KR20050113351A - 감광성 수지 조성물 - Google Patents
감광성 수지 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050113351A KR20050113351A KR1020040037951A KR20040037951A KR20050113351A KR 20050113351 A KR20050113351 A KR 20050113351A KR 1020040037951 A KR1020040037951 A KR 1020040037951A KR 20040037951 A KR20040037951 A KR 20040037951A KR 20050113351 A KR20050113351 A KR 20050113351A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photosensitive resin
- resin composition
- weight
- methacrylate
- acrylate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
- G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
Description
| 구분 | 코팅 RPM | 평탄도 | 감도(mJ/㎠) | 해상도(㎛) | 내열성 | 투명성 | 내열변색성 |
| 실시예 1 | 1000 | ○ | 270 | 3 | ○ | 90 | ○ |
| 실시예 2 | 1050 | ○ | 260 | 3 | ○ | 90 | ○ |
| 실시예 3 | 1050 | ○ | 270 | 3 | ○ | 90 | ○ |
| 실시예 4 | 1000 | ○ | 260 | 3 | ○ | 90 | ○ |
| 실시예 5 | 1020 | ○ | 270 | 3 | ○ | 90 | ○ |
| 비교예 1 | 1300 | × | 310 | 5 | ○ | 90 | ○ |
Claims (10)
- 감광성 수지 조성물에 있어서,a)ⅰ) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물;ⅱ) 에폭시기 함유 불포화 화합물; 및ⅲ) 올레핀계 불포화 화합물을 공중합시켜 얻어진 아크릴계 공중합체;b) 1,2-퀴논디아지드 화합물; 및c) 벤질 알코올, 헥실 알코올,디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에틸에티르, 및 디프로필렌글리콜디에틸에테르로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,a)ⅰ) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물 5 내지 40 중량%;ⅱ) 에폭시기 함유 불포화 화합물 10 내지 70 중량%; 및ⅲ) 올레핀계 불포화 화합물 10 내지 70 중량%을 공중합시켜 얻어진 아크릴계 공중합체 100 중량부;b) 1,2-퀴논디아지드 화합물 5 내지 100 중량부; 및c) 벤질 알코올, 헥실 알코올, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에틸에티르, 및 디프로필렌글리콜디에틸에테르로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 용매를 감광성 수지 조성물 내의 고형분의 함량이 10 내지 50 중량%가 되도록 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,상기 a)ⅰ) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물 또는 이들의 혼합물이 아크릴산, 메타크릴산, 말레인산, 푸마르산, 시트라콘산, 메타콘산, 이타콘산, 및 이들의 불포화 디카르본산의 무수물로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,상기 a)ⅱ)의 에폭시기 함유 불포화 화합물이 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-β-메틸글리시딜, 메타크릴산-β-메틸글리시딜, 아크릴산-β-에틸글리시딜, 메타크릴산-β-에틸글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, 및 p-비닐벤질글리시딜에테르로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,상기 a)ⅲ)의 올레핀계 불포화 화합물이 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-부틸 메타크릴레이트, sec-부틸 메타크릴레이트, tert-부틸 메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 이소프로필 아크릴레이트, 시클로헥실 메타크릴레이트, 2-메틸시클로 헥실메타크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐메타크릴레이트, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, 1-아다만틸 아크릴레이트, 1-아다만틸 메타크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸메타크릴레이트, 이소보로닐메타크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸아크릴레이트, 이소보로닐아크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 스티렌, σ-메틸 스티렌, m-메틸 스티렌, p-메틸 스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시 스티렌, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 및 2,3-디메틸 1,3-부타디엔으로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,상기 a)의 아크릴계 공중합체의 폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)이 5,000 내지 30,000인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,상기 b)의 1,2-퀴논디아지드 화합물은 감광성 화합물이 1,2-퀴논디아지드 4-술폰산 에스테르, 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르, 및 1,2-퀴논디아지드 6-술폰산 에스테르로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,상기 감광성 수지 조성물이 d) 에폭시수지 0.1 내지 30 중량부, e) 접착제 0.1 내지 20 중량부, f) 아크릴 화합물 0.1 내지 30 중량부, 및 g) 계면활성제 0.0001 내지 2 중량부로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 첨가제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 감광성 수지의 경화체를 포함하는 LCD 기판.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 감광성 수지를 이용한 LCD 기판의 패턴형성방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040037951A KR20050113351A (ko) | 2004-05-27 | 2004-05-27 | 감광성 수지 조성물 |
| TW094116579A TWI403836B (zh) | 2004-05-27 | 2005-05-20 | 感光性樹脂組成物 |
| JP2005153818A JP2005338849A (ja) | 2004-05-27 | 2005-05-26 | 感光性樹脂組成物、lcd基板及びlcd基板のパターン形成方法 |
| CN2005100758284A CN1702554B (zh) | 2004-05-27 | 2005-05-27 | 感光性树脂组合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040037951A KR20050113351A (ko) | 2004-05-27 | 2004-05-27 | 감광성 수지 조성물 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050113351A true KR20050113351A (ko) | 2005-12-02 |
