 구성되어 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자를 포함하는 것으로, 입경 1 ㎛ 이상의 산화세륨 입자가 산화세륨 입자 전체량의 0.1 중량% 이상을 차지하며, 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자는 소정의 기판을 연마할 때, 붕괴되면서 연마하는 연마제가 제공된다. 입경 1 ㎛ 이상의 산화세륨 입자의 함유량은 0.1 내지 50 중량%인 것이 바람직하고, 0.1 내지 30 중량% 인 것이 보다 바람직하다.
입경 1 ㎛ 이상의 산화세륨 입자의 함유량의 측정은, 액 중 파티클 카운터를 사용하여 입자에 의해 차단된 투과광 강도를 측정함으로써 행하고, 측정 장치로서는 예를 들면, model 770 AccuSizer(상품명, Particle Sizing System, Inc.제조)를 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 소정의 기판을 연마할 때, 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자가 매체와 접촉하지 않은 새로운 면을 생성하면서 연마하는 연마제가 제공된다.
또한, 본 발명에서는 기판을 연마한 후, 원심 침강법에 의해 측정한 연마 전의 0.5 ㎛ 이상의 산화세륨 입자 함유량에 대한 연마 후의 0.5 ㎛ 이상의 산화세륨 입자 함유량의 비율이 0.001 이상이 되는 연마제가 제공된다. 또한, 원심 침강법은 원심력에 의해 침강시킨 입자를 투과광의 강도에 의해 산화세륨 입자 함유량을 측정하는 것이다. 측정 장치로는, 예를 들면 시마쯔 세이사꾸쇼 SA-CP4L(상품명)을 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 기판을 연마한 후, 레이저 회절법에 의해 측정한 연마 후의 D 99 체적%의 산화세륨 입자경의, 연마전의 D 99 %의 산화세륨 입자경에 대한 비율이 0.4 이상 0.9 이하가 되는 연마제가 제공된다.
또한, 본 발명의 연마제에서는 소정의 기판을 연마한 후, 레이저 회절법에 의해 측정한 연마 후의 D 90 체적%의 산화세륨 입자경과 연마 전의 D 90 %의 산화세륨 입자경의 비가 0.7 이상 0.95 이하가 된다.
또한, "소정의 기판을 연마한 후"란, 연마 대상이 되는 기판을 유지하기 위한 기판 부착용 흡착 패드를 접착한 홀더에 소정의 기판을 셋트하고, 다공질 우레탄 수지로 제조된 연마 패드를 부착한 정반 위에 피연마면을 밑으로 하여 홀더를 얹고, 다시 가공 하중이 3OO g/㎠가 되도록 누름돌을 얹어 정반 위에 상기한 연마제를 50 ㎖/분의 속도로 적가하면서 정반을 30 rpm으로 1시간 회전시킴으로써 피연마면을 연마한 후를 의미한다. 이 때, 연마 후의 연마제는 순환시켜 재사용하고, 연마제의 총량은 750 ㎖로 한다.
레이저 회절법에 의한 측정은, 예를 들면 마루반 인스투루먼트사 제조 마스터 사이저 마이크로플러스(Master Sizer microplus, 굴절율: 1.9285, 광원: He-Ne 레이저, 흡수 0)에 의해 행할 수 있다.
또한, D 99 %, D 90 %는 체적 입자경 분포에 있어서 입자경이 미세한 것에서 그 입자의 체적 비율을 적산하여 각각 99 %, 90 %가 되었을 때의 입자경을 의미한다.
본 발명의 산화세륨 연마제가 사용되는 무기 절연막으로서는, SiH4 또는 테트라에톡시실란을 Si원으로 하고, 산소 또는 오존을 산소원으로 한 CVD법에 의해 형성된 SiO2막을 들 수 있다.
소정의 기판으로서 회로 소자와 알루미늄 배선이 형성된 단계의 반도체 기판, 회로 소자가 형성된 단계의 반도체 기판 등의 반도체 기판상에 SiO2 절연막층이 형성된 기판 등을 사용할 수 있다. 또한, 반도체 분리(샤로·트렌치 분리)의 목적으로 형성된 SiO2 절연막을 함유하는 기판도 사용할 수 있다. 이러한 반도체 기판상에 형성된 SiO2 절연막층을 상기 연마제로 연마함으로써, SiO2 절연막층 표면의 요철을 해소하고, 반도체 기판 전면에 걸쳐 평활한 면으로 할 수 있다. 여기에서, 연마 장치로서는 반도체 기판을 유지하는 홀더와 연마포(패드)를 부착한(회전수가 변경 가능한 모터 등을 부착한) 정반을 갖는 일반적인 연마 장치를 사용할 수 있다. 연마포로서는 일반적인 부직포, 발포 폴리우레탄, 다공질 불소 수지 등을 사용할 수 있으며, 특히 제한되지 않는다. 또한, 연마포에는 슬러리가 고이도록 홈 가공을 행하는 것이 바람직하다. 연마 조건에 제한은 없지만, 정반의 회전 속도는 반도체가 튀어나오지 않도록 1OO rpm 이하의 저회전이 바람직하고, 반도체 기판에 가하는 압력은 연마 후에 흠이 발생하지 않도록 1 kg/㎠ 이하가 바람직하다. 연마하는 동안, 연마포에는 슬러리를 펌프 등으로 연속적으로 공급한다. 공급량에 제한은 없지만, 연마포의 표면이 항상 슬러리로 피복되어 있는 것이 바람직하다.
연마 종료 후의 반도체 기판은 유수 중에서 잘 세정한 후, 스핀 드라이어 등을 사용하여 반도체 기판상에 부착된 물방울을 제거하고 나서 건조시키는 것이 바람직하다. 이와 같이 하여 평탄화된 SiO2 절연막층상에 제2층째의 알루미늄 배선을 형성하고, 그 배선 사이 및 배선상에 다시 상기 방법에 의해 SiO2 절연막을 형성한 후, 상기 산화세륨 연마제를 사용하여 연마함으로써 절연막 표면의 요철을 없애고, 반도체 기판 전면에 걸쳐 평활한 면으로 한다. 이 공정을 소정의 횟수로 반복함으로써 원하는 층수의 반도체를 제조한다.
본 발명의 산화세륨 연마제는 반도체 기판에 형성된 SiO2 절연막 뿐만 아니라, 소정의 배선을 갖는 배선판에 형성된 SiO2 절연막, 유리, 질화규소 등의 무기 절연막, 포토마스크·렌즈·프리즘 등의 광학 유리, ITO(산화주석인듐) 등의 무기 도전막, 유리 및 결정질 재료로 구성되는 광 집적 회로· 광 스위칭 소자·광 도파로, 광 파이버의 단면, 신틸레이터 등의 광학용 단결정, 고체 레이저 단결정, 청색 레이저용 LED 사파이어 기판, SiC, GaP, GaAS 등의 반도체 단결정, 자기 디스크용 유리 기판, 자기 헤드 등을 연마하기 위하여 사용된다.
이와 같이 본 발명에서 소정의 기판이란, SiO2 절연막이 형성된 반도체 기판, SiO2 절연막이 형성된 배선판, 유리, 질화규소 등의 무기 절연막, 포토마스크·렌즈·프리즘 등의 광학 유리, ITO 등의 무기 도전막, 유리 및 결정질 재료로 구성되는 광 집적 회로· 광 스위칭 소자·광도파로(光導婆路), 광 파이버의 단면, 신틸레이터 등의 광학용 단결정, 고체 레이저 단결정, 청색 레이저용 LED 사파이어 기판, SiC, GaP, GaAS 등의 반도체 단결정, 자기 디스크용 유리 기판, 자기 헤드 등을 포함한다.
<실시예 1>
(1) 산화세륨 입자의 제조
a. 산화세륨 입자 A의 제조
탄산세륨 수화물 2 kg을 백금제 용기에 넣어 800 ℃에서 2시간, 공기 중에서 소성함으로써 황백색의 분말을 약 1 kg 얻었다. 이 분말의 상 동정을 X선 회절법으로 행하여 산화세륨인 것을 확인하였다.
얻어진 소성 분말의 입자경은 30 ㎛ 내지 100 ㎛였다. 소성 분말 입자의 표면을 주사형 전자 현미경으로 관찰했더니, 산화세륨의 입계가 관찰되었다. 입계에 둘러싸인 산화세륨 결정자 직경을 측정했더니, 그 분포의 중앙값이 190 nm, 최대값이 500 nm였다.
이어서, 얻어진 소성 분말 1 kg을 제트 밀을 사용하여 건식 분쇄하였다. 분쇄 후의 입자를 주사형 전자 현미경으로 관찰했더니, 결정자 직경과 동일한 크기의 작은 단결정 입자 외에, 1 ㎛ 내지 3 ㎛의 큰 다결정 입자와 0.5 ㎛ 내지 1 ㎛의 다결정 입자가 혼재되어 있었다. 다결정 입자는 단결정 입자의 응집체는 아니었다. 분쇄에 의해 얻어진 산화세륨 입자를 이하 산화세륨 입자 A라고 한다.
b. 산화세륨 입자 B의 제조
탄산세륨 수화물 2 kg을 백금제 용기에 넣어 750 ℃에서 2시간, 공기 중에서 소성함으로써 황백색의 분말을 약 1 kg 얻었다. 이 분말의 상 동정을 X선 회절법으로 행하여 산화세륨인 것을 확인하였다. 소성 분말의 입자경은 30 ㎛ 내지 100 ㎛였다.
얻어진 소성 분말의 입자 표면을 주사형 전자 현미경으로 관찰했더니, 산화세륨의 입계가 관찰되었다. 입계에 둘러싸인 산화세륨 결정자 직경을 측정했더니, 그 분포의 중앙값이 141 nm, 최대값이 40O nm였다.
이어서, 얻어진 소성 분말 1 kg을 제트 밀을 사용하여 건식 분쇄하였다. 분쇄 후의 입자를 주사형 전자 현미경으로 관찰했더니, 결정자 직경과 동일한 크기의 작은 단결정 입자 외에, 1 ㎛ 내지 3 ㎛의 큰 다결정 입자와 0.5 ㎛ 내지 1 ㎛의 다결정 입자가 혼재되어 있었다. 다결정 입자는 단결정 입자의 응집체는 아니었다. 분쇄에 의해 얻어진 산화세륨 입자를, 이하 산화세륨 입자 B라고 한다.
(2) 연마제의 제조
a. 연마제 A, B의 제조
상기 (1)에서 얻어진 산화세륨 입자 A 또는 B 1 kg과, 폴리아크릴산 암모늄염 수용액(40 중량%) 23 g과, 탈이온수 8977 g을 혼합하여 교반하면서 초음파를 10분간 조사하여 산화세륨 입자를 분산시키고, 슬러리를 얻었다.
얻어진 슬러리를 1 ㎛의 필터로 여과하고, 탈이온수를 더 첨가함으로써 고형분 3 중량%의 연마제를 얻었다. 산화세륨 입자 A 또는 B에서 얻어진 연마제를 이하, 각각 연마제 A 또는 B라고 한다. 상기 연마제 A, B의 pH는 각각 8.3, 8.3이었다.
연마제 중의 입자를 주사형 전자 현미경으로 관찰하기 위하여, 각 연마제를 각각 적당한 농도로 희석한 후 건조시키고, 그 중에 포함되어 있는 다결정 입자경을 측정했더니, 산화세륨 입자 A를 사용한 연마제 A에서는 중앙값이 825 nm, 최대값이 1230 nm였다. 또한, 산화세륨 입자 B를 사용한 연마제 B에서는 중앙값이 768 nm, 최대값이 1200 nm였다.
연마제 A를 건조하고, 얻어진 입자의 밀도(부피 밀도)를 피크노미터를 사용하여 측정했더니 5.78 g/㎖였다. 또한, X선 리트벨트 해석에 의한 이론 밀도는 7.201 g/㎖였다. 이들 값으로부터 기공율을 산출했더니 19.8 %였다. 슬러리를 건조하여 얻어진 입자에 대하여 B.J.H.법에 의해 그 세공 용적을 측정했더니 0.033 ㎖/g이었다.
이어서, 연마제의 분산성 및 분산 입자의 전하를 조사하기 위하여, 연마제 A,B의 제타 전위를 조사하였다. 즉, 대향하는 측면의 양측에 백금제 전극을 부착해 둔 측정 셀에 산화세륨 슬러리를 넣고, 양 전극에 10 V의 전압을 인가하였다. 전압을 인가함으로써 전하를 갖는 분산 입자는 그 전하와 반대극을 갖는 전극측으로 이동하였다. 이 이동 속도를 구함으로써 입자의 제타 전위를 구하였다. 제타 전위의 측정 결과, 연마제 A, B 모두 분산 입자가 각각 마이너스로 하전되어 -50 mV, -63 mV로 절대치가 크고 분산성이 양호한 것으로 확인되었다.
b. 연마제 A', B'의 제조
산화세륨 입자 A 또는 B 1 kg과, 폴리아크릴산 암모늄염 수용액(40 중량%) 23 g과, 탈이온수 8977 g을 혼합하여 교반하면서 초음파를 10분간 조사하여 산화세륨 입자를 분산시키고, 슬러리를 얻었다.
얻어진 슬러리를 0.8 ㎛의 필터로 여과하고, 더욱 탈이온수를 첨가함으로써 고형분 3 중량%의 연마제를 얻었다. 산화세륨 입자 A 또는 B에서 얻어진 연마제를 이하, 각각 연마제 A' 또는 B'라고 한다. 상기 연마제 A', B'의 pH는 각각 8.3, 8.3이었다.
연마제 중의 입자를 주사형 전자 현미경으로 관찰하기 위하여 연마제 A', B'를 각각 적당한 농도로 희석하여 건조시킨 후, 포함되는 다결정 입자의 입경을 측정했더니, 산화세륨 입자 A를 사용하여 제조된 연마제 A'에서는 중앙값이 450 nm, 최대값이 980 nm였다. 또한, 산화세륨 입자 B를 사용하여 제조된 연마제 B'에서는 중앙값이 462 nm, 최대값이 1OOO nm였다.
이어서, 연마제 중의 입자의 분산성, 및 분산 입자의 전하를 조사하기 위하여, 상술한 연마제 A, B의 경우와 동일하게 연마제 A', B'의 제타 전위를 조사했더니, 모든 연마제의 분산 입자가 마이너스로 하전되어 각각 -53 mV, -63 mV로 절대치가 크고, 분산성이 양호한 것으로 확인되었다.
(3) 절연막의 연마
홀더에 접착된 기판 부착용 흡착 패드에 TEOS-플라즈마 CVD법으로 SiO2 절연막을 형성한 Si 웨이퍼를 흡착시켜 고정하였다. 이 홀더에 Si 웨이퍼를 유지한 채 절연막면을 밑으로 하여 다공질 우레탄 수지로 제조된 연마 패드를 부착한 정반 위에 탑재하고, 또한 가공 하중이 300 g/㎠가 되도록 누름돌을 얹었다.
이어서, 정반 위에 본 실시예에서 제조한 연마제 A, B, A' 또는 B'(고형분: 3 중량%)를 50 ㎖/분의 속도로 적가하면서 정반을 30 rpm으로 2분간 회전시켜 Si 웨이퍼 표면의 절연막을 연마하였다. 연마후 웨이퍼를 홀더에서 제거하고, 유수로 잘 세정한 후, 초음파 세정기에 의해 20분간 더 세정하였다. 세정한 후, 스핀 드라이어로 웨이퍼의 물방울을 제거하고, 120 ℃의 건조기에서 10분간 건조시켰다.