Family
ID=35492413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040037951A Ceased KR20050113351A (ko) | 2004-05-27 | 2004-05-27 | 감광성 수지 조성물 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005338849A (ko) |
| KR (1) | KR20050113351A (ko) |
| CN (1) | CN1702554B (ko) |
| TW (1) | TWI403836B (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100109370A (ko) * | 2009-03-31 | 2010-10-08 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물 및 액정 패널 |
| KR20110038621A (ko) * | 2008-07-14 | 2011-04-14 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 불용화 수지 조성물 및 그것을 이용하는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| KR101348757B1 (ko) * | 2006-02-03 | 2014-01-07 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유기 절연막용 수지 조성물 및 그 제조 방법, 상기 수지조성물을 포함하는 표시판 |
| KR20150047403A (ko) * | 2013-10-24 | 2015-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판 제조방법 및 이를 이용한 표시장치 제조방법 |
| KR20200048865A (ko) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006126397A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Jsr Corp | 感光性樹脂組成物、表示パネル用スペーサーおよび表示パネル |
| US7799509B2 (en) * | 2005-06-04 | 2010-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photosensitive resin composition, method of manufacturing a thin-film transistor substrate, and method of manufacturing a common electrode substrate using the same |
| TW200813635A (en) * | 2006-05-16 | 2008-03-16 | Nissan Chemical Ind Ltd | Positive type photosensitive resin composition and porous film obtained therefrom |
| JP4931644B2 (ja) * | 2007-03-02 | 2012-05-16 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
| JP4905700B2 (ja) * | 2007-05-16 | 2012-03-28 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズならびにそれらの形成方法 |
| JP5187492B2 (ja) * | 2007-11-22 | 2013-04-24 | Jsr株式会社 | 硬化性樹脂組成物、保護膜および保護膜の形成方法 |
| TWI501027B (zh) * | 2008-11-18 | 2015-09-21 | Sumitomo Chemical Co | Photosensitive resin composition and display device |
| JP5451048B2 (ja) * | 2008-12-05 | 2014-03-26 | 株式会社ダイセル | 共重合体及び感光性樹脂組成物 |
| JP5421585B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2014-02-19 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
| KR20100099048A (ko) * | 2009-03-02 | 2010-09-10 | 주식회사 동진쎄미켐 | 감광성 수지 조성물 |
| JP2014071373A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 感光性樹脂組成物 |
| US20140240645A1 (en) * | 2013-02-27 | 2014-08-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Photosensitive resin composition, display device using the same and method of manufacturing the display device |
| KR102630945B1 (ko) * | 2015-11-20 | 2024-01-30 | 주식회사 동진쎄미켐 | 감광성 수지 조성물 |
| KR102433199B1 (ko) * | 2017-03-09 | 2022-08-17 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| JP6649433B2 (ja) * | 2018-05-31 | 2020-02-19 | 旭化成株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2961722B2 (ja) * | 1991-12-11 | 1999-10-12 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| JPH0675370A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Kansai Paint Co Ltd | ポジ型感光性カチオン電着レジスト組成物およびこの組成物を用いたプリント配線基板の製造方法 |
| US5478682A (en) * | 1993-05-27 | 1995-12-26 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Method for domain-dividing liquid crystal alignment film and liquid crystal device using domain-divided alignment film |
| JPH06348017A (ja) * | 1993-06-08 | 1994-12-22 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP3484808B2 (ja) * | 1995-03-24 | 2004-01-06 | Jsr株式会社 | 層間絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物並びに層間絶縁膜およびその製造方法 |
| JPH09146276A (ja) * | 1995-11-22 | 1997-06-06 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP3424225B2 (ja) * | 1996-02-23 | 2003-07-07 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性樹脂組成物およびそれから形成された被膜 |
| JPH11174673A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-07-02 | Jsr Corp | 表示パネルスペーサー用感放射線性樹脂組成物 |
| JP2000250208A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP2000327875A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-28 | Jsr Corp | カラーフィルター保護膜またはtft層間絶縁膜と一体となったスペーサー用感放射線性樹脂組成物 |
| JP2000347397A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物およびその層間絶縁膜への使用 |