건조 후의 웨이퍼에 대해서, 광 간섭식 막후 측정 장치를 사용하여 연마 전후의 SiO2 절연막의 막후 변화를 측정한 결과, 연마제 A를 사용한 경우는 600 nm(연마 속도: 300 nm/분), 연마제 B를 사용한 경우는 580 nm(연마 속도: 290 nm/분), 연마제 A'를 사용한 경우는 590 nm(연마 속도: 295 nm/분), 연마제 B'를 사용한 경우는 560 nm(연마 속도: 280 nm/분)의 절연막이 각각 깎여, 어떠한 연마제를 사용하더라도 웨이퍼 전면에 걸쳐 균일한 두께로 되어 있다는 것을 알았다. 또한, 광학 현미경을 사용하여 절연막 표면을 관찰했더니, 모두 명확한 흠은 보이지 않았다.
또한, 연마제 A를 사용하여 상술한 경우와 동일하게 Si 웨이퍼 표면의 SiO2 절연막을 연마하고, 연마 후의 연마제 A의 입경을 원심 침강식 입도 분포계에 의해 측정했더니, 0.5 μm 이상의 입자 함유량(체적%)의 연마 전 값에 대한 비율은 0.385였다. 단, 연마시의 정반을 회전시키는 시간은 1시간으로 하고, 순차 교환하면서 15장의 Si 웨이퍼를 연마하였다. 또한, 연마 후의 연마제는 순환시켜 재사용하고, 연마제의 총량은 750 ㎖로 하였다. 연마 후의 연마제 A의 입경을 레이저 산란식 입도 분포계에 의해 측정했더니, D 99 % 및 D 90 %에서의 입경은 연마 전 값에 대하여 각각 0.491, 0.804였다. 이들 값으로부터, 연마제 A는 붕괴되면서 연마하는 성질 및 매체와 접촉하지 않는 새로운 면을 생성하면서 연마하는 성질을 구비하고 있는 것으로 여겨진다.
<실시예 2>
(1) 산화세륨 입자의 제조
a. 산화세륨 입자 C의 제조
탄산세륨 수화물 2 kg을 백금제 용기에 넣어 700 ℃에서 2시간, 공기 중에서 소성함으로써 황백색의 분말을 약 1 kg 얻었다. 이 분말의 상 동정을 X선 회절법으로 행하여 산화세륨인 것을 확인하였다. 얻어진 소성 분말의 입자경은 30 내지 1OO ㎛였다. 소성 분말 입자의 표면을 주사형 전자 현미경으로 관찰했더니, 산화세륨의 입계가 관찰되었다. 입계에 둘러싸인 산화세륨 결정자 직경을 측정했더니, 그 분포의 중앙값이 50 nm, 최대값이 100 nm였다.
이어서, 얻어진 소성 분말 1 kg을 제트 밀을 사용하여 건식 분쇄하였다. 분쇄한 입자에 대하여 주사형 전자 현미경으로 관찰했더니, 결정자 직경과 동일한 크기의 작은 단결정 입자 외에, 2 ㎛ 내지 4 ㎛의 큰 다결정 입자와 0.5 ㎛ 내지 1.2 ㎛의 다결정 입자가 혼재되어 있었다. 다결정 입자는 단결정 입자의 응집체는 아니었다. 분쇄에 의해 얻어진 산화세륨 입자를, 이하 산화세륨 입자 C라고 한다.
b. 산화세륨 입자 D의 제조
탄산세륨 수화물 3 kg을 백금제 용기에 넣어 700 ℃에서 2시간, 공기 중에서 소성함으로써 황백색의 분말을 약 1.5 kg 얻었다. 이 분말의 상 동정을 X선 회절법으로 행하여 산화세륨인 것을 확인하였다. 소성 분말의 입자경은 30 ㎛ 내지 100㎛였다.
얻어진 소성 분말의 입자 표면을 주사형 전자 현미경으로 관찰했더니, 산화세륨의 입계가 관찰되었다. 입계에 둘러싸인 산화세륨 결정자 직경을 측정했더니, 그 분포의 중앙값이 30 nm, 최대값이 80 nm였다.
이어서, 얻어진 소성 분말 1 kg을 제트 밀을 사용하여 건식 분쇄하였다. 분쇄 후의 입자에 대하여 주사형 전자 현미경으로 관찰했더니, 결정자 직경과 동일한 크기의 작은 단결정 입자 외에, 1 ㎛ 내지 3 ㎛의 큰 다결정 입자와 0.5 ㎛ 내지 1 ㎛의 다결정 입자가 혼재되어 있었다. 다결정 입자는 단결정 입자의 응집체는 아니었다. 분쇄에 의해 얻어진 산화세륨 입자를, 이하 산화세륨 입자 D라고 한다.
c. 산화세륨 입자 E의 제조
탄산세륨 수화물 2 kg을 백금제 용기에 넣어 650 ℃에서 2시간, 공기 중에서 소성함으로써 황백색의 분말을 약 1 kg 얻었다. 이 분말의 상 동정을 X선 회절법으로 행하여 산화세륨인 것을 확인하였다.
얻어진 소성 분말의 입자경은 30 ㎛ 내지 100 ㎛였다. 소성 분말 입자의 표면을 주사형 전자 현미경으로 관찰했더니 산화세륨의 입계가 관찰되었다. 입계에 둘러싸인 산화세륨 결정자 직경을 측정했더니, 그 분포의 중앙값이 15 nm, 최대값이 60 nm였다.
이어서, 얻어진 소성 분말 1 kg을 제트 밀을 사용하여 건식 분쇄하였다. 분쇄 후의 입자에 대하여 주사형 전자 현미경으로 관찰했더니, 결정자 직경과 동일한 크기의 작은 단결정 입자 외에, 1 ㎛ 내지 3 ㎛의 큰 다결정 입자와 0.5 ㎛ 내지 1 ㎛의 다결정 입자가 혼재되어 있었다. 다결정 입자는 단결정 입자의 응집체는 아니었다. 분쇄에 의해 얻어진 산화세륨 입자를, 이하 산화세륨 입자 E라고 한다.
d. 산화세륨 입자 F의 제조
탄산세륨 수화물 2 kg을 백금제 용기에 넣어 600 ℃에서 2시간, 공기 중에서 소성함으로써 황백색의 분말을 약 1 kg 얻었다. 이 분말의 상 동정을 X선 회절법으로 행하여 산화세륨인 것을 확인하였다. 소성 분말의 입자경은 30 ㎛ 내지 100 ㎛였다.
얻어진 소성 분말의 입자 표면을 주사형 전자 현미경으로 관찰했더니, 산화세륨의 입계가 관찰되었다. 입계에 둘러싸인 산화세륨 결정자 직경을 측정했더니, 그 분포의 중앙값이 10 nm, 최대값이 45 nm였다.
이어서, 얻어진 소성 분말 1 kg을 제트 밀을 사용하여 건식 분쇄하였다. 분쇄 후의 입자에 대하여 주사형 전자 현미경으로 관찰했더니, 결정자 직경과 동일한 크기의 작은 단결정 입자 외에, 1 ㎛ 내지 3 ㎛의 큰 다결정 입자와 0.5 ㎛ 내지 1 ㎛의 다결정 입자가 혼재되어 있었다. 다결정 입자는 단결정 입자의 응집체는 아니었다. 분쇄에 의해 얻어진 산화세륨 입자를, 이하 산화세륨 입자 F라고 한다.
(2) 연마제의 제조
a. 연마제 C, D, E, F의 제조
상기 (1)에서 얻어진 산화세륨 입자 C, D, E 또는 F 1 kg과, 폴리아크릴산 암모늄염 수용액(40 중량%) 23 g과, 탈이온수 8977 g을 혼합하여 교반하면서 초음파를 10분간 조사하여 산화세륨 입자를 분산시키고, 슬러리를 얻었다.
얻어진 슬러리를 2 ㎛의 필터로 여과하고, 더욱 탈이온수를 첨가함으로써 고형분 3 중량%의 연마제를 얻었다. 산화세륨 입자 C, D, E 또는 F에서 얻어진 연마제를, 이하 각각 연마제 C, D, E 또는 F라고 한다. 연마제 C, D, E 또는 F의 pH는 각각 8.0, 8.1, 8.4, 8.4였다.
연마제 중의 입자를 주사형 전자 현미경으로 관찰하기 위해서, 각 연마제를 각각 적당한 농도로 희석한 후 건조시키고, 그 중에 포함되어 있는 다결정 입자경을 측정했더니, 산화세륨 입자 C를 사용한 연마제 C에서는 중앙값이 882 nm, 최대값이 1264 nm였다. 또한, 산화세륨 입자 D를 사용한 연마제 D에서는 중앙값이 800 nm, 최대값이 1440 nm였다. 산화세륨 입자 E를 사용한 연마제 E에서는 중앙값이 831 nm, 최대값이 1500 nm였다. 산화세륨 입자 F를 사용한 연마제 F에서는 중앙값이 840 nm, 최대값이 1468 nm였다.
이어서, 연마제의 분산성 및 분산 입자의 전하를 조사하기 위하여, 연마제 C, D, E 또는 F의 제타 전위를 실시예 1과 동일하게 조사했더니, 모두 연마제의 입자가 마이너스로 하전되어 각각 -64 mV, -35 mV, -38 mV, -41 mV로 절대치가 크고, 분산성이 양호한 것으로 확인되었다.
b. 연마제 C', D', E', F'의 제조
산화세륨 입자 C, D, E 또는 F 1 kg과, 폴리아크릴산 암모늄염 수용액(40 중량%) 23 g과, 탈이온수 8977 g을 혼합하여 교반하면서 초음파를 10분간 조사하여 산화세륨 입자를 분산시키고, 슬러리를 얻었다.
얻어진 슬러리를 0.8 ㎛의 필터로 여과하고, 더욱 탈이온수를 첨가함으로써 고형분 3 중량%의 연마제를 얻었다. 산화세륨 입자 C, D, E 또는 F에서 얻어진 연마제를, 이하 각각 연마제 C', D', E' 또는 F'라고 한다. 연마제 C', D', E' 또는 F'의 pH는 각각 8.0, 8.1, 8.4, 8.4였다.
연마제 중의 입자를 주사형 전자 현미경으로 관찰하기 위하여 연마제 C', D', E' 또는 F'를 각각 적당한 농도로 희석하여 건조시킨 후, 포함되는 다결정 입자의 입경을 측정했더니, 산화세륨 입자 C를 사용한 연마제 C'에서는 중앙값이 398 nm, 최대값이 890 nm였다. 또한, 산화세륨 입자 D를 사용한 연마제 D'에서는 중앙값이 405 nm, 최대값이 920 nm였다. 산화세륨 입자 E를 사용한 연마제 E'에서는 중앙값이 415 nm, 최대값이 990 nm였다. 산화세륨 입자 F를 사용한 연마제 F'에서는 중앙값이 450 nm, 최대값이 1080 nm였다.
이어서, 연마제 중의 입자의 분산성 및 분산 입자의 전하를 조사하기 위하여 실시예 1과 동일하게 각 연마제의 제타 전위를 조사했더니, 모두 연마제의 분산 입자가 마이너스로 하전되어 각각 -58 mV, -55 mV, -44 mV, -40 mV로 절대치가 크고, 분산성이 양호한 것으로 확인되었다.
(3) 절연막층의 연마
연마제로서 본 실시예에서 제조한 연마제 C, D, E, F, C', D', E' 또는 F'를사용한 것 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여 Si 웨이퍼 표면의 SiO2 절연막을 연마하고 세정·건조하여 SiO2 절연막의 막후 변화를 측정했더니, 연마제 C를 사용한 경우는 740 nm(연마 속도: 370 nm/분), 연마제 D를 사용한 경우는 730 nm(연마 속도: 365 nm/분), 연마제 E를 사용한 경우는 750 nm(연마 속도: 375 nm/분), 연마제 F를 사용한 경우는 720 nm(연마 속도: 360 nm/분), 연마제 C'를 사용한 경우는 700 nm(연마 속도: 350 nm/분), 연마제 D'를 사용한 경우는 690 nm(연마 속도: 345 nm/분), 연마제 E'를 사용한 경우는 710 nm(연마 속도: 355 nm/분), 연마제 F'를 사용한 경우는 710 nm(연마 속도: 355 nm/분)의 절연막이 각각 깎여, 어떠한 연마제를 사용하더라도 웨이퍼 전면에 걸쳐 균일한 두께로 되어 있는 것을 알았다. 또한, 광학 현미경을 사용하여 절연막 표면을 관찰했더니, 모두 명확한 흠은 보이지 않았다.
<비교예>
기공을 갖지 않는 실리카가 분산된 실리카 슬러리를 연마제로서 사용하고, 실시예 1, 2와 동일하게 하여 Si 웨이퍼 표면에 TEOS-CVD법에 의해 형성된 SiO2 절연막의 연마를 행하였다. 이 슬러리의 pH는 10.3이고, SiO2 입자를 12.5 중량% 포함하였다. 또한, 연마 조건은 실시예 1, 2와 동일하게 하였다.
연마 후의 절연막을 관찰했더니 연마에 의한 흠은 보이지 않았고, 또한 균일하게 연마가 이루어졌지만, 2분간의 연마에 의해 150 nm(연마 속도: 75 nm/분)의 절연막층밖에 깎을 수 없었다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 SiO2 절연막 등의 피연마면을 흠 없이 고속으로 연마하는 것이 가능하다.
Claims (24)
- 2개 이상의 결정자로 구성되어 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자를 매체에 분산시킨 슬러리를 포함하고, 상기 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자의 입자경의 최대 입경이 3000 nm 이하인 연마제.
- 기공을 갖는 지립을 매체에 분산시킨 슬러리를 포함하고, 상기 기공을 갖는 지립 입경의 최대 입경이 3000 nm 이하인 연마제.
- 부피 밀도가 6.5 g/㎤ 이하인 산화세륨 입자를 매체에 분산시킨 슬러리를 포함하고, 상기 산화세륨 입자의 입자경의 최대 입경이 3000 nm 이하인 연마제.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 산화세륨 입자의 입자경의 중앙값이 100 내지 1200 nm인 연마제.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 산화세륨 입자의 입자경의 중앙값이 300 내지 1000 nm인 연마제.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 결정자 입경의 중앙값이 5 내지 250 nm인 연마제.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 결정자 입경의 중앙값이 5 내지 150 nm인 연마제.
- 제5항에 있어서, 상기 결정자 입경의 중앙값이 10 내지 50 nm인 연마제.
- 제5항에 있어서, 상기 결정자 입경의 중앙값이 50 내지 200 nm인 연마제.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 결정자의 최대 입경이 600 nm 이하인 산화세륨 연마제.
- 제2항에 있어서, 피크노미터를 사용하여 측정한 진밀도와 X선 리트벨트 분석으로 구한 이론 밀도의 비로부터 구한 상기 지립의 기공률이 10 내지 30 ％인 연마제.
- 제2항 또는 제11항에 있어서, B.J.H. (Barret, Joyner, Halende)법에 의해 측정한 상기 지립의 세공 용적이 0.02 내지 0.05 ㎤/g인 연마제.
- 제2항 또는 제11항에 있어서, 상기 지립이 산화세륨 입자인 연마제.
- 제12항에 있어서, 상기 지립이 산화세륨 입자인 연마제.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 매체가 물인 연마제.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 슬러리가 분산제를 포함하는 것인 연마제.
- 제16항에 있어서, 상기 분산제가 수용성 유기 고분자, 수용성 음이온계 계면활성제, 수용성 비이온계 계면활성제 및 수용성 아민으로부터 선택되는 1종 이상인 연마제.
- 제17항에 있어서, 상기 분산제가 폴리아크릴산계 중합체인 연마제.
- 제1항에 있어서, 입경 1 ㎛ 이상의 산화세륨 입자가 산화세륨 입자 전체량의 0.1 중량％ 이상을 차지하고, 상기 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자는 붕괴되면서 연마하는 성질을 갖는 것인 연마제.
- 제1항에 있어서, 상기 결정 입계를 갖는 산화세륨 입자가 매체와 접촉하지 않은 새로운 면을 생성하면서 연마하는 성질을 갖는 것인 연마제.
- 제1항에 있어서, 소정의 기판을 연마한 후, 원심 침강법에 의해 측정한 입경 0.5 ㎛ 이상의 산화세륨 입자 함유량의 비율이 연마전 상기 함유량에 대하여 0.8 이하인 연마제.
- 제1항에 있어서, 소정의 기판을 연마한 후, 레이저 회절법에 의해 측정한 D 99 체적％의 산화세륨 입자경의 비율이 연마전 상기 입자경에 대하여 0.4 이상 0.9 이하인 연마제.
- 제1항에 있어서, 소정의 기판을 연마한 후, 레이저 회절법에 의해 측정한 D 90 체적％의 산화세륨 입자경의 비율이 연마전 상기 입자경에 대하여 0.7 이상 0.95 이하가 되는 연마제.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 연마제를 이용하여 소정의 기판을 연마하는 기판의 연마법.
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34924097A JPH11181403A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 |
| JPJP-P-1997-00349240 | 1997-12-18 | ||
| JP8304398 | 1998-03-30 | ||
| JP8304298 | 1998-03-30 | ||
| JPJP-P-1998-00083043 | 1998-03-30 | ||
| JPJP-P-1998-00083042 | 1998-03-30 | ||
| PCT/JP1998/005736 WO1999031195A1 (fr) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | Abrasif, procede de polissage de tranche, et procede de production d'un dispositif a semi-conducteur |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020037005273A Division KR100709661B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050018976A true KR20050018976A (ko) | 2005-02-28 |
| KR100752909B1 KR100752909B1 (ko) | 2007-08-28 |
Family
ID=27304106
Family Applications (10)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020067024948A Expired - Lifetime KR100695857B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
| KR1020067024947A Expired - Lifetime KR100695858B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
| KR1020077007310A Expired - Fee Related KR100793527B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
| KR10-2000-7006683A Expired - Lifetime KR100403719B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제, 기판의 연마법 및 반도체 장치의 제조법 |
| KR1020057000457A Expired - Lifetime KR100752909B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
| KR1020077007309A Expired - Fee Related KR100793526B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
| KR1020057000456A Expired - Lifetime KR100721481B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
| KR1020037005273A Expired - Lifetime KR100709661B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
| KR1020067024951A Expired - Lifetime KR100792985B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
| KR1020067024950A Expired - Lifetime KR100736317B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
Family Applications Before (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020067024948A Expired - Lifetime KR100695857B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
| KR1020067024947A Expired - Lifetime KR100695858B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
| KR1020077007310A Expired - Fee Related KR100793527B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
| KR10-2000-7006683A Expired - Lifetime KR100403719B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제, 기판의 연마법 및 반도체 장치의 제조법 |
Family Applications After (5)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020077007309A Expired - Fee Related KR100793526B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
| KR1020057000456A Expired - Lifetime KR100721481B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
| KR1020037005273A Expired - Lifetime KR100709661B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
| KR1020067024951A Expired - Lifetime KR100792985B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
| KR1020067024950A Expired - Lifetime KR100736317B1 (ko) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 연마제 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (7) | US6343976B1 (ko) |
| EP (1) | EP1043379A4 (ko) |
| JP (5) | JPH11181403A (ko) |
| KR (10) | KR100695857B1 (ko) |
| CN (4) | CN1321166C (ko) |
| AU (1) | AU1683899A (ko) |
| CA (2) | CA2315057A1 (ko) |
| SG (1) | SG128425A1 (ko) |
| TW (3) | TWI272300B (ko) |
| WO (1) | WO1999031195A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160013495A (ko) | 2014-07-26 | 2016-02-04 | 주식회사 텔레칩스 | Ofdm 수신기의 채널 추정 방법 및 이를 위한 컴퓨터로 판독가능한 기록매체 |
Families Citing this family (86)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11181403A (ja) | 1997-12-18 | 1999-07-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 |
| TW510917B (en) * | 1998-02-24 | 2002-11-21 | Showa Denko Kk | Abrasive composition for polishing semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device using same |
| KR100515782B1 (ko) * | 1999-05-28 | 2005-09-23 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 산화세륨의 제조방법, 산화세륨연마제, 이것을 사용한기판의 연마방법 및 반도체장치의 제조방법 |
| WO2001000744A1 (fr) * | 1999-06-28 | 2001-01-04 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Compose abrasif pour plateau en verre de disque dur |
| JP3957924B2 (ja) | 1999-06-28 | 2007-08-15 | 株式会社東芝 | Ｃｍｐ研磨方法 |
| JP2001057352A (ja) * | 1999-08-18 | 2001-02-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 基板の研磨方法 |
| JP2001055560A (ja) * | 1999-08-18 | 2001-02-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤及びそれを用いた基板の研磨方法 |
| TW586157B (en) * | 2000-04-13 | 2004-05-01 | Showa Denko Kk | Slurry composition for polishing semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device using the same |
| US6733553B2 (en) * | 2000-04-13 | 2004-05-11 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Abrasive composition for polishing semiconductor device and method for producing semiconductor device using the same |
| JP4123685B2 (ja) * | 2000-05-18 | 2008-07-23 | Ｊｓｒ株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体 |
| JP3945964B2 (ja) * | 2000-06-01 | 2007-07-18 | 株式会社ルネサステクノロジ | 研磨剤、研磨方法及び半導体装置の製造方法 |
| US6443811B1 (en) * | 2000-06-20 | 2002-09-03 | Infineon Technologies Ag | Ceria slurry solution for improved defect control of silicon dioxide chemical-mechanical polishing |
| JP2002047482A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-12 | Rodel Nitta Co | 研磨スラリーの製造方法 |
| JP2002151448A (ja) * | 2000-11-13 | 2002-05-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウム研磨剤用ｃｍｐパッド及び基板の研磨方法 |
| JP2002203819A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
| JP2002217140A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ研磨材および基板の研磨方法 |
| EP2418258A1 (en) * | 2001-02-20 | 2012-02-15 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polishing slurry and method of polishing substrate |
| TWI272249B (en) * | 2001-02-27 | 2007-02-01 | Nissan Chemical Ind Ltd | Crystalline ceric oxide sol and process for producing the same |
| KR100575442B1 (ko) * | 2001-11-16 | 2006-05-03 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 세륨계 연마재 및 세륨계 연마재 슬러리 |
| JP4025096B2 (ja) * | 2002-03-08 | 2007-12-19 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理方法 |
| US6955914B2 (en) * | 2002-04-10 | 2005-10-18 | Geneohm Sciences, Inc. | Method for making a molecularly smooth surface |
| JP2003313542A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-06 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
| JP2004165424A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Ekc Technology Inc | 研磨剤組成物とそれによる研磨方法 |
| JP2004297035A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤、研磨方法及び電子部品の製造方法 |
| KR100539983B1 (ko) * | 2003-05-15 | 2006-01-10 | 학교법인 한양학원 | Ｃｍｐ용 세리아 연마제 및 그 제조 방법 |
| JP2004349426A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Jsr Corp | Ｓｔｉ用化学機械研磨方法 |
| JP4698144B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2011-06-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US20050028450A1 (en) * | 2003-08-07 | 2005-02-10 | Wen-Qing Xu | CMP slurry |
| JP3974127B2 (ja) * | 2003-09-12 | 2007-09-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US20050108947A1 (en) * | 2003-11-26 | 2005-05-26 | Mueller Brian L. | Compositions and methods for chemical mechanical polishing silica and silicon nitride |
| TWI334882B (en) * | 2004-03-12 | 2010-12-21 | K C Tech Co Ltd | Polishing slurry and method of producing same |
| KR100599327B1 (ko) * | 2004-03-12 | 2006-07-19 | 주식회사 케이씨텍 | Ｃｍｐ용 슬러리 및 그의 제조법 |
| KR100588404B1 (ko) * | 2004-03-16 | 2006-06-12 | 삼성코닝 주식회사 | 반도체 박막 연마용 산화세륨 슬러리 |
| TWI283008B (en) * | 2004-05-11 | 2007-06-21 | K C Tech Co Ltd | Slurry for CMP and method of producing the same |
| TWI273632B (en) * | 2004-07-28 | 2007-02-11 | K C Tech Co Ltd | Polishing slurry, method of producing same, and method of polishing substrate |
| US20060021972A1 (en) * | 2004-07-28 | 2006-02-02 | Lane Sarah J | Compositions and methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride |
| KR100613836B1 (ko) | 2004-07-28 | 2006-09-04 | 주식회사 케이씨텍 | 연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법 |
| US6979252B1 (en) | 2004-08-10 | 2005-12-27 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Low defectivity product slurry for CMP and associated production method |
| KR101090913B1 (ko) * | 2004-08-11 | 2011-12-08 | 주식회사 동진쎄미켐 | 화학 기계적 연마를 위한 산화세륨 연마입자 분산액 및 그제조방법 |
| US20070258875A1 (en) * | 2004-09-03 | 2007-11-08 | Showa Denko K.K. | Mixed Rare Earth Oxide, Mixed Rare Earth Fluoride, Cerium-Based Abrasive Using the Materials and Production Processes Thereof |
| TWI323741B (en) * | 2004-12-16 | 2010-04-21 | K C Tech Co Ltd | Abrasive particles, polishing slurry, and producing method thereof |
| KR101082620B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2011-11-15 | 학교법인 한양학원 | 연마용 슬러리 |
| CN100588698C (zh) * | 2005-01-26 | 2010-02-10 | Lg化学株式会社 | 氧化铈研磨剂以及包含该研磨剂的浆料 |
| KR20080011044A (ko) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | 주식회사 엘지화학 | 산화세륨 분말, 그 제조방법, 및 이를 포함하는ｃｍｐ슬러리 |
| US8388710B2 (en) | 2005-01-26 | 2013-03-05 | Lg Chem, Ltd. | Cerium oxide powder, method for preparing the same, and CMP slurry comprising the same |
| DE102006013728A1 (de) * | 2005-03-28 | 2006-10-19 | Samsung Corning Co., Ltd., Suwon | Verfahren zum Herstellen einer Polierslurry mit hoher Dispersionsstabilität |
| DE102005017372A1 (de) * | 2005-04-14 | 2006-10-19 | Degussa Ag | Wässrige Ceroxiddispersion |
| JP4500734B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2010-07-14 | シャープ株式会社 | 基板の再生方法 |
| KR100641348B1 (ko) | 2005-06-03 | 2006-11-03 | 주식회사 케이씨텍 | Ｃｍｐ용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법 |
| KR100725699B1 (ko) * | 2005-09-02 | 2007-06-07 | 주식회사 엘지화학 | 일액형 ｃｍｐ 슬러리용 산화 세륨 분말, 그 제조방법,이를 포함하는 일액형 ｃｍｐ 슬러리 조성물, 및 상기슬러리를 사용하는 얕은 트랜치 소자 분리방법 |
| EP1838620B1 (en) * | 2005-10-14 | 2016-12-14 | Lg Chem, Ltd. | Method for preparing a cerium oxide powder for a chemical mechanical polishing slurry |
| KR100812052B1 (ko) | 2005-11-14 | 2008-03-10 | 주식회사 엘지화학 | 탄산세륨 분말, 산화세륨 분말, 그 제조방법, 및 이를포함하는 ｃｍｐ 슬러리 |
| JP5182483B2 (ja) * | 2005-12-16 | 2013-04-17 | Ｊｓｒ株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット |
| EP2011765A4 (en) * | 2006-04-27 | 2010-07-28 | Asahi Glass Co Ltd | FINE OXIDE CRYSTAL PARTICLES AND POLISHER PENSION THEREWITH |
| KR100852242B1 (ko) * | 2006-08-16 | 2008-08-13 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 연마 방법및 반도체 메모리 소자의 제조 방법 |
| CN101517709B (zh) * | 2006-09-13 | 2011-05-25 | 旭硝子株式会社 | 半导体集成电路装置用抛光剂、抛光方法、以及制造半导体集成电路装置的方法 |
| US20080148652A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Junaid Ahmed Siddiqui | Compositions for chemical mechanical planarization of copper |
| US20090047870A1 (en) * | 2007-08-16 | 2009-02-19 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Reverse Shallow Trench Isolation Process |
| EP2260013B1 (en) | 2008-02-12 | 2018-12-19 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Ceria material and method of forming same |
| JP5375025B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2013-12-25 | 日立化成株式会社 | 研磨液 |
| KR100873945B1 (ko) * | 2008-07-16 | 2008-12-12 | (주) 뉴웰 | 미세 산화세륨 분말 그 제조 방법 및 이를 포함하는 씨엠피슬러리 |
| US8409990B2 (en) * | 2008-09-12 | 2013-04-02 | Ferro Corporation | Chemical-mechanical polishing compositions and methods of making and using the same |
| CN103333661B (zh) * | 2008-12-11 | 2015-08-19 | 日立化成株式会社 | Cmp用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法 |
| KR101050789B1 (ko) * | 2009-09-21 | 2011-07-20 | 주식회사 엘지화학 | 탄산세륨계 화합물의 제조 방법, 산화세륨의 제조 방법 및 결정성 산화세륨 |
| KR101357328B1 (ko) | 2009-11-12 | 2014-02-03 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | Ｃｍｐ 연마액, 및 이것을 이용한 연마 방법 및 반도체 기판의 제조 방법 |
| JP5251861B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2013-07-31 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板の製造方法 |
| JP2011171446A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法 |
| KR101075966B1 (ko) | 2010-03-09 | 2011-10-21 | 주식회사 엘지화학 | 결정성 산화세륨 및 이의 제조 방법 |
| JP5819589B2 (ja) * | 2010-03-10 | 2015-11-24 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物を用いた方法 |
| JP5648567B2 (ja) | 2010-05-07 | 2015-01-07 | 日立化成株式会社 | Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法 |
| WO2012092361A2 (en) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Polishing slurry including zirconia particles and a method of using the polishing slurry |
| US8956974B2 (en) * | 2012-06-29 | 2015-02-17 | Micron Technology, Inc. | Devices, systems, and methods related to planarizing semiconductor devices after forming openings |
| US10155886B2 (en) | 2013-06-12 | 2018-12-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polishing liquid for CMP, and polishing method |
| KR101405333B1 (ko) | 2013-09-12 | 2014-06-11 | 유비머트리얼즈주식회사 | 연마 입자, 연마 슬러리 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
| KR101405334B1 (ko) | 2013-09-12 | 2014-06-11 | 유비머트리얼즈주식회사 | 연마 입자의 제조 방법 및 연마 슬러리의 제조 방법 |
| JP2015143332A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-08-06 | 旭硝子株式会社 | 研磨剤、研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
| WO2016006553A1 (ja) | 2014-07-09 | 2016-01-14 | 日立化成株式会社 | Ｃｍｐ用研磨液及び研磨方法 |
| KR101773543B1 (ko) | 2015-06-30 | 2017-09-01 | 유비머트리얼즈주식회사 | 연마 입자, 연마 슬러리 및 연마 입자의 제조 방법 |
| CN110177852B (zh) | 2017-01-16 | 2021-12-14 | 日挥触媒化成株式会社 | 研磨组合物 |
| CN106590442A (zh) * | 2017-01-22 | 2017-04-26 | 海城海美抛光材料制造有限公司 | 一种二氧化铈抛光粉液的制备方法 |
| CN109015341B (zh) * | 2018-08-03 | 2020-08-11 | 成都时代立夫科技有限公司 | 一种基于多孔氧化铈的cmp抛光层及其制备方法 |
| US11999875B2 (en) | 2019-06-06 | 2024-06-04 | Resonac Corporation | Polishing solution and polishing method |
| CN110586568A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-12-20 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种用于蓝宝石衬底片碳化硼研磨后的清洗方法 |
| KR102679084B1 (ko) | 2021-08-30 | 2024-06-27 | 주식회사 케이씨텍 | 산화세륨 연마입자 및 연마 슬러리 조성물 |
| JPWO2023166961A1 (ko) * | 2022-03-03 | 2023-09-07 | ||
| KR20240154881A (ko) | 2023-04-19 | 2024-10-28 | 오신희 | 내진 및 제진구조를 갖는 각종 시설물 지지행거 |
Family Cites Families (68)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE7621572U1 (de) | 1976-07-08 | 1976-10-28 | Skf Kugellagerfabriken Gmbh, 8720 Schweinfurt | Kupplungsausruecker, insbesondere fuer kraftfahrzeuge |
| US4462188A (en) | 1982-06-21 | 1984-07-31 | Nalco Chemical Company | Silica sol compositions for polishing silicon wafers |
| FR2549846B1 (fr) * | 1983-07-29 | 1986-12-26 | Rhone Poulenc Spec Chim | Nouvelle composition de polissage a base de cerium et son procede de fabrication |
| US4475981A (en) * | 1983-10-28 | 1984-10-09 | Ampex Corporation | Metal polishing composition and process |
| US4588421A (en) | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Nalco Chemical Company | Aqueous silica compositions for polishing silicon wafers |
| JPS61218680A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-29 | Sanyo Chem Ind Ltd | 研磨加工液 |
| FR2583034A1 (fr) | 1985-06-10 | 1986-12-12 | Rhone Poulenc Spec Chim | Nouvel oxyde cerique, son procede de fabrication et ses applications |
| JPS6345125A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Tosoh Corp | 研摩剤 |
| FR2617154B1 (fr) | 1987-06-29 | 1990-11-30 | Rhone Poulenc Chimie | Procede d'obtention d'oxyde cerique et oxyde cerique a nouvelles caracteristiques morphologiques |
| JPS6440267A (en) | 1987-08-07 | 1989-02-10 | Shinetsu Chemical Co | Manufacture of precisely polished glass |
| JPS6440267U (ko) | 1987-09-05 | 1989-03-10 | ||
| FR2624519A1 (fr) * | 1987-12-09 | 1989-06-16 | Rhone Poulenc Chimie | Composition de polissage perfectionnee a base de cerium et son procede de preparation |
| JPH0297424A (ja) | 1988-10-04 | 1990-04-10 | Iwao Jiki Kogyo Kk | アルミナージルコニア複合粉体の製造方法 |
| US4954142A (en) | 1989-03-07 | 1990-09-04 | International Business Machines Corporation | Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor |
| US4959113C1 (en) | 1989-07-31 | 2001-03-13 | Rodel Inc | Method and composition for polishing metal surfaces |
| JP2506503B2 (ja) | 1990-11-29 | 1996-06-12 | 東芝セラミックス株式会社 | 積層セラミック多孔体 |
| CA2064977C (en) | 1991-04-05 | 1998-09-22 | Eiichi Shiraishi | Catalyst for purifying exhaust gas |
| JP3183906B2 (ja) | 1991-06-25 | 2001-07-09 | 株式会社日本触媒 | ジルコニアシート |
| US5264010A (en) | 1992-04-27 | 1993-11-23 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces |
| JP3335667B2 (ja) * | 1992-05-26 | 2002-10-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2914860B2 (ja) * | 1992-10-20 | 1999-07-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置とその製造方法および研磨方法ならびに研磨装置および研磨装置の研磨面の再生方法 |
| US5525559A (en) | 1993-02-13 | 1996-06-11 | Tioxide Specialties Limited | Preparation of mixed powders |
| US5607718A (en) * | 1993-03-26 | 1997-03-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing method and polishing apparatus |
| JP2832270B2 (ja) | 1993-05-18 | 1998-12-09 | 三井金属鉱業株式会社 | ガラス研磨用研磨材 |
| US5389352A (en) | 1993-07-21 | 1995-02-14 | Rodel, Inc. | Oxide particles and method for producing them |
| JPH0770553A (ja) | 1993-09-01 | 1995-03-14 | Asahi Glass Co Ltd | 研磨液及び基体の研磨方法 |
| JP3440505B2 (ja) | 1993-09-14 | 2003-08-25 | 昭和電工株式会社 | 酸化第二セリウムの製造方法 |
| JPH07172933A (ja) | 1993-11-01 | 1995-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミックスラリーの製造方法 |
| JP2980504B2 (ja) | 1993-12-21 | 1999-11-22 | 信越化学工業株式会社 | 新規な形態を有する炭酸セリウムおよび炭酸セリウム並びに酸化セリウムの製造方法 |
| JPH083541A (ja) | 1994-06-17 | 1996-01-09 | Taki Chem Co Ltd | 精密研磨剤 |
| JP3278532B2 (ja) | 1994-07-08 | 2002-04-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3837754B2 (ja) | 1994-07-11 | 2006-10-25 | 日産化学工業株式会社 | 結晶性酸化第二セリウムの製造方法 |
| TW311905B (ko) * | 1994-07-11 | 1997-08-01 | Nissan Chemical Ind Ltd | |
| JP3680367B2 (ja) | 1994-08-19 | 2005-08-10 | 株式会社日立製作所 | 配線基板 |
| TW274625B (ko) * | 1994-09-30 | 1996-04-21 | Hitachi Seisakusyo Kk | |
| JP3430733B2 (ja) | 1994-09-30 | 2003-07-28 | 株式会社日立製作所 | 研磨剤及び研磨方法 |
| US5527423A (en) * | 1994-10-06 | 1996-06-18 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry for metal layers |
| JP2864451B2 (ja) * | 1994-11-07 | 1999-03-03 | 三井金属鉱業株式会社 | 研磨材及び研磨方法 |
| JPH08168954A (ja) | 1994-12-15 | 1996-07-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 研磨キズの防止方法 |
| JP3282417B2 (ja) | 1994-12-21 | 2002-05-13 | ソニー株式会社 | 半導体装置とその製法 |
| KR960041316A (ko) | 1995-05-22 | 1996-12-19 | 고사이 아키오 | 연마용 입상체, 이의 제조방법 및 이의 용도 |
| JPH0948672A (ja) | 1995-08-02 | 1997-02-18 | Kanebo Ltd | セラミックスラリーの調製法 |
| JPH09143455A (ja) * | 1995-09-21 | 1997-06-03 | Mitsubishi Chem Corp | ハードディスク基板の研磨用組成物及びこれを用いる研磨方法 |
| JP3359479B2 (ja) | 1995-11-07 | 2002-12-24 | 三井金属鉱業株式会社 | 研磨材、その製造方法及び研磨方法 |
| FR2741869B1 (fr) * | 1995-12-04 | 1998-02-06 | Rhone Poulenc Chimie | Oxyde de cerium a pores de structure lamellaire, procede de preparation et utilisation en catalyse |
| JPH09168966A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-06-30 | Mitsubishi Chem Corp | ハードディスク基板の研磨用組成物 |
| JPH09194824A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-29 | Sanyo Chem Ind Ltd | 水溶性ラップ液組成物 |
| US5653775A (en) * | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Microwave sintering of sol-gel derived abrasive grain |
| AU1670597A (en) | 1996-02-07 | 1997-08-28 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Cerium oxide abrasive, semiconductor chip, semiconductor device, process for the production of them, and method for the polishing of substrates |
| JP3825844B2 (ja) * | 1996-02-19 | 2006-09-27 | 昭和電工株式会社 | 精密研磨用組成物、Ａｌ合金基板上に成膜された無電解ＮｉＰメッキ膜の研磨方法、無電解ＮｉＰメッキ膜を有するＡｌ合金基板の製造方法 |
| JPH09270402A (ja) | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウム研磨剤及び基板の製造法 |
| JP3981988B2 (ja) | 1996-04-19 | 2007-09-26 | 東ソー株式会社 | 研磨焼成体及びその製造法 |
| US5858813A (en) | 1996-05-10 | 1999-01-12 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry for metal layers and films |
| ES2164206T3 (es) * | 1996-06-30 | 2002-02-16 | Nestle Sa | Procedimiento de fabricacion de un producto alimenticio por extrusion. |
| KR19980019046A (ko) * | 1996-08-29 | 1998-06-05 | 고사이 아키오 | 연마용 조성물 및 이의 용도(Abrasive composition and use of the same) |
| JPH10106992A (ja) | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 |
| CA2263241C (en) * | 1996-09-30 | 2004-11-16 | Masato Yoshida | Cerium oxide abrasive and method of abrading substrates |
| JP3462052B2 (ja) | 1996-09-30 | 2003-11-05 | 日立化成工業株式会社 | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
| US5876490A (en) | 1996-12-09 | 1999-03-02 | International Business Machines Corporatin | Polish process and slurry for planarization |
| JPH10204416A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-04 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
| JPH1112561A (ja) | 1997-04-28 | 1999-01-19 | Seimi Chem Co Ltd | 半導体用研磨剤および半導体用研磨剤の製造方法 |
| JPH10296610A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-10 | Sony Corp | 研磨方法 |
| TW365563B (en) * | 1997-04-28 | 1999-08-01 | Seimi Chem Kk | Polishing agent for semiconductor and method for its production |
| US5891205A (en) * | 1997-08-14 | 1999-04-06 | Ekc Technology, Inc. | Chemical mechanical polishing composition |
| JPH11181403A (ja) | 1997-12-18 | 1999-07-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 |
| TW501197B (en) | 1999-08-17 | 2002-09-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Polishing compound for chemical mechanical polishing and method for polishing substrate |
| CN1290770C (zh) * | 2001-09-07 | 2006-12-20 | 阿南化成株式会社 | 二氧化铈、其制备法和用于净化废气的催化剂 |
| TW200420517A (en) | 2002-11-22 | 2004-10-16 | Nippon Aerosil Co Ltd | High concentration silica slurry |
-
1997
- 1997-12-18 JP JP34924097A patent/JPH11181403A/ja active Pending
-
1998
- 1998-12-18 KR KR1020067024948A patent/KR100695857B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-18 TW TW094140320A patent/TWI272300B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-12-18 KR KR1020067024947A patent/KR100695858B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-18 KR KR1020077007310A patent/KR100793527B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-18 WO PCT/JP1998/005736 patent/WO1999031195A1/ja active IP Right Grant
- 1998-12-18 EP EP98961410A patent/EP1043379A4/en not_active Withdrawn
- 1998-12-18 CN CNB021481741A patent/CN1321166C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-18 AU AU16838/99A patent/AU1683899A/en not_active Abandoned
- 1998-12-18 JP JP2000539103A patent/JP3727241B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-18 CN CNB2006100585449A patent/CN100567441C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-18 TW TW087121198A patent/TW577913B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-12-18 CA CA002315057A patent/CA2315057A1/en not_active Abandoned
- 1998-12-18 KR KR10-2000-7006683A patent/KR100403719B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-18 TW TW091133043A patent/TW200300025A/zh unknown
- 1998-12-18 KR KR1020057000457A patent/KR100752909B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-18 CN CN2008101830288A patent/CN101423747B/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-18 KR KR1020077007309A patent/KR100793526B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-18 CA CA002605696A patent/CA2605696A1/en not_active Abandoned
- 1998-12-18 SG SG200202565A patent/SG128425A1/en unknown
- 1998-12-18 KR KR1020057000456A patent/KR100721481B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-18 CN CN98812295A patent/CN1128195C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-18 KR KR1020037005273A patent/KR100709661B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-18 US US09/581,814 patent/US6343976B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-18 KR KR1020067024951A patent/KR100792985B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-18 KR KR1020067024950A patent/KR100736317B1/ko not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-01-11 US US10/042,271 patent/US7115021B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-11-25 JP JP2003394020A patent/JP2004153286A/ja not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-07-12 US US11/484,611 patent/US7871308B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-12 JP JP2006335113A patent/JP4788587B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2006-12-12 JP JP2006335088A patent/JP4788586B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-07-25 US US11/878,504 patent/US8162725B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-07-10 US US12/170,587 patent/US7963825B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-08-25 US US13/217,447 patent/US8137159B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-02 US US13/411,196 patent/US8616936B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160013495A (ko) | 2014-07-26 | 2016-02-04 | 주식회사 텔레칩스 | Ofdm 수신기의 채널 추정 방법 및 이를 위한 컴퓨터로 판독가능한 기록매체 |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100736317B1 (ko) | 연마제 | |
| JP2002138275A (ja) | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 | |
| KR20070086934A (ko) | 산화세륨 입자 | |
| JP4776518B2 (ja) | 研磨剤及びスラリー | |
| JP4788585B2 (ja) | 研磨剤及びスラリー | |
| JP2007129249A (ja) | 研磨剤及びスラリー | |
| JPH11181404A (ja) | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 | |
| JP4776519B2 (ja) | 研磨剤及びスラリー | |
| KR100622519B1 (ko) | 산화세륨 입자 | |
| JP4788588B2 (ja) | 研磨方法 | |
| JPH11181407A (ja) | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0104 | Divisional application for international application |
Comment text: Divisional Application for International Patent Patent event code: PA01041R01D Patent event date: 20050110 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20050416 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20070425 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20070726 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20070821 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20070821 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20100811 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20110720 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| J204 | Request for invalidation trial [patent] | ||
| PJ0204 | Invalidation trial for patent |
Patent event date: 20120703 Comment text: Request for Trial Patent event code: PJ02042R01D Patent event date: 20070821 Comment text: Registration of Establishment Patent event code: PJ02041E01I Appeal kind category: Invalidation Request date: 20120703 Decision date: 20130404 Appeal identifier: 2012100001825 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20120810 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| J121 | Written withdrawal of request for trial | ||
| PJ1201 | Withdrawal of trial |
Patent event code: PJ12011R01D Patent event date: 20130404 Comment text: Written Withdrawal of Request for Trial Appeal identifier: 2012100001825 Request date: 20120703 Appeal kind category: Invalidation Decision date: 20130404 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130809 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20130809 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140808 Year of fee payment: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20140808 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150817 Year of fee payment: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20150817 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160812 Year of fee payment: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20160812 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170811 Year of fee payment: 11 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170811 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
| EXPY | Expiration of term | ||
| PC1801 | Expiration of term |
Termination date: 20190618 Termination category: Expiration of duration |