| JP4524944B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2010-08-18 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、その層間絶縁膜およびマイクロレンズの形成への使用、ならびに層間絶縁膜およびマイクロレンズ |
| KR100784672B1 (ko) * | 2001-08-20 | 2007-12-12 | 주식회사 동진쎄미켐 | 감광성 수지 조성물 |
| JP3838626B2 (ja) * | 2001-09-07 | 2006-10-25 | 東京応化工業株式会社 | 感光性樹脂組成物及びそれを用いたパターンの形成方法 |
| KR100809544B1 (ko) * | 2001-10-24 | 2008-03-04 | 주식회사 동진쎄미켐 | 퀴논디아지드 술폰산 에스테르 화합물을 포함하는 감광성수지조성물 |
| KR100824356B1 (ko) * | 2002-01-09 | 2008-04-22 | 삼성전자주식회사 | 감광성 수지 조성물 및 이를 사용한 패턴의 형성방법 |
| JP4283582B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2009-06-24 | シャープ株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、パターン状絶縁性被膜の形成方法、アクティブマトリクス基板およびそれを備えた平面表示装置、並びに平面表示装置の製造方法 |
| US6984476B2 (en) * | 2002-04-15 | 2006-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Radiation-sensitive resin composition, forming process for forming patterned insulation film, active matrix board and flat-panel display device equipped with the same, and process for producing flat-panel display device |
| JP4315013B2 (ja) * | 2003-08-01 | 2009-08-19 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法 |
| JP4363161B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2009-11-11 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、並びに層間絶縁膜およびマイクロレンズの形成方法 |
-
2004
- 2004-05-27 KR KR1020040037951A patent/KR20050113351A/ko not_active Ceased
-
2005
- 2005-05-20 TW TW094116579A patent/TWI403836B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-05-26 JP JP2005153818A patent/JP2005338849A/ja active Pending
- 2005-05-27 CN CN2005100758284A patent/CN1702554B/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101348757B1 (ko) * | 2006-02-03 | 2014-01-07 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유기 절연막용 수지 조성물 및 그 제조 방법, 상기 수지조성물을 포함하는 표시판 |
| KR20110038621A (ko) * | 2008-07-14 | 2011-04-14 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 불용화 수지 조성물 및 그것을 이용하는 레지스트 패턴 형성 방법 |
| KR20100109370A (ko) * | 2009-03-31 | 2010-10-08 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물 및 액정 패널 |
| KR20150047403A (ko) * | 2013-10-24 | 2015-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판 제조방법 및 이를 이용한 표시장치 제조방법 |
| KR20200048865A (ko) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1702554B (zh) | 2010-08-18 |
| CN1702554A (zh) | 2005-11-30 |
| TW200613907A (en) | 2006-05-01 |
| TWI403836B (zh) | 2013-08-01 |
| JP2005338849A (ja) | 2005-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100809544B1 (ko) | 퀴논디아지드 술폰산 에스테르 화합물을 포함하는 감광성수지조성물 | |
| KR100784672B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 | |
| JP5062514B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、ディスプレイ基板及びそのパターン形成方法 | |
| JP5016828B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| KR20050113351A (ko) | 감광성 수지 조성물 | |
| KR101068111B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 | |
| KR20070103109A (ko) | 감광성 수지 조성물 | |
| KR101326595B1 (ko) | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 및 공통 전극 기판의 제조방법 | |
| JP4906356B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、lcd基板及びそのパターン形成方法 | |
| KR101388519B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 이에 사용되는감광성 수지 조성물 | |
| KR100922844B1 (ko) | 절연막 형성용 감광성 수지 조성물 | |
| JP4786360B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、lcd基板及びその製造方法 | |
| KR20090111517A (ko) | 저온 경화성 감광성 수지 조성물 | |
| KR101057130B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 | |
| KR101373541B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 | |
| KR100922843B1 (ko) | 절연막 형성용 감광성 수지 조성물 | |
| KR100737723B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 | |
| KR20030026666A (ko) | 감광성 수지 조성물 | |
| KR101030310B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 | |
| KR20030008706A (ko) | 감광성 수지 조성물 | |
| KR20110046281A (ko) | 감광성 수지 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20040527 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20090422 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20040527 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20110201 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20111226 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20110201 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